JP2002261453A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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Abstract
板において、配線の高密度化や半田耐熱性・絶縁性・高
周波伝送特性をともに満足させることができない。 【解決手段】 有機材料から成り、上下面の少なくとも
1つの面に金属箔から成る配線導体2が配設された複数
の絶縁層1を積層して成るとともに、この絶縁層を上下
に位置する配線導体2間を絶縁層に形成された貫通導体
3を介して電気的に接続した多層配線基板4であって、
絶縁層1は、液晶ポリマー層5の上下面にポリフェニレ
ンエーテル系有機物から成る被覆層6を形成して成るこ
とを特徴とするものである。穿設加工が容易で配線の高
密度化が可能となり、また、ポリフェニレンエーテル系
有機物から成る被覆層6が、液晶ポリマー層5・配線導
体2と高接着性を示すとともに液晶ポリマーと同じ誘電
率を示すことにより高周波での伝送特性が低下せず、半
田耐熱性・絶縁性・高周波伝送特性に優れる。
Description
電機器・通信機器・コンピュータやその周辺機器等の電
子機器に使用される多層配線基板に関するものであり、
特に絶縁層の一部に液晶ポリマー層を用いた多層配線基
板に関するものである。
子・抵抗素子等の受動部品を多数搭載して所定の電子回
路を構成した混成集積回路を形成するための多層配線基
板は、通常、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて
成る絶縁層にドリルによって上下に貫通孔を形成し、こ
の貫通孔内部および絶縁層表面に複数の配線導体を形成
した配線基板を、多数層積層することによって形成され
ている。
器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機
能・高品質・高信頼性が要求されており、このような電
子機器に搭載される混成集積回路等の電子部品も小型・
高密度化が要求されるようになってきており、このよう
な高密度化の要求に応えるために、電子部品を構成する
多層配線基板も、配線導体の微細化や絶縁層の薄層化・
貫通孔の微細化が必要となってきている。このため、近
年、貫通孔を微細化するために、ドリル加工より微細加
工が可能なレーザ加工が用いられるようになってきた。
脂を含浸させて成る絶縁層は、ガラスクロスをレーザに
より穿設加工することが困難なために貫通孔の微細化に
は限界があり、また、ガラスクロスの厚みが不均一のた
めに均一な孔径の貫通孔を形成することが困難であると
いう問題点を有していた。
ミド樹脂繊維で製作した不織布にエポキシ樹脂を含浸さ
せた絶縁基材や、ポリイミドフィルムにエポキシ系接着
剤を塗布した絶縁基材を絶縁層に用いた多層配線基板が
提案されている。
ドフィルムを用いた絶縁基材は吸湿性が高く、吸湿した
状態で半田リフローを行なうと半田リフローの熱により
吸湿した水分が気化してガスが発生し、絶縁層間で剥離
してしまう等の問題点を有していた。
配線基板の絶縁層の材料として液晶ポリマーを用いるこ
とが検討されている。液晶ポリマーから成る層は、剛直
な分子で構成されているとともに分子同士がある程度規
則的に並んだ構成をしており分子間力が強いことから、
高耐熱性・高弾性率・高寸法安定性・低吸湿性を示し、
ガラスクロスのような強化材を用いる必要がなく、ま
