JP2002245677A - 水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 水素化ポリスチレン系樹脂基板を用いて接着
性の強固な貼り合わせ光記録媒体を提供する。 【解決手段】 水素化ポリスチレン系樹脂から主として
なる基板、記録層および接着層または保護層がその順に
積層された積層体（Ｌ）を少なくともその層構成の一部
に含む光記録媒体において、該接着層に下記式（Ｉ）で
定義される水素化ポリスチレン系樹脂の平均溶解度パラ
メータと接着層の平均溶解度パラメータとの乖離度
（Δ）が、９．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下であるカチオン系
紫外線硬化樹脂硬化層を用いることを特徴とする水素化
ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。 Δ＝｛（δｖ−δｖ’）²＋（δｈ−δｈ’）²｝^1/2 （Ｉ） ［ここで、δｖおよびδｖ’は、それぞれカチオン系紫
外線硬化樹脂硬化物および水素化ポリスチレン系樹脂の
ファン・デル・ワールス力に基づく平均溶解度パラメー
タであり、δｈおよびδｈ’は、それぞれカチオン系紫
外線硬化樹脂硬化物および水素化ポリスチレン系樹脂の
水素結合力に基づく平均溶解度パラメータである。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は密着性に優れた水素
化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体に関する。さ
らに詳しくは、水素化ポリスチレン系樹脂を基板材料に
用いて、接着層としてカチオン重合系紫外線硬化樹脂硬
化物を接着層または保護層に用いた密着性にすぐれた光
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光デイスク用基板に用いられるプラスチ
ックには、透明性の他に、光学等方性（低複屈折性）、
寸法安定性、耐熱性等の様々な特性が要求される。従来
これらの用途には、ポリカーボネートあるいはポリメタ
クリル酸メチルが主として用いられてきたが、ポリカー
ボネートは固有複屈折率が大きく、成形物に光学異方性
が生じやすいこと、またポリメタクリル酸メチルは、吸
水率が極めて高いため寸法安定性に乏しいこと、また耐
熱性も低いことが問題点となっていた。現在の光デイス
ク用基板にはポリカーボネートが専ら用いられている
が、近年、光磁気記録デイスク（ＭＯＤ）の大容量化、
あるいはデジタルビデオデイスク（ＤＶＤ）の開発、ブ
ルーレーザーの開発に代表される光記録の高記録密度化
に伴い、かかるポリカーボネートの複屈折の大きさ、吸
湿によるデイスクの反りの問題が懸念されるようになっ
てきている。

【０００３】かかる状況から、近年ポリカーボネートの
代替材料として非晶性ポリオレフインと呼ばれるポリオ
レフイン系樹脂の開発が盛んである。これらの一例とし
てポリスチレンの芳香族基を水素化し、ポリビニルシク
ロヘキサン構造とした水素化ポリスチレン樹脂が提案さ
れている（特公平７−１１４０３０号公報など）。水素
化ポリスチレン系樹脂は、嵩高いシクロヘキシル基を側
鎖に有するために、透明性、耐熱性、剛性が高く、また
屈折率異方性が小さく、吸水率が低いために寸法安定性
が高いなど、光デイスク基板材料としての優れた性質を
有する。しかしながら、水素化ポリスチレン系樹脂は極
性基を含まないため、接着性が悪いという大きな欠点を
有する。例えば、ＤＶＤは、記録層をコートした二枚の
デイスクを記録面側で張り合わせて、一体化する方法が
採られている。この場合、記録面はデイスクの大部分を
占有するために、接着層と接する部分は大部分が記録面
である。

【０００４】しかしながら、多くの場合、中心部（ハブ
の部分）ならびに周辺部分は記録層で覆われておらず、
それらの部分は直接に接着層と接する。一般に、金属あ
るいは合金からなる記録層は接着性が高いため、それほ
ど問題にならないが、水素化ポリスチレン系樹脂が剥き
出しになった中心部や周辺部は接着性が低いために大き
な問題となる。特に、中心部や周辺部は、外部から水分
が浸入しやすいために、剥離の引き金になりやすい。こ
のような背景から、水素化ポリスチレン系樹脂を基板材
料に用いた場合でも、媒体が剥離しにくい接着剤や保護
コートの開発が強く望まれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
背景に鑑み、水素化ポリスチレン系樹脂と密着性の高い
接着層を有する水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記
録媒体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、水素化ポ
リスチレン系樹脂の溶解度パラメータが低いことに着目
した。そして、接着層または保護層として用いられるカ
チオン重合系紫外線硬化樹脂硬化物の溶解度パラメータ
を、水素化ポリスチレン樹脂の溶解度パラメータに近づ
けるようにカチオン重合系紫外線硬化樹脂を配合すれ
ば、上記目的が達成されることを見出し、本発明に到達
した。すなわち、カチオン重合系紫外線硬化樹脂の溶解
度パラメータが水素化ポリスチレン系樹脂の溶解度パラ
メータから離れすぎると、カチオン重合系紫外線硬化樹
脂内の凝集力あるいは水素化ポリスチレン系樹脂内の凝
集力が、カチオン重合系紫外線硬化樹脂と水素化ポリス
チレン系樹脂間の接着力（相互作用）より上回るため
に、接着力が弱くなることを見出し、本発明に到達し
た。

【０００７】すなわち本発明は、１． 水素化ポリスチ
レン系樹脂から主としてなる基板と記録層、ならびに接
着層および／または保護層を有する積層体（Ｌ）を少な
くともその一部に含む光記録媒体において、該接着層お
よび保護層の少なくともいずれかに下記式（Ｉ）で定義
される水素化ポリスチレン系樹脂の平均溶解度パラメー
タと接着層の平均溶解度パラメータとの乖離度（Δ）
が、９．０J^1/2／ｃｍ^{3/ 2}であるカチオン系紫外線硬化
樹脂を用いる水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録
媒体である。

