JP2002122340A

JP2002122340A - 半導体装置の製造装置

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Publication number: JP2002122340A
Application number: JP2000315363A
Authority: JP
Inventors: Toshiro Kizakihara; 木崎原稔郎; Isao Motohori; 本堀勲; Taiji Kato; 加藤泰司; Toshikazu Suzuki; 鈴木登之和; Hirohisa Koriyama; 郡山広久; Isato Iwamoto; 岩元勇人; Hitoshi Abe; 阿部仁
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-10-16
Filing date: 2000-10-16
Publication date: 2002-04-26
Also published as: US20020090283A1; US6670290B2; US20040102058A1; US6777355B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】多くの処理装置を用いる場合においても、各
処理装置に対して、簡潔な構成で、超高清浄化空気の供
給を行うことができるようにする。【解決手段】クリーンルーム１内には、複数の半導体
製造処理装置に対して共通の送風路を構成する共通ダク
ト部８Ａと、から分岐されて各半導体製造処理装置に対
して個々の送風路を構成する個別ダクト部８Ｂ１，８Ｂ
２とを有して成るダクト８が設けられる。共通ダクト部
８Ａの清浄空気を導入する導入口には、外調機６によっ
て清浄化されてクリーンルーム１内に送給された清浄外
気の一部を更に清浄化して共通ダクト部送給するケミカ
ルフィルタ１０と送風機１１とを具備する前段清浄化送
風手段１２が設けられ、個別ダクト部には、それぞれフ
ァンフィルタユニット１４による後段清浄化送風手段１
４１．１４２によって清浄化された空気を、各半導体製
造処理装置に送風する構成とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、単体半導体装置、
半導体集積回路装置等の各種半導体装置を製造する場合
に用いて好適な半導体装置の製造装置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】単体半導体装置、半導体集積回路装置等
の各種半導体装置を製造する場合、その製造過程で、エ
ッチング処理、ＣＶＤ（化学的気相成長）処理、不純物
拡散処理等の多くの処理がなされる。

【０００３】昨今、ますます、厳しい半導体装置の微細
化、高性能化の要求に伴って、半導体装置の製造におけ
る上述した各種処理を行う半導体製造処理装置の配置環
境に関して、通常一般の、塵埃、微粒子排除がなされた
程度の清浄化を超えた、すなわちガス状化学的物質の排
除もなされた超高清浄な雰囲気が要求されてきている。
この化学的物質とは、例えば半導体製造装置で使用され
る材料から放出されるフタル酸ジオクチル、燐酸エステ
ル、芳香族化合物等有機系ガスやオゾン等であり、これ
らは、従来一般の微粒子フィルタを通じる清浄化では排
除することができない。そこで、この種の化学的物質の
排除は、いわゆるケミカルフィルタを用いることによっ
て行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体装置
の製造においては、上述したように多くの半導体製造処
理装置、例えば１工場で数百台に及ぶ処理装置が設けら
れることから、これらにそれぞれケミカルフィルタを設
置することは、装置の複雑化、大きなコスト高を来す。
本発明においては、このように多くの半導体製造処理装
置を用いる場合においても、できるだけコスト高の招来
を回避するようにした半導体装置の製造装置を提供する
ものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、クリーンルー
ムのワーキングエリアに複数の半導体製造処理装置が配
置されて成る半導体装置の製造装置にあって、そのクリ
ーンルーム内に外気を清浄化して送給する微粒子除去フ
ィルタを有する外調機が、クリーンルームの、清浄化外
気の供給口に連結して設けられる。そして、クリーンル
ーム内には、複数の半導体製造処理装置に対して共通の
送風路を構成する共通ダクト部と、この共通ダクト部か
ら分岐されて各半導体製造処理装置の配置部に対して個
々の送風路を構成する個別ダクト部とを有して成るダク
トが設けられる。その共通ダクト部の空気の導入口に
は、外調機によって清浄化されてクリーンルーム内に送
給された清浄外気の一部を更に清浄化して共通ダクト部
送給するケミカルフィルタを有する前段清浄化送風手段
が設けられ、個別ダクト部には、それぞれファンフィル
タユニットを有する後段清浄化送風手段が設けられ、こ
の後段清浄化送風手段によって清浄化された空気を、各
半導体製造処理装置に送風する構成とするものである。

