JP2002128511A - 火炎で合成した窒化アルミニウム製フィラー粉体 - Google Patents
火炎で合成した窒化アルミニウム製フィラー粉体Info
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Abstract
方法又は製造装置が持つ欠点を改善し、組成が無機材料
から成る粉体を組成が有機材料から成る樹脂系原料に充
填して用いる複合材料系において、その原料粉体(フィ
ラー)として必要な数μm〜数10μmの粒子径と球形
度を同時に達成した新規な窒化アルミニウム粉体、その
製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】 火炎の存在下、気相中で窒化反応が進行
するようにした製造方法及びその製造装置を用いて、以
下の技術的要件:(1)粒子径範囲が0.001〜50
0μmに含まれる原料粉体の、高分散かつ安定な流動化
又はエアロゾル状態の形成、(2)火炎中のガス雰囲気
調整、及び火炎による高温を駆動力にした直接窒化法又
は還元窒化法の利用、(3)原料及び火炎量の比率制
御、又は熱処理工程の連続、を同時に制御することによ
り、目的の窒化アルミニウム粉末を製造する。
Description
ニウム粉体、その製造方法及び製造装置に関するもので
あり、更に詳しくは、火炎の存在下、気相中で窒化反応
が進行するようにしたことにより、組成が無機材料から
成る粉体を組成が有機材料から成る樹脂系原料に充填し
て用いる複合材料系において、その原料粉体(フィラ
ー)として必要な粒子径と球形度を達成した新規な窒化
アルミニウム粉体、その製造方法及び製造装置に関する
ものである。
料から成る粉体を、組成が有機材料から成る樹脂系原料
に充填して用いる複合材料系は、絶縁材料や電極・導電
材料、電気粘性流体、化学機械研磨用スラリー、射出成
形や鋳込み成形などのセラミック成形プロセス原料など
として使用される重要材料系である。更に近年では、こ
の複合材料系は、半導体素子の保護・絶縁などを目的と
したパッケージング材料に広く利用されるようになって
いる。VLSI化の進展に伴う素子の微細化に対応する
ために、微小な電極間への注入や任意形状化を実現する
パッケージング材料の、高放熱性・高熱伝導性・低熱膨
張性と同時に、低粘性・高成形性が不可欠となってい
る。
機フィラー粉体は、現在のところSi及びO元素から成
る非晶質で球状のシリカ粉体が主流を占めている。熱的
特性の観点からは多くのシリカを充填するほうが望まし
いが、その場合には、粘性・成形性が低下するため限界
がある。そこで、成形性を損なわずにできるだけ多くの
シリカを充填する目的で、シリカの粒子径分布や表面修
飾の検討、微粒子の添加などが試みられ、これらの各種
制御を組み合わせる工程が採用されている。しかし、計
画されている次期半導体素子など、高度化する要求精度
に応えるには、現時点のフィラー特性では対応に限界が
あることが指摘されていた(例えば、萩原伸介、”半導
体用封止材の開発現況”、プラスチックス、Vol.4
9、p.58、1998)。
であるのに対し、窒化アルミニウムは約300Wm-1K
-1で、シリカより少量の添加でも高い放熱性が期待でき
る。即ち、熱的特性以外の、粒子径分布や球形度などで
現行シリカフィラーと同等の特性を有する窒化アルミニ
ウムフィラーが存在すれば、熱的特性と粘性・成形性
を、同時かつ画期的に向上させる可能性がある。この観
点から、既に、シリカの“一部”を窒化アルミニウム粉
体に代替する試みが発表されている(例えば、特開平9
−183610公報)。しかし、現時点では、フィラー
粉体として必要な粒子径(数μm〜数10μm)を有す
る窒化アルミニウム粉体は、粉砕工程を経て製造される