【０００８】 Δ＝｛（δｖ−δｖ’）²＋（δｈ−δｈ’）²｝^1/2 （Ｉ） ［ここで、δｖおよびδｖ’は、それぞれカチオン系紫
外線硬化樹脂硬化物および水素化ポリスチレン系樹脂の
ファン・デル・ワールス力に基づく平均溶解度パラメー
タであり、δｈおよびδｈ’は、それぞれカチオン系紫
外線硬化樹脂硬化物および水素化ポリスチレン系樹脂の
水素結合力に基づく平均溶解度パラメータである。］ま
た本発明には、以下の各発明も含まれる。 ２. 該（δｖ−δｖ’）の絶対値が３．０J^1/2／ｃｍ
^3/2以下である１記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板
含有光記録媒体。 ３． 該積層体（Ｌ）中の水素化ポリスチレン系樹脂か
ら主としてなる基板の外側にハードコート層を積層して
なる１または２に記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板
含有光記録媒体。 ４． 該カチオン重合系紫外線硬化樹脂硬化層が保護層
である請求項１〜３のいずれか一項記載の水素化ポリス
チレン系樹脂基板含有光記録媒体。 ５． 該積層体（Ｌ）のカチオン重合系紫外線硬化樹脂
硬化層の外側に保護基板がさらに積層されてなる１〜３
のいずれか一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含
有光記録媒体。 ６． 該保護基板が水素化ポリスチレン系樹脂から主と
してなる５記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光
記録媒体。 ７． 該積層体（Ｌ）の接着層の外側に水素化ポリスチ
レン系樹脂から主としてなる基板および記録層からなる
積層体（Ｌ’）が該積層体（Ｌ）と、該積層体（Ｌ’）
中の記録層が該積層体（Ｌ）中のカチオン重合系紫外線
硬化樹脂硬化層と接して積層されてなる１〜３のいずれ
か一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録
媒体。 ８． 該記録層が、アルミニウム金属から主としてなる
薄膜である１〜７のいずれか一項記載の水素化ポリスチ
レン系樹脂基板含有記録媒体。 ９． 該記録層が光磁気記録層である１〜６のいずれか
一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒
体。 １０． 該記録層が相転移型記録層である１〜６のいず
れか一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記
録媒体。 １１． 該記録層が多層記録層を含む１〜６のいずれか
一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒
体。 １２． 該水素化ポリスチレン系樹脂が非晶性である１
〜１１のいずれか一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂
基板含有光記録媒体。 １３． 該カチオン重合系紫外線硬化樹脂が、エポキシ
系紫外線硬化樹脂および／またはビニルエーテル系紫外
線硬化樹脂である１〜１２のいずれか一項記載の水素化
ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。 １４． 該カチオン重合系紫外線硬化樹脂が、（ｉ）少
なくとも一種のエポキシ化合物および／またはビニルエ
ーテル化合物、（ii）少なくとも一種の紫外線重合開始
剤、および必要に応じて（iii）少なくとも一種のカチ
オン重合性基を含まない非反応性柔軟化剤からなる樹脂
成分、およびカチオン重合系紫外線硬化開始剤からなる
ものである１〜１３のいずれか一項記載の水素化ポリス
チレン系樹脂基板含有光記録媒体。

【０００９】かかる乖離度は、好ましくは８．０J^1/2／
ｃｍ^3/2以下になるように設計、配合される。また、カ
チオン系紫外線硬化樹脂硬化層と水素化ポリスチレン樹
脂とのフアンデルワールス力に基づく溶解度パラメータ
ーの差｜δｖ−δｖ’｜が、３．０J^1/2／ｃｍ^3/2以
下、好ましくは２．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下であるのが好
ましい。

【００１０】これらは、Ｄ． Ｗ． Ｖａｎ Ｋｒｅｖ
ｅｌｅｎ著の“ポリマーの性質（Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）（第三完全改定版）”（Ｅ
ｌｓｅｖｉｅｒ，１９９０年）のｐ１８９〜２２５に詳
細に記載されており、使用したＨｏｆｔｙｚｅｒ−Ｖａ
ｎ Ｋｒｅｖｅｌｅｎによる基礎数値は該書籍のｐ２１
３の表に記載されている。

【００１１】以下、本発明を詳述する。

【００１２】

【発明の実施の形態】（層構成）本発明における水素化
ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体は、水素化ポリ
スチレン系樹脂からなる基板と記録層、ならびに接着層
および／または保護層を有する積層体（Ｌ）を少なくと
もその一部に含み、この接着層および保護層の少なくと
もいずれかにカチカン重合系紫外線硬化樹脂硬化層を用
いる。かかる積層体（L)における各層は、必ずしもこの
順で接して積層されている必要はなく、S／Ｎ比などの
改良のために、更に誘電体層、反射層などを層間または
外側に設けることもできる。最も単純な構成としては、
コンパクトデイスク（ＣＤ）に見られるように、カチオ
ン重合系紫外線硬化樹脂硬化層がそのまま保護層として
最外層を形成する記録媒体が挙げられる。また、カチオ
ン重合系紫外線硬化樹脂を接着層としてその外部に保護
基板を張り合わせるタイプの記録媒体も挙げられる。こ
の場合には、カチオン重合系紫外線硬化樹脂は、接着層
として機能する。また、貼り合わせ型ＤＶＤ記録媒体に
見られるように、該積層体の外部に水素化ポリスチレン
系樹脂から主としてなる基板および記録層からなる積層
体（Ｌ’）が積層体（Ｌ）と、積層体（Ｌ’）中の記録
層が積層体（Ｌ）中のカチオン重合系紫外線硬化樹脂硬
化層と接して、積層されているタイプの上下対称型光記
録媒体も好適に挙げられる。この場合もカチオン重合系
紫外線硬化樹脂は接着層として機能する。

【００１３】本発明において用いられる保護基板として
は、特に限定はないが、紫外線照射を考慮すると透明ま
たは半透明の基板が好ましい。例えば、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
（４−メチルペンテン）樹脂、水素化ポリスチレン系樹
脂、アクリル樹脂、アリレート樹脂、ポリスルホン樹
脂、ポリエーテル樹脂等が挙げられる。中でも、水素化
ポリスチレン系樹脂は、基板樹脂と共通性の上から特に
好ましい。

【００１４】また、本発明において、水素化ポリスチレ
ン系樹脂基板含有光記録媒体の水素化ポリスチレン系樹
脂基板の外側には必要に応じてハードコート層がさらに
積層されていてもよい。かかるハードコートとしてはア
クリル系ハードコート、シリケート系ハードコート、シ
リカ系ハードコート等の透明ハードコートが好適に用い
られる。保護層でもあるハードコート層は、前記の保護
基板を接着層の記録層と面しているのとは反対側の面に
設ける場合に、その保護基板の外側（接着層と反対側）
に設けることもできる。

【００１５】（水素化ポリスチレン系樹脂）本発明にお
いて用いられるポリスチレン系樹脂は、水素化スチレン
系（共）重合体から主としてなる樹脂をさす。これらは
一般に、スチレン系（共）重合体を水素化することによ
り容易に得られる。スチレン系重合体製造に用いられる
スチレン系単量体としては、スチレン、α−メチルスチ
レン、ｐ−メチルスチレン、ビニルナフタレン等が挙げ
られる。この内、入手性およびポリマー物性の上からス
チレンが最も好適であり、その重合体がポリスチレンで
ある。

