JP2002261581A - High frequency module components - Google Patents
High frequency module componentsInfo
- Publication number
- JP2002261581A JP2002261581A JP2001058406A JP2001058406A JP2002261581A JP 2002261581 A JP2002261581 A JP 2002261581A JP 2001058406 A JP2001058406 A JP 2001058406A JP 2001058406 A JP2001058406 A JP 2001058406A JP 2002261581 A JP2002261581 A JP 2002261581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- frequency module
- multilayer substrate
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W90/724—
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 セラミック多層基板とそれに直接搭載するフ
リップチップ実装型表面弾性波素子(SAW)を含む高
周波電子回路部品において、複数のSAW素子の気密性を
一括して得ると共に、生産性の向上を可能とし、且つ使
用時の信頼性を高め、実装時の装着性の向上を、さらに
製品寸法の低背化を行うことができる高周波モジュール
部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 多層基板1上に、表面弾性波素子SAW
とその他の表面実装素子Di,Rとが搭載され、前記表
面弾性波素子SAWが多層基板1の金属膜を施した電極
上に直接フリップチップ搭載され、かつ複数の表面弾性
波素子SAWが一つの封止部材14により一括して覆わ
れ気密封止されている構成の高周波モジュール部品およ
びその製造方法とした。
(57) [Summary] (Problem corrected) [PROBLEMS] In a high-frequency electronic circuit component including a ceramic multilayer substrate and a flip-chip mounted surface acoustic wave device (SAW) directly mounted thereon, airtightness of a plurality of SAW devices is collectively determined. A high frequency module component and a method of manufacturing the same that can improve productivity, improve reliability during use, improve mountability during mounting, and further reduce product size. provide. A surface acoustic wave device (SAW) is provided on a multilayer substrate (1).
And other surface mount elements Di and R are mounted, the surface acoustic wave element SAW is directly flip-chip mounted on an electrode provided with a metal film of the multilayer substrate 1, and a plurality of surface acoustic wave elements SAW A high-frequency module component having a configuration that is collectively covered with the sealing member 14 and hermetically sealed, and a method of manufacturing the same are provided.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック多層基板と
フリップチップ実装型表面弾性波素子を有する高周波モ
ジュール部品において、使用時の信頼性を高め、実装時
の装着性の向上を、さらに製品寸法の小型、低背化が可
能であり、かつ生産性の向上を行うことができる、モジ
ュール構造及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency module component having a ceramic multilayer substrate and a flip-chip surface acoustic wave device, which enhances the reliability in use and the mountability during mounting. The present invention relates to a module structure and a method for manufacturing the same, which can be reduced in size and height and can improve productivity.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子機器においては、その小型化に関す
る市場要求が常にあり、使用される部品についても小型
化、軽量化が要求されている。携帯電話に代表される高
周波機器においては、この傾向が著しく、使用する部品
においては、特にこの傾向が顕著である。高周波機器に
おいては、部品の搭載においても、高密度化が著しく進
み、小型、軽量化の要求に対応してきている。2. Description of the Related Art In the field of electronic equipment, there is always a market demand for miniaturization, and the size and weight of components used are also required. This tendency is remarkable in high-frequency devices typified by mobile phones, and particularly in parts used. In the high-frequency equipment, the density has been remarkably increased even in the mounting of components, and the demand for small size and light weight has been met.
【0003】一方、素子を搭載する基板も、このような
小型化に対応するために、導体層が単層の基板に代わっ
て複数層ある多層基板が用いられている。On the other hand, in order to cope with such miniaturization, a multilayer substrate having a plurality of conductor layers is used instead of a single-layer substrate.
【0004】セラミック多層基板は、多層基板の絶縁層
を電気的に絶縁体のセラミックで、また、導体層を銀な
どで形成している。このようなセラミック多層基板は、
一般的な樹脂多層基板に対して、高周波での揖失が少な
い、熱伝導がよい、寸法精度がよい、信頼性に優れるな
どの特徴を併せ持っている。In a ceramic multilayer substrate, an insulating layer of the multilayer substrate is formed of an electrically insulating ceramic, and a conductor layer is formed of silver or the like. Such a ceramic multilayer substrate,
Compared to a general resin multilayer board, it has features such as less loss at high frequency, good heat conduction, good dimensional accuracy, and excellent reliability.
【0005】また、セラミック多層基板においては、内
部導体をコイル形状にする、あるいは平行に対向させる
ことで、それぞれ内部にインダクタンス、キヤパシタン
スを形成することが可能で、低損失で寸法精度がよいこ
とから、Qが高く、また公差の小さい素子を内部に形成
することができる。In the case of a ceramic multilayer substrate, since the internal conductors are formed in a coil shape or are opposed to each other in parallel, an inductance and a capacitance can be formed in each of them, and low loss and high dimensional accuracy can be obtained. , Q having a high tolerance and a small tolerance can be formed therein.
【0006】こうした特徴は、特に携帯電話などの高周
波回路において、表面に様々な部品を搭載し、あわせて
高特性、小型化を併せ持つ集合素子、つまり、モジュー
ルとして活かされている。[0006] Such a feature is utilized in a high-frequency circuit such as a cellular phone, in particular, as a collective element having various characteristics mounted on its surface and having high characteristics and miniaturization, that is, a module.
【0007】高周波モジュールは、一方で、回路をその
機能ごとにまとめるために、従来のディスクリート部品
を一つ一つ搭載して、回路を形成していく手法に比べ
て、機器の構造がシンプルになり、信頼性、特性に優れ
るものを提供できるようになる。On the other hand, a high-frequency module has a simpler device structure than a conventional method in which discrete components are mounted one by one to form a circuit in order to organize the circuit for each function. Therefore, it is possible to provide a product having excellent reliability and characteristics.
【0008】また、従来のデスクリート部品において
は、各部品ごとの特性を組み合わせて、機能を果たして
いくために、設計が複雑になってしまうが、モジュール
化することによってモジュールごとに特性仕様が決ま
り、機器の設計を行う際に、設計の構造化ができ、製造
の短期間化、省力化が可能となる。Further, in the conventional discrete component, the design becomes complicated because the function of each component is performed by combining the characteristics of each component. However, when the module is modularized, the characteristic specifications are determined for each module. In designing the equipment, the design can be structured, and the manufacturing period can be shortened and labor can be saved.
【0009】図8に全世界でもっとも生産数量の多いGS
Mデュアルバンド型携帯電話のブロック図を示す。図に
おいて、送信信号IQは、IQモジュレター137に入
力される。このIQモジュレター137には、IFVC
O120から分周器DIV138、90°シフターを介
してIF信号が入力され、変調される。IQモジュレタ
ー137から出力された信号は、位相検出器133を介
して混合器132に入力される。位相検出器133に
は、ローパスフィルタ134,135を介して900V
COおよび1800VCO136が接続されている。ま
た、混合器132には、同様に900VCOおよび18
00VCO117が接続されている。FIG. 8 shows that GS has the highest production volume worldwide.
