JP2002267684A

JP2002267684A - 半導体式力学量センサ

Info

Publication number: JP2002267684A
Application number: JP2001072606A
Authority: JP
Inventors: Yukiya Ando; 幸也安藤; Tomohito Kunda; 智仁薫田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2001-03-14
Publication date: 2002-09-18

Abstract

(57)【要約】【課題】組み付け後の日数経過による可撓性の熱硬化
性接着剤のクリープ現象によるセンサの基準値が変動し
てしまうのを防止できる構造を提供すること。【解決手段】図（ｂ）に示されるように、複数個の樹
脂ビーズ１８ａを配合した熱硬化性接着剤１９ａによっ
て、半導体センサチップと台座とを接着する工程におい
て、梁部１３を介して重錘部１４を支持した側の半導体
センサチップと台座とを接着しないことを特徴としてい
る。このような接着方法を適用したことにより、半導体
センサチップと台座とを接着する工程における熱硬化性
接着剤１９ａの収縮によって、梁部１３が接続した側の
半導体センサチップの枠部１２が変形することはない。
よって、熱硬化性接着剤１９ａのクリープ現象に起因し
た歪みが梁部１３に伝播するのが抑制され、接着工程後
の日数経過による基準値の変動量を低減することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体式力学量セ
ンサに関するもので、特にその基準が変動してしまうの
を防止できる特性変動低減構造に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、半導体式力学量センサとして、特開
平１０−１２３１６６号公報に開示されているように、
梁部に設けられた抵抗要素のピエゾ抵抗効果を利用して
加速度（力学量）を検知できるように構成された半導体
式加速度センサがある。

【０００３】ここで、この半導体式加速度センサについ
て、図９及び図１０を用いて簡単に説明する。尚、図１
０は、図９における半導体センサチップ１部分のＢ矢視
図である。

【０００４】まず、図１０に示されるように、半導体セ
ンサチップ１は、枠部２の内側において対称に配置され
た４本の梁部３を介して、重錘部４を両持ち状に支持し
た形態となっており、各梁部３には、印加した加速度に
応じてその抵抗値が変化する抵抗要素（図示せず）が２
個ずつ形成されている。

【０００５】これら梁部３は、半導体センサチップ１に
加速度が印加したとき大きな歪みが発生する部分である
ため、梁部３に抵抗要素を形成したことにより、印加し
た加速度を検知することができる。

【０００６】また、図９に示されるように、半導体セン
サチップ１は、可撓性接着剤９ａにより枠部２を介して
台座５上に接着され、さらに、これら半導体センサチッ
プ１及び台座５の一体物は、ハウジング６上に可撓性接
着剤９ｂにより接着されている。

【０００７】この可撓性接着剤９ａ、９ｂには、複数個
の樹脂ビーズ８ａ、８ｂが配合されているため、重錘部
４と台座５との間のエアギャップ寸法管理を厳密、か
つ、容易に行うことができる。

【０００８】尚、このハウジング６は、複数枚のセラミ
ック基板６ｂを積層して構成されており、これらセラミ
ック基板６ｂの間には、薄膜状の静電シールド７が全域
に渡って形成されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ここで、樹脂ビーズ８
ａを配合した可撓性接着剤９ａによって、半導体センサ
チップ１と台座５とを接着する接着工程について簡単に
説明する。

【００１０】まず、半導体センサチップ１と台座５との
間に、樹脂ビーズ８ａを配合した液状状態の可撓性接着
剤９ａを塗布する。

【００１１】そして、所定温度（１５０℃程度）の雰囲
気に所定時間（１時間程度）さらすことにより、可撓性
接着剤９ａを熱硬化させ、半導体センサチップ１を台座
５に接着させる。

【００１２】その後、半導体式加速度センサの特性の基
準となる、印加加速度が零の状態での基準値の設定を行
う。

【００１３】しかしながら、この接着工程後の日数の経
過に応じて、設定した基準値が徐々に変動してしまうこ
とが判明した。

【００１４】発明者らの鋭意研究により、この問題は、
半導体センサチップ１に生じた反りと可撓性接着剤９ａ
のクリープ現象に起因することが判明した。

【００１５】即ち、図１１（ａ）に示されるように、個
々のチップにダイシングした後の半導体センサチップ１
は湾曲形状となっている。

【００１６】これは、半導体センサチップ１形成時に、
ウェハ状態においてウェハ表面にはアルミ配線などが高
温状態で形成され、形成後にウェハを室温状態に戻すこ
とにより、ウェハとアルミとの線膨張係数差によって、
ウェハが変形してしまうからである。