【００１６】一方、スチレン系共重合体の共重合成分と
しては、ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチルブ
タジエン、２，４−ジメチルペンタジエン、２，５−ヂ
メチルヘキサジエン等の共役ジエン類が好んで用いられ
る。これらの共重合成分を導入することにより、目的と
する水素化ポリスチレン系樹脂の透明性を損なうことな
く力学物性を著しく向上させることができる。導入率と
しては、スチレン系単量体の３０モル％以下、好ましく
は２０モル％以下が挙げられる。それを超えると、水素
化ポリスチレン系樹脂の耐熱性を損ねるだけでなく、透
明性も損ねるために好ましくない。

【００１７】これらのスチレン系（共）重合体の製造は
特に限定はなく、一般のラジカル重合法、アニオン重合
法、カチオン重合法が好んで用いられる。しかし、ブロ
ック共重合体を得る上では、アニオン重合法が好まし
い。また、スチレン系重合体に共重合成分を導入したス
チレン系共重合体の結合様式としては、ランダム共重合
体、ブロック共重合体、ラジアルブロック共重合体が挙
げられる。これらの内、耐熱性を重視する場合はブロッ
ク共重合体が、また、成形時の流動性を重視する場合は
ラジアルブロック共重合体が特に好ましい。これらは、
用途に応じて適宜判断すればよい。

【００１８】スチレン系（共）重合体の水素化方法は特
に限定はなく、芳香族基ならびにＣ＝Ｃ二重結合を効率
よく水素化できればよい。一般には、水素化触媒の存在
下で、不活性溶媒中、水素加圧下、高温で行う。水素化
触媒としては、ニッケル、パラジウム、白金、コバル
ト、ルテニウム、ロジウムなどの貴金属またはその酸化
物、塩、錯体等の化合物をカーボン、アルミナ、シリ
カ、シリカ・アルミナ、珪藻土等の多孔性担体に担持し
たものの活性が高く、好ましく用いられる。

【００１９】本発明の水素化スチレン系（共）重合体
は、スチレン系（共）重合体の重合開始剤、あるいは溶
媒によっては結晶性を示す。例えば、特定の配位重合開
始剤を用いて得た立体規則性スチレン（系）重合体を水
素化すると、結晶性の水素化スチレン系重合体を与える
（特開平３−３３１０７公報、特開平１−１７８５０５
公報等に記載）。また、ブタジエンを共重合成分として
用いてスチレンとアニオンブロック共重合した場合、使
用する溶媒にシクロヘキサン等の非極性溶媒を用いる
と、水素化後の共重合体中の水素化ブタジエンブロック
は結晶性を示す。このような結晶成分は、アクリル系紫
外線硬化樹脂硬化物との接着性を損なう。従って、本発
明におけるスチレン系（共）重合体としては、非晶性の
（共）重合体が好ましく用いられる。

【００２０】本発明において用いられる水素化スチレン
系樹脂は、水素化スチレン系重合体単独からなってもよ
いし二種以上の混合物（ブレンド物）からなってもよ
い。本発明において用いられる水素化スチレン系重合体
の水素化率は、¹Ｈ−ＮＭＲ法により求めることができ
る。その範囲は、９０％以上、好ましくは９５％以上、
より好ましくは９８％以上が用いられる。それ未満で
は、耐光性が悪くなるし、複屈折率が高くなるために好
ましくない。また分子量は、成形物の機械的強度ならび
に成形加工性を勘案すると、ＧＰＣ（ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフイー）により測定したポリスチレン
換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、２０，０００〜１，
０００，０００、好ましくは３０，０００〜５００，０
００の範囲、さらに好ましくは５０，０００〜３００，
０００の範囲のものである。それ未満では、成形物の機
械的強度が不足し、それより高いと成形樹脂の溶融粘度
が高すぎて流動性が不足し、成形が困難になり好ましく
ない。また、分子量の一つの尺度である還元粘度で表示
すると、濃度０．５ｇ／ｄＬのトルエン溶液中、３０℃
で測定した還元粘度ηｓｐ／Ｃが０．１〜１０ｄＬ／
ｇ、好ましくは０．３〜３ｄＬ／ｇ、さらに好ましくは
０．４から２．０ｄＬ／ｇの範囲である。

【００２１】本発明において用いられる水素化ポリスチ
レン系樹脂から主としてなる基板は、必要に応じて該水
素化ポリスチレン系樹脂に安定剤、離型剤等の添加剤を
加えて、射出成形法、射出圧縮成形法、押し出し成形法
などの溶融成形法により成形できる。かかる光デイスク
基板の成形では、樹脂温度２７０〜３７０℃、好ましく
は２８０〜３５０℃の範囲が用いられる。それを超える
と過大な熱分解が起こり好ましくない。また、それ未満
では、成形樹脂の溶融流動性が低くなり好ましくない。
また、金型温度としては、６０〜１４０℃、好ましくは
７０〜１３０℃の範囲が用いられる。それを超えると、
成形物の変形が生じて好ましくない。それ未満では、転
写性が悪くなり好ましくない。

【００２２】（記録層）本発明における記録層について
以下説明する。記録層は光記録方式により異なる。例え
ばＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等では、射出
（圧縮）成形において基板上に凹凸を設け、その上にア
ルミニウムあるいはその合金を蒸着法やスパッタリング
法などでが反射層として被覆したものを記録層に用い、
追記型ＣＤ等では色素等を塗布、蒸着などで被覆したも
のを記録層に用いる。最近、ＡｕやＡｇの薄膜からなる
半透膜を中間に設けた片面あたり二層の記録層からなる
ＤＶＤ−ＲＯＭ用光記録媒体も開発されている。本発明
においては、このような記録層も含まれる。

【００２３】また、相変化型記録方式に見られるよう
に、射出（圧縮）成形により基板に微細な案内溝（ラン
ド−グルーブ構造）を形成して、その上にＴｅ系の相変
化特性を示す合金類を被覆したものも本発明の記録層に
含まれる。このような、相変化特性を示す合金類として
は、例えばＴｅ・ＴｅＯ₂、Ｔｅ・ＴｅＯ₂・Ｐｄ、Ｓｂ
₂Ｓｅ₃／Ｂｉ₂Ｔｅ₃等の非晶性−結晶性の非可逆相変化
を示すもの、Ｇｅ・Ｔｅ／Ｓｂ／Ｓ、Ｔｅ・ＴｅＯ₃・
Ｇｅ・Ｓｎ、Ｔｅ／Ｇｅ・Ｓｅ・Ａｕ、Ｇｅ／Ｔｅ・Ｓ
ｎ、Ｓｎ・Ｓｅ・Ｔｅ、Ｓｂ・Ｓｅ・Ｔｅ、Ｓｂ・Ｓ
ｅ、Ｇａ／Ｓｅ・Ｔｅ等の非晶性−結晶性の可逆的相変
化を示すもの、Ａｇ・Ｚｎ、Ｃｕ・Ａｌ・Ｎｉ、Ｉｎ／
Ｓｂ／Ｔｅ等の結晶性―結晶性相変化を示すものが挙げ
られる。