1 shows a block diagram of an M dual-band mobile phone. In the figure, a transmission signal IQ is input to an IQ module 137. This IQ module 137 has an IFVC
An IF signal is input from O120 via a frequency divider DIV138 and a 90 ° shifter and modulated. The signal output from the IQ modulator 137 is input to the mixer 132 via the phase detector 133. 900 V is applied to the phase detector 133 via the low-pass filters 134 and 135.
CO and 1800 VCO 136 are connected. The mixer 132 also has a 900 VCO and 18 VCO.
00VCO 117 is connected.
【0010】混合器132から出力された信号は、90
0MHzまたは1800MHzに変調されており、バルント
ランス131を介してそれぞれ、パワーアンプ129、
カップラ125、ローパスフィルタ104、T/Rスイ
ッチ103という経路でダイプレクサ102に入力され
るか、パワーアンプ130、カップラ126、ローパス
フィルタ124、T/Rスイッチ123という経路でダ
イプレクサ102に入力される。ダイプレクサ102に
入力された信号は、アンテナ101から送信される。The signal output from the mixer 132 is 90
The frequency is modulated to 0 MHz or 1800 MHz, and the power amplifier 129 and the
The signal is input to the diplexer 102 via a path including the coupler 125, the low-pass filter 104, and the T / R switch 103, or is input to the diplexer 102 via a path including the power amplifier 130, the coupler 126, the low-pass filter 124, and the T / R switch 123. The signal input to the diplexer 102 is transmitted from the antenna 101.
【0011】同様に、アンテナ101からダイプレクサ
102に入力された900MHzまたは1800MHzの信
号は、T/Rスイッチ103またはT/Rスイッチ12
3を介して、バンドパスフィルタ105,アンプ10
6、バルントランス107という経路で混合器111に
入力されるか、バンドパスフィルタ108,アンプ10
9、バルントランス110という経路で混合器111に
入力される。混合器111には、900VCOおよび1
800VCO117が接続されている。Similarly, a 900 MHz or 1800 MHz signal input from antenna 101 to diplexer 102 is transmitted to T / R switch 103 or T / R switch 12.
3, the bandpass filter 105 and the amplifier 10
6, input to the mixer 111 through the path of the balun transformer 107, or the band-pass filter 108 and the amplifier 10
9. The signal is input to the mixer 111 through the balun transformer 110. The mixer 111 has 900 VCO and 1
800VCO 117 is connected.
【0012】混合器111から出力されたIF変調され
た信号は、バンドパスフィルタ112、アンプ113を
介して混合器114に入力される。混合器114にはI
FVCO120が接続されている。混合器114から出
力された信号は自動利得制御器115を介して、IQデ
モジュレター116に入力され復調される。なお、IQ
デモジュレター116には、IFVCO120から分周
器DIV138、90°シフターを介してIF信号が入
力され、変調される。また、IFVCO120、900
VCOおよび1800VCO117には、それぞれIF
PLL119,RFPLL118が接続されている。The IF-modulated signal output from the mixer 111 is input to a mixer 114 via a band-pass filter 112 and an amplifier 113. Mixer 114 contains I
The FVCO 120 is connected. The signal output from the mixer 114 is input to an IQ demodulator 116 via an automatic gain controller 115 and demodulated. In addition, IQ
The IF signal is input to the demodulator 116 from the IFVCO 120 via the frequency divider DIV138 and the 90 ° shifter, and is modulated. IFVCO 120, 900
Each of the VCO and the 1800 VCO 117 has an IF
The PLL 119 and the RF PLL 118 are connected.
【0013】上述したようなモジュール化はいくつかの
機能で行われており、たとえば、このような回路のアン
テナスイッチ部140で実際にセラミック多層基板上に
素子を搭載することで進められている。The above-described modularization is performed by several functions, and for example, the antenna switch section 140 of such a circuit is actually mounted by mounting elements on a ceramic multilayer substrate.
【0014】図9にこのようなモジュールの構成例を示
す。図において、基板1上には、ダイオード素子Dや抵
抗素子Rが配置されている。そして、これらを覆うよう
にシールドケース15が配置されている。また、基板1
の側面および内部には導体10が形成配置されていて、
キャパシタ12、インダクタ13等を形成している。ま
た、これらの導体10はビアホール11により上下に接
続されている。FIG. 9 shows a configuration example of such a module. In the figure, a diode element D and a resistance element R are arranged on a substrate 1. The shield case 15 is arranged so as to cover them. Also, substrate 1
The conductor 10 is formed and arranged on the side and inside of the
A capacitor 12, an inductor 13, and the like are formed. These conductors 10 are vertically connected by via holes 11.
【0015】現在は、パワーアンプ、アンテナスイッチ
モジュールなどの単機能でモジュール化が実現されてい
るが、より広範囲の機能がモジュール化されれば、さら
に、モジュール化の利点が引き出されることになる。At present, modularization is realized by a single function such as a power amplifier and an antenna switch module. However, if a wider range of functions is modularized, the advantage of modularization is further brought out.
【0016】もちろんSAW素子を加えたモジュール化も
重要となる。従来のSAW素子は、いわゆるパッケージ部
品を用いていた。この場合、パッケージ品を搭載してモ
ジュール化を行うことも可能であるが、素子チップを直
接基板に搭載することも可能である。このようにすれ
ば、小型、低背形状が実現でき、さらに低コストが実現
できる。Of course, modularization with the addition of a SAW element is also important. Conventional SAW elements use so-called package components. In this case, it is possible to mount the packaged product and modularize it, but it is also possible to mount the element chip directly on the substrate. In this way, a small size and low profile can be realized, and further low cost can be realized.
【0017】セラミック多層基板は、インダクタンス、
キヤパシタンスが内蔵でき、そのために小型化とするこ
とが可能になるが、反面、そのために、低背化が困難に
なる。このため、基板にさらにパッケージを搭載する一
般的なモジュールにおいては、今後進む低背化の需要に
十分にこたえられない。The ceramic multilayer substrate has an inductance,
Capacitance can be built-in, which makes it possible to reduce the size, but on the other hand, it is difficult to reduce the height. For this reason, in a general module in which a package is further mounted on a substrate, it is not possible to sufficiently respond to a demand for a reduction in height in the future.
【0018】また、パッケージ品においては、もともと
のチップに比べて広い占有面積を必要としてしまう。使
用部品の中で、SAW素子はもっとも高背のもののひとつ
であり、また占有面積も広い。こうした状況から、SAW
チップを何らかの形で、パッケージを用いずに、直接、
セラミック多層基板に搭載することが望まれいる。Further, a package product requires a larger occupied area than the original chip. Of the components used, SAW elements are one of the tallest and have a large occupation area. Under these circumstances, SAW
In some way, without using a package,
It is desired to mount it on a ceramic multilayer substrate.
