JP2002243964A - 半導体光集積素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】バットジョイント接続により複数の半導体光素
子を集積した半導体光集積素子において、光導波路層の
バットジョイント接続部における段差や空隙の発生を抑
制し、結合損失が小さく、高信頼な半導体光集積素子を
提供する。 【解決手段】第１の半導体光素子の一部に誘電体マスク
を形成し、第１の光導波路層をドライエッチングにより
除去した後、ウエットエッチングにより第１の光導波路
層に適当な量のサイドエッチングを形成することによ
り、ＭＯＶＰＥ選択成長による第２の光導波路層のバッ
トジョイント接続において、両者の光導波路がほぼ同一
の膜厚で連続的に接続することを可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光導波路層を有する
半導体光集積素子およびその製造方法に係り、特に光伝
送装置などに用いられる半導体レーザ、光変調器、光増
幅器、光検出器、ビームスポット拡大器、光導波路など
の半導体光素子をバットジョイント接続により集積した
半導体光集積素子およびその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】光伝送装置の光送受信モジュールでは、
電気信号を光に変換して光ファイバに結合させるため、
光源である半導体レーザ、レーザ光に信号を変調する光
変調器、レーザ光を増幅するための光増幅器、光ファイ
バとの結合損失を改善するためのビームスポット拡大器
などの半導体光素子が集積されている。

【０００３】これらの半導体光素子は、個別に作製して
ハイブリッドに実装することも可能であるが、素子間の
結合損失の低減やモジュール実装コスト低減の観点か
ら、同一基板上にモノリシックに集積化することが望ま
しい。

【０００４】このための光素子集積化方法として、光部
品の光導波路層どうしを付き合わせ結合（バットジョイ
ント結合）させる方法がある。ここで、光導波路層と
は、各半導体光素子を構成する上下のクラッド層に挟ま
れた層の総称であり、例えば半導体レーザでは、多重量
子井戸（ＭＱＷ）活性層と上下の光ガイド層の全てを含
むものとする。

【０００５】従来のバットジョイント結合による半導体
光集積素子に関する技術としては、例えば特開平７−２
６３６５５に「光集積回路およびその製造方法」が報告
されている。この方法では、バットジョイント結合によ
る分布帰還形（ＤＦＢ）半導体レーザと電界吸収型光変
調器の集積方法の一例が示されている。

【０００６】図４を用いて上記従来例における集積化の
概略を説明する。図４は、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓ
Ｐ系ＭＱＷからなるＤＦＢレーザと光変調器を集積化し
た素子の構造および製造方法を説明するための導波方向
に沿った断面図である。

【０００７】まず、部分的に回折格子を形成したｎ型Ｉ
ｎＰ基板１１上に、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１
２、ＭＱＷ活性層１３、ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層
１４、ｐ型ＩｎＰクラッド層１５からなる半導体レーザ
多層構造を順次形成する（同図ａ）。次に、レーザとな
る領域に誘電体マスクパターン１６を形成し、このマス
ク以外の領域のｐ型ＩｎＰクラッド層１５、ＩｎＧａＡ
ｓＰ上側光ガイド層１４、ＭＱＷ活性層１３をドライエ
ッチングにより除去し、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層
１２を表面層とする（同図ｂ）。

【０００８】次に、誘電体パターン１６をマスクとし
て、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）選択成長法によ
り、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層
２３、ｐ型ＩｎＰクラッド層２４からなる電界吸収形変
調器構造を順次形成することにより、レーザ部と光変調
器部の光導波路層は直接バットジョイント接続される
（同図ｃ）。ついで、誘電体マスク１６を除去し、ｐ型
ＩｎＰクラッド層２５、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２６、レーザ部ｐ電極２７および変調器部ｐ電極２８、
ｎ電極２９を形成する（同図ｄ）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の製
造方法によるバットジョイント結合では、ドライエッチ
ング時の結晶損傷が下側ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１２
に残るため、変調器部ＭＱＷ層をＭＯＶＰＥ再成長する
際に結晶性が低下し、素子の信頼性劣化の原因となる。
また、誘電体マスク端において、ドライエッチングによ
り除去されたレーザ部の光導波路層の側壁がほぼ垂直と
なっているため、ＭＯＶＰＥ再成長時には誘電体マスク
上からの原料拡散により、接続部付近で変調器部の光導
波路層の膜厚が増大し、接続部での表面段差やＭＱＷ結
晶組成の変化が発生する。