直接窒化法が主流であるため、形状が角張った形をした
非球状粉体となっており、粘性・成形性が著しく低下す
る欠点があった。そのため、球状シリカフィラーを同時
に添加することを余儀なくされ、シリカの一部を代替す
るような使用法しかできていなかった。
アルミナと炭素の混合物を窒素雰囲気下で焼成する還元
窒化法がある。粉砕工程が不要な還元窒化法では、比較
的球形度の高い粉体が製造されている。しかし、現在の
還元窒化法は主に焼結体原料粉体の供給プロセスとして
確立されたもので、平均粒子径がサブμmオーダーの粉
体を対象とし、フィラー粉体として主に必要な10数μ
mオーダー以上の粒子径を持つ粉体が容易に使用可能な
ように用意されてはいない。しかも、発熱反応である直
接窒化法とは正反対の、吸熱反応である還元窒化法で
は、1500〜1800℃程度の高温度域、かつ一定時
間以上の熱処理が必須であり、フィラー粉体のような比
較的大粒径の粉体を製造するため、大粒径のアルミナな
どの原料粉体を用意した場合に、電気炉加熱のみで効率
よく還元窒化プロセスを進めることができるか、確認さ
れてはいない。
ルミニウム粉体の製法として、有機物前駆体を原料とし
た気相(エアロゾル)合成法、火炎CVD法、熱プラズ
マ法などがあった。しかし、以上の方法は、一旦、原料
を完全な気体状態として、それから核生成−粒成長過程
を経るため、製品の一次粒子径が数〜数10nmという
大きさである場合が大部分と考えて良く、本発明のよう
な(無機フィラー粉体として必要とされる)平均粒子径
範囲が0.1〜100μmである製品は、実現できてい
なかった。
三つの製法によると、(1)直接窒化法では粒子径は満
足されるが形状が不可、(2)還元窒化法では球形度は
満足されるが粒子径が不可、(3)従来の気相合成法で
は粒子径が不可、となり、粒子径と形状の両方を満たす
ことが現時点では出来ていなかった。
性ガスと酸素の混合ガスの燃焼火炎中に硅石原料やSi
金属粉を投入し、原料表面の溶融や、気相中の蒸発−反
応−結晶化プロセスにより、球形度の高いシリカ粒子を
製造するという、化学炎プロセスが一般的である。気相
中で化学反応が進行した場合に、立体的に周囲から作用
を及ぼされることが少ないため、球状に形を構成し易い
というエアロゾル合成の特長を利用している。この方法
や製造装置を窒化アルミニウム粉体に適用すれば、
(1)粒子径が小さいこと、或いは形状異方性が大きい
という欠点の解消、(2)シリカフィラー合成で蓄積さ
れてきた粉体合成制御等の知的資産やノウハウの利用に
より、粒子径分布など粉体特性の制御性向上や、必要特
性を得るための検討時間の短縮、(3)化学炎法の製造
装置の流用による初期設備投資の優位性など、多くの利
点が期待される。しかし、これまで(恐らく検討は行わ
れてきたものと思われるが)「窒化アルミニウム“フィ
ラー”化学炎プロセス」は実現されてこなかった。これ
は、(1)シリカと異なり、融点の存在しない窒化アル
ミニウムでは「原料粉体表面の溶融」による球状化は期
待できないこと、(2)「酸素」の存在する火炎中へ単
純に原料を投入するだけでは、非酸化物の窒化アルミニ
ウムが製造できないこと、(3)これまでは一度の反応
で完全な窒化アルミニウムの結晶構造を有した粉体を合
成しなければならないと考え、気相合成の特徴である複
数の反応を連続化できる点に着目しなかったこと、など
が問題点であった。
従来の窒化アルミニウム粉体、及びその製造方法又は製
造装置が持つ欠点を克服し、火炎の存在下、気相中で窒
化反応が進行するようにしたことにより、組成が無機材
料から成る粉体を組成が有機材料から成る樹脂系原料に
充填して用いる複合材料系において、その原料粉体(フ
ィラー)として必要な数μm〜数10μmの粒子径と球
形度を達成した新規な窒化アルミニウム粉体、その製造
