JP2002260998A

JP2002260998A - 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2002260998A
Application number: JP2001094130A
Authority: JP
Inventors: Takashi Aoki; 貴史青木; Soichi Yamato; 壮一大和
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-12-28
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2002-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】マスクにおける保護部材により形成される空
間内の吸光物質を低減することができる露光方法及び露
光装置並びにデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】マスクＲをユニット内に収容し、ユニッ
ト内に露光光が透過する所定ガスを供給し、ユニット内
でマスクＲを所定方向に動かして、ユニット内に供給さ
れる所定ガスを、マスクＲにおける保護部材ＰＥにより
形成される空間５１に流入させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド等の
電子デバイスを製造するための露光方法及び露光装置並
びにデバイスの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子等の電子デバ
イスをフォトリソグラフィ工程で製造する際に、パター
ンが形成されたマスクあるいはレチクル（以下、レチク
ルと称する）のパターン像を投影光学系を介して感光材
（レジスト）が塗布された基板上の各投影（ショット）
領域に投影する投影露光装置が使用されている。電子デ
バイスの回路は、上記投影露光装置で被露光基板上に回
路パターンを露光することにより転写され、後処理によ
って形成される。

【０００３】近年、集積回路の高密度集積化、すなわ
ち、回路パターンの微細化が進められてきた。このた
め、投影露光装置における露光用照明ビーム（露光ビー
ム）が短波長化される傾向にある。すなわち、これまで
主流だった水銀ランプ代わって、ＫｒＦエキシマレーザ
（波長：２４８ｎｍ）といった短波長の光源が用いられ
るようになり、さらに短波長のＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）を用いた露光装置の実用化も最終段階に
入りつつある。また、さらなる高密度集積化をめざし
て、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）を用いた露光装置の研究
も進められている。

【０００４】波長約１９０ｎｍ以下のビームは真空紫外
域に属し、これらのビームは、空気を透過しない。これ
は、空気中に含まれる酸素分子・水分子・二酸化炭素分
子などの物質（以下、吸光物質と称する）によってビー
ムのエネルギーが吸収されるからである。

【０００５】このため、真空紫外域の露光ビームを用い
た露光装置において、被露光基板上に露光ビームを十分
な照度で到達させるには、露光ビームの光路上の空間か
ら吸光物質を低減もしくは排除する必要がある。

【０００６】例えば、Ｆ₂レーザを用いた露光装置で
は、その露光ビームの光路上のすべての空間を高純度の
不活性ガスで充填（パージ）する必要がある。この場
合、例えば全光路長を１０００ｍｍとすると、光路上の
空間内の吸光物質濃度は、１ｐｐｍ程度以下が実用的と
されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、レチクルに
は、一般に、パターン領域への塵埃などの異物の付着を
防止する保護装置が装着されている。この保護装置は、
パターン領域を囲んで配設されるフレーム（ペリクルフ
レーム）と、パターン領域を覆うようにフレームに張設
されるペリクルと呼ばれる保護部材とからなる。保護部
材としては、例えば、ニトロセルロース等の有機物を主
成分とする厚さが数百ｎｍ〜数μｍ程度の透明な薄い膜
状の部材が用いられている。また、フレームには、通
常、気圧の変化に伴うペリクルの破損を防止するため
に、開口（通気口）が形成されている。この開口によ
り、例えば航空機による輸送や天候の変化等によって気
圧が変化するような場合においても、保護装置内外の圧
力差がほとんど生じず、保護部材の破損が防止され、光
学的悪影響が無視できるようになる。

【０００８】レチクルは露光ビームの光路上に配される
ものである。したがって、上述した真空紫外域の露光ビ
ームを用いた露光装置において、保護装置が装着された
レチクルを用いる場合、その保護装置とレチクルとの間
の内部の空間の吸光物質も低減する必要がある。

【０００９】本発明は、上述する事情に鑑みてなされた
ものであり、レチクルにおける保護部材により形成され
る空間内の吸光物質を低減することができる露光方法及
び露光装置並びにデバイスの製造方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、マスク基板上
のパターン形成領域を保護する保護部材（ＰＥ）と該保
護部材（ＰＥ）を支持するフレーム（ＰＦ）とで形成さ
れる空間（５１）を有するマスク（Ｒ）を用いて、基板
（Ｗ）にマスク（Ｒ）のパターンを転写する露光方法に
おいて、前記マスク（Ｒ）をユニット（２２，６０）内
に収容し、前記ユニット（２２，６０）内に露光光が透
過する所定ガスを供給し、前記ユニット（２２，６０）
内で前記マスク（Ｒ）を所定方向に動かして、前記ユニ
ット（２２，６０）内に供給される前記所定ガスを前記
空間（５１）に流入させることを特徴とする。この露光
方法では、マスク（Ｒ）が収容されるユニット（２２、
６０）内に露光光が透過する所定ガスを供給し、そのユ
ニット（２２）内でマスク（Ｒ）を動かして、所定ガス
をマスク（Ｒ）の空間（５１）内に流入させることによ
り、空間（５１）内の吸光物質が低減される。

【００１１】この場合において、前記所定ガスを、前記
フレーム（ＰＦ）、又は前記フレーム（ＰＦ）と前記マ
スク（Ｒ）との間、又は前記フレーム（ＰＦ）と前記保
護部材（ＰＥ）との間に形成された開口（５３，５４）
を介して前記空間（５１）に流入させるとよい。

【００１２】また、前記フレーム（ＰＦ）に形成された
開口（５３，５４）は、互いに対向する複数の開口（５
３，５４）を含み、前記所定方向は、前記複数の開口
（５３，５４）が対向する方向であるとよい。この場
合、複数の開口（５３，５４）を介して空間（５１）に
ガスが容易に流入する。

