JP2002260208A

JP2002260208A - 磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2002260208A
Application number: JP2001401184A
Authority: JP
Inventors: Akira Sakawaki; 彰坂脇; Hiroshi Sakai; 浩志酒井
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2000-12-28
Filing date: 2001-12-28
Publication date: 2002-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】熱揺らぎ耐性などの磁気特性およびグライド
ハイト特性に優れ、かつ容易に製造することができる磁
気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性基板１と、その上に形成された非
磁性下地層３、磁性層４および保護層５を基本構成と
し、非磁性下地層３が、ｂｃｃ構造を有し、非磁性基板
１と非磁性下地層３との間に、非磁性下地層を（２０
０）に優先的に配向させる配向調整層２が形成され、磁
性層４が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を
有し、磁性層４の周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁
力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが１より大きくされてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、計算機周辺装置や
画像・音声記録用に用いられる磁気ディスク装置などに
用いられる磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、お
よび上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、磁
性層中の磁性粒子の微細化、磁気的孤立化、磁性層の薄
膜化などによって、ノイズ低減や分解能向上を図ること
が提案されている。しかしながら、磁性粒子の微細化、
磁気的孤立化、磁性層の薄膜化を行う場合には、磁性粒
子が小さくなるため、熱揺らぎ耐性が低下しやすい問題
がある。熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録
したデータの消失が起こる現象をいい、磁気記録再生装
置においては、記録したデータの再生出力の経時的な減
衰として現れる。従来、磁気記録媒体用の基板として
は、アルミニウム合金等からなる非磁性金属基板が多く
用いられている。非磁性金属基板は、通常、表面を硬化
するためＮｉＰなどからなる硬質膜を設け、その表面に
テクスチャ加工が施されて用いられている。テクスチャ
加工は、基板表面に所定方向（通常は円周方向）に沿う
凹凸を形成する加工であり、テクスチャ加工を施すこと
によって、基板上に形成される下地層および磁性層の結
晶配向性を向上させ、磁性層の磁気異方性を高め、熱揺
らぎ耐性などの磁気特性を向上させることができる。

【０００３】ところで、近年では、磁気記録媒体用の基
板として、アルミニウム等からなる金属基板に代えて、
ガラス、セラミックスなどからなる非金属基板が多く用
いられてきている。非金属基板は、硬度が高いためヘッ
ドスラップが生じにくく、しかも表面平滑性が高いため
グライドハイト特性の点で有利である。しかしながら、
ガラス基板などの非金属基板は、テクスチャ加工を施す
のが難しく、磁性層の磁気異方性が不十分となり熱揺ら
ぎ耐性が低くなりやすいという問題がある。このため、
ガラス、セラミックスなどからなる非金属基板上に、テ
クスチャ加工が容易な硬質膜を形成することが提案され
ている。例えば特開平５−１９７９４１号公報には、非
金属基板表面に、テクスチャ加工が容易な硬質膜である
ＮｉＰ膜をスパッタ法により形成した磁気記録媒体が開
示されている。非金属基板表面に硬質膜を設けた磁気記
録媒体を製造するには、スパッタ装置などの成膜装置内
において基板上に硬質膜を形成した後、基板を一旦成膜
装置から搬出し、テクスチャ加工装置を用いてテクスチ
ャ加工を施し、次いで再び成膜装置内に搬入し下地層や
磁性層の形成を行う方法が採られる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ア
ルミニウム基板のような非磁性金属基板、ガラス基板の
ような非金属基板を用いた従来の磁気記録媒体では、表
面に形成されたＮｉＰなどからなる硬質膜にテクスチャ
加工を施すことによって磁性層の磁気異方性を高めるこ
とができるものの、硬質膜の表面凹凸によって媒体の表
面平滑性が低くなりやすい。このため、グライドハイト
特性が悪化し、高記録密度化が難しくなる問題があっ
た。また製造工程が煩雑であるため製造コストが嵩む不
都合があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、熱揺らぎ耐性などの磁気特性およびグライドハイ
ト特性に優れ、かつ容易に製造することができる磁気記
録媒体、この磁気記録媒体を容易に製造することができ
る方法および装置、さらには熱揺らぎ耐性などの磁気特
性に優れた磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板と、その上に形成された非磁性下地層、
磁性層および保護層を基本構成とし、非磁性下地層が、
ｂｃｃ構造を有し、非磁性基板と非磁性下地層との間
に、非磁性下地層を（２００）に優先的に配向させる配
向調整層が形成され、磁性層が、柱状微結晶粒が円周方
向に傾いた結晶構造を有し、磁性層の周方向の保磁力Ｈ
ｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、
１より大きくされていることを特徴とする。非磁性下地
層は、柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を有す
る構成が好ましい。磁性層は、複数の磁性膜を有し、こ
れら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が
形成可能とされている構成が好ましい。配向調整層は、
柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を有する構成
が好ましい。上記構成によれば、磁性層において周方向
の磁気異方性を強め、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を高
めることができることから、熱揺らぎ耐性、保磁力、記
録再生信号のＳ／Ｎ比などの磁気特性の向上を図ること
ができる。本発明では、これに加えて、磁性膜間の反強
磁性結合により、最も保磁力の高い主磁性膜以外の磁性
膜の磁化について、見かけ上磁化のない状態、または主
磁性膜の磁化が、これ以外の磁性膜の磁化に相当する磁
化の分、見かけ上小さくなった状態が得られる。このた
め、ノイズや分解能に悪影響を及ぼすことがなく、磁性
粒子の体積を十分に大きくすることができ、熱的安定化
を図り、熱揺らぎ耐性の向上を図ることができる。磁性
層は、隣り合う磁性膜の磁気モーメント方向が互いに正
対する積層フェリ構造を有する構成とすることができ
る。磁性層は、複数の磁性膜と、これらの間に介在する
中間膜とを有する構造とすることができる。磁性層は、
磁性膜と、これに隣接する中間膜とからなる積層構造を
２つ以上有する構成とすることができる。複数の磁性膜
のうち最も保磁力が大きい主磁性膜に対し隣接する磁性
膜の反強磁性結合磁界は、この磁性膜の保磁力よりも大
きく設定するのが好ましい。中間膜は、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖのうち少なくと
も１種を主成分とする材料からなるものとするのが好ま
しい。配向調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層を（２
００）に優先的に配向させる構成、すなわちＣｒ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上からな
る構成とすることができる。配向調整層は、ｂｃｃ構造
の非磁性下地層を（２００）に優先的に配向させる構
成、すなわちＣｒを主成分とする合金からなるものであ
ってもよい。配向調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層
を（２００）に優先的に配向させる構成、すなわちＴａ
を含む合金Ｘ₁Ｔａ（Ｘ₁はＢｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｂ、Ｎｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｚｒのうち１種または２種以上）
を主成分とし、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構
造を有するものであってもよい。配向調整層は、ｂｃｃ
構造の非磁性下地層を（２００）に優先的に配向させる
構成、すなわちＮｂを含む合金Ｘ₂Ｎｂ（Ｘ₂はＢｅ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｎ、Ｚｒのうち１
種または２種以上）を主成分とし、かつＦｄ３ｍ構造ま
たはアモルファス構造を有するものであってもよい。配
向調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層を（２００）に
優先的に配向させる構成、すなわちＣｏＴａまたはＣｏ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造または
アモルファス構造を有する構成とすることができる。配
向調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層を（２００）に
優先的に配向させる構成、すなわちＣｒＴａまたはＣｒ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が１５〜７５ａｔ％である構成とすることができる。
配向調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層を（２００）
に優先的に配向させる構成、すなわちＮｉＴａまたはＮ
ｉＮｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含
有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造また
はアモルファス構造を有する構成とすることができる。
配向調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層を（２００）
に優先的に配向させる構成、すなわちＦｄ３ｍ構造を有
する非磁性金属からなるものとすることができる。配向
調整層は、ｂｃｃ構造の非磁性下地層を（２００）に優
先的に配向させる構成、すなわちＣ１５構造を有する非
磁性金属からなるものとすることができる。本発明で
は、非磁性基板と配向調整層との間に、配向性向上層が
形成されている構成とすることができる。配向性向上層
は、Ｂ２構造またはアモルファス構造を有する材料から
なるものである構成とすることができる。配向性向上層
は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣ
ｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣのうちいずれかを主成分とす
るものである構成とすることができる。本発明では、配
向調整層を、複数設けることができる。

【０００６】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と、
その上に形成された磁性層および保護層を基本構成と
し、非磁性基板と磁性層との間に、直上の層の結晶配向
性を調整する配向調整層が形成され、磁性層が、柱状微
結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を有し、磁性層の周
方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃ
ｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされている構成を採用でき
る。磁性層は、複数の磁性膜を有し、これら磁性膜が、
ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に配向して
おり、これら磁性膜間に反強磁性結合が形成可能とされ
ている構成が好ましい。配向調整層は、柱状微結晶粒が
半径方向に傾いた結晶構造を有する構成が好ましい。本
発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と、その上に形成さ
れた非磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成と
し、非磁性基板と非磁性下地層との間に、直上の層の結
晶配向性を調整する配向調整層が形成され、非磁性下地
層が、ｂｃｃ構造を有し、磁性層が、柱状微結晶粒が円
周方向に傾いた結晶構造を有し、配向調整層が、アモル
ファス構造のＮｉＰ合金からなるものであり、かつ非磁
性下地層を（２００）に優先的に配向させることができ
るようにされ、磁性層の周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向
の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きく
されている構成とすることができる。非磁性下地層は、
柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を有する構成
が好ましい。磁性層は、複数の磁性膜を有し、これら磁
性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先的に
配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が形成可
能とされている構成が好ましい。配向調整層は、窒素ま
たは酸素を１ａｔ％以上含む構成が好ましい。

【０００７】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁
性基板と、その上に形成された非磁性下地層、磁性層お
よび保護層を基本構成とし、非磁性下地層が、ｂｃｃ構
造を有し、非磁性基板と非磁性下地層との間に、非磁性
下地層を（２００）に優先的に配向させる配向調整層が
形成された磁気記録媒体を製造する方法であって、成膜
粒子を放出源から放出させて被付着面に付着させること
により磁性層を形成し、この際、成膜粒子付着点におけ
る径方向に対し垂直な面への成膜粒子軌道の投影線が非
磁性基板に対し傾くように成膜粒子の方向を設定するこ
とを特徴とする。本発明の製造方法では、磁性層を、複
数の磁性膜を有し、これら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有
し、かつ（１１０）に優先的に配向しており、これら磁
性膜間に反強磁性結合が形成可能とされた構成とするこ
とができる。本発明の製造方法では、成膜粒子を放出源
から放出させて被付着面に付着させることにより、非磁
性下地層と配向調整層のうち少なくともいずれか一方を
形成し、この際、成膜粒子軌道の被付着面への投影線が
ほぼ非磁性基板の径方向に沿い、かつ非磁性基板に対し
傾いて入射するように成膜粒子の方向を設定することが
できる。本発明の製造方法では、配向調整層に、酸化処
理または窒化処理を施すことができる。配向調整層を形
成するにあたっては、成膜粒子の放出源としてスパッタ
リングターゲットを用いるスパッタ法を採用することが
できる。配向調整層を形成するに際しては、酸素または
窒素を含むスパッタガスを用いることによって酸化処理
または窒化処理を行うことができる。酸化処理または窒
化処理は、配向調整層の表面を酸素含有ガスまたは窒素
含有ガスに接触させることにより行うことができる。

【０００８】本発明の磁気記録媒体の製造装置は、非磁
性基板と、その上に形成された非磁性下地層、磁性層お
よび保護層を基本構成とし、非磁性下地層が、ｂｃｃ構
造を有し、非磁性基板と非磁性下地層との間に、非磁性
下地層を（２００）に優先的に配向させる配向調整層が
形成された磁気記録媒体を製造する装置であって、成膜
粒子を放出し被付着面に付着させることにより磁性層を
形成する放出源と、この放出源から放出された成膜粒子
の方向を定める方向設定手段とを備え、この方向設定手
段が、成膜粒子付着点における径方向に対し垂直な面へ
の成膜粒子軌道の投影線が非磁性基板に対し傾くように
成膜粒子の方向を設定することができるようにされてい
ることを特徴とする。

【０００９】本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒
体と、この磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッ
ドとを備え、磁気記録媒体が、非磁性基板と、その上に
形成された非磁性下地層、磁性層および保護層を基本構
成とし、非磁性下地層が、ｂｃｃ構造を有し、非磁性基
板と非磁性下地層との間に、非磁性下地層を（２００）
に優先的に配向させる配向調整層が形成され、磁性層
が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を有し、
磁性層の周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒ
との比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされていること
を特徴とする。非磁性下地層は、柱状微結晶粒が半径方
向に傾いた結晶構造を有する構成が好ましい。磁性層
は、複数の磁性膜を有し、これら磁性膜が、ｈｃｐ構造
を有し、かつ（１１０）に優先的に配向しており、これ
ら磁性膜間に反強磁性結合が形成可能とされている構成
が好ましい。配向調整層は、柱状微結晶粒が半径方向に
傾いた結晶構造を有する構成が好ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に配向調整層２が形成され、その上
に非磁性下地層３、磁性層４、保護層５、潤滑層６が順
次形成されたものである。図１（ａ）は、本実施形態の
磁気記録媒体の全体構成を示す断面図であり、図１
（ｂ）は、この磁気記録媒体の断面の透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡大図である。