【０００６】このように、本発明においては、クリーン
ルーム内に、外調機によって外気を清浄化して導入する
のみならず、更に半導体に対する有機系ガスや、オゾン
を除去するケミカルフィルタによって半導体製造処理装
置に対する清浄空気を送り込むようにするものである
が、この場合、複数の処理装置に対する共通の供給ダク
トを設け、このダクトに対してケミカルフィルタを配置
した構成としてことによって、構成の簡潔化、ひいては
コストの低減化を図るものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明による半導体装置の製造装
置の一実施形態の一例を、図１の概略構成図を参照して
説明するが、本発明は、この実施形態および例に限定さ
れるものではないことはいうまでもない。

【０００８】図１においては、クリーンルーム１の作業
者２によって作業がなされるいわゆるワーキングエリア
３に、複数、図においては第１および第２の２台の半導
体製造処理装置２１および２２が配置された状態を代表
的に示している。これら半導体製造処理装置２１および
２２等は、例えばＣＶＤ（化学的気相成長）処理装置、
拡散処理装置、エッチング処理装置、洗浄処理装置等の
各種装置の各チャンバー（図示せず）内において、それ
ぞれ各処理がなされる。

【０００９】この実施形態においては、空気を上方から
下方に流す、いわゆるダウンフロー方式としてワーキン
グエリア３の床下に空気の流れを下向き矢印で示すよう
に形成している。

【００１０】この場合、クリーンルーム１の例えば上
方、すなわち天井部に、クリーンルーム１内に、矢印ａ
で示す外気を清浄化して送給する微粒子除去フィルタ４
と送風機５とを具備する外調機６を、クリーンルーム１
の、清浄化外気の供給口７に連結して設ける。また、ク
リーンルーム１内にダクト８を配置する。このダクト８
は、例えばクリーンルーム１の天井面にほぼ沿って配置
され、クリーンルーム１内の半導体製造処理装置２１お
よび２２に対して共通の送風路を構成する共通ダクト部
８Ａと、この共通ダクト部８Ａから分岐されて、各半導
体製造処理装置２１および２２に対して個々の送風路を
構成する個別ダクト部８Ｂ１および８Ｂ２とより構成さ
れる。

【００１１】そして、共通ダクト部８Ａの清浄空気の導
入口９に、外調機６によって清浄化されてクリーンルー
ム１内に送給された清浄外気の一部を更に清浄化してダ
クト８の共通ダクト部８Ａに送給する前段清浄化送風手
段１２が設けられる。この前段清浄化送風手段１２は、
前述した有機系ガスやオゾン等の除去を行うことができ
るケミカルフィルタ１０と、送風機１１とを具備して成
る。また、更に、各個別ダクト部８Ｂ１および８Ｂ２
に、それぞれ送風機１３を有するＦＦＵ（ファンフィル
タユニット）による、第２の後段清浄化送風手段１４１
および１４２が設けられる。これら手段１４１および１
４２には、例えば半導体製造処理装置における例えばロ
ードロック室の開放等によっても常時各半導体製造処理
装置への清浄空気供給圧力が一定化する微差圧ダンパ１
５が設けられている。

【００１２】そして、前段清浄化送風手段１２によって
高清浄化された空気が共通ダクト部８Ａ内に送り込ま
れ、この共通ダクト８Ａから分岐された各個別ダクト８
Ｂ１および８Ｂ２に分岐されて更にそれぞれいわゆるフ
ァンフィルタユニットによる第１および第２の後段清浄
化送風手段１４１および１４２によって超高清浄化され
た空気を、各処理装置２１および２２の配置部に供給す
るようになされる。

【００１３】そして、各処理装置２１および２２の配置
部に送給された空気は、前述したように、例えばワーキ
ングエリア３の床下から排気されて外部に導出される
が、更に、必要に応じて外調機６に対する外気として循
環させる構成とすることもできる。

【００１４】上述の本発明装置によれば、外気ａが外調
機６によって塵埃等の微粒子が排除されて、クリーンル
ーム１内に導入され、一部が前段清浄化送風手段１２に
よって取り込まれてケミカルフィルタ１０によって、有
機ガス、オゾン等が排除されてダクト８内に取り込ま
れ、残りが直接的に、ワーキングエリア３内に送りこま
れる。そして、ガスの排除もなされた清浄空気は、それ
ぞれの個別ダクト９に送られ第１および第２の後段清浄
化送風手段１４１および１４２によって、更に清浄化さ
れて、超高清浄化空気が、各処理装置２１および２２の
チャンバー２１ｃおよび２２ｃ内に供給される。これら
各処理装置２１および２２のチャンバー２１ｃおよび２
２ｃ内には、被処理体が配置され、それぞれ所要の処
理、例えばＣＶＤ、拡散、エッチング、洗浄等が、同時
にあるいは順次的に行われる。