【００１３】また、前記ユニット（２２，６０）は、露
光光のもとで、前記マスク（Ｒ）を照明する照明系（２
１）と、前記マスク（Ｒ）に形成されたパターンの像を
前記基板（Ｗ）に転写する投影光学系（ＰＬ）との間に
配置され、前記マスク（Ｒ）のパターンを前記基板
（Ｗ）に転写する露光方法は、前記マスク（Ｒ）と前記
基板（Ｗ）とを同期移動させる走査露光方式であり、前
記所定方向は、前記マスク（Ｒ）と前記基板（Ｗ）とを
同期移動させる方向であってもよい。この場合、同期移
動時と同じようにマスク（Ｒ）を動かすだけで、空間
（５１）にガスを流入させることが可能となる。

【００１４】また、前記マスク（Ｒ）のパターンを前記
基板（Ｗ）に転写する前に、前記ユニット（２２，６
０）内で前記マスク（Ｒ）を前記所定方向に動かして、
前記空間（５１）内の気体を前記所定ガスに置換するこ
とにより、露光光が十分な照度で前記基板（Ｗ）に到達
するようになる。

【００１５】また、前記ユニットは、前記マスク（Ｒ）
のパターンを前記基板（Ｗ）に転写する際に、前記マス
ク（Ｒ）が収容されるマスク室（２２）を形成し、前記
マスク（Ｒ）のパターンを前記基板（Ｗ）に転写する際
に、前記マスク（Ｒ）室内で前記マスク（Ｒ）を前記所
定方向に動かして、前記所定ガスを前記空間（５１）内
に流入させてもよい。この場合、マスク（Ｒ）のパター
ンの転写中において、空間（５１）内の吸光物質を低減
するとともに、空間（５１）内の吸光物質が低減された
状態を維持することが可能となる。また、空間（５１）
内から排出された吸光物質はマスク室（２２）内におい
て、吸光の原因となるが、これは高純度パージガスをマ
スク室（２２）内でフローさせることで、マスク室（２
２）内に留まることなく、容易に排出可能である。

【００１６】また、前記ユニットは、前記マスク（Ｒ）
のパターンを前記基板（Ｗ）に転写する際に、前記マス
ク（Ｒ）が収容されるマスク室（２２）を形成し、前記
基板（Ｗ）を他の基板（Ｗ）に交換する際に、前記マス
ク室（２２）内で前記マスク（Ｒ）を前記所定方向に動
かして、前記ガスを前記空間（５１）内に流入させても
よい。この場合、基板（Ｗ）の交換中において、空間
（５１）内の吸光物質を低減するとともに、空間（５
１）内の吸光物質が低減された状態を維持することが可
能となる。

【００１７】また、前記ユニットは、前記マスク（Ｒ）
のパターンを前記基板（Ｗ）に転写する際に前記マスク
（Ｒ）が収容されるマスク室（２２）とは別に設けら
れ、前記マスク（Ｒ）が一時的に収容される予備室（６
０）であってもよい。この場合、予備室（６０）内で空
間（５１）内の吸光物質が予め低減されたマスク（Ｒ）
を、マスク室（２２）に収容することが可能となる。

【００１８】この場合において、前記マスク室（２２）
に収容されている前記マスク（Ｒ）とは別のマスク
（Ｒ）を前記予備室（６０）内で前記所定方向に動かし
て、前記所定ガスを該マスク（Ｒ）の前記空間（５１）
内に流入させてもよい。この場合、マスク室（２２）内
のマスク（Ｒ）を、空間（５１）内の吸光物質が低減さ
れたマスク（Ｒ）に速やかに交換することが可能とな
る。

【００１９】また、ユニット（２２，６０）内の不純物
質の濃度に関する情報を検出し、該検出結果に基づい
て、前記マスク（Ｒ）を前記所定方向に動かしてもよ
い。この場合、ユニット（２２，６０）内の不純物質の
濃度に関する情報を検出した結果に基づいて、空間（５
１）内の不純物質（吸光物質）の濃度を確実に低減する
ことが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。図２は、本実施例に用いられる
半導体デバイス製造用の縮小投影型露光装置１０の構成
を概略的に示している。この露光装置１０は、マスクと
してのレチクルＲと基板としてのウエハＷとを同期移動
させつつ、レチクルＲに形成された回路パターンを、ウ
エハＷ上の各ショット領域に転写する、ステップ・アン
ド・スキャン方式の走査型露光装置、いわゆるスキャニ
ング・ステッパである。まず、この露光装置１０の全体
構成について以下説明する。

【００２１】この露光装置１０は、光源２０、光源２０
からのエネルギービーム（露光ビームＩＬ）によりレチ
クルＲを照明する照明系２１、レチクルＲを収容するレ
チクル室２２、レチクルＲから射出される露光ビームＩ
ＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬ、ウエハＷを
収容するウエハ室２３、及び装置全体を統括的に制御す
る主制御装置２４等を含んで構成されている。

【００２２】光源２０としては、ここでは、波長約１２
０ｎｍ〜約１８０ｎｍの真空紫外光域に属する光を発す
る光源、例えば発振波長１５７ｎｍのフッ素レーザ（Ｆ
₂レーザ）、発振波長１４６ｎｍのクリプトンダイマー
レーザ（Ｋｒ₂レーザ）、発振波長１２６ｎｍのアルゴ
ンダイマーレーザ（Ａｒ₂レーザ）などが用いられてい
る。なお、光源として発振波長１９３ｎｍのＡｒＦエキ
シマレーザ等を用いてもよい。

【００２３】照明系２１は、光源２０から射出された光
束（レーザビーム）ＩＬを所定の方向に折り曲げるミラ
ー３０、該ミラー３０によって導かれた光束ＩＬをほぼ
均一な照度分布の光束に調整するオプチカルインテグレ
ータ３１、露光ビームＩＬの大部分（例えば９７％）を
透過するとともに残りの部分（例えば３％）をインテグ
レータセンサ３２に導くビームスプリッタ３３、該ビー
ムスプリッタ３３を透過しミラー３４及びリレーレンズ
３５等で導かれた露光ビームＩＬを所定の照明範囲に規
定するレチクルブラインド３６、該レチクルブラインド
３６の開口を透過した露光ビームＩＬをレチクル室２２
に導くリレーレンズ３７及びミラー３８等を含んで構成
されている。