【００１０】本発明は、ドライエッチング後に損傷層を
除去するウエットエッチングを行う工程において、損傷
層を選択的に除去すると同時に、光導波路層であるＭＱ
Ｗ層に適当な量のサイドエッチングを形成することによ
り、バットジョイント接続形成時に光導波路層どうしが
ほぼ同一の膜厚で連続的に接続し、結合損失が小さく、
高信頼な半導体光集積素子を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はドライエッチングにより光導波路層を除去
する際、その光導波路層の一部を残し、さらに、残され
た導波路層を、光導波路層と下側クラッド層との間に選
択比を有するウエットエッチング溶液により除去する
際、光導波路層にサイドエッチングを形成することを特
徴とする。

【００１２】ドライエッチング時に残される光導波路層
の厚さは２０〜１００ｎｍ程度であることが望ましく、
ウエットエッチング時に形成されるサイドエッチングの
量としては、光導波路層の横方向に１００〜５００ｎｍ
であることが望ましい。また、これらの形成工程におい
て、光導波路層と誘電体マスクの間の上側クラッド層の
厚さが２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが望まし
い。この理由は以下のとおりである。

【００１３】まず、ドライエッチング時に半導体結晶が
受ける損傷層の厚さは、１５〜２０ｎｍであるため、ド
ライエッチング時に光導波路層を２０ｎｍ以上残し、光
導波路層と下側クラッド層との間に選択比を有するウエ
ットエッチング溶液を用いることにより、損傷層を確実
に除去することが可能である。

【００１４】一方、光導波路層の横方向へのサイドエッ
チングに関しては、サイドエッチング量が０ｎｍ〜１０
０ｎｍである場合には、誘電体マスクを選択成長マスク
として用いてＭＯＶＰＥ成長により光導波路層をバット
ジョイント接続する際に、マスク上での有機金属原料の
拡散により、マスク端の接続部近傍で成長膜厚の増大や
結晶組成の変化が発生する。この結果、表面段差が生じ
たり、ＭＱＷ活性層の結晶性が低下したりするため、半
導体光集積素子の特性が劣化する。

【００１５】サイドエッチング量が５００ｎｍ以上と大
きい場合には、バットジョイント接続する際、サイドエ
ッチングされた部分には気相拡散による原料が到達しに
くくなるため、成長後の接続部の膜厚が減少したり、空
隙が形成されたりすることになる。

【００１６】このウエットエッチングにより形成する光
導波路層のサイドエッチングの量は、ドライエッチング
により光導波路層を除去する際に一部残される光導波路
層の結晶組成と厚さ、サイドエッチングを形成する光導
波路層の結晶組成と厚さ、誘電体マスク形状などに対応
して、ウエットエッチング液の混合比とエッチング時間
を調整することにより、所望の量に制御することが可能
である。また、上記形成方法において、光導波路層と誘
電体マスクの上側クラッド層の厚さは、ウエットエッチ
ングによりサイドエチングを形成する際、誘電体マスク
が庇状に露出しないためには、２０ｎｍ以上であること
が望ましい。さらに、上側クラッド層の厚さが５００ｎ
ｍ以上と大きい場合には、誘電体マスクを選択成長マス
クとして用いてＭＯＶＰＥ成長により光導波路層をバッ
トジョイント接続する際に、上側クラッド層側壁から横
方向へ結晶成長が発生して空隙が形成されることから、
５００ｎｍ以下であることが望ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は、本発明の
第１の実施形態に係る変調器集積分布帰還型半導体レー
ザの素子構造および製造方法を説明するための導波方向
に沿った断面図である。