【００２４】また、光磁気記録方式に見られるように、
射出（圧縮）成形により基板に微細な案内溝（ランド−
グルーブ構造）を形成して、その上に種々の光磁気記録
性を示す金属あるいは合金を被覆したものも本発明にお
ける記録層に含まれる。そのような金属として例えば、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ等、合金としてＴｂ・Ｆｅ／Ｃｏ、Ｇ
ｄ・Ｆｅ・Ｃｏ、Ｆｅ・Ｃｏ、Ｄｙ・Ｆｅ・Ｃｏ等が挙
げられる。

【００２５】（カチオン重合系紫外線硬化樹脂）本発明
において、接着層あるいは保護層の少なくともいずれか
に用いられるカチオン重合系紫外線硬化樹脂は、前記式
（Ｉ）で定義される水素化ポリスチレン系樹脂の平均溶
解度パラメータと該カチオン重合系紫外線硬化樹脂硬化
物の平均溶解度パラメータとの乖離度（Δ）が、９．０
J^1/2／ｃｍ^3/2以下であるようなカチオン重合系紫外線
硬化樹脂である。かかるカチオン重合系紫外線硬化樹脂
としては、エポキシ系紫外線硬化樹脂および／またはビ
ニルエーテル系紫外線硬化樹脂が好適に用いられる。こ
れらは、（ｉ）少なくとも一種のエポキシ化合物および
／またはビニルエーテル化合物、（ii）少なくとも一種
の紫外線重合開始剤、および必要に応じて（iii）少な
くとも一種のカチオン重合性基を含まない非反応性柔軟
化剤からなる組成物である。

【００２６】本発明において好適に用いられる（ｉ）エ
ポキシ化合物としては、下記式で示されるデイールス・
アルダー付加体から誘導される脂環式エポキシ化合物お
よびその誘導体（Ｉａ〜Ｉｈ）；脂肪族、脂環族および
芳香族グリシジルエーテル（IIａ〜IIｄ）；エチレング
リコールビスグリシジルエーテル、テトラメチレングリ
コールビスグリシジルエーテル、エチレンオキサイド変
性ビスフェノール−Ａジグリシジルエーテル、エチレン
オキサイド変性水添ビスフェノール−Ａジグリシジルエ
ーテル等、さらにビスフェノール−Ａ型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ化ポリ
ブタジエン等の比較的高分子量のエポキシ化合物が挙げ
られる。

【００２７】

【化１】

【００２８】

【化２】

【００２９】さらに、ポリエチレングリコール変性ビス
フエノールＡジグリシジルエーテル、ポリエチレングリ
コール変性水添ビスフエノールＡジグリシジルエーテ
ル、ポリプロピレングリコール変性ビスフエノールＡジ
グリシジルエーテル、ポリプロピレングリコール変性水
添ビスフエノールＡジグリシジルエーテルなどが好適に
用いられる。

【００３０】また、下記一般式で示される末端にエポキ
シ基を有するオリゴエーテルおよびオリゴエステル（II
Iａ、IIIｂ）も好適に用いられる。

【００３１】脂肪族、脂環族グリシジルエーテル

【００３２】

【化３】

【００３３】ここで、オリゴエーテルとしては、オリゴ
エチレングリコール、オリゴプロピレングリコール、オ
リゴテトラメチレングリコール等が好適に用いられる。
またオリゴエステルのグリコール成分としては、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレン
グリコール、ネオペンチレングリコール、シクロヘキサ
ンジメタノール、ノルボルナンジメタノール等の脂肪
族、脂環族グリコールが好適に用いられる。また、酸成
分としてはコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシ
ン酸、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂肪族、脂環族
ジカルボン酸が好適に用いられる。

【００３４】本発明で用いられる（ｉ）ビニルエーテル
としては、トリエチレングリコールジビニルエーテル、
シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、水添ビ
スフェノール−Ａジビニルエーテル、ビスフェノール−
Ａエチレンオキサイド付加体のジビニルエーテル等の脂
肪族、脂環族および芳香族ジビニルエーテルが挙げられ
る。

【００３５】以上の、エポキシ化合物やビニルエーテル
化合物は、単独でもよく二種以上の混合物として用いて
もよい。その組成は、得られる塗膜の溶解度パラメー
タ、塗膜の柔軟性、硬度を支配する架橋密度等を勘案し
て決定される。

【００３６】本発明においては、上記エポキシ化合物や
ビニル化合物のほかに、その接着性ならびに物性を改良
する目的で、必要に応じて（iii）非反応性柔軟剤を樹
脂成分に含めてもよい。かかる線状ポリマーとして、
（メタ）アクリル酸エステル重合体、酢酸ビニル重合
体、ポリビニルブチラール、脂肪族ポリエステル、エチ
レングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレ
ングリコール等から誘導されるポリエーテル、セルロー
スアセテート等非晶性線状重合体が挙げられる。

【００３７】本発明においては、上記エポキシ化合物や
ビニルエーテルを紫外線照射により重合・硬化せしめる
ために、（ii）紫外線重合開始剤を添加する必要があ
る。かかる紫外線重合開始剤としては、Ａｒ−Ｎ₂ ⁺・Ｘ
^-（但し、Ａｒはフェニル基、トリル基、ナフチル基
等；Ｘ^-＝ＢＦ₄ ^-，ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-等）で
示される芳香族ジアゾニウム塩；Ａｒ₂−Ｉ⁺・Ｘ^-（Ａ
ｒおよびＸ^-は前記の通り）で示される芳香族ヨードニ
ウム塩；Ａｒ₂−Ｓ⁺・Ｘ^-（ＡｒおよびＸ^-は前記の通
り）で示される芳香族スルホニウム塩およびメタロセン
化合物等が挙げられる。

【００３８】本発明においては、必要に応じて充填剤や
密着付与剤を加えてもよい。本発明において用いられる
カチオン重合系紫外線硬化樹脂は、前記式（Ｉ）で定義
される水素化ポリスチレン系樹脂の平均溶解度パラメー
タと該カチオン重合系紫外線硬化樹脂硬化物の平均溶解
度パラメータとの乖離度（Δ）が、９．０J^{1 /2}／ｃｍ
^3/2以下、好ましくは８．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下であるよ
うなカチオン重合系紫外線硬化樹脂である。これを超え
るとカチオン重合系紫外線硬化樹脂内の凝集力が、カチ
オン重合系紫外線硬化樹脂と水素化ポリスチレン系樹脂
との界面での接着力より高くなり、接着性が低下するた
めに好ましくない。さらには、前記式（Ｉ）で定義され
るδｖ−δｖ’の絶対値が３．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下が
好ましく、より好ましくは２．０J^1/2／ｃｍ^3/2以下で
ある。これを超えるとカチオン重合系紫外線硬化樹脂内
の接着力の重要な因子である極性力（双極子−双極子相
互作用力）に基づく凝集力が、カチオン重合系紫外線硬
化樹脂と水素化ポリスチレン系樹脂との極性力に基づく
接着力より勝り接着性が低下するために好ましくない。