方法及び製造装置を提供することを目的として開発され
たものである。
一にシリカのように溶融過程を利用できなくとも、気相
中で化学反応が進行した場合に、立体的に周囲から作用
を及ぼされることが少ないため、球状に形を構成し易い
というエアロゾル合成の特長が利用し得ること、(2)
第二に可燃性ガスと酸素の割合を完全燃焼比より酸素を
少なくした還元性燃焼火炎により、炭化物粒子や、ダイ
ヤモンド薄膜が製造されていること、(3)第三に化学
炎法では、気相合成の特徴である複数の反応を連続化し
て用いることが可能(或いは比較的容易)であること、
に着目した。以上の着想を実現すべく鋭意検討した結
果、具体的には、(1)流動化媒体を併用する流動層プ
ロセスを利用するなど、粉体状の原料を凝集の少ない高
分散の状態で供給すること、(2)燃焼火炎或いはプラ
ズマ火炎中の酸素濃度の調整と同時に、生産性の観点か
ら、火炎による高温を駆動力にした直接窒化法又は還元
窒化法を主反応系として適用すること、(3)原料と火
炎の量比率の適正化により窒化アルミニウムの結晶構造
の生産性を高めるか、或いはAl元素・O元素・N元素
から成る中間相前駆体を先ず製造し、後段に熱処理工程
を連続化することで窒化アルミニウムの結晶構造とする
こと、以上三点の制御を同時かつ効果的に組み合わせる
ことで、フィラーとして必要な粒子径と球形度を達成し
た窒化アルミニウム粉体を製造可能なことを見出した。
本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。
かなかった数μm〜数10μmの粒子径と球形度を達成
した新規な窒化アルミニウム粉体、その製造方法及び製
造装置を、火炎の存在下、気相中で窒化反応が進行する
ようにしたことにより提供するものである。
下のような構成が採用される。 (1)火炎で合成した窒化アルミニウム製フィラー粉体
であって、粒子径範囲が0.001〜500μmに含ま
れ、平均粒子径範囲が0.1〜100μmで、粒子の外
形が球状であり、火炎の存在下、気相中で製造したこと
を特徴とするAl及びO及びN元素を含む粉体又はAl
及びN元素を含む粉体。 (2)C又はH元素から成る可燃性ガス単独の燃焼火
炎、又は可燃性ガスと酸素の混合ガスの燃焼火炎、又は
可燃性ガスと酸素の割合を完全燃焼比より酸素を少なく
した還元性燃焼火炎、又は不活性ガスのプラズマによる
火炎、又は高電圧を印加された非接触状態下の金属間に
発生するアーク炎、の存在下で製造することを特徴とす
る前記(1)に記載の粉体。 (3)原料を粒子径範囲が0.001〜500μmに含
まれるAl元素から成る粉体とし、窒素又はアンモニア
又は不活性ガスの存在下で、火炎を用いて窒化反応を進
行させることを特徴とする前記(1)に記載の粉体。 (4)原料を夫々の粒子径範囲が0.001〜500μ
mに含まれるAl及びO元素から成る粉体とC元素から
成る粉体の混合物とし、窒素又はアンモニア又は不活性
ガスの存在下で、火炎を用いて窒化反応を進行させるこ
とを特徴とする前記(1)に記載の粉体。 (5)前記(1)〜(4)のいずれかに記載の粉体を、
火炎又は粉体に高温を付与可能な装置を用いて、連続的
又は断続的に、500〜10000℃の温度範囲で、空
気中又は窒素又はアンモニア又は不活性ガスの存在下
で、又は真空状態下で、熱処理を行うことを特徴とする
前記(1)に記載の粉体。 (6)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の粉体を製
造する方法であって、粒子径範囲が0.001〜500
μmに含まれ、平均粒子径範囲が0.1〜100μmで
ある原料粉体を高分散かつ安定な流動化又はエアロゾル
状態に形成する工程、上記原料粉体を火炎の存在下で直
接窒化又は還元窒化する窒化反応に付して窒化物を合成