【００２４】インテグレータセンサ３２は光電変換素子
等からなり、ビームスプリッタ３３によって導かれる露
光ビームＩＬの一部分を光電変換し、その光電変換信号
を主制御装置２４に供給する。主制御装置２４はインテ
グレータセンサ３２からの情報に基づいて光源２０を駆
動・停止させるようになっており、これによってウエハ
Ｗに対する露光量（露光ビームの照射量）が制御され
る。なお、インテグレータセンサ３２の出力信号は、露
光動作前に、ウエハステージＷＳＴに取り付けられた照
射量モニタで、投影光学系を通過してきた露光ビームＩ
Ｌを受光して得られる出力信号と関係付けられている。

【００２５】また、レチクルブラインド３６は、例え
ば、平面Ｌ字状に屈曲し露光ビームＩＬの光軸と直交す
る面内で組み合わせられることによって矩形状の開口を
形成する一対のブレード（不図示）と、これらブレード
を主制御装置２４の指示に基づいて光軸と直交する面内
で変位させる遮光部変位装置（不図示）とを備えてい
る。このとき、ブレードはレチクルＲのパターン面と共
役な面に配置される。また、レチクルブラインド３６の
開口の大きさはブレードの変位に伴って変化し、この開
口により規定された露光ビームＩＬは、リレーレンズ３
７を介してレチクル室２２に配されたレチクルＲの特定
領域をほぼ均一な照度で照明する。

【００２６】レチクル室２２は、照明系２１のハウジン
グ及び投影光学系ＰＬのハウジングと隙間無く接合され
た隔壁４０によって形成されており、その内部空間にお
いて、レチクルＲを吸着保持するレチクルステージＲＳ
Ｔを備えている。すなわち、本実施例では、この隔壁４
０が一つのユニット(以下、レチクル室と称する）を構
成しており、このレチクル室２２は外部に対して内部空
間が機密性を持つ気密構造である。ここで、気密構造と
は、レチクル室２２外の気体から完全に遮断された完全
密閉構造であってもよいし、レチクル室２２内の圧力が
レチクル室２２外の圧力より高めに設定され、空間内か
ら空間外に気体が漏れる構造であってもよい。また、レ
チクル室２２内外が同気圧であり、レチクル室２２内外
との間で気体の流れがほとんどない構造も含まれる。

【００２７】レチクルステージＲＳＴは、不図示のレチ
クルベース上に配置されており、ステージ駆動系４１に
より、レチクルベース上でＹ方向（スキャン方向）に所
定のストロークで移動するとともに、Ｘ方向、Ｙ方向、
及びθ方向（回転方向）にそれぞれ微小移動するように
構成されている。ステージ駆動系４１は、例えば、レチ
クルステージＲＳＴをＹ方向に案内するためにＹ軸に平
行に配設されるリニアガイド、走査用リニアモータ（ボ
イスコイルモータ）等を含んで構成される。

【００２８】また、レチクルステージＲＳＴには、それ
ぞれの位置や移動量を計測するための位置検出装置であ
るレーザ干渉計４２からの測長ビーム（レーザビーム）
を反射する移動鏡４３が取り付けられている。レーザ干
渉計４２は、図示しない固定手段によってそれぞれレチ
クルベースに固定されており、投影光学系ＰＬの上端部
側面に固定された図示しない固定鏡を基準として、レチ
クルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置を所定の分解能で
検出するようになっている。レーザ干渉計４２によって
計測されるレチクルステージＲＳＴの位置情報（または
速度情報）は主制御装置２４に送られる。主制御装置２
４は、レーザ干渉計４２から出力される位置情報（また
は速度情報）に基づいてステージ駆動系４１を制御する
ようになっている。

【００２９】また、レチクル室２２の隔壁４０の天井部
には、照明系２１におけるハウジングの内部空間とレチ
クル室２２の内部空間とを分離するように光学部材４５
が配置されている。この光学部材４５は、照明系２１か
らレチクルＲに照明される露光ビームＩＬの光路上に配
置されるため、真空紫外線光である露光ビームＩＬに対
して透過性の高い蛍石等の結晶材料によって形成され
る。なお、レチクルＲは、不図示のレチクル搬送系によ
りレチクル室２２内に搬入及び搬出され、適宜交換して
使用される。

【００３０】ここで、図３に、レチクルステージＲＳＴ
に載置されるレチクルＲの斜視図を示す。この図３に示
すように、レチクルＲには、パターン領域ＰＡを保護す
るためのレチクル保護装置５０が装着されている。この
レチクル保護装置５０は、パターン領域ＰＡを囲んで配
設されるペリクルフレームＰＦと、パターン領域ＰＡを
覆うようにペリクルフレームＰＦに張設される透明のペ
リクルＰＥとからなる。このペリクルフレームＰＦとペ
リクルＰＥとにより、レチクルＲのパターン領域ＰＡを
覆う閉空間としてのペリクル内空間５１が形成される。
ペリクルＰＥとしては、ニトロセルロース等の有機物を
主成分とする厚さが数百ｎｍ〜数μｍ程度の透明な薄い
膜状の部材のほか、数百μｍ程度の厚さを有する板状の
石英ガラス（フッ素ドープ石英等）などが用いられる。
また、ニトロセルロースや石英ガラスのほかに、蛍石
や、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム等の他の無機
材料からなる部材をペリクルＰＥに用いてもよい。ま
た、ペリクルフレームＰＦは、アルミニウム等の金属や
石英ガラスを矩形の枠状に形成したものであり、ペリク
ル内空間５１と外部空間との間を通気するために設けら
れる複数（ここでは２つ）の開口５３，５４を有してい
る。

【００３１】開口５３，５４は、本実施例では、ペリク
ルフレームＰＦの４つの側面のうちの、レチクルステー
ジＲＳＴ上に載置された際に上述したスキャン方向（Ｙ
方向）に配置される互いに対向する２つの側面にスリッ
ト状に形成されている。この場合、スリットの開口面積
は、ペリクルフレームＰＦの強度が大きく低下しない範
囲でできるだけ大きくするのが好ましい。なお、開口５
３，５４には所定の大きさの異物の通過を防止するため
のフィルタを配設するのが好ましい。

