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JP2002115079A - Method of manufacturing functional organic thin film and method of manufacturing organic electronic device using the same as well as method of manufacturing display device using the same - Google Patents

Method of manufacturing functional organic thin film and method of manufacturing organic electronic device using the same as well as method of manufacturing display device using the same

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Publication number
JP2002115079A
JP2002115079A JP2000308400A JP2000308400A JP2002115079A JP 2002115079 A JP2002115079 A JP 2002115079A JP 2000308400 A JP2000308400 A JP 2000308400A JP 2000308400 A JP2000308400 A JP 2000308400A JP 2002115079 A JP2002115079 A JP 2002115079A
Authority
JP
Japan
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electrode
substrate
film
active hydrogen
group
Prior art date
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Application number
JP2000308400A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3592226B2 (en
Inventor
Kazufumi Ogawa
一文 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to KR10-2001-0043455A priority patent/KR100462712B1/en
Priority to TW090119668A priority patent/TW515119B/en
Priority to EP01306846A priority patent/EP1179863A3/en
Priority to US09/925,747 priority patent/US6995506B2/en
Publication of JP2002115079A publication Critical patent/JP2002115079A/en
Priority to KR10-2004-0023194A priority patent/KR100486001B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】微小面積であっても、精度の高い機能性有機薄
膜を製造する方法を提供する。 【解決手段】基材表面の所定部分に共有結合で固定され
てなる機能性有機薄膜の製造方法であって、前記基材表
面の所定部分(または所定部分を除く部分)に、活性水
素露出化処理(または活性水素除去処理)を施して、所
定部分を、その所定部分を除く部分よりも露出活性水素
密度が高い領域にする前処理工程と、前記露出活性水素
密度が高い領域に、活性水素に反応しうる官能基と機能
性官能基とを有する化合物を接触させて、この化合物と
上記領域内の活性水素とを反応させ、上記基材表面の所
定部分に機能性有機薄膜を形成する膜形成工程とを備え
るようにした。
(57) [Problem] To provide a method for producing a functional organic thin film with high accuracy even in a small area. A method for producing a functional organic thin film fixed to a predetermined portion of a substrate surface by a covalent bond, comprising exposing active hydrogen to a predetermined portion (or a portion excluding the predetermined portion) of the substrate surface. A pretreatment step of subjecting a predetermined portion to a region having a higher exposed active hydrogen density than a portion excluding the predetermined portion by performing a treatment (or an active hydrogen removing process); A film having a functional group capable of reacting with a compound having a functional functional group and contacting the compound with active hydrogen in the region to form a functional organic thin film on a predetermined portion of the substrate surface And a forming step.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基材に共有結合で
固定されてなる機能性有機薄膜の製造方法に関するもの
である。また、チャネル部に有機材料を用いた2端子お
よび3端子の電子デバイス(有機電子デバイス)の製造
方法に関するものである。さらに、その有機電子デバイ
スを用いた液晶表示装置およびエレクトロルミネッセン
ス型表示装置(以下「EL型表示装置」という)の製造
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a functional organic thin film fixed to a substrate by covalent bonds. The present invention also relates to a method for manufacturing a two-terminal and three-terminal electronic device (organic electronic device) using an organic material for a channel portion. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device and an electroluminescence display device (hereinafter, referred to as “EL display device”) using the organic electronic device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子デバイスには、シリコン結晶
に代表されるように、無機系の半導体材料が用いられて
きた。しかし、シリコン結晶では、微細化が進展するに
伴い、結晶欠陥が問題となり、デバイス性能が結晶に左
右されるという欠点があった。また、フレキシビリティ
ーに劣るという欠点もあった。
2. Description of the Related Art Conventionally, inorganic semiconductor materials such as silicon crystals have been used for electronic devices. However, with the progress of miniaturization, silicon defects have a problem that crystal defects become a problem, and device performance is affected by the crystals. In addition, there was a disadvantage that flexibility was poor.

【0003】そこで、本発明者は、上記欠点を解消で
き、しかも高速応答が可能な有機電子デバイスを発明
し、既に出願している(特願2000−243056
号)。この発明は、光応答性の官能基または有極性の官
能基を有する有機分子が相互に共役結合した導電ネット
ワークを有する有機薄膜を電極間に設けたことを特徴と
する。
Accordingly, the present inventors have invented an organic electronic device capable of solving the above-mentioned drawbacks and capable of responding at high speed, and have already filed an application (Japanese Patent Application No. 2000-243056).
issue). The present invention is characterized in that an organic thin film having a conductive network in which organic molecules having a photoresponsive functional group or a polar functional group are mutually conjugated is provided between electrodes.

【0004】ところで、基板表面の所望の位置に共有結
合で固定された、単分子膜あるいは単分子累積膜状の有
機薄膜を形成するには、一般に、つぎのような方法が採
用されている。すなわち、まず、活性水素が露出した基
板を準備し、この基板表面にレジストパターンを形成し
た後、活性水素に反応しうる官能基を有する化合物が溶
解した化学吸着液中に浸漬して、基板表面に露出した活
性水素と上記化合物とを反応させ、その後、レジストを
除去する方法が採用されている。
In order to form an organic thin film in the form of a monomolecular film or a monomolecular cumulative film fixed at a desired position on a substrate surface by a covalent bond, the following method is generally employed. That is, first, a substrate having active hydrogen exposed is prepared, a resist pattern is formed on the substrate surface, and then immersed in a chemical adsorption solution in which a compound having a functional group reactive with active hydrogen is dissolved, and the substrate surface is exposed. A method is employed in which the active hydrogen exposed to the above is reacted with the above compound, and then the resist is removed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、特に微小面積の有機薄膜を形成する場合、
レジスト開口縁部の僅かな溶解、膨張、収縮等(マスク
欠陥)がそのまま有機薄膜の精度に悪影響を及ぼすおそ
れがある。このため、高精度な有機薄膜を形成できる新
たな手法の開発が嘱望されている。
However, according to the above-described method, particularly when an organic thin film having a small area is formed,
Slight dissolution, expansion, shrinkage, etc. (mask defects) at the edge of the resist opening may directly affect the accuracy of the organic thin film. For this reason, development of a new method capable of forming an organic thin film with high accuracy has been desired.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであり、微小面積であっても、精度の高い機能性有
機薄膜を製造できる方法の提供をその目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a highly-functional organic thin film with a small area.

【0007】また、最近の高集積化に対応できる有機電
子デバイスの製造方法の提供をその目的とする。さら
に、その有機電子デバイスを用いた表示装置の製造方法
の提供をその目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic electronic device which can cope with recent high integration. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a display device using the organic electronic device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は、機能性有機
薄膜を高精度に形成する新たな手法を開発すべく、鋭意
研究を重ねていた。その過程で、機能性有機薄膜は共有
結合で固定された膜であることに着目し、膜の形成に先
立って、基材表面の膜形成予定領域を露出活性水素密度
が高い領域とし、膜を形成しない領域をそれよりも露出
活性水素密度が低い領域とする区画化を行えばよいと想
起した。すなわち、基材に共有結合で固定された膜を形
成するにあたって、基材自体に明確な境界を設ければ、
単にレジスト等のマスクを施すよりも精度良く機能性有
機薄膜を形成できると想起した。そこで、本発明者は、
膜形成工程の前に、基材表面の所定部分に活性水素露出
化処理を施すか、あるいは基材表面の所定部分を除く部
分に活性水素除去処理を施すかして、所定部分(膜形成
予定領域)を露出活性水素密度が高い領域にする前処理
工程を行えば、微小面積であっても、高精度な機能性有
機薄膜を形成できることを見出し、本発明に到達した。
そして、この成膜手法を、有機電子デバイスの製造に適
用すれば、最近の高集積化に対応できる有機電子デバイ
スを提供できることを突き止め、さらに高性能な表示装
置の提供も可能になることを突き止めた。
Means for Solving the Problems The present inventor has made intensive studies in order to develop a new method for forming a functional organic thin film with high precision. In the process, paying attention to the fact that the functional organic thin film is a film fixed by a covalent bond, prior to the formation of the film, the region where the film is to be formed on the surface of the base material is set to a region where the exposed active hydrogen density is high, and the film is formed. It was conceived that the region where no exposed active hydrogen density was formed should be divided into regions where no active hydrogen was formed. In other words, when forming a film fixed by a covalent bond to the substrate, if a clear boundary is provided on the substrate itself,
He recalled that a functional organic thin film could be formed more accurately than simply applying a mask such as a resist. Therefore, the present inventor
Prior to the film forming step, a predetermined portion of the substrate surface is subjected to an active hydrogen exposure treatment, or a portion excluding a predetermined portion of the substrate surface is subjected to an active hydrogen removal treatment, so that a predetermined portion (film formation scheduled) The present inventors have found that if a pretreatment step is performed in which the (area) is a region having a high exposed active hydrogen density, a highly accurate functional organic thin film can be formed even with a small area, and the present invention has been achieved.
And if this film formation technique is applied to the manufacture of organic electronic devices, it will be found that it is possible to provide organic electronic devices that can respond to recent high integration, and it will be possible to provide even higher-performance display devices. Was.

【0009】本発明は、以下のような特徴を有する。The present invention has the following features.