する工程、必要により、上記窒化物を熱処理する工程、
から成ることを特徴とするAl及びO及びN元素を含む
粉体又はAl及びN元素を含む粉体の製造方法。 (7)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の粉体から
成る原料粉体(フィラー)であって、組成が無機材料か
ら成る粉体を、組成が有機材料から成る樹脂系原料に充
填して用いる複合材料系において、その原料粉体(フィ
ラー)として用いるためのAl及びO及びN元素を含む
粉体又はAl及びN元素を含む粉体。 (8)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の粉体の製
造に使用するための装置であって、火炎の発生装置と、
原料粉体の供給装置と、空気又は窒素又はアンモニア又
は不活性ガスの供給装置とを構成要素とし、原料粉体の
窒化反応が、火炎の存在下、気相中で進行するようにし
たことを特徴とする製造装置。 (9)同軸上に内径の異なる複数個の円筒管を組み合わ
せた構造を有する火炎の発生装置を構成要素とし、何れ
かの円筒管へ原料粉体を供給し、他の円筒管へ反応ガス
を供給して、原料粉体の該円筒管先端部付近で、原料粉
体と反応ガスとが拡散混合され、原料粉体の窒化反応が
火炎の存在下、気相中で進行するようにしたことを特徴
とする前記(8)に記載の製造装置。
に説明する。本発明の重要な技術的要件は、次の三点に
ある。(1)粒子径範囲が0.001〜500μmに含
まれる原料粉体の、高分散かつ安定な流動化又はエアロ
ゾル状態の形成、(2)火炎中のガス雰囲気調整、及び
火炎による高温を駆動力にした直接窒化法又は還元窒化
法の利用、(3)原料及び火炎量の比率制御、又は熱処
理工程の連続化。
粉体状の原料の材料系については、任意の粒子径のアル
ミニウム金属粉体、水・ガス・遠心の各アトマイズ法で
製造された球形度の高い気相合成・Al系粉体群を好適
とするが、更にAlCl3 等の塩化物、アルミニウムイ
ソプロポキシドAl(iso−OC3 H5 )3 等のアル
コキシド原料、アルミニウムアセチルアセトナトAl
(iso−C5 H7 O2 )3 等のβジケトン錯体、トリ
メチルアルミニウムAl(CH3 )3 等のアルキルメタ
ル等の低沸点の気相合成原料群、などが例示されるが、
特に制限はない。
ら成る粉体の混合物」として記述した粉体状の原料の材
料系について、まず「Al及びO元素から成る粉体」に
ついては、市販のバイヤー法・改良バイヤー法・アルコ
キシド法・アンモニウムドーソナイト法・気相法などで
製造されたアルミナAl2 O3 粉体群を好適とするが、
更にα・γ・θ・κの各Al2 O3 多系(中間アルミ
ナ)、AlOOHやAl(OH)3 の化学式で表現され
る水酸化物前駆体、アセチルアセトナトAl(C5 H7
O2 )3 やアンモニウムドーソナイトNH4 AlCO3
(OH)2 の化学式で表現される炭酸塩前駆体、アルミ
ニウムイソプロポキシドAl(iso−OC3 H5 )3
等のアルコキシド原料、アルミニウムアセチルアセトナ
トAl(iso−C5 H7 O2 )3 等のβジケトン錯
体、トリメチルアルミニウムAl(CH3 )3 等のアル
キルメタル等の低沸点の気相合成原料群、などが例示さ
れるが、特に制限はない。また、「C元素から成る粉
体」については、任意の粒子径の炭素粉体、カーボンブ
ラックやアセチレンブラックなど純度の高い気相合成・
炭素粉体、などが例示されるが、特に制限されるもので
はない。上記原料粉体は、粒子径範囲が0.001μm
〜500μmに含まれ、平均粒子径範囲が0.1〜10
0μmであることを技術的要件とするが、その理由は、
原料粉体の形状が、合成される窒化アルミニウム粉体の