【００１７】この湾曲形状に反った半導体センサチップ
１を、台座５に可撓性接着剤９ａによって接着する際
に、上述のように、１５０℃程度の高温状態から室温に
戻すと、図１１（ｂ）に示されるように、可撓性接着剤
９ａは収縮する。

【００１８】これと同時に、可撓性接着剤９ａ内部の両
端に設けられた樹脂ビーズ８ａが支点となって、半導体
センサチップ１の中心部が台座５側に変形する。

【００１９】そして、接着工程後、時間の経過に応じ
て、図１１（ｃ）に示されるように、可撓性接着剤９ａ
のクリープ現象によって、半導体センサチップ１は図１
１（ａ）に示されるような接着前の形状に徐々に戻って
しまう。

【００２０】従って、図１１（ｂ）の状態、即ち、接着
直後の状態で、上述の基準値設定を行っても、その後時
間経過に従って、可撓性接着剤９ａのクリープ現象によ
り、半導体センサチップ１が変形することにより、半導
体センサチップ１の梁部３に形成された抵抗要素の抵抗
値が変化し、図１２の曲線に示されるように、接着工程
後の日数の経過に応じて、徐々に基準値が変動してしま
う。

【００２１】尚、可撓性接着剤９ａとしては、台座５か
ら半導体センサチップ１への歪みの伝播を抑制するため
に、柔らかい材質が選択される。

【００２２】ここで、可撓性接着剤９ａとして硬い材質
を選択すれば、硬い材質ほどクリープ速度は遅くなるた
め、半導体センサチップ１が図１１（ａ）に示されるよ
うな形状に戻るには長時間を要し、市場で問題になるこ
とはない。

【００２３】しかし、可撓性接着剤９ａとして硬い材質
を選択した場合、半導体センサチップ１を支持する台座
５やハウジング６が温度変化などによって変形すると、
半導体センサチップ１はその影響を受けやすくなり、そ
れによって、加速度が印加されていないにも関わらず基
準値が変動してしまう。

【００２４】よって、可撓性接着剤９ａには柔らかい材
質を利用して、台座５やハウジング６などの変形による
半導体センサチップ１への影響を緩和する必要がある。

【００２５】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、梁部
を介して支持された重錘部を有し、梁部に形成された抵
抗要素のピエゾ抵抗効果を利用して力学量を検知できる
ように構成された半導体センサチップと、ビーズを配合
した熱硬化性接着剤によって半導体センサチップと接着
された台座とを備えた半導体式力学量センサにおいて、
接着工程後の時間経過による可撓性の熱硬化性接着剤の
クリープ現象によって、センサの基準値が変動してしま
うのを防止できる構造を提供することにある。

【００２６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
式力学量センサは、力学量の印加により変位する変位部
を有し、変位部の変位を検出する半導体センサチップ
と、ビーズを配合した熱硬化性接着剤によって半導体セ
ンサチップを固定する台座とを備えた半導体式力学量セ
ンサにおいて、熱硬化性接着剤からの歪みの影響が小さ
くなるような位置に熱硬化性接着剤が配置されているこ
とを特徴としている。

【００２７】上述のような接着法法を適用したことによ
り、半導体センサチップと台座との接着工程において熱
硬化性接着剤が収縮しても、熱硬化性接着剤からの歪み
の影響が大きくなるような位置の半導体センサチップに
対しては、熱硬化性接着剤が存在しない。

【００２８】それによって、当該位置における半導体セ
ンサチップは、接着工程前後を通して、ダイシングカッ
トしたままの状態を保つことができ、接着工程に起因し
た半導体センサチップの変形は発生しない。

【００２９】即ち、熱硬化性接着剤からの歪みの影響が
大きくなるような位置においては、熱硬化性接着剤のク
リープ現象は発生しないため、接着工程後の時間経過に
よる基準値の変動量を低減させることができる。

【００３０】請求項２に記載の半導体式力学量センサ
は、半導体センサチップは、梁部を介して固定部より懸
架された重錘部を有し、梁部に形成された抵抗要素のピ
エゾ抵抗効果を利用して力学量を検知できるように構成
されたものであって、熱硬化性接着剤の配置位置は、梁
部と固定部とが接続した位置から離れた領域であること
を特徴としている。

