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JP2002117800A - 電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡 - Google Patents

電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡

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JP2002117800A
JP2002117800A JP2000305796A JP2000305796A JP2002117800A JP 2002117800 A JP2002117800 A JP 2002117800A JP 2000305796 A JP2000305796 A JP 2000305796A JP 2000305796 A JP2000305796 A JP 2000305796A JP 2002117800 A JP2002117800 A JP 2002117800A
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JP
Japan
Prior art keywords
sample
electron
electron beam
image
biprism device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000305796A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Tomita
富田健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
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Priority to US09/966,731 priority patent/US6759656B2/en
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/151—Electrostatic means
    • H01J2237/1514—Prisms

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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】電子線の位相変化の情報を効果的に取り出すこ
とができるとともに、位相情報の空間分解能をより一層
高めることのできる、電子線バイプリズム装置を備えた
電子顕微鏡を提供する。 【解決手段】試料６と電子線バイプリズム装置８との間
に、２個の第１対物レンズ７ａと第２対物レンズ７ｂと
がそれらの磁界の影響を試料６に与えないように配置さ
れている。そして、第１および第２対物レンズ７ａ,７
ｂの励磁が適宜可変制御されることで試料像の像倍率が
可変制御されるとともに、電子線バイプリズム装置８の
線電極８ａに印加する電圧を可変制御することで干渉縞
の間隔が調整されて、目的に応じた試料像の像倍率と干
渉縞の間隔とが得られるようになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線バイプリズ
ム装置により、試料のない空間を通過してきた電子線と
試料を透過した電子線とを重ね合わせて試料による電子
線の位相変化の情報を持った干渉縞を形成し、この干渉
縞を試料の透過像に重ね合わせて観察することにより、
試料の厚さ分布、電場あるいは磁場等の情報を得るため
の、電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡の技術
分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透過形電子顕微鏡においては、電
子線を試料に照射し、この試料を透過してきた電子線か
らなる試料像を磁界レンズで強拡大してスクリーンに投
影することで、試料の観察を行うようになっている。こ
のような従来の透過形電子顕微鏡のなかに、電子線バイ
プリズム装置により、試料を透過していない電子線と試
料を透過した電子線との干渉による干渉縞を得るととも
に、このホログラムから電子線の位相変化の情報を取り
出すことで、試料の厚さ分布、電場あるいは磁場等の情
報を得る電子顕微鏡がある。
【０００３】図２は、このような電子線バイプリズム装
置を備えた従来の電子顕微鏡の一例を模式的に示す図で
あり、図３は電子線バイプリズム装置を説明し、（ａ）
はＯＦＦ時の電子線バイプリズムを説明する図であり、
（ｂ）はＯＮ時の電子線バイプリズムを説明する図であ
る。図中、１は電子顕微鏡、２は電子線、３は電子線２
を発生する電子銃、４は電子銃３により発生した電子線
２を加速する加速部、５は電子線２を適時収束、発散さ
せて試料６に照射する照射系、６は試料、７は試料６を
透過した電子線により試料像を結像するための対物レン
ズ、８はホログラムを形成する電子線バイプリズム装
置、８ａは電子線通路に直交するように張られた直径
０.３〜０.６μｍ程度の導電性ワイヤーからなる線電
極、８ｂは線電極８ａに例えば数１０〜数１００Ｖ程度
の電圧を印加するための電圧電源、８ｃはスイッチ、８
ｄ,８ｅは線電極８ａに平行でかつ線電極８ａを間に挟
むように対向配置され、線電極８ａに発生する電界を整
えるための接地電極、９は電子線バイプリズム装置８を
含み、この電子線バイプリズム装置８によるホログラム
を数段の磁界レンズ群１０により拡大してスクリーン１
１上に結像する結像系、１１は拡大されたホログラムが
投影されるスクリーン、１２は試料６の透過電子線像
（試料像）、Ｏは電子線光軸、Ｓは線電極８ａの影であ
る。
【０００４】このように構成された電子線バイプリズム
