JP2002260224A - 光ディスク検査装置 - Google Patents
光ディスク検査装置Info
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- JP2002260224A JP2002260224A JP2001058553A JP2001058553A JP2002260224A JP 2002260224 A JP2002260224 A JP 2002260224A JP 2001058553 A JP2001058553 A JP 2001058553A JP 2001058553 A JP2001058553 A JP 2001058553A JP 2002260224 A JP2002260224 A JP 2002260224A
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- JP
- Japan
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- optical disk
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- determination
- dye
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクの記録特性が良好であるか否かを
容易に判定できるようにした光ディスク検査装置を提供
する。 【解決手段】 光ディスクの記録特性を検査する光ディ
スク検査装置であって、前記光ディスクよりの反射光を
読取って平均値を算出する平均値算出部と、光ディスク
の記録特性が不合格となる判定値を記録した判定値記録
部と、所定区間内の前記光ディスクよりの反射光を読取
り、予め決められた閾値外となる区間を積算し、積算さ
れた値が前記判定値記録部に記録されている判定値より
大か否かを判定する判定部と、前記判定部の判定結果を
出力する制御部と、を備える。
容易に判定できるようにした光ディスク検査装置を提供
する。 【解決手段】 光ディスクの記録特性を検査する光ディ
スク検査装置であって、前記光ディスクよりの反射光を
読取って平均値を算出する平均値算出部と、光ディスク
の記録特性が不合格となる判定値を記録した判定値記録
部と、所定区間内の前記光ディスクよりの反射光を読取
り、予め決められた閾値外となる区間を積算し、積算さ
れた値が前記判定値記録部に記録されている判定値より
大か否かを判定する判定部と、前記判定部の判定結果を
出力する制御部と、を備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクの記録特
性を検査する光ディスク検査装置に関する。
性を検査する光ディスク検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザー光の照射により記録・再生を行
う光ディスクとして、一度だけ記録可能(追記型)なC
D−RやDVD−R、書き換えが可能なCD−RW,D
VD−RW,DVD−RAM,MO,MDなどの様々な
媒体が実用化されており、リムーバブルな媒体として、
カセットテープやフロッピー(登録商標)ディスクなど
の磁気記録媒体に代わり、年々と需要が高まっている。
う光ディスクとして、一度だけ記録可能(追記型)なC
D−RやDVD−R、書き換えが可能なCD−RW,D
VD−RW,DVD−RAM,MO,MDなどの様々な
媒体が実用化されており、リムーバブルな媒体として、
カセットテープやフロッピー(登録商標)ディスクなど
の磁気記録媒体に代わり、年々と需要が高まっている。
【0003】これらの光ディスクにおいては、情報を記
録し、その情報を再生して使用するため、再生時のリー
ドエラーを低く抑えることは、品質保持のために重要な
要件となる。しかし、品質検査の方法として、実際に記
録媒体に情報を書き込み、リードエラーを測定する方法
では、記録媒体の状態は変わってしまい、特に追記型の
記録媒体においては、破壊検査となり、検査に使用した
媒体を再使用することは出来なくなる。
録し、その情報を再生して使用するため、再生時のリー
ドエラーを低く抑えることは、品質保持のために重要な
要件となる。しかし、品質検査の方法として、実際に記
録媒体に情報を書き込み、リードエラーを測定する方法
では、記録媒体の状態は変わってしまい、特に追記型の
記録媒体においては、破壊検査となり、検査に使用した
媒体を再使用することは出来なくなる。
【0004】したがって、従来はラインセンサカメラ等
によって欠陥の大きさや数量を計測する方法や、レーザ
ビームを用いて微細な欠陥の大きさや数量を計測する方
法が用いられていた。
によって欠陥の大きさや数量を計測する方法や、レーザ
ビームを用いて微細な欠陥の大きさや数量を計測する方
法が用いられていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法に
おいては欠陥の大きさを精度良く測定することが困難で
あり、また検査に長時間要していた。本発明は記録特性
が良好であるか否かを容易に判定できるようにした光デ
ィスク検査装置を提供することを課題とする。
おいては欠陥の大きさを精度良く測定することが困難で
あり、また検査に長時間要していた。本発明は記録特性
が良好であるか否かを容易に判定できるようにした光デ
ィスク検査装置を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明において
は、光ディスクの記録特性を検査する光ディスク検査装
置であって、前記光ディスクよりの反射光を読取って平
均値を算出する平均値算出部と、光ディスクの記録特性
が不合格となる判定値を記録した判定値記録部と、所定
区間内の前記光ディスクよりの反射光を読取り、予め決
められた閾値外となる区間を積算し、積算された値が前
記判定値記録部に記録されている判定値より大か否かを
判定する判定部と、前記判定部の判定結果を出力する制
御部と、を備える。
は、光ディスクの記録特性を検査する光ディスク検査装