【００１８】まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型（１
００）ＩｎＰ基板１１上の分布帰還型半導体レーザとな
る領域に回折格子を形成した後、ＭＯＶＰＥ法により、
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層（バンドギャップ波
長λｇ＝１．１５μｍ、厚さ１００ｎｍ）１２、ＩｎＧ
ａＡｓＰ（６ｎｍ厚）を井戸層とし、ＩｎＧａＡｓＰ
（λｇ＝１．３０μｍ、１０ｎｍ厚）を障壁層とする７
周期の歪ＭＱＷ活性層（λｇ＝１．５５μｍ）１３、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層（λｇ＝１．１５μ
ｍ、厚さ１００ｎｍ）１４、ｐ型ＩｎＰクラッド層（厚
さ２００ｎｍ）１５からなる半導体レーザ多層構造を順
次形成する。

【００１９】さらに、通常のプラズマＣＶＤとフォトリ
ソグラフ、エッチング工程により、レーザとなる領域に
矩形のＳｉＮ誘電体パターン（幅２０μｍ）１６を形成
する。

【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＮパ
ターン１６をエッチングマスクとして、メタン系ドライ
エッチングにより、ｐ型ＩｎＰクラッド層１５、ＩｎＧ
ａＡｓＰ上側光ガイド層１４、ＭＱＷ活性層１３、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ下側光ガイド層１２をエッチングする。この
際、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１２を５０ｎｍ残し
てエッチングを停止させる。この残されたＩｎＧａＡｓ
Ｐ下側光ガイド層１２は、表面からの深さ１５ｎｍの領
域にドライエッチング時の損傷があることが確認され
た。

【００２１】次に、燐酸、過酸化水素、水の混合エッチ
ング液により、図１（ｃ）に示すように、残りのＩｎＧ
ａＡｓＰ下側光ガイド層１２をエッチングする。このと
き、燐酸系エッチング液は、ＩｎＧａＡｓＰ結晶とＩｎ
Ｐ結晶で選択性を有するため、深さ方向にはｎ型ＩｎＰ
クラッド層１１表面でエッチングが停止するが、ＩｎＧ
ａＡｓＰ系結晶からなる光導波路層（１２〜１４）に対
しては横方向へのサイドエッチングが形成される。この
とき、光導波路層（１２〜１４）に対しするサイドエッ
チング量は、図１（ｃ）に示すように、光導波路層のＩ
ｎＧａＡｓＰ結晶の組成に対応した形状となり、ＭＱＷ
活性層付近でサイドエッチング量が４００ｎｍとなる。

【００２２】次に、図１（ｄ）に示すように、上記Ｓｉ
Ｎパターン１６をマスクとして、ＭＯＶＰＥ選択成長法
により、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層（λｇ＝
１．１０μｍ、厚さ１００ｎｍ）２１、ＩｎＧａＡｓＰ
（７ｎｍ厚）を井戸層とし、ＩｎＧａＡｓＰ（λｇ＝
１．４０μｍ、７ｎｍ厚）を障壁層とする８周期の歪Ｍ
ＱＷ層（λｇ＝１．４９μｍ）２２、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ上側光ガイド層（λｇ＝１．１０μｍ、厚さ１００ｎ
ｍ）２３、ｐ型ＩｎＰクラッド層（厚さ２００ｎｍ）２
４からなる電界吸収形変調器構造を順次形成する。この
とき、レーザと変調器の接続部においては、段差や空隙
を形成することなく、ほぼ同一の膜厚で連続的にバット
ジョイント接合が形成される。