【0010】(機能性有機薄膜の製造方法)本発明の第
1の機能性有機薄膜の製造方法は、基材表面の所定部分
に共有結合で固定されてなる機能性有機薄膜を製造する
方法であって、前記基材表面の所定部分に活性水素露出
化処理を施して、その所定部分を、所定部分を除く部分
よりも露出活性水素密度が高い領域にする前処理工程
と、前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反
応しうる官能基と機能性官能基とを有する化合物を接触
させて、この化合物と上記領域内の活性水素とを反応さ
せ、上記基材表面の所定部分に共有結合で固定されてな
る機能性有機薄膜を形成する膜形成工程とを備えたこと
を特徴とする。
(Method for Producing Functional Organic Thin Film) The first method for producing a functional organic thin film of the present invention is a method for producing a functional organic thin film which is fixed to a predetermined portion of the surface of a substrate by a covalent bond. A pretreatment step of subjecting a predetermined portion of the base material surface to an active hydrogen exposure treatment to make the predetermined portion a region having a higher exposed active hydrogen density than a portion excluding the predetermined portion; In a high-density region, a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group is brought into contact, and the compound is reacted with active hydrogen in the region, and a predetermined portion of the base material surface is formed. A film forming step of forming a functional organic thin film fixed by a covalent bond.

【0011】上記構成のように、膜の形成に先立って、
基材表面を露出活性水素密度を指標として2種の領域に
区画するようにすれば、活性水素と活性水素に反応しう
る官能基との反応によって共有結合で固定されてなる機
能性有機薄膜が、区画された状態と一致して形成される
ことになる。よって、微小面積であっても、寸法精度の
高い機能性有機薄膜を形成できる。また、このようにし
て形成された機能性有機薄膜は、耐剥離性等に優れてい
るので、所定の機能を長期間にわたり発揮できる膜とな
る。
As described above, prior to the formation of the film,
If the substrate surface is divided into two regions using the exposed active hydrogen density as an index, a functional organic thin film fixed by covalent bonds by the reaction of active hydrogen and a functional group capable of reacting with active hydrogen can be obtained. Is formed in accordance with the divided state. Therefore, a functional organic thin film with high dimensional accuracy can be formed even with a small area. Further, the functional organic thin film formed in this manner is excellent in peeling resistance and the like, so that it is a film that can exhibit a predetermined function for a long period of time.

【0012】ここで、本発明において、「基材表面の所
定部分」とは、基材表面から任意に選択した部分であっ
て、機能性有機薄膜が形成される基材表面の部分をい
う。また、「露出活性水素密度」とは、基材表面から露
出した活性水素の単位面積あたりの数をいう。さらに、
「機能性有機薄膜」とは、特定の機能をもった有機分子
により構成される膜をいう。特定の機能としては、導電
性、磁性、誘電性、導電率が変化する機能、液晶分子を
配向規制する機能、撥水性や撥油性等の防汚性等があげ
られる。そして、「機能性官能基」とは、膜の機能に関
与する官能基をいい、例えば、光異性化する官能基等の
光応答性の官能基、有極性の官能基等の電界応答性の官
能基、共役結合で結合しうる重合性基等があげられる。
Here, in the present invention, the “predetermined portion on the surface of the substrate” is a portion arbitrarily selected from the surface of the substrate and refers to a portion of the surface of the substrate on which the functional organic thin film is formed. The “exposed active hydrogen density” refers to the number of active hydrogen exposed from the surface of the base material per unit area. further,
The “functional organic thin film” refers to a film composed of organic molecules having a specific function. Specific functions include a function of changing conductivity, magnetism, dielectric property, and conductivity, a function of regulating alignment of liquid crystal molecules, and antifouling properties such as water repellency and oil repellency. The “functional functional group” refers to a functional group involved in the function of the film, for example, a photoresponsive functional group such as a photoisomerizable functional group, and an electric field responsive property such as a polar functional group. Examples include a functional group and a polymerizable group capable of bonding with a conjugate bond.

【0013】上記の製造方法においては、前記基材とし
て、活性水素が露出していない基材を用いることが好ま
しい。このような基材を用いれば、所定部分を除く部分
が活性水素が露出していない領域となるので、高精度な
機能性有機薄膜を確実に形成することができる。なお、
「活性水素が露出していない基材」とは、活性水素が全
く露出していない基材の他、膜が充分に結合固定できる
だけの露出活性水素を有していないような、活性水素が
実質的に露出していない基材をも含む。
In the above-mentioned production method, it is preferable to use a substrate to which active hydrogen is not exposed as the substrate. If such a base material is used, a portion excluding a predetermined portion is a region where active hydrogen is not exposed, so that a highly accurate functional organic thin film can be reliably formed. In addition,
"Substrate with no active hydrogen exposed" refers to a substrate to which active hydrogen is not exposed at all, as well as a substrate to which active hydrogen is substantially not present such that the membrane does not have exposed active hydrogen to sufficiently bond and fix it. Includes substrates that are not physically exposed.

【0014】また、前記基材表面の所定部分は、その一
の面積が1000μm2 以下であることが好ましい。こ
のような微小面積の膜を形成する場合、従前のようにマ
スクのみで成膜を行うと、マスク欠陥が膜の精度に悪影
響を及ぼすおそれがあるが、本発明のように前処理を行
えばマスク欠陥に影響されないので、本発明による改善
効果が高い。
It is preferable that one area of the predetermined portion on the surface of the base material is 1000 μm 2 or less. When a film having such a small area is formed, if a film is formed only with a mask as in the past, a mask defect may adversely affect the accuracy of the film, but if pretreatment is performed as in the present invention, Since it is not affected by the mask defect, the improvement effect of the present invention is high.

【0015】また、前記機能性官能基は、光応答性の官
能基、電界応答性の官能基および共役結合で結合しうる
重合性基からなる群から選択される少なくとも1種の官
能基であることが好ましい。さらに、前記機能性有機薄
膜は、前記化合物の分子が単分子層状に配列した単分子
膜または単分子膜が複数積層した単分子累積膜であるこ
とが好ましい。このような膜であれば、上記分子はある
程度配向した状態になるので、均質な機能を発揮する機
能性有機薄膜になる。
[0015] The functional functional group is at least one functional group selected from the group consisting of a photoresponsive functional group, an electric field responsive functional group, and a polymerizable group capable of bonding via a conjugate bond. Is preferred. Further, it is preferable that the functional organic thin film is a monomolecular film in which molecules of the compound are arranged in a monomolecular layer or a monomolecular cumulative film in which a plurality of monomolecular films are stacked. With such a film, the molecules are oriented to a certain extent, so that a functional organic thin film exhibiting a uniform function is obtained.

【0016】また、前記表面に活性水素が露出していな
い基材として、撥水性の単層基材、または表面に撥水性
の被膜が形成されてなる積層基材を用いることが好まし
い。さらに、前記撥水性の単層基材として、撥水性の合
成樹脂基材を用いることが好ましい。また、前記合成樹
脂基材として、アクリル樹脂基材、ポリカーボネート樹
脂基材、またはポリエーテルサルホン樹脂基材を用いる
ことが好ましい。さらに、前記積層基材を構成する撥水
性の被膜として、アクリル樹脂膜、ポリカーボネート
膜、またはポリエーテルサルホン樹脂膜を用いることが
好ましい。
It is preferable to use a water-repellent single-layer substrate or a laminated substrate having a water-repellent coating formed on the surface as the substrate having no active hydrogen exposed on the surface. Furthermore, it is preferable to use a water-repellent synthetic resin substrate as the water-repellent single-layer substrate. Further, it is preferable to use an acrylic resin substrate, a polycarbonate resin substrate, or a polyether sulfone resin substrate as the synthetic resin substrate. Further, it is preferable to use an acrylic resin film, a polycarbonate film, or a polyethersulfone resin film as the water-repellent film constituting the laminated base material.

【0017】また、前記前処理工程において、前記活性
水素露出化処理として、基材表面の所定部分を酸化して
活性水素を付与する方法を用いることが好ましい。さら
に、前記酸化の方法として、酸素および水素原子供給物
質の存在下で、基材表面の所定部分に対し、エキシマU
V光照射法、紫外線照射法、プラズマ処理法およびコロ
ナ処理法からなる群から選択される少なくとも1種の方
法を適用することが生産性等の観点から好ましい。ま
た、前記前処理工程において、前記活性水素露出化処理
として、活性水素が露出した基材の表面に撥水性の有機
物膜が形成されてなる積層基材を準備し、この積層基材
表面の所定部分を酸化して、上記有機物膜を除去し活性
水素を露出させる方法を用いることが好ましい。さら
に、前記酸化の方法として、酸素を含む雰囲気下で、積
層基材表面の所定部分に対し、エキシマUV光照射法、
紫外線照射法、プラズマ処理法、コロナ処理法のうちの
少なくとも1種の方法を用いることが生産性等の観点か
ら好ましい。
In the pretreatment step, it is preferable to use a method of oxidizing a predetermined portion of the substrate surface to give active hydrogen as the active hydrogen exposure treatment. Further, as a method of the oxidation, a predetermined portion of the surface of the substrate is exposed to excimer U in the presence of oxygen and hydrogen atom supply substances.
From the viewpoint of productivity and the like, it is preferable to apply at least one method selected from the group consisting of a V light irradiation method, an ultraviolet irradiation method, a plasma treatment method, and a corona treatment method. Further, in the pretreatment step, as the active hydrogen exposure treatment, a laminated substrate having a water-repellent organic film formed on the surface of the substrate where active hydrogen is exposed is prepared. It is preferable to use a method of oxidizing a part to remove the organic film and expose active hydrogen. Further, as the oxidation method, under an atmosphere containing oxygen, a predetermined portion of the surface of the laminated substrate, excimer UV light irradiation method,
It is preferable to use at least one of the ultraviolet irradiation method, the plasma treatment method, and the corona treatment method from the viewpoint of productivity and the like.