【0019】一方、SAW素子の製造においては、チップ
を作成する工程とパッケージに搭載、密閉する工程の各
々があり、各々のコストが同程度かかっている。仮に、
セラミック多層基板に直接搭載が可能ならば、パッケー
ジに搭載、密閉する工程を経ることがないために、安価
なものを作成することもできる。On the other hand, in the production of a SAW element, there are a step of forming a chip and a step of mounting and sealing in a package, and the costs are substantially the same. what if,
If it can be mounted directly on a ceramic multilayer substrate, it can be manufactured at a low cost because it does not go through the steps of mounting and sealing in a package.
【0020】以上のように、高周波モジュールにおいて
は、SAW素子をチップのまま直接、他の部品をはんだ付
け搭載するセラミック多層基板に搭載することが望まし
い。As described above, in the high-frequency module, it is desirable that the SAW element is directly mounted on a ceramic multilayer substrate on which other components are mounted by soldering as a chip.
【0021】しかしながら、SAW素子は、大気中の雰囲
気に敏感で、露出したままでは信頼性に問題が生じ、何
らかの形で気密封止を行う必要がある。従って、従来の
ように個別に封止を行っていたのでは、パッケージを用
いたものと比べて低背にはなるが、小型化において大き
な差が出ない。However, the SAW element is sensitive to the atmosphere in the atmosphere, and if exposed, there is a problem in reliability. It is necessary to perform some kind of hermetic sealing. Therefore, if sealing is performed individually as in the prior art, the height is reduced as compared with the case using a package, but there is no significant difference in miniaturization.
【0022】また、このような電子部品においては、マ
ウンターを用いて、ピックアンドプレイスを行うため
に、吸着ノズルによって運搬できることが必要となる。
そのため、従来のパッケージ品を搭載した場合において
は、部品表面のほほ全面を覆うケースをさらに追加する
必要があり、いっそう高背となっている。Further, in such an electronic component, it is necessary that the electronic component can be transported by a suction nozzle in order to perform pick and place using a mounter.
Therefore, when the conventional packaged product is mounted, it is necessary to further add a case that covers almost the entire surface of the component, and the height is further increased.
【0023】また、SAWの搭載方法、はんだ付け部品の
搭載方法、封止方法をすべて満足する工程を経て作成さ
れる構造でなければならない。Further, the structure must be created through a process that satisfies all of the SAW mounting method, the soldering component mounting method, and the sealing method.
【0024】[0024]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミック多層基板とそれに直接搭載するフリップチップ実
装型表面弾性波素子(SAW)を含む高周波電子回路部
品において、複数のSAW素子の気密性を一括して得ると
共に、生産性の向上を可能とし、且つ使用時の信頼性を
高め、実装時の装着性の向上を、さらに製品寸法の低背
化を行うことができる高周波モジュール部品およびその
製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-frequency electronic circuit component including a ceramic multilayer substrate and a flip-chip surface acoustic wave device (SAW) directly mounted on the ceramic multilayer substrate. A high-frequency module component which can be obtained in a lump, improve productivity, enhance reliability during use, improve mountability during mounting, and reduce product dimensions, and manufacture thereof Is to provide a way.
【0025】[0025]
【課題を解決するための手段】すなわち上記目的は、以
下の本発明の構成により達成される。 (1) 多層基板上に、表面弾性波素子とその他の表面
実装素子とが搭載され、前記表面弾性波素子が多層基板
の金属膜を施した電極上に直接フリップチップ搭載さ
れ、かつ複数の表面弾性波素子が一つの封止部材により
一括して覆われ気密封止されている高周波モジュール部
品。 (2) 前記表面弾性波素子を覆う封止部材が、高周波
モジュール部品のほぼ中央に配置されている上記(1)
の高周波モジュール部品。 (3) 前記表面弾性波素子が、他のはんだ搭載部品と
封止部材により隔離されている上記(1)または(2)
の高周波モジュール部品。 (4) 前記表面弾性波素子以外の表面実装素子の少な
くとも一つがはんだ付けによって多層基板上に搭載さ
れ、 前記封止部材によって覆われている部分の面積が20%
以上50%以下、封止部材の平坦部の面積が1mm2 以上
の高周波モジュール部品。 (5) 前記表面弾性波素子を覆う封止部材が多層基板
に接着剤で接着され、部材内部の導体パターンが接着フ
ランジ部に触れないようにスルーホールによって下部に
導かれている高周波モジュール部品。 (6) 部品搭載用セラミック多層基板の導体表面の少
なくとも部品接着部分に金属めっきを施し、少なくとも
一つの表面弾性波素子以外の素子をはんだによって搭載
し、洗浄を行った後表面弾性波素子を金属同士の接合に
よって多層基板にフリップチップ搭載し、表面弾性波素
子の封止部材を接着する工程を有する高周波モジュール
部品の製造方法。That is, the above object is achieved by the following constitution of the present invention. (1) A surface acoustic wave device and another surface-mounted device are mounted on a multilayer substrate, and the surface acoustic wave device is directly mounted on a metal substrate electrode of the multilayer substrate by flip-chip mounting, and a plurality of surface acoustic wave devices are mounted. A high-frequency module component in which an elastic wave element is collectively covered with one sealing member and hermetically sealed. (2) The sealing member covering the surface acoustic wave element is disposed substantially at the center of the high-frequency module component (1).
High frequency module parts. (3) The above (1) or (2), wherein the surface acoustic wave element is separated from other solder mounting parts by a sealing member.
High frequency module parts. (4) At least one of the surface mount elements other than the surface acoustic wave element is mounted on the multilayer substrate by soldering, and an area of a portion covered by the sealing member is 20%.
A high-frequency module component having a sealing member having a flat area of 1 mm 2 or more, and 50% or less. (5) A high-frequency module component in which a sealing member covering the surface acoustic wave element is adhered to a multilayer substrate with an adhesive, and a conductor pattern inside the member is guided to the lower part by a through hole so as not to touch the adhesive flange. (6) A metal plating is applied to at least the component bonding portion of the conductor surface of the component mounting ceramic multilayer substrate, at least one device other than the surface acoustic wave device is mounted by soldering, and after cleaning, the surface acoustic wave device is metalized. A method for manufacturing a high-frequency module component, comprising the steps of: mounting a flip chip on a multilayer substrate by bonding them together; and bonding a sealing member of a surface acoustic wave element.
【0026】[0026]
【作用】上記課題を実現するため、本発明者らは、以下
の点についての改良を試みた。 (1)小型化を実現するために複数のSAW素子を一括
して気密封止する。 (2)低背化構造を実現するために、全面を覆うケース
を廃止し、吸着を他の部材で行う。 (3)はんだ付け工程とSAW素子搭載の工程の両立さ
せる。In order to achieve the above object, the present inventors have attempted to improve the following points. (1) A plurality of SAW elements are collectively hermetically sealed in order to realize miniaturization. (2) In order to realize a low-profile structure, a case that covers the entire surface is eliminated, and suction is performed by another member. (3) Make both the soldering process and the SAW device mounting process compatible.