置であって、前記光ディスクよりの反射光を読取って平
均値を算出する平均値算出部と、光ディスクの記録特性
が不合格となる判定値を記録した判定値記録部と、所定
区間内の前記光ディスクよりの反射光を読取り、予め決
められた閾値外となる区間を積算し、積算された値が前
記判定値記録部に記録されている判定値より大か否かを
判定する判定部と、前記判定部の判定結果を出力する制
御部と、を備える。
【0007】請求項2の発明においては、前記判定部
が、前記所定区間に代えて所定時間とし、前記閾値外と
なる時間を積算するようにする。請求項3の発明におい
ては、前記判定部が判定を行う前記所定区間を1.5〜
32μmまたは該区間を通過する時間とする。
が、前記所定区間に代えて所定時間とし、前記閾値外と
なる時間を積算するようにする。請求項3の発明におい
ては、前記判定部が判定を行う前記所定区間を1.5〜
32μmまたは該区間を通過する時間とする。
【0008】請求項4の発明においては、前記閾値を、
線速度が7m/sのとき、反射光の平均値の±12%〜
±23%とする。請求項5の発明においては、前記閾値
を、線速度が14m/sのとき、反射光の平均値の±1
7%〜±26%とする。
線速度が7m/sのとき、反射光の平均値の±12%〜
±23%とする。請求項5の発明においては、前記閾値
を、線速度が14m/sのとき、反射光の平均値の±1
7%〜±26%とする。
【0009】請求項6の発明においては、前記制御部
が、前記判定部で判定値より大と判定されたときは検査
不合格を出力すると共に前記判定部の動作を停止し、判
定値より小と判定された場合は光ディスクの全面の検査
が終了するまで前記判定部の動作を繰返す。
が、前記判定部で判定値より大と判定されたときは検査
不合格を出力すると共に前記判定部の動作を停止し、判
定値より小と判定された場合は光ディスクの全面の検査
が終了するまで前記判定部の動作を繰返す。
【0010】請求項7の発明においては、検査する前記
光ディスクが、記録層材料として、構成元素にSb,T
eを含み、その組成比Sbx Te100-x (xは原子%)
が40≦x≦80であり、さらに添加元素として、G
a,Ge,Ag,In,Bi,C,N,O,Si,Sの
うち、少なくとも一種類の元素を含む相変化型記録層を
有する光ディスクとする。
光ディスクが、記録層材料として、構成元素にSb,T
eを含み、その組成比Sbx Te100-x (xは原子%)
が40≦x≦80であり、さらに添加元素として、G
a,Ge,Ag,In,Bi,C,N,O,Si,Sの
うち、少なくとも一種類の元素を含む相変化型記録層を
有する光ディスクとする。
【0011】請求項8の発明においては、検査する前記
光ディスクが、記録層材料として、シアニン系色素、フ
タロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ナフト
キノン系・アントラキノン系色素、トリアリルメタン系
色素、スクワリリウム系色素、ピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、アゾ系色素のうち、少なくとも一種類
の化合物を含む有機色素系追記型記録層を有する光ディ
スクとする。
光ディスクが、記録層材料として、シアニン系色素、フ
タロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ナフト
キノン系・アントラキノン系色素、トリアリルメタン系
色素、スクワリリウム系色素、ピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、アゾ系色素のうち、少なくとも一種類
の化合物を含む有機色素系追記型記録層を有する光ディ
スクとする。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1〜図3
を参照して説明する。図1は本発明の実施例の構成図、
図2および図3は同実施例の動作フローチャートであ
る。図1は本発明に係る要部を示したもので、1は検査
を行う光ディスク、2は光ディスク1を回転するモー
タ、3は光ディスク1にレーザ光を照射させその反射光
を受光するピックアップである。
を参照して説明する。図1は本発明の実施例の構成図、
図2および図3は同実施例の動作フローチャートであ
る。図1は本発明に係る要部を示したもので、1は検査
を行う光ディスク、2は光ディスク1を回転するモー
タ、3は光ディスク1にレーザ光を照射させその反射光
を受光するピックアップである。
【0013】また4は判定値記録部、5は平均値算出
部、6は入力部、7は判定部、8は表示部、9は制御
部、10はインタフェース(I/O)、11は処理を行
うプロセッサ(CPU)である。
部、6は入力部、7は判定部、8は表示部、9は制御
部、10はインタフェース(I/O)、11は処理を行
うプロセッサ(CPU)である。
【0014】本発明の実施例の動作を説明する前に先ず
原理を説明する。光ディスクに情報記録した場合、光デ
ィスクに欠陥があれば記録した情報を読出したときに誤
りとなる。
原理を説明する。光ディスクに情報記録した場合、光デ
ィスクに欠陥があれば記録した情報を読出したときに誤
りとなる。
【0015】光ディスクより読出した情報に1000個
の誤りが発生したとしても、1000個の誤りが光ディ
スクの全体に分散している場合は誤り訂正を行うことに
よって誤りを訂正することができ、一般に光ディスク等
の情報の記録には誤り訂正を行わせている。
の誤りが発生したとしても、1000個の誤りが光ディ
スクの全体に分散している場合は誤り訂正を行うことに
よって誤りを訂正することができ、一般に光ディスク等
の情報の記録には誤り訂正を行わせている。
【0016】しかし誤りが集中している場合は誤りを訂
正することができない。そこで光ディスクの記録特性を
所定の区間に分割し、分割した区間に発生する誤りの割
合で評価し、誤率が規格値以下であれば光ディスクは良
好であると判定される。
正することができない。そこで光ディスクの記録特性を
所定の区間に分割し、分割した区間に発生する誤りの割