【００１１】非磁性基板１としては、アルミニウム、ア
ルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いて
もよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカ
ーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基
板を用いてもよい。ガラス基板としては、アモルファス
ガラス、結晶化ガラスが使用可能であり、アモルファス
ガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノ
ケートガラス、アルミノシリケートガラスを使用でき
る。また結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラ
スを用いることができる。セラミックス基板としては、
汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素
などを主成分とする焼結体や、それらの繊維強化物など
が使用可能である。非磁性基板１としては、耐久性、コ
ストなどの観点からガラス基板を用いるのが好ましい。
また、これらの基板の表面にメッキ法などによりＮｉＰ
層が形成されたものも非磁性基板１として挙げることが
できる。本発明においては、アルミニウムなどからなる
非磁性金属基板と、ガラス基板などの非金属基板とを含
めて非磁性基板と呼ぶ。非磁性基板１の表面にはテクス
チャ加工を施してもよい。基板１の表面の平均粗さＲａ
は、０．０１〜２ｎｍ（好ましくは０．０５〜１．５ｎ
ｍ）とするのが好適である。

【００１２】配向調整層２は、直上に形成される非磁性
下地層３の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成さ
れる磁性層４の結晶配向性を調整し、磁性層４の磁気異
方性を向上させるためのものである。配向調整層２は、
Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種
以上を用いるのが好ましい。これによって、ｂｃｃ構造
の非磁性下地層３を（２００）に優先的に配向させるこ
とができる。配向調整層２の材料としては、Ｃｒを主成
分とする（すなわちＣｒの含有率が５０ａｔ％を越え
る）合金を用いることもでき、特にＣｒＸ₀（Ｘ₀はＶ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうち１種または２種以上）系合
金を用いるのが好ましい。これによって、ｂｃｃ構造の
非磁性下地層３を（２００）に優先的に配向させること
ができる。ＣｒＸ₀系合金を用いる場合、Ｘ₀の含有率
は、１ａｔ％以上、５０ａｔ％未満とするのが好まし
い。Ｘ₀の含有率を上記範囲とすることによって、非磁
性下地層３および磁性層４の結晶配向性を高め磁気異方
性を向上させることができる。

【００１３】配向調整層２は、Ｔａを含む合金Ｘ₁Ｔａ
（Ｘ₁はＢｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｖ、Ｚ
ｎ、Ｚｒのうち１種または２種以上）を主成分とし、か
つＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有するもので
あってもよい。これによって、ｂｃｃ構造の非磁性下地
層３を（２００）に優先的に配向させることができる。
配向調整層２は、Ｎｂを含む合金Ｘ₂Ｎｂ（Ｘ₂はＢｅ、
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｎ、Ｚｒのうち
１種または２種以上）を主成分とし、かつＦｄ３ｍ構造
またはアモルファス構造を有するものであってもよい。
これによって、ｂｃｃ構造の非磁性下地層３を（２０
０）に優先的に配向させることができる。配向調整層２
は、ＣｏＴａまたはＣｏＮｂを主成分とするものであ
り、ＴａまたはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であ
り、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造を有する
構成とすることができる。これによって、ｂｃｃ構造の
非磁性下地層３を（２００）に優先的に配向させること
ができる。配向調整層２は、ＣｒＴａまたはＣｒＮｂを
主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有量が１
５〜７５ａｔ％である構成とすることもできる。これに
よって、ｂｃｃ構造の非磁性下地層３を（２００）に優
先的に配向させることができる。配向調整層２は、Ｎｉ
ＴａまたはＮｉＮｂを主成分とするものであり、Ｔａま
たはＮｂの含有量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ
３ｍ構造またはアモルファス構造を有する構成とするこ
ともできる。これによって、ｂｃｃ構造の非磁性下地層
３を（２００）に優先的に配向させることができる。配
向調整層２がこれらＣｏＴａ、ＣｏＮｂ、ＣｒＴａ、Ｃ
ｒＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂを主成分とするものである
場合において、ＴａまたはＮｂの含有率を上記範囲とす
るのが好適であるとしたのは、この含有率が低すぎると
保磁力が低くなりやすく、含有率が高すぎると磁性層内
の配向性が低下し保磁力が低くなるおそれがあるためで
ある。また配向調整層２は、ＴａまたはＮｂを３０ａｔ
％以上含有する非磁性合金材料からなるものとすること
もできる。これによって、ｂｃｃ構造の非磁性下地層３
を（２００）に優先的に配向させることができる。

【００１４】配向調整層２は、Ｆｄ３ｍ構造（空間群
（ＳｐａｃｅＧｒｏｕｐ）表記）を有する非磁性金属
からなるものとすることもできる。これによって、ｂｃ
ｃ構造の非磁性下地層３を（２００）に優先的に配向さ
せることができる。Ｆｄ３ｍ構造を有する非磁性金属と
しては、上述のＣｒＸ₀系合金のうちＣｒＮｂ系（７０
Ｃｒ３０Ｎｂなど）、ＣｒＴａ系（６５Ｃｒ３５Ｔａな
ど）、ＣｒＴｉ系（６４Ｃｒ３６Ｔｉなど）等のＣ１５
構造（ＳｋｒｕｋｔｕｒｂｅｒｃｈｔＳｙｍｂｏｌ表
記）合金が好適である。Ｆｄ３ｍ構造を有する金属とし
ては、このほか、ＣｏＴａ系（６５Ｃｏ３５Ｔａな
ど）、ＣｏＮｂ系（７０Ｃｏ３０Ｎｂなど）、ＷＨｆ系
（６６Ｗ３４Ｈｆ）、ＡｌＹ系（６７Ａｌ３３Ｙなど）
等のＣ１５構造合金がある。またＣｏＴａ系（比較的Ｃ
ｏ含有率が小さいもの、例えば５０Ｃｏ５０Ｔａな
ど）、ＦｅＮｂ系（５０Ｆｅ５０Ｎｂなど）等の合金を
用いることもできる。これらＦｄ３ｍ構造を有する材料
を用いる場合には、成膜時に酸化処理または窒化処理
（後述）を行うことによってその結晶構造（Ｆｄ３ｍ構
造）を整えたものが好ましい。配向調整層２は、非磁性
下地層３の結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下
地層３、磁性層４中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化
層としても機能する。

【００１５】配向調整層２には、窒素または酸素を１ａ
ｔ％以上含有させるのが好ましい。これは、窒素または
酸素を１ａｔ％以上含有させることによって、非磁性下
地層３の結晶を、より正確に（２００）に配向させ、磁
性層４の磁気異方性を高めることができるためである。

【００１６】図１（ｂ）に示すように、配向調整層２
は、柱状微結晶粒２ａが、非磁性基板１に垂直な線２ｂ
に対して半径方向に傾いた結晶構造を有する構成とする
のが好ましい。すなわち柱状微結晶粒２ａの傾斜角度α
１（垂直線２ｂに対する、柱状微結晶粒２ａ軸方向の傾
き）が０°を越え、９０°未満となるようにするのが好
ましい。柱状微結晶粒２ａの傾斜角度α１は、１０〜７
５°（好ましくは１５〜７５°、さらに好ましくは２０
〜７５°、さらに好ましくは２５〜５５°）であること
が好ましい。傾斜角度α１が上記範囲未満である場合に
は、非磁性下地層３、磁性層４の結晶配向性が悪化し磁
気異方性が低下する。また成膜装置の構成の点から、角
度α１を上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。
傾斜角度α１は、１０°以上、３０°未満となる値とす
ることができる。また６５°を越え、９０°未満となる
値とすることもできる。配向調整層２は、柱状微結晶粒
２ａの傾きが内周側から外周側にかけて徐々に大きくな
るようになっている構成とすることもできる。配向調整
層２を、柱状微結晶粒２ａが半径方向に傾いた構成とす
る場合には、柱状微結晶粒２ａの円周方向の傾きは任意
としてよいが、特に、柱状微結晶粒２ａが周方向にほと
んど傾いていない構成が好ましい。

【００１７】配向調整層２の厚さは２〜１００ｎｍとす
るのが望ましい。この厚さは、上記範囲未満であると磁
性層の磁気異方性が低下し、上記範囲を越えると製造効
率が低下する。

【００１８】配向調整層２の表面平均粗さＲａは、０．
４ｎｍ以下（好ましくは０．２ｎｍ以下）とするのが好
ましい。この表面平均粗さＲａが上記範囲を越えると、
媒体の表面凹凸が大きくなり、グライドハイト特性の低
下を招く。

【００１９】非磁性下地層３は、従来公知の下地層材
料、例えばＣｒ、Ｖ、Ｔａのうち１種以上、またはこれ
らに結晶性を損なわない範囲で他の元素を添加した合金
からなるものとすることができる。なかでも特に、Ｃｒ
またはＣｒ合金（例えばＣｒＷ系、ＣｒＭｏ系、ＣｒＶ
系）を用いるのが好適である。またこの材料としては、
Ｎｉ５０Ａｌ（Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ）等のＢ２構造を
有する材料を用いることもできる。また非磁性下地層３
は単層構造としてもよいし、２種類以上の膜を複数積層
させた多層構造としてもよい。非磁性下地層３の厚さ
は、１〜１００ｎｍ、好ましくは２〜５０ｎｍとするの
が望ましい。

【００２０】非磁性下地層３は、ｂｃｃ構造を有し、か
つ配向面（非磁性下地層３の表面における支配的な結晶
面）が（２００）とされており、これによって磁性層４
の磁気異方性を高めることができるようになっている。

【００２１】非磁性下地層３は、柱状微結晶粒が半径方
向に傾いた結晶構造を有する構成とすることができる。
図２は、柱状微結晶粒が傾いた構造を有する非磁性下地
層３を示すもので、ここに示す非磁性下地層３は、柱状
微結晶粒３ａが、非磁性基板１に垂直な線３ｂに対して
半径方向に傾いた結晶構造を有する。すなわち柱状微結
晶粒３ａの傾斜角度α２（垂直線３ｂに対する、柱状微
結晶粒３ａ軸方向の傾き）が０°を越え、９０°未満と
なるようになっている。柱状微結晶粒３ａの傾斜角度α
２は、１０〜７５°（好ましくは１５〜７５°、さらに
好ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５〜５５
°）であることが好ましい。傾斜角度α２が上記範囲未
満である場合には、磁性層４の結晶配向性が悪化し磁気
異方性が低下する。また成膜装置の構成の点から、角度
α２を上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。傾
斜角度α２は、１０°以上、３０°未満となる値とする
ことができる。また６５°を越え、９０°未満となる値
とすることもできる。非磁性下地層３を、柱状微結晶粒
３ａが半径方向に傾いた構成とする場合には、柱状微結
晶粒３ａの円周方向の傾きは任意としてよいが、特に、
柱状微結晶粒３ａが周方向にほとんど傾いていない構成
が好ましい。

【００２２】磁性層４は、以下に示すように、複数の磁
性膜間に反強磁性結合が形成されている構造、すなわち
反強磁性結合構造（いわゆるＡＦＣ(Anti Ferro magnet
ic Coupling)構造）を有する構成とするのが好ましい。
この磁性層４は、第１磁性膜４ａ（上層側）と、第２磁
性膜４ｂ（下層側）と、これらの間に介在する中間膜４
ｃとを有する。第１および第２磁性膜４ａ、４ｂには、
例えばＣｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｉ、ＦｅおよびＭｏ
のうち１種以上を、Ｃｏに加えたＣｏ合金を用いること
ができる。上記材料の好適な具体例としては、ＣｏＰｔ
系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ系、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ
系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＷ系、
ＣｏＣｒＰｔＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＺｒ系、ＣｏＣｒＰ
ｔＢＣｕ系、ＣｏＣｒＰｔＢＺｒ系、ＣｏＮｉＴａ系、
ＣｏＮｉＴａＣｒ系、ＣｏＣｒＴａ系などの合金が利用
できる。また、Ａｇ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｃ等の非磁性金属、
この非磁性金属の化合物、酸化物（ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、
Ａｌ₂Ｏ₃等）、窒化物（Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、Ｂ
Ｎ等）、フッ化物（ＣａＦ等）、炭化物（ＴｉＣ等）な
どの非磁性母材中に磁性粒子が分散したグラニュラー膜
を採用することもできる。

【００２３】第１および第２磁性膜４ａ、４ｂの厚さ
は、特に限定されないが、小さすぎれば磁性粒子の体積
が少なくなり熱揺らぎ耐性の点で不利となり、大きすぎ
ればこの層の磁化が過大となりノイズ増加を招くおそれ
がある。このため、磁性膜４ａの厚さは１〜４０ｎｍ
（好ましくは５〜３０ｎｍ）とするのが好適であり、磁
性膜４ｂの厚さは１〜２０ｎｍ（好ましくは１〜１０ｎ
ｍ）とするのが好適である。第１磁性膜４ａの保磁力
は、２０００（Ｏｅ）以上（好ましくは３０００（Ｏ
ｅ）以上）とするのが好適である。この保磁力が上記範
囲未満であると、この磁性膜４ａの熱揺らぎ耐性が小さ
くなり、熱揺らぎ耐性向上効果が低下する。第１磁性膜
４ａの保磁力は、第２磁性膜４ｂの保磁力よりも大きく
設定するのが好ましい。この場合、第１磁性膜４ａは、
第２磁性膜４ｂに比べ保磁力が大きい主磁性膜となる。
この際、磁性層４全体（磁気記録媒体）の保磁力は主磁
性膜の保磁力に等しくなるようにするのが好ましい。