た、微細加工性にも優れるという特徴を有している。さ
らに、高周波領域においても、低誘電率・低誘電正接で
あり高周波特性に優れるという特徴を有している。
特開平8-97565号公報には、回路層が第1の液晶ポリマ
ーを含み、この回路層間に第1の液晶ポリマーの融点よ
りも低い融点を有する第2の液晶ポリマーを含む接着剤
層を挿入して成る多層プリント回路基板が提案されてお
り、また、特開2000-269616号公報には熱可塑性液晶ポ
リマーフィルムと金属箔とをエポキシ系接着剤を用いて
接着させた高周波回路基板が提案されている。
8-97565号公報に提案された多層プリント回路基板は、
回路層を間に液晶ポリマーを含む接着剤層を挿入して熱
圧着により接着する際、液晶ポリマー分子が剛直で動き
難いために回路層表面の微細な凹部に入ることができ
ず、その結果、十分なアンカー効果を発揮することがで
きず、回路層と接着剤層との密着性が悪く高温バイアス
試験で絶縁不良が発生してしまうという問題点を有して
いた。
た高周波回路基板は、エポキシ系接着剤の誘電率が液晶
ポリマーの誘電率と大きく異なることから、積層時の加
圧によって生じるわずかな厚みばらつきにより、高周波
領域、特に100MHz以上の周波数領域においては伝送
特性が低下してしまうという問題点を有していた。
出されたものであり、その目的は、高密度な配線を有す
るとともに、半田耐熱性・絶縁性・高周波伝送特性に優
れた多層配線基板を提供することに有る。
は、有機材料から成り、上下面の少なくとも1つの面に
金属箔から成る配線導体が配設された複数の絶縁層を積
層して成るとともに、この絶縁層を挟んで上下に位置す
る配線導体間を絶縁層に形成された貫通導体を介して電
気的に接続した多層配線基板であって、絶縁層は、液晶
ポリマー層の上下面にポリフェニレンエーテル系有機物
から成る被覆層を形成して成ることを特徴とするもので
ある。
液晶ポリマー層の表面にポリフェニレンエーテル系有機
物から成る被覆層を形成して成るものとしたことから、
微細な貫通孔を穿設加工することが可能となり、その結
果、高密度な配線を有する多層配線基板とすることがで
き、また、液晶ポリマー層とポリフェニレンエーテル系
有機物から成る被覆層の誘電率の周波数挙動がほぼ等し
いことから、積層の際にわずかな厚みばらつきが生じた
としても高周波領域における伝送特性の低下を生じるこ
とのない高周波伝送特性に優れた多層配線基板とするこ
とできる。さらに、ポリフェニレンエーテル系有機物か
ら成る被覆層は、液晶ポリマー層と同程度の疎水性を示
すことから、両者の樹脂同士の馴染みが良好で接着性に
優れ、また、被覆層がランダムな分子構造で比較的熱運
動しやすい分子から成ることから、液晶ポリマー層表面
の微細な凹部に入り込み十分なアンカー効果を発揮する
ことができ、その結果、液晶ポリマー層と被覆層との密
着性が良好となり高温バイアス試験で絶縁不良が発生す
ることもない。さらにまた、液晶ポリマーが低吸湿性で
あることから、半田リフロー時に水分が気化してガスが
発生することもなく、絶縁層間で剥離してしまうことも
ない。
の図面に基づいて詳細に説明する。
子を搭載して成る混成集積回路の実施の形態の一例を示
す断面図であり、また、図2は、図1に示す多層配線基
板の要部断面図である。これらの図において1は絶縁
層、2は配線導体、3は貫通導体で、主にこれらで本発
明の多層配線基板4が構成されている。なお、本例で
は、絶縁層1を4層積層して成る多層配線基板4を示し
ている。
面に被着形成されたポリフェニレンエーテル系有機物か