【００３２】図２に戻り、前記投影光学系ＰＬは、蛍
石、フッ化リチウム等のフッ化物結晶からなるレンズや
反射鏡などの複数の光学部材をハウジング（鏡筒）内に
収容し、かつ、その密閉度を高めたものである。本実施
例では、この投影光学系ＰＬとして、投影倍率が例えば
１／４あるいは１／５の縮小光学系が用いられている。
このため、照明系２１からの露光ビームＩＬによりレチ
クルＲが照明されると、レチクルＲに形成されたパター
ンが投影光学系ＰＬによりウエハＷ上の特定領域（ショ
ット領域）に縮小投影される。

【００３３】ウエハ室２３は、投影光学系ＰＬのハウジ
ングと隙間無く接合された隔壁４７によって形成されて
おり、その内部空間において、ウエハＷを真空吸着によ
って保持するウエハホルダ４８と、該ウエハホルダ４８
を支持するウエハステージＷＳＴとを備えている。本実
施例では、この隔壁４７によって形成されるウエハ室２
３は、レチクル室２２と同様に定義される気密構造で構
成される。

【００３４】ウエハステージＷＳＴは、例えば磁気浮上
型の２次元リニアアクチュエータ（平面モータ）等から
なる駆動系（不図示）により、ＸＹ平面（投影光学系Ｐ
Ｌの光軸に垂直な方向）に沿った水平方向に自在に駆動
されるように構成されている。また、ウエハステージＷ
ＳＴの位置は、レーザ光源やプリズム等の光学部材及び
ディテクタなどからなるレーザ干渉システムによって調
整される。このレーザ干渉システムを構成する部材は、
該部材から発生する異物によって露光に対して悪影響が
生じるのを防止するために、ウエハ室２３の外部に配置
されている。なお、各レーザ干渉計を構成する各部品か
ら吸光物質の発生が十分に抑制されている場合は、これ
ら各部品をウエハ室２３に配置してもよい。

【００３５】また、ウエハ室２３では、ウエハステージ
ＷＳＴのＸＹ面内の移動により、ウエハＷ上の任意のシ
ョット領域をレチクルＲのパターンの投影位置（露光位
置）に位置決めするようになっている。これにより、こ
の露光装置１０では、主制御装置２４により、ウエハＷ
上の各ショット領域を露光開始位置に順次位置決めする
ようにウエハステージＷＳＴを移動するショット間ステ
ッピング動作と、レチクルＲとウエハＷとをＸＹ平面に
沿った水平方向に同期移動させつつ、レチクルＲのパタ
ーンをウエハＷのショット領域に転写するスキャン露光
動作とが繰り返し行われるようになっている。

【００３６】主制御装置２４は、ＣＰＵ（中央処理装
置）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、ＲＡＭ（ラ
ンダム・アクセス・メモリ）等を含むマイクロコンピュ
ータ（又はミニコンピュータ）から構成される。また、
主制御装置２４は、前述したようにレチクルステージＲ
ＳＴやウエハステージＷＳＴをレーザ干渉計を介してモ
ニタしつつ、各ステージの位置制御を行なう。

【００３７】ところで、本実施例のように、真空紫外域
の波長の光を露光ビームとする場合には、係る波長帯域
の光に対し強い吸収特性を有する物質（以下、吸光物質
と称する）を光路から排除する必要がある。真空紫外域
のビームに対する吸光物質としては、酸素（Ｏ₂）、水
（水蒸気：Ｈ₂Ｏ）、炭酸ガス（二酸化炭素：Ｃ
Ｏ₂）、有機物、及びハロゲン化物等がある。一方、露
光ビームＩＬが透過する気体（エネルギ吸収がほとんど
無い物質）としては、窒素ガス（Ｎ₂）の他に、ヘリウ
ム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリ
プトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒｎ）よ
りなる希ガスがある。以降、この窒素ガス及び希ガスを
まとめて「透過ガス」と呼ぶことにする。

【００３８】本実施例の露光装置では、不図示のガス供
給装置により、光路上の空間、すなわち、照明系２１、
レチクル室２２、投影光学系ＰＬ、及びウエハ室２３に
おける各内部空間に、真空紫外域のビームに対してエネ
ルギー吸収の少ない上記透過ガスを供給して満たし、そ
の気圧を大気圧と同程度もしくはより高くしている。本
実施例では、大気圧に対し１〜１０％程度高く設定して
いる。なお、窒素ガスは波長が１５０ｎｍ程度以下の光
に対しては吸光物質として作用し、ヘリウムガスは波長
１００ｎｍ程度まで透過ガスとして使用することができ
る。また、ヘリウムガスは熱伝導率が窒素ガスの約６倍
であり、気圧変化に対する屈折率の変動量が窒素ガスの
約１／８であるため、特に高透過率と光学系の結像特性
の安定性や冷却性とで優れている。なお、ヘリウムガス
は高価であるため、露光ビームの波長がＦ₂レーザのよ
うに１５０ｎｍ以上であれば、運転コストを低減させる
ためにはその透過ガスとして窒素ガスを使用するように
してもよい。

【００３９】次に、上述のように構成される本実施形態
の露光装置１０の動作について、主制御装置２４の制御
動作を中心に説明する。前提として、露光ビームＩＬの
光路上の空間（照明系２１、レチクル室２２、投影光学
系ＰＬ、及びウエハ室２３における各内部空間）は、予
め、各空間がそれぞれ透過ガスで満たされるとともに、
所定の気圧に設定されており、これにより、各空間にお
ける吸光物質が低減され、外部からの異物の混入が抑制
された状態にあるものとする。

【００４０】まず、主制御装置２４は、不図示のレチク
ル搬送系により、レチクルＲをレチクル室２２内に搬入
し、そのレチクルＲをレチクルステージＲＳＴ上に載置
する。このとき、レチクル搬送系は、レチクル保護装置
５０に形成された複数の開口５３，５４が、レチクルス
テージＲＳＴのスキャン方向に配されるように、レチク
ルＲを載置する。なお、レチクルＲは、レチクル保護装
置５０を下に向けた状態に載置される。