【００２４】第１および第２磁性膜４ａ、４ｂは、中間
膜４ｃを介した反強磁性結合によって、磁気モーメント
方向が互いに正対するようにされており、これによって
磁性層４は積層フェリ構造となっている。第１および第
２磁性膜４ａ、４ｂは、ｈｃｐ構造を有し、かつ配向面
が（１１０）とされている。

【００２５】中間膜４ｃには、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖのうち少なくとも１種
を主成分とする材料を用いるのが好ましい。なかでも特
に、Ｒｕを用いるのが好ましい。中間膜４ｃにＲｕを用
いる場合には、中間膜４ｃの厚さを０．６〜１ｎｍ（好
ましくは０．７〜０．９ｎｍ）とするのが好適である。
この厚さが上記範囲未満である場合、または上記範囲を
越える場合には、２つの磁性膜４ａ、４ｂ間の反強磁性
結合が不十分となって熱揺らぎ耐性向上効果が低下す
る。また中間膜４ｃに、ＣｒまたはＣｒ合金を用いる場
合には、その厚さは、２〜３ｎｍ（好ましくは２．２〜
２．８ｎｍ）とするのが好適である。この厚さが上記範
囲未満である場合、または上記範囲を越える場合には、
磁性膜４ａ、４ｂ間の反強磁性結合が不十分となって熱
揺らぎ耐性向上効果が低下する。

【００２６】図３に示すように、磁性層４（第１磁性膜
４ａ、中間膜４ｃ、第２磁性膜４ｂ）は、柱状微結晶粒
４ｄ、４ｅ、４ｆが、非磁性基板１に垂直な線４ｇに対
して基板１の円周方向に傾いた結晶構造を有する。すな
わち柱状微結晶粒４ｄ、４ｅ、４ｆの傾斜角度α３（垂
直線４ｇに対する、柱状微結晶粒４ｄ、４ｅ、４ｆ軸方
向の傾き）が０°を越え、９０°未満となるようになっ
ている。柱状微結晶粒４ｄ、４ｅ、４ｆの傾斜角度α３
は、１０〜７５°（好ましくは１５〜７５°、さらに好
ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５〜５５
°）であることが好ましい。傾斜角度α３が上記範囲未
満である場合には、磁性層４の結晶配向性が悪化し磁気
異方性が低下する。また成膜装置の構成の点から、角度
α３を上記範囲を越える範囲に設定するのは難しい。傾
斜角度α３は、１０°以上、３０°未満となる値とする
ことができる。また６５°を越え、９０°未満となる値
とすることもできる。柱状微結晶粒４ｄ、４ｅ、４ｆ
は、円周方向に傾いていればよく、半径方向の傾きは任
意としてよい。すなわち平面視したときの柱状微結晶粒
の方向（基板への投影線の方向）は接線に沿っていても
よいし、接線に対し交差する方向に沿っていてもよい。

【００２７】保護層５の材料としては、従来公知のもの
を使用してよく、例えばカーボン、酸化シリコン、窒化
シリコン、酸化ジルコニウム等の単一成分またはこれら
を主成分とする材料を使用することができる。保護層５
の厚さは、２〜１０ｎｍとするのが好ましい。

【００２８】潤滑層６は、パーフルオロポリエーテル等
のフッ素系潤滑剤などからなるものとすることができ
る。

【００２９】上記構成の磁気記録媒体は、磁性層４の周
方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃ
ｃ／Ｈｃｒが、１より大（好ましくは１．１以上、さら
に好ましくは１．２以上）とされている。この比Ｈｃｃ
／Ｈｃｒが上記範囲未満であると、磁気記録媒体の磁気
異方性が不足し、熱揺らぎ耐性、エラーレート、ノイズ
特性などの磁気特性が不十分となる。っ

【００３０】次に、上記磁気記録媒体を製造する場合を
例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形
態を説明する。図４は、本発明の磁気記録媒体の製造装
置の一実施形態を示すものである。ここに示すスパッタ
装置２１は、非磁性基板１上に配向調整層２を形成する
ためのもので、成膜粒子を放出する放出源であるスパッ
タリングターゲット２２と、このスパッタリングターゲ
ット２２から放出された成膜粒子の方向を定める方向設
定手段である遮蔽板２３とをチャンバ２８内に備えてい
る。符号２９はスパッタガス等をチャンバ２８内に導入
する導入経路であり、符号３０はチャンバ２８内のスパ
ッタガス等をチャンバ２８から導出する導出経路であ
る。

【００３１】スパッタリングターゲット２２は、形成す
るべき層の構成材料からなるものであり、円板状に形成
されている。遮蔽板２３は、スパッタリングターゲット
２２から放出された成膜粒子のうち、目的とする方向以
外の方向に放出された成膜粒子を遮ることにより成膜粒
子の方向を定めるためのもので、円板状に形成され、ほ
ぼ中央部に、円形の成膜粒子通過口２４が形成されてい
る。遮蔽板２３は、スパッタリングターゲット２２に対
しほぼ平行に、スパッタリングターゲット２２に対して
所定の間隔をおいて設置されている。遮蔽板２３は、そ
の軸線２３ａがスパッタリングターゲット２２の軸線２
２ａに対しほぼ一致するように設置されている。また成
膜粒子の入射角度の精度を高めるためには、遮蔽板２３
を可能な限り薄く形成するのが好ましい。例えば、外径
２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非磁性基板１を用いる
場合には、遮蔽板２３の厚さは１．５〜５ｍｍ（好まし
くは２〜４ｍｍ）とするのが好ましい。遮蔽板２３に
は、耐熱性に優れ、不純物発生が少ない材料である金属
材料（例えばステンレス、アルミニウム合金）を用いる
のが好ましく、特に、付着した成膜粒子を除去する作業
が容易であり、しかも安価であることからアルミニウム
合金を用いるのが好ましい。

【００３２】成膜粒子通過口２４の内径は、放出された
成膜粒子が非磁性基板１の表面１ａの配向調整層形成領
域１ｂに付着する際の成膜粒子の非磁性基板１に対する
入射角度αが１０〜７５°となるように設定するのが好
ましい。この入射角度αとは、非磁性基板１に対し垂直
な線１ｃに対する角度をいう。成膜粒子通過口２４の内
径は、成膜効率を低下させない範囲で小さくするのが好
ましい。例えば、外径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の
非磁性基板１を用いる場合には、成膜粒子通過口２４の
内径は２０ｍｍ以下（好ましくは１５ｍｍ以下、さらに
好ましくは７ｍｍ以下）とするのが好ましい。

【００３３】このスパッタ装置２１を用いて配向調整層
２を形成するには、非磁性基板１をチャンバ２８内に搬
入し、遮蔽板２３のスパッタリングターゲット２２側に
対し反対側（図中左側）に非磁性基板１を配置する。こ
の際、非磁性基板１はスパッタリングターゲット２２、
遮蔽板２３に対しほぼ平行に配置する。

【００３４】次いで、アルゴンなどのスパッタガスを導
入経路２９を通してチャンバ２８内に導入するととも
に、スパッタリングターゲット２２に給電し、成膜粒子
をスパッタ法により放出させる。この際、スパッタリン
グターゲット２２の中央部からやや離れた位置の成膜粒
子放出箇所２５、２５から放出された成膜粒子のうち、
遮蔽板２３中央部に向かったものは、成膜粒子通過口２
４を通過し、それ以外のものは遮蔽板２３に遮られる。

【００３５】図４および図５に示すように、成膜粒子通
過口２４を通過した成膜粒子は、ターゲット２２の中央
部からやや離れた位置の成膜粒子放出箇所２５から放出
され、遮蔽板２３中央部の成膜粒子通過口２４を通過し
たものであるため（図４を参照）、成膜粒子軌道２６の
基板表面１ａへの投影線２７は、ほぼ非磁性基板１の径
方向に沿うものとなる（図５を参照）。このため、成膜
粒子は基板１の周方向に均一に表面１ａに付着する。成
膜粒子は、好ましくは入射角度αが１０〜７５°となる
ように、被付着面である表面１ａの環状の配向調整層形
成領域１ｂに付着する。この入射角度αは、１５〜７５
°（好ましくは２０〜７５°、さらに好ましくは２５〜
５５°）とするのがさらに好適である。この入射角度α
が上記範囲未満である場合には、非磁性下地層３、磁性
層４の結晶配向性が悪化し磁気異方性が低下する。また
装置構成の点から入射角度αを上記範囲を越える範囲に
設定するのは難しい。また傾斜角度αは、１０°以上、
３０°未満となる値とすることができる。また６５°を
越え、７５°以下となる値とすることもできる。

【００３６】入射角度αを上記範囲に設定することによ
って、図１（ｂ）に示すように、配向調整層２は、柱状
微結晶粒２ａが、非磁性基板１に垂直な線２ｂに対して
半径方向に傾いた結晶構造を有するものとなる。

【００３７】配向調整層２には、酸化処理または窒化処
理を施すのが好ましい。酸化処理または窒化処理を行う
には、スパッタ装置２１を用いて配向調整層２を形成す
るに際し、導入経路２９を通してチャンバ２８に導入す
るスパッタガスとして、酸素または窒素を含むものを用
いる方法を採ることができる。酸素を含むスパッタガス
としては、酸素とアルゴンの混合ガスを用いることがで
きる。窒素を含むスパッタガスとしては、窒素とアルゴ
ンの混合ガスを用いることができる。混合ガス中の酸素
または窒素の含有率は、１〜５０ｖｏｌ％とすることが
できる。

【００３８】また本発明では、配向調整層２を形成した
後に、その表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接
触させる方法によって酸化または窒化処理を行うことも
できる。酸素含有ガスとしては、空気、純酸素、水蒸気
を用いることができる。また空気中の酸素含有率を増加
させた酸素富化ガスを用いることもできる。窒素含有ガ
スとしては、空気、純窒素、窒素富化ガスを用いること
ができる。

【００３９】配向調整層２表面を酸素含有ガスまたは窒
素含有ガスに接触させる方法の具体例としては、上述の
ように、スパッタ装置２１内において基板１上に配向調
整層２を形成した後、チャンバ２８内に、導入経路２９
を通して酸素含有ガスまたは窒素含有ガスを導入する方
法を挙げることができる。酸素含有ガスまたは窒素含有
ガス中の酸素または窒素含有率は、１〜１００ｖｏｌ％
とすることができる。導入する酸素、窒素の量や、酸
素、窒素への曝露時間を適宜設定することにより、配向
調整層２の酸化（窒化）度合いを調節することができ
る。例えば、１０ ^-4〜１０^-6Ｐａの真空度に対し、１０
^-3Ｐａ以上の酸素ガス圧の雰囲気に、配向調整層２を
０．１〜３０秒間曝すことによって、所定の酸化状態を
得ることができる。酸素含有ガスまたは窒素含有ガスの
使用によって、酸化処理または窒素処理を容易な操作で
行うことができるようになる。この酸化処理または窒化
処理によって、配向調整層２は少なくとも表面付近が酸
化または窒化される。

【００４０】なお酸化処理または窒化処理を行うには、
スパッタガスとして、酸素または窒素を含むものを用い
て配向調整層２を形成した後に、その表面を酸素含有ガ
スまたは窒素含有ガスに接触させる方法を採ることもで
きる。また配向調整層２の表面を大気にさらす方法を採
ることもできる。

【００４１】非磁性下地層３を、柱状微結晶粒が半径方
向に傾いた結晶構造を有する構成とする場合には、スパ
ッタ装置２１を用いて非磁性下地層３を形成することが
できる。すなわち、配向調整層２を形成する場合と同様
に、成膜粒子をスパッタリングターゲット２２から放出
させて被付着面に付着させ、この際、成膜粒子軌道２６
の被付着面への投影線２７がほぼ基板１の径方向に沿
い、かつ基板１に対し傾斜するように成膜粒子の方向を
設定することによって非磁性下地層３を形成することが
できる。

【００４２】図６および図７は、柱状微結晶粒が基板円
周方向に傾いた結晶構造をもつ磁性層４を形成するスパ
ッタ装置３１を示すものである。ここに示すスパッタ装
置３１は、成膜粒子を放出する放出源であるスパッタリ
ングターゲット３２と、このスパッタリングターゲット
３２から放出された成膜粒子の方向を定める方向設定手
段である遮蔽板３３とをチャンバ３８内に備えている。
符号３９はスパッタガス等をチャンバ３８内に導入する
導入経路であり、符号４０はチャンバ３８内のスパッタ
ガス等をチャンバ３８から導出する導出経路である。

【００４３】スパッタリングターゲット３２は、磁性層
４の構成材料からなるものであり、円板状に形成されて
いる。遮蔽板３３は、スパッタリングターゲット３２か
ら放出された成膜粒子のうち、目的とする方向以外の方
向に放出された成膜粒子を遮ることにより成膜粒子の方
向を定めるためのもので、円板状の基体３３ａと、基体
３３ａに取り付けられた複数の遮蔽板本体３３ｂとを備
えている。基体３３ａの中央部には、円形の成膜粒子通
過口３４が形成されている。

【００４４】遮蔽板本体３３ｂは、一端側から他端側に
かけて徐々に幅が広くなるよう形成された細板状とさ
れ、通過口３４の径方向に沿って配置されている。遮蔽
板本体３３ｂは、幅が狭い一端側が通過口３４の中央部
に配置され、幅が広い他端側が通過口３４の内縁付近に
配置された状態で基体３３ａに固定されている。遮蔽板
本体３３ｂは、基体３３ａの円周方向に傾いた状態で基
体３３ａに固定されており、スパッタリングターゲット
３２からの成膜粒子のうち、遮蔽板本体３３ｂに沿う方
向（円周方向に傾斜した方向）に放出されたもののみが
遮蔽板本体３３ｂの隙間を通過するように構成されてい
る。