ら成る被覆層6とから構成されており、配線導体2や多
層配線基板4に搭載される電子部品7の支持体としての
機能を有する。
液晶状態あるいは光学的に複屈折する性質を有するポリ
マーを指し、一般に溶液状態で液晶性を示すリオトロピ
ック液晶ポリマーや溶融時に液晶性を示すサーモトロピ
ック液晶ポリマー、あるいは、熱変形温度で分類される
1型・2型・3型すべての液晶ポリマーを含むものであ
る。また、ポリフェニレンエーテル系有機物とは、ポリ
フェニレンエーテル樹脂やポリフェニレンエーテルに種
々の官能基が結合した樹脂、あるいはこれらの誘導体・
重合体を意味するものである。
性・半田耐熱性・加工性の観点からは200〜400℃の温
度、特に250〜350℃の温度に融点を有するものが好まし
く、さらに、層としての物性を損なわない範囲内で、熱
安定性を改善するための酸化防止剤や耐光性を改善する
ための紫外線吸収剤等の光安定剤、難燃性を改善するた
めのハロゲン系もしくはリン酸系の難燃性剤、アンチモ
ン系化合物やホウ酸亜鉛・メタホウ酸バリウム・酸化ジ
ルコニウム等の難燃助剤、潤滑性を改善するための高級
脂肪酸や高級脂肪酸エステル・高級脂肪酸金属塩・フル
オロカーボン系界面活性剤等の滑剤、熱膨張係数を調整
するため、および/または機械的強度を向上するための
酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化チタン・酸化バリウ
ム・酸化ストロンチウム・酸化ジルコニウム・酸化カル
シウム・ゼオライト・窒化珪素・窒化アルミニウム・炭
化珪素・チタン酸カリウム・チタン酸バリウム・チタン
酸ストロンチウム・チタン酸カルシウム・ホウ酸アルミ
ニウム・スズ酸バリウム・ジルコン酸バリウム・ジルコ
ン酸ストロンチウム等の充填材を含有してもよい。
状・針状・フレーク状等があり、充填性の観点からは略
球状が好ましい。また、粒子径は、通常0.1〜15μm程
度であり、液晶ポリマー層5の厚みよりも小さい。
レンエーテル系有機物から成る被覆層6との密着性を高
めるために、その表面をバフ研磨・ブラスト研磨・ブラ
シ研磨・プラズマ処理・コロナ処理・紫外線処理・薬品
処理等の方法を用いて中心線表面粗さRaが0.05〜5μ
mの値となるように粗化しておくことが好ましい。中心
線表面粗さRaは、半田リフローの際に液晶ポリマー層
5と被覆層6との剥離を防止するという観点からは0.05
μm以上であることが好ましく、表面に被覆層6を形成
する際に空気のかみ込みを防止するという観点からは5
μm以下であることが好ましい。従って、液晶ポリマー
層5は、その表面を中心線表面粗さRaが0.05〜5μm
の粗面とすることが好ましい。
るポリフェニレンエーテル系有機物から成る被覆層6
は、絶縁層1に配線導体2を被着形成する際の接着剤の
機能を有するとともに、絶縁層1同志を積層する際の接
着剤の役目を果たす。
やその誘導体、または、これらのポリマーアロイ等のポ
リフェニレンエーテル系有機物を30〜90体積%含有して
おり、とりわけ熱サイクル信頼性や積層時の位置精度の
観点からは、アリル変性ポリフェニレンエーテル等の熱
硬化性ポリフェニレンエーテルを含有することが好まし
い。
含有量が30体積%未満であると、後述する充填材との混
練性が低下する傾向があり、また、90体積%を超える
と、液晶ポリマー層5表面に被覆層6を形成する際に、
被覆層6の厚みバラツキが大きくなる傾向がある。従っ
て、ポリフェニレンエーテル系有機物の含有量は、30〜
