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JP2002246300A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JP2002246300A
JP2002246300A JP2001044071A JP2001044071A JP2002246300A JP 2002246300 A JP2002246300 A JP 2002246300A JP 2001044071 A JP2001044071 A JP 2001044071A JP 2001044071 A JP2001044071 A JP 2001044071A JP 2002246300 A JP2002246300 A JP 2002246300A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
semiconductor
foreign matter
wafer
stage
Prior art date
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Granted
Application number
JP2001044071A
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English (en)
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JP4567216B2 (ja
Inventor
Takashi Fujimura
隆 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
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Publication of JP2002246300A publication Critical patent/JP2002246300A/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

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  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体の製造工程において半導体ウエハー表
面にパターニングを行う際に用いられる露光装置に関す
るものであり、半導体ウエハーの裏面に付着した異物に
起因するフォーカスずれによるパターン形成不良の発生
を有効に防止する事の出来る半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】 露光装置により露光する前に半導体ウエ
ハー裏面の異物を検出し、露光装置のステージの半導体
ウエハー支持部分を変形させ露光を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
において半導体ウエハー表面にパターニングを行う際に
用いられる露光装置に関するものであり、半導体ウエハ
ーの裏面に付着した異物に起因するフォーカスずれによ
るパターン形成不良の発生を有効に防止する露光装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハー上に特定のパターンを形
成する為には、半導体ウエハー表面にフォトレジストを
塗布し露光装置中のステージに搬送し、マスクパターン
をフォトレジストに転写する事により行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レジスト塗布の以前の
工程やレジスト塗布装置において半導体ウエハー裏面に
異物が付着した場合、露光装置のステージと半導体ウエ
ハーの間に異物が介在し、半導体ウエハー表面が盛り上
がり局部的なフォーカスずれを起こしてしまいレジスト
パターンのパターニング不良を引き起こしてしまう。
【０００４】本発明では、上記従来問題を解決するもの
で半導体ウエハー裏面に異物が付着していた場合、即座
にその異物を検出し、露光装置のステージに半導体ウエ
ハーが保持された時、異物の部分が盛り上がらない様に
ステージ状の半導体ウエハー支持部分を変形させる事に
より、フォーカスずれを防止し、ウエハー表面が平坦に
なる様にする。この事により、レジストパターン不良を
未然に防ぐ事の出来る露光装置を提供する事を目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成させる為に、半導体ウエハー裏面に異物が付着して
いた場合、即座にその異物を検出する事を特徴とする。
そして、半導体ウエハーに異物が検出された場合には、
露光装置のステージに半導体ウエハーが保持された時、
異物の部分が盛り上がらない様にステージ状の半導体ウ
エハー支持部分を変形させる事により、フォーカスずれ
を防止し、ウエハー表面が平坦になる様にする。この事
により，レジストパターン不良を未然に防ぐ事が可能と
なる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体ウエハーに露光
装置により露光される前に半導体ウエハー裏面に異物を
検出する機能を持たせたものであり、半導体ウエハーに
異物が検出された場合には、露光装置のステージに半導
体ウエハーが保持された時、異物の部分が盛り上がらな
い様にステージ状の半導体ウエハー支持部分を変形させ
る事により、フォーカスずれを防止し、レジストパター
ン不良を未然に防ぐ事が可能となる。
【０００７】図１を用いて本発明について説明する。
【０００８】図１は本発明の半導体製造装置の構成を示
した概略図である。フォトレジスト塗布装置１でレジス
ト塗布された半導体ウエハー２は、異物検査装置４によ
り半導体ウエハー裏面の異物が付着しているかどうかを
検査する。半導体ウエハー２裏面に異物３が検出された
時は、半導体露光機のステージ６の半導体ウエハー支持
部分を凹部７に変形させる事により露光時のフォーカス
ずれを防止し、レジストパターン不良を未然に防ぐ事が
可能となる。半導体露光機のステージ６は、複数のブロ
ック８に分かれており、半導体ウエハー２裏面の異物３
に対応する部分のブロックが下がる事により、異物部分
に合わせた凹部分７を形成させる。また、異物が検出さ
れた場合は、その半導体ウエハーの処理を中断し、必要
な処理を行えるようにしてもよい。また、半導体ウエハ
ー裏面異物検出装置は、露光装置あるいは、レジスト塗
布装置に持たせてもよい。
【０００９】
【発明の効果】本発明では、露光装置により露光する前
に半導体ウエハー裏面の異物を検出し、露光装置のステ
ージの半導体ウエハー支持部分を変形させる。この事に
より、フォーカスずれを防止する事により、レジストパ
ターン不良を未然に防ぎ、この結果、得られる半導体デ
バイスの歩留りや信頼性を向上させる事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造装置の構成の概略を示した
概念図。
【図２】従来の半導体製造装置の構成の概略を示した概
念図。
【符号の説明】
1 フォトレジスト塗布装置 2 半導体ウエハー 3 異物 4 異物検査装置 5 半導体ウエハー 6 半導体露光機ステージ 7 異物位置に合わせて凹部となった部分 8 上下に移動可能なウエハー支持ブロック

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フォトレジストが塗布された半導体ウエ
    ハーを露光する半導体製造装置において、前記半導体ウ
    エハーの裏面の異物を検出する機能を持つ事を特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記半導体ウエハーの裏面の異物が検出
    された時に異物の発生を警告する機能を有する事を特徴
    とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 【請求項３】 前記半導体ウエハーの裏面の異物に接触
    する部分に対する位置が凹部となる機能を具備するステ
    ージを有する事を特徴とする露光装置。
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