【0027】その結果、高周波モジュール部品を表面弾
性波素子はセラミック多層基板に金ボールボンド法で搭
載し、他の表面実装部品ははんだ固着によって搭載し、
このように搭載されたSAW素子の複数を一括して蓋によ
って気密性を確保した構造とした。As a result, the high-frequency module component is mounted on the ceramic multilayer substrate by the gold ball bonding method, and the other surface-mounted components are mounted by soldering.
A plurality of SAW elements mounted in this manner are collectively structured to secure airtightness with a lid.
【0028】このようにSAW素子を直接搭載すること
で、従来必要であった、SAWパッケージ品のベース板が
不必要となり、低背化が可能になった。また、この気密
封止部をモジュールのほぼ中心部分に配置することによ
って、部品の吸着、配置を容易にすることができた。そ
の結果、従来必要であった余分な天蓋構造を省くことが
できて、一層の小型低背化が可能になった。By directly mounting the SAW element in this way, the base plate of the SAW package product, which was conventionally required, is not required, and the height can be reduced. Further, by arranging the hermetically sealed portion substantially at the center of the module, it was possible to easily suck and arrange components. As a result, an extra canopy structure which has been conventionally required can be omitted, and a further reduction in size and height has become possible.
【0029】なお、特開平6−97315号公報には、
SAW素子を他の回路部品を搭載し、封止した例が開示さ
れている。この公報においては、樹脂基板に、SAW素子
を表向きに固定し、ワイヤーボンドにより、電気的接続
を取っていて、本発明のように、セラミック多層基板に
SAWをフリップチップ搭載したものと明らかに異なる。Incidentally, JP-A-6-97315 discloses that
There is disclosed an example in which another circuit component is mounted on a SAW element and sealed. In this publication, a SAW element is fixed face up on a resin substrate, and electrical connection is established by wire bonding.
It is clearly different from the one with SAW flip chip.
【0030】本発明の高周波モジュール部品は、フリッ
プチップ搭載を行うことによって、さらに小型化ができ
る。なお、フリップチップ搭載方法自体は、例えば特開
平10−270975号公報に示されるように公知であ
る。しかし、フリップチップという形態をとることによ
って基板との熱膨張率の差による影響を小さくできる点
が相違する。さらに、一見、他の受動部品との混載を開
示しているように見えるが、本発明のように、はんだ搭
載部品との混載は開示されていない。特に封止にはんだ
を用いているが、この場合、フラックスによる汚染を避
けるために、瞬間加熱方式を用いている。つまり、はん
た搭載部品との混載は、きわめて難しいことを示唆して
いる。本発明によれば、このようなことも、クリーニン
グ工程を経ることで、他のはんだ部品の混載が可能とな
り、より、簡便で、多用な部品の混載が可能になる。The high-frequency module component of the present invention can be further miniaturized by mounting a flip chip. The flip chip mounting method itself is known as disclosed in, for example, JP-A-10-270975. However, the difference is that the effect of the difference in the coefficient of thermal expansion from the substrate can be reduced by taking the form of a flip chip. Further, at first glance, it appears to disclose the mixed mounting with other passive components, but does not disclose the mixed mounting with the solder mounting component as in the present invention. In particular, solder is used for sealing, but in this case, an instantaneous heating method is used to avoid contamination by flux. In other words, this suggests that it is extremely difficult to mix with the mounted components. According to the present invention, it is also possible to mix and mount other solder components by performing the cleaning process, and thus, it becomes possible to mix and load simple and versatile components.
【0031】[0031]
【発明の実施の形態】本発明の高周波モジュール部品
は、多層基板上に、表面弾性波素子(またはレイリー
波、以下SAW:Surface Acoustic Waveと称する場合
がある)とその他の表面実装素子とが搭載され、前記表
面弾性波素子がセラミック多層基板の金属膜を施した電
極上に直接フリップチップ搭載され、複数のSAW素子が
一つの封止部材により一括して覆われ気密封止されてい
るものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A high-frequency module component according to the present invention has a surface acoustic wave element (or Rayleigh wave, hereinafter sometimes referred to as SAW: Surface Acoustic Wave) and other surface-mounted elements mounted on a multilayer substrate. The surface acoustic wave device is directly flip-chip mounted on an electrode provided with a metal film of a ceramic multilayer substrate, and a plurality of SAW devices are collectively covered by one sealing member and hermetically sealed. is there.
【0032】このように、複数のSAW素子を一つの封止
部材により一括して覆い、気密封止することにより、小
型化、低背化を実現できる。As described above, a plurality of SAW elements are collectively covered with one sealing member and hermetically sealed, thereby realizing a reduction in size and height.
【0033】SAW素子を複数一括して封止する場合、そ
の封止部材、つまり蓋の構造は、搭載部品のうちで、最
も大きくなる。このため、封止部材をモジュールのほほ
中央に配置することによって、その部分を吸着し、ハン
ドリング、つまりピックアンドプレイスをすることがで
きる。When a plurality of SAW elements are collectively sealed, the structure of the sealing member, that is, the lid, is the largest among the mounted components. For this reason, by disposing the sealing member at the approximate center of the module, that part can be sucked and handled, that is, picked and placed.
【0034】なお、ピックアンドプレイスは、通常吸着
パッドが用いられるが、封止部材をモジュールのほぼ中
央に配置することで、ほぼ重心位置を吸着することがで
き、ノズル形状の吸着部材等でも安定してハンドリング
することができる。これにより、さらに小型化が可能と
なる。つまり、従来ピックアンドプレイスによるハンド
リングのために必要であった天蓋構造をなくすことがで
き、その分小型化、低背化が可能となる。In the pick-and-place method, a suction pad is usually used. However, by arranging the sealing member substantially at the center of the module, the position of the center of gravity can be almost sucked, and the suction member having a nozzle shape can be stably used. And can be handled. Thereby, further miniaturization becomes possible. In other words, the canopy structure conventionally required for handling by pick and place can be eliminated, and the size and height can be reduced accordingly.
【0035】また、弾性波素子は封止部材により他の搭
載部品と隔離されているので、気密性が保たれ、水分や
ガスなどから有効に保護することができる。Further, since the elastic wave element is isolated from other mounted components by the sealing member, the airtightness is maintained, and the elastic wave element can be effectively protected from moisture and gas.
【0036】表面弾性波素子を覆う封止部材は、多層基
板に固定されるが、封止効果を考えると接着剤で接着す
るのがよい。このような、接着剤としては通常の電子部
品に用いられる固定、封止用の接着剤を用いることがで
きるが、硬化時の出ガスによるSAW素子への影響の少
ないものが好ましい。具体的にはエポキシ系接着剤等が
挙げられる。The sealing member that covers the surface acoustic wave element is fixed to the multilayer substrate. However, considering the sealing effect, it is preferable that the sealing member is bonded with an adhesive. As such an adhesive, an adhesive for fixing and sealing used in a usual electronic component can be used, but an adhesive having a small influence on a SAW element due to outgassing during curing is preferable. Specific examples include an epoxy adhesive.