90体積%の範囲が好ましい。
ら成る被覆層6は、液晶ポリマー層5との接着性や配線
導体2・貫通導体3との密着性を良好にするという観点
からは、重合反応可能な官能基を2個以上有する多官能
性モノマーあるいは多官能性重合体等の添加剤を含有す
ることが好ましく、例えば、トリアリルシアヌレートや
トリアリルイソシアヌレートおよびこれらの重合体等を
含有することが好ましい。
めのゴム成分や熱安定性を改善するための酸化防止剤、
耐光性を改善するための紫外線吸収剤等の光安定剤、難
燃性を改善するためのハロゲン系もしくはリン酸系の難
燃性剤、アンチモン系化合物やホウ酸亜鉛・メタホウ酸
バリウム・酸化ジルコニウム等の難燃助剤、潤滑性を改
善するための高級脂肪酸や高級脂肪酸エステルや高級脂
肪酸金属塩・フルオロカーボン系界面活性剤等の滑剤、
熱膨張係数を調整したり機械的強度を向上するための酸
化アルミニウムや酸化珪素・酸化チタン・酸化バリウム
・酸化ストロンチウム・酸化ジルコニウム・酸化カルシ
ウム・ゼオライト・窒化珪素・窒化アルミニウム・炭化
珪素・チタン酸カリウム・チタン酸バリウム・チタン酸
ストロンチウム・チタン酸カルシウム・ホウ酸アルミニ
ウム・スズ酸バリウム・ジルコン酸バリウム・ジルコン
酸ストロンチウム等の充填材、あるいは、充填材との親
和性を高めこれらの接合性向上と機械的強度を高めるた
めのシラン系カップリング剤やチタネート系カップリン
グ剤等のカップリング剤を含有してもよい。
覆層6の流動性を抑制し、貫通導体3の位置ずれや被覆
層6の厚みばらつきを防止するという観点からは、被覆
層6は充填材として10体積%以上の無機絶縁粉末を含有
することが好ましい。また、液晶ポリマー層5との接着
界面および配線導体2との接着界面での半田リフロー時
の剥離を防止するという観点からは、充填材の含有量を
70体積%以下とすることが好ましい。従って、ポリフェ
ニレンエーテル系有機物から成る被覆層6に、10〜70体
積%の充填材を含有させておくことが好ましい。
針状・フレーク状等があり、充填性の観点からは、略球
状が好ましい。また、粒子径は、0.1〜15μm程度であ
り、被覆層6の厚みよりも小さい。
リマー層5とポリフェニレンエーテル系有機物から成る
被覆層6の誘電率とがほぼ等しいことから、積層の際に
わずかな厚みばらつきが生じても高周波領域における伝
送特性の低下を生じることのない高周波伝送特性に優れ
た多層配線基板4とすることできる。また、被覆層6が
液晶ポリマー層5と同程度の疎水性を示すことから樹脂
同士の馴染みが良好であるため接着性に優れるととも
に、被覆層6がランダムな分子構造で比較的熱運動しや
すい分子から成ることから液晶ポリマー層5表面の微細
な凹部に入り込み十分なアンカー効果を発揮することが
でき、その結果、液晶ポリマー層5と被覆層6との密着
性が良好となり高温バイアス試験で絶縁不良が発生する
ことのない耐熱性・絶縁性に優れた多層配線基板4とす
ることができる。
〜15μm程度の酸化珪素等の無機絶縁粉末に、熱硬化性
ポリフェニレンエーテル樹脂と溶剤・可塑剤・分散剤等
を添加して得たペーストを液晶ポリマー層5の上下表面
に従来周知のドクタブレード法等のシート成型法を採用
して被覆層6を形成した後、あるいは上記のペースト中
に液晶ポリマー層5を浸漬し垂直に引き上げることによ
って液晶ポリマー層5の表面に被覆層6を形成した後、
これを60〜100℃の温度で5分〜3時間加熱・乾燥する
ことにより製作される。
するという観点からは10〜200μmであることが好まし