【００３１】梁部が接続した位置の半導体センサチップ
の固定部が変形すると、その変形によって発生する歪み
の影響を抵抗要素が受けやすくなり、それによって、抵
抗要素の抵抗値が変化し、センサの基準値が変動してし
まう。

【００３２】一方、請求項２に記載の接着方法を適用す
れば、半導体センサチップと台座との接着工程において
熱硬化性接着剤が収縮しても、梁部が接続する位置の半
導体センサチップの固定部に対しては、熱硬化性接着剤
が存在しない。

【００３３】それによって、当該位置における固定部
は、接着工程前後を通して、半導体センサチップにダイ
シングカットしたままの状態を保つことができ、接着工
程に起因した固定部の変形は発生しない。

【００３４】即ち、梁部が接続した位置においては、熱
硬化性接着剤のクリープ現象は発生しないため、接着工
程後の時間経過による基準値の変動量を低減させること
ができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体式加速度セ
ンサに適用した一実施形態を図面に従って説明する。
尚、本実施形態の半導体式加速度センサは、例えば、車
輌用のＶＳＣシステムに用いられる。

【００３６】図１には、本実施形態の半導体式加速度セ
ンサの要部断面構造を示し、図２には、この半導体式加
速度センサの中核をなす半導体センサチップ１１の平面
構造を示す。尚、図２は、図１における半導体センサチ
ップ１１部分のＡ矢視図である。

【００３７】また、図３には、半導体センサチップ１１
の表面において抵抗素子により形成されるフルブリッジ
回路の構成を摸式的に示し、図４には、このフルブリッ
ジ回路の結線構造を示す。

【００３８】まず、図２に示されるように、半導体セン
サチップ１１は、例えば、シリコン単結晶基板のような
ピエゾ抵抗係数が大なる材料を電気化学エッチングして
形成されるもので、３×３ｍｍ〜４×４ｍｍ程度の大き
さの枠部（固定部）１２の内側において対称配置された
４本の梁部１３を介して、重錘部１４を両持ち状に支持
した形態となっている。

【００３９】また、各梁部１３には、拡散法などにより
２個ずつの抵抗素子（図３及び図４に符号Ｒ１１〜Ｒ１
４、Ｒ２１〜Ｒ２４を付して示す）が形成されるもので
あり、これら抵抗素子により構成されたフルブリッジ回
路を利用して、印加した加速度を検知する構成となって
いる。

【００４０】具体的に説明すると、図３に示されるよう
に、各梁部１３にそれぞれ形成された抵抗素子Ｒ１１・
Ｒ１２、Ｒ１３・Ｒ１４、Ｒ２１・Ｒ２２、Ｒ２３・Ｒ
２４の各対は、重錘部１４の変位に応じて一方が縮み変
形するとともに、他方が伸び変形する位置関係に設けら
れている。

【００４１】そして、同一方向に変形する２個ずつの抵
抗素子（Ｒ１１とＲ２１、Ｒ１３とＲ２３、Ｒ１２とＲ
２２、Ｒ１４とＲ２４）を一辺とするフルブリッジ回路
を形成し、このフルブリッジ回路の一対の入力端Ｔ１及
びＴ２、並びに一対の出力端Ｔ３、Ｔ４を、枠部１２上
に形成された４個のボンディングパッド１２ａに対し
て、薄膜状の配線パターンを介して接続されている。

【００４２】図４にも示されるように、このフルブリッ
ジ回路においては、同一方向に変形する抵抗素子が互い
に対向する辺に位置するように構成されている。

【００４３】また、入力端子Ｔ１及びＴ２は、それぞれ
電源端子＋Ｖｃｃ及びグランド端子ＧＮＤに接続され、
出力端子Ｔ３及びＴ４は、それぞれ正側出力端子＋Ｖ及
び負側出力端子−Ｖに接続されている。

【００４４】また、図１に示されるように、半導体セン
サチップ１１は、枠部１２を介して台座１５に支持され
るとともに、これら半導体センサチップ１１及び台座１
５の一体物は、後述するハウジング１６の内部に収納す
ることにより構成されている。

【００４５】尚、台座１５は、半導体センサチップ１１
と同等の熱膨張係数を有した材料、具体的には同じ材料
であるシリコンにより形成されている。

【００４６】この場合、枠部１２と台座１５との間は、
スペーサとしての複数個の樹脂ビーズ１８ａを配合した
可撓性の熱硬化性接着剤１９ａにより接着されるもので
あり、その接着状態では、半導体センサチップ１１の重
錘部１４と台座１５との間を十分に近接させることによ
って、重錘部１４のエアダンピングを行うように構成し
ている。