装置８を備えた電子顕微鏡１においては、試料６の透過
像を観察するときは、図３（ａ）に示すようにスイッチ
８ｃが接地側に倒されて電子線バイプリズム装置８がＯ
ＦＦに設定される。この状態では、電圧電源８ｂの電圧
が線電極８ａに印加されず、線電極８ａは接地電位が与
えられる。そして、電子銃３で発生した電子線２が試料
６を照射し、この試料６を透過していない電子線２ａお
よび試料６を透過した電子線２ｂは対物レンズ７により
収束される。更に、対物レンズ７により収束された電子
線２は対物レンズ７の下に配置された電子線バイプリズ
ム装置８を通過するようになるが、このとき線電極８ａ
には接地電位が与えられているので、対物レンズ７から
の各電子線２は電子線バイプリズム装置８を通過する際
に線電極８ａによって偏向作用を受けない。したがっ
て、電子線バイプリズム装置８の下方に試料６の透過電
子線像１２と線電極８ａの影Ｓが分離して形成されるよ
うになる。その場合、線電極の影Ｓを境にして片側一方
のみに試料６の透過電子線像が形成されるように、試料
６の位置調整および回転機構による線電極の回転調整が
それぞれ行なわれている。そして、試料６の透過電子線
像１２と線電極８ａの影Ｓが結像系９の磁界レンズ１０
により拡大されてスクリーン１１上に投影される。
【０００５】一方、試料６の透過像に干渉縞が重ね合わ
されたホログラムを観察するときは、図３（ｂ）に示す
ようにスイッチ８ｃが電圧電源８ｂ側へ倒されて電子線
バイプリズム装置８がＯＮに設定される。この状態で
は、電圧電源８ｂの正電圧が線電極８ａに印加される。
そして、前述と同様に対物レンズ７により収束されて線
電極８ａの両側に入射した各電子線は、線電極８ａに印
加された電圧電源８ｂの正電圧によって中央に引き寄せ
られて下方で重畳し、電子線干渉縞が形成されるととも
に、この電子線の干渉縞は電子線透過像１２に重ね合わ
され、ホログラムが得られる。そして、電子顕微鏡１で
このホログラムを観察することにより、試料６の厚さ分
布、電場の分布あるいは磁場の分布等を位相変化の情報
として得られるようになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
な電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡において
は、前述のように試料６の持つ電界の分布や磁界の分布
を電子線２の位相変化の情報として取り出せるという優
れた特徴を有するものであるが、磁性体試料等において
試料の持つ磁界分布を調べる場合、試料６を磁場の無視
できる空間に置く必要がある。
【０００７】しかしながら、前述の従来の電子顕微鏡１
では、試料６が対物レンズ７の強磁場中に置かれている
ため、磁性体試料等において試料の持つ磁界分布を調べ
る場合には対物レンズ７をＯＦＦにする必要がある。そ
こで、対物レンズ７をＯＦＦにすると、バイプリズム８
に対する光源Ｐおよびホログラムの結像位置１１を適切
な位置に設定することが困難なうえ、ホログラム結像面
１１での試料透過像の倍率を可変することができない。
【０００８】一方、バイプリズム８によるキャリアフリ
ンジはバイプリズム線電極８ａに印加する電圧により可
変できるが、位相情報の分解能をあげようとして、位相
情報を担うキャリアフリンジの間隔を狭くしようとする
と、キャリアフリンジのコントラストが落ちてくる。し
たがって、バイプリズム電圧をキャリアフリンジがある
程度のコントラストを持つフリンジ間隔に設定し、像面
１１において、試料の透過像倍率を調整することによ
り、Ｓ／Ｎのよい位相情報を得ることができるが、対物
レンズ７をＯＦＦした場合、従来の構成では、試料とバ
イプリズム８との間にレンズが１つ以下となるため、電
子線バイプリズムを備えた電子顕微鏡が有する前述の優
れた特徴を効果的に活かすことができないという問題が
ある。
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、電子線の位相変化の情報を
効果的に取り出すことができるとともに、位相情報の空
間分解能をより一層高めることのできる、電子線バイプ
リズム装置を備えた電子顕微鏡を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明は、電子線バイプリズム装置により、試料
のない空間を通過した電子線と試料を透過した電子線と
を重ね合わせて得られるホログラムを観察することによ
り試料の厚さ分布、電場あるいは磁場等の情報を得るよ
うになっている、電子線バイプリズム装置を備えた電子
顕微鏡において、前記試料と前記電子線バイプリズム装
置との間に複数の対物レンズを配設し、これらの複数の
レンズの各励磁をそれぞれ可変制御することで、干渉縞
と試料像の相対的な倍率を可変制御することを特徴とし
ている。
【００１１】
【作用】このように構成された本発明の電子線バイプリ
ズム装置を備えた電子顕微鏡においては、電子顕微鏡の
対物レンズが複数段の対物レンズとして構成されるとと
もに、これらの対物レンズはそれらの磁場が試料に影響
を及ぼさない位置に配置される。したがって、試料が磁
場の無視できる空間に置かれることから、磁性体試料等
において試料の持つ磁界分布を調べる場合、複数段の対
物レンズをＯＦＦにする必要はない。これにより、磁性
体試料等においても試料の持つ電界の分布や磁界の分布
が電子線の位相変化の情報としてより確実に取り出され
るようになり、磁性体試料等の試料の磁界分布も簡単に
かつより正確に調べられるようになる。
【００１２】また、このように試料像の倍率と干渉縞の
間隔との比が目的に応じて可変となるので、目的とする
分解能で位置情報に関して最もよいＳ／Ｎ比が得られる
ようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の電子線バイプリズ
ム装置を備えた電子顕微鏡の一例を模式的に示す、図２
と同様の図である。なお、前述の従来例と同じ構成要素