【００３９】（紫外線硬化樹脂の硬化法）本発明におい
て用いられるカチオン重合系紫外線硬化樹脂は、一般に
は水素化ポリスチレン系樹脂から主としてなる基板およ
び記録層からなる積層体に該カチオン重合系紫外線硬化
樹脂を塗工し、紫外線照射した後、保護基板または水素
化ポリスチレン系樹脂から主としてなる他の基板および
記録層からなる積層体（Ｌ’）を張り合わせて接着を完
成する。また、半透明性のＡｌ系記録層や（半）透明性
の保護基板を張り合わせる場合は、張り合わせ後にそれ
ぞれ記録層や保護基板を通して紫外線照射してもよい。
また、該カチオン重合系紫外線硬化樹脂を保護層として
用いる場合には、塗工後に直接紫外線照射をするのが好
ましい。

【００４０】本発明において用いられる塗工法は特に限
定はないが、一般にスピンコート法、流延法、バーコー
ト法、シルクスクリーン印刷法等が好ましく用いられ
る。該接着剤の粘度が高い場合は、シルクスクリーン印
刷法が特に好ましい。膜厚は、一般には１００〜１μ
ｍ、好ましくは５０〜５μｍの範囲が用いられる。それ
を超えると、硬化時間がかかるし、逆にそれ未満では塗
工斑ができて共に好ましくない。

【００４１】本発明において用いられる紫外線照射に
は、一般に高圧水銀灯、超高圧水銀灯、中圧水銀灯、低
圧水銀灯、ハロゲンランプ等が用いられる。照射強度は
該カチオン重合系紫外線硬化樹脂の感度、記録層等によ
る照射光の遮蔽の程度を勘案して選択される。一般に
は、５００〜１ｍＷ／ｃｍ²、好ましくは２５０〜５ｍ
Ｗ／ｃｍ²の範囲が用いられる。それを超えると強度が
強すぎて、該カチオン重合系紫外線硬化樹脂の劣化を招
き、それ未満では照射に時間がかかりすぎて生産性が下
がり、共に好ましくない。照射時間は、６０〜１秒、好
ましくは３０〜１秒の範囲が用いられる。また、必要に
応じて照射は窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰
囲気で行うことができる。そうすることにより、空気中
の水分の影響を除き硬化反応を円滑に行うことができ
る。

【００４２】

【発明の効果】特定の溶解度パラメータを有するカチオ
ン重合系紫外線硬化樹脂を配合して用いることにより、
それ自体接着性の悪い水素化ポリスチレン系樹脂基板を
用いた光記録媒体構成積層体を強固に貼り合わせること
ができる。その結果、短波長レーザ対応の高密度化光記
録媒体を得ることができる。

【００４３】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお実
施例で使用した原材料、測定法等は次のとおりである。
水素化ポリスチレン系（共）重合体の製造に用いる溶媒
であるシクロヘキサン、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエー
テル、共重合体のモノマーであるスチレン、イソプレン
はすべて蒸留精製を行い、十分に乾燥したものを用い
た。ｓｅｃ−ブチルリチウムは関東科学（株）より濃度
１．５７Ｍのヘキサン溶液を購入し、そのまま用いた。
Ｎｉ／シリカ・アルミナ触媒（Ｎｉ担持率６５重量％）
はＡｌｄｒｉｃｈから購入し、そのまま用いた。

【００４４】製造例、実施例で行った各種物性測定は以
下の方法で行った。 １）ガラス転移温度（Ｔｇ）：ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔｓ製 ２９２０型ＤＳＣを使用し、昇温速度は２０
℃／分で測定した。 ２）還元粘度：濃度０．５ｇ／ｄＬのトルエン溶液の、
３０℃における還元粘度ηｓｐ／Ｃを測定した。 ３）重量平均分子量：ゲルパーミエーション クロマト
グラフイー（昭和電工（株）製ＧＰＣ、「Ｓｈｏｄｅｘ
Ｓｙｓｔｅｍ−１１」）により、ＴＨＦを溶媒として
測定し、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗを求め
た。 ４）水素化率：ＪＥＯＬ ＪＮＭ−Ａ−４００型核磁気
共鳴吸収装置を用い、¹Ｈ−ＮＭＲ測定により定量し
た。 ５）残留金属元素：ＩＣＰ発光分析法を用いて求めた。
（ＩＣＰ：誘導結合高周波プラズマ）。 ６）比重：カチオン重合系紫外線硬化樹脂硬化物の溶解
度パラメーターを求めるために天秤法により測定した。

【００４５】［製造例１］攪拌翼付き容量２０Ｌのステ
ンレスステイール製オートクレーブの内部を十分に乾燥
し、かつ窒素置換した後、ポリスチレン１５００ｇ（Ｍ
ｗ＝２．８ｘ１０ ⁵）、Ｎｉ／シリカ・アルミナ触媒２
３６ｇ、シクロヘキサン４４００ｇおよびメチル−ｔｅ
ｒｔ−ブチルエーテル３０００ｇを仕込んだ。続いて、
該攪拌容器を十分に水素置換した後、１００ｋｇｆ／ｃ
ｍ²の水素圧をかけて、攪拌しながら１８０℃、６時間
水素化反応を行った。反応終了後、得られた懸濁液（ス
ラリー）を孔径０．１ミクロンのメンブランフイルター
（住友電工（株）製フルオロポア）を用いて加圧ろ過を
行ったところ、無色透明な溶液が得られた。

【００４６】ろ液に安定剤としてスミライザーＧＳを水
素化スチレン重合体に対して０．４重量％添加して、引
き続き２００℃以下で溶媒を減圧留去（フラッシング）
して水素化スチレン重合体を得た。¹Ｈ−ＮＭＲにより
定量した水素化率は、９９．５％であった。濃度０．５
ｇ／Ｌのトルエン溶液を用いて、３０℃で求めた還元粘
度ηｓｐ／Ｃは、０．４９ｄＬ／ｇであった。また、Ｉ
ＣＰ発光分析により樹脂中の残留金属は、Ｎｉが０．１
５ｐｐｍ、Ａｌが０．２６ｐｐｍおよびＳｉが０．２５
ｐｐｍといずれも１ｐｐｍ以下であることがわかった。
ＤＳＣにより測定したガラス転移温度は１４９℃であっ
た。得られた水素化スチレン重合体のＤＳＣチャート上
には、結晶に基づく相転移は全く認められず、Ｘ線回折
測定でも結晶ピークは全く認められなかった。また、溶
解度パラメータは、δｈ′＝ ０J ^1/2・ｃｍ^3/2 であ
り、δｖ′＝ １６，８J^1/2・ｃｍ^3/2である。