【００４５】遮蔽板本体３３ｂの傾斜角度は、放出され
た成膜粒子が非磁性下地層３の表面（被付着面）３ｃに
付着する際の成膜粒子の非磁性基板１に対する入射角度
βが１０〜７５°となるように設定するのが好ましい。
この入射角度βとは、後述するように、非磁性基板１に
対し垂直な線１ｃに対する角度をいう。

【００４６】成膜粒子の入射角度の精度を高めるため、
遮蔽板本体３３ｂは可能な限り薄く形成するのが好まし
い。例えば、外径２．５インチ（６３．５ｍｍ）の非磁
性基板１を用いる場合には、遮蔽板本体３３ｂの厚さは
０．５〜２ｍｍとするのが好ましい。遮蔽板本体３３ｂ
には、耐熱性に優れ、不純物発生が少ない材料である金
属材料（例えばステンレス、アルミニウム合金）を用い
るのが好ましく、特に、付着した成膜粒子を除去する作
業が容易であり、しかも安価であることからアルミニウ
ム合金を用いるのが好ましい。これら複数の遮蔽板本体
３３ｂは、通過口３４の周方向に間隔をおいて設けられ
ている。

【００４７】このスパッタ装置３１を用いて磁性層４を
形成するには、表面に非磁性下地層３が形成されたディ
スクＤをチャンバ３８内に搬入し、遮蔽板３３のスパッ
タリングターゲット３２側に対し反対側（図中左側）に
配置する。この際、ディスクＤは、中心軸が遮蔽板３３
の中心軸にほぼ一致するように配置する。またディスク
Ｄは、遮蔽板３３の基体３３ａ、スパッタリングターゲ
ット３２に対しほぼ平行に配置する。

【００４８】次いで、アルゴンなどのスパッタガスを導
入経路３９を通してチャンバ３８内に導入するととも
に、スパッタリングターゲット３２に給電し、成膜粒子
をスパッタ法により放出させる。スパッタリングターゲ
ット３２から放出された成膜粒子のうち、遮蔽板本体３
３ｂに沿う方向（基板円周方向に傾斜した方向）に放出
されたものは遮蔽板本体３３ｂの隙間を通過して非磁性
下地層３の表面３ｃに付着し、それ以外の方向に放出さ
れたものは遮蔽板本体３３ｂに遮られる。

【００４９】図７中符号４２は、成膜粒子が表面３ｃに
付着する点（成膜粒子付着点）３５における径方向４１
に対し垂直な面を示す。図６および図７に示すように、
遮蔽板３３を通過した成膜粒子は、遮蔽板本体３３ｂの
隙間を通過したものであるため、その軌道３６は、基板
１の円周方向に傾いたものとなる。すなわち、垂直面４
２への成膜粒子軌道３６の投影線３７は、非磁性基板１
に対し傾くことになる。成膜粒子の非磁性基板１に対す
る入射角度β（非磁性基板１に対し垂直な線１ｃに対す
る投影線３７の角度）は、１０〜７５°とするのが好ま
しい。この入射角度βは、１５〜７５°（好ましくは２
０〜７５°、さらに好ましくは２５〜５５°）とするの
がさらに好適である。この入射角度βが上記範囲未満で
ある場合には、非磁性下地層３、磁性層４の結晶配向性
が悪化し磁気異方性が低下する。また装置構成の点から
入射角度βを上記範囲を越える範囲に設定するのは難し
い。

【００５０】磁性層４を形成する際には、遮蔽板３３ま
たはディスクＤを周方向に回転させ、成膜粒子付着量を
周方向に均一化するのが好ましい。

【００５１】スパッタ装置３１を用いて磁性層４を形成
することによって、図３に示すように、磁性層４は、柱
状微結晶粒が上記成膜粒子入射方向に成長し、円周方向
に傾いた結晶構造を有するものとなる。

【００５２】配向調整層２の影響下で成長する非磁性下
地層３は、優れた結晶配向性を有するものとなる。非磁
性下地層３は、ｂｃｃ構造を有し、かつ配向面（非磁性
下地層３における支配的な結晶配向面）が（２００）と
なる。非磁性下地層３が優れた結晶配向性を有するもの
となる結果、その上に形成される磁性層４の結晶配向性
が向上する。磁性層４の第１および第２磁性膜４ａ、４
ｂは、ｈｃｐ構造を有し、かつ配向面（磁性層４におけ
る支配的な結晶配向面）が（１１０）となる。

【００５３】また保護層５は、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタ法などにより形成することができる。潤滑層６の形
成には、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系液体潤
滑剤などの潤滑剤を保護層５上にディッピング法により
塗布する方法を採用することができる。

【００５４】本実施形態の磁気記録媒体は、磁性層４
が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を有する
ので、磁性層４における周方向の磁気異方性を高めるこ
とができる。磁性膜４において周方向の磁気異方性が高
められるため、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を高めるこ
とができることから、熱揺らぎ耐性の向上を図ることが
できる。

【００５５】また、磁性層４において周方向の磁気異方
性を高めることができるため、孤立再生波半値幅を小さ
くし、再生出力の分解能を向上させることができる。従
って、エラーレートを向上させることができる。また、
磁気異方性を高めることによって、保磁力を向上させ、
再生出力を向上させることができる。このため、ＳＮＲ
などのノイズ特性の向上が可能となる。

【００５６】さらには、磁性層４が、第１および第２磁
性膜４ａ、４ｂを有し、これらの間に反強磁性結合が形
成された構造を有するので、磁性膜４ａ、４ｂ間の反強
磁性結合により、見かけ上、磁化の小さい状態が得られ
る。このため、ノイズ特性や分解能に悪影響を及ぼすこ
となく、磁性粒子の体積を十分に大きくすることがで
き、熱的な安定化を図ることができる。従って、熱揺ら
ぎ耐性をさらに高めることができる。

【００５７】一般に、２つの磁性膜間の反強磁性結合の
強度は、磁性膜間に設けられた中間膜の厚さに大きな影
響を受ける。例えば、中間膜にＲｕを用いる場合には、
磁性膜間の反強磁性結合強度は、中間膜の厚さが０．８
ｎｍ前後であるときに極大値をとり、中間膜の厚さが、
この極大値に相当する厚さに比べ、わずかに大きくなる
かまたは小さくなると、反強磁性結合強度は大きく低下
する。このため、磁性層に反強磁性結合構造（ＡＦＣ構
造）を採用する場合には、磁性層の下に形成される膜の
表面凹凸が大きいと、中間膜の厚さが不均一となり、局
部的に反強磁性結合強度が低下し、熱揺らぎ耐性が不十
分となりやすい。これに対し、本実施形態の磁気記録媒
体では、磁性層４の磁気異方性を向上させることができ
ることから、製造に際してテクスチャ加工が不要となる
ため、テクスチャ加工の表面凹凸により中間膜４ｃの厚
さが不均一となるのを防ぎ、反強磁性結合強度を高め、
十分な熱揺らぎ耐性向上効果を得ることができる。

【００５８】また、本実施形態の磁気記録媒体は、非磁
性基板１と非磁性下地層３との間に、配向調整層２が形
成され、この配向調整層２が、柱状微結晶粒２ａが半径
方向に傾いた結晶構造を有する構成とすることによっ
て、非磁性下地層３および磁性層４の結晶配向性を向上
させ、磁性層４における周方向の磁気異方性を高めるこ
とができる。磁性膜４において周方向の磁気異方性が高
められるため、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を高めるこ
とができることから、熱揺らぎ耐性の向上を図ることが
できる。

【００５９】また、配向調整層２の表面平滑性を高める
ことができることから、媒体の表面平均粗さＲａを小さ
くし、優れたグライドハイト特性を得ることができる。
またテクスチャ加工が不要となるため、製造が容易とな
り、製造コスト削減が可能となる。

【００６０】また非磁性下地層３内の結晶粒を微細化
し、下地層３の影響下で成長する磁性層４内の磁性粒を
微細化、均一化することができるため、ノイズの低減を
図ることができる。このため、ノイズ特性をさらに向上
させることができる。

【００６１】配向調整層２を、Ｆｄ３ｍ構造を有する非
磁性金属からなるものとする場合には、非磁性下地層
３、磁性層４における結晶配向性を向上させ、磁性層４
における磁気異方性をさらに高めることができる。

【００６２】また上記実施形態の製造方法は、磁性層４
を形成するにあたり、成膜粒子付着点３５における径方
向４１に対し垂直な面４２への成膜粒子軌道３６の投影
線３７が非磁性基板１に対し傾くように成膜粒子の方向
を設定する。このため、柱状微結晶粒が円周方向に傾い
た磁性層４を容易に形成し、磁性層４における磁気異方
性を高めることができる。従って、熱揺らぎ耐性を向上
させることができる。またエラーレート、ノイズ特性な
どの磁気特性を向上させるとともに、優れたグライドハ
イト特性を得ることができる。

【００６３】また上記実施形態の製造方法は、スパッタ
リングターゲット２２から成膜粒子を放出させ、非磁性
基板１の表面１ａに付着させることにより配向調整層２
を形成するにあたり、成膜粒子の軌道２６の非磁性基板
１への投影線２７が、ほぼ非磁性基板１の径方向に沿
い、かつ非磁性基板１に対し傾いて入射するように成膜
粒子の方向を設定することによって、磁性層４における
磁気異方性を高めることができる。このため、熱揺らぎ
耐性を向上させることができる。またエラーレート、ノ
イズ特性などの磁気特性を向上させるとともに、優れた
グライドハイト特性を得ることができる。

【００６４】またテクスチャ加工を行うことなく磁性層
４の磁気異方性を向上させることができるため、テクス
チャ加工の表面凹凸により媒体の表面粗さが大きくなる
ことによってグライドハイト特性が低下するのを防ぐこ
とができる。また製造に際しテクスチャ加工が不要とな
るため、製造が容易となり製造コスト削減が可能とな
る。

【００６５】また配向調整層２の表面を酸化処理または
窒化処理することによって、非磁性下地層３の配向を
（２００）とし、磁性層４の磁気異方性をさらに高め、
磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性、エラーレート、ノイズ特
性などを向上させることができる。

【００６６】また上記製造方法では、配向調整層２を形
成するにあたって、成膜粒子の放出源としてスパッタリ
ングターゲット２２を用いるスパッタ法を採用するの
で、配向調整層２を容易に形成することができる。

【００６７】また酸化処理または窒化処理を、酸素また
は窒素を含むスパッタガスを用いて配向調整層２を形成
する方法により行うことによって、配向調整層２の形成
と、酸化または窒素処理とを１つの工程で行うことがで
き、製造工程の簡略化が可能となる。従って、作業を容
易にするとともに、製造効率の向上を図ることができ
る。

【００６８】また酸化処理または窒化処理を、配向調整
層２の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触さ
せることにより行う場合には、スパッタ装置２１を用い
て非磁性基板１上に配向調整層２を形成した後、得られ
た媒体基板Ｍ（非磁性基板１上に配向調整層２を形成し
たもの）をこのスパッタ装置２１から搬出することな
く、引き続きこのスパッタ装置２１内において配向調整
層２表面の酸化または窒化処理を行うことができる。従
って、製造工程を簡略化し、作業の容易化および製造効
率向上を図ることができる。

【００６９】スパッタ装置３１は、スパッタリングター
ゲット３２と、放出された成膜粒子の方向を定める遮蔽
板３３とを備え、遮蔽板３３が、成膜粒子のうち、遮蔽
板本体３３ｂに沿う方向（円周方向に傾斜した方向）に
放出されたもののみが遮蔽板本体３３ｂの隙間を通過す
るように構成されているので、非磁性基板１に対する成
膜粒子の入射方向を、正確に定めることができる。この
ため、磁性層４の結晶配向性を向上させ、磁性層４にお
ける磁気異方性を確実に高めることができる。

【００７０】また上記スパッタ装置２１は、成膜粒子の
放出源となるスパッタリングターゲット２２と、放出さ
れた成膜粒子の方向を定める遮蔽板２３を備えているの
で、非磁性基板１に対する成膜粒子の入射方向を、正確
に定めることができる。このため、非磁性下地層３およ
び磁性層４の結晶配向性を向上させ、磁性層４における
磁気異方性を確実に高めることができる。

【００７１】上記実施形態では、柱状微結晶粒２ａが半
径方向に傾いた結晶構造の配向調整層２を有する磁気記
録媒体を例示したが、本発明の磁気記録媒体は、これに
限らず、配向調整層２が結晶粒傾斜構造をもたないもの
であってもよい。また非磁性下地層３についても、柱状
微結晶粒３ａが半径方向に傾いた構造を例示したが、こ
れに限らず、結晶粒が傾斜していない構成も可能であ
る。また上記実施形態の磁気記録媒体では、第１磁性膜
４ａ、中間膜４ｃ、第２磁性膜４ｂのすべてにおいて、
柱状微結晶粒４ｄ、４ｅ、４ｆが傾斜した構成とした
が、本発明はこれに限らず、第１磁性膜４ａ、中間膜４
ｃ、第２磁性膜４ｂのうち少なくとも１つで、柱状微結
晶粒が傾斜した構造を採用することもできる。特に、す
べての磁性膜（この例では第１磁性膜４ａおよび第２磁
性膜４ｂ）を、結晶粒が傾斜した構造とするのが好まし
い。