【００４７】具体的に説明すると、樹脂ビーズ１８ａの
直径を選択することによって、重錘部１４及び台座１５
間のエアギャップの寸法を７〜１５μｍの範囲、好まし
くは８〜１５μｍの範囲に設定している。

【００４８】また、樹脂ビーズ１８ａの表面には金メッ
キが塗布してあるので、このように、熱硬化性接着剤１
９ａに複数個の樹脂ビーズ１８ａを配合したことによっ
て、半導体センサチップ１１と台座１５との導通がとれ
るため、半導体センサチップ１１の帯電を防止すること
ができる。

【００４９】尚、一般的に、樹脂ビーズは弾性率が低く
柔らかいものであるが、本実施形態で使用する樹脂ビー
ズ１８ａは、弾性率が１０ＧＰａ以下のものであること
が望ましい。

【００５０】このような要求を満たすためには、例え
ば、ポリジニビルベンゼン樹脂、シリコーン樹脂、ウレ
タン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、可撓性エポ
キシ樹脂、ビニル樹脂などを利用できる。

【００５１】また、熱硬化性接着剤１９ａとしては、弾
性率が５００ＭＰａ以下の柔らかい材質であることが望
ましく、例えば、シリコン樹脂、ウレタン樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、可撓性エポ
キシ樹脂などを利用できる。

【００５２】その理由は、半導体センサチップ１１を支
持する台座１５やハウジング１６が、温度変化などによ
って変形した場合、熱硬化性接着剤１９ａに硬い材質を
利用すると、半導体センサチップ１１はその影響を受け
やすくなってしまい、それによって、加速度が印加され
ていないにも関わらず基準値が変動してしまうからであ
る。

【００５３】よって、熱硬化性接着剤１９ａには柔らか
い材質を利用して、台座１５やハウジング１６などの変
形による半導体センサチップ１１への影響を緩和する必
要がある。

【００５４】さらに、図５及び図６に示されるように、
台座１５は、ハウジング１６に形成された凹部１６ａ内
に収納された状態で、このハウジング１６を構成するセ
ラミック基板１６ｂ上に接着により固定されている。

【００５５】このような接着には、複数個の樹脂ビーズ
１８ｂを配合した熱硬化性接着剤１９ｂが使用されるも
のであり（図１参照）、この場合においても、上述同様
に、樹脂ビーズ１８ｂとしては弾性率が１０ＧＰａ以下
のものを利用することが望ましく、また、熱硬化性接着
剤１９ｂとしては弾性率が５００ＭＰａ以下のものを利
用することが望ましい。

【００５６】尚、接着剤として熱硬化性接着剤１９ａ、
１９ｂを用いる理由として、本実施形態のような半導体
式加速度センサの使用環境が上げられる。

【００５７】本実施形態のような半導体式加速度センサ
は、車載用に多く用いられるため、常温で接着させる接
着剤を用いると、センサ搭載位置が高温状態になった場
合、接着剤の接着効果が無くなってしまう可能性があ
る。

【００５８】従って、高温状態でも接着効果のある熱硬
化性接着剤１９ａ、１９ｂを用いる必要がある。

【００５９】また、ハウジング１６は、複数枚のセラミ
ック基板１６ｂを積層して構成されたもので、内部に前
述した凹部１６ａ及びこれに隣接した台状部１６ｃを備
えた箱状に形成されている。

【００６０】この台状部１６ｃ上には、半導体センサチ
ップ１１に電源電圧を与えるとともに、半導体センサチ
ップ１１による検出出力を増幅する機能を備えた増幅回
路２１と、この増幅回路２１に印加する電源電圧のレベ
ル調整などを行うための調整回路２２とがダイボンディ
ングされている。

【００６１】また、ハウジング１６を構成するセラミッ
ク基板１６ｂには、各セラミック基板１６ｂ間に印刷形
成した導電ペースト（図示せず）や、各セラミック基板
１６ｂを貫通するスルーホール（図示せず）などを利用
して、電源供給や検出出力の取り出しを行うための複数
の配線パターンが形成されている。

【００６２】この場合、図６に示されるように、ハウジ
ング１６の上縁部には、それらの配線パターンと接続さ
れた外部ターミナル１６ｄ群が設けられるとともに、台
状部１６ｃには、同じく配線パターンと接続された内部
ターミナル群１６ｅが設けられている。