【0018】また、前記前処理工程において、活性水素
露出化処理に先立って、基材表面の所定部分を除く部分
にマスクを施したものを準備し、このマスク済み基材に
対して活性水素露出化処理を行うことが簡便なため好ま
しい。そして、前記膜形成工程は、マスクを除去した後
に行ってもよいし、マスクを除去する前に行ってもよ
い。
In the pre-treatment step, prior to the active hydrogen exposure treatment, a mask is provided on a portion of the substrate surface other than a predetermined portion, and the masked substrate is exposed to active hydrogen. It is preferable to carry out the conversion treatment because it is simple. The film forming step may be performed after removing the mask, or may be performed before removing the mask.

【0019】また、前記膜形成工程において、前記活性
水素に反応しうる官能基と機能性官能基とを有する化合
物として、ハロシリル基、イソシアネート基およびアル
コキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1
種の官能基と機能性官能基とを有する化合物を用い、上
記化合物を前記露出活性水素密度が高い領域に接触させ
るに際し、上記化合物と非水系の有機溶媒とを混合して
なる化学吸着液を用いることが、製造効率等の観点から
好ましい。また、前記前処理工程および膜形成工程を経
由した後に、非水系有機溶媒を用いて基材表面を洗浄す
る洗浄工程を行うことが、清浄な膜が得られる点で好適
である。
In the film forming step, the compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group is at least one selected from the group consisting of a halosilyl group, an isocyanate group and an alkoxysilyl group.
Using a compound having a kind of functional group and a functional functional group, when the compound is brought into contact with the region where the exposed active hydrogen density is high, a chemical adsorption liquid obtained by mixing the compound and a non-aqueous organic solvent is used. Use is preferred from the viewpoint of production efficiency and the like. Further, it is preferable to perform a cleaning step of cleaning the surface of the base material using a non-aqueous organic solvent after passing through the pretreatment step and the film forming step, since a clean film can be obtained.

【0020】本発明の第2の機能性有機薄膜の製造方法
は、基材表面の所定部分に共有結合で固定されてなる機
能性有機薄膜を製造する方法であって、前記基材表面の
所定部分を除く部分に活性水素除去処理を施して、所定
部分を、その所定部分を除く部分よりも露出活性水素密
度が高い領域にする前処理工程と、前記露出活性水素密
度が高い領域に、活性水素に反応しうる官能基と機能性
官能基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、上記基材表面の所定
部分に共有結合で固定されてなる機能性有機薄膜を形成
する膜形成工程とを備えたことを特徴とする。
A second method for producing a functional organic thin film according to the present invention is a method for producing a functional organic thin film which is fixed to a predetermined portion of the surface of a base material by covalent bonding. A pretreatment step of performing an active hydrogen removal treatment on the portion excluding the portion to make the predetermined portion a region where the exposed active hydrogen density is higher than that of the portion excluding the predetermined portion; A compound having a functional group capable of reacting with hydrogen and a functional functional group is brought into contact with each other to cause the compound to react with active hydrogen in the region, and is fixed to a predetermined portion of the substrate surface by a covalent bond. And a film forming step of forming a functional organic thin film.

【0021】上記構成のように、所定部分を除く部分に
活性水素除去処理を施すようにしても、所定部分を露出
活性水素密度が高い領域にすることができ、その結果と
して寸法精度の高い機能性有機薄膜を形成できる。
As described above, even when the active hydrogen removal treatment is performed on a portion excluding a predetermined portion, the predetermined portion can be made a region having a high exposed active hydrogen density, and as a result, a function having high dimensional accuracy can be obtained. Organic thin film can be formed.

【0022】上記の製造方法においては、前記基材とし
て、活性水素が露出した基材を用いることが好ましい。
このような基材であっても、上記の製造方法によれば、
元々存在していた露出活性水素を利用して、高精度な機
能性有機薄膜を形成することができる。なお、「活性水
素が露出した基材」とは、膜が充分に結合固定できるだ
けの活性水素が露出している基材をいう。
In the above-mentioned production method, it is preferable to use a substrate having active hydrogen exposed as the substrate.
Even with such a substrate, according to the above manufacturing method,
A highly accurate functional organic thin film can be formed by utilizing exposed active hydrogen that originally existed. The “substrate with active hydrogen exposed” refers to a substrate with active hydrogen exposed so that the film can be sufficiently bonded and fixed.

【0023】また、前記基材表面の所定部分は、その一
の面積が1000μm2 以下であることが好ましい。ま
た、前記機能性官能基は、光応答性の官能基、電界応答
性の官能基および共役結合で結合しうる重合性基からな
る群から選択される少なくとも1種の官能基であること
が好ましい。さらに、前記機能性有機薄膜は、前記化合
物の分子が単分子層状に配列した単分子膜または単分子
膜が複数積層した単分子累積膜であることが好ましい。
It is preferable that one area of the predetermined portion of the base material surface is not more than 1000 μm 2 . Further, the functional functional group is preferably at least one type of functional group selected from the group consisting of a photoresponsive functional group, an electric field responsive functional group, and a polymerizable group capable of bonding by a conjugate bond. . Further, it is preferable that the functional organic thin film is a monomolecular film in which molecules of the compound are arranged in a monomolecular layer or a monomolecular cumulative film in which a plurality of monomolecular films are stacked.

【0024】また、前記表面に活性水素が露出した基材
として、親水性の単層基材、または表面に親水性の被膜
が形成されてなる積層基材を用いることが好ましい。さ
らに、前記単層基板として、表面が酸化された金属基
材、シリコン基材、窒化シリコン基材、シリカ基材、ま
たはガラス基材を用いることが好ましい。また、前記積
層基材を構成する親水性の被膜として、表面が酸化され
た金属膜、シリコン膜、窒化シリコン膜、シリカ膜、ま
たはガラス膜を用いることが好ましい。
As the substrate having active hydrogen exposed on the surface, it is preferable to use a hydrophilic single-layer substrate or a laminated substrate having a hydrophilic film formed on the surface. Furthermore, it is preferable to use a metal substrate, a silicon substrate, a silicon nitride substrate, a silica substrate, or a glass substrate having an oxidized surface as the single-layer substrate. Further, it is preferable to use a metal film, a silicon film, a silicon nitride film, a silica film, or a glass film whose surface is oxidized as the hydrophilic film constituting the laminated base material.

【0025】また、前記前処理工程において、前記活性
水素除去処理として、基材表面の所定部分を除く部分に
化学的処理を施して活性水素をなくす方法を用いること
が好ましい。さらに、前記化学的処理として、基材表面
の所定部分を除く部分に、活性水素に反応しうる官能基
を有する化合物を接触させ、この化合物と前記基材表面
の所定部分を除く部分の活性水素とを反応させる方法を
用いることが、処理部分が剥離しにくくその後の処理を
行いやすい等の点から好ましい。また、前記前処理工程
において、前記活性水素除去処理として、基材表面の所
定部分を除く部分に物理的処理を施して活性水素を取り
除く方法を用いることが好ましい。さらに、前記物理的
処理として、基材表面の所定部分を除く部分に、真空中
で光照射して、活性水素を基材に結合させていた共有結
合を切断する方法を用いることが好ましい。
In the pretreatment step, it is preferable to use a method of performing a chemical treatment on a portion other than a predetermined portion of the substrate surface to eliminate active hydrogen as the active hydrogen removal treatment. Further, as the chemical treatment, a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen is brought into contact with a portion other than a predetermined portion of the substrate surface, and the compound and the active hydrogen in a portion excluding the predetermined portion of the substrate surface are removed. It is preferable to use a method of reacting with the above because the treated portion is hardly peeled off and the subsequent treatment is easily performed. Further, in the pretreatment step, it is preferable to use a method of performing a physical treatment on a portion other than a predetermined portion of the substrate surface to remove active hydrogen as the active hydrogen removal treatment. Further, as the physical treatment, it is preferable to use a method of irradiating a portion except a predetermined portion on the surface of the base material with light in a vacuum to cut a covalent bond that has bound active hydrogen to the base material.

【0026】また、前記活性水素除去処理に先立って、
基材表面の所定部分にマスクを施したものを準備し、こ
のマスク済み基材に対して活性水素除去処理を行い、か
つ、前記膜形成工程に先立って、マスクを除去すること
が好ましい。さらに、前記膜形成工程において、前記活
性水素に反応しうる官能基と機能性官能基を有する化合
物として、ハロシリル基、イソシアネート基およびアル
コキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1
種の官能基と機能性官能基とを有する化合物を用い、前
記化合物を前記露出活性水素密度が高い領域に接触させ
るに際し、前記化合物と非水系の有機溶媒とを混合して
なる化学吸着液を用いることが好ましい。そして、前記
前処理工程および膜形成工程の後に、非水系有機溶媒を
用いて基材表面を洗浄する洗浄工程を行うことが好まし
い。
Prior to the active hydrogen removal treatment,
It is preferable to prepare a substrate with a mask applied to a predetermined portion of the substrate surface, perform an active hydrogen removal treatment on the masked substrate, and remove the mask prior to the film forming step. Further, in the film forming step, as the compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group, at least one selected from the group consisting of a halosilyl group, an isocyanate group and an alkoxysilyl group.
Using a compound having a kind of functional group and a functional functional group, when the compound is brought into contact with the region where the exposed active hydrogen density is high, a chemical adsorption liquid obtained by mixing the compound and a non-aqueous organic solvent is used. Preferably, it is used. After the pretreatment step and the film forming step, it is preferable to perform a washing step of washing the surface of the base material using a non-aqueous organic solvent.