【００２３】図２に、本実施例の製造工程において光導
波路層へのサイドエッチング量を変化させた場合の、バ
ットジョイント接続部で形成された段差を測定した結果
を示す。サイドエッチング量は、燐酸系エッチング液の
混合比とエッチング時間により変化させた。同図におい
て縦軸はバットジョイント接続部における、レーザ部と
変調器部の光導波路層の上端における段差量を示す。燐
酸系エッチングを行わない場合（サイドエッチング＝
０）には、接続部では変調器部に約１５０ｎｍの盛上り
が形成された。サイドエッチング量の増加とともに接続
部の段差は小さくなり、サイドエッチング量４００ｎｍ
のとき、ほぼ段差なく接続された。さらにサイドエッチ
ング量を大きくすると、接続部には窪みが形成されるよ
うになり、サイドエッチング量５５０ｎｍの場合には、
バットジョイント接続時にＳｉＮマスク下部に空隙が形
成されるようになった。

【００２４】このような上記サイドエッチング量の変化
に伴う接続部の段差形状の変化は、ＳｉＮマスク１６上
から選択成長領域への原料の拡散で説明される。すなわ
ち、ＳｉＮマスク１６上から拡散してきた原料は、Ｓｉ
Ｎマスク１６近傍の光導波路層の結晶成長に寄与するた
め、サイドエッチングが無い場合には、接続部の結晶の
膜厚が増大する。これに対して、サイドエッチングを形
成することにより、過剰原料がサイドエッチングされた
部分の結晶成長に消費されるため、ＳｉＮマスク形状に
あわせてサイドエチング量を適当に設定することによ
り、接続部をほぼ平坦に形成することが可能となる。サ
イドエッチング量がが大きすぎた場合には、サイドエッ
チング領域への原料供給量が不足するため、接続部に窪
みや空隙が形成される。

【００２５】この後、図１（ｅ）に示すように、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層（厚さ２μｍ）２５、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層（厚さ０．２μｍ）２６を形成し、通常の
半導体光デバイス形成プロセス工程を経て、レーザ部ｐ
電極２７、変調器部ｐ電極２８、ｎ電極２９を形成し、
変調器集積分布帰還型半導体レーザを完成した。

【００２６】このようにして製造した変調器集積分布帰
還型半導体レーザは、バットジョイント接続部で結晶が
連続的に接続されているため、導波路損失が低減し、光
出力が従来構造に比べて増大し、長期信頼性も改善され
た。 （実施形態２）図３は、本発明の第２の実施形態に係る
ビームスポット拡大器集積半導体レーザの素子構造およ
び製造方法を説明するための導波方向に沿った断面図で
ある。

【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型（１
００）ＩｎＰ基板１１上にＭＯＶＰＥ法により、ｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層（バンドギャップ波長λｇ
＝１．０５μｍ、厚さ１００ｎｍ）１２、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ（６ｎｍ厚）を井戸層とし、ＩｎＧａＡｓＰ（λｇ＝
１．０５μｍ、１０ｎｍ厚）を障壁層とする７周期の歪
ＭＱＷ活性層（λｇ＝１．３０μｍ）１３、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ上側光ガイド層（λｇ＝１．０５μｍ、厚さ１
００ｎｍ）１４、ｐ型ＩｎＰクラッド層（厚さ２００ｎ
ｍ）１５からなる半導体レーザ多層構造を順次形成す
る。

【００２８】さらに、通常のプラズマＣＶＤとフォトリ
ソグラフ、エッチング工程により、レーザとなる領域
に、幅２００μｍで、ビームスポット拡大器となる領域
の一部では幅３０μｍの開口部を有する凹形状のＳｉＮ
誘電体パターン１６を形成する。

【００２９】次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＮパ
ターン１６をエッチングマスクとして、メタン系ドライ
エッチングにより、ｐ型ＩｎＰクラッド層１５、ＩｎＧ
ａＡｓＰ上側光ガイド層１４、ＭＱＷ活性層１３、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ下側光ガイド層１２をエッチングする。この
際、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１２を３０ｎｍ残し
てエッチングを停止させる。