【００６３】尚、半導体センサチップ１１、増幅回路２
１、調整回路２２、内部ターミナル群１６ｅの各間は、
ワイヤボンディングにより接続されている。

【００６４】さらに、図１及び図５に示されるように、
例えば、ハウジング１６における凹部１６ａに臨むセラ
ミック基板１６ｂと、このセラミック基板１６ｂの下方
に位置したセラミック基板１６ｂとの間には、アルミペ
ースト、銅ペーストあるいはタングステンペーストのよ
うな導電性材料よりなる薄膜状の静電シールド１７が全
域に渡って形成されている。

【００６５】尚、この静電シールド１７は、具体的に図
示しないが、セラミック基板１６ｂに形成したスルーホ
ールなどを利用してグランドラインに接続されている。

【００６６】ハウジング１６上には、例えばセラミック
よりなる蓋部２０（図５参照）が接着により配設され、
半導体式加速度センサの内部が気密に封止される。

【００６７】尚、実際には、少なくとも半導体センサチ
ップ１１及び台座１５に対して、周知のバーンイン処理
を施すことにより出力特性の安定化を図っている。

【００６８】具体的に説明すると、本実施形態では、例
えば、半導体センサチップ１１に対し所定電圧（５〜６
Ｖ程度）を印加した状態で、所定温度（１２０℃程度）
の雰囲気に所定時間（６時間程度）以上さらすというバ
ーンイン処理を施すようにしている。

【００６９】次に、半導体センサチップ１１と台座１５
との接着工程について説明する。

【００７０】従来技術では、図７（ａ）に示されるよう
に、複数個の樹脂ビーズ１８ａを配合した熱硬化性接着
剤１９ａによって、半導体センサチップ１１と台座１５
との全周を接着するようにしている。

【００７１】その場合、梁部１３を介して重錘部１４を
支持する位置の枠部１２が変形すると、その変形によっ
て発生する歪みの影響を抵抗素子が受けやすくなり、そ
れによって、抵抗素子の抵抗値が変化し、センサの基準
値が変動してしまう。

【００７２】従って、半導体センサチップ１１と台座１
５との全周を接着してしまうと、図８の曲線（ａ）に示
されるように、センサの基準値変動が顕著となってしま
う。

【００７３】そこで、本実施形態では、図７（ｂ）に示
されるように、複数個の樹脂ビーズ１８ａを配合した熱
硬化性接着剤１９ａは、半導体センサチップ１１と台座
１５とを接着する工程において、梁部１３と平行な位置
の枠部１２の辺に対してのみ配置し、梁部１３が接続す
る位置の枠部１２の辺に対しては設定しないようにし、
当該位置において半導体センサチップ１１と台座１５と
を接着しないようにしている。

【００７４】このような接着方法を適用したことによ
り、半導体センサチップ１１と台座１５とを接着する工
程における熱硬化性接着剤１９ａの収縮によって、梁部
１３が接続した位置において半導体センサチップ１１が
変形することはない。

【００７５】よって、枠部１２の４辺のうち、梁部１３
が接続した側の枠部１２の辺においては、熱硬化性接着
剤１９ａのクリープ現象は発生せず、当該クリープ現象
に起因して枠部１２に発生する歪みが梁部１３に伝播す
ることは抑制でき、図８の曲線（ｂ）に示されるよう
に、接着工程後の日数経過による基準値の変動量を低減
させることができる。

【００７６】即ち、本発明の特徴を説明すると、従来の
センサでは、全ての方向から断面を見ても必ず接着剤が
現れたが、本発明を適用したセンサでは、全ての方向か
ら断面を見ると、接着剤の現れることのない断面が存在
するという特徴がある。

【００７７】尚、図７（ｃ）に示されるように、半導体
センサチップ１１と台座１５とを接着する工程におい
て、梁部１３が接続する辺の枠部１２のみを接着した場
合は、図８の曲線（ｃ）に示されるように、半導体セン
サチップ１１と台座１５とを全周において接着する場合
に比べて、基準値の変動量を若干低減することができ
る。

【００７８】しかし、図７（ｂ）に示される本実施形態
に比べると、殆ど効果が得ることができない。

【００７９】尚、本発明は、上記実施形態に限られるも
のではなく、様々な態様に適用可能である。

【００８０】例えば、本発明は、本実施形態のようなピ
エゾ式の加速度センサに限らず、容量式の加速度センサ
にも適用可能であり、さらに、被測定媒体の圧力を検出
する半導体式圧力センサなどの他の力学量センサにも応
用可能である。