【００４７】［製造例２］攪拌翼付き容量２０Ｌのステ
ンレススチール製オートクレーブの内部を十分に乾燥
し、窒素置換した後、シクロヘキサン６７２０ｇ、スチ
レン５７６ｇを仕込んだ。続いてｓｅｃ−ブチルリチウ
ム８．０ｍｍｏｌに相当する量を濃度１．０Ｍのヘキサ
ン溶液の形で加えて重合を開始させた。温度４５℃で２
時間攪拌してスチレンを完全に反応させた後、イソプレ
ン１３０ｇを加えてさらに５０℃で２時間反応させた。
次いでスチレン５６０ｇを添加して、温度５０℃で２時
間反応を続けた。得られたスチレン−イソプレン−スチ
レン三元共重合体中のイソプレン単位の含有量は１０，
４重量％であった。

【００４８】この重合体溶液３９００ｇ当たり、Ｎｉ／
シリカ・アルミナ触媒（Ｎｉ担持率６５重量％）１００
ｇおよびメチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル１０６０ｇ
加え、水素圧１００ｋｇｆ／ｃｍ²、温度１８０℃で６
時間水素化反応を行った。反応混合物を常温に戻して窒
素置換を十分に行った後、反応混合物をオートクレーブ
から取り出して孔径０．１ミクロンのメンブランフイル
ター（住友電工（株）製フルオロポア）を用いて加圧ろ
過を行ったところ、無色透明な溶液が得られた。

【００４９】この溶液に安定剤としてスミライザーＧＳ
を水素化スチレン−イソプレン共重合体に対して０．４
重量％を添加し、減圧濃縮（フラッシング）を行い、溶
媒を留去して塊状の無色透明な線状水素化スチレン−イ
ソプレン−スチレン三元共重合体を得た。得られた共重
合体中のイソプレン単位の含有量は９．９重量％（１
４．８モル％）であった。該共重合体の濃度０．５ｇ／
ｄＬのトルエン溶液中、３０℃で測定した還元粘度ηｓ
ｐ／Ｃは０．４６ｄＬ／ｇであった。¹Ｈ−ＮＭＲ測定
で水素化率を調べたところ９９．４％であった。またＩ
ＣＰ発光分析により樹脂中の残留金属は、Ｎｉが０．２
１ｐｐｍ、Ａｌが０．１４ｐｐｍおよびＳｉが０．１４
ｐｐｍといずれも１ｐｐｍ以下であることがわかった。
ＤＳＣにより測定したガラス転移温度は１４７℃であっ
た。得られた水素化線状スチレン−イソプレン−スチレ
ン三元ブロック共重合体のＤＳＣチャート上では、結晶
に基づく相転移は全く認められず、Ｘ線回折測定でも結
晶ピークは全く認められなかった。また、溶解度パラメ
ータは、δｈ′＝ ０J^1/2・ｃｍ^3/2 であり、δｖ′＝
１６，９J^1/2・ｃｍ^3/2である。

【００５０】［製造例３］攪拌翼付き容量２０Ｌのステ
ンレススチール製オートクレーブの内部を十分に乾燥
し、窒素置換した後、シクロヘキサン６７６０ｇおよび
スチレン１１０６ｇを仕込んだ。続いてｓｅｃ−ブチル
リチウム１９．６ｍｏｌをヘキサン溶液の形で加えて重
合させた。温度４５℃で２時間攪拌してスチレンを重合
させた後、イソプレン１２２ｇを加えてさらに４５℃で
２時間反応させた。次いで１，２−ビス（トリメトキシ
シリル）エタン１．３０ｇに相当する１６重量％シクロ
ヘキサン溶液を添加し、温度５５℃に昇温してカップリ
ング反応を実施した。カップリング反応を実施してから
２時間後にエタノール２０ｍＬを加えた。得られた重合
溶液から少量の溶液を抜き取り、大量のエタノールに投
入し、析出した白色フレーク状固体を濾別・乾燥しスチ
レン−イソプレンラジアルブロック共重合体を得た。得
られた共重合体のイソプレン含有率は９．０重量％であ
り、０．５ｇ／ｄＬのトルエン溶液を用いて、３０℃で
測定した還元粘度ηｓｐ／Ｃは０．７４ｄＬ／ｇであっ
た。

【００５１】上記スチレン−イソプレンラジアル共重合
体溶液４００ｇに対してＮｉ／シリカ・アルミナ触媒
（Ｎｉ担持率６５重量％）５０ｇを加え、その他条件
は、製造例１に準じて水素圧１００ｋｇｆ／ｃｍ²、温
度１８０℃で４時間水素化反応を行った。常温に戻し窒
素置換を十分に行った後、溶液をオートクレーブから取
り出して孔径０．１ミクロンのメンブランフイルター
（住友電工（株）製フルオロポア）を用いて加圧ろ過を
行ったところ、無色透明な溶液が得られた。

【００５２】この溶液に安定剤としてスミライザーＧＳ
を水素化スチレン−イソプレンラジアルブロック共重合
体に対して０．４重量％添加してから、２００℃以下の
温度で減圧濃縮（フラッシング）を行い、塊状の無色水
素化スチレン−イソプレンラジアルブロック共重合体を
得た。得られた共重合体の濃度０．５ｇ／ｄＬのトルエ
ン溶液を用いて、３０℃で測定した還元粘度ηｓｐ／Ｃ
は０．４４ｄＬ／ｇであった。また、ＩＣＰ発光分析に
より樹脂中の残留金属は、Ｎｉが０．２１ｐｐｍ、Ａｌ
が０．１５ｐｐｍ、Ｓｉが０．１９ｐｐｍといずれも１
ｐｐｍ以下であることがわかった。ＤＳＣにより測定し
たガラス転移温度は１４７℃であった。このＤＳＣチャ
ート上では、結晶に基づく相転移は全く認められず、Ｘ
線回折測定でも結晶ピークは全く認められなかった。ま
た、溶解度パラメータは、δｈ′＝ ０J^1/2・ｃｍ^3/2
であり、δｖ′＝ １６，９J^1/2・ｃｍ^3/2である。