【００４１】レチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲが
載置されると、主制御装置２４は、レチクル室２２内で
レチクルＲをスキャン移動させる。このスキャン動作
は、レチクル保護装置５０の内部空間（ペリクル内空間
５１）の気体を透過ガスに置換するためのものであり、
後述するスキャン露光に先立って行われる。すなわち、
本実施例において、ガス置換機構は、レチクルステージ
ＲＳＴ、レチクルステージＲＳＴを駆動するステージ駆
動系４１、ステージ駆動系４１を制御する主制御装置２
４を備える。

【００４２】主制御装置２４は、ステージ駆動系４１を
介してレチクルステージＲＳＴをＹ方向に駆動して、露
光ビームＩＬの光路に対してレチクルＲを相対移動（ス
キャン）させる。このとき、主制御装置２４は、レチク
ル室２２内でレチクルＲが予め定められた所定のストロ
ークを繰り返し往復動するように、ステージ駆動系４１
を介してレチクルステージＲＳＴを制御する。このと
き、このレチクルＲのスキャン移動により、レチクルＲ
に対して相対的なガスの流れが生じる。

【００４３】例えば、図１（ａ）に示すように、レチク
ルＲ（レチクルステージ）が＋Ｙ方向にスキャン移動す
る場合には、このレチクルＲの移動に伴って、そのとき
のスキャン移動方向（＋Ｙ方向）とは逆方向（−Ｙ方
向）に相対的なガスの流れが生じる。また、これとは逆
に、図１（ｂ）に示すように、レチクルＲが−Ｙ方向に
スキャン移動する場合には、このレチクルＲの移動に伴
って、そのときのスキャン移動方向（−Ｙ方向）とは逆
方向（＋Ｙ方向）に相対的なガスの流れが生じる。上述
したように、レチクルＲに装着されているレチクル保護
装置５０におけるペリクルフレームＰＦのスキャン方向
の両側面には、スリット状の開口５３，５４が形成され
ており、上述したレチクルＲの移動に伴う相対的なガス
の流れにより、レチクル室内の透過ガスがペリクル内空
間５１に流入するようになる。つまり、２つの開口５
３，５４のうちの一方の開口を介してレチクル室２２内
の透過ガスがペリクル内空間５１に流入するとともに、
上記開口と対向する他方の開口を介してペリクル内空間
５１の気体が流出する。そして、このガスの流出入が繰
り返されることにより、ペリクル内空間５１の気体が透
過ガスに置換されるようになる（スキャン置換）。な
お、このスキャン置換を実行する間、レチクル室２２に
対して透過ガスの供給及びレチクル室２２内の気体の排
気が継続して行われる。

【００４４】このとき、ペリクル内空間５１の気体が透
過ガスに置換されたか否かは、ペリクル内空間５１の吸
光物質の濃度に関する情報を検出した結果に基づいて判
断することが可能である。ペリクル内空間５１の吸光物
質の濃度を検出する方法としては、例えばレチクル室２
２からの排気管の途中にガス濃度計（例えば、酸素濃度
計、露点計等）を配置し、レチクル室２２から排気され
る気体中の吸光物質の濃度、又は透過ガスの濃度を検出
し、その結果をペリクル内空間５１の吸光物質の濃度に
対する指標として用いる方法や、あるいは、ペリクル内
空間５１のビームの透過率を検出し、その結果をペリク
ル内空間５１の吸光物質の濃度に対する指標として用い
る方法などがある。なお、ペリクル内空間５１の透過率
を検出するには、例えばウエハステージ側に光量モニタ
を配置し、その光量モニタによる光量の検出結果に基づ
いて、上記透過率を算出するとよい。なお、本実施例で
は、主制御装置２４は、上記スキャン置換動作の繰り返
し回数が、予め実験等により求められたペリクル内空間
５１内の吸光物質の濃度が十分に低減される目標回数に
達することにより、ペリクル内空間５１が透過ガスに置
換されたものと判断する。

【００４５】ペリクル内空間５１の気体が透過ガスに置
換されると、主制御装置２４は、次の露光動作（スキャ
ン露光）を開始する。本実施例の露光装置１０は、ステ
ップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置であるた
め、主制御装置２４は、レチクルステージＲＳＴを駆動
して露光ビームの光路に対してレチクルＲを相対移動
（走査）させるとともに、これと同期してウエハＷ側の
ウエハステージ２３を移動させ、ウエハＷ上に複数設定
されるショット領域の一つにレチクルＲのパターン像を
投影露光する。このとき、レチクルステージＲＳＴを走
査方向（Ｙ方向）に速度Ｖｓで走査させるのと同期し
て、ウエハステージＷＳＴを上記レチクルステージＲＳ
Ｔの走査方向と逆方向に速度Ｖｗ（＝β・Ｖｓ、βは縮
小倍率で例えば１／４又は１／５）で走査させる。つま
り、ウエハステージＷＳＴに対してレチクルステージＲ
ＳＴを数倍の速度で移動させることになる。このよう
に、同期移動するレチクルＲとウエハＷとに対して、光
源２０からの露光ビームＩＬを射出することにより、レ
チクルＲに形成された回路パターンの像が投影光学系Ｐ
Ｌを介してウエハＷのショット領域に転写される（スキ
ャン露光）。また、上述したスキャン露光動作と、ウエ
ハステージＷＳＴをステッピング移動させるステッピン
グ動作とを繰り返すことにより、ウエハＷ上の各ショッ
ト領域のそれぞれにレチクルＲのパターン像が順次転写
される。

【００４６】このスキャン露光時において、レチクルＲ
の移動方向は、前述したスキャン置換時と同じである。
したがって、このスキャン露光時においても、レチクル
Ｒのスキャン移動に伴って、レチクル室２２内の透過ガ
スが、ペリクルフレームＰＦの開口５３，５４を介し
て、ペリクル内空間５１に流入する。これにより、ペリ
クル内空間５１の吸光物質が低減されるとともに、スキ
ャン露光中、その吸光物質が低減された状態が維持され
る。