【0027】(有機電子デバイスの製造方法)本発明の
第1の2端子有機電子デバイスの製造方法は、基板上に
形成された、第1の電極と、前記第1の電極と離隔した
第2の電極と、前記第1電極と第2電極とを電気的に接
続する導電率変化膜とを備え、前記導電率変化膜は、光
異性化する官能基を有する有機分子群のうちの一部また
は全部が共役結合で連結されてなる導電ネットワークを
有しており、かつ、前記導電ネットワークの導電率は、
前記導電率変化膜に照射される光に応じて変化する2端
子有機電子デバイスを製造する方法であって、前記基板
表面の所定部分に活性水素露出化処理を施して、その所
定部分を、所定部分を除く部分よりも露出活性水素密度
が高い領域にする前処理工程と、前記露出活性水素密度
が高い領域に、活性水素に反応しうる官能基と光異性化
する官能基と共役結合で結合しうる重合性基とを有する
化合物を接触させて、この化合物と上記領域内の活性水
素とを反応させ、前記基板表面の所定部分に前記化合物
からなる有機分子群を共有結合で固定する膜形成工程
と、前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応
により共役結合させて導電ネットワークを形成する重合
工程と、前記基板上に第1電極と第2電極を形成する対
電極形成工程とを備えたことを特徴とする。
(Manufacturing Method of Organic Electronic Device) According to the first method of manufacturing a two-terminal organic electronic device of the present invention, a first electrode formed on a substrate and a second electrode separated from the first electrode are formed. And a conductivity changing film that electrically connects the first electrode and the second electrode, wherein the conductivity changing film is part of an organic molecule group having a photoisomerizable functional group. Or has a conductive network all connected by conjugated bonds, and the conductivity of the conductive network,
A method for manufacturing a two-terminal organic electronic device that changes according to light irradiated on the conductivity changing film, wherein a predetermined portion of the substrate surface is subjected to an active hydrogen exposure treatment, and the predetermined portion is subjected to a predetermined process. A pretreatment step in which the exposed active hydrogen density is higher than that of the portion excluding the portion, and bonding to the active hydrogen density higher region by a conjugate bond with a functional group capable of reacting with active hydrogen and a photoisomerizable functional group. Contacting a compound having a polymerizable group with the compound, and reacting the compound with active hydrogen in the region to form a film that covalently fixes an organic molecule group composed of the compound to a predetermined portion of the substrate surface. A step, a polymerization step of forming a conductive network by forming a conductive network by conjugate bonding of some or all of the organic molecule groups by a polymerization reaction, and a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate Be prepared Characterized in that was.

【0028】上記の製造方法は、前記第1の機能性有機
薄膜の製造方法に対応したものであり、膜の形成に先立
って、基板表面を露出活性水素密度を指標として2種の
領域に区画しているので、活性水素との反応によって結
合固定された導電率変化膜を精度良く形成できる。そし
て、このようにして得られた2端子有機電子デバイス
は、導電率変化膜中に光異性化する官能基を含むことに
より光に対する感度が上がり応答速度が高速になるの
で、導電ネットワークの導電率の変化が高速になる。よ
って、高速応答が可能な2端子有機電子デバイスを高集
積で形成する技術を提供できる。
The above-described manufacturing method corresponds to the first method of manufacturing a functional organic thin film, and divides the surface of the substrate into two regions using the exposed active hydrogen density as an index before forming the film. As a result, it is possible to accurately form a conductivity changing film fixed and bound by a reaction with active hydrogen. The two-terminal organic electronic device thus obtained has a high sensitivity to light and a high response speed by including a photoisomerizable functional group in the conductivity changing film. Changes faster. Therefore, a technique for forming a two-terminal organic electronic device capable of high-speed response with high integration can be provided.

【0029】なお、光が照射された際の導電率の変化
は、光異性化する官能基の応答による影響が前記導電ネ
ットワークの構造に波及するために生じると考えられ
る。
The change in conductivity upon irradiation with light is considered to be caused by the influence of the response of the photoisomerizable functional group to the structure of the conductive network.

【0030】上記のようにして得られた2端子有機電子
デバイスは、主としてスイッチ素子としての用途を想定
しているが、これに限定するものではない。上記デバイ
スは、導電ネットワークの導電率が波長の異なる光によ
り変化するものであって、遮光後はその導電率が変化す
ることなく維持されるので、メモリ機能を有する。よっ
て、メモリ素子、可変抵抗、光センサー等としても利用
可能である。
The two-terminal organic electronic device obtained as described above is mainly intended for use as a switching element, but is not limited to this. The device has a memory function because the conductivity of the conductive network is changed by light having different wavelengths, and after the light is shielded, the conductivity is maintained without change. Therefore, it can be used as a memory element, a variable resistor, an optical sensor, and the like.

【0031】本発明の第1の3端子有機電子デバイスの
製造方法は、基板上に形成された、第1の電極と、前記
第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1電極と第
2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、前記基板
と前記導電率変化膜との間に挟まれ、それぞれと絶縁さ
れた第3の電極とを備え、前記第3電極は、第1電極ま
たは第2電極との間に電圧を印加することにより前記導
電率変化膜に作用させる電界を制御する電極であり、か
つ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、かつ、前記導電ネ
ットワークの導電率は、前記導電率変化膜に印加される
電界に応じて変化する3端子有機電子デバイスを製造す
る方法であって、前記基板の表面に第3電極を形成する
電極形成工程と、前記第3電極が形成された基板表面の
所定部分に活性水素露出化処理を施して、その所定部分
を、所定部分を除く部分よりも露出活性水素密度が高い
領域にする前処理工程と、前記露出活性水素密度が高い
領域に、活性水素に反応しうる官能基と有極性の官能基
と共役結合で結合しうる重合性基とを有する化合物を接
触させて、この化合物と上記領域内の活性水素とを反応
させ、前記基板表面の所定部分に前記化合物からなる有
機分子群を共有結合で固定する膜形成工程と、前記有機
分子群のうちの一部または全部を重合反応により共役結
合させて導電ネットワークを形成する重合工程と、前記
基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形成工
程とを備えたことを特徴とする。
According to the first method of manufacturing a three-terminal organic electronic device of the present invention, a first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode A conductivity changing film for electrically connecting the second electrode and the second electrode; and a third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity changing film and insulated from each other. , An electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and the conductivity changing film has a polar functional group. It has a conductive network in which some or all of the organic molecule groups are connected by conjugate bonds, and the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. A method for manufacturing a three-terminal organic electronic device, comprising: An electrode forming step of forming a third electrode on the surface of the substrate, and exposing a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrode is formed to active hydrogen exposure, so that the predetermined portion is removed from a portion excluding the predetermined portion. A pretreatment step to also make the exposed active hydrogen density high, and the exposed active hydrogen density is high, the active hydrogen-reactive functional group and the polar functional group and the polymerizable group capable of bonding with a conjugate bond. Contacting a compound having the formula: and reacting the compound with active hydrogen in the region to fix a group of organic molecules comprising the compound to a predetermined portion of the substrate surface by a covalent bond. A polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding of a part or all of the group by a polymerization reaction, and a counter electrode formation step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate. Features.

【0032】上記構成の製造方法は、前記第1の機能性
有機薄膜の製造方法に対応したものであり、基板表面に
電極が形成されていても、高精度な導電率変化膜を形成
できる。そして、このようにして得られた3端子有機電
子デバイスは、導電率変化膜中に有極性の官能基を含む
ことにより電界に対する感度が上がり応答速度が高速に
なるので、導電ネットワークの導電率の変化が高速にな
る。よって、高速応答が可能な3端子有機電子デバイス
を高集積で形成する技術を提供できる。
The manufacturing method having the above-described structure corresponds to the first method for manufacturing a functional organic thin film, and can form a highly accurate conductivity changing film even if electrodes are formed on the substrate surface. The three-terminal organic electronic device thus obtained has a high sensitivity to an electric field and a high response speed by including a polar functional group in the conductivity changing film. Change is faster. Therefore, a technique for forming a three-terminal organic electronic device capable of high-speed response with high integration can be provided.

【0033】なお、電界が印加された際の導電率の変化
は、有極性の官能基の応答による影響が前記導電ネット
ワークの構造に波及するために生じると考えられる。そ
して、上記のようにして得られた3端子有機電子デバイ
スは、主としてスイッチ素子としての用途を想定してい
るが、この用途に限定するものではない。
It is considered that the change in the conductivity when an electric field is applied is caused by the influence of the response of the polar functional group to the structure of the conductive network. The three-terminal organic electronic device obtained as described above is mainly intended for use as a switch element, but is not limited to this use.