形状に反映されるためである。また、原料粉体の供給装
置としては、ニーダー等のスクリュー式、二軸ミル等の
ローター式供給装置、粉体搬送用の気体供給等が例示さ
れる。
成方法については、気流にのせて粉体を滞留化させる各
種の流動層法(原料粉体より大きく流動化し易い数10
0μm直径の媒体メディアを同時に用いて、原料粉体の
凝集を防止しながら高分散化を図る媒体流動層法、粉体
層に振動を印加して微粒子のチャネリングを防止する振
動流動層法などを含む)を好適とするが、例えば、更に
回転円板やガスノズルを用いて粉体を気流にのせる各種
噴霧法、液体媒体中に粉体を分散させ超音波噴霧器や遠
心噴霧器などで液体ごと粉体を液滴化する液体噴霧法な
ども適用可能であり、特に制限されるものではなく、い
ずれの方法で調製された流動化原料粉体も適用できる。
空気又は窒素又はアンモニア又は不活性ガスの供給・制
御装置としては、コンプレッサー等の圧縮ガス供給機、
ガス製造設備より供給される高圧ガスボンベの内圧利
用、浮き玉式流量計、マスフローコントローラーなどが
例示される。
2 、メタンCH4 ・ブタンC3 H8 ・アセチレンC2 H
2 等の液化石油ガス、アンモニアNH3 等のC又はH元
素などから成る各種の可燃性ガス、及び酸素O2 等の支
燃性ガスを好適とするが、更にアルゴンArなど不活性
ガスの電離によるプラズマ火炎、又は被覆棒アーク・ザ
ブマージアーク・イナートガスアークなど高電圧を印加
された非接触状態下の金属間に発生するアーク炎なども
適用可能であり、特に制限されるものではなく、いずれ
の方法で調製された火炎も適用できる。火炎の発生装置
としては、液化ガス或いは都市ガス用のガスバーナー、
ガス溶接ガン、アーク溶接ガン、熱プラズマ装置等が例
示されるが、好適には、例えば、同軸上に内径の異なる
複数個の円筒管を組み合わせた構造を有する火炎の発生
装置を構成要素とし、何れかの円筒管へ原料粉体を供給
し、他の円筒管へ反応ガスを供給して、原料粉体の該円
筒管先端部付近で、原料粉体と反応ガスとが拡散混合さ
れ、原料粉体の窒化反応が火炎の存在下、気相中で進行
するようにした装置が例示される。
的に高温を付与する方法・装置については、熱CVD法
等で採用される通常の電気炉加熱を好適とするが、熱処
理用の燃焼火炎を複数設ける事による火炎再加熱、プラ
ズマ炎やアーク炎の利用、イメージ炉式加熱なども適用
可能であり、特に制限されるものではない。熱処理の条
件は、火炎中で合成された直後のAs−prepare
dの粉体の形態や結晶相により決定され、As−pre
pared粉体の特性で満足される場合、熱処理は必ず
しも必要ない。一般的な条件として、窒素又はアンモニ
ア又は不活性ガス0.001〜1000L/minのガ
ス流量範囲、500〜10000℃の温度範囲が例示さ
れる。熱処理により、Al−O−N中間体とAlN相の
割合・高制御化の格段の効果が得られる。
機材料から成る樹脂系原料に充填して用いる複合材料系
については、半導体素子の保護・絶縁などを目的とした
パッケージング材料を好適とするが、更に絶縁材料や電
極・導電材料、電気粘性流体、化学機械研磨用スラリ
ー、射出成形や鋳込み成形などのセラミック成形プロセ
ス原料などの材料系も例示される。充填するフィラーで
ある無機材料から成る粒子状材料については、半導体パ
ッケージング材料で多用されるシリカSiO2 又は窒化
アルミニウムAlNを好適とするが、例えばAl2 O
3 、SiC、Si3 N4 などの他の酸化物系、Au、A
g、Pd、Pt、Cu、Al、Au−Pdなど金属系も
当然適用可能であり、特に制限はない。また、結晶性に
ついても制限は無く、結晶性又は非晶質何れでも構わな
い。媒体である液状材料については、イオン交換水や蒸
留水などの水系、エタノールなどの有機非水系のほか、