【００４７】主制御装置２４は、すべてのショット位置
に対する露光が終了すると、不図示のウエハ搬送系によ
り、ウエハ室２３内のウエハＷを次のウエハＷに交換す
る。本実施例では、このウエハＷ交換時においても、上
述したスキャン方向にレチクルＲを繰り返し往復動させ
て、ペリクル内空間５１に透過ガスを流入させる。以
後、露光装置１０では、上述したスキャン露光動作と、
ウエハＷ交換動作とを繰り返して行う。

【００４８】このように、本実施例では、レチクル室２
２内にレチクルＲを収容した後、このレチクル室２２内
でレチクルＲのスキャン移動を継続的に実施する。これ
により、レチクル室２２内に満たされている透過ガスが
常にペリクル内空間５１に流入してガス置換が行われ、
ペリクル内空間５１における吸光物質が低減された状態
が安定的に維持される。したがって、光源２０からの露
光ビームＩＬのエネルギーがペリクル内空間５１で大き
く吸収されることなく、十分な照度でウエハＷに到達す
るようになり、露光精度の向上が図られる。しかも、ペ
リクル内空間５１をガス置換するにあたっては、レチク
ル室２２内でレチクルＲをスキャン移動させるだけでよ
いので、複雑な機構を新たに付加することなく容易に実
施することが可能である。なお、ペリクル内空間５１
内、及びレチクル室２２内のガスの温度を高温（供給さ
れるガスの温度より高くする）にしておくことによっ
て、ガスの平均分子運動速度があがるので、ガス置換を
より高速に行うことができる。

【００４９】ところで、レチクル保護装置５０を構成す
るペリクルＰＥやペリクルフレームＰＦは、上述した吸
光物質を発生する可能性がある。つまり、ペリクルＰＥ
やペリクルフレームＰＦに元々付着していた水分子など
の吸光物質が時間の経過とともに徐々に離脱したり、露
光ビームＩＬのエネルギーにより誘発されてペリクルＰ
Ｅから吸光物質としての脱ガスが発生したりする。ペリ
クルＰＥやペリクルフレームＰＦから吸光物質が発生す
ると、ペリクル内空間５１にそれらが蓄積し、ペリクル
内空間５１における吸光物質濃度が徐々に高まる恐れが
ある。本実施例では、上述したように、レチクルＲのス
キャン移動を継続的に実施して、ペリクル内空間５１の
気体を常に透過ガスに置換しているので、上述した吸光
物質が発生しても、ガス置換に伴ってペリクル内空間５
１からその吸光物質が排除されるので、ペリクル内空間
５１における吸光物質濃度の上昇を抑制することができ
る。

【００５０】また、上述した実施例では、レチクル室２
２内でレチクルＲのスキャン移動を実施してペリクル内
空間５１の吸光物質の低減を図っているが、レチクル室
２２とは別の空間内で、ペリクル内空間５１の吸光物質
の低減を図ってもよい。例えば、図４に示すように、不
図示のレチクルライブラリからレチクル室２２までのレ
チクル搬送路に、第２ユニットとしての予備室６０を形
成し、この予備室内６０内でペリクル内空間５１の吸光
物質の低減を図ってもよい。この予備室６０は、ウエハ
室、レチクル室と同様に定義される気密室で構成され
る。この場合、レチクル室２２に搬入されるレチクルＲ
を、透過ガスに満たされた予備室６０内に一時的に収容
し、予備室６０内でレチクルＲをスキャン移動させて、
ペリクル内空間５１の気体を透過ガスに置換するとよ
い。これにより、レチクル室２２に搬入してからのガス
置換動作に要する時間を軽減することが可能となる。こ
の場合、レチクル室２２に収容されているレチクルＲと
は別の次に使用されるレチクルＲを予備室６０内でスキ
ャン移動させて、ペリクル内空間５１内の吸光物質の低
減を図っておくことにより、速やかにレチクルの交換動
作を行えるとともに、すぐに露光動作に移行することが
可能となる。また、予備室６０を備える場合、一旦レチ
クル室２２内に収容されたレチクルＲを予備室６０に一
旦搬出し、予備室内６０でペリクル内空間５１内の吸光
物質の低減を図った後、再びレチクル室２２に戻すとい
ったことを行ってもよい。なお、予備室内６０で行われ
るペリクル内空間５１内のガス置換は、特にスキャン移
動で行うことに限定されるものではなく、以下の方式で
行ってもよい。すなわち、レチクルＲを予備室６０内に
収容し、予備室６０内に透過ガスを供給する。そして、
ペリクルフレームＰＦに形成された開口５３，５４を介
して、予備室６０内に供給された透過ガスをペリクル内
空間５１に流通させればよい。このとき、ペリクル内空
間５１内の圧力が所定の圧力（例えば、ペリクルＰＥの
変化が所定範囲内におさまるような圧力）となるよう
に、予備室６０内のガスの供給及び排気を制御すればよ
い。

【００５１】また、上述した吸光物質などの汚染物質の
低減にあたっては、所定の波長のビームを用いた光洗浄
と呼ばれる洗浄方法が有効であることが知られている。
すなわち、Ｆ₂レーザ光など、波長約１２０ｎｍ〜約１
８０ｎｍの真空紫外域に属するビームをレチクルＲに照
射すると、レチクルＲの表面やレチクル保護装置５０に
付着した汚染物質（主として吸光物質）が酸化分解（光
洗浄）され、副次的に生成される水分子や二酸化炭素分
子等の物質（分解物質）がペリクル内空間５１内外の気
体中に放出されるようになる。また、ペリクルＰＥやペ
リクルフレームＰＦの部材表面に吸着している水分子等
は紫外域のビームを受けて励起されるなどにより、より
脱離しやすくなり、気中に放出されやすくなる。したが
って、例えば上述した予備室６０内に収容されているレ
チクルＲを光洗浄することにより、汚染の原因となりや
すい物質をレチクルＲやレチクル保護装置５０から予め
除去（洗浄）しておき、レチクル室２２内でのレチクル
Ｒ及びレチクル保護装置５０からの汚染物質の発生を抑
制することが可能となる。なお、上述した予備室６０で
光洗浄を実施する場合、光洗浄装置として、所定の波長
のビームを発する光源、光源からのビームを予備室内に
導く照明光学系、照射ビームの光量を計測する光量モニ
タなどの計測装置等を備えるとよい。さらに、予備室６
０に限らず、上記光洗浄を、レチクル室２２内で実施し
てもよい。すなわち、上述した露光動作中は光源２０か
らの露光ビームＩＬによって、レチクルＲが照射されて
おり、実質的に光洗浄されているのと同等の状態となる
が、これに加えてさらに例えばウエハＷの交換中など
に、露光ビームＩＬをレチクルＲに照射（空打ち）する
ようにしてもよい。