【0037】また、好ましくは封止部材内部の導体パタ
ーンが、封止部材の接着部、つまり接着フランジ部に触
れないようにスルーホールによって下部に導かれ、多層
配線板の中間層のパターンにより外部に導出されるよう
にするとよい。このように、封止部材内部の導体パター
ンが、封止部材の接着部、つまり接着フランジ部に触れ
ないようにすることにより、接着剤と導体との悪影響、
例えば誘電損や揮発成分の回り込みを防止することがで
きる。Preferably, the conductor pattern inside the sealing member is guided to the lower portion by a through hole so as not to touch the bonding portion of the sealing member, that is, the bonding flange portion, and is externally formed by the pattern of the intermediate layer of the multilayer wiring board. Should be derived. In this way, by preventing the conductor pattern inside the sealing member from touching the bonding portion of the sealing member, that is, the bonding flange portion, the adverse effect between the adhesive and the conductor is prevented.
For example, dielectric loss and wraparound of volatile components can be prevented.
【0038】さらに、表面弾性波素子以外の表面実装素
子の少なくとも一つは、はんだ付けによって多層基板上
に搭載されるので、従来からはんだ付工程により搭載さ
れていた部品は、そのままの工程で実装でき、部品や設
備の有効利用が可能となり、コストの上昇を抑制するこ
とができる。Furthermore, since at least one of the surface mount elements other than the surface acoustic wave element is mounted on the multilayer substrate by soldering, the parts which have been mounted by the conventional soldering process are mounted in the same process. This makes it possible to effectively use parts and equipment and suppress an increase in cost.
【0039】このような、封止部材によって覆われてい
る部分の面積は、好ましくはモジュール表面全体の20
%以上50%以下、特に30%以上45%以下であると
よい。また、封止部材の平坦部の面積は、ハンドリング
性などを考慮すると、好ましくは1mm2 以上、より好ま
しくは2mm2 以上であり、その上限は上記範囲で決定さ
れた値である。The area of the portion covered by the sealing member is preferably 20% of the entire module surface.
% To 50%, especially 30% to 45%. Further, the area of the flat portion of the sealing member is preferably 1 mm 2 or more, more preferably 2 mm 2 or more in consideration of handling properties and the like, and the upper limit is a value determined in the above range.
【0040】また、封止部材の高さとしては、表面弾性
波素子と接触しない程度の高さが維持できればよく、表
面弾性波素子、およびその取り付け構造により決定すれ
ばよい。具体的には、表面弾性波素子との間隙が50〜
200μm 、特に70〜120μm 程度とれればよい。The height of the sealing member may be any height that does not make contact with the surface acoustic wave element, and may be determined depending on the surface acoustic wave element and its mounting structure. Specifically, the gap with the surface acoustic wave element is 50 to
It may be 200 μm, especially about 70 to 120 μm.
【0041】封止部材に用いられる材料としては、所定
の気密性が保持でき、ハンドリングに耐えうる強度を有
するものであれば特に限定されるものではない。ただ
し、基板との熱膨張率の等しいものを用いることが好ま
しく、同様な材質を用いるとよい。具体的には、セラミ
ック、エポキシ系プラスチック、BTレジンプラスチッ
ク等を挙げることができ、これらのなかでも特にセラミ
ックが好ましい。The material used for the sealing member is not particularly limited as long as it can maintain predetermined airtightness and has strength enough to withstand handling. However, it is preferable to use a material having the same coefficient of thermal expansion as that of the substrate, and a similar material may be used. Specifically, ceramics, epoxy-based plastics, BT resin plastics and the like can be mentioned, and among these, ceramics are particularly preferable.
【0042】また、多層基板は、所定の大きさ、電気的
特性を満足しうるものであれば樹脂基板であってもセラ
ミック基板であってもよいが、セラミック基板が好まし
い。セラミック基板としては、例えばガラス−アルミナ
を主成分とする低温焼成基板等を挙げることができる。The multilayer substrate may be a resin substrate or a ceramic substrate as long as the multilayer substrate satisfies predetermined sizes and electrical characteristics, but a ceramic substrate is preferable. Examples of the ceramic substrate include a low-temperature fired substrate containing glass-alumina as a main component.
【0043】多層基板の積層数としては、高周波モジュ
ール部品の回路構成、搭載部品などにより必要とさせる
積層数に調整すればよい。通常は、5〜30層程度であ
る。The number of layers of the multilayer substrate may be adjusted to the number of layers required according to the circuit configuration of the high-frequency module component, the mounted components, and the like. Usually, it is about 5 to 30 layers.
【0044】多層基板の金属電極には、金属めっきを施
すことが好ましい。金属めっきを施すことにより、電極
のはんだ塗れ性を改善することができる。このような金
属めっきとしては、Ni−Sn、Ni−はんだ、Ni−
Au等を挙げることができ、好ましくはGGI部と同様
なNi−Au等である。It is preferable to apply metal plating to the metal electrodes of the multilayer substrate. By applying the metal plating, the solder wettability of the electrode can be improved. Such metal plating includes Ni-Sn, Ni-solder, Ni-
Au and the like can be mentioned, and Ni-Au and the like similar to the GGI part are preferable.
【0045】内蔵されるSAW素子としては、いずれの
形態のものでもよく、モジュール部品に必要とされる機
能により適切なSAWを用いればよい。The built-in SAW element may be of any form, and an appropriate SAW may be used depending on the function required for the module component.
【0046】SAW素子は、基板上の電極に金属−金属
接合で直接フリップチップ搭載される。この場合、フリ
ップチップの金属間接合に好ましい金属としては、A
u、Al等が挙げられるが、特にAuが好ましい。The SAW element is directly flip-chip mounted on an electrode on a substrate by metal-metal bonding. In this case, the preferred metal for the inter-metal bonding of the flip chip is A
Examples thereof include u and Al, and Au is particularly preferable.
【0047】本発明の高周波モジュール部品は、以下の
工程に従って製造するとよい。すなわち、部品搭載用セ
ラミック多層基板の導体表面の少なくとも部品接着部分
に金属めっきを施し、少なくとも一つの表面弾性波素子
以外の素子をはんだによって搭載し、洗浄を行った後表
面弾性波素子を金属同士の接合によって多層基板にフリ
ップチップ搭載し、表面弾性波素子の封止部材を接着す
る。The high-frequency module component of the present invention may be manufactured according to the following steps. That is, metal plating is applied to at least the component bonding portion of the conductor surface of the component mounting ceramic multilayer substrate, at least one element other than the surface acoustic wave element is mounted by soldering, and after cleaning, the surface acoustic wave element is attached to the metal. Is mounted on the multilayer substrate by bonding, and the sealing member of the surface acoustic wave element is bonded.