合で評価し、誤率が規格値以下であれば光ディスクは良
好であると判定される。
【0017】検査する光ディスクに情報を記録せず誤率
が規格値以下であるか否かを推定する方法として、本発
明においては光ディスクに照射した光の反射光より推定
する。
が規格値以下であるか否かを推定する方法として、本発
明においては光ディスクに照射した光の反射光より推定
する。
【0018】すなわち、図4に示されるように、反射光
レベルの所定時間(または区間であってもよい)T0 の
中で反射光の平均値Vに対してV−Δ〜V+V(Δは閾
値)外となる時間(T1 +T2 +T3 +T4 )を積算
し、積算された値が所定値以上の場合は規格値を満足し
ないと判定する。
レベルの所定時間(または区間であってもよい)T0 の
中で反射光の平均値Vに対してV−Δ〜V+V(Δは閾
値)外となる時間(T1 +T2 +T3 +T4 )を積算
し、積算された値が所定値以上の場合は規格値を満足し
ないと判定する。
【0019】実験によれば、光ディスクがピックアップ
上をT0 時間に移動する長さを1.5〜3μmとし、Δ
を線速度が7m/sのとき平均値Vの12%〜23%、
線速度が14m/sのときΔを平均値の17%〜26%
とすると、図5に示されるように、読出誤率と欠陥率と
の関係がほぼ直線的な関係となることが得られた。
上をT0 時間に移動する長さを1.5〜3μmとし、Δ
を線速度が7m/sのとき平均値Vの12%〜23%、
線速度が14m/sのときΔを平均値の17%〜26%
とすると、図5に示されるように、読出誤率と欠陥率と
の関係がほぼ直線的な関係となることが得られた。
【0020】また読出誤率と欠陥率の相関係数R2 と閾
値Δ(%)の関係は図6で示される結果が得られ、線速
度7m/sのときは閾値Δは12%〜23%の範囲で相
関が0.8以上であり、また線速度14m/sのときは
閾値Δが17%〜26%の範囲内で相関が0.8以上で
ある。
値Δ(%)の関係は図6で示される結果が得られ、線速
度7m/sのときは閾値Δは12%〜23%の範囲で相
関が0.8以上であり、また線速度14m/sのときは
閾値Δが17%〜26%の範囲内で相関が0.8以上で
ある。
【0021】本発明においては、このようにして得られ
た実験結果より、図5の規格とする読出誤率に対応する
欠陥率に対応する時間を予め判定値記録部4に記録す
る。つぎに、図2および図3を参照して、実施例の動作
を説明する。
た実験結果より、図5の規格とする読出誤率に対応する
欠陥率に対応する時間を予め判定値記録部4に記録す
る。つぎに、図2および図3を参照して、実施例の動作
を説明する。
【0022】ステップS1では、制御部9は、モータ2
を指定速度で回転させ、ステップS2に移って平均値算
出部5はピックアップ3を光ディスク1の所定位置に位
置付させる。
を指定速度で回転させ、ステップS2に移って平均値算
出部5はピックアップ3を光ディスク1の所定位置に位
置付させる。
【0023】ステップS3では、平均値算出部5は、光
ディスク1のトラックに対してピックアップ3をトラッ
キングさせながらピックアップ3よりレーザ光を光ディ
スク1に照射させ、その反射光を受光し、ステップS4
に移って受光値を記録する。
ディスク1のトラックに対してピックアップ3をトラッ
キングさせながらピックアップ3よりレーザ光を光ディ
スク1に照射させ、その反射光を受光し、ステップS4
に移って受光値を記録する。
【0024】ステップS5では、平均値算出部5は、最
初の受光より所定時間経過したか否かを判定し、所定時
間経過するまでステップS3〜S5が繰返される。ステ
ップS6では、平均値算出部5は、ステップS4で記録
した受光値の平均値Vを算出して記録する。
初の受光より所定時間経過したか否かを判定し、所定時
間経過するまでステップS3〜S5が繰返される。ステ
ップS6では、平均値算出部5は、ステップS4で記録
した受光値の平均値Vを算出して記録する。
【0025】なお平均値算出部5は所定時間の平均値を
求めるようにしていたが、光ディスク1の最内周から最
外周までピックアップ3を移動させて平均値を求めるよ
うにしてもよい。しかし、この方法は長時間を要する。
求めるようにしていたが、光ディスク1の最内周から最
外周までピックアップ3を移動させて平均値を求めるよ
うにしてもよい。しかし、この方法は長時間を要する。
【0026】ステップS7では、制御部9は、ピックア
ップ3を光ディスク1の最内周に位置付させる。ステッ
プS8では、判定部5は、図示しないタイマTをスター
トさせ、ステップS9に移って図示しない積分タイマT
Tをリセットさせる。
ップ3を光ディスク1の最内周に位置付させる。ステッ
プS8では、判定部5は、図示しないタイマTをスター
トさせ、ステップS9に移って図示しない積分タイマT
Tをリセットさせる。
【0027】ステップS10では、判定部7は、ピック
アップ3よりの反射光を受光し、ステップS11に移っ
て受光した値がV−Δ〜V+Δの範囲内であるか否かを
判定する。なおVはステップS6で算出された平均値、
Δは前述した閾値で線速度に対応して予め判定値記録部
4にVに対する割合が決められている。
アップ3よりの反射光を受光し、ステップS11に移っ
て受光した値がV−Δ〜V+Δの範囲内であるか否かを
判定する。なおVはステップS6で算出された平均値、
Δは前述した閾値で線速度に対応して予め判定値記録部
4にVに対する割合が決められている。
【0028】ステップS11での判定がNO、すなわ
ち、V−Δ〜V+Δの範囲外であると判定された場合は
ステップS12に移って積分タイマTTをスタートさせ
て計時し、ステップS12の判定がYESの場合はステ
ップS13に移って積分タイマTTの計時を停止する。
ち、V−Δ〜V+Δの範囲外であると判定された場合は
ステップS12に移って積分タイマTTをスタートさせ
て計時し、ステップS12の判定がYESの場合はステ
ップS13に移って積分タイマTTの計時を停止する。
【0029】ステップS14では、判定部7は、タイマ
Tの計時時間がT0 になったか否かを判定し、判定がN