く、また、高耐熱性・低吸湿性・高寸法安定性を確保す
るという観点からは、液晶ポリマー層5の厚みを絶縁層
1の厚みの40〜90%の範囲としておくことが好ましい。
1つの面に配線導体2が被着形成されている。配線導体
2は、その厚みが2〜30μm程度で銅・金等の良導電性
の金属箔から成り、多層配線基板4に搭載される電子部
品7を外部電気回路(図示せず)に電気的に接続する機
能を有する。
層積層する際、配線導体2の周囲にボイドが発生するの
を防止するという観点から、被覆層6に少なくとも配線
導体2の表面と被覆層6の表面とが平坦となるように埋
設されていることが好ましい。また、配線導体2を被覆
層6に埋設する際に、被覆層6の乾燥状態での気孔率を
3〜40体積%としておくと、配線導体2周囲の被覆層6
の樹脂盛り上がりを生じさせず平坦化することができる
とともに配線導体2と被覆層6の間に挟まれる空気の排
出を容易にして気泡の巻き込みを防止することができ
る。なお、乾燥状態での気孔率が40体積%を超えると、
複数層積層した絶縁層1を加圧・加熱硬化した後に、被
覆層6内に気孔が残存し、この気孔が空気中の水分を吸
着して絶縁性が低下してしまうおそれがあるので、被覆
層6の乾燥状態での気孔率を3〜40体積%の範囲として
おくことが好ましい。
は、被覆層6を液晶ポリマー層5の表面上に塗布し乾燥
する際に、乾燥温度や昇温速度等の乾燥条件を適宜調整
することにより気孔率を所望の値とすることができる。
に位置する被覆層6の厚みを3〜35μmの厚みとしてお
くことが好ましい。配線導体2と液晶ポリマー層5の間
に位置する被覆層6の厚みを3〜35μmの厚みとして、
配線導体2と誘電正接の低い液晶ポリマー層5とを近づ
けることにより、配線導体2周囲の誘電正接を低くする
ことができ、その結果、高周波領域、特に100MHz以
上の周波数領域における伝送特性を向上させることがで
きる。なお、被覆層6の厚みが3μm未満であると、配
線導体2の熱膨張・熱収縮により発生する応力を被覆層
6で有効に緩和することができず、配線導体2のコーナ
ー部からクラックが発生してしまう傾向があり、35μm
を超えると配線導体2周囲の誘電正接を低くする効果が
低下してしまう傾向がある。従って、配線導体2と液晶
ポリマー層5の間に位置する被覆層6の厚みを3〜35μ
mの範囲としておくことが好ましい。
の幅方向の断面形状を、絶縁層1側の底辺の長さが対向
する底辺の長さよりも短い台形状とするとともに、絶縁
層1側の底辺と側辺との成す角度を95〜150°とするこ
とが好ましい。絶縁層1に配設された配線導体2の幅方
向の断面形状を、絶縁層1側の底辺の長さが対向する底
辺の長さよりも短い台形状とするとともに、絶縁層1側
の底辺と側辺との成す角度を95〜150°とすることによ
り、配線導体2を被覆層6に埋設する際に、配線導体2
を被覆層6に容易に埋設することができる。なお、気泡
をかみ込むことなく埋設するという観点からは、絶縁層
1側の底辺と側辺との成す角度を95°以上とすることが
好ましく、配線導体2を微細化するという観点からは15
0°以下とすることが好ましい。
2の長さの短い底辺と液晶ポリマー層5との間に位置す
る被覆層6の厚みx(μm)が、上下の液晶ポリマー層
5間の距離をT(μm)、配線導体2の厚みをt(μ
m)としたときに、3μm≦0.5T−t≦x≦0.5T≦35
μm(ただし、8μm≦T≦70μm、1μm≦t≦32μ
m)であることが好ましい。
配線導体2の厚みをt(μm)としたときに、配線導体