【0048】このようにして製造することにより、はん
だ付けにより搭載する部品は、従来の搭載方式を踏襲で
きる。また、金めっき等の金属めっき表面は、はんだ濡
れ性に富み、十分に固着することができる。ただし、は
んだ付け部品搭載後の基板表面は、フラックスの飛散
や、はんだかす等によって汚れていて、SAW搭載部分の
金等の金属表面もそのままでは搭載が困疑な状態にな
る。By manufacturing in this way, components to be mounted by soldering can follow the conventional mounting method. Further, the surface of metal plating such as gold plating is rich in solder wettability and can be sufficiently fixed. However, the surface of the board after mounting the soldered components is contaminated by scattering of flux, solder residue, and the like, and mounting of the SAW mounting portion on a metal surface such as gold is in doubt.
【0049】このため、SAW素子以外の部品搭載後
に、洗浄を行い、金属表面を活性化して、搭載に支障が
ないようにする。For this reason, after components other than the SAW element are mounted, cleaning is performed to activate the metal surface so as not to hinder the mounting.
【0050】洗浄は、従来の薬液洗浄でも、搭載に支障
がない程度にまで活性化できるが、プラズマエッチング
によって、洗浄をするとさらに好ましい。その場合、他
の搭載部品にダメージが及ばない条件とすることが必要
となる。また、樹脂の接着においては、真空中で接着す
ることによって、SAW周辺の汚れ、付着物をさらに除去
することができる。The cleaning can be activated to a level that does not hinder the mounting by conventional chemical cleaning, but it is more preferable to perform cleaning by plasma etching. In this case, it is necessary to set a condition that does not damage other mounted components. Further, in the bonding of the resin, the dirt and the attached matter around the SAW can be further removed by bonding in a vacuum.
【0051】[0051]
【実施例】以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に
説明する。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples.
【0052】図1、2に示すような構造のモジュール部
品を作製した。ここで、図1はモジュール部品の概略断
面図、図2は平面図である。また、その回路図を図3に
示す。図1,2において、基板1上にダイオード素子D
i、抵抗素子Rが配置されており、その中心付近に2つ
の表面弾性波素子SAWが配置されている。また、この
2つの表面弾性波素子SAWを包むようにして封止部材
14が配置されている。基板1内部には、図3の回路図
に示されるような回路を構成するための導体10、およ
びインダクタ、キャパシタ等が形成されている。A module component having a structure as shown in FIGS. 1 and 2 was manufactured. Here, FIG. 1 is a schematic sectional view of the module component, and FIG. 2 is a plan view. FIG. 3 shows a circuit diagram thereof. 1 and 2, a diode element D
i, a resistance element R is arranged, and two surface acoustic wave elements SAW are arranged near the center thereof. Further, a sealing member 14 is arranged so as to surround the two surface acoustic wave elements SAW. Inside the substrate 1, a conductor 10 for forming a circuit as shown in the circuit diagram of FIG. 3, an inductor, a capacitor, and the like are formed.
【0053】セラミック多層基板にはアルミナガラス複
合セラミックを絶縁層とし、内導体層を15層有するも
のを用いた。外形は約6mm、4mmで厚みは0.8mmとし
た。この回路のうち、表面弾性波素子を除く部分は、モ
ジュールとしてすでに製品化しており。その大きさは同
様に約6mm、4mmの大きさとなっている。As the ceramic multilayer substrate, an alumina glass composite ceramic having an insulating layer and having 15 inner conductor layers was used. The external shape was about 6 mm, 4 mm and the thickness was 0.8 mm. The part of this circuit excluding the surface acoustic wave device has already been commercialized as a module. Its size is also about 6 mm and 4 mm.
【0054】この実施例から、従来と同様の大きさのも
のに、SAW素子を2個搭載でき、そのことでも小型化が
可能であることが十分わかる。また、試作したモジュー
ルの高さは1.5mmであり、従来製品に、単にSAWパッ
ケージを搭載する場合は、約2mmとなる。このことから
も、低背化が十分に行えることがわかる。From this example, it can be sufficiently understood that two SAW elements can be mounted on a device having the same size as that of the related art, and that the size can also be reduced. The height of the prototype module is 1.5 mm, which is approximately 2 mm when the SAW package is simply mounted on the conventional product. This also indicates that the height can be sufficiently reduced.
【0055】セラミック多層基板の表面導体層は、銀の
焼結導体で形成され、これに2〜3μm 程度のニッケル
めっきを施し、さらに0.5μm 厚みの金皮膜を施し
た。The surface conductor layer of the ceramic multilayer substrate was formed of a sintered silver conductor, which was plated with nickel to a thickness of about 2 to 3 μm, and further provided with a gold film having a thickness of 0.5 μm.
【0056】この基板のはんだ接合部に、はんだペース
トを塗布し、インダクタンス、キヤパシタンス、および
ダイオードのそれぞれの部品を搭載した。その後、リフ
ロー炉に通して、はんだの固着を行った。さらに、この
サンプルを無洗浄、アルカリ薬液洗浄、プラズマ洗浄を
した。A solder paste was applied to the solder joint of the substrate, and each component of inductance, capacitance, and diode was mounted. Thereafter, the mixture was passed through a reflow furnace to fix the solder. Further, this sample was subjected to no cleaning, alkaline chemical cleaning, and plasma cleaning.
【0057】一方、SAWチップは、パッケージ品と同様
のプロセスを経て、金スタッドバンプを形成した。1つ
当たりのチップの大きさは1.3mm×0.8mmの長方形
で、GSM、DCS用として各々用いた。On the other hand, the gold stud bump was formed on the SAW chip through the same process as that of the package product. The size of each chip was a rectangle of 1.3 mm × 0.8 mm, which was used for GSM and DCS, respectively.
【0058】このSAWサンプルを、多層基板1に伏せた
形で、基板の端子23上にはんだボール22を介してS
AWサンプルのバンプ21が位置するようにして配置し
た。そして、SAW側から超音波を、また同時に600g
の荷重をかけながら印加して、金バンプと基板の金表面
との接合を行った。この状態を図4に示す。The SAW sample is placed on the terminal 23 of the substrate via the solder ball 22 with the S
It was arranged so that the bump 21 of the AW sample was located. Then, the ultrasonic wave from the SAW side and 600g
Was applied while applying a load of 2 to join the gold bumps to the gold surface of the substrate. This state is shown in FIG.
【0059】この後、図1に示すように、SAW素子に子
を含むようにして適宜大きさの違うセラミックの蓋を被
せた。このときの重量はおおむね0.15g であった。
また、比較のために従来のパッケージを用いた例を図5
に示す。Thereafter, as shown in FIG. 1, the SAW element was covered with ceramic lids of different sizes so as to include the child. The weight at this time was about 0.15 g.
For comparison, an example using a conventional package is shown in FIG.
Shown in
【0060】蓋の部分の大きさは、最低、1.6×1.
3mmあればよいが、蓋の側壁部、素子とのマージン、接
着部が必要となる。側壁部はおおむね0.2mm以上あれ
ばよく、マージンは0.05mm以上あればよい。接着は
この場合においては十分に安定して行える。したがっ
て、2.1×1.8mmあれば封止部材として十分機能す
ることができる。しかしながら、実際にこれをマウンタ
ーにセットして、吸着ノズルによって吸い上げた場合、
マウウンターが安定して吸着するためには2.4×2mm
の蓋を用いた場合であり、これ以上大きいものでは、安
定してハンドリングすることができる。The size of the lid part should be at least 1.6 × 1.