【００１５】上述した本発明装置によれば、微粒子除去
のみならず、ガス排除を行うケミカルフィルタ１０が配
置されることから、化学的汚染物ガス等の高性能半導体
装置を製造する上で不都合な有機ガス等を排除すること
ができ、高性能半導体装置を、高い信頼性をもって、歩
留り良く製造することができる。

【００１６】そして、本発明によれば、複数の処理装置
２１、２２に関して共通ダクト部８Ａを設け、この共通
ダクト部８Ａに、上述したケミカルフィルタ１０を設け
る構成としたことにより、このケミカルフィルタ１０を
各処理装置に対し個々に設ける場合に比して構造の簡潔
化、装置全体の小型化、メンテナンスの容易化を図るこ
とができるものである。

【００１７】尚、図示した例では、同一クリーンルーム
内に２つの処理装置２１および２２を配置した構成とし
た場合であるが、いうまでもなく、３台以上配置する構
成による場合など、種々の変更がなされた構成によるこ
とができる。例えば半導体製造処理装置が多槽式洗浄機
等において、例えば被処理体の出入がなされるローダ
ー、アンローダーの配置部以外の例えば洗浄槽が密閉洗
浄槽等である場合には、個別ダクトからの超高浄化空気
をローダー、アンローダーの配置部に限定的に送風する
構成とすることもできるなど、本発明構成において、種
々の態様を採ることができる。

【００１８】

【発明の効果】上述したように、本発明においては、微
粒子除去のみならず、ガス排除を行うケミカルフィルタ
が配置されることから、化学的汚染物ガスの排除がで
き、超高浄化雰囲気下での各種処理装置による各種処
理、例えばＣＶＤ処理、拡散処理、エッチング処理、エ
ッチング処理、そのほかフォトレジスト塗布処理等、半
導体装置の製造に伴う各種処理装置に超高清浄化空気を
送給することができ、この超高清浄化雰囲気下で各種処
理を行うことができることによって、目的とする高性能
半導体装置を、高い信頼性をもって、歩留り良く製造す
ることができる。したがって、本発明装置によれば、半
導体装置のコストの低減化を図ることができ、工業的に
利するところが大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体装置の製造装置の一例の概
略構成図である。

【符号の説明】

１・・・クリーンルーム、２・・・作業者、３・・・ワ
ーキングエリア、４・・・微粒子除去フィルタ、５・・
・送風機、６・・・外調機、７・・・供給口、８・・・
ダクト、８Ａ・・・共通ダクト部、８Ｂ１，８Ｂ２・・
・個別ダクト部、９・・・導入口、１０・・・ケミカル
フィルタ、１１・・・送風機、１２・・・前段清浄化送
風手段、１３・・・送風機、１４・・・ファンフィルタ
ユニット（ＦＦＵ）、１５・・・微差圧ダンパ、２１・
・・第１の半導体製造処理装置、２２・・・第２の半導
体製造処理装置１４１・・・第１の後段清浄送風手段、
１４２・・・第２の後段清浄送風手段

フロントページの続き (72)発明者加藤泰司東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者鈴木登之和東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者郡山広久東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者岩元勇人東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者阿部仁東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 3L058 BE02 BF00 BG03 5F045 BB10 BB14 DQ14 EE01 EE10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】クリーンルームのワーキングエリアに複
数の半導体製造処理装置が配置されて成る半導体装置の
製造装置にあって、上記クリーンルーム内に外気を清浄化して送給する微粒
子除去フィルタを有する外調機が、上記クリーンルーム
の、清浄化外気の供給口に連結して設けられ、上記クリーンルーム内の上記複数の半導体製造処理装置
に対して共通の送風路を構成する共通ダクト部と、該共
通ダクト部から分岐されて上記各半導体製造処理装置の
配置部に対して個々の送風路を構成する個別ダクト部と
を有して成るダクトが設けられ、上記共通ダクト部の空気導入口に、上記外調機によって
清浄化されてクリーンルーム内に送給された清浄外気の
一部を更に清浄化して上記共通のダクト部に送給するケ
ミカルフィルタと送風機とを具備する前段清浄化送風手
段が設けられ、上記個別ダクト部にそれぞれファンフィルタユニットを
有する後段清浄化送風手段が設けられ、該後段清浄化送
風手段によって清浄化された空気を、上記各半導体製造
処理装置の配置部に個々に送風する構成としたたことを
特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】上記後段清浄化送風手段が、微差圧ダン
パーを具備することを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の製造装置。