2の長さの短い底辺と液晶ポリマー層5間のポリフェニ
レンエーテル系有機物から成る被覆層6の厚みx(μ
m)を3μm≦0.5T−t≦x≦0.5T≦35μmとするこ
とにより、配線導体2の長さの短い底辺と液晶ポリマー
層5間の距離および配線導体2の長さの長い底辺と隣接
する液晶ポリマー層5間の距離の差をt(μm)未満と
小さくでき、配線導体2周囲の誘電正接バラツキを小さ
なものとすることができ、その結果、伝送特性が低下す
ることを防止できる。従って、配線導体2の台形状の上
底側表面と液晶ポリマー層5の間に位置する、ポリフェ
ニレンエーテル系有機物から成る被覆層6の厚みx(μ
m)を、液晶ポリマー層6間の距離をT(μm)、配線
導体2の厚みをt(μm)としたときに、3μm≦0.5
T−t≦x≦0.5T≦35μmの範囲とすることが好まし
い。
前駆体シートに、公知のフォトレジストを用いたサブト
ラクティブ法によりパターン形成した例えば銅から成る
金属箔を転写法等により被着形成することにより形成さ
れる。先ず、支持体と成るフィルム上に銅から成る金属
箔を接着剤を介して接着した金属箔転写用フィルムを用
意し、次に、フィルム上の金属箔を公知のフォトレジス
トを用いたサブトラクティブ法を使用してパターン状に
エッチングする。この時、パターンの表面側の側面は、
フィルム側の側面に較べてエッチング液に接する時間が
長いためにエッチングされやすく、パターンの幅方向の
断面形状を台形状とすることができる。なお、台形の形
状は、エッチング液の濃度やエッチング時間を調整する
ことにより短い底辺と側辺とのなす角度を95〜150°の
台形状とすることができる。そして、この金属箔転写用
フィルムを絶縁層1と成る前駆体シートに積層し、温度
が100〜200℃で圧力が0.5〜10MPaの条件で10分〜1
時間ホットプレスした後、支持体と成るフィルムを剥離
除去して金属箔を絶縁層1と成る前駆体シート表面に転
写させることにより、台形状の上底側がポリフェニレン
エーテル系有機物から成る被覆層6に埋設された配線導
体2を形成することができる。
する液晶ポリマー層5間の被覆層6の厚みx(μm)
は、金属箔転写時のホットプレスの圧力を調整すること
により3〜35μmの範囲とすることができる。また、配
線導体2は被覆層6との密着性を高めるためにその表面
にバフ研磨・ブラスト研磨・ブラシ研磨・薬品処理等の
処理で表面を粗化しておくことが好ましい。
程度の貫通導体3が形成されている。貫通導体3は、絶
縁層を挟んで上下に位置する配線導体2を電気的に接続
する機能を有し、絶縁層1にレーザにより穿設加工を施
すことにより貫通孔を形成した後、この貫通孔に銅・銀
・金・半田等から成る導電性ペーストを従来周知のスク
リーン印刷法により埋め込むことにより形成される。
1を液晶ポリマー層5の上下面にポリフェニレンエーテ
ル系有機物から成る被覆層6を有したものとしたことか
ら、液晶ポリマー層5が高耐熱性・高弾性率・高寸法安
定性・低吸湿性であり、ガラスクロスのような強化材を
用いなくとも絶縁層1を構成することが可能となり、そ
の結果、レーザによる穿設加工が容易となり微細で均一
な貫通孔を形成できる。
うな方法で製作した絶縁層1と成る前駆体シートの所望
の位置に貫通導体3を形成した後、パターン形成した例
えば銅の金属箔を、温度が100〜200℃で圧力が0.5〜10
MPaの条件で10分〜1時間ホットプレスして転写し、
これらを積層して最終的に温度が150〜300℃で圧力が0.