A thickness of 3 mm is sufficient, but a side wall of the lid, a margin with the element, and an adhesive portion are required. It is sufficient that the side wall portion is approximately 0.2 mm or more, and the margin is 0.05 mm or more. In this case, bonding can be performed sufficiently stably. Therefore, if it is 2.1 × 1.8 mm, it can function sufficiently as a sealing member. However, when this is actually set on the mounter and sucked up by the suction nozzle,
2.4 × 2mm for stable mounting of the mounter
This is a case where the lid is used. If the lid is larger than this, stable handling can be achieved.
【0061】しかしながら、他の部品の搭載も考慮する
と、蓋の大きさは4×3mmのものが限界であった。この
ような、ピックアンドプレースにおいては、重量、バラ
ンス、吸着力によって条件範囲が定まると考えられる
が、SAWデバイスを搭載した高周波モジュールにおいて
は、大きいものでも10×10mm、重量は0.3g 程度
までが現実的で、また小さいものは、搭載部品の大きさ
に制限を受け、4×3mmが限界と考えられる。However, considering the mounting of other components, the size of the lid was limited to 4 × 3 mm. In such pick and place, the condition range is considered to be determined by the weight, balance, and suction force. However, in the case of small ones, the size of the mounted parts is limited, and 4 × 3 mm is considered to be the limit.
【0062】この場合、安定して、保持できる条件で、
モジュールで必要とするのは、概ね表面の面積の20〜
50%の大きさと考えてよい。In this case, under conditions that can be held stably,
The module needs approximately 20 to 20
It can be considered as 50% size.
【0063】また、一般的には蓋の上部は平坦と考えら
れるが、必ずしもそうとは限らず、ノズルによって吸着
できる限界は、概ね1mm2 であった。したがって、平坦
部分は1mm2 以上の面積を必要とする。Although the upper part of the lid is generally considered to be flat, this is not always the case, and the limit of suction by the nozzle was approximately 1 mm 2 . Therefore, the flat portion needs an area of 1 mm 2 or more.
【0064】先にも記したように、蓋は、他素子との空
間的隔離をするためのものであり、また、大気中の水分
の影響を除くために、気密封止している必要がある。As described above, the lid is for spatial isolation from other elements, and must be hermetically sealed to eliminate the influence of moisture in the atmosphere. is there.
【0065】このとき、図6に示すように、表面導体は
金属の導体、例えば金が露出しており、金の部分を接着
剤を用いて、蓋と接着することになる。金は接着性に乏
しくまた、金と接する導体電極界面では剥雄がおきやす
く、いづれにしても、しっかりと接着を行うことは難し
い。At this time, as shown in FIG. 6, the surface conductor is a metal conductor, for example, gold is exposed, and the gold portion is bonded to the lid using an adhesive. Gold has poor adhesiveness, and is easily peeled off at the conductor electrode interface in contact with gold, and it is difficult to firmly bond anyway.
【0066】そこで、多層基板を用いる場合、SAW搭載
部の電極をスルーホールを用いて基板の内部に導き、蓋
の外部に出すことが可能となる。こうすることによっ
て、蓋の接着は基板材料、例えばセラミック部分とだけ
接着することができ、安定した接着強度を得ることがで
きる。このような状態を図7に示す。Therefore, when a multilayer substrate is used, the electrodes of the SAW mounting portion can be guided to the inside of the substrate by using through holes, and can be exposed to the outside of the lid. By doing so, the lid can be bonded only to the substrate material, for example, the ceramic portion, and a stable bonding strength can be obtained. FIG. 7 shows such a state.
【0067】しかしながら、スルーホールで下層とつな
げてさらに上層に引き上げる場合には、この線自体がイ
ンダクタンスを有することになる。スルーホールで接続
する場合、スルーホールの長さが300μm までは特に
問題がなかったが、350μm 以上の場合に、インダク
タンスの増加とさらに純抵抗分の増加が見られ、特に入
力、出力線においては制限となった。However, in the case where the wire is connected to the lower layer through a through hole and further pulled up, the wire itself has inductance. When connecting with through holes, there was no particular problem up to a through hole length of 300 μm, but at 350 μm or more, an increase in inductance and a further increase in pure resistance were observed. Restricted.
【0068】金導体部を介して接着した場合、セラミッ
ク部分だけを接着したものを各々100個用意して、8
5℃85%試験を行い、特性劣化を調べた結果、前者に
おいては12個の特性劣化が見られた。後者において
は、劣化したものはひとつもなかった。特性劣化は、接
着部で気密がやぶれ、そこから水蒸気が進入した結果と
推察される。In the case of bonding via a gold conductor portion, 100 pieces each having only the ceramic portion bonded are prepared, and 8
As a result of conducting a 5 ° C. 85% test and examining the characteristic deterioration, in the former case, 12 characteristic deteriorations were observed. In the latter, none was degraded. The property deterioration is presumed to be the result of airtightness being broken at the bonded portion and the entry of water vapor therefrom.
【0069】[0069]
【発明の効果】以上示してきたように、本願においては
セラミック多層基板とそれに直接搭載するフリップチッ
プ実装型表面弾性波素子(SAW)を含む高周波電子回
路部品において、複数のSAW素子の気密性を一括して得
ると共に、生産性の向上を可能とし、且つ使用時の信頼
性を高め、実装時の装着性の向上を、さらに製品寸法の
低背化を行うことができる高周波モジュール部品、およ
びその製造方法を提供することができる。As described above, in the present application, in a high-frequency electronic circuit component including a ceramic multilayer substrate and a flip-chip mounted surface acoustic wave device (SAW) directly mounted thereon, the airtightness of a plurality of SAW devices is improved. A high-frequency module component that can be obtained in a lump, improve productivity, increase reliability during use, improve mountability during mounting, and reduce product dimensions. A manufacturing method can be provided.
【図1】本発明の高周波モジュール部品の構成例を示す
概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration example of a high-frequency module component of the present invention.
【図2】本発明の高周波モジュール部品の構成例を示す
概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration example of a high-frequency module component of the present invention.
【図3】本発明の高周波モジュール部品の構成例を示す
回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a high-frequency module component of the present invention.
【図4】表面弾性波素子の実装状態を示す概略断面図で
ある。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a mounting state of the surface acoustic wave device.
【図5】従来の高周波モジュール部品の構成例を示す概
略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a configuration example of a conventional high-frequency module component.
【図6】封止部材と導体との位置関係を示した一部断面
図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a positional relationship between a sealing member and a conductor.
【図7】封止部材と導体との位置関係を示した一部断面
図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing a positional relationship between a sealing member and a conductor.
【図8】GSMデュアルバンド型携帯電話のブロック図構
成図である。FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of a GSM dual-band mobile phone.