Oの場合はステップS10に移ってステップS10〜S
14を繰返す。
Tの計時時間がT0 になったか否かを判定し、判定がN
Oの場合はステップS10に移ってステップS10〜S
14を繰返す。
【0030】またステップS14の判定がYESの場合
はステップS15に移り、判定部7は、積分タイマTT
の積分時間が判定値記録部4に記録されているTT0 よ
り大であるか否かを判定し、判定がYES、すなわち大
と判定された場合はステップS16に移って、制御部9
は、表示部8に検査不合格を表示して検査を終了する。
はステップS15に移り、判定部7は、積分タイマTT
の積分時間が判定値記録部4に記録されているTT0 よ
り大であるか否かを判定し、判定がYES、すなわち大
と判定された場合はステップS16に移って、制御部9
は、表示部8に検査不合格を表示して検査を終了する。
【0031】またステップS15の判定がNOの場合は
ステップS17に移り、ピックアップ3が光ディスク1
の最外周まで達したか否かを判定し、達していないとき
はステップS8に移ってステップS8〜S17が繰返さ
れ、次の区間の検査が続行される。
ステップS17に移り、ピックアップ3が光ディスク1
の最外周まで達したか否かを判定し、達していないとき
はステップS8に移ってステップS8〜S17が繰返さ
れ、次の区間の検査が続行される。
【0032】またステップS17の判定がYESの場合
はステップS18に移り、表示部8に検査合格が表示さ
れて検査が終了する。なお実施例では欠陥部分を時間で
積算するようにしていたが、欠陥部分の長さを積算する
ようにしてもよい。
はステップS18に移り、表示部8に検査合格が表示さ
れて検査が終了する。なお実施例では欠陥部分を時間で
積算するようにしていたが、欠陥部分の長さを積算する
ようにしてもよい。
【0033】図7は本発明に好適な光ディスクの一形態
を示す。基本的な構成は、案内溝を有する透明基板21
に記録層23、反射放熱層25、オーバーコート層26
を有する。記録層の下層および/または上層には保護層
22,24を有しても良い。さらに、オーバーコート層
上には印刷層28、基板の鏡面側にはハードコート層2
7を有しても良い。
を示す。基本的な構成は、案内溝を有する透明基板21
に記録層23、反射放熱層25、オーバーコート層26
を有する。記録層の下層および/または上層には保護層
22,24を有しても良い。さらに、オーバーコート層
上には印刷層28、基板の鏡面側にはハードコート層2
7を有しても良い。
【0034】上記の単板ディスクを、接着層29を介し
て貼り合わせ構造としても良い。貼り合わせる反対面の
ディスクは、同様の単板ディスクでも、透明基板のみで
も良い。また、単板ディスクに印刷層を形成せずに貼り
合わせ、貼り合わせ後に反対面側に印刷層28′を形成
しても良い。
て貼り合わせ構造としても良い。貼り合わせる反対面の
ディスクは、同様の単板ディスクでも、透明基板のみで
も良い。また、単板ディスクに印刷層を形成せずに貼り
合わせ、貼り合わせ後に反対面側に印刷層28′を形成
しても良い。
【0035】基板の材料は、通常ガラス、セラミック
ス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの
点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボ
ネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
ス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの
点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボ
ネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
【0036】記録層には、追記型光情報記録媒体と書き
換え型光情報記録媒体とでは、異なる材料が利用され
る。追記型光情報記録媒体の場合においては、記録層材
料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナ
フタロシアニン系色素、ナフトキノン系・アントラキノ
ン系色素、トリアリルメタン系色素、スクワリリウム系
色素、ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、アゾ系
色素のうち、少なくとも一種類の化合物を含む有機色素
材料が、良好な記録特性を得るためには適している。有
機色素系材料による記録層については、アルコール系溶
媒、エーテル系溶媒、セルソルブ系溶媒、炭化水素系溶
媒などの単一または混合溶媒に溶解させ、その溶液をス
ピンコートして形成することができる。膜厚は、10〜
500nmが好ましく、さらに好適には、50〜300
nmが望ましい。10nmより薄くすると光吸収能が著
しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。5
00nmよりも厚くすると、記録層での光吸収量が多
く、十分な反射率が確保できなくなる。
換え型光情報記録媒体とでは、異なる材料が利用され
る。追記型光情報記録媒体の場合においては、記録層材
料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナ
フタロシアニン系色素、ナフトキノン系・アントラキノ
ン系色素、トリアリルメタン系色素、スクワリリウム系
色素、ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、アゾ系
色素のうち、少なくとも一種類の化合物を含む有機色素
材料が、良好な記録特性を得るためには適している。有
機色素系材料による記録層については、アルコール系溶
媒、エーテル系溶媒、セルソルブ系溶媒、炭化水素系溶
媒などの単一または混合溶媒に溶解させ、その溶液をス
ピンコートして形成することができる。膜厚は、10〜
500nmが好ましく、さらに好適には、50〜300
nmが望ましい。10nmより薄くすると光吸収能が著
しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。5
00nmよりも厚くすると、記録層での光吸収量が多
く、十分な反射率が確保できなくなる。
【0037】書き換え型光情報記録媒体の記録層として
は、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転移を
利用する相変化型記録材料と、垂直磁化膜のカー効果を
利用する光磁気型記録材料が利用されるが、特に相変化
型光情報記録媒体の方が、光磁気型光情報記録媒体では
困難である単一ビームによるオーバーライトが容易であ
り、記録・再生装置側の光学系もより単純であることな
どから、書き換え型のCDやDVDに採用されている。
相変化型光情報記録媒体の記録材料としては、結晶−ア
モルファス相間の相変化を起こし、それぞれが安定化ま
たは準安定化状態をとることができるSb,Teを含
み、その組成比Sbx Te100-x (xは原子%)が40
≦x≦80である相変化型記録材料が、記録(アモルフ
ァス化)感度・速度、消去(結晶化)感度・速度、およ
び消去比が良好なため適している。このSbTe材料
に、Ga,Ge,Ag,In,Bi,C,N,O,S
i,Sなどの元素を添加することで、記録・消去感度や
信号特性、信頼性などを改善することができるため、添
加した元素やその組成比によって光情報記録媒体の特性
を制御することができる。諸元素の添加比率は、0.1
〜20at%、好適には0.1〜15at%とするのが
良い。
は、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の転移を
利用する相変化型記録材料と、垂直磁化膜のカー効果を
利用する光磁気型記録材料が利用されるが、特に相変化
型光情報記録媒体の方が、光磁気型光情報記録媒体では
困難である単一ビームによるオーバーライトが容易であ
り、記録・再生装置側の光学系もより単純であることな
どから、書き換え型のCDやDVDに採用されている。
相変化型光情報記録媒体の記録材料としては、結晶−ア
モルファス相間の相変化を起こし、それぞれが安定化ま
たは準安定化状態をとることができるSb,Teを含
み、その組成比Sbx Te100-x (xは原子%)が40
≦x≦80である相変化型記録材料が、記録(アモルフ
ァス化)感度・速度、消去(結晶化)感度・速度、およ
び消去比が良好なため適している。このSbTe材料
に、Ga,Ge,Ag,In,Bi,C,N,O,S
i,Sなどの元素を添加することで、記録・消去感度や
信号特性、信頼性などを改善することができるため、添
加した元素やその組成比によって光情報記録媒体の特性
を制御することができる。諸元素の添加比率は、0.1
〜20at%、好適には0.1〜15at%とするのが
良い。
【0038】相変化型記録相の膜厚としては10〜50
nm、好適には12〜30nmとするのが良い。さらに
ジッター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率
を考慮すると、好適には14〜25nmとするのが良
い。10nmより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録
層としての役割を果たさなくなる。また、50nmより
厚いと高速で均一な相変化がおこりにくくなる。このよ
うな相変化型記録相は、各種気相成長法、たとえば真空
蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CV
D法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法など
によって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、
量産性、膜質等に優れている。
nm、好適には12〜30nmとするのが良い。さらに
ジッター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率
を考慮すると、好適には14〜25nmとするのが良
い。10nmより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録
層としての役割を果たさなくなる。また、50nmより
厚いと高速で均一な相変化がおこりにくくなる。このよ
うな相変化型記録相は、各種気相成長法、たとえば真空
蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CV
D法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法など
によって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、
量産性、膜質等に優れている。
【0039】上記の相変化型記録層の下層および上層に
は、保護層が形成される。保護層の材料としては、Si
O,SiO2 ,ZnO,SnO2 ,Al2 O3 ,TiO
2 ,In2 O3 ,MgO,ZrO2 などの金属酸化物、
Si3 N4 ,AlN,TiN,BN,ZrNなどの窒化
物、ZnS,In2 S3 ,TaS4 などの硫化物、Si
C,TaC,BC,WC,TiC,ZrCなどの炭化物
やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が
あげられる。これらの材料は、単体で保護層とすること
もできるが、互いの混合物としても良い。必要に応じて
不純物を含んでも良い。また、単層でなく、二層以上を
積層した構造としても良い。ただし、保護層の融点は、
相変化型記録層よりも高いことが必要である。このよう
な保護層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。
は、保護層が形成される。保護層の材料としては、Si
O,SiO2 ,ZnO,SnO2 ,Al2 O3 ,TiO
2 ,In2 O3 ,MgO,ZrO2 などの金属酸化物、