5〜10MPaの条件で30分〜24時間ホットプレスして完
全硬化させることにより製作される。
ば、絶縁層1を液晶ポリマー層5の表面にポリフェニレ
ンエーテル系有機物から成る被覆層6を有したものとし
たしたことから、高周波伝送特性に優れるとともに耐湿
性・半田耐熱性・絶縁性に優れた多層配線基板4とする
ことができる。
施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上
述の実施例では4層の絶縁層1を積層することによって
多層配線基板4を製作したが、2層や3層、あるいは5
層以上の絶縁層1を積層して多層配線基板4を製作して
もよい。また、本発明の多層配線基板4の上下表面に、
1層や2層、あるいは3層以上の有機樹脂を主成分とす
る絶縁層から成るビルドアップ層やソルダーレジスト層
を形成してもよい。
ルを製作して評価した。 (実施例)先ず、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂
に平均粒径が0.6μmの球状溶融シリカをその含有量が4
0体積%となるように加え、これに溶剤としてトルエ
ン、さらに有機樹脂の硬化を促進させるための触媒を添
加し、1時間混合してワニスを調整した。次に、融点が
320℃の液晶ポリマー層の表面をプラズマ処理して厚さ
が35μmで中心線表面粗さRaが0.10μmの液晶ポリマ
ー層を用意し、この液晶ポリマー層の上面に上記ワニス
をドクターブレード法により塗布し、厚さ約20μmの乾
燥状態の熱硬化性ポリフェニレンエーテル被覆層を成形
した。そして、この液晶ポリマー層の下面にも同様にポ
リフェニレンエーテル被覆層を成形し、絶縁層となる前
駆体シートを製作した。さらに、この前駆体シートに、
CO2レーザにより直径65μmの貫通孔を形成し、この
貫通孔に銅粉末と有機バインダを含有する導体ペースト
をスクリーン印刷により埋め込むことにより貫通導体を
形成した。
が付いた転写用支持フィルムと、貫通導体が形成された
絶縁層となる前駆体シートとを位置合わせして真空積層
機により3MPaの圧力で30秒加圧した後、転写用支持
フィルムを剥離して配線導体を前駆体シート上に埋設し
た。最後に、この配線導体が形成された前駆体シートを
4枚重ね合わせ、3MPaの圧力下で200℃の温度で5
時間加熱処理して完全硬化させて多層配線基板を得た。
板は、配線幅50μm、配線間隔50μmの櫛歯状パターン
の配線導体を多層配線基板内に形成し、また、伝送特性
の評価を行うためのテスト基板は、ストリップライン構
造の配線導体を多層配線基板内部に形成した。
配線基板は、まず、表面に銅箔を熱溶融により接着した
融点が320℃の液晶ポリマー層にフォトレジストを用い
て回路状の配線導体を形成し、次に、CO2レーザによ
り直径65μmの貫通孔を形成し、さらにこの貫通孔に銅
粉末と有機バインダを含有する導体ペーストをスクリー
ン印刷により埋め込むことにより貫通導体を形成して回
路基板を作成した後、これらの回路基板を融点が280℃
の液晶ポリマー層を間に挟んで1MPaの圧力下で285
℃の温度で5分間加熱プレスすることにより製作した。
配線基板は、表面に銅箔をエポキシ樹脂製接着剤を介し
て接着した、融点が320℃の液晶ポリマー層を用いるこ
と以外は、比較例1用の多層配線基板と同様の方法で製
作した。
対湿度が85%の条件で、印加電圧5.5Vの高温バイアス
試験を行い、168時間後の配線導体間の絶縁抵抗を測定
し、試験前後の変化量を比較することにより評価した。
また、伝送特性の評価は、ストリップ構造を有する試料
を用いて、周波数が100MHz〜40GHzの範囲で伝送
特性を測定することにより評価した。
性の評価結果を示す。
温バイアス試験後の絶縁抵抗が3.5×106Ωと小さくな
り、耐熱性に劣ることがわかった。また、表2からは、
比較例2の多層配線基板が20GHz以上の高周波領域で
伝送特性が-1.0dB以下と劣化し、高周波伝送特性に劣
ることがわかった。
高温バイアス試験後でも絶縁抵抗は4.3×1010Ωと大き
く、また、伝送特性も40GHzの高周波領域においても
‐0.51dBと小さいという優れたものであった。
を液晶ポリマー層の表面にポリフェニレンエーテル系有
機物から成る被覆層を形成して成るものとしたことか
ら、微細な貫通孔を穿設加工することが可能となり、そ
の結果、高密度な配線を有する多層配線基板とすること
ができ、また、液晶ポリマー層とポリフェニレンエーテ
ル系有機物から成る被覆層の誘電率の周波数挙動がほぼ
等しいことから、積層の際にわずかな厚みばらつきが生
じたとしても高周波領域における伝送特性の低下を生じ
ることのない高周波伝送特性に優れた多層配線基板とす
ることできる。さらに、ポリフェニレンエーテル系有機