レゾール型やノボラック型のフェノール樹脂、ビスフェ
ノール型クレゾールノボラック多官能型のエポキシ樹
脂、ハロゲン化樹脂など、常温で固形タイプの樹脂材料
や、常温で液状タイプの次世代半導体素子用のパッケー
ジング材料で多用される樹脂材料を好適とするが、特に
制限はない。
程度の粒子径、サブμmオーダーから10数μmオーダ
ーまでの幅広い粒子径分布、高い球形度、が同時に達成
された窒化アルミニウム粉体、及びその製造する技術や
製造装置を提供することができ、特に、半導体パッケー
ジング材料を好適とする、組成が無機材料から成る粉体
を、組成が有機材料から成る樹脂系原料に充填して用い
る複合材料系において、その原料フィラー粉体として最
適である。本発明の方法により合成した窒化アルミニウ
ム粉体の特性を以下に示す。粒子径範囲が0.001〜
500μmに含まれ、平均粒子径範囲が0.1〜100
μmで、粒子の外形が長軸径:短軸径がほぼ1:1の球
状である。また、結晶相は、Al−O−N中間相かAl
N相まで任意に制御して作製可能である。
るが、本発明は、以下の実施例によってなんら限定され
るものではない。 (1)方法 図1に、本発明に基づく製造装置の構成の一例を模式的
に示した。液化石油ガスと酸素・窒素・アンモニア系の
化学炎と、粒子状の原料粉体とから成る、エアロゾル合
成プロセスを基礎とした。図1では、Al金属又はAl
2 O3 +Cの原料粉体(Raw powder)と窒素ガスを流動
層エアロゾル発生装置(Fluidized bedaerosol generat
or )に供給し、エアロゾルの粒子サイズを選別(Class
ification)し、火炎反応器(Flame reactor, Diffusio
n burner )に炭化水素ガス(Hydrocarbon gases )を
供給すると共に、酸素と窒素又は酸素とアンモニアガス
をガス制御因子(Gas composition control )として供
給して、火炎(Flame )で気相合成し、生成物をポンプ
(Pump)で引いてフィルター(Filter)を通し、トラッ
プするステップからなる構成が採用される。化学炎法へ
適用する基礎反応系の一例として、Al粉体の直接窒化
法を用いた(還元窒化法でも問題はない)。Al原料粉
体は直径10μmのガスアトマイズ法による球状粉体と
した。流動化は媒体流動層法とし、直径150μmのガ
ラスビーズを媒体として用いた。反応器はステンレス製
二重円筒管による拡散火炎式とし、最内管へ原料粉体及
び反応ガス系、最外管へ火炎原料ガスを供給した。原料
粉体は窒素ガスにより10L/minで、液化石油ガス
は5L/minで供給し、制御因子である酸素ガスは、
液化石油ガスとの化学量論比から還元性火炎側へ調節し
た。更に必要に応じて、窒素ガス0.5L/min気流
中、およそ1000℃程度で、合成した粉体を熱処理し
た。
一例のSEM写真を示す。フィラー粉体として主に必要
な、(1)平均粒子径が10μmオーダー程度の粒子
径、(2)サブμmオーダーから10数μmオーダーま
での幅広い粒子径分布、(3)高い球形度、が実現さ
れ、これまで想像の産物でしかなかった粒子径(及び
“粒子径分布”)と球形度を同時に達成した新規な窒化
アルミニウム粉体を得ることができた。
(1)平均粒子径が10μmオーダー程度の粒子径を有
する窒化アルミニウム粉体が得られる、(2)サブμm
オーダーから10数μmオーダーまでの幅広い粒子径分
布を有する窒化アルミニウム粉体が得られる、(3)前
記の粒子径特性を満たし、同時に従来に無い高い球形度
が実現される(従来、平均粒子径が10μm程度の窒化
アルミニウム粉体では、角張った形状異方性の高い粉体
しか無かった)、(4)特に、半導体パッケージング材
料を好適とする、組成が無機材料から成る粉体を、組成