【００７２】また本発明では、配向調整層をアモルファ
ス構造のＮｉＰ合金（アモルファスＮｉＰ合金）からな
るものとすることもできる。配向調整層をアモルファス
ＮｉＰ合金からなるものとした磁気記録媒体としては、
図１（ａ）に示す構造のものを例示できる。この図を利
用して本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を説明す
る。本実施形態の磁気記録媒体では、配向調整層２がＮ
ｉＰ合金からなるものとされている点で第１の実施形態
のものと異なる。配向調整層２のＮｉ含有率は、５０〜
９０ａｔ％とするのが好ましい。アモルファスＮｉＰ合
金からなる配向調整層２は、上記製造方法と同様にして
形成することができる。すなわち、アモルファスＮｉＰ
合金からなるスパッタリングターゲット２２と遮蔽板２
３を有するスパッタ装置２１を用い、スパッタリングタ
ーゲット２２からの成膜粒子を、好ましくは入射角度α
が１０〜７５°となるように非磁性基板１の表面１ａに
付着させる。

【００７３】配向調整層２を形成するに際しては、上述
の方法に従って、酸素または窒素を含むスパッタガスを
用いるか、または配向調整層２表面を酸素含有ガスまた
は窒素含有ガスに接触させることによって、配向調整層
２に酸化処理または窒化処理を施す。これによって、配
向調整層２の少なくとも表面が結晶化する可能性があ
る。この磁気記録媒体は、磁性層４の周方向の保磁力Ｈ
ｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、
１より大きくなる（好ましくは１．１以上、さらに好ま
しくは１．２以上）。

【００７４】この磁気記録媒体では、上記第１の実施形
態の磁気記録媒体と同様に、非磁性下地層３および磁性
層４の結晶配向性を向上させ、磁気異方性を高めること
ができる。従って、熱揺らぎ耐性、エラーレート、ノイ
ズ特性などの磁気特性を向上させることができる。また
グライドハイト特性を向上させることができる。

【００７５】図８は、本発明の磁気記録媒体の第３の実
施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、磁性
層１４が、第１磁性膜１４ａ（最上層側）、第２磁性膜
１４ｂ、第３磁性膜１４ｃ（最下層側）を有し、第１お
よび第２磁性膜１４ａ、１４ｂ間に第１の中間膜１４ｄ
が設けられ、第２および第３磁性膜１４ｂ、１４ｃ間に
第２の中間膜１４ｅが設けられている点で図１に示すも
のと異なる。第１ないし第３の磁性膜１４ａ、１４ｂ、
１４ｃには、上述の磁性膜４ａ、４ｂの材料として例示
した磁性材料を用いることができる。第１磁性膜１４ａ
の保磁力Ｈｃ１は、２０００（Ｏｅ）以上（好ましくは
３０００（Ｏｅ）以上）とするのが好適である。保磁力
Ｈｃ１が上記範囲未満であると、この磁性膜１４ａの熱
揺らぎ耐性が小さくなり、熱揺らぎ耐性向上効果が低下
する。第１磁性膜１４ａの保磁力Ｈｃ１は、第２および
第３磁性膜１４ｂ、１４ｃの保磁力Ｈｃ２、Ｈｃ３より
も大きく設定するのが好ましい。この場合、第１磁性膜
１４ａは保磁力が最も大きい主磁性膜となる。

【００７６】第１ないし第３磁性膜１４ａ、１４ｂ、１
４ｃの厚さは、特に限定されないが、小さすぎれば磁性
粒子の体積が少なくなり熱揺らぎ耐性の点で不利とな
り、大きすぎればこの層の磁化が過大となりノイズ増加
を招くおそれがある。このため、第１磁性膜１４ａの厚
さは１〜４０ｎｍ（好ましくは５〜３０ｎｍ）とするの
が好適であり、第２および第３磁性膜１４ｂ、１４ｃの
厚さは１〜２０ｎｍ（好ましくは１〜１０ｎｍ）とする
のが好適である。第１および第２中間膜１４ｄ、１４ｅ
の材料および厚さは、上述の中間膜４ｃと同様とするこ
とができる。

【００７７】磁性層１４は、第１の実施形態の磁気記録
媒体の磁性層４と同様に、柱状微結晶粒が円周方向に傾
いた構造を有する。この磁性層１４は、磁性膜１４ａ、
１４ｂ、１４ｃ、中間膜１４ｄ、１４ｅのすべてにおい
て、柱状微結晶粒が傾斜した構成としてもよいし、これ
らのうち少なくとも１つで、柱状微結晶粒が傾斜した構
造を採用することもできる。特に、すべての磁性膜（磁
性膜１４ａ、１４ｂ、１４ｃ）を、結晶粒が傾斜した構
造とするのが好ましい。

【００７８】本実施形態の磁気記録媒体では、最も保磁
力が大きい第１磁性膜１４ａに対し、中間膜１４ｄを介
して隣接する第２磁性膜１４ｂの反強磁性結合磁界が、
この磁性膜の保磁力よりも大きいことが好ましい。以
下、このことを図９を参照して説明する。図９は、本実
施形態の磁気記録媒体の履歴曲線を示すものである。こ
の磁気記録媒体では、最上層側の磁性膜（第１磁性膜１
４ａ）だけでなく、他の磁性膜（第２および第３磁性膜
１４ｂ、１４ｃ）においても個別に磁化反転が起きるた
め、履歴曲線が複数の段部（磁化反転部）を有するもの
となる。すなわち、図９（ａ）に示すように、外部磁場
Ｈを減少させる過程で描かれる曲線が、第２磁性膜１４
ｂの磁化反転部Ｒ２（外部磁場Ｈと磁化Ｍがいずれも正
である第１象限にあるもの）と、第３磁性膜１４ｃの磁
化反転部Ｒ３と、第１磁性膜１４ａの磁化反転部Ｒ１と
を有する履歴曲線が得られる。磁化反転部Ｒ２、Ｒ３、
Ｒ１においては、外部磁場Ｈの減少に伴って小さくなる
磁化の減少率が急に大きくなっている。図中破線は、こ
れら磁化反転部付近において外部磁場Ｈを増減させて作
成した履歴曲線（マイナーループ）の一部を示すもので
ある。

【００７９】この磁気記録媒体においては、外部磁場Ｈ
が十分に高い図中領域Ａ1では、３つの磁性膜の磁化方
向がすべて正方向となるが、外部磁場Ｈを減少させるに
伴い、まず磁化反転部Ｒ２において第２磁性膜１４ｂの
磁化方向が反転し、領域Ａ2における第２磁性膜１４ｂ
の磁化方向が負方向となる。さらに外部磁場Ｈを減少さ
せると、磁化反転部Ｒ３において第３磁性膜１４ｃの磁
化方向が反転し、領域Ａ3における第３磁性膜１４ｃの
磁化方向は負方向となる。さらに外部磁場Ｈを減少させ
ると、磁化反転部Ｒ１において第１磁性膜１４ａの磁化
方向が反転し負方向となり、領域Ａ4に至って完全に負
方向となる。ここで、磁性層１４全体の保磁力Ｈｃは、
最も保磁力が大きい第１磁性膜１４ａの保磁力Ｈｃ1に
ほぼ等しくなる。なお磁化反転部Ｒ１付近の履歴曲線の
微分値の絶対値がピークとなる外部磁場Ｈを保磁力Ｈｃ
1とする。磁化反転部Ｒ２付近の履歴曲線（マイナール
ープ）ＭＲ２の微分値の絶対値がピークとなる外部磁場
をＨｃ2A、Ｈｃ2Bとし、これらＨｃ2A、Ｈｃ2Bの平均値
を反強磁性結合磁界Ｈbias2とする。またＨｃ2AとＨbia
s2との差を第２磁性膜１４ｂの保磁力Ｈｃ2とする。こ
こに示す磁気記録媒体では、図９（ｂ）に示すように、
第２磁性膜１４ｂの磁化反転部Ｒ２における履歴曲線
（マイナーループ）ＭＲ２の中心に相当する外部磁場Ｈ
である反強磁性結合磁界Ｈbias2は、第２磁性膜の保磁
力Ｈｃ2よりも大きい。このため、高い外部磁場Ｈを加
えて３つの磁性膜の磁化方向を全て正方向とした状態か
ら外部磁場Ｈをゼロにすると、第２磁性膜１４ｂでは、
上下に隣接する磁性膜１４ａ、１４ｃとの反強磁性結合
により、確実に磁化方向が反転し負方向に向くようにな
る。このため、反強磁性結合により外部磁場がゼロであ
る状態における再生において、見かけ上、磁性層１４の
磁化を、磁性膜１４ａ、１４ｂ、１４ｃの合計磁化か
ら、磁性膜１４ｂの磁化分をマイナスした値とすること
ができる。これにより、磁性層１４全体の磁化を、見か
け上小さくし、ノイズ特性や分解能を劣化させることな
く、熱揺らぎ耐性向上効果を確実に得ることができる。
これに対し、反強磁性結合磁界Ｈbias2が保磁力Ｈｃ2よ
りも小さい場合には、磁性膜間の反強磁性結合が不十分
となり、外部磁場をゼロとした場合でも第２磁性膜１４
ｂの磁化方向が反転せず、再生時において、磁性層１４
全体の磁化が増加することになり、ノイズ特性や分解能
に悪影響が及ぶ可能性がある。さらに、磁性膜間の反強
磁性結合が不十分となるため、磁性粒子の実効体積増加
の効果が弱くなることから、熱揺らぎ耐性を高める効果
が低下するおそれがある。

【００８０】本実施形態の磁気記録媒体では、磁性層１
４が、第１ないし第３の磁性膜１４ａ、１４ｂ、１４ｃ
と、これらの間に設けられた第１および第２の中間膜１
４ｄ、１４ｅとを有するので、磁性膜数が２である第１
の実施形態の磁気記録媒体（図１）に比べ、磁性層１４
全体の磁性粒子の実効体積を低下させることなく、磁性
膜１４ａの厚さを小さく設定できる。このため、熱揺ら
ぎ耐性を向上させ、かつ磁性膜１４ａ内の磁化方向の乱
れを最小限に抑え、記録再生におけるノイズ特性や分解
能を向上させることができる。なおこの実施形態の磁気
記録媒体では、磁性膜とこれに隣接する中間膜とからな
る積層構造を２つ有する（磁性膜１４ｂと中間膜１４ｄ
からなる第１の積層構造と、磁性膜１４ｃと中間膜１４
ｅからなる第２の積層構造を有する）が、本発明におい
て、磁性層は、磁性膜と、これに隣接する中間膜とから
なる積層構造を３以上有する構成とすることもできる。
この場合には、磁性膜の磁性粒子の実効体積をさらに大
きくできるため、熱揺らぎ耐性を向上させることができ
る。

【００８１】図１０は、本発明の磁気記録媒体の第４の
実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、
非磁性下地層３と磁性層１４との間に、非磁性中間層１
５が設けられている。非磁性中間層１５には、ｈｃｐ構
造を有する非磁性材料を用いるのが好ましい。非磁性中
間層１５には、ＣｏＣｒ系合金を用いるのが好ましい。
またＣｏＣｒにＰｔ、Ｔａ、ＺｒＮｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎ
ｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、およびＢのうち１種以
上を添加した合金を用いることもできる。非磁性中間層
１５の厚さは、磁性層１４における磁性粒子の粗大化を
防ぐため、２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以下）と
するのが好ましい。本実施形態の磁気記録媒体では、非
磁性中間層１５を設けることによって、磁性層１４の配
向性を高め、熱揺らぎ耐性をさらに向上させることがで
きる。

【００８２】非磁性中間層１５は、図１〜図３に示す配
向調整層２、非磁性下地層３、磁性層４と同様に、柱状
微結晶粒が半径方向または円周方向に傾いた結晶構造を
有する構成とすることもできる。柱状微結晶粒の傾斜角
度は、配向調整層２、非磁性下地層３、磁性層４の柱状
微結晶粒と同様とすることができる。柱状微結晶粒が半
径方向または円周方向に傾いた結晶構造を有する非磁性
中間層１５を形成するには、配向調整層２、非磁性下地
層３、磁性層４を形成する方法と同様の方法を採用する
ことができる。これによって、磁性層１４の磁気異方性
をさらに高め、熱揺らぎ耐性を向上させることができ
る。

【００８３】図１１は、本発明の磁気記録媒体の第５の
実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、
配向調整層２と非磁性下地層３との間に、第２下地層１
６が設けられている。この第２下地層１６には、Ｃｒま
たはＣｒ合金を用いることができる。この磁気記録媒体
では、非磁性下地層３および磁性層１４における結晶配
向性を向上させ、磁性層１４における磁気異方性をさら
に高めることができる。

【００８４】第２下地層１６は、図１〜図３に示す配向
調整層２、非磁性下地層３、磁性層４と同様に、柱状微
結晶粒が半径方向または円周方向に傾いた結晶構造を有
する構成とすることもできる。柱状微結晶粒の傾斜角度
は、配向調整層２、非磁性下地層３、磁性層４の柱状微
結晶粒と同様とすることができる。柱状微結晶粒が半径
方向または円周方向に傾いた結晶構造を有する第２下地
層１６を形成するには、配向調整層２、非磁性下地層
３、磁性層４を形成する方法と同様の方法を採用するこ
とができる。これによって、磁性層１４の磁気異方性を
さらに高め、熱揺らぎ耐性を向上させることができる。