【0034】本発明の第2の2端子有機電子デバイスの
製造方法は、基板上に形成された、第1の電極と、前記
第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1電極と第
2電極とを電気的に接続する導電率変化膜とを備え、前
記導電率変化膜は、光異性化する官能基を有する有機分
子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されてな
る導電ネットワークを有しており、かつ、前記導電ネッ
トワークの導電率は、前記導電率変化膜に照射される光
に応じて変化する2端子有機電子デバイスを製造する方
法であって、前記基板表面の所定部分を除く部分に活性
水素除去処理を施して、所定部分を、その所定部分を除
く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にする前処理
工程と、前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素
に反応しうる官能基と光異性化する官能基と共役結合で
結合しうる重合性基とを有する化合物を接触させて、こ
の化合物と上記領域内の活性水素とを反応させ、前記基
板表面の所定部分に前記化合物からなる有機分子群を共
有結合で固定する膜形成工程と、前記有機分子群のうち
の一部または全部を重合反応により共役結合させて導電
ネットワークを形成する重合工程と、前記基板上に第1
電極と第2電極を形成する対電極形成工程とを備えたこ
とを特徴とする。
According to a second method of manufacturing a two-terminal organic electronic device of the present invention, a first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode And a conductivity changing film that electrically connects the second electrode and the second electrode, wherein the conductivity changing film is configured such that some or all of the organic molecules having a photoisomerizable functional group are connected by a conjugate bond. A method for manufacturing a two-terminal organic electronic device, wherein the two-terminal organic electronic device has a conductive network, and the conductivity of the conductive network changes according to light irradiated on the conductivity changing film. A pretreatment step of performing an active hydrogen removal treatment on a portion of the surface excluding a predetermined portion to make the predetermined portion a region where the exposed active hydrogen density is higher than the portion excluding the predetermined portion; and a region where the exposed active hydrogen density is high. In addition, a functional that can react to active hydrogen And a compound having a functional group capable of photoisomerization and a polymerizable group capable of bonding via a conjugate bond, and reacting the compound with active hydrogen in the above-described region. A film forming step of fixing a group of organic molecules by a covalent bond, a polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding of some or all of the group of organic molecules by a polymerization reaction, and a first step of forming a conductive network on the substrate.
And a counter electrode forming step of forming an electrode and a second electrode.

【0035】上記構成の製造方法は、前記第2の機能性
有機薄膜の製造方法に対応したものであり、膜の形成に
先立って、基板表面を露出活性水素密度を指標として2
種の領域に区画しているので、活性水素との反応によっ
て結合固定された導電率変化膜を精度良く形成できる。
よって、高速応答が可能な2端子有機電子デバイスを高
集積で形成する技術を提供できる。
The manufacturing method having the above structure corresponds to the above-described method for manufacturing the second functional organic thin film. Prior to the formation of the film, the substrate surface is exposed to the exposed active hydrogen density as an index.
Since it is partitioned into different kinds of regions, the conductivity changing film fixed and bound by the reaction with active hydrogen can be formed with high accuracy.
Therefore, a technique for forming a two-terminal organic electronic device capable of high-speed response with high integration can be provided.

【0036】なお、上記のようにして得られた2端子有
機電子デバイスも、主としてスイッチ素子としての用途
を想定しているが、メモリ素子、可変抵抗、光センサー
等の用途に利用可能である。
The two-terminal organic electronic device obtained as described above is also assumed to be mainly used as a switch element, but can be used for a memory element, a variable resistor, an optical sensor, and the like.

【0037】本発明の第2の3端子有機電子デバイスの
製造方法は、基板上に形成された、第1の電極と、前記
第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1電極と第
2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、前記基板
と前記導電率変化膜との間に挟まれ、それぞれと絶縁さ
れた第3の電極とを備え、前記第3電極は、第1電極ま
たは第2電極との間に電圧を印加することにより前記導
電率変化膜に作用させる電界を制御する電極であり、か
つ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、かつ、前記導電ネ
ットワークの導電率は、前記導電率変化膜に印加される
電界に応じて変化する3端子有機電子デバイスを製造す
る方法であって、前記基板の表面に第3電極を形成する
電極形成工程と、前記第3電極が形成された基板表面の
所定部分を除く部分に活性水素除去処理を施して、所定
部分を、その所定部分を除く部分よりも露出活性水素密
度が高い領域にする前処理工程と、前記露出活性水素密
度が高い領域に、活性水素に反応しうる官能基と有極性
の官能基と共役結合で結合しうる重合性基とを有する化
合物を接触させて、この化合物と上記領域内の活性水素
とを反応させ、前記基板表面の所定部分に前記化合物か
らなる有機分子群を共有結合で固定する膜形成工程と、
前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電
極形成工程とを備えたことを特徴とする。
According to a second method of manufacturing a three-terminal organic electronic device of the present invention, a first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and a first electrode formed on the substrate. A conductivity changing film for electrically connecting the second electrode and the second electrode; and a third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity changing film and insulated from each other. , An electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and the conductivity changing film has a polar functional group. It has a conductive network in which some or all of the organic molecule groups are connected by conjugate bonds, and the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. A method for manufacturing a three-terminal organic electronic device, comprising: An electrode forming step of forming a third electrode on the surface of the substrate, and performing an active hydrogen removing process on a portion of the substrate surface on which the third electrode is formed, except for a predetermined portion, excluding the predetermined portion. A pretreatment step of making the exposed active hydrogen density higher than that of the portion; and a polymerizable compound capable of binding to the active hydrogen density higher region by a conjugate bond with a functional group reactive with active hydrogen and a polar functional group. Contacting a compound having a group and reacting the compound with active hydrogen in the region to form a film forming step of covalently fixing an organic molecule group composed of the compound to a predetermined portion of the substrate surface;
A polymerization step of forming a conductive network by forming a part or all of the organic molecules in a conjugate bond by a polymerization reaction; and a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate. It is characterized by having.

【0038】上記構成の製造方法は、前記第2の機能性
有機薄膜の製造方法に対応したものであり、基板表面に
電極が形成されていても、高精度な導電率変化膜を形成
できる。よって、高速応答が可能な3端子有機電子デバ
イスを高集積で形成する技術を提供できる。
The manufacturing method having the above structure corresponds to the above-described method for manufacturing the second functional organic thin film, and can form a highly-accurate conductivity changing film even if electrodes are formed on the substrate surface. Therefore, a technique for forming a three-terminal organic electronic device capable of high-speed response with high integration can be provided.

【0039】なお、上記のようにして得られた3端子有
機電子デバイスも、主としてスイッチ素子としての用途
を想定しているが、この用途に限定するものではない。
The three-terminal organic electronic device obtained as described above is mainly intended for use as a switch element, but is not limited to this use.

【0040】前記第1の機能性有機薄膜の製造方法に対
応した有機電子デバイスの製造方法においては、前記基
板として、活性水素が露出していない表面絶縁性基板を
用いることが好ましい。また、前記第2の機能性有機薄
膜の製造方法に対応した有機電子デバイスの製造方法に
おいては、前記基板として、活性水素が露出した表面絶
縁性基板を用いることが好ましい。
In the method for manufacturing an organic electronic device corresponding to the first method for manufacturing a functional organic thin film, it is preferable to use a surface insulating substrate on which active hydrogen is not exposed as the substrate. Further, in the method of manufacturing an organic electronic device corresponding to the second method of manufacturing a functional organic thin film, it is preferable to use a surface insulating substrate having active hydrogen exposed as the substrate.

【0041】また、前記有機電子デバイスの製造方法に
おいては、前記導電率変化膜は、単分子層状に配列した
単分子膜または単分子膜が複数積層した単分子累積膜で
あることが好ましい。このような膜であれば、分子があ
る程度配向した状態となり、分子中の重合性基は基板表
面から略一定の位置に整然と並ぶので、隣接する重合性
基の重合反応によって、基板表面に対して略平行に共役
結合が形成され、その結果として、高い導電性を示す導
電ネットワークが形成できる。
In the method for manufacturing an organic electronic device, it is preferable that the conductivity change film is a monomolecular film arranged in a monomolecular layer or a monomolecular cumulative film in which a plurality of monomolecular films are stacked. In such a film, the molecules are in a state of being orientated to some extent, and the polymerizable groups in the molecules are neatly arranged at a substantially constant position from the substrate surface. A conjugate bond is formed substantially in parallel, and as a result, a conductive network having high conductivity can be formed.

【0042】また、前記膜形成工程で化学吸着法または
ラングミュアーブロジェット法を適用することが好まし
い。これらの方法であれば、単分子膜、あるいは任意の
膜厚の単分子累積膜を簡便に製造することができる。
It is preferable to apply a chemical adsorption method or a Langmuir-Blodgett method in the film forming step. According to these methods, a monomolecular film or a monomolecular cumulative film having an arbitrary thickness can be easily produced.

【0043】また、前記化学吸着法を適用した膜形成工
程で、シラン系の化学吸着物質を用いることが、効率よ
く短時間でデバイスを製造できるとの理由から、好適で
ある。
It is preferable to use a silane-based chemisorbing substance in the film forming step to which the chemisorption method is applied, because the device can be efficiently manufactured in a short time.