が有機材料から成る樹脂系原料に充填して用いる複合材
料系において、その原料フィラー粉体として最適であ
る、という格段の効果が奏される。
ある。
例のSEM写真である。
Claims (9)
- 【請求項1】 火炎で合成した窒化アルミニウム製フィ
ラー粉体であって、粒子径範囲が0.001〜500μ
mに含まれ、平均粒子径範囲が0.1〜100μmで、
粒子の外形が球状であり、火炎の存在下、気相中で製造
したことを特徴とするAl及びO及びN元素を含む粉体
又はAl及びN元素を含む粉体。 - 【請求項2】 C又はH元素から成る可燃性ガス単独の
燃焼火炎、又は可燃性ガスと酸素の混合ガスの燃焼火
炎、又は可燃性ガスと酸素の割合を完全燃焼比より酸素
を少なくした還元性燃焼火炎、又は不活性ガスのプラズ
マによる火炎、又は高電圧を印加された非接触状態下の
金属間に発生するアーク炎、の存在下で製造することを
特徴とする請求項1に記載の粉体。 - 【請求項3】 原料を粒子径範囲が0.001〜500
μmに含まれるAl元素から成る粉体とし、窒素又はア
ンモニア又は不活性ガスの存在下で、火炎を用いて窒化
反応を進行させることを特徴とする請求項1に記載の粉
体。 - 【請求項4】 原料を夫々の粒子径範囲が0.001〜
500μmに含まれるAl及びO元素から成る粉体とC
元素から成る粉体の混合物とし、窒素又はアンモニア又
は不活性ガスの存在下で、火炎を用いて窒化反応を進行
させることを特徴とする請求項1に記載の粉体。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の粉体
を、火炎又は粉体に高温を付与可能な装置を用いて、連
続的又は断続的に、500〜10000℃の温度範囲
で、空気中又は窒素又はアンモニア又は不活性ガスの存
在下で、又は真空状態下で、熱処理を行うことを特徴と
する請求項1に記載の粉体。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の粉体を
製造する方法であって、 粒子径範囲が0.001〜500μmに含まれ、平均粒
子径範囲が0.1〜100μmである原料粉体を高分散
かつ安定な流動化又はエアロゾル状態に形成する工程、 上記原料粉体を火炎の存在下で直接窒化又は還元窒化す
る窒化反応に付して窒化物を合成する工程、 必要により、上記窒化物を熱処理する工程、から成るこ
とを特徴とするAl及びO及びN元素を含む粉体又はA
l及びN元素を含む粉体の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1〜5のいずれかに記載の粉体か
ら成る原料粉体(フィラー)であって、組成が無機材料
から成る粉体を、組成が有機材料から成る樹脂系原料に
充填して用いる複合材料系において、その原料粉体(フ
ィラー)として用いるためのAl及びO及びN元素を含
む粉体又はAl及びN元素を含む粉体。 - 【請求項8】 請求項1〜5のいずれかに記載の粉体の
製造に使用するための装置であって、火炎の発生装置
と、原料粉体の供給装置と、空気又は窒素又はアンモニ
ア又は不活性ガスの供給装置とを構成要素とし、原料粉
体の窒化反応が、火炎の存在下、気相中で進行するよう
にしたことを特徴とする製造装置。 - 【請求項9】 同軸上に内径の異なる複数個の円筒管を
組み合わせた構造を有する火炎の発生装置を構成要素と
し、何れかの円筒管へ原料粉体を供給し、他の円筒管へ
反応ガスを供給して、原料粉体の該円筒管先端部付近
で、原料粉体と反応ガスとが拡散混合され、原料粉体の
窒化反応が火炎の存在下、気相中で進行するようにした
ことを特徴とする請求項8に記載の製造装置。
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