【００８５】図１２は、本発明の磁気記録媒体の第６の
実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体では、
非磁性基板１と配向調整層２との間に、配向性向上層１
７が設けられている。配向性向上層１７は、配向調整層
２の配向性を調整するとともに、配向調整層２の基板側
からの剥離を防ぐためのもので、材料としては、例えば
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉのうち１
種以上を主成分とする合金を使用することができ、なか
でも特に、ＣｒＭｏ系、ＣｒＴｉ系、ＣｒＶ系、ＣｒＷ
系などの合金や、Ｃｒの使用が好適である。またＢ２構
造またはアモルファス構造を有する材料を用いることも
できる。Ｂ２構造を有する材料としては、ＮｉＡｌ系
（Ｎｉ５０Ａｌなど）、ＣｏＡｌ系（Ｃｏ５０Ａｌな
ど）、ＦｅＡｌ系（Ｆｅ５０Ａｌ）などの合金を挙げる
ことができる。アモルファス構造を有する材料として
は、ＣｕＺｒ系、ＴｉＣｕ系、ＮｂＮｉ系、ＮｉＰ系な
どの合金を用いることができる。配向性向上層１７の材
料の好ましい具体例としては、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、Ｃ
ｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣｒＣの
うちいずれかを主成分とするものを挙げることができ
る。配向性向上層１７の厚さは、２００ｎｍ以下、例え
ば５〜２００ｎｍとするのが好ましい。この厚さが２０
０ｎｍを越えると磁性層１４の磁気異方性を高める効果
が低下する。

【００８６】本実施形態の磁気記録媒体では、配向性向
上層１７を設けることによって、配向調整層２の初期成
長時の配向性の乱れを防ぎ、非磁性下地層３および磁性
層１４の結晶配向性を向上させ、磁性層１４の磁気異方
性をさらに高めることができる。従って、熱揺らぎ耐性
をさらに高めることができる。また非磁性基板１から配
向調整層２が剥離するのを防ぐことができる。

【００８７】また、本発明では、以下に例示するよう
に、配向調整層を複数設けることもできる。図１３は、
本発明の磁気記録媒体の第７の実施形態を示すもので、
ここに示す磁気記録媒体は、配向調整層２に代えて、第
１および第２の配向調整層２ｃ、２ｄが設けられている
点で図８に示す磁気記録媒体と異なる。配向調整層２
ｃ、２ｄに用いる材料やこれらの厚さは、図１に示す磁
気記録媒体の配向調整層２と同様とすることができる。
なお配向調整層の数は３以上とすることもできる。

【００８８】また本発明の磁気記録媒体では、以下に例
示するように、非磁性下地層を設けず、配向調整層上に
直接、磁性層を形成した構成とすることもできる。図１
４は、本発明の磁気記録媒体の第８の実施形態を示すも
ので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性下地層３が形
成されていない点で図８に示す磁気記録媒体と異なる。
この磁気記録媒体では、磁性層１４の結晶配向性を向上
させ、磁性層１４における周方向の磁気異方性を高め、
熱揺らぎ耐性の向上を図ることができる。また本発明で
は、磁性層を、単一材料からなる単層構造とすることも
できる。この場合、磁性層には上記磁性膜４ａ、４ｂに
用いることができる材料が使用可能である。

【００８９】図１５は、上記磁気記録媒体を用いた磁気
記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記
録再生装置は、上記構成の磁気記録媒体７と、磁気記録
媒体７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録媒体
７に情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆動部
１０と、記録再生信号処理系１１とを備えている。記録
再生信号処理系１１は、入力されたデータを処理して記
録信号を磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９からの
再生信号を処理してデータを出力することができるよう
になっている。

【００９０】この磁気記録再生装置にあっては、磁気記
録媒体の磁気異方性を高めることができるため、熱揺ら
ぎ耐性の向上を図り、熱揺らぎ現象に起因するデータ消
失などのトラブルを未然に防ぐことができる。またエラ
ーレート、ノイズ特性などの磁気特性を向上させるとと
もに、優れたグライドハイト特性を得ることができる。
従って、高記録密度化を図ることができる。

【００９１】図１６は、本発明の磁気記録媒体の製造装
置の他の実施形態を示すもので、ここに示すスパッタ装
置５１は、成膜粒子の放出源であるスパッタリングター
ゲット５２が環状に形成され、遮蔽板５３が、環状の外
側遮蔽板５３ａと、外側遮蔽板５３ａの開口部内に配設
された円板状の内側遮蔽板５３ｂとから構成されている
点でスパッタ装置２１と異なる。

【００９２】遮蔽板５３は、内側遮蔽板５３ｂの外径が
外側遮蔽板５３ａの内径よりも小さくなるように形成さ
れ、外側遮蔽板５３ａの内周縁と内側遮蔽板５３ｂの外
周縁との間に、成膜粒子が通過する成膜粒子通過スリッ
ト５４が形成されている。外側遮蔽板５３ａの内径と内
側遮蔽板５３ｂの外径は、放出された成膜粒子が非磁性
基板１に付着する際に、成膜粒子が非磁性基板１に対し
傾いて入射するように（好ましくは入射角度α’が１０
〜７５°となるように）設定されている。

【００９３】このスパッタ装置５１を用いて配向調整層
２を形成する際には、スパッタリングターゲット５２か
ら放出されて成膜粒子通過スリット５４を通過した成膜
粒子が、非磁性基板１に対する入射角度α’が好ましく
は１０〜７５°となるように非磁性基板１の表面１ａに
付着する。これによって、半径方向に傾いた柱状微結晶
粒２ａを有する配向調整層２を形成することができる。
また、このスパッタ装置５１を用いて、半径方向に傾い
た柱状微結晶粒３ａを有する非磁性下地層３を形成する
こともできる。

【００９４】また本発明では、配向調整層を形成する方
法として、スパッタ法のほかに、真空蒸着法、ガス中ス
パッタ法、ガスフロースパッタ法、イオンビーム法など
の物理蒸着法を用いることができる。また上記実施形態
では、磁気異方性の指標として、磁性層全体の保磁力Ｈ
ｃに関して、周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈ
ｃｒとの比Ｈｃｃ／Ｈｃｒを用いたが、本発明はこれに
限らず、磁性層を構成する各磁性膜の保磁力（例えば第
２磁性膜１４ｂの保磁力Ｈｃ2）に関して、周方向の保
磁力と径方向の保磁力との比を磁気異方性の指標として
用いることもできる。

【００９５】

【実施例】以下、具体例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。（試験例１）ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ
社製３０１０）を用いたスパッタ法によって、非磁性基
板（アモルファスガラス、直径６５ｍｍ、厚さ０．６３
５ｍｍ）上に、５０Ｎｉ５０Ａｌ（５０ａｔ％Ｎｉ−５
０ａｔ％Ａｌ）からなる配向性向上層、９４Ｃｒ６Ｍｏ
（９４ａｔ％Ｃｒ−６ａｔ％Ｍｏ）からなる非磁性下地
層（厚さ１０ｎｍ）、６０Ｃｏ４０Ｃｒ（６０ａｔ％Ｃ
ｏ−４０ａｔ％Ｃｒ）からなる非磁性中間層（厚さ２ｎ
ｍ）、６４Ｃｏ２２Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂ（６４ａｔ％Ｃｏ
−２２ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｂ）から
なる磁性層（厚さ１８ｎｍ）、カーボンからなる保護層
（厚さ６ｎｍ）を形成した。次いで、ディッピング法に
よりパーフルオロエーテルからなる潤滑層を形成した。
成膜の際には、スパッタ装置のチャンバ内を真空到達度
２×１０^-6Ｐａとなるまで減圧した。また非磁性基板１
は２００℃に加熱した。スパッタガスとしてはアルゴン
を用いた。

【００９６】（試験例２）磁性層を、６４Ｃｏ２２Ｃｒ
１０Ｐｔ４Ｂからなる第１磁性膜（厚さ１８ｎｍ）と、
８４Ｃｏ１２Ｃｒ４Ｔａからなる第２および第３磁性膜
（厚さ２．５ｎｍ）と、これら磁性膜間に設けられたＲ
ｕからなる第１および第２中間膜（厚さ０．８ｎｍ）と
を有する構造として磁気記録媒体を作製した。その他の
条件は試験例１に準じた。

【００９７】（試験例３）ＮｉＡｌからなる配向性向上
層を設けず、非磁性基板と非磁性下地層との間にＣｒか
らなる第２下地層（厚さ１０ｎｍ）を設けて磁気記録媒
体を作製した。その他の条件は試験例１に準じた。

【００９８】（試験例４）７０Ｃｒ３０Ｎｂからなる配
向調整層（厚さ２０ｎｍ）を形成して磁気記録媒体を作
製した。配向調整層を形成する際には、スパッタ装置２
１を用い、成膜粒子の軌道２６の非磁性基板１への投影
線２７が、ほぼ非磁性基板１の径方向に沿い、かつ非磁
性基板１に対する入射角度が１０〜７５°となるように
成膜粒子の方向を設定した。また配向調整層の形成にあ
たっては、スパッタガスとして、２５ｖｏｌ％の窒素を
アルゴンに添加した混合ガスを用いた。その他の条件は
試験例３に準じた。

【００９９】（試験例５〜７）図１１に示す磁気記録媒
体を次のようにして作製した。ＤＣマグネトロンスパッ
タ装置（アネルバ社製３０１０）を用いたスパッタ法に
よって、非磁性基板１（アモルファスガラス、直径６５
ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）上に、７０Ｃｒ３０Ｎｂか
らなる配向調整層２（厚さ２０ｎｍ）、Ｃｒからなる第
２下地層１６（厚さ１０ｎｍ）、９４Ｃｒ６Ｍｏからな
る非磁性下地層３（厚さ１０ｎｍ）、６０Ｃｏ４０Ｃｒ
からなる非磁性中間層１５（厚さ２ｎｍ）、磁性層１
４、カーボンからなる保護層５（厚さ６ｎｍ）を形成し
た。次いで、ディッピング法によりパーフルオロエーテ
ルからなる潤滑層６を形成した。磁性層１４は、第１な
いし第３磁性膜１４ａ、１４ｂ、１４ｃ（厚さはそれぞ
れ１８ｎｍ、２．５ｎｍ、２．５ｎｍ）と、これら磁性
膜間に設けられた第１および第２中間膜１４ｄ、１４ｅ
（厚さ０．８ｎｍ）とを有する構造とした。第１磁性膜
１４ａには６４Ｃｏ２２Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂを用い、第２
および第３磁性膜１４ｂ、１４ｃには８４Ｃｏ１２Ｃｒ
４Ｔａを用い、中間膜１４ｄ、１４ｅにはＲｕを用い
た。配向調整層２を形成する際には、スパッタ装置２１
を用い、成膜粒子の軌道２６の非磁性基板１への投影線
２７が、ほぼ非磁性基板１の径方向に沿い、かつ非磁性
基板１に対する入射角度が１０〜７５°となるように成
膜粒子の方向を設定した。また配向調整層２の形成にあ
たっては、スパッタガスとして、２５ｖｏｌ％の窒素を
アルゴンに添加した混合ガスを用いた。その他の条件は
試験例４に準じた。

【０１００】（試験例８）磁性層４を、第１および第２
磁性膜４ａ、４ｂ（厚さはそれぞれ１８ｎｍ、２．５ｎ
ｍ）と、これらの間に介在する中間膜４ｃ（厚さ０．８
ｎｍ）とを有する構成として磁気記録媒体を作製した。
第１磁性膜４ａには６４Ｃｏ２２Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂを用
い、第２磁性膜４ｂには８４Ｃｏ１２Ｃｒ４Ｔａを用
い、中間膜４ｃにはＲｕを用いた。その他の条件は試験
例５〜７に準じた。

【０１０１】（試験例９〜１３）図１０に示す磁気記録
媒体を次のようにして作製した。非磁性基板１（結晶化
ガラス、直径６５ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）上に、７
０Ｃｒ３０Ｎｂからなる配向調整層２（厚さ２０ｎ
ｍ）、８５Ｃｒ１５Ｍｏからなる非磁性下地層３（厚さ
１０ｎｍ）、６０Ｃｏ４０Ｃｒからなる非磁性中間層１
５（厚さ２ｎｍ）、磁性層１４、カーボンからなる保護
層５（厚さ６ｎｍ）、潤滑層６を形成した。配向調整層
２を形成する際には、スパッタ装置２１を用い、成膜粒
子の軌道２６の非磁性基板１への投影線２７が、ほぼ非
磁性基板１の径方向に沿い、かつ非磁性基板１に対する
入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒子の方向を
設定した。また配向調整層２の形成にあたっては、スパ
ッタガスとして、２５ｖｏｌ％の窒素をアルゴンに添加
した混合ガスを用いた。その他の条件は試験例５〜７に
準じた。

【０１０２】試験例１〜１３の磁気記録媒体の静磁気特
性を、振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定
した。磁性層全体の周方向の保磁力Ｈｃｃと半径方向の
保磁力Ｈｃｒの比（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を測定し磁気異方
性の指標とした。また、試験例９〜１３については、履
歴曲線を作成し、これを用いて第２磁性膜１４ｂの保磁
力Ｈｃ2および反強磁性結合磁界Ｈbias2を求めた。また
電磁変換特性を、Ｇｕｚｉｋ社製リードライトアナライ
ザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１Ｍ
Ｐを用いて測定した。電磁変換特性の評価には、再生部
に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気
記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度６００ｋＦＣ
Ｉとして測定を行った。熱揺らぎ耐性（熱減磁）につい
ては、スピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用い、７０℃に
おいて記録密度３００ｋＦＣＩでの出力減少を測定し
た。またＸ線回折測定装置を用いて、θ／２θ法により
磁気記録媒体の非磁性下地層と磁性層の支配的な結晶配
向面を特定した。製造条件および試験結果を表１ないし
表４に示す。