【００５３】［実施例１］製造例１で得られた水素化ス
チレン重合体樹脂を用いて、厚み１．２ｍｍの無色透明
光デイスク基板を成形した。スタンパにはＣＤ用のもの
を用いた。樹脂温度は３２０℃、金型温度は１３０℃に
設定した。該光デイスク基板の記録面側に金属アルミニ
ウムをスパッタリングして記録層を設けた。これに、ポ
リプロピレングリコール（分子量約４００）ジグリシジ
ルエーテル（エポライト４００Ｐ：共栄社化学（株）
製）４０重量％、脂環式エポキシ化合物（前出Ｉｄ）６
０重量％および紫外線重合開始剤としてスルフオニウム
塩であるアデカオプトマーＳＰ−１５０(旭電化工業
（株）製)１重量部らなるカチオン重合系紫外線硬化樹
脂ＵＶｃ−１（δｈ＝７．２J^1/2／ｃｍ^3/2およびδｖ
＝１５．３J^1/2／ｃｍ^3/2）を膜厚２０μｍになるよう
にシルクスクリーン印刷法により塗工して、塗膜側から
２００ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯を用いて５秒間、紫外
線照射を行った。そして、これを一昼夜常温で放置し
て、水素化ポリスチレン系樹脂基板含有記録媒体を得
た。なお、塗工、紫外線照射は窒素雰囲気下で行った。
得られた記録媒体の紫外線硬化樹脂硬化層は、強固に密
着しており外周部や内周部（ハブ部）における剥離は全
く認められなかった。この場合、乖離度△＝７．４J^1/2
／ｃｍ^3/2、｜δｖ−δｖ’｜＝１．６J^1/2／ｃｍ^3/2で
ある。

【００５４】［実施例２］製造例２で得られた水素化ス
チレン−イソプレン−スチレン三元ブロック共重合体樹
脂を用いて、厚み０．６ｍｍの無色透明光デイスク基板
を成形した。スタンパには光磁気記録用のものを用い
た。樹脂温度は３３０℃、金型温度は１２０℃に設定し
た。該光デイスク基板の記録面側にＴｂ・Ｆｅ・Ｃｏか
らなる光磁気記録用合金をスパッタリングして記録層を
設けた。これに、エポライト４００Ｐ（前出）２０重量
％、水添ビスフエノールＡジグリシジルエーテル（前出
IIｃ、エポライト４０００：共栄社化学（株）製）２０
重量％、プロピレンオキサイド変性ビスフエノールＡジ
グリシジルエーテル（エポライト３００２：共栄社化学
（株）製）２０重量％、脂環式エポキシ化合物（前出Ｉ
ｄ）４０重量部および紫外線重合開始剤としてスルフオ
ニウム塩であるアデカオプトマーＳＰ−１５０(旭電化
工業（株）製)１重量部からなるカチオン重合系紫外線
硬化樹脂ＵＶｃ−２（δｈ＝７．１J^1/2／ｃｍ^3/2およ
びδｖ＝１５．７J^1/2／ｃｍ^3/2）を膜厚４５μｍにな
るようにシルクスクリーン印刷法により塗工した後、該
光デイスク基板を保護基板として張り合わせた。しかる
後、該保護基板側から８０ｍＷ／ｃｍ ²の高圧水銀灯を
用いて１０秒間、紫外線照射を行った。そして、これを
一昼夜常温に放置して、水素化ポリスチレン系樹脂基板
含有記録媒体を得た。なお、塗工および紫外線照射は、
窒素雰囲気中で行った。得られた記録媒体の紫外線硬化
樹脂硬化層は、強固に密着しており円周部や内周部（ハ
ブ部）における剥離は全く認められなかった。この場
合、乖離度△＝７．１J^1/2／ｃｍ^3/2、｜δｖ−δｖ’
｜＝１．１J^1/2／ｃｍ^3/2である。

【００５５】［実施例３］製造例２で得られた水素化ス
チレン−イソプレン−スチレン三元ブロック共重合体樹
脂を用いて、厚み０．６ｍｍの無色透明光デイスク基板
を得た。スタンパにはＤＶＤ用のものを用いた。樹脂温
度は３３０℃、金型温度は１２０℃に設定した。該光デ
イスク基板の記録面側にアルミニウムをスパッタリング
して記録層を設けた。これに、エポライト４００Ｐ（前
出）１０重量％、エポライト４０００（前出）１５重量
％、エポライト３００２（前出）１５重量％、脂環式エ
ポキシ化合物（前出Ｉｄ）６０重量％および紫外線重合
開始剤としてスルフオニウム塩であるアデカオプトマー
ＳＰ−１５０(旭電化工業（株）製)を１重量部からなる
カチオン重合系紫外線硬化樹脂ＵＶｃ−３（δｈ＝６．
９J^1/2／ｃｍ^3/2およびδｖ＝１５．３J^1/2／ｃｍ^3/2）
を膜厚４０μｍにた。しかる後、該保護基板側から８０
ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯を用いて１５秒なるようにシ
ルクスクリーン印刷法により塗工した後、保護基板を貼
り合わせ間紫外線照射した。そして、これを一昼夜常温
に放置して、水素化ポリスチレン系樹脂基板含有記録媒
体を得た。なお、塗工および紫外線照射は、窒素雰囲気
中で行った。得られた記録媒体の紫外線硬化樹脂硬化層
は、強固に密着しており円周部や内周部（ハブ部）にお
ける剥離は全く認められなかった。

【００５６】この場合、乖離度△＝７．１J^1/2／ｃｍ
^3/2、｜δｖ−δｖ’｜＝１．６J^1/2／ｃｍ^3/2である。

【００５７】［実施例４］製造例２で得られた水素化ス
チレン−イソプレン−スチレン三元ブロック共重合体樹
脂を、厚み０．６ｍｍの無色透明光デイスク基板を得
た。スタンパにはＤＶＤ用のものを用いた。樹脂温度は
３３０℃、金型温度は１２０℃に設定した。該光デイス
ク基板の記録面側にアルミニウムをスパッタリングして
記録層を設けた。この積層体（Ｌ）に、エポライト４０
０Ｐ（前出）２０重量％、エポライト４０００（前出）
４０重量％、脂環式エポキシ化合物（Ｉｄ）４０重量％
および紫外線重合開始剤としてスルフオニウム７塩であ
るアデカオプトマーＳＰ−１５０(旭電化工業（株）製)
を１重量部からなるカチオン重合系紫外線硬化樹脂ＵＶ
ｃ−４（δｈ＝６．９J^1/2／ｃｍ^3/2およびδｖ＝１
５．８J^1/2／ｃｍ^3/2）を膜厚４０μｍになるようにシ
ルクスクリーン印刷法により塗工した後、該塗膜側から
８００ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯を用いて、１５秒間、
紫外線照射を行った。しかる後、アルミニウムをスパッ
タリングした積層体（Ｌ’）を張り合わせて、常温で一
昼夜放置して、水素化ポリスチレン系樹脂基板含有記録
媒体を得た。なお、塗工および紫外線照射は窒素雰囲気
中で行った。得られた記録媒体の紫外線硬化樹脂硬化層
は、強固に密着しており円周部や内周部（ハブ部）にお
ける剥離は全く認められなかった。