【0044】前記2端子有機電子デバイスの製造方法に
おいて、前記光異性化する官能基としてアゾ基を用いる
ことが好適である。アゾ基であれば、可視光の照射でト
ランス型の第1の異性体に、また紫外線の照射でシス型
の第2の異性体に異性化されるので、導電率を変化させ
やすい膜が形成できる。
In the method for producing a two-terminal organic electronic device, it is preferable to use an azo group as the photoisomerizable functional group. An azo group is isomerized into the first trans isomer by irradiation with visible light and the second cis isomer by irradiation with ultraviolet light, so that a film whose conductivity is easily changed is formed. it can.

【0045】前記3端子有機電子デバイスの製造方法に
おいて、前記有極性の官能基としてカルボニル基または
/およびオキシカルボニル基を用いることが好適であ
る。これらの基であれば、電界印加により分極が大きく
なり、印加電界に対する感度が極めて高いので、応答速
度が極めて高速なスイッチ素子が得られる。
In the method for producing a three-terminal organic electronic device, it is preferable to use a carbonyl group and / or an oxycarbonyl group as the polar functional group. With these groups, the polarization is increased by the application of an electric field, and the sensitivity to the applied electric field is extremely high, so that a switch element having an extremely high response speed can be obtained.

【0046】また、前記共役結合で結合しうる重合性基
として、触媒重合性の官能基、電解重合性の官能基およ
びエネルギービーム照射により重合する官能基からなる
群から選択される少なくとも1種の官能基を用いること
が好ましい。これらの官能基であれば、重合に際し、触
媒重合法、電解重合法、エネルギービーム照射による重
合法が適用でき、簡便に導電率変化膜が形成できるから
である。前記触媒重合性の官能基としては、ピロール
基、チェニレン基、アセチレン基およびジアセチレン基
からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を用
いることが好適である。前記電解重合性の官能基として
は、ピロール基または/およびチェニレン基を用いるこ
とが好適である。前記エネルギービーム照射により重合
する官能基としては、アセチレン基または/およびジア
セチレン基を用いることが好適である。
The polymerizable group capable of bonding by a conjugate bond is at least one selected from the group consisting of a catalyst polymerizable functional group, an electrolytic polymerizable functional group, and a functional group polymerized by irradiation with an energy beam. It is preferable to use a functional group. If these functional groups are used, a catalyst polymerization method, an electrolytic polymerization method, or a polymerization method using energy beam irradiation can be applied during polymerization, and a conductivity changing film can be easily formed. It is preferable to use at least one functional group selected from the group consisting of a pyrrole group, a chenylene group, an acetylene group, and a diacetylene group as the catalytically polymerizable functional group. It is preferable to use a pyrrole group and / or a chenylene group as the electropolymerizable functional group. As the functional group polymerized by the energy beam irradiation, it is preferable to use an acetylene group and / or a diacetylene group.

【0047】また、前記共役結合で結合しうる重合性基
が電解重合性の官能基である場合に、前記重合工程に先
立って、前記対電極形成工程を行い、かつ、前記重合工
程において、前記第1電極と第2電極との間に電圧を印
加することにより、電解重合性の官能基同士を電解重合
反応させて、導電ネットワークを形成することが好まし
い。このような構成であれば、第1電極と第2電極を導
電ネットワークの形成に利用でき、かつ、両電極間に電
圧を印加して重合を行うことで、導電ネットワークを自
己成長的に形成できる。
In the case where the polymerizable group that can be bonded by the conjugate bond is an electrolytic polymerizable functional group, the counter electrode forming step is performed prior to the polymerization step, and in the polymerization step, It is preferable that a conductive network be formed by applying a voltage between the first electrode and the second electrode to cause an electrolytic polymerization reaction between the electropolymerizable functional groups. With such a configuration, the first electrode and the second electrode can be used for forming a conductive network, and the conductive network can be formed in a self-growing manner by applying a voltage between the two electrodes to perform polymerization. .

【0048】前記2端子有機電子デバイスの製造方法に
おいては、前記共役結合で結合しうる重合性基が電解重
合性の官能基であるピロール基または/およびチェニレ
ン基である場合に、前記前処理工程、膜形成工程、重合
工程および対電極形成工程を経由して、単分子層状の導
電率変化膜を形成した後、この導電率変化膜が形成され
てなる基板を、ピロール基または/およびチェニレン基
と光異性化する官能基とを有する化合物を溶かした有機
溶媒中に浸漬し、かつ、前記第1電極と第2電極との
間、および前記第1電極または第2電極と前記有機溶媒
に接触し前記導電率変化膜の上方に配置された外部電極
との間に、それぞれ電圧を印加して、前記単分子状の導
電率変化膜の表面に、前記化合物の分子群の一部または
全部が共役結合されて導電ネットワークが形成されてな
る被膜を形成する工程を行うことができる。このように
すれば、導電ネットワークが多段的に形成されるので、
より大きな電流を流すことが可能な2端子有機電子デバ
イスが提供できる。
In the method for producing a two-terminal organic electronic device, in the case where the polymerizable group capable of binding by a conjugate bond is a pyrrole group and / or a phenylene group, which are electrolytically polymerizable functional groups, After forming a monolayer-like conductivity changing film via a film forming step, a polymerization step and a counter electrode forming step, the substrate on which the conductivity changing film is formed is attached to a pyrrole group and / or a chenylene group. And immersed in an organic solvent in which a compound having a photoisomerizable functional group is dissolved, and is in contact with the first electrode and the second electrode and between the first electrode or the second electrode and the organic solvent. Then, a voltage is applied between each of the external electrodes disposed above the conductivity change film, and a part or all of the molecule groups of the compound is formed on the surface of the monomolecular conductivity change film. Conjugated Conductive network can be a step of forming a film comprising formed. By doing so, the conductive network is formed in multiple stages,
A two-terminal organic electronic device capable of flowing a larger current can be provided.

【0049】また、前記2端子有機電子デバイスの製造
方法においては、前記共役結合で結合しうる重合性基が
電解重合性の官能基であるピロール基または/およびチ
ェニレン基である場合に、前記前処理工程、膜形成工程
および対電極形成工程を経由して、重合させる前の単分
子膜を形成した後、この単分子膜が形成されてなる基板
を、ピロール基または/およびチェニレン基と光異性化
する官能基とを有する化合物を溶かした有機溶媒中に浸
漬し、かつ、前記第1電極と第2電極との間、および前
記第1電極または第2電極と前記有機溶媒に接触し前記
単分子膜の上方に配置された外部電極との間に、それぞ
れ電圧を印加して、前記単分子膜中の電解重合性の官能
基同士を重合反応により共役結合させて導電ネットワー
クを形成するとともに、前記単分子膜の表面に、前記化
合物の分子群の一部または全部が共役結合されて導電ネ
ットワークが形成されてなる被膜を形成する工程を行う
こともできる。この方法であれば、導電率変化膜を単分
子累積膜にする場合に、導電ネットワークの形成にあた
って、1回の重合反応で済むので、より大きな電流を流
すことが可能な2端子有機電子デバイスをより短時間に
製造できる。
Further, in the method for producing a two-terminal organic electronic device, when the polymerizable group capable of binding by a conjugate bond is a pyrrole group and / or a chenylene group which are an electropolymerizable functional group, After forming a monomolecular film before polymerization through a processing step, a film forming step, and a counter electrode forming step, the substrate on which the monomolecular film is formed is separated from a pyrrole group and / or a chenylene group by photoisomerization. Immersed in an organic solvent in which a compound having a functional group to be converted is dissolved, and is brought into contact with the organic solvent between the first electrode and the second electrode and between the first electrode or the second electrode and the organic solvent. A voltage is applied between each of the external electrodes disposed above the molecular film, and a conductive network is formed by forming a conjugate bond between the electropolymerizable functional groups in the monomolecular film by a polymerization reaction. To the to the surface of the monomolecular film, may be a step of part or all of the molecular groups of said compound forms a coating film formed by forming a conjugated bond to a conductive network. According to this method, in the case where the conductivity changing film is a monomolecular accumulation film, a single polymerization reaction is required for forming the conductive network, so that a two-terminal organic electronic device capable of flowing a larger current is used. Can be manufactured in a shorter time.