【０１０３】（試験例１４）非磁性基板１上に、ＮｉＡ
ｌからなる配向性向上層１７、９４Ｃｒ６Ｍｏからなる
非磁性下地層３、６０Ｃｏ４０Ｃｒからなる非磁性中間
層１５、磁性層１４、カーボンからなる保護層５、潤滑
層６を形成して磁気記録媒体を作製した。その他の条件
は試験例９〜１３に準じた。

【０１０４】（試験例１５）ＮｉＰからなる配向性向上
層１７を設け、この配向性向上層１７表面に周方向に沿
うテクスチャ加工を施し、その上にＣｒからなる第２下
地層１６、６０Ｃｏ４０Ｃｒからなる非磁性中間層１
５、磁性層１４、カーボンからなる保護層５、潤滑層６
を形成して磁気記録媒体を作製した。その他の条件は試
験例１４に準じた。

【０１０５】（試験例１６）図１２に示す磁気記録媒体
を次のようにして作製した。非磁性基板１上にＣｏ３０
Ｃｒ１０Ｚｒからなる配向性向上層１７を設け、その上
にＣｒ２５Ｖからなる配向調整層２、Ｃｒからなる第２
下地層１６、９４Ｃｒ６Ｍｏからなる非磁性下地層３、
６０Ｃｏ４０Ｃｒからなる非磁性中間層１５、磁性層１
４、カーボンからなる保護層５、潤滑層６を形成して磁
気記録媒体を作製した。配向調整層２を形成する際に
は、スパッタ装置２１を用い、成膜粒子の軌道２６の非
磁性基板１への投影線２７が、ほぼ非磁性基板１の径方
向に沿い、かつ非磁性基板１に対する入射角度が１０〜
７５°となるように成膜粒子の方向を設定した。また配
向調整層２の形成にあたっては、スパッタガスとして、
２５ｖｏｌ％の窒素をアルゴンに添加した混合ガスを用
いた。その他の条件は試験例１４に準じた。

【０１０６】（試験例１７）基板１としてアルミニウム
合金基板表面にＮｉＰメッキ層を形成したもの（ＮｉＰ
アルミ基板）を用い、この基板１上にＣｒからなる第２
下地層１６、９４Ｃｒ６Ｍｏからなる非磁性下地層３、
６０Ｃｏ４０Ｃｒからなる非磁性中間層１５、磁性層１
４、カーボンからなる保護層５、潤滑層６を形成して磁
気記録媒体を作製した。その他の条件は試験例１４に準
じた。

【０１０７】（試験例１８）基板１表面に周方向に沿う
テクスチャ加工を施すこと以外は試験例１７と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。

【０１０８】（試験例１９）基板１としてアルミニウム
からなるものを用いること以外は試験例１６と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。

【０１０９】（試験例２０）磁性層を、６４Ｃｏ２２Ｃ
ｒ１０Ｐｔ４Ｂからなるもの（厚さ１８ｎｍ）とするこ
と以外は試験例１８と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。

【０１１０】試験例１４〜２０の磁気記録媒体の静磁気
特性を、振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測
定した。また磁性層全体の周方向の保磁力Ｈｃｃと半径
方向の保磁力Ｈｃｒの比（Ｈｃｃ／Ｈｃｒ）を測定し磁
気異方性の指標とした。また電磁変換特性を、Ｇｕｚｉ
ｋ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、および
スピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。電磁
変換特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）
素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用い、記録条
件を線記録密度６００ｋＦＣＩとして測定を行った。こ
の際、１記録トラックを５１２セクターに分割し、これ
らを１２８セクターごとに４つの領域に分け、領域ごと
に電磁変換特性を評価し、記録トラック内での再生出力
信号（LFTAA）およびＳＮＲのばらつきを調べた。電磁
変換特性の評価は、半径２０ｍｍの位置および半径３０
ｍｍの位置において行った。製造条件および試験結果を
表５および表６に示す。

【０１１１】（試験例２１）非磁性基板１（結晶化ガラ
ス、直径６５ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）上に、４５Ｎ
ｉ５５Ｎｂからなる配向調整層２（厚さ２０ｎｍ）、Ｃ
ｒからなる第２下地層１６（厚さ１０ｎｍ）、８０Ｃｒ
２０Ｖからなる非磁性下地層３（厚さ１０ｎｍ）、６０
Ｃｏ４０Ｃｒからなる非磁性中間層１５（厚さ２ｎ
ｍ）、６６Ｃｏ２１Ｃｒ９Ｐｔ４Ｂからなる磁性層（厚
さ１７ｎｍ）、カーボンからなる保護層５（厚さ６ｎ
ｍ）、潤滑層６を形成して磁気記録媒体を作製した。配
向調整層２を形成する際には、スパッタ装置２１を用
い、成膜粒子の軌道２６の非磁性基板１への投影線２７
が、ほぼ非磁性基板１の径方向に沿い、かつ非磁性基板
１に対する入射角度が１０〜７５°となるように成膜粒
子の方向を設定した。また配向調整層２の形成にあたっ
ては、スパッタガスとして、１５ｖｏｌ％の窒素をアル
ゴンに添加した混合ガスを用いた。

【０１１２】（試験例２２〜２７）８３Ｃｏ１４Ｃｒ３
Ｔａからなる下層側磁性膜（厚さ２ｎｍ）と、Ｒｕから
なる中間膜（厚さ０．８ｎｍ）とからなる積層構造を１
〜６回積層し、その上に６６Ｃｏ２１Ｃｒ９Ｐｔ４Ｂか
らなる最上層側磁性膜（厚さ１７ｎｍ）を設けた構成の
磁性層を用いること以外は試験例２１と同様にして磁気
記録媒体を作製した。

【０１１３】（試験例２８〜３６）図１１に示す磁気記
録媒体を次のようにして作製した。配向調整層２を、表
７に示す材料からなるものとし、非磁性下地層３を９４
Ｃｒ６Ｍｏからなるものとして磁気記録媒体を作製し
た。磁性層は、８３Ｃｏ１４Ｃｒ３Ｔａからなる磁性膜
（第２および第３磁性膜１４ｂ、１４ｃ）と、表７に示
す材料からなる中間膜（中間膜１４ｄ、１４ｅ）とから
なる積層構造を２回積層し、その上に６６Ｃｏ２１Ｃｒ
９Ｐｔ４Ｂからなる磁性膜（第１磁性膜１４ａ）（厚さ
１７ｎｍ）を設けた構成とした。その他の条件は試験例
２１に準じた。

【０１１４】（試験例３７〜５８）配向性向上層１７、
配向調整層２の材料および厚さを表８に示すとおりと
し、配向調整層２の表面に、表８に記載の方法により酸
化または窒化処理を施して磁気記録媒体を作製した。非
磁性下地層３は、８０Ｃｒ２０Ｗからなるもの（厚さ５
ｎｍ）とし、非磁性中間層１５は６３Ｃｏ３７Ｃｒから
なるもの（厚さ２ｎｍ）とした。磁性層は、７３Ｃｏ１
８Ｃｒ６Ｐｔ３Ｔａからなる第３磁性膜１４ｃ（厚さ２
ｎｍ）、Ｒｕからなる第２中間膜１４ｅ（厚さ０．８ｎ
ｍ）、８４Ｃｏ１２Ｃｒ４Ｔａからなる第２磁性膜１４
ｂ（厚さ２．５ｎｍ）、Ｒｕからなる第１中間膜１４ｄ
（厚さ０．８ｎｍ）、６４Ｃｏ２２Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂか
らなる第１磁性膜１４ａ（厚さ１８ｎｍ）を順次積層し
た構成とした。その他の条件は試験例２１に準じた。な
お、表中、酸化・窒化処理欄には、酸化処理または窒化
処理の方法を示した。例えば、２０ｖｏｌ％Ｎ₂／Ａｒ
は、スパッタガスとして、窒素含有率が２０ｖｏｌ％で
あり残部がＡｒであるものを用いたことを示し、Ｏ₂ガ
ス曝露とは、配向調整層２を酸素ガス（純酸素）にさら
す処理を行ったことを示す。試験例２１〜５８の磁気記
録媒体の静磁気特性および電磁変換特性を測定した。製
造条件および試験結果を表７および表８に示す。

【０１１５】上記試験例１〜５８では、磁性層の磁性膜
を形成する際に、成膜粒子の入射方向を円周方向に設定
した。すなわち成膜粒子付着点３５における径方向４１
に対し垂直な面４２への成膜粒子軌道３６の投影線３７
が非磁性基板１に対し傾き、かつ入射角度βが１０〜７
５°となるように成膜粒子の方向を設定した。

【０１１６】（試験例５９〜８０）基板１としてＮｉＰ
アルミ基板またはガラス基板を用い、表９および表１０
に示す構成の磁気記録媒体を作製した。その他の条件は
試験例２１に準じた。試験例５９〜８０の磁気記録媒体
の静磁気特性および電磁変換特性を測定した。製造条件
および試験結果を表９および表１０に示す。

【０１１７】上記各試験例の磁気記録媒体において、成
膜の際に、成膜粒子の入射方向を半径方向に設定したも
のについて、断面をＴＥＭにより観察した結果、柱状微
結晶粒が半径方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有す
るものとなったことが明らかになった。また成膜の際
に、成膜粒子の入射方向を円周方向に設定したものにつ
いて、断面をＴＥＭにより観察した結果、柱状微結晶粒
が円周方向に１０〜７５°傾いた結晶構造を有するもの
となったことが明らかになった。

【０１１８】

【表１】

【０１１９】

【表２】

【０１２０】

【表３】

【０１２１】

【表４】

【０１２２】

【表５】

【０１２３】

【表６】

【０１２４】

【表７】

【０１２５】

【表８】

【０１２６】

【表９】

【０１２７】

【表１０】

【０１２８】表１および表２より、配向調整層を設け
ず、ＡＦＣ構造も採用しない試験例１に比べ、配向調整
層２により磁性層に磁気異方性を付与した試験例４、お
よびＡＦＣ構造を採用した試験例２では、熱揺らぎ耐性
を高めることができたものの、配向調整層２とＡＦＣ構
造とを採用した試験例５〜８では、これら試験例２、４
に比べ、顕著な熱揺らぎ耐性向上効果が得られたことが
わかる。なかでも特に、３つの磁性膜と２つの中間膜か
らなる磁性層を有する試験例５〜７では、優れた熱揺ら
ぎ耐性が得られたことがわかる。また、中間膜４ｄ、４
ｅの厚さを０．８ｎｍとした試験例５では、この厚さを
０．５ｎｍまたは１．４ｎｍとした試験例６、７に比
べ、熱揺らぎ耐性に優れたものとなったことがわかる。
表３および表４より、第２磁性膜１４ｂの反強磁性結合
磁界Ｈbias2が保磁力Ｈｃ2よりも大きい試験例９〜１２
では、Ｈbias2がＨｃ2以下である試験例１３に比べ、ノ
イズ特性およびＰＷ５０について優れた結果が得られた
ことがわかる。表５および表６より、テクスチャ加工を
行う試験例１５、１８、２０では、磁気異方性を高める
ことができるものの、磁気特性の周方向のばらつきが大
きいことがわかる。このばらつきは、ＮｉＰ膜（配向性
向上層）の表面凹凸により中間膜の厚さが不均一となる
ことにより磁性膜間の反強磁性結合が局部的に不十分と
なることに起因すると考えることができる。またテクス
チャ加工を行わない試験例１４、１７では、磁気異方性
が低く、出力、ノイズ特性の点で劣ることがわかる。こ
れに対し、配向調整層２を設ける試験例１６、１９で
は、テクスチャ加工を行わないにも拘わらず、磁気異方
性を高めることができ、出力、ノイズ特性とも優れた値
が得られ、しかも磁気特性の周方向のばらつきを抑える
ことができたことがわかる。表７に示すように、試験例
２２〜２７より、積層構造数を多くすることによって、
優れた熱揺らぎ耐性を得ることができたことがわかる。
また試験例２８〜３６より、中間膜の材料として、Ｒｕ
のほかに、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｖを
用いる場合にも、熱揺らぎ耐性向上効果を得ることがで
きたことがわかる。表８に示すように、試験例３７〜４
３より、配向調整層２の材料として、各種Ｃｒ合金（Ｃ
ｒＴｉ、ＣｒＭｏなど）を用いた場合にも熱揺らぎ耐性
向上効果を得ることができたことがわかる。また試験例
４４〜５１より、配向調整層２の材料として、Ｖなどの
単体元素を用いた場合にも熱揺らぎ耐性向上効果を得る
ことができたことがわかる。また試験例５２〜５７よ
り、、配向調整層２の材料として、ＢｅＮｂなどのＮｂ
合金や、ＶＴａなどのＴａ合金を用いた場合にも熱揺ら
ぎ耐性向上効果を得ることができたことがわかる。また
配向調整層２に酸化・窒化処理を施すことによって、熱
揺らぎ耐性などの磁気特性を高めることができたことが
わかる。また配向性向上層１７を設けることによって、
磁気異方性が高められ、優れた熱揺らぎ耐性を得ること
ができたことがわかる。表９および表１０より、磁性層
が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を有する
構成によって、優れた熱揺らぎ耐性向上効果を得ること
ができたことがわかる。