Si3 N4 ,AlN,TiN,BN,ZrNなどの窒化
物、ZnS,In2 S3 ,TaS4 などの硫化物、Si
C,TaC,BC,WC,TiC,ZrCなどの炭化物
やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が
あげられる。これらの材料は、単体で保護層とすること
もできるが、互いの混合物としても良い。必要に応じて
不純物を含んでも良い。また、単層でなく、二層以上を
積層した構造としても良い。ただし、保護層の融点は、
相変化型記録層よりも高いことが必要である。このよう
な保護層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。
【0040】下部保護層の膜厚は、反射率、変調度や記
録感度に大きく影響する。良好な信号特性を得るために
は、60〜120nmとすることが要求される。上部保
護層の膜厚としては、5〜45nm、好適には7〜40
nmとするのが良い。5nmより薄くなると耐熱性保護
層としての機能を果たさなくなる。また、記録感度の低
下を生じる。一方、45nmより厚くなると、界面剥離
を生じやすくなり、繰り返し記録性能も低下する。
録感度に大きく影響する。良好な信号特性を得るために
は、60〜120nmとすることが要求される。上部保
護層の膜厚としては、5〜45nm、好適には7〜40
nmとするのが良い。5nmより薄くなると耐熱性保護
層としての機能を果たさなくなる。また、記録感度の低
下を生じる。一方、45nmより厚くなると、界面剥離
を生じやすくなり、繰り返し記録性能も低下する。
【0041】反射放熱層としては、Al,Au,Ag,
Cu,Ta,Ti,Wなどの金属材料、またはこれらの
元素を含む合金などを用いることができる。また、耐腐
食性の向上、熱伝導率の改善などのために、上記材料に
対してCr,Ti,Si,Cu,Ag,Pd,Taなど
の元素を添加しても良い。添加比率は、0.3〜2at
%とするのが適している。0.3at%より少ないと、
耐腐食性の効果に劣る。2at%より多くなると、熱伝
導率が上がりすぎ、アモルファス状態を形成し難くな
る。このような反射放熱層は、各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、
光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。合金または金属層の膜厚と
しては、50〜200nm、好適には70〜160nm
とするのが良い。また、合金または金属層を多層化する
ことも可能である。多層化した場合では、各層の膜厚は
少なくとも10nm以上必要で、多層化膜の合計膜厚は
50〜160nmとするのが良い。
Cu,Ta,Ti,Wなどの金属材料、またはこれらの
元素を含む合金などを用いることができる。また、耐腐
食性の向上、熱伝導率の改善などのために、上記材料に
対してCr,Ti,Si,Cu,Ag,Pd,Taなど
の元素を添加しても良い。添加比率は、0.3〜2at
%とするのが適している。0.3at%より少ないと、
耐腐食性の効果に劣る。2at%より多くなると、熱伝
導率が上がりすぎ、アモルファス状態を形成し難くな
る。このような反射放熱層は、各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、
光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。合金または金属層の膜厚と
しては、50〜200nm、好適には70〜160nm
とするのが良い。また、合金または金属層を多層化する
ことも可能である。多層化した場合では、各層の膜厚は
少なくとも10nm以上必要で、多層化膜の合計膜厚は
50〜160nmとするのが良い。
【0042】反射放熱層の上には、その酸化防止のため
にオーバーコート層が形成される。オーバーコート層と
しては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一
般的である。その厚さは、3〜15μmが適当である。
3μmより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を
設ける場合、エラーの増大が認められることがある。一
方、15μmより厚くすると、内部応力が大きくなって
しまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
にオーバーコート層が形成される。オーバーコート層と
しては、スピンコートで作製した紫外線硬化型樹脂が一
般的である。その厚さは、3〜15μmが適当である。
3μmより薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を
設ける場合、エラーの増大が認められることがある。一
方、15μmより厚くすると、内部応力が大きくなって
しまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
【0043】ハードコート層としては、スピンコートで
作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さ
は、2〜6μmが適当である。2μmより薄くすると、
十分な耐擦傷性が得られない。6μmより厚くすると、
内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に
大きく影響してしまう。その硬度は、布でこすっても大
きな傷がつかない鉛筆硬度であるH以上とする必要があ
る。必要に応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止
を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。
作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。その厚さ
は、2〜6μmが適当である。2μmより薄くすると、
十分な耐擦傷性が得られない。6μmより厚くすると、