物から成る被覆層は、液晶ポリマー層と同程度の疎水性
を示すことから、両者の樹脂同士の馴染みが良好で接着
性に優れ、また、被覆層がランダムな分子構造で比較的
熱運動しやすい分子から成ることから液晶ポリマー層表
面の微細な凹部に入り込み十分なアンカー効果を発揮す
ることができ、その結果、液晶ポリマー層と被覆層との
密着性が良好となり高温バイアス試験で絶縁不良が発生
することもない。さらにまた、液晶ポリマーが低吸湿性
であることから、半田リフロー時に水分が気化してガス
が発生することもなく、絶縁層間で剥離してしまうこと
もない。
成る混成集積回路の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。
被覆層 T・・・・・液晶ポリマー層間の距離 t・・・・・配線導体の厚み x・・・・・台形状の配線導体の上底側表面と液晶ポリ
マー層の間に位置する、ポリフェニレンエーテル系有機
物から成る被覆層の厚み
Claims (7)
- 【請求項1】 有機材料から成り、上下面の少なくとも
1つの面に金属箔から成る配線導体が配設された複数の
絶縁層を積層して成るとともに、該絶縁層を挟んで上下
に位置する前記配線導体間を前記絶縁層に形成された貫
通導体を介して電気的に接続した多層配線基板であっ
て、前記絶縁層は、液晶ポリマー層の上下面にポリフェ
ニレンエーテル系有機物から成る被覆層を形成して成る
ことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項2】 前記液晶ポリマー層の上下面を中心線表
面粗さRaが0.05〜5μmの粗面としたことを特徴
とする請求項1記載の多層配線基板。 - 【請求項3】 前記被覆層が10〜70体積%の無機絶
縁粉末を含有することを特徴とする請求項1または請求
項2記載の多層配線基板。 - 【請求項4】 前記ポリフェニレンエーテル系有機物が
熱硬化性ポリフェニレンエーテルであることを特徴とす
る請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の多層配線基
板。 - 【請求項5】 前記液晶ポリマー層と前記配線導体との
間に位置する前記被覆層の厚みが3〜35μmであるこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の多層配線基板。 - 【請求項6】 前記絶縁層に配設された配線導体の幅方
向の断面形状は、前記絶縁層側の底辺の長さが対向する
底辺の長さよりも短い台形状であり、かつ、前記絶縁層
側の底辺と側辺との成す角度が95〜150°であるこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載
の多層配線基板。 - 【請求項7】 前記絶縁層の層間において、前記配線導
体の長さの短い底辺と前記液晶ポリマー層との間に位置
する前記被覆層の厚みx(μm)が、上下の前記液晶ポ
リマー層間の距離をT(μm)、前記配線導体の厚みを
t(μm)としたときに、3μm≦0.5T−t≦x≦
0.5T≦35μm(ただし、8μm≦T≦70μm、
1μm≦t≦32μm)であることを特徴とする請求項
6記載の多層配線基板。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2001053834A JP2002261453A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 多層配線基板 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053834A JP2002261453A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 多層配線基板 |
Related Child Applications (2)
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| JP2006076654A Division JP2006191145A (ja) | 2006-03-20 | 2006-03-20 | 多層配線基板 |
| JP2006076655A Division JP2006191146A (ja) | 2006-03-20 | 2006-03-20 | 多層配線基板の製造方法 |
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- 2001-02-28 JP JP2001053834A patent/JP2002261453A/ja active Pending
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