【０１２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、磁性層が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結
晶構造を有するので、磁性層における周方向の磁気異方
性を高め、熱揺らぎ耐性の向上を図ることができる。さ
らには、磁性層が、複数の磁性膜を有し、これらの間に
反強磁性結合が形成された構造を有する構成によって、
磁性膜間の反強磁性結合により、最も保磁力の高い主磁
性膜以外の磁性膜の磁化について、見かけ上磁化のない
状態、または主磁性膜の磁化が、これ以外の磁性膜の磁
化に相当する磁化の分、見かけ上小さくなった状態が得
られる。このため、ノイズ特性や分解能に悪影響を及ぼ
すことなく、磁性粒子の体積を十分に大きくすることが
でき、熱安定化を図り、熱揺らぎ耐性をさらに向上させ
ることができる。一般に、２つの磁性膜間の反強磁性結
合の強度は、磁性膜間に設けられた中間膜の厚さに大き
な影響を受けるため、磁性層の下に形成される膜の表面
凹凸が大きいと、中間膜の厚さが不均一となり、局部的
に反強磁性結合強度が低下し、熱揺らぎ耐性が不十分と
なりやすい。これに対し、本発明の磁気記録媒体では、
柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を採用するこ
とにより、磁性層における周方向の磁気異方性を高める
ことができることから、製造に際してテクスチャ加工が
不要となるため、配向調整層の表面平滑性を高くするこ
とができる。従って、配向調整層の表面凹凸により中間
膜の厚さが不均一となるのを防ぎ、反強磁性結合強度を
高め、十分な熱揺らぎ耐性向上効果を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の磁気記録媒体の第１の実施
形態を示す一部断面図である。（ｂ）（ａ）に示す磁気
記録媒体の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基
づいて作成した要部拡大図である。

【図２】図１に示す磁気記録媒体の断面の透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡大図
である。

【図３】図１に示す磁気記録媒体の断面の透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）写真に基づいて作成した要部拡大図
である。

【図４】本発明の磁気記録媒体の製造装置の一実施
形態を示す概略構成図である。

【図５】図４に示す製造装置を用いて磁気記録媒体
を製造する方法を説明する説明図である。

【図６】本発明の磁気記録媒体の製造装置の他の実
施形態を示す概略構成図である。

【図７】図６に示す製造装置を用いて磁気記録媒体
を製造する方法を説明する説明図である。

【図８】本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を
示す一部断面図である。

【図９】図８に示す磁気記録媒体の履歴曲線を示す
グラフである。

【図１０】本発明の磁気記録媒体の第４の実施形態
を示す一部断面図である。

【図１１】本発明の磁気記録媒体の第５の実施形態
を示す一部断面図である。

【図１２】本発明の磁気記録媒体の第６の実施形態
を示す一部断面図である。

【図１３】本発明の磁気記録媒体の第７の実施形態
を示す一部断面図である。

【図１４】本発明の磁気記録媒体の第８の実施形態
を示す一部断面図である。

【図１５】本発明の磁気記録再生装置の一実施形態
を示す一部断面図である。

【図１６】本発明の磁気記録媒体の製造装置の他の
実施形態を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１・・・非磁性基板、１ａ・・・非磁性基板表面（被付着
面）、２、２ｃ、２ｄ・・・配向調整層、２ａ、３ａ、４
ｄ、４ｅ、４ｆ・・・柱状微結晶粒、３・・・非磁性下地層、
３ｃ・・・非磁性下地層表面（被付着面）、４、１４・・・磁
性層、４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ・・・磁性
膜、４ｃ、１４ｄ、１４ｅ・・・中間膜、７・・・磁気記録媒
体、９・・・磁気ヘッド、１４ａ・・・第１磁性膜（主磁性
膜）、２２、３２・・・スパッタリングターゲット（放出
源）、２３、３３・・・遮蔽板（方向設定手段）、２６、
３６・・・成膜粒子の軌道、２７、３７・・・投影線、３５・・
・成膜粒子付着点、４１・・・成膜粒子付着点における径方
向、４２・・・成膜粒子付着点における径方向に対し垂直
な面、α、α'、β・・・入射角度、α１、α２、α３・・・
柱状微結晶粒の傾斜角度

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D006 BB01 BB02 BB03 BB07 BB08 BB09 CA01 CA04 CA05 CA06 CB04 CB07 EA03 5D112 AA02 AA03 AA05 AA06 BA05 BB05 BD03 FA04 FB21 GA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板と、その上に形成された非
磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成とする磁気
記録媒体において、非磁性下地層が、ｂｃｃ構造を有し、非磁性基板と非磁性下地層との間に、非磁性下地層を
（２００）に優先的に配向させる配向調整層が形成さ
れ、磁性層が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を
有し、磁性層の周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒ
との比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされていること
を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】非磁性下地層が、柱状微結晶粒が半径
方向に傾いた結晶構造を有することを特徴とする請求項
１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】磁性層が、複数の磁性膜を有し、これ
ら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優先
的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が形
成可能とされていることを特徴とする請求項１または２
記載の磁気記録媒体。
【請求項４】配向調整層が、柱状微結晶粒が半径方
向に傾いた結晶構造を有することを特徴とする請求項１
〜３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項５】磁性層は、隣り合う磁性膜の磁気モー
メント方向が互いに正対する積層フェリ構造を有するこ
とを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の
磁気記録媒体。
【請求項６】磁性層は、複数の磁性膜と、これらの
間に介在する中間膜とを有する構造とされていることを
特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の磁気
記録媒体。
【請求項７】磁性層は、磁性膜と、これに隣接する
中間膜とからなる積層構造を２つ以上有することを特徴
とする請求項１〜６のうちいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
【請求項８】複数の磁性膜のうち最も保磁力が大き
い主磁性膜に対し隣接する磁性膜の反強磁性結合磁界
が、この磁性膜の保磁力よりも大きいことを特徴とする
請求項１〜７のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項９】中間膜は、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｈ、
Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖのうち少なくとも１種を主
成分とする材料からなるものであることを特徴とする請
求項６項記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】配向調整層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｔａのうち１種または２種以上からなるもので
あることを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか１項
記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】配向調整層は、Ｃｒを主成分とする
合金からなるものであることを特徴とする請求項１〜９
のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】配向調整層は、Ｔａを含む合金Ｘ₁Ｔ
ａ（Ｘ₁はＢｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｖ、
Ｚｎ、Ｚｒのうち１種または２種以上）を主成分とする
ものであり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造
を有することを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか
１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】配向調整層は、Ｎｂを含む合金Ｘ₂Ｎ
ｂ（Ｘ₂はＢｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｖ、
Ｚｎ、Ｚｒのうち１種または２種以上）を主成分とする
ものであり、かつＦｄ３ｍ構造またはアモルファス構造
を有することを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか
１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】配向調整層は、ＣｏＴａまたはＣｏ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造または
アモルファス構造を有することを特徴とする請求項１〜
９のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】配向調整層は、ＣｒＴａまたはＣｒ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が１５〜７５ａｔ％であることを特徴とする請求項１
〜９のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】配向調整層は、ＮｉＴａまたはＮｉ
Ｎｂを主成分とするものであり、ＴａまたはＮｂの含有
量が３０〜７５ａｔ％であり、かつＦｄ３ｍ構造または
アモルファス構造を有することを特徴とする請求項１〜
９のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】配向調整層は、Ｆｄ３ｍ構造を有す
る非磁性金属からなるものであることを特徴とする請求
項１〜９のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】配向調整層は、Ｃ１５構造を有する
非磁性金属からなるものであることを特徴とする請求項
１〜９のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１９】非磁性基板と配向調整層との間に、
配向性向上層が形成されていることを特徴とする請求項
１〜１８のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項２０】配向性向上層は、Ｂ２構造またはア
モルファス構造を有する材料からなるものであることを
特徴とする請求項１９記載の磁気記録媒体。
【請求項２１】配向性向上層は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡ
ｌ、ＣｏＡｌ、ＣｏＺｒ、ＣｏＣｒＺｒ、およびＣｏＣ
ｒＣのうちいずれかを主成分とするものであることを特
徴とする請求項１９記載の磁気記録媒体。
【請求項２２】配向調整層は、複数設けられている
ことを特徴とする請求項１〜２１のうちいずれか１項記
載の磁気記録媒体。
【請求項２３】非磁性基板と、その上に形成された
磁性層および保護層を基本構成とする磁気記録媒体にお
いて、非磁性基板と磁性層との間に、直上の層の結晶配向性を
調整する配向調整層が形成され、磁性層が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を
有し、磁性層の周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒ
との比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされていること
を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２４】磁性層が、複数の磁性膜を有し、こ
れら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が
形成可能とされていることを特徴とする請求項２３記載
の磁気記録媒体。
【請求項２５】配向調整層が、柱状微結晶粒が半径
方向に傾いた結晶構造を有することを特徴とする請求項
２３または２４記載の磁気記録媒体。
【請求項２６】非磁性基板と、その上に形成された
非磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成とする磁
気記録媒体において、非磁性基板と非磁性下地層との間に、直上の層の結晶配
向性を調整する配向調整層が形成され、非磁性下地層が、ｂｃｃ構造を有し、磁性層が、柱状微結晶粒が円周方向に傾いた結晶構造を
有し、配向調整層が、アモルファス構造のＮｉＰ合金からなる
ものであり、かつ非磁性下地層を（２００）に優先的に
配向させることができるようにされ、磁性層の周方向の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒ
との比Ｈｃｃ／Ｈｃｒが、１より大きくされていること
を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２７】非磁性下地層が、柱状微結晶粒が半
径方向に傾いた結晶構造を有することを特徴とする請求
項２６記載の磁気記録媒体。
【請求項２８】磁性層が、複数の磁性膜を有し、こ
れら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が
形成可能とされていることを特徴とする請求項２６また
は２７記載の磁気記録媒体。
【請求項２９】配向調整層は、窒素または酸素を１
ａｔ％以上含むことを特徴とする請求項１〜２８のうち
いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項３０】非磁性基板と、その上に形成された
非磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成とし、非
磁性下地層が、ｂｃｃ構造を有し、非磁性基板と非磁性
下地層との間に、非磁性下地層を（２００）に優先的に
配向させる配向調整層が形成された磁気記録媒体を製造
する方法であって、成膜粒子を放出源から放出させて被付着面に付着させる
ことにより磁性層を形成し、この際、成膜粒子付着点における径方向に対し垂直な面
への成膜粒子軌道の投影線が非磁性基板に対し傾くよう
に成膜粒子の方向を設定することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項３１】磁性層を、複数の磁性膜を有し、こ
れら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が
形成可能とされた構成とすることを特徴とする請求項３
０記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３２】成膜粒子を放出源から放出させて被
付着面に付着させることにより、非磁性下地層と配向調
整層のうち少なくともいずれか一方を形成し、この際、
成膜粒子軌道の被付着面への投影線がほぼ非磁性基板の
径方向に沿い、かつ非磁性基板に対し傾いて入射するよ
うに成膜粒子の方向を設定することを特徴とする請求項
３０または３１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３３】配向調整層に、酸化処理または窒化
処理を施すことを特徴とする請求項３０〜３２のうちい
ずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３４】配向調整層を形成するにあたって、
成膜粒子の放出源としてスパッタリングターゲットを用
いるスパッタ法を採用することを特徴とする請求項３０
〜３３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項３５】配向調整層を形成するに際し、酸素
または窒素を含むスパッタガスを用いることによって酸
化処理または窒化処理を行うことを特徴とする請求項３
４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３６】酸化処理または窒化処理を、配向調
整層の表面を酸素含有ガスまたは窒素含有ガスに接触さ
せることにより行うことを特徴とする請求項３３記載の
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３７】非磁性基板と、その上に形成された
非磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成とし、非
磁性下地層が、ｂｃｃ構造を有し、非磁性基板と非磁性
下地層との間に、非磁性下地層を（２００）に優先的に
配向させる配向調整層が形成された磁気記録媒体を製造
する装置であって、成膜粒子を放出し被付着面に付着させることにより磁性
層を形成する放出源と、この放出源から放出された成膜
粒子の方向を定める方向設定手段とを備え、この方向設定手段は、成膜粒子付着点における径方向に
対し垂直な面への成膜粒子軌道の投影線が非磁性基板に
対し傾くように成膜粒子の方向を設定することができる
ようにされていることを特徴とする磁気記録媒体の製造
装置。
【請求項３８】磁気記録媒体と、この磁気記録媒体
に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、磁気記録媒体が、非磁性基板と、その上に形成された非
磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成とし、非磁
性下地層が、ｂｃｃ構造を有し、非磁性基板と非磁性下
地層との間に、非磁性下地層を（２００）に優先的に配
向させる配向調整層が形成され、磁性層が、柱状微結晶
粒が円周方向に傾いた結晶構造を有し、磁性層の周方向
の保磁力Ｈｃｃと径方向の保磁力Ｈｃｒとの比Ｈｃｃ／
Ｈｃｒが、１より大きくされていることを特徴とする磁
気記録再生装置。
【請求項３９】非磁性下地層が、柱状微結晶粒が半
径方向に傾いた結晶構造を有することを特徴とする請求
項３８記載の磁気記録再生装置。
【請求項４０】磁性層が、複数の磁性膜を有し、こ
れら磁性膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（１１０）に優
先的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が
形成可能とされていることを特徴とする請求項３８また
は３９記載の磁気記録再生装置。
【請求項４１】配向調整層が、柱状微結晶粒が半径
方向に傾いた結晶構造を有することを特徴とする請求項
３８〜４０のうちいずれか１項記載の磁気記録再生装
置。