内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に
大きく影響してしまう。その硬度は、布でこすっても大
きな傷がつかない鉛筆硬度であるH以上とする必要があ
る。必要に応じて、導電性の材料を混入させ、帯電防止
を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。
【0044】印刷層は、耐擦傷性の確保、ブランド名な
どのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するイ
ンク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型
樹脂をスクリーン印刷法にて形成するのが一般的であ
る。その厚さは、3〜50μmが適当である。3μmよ
り薄くすると、層形成時にムラが生じてしまう。50μ
mより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、デ
ィスクの機械特性に大きく影響してしまう。
どのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するイ
ンク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型
樹脂をスクリーン印刷法にて形成するのが一般的であ
る。その厚さは、3〜50μmが適当である。3μmよ
り薄くすると、層形成時にムラが生じてしまう。50μ
mより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、デ
ィスクの機械特性に大きく影響してしまう。
【0045】接着層としては、紫外線硬化型樹脂、ホッ
トメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いる
ことができる。このような接着層の材料は、オーバーコ
ート層または印刷層上に、材料に応じて、スピンコー
ト、ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により
塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行って反対
面のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同
様の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面デ
ィスクの貼り合わせ面については、接着層の材料を塗布
してもしなくても良い。また、接着層としては、粘着シ
ートを用いることもできる。接着層の膜厚は特に制限さ
れるものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスク
の機械特性の影響を考慮すると5〜100μmが好適で
ある。接着面の範囲は特に制限されるものではないが、
DVDおよび/またはCD互換が可能な光情報記録媒体
に応用する場合、接着強度を確保するためには内周端の
位置がΦ15〜40mm、好適にはΦ15〜30mmで
あることが望ましい。
トメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いる
ことができる。このような接着層の材料は、オーバーコ
ート層または印刷層上に、材料に応じて、スピンコー
ト、ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により
塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行って反対
面のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同
様の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面デ
ィスクの貼り合わせ面については、接着層の材料を塗布
してもしなくても良い。また、接着層としては、粘着シ
ートを用いることもできる。接着層の膜厚は特に制限さ
れるものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスク
の機械特性の影響を考慮すると5〜100μmが好適で
ある。接着面の範囲は特に制限されるものではないが、
DVDおよび/またはCD互換が可能な光情報記録媒体
に応用する場合、接着強度を確保するためには内周端の
位置がΦ15〜40mm、好適にはΦ15〜30mmで
あることが望ましい。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、所定区間内の光デ
ィスクよりの反射光を読取り、予め決められた閾値外と
なる区間を積算し、積算された値が判定値より大のとき
は規格外と判定するようにしたので、記録特性が良好で
あるか否かを容易に判定することができる。
ィスクよりの反射光を読取り、予め決められた閾値外と
なる区間を積算し、積算された値が判定値より大のとき
は規格外と判定するようにしたので、記録特性が良好で
あるか否かを容易に判定することができる。
【図1】本発明の実施例の構成図である。
【図2】同実施例の動作フローチャートである。
【図3】同実施例の動作フローチャートである。
【図4】平均値、閾値、所定区間および積算される区間
を説明する図である。
を説明する図である。
【図5】読出誤率と欠陥率の関係を示す図である。
【図6】閾値に対する読出誤率と欠陥率との相関係数の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図7】光ディスクの一形態を示す図である。