【００３０】次に、図３（ｃ）に示すように、燐酸、過
酸化水素、水の混合エッチング液により、残りのＩｎＧ
ａＡｓＰ下側光ガイド層１２をエッチングする。このと
き、燐酸系エッチング液は、ＩｎＧａＡｓＰ結晶とＩｎ
Ｐ結晶で選択性を有するため、深さ方向にはｎ型ＩｎＰ
クラッド層１１表面でエッチングが停止するが、ＩｎＧ
ａＡｓＰ系結晶からなる光導波路層（１２〜１４）に対
しては横方向へのサイドエッチングが３００ｎｍ形成さ
れる。

【００３１】次に、図３（ｄ）に示すように、上記Ｓｉ
Ｎパターン１６をマスクとして、ＭＯＶＰＥ選択成長法
により、ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層（λｇ＝１．００μ
ｍ、接続部厚さ３２０ｎｍ）３１、ＩｎＰクラッド層
（接続部厚さ２００ｎｍ）３２を形成する。このとき、
レーザ部とビームスポット拡大器の接続部においては、
段差や空隙を形成することなく、ほぼ同一の膜厚で連続
的にバットジョイント接合が形成される。ＳｉＮ誘電体
パターン１６が凹形状を有するため、ＭＯＶＰＥ選択成
長の効果により、ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層３１の膜厚
は、先端部では１３０ｎｍとなり、膜厚テーパ型のビー
ムスポット拡大器が形成される。

【００３２】この後、図３（ｅ）に示すように、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層（厚さ４μｍ）２５、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層（厚さ０．２μｍ）２６を形成し、通常の
半導体光デバイス形成プロセスを経て、ビームスポット
拡大器集積型半導体レーザを完成する。

【００３３】このようにして製造したビームスポット拡
大器集積型半導体レーザは、出射端でのレーザ光スポッ
トが拡大されたため、シングルモードファイバとの結合
効率は−３ｄＢとなった。

【００３４】以上の実施形態においては、半導体レーザ
と光変調器、およびビームスポット拡大器のバットジョ
イント接続による集積化の場合について説明したが、こ
れ以外にも、光増幅器、光スイッチ、光導波路、光検出
器などの各種光素子を相互にバットジョイント接続によ
り集積する場合についても、本発明は同様に有効であ
る。

【００３５】

【発明の効果】本発明に係る光導波路層を有する半導体
光集積素子およびその製造方法によれば、バットジョイ
ント接続部での段差や空隙の発生を抑制し、光導波路層
どうしを連続的に接続することにより、接続部での導波
路損失を低減し、高信頼な半導体光集積素子を実現する
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における変調器集積分
布帰還型半導体レーザの素子構造とその製造方法を説明
するための導波方向に沿った断面図。

【図２】本発明の第１の実施形態における光導波路層へ
のサイドエッチング量とバットジョイント接続部の光導
波路層段差の関係を示す測定図。

【図３】本発明の第２の実施形態におけるビームスポッ
ト拡大器集積型半導体レーザ構造とその製造方法を説明
するための導波方向に沿った断面図。

【図４】従来の実施形態における変調器集積分布帰還型
半導体レーザの素子構造とその製造方法を説明するため
の導波方向に沿った断面図。

【符号の説明】

１１…ｎ型ＩｎＰ基板、１２…下側ＩｎＧａＡｓＰ光ガ
イド層、１３…レーザ部ＭＱＷ層、１４…上側ＩｎＧａ
ＡｓＰ層、１５…ｐ型ＩｎＰクラッド層、１６…誘電体
マスク、２１…下側ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、２２…
変調器部ＭＱＷ層、２３…上側ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層、２４…ｐ型ＩｎＰクラッド層、２５…ｐ型ＩｎＰク
ラッド層、２６…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、２７
…レーザ部ｐ電極、２８…変調器部ｐ電極、２９…ｎ電
極、３１…ＩｎＧａＡｓＰ導波路層、３２…ＩｎＰクラ
ッド層。