【００５２】また、先の図３に示したレチクルＲでは、
透過ガスをペリクル内空間５１に導入するために、ペリ
クルフレームＰＦにスリット状の開口５３，５４を形成
しているが、開口の形状や数、その配置位置はこれに限
定されない。例えば、図５（ａ）に示すように、ペリク
ルフレームＰＦの強度を補強する部材７０を開口に配設
したり、図５（ｂ）に示すように、上記開口としてペリ
クルフレームＰＦの側面に多数の孔７１を形成してもよ
い。また、本実施の形態では、ペリクルフレームのう
ち、スキャン方向のフレーム側面にスリット状の開口を
形成したが、さらに、ステップ方向のフレーム側面にス
リット状の開口を形成してもよい。すなわち、ペリクル
フレームの側面全てに開口を設けてもよい。

【００５３】さらに、開口には、ペリクル内空間への異
物の進入を防ぐためのフィルタを配設するのが好ましい
がこれに限定されない。すなわち、レチクルＲが収容さ
れる空間が十分に清浄な状態であるならば、開口にフィ
ルタを配設しなくてもよい。また、フィルタを配設する
場合、ガスが比較的通過しやすいフィルタを用いるのが
好ましい。さらに、レチクル室までのレチクルの搬送中
は開口にフィルタを配設しておき、レチクル室に収容す
る段階、もしくはレチクル室に収容した後に、開口のフ
ィルタを取り外すようにしてもよい。このフィルタの取
り外しを行う場合は、前述した予備室６０内又はレチク
ル室にフィルタ取り外し用のロボットを配置するとよ
い。そして、予備室６０内又はレチクル室にレチクルＲ
が搬送された際に、ロボットアームを駆動して、フィル
タをペリクルフレームＰＦから取り外せばよい。このよ
うに、フィルタを外すことによって、フィルタを通過す
る際の抵抗がなくなり、ガスの置換効率を向上させるこ
とができる。また、本実施の形態では、ペリクルフレー
ムＰＦに開口を設ける構成について説明したが、ペリク
ルフレームＰＦとレチクルＲとの間、又はペリクルフレ
ームＰＦとペリクルＰＥとの間に開口を設けてもよい。

【００５４】なお、上述した実施例において示した動作
手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一
例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において
プロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能であ
る。本発明は、以下のような変更をも含むものとする。

【００５５】例えば、上述した実施例では、透過ガスが
供給される空間内でレチクルをスキャン移動させて、ペ
リクル内空間に透過ガスを導入しているが、レチクルの
動かし方はこれに限定されない。例えば、レチクルを回
転移動させて、ペリクル内空間に透過ガスを導入しても
よい。

【００５６】また、透過ガスが供給される空間内に、ペ
リクル内空間への透過ガスの流入を促進させる機構を設
けてもよい。例えば、透過ガスの給排気口をペリクルフ
レームの開口に近づけて設けたり、ペリクルフレームの
開口に向けて透過ガスが集まるようにダクトを設けたり
してもよい。

【００５７】また、レチクル室の隔壁、ウエハ室の隔
壁、照明系のハウジング、投影光学系のハウジング（鏡
筒）、透過ガスの供給配管等は、研磨などの処理によっ
て、表面粗さが低減されたステンレス（ＳＵＳ）等の材
質を用いることにより、脱ガスの発生を抑制することが
可能となる。

【００５８】また、本発明が適用される露光装置は、露
光用照明ビームに対してマスク（レチクル）と基板（ウ
エハ）とをそれぞれ相対移動する走査露光方式（例え
ば、ステップ・アンド・スキャン方式など）に限られる
ものではなく、マスクと基板とをほぼ静止させた状態で
マスクのパターンを基板上に転写する静止露光方式、例
えばステップ・アンド・リピート方式などでもよい。さ
らに、基板上で周辺部が重なる複数のショット領域にそ
れぞれパターンを転写するステップ・アンド・スティッ
チ方式の露光装置などに対しても本発明を適用すること
ができる。また、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系、及
び拡大系のいずれでもよいし、屈折系、反射屈折系、及
び反射系のいずれでもよい。さらに、投影光学系を用い
ない、例えばプロキシミティ方式の露光装置などに対し
ても本発明を適用できる。

【００５９】また、本発明が適用される露光装置は、露
光用照明光としてｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ
光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ₂、レーザ光、及びＡ
ｒ₂、レーザ光などの紫外光だけでなく、例えばＥＵＶ
光、Ｘ線、あるいは電子線やイオンビームなどの荷電粒
子線などを用いてもよい。さらに、露光用光源は水銀ラ
ンプやエキシマレーザだけでなく、ＹＡＧレーザ又は半
導体レーザなどの高調波発生装置、ＳＯＲ、レーザプラ
ズマ光源、電子銃などでもよい。

【００６０】また、本発明が適用される露光装置は、半
導体デバイス製造用に限られるものではなく、液晶表示
素子、ディスプレイ装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子
（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、及びＤＮＡチップな
どのマイクロデバイス（電子デバイス）製造用、露光装
置で用いられるフォトマスクやレチクルの製造用などで
もよい。

【００６１】また、本発明は露光装置だけでなく、デバ
イス製造工程で使用される他の製造装置（検査装置など
を含む）に対しても適用することができる。

【００６２】また、上述したウエハステージやレチクル
ステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリン
グを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアク
タンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。
また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでも
いいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
さらに、ステージの駆動系として平面モ−タを用いる場
合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニットのいず
れか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユ
ニットの他方をステージの移動面側（定盤、ベース）に
設ければよい。

【００６３】また、ウエハステージの移動により発生す
る反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）
に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた
露光装置においても適用可能である。