【0050】上記と同様に、前記3端子有機電子デバイ
スの製造方法においては、前記共役結合で結合しうる重
合性基が電解重合性の官能基であるピロール基または/
およびチェニレン基である場合に、前記電極形成工程、
前処理工程、膜形成工程、重合工程および対電極形成工
程を経由して、単分子状の導電率変化膜を形成した後、
この導電率変化膜が形成されてなる基板を、ピロール基
または/およびチェニレン基と有極性の官能基とを有す
る化合物を溶かした有機溶媒中に浸漬し、かつ、前記第
1電極と第2電極との間、および前記第1電極または第
2電極と前記有機溶媒に接触し前記導電率変化膜の上方
に配置された外部電極との間に、それぞれ電圧を印加し
て、前記単分子状の導電率変化膜の表面に、前記化合物
の分子群の一部または全部が共役結合されて導電ネット
ワークが形成されてなる被膜を形成する工程を行うこと
もできる。また、前記3端子有機電子デバイスを製造す
る方法においては、前記共役結合で結合しうる重合性基
が電解重合性の官能基であるピロール基または/および
チェニレン基である場合に、前記電極形成工程、前処理
工程、膜形成工程および対電極形成工程を経由して、重
合させる前の単分子膜を形成した後、この単分子膜が形
成されてなる基板を、ピロール基または/およびチェニ
レン基と有極性の官能基とを有する化合物を溶かした有
機溶媒中に浸漬し、かつ、前記第1電極と第2電極との
間、および前記第1電極または第2電極と前記有機溶媒
に接触し前記導電率変化膜の上方に配置された外部電極
との間に、それぞれ電圧を印加して、前記単分子膜中の
電解重合性の官能基同士を重合反応により共役結合させ
て導電ネットワークを形成するとともに、前記単分子膜
の表面に、前記化合物の分子群の一部または全部が共役
結合されて導電ネットワークが形成されてなる被膜を形
成する工程を行うこともできる。
Similarly to the above, in the method for producing a three-terminal organic electronic device, the polymerizable group capable of bonding by the conjugate bond is a pyrrole group or / and / or an electropolymerizable functional group.
And when it is a chenylene group, the electrode forming step,
Through a pretreatment step, a film formation step, a polymerization step and a counter electrode formation step, after forming a monomolecular conductivity change film,
The substrate on which the conductivity changing film is formed is immersed in an organic solvent in which a compound having a pyrrole group and / or a chenylene group and a polar functional group is dissolved, and the first electrode and the second electrode are And between the first electrode or the second electrode and an external electrode that is in contact with the organic solvent and is disposed above the conductivity change film, to apply a voltage to the monomolecular state. A step of forming a conductive film on the surface of the conductivity changing film, in which a part or all of the molecules of the compound are conjugated to form a conductive network, can also be performed. Further, in the method for producing a three-terminal organic electronic device, in the case where the polymerizable group capable of bonding by a conjugate bond is a pyrrole group and / or a chenylene group, which are an electropolymerizable functional group, the electrode forming step After forming a monomolecular film before polymerization through a pretreatment step, a film forming step and a counter electrode forming step, the substrate on which the monomolecular film is formed is treated with a pyrrole group or / and a chenylene group. Immersed in an organic solvent in which a compound having a polar functional group is dissolved, and between the first electrode and the second electrode, and in contact with the first or second electrode and the organic solvent; A voltage is applied between each of the external electrodes disposed above the conductivity change film and a conductive network is formed by conjugate bonding of the electropolymerizable functional groups in the monomolecular film by a polymerization reaction. Together with the the surface of the monomolecular film, may be a step of part or all of the molecular groups of said compound forms a coating film formed by forming a conjugated bond to a conductive network.

【0051】(表示装置の製造方法)本発明の第1の液
晶表示装置の製造方法は、基板上に形成された、第1の
電極と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記
第1電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜
と、前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、か
つ、それぞれと絶縁された第3の電極とを備え、前記第
3電極は、第1電極または第2電極との間に電圧を印加
することにより前記導電率変化膜に作用させる電界を制
御する電極であり、かつ、前記導電率変化膜は、有極性
の官能基を有する有機分子群のうちの一部または全部が
共役結合で連結されてなる導電ネットワークを有してお
り、かつ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電
率変化膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機
電子デバイスをスイッチ素子として用いた液晶表示装置
を製造する方法であって、第1の基板上に複数の前記ス
イッチ素子がマトリックス状に配列配置され、かつ、そ
の表面に第1の配向膜が形成されたアレイ基板を作製す
る工程と、第2の基板上に複数の色要素がマトリックス
状に配列配置され、かつ、その表面に第2の配向膜が形
成されたカラーフィルター基板を作製する工程と、前記
第1の配向膜と第2の配向膜とを内側にして前記アレイ
基板と前記カラーフィルター基板とを所定の間隔で向か
い合わせ、両基板の間に液晶を充填し封止する工程とを
備え、前記アレイ基板を作製する工程は、前記第1の基
板の表面に第3電極をマトリックス状に形成する電極形
成工程と、前記第3電極が形成された基板表面の所定部
分に活性水素露出化処理を施して、その所定部分を、所
定部分を除く部分よりも露出活性水素密度が高い領域に
する前処理工程と、前記露出活性水素密度が高い領域
に、活性水素に反応しうる官能基と有極性の官能基と共
役結合で結合しうる重合性基とを有する化合物を接触さ
せて、この化合物と上記領域内の活性水素とを反応さ
せ、前記基板表面の所定部分に前記化合物からなる有機
分子群を共有結合で固定する膜形成工程と、前記有機分
子群のうちの一部または全部を重合反応により共役結合
させて導電ネットワークを形成する重合工程と、前記第
1の基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形
成工程と、前記第1電極と第2電極と第3電極と導電率
変化膜とが形成された基板上に第1の配向膜を形成する
配向膜形成工程とを含んだ工程であることを特徴とす
る。
(Manufacturing Method of Display Device) The first manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention comprises a first electrode formed on a substrate, and a second electrode separated from the first electrode. A conductivity changing film for electrically connecting the first electrode and the second electrode, and a third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity changing film and insulated from each other. The third electrode is an electrode that controls an electric field applied to the conductivity changing film by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and the conductivity changing film includes: It has a conductive network in which some or all of the organic molecules having polar functional groups are connected by a conjugate bond, and the conductivity of the conductive network is applied to the conductivity changing film. Switch a three-terminal organic electronic device that changes according to the applied electric field. A method for manufacturing a liquid crystal display device used as a switch element, wherein a plurality of the switch elements are arranged in a matrix on a first substrate and a first alignment film is formed on the surface thereof. A step of forming a substrate, a step of forming a color filter substrate having a plurality of color elements arranged and arranged in a matrix on a second substrate, and a second alignment film formed on a surface thereof; Facing the array substrate and the color filter substrate at a predetermined interval with the first alignment film and the second alignment film inside, and filling and sealing liquid crystal between the two substrates, The step of fabricating the array substrate includes an electrode forming step of forming third electrodes in a matrix on the surface of the first substrate, and an active hydrogen exposure treatment on a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrodes are formed. Give it A pretreatment step of setting the predetermined portion to a region where the exposed active hydrogen density is higher than that of the portion excluding the predetermined portion; and, in the region where the exposed active hydrogen density is high, a functional group reactive with active hydrogen and a polar functional group. A compound having a polymerizable group capable of bonding by a conjugate bond is brought into contact with the compound, and the compound is reacted with active hydrogen in the above-mentioned region, and an organic molecule group composed of the compound is covalently bonded to a predetermined portion of the substrate surface. A film forming step of fixing, a polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding of some or all of the organic molecule groups by a polymerization reaction, and forming a first electrode and a second electrode on the first substrate. Forming a counter electrode, and forming an alignment film on a substrate on which the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the conductivity change film are formed. Process.

【0052】上記の構成によれば、無機系の薄膜トラン
ジスタ(TFT)に代わる、有機系のTFTを用いた液
晶表示装置を製造することができる。有機系のTFTで
あると高温で処理する工程が存在しなくなるので、ガラ
ス基板に比べ耐熱性に劣るプラスチック基板が使用可能
となる。これにより、基板選択の幅が広がるので、フレ
キシビリティーに優れたもの等、より多用な液晶表示装
置の提供が可能となる。さらに、微小なTFTの製造が
可能なため、高性能な液晶表示装置が提供できる。
According to the above configuration, a liquid crystal display device using an organic TFT instead of an inorganic thin film transistor (TFT) can be manufactured. In the case of an organic TFT, since there is no step of processing at a high temperature, a plastic substrate having lower heat resistance than a glass substrate can be used. As a result, the range of substrate selection is expanded, and it is possible to provide a more versatile liquid crystal display device such as a device having excellent flexibility. Further, since a minute TFT can be manufactured, a high-performance liquid crystal display device can be provided.

【0053】上記の製造方法において、前記第1の基板
として、表面に活性水素が露出していない表面絶縁性基
板を用いることが好ましい。
In the above manufacturing method, it is preferable to use, as the first substrate, a surface insulating substrate having no active hydrogen exposed on the surface.