【図9】モジュール化されたアンテナスイッチ部の構成
例を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a modularized antenna switch unit.
1 基板 10 導体 11 ビアホール 12 キャパシタ 13 インダクタ 14 封止部材 15 封止部材 D1 ダイオード素子 R 抵抗素子 SAW 表面弾性波素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 10 Conductor 11 Via hole 12 Capacitor 13 Inductor 14 Sealing member 15 Sealing member D1 Diode element R Resistance element SAW Surface acoustic wave element
Claims (6)
の表面実装素子とが搭載され、 前記表面弾性波素子が多層基板の金属膜を施した電極上
に直接フリップチップ搭載され、かつ複数の表面弾性波
素子が一つの封止部材により一括して覆われ気密封止さ
れている高周波モジュール部品。1. A surface acoustic wave device and another surface mount device are mounted on a multilayer substrate, and the surface acoustic wave device is directly flip-chip mounted on a metal film-coated electrode of the multilayer substrate. A high-frequency module component in which the surface acoustic wave elements are collectively covered with one sealing member and hermetically sealed.
高周波モジュール部品のほぼ中央に配置されている請求
項1の高周波モジュール部品。2. A sealing member covering the surface acoustic wave element,
2. The high-frequency module component according to claim 1, wherein the high-frequency module component is disposed substantially at the center of the high-frequency module component.
部品と封止部材により隔離されている請求項1または2
の高周波モジュール部品。3. The device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave element is separated from another solder mounting component by a sealing member.
High frequency module parts.
の少なくとも一つがはんだ付けによって多層基板上に搭
載され、 前記封止部材によって覆われている部分の面積が20%
以上50%以下、封止部材の平坦部の面積が1mm2 以上
の高周波モジュール部品。4. At least one of the surface mount elements other than the surface acoustic wave element is mounted on the multilayer substrate by soldering, and an area of a portion covered by the sealing member is 20%.
A high-frequency module component having a sealing member having a flat area of 1 mm 2 or more, and 50% or less.
層基板に接着剤で接着され、部材内部の導体パターンが
接着フランジ部に触れないようにスルーホールによって
下部に導かれている高周波モジュール部品。5. A high-frequency module in which a sealing member covering the surface acoustic wave element is adhered to a multilayer substrate with an adhesive, and a conductor pattern inside the member is guided to a lower portion by a through hole so as not to touch an adhesive flange. parts.
面の少なくとも部品接着部分に金属めっきを施し、 少なくとも一つの表面弾性波素子以外の素子をはんだに
よって搭載し、 洗浄を行った後表面弾性波素子を金属同士の接合によっ
て多層基板にフリップチップ搭載し、 表面弾性波素子の封止部材を接着する工程を有する高周
波モジュール部品の製造方法。6. A surface acoustic wave device after applying metal plating to at least a component bonding portion of a conductor surface of a component mounting ceramic multilayer substrate, mounting at least one device other than a surface acoustic wave device by soldering, and performing cleaning. A method for manufacturing a high-frequency module component, comprising: mounting a flip chip on a multilayer substrate by bonding metals to each other, and bonding a sealing member of the surface acoustic wave element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001058406A JP2002261581A (en) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | High frequency module components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001058406A JP2002261581A (en) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | High frequency module components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261581A true JP2002261581A (en) | 2002-09-13 |
Family
ID=18918132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001058406A Pending JP2002261581A (en) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | High frequency module components |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261581A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157257A (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device mounting substrate, high-frequency module, and portable terminal |
| WO2007034626A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Packaging method of electronic component module, method for manufacturing electronic apparatus using it, and electronic component module |
| US7274129B2 (en) | 2003-04-08 | 2007-09-25 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
| US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JP2008271169A (en) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | High frequency module and portable terminal equipped with the same |
| KR100893028B1 (en) * | 2002-10-24 | 2009-04-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Semiconductor device package and manufacturing method thereof |
| US7688159B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-03-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | SAW duplexer having a bridging inductor in a multilayer package |
-
2001
- 2001-03-02 JP JP2001058406A patent/JP2002261581A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100893028B1 (en) * | 2002-10-24 | 2009-04-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Semiconductor device package and manufacturing method thereof |
| US7274129B2 (en) | 2003-04-08 | 2007-09-25 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
| US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JP2006157257A (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device mounting substrate, high-frequency module, and portable terminal |
| US7688159B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-03-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | SAW duplexer having a bridging inductor in a multilayer package |
| WO2007034626A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Packaging method of electronic component module, method for manufacturing electronic apparatus using it, and electronic component module |
| JPWO2007034626A1 (en) * | 2005-09-22 | 2009-03-19 | 株式会社村田製作所 | Electronic component module mounting method, electronic device manufacturing method using the same, and electronic component module |
| US7650692B2 (en) | 2005-09-22 | 2010-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for mounting electronic-component module |
| JP4631911B2 (en) * | 2005-09-22 | 2011-02-16 | 株式会社村田製作所 | Electronic component module mounting method, electronic device manufacturing method using the same, and electronic component module |
| JP2008271169A (en) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | High frequency module and portable terminal equipped with the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4049239B2 (en) | Method for manufacturing high-frequency module component including surface acoustic wave element | |
| KR100674793B1 (en) | Ceramic laminated devices | |
| JP4137356B2 (en) | Method for manufacturing high-frequency module component including surface acoustic wave element | |
| US6759925B2 (en) | Radio-frequency hybrid switch module | |
| US20050151599A1 (en) | Module for radio-frequency applications | |
| JPH11127055A (en) | Composite electronic components | |
| US20070053167A1 (en) | Electronic circuit module and manufacturing method thereof | |
| US20110038132A1 (en) | Microstructure Apparatus, Manufacturing Method Thereof, and Sealing Substrate | |
| JP2002261581A (en) | High frequency module components | |
| JP2002111218A (en) | Ceramic laminated device | |
| JP4582352B2 (en) | High frequency module component including surface acoustic wave device and assembly thereof | |
| JP3948925B2 (en) | High frequency module parts | |
| CN100378967C (en) | Ceramic package and manufacturing method thereof | |
| JP2008271169A (en) | High frequency module and portable terminal equipped with the same | |
| JP4067760B2 (en) | High frequency electronic circuit module and multilayer board for module | |
| JPH05235689A (en) | High frequency device | |
| JP3911426B2 (en) | Surface acoustic wave filter package and surface acoustic wave filter device | |
| JP2003051733A (en) | High frequency module components | |
| JP2003008393A (en) | High frequency module components | |
| JP2007096519A (en) | High frequency module and manufacturing method thereof | |
| JP4260835B2 (en) | High frequency module parts | |
| JP2003163571A (en) | Package for surface acoustic wave filter | |
| JP2000209120A (en) | High frequency composite component and radio unit using it | |
| JP2005191108A (en) | Wiring board for mounting electronic components | |
| JP2005072505A (en) | Electronic component mounting board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080310 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080603 |