には同じ符号を付すことにより、その詳細な説明は省略
する。
【００１４】図１に示すように、この例の電子線バイプ
リズム装置を備えた電子顕微鏡１は、前述の従来例にお
ける、試料６が置かれる強磁場を発生する対物レンズ７
が設けられていないが、試料６と電子線バイプリズム装
置８との間に、２個の第１対物レンズ７ａと第２対物レ
ンズ７ｂとが直列に配設されている。すなわち、この例
の電子顕微鏡１では２段対物レンズを備えている。その
場合、第１および第２対物レンズ７ａ,７ｂはこれらの
対物レンズ７ａ,７ｂの磁界の影響を試料６に与えない
かほとんど与えないように、しかも、電子線バイプリズ
ム装置８に対する電子線の発散点（クロスオーバ）Ｐが
第２対物レンズ７ｂと電子線バイプリズム装置８との間
で電子線バイプリズム装置８に対して適正な位置に形成
されるように配置されている。
【００１５】また、電子線バイプリズム装置８により形
成される、試料６を透過していない電子線２ａと試料６
を透過した電子線２ｂとの干渉縞を試料像に重ね合わさ
れて得られるホログラムを形成する位置（結像面の位
置）Ｈが、電子線バイプリズム装置８と結像系の磁界レ
ンズ群１０との間の適正位置に設定されている。そし
て、第１および第２対物レンズ７ａ,７ｂの励磁が、そ
れぞれこのホログラムを形成する位置Ｈを保つように可
変制御されることで、像倍率が可変制御されるようにな
っている。
【００１６】このように構成されたこの例の電子線バイ
プリズム装置を備えた電子顕微鏡１においては、試料６
を透過していない電子線２ａおよび試料６を透過した電
子線２ｂが第１および第２対物レンズ７ａ,７ｂによっ
て収束され、更に電子線の発散点（クロスオーバ）Ｐを
通過して電子線バイプリズム装置８に進入する。この電
子線バイプリズム装置８によって、前述の干渉縞が試料
像に重ね合わされたホログラムが結像面の位置Ｈに結像
される。このとき、第１および第２対物レンズ７ａ,７
ｂの励磁が適宜可変制御されることで試料像の像倍率が
可変制御されるとともに、電子線バイプリズム装置８の
線電極８ａに印加する電圧を可変制御することで干渉縞
の間隔が調整されて、目的に応じた試料像の像倍率と干
渉縞の間隔とが得られるようになる。
【００１７】この例の電子顕微鏡１によれば、対物レン
ズを２段対物レンズとして構成するとともに、これらの
対物レンズをそれらの磁場の影響が試料に及ぼさない位
置に配置しているので、磁性体試料等において試料の持
つ磁界分布を調べる場合、試料６が磁場の無視できる空
間に置かれることから、２段対物レンズをＯＦＦにする
必要はなく、電子線を正確に収束させることができる。
これにより、磁性体試料等においても試料６の持つ電界
の分布や磁界の分布を電子線２の位相変化の情報として
より確実に取り出すことができるようになり、磁性体試
料等の試料６の磁界分布を簡単にかつより正確に調べる
ことができる。
【００１８】また、目的に応じた試料像の像倍率と干渉
縞の間隔との組み合わせが得られることから、ホログラ
ムを観察する場合、干渉縞の間隔を細かく制御しても像
倍率を可変制御することで、コントラストを高くするこ
とができる。このように、試料像の倍率と干渉縞の間隔
との比を目的に応じて可変とすることができるので、位
置情報に対して目的とする分解能で最もよいＳ／Ｎ比を
得ることができるようになる。この例の電子線バイプリ
ズム装置を備えた電子顕微鏡１の他の構成および他の作
用効果は、前述の従来例の電子顕微鏡と同じである。
【００１９】なお、前述の例では、試料６と電子線バイ
プリズム装置８との間に配置される対物レンズを第１お
よび第２対物レンズ２ａ,２ｂの２個設けて２段に構成
するものとしているが、対物レンズは３個以上前述の例
と同様に設けて３段以上に構成することもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡によれ
ば、電子顕微鏡の対物レンズを複数段の対物レンズとし
て構成するとともに、これらの対物レンズをそれらの磁
場の影響が試料に及ぼさない位置に配置しているので、
試料が磁場の無視できる空間に置かれることから、磁性
体試料等において試料の持つ磁界分布を調べる場合、複
数段の対物レンズをＯＦＦにする必要はなく、電子線を
正確に収束させることができる。これにより、磁性体試
料等においても試料の持つ電界の分布や磁界の分布を電
子線の位相変化の情報としてより確実に取り出すことが
でき、磁性体試料等の試料の磁界分布も簡単にかつより
正確に調べることができるようになる。
【００２１】また、目的に応じた試料像の像倍率と干渉
縞の間隔との組み合わせが得られるようになることか
ら、ホログラムを観察する場合、干渉縞の間隔を細かく
制御しても像倍率を可変制御することで、コントラスト
を高くすることができる。このように、試料像の倍率と
干渉縞の間隔との比を目的に応じて可変とすることがで
きるので、目的とする分解能で最もよいＳ／Ｎ比を得る
ことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の電子線バイプリズム装置を備えた電
子顕微鏡の一例を模式的に示す図である。
【図２】 従来の電子線バイプリズム装置を備えた電子
顕微鏡の一例を模式的に示す図である。
【図３】 電子線バイプリズム装置を説明し、（ａ）は
ＯＦＦ時の電子線バイプリズムを説明する図であり、
（ｂ）はＯＮ時の電子線バイプリズムを説明する図であ
る。
【符号の説明】
１…電子顕微鏡、２…電子線、２ａ…試料２を透過して
いない電子線、２ｂ…試料２を透過した電子線、３…電
子銃、４…加速部、５…照射系、６…試料、７…対物レ
ンズ、７ａ…第１対物レンズ、７ｂ…第２対物レンズ、
８…電子線バイプリズム装置、８ａ…線電極、８ｂ…電
圧電源、８ｃ…スイッチ、８ｄ,８ｅ…接地電極、９…
結像系、１０…磁界レンズ群、１１…スクリーン、１２
…試料６の透過電子線像（試料像）、Ｏ…電子線光軸

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子線バイプリズム装置により、試料の
    ない空間を通過してきた電子線と試料を透過した電子線
    とを重ね合わせて干渉縞（以下、キャリアフリンジとも
    いう）を形成し、この干渉縞が試料の透過像に重ね合わ
    さった形で得られる像（以下、ホログラムともいう）を
    観察することにより試料の厚さ分布、電場あるいは磁場
    等の情報を得るようになっている、電子線バイプリズム
    装置を備えた電子顕微鏡において、 前記試料と前記電子線バイプリズム装置との間に複数の
    対物レンズを配設し、これらの複数の対物レンズの各励
    磁をそれぞれ可変制御することで、前記ホログラムの像
    面における試料像の倍率を可変制御することを特徴とす
    る、電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005098896A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Riken 電子線干渉装置および電子顕微鏡
JP2006164861A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Hitachi High-Technologies Corp 走査干渉電子顕微鏡
WO2006082758A1 (ja) * 2005-02-03 2006-08-10 Riken 干渉装置
WO2006090556A1 (ja) * 2005-02-23 2006-08-31 Riken 干渉装置
EP1598848A3 (en) * 2004-05-21 2006-11-02 Tohoku University Electron microscope
JP2007335083A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Hitachi Ltd 電子線ホログラフィ観察装置
JP2008146958A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Denso Corp 電子線ホログラム及び透過電子顕微鏡像の作製方法及び透過電子顕微鏡
US7518111B1 (en) 2005-10-07 2009-04-14 Hitachi, Ltd. Magnetic electron microscope
JP4807592B2 (ja) * 2005-02-21 2011-11-02 国立大学法人京都工芸繊維大学 電子顕微鏡及び複合照射レンズ
WO2018139220A1 (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 国立大学法人東北大学 電子線ホログラムの作成方法、磁場情報測定方法および磁場情報測定装置
JP2019169265A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 国立研究開発法人理化学研究所 干渉光学系ユニット，荷電粒子線干渉装置、及び荷電粒子線干渉像観察方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7015469B2 (en) * 2003-01-09 2006-03-21 Jeol Usa, Inc. Electron holography method
US7214935B2 (en) * 2004-09-30 2007-05-08 International Business Machines Corporation Transmission electron microscopy sample preparation method for electron holography
US7102145B2 (en) * 2004-10-25 2006-09-05 International Business Machines Corporation System and method for improving spatial resolution of electron holography
JP4272142B2 (ja) * 2004-12-07 2009-06-03 株式会社ルネサステクノロジ スイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュール
JP4920370B2 (ja) * 2006-10-30 2012-04-18 株式会社日立製作所 透過型電子顕微鏡の情報伝達限界測定法およびこの測定法が適用された透過型電子顕微鏡
JP5223208B2 (ja) * 2007-03-01 2013-06-26 株式会社日立製作所 透過型電子顕微鏡
FR2931261B1 (fr) * 2008-05-19 2010-09-10 Centre Nat Rech Scient Dispositif pour holographie electronique
EP2193360B1 (fr) 2007-09-25 2014-11-05 Centre National De La Recherche Scientifique Procede et systeme de mesure de deformations a l'echelle nanometrique
JP5934965B2 (ja) * 2012-04-26 2016-06-15 国立研究開発法人理化学研究所 電子線装置
JP6796609B2 (ja) * 2018-02-23 2020-12-09 日本電子株式会社 収差測定方法および電子顕微鏡

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761721A (en) 1972-07-06 1973-09-25 Trw Inc Matter wave interferometric apparatus
JPS58155636A (ja) 1982-03-12 1983-09-16 Hitachi Ltd ホログラフイ電子顕微鏡
JP2651154B2 (ja) 1987-09-04 1997-09-10 株式会社日立製作所 電子線ホログラフィ装置
US5192867A (en) * 1989-01-13 1993-03-09 Hitachi, Ltd. Electron optical measurement apparatus
JP2776862B2 (ja) 1989-01-13 1998-07-16 株式会社日立製作所 反射電子線ホログラフイー装置
US5442182A (en) * 1992-11-06 1995-08-15 Hitachi, Ltd. Electron lens
JPH06283128A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Hitachi Ltd 電子顕微鏡
JP2605592B2 (ja) 1993-07-29 1997-04-30 日本電気株式会社 電子線ホログラフィによるナノサイズドットパターン形成方法および描画装置
JP3378413B2 (ja) 1994-09-16 2003-02-17 株式会社東芝 電子線描画装置及び電子線描画方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816648B2 (en) 2004-03-31 2010-10-19 Riken Electron interferometer or electron microscope
WO2005098896A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Riken 電子線干渉装置および電子顕微鏡
JP2007115409A (ja) * 2004-03-31 2007-05-10 Institute Of Physical & Chemical Research 電子線干渉装置および電子顕微鏡
EP1598848A3 (en) * 2004-05-21 2006-11-02 Tohoku University Electron microscope
US7241995B2 (en) 2004-05-21 2007-07-10 Tohoku University Electron microscope equipped with magnetic microprobe
JP2006164861A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Hitachi High-Technologies Corp 走査干渉電子顕微鏡
WO2006082758A1 (ja) * 2005-02-03 2006-08-10 Riken 干渉装置
JP2006216345A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Institute Of Physical & Chemical Research 干渉装置
US7872755B2 (en) 2005-02-03 2011-01-18 Riken Interferometer
JP4807592B2 (ja) * 2005-02-21 2011-11-02 国立大学法人京都工芸繊維大学 電子顕微鏡及び複合照射レンズ
US7750298B2 (en) 2005-02-23 2010-07-06 Riken Interferometer having three electron biprisms
JP2006313069A (ja) * 2005-02-23 2006-11-16 Institute Of Physical & Chemical Research 干渉装置
WO2006090556A1 (ja) * 2005-02-23 2006-08-31 Riken 干渉装置
US7518111B1 (en) 2005-10-07 2009-04-14 Hitachi, Ltd. Magnetic electron microscope
JP2007335083A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Hitachi Ltd 電子線ホログラフィ観察装置
JP2008146958A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Denso Corp 電子線ホログラム及び透過電子顕微鏡像の作製方法及び透過電子顕微鏡
WO2018139220A1 (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 国立大学法人東北大学 電子線ホログラムの作成方法、磁場情報測定方法および磁場情報測定装置
US11067649B2 (en) 2017-01-24 2021-07-20 Tohoku University Method for creating electron-beam hologram, magnetic field information measurement method and magnetic field information measuring device
JP2019169265A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 国立研究開発法人理化学研究所 干渉光学系ユニット，荷電粒子線干渉装置、及び荷電粒子線干渉像観察方法
JP7065503B2 (ja) 2018-03-22 2022-05-12 国立研究開発法人理化学研究所 干渉光学系ユニット，荷電粒子線干渉装置、及び荷電粒子線干渉像観察方法

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