【００８１】また、本実施形態では、半導体センサチッ
プ１１を、シリコン単結晶基板により形成したが、ピエ
ゾ抵抗係数が大なる他の材料により形成しても良い。

【００８２】また、ハウジング１６及び蓋部２０の材料
はセラミックに限らず、ガラスなどの絶縁材料や金属に
よって形成してもよい。

【００８３】また、静電シールド１７は、ハウジング１
６における底面部分の全域に設ける構成としたが、蓋部
２０にも設ける構成、半導体センサチップ１１の底面に
対応した部分のみに設ける構成、あるいは半導体センサ
チップ１１を覆う位置のほぼ全体に設ける構成とするな
ど、種々の形態を実施できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態の半導体式加速度センサの要部断面
構造を示す図である。

【図２】本実施形態の半導体式加速度センサの平面構造
を示す図である。尚、図２は図１におけるＡ矢視図であ
る。

【図３】本実施形態の半導体センサチップに形成される
フルブリッジ回路の構成を摸式的に示す図である。

【図４】図３に示されたフルブリッジ回路の結線構造を
示す図である。

【図５】本実施形態の半導体式加速度センサ全体の断面
構造を示す図である。

【図６】本実施形態の蓋部を除去した状態での全体の平
面構造を示す図である。

【図７】従来技術、本実施形態及び比較例の接着方法を
示す図である。

【図８】半導体式加速度センサにおける接着工程後の日
数と基準値変動量との関係を示すグラフである。

【図９】従来技術の半導体式加速度センサの要部断面構
造を示す図である。

【図１０】従来技術の半導体式加速度センサの平面構造
を示す図である。尚、図１０は図９におけるＢ矢視図で
ある。

【図１１】半導体センサチップと台座とを可撓性の熱硬
化性接着剤により接着する工程を示す図である。

【図１２】従来技術の半導体式加速度センサにおける接
着工程後の日数と基準値変動量との関係を示すグラフで
ある。

【符号の説明】１…半導体センサチップ、２…枠部、３…梁部、４…重錘部、５…台座、６…ハウジング、６ｂ…セラミック基板、７…静電シールド、８ａ、８ｂ…樹脂ビーズ、９ａ、９ｂ…可撓性接着剤、１１…半導体センサチップ、１２…枠部、１２ａ…ボンディングパッド、１３…梁部、１４…重錘部、１５…台座、１６…ハウジング、１６ａ…凹部、１６ｂ…セラミック基板、１６ｃ…台状部、１６ｄ…外部ターミナル、１６ｅ…内部ターミナル、１７…静電シールド、１８ａ、１８ｂ…樹脂ビーズ、１９ａ、１９ｂ…熱硬化性接着剤、２０…蓋部、２０…増幅回路、２１…調整回路、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４…抵抗素子、Ｔ１、Ｔ２…入力端、Ｔ３、Ｔ４…出力端、＋Ｖｃｃ…電源端子、ＧＮＤ…グランド端子、＋Ｖ…正側出力端子、 −Ｖ…負側出力端子、

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年４月２３日（２００１．４．２
３）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２７】上述のような接着方法を適用したことによ
り、半導体センサチップと台座との接着工程において熱
硬化性接着剤が収縮しても、熱硬化性接着剤からの歪み
の影響が大きくなるような位置の半導体センサチップに
対しては、熱硬化性接着剤が存在しない。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５０】このような要求を満たすためには、例え
ば、ポリジビニルベンゼン樹脂、シリコーン樹脂、ウレ
タン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、可撓性エポ
キシ樹脂、ビニル樹脂などを利用できる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】力学量の印加により変位する変位部を有
し、前記変位部の変位を検出する半導体センサチップ
と、ビーズを配合した熱硬化性接着剤によって前記半導
体センサチップを固定する台座とを備えた半導体式力学
量センサにおいて、前記熱硬化性接着剤からの歪みの影響が小さくなるよう
な位置に前記熱硬化性接着剤が配置されていることを特
徴とする半導体式力学量センサ。
【請求項２】前記半導体センサチップは、梁部を介し
て固定部より懸架された重錘部を有し、前記梁部に形成
された抵抗要素のピエゾ抵抗効果を利用して力学量を検
知できるように構成されたものであって、前記熱硬化性接着剤の配置位置は、前記梁部と前記固定
部とが接続した位置から離れた領域であることを特徴と
する請求項１に記載の半導体式力学量センサ。