フロントページの続き (72)発明者 篠田 和典 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KB08 MA07 PA01 PA05 PA21 PA24 QA02 QA07 RA00 RA08 TA32 5F073 AA45 AA64 AA74 AB12 AB21 AB25 AB28 CA12 DA05 DA23 DA24 DA35 EA29

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上下のクラッド層に挟まれた光導波路層か
   らなる第１および第２の半導体光素子を、同一基板上に
   バットジョイント接続により集積した半導体光集積素子
   において、光導波路層が相互に連続的に接触し、かつそ
   の高さ方向の位置と厚さが接続部において略一致してい
   ることを特徴とする半導体光集積素子。
2. 【請求項２】第１の半導体光素子と第２の半導体光素子
   のバットジョイント接続による集積化方法において、基
   板上に上記第１の半導体光素子を構成する光導波路層と
   上下のクラッド層を形成する工程と、上記第１の半導体
   光素子の上側クラッド層上に第１の半導体光素子領域に
   対応する形状の誘電体パターンを形成する工程と、上記
   誘電体パターンをマスクとして、上記第１の半導体光素
   子の上側クラッド層、および光導波路層の一部をドライ
   エッチングにより除去する工程と、上記誘電体パターン
   をマスクとして、上記第１の半導体光素子の光導波路層
   の残りの部分を、上記第１の半導体光素子の光導波路層
   を構成する半導体結晶に対して選択性を有するウエット
   エッチング溶液により除去する際、上記誘電体パターン
   端において上記第１の半導体光素子の光導波路層にサイ
   ドエッチングを形成する工程と、上記第２の半導体光素
   子を構成する光導波路層と上下のクラッド層を形成する
   際、上記第１の半導体光素子の光導波路と上記第２の半
   導体光素子を構成する光導波路層が、上記サイドエッチ
   ング部分で接続するように形成する工程からなることを
   特徴とする半導体光集積素子の製造方法。
3. 【請求項３】上記第１および第２の半導体光素子の光導
   波路層が、上下の光ガイド層とこれらに挟まれた多重量
   子井戸層、もしくは単一の光導波路層からなることを特
   徴とする、請求項１記載の半導体光集積素子。
4. 【請求項４】第１の半導体光素子の上側クラッド層上に
   形成した誘電体パターンをマスクとして、上記第１の半
   導体光素子の上側クラッド層、および光導波路層の一部
   をドライエッチングにより除去する工程において、残さ
   れた光導波路層の厚さが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下で
   あることを特徴とする請求項２記載の半導体光集積素子
   の製造方法。
5. 【請求項５】第１の半導体光素子の上側クラッド層上に
   形成した誘電体パターンをマスクとして、上記第１の半
   導体光素子の光導波路層の一部をドライエッチングによ
   り除去した後、残された光導波路層を上記第１の半導体
   光素子の光導波路層を構成する半導体結晶に対して選択
   性を有するウエットエッチング溶液により除去する際、
   上記誘電体マスク端において上記第１の半導体光素子の
   光導波路層にサイドエッチングが形成される工程におい
   て、サイドエッチングの長さが１００ｎｍ以上５００ｎ
   ｍ以下であることを特徴とする請求項２または４記載の
   半導体光集積素子の製造方法。
6. 【請求項６】上記第１の半導体光素子を構成する上側ク
   ラッド層の厚さが、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１または３記載の半導体光集積
   素子。
7. 【請求項７】半導体基板および上下クラッド層がＩｎＰ
   からなり、光導波路層がＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌ
   Ａｓもしくはこれら半導体からなる多重量子井戸構造、
   もしくはこれらの積層構造からなることを特徴とする請
   求項１、３および６のいずれか記載の半導体光集積素
   子。
8. 【請求項８】上記第２の半導体光素子の光導波路層を、
   上記第１の半導体光素子の光導波路層と上記サイドエッ
   チング部分で接続するように形成する工程において、結
   晶成長に有機金属気相成長法を用いることを特徴とする
   請求項２、４および５のいずれか記載の半導体光集積素
   子の製造方法。