【００６４】また、レチクルステージの移動により発生
する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載され
ているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大
地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備
えた露光装置においても適用可能である。

【００６５】また、本発明が適用される露光装置は、本
願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サ
ブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的
精度を保つように、組み立てることで製造される。これ
ら各種精度を確保するために、この組み立ての前後に
は、各種光学系については光学的精度を達成するための
調整、各種機械系については機械的精度を達成するため
の調整、各種電気系については電気的精度を達成するた
めの調整が行われる。各種サブシステムから露光装置へ
の組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接
続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含ま
れる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て
工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程がある
ことはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置へ
の組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光
装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装
置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリー
ンルームで行うことが望ましい。

【００６６】また、半導体デバイスは、デバイスの機能
・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマ
スク（レチクル）を製作する工程、シリコン材料からウ
エハを製造する工程、前述した露光装置によりレチクル
のパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイ
ス組み立て工程（ダイシング工程、ボンディング工程、
パッケージ工程を含む）、検査工程等を経て製造され
る。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
以下の効果を得ることができる。本発明に係る露光方法
及び露光装置によれば、マスクが収容されるユニット内
に露光光が透過する所定ガスを供給し、そのユニット内
でマスクを動かして、所定ガスをマスクの空間内に流入
させることにより、空間内の吸光物質を低減することが
できる。これにより、光源からのビームが十分な照度で
基板に到達するようになり、露光精度の向上を図ること
ができる。また、本発明に係るデバイスの製造方法によ
れば、露光精度の向上により、形成されるパターンの精
度が向上したデバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る露光方法の実施例を示す図であ
る。

【図２】本発明に係る露光装置の一実施形態を示す全
体構成図である。

【図３】保護装置が装着されたレチクルを示す斜視図
である。

【図４】予備室を備えた露光装置の構成例を示す図で
ある。

【図５】保護装置に設けられる開口の他の例を示す図
である。

【符号の説明】

ＲレチクルＷウエハＰＦペリクルフレームＰＥペリクル（保護部材）ＰＬ投影光学系ＲＳＴレチクルステージ１０露光装置２０光源２１照明系２２レチクル室２４主制御装置４１ステージ駆動系５０レチクル保護装置５１ペリクル内空間（保護部材内空間）５３，５４開口６０予備室

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク基板上のパターン形成領域を保護
する保護部材と該保護部材を支持するフレームとで形成
される空間を有するマスクを用いて、基板に前記マスク
のパターンを転写する露光方法において、前記マスクをユニット内に収容し、前記ユニット内に露光光が透過する所定ガスを供給し、前記ユニット内で前記マスクを所定方向に動かして、前
記ユニット内に供給される前記所定ガスを前記空間に流
入させることを特徴とする露光方法。
【請求項２】前記所定ガスを、前記フレーム、又は前
記フレームと前記マスクとの間、又は前記フレームと前
記保護部材との間に形成された開口を介して前記空間に
流入させることを特徴とする請求項１に記載の露光方
法。
【請求項３】前記フレームに形成された開口は、互い
に対向する複数の開口を含み、前記所定方向は、前記複数の開口が対向する方向である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光方
法。
【請求項４】前記ユニットは、露光光のもとで、前記
マスクを照明する照明系と、前記マスクに形成されたパ
ターンの像を前記基板に転写する投影光学系との間に配
置され、前記マスクのパターンを前記基板に転写する露光方法
は、前記マスクと前記基板とを同期移動させる走査露光
方式であり、前記所定方向は、前記マスクと前記基板とを同期移動さ
せる方向であることを特徴とする請求項１から請求項３
のうちのいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】前記マスクのパターンを前記基板に転写
する前に、前記ユニット内で前記マスクを前記所定方向
に動かして、前記空間内の気体を前記所定ガスに置換す
ることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいず
れか一項に記載の露光方法。
【請求項６】前記ユニットは、前記マスクのパターン
を前記基板に転写する際に、前記マスクが収容されるマ
スク室を形成し、前記マスクのパターンを前記基板に転写する際に、前記
マスク室内で前記マスクを前記所定方向に動かして、前
記所定ガスを前記空間内に流入させることを特徴とする
請求項１から請求項５のうちのいずれか一項に記載の露
光方法。
【請求項７】前記ユニットは、前記マスクのパターン
を前記基板に転写する際に、前記マスクが収容されるマ
スク室を形成し、前記基板を他の基板に交換する際に、前記マスク室内で
前記マスクを前記所定方向に動かして、前記所定ガスを
前記空間内に流入させることを特徴とする請求項１から
請求項６のうちのいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項８】前記ユニットは、前記マスクのパターン
を前記基板に転写する際に前記マスクが収容されるマス
ク室とは別に設けられ、前記マスクが一時的に収容され
る予備室であることを特徴とする請求項５から請求項７
のうちのいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】前記マスク室に収容されている前記マス
クとは別のマスクを前記予備室内で前記所定方向に動か
して、前記所定ガスを該マスクの空間内に流入させるこ
とを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】前記ユニット内の不純物の濃度に関す
る情報を検出し、該検出結果に基づいて、前記マスクを
前記所定方向に動かすことを特徴とする請求項１から請
求項９のうちのいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】マスク基板上のパターン形成領域を保
護する保護部材と該保護部材を支持するフレームとで形
成される空間を有するマスクを用いて、基板に前記マス
クのパターンを転写する露光装置において、前記マスクを収容するユニットと、前記ユニット内に露光光が透過する所定ガスを供給する
ガス供給装置と、前記ユニット内で前記マスクを所定方向に動かして、前
記ユニット内に供給される前記所定ガスを前記空間に流
入させるガス置換機構とを有することを特徴とする露光
装置。
【請求項１２】前記ガス置換機構は、前記マスクを保
持する保持部材と、前記保持部材を介して、前記マスク
を前記所定方向に移動させる移動機構とを有することを
特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】リソグラフィ工程を含むデバイスの製
造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項１から請求項１０の
うちのいずれか一項に記載の露光方法を用いてデバイス
を製造することを特徴とするデバイスの製造方法。