1 光ディスク 2 モータ 3 ピックアップ 4 判定値記録部 5 平均値算出部 6 入力部 7 判定部 8 表示部 9 制御部 10 インタフェース(I/O) 11 プロセッサ(CPU)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B41M 5/26 Y Fターム(参考) 2H111 EA03 EA04 EA22 EA23 FB05 FB09 FB10 FB12 FB18 FB21 FB29 FB30 FB42 FB45 FB46 FB48 5D029 JA01 JA04 5D090 AA01 BB03 BB05 CC14 CC16 CC18 DD01 FF37 HH01 JJ11 LL08 LL09 5D121 AA01 HH01 HH11 HH18
Claims (8)
- 【請求項1】 光ディスクの記録特性を検査する光ディ
スク検査装置であって、 前記光ディスクよりの反射光を読取って平均値を算出す
る平均値算出部と、 光ディスクの記録特性が不合格となる判定値を記録した
判定値記録部と、 所定区間内の前記光ディスクよりの反射光を読取り、予
め決められた閾値外となる区間を積算し、積算された値
が前記判定値記録部に記録されている判定値より大か否
かを判定する判定部と、 前記判定部の判定結果を出力する制御部と、 を備えたことを特徴とする光ディスク検査装置。 - 【請求項2】 前記判定部が、前記所定区間に代えて所
定時間とし、前記閾値外となる時間を積算するようにし
たことを特徴とする請求項1記載の光ディスク検査装
置。 - 【請求項3】 前記判定部が判定を行う前記所定区間を
1.5〜32μmまたは該区間を通過する時間としたこ
とを特徴とする請求項1または2記載の光ディスク検査
装置。 - 【請求項4】 前記閾値を、線速度が7m/sのとき、
反射光の平均値の±12%〜±23%とすることを特徴
とする請求項1,2または3記載の光ディスク検査装
置。 - 【請求項5】 前記閾値を、線速度が14m/sのと
き、反射光の平均値の±17%〜±26%とすることを
特徴とする請求項1,2または3記載の光ディスク検査
装置。 - 【請求項6】 前記制御部が、前記判定部で判定値より
大と判定されたときは検査不合格を出力すると共に前記
判定部の動作を停止し、判定値より小と判定された場合
は光ディスクの全面の検査が終了するまで前記判定部の
動作を繰返すようにしたことを特徴とする請求項1,
2,3,4または5記載の光ディスク検査装置。 - 【請求項7】 検査する前記光ディスクが、記録層材料
として、構成元素にSb,Teを含み、その組成比Sb
x Te100-x (xは原子%)が40≦x≦80であり、
さらに添加元素として、Ga,Ge,Ag,In,B
i,C,N,O,Si,Sのうち、少なくとも一種類の
元素を含む相変化型記録層を有する光ディスクであるこ
とを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の光デ
ィスク検査装置。 - 【請求項8】 検査する前記光ディスクが、記録層材料
として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素、ナフトキノン系・アントラキノン
系色素、トリアリルメタン系色素、スクワリリウム系色
素、ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、アゾ系色
素のうち、少なくとも一種類の化合物を含む有機色素系
追記型記録層を有する光ディスクであることを特徴とす
る請求項1乃至6のいずれかに記載の光ディスク検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001058553A JP2002260224A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | 光ディスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001058553A JP2002260224A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | 光ディスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002260224A true JP2002260224A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18918258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001058553A Withdrawn JP2002260224A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | 光ディスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002260224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170019A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光ディスクの表面評価方法及び光ディスク記録再生装置 |
| JP2010092581A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Commiss Energ Atom | 光記憶に使用される材料を特性判定するための試験装置 |
-
2001
- 2001-03-02 JP JP2001058553A patent/JP2002260224A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170019A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光ディスクの表面評価方法及び光ディスク記録再生装置 |
| JP2010092581A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Commiss Energ Atom | 光記憶に使用される材料を特性判定するための試験装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |