[go: up one dir, main page]

JP2002116315A - Manufacturing method for micro optical element - Google Patents

Manufacturing method for micro optical element

Info

Publication number
JP2002116315A
JP2002116315A JP2000310917A JP2000310917A JP2002116315A JP 2002116315 A JP2002116315 A JP 2002116315A JP 2000310917 A JP2000310917 A JP 2000310917A JP 2000310917 A JP2000310917 A JP 2000310917A JP 2002116315 A JP2002116315 A JP 2002116315A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical element
substrate
exposure
manufacturing
gray scale
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000310917A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junji Terada
順司 寺田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000310917A priority Critical patent/JP2002116315A/en
Publication of JP2002116315A publication Critical patent/JP2002116315A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 凹凸の高い微細光学素子を得る。 【解決手段】 基板1面上に感光性樹脂である厚膜レジ
スト膜3を塗布し、所定のパターンが描画されているグ
レイ・スケール・マスク4を、レジスト膜3に均等の力
でコンタクトさせ、所定のパターンによる1回目の露光
をする。次に、グレイ・スケール・マスク4を取り換
え、前回と同様にレジスト膜3に均等の力でコンタクト
させ、前回の非露光部に対しパターンを形成するように
2回目の露光を行う。この多重露光工程の処理後に現像
すると、鋸歯状回折格子6を有する微細光学素子が得ら
れる。
(57) [Summary] To obtain a fine optical element having high unevenness. SOLUTION: A thick resist film 3, which is a photosensitive resin, is applied on a surface of a substrate 1, and a gray scale mask 4 on which a predetermined pattern is drawn is brought into contact with the resist film 3 with an equal force. The first exposure is performed according to a predetermined pattern. Next, the gray scale mask 4 is replaced, the resist film 3 is brought into contact with the same force as before, and the second exposure is performed so as to form a pattern on the previous non-exposed portion. When development is performed after the multiple exposure process, a fine optical element having the sawtooth diffraction grating 6 is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディフラクティブ
オプティクス、マイクロレンズアレイ或いはホログラム
立体構造等の光学機能素子を有する微細光学素子の製造
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a fine optical element having an optical function element such as a diffractive optics, a microlens array or a hologram three-dimensional structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ディフラクティブオプティクス、
マイクロレンズアレイ、ホログラム立体構造等の微細光
学機能素子を有する微細光学素子は、半導体製作技術で
あるフォトリソグラフィ工程とエッチング工程を繰り返
すことにより製作されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, diffractive optics,
A micro-optical element having a micro-optical function element such as a micro-lens array and a hologram three-dimensional structure is manufactured by repeating a photolithography process and an etching process, which are semiconductor manufacturing technologies.

【0003】フォトリソグラフィ工程とは、レジストを
塗布した基板にマスクを介して紫外線等を照射すること
により、マスクに描画されたパターンを基板上の所定の
位置に正しくパターニングする露光工程と、この露光工
程において基板上のレジストに潜像の形で形成されたパ
ターンを現像処理することによって、基板上に所望の形
状を形成する現像工程とから成る。
[0003] The photolithography step is an exposure step of irradiating a resist-coated substrate with ultraviolet rays or the like through a mask to correctly pattern a pattern drawn on the mask at a predetermined position on the substrate. Developing a pattern formed in the form of a latent image on a resist on the substrate in the process to form a desired shape on the substrate.

【0004】また、エッチング工程とは、フォトリソグ
ラフィ工程において形成されたレジストパターンを基
に、ウェット或いはドライ手法等を用い、基板にその形
状を相似的に転写する工程を云う。
[0004] The etching step refers to a step of similarly transferring the shape of a resist pattern formed in a photolithography step to a substrate using a wet or dry method or the like.

【0005】従って、半導体製作技術によって微細光学
素子を製作する場合には、一旦、フォトリソグラフィ工
程、エッチング工程を行った凹凸面を有する基板上に再
度、レジストを塗布し露光、現像するフォトリソグラフ
ィ工程、エッチング工程を繰り返すことにより所望の微
細形状を形成する。
Therefore, in the case of manufacturing a fine optical element by a semiconductor manufacturing technique, a photolithography step is performed in which a resist is once again applied to a substrate having an uneven surface which has been subjected to a photolithography step and an etching step, and is then exposed and developed. The desired fine shape is formed by repeating the etching process.

【0006】しかし、凹凸の大きな凹凸形状を有する微
細形状の製作において、その表面粗さを微細にするため
に、従来のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程を
繰り返すことは、基板表面の凹凸上にレジストを繰り返
し塗布することになり、レジストを基板表面に一様に塗
布できなくなる。また、基板表面の凹凸による露光時の
紫外線散乱に起因する形状誤差が生ずるという問題点が
ある。
However, in the production of a fine shape having a large uneven shape with large unevenness, in order to reduce the surface roughness, the conventional photolithography process and the etching process are repeated to form a resist on the unevenness on the substrate surface. Repeated application results in a failure to apply the resist uniformly on the substrate surface. Further, there is a problem that a shape error occurs due to ultraviolet scattering at the time of exposure due to unevenness of the substrate surface.

【0007】これに対し、感光性樹脂を塗布した基板に
所定の階調を有するパターニングを施してあるグレイ・
スケール・マスクを用いて露光し現像すると、何枚もの
フォトマスクを重ね合わせて露光する必要がなくなり、
1回の露光で基板上に微細光学機能素子を形成できる。
また、重ね合わせ露光が不要となるため、アライメント
誤差のない微細光学機能素子を製作できる。
On the other hand, a gray substrate in which a pattern having a predetermined gradation is applied to a substrate coated with a photosensitive resin.
Exposure and development using a scale mask eliminates the need to overlay multiple photomasks for exposure,
A fine optical functional element can be formed on a substrate by one exposure.
Further, since superposition exposure is not required, a fine optical function element having no alignment error can be manufactured.

【0008】また、この基板を更に異方性エッチングす
ることにより例えばガラスや超鋼製の種々の基板に形状
を相似的に転写した光学素子を製作することができる。
或いは、この基板を基に電鋳型を起こし、形状転写した
微細光学素子も製作することができる。
Further, by further anisotropically etching this substrate, an optical element whose shape is similarly transferred to various substrates made of, for example, glass or super steel can be manufactured.
Alternatively, a fine optical element whose shape has been transferred by raising an electroforming mold based on this substrate can also be manufactured.

【0009】このようにして製作された微細光学素子の
表面は、平滑化されてはいるが、微細な階段形状により
形成されている。これはグレイ・スケール・マスクに施
されている光吸収濃度にデジタル的な階調差があるこ
と、及びパターンを電子ビーム或いはレーザビームで描
画形成している描画サイズがあるためである。
The surface of the fine optical element manufactured in this way is smooth, but formed in a fine step shape. This is because there is a digital tone difference in the light absorption density applied to the gray scale mask, and there is a drawing size in which a pattern is drawn by an electron beam or a laser beam.

【0010】一方、感光性樹脂に望まれる特性として
は、分解能が高いことは勿論であるが、グレイ・スケー
ル・マスクの広い階調幅に正しく感光する寛容度、所謂
ラチチュードが大きいことが必要である。
On the other hand, the desired characteristics of the photosensitive resin include not only high resolution but also a large latitude, that is, latitude, for correctly exposing to a wide gradation width of the gray scale mask. .

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
感光性樹脂はグレイ・スケール・マスクが有する幅広い
階調に正しく感光できず、グレイ・スケール・マスクの
機能を十分に活用できていないという欠点がある。即
ち、感光性樹脂の厚みが大きくなると、1回の露光で作
製できる光学素子の表面の平滑性は、感光性樹脂の厚み
を感光性樹脂が保有するラチチュードで割った段差分に
制約されてしまうことになる。
However, in general, photosensitive resins cannot be properly exposed to a wide range of gradations of a gray scale mask, and the function of the gray scale mask cannot be fully utilized. . That is, when the thickness of the photosensitive resin is increased, the surface smoothness of the optical element that can be manufactured by one exposure is limited by a step difference obtained by dividing the thickness of the photosensitive resin by the latitude held by the photosensitive resin. Will be.

【0012】本発明の目的は、グレイ・スケール・マス
クを用いて大きな凹凸形状を有する微細光学素子の製造
方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a fine optical element having a large unevenness using a gray scale mask.

【0013】本発明の目的は、感光性樹脂の厚みが大き
くても、即ち微細光学素子の凹凸の高さが高くなっても
所望の形状を有し、かつ平滑な表面を有する微細光学素
子の製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a fine optical element having a desired shape and a smooth surface even if the thickness of the photosensitive resin is large, that is, the height of the unevenness of the fine optical element is increased. It is to provide a manufacturing method.

【0014】本発明の目的は、感光性樹脂の厚みが大き
くても大きな凹凸の微細光学素子においても、表面粗さ
が少なく多彩な表面形状を有する微細光学素子の製造方
法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a fine optical element having a small surface roughness and a variety of surface shapes, even if the photosensitive resin has a large thickness and has a large unevenness. .

【0015】本発明の目的は、製作した微細光学素子の
形状を基板に相似転写させて機能を高め得る微細光学素
子を提供するにある。
An object of the present invention is to provide a fine optical element capable of enhancing the function by transferring the shape of the manufactured fine optical element to a substrate in a similar manner.

【0016】本発明の目的は、製作した微細光学素子の
形状を種々の基材上に精密に複製することにより機能を
高め得る微細光学素子を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a fine optical element capable of enhancing its function by precisely replicating the shape of a manufactured fine optical element on various substrates.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の請求項1に係る本発明は、階調を有するパターンを備
えた単数又は複数のグレイ・スケール・マスクを用いて
露光工程を連続して行う多重露光により基板上に微細光
学機能素子を形成することを特徴とする微細光学素子の
製造方法である。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for continuously exposing an exposure process using one or more gray scale masks having a pattern having a gradation. A fine optical function element formed on a substrate by multiple exposure performed by the method.

【0018】請求項2に係る本発明は、前記グレイ・ス
ケール・マスクは階調を有するパターン部と不透明部か
ら成り、前工程の露光による前記不透明部による前記基
板上の非露光部に、後工程で前記パターン部により露光
するようにした請求項1に記載の微細光学素子の製造方
法である。
According to a second aspect of the present invention, the gray scale mask includes a pattern portion having a gradation and an opaque portion, and a non-exposed portion on the substrate by the opaque portion by the previous exposure, 2. The method for manufacturing a micro optical element according to claim 1, wherein exposure is performed by the pattern portion in a step.

【0019】請求項3に係る本発明は、前記多重露光を
行う際に露光量を変えることを特徴とする請求項1に記
載の微細光学素子の製造方法である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a fine optical element according to the first aspect, wherein the exposure amount is changed when performing the multiple exposure.

【0020】請求項4に係る本発明は、前記多重露光を
行う際に、光学機能をもたらす前記グレイ・スケール・
マスクの主要パターン領域外の前記基板上にマスク位置
合わせのアライメントマークを少なくとも1個所以上形
成することを特徴とする請求項1に記載の微細光学素子
の製造方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, in performing the multiple exposure, the gray scale scale providing an optical function is provided.
2. The method according to claim 1, wherein at least one or more alignment marks for mask alignment are formed on the substrate outside the main pattern area of the mask.

【0021】請求項5に係る本発明は、請求項1〜4の
何れか1つの請求項の製造方法により作製したことを特
徴とする微細光学素子である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a fine optical element manufactured by the manufacturing method according to any one of the first to fourth aspects.

【0022】請求項6に係る本発明は、請求項5の微細
光学素子を用いて、エッチングにより他の基板に相似転
写して成ることを特徴とする微細光学素子の製造方法で
ある。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a fine optical element, wherein the fine optical element is similarly transferred to another substrate by etching.

【0023】請求項7に係る本発明は、請求項5〜6の
微細光学素子を用いて、電鋳により転写型を形成するこ
とを特徴とする微細光学素子の製造方法である。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a fine optical element, wherein a transfer mold is formed by electroforming using the fine optical element according to any one of the fifth to sixth aspects.

【0024】請求項8に係る本発明は、請求項5〜7の
何れか1つの請求項において製作した微細光学素子を母
型としてレプリカ成形して成ることを特徴とする微細光
学素子の製造方法である。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a fine optical element, comprising replica-molding the fine optical element manufactured in any one of the fifth to seventh aspects as a master mold. It is.

【0025】請求項9に係る本発明は、請求項6〜8の
何れか1つの請求項の製造方法により作成したことを特
徴とする微細光学素子である。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a fine optical element produced by the method according to any one of the sixth to eighth aspects.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】本発明を図示の実施の形態に基づ
いて詳細に説明する。図1は第1の実施の形態における
微細光学素子の製作模式図を示しており、先ず(a)に
おいて、基板1は洗浄された直径100mm、板厚2m
mの平滑な合成石英基板とされている。この基板1上の
主要パターン領域外にアライメントマーク部2を形成す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail based on the illustrated embodiment. FIG. 1 is a schematic diagram showing the fabrication of a micro-optical element according to the first embodiment. First, in FIG. 1A, a substrate 1 has a cleaned diameter of 100 mm and a thickness of 2 m.
m synthetic quartz substrate. An alignment mark portion 2 is formed outside the main pattern region on the substrate 1.

【0027】例えば、基板1面上に通常の成膜装置にお
いて、膜厚が100nmになるようにCr膜を形成す
る。その後に、Cr膜を被覆するように基板1全面にレ
ジストを塗布し、所定のアライメントマークを付したマ
スクによりコンタクトし露光、現像する。
For example, a Cr film is formed on the surface of the substrate 1 by a normal film forming apparatus so that the film thickness becomes 100 nm. Thereafter, a resist is applied to the entire surface of the substrate 1 so as to cover the Cr film, and is exposed and developed by making contact with a mask provided with a predetermined alignment mark.

【0028】次に、アライメントマーク部2を残して、
露出しているCr膜をウェットエッチングにより除去す
る。続いて、アライメントマーク部2のレジストを除去
し、再度洗浄することで、アライメントマーク部2を有
する基板1が得られる。
Next, leaving the alignment mark portion 2,
The exposed Cr film is removed by wet etching. Subsequently, the substrate 1 having the alignment mark 2 is obtained by removing the resist of the alignment mark 2 and washing again.

【0029】(b)においては、(a)で準備した基板
1面上にHMDS(ヘキサメチルジシラザン)による密
着力向上処理後の感光性樹脂である厚膜レジスト膜3を
塗布する工程を示しており、例えばg線及びi線対応の
粘度400mPaSから成るレジスト膜3を基板1面上
に塗布する。これはスピナを用いて、回転数1000r
pmの条件において、塗布形成することにより、膜厚1
4.0μmのレジスト膜3を一様の膜厚に形成する。次
に、ホットプレートに基板1を直接載置してレジスト膜
3を3分間乾燥させ、乾燥後に室内で20分間冷却す
る。
FIG. 3B shows a step of applying a thick resist film 3 as a photosensitive resin after the adhesion improving process by HMDS (hexamethyldisilazane) on the surface of the substrate 1 prepared in FIG. For example, a resist film 3 having a viscosity of 400 mPaS corresponding to g-line and i-line is applied on the surface of the substrate 1. This is using a spinner and rotating at 1000r
Under the condition of pm, a film thickness of 1
A resist film 3 having a thickness of 4.0 μm is formed to a uniform thickness. Next, the substrate 1 is directly placed on a hot plate to dry the resist film 3 for 3 minutes, and after drying, is cooled in a room for 20 minutes.

【0030】(c)では、(b)において準備した基板
1を図示しない露光装置のステージに載置し、所定の階
調性パターンが描画されているグレイ・スケール・マス
ク4を、レジスト膜3に均等の力でコンタクトさせ1回
目の露光を行う。この1回目の露光において、レジスト
膜3にコンタクトして使用するグレイ・スケール・マス
ク4を基板1面上のアライメントマーク部2を基準にし
て、グレイ・スケール・マスク4のアライメントマーク
部4aがアライメントマーク部2に一致するように、顕
微鏡を用いてステージ位置を微調整しながらコンタクト
させる。その後に、照射量78mJのg線主体の1回目
の紫外線L1を基板1の全面に垂直に照射する。
In (c), the substrate 1 prepared in (b) is placed on a stage of an exposure apparatus (not shown), and a gray scale mask 4 on which a predetermined gradation pattern is drawn is applied to the resist film 3. And the first exposure is performed. In this first exposure, the alignment mark portion 4a of the gray scale mask 4 is aligned with the gray scale mask 4 used in contact with the resist film 3 with reference to the alignment mark portion 2 on the surface of the substrate 1. The contact is made while finely adjusting the stage position using a microscope so as to match the mark portion 2. Thereafter, the entire surface of the substrate 1 is vertically irradiated with a first ultraviolet ray L1 mainly composed of g-rays with an irradiation amount of 78 mJ.

【0031】(d)においては、グレイ・スケール・マ
スク4を取り除き、(c)の露光に引き続き、新たなグ
レイ・スケール・マスク5を(c)と同様にレジスト膜
3に均等の力でコンタクトさせ、2回目の露光をする多
重露光を行う。2回目の露光において使用するグレイ・
スケール・マスク5は、先のグレイ・スケール・マスク
4と同様に顕微鏡によりステージ位置を微調整し、基板
1面上のアライメントマーク部2を基準にしてグレイ・
スケール・マスク5のアライメントマーク部5aとを合
わせてコンタクトし、1回目の紫外線L1の露光量とは
異なる312mJのg線主体の紫外線L2を、基板1の
全面に垂直に照射する。
In (d), the gray scale mask 4 is removed, and following the exposure in (c), a new gray scale mask 5 is contacted to the resist film 3 with an equal force as in (c). Then, multiple exposure for performing the second exposure is performed. The gray color used in the second exposure
The scale mask 5 finely adjusts the stage position with a microscope in the same manner as the gray scale mask 4 described above, and the gray scale is adjusted with reference to the alignment mark portion 2 on the substrate 1 surface.
The alignment mask 5a of the scale mask 5 is aligned and contacted, and the entire surface of the substrate 1 is vertically irradiated with 312 mJ of ultraviolet light L2 mainly composed of g-line, which is different from the first exposure amount of ultraviolet light L1.

【0032】このような多重露光工程の後に、市販の現
像液に例えば5分30秒間浸漬し、超純水を用いて40
秒間洗浄し、基板1に付着した純水を除去する。
After such a multiple exposure step, the film is immersed in a commercially available developer, for example, for 5 minutes and 30 seconds, and is immersed in ultrapure water for 40 minutes.
The substrate is washed for two seconds to remove pure water attached to the substrate 1.

【0033】(e)では、多重露光工程(c)、(d)
の処理後に現像した基板1の断面図を示しており、グレ
イ・スケール・マスク4、5のパターン4b、5bによ
る鋸歯状回折格子6を有する微細光学素子が形成されて
いる。また、現像後には光学機能をもたらす主要パター
ン以外の例えばアライメントマーク部2上に、アライメ
ントマーク部7も形成される。
In (e), multiple exposure steps (c) and (d)
3 shows a cross-sectional view of the substrate 1 developed after the above process, and a fine optical element having a sawtooth diffraction grating 6 formed by patterns 4b and 5b of gray scale masks 4 and 5 is formed. After development, an alignment mark portion 7 is also formed on, for example, the alignment mark portion 2 other than the main pattern providing an optical function.

【0034】また、1回目、2回目の露光において使用
したグレイ・スケール・マスク4、5のパターンは、デ
ジタル的階調性を有するラインパターン部4b、5b
と、光不透過部から成るベタ部4c、5cとの繰り返し
により構成されている。ベタ部4c、5cは露光する際
に、レジスト膜3が感光しない程度に紫外線の透過率が
少なくなるように透過階調は設定されている。グレイ・
スケール・マスク4と5は、上述したラインパターン部
4b、5bとベタ部4c、5cの配置が入れ換わるよう
にパターン化されている。つまり、ラインパターン部4
bとベタ部5cが重なり、ベタ部4cとラインパターン
部5bが重なるようになっている。
The patterns of the gray scale masks 4 and 5 used in the first and second exposures are line pattern portions 4b and 5b having digital gradation.
And solid portions 4c and 5c formed of light-impermeable portions. The transmission gradation of the solid portions 4c and 5c is set so that the transmittance of ultraviolet rays is reduced to such an extent that the resist film 3 is not exposed to light during exposure. Gray
The scale masks 4 and 5 are patterned so that the arrangement of the line pattern portions 4b and 5b and the solid portions 4c and 5c is switched. That is, the line pattern unit 4
b and the solid portion 5c overlap, and the solid portion 4c and the line pattern portion 5b overlap.

【0035】基板1面上のアライメントマーク部2と、
グレイ・スケール・マスク4、5のアライメントマーク
部4a、5aとは異なるが、グレイ・スケール・マスク
4、5のアライメントマーク部4a、5aは同じであっ
ても支障はない。本実施の形態においては、異なるアラ
イメントマーク部4a、5aをそれぞれ使用している。
また、アライメントマーク部4a、5aの透過率はベタ
部4c、5cと同様に、紫外線に対し感光しないレベル
の透過階調に設定されている。
An alignment mark 2 on the surface of the substrate 1;
Although the alignment marks 4a and 5a of the gray scale masks 4 and 5 are different, there is no problem even if the alignment marks 4a and 5a of the gray scale masks 4 and 5 are the same. In the present embodiment, different alignment mark portions 4a, 5a are used, respectively.
The transmittance of the alignment mark portions 4a, 5a is set to a transmission gradation level that is not sensitive to ultraviolet rays, similarly to the solid portions 4c, 5c.

【0036】また、ラインパターン部4b、5bとベタ
部4c、5cの幅はそれぞれ20μmである。更に、ラ
インパターン部4b、5bはその幅20μmを100分
割して0.2μmの線幅毎に透過率が階調的に変化する
ように、その透過階調が変化している。
The width of each of the line pattern portions 4b and 5b and the solid portions 4c and 5c is 20 μm. Further, the transmission gradation of the line pattern portions 4b and 5b is changed so that the width of 20 μm is divided into 100 and the transmittance changes in gradation every line width of 0.2 μm.

【0037】また、本実施の形態で使用したレジスト膜
3は、図2に示すようにこの100分割範囲の透過階調
幅に感光し、かつ階調とレジスト膜3の現像量は比例関
係を示している。グレイ・スケール・マスク4、5の透
過階調幅は、100分割した階調変化を示す性能を有し
ているが、本実施の形態で使用したレジスト膜3は10
0分割範囲を超過するとほぼフラットになり、高い透過
階調に対しては線形に感光する能力を示さず、透過階調
と透過率の関係は透過階調数が増加すると、一定の割合
で透過率が低下する関係にある。
The resist film 3 used in this embodiment is sensitive to the transmission gradation width of this 100 division range as shown in FIG. 2, and the gradation and the development amount of the resist film 3 show a proportional relationship. ing. The transmission gradation width of each of the gray scale masks 4 and 5 has a performance indicating a gradation change divided by 100, but the resist film 3 used in the present embodiment has a performance of 10 gradations.
Beyond the 0 division range, it becomes almost flat, does not show the ability to expose linearly to high transmission gradations, and the relationship between transmission gradation and transmittance shows that the transmission ratio increases as the number of transmission gradations increases. There is a relationship that the rate decreases.

【0038】このようにして形成した微細光学素子の微
細パターン形状を、三次元形状測定器により測定したと
ころ、ラインパターンから成る高さ14μmの鋸歯状回
折格子6が40μm周期で形成されており、各段の幅は
グレイ・スケール・マスク4、5の線幅に相当する0.
2μmで、その段差は0.07μmとなっている。
When the fine pattern shape of the fine optical element thus formed was measured by a three-dimensional shape measuring device, a sawtooth diffraction grating 6 having a height of 14 μm and consisting of line patterns was formed at a period of 40 μm. The width of each step corresponds to the line width of the gray scale masks 4 and 5.
At 2 μm, the step is 0.07 μm.

【0039】アライメントマーク7はグレイ・スケール
・マスク4、5と同じパターンで、高さ7μmに形成さ
れている。作製した微細光学素子を基にNi電鋳型を起
こし、作製された電鋳型は元の回折格子6の形状を転写
する。次に、光学ガラス面に上述の電鋳型を用いレプリ
カにより成形転写し、微細光学素子を形成すると、作製
した微細光学素子も回折格子6と同様の形状を有してお
り、かつ所望の回折光学効果を得ることができる。
The alignment mark 7 has the same pattern as the gray scale masks 4 and 5 and is formed at a height of 7 μm. A Ni electroforming mold is raised on the basis of the produced fine optical element, and the produced electroforming mold transfers the original shape of the diffraction grating 6. Next, when the fine optical element is formed on the optical glass surface by transfer using a replica using the above-described electroforming mold to form a fine optical element, the manufactured fine optical element also has the same shape as the diffraction grating 6, and The effect can be obtained.

【0040】本実施の形態における微細光学素子の製造
方法においては、感光性樹脂のラチチュードがグレイ・
スケール・マスクの全階調幅に対応しきれていなくと
も、形状欠陥や形状誤差がなく、凹凸が高い微細形状に
対しても面粗れ、即ち各段の段差を広げることなく、そ
の表面を平滑にすることができる。また、本実施の形態
では露光を2回行っているが、更に多数回の露光により
製造することもできる。
In the method of manufacturing a fine optical element according to the present embodiment, the latitude of the photosensitive resin is gray.
Even if it does not support the entire gradation width of the scale mask, there is no shape defect or shape error, and the surface is rough even for fine shapes with high irregularities, that is, the surface is smooth without widening the steps of each step. Can be Further, in this embodiment, the exposure is performed twice, but it is also possible to manufacture by performing the exposure more times.

【0041】また比較例として、微細光学素子の鋸歯形
状の周期40μmを、レジストがグレイ・スケール・マ
スクの透過階調に対し線形に反応する階調幅の分割数で
ある100で分割したラインパターンから成るマスクを
使用して、照射量156mJの紫外線を用い、1回の露
光により得られた微細パターン形状を三次元形状測定器
にて測定したところ、ラインパターンから成る高さ14
μmの鋸歯状の格子が40μm周期で形成されていた。
As a comparative example, a sawtooth-shaped period of 40 μm of the fine optical element is obtained from a line pattern obtained by dividing the resist by 100, which is the division number of the gradation width in which the resist linearly responds to the transmission gradation of the gray scale mask. Of the fine pattern obtained by one exposure using a three-dimensional shape measuring instrument, using a mask having a radiation dose of 156 mJ, and a height of 14
A μm saw-toothed grating was formed at a period of 40 μm.

【0042】ただし、各段の幅はグレイ・スケール・マ
スクの線幅に相当する0.2μmよりも大きい0.4μ
mであり、その段差は0.14μmである。アライメン
トマーク部は実施の形態のようなグレイ・スケール・マ
スクに使用した透過階調で決定するものであり、第1の
実施の形態と同じものを使用し、高さ14μmに形成さ
れた。しかしながら、第1の実施の形態と比較すると、
表面性の粗い微細光学素子が形成され、所望の回折効果
は得られなかった。
However, the width of each step is 0.4 μm, which is larger than 0.2 μm corresponding to the line width of the gray scale mask.
m, and the level difference is 0.14 μm. The alignment mark portion is determined by the transmission gradation used for the gray scale mask as in the embodiment, and is the same as that in the first embodiment, and is formed to have a height of 14 μm. However, as compared with the first embodiment,
A fine optical element having a rough surface was formed, and the desired diffraction effect was not obtained.

【0043】第2の実施の形態として、第1の実施の形
態において使用した基板1に粘度100mPaSから成
るレジスト膜を基板1面上に、膜厚が一様になるように
スピナを用いて、回転数3000rmp条件において塗
布形成することにより、膜厚2.1μmのレジスト膜を
形成する。次に、120℃に加熱したホットプレートに
5分間設置し、レジスト膜を乾燥させる。
As a second embodiment, a resist film having a viscosity of 100 mPaS is applied to the substrate 1 used in the first embodiment on the surface of the substrate 1 by using a spinner so that the film thickness becomes uniform. A resist film having a thickness of 2.1 μm is formed by application under the condition of a rotation speed of 3000 rpm. Next, the resist film is dried on a hot plate heated to 120 ° C. for 5 minutes.

【0044】続いて、1回目の露光に照射量45.5m
Jのg線主体の紫外線、2回目の露光に照射量182m
Jのi線主体の紫外線を用い、第1の実施の形態と同様
にグレイ・スケール・マスクを用いて多重露光工程し、
その後にレジスト指定の現像液に例えば2分30秒浸透
して現像することにより、第1の実施の形態と同様に微
細形状を形成する。
Subsequently, the irradiation amount for the first exposure was 45.5 m.
Ultraviolet light mainly composed of g-line of J, irradiation amount 182m for the second exposure
A multiple exposure process is performed using a gray scale mask in the same manner as in the first embodiment, using ultraviolet rays mainly composed of i-line of J,
Thereafter, by penetrating, for example, 2 minutes and 30 seconds into a developing solution designated by the resist and developing, a fine shape is formed as in the first embodiment.

【0045】このようにして、ピッチ40μm、高さ
2.1μmの形状欠陥や形状誤差のない鋸歯形状の微細
回折格子を得ることができる。また、得られた回折格子
はマスク線幅0.2μmに対する段差は0.01μmで
ある。
In this way, it is possible to obtain a sawtooth-shaped fine diffraction grating having a pitch of 40 μm and a height of 2.1 μm without any shape defect or shape error. Further, the obtained diffraction grating has a step of 0.01 μm with respect to a mask line width of 0.2 μm.

【0046】次に、この基板を通常の平行平板型の高周
波プラズマエッチング装置に載置し、エッチングを行
う。この際のエッチングガスには、CHF3反応ガスと
不活性なArガスとを同量混合し、ガス圧力2.66P
aの雰囲気中において出力100Wで4時間12分間、
エッチングを行う。
Next, the substrate is placed in a normal parallel plate type high frequency plasma etching apparatus and etched. At this time, the same amount of the CHF 3 reaction gas and the inert Ar gas were mixed in the etching gas, and the gas pressure was 2.66P.
4 hours 12 minutes at an output of 100 W in the atmosphere of a.
Perform etching.

【0047】その後に、エッチング装置から取り出した
基板1の表面には、ピッチ40μm、高さ14μmから
成る鋸歯形状の微細な鋸歯状回折格子が形成されてお
り、各段の段差はマスクの線幅0.2μmに対応し、そ
の段差は0.07μmである。また、レジスト膜は全て
エッチングされており、微細形状が基板1の合成石英基
板に相似転写された所望の回折効果を示す微細回折格子
が形成されている。
Thereafter, on the surface of the substrate 1 taken out of the etching apparatus, a fine sawtooth-shaped diffraction grating having a pitch of 40 μm and a height of 14 μm is formed. This corresponds to 0.2 μm, and the level difference is 0.07 μm. In addition, the resist film is entirely etched, and a fine diffraction grating showing a desired diffraction effect is formed in which a fine shape is similarly transferred to the synthetic quartz substrate of the substrate 1.

【0048】この合成石英基板から成る微細光学素子を
型として、レプリカを他の光学ガラス上に成形転写する
と、成形転写した微細回折格子の形状は、型と同じ形状
をしており、所望の回折効果を示す微細光学素子を得る
ことができる。
When the replica is molded and transferred onto another optical glass using the micro optical element composed of this synthetic quartz substrate as a mold, the shape of the micro diffraction grating formed and transferred is the same as that of the mold. A fine optical element exhibiting the effect can be obtained.

【0049】この第2の実施の形態によれば、第1の実
施の形態と同様に使用する感光性樹脂のラチテュード
が、グレイ・スケール・マスクの全階調幅に対応しきれ
ていなくても、形状欠陥や形状誤差がなく、凹凸の高い
微細形状に対して、面粗れ、即ち各段の段差を広げるこ
となく、表面が平滑な微細光学素子を作製できる。
According to the second embodiment, even if the latitude of the photosensitive resin used does not correspond to the entire gradation width of the gray scale mask as in the first embodiment, A fine optical element having a smooth surface can be manufactured without a surface defect, that is, without widening a step of each step with respect to a fine shape having high irregularities without a shape defect or a shape error.

【0050】また、第2の実施の形態が2回の露光後に
エッチングをするのに対して、比較例として1回目の露
光後にエッチングを行い、その後に2回目の露光を行っ
た。微細光学素子の鋸歯形状の周期40μmを、レジス
ト膜がグレイ・スケール・マスクの透過階調に対し線形
に反応する階調幅の分割数である100で分割したライ
ンパターンから成るマスク、即ちマスクの線幅0.4μ
mずつ、その透過階調が変化させている第1のグレイ・
スケール・マスクと、その透過階調が相対的に0.2μ
mずらしてある第2のグレイ・スケール・マスクとの2
枚を使用し、アライメントマーク部は露光の1回目と2
回目とで不透過部が重ならないように交差するアライメ
ントマーク部として微細形状を形成した。
In the second embodiment, the etching is performed after the second exposure, whereas as a comparative example, the etching is performed after the first exposure, and then the second exposure is performed. A mask composed of a line pattern obtained by dividing the sawtooth-shaped period of the micro-optical element by 40 μm by 100, which is the division number of the gradation width at which the resist film linearly responds to the transmission gradation of the gray scale mask, ie, the mask line 0.4μ width
The first gray color whose transmission gradation is changed by m
Scale mask and its transmission gradation is relatively 0.2μ
2 with the second gray scale mask shifted by m
Use the first and second exposures.
A fine shape was formed as an alignment mark portion intersecting the second time so that the non-transmissive portion did not overlap.

【0051】1回目のフォトリソグラフィ工程において
は、粘度が10mPaSから成るレジストを回転数30
00rpmで基板に一様に塗布し、厚み1.05μmの
レジスト膜を形成した。1回目の露光においては、第1
のグレイ・スケール・マスクを用い紫外線の照射量を2
3mJで露光した。
In the first photolithography step, a resist having a viscosity of 10 mPaS
The coating was uniformly applied to the substrate at 00 rpm to form a resist film having a thickness of 1.05 μm. In the first exposure, the first exposure
UV irradiation using a gray scale mask of 2
Exposure was at 3 mJ.

【0052】続いて、1回目の露光後にレジスト指定の
現像液を用いて90秒間現像し、更に、120℃に加熱
したホットプレート上に2分間乗せてレジストを乾燥さ
せた。冷却後に、この基板を高周波プラズマドライエッ
チング装置に載置し、第2の実施の形態と同条件でエッ
チングを2時間10分間行い、微細形状を相似転写し
た。
Subsequently, after the first exposure, the resist was developed for 90 seconds using a developing solution specified for the resist, and further placed on a hot plate heated to 120 ° C. for 2 minutes to dry the resist. After cooling, the substrate was placed in a high-frequency plasma dry etching apparatus, and etching was performed for 2 hours and 10 minutes under the same conditions as in the second embodiment to transfer a fine shape similarly.

【0053】その後に、エッチング装置から取り出した
基板の表面には、高さ7μmの鋸歯状の格子が40μm
周期で形成されており、各段の段幅は0.4μmであ
り、その段差は0.07μmであった。
Thereafter, on the surface of the substrate taken out of the etching apparatus, a saw-toothed grid having a height of 7 μm was formed to a thickness of 40 μm.
Each step was formed with a period, the step width of each step was 0.4 μm, and the step difference was 0.07 μm.

【0054】次に、主要パターン部周辺に残ったレジス
ト膜を剥離液に浸漬し、剥離して洗浄、乾燥させ、2回
目の露光を行うために、凹凸形状上に1回目と同じレジ
スト膜を数回塗布し、レジストの厚みが鋸歯状格子の基
板上部から1.05μmになるように形成した。しかし
なから、レジスト膜の塗布状態は1回目と異なり波状の
うねりを発生していた。
Next, the resist film remaining around the main pattern portion is immersed in a stripping solution, stripped, washed and dried. The resist was applied several times to form a resist having a thickness of 1.05 μm from the upper part of the saw-toothed lattice substrate. However, the application state of the resist film was different from the first application, and a wavy undulation was generated.

【0055】続いて、第2のグレイ・スケール・マスク
をアライメントマーク部に合わせてレジスト膜に接触さ
せ、照射量91mJの紫外線で照射し露光した。露光後
に、レジスト指定の現像液を用いて8分20秒現像し
た。次に、120℃に加熱したホットプレート上に4分
間載置してレジストを乾燥させ、冷却後この基板を高周
波プラズマドライエッチング装置に入れて、前回と同条
件でエッチングを2時間10分間行い形状を相似転写し
た。
Subsequently, the second gray scale mask was brought into contact with the resist film while being aligned with the alignment mark portion, and was irradiated with ultraviolet rays having a dose of 91 mJ for exposure. After the exposure, development was carried out for 8 minutes and 20 seconds using a developer designated by the resist. Next, the resist was dried by placing it on a hot plate heated to 120 ° C. for 4 minutes, and after cooling, the substrate was placed in a high-frequency plasma dry etching apparatus, and etched under the same conditions as the previous time for 2 hours and 10 minutes. Was similarly transferred.

【0056】得られた微細パターン形状を三次元形状測
定器により測定したところ、高さが約14μm弱から成
る鋸歯状の格子が40μm周期で形成されていた。ま
た、各段の段幅もおおむね0.2μmから成り、その段
差は0.07μmであるが、形状が乱れた形状欠陥部も
認められた。なお、アライメントマーク部は1回目と2
回目で交差するように配置されていたので、その高さは
7μmであった。
When the obtained fine pattern shape was measured by a three-dimensional shape measuring instrument, a saw-toothed grating having a height of less than about 14 μm was formed at a period of 40 μm. In addition, the width of each step was approximately 0.2 μm, and the level difference was 0.07 μm. However, a shape defect portion whose shape was disordered was also recognized. In addition, the alignment mark part
Since they were arranged so as to intersect at the first time, their height was 7 μm.

【0057】このようにして作製した微細形状を、型と
して光学ガラス上にレプリカを形成したが、その微細光
学素子の回折効果は第2の実施の形態で得られたものよ
りも劣り、所望の特性を得ることはできなかった。
A replica was formed on an optical glass as a mold using the fine shape produced in this way. However, the diffraction effect of the fine optical element was inferior to that obtained in the second embodiment, and the desired effect was obtained. No properties could be obtained.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る微細光
学素子の製造方法は、グレイ・スケール・マスクを用い
て連続して多重露光を行うことにより、その光学素子の
凹凸の高さが高くなっても、その表面性が感光性樹脂特
有のラチチュードで厚みを割った段差分に制約されるこ
とがない。
As described above, according to the method for manufacturing a fine optical element according to the present invention, the height of the unevenness of the optical element is increased by performing multiple exposures continuously using a gray scale mask. Even so, the surface property is not restricted by the step difference obtained by dividing the thickness by the latitude specific to the photosensitive resin.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態における微細光学素子の製作
模式図である
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the production of a micro optical element according to a first embodiment.

【図2】グレイ・スケール・マスクの階調とレジスト現
像量の関係の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a relationship between a gray scale of a gray scale mask and a resist development amount.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2、7 アライメントマーク部 3 レジスト膜 4、5 グレイ・スケール・マスク 6 鋸歯状回折格子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2, 7 Alignment mark part 3 Resist film 4, 5 Gray scale mask 6 Sawtooth diffraction grating

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 階調を有するパターンを備えた単数又は
複数のグレイ・スケール・マスクを用いて露光工程を連
続して行う多重露光により基板上に微細光学機能素子を
形成することを特徴とする微細光学素子の製造方法。
1. A fine optical function element is formed on a substrate by multiple exposure in which an exposure step is continuously performed using one or a plurality of gray scale masks having a pattern having a gradation. A method for manufacturing a fine optical element.
【請求項2】 前記グレイ・スケール・マスクは階調を
有するパターン部と不透明部から成り、前工程の露光に
よる前記不透明部による前記基板上の非露光部に、後工
程で前記パターン部により露光するようにした請求項1
に記載の微細光学素子の製造方法。
2. The gray scale mask comprises a pattern portion having a gradation and an opaque portion, and is exposed to a non-exposed portion on the substrate by the opaque portion in a previous process and to the pattern portion in a subsequent process. Claim 1.
3. The method for producing a micro optical element according to 1.
【請求項3】 前記多重露光を行う際に露光量を変える
ことを特徴とする請求項1に記載の微細光学素子の製造
方法。
3. The method according to claim 1, wherein an exposure amount is changed when performing the multiple exposure.
【請求項4】 前記多重露光を行う際に、光学機能をも
たらす前記グレイ・スケール・マスクの主要パターン領
域外の前記基板上にマスク位置合わせのアライメントマ
ークを少なくとも1個所以上形成することを特徴とする
請求項1に記載の微細光学素子の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein at the time of performing the multiple exposure, at least one alignment mark for mask alignment is formed on the substrate outside a main pattern area of the gray scale mask providing an optical function. The method for manufacturing a micro optical element according to claim 1.
【請求項5】 請求項1〜4の何れか1つの請求項の製
造方法により作製したことを特徴とする微細光学素子。
5. A micro-optical element manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
【請求項6】 請求項5の微細光学素子を用いて、エッ
チングにより他の基板に相似転写して成ることを特徴と
する微細光学素子の製造方法。
6. A method for manufacturing a micro optical element, wherein the micro optical element according to claim 5 is similarly transferred to another substrate by etching.
【請求項7】 請求項5〜6の微細光学素子を用いて、
電鋳により転写型を形成することを特徴とする微細光学
素子の製造方法。
7. The method according to claim 5, wherein
A method for manufacturing a fine optical element, wherein a transfer mold is formed by electroforming.
【請求項8】 請求項5〜7の何れか1つの請求項にお
いて製作した微細光学素子を母型としてレプリカ成形し
て成ることを特徴とする微細光学素子の製造方法。
8. A method for manufacturing a micro-optical element, comprising replica-molding the micro-optical element manufactured in any one of claims 5 to 7 as a matrix.
【請求項9】 請求項6〜8の何れか1つの請求項の製
造方法により作成したことを特徴とする微細光学素子。
9. A micro-optical element produced by the manufacturing method according to claim 6. Description:
JP2000310917A 2000-10-11 2000-10-11 Manufacturing method for micro optical element Pending JP2002116315A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000310917A JP2002116315A (en) 2000-10-11 2000-10-11 Manufacturing method for micro optical element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000310917A JP2002116315A (en) 2000-10-11 2000-10-11 Manufacturing method for micro optical element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002116315A true JP2002116315A (en) 2002-04-19

Family

ID=18790779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000310917A Pending JP2002116315A (en) 2000-10-11 2000-10-11 Manufacturing method for micro optical element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002116315A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005070640A (en) * 2003-08-27 2005-03-17 Konica Minolta Holdings Inc Optical element for optical communication module or optical pickup device
WO2005116774A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-08 Fujifilm Corporation Pattern formation method
KR100797778B1 (en) 2006-08-04 2008-01-24 한국과학기술원 Polymer pattern, metal stamper and microlens array formation method
CN100401152C (en) * 2005-08-15 2008-07-09 中华映管股份有限公司 Patterning process and contact window
CN101393397B (en) * 2008-10-28 2011-03-09 清溢精密光电(深圳)有限公司 Method for making liquid light-sensitive resin relief printing plate with groove
CN102674241A (en) * 2012-05-31 2012-09-19 东南大学 Method for manufacturing variable-height micro flow channel based on maskless gray-scale lithography
JP2016071135A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス Drawing method
US9741564B2 (en) 2015-04-28 2017-08-22 Toshiba Memory Corporation Method of forming mark pattern, recording medium and method of generating mark data

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005070640A (en) * 2003-08-27 2005-03-17 Konica Minolta Holdings Inc Optical element for optical communication module or optical pickup device
WO2005116774A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-08 Fujifilm Corporation Pattern formation method
CN100401152C (en) * 2005-08-15 2008-07-09 中华映管股份有限公司 Patterning process and contact window
KR100797778B1 (en) 2006-08-04 2008-01-24 한국과학기술원 Polymer pattern, metal stamper and microlens array formation method
CN101393397B (en) * 2008-10-28 2011-03-09 清溢精密光电(深圳)有限公司 Method for making liquid light-sensitive resin relief printing plate with groove
CN102674241A (en) * 2012-05-31 2012-09-19 东南大学 Method for manufacturing variable-height micro flow channel based on maskless gray-scale lithography
JP2016071135A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス Drawing method
US9741564B2 (en) 2015-04-28 2017-08-22 Toshiba Memory Corporation Method of forming mark pattern, recording medium and method of generating mark data

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6828068B2 (en) Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same
US20030138706A1 (en) Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same
JPH04359472A (en) Micro lens formation method
US6458606B2 (en) Etch bias distribution across semiconductor wafer
JPH075675A (en) Mask and manufacturing method thereof
JP4613364B2 (en) Resist pattern formation method
JP2002116315A (en) Manufacturing method for micro optical element
JP3611613B2 (en) Three-dimensional shape forming method, three-dimensional structure formed by the method, and press mold
JPS63216052A (en) Exposing method
JP4595548B2 (en) Manufacturing method of mask substrate and microlens
JPS6144628A (en) Preparation of fresnel microlens
TWI512387B (en) A microlenses for micro lens manufacturing, a microlens manufacturing method using the same, and an image pickup device
KR100670835B1 (en) How to make a nanoimprint mold
JP2693805B2 (en) Reticle and pattern forming method using the same
KR20090108268A (en) Pattern line width correction method of binary mask
US5882825A (en) Production method of a phase shift photomask having a phase shift layer comprising SOG
US7604903B1 (en) Mask having sidewall absorbers to enable the printing of finer features in nanoprint lithography (1XMASK)
JPH0544169B2 (en)
CN1202443C (en) Fabrication method of photomask assembly and contact hole
JPH09211842A (en) Method of preventing light reflection in electronic circuit formation using optical means, its device and its product
JP2004012940A (en) mask
JPH0385544A (en) Resist pattern forming method
KR100464654B1 (en) Method for forming contact hole of semiconductor device
JP2005010467A (en) Halftone phase shift mask, method of manufacturing the same, and mask pattern transfer method using the same
KR101051162B1 (en) Nano imprinting apparatus and method of forming semiconductor device using same