【００５８】この場合、乖離度△＝７．０J^1/2／ｃｍ
^3/2、｜δｖ−δｖ’｜＝１．１J^1/2／ｃｍ^3/2である。

【００５９】［実施例５］製造例１で得られた水素化ポ
リスチレン樹脂と製造例３で得られた水素化スチレン−
イソプレンラジアルブロック共重合体樹脂の重量比１：
１のブレンド体を、相転移記録用スタンパを用いて成形
し、厚み０．６ｍｍの無色透明光デイスク基板を得た。
樹脂温度は３３０℃、金型温度は１２０℃に設定した。
該光デイスク基板の記録面側にＧｅ／Ｔｅ・Ｓｎからな
る相転移記録用合金をスパッタリングして記録層を設け
た。この積層体（Ｌ）に、ポライト４００Ｐ（前出）２
０重量％、エポライト４０００（前出）２０重量％、エ
ポライト３００２（前出）２０重量％、脂環式エポキシ
化合物（Ｉｄ）４０重量％および紫外線重合開始剤とし
てスルフオニウム塩であるアデカオプトマーＳＰ−１５
０(旭電化工業（株）製)を重量部からなるカチオン重合
系紫外線硬化樹脂ＵＶｃ−２（δｈ＝７．０J ^1/2／ｃｍ
^3/2およびδｖ＝１５．８J^1/2／ｃｍ^3/2）をシルクスク
リーン印刷法により膜厚４０μｍになるよう塗工した
後、塗膜側から８００ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯を用い
て１５秒間紫外線照射を行った。しかる後、相転移記録
用合金をスパッタリングした光デイスク基板（Ｌ’）
を、記録層を向かい合わせて貼り合わせ、一昼夜常温に
放置して水素化ポリスチレン系樹脂基板含有記録媒体を
得た。得られた記録媒体の紫外線硬化樹脂硬化層は、強
固に密着しており円周部や内周部（ハブ部）における剥
離は全く認められなかった。

【００６０】この場合、乖離度△＝７．０J^1/2／ｃｍ
^3/2、｜δｖ−δｖ’｜＝１．１J^1/2／ｃｍ^3/2である。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｌ 25:06 Ｃ０８Ｌ 25:06 (72)発明者 松村 俊一 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4F006 AA15 AB12 AB34 AB66 AB73 BA01 BA02 CA01 DA01 EA03 5D029 RA07 RA09 RA25 RA30

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水素化ポリスチレン系樹脂から主として
   なる基板と、記録層ならびに接着層および／または保護
   層を有する積層体（Ｌ）を少なくともその一部に含む光
   記録媒体において、該接着層および保護層の少なくとも
   いずれかに下記式（Ｉ）で定義される水素化ポリスチレ
   ン系樹脂の平均溶解度パラメータと接着層の平均溶解度
   パラメータとの乖離度（Δ）が、９．０J^1/2／ｃｍ^3/2
   以下であるカチオン系紫外線硬化樹脂硬化層を用いる水
   素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。 Δ＝｛（δｖ−δｖ’）²＋（δｈ−δｈ’）²｝^1/2 （Ｉ） ［ここで、δｖおよびδｖ’は、それぞれカチオン系紫
   外線硬化樹脂硬化物および水素化ポリスチレン系樹脂の
   ファン・デル・ワールス力に基づく平均溶解度パラメー
   タであり、δｈおよびδｈ’は、それぞれカチオン系紫
   外線硬化樹脂硬化物および水素化ポリスチレン系樹脂の
   水素結合力に基づく平均溶解度パラメータである。］
2. 【請求項２】 該（δｖ−δｖ’）の絶対値が３．０J
   ^1/2／ｃｍ^3/2以下である請求項１記載の水素化ポリスチ
   レン系樹脂基板含有光記録媒体。
3. 【請求項３】 該積層体（Ｌ）中の水素化ポリスチレン
   系樹脂から主としてなる基板の外側にハードコート層を
   積層してなる請求項１または２のいずれか一項記載の水
   素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。
4. 【請求項４】 該カチオン重合系紫外線硬化樹脂硬化層
   が保護層である請求項１〜３のいずれか一項記載の水素
   化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。
5. 【請求項５】 該積層体（Ｌ）のカチオン重合系紫外線
   硬化樹脂硬化層の外側に保護基板がさらに積層されてな
   る請求項１〜３のいずれか一項記載の水素化ポリスチレ
   ン系樹脂基板含有光記録媒体。
6. 【請求項６】 該保護基板が水素化ポリスチレン系樹脂
   から主としてなる請求項５記載の水素化ポリスチレン系
   樹脂基板含有光記録媒体。
7. 【請求項７】 該積層体（Ｌ）の接着層または保護層の
   外側に、水素化ポリスチレン系樹脂から主としてなる基
   板および記録層からなる積層体（Ｌ’）が、該積層体
   （Ｌ）と、該積層体（Ｌ’）中の記録層が該積層体
   （Ｌ）中のカチオン重合系紫外線硬化樹脂硬化層と接し
   て、積層されてなる請求項１〜６のいずれか一項記載の
   水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒体。
8. 【請求項８】 該記録層が、アルミニウム金属から主と
   してなる薄膜である請求項１〜７のいずれか一項記載の
   水素化ポリスチレン系樹脂基板含有記録媒体。
9. 【請求項９】 該記録層が光磁気記録層である請求項１
   〜６のいずれか一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基
   板含有光記録媒体。
10. 【請求項１０】 該記録層が相転移型記録層である請求
    項１〜６のいずれか一項記載の水素化ポリスチレン系樹
    脂基板含有光記録媒体。
11. 【請求項１１】 該記録層が多層記録層を含む請求項１
    〜６のいずれか一項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基
    板含有光記録媒体。
12. 【請求項１２】 該水素化ポリスチレン系樹脂が非晶性
    である請求項１〜１１のいずれか一項記載の水素化ポリ
    スチレン系樹脂基板含有光記録媒体。
13. 【請求項１３】 該カチオン重合系紫外線硬化樹脂が、
    エポキシ系紫外線硬化樹脂および／またはビニルエーテ
    ル系紫外線硬化樹脂である請求項１〜１２のいずれか一
    項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒
    体。
14. 【請求項１４】 該カチオン重合系紫外線硬化樹脂が、
    （ｉ）少なくとも一種のエポキシ化合物および／または
    ビニルエーテル化合物、（ii）少なくとも一種の紫外線
    重合開始剤、および必要に応じて（iii）少なくとも一
    種のカチオン重合性基を含まない非反応性柔軟化剤から
    なる樹脂成分、およびカチオン重合系紫外線硬化開始剤
    からなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一
    項記載の水素化ポリスチレン系樹脂基板含有光記録媒
    体。