【0054】本発明の第2の液晶表示装置の製造方法
は、基板上に形成された、第1の電極と、前記第1の電
極と離隔した第2の電極と、前記第1電極と第2電極と
を電気的に接続する導電率変化膜と、前記基板と前記導
電率変化膜との間に挟まれ、かつ、それぞれと絶縁され
た第3の電極とを備え、前記第3電極は、第1電極また
は第2電極との間に電圧を印加することにより前記導電
率変化膜に作用させる電界を制御する電極であり、か
つ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、かつ、前記導電ネ
ットワークの導電率は、前記導電率変化膜に印加される
電界に応じて変化する3端子有機電子デバイスをスイッ
チ素子として用いた液晶表示装置の製造方法であって、
第1の基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス
状に配列配置され、かつ、その表面に第1の配向膜が形
成されたアレイ基板を作製する工程と、第2の基板上に
複数の色要素がマトリックス状に配列配置され、かつ、
その表面に第2の配向膜が形成されたカラーフィルター
基板を作製する工程と、前記第1の配向膜と第2の配向
膜とを内側にして前記アレイ基板と前記カラーフィルタ
ー基板とを所定の間隔で向かい合わせ、両基板の間に液
晶を充填し封止する工程とを備え、前記アレイ基板を製
造する工程は、前記第1の基板の表面に第3電極をマト
リックス状に形成する電極形成工程と、前記第3電極が
形成された基板表面の所定部分を除く部分に活性水素除
去処理を施して、所定部分を、その所定部分を除く部分
よりも露出活性水素密度が高い領域にする前処理工程
と、前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反
応しうる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しう
る重合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物
と上記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の
所定部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で
固定する膜形成工程と、前記有機分子群のうちの一部ま
たは全部を重合反応により共役結合させて導電ネットワ
ークを形成する重合工程と、前記第1の基板上に第1電
極と第2電極とを形成する対電極形成工程と、前記第1
電極と第2電極と第3の電極と導電率変化膜とが形成さ
れた基板上に第1の配向膜を形成する配向膜形成工程と
を含んだ工程であることを特徴とする。
According to a second method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, A conductivity change film electrically connecting the two electrodes, and a third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from each other, wherein the third electrode is , An electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and the conductivity changing film has a polar functional group. It has a conductive network in which some or all of the organic molecule groups are connected by conjugate bonds, and the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. Using a three-terminal organic electronic device as a switch element A method of manufacturing a display device,
A step of manufacturing an array substrate having a plurality of switch elements arranged in a matrix on a first substrate and having a first alignment film formed on a surface thereof; The elements are arranged in a matrix and
Manufacturing a color filter substrate having a second alignment film formed on the surface thereof; and setting the array substrate and the color filter substrate to a predetermined position with the first alignment film and the second alignment film inside. Facing each other at an interval, and filling and sealing liquid crystal between the two substrates. The step of manufacturing the array substrate includes forming an electrode on the surface of the first substrate by forming a third electrode in a matrix. A step of performing an active hydrogen removal process on a portion of the substrate surface excluding a predetermined portion on which the third electrode is formed, so that the predetermined portion becomes a region having a higher exposed active hydrogen density than the portion excluding the predetermined portion. In the treatment step, the exposed active hydrogen density region is brought into contact with a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a polymerizable group capable of bonding with a polar functional group and a conjugate bond, and contacting the compound with the compound. Activity in the above area A film forming step of covalently fixing an organic molecule group composed of the compound to a predetermined portion of the substrate surface, and a part or all of the organic molecule group is conjugated by a polymerization reaction. A polymerization step for forming a conductive network; a counter electrode formation step for forming a first electrode and a second electrode on the first substrate;
A step of forming an alignment film for forming a first alignment film on the substrate on which the electrode, the second electrode, the third electrode, and the conductivity change film are formed.

【0055】上記の構成によれば、無機系のTFTに代
えて、有機系のTFTを用いた液晶表示装置を製造する
ことができる。
According to the above configuration, a liquid crystal display device using an organic TFT instead of an inorganic TFT can be manufactured.

【0056】上記の製造方法においては、前記第1の基
板として、表面に活性水素が露出した表面絶縁性基板を
用いることが好ましい。
In the above manufacturing method, it is preferable to use a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface as the first substrate.

【0057】本発明の第1のEL型表示装置の製造方法
は、基板上に形成された、第1の電極と、前記第1の電
極と離隔した第2の電極と、前記第1電極と第2電極と
を電気的に接続する導電率変化膜と、前記基板と前記導
電率変化膜との間に挟まれ、かつ、それぞれと絶縁され
た第3の電極とを備え、前記第3電極は、第1電極また
は第2電極との間に電圧を印加することにより前記導電
率変化膜に作用させる電界を制御する電極であり、か
つ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、かつ、前記導電ネ
ットワークの導電率は、前記導電率変化膜に印加される
電界に応じて変化する3端子有機電子デバイスをスイッ
チ素子として用いたEL型表示装置の製造方法であっ
て、基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス状
に配列配置するアレイ基板を作製する工程と、前記アレ
イ基板上に、電圧の印加により発光する蛍光物質からな
る発光層を形成する工程と、前記発光層上に共通電極膜
を形成する工程とを備え、前記アレイ基板を作製する工
程は、前記基板表面に第3電極をマトリックス状に形成
する電極形成工程と、前記第3電極が形成された基板表
面の所定部分に活性水素露出化処理を施して、その所定
部分を、所定部分を除く部分よりも露出活性水素密度が
高い領域にする前処理工程と、前記露出活性水素密度が
高い領域に、活性水素に反応しうる官能基と有極性の官
能基と共役結合で結合しうる重合性基とを有する化合物
を接触させて、この化合物と上記領域内の活性水素とを
反応させ、前記基板表面の所定部分に前記化合物からな
る有機分子群を共有結合で固定する膜形成工程と、前記
有機分子群のうちの一部または全部を重合反応により共
役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程と、
前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形
成工程とを含んだ工程であることを特徴とする。
According to a first method of manufacturing an EL display device of the present invention, a first electrode, a second electrode separated from the first electrode, and a first electrode formed on a substrate are provided. The third electrode, comprising: a conductivity change film electrically connecting the second electrode; and third electrodes sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from each other. Is an electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and the conductivity changing film has a polar functional group. It has a conductive network in which some or all of the organic molecule groups have a conjugated bond, and the conductivity of the conductive network depends on the electric field applied to the conductivity changing film. A changing three-terminal organic electronic device was used as a switching element A method for manufacturing an L-type display device, comprising: a step of manufacturing an array substrate in which a plurality of the switch elements are arranged in a matrix on a substrate; and a step of forming a fluorescent material that emits light by applying a voltage on the array substrate. Forming a light-emitting layer; and forming a common electrode film on the light-emitting layer, wherein the step of manufacturing the array substrate includes the step of forming a third electrode in a matrix on the surface of the substrate; A pretreatment step of subjecting a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrode is formed to an active hydrogen exposure treatment to make the predetermined portion a region having a higher exposed active hydrogen density than a portion excluding the predetermined portion; In the region where the exposed active hydrogen density is high, a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a polymerizable group capable of bonding with a polar functional group and a conjugate bond is brought into contact with the compound, and this compound and the above-mentioned region are used. Reacting with active hydrogen, forming a film to covalently fix a group of organic molecules composed of the compound to a predetermined portion of the substrate surface, and forming a conjugate bond of a part or all of the group of organic molecules by a polymerization reaction. A polymerization step to form a conductive network by
And a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate.

【0058】上記の構成によれば、無機系のTFTに代
えて、有機系のTFTを用いたEL型表示装置を製造す
ることができる。
According to the above configuration, an EL display device using an organic TFT instead of an inorganic TFT can be manufactured.

【0059】上記の製造方法においては、前記基板とし
て、表面に活性水素が露出していない表面絶縁性基板を
用いることが好ましい。
In the above manufacturing method, it is preferable to use a surface insulating substrate having no active hydrogen exposed on the surface as the substrate.

【0060】本発明の第2のEL型表示装置の製造方法
は、基板上に形成された、第1の電極と、前記第1の電
極と離隔した第2の電極と、前記第1電極と第2電極と
を電気的に接続する導電率変化膜と、前記基板と前記導
電率変化膜との間に挟まれ、かつ、それぞれと絶縁され
た第3の電極とを備え、前記第3電極は、第1電極また
は第2電極との間に電圧を印加することにより前記導電
率変化膜に作用させる電界を制御する電極であり、か
つ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、かつ、前記導電ネ
ットワークの導電率は、前記導電率変化膜に印加される
電界に応じて変化する3端子有機電子デバイスをスイッ
チ素子として用いたEL型表示装置の製造方法であっ
て、基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス状
に配列配置するアレイ基板を製造する工程と、前記アレ
イ基板上に、電圧の印加により発光する蛍光物質からな
る発光層を形成する工程と、前記発光層上に共通電極膜
を形成する工程とを備え、前記アレイ基板を製造する工
程は、前記基板表面に第3電極をマトリックス状に形成
する電極形成工程と、前記第3電極が形成された基板表
面の所定部分を除く部分に活性水素除去処理を施して、
所定部分を、その所定部分を除く部分よりも露出活性水
素密度が高い領域にする前処理工程と、前記露出活性水
素密度が高い領域に、活性水素に反応しうる官能基と有
極性の官能基と共役結合で結合しうる重合性基とを有す
る化合物を接触させて、この化合物と上記領域内の活性
水素とを反応させ、前記基板表面の所定部分に前記化合
物からなる有機分子群を共有結合で固定する膜形成工程
と、前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応
により共役結合させて導電ネットワークを形成する重合
工程と、前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する
対電極形成工程とを含んだ工程であることを特徴とす
る。
According to a second method of manufacturing an EL display device of the present invention, a first electrode, a second electrode separated from the first electrode, and a first electrode formed on a substrate are provided. The third electrode, comprising: a conductivity change film electrically connecting the second electrode; and third electrodes sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from each other. Is an electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film by applying a voltage between the first electrode and the second electrode, and the conductivity changing film has a polar functional group. It has a conductive network in which some or all of the organic molecule groups have a conjugated bond, and the conductivity of the conductive network depends on the electric field applied to the conductivity changing film. A changing three-terminal organic electronic device was used as a switching element A method of manufacturing an L-type display device, comprising: a step of manufacturing an array substrate in which a plurality of the switch elements are arranged in a matrix on a substrate; and a step of forming a fluorescent material that emits light by applying a voltage on the array substrate. Forming a light emitting layer; and forming a common electrode film on the light emitting layer, wherein the step of manufacturing the array substrate includes an electrode forming step of forming third electrodes in a matrix on the substrate surface. Performing a process for removing active hydrogen on a portion of the substrate surface excluding a predetermined portion on which the third electrode is formed,
A pretreatment step of setting the predetermined portion to a region where the exposed active hydrogen density is higher than that of the portion excluding the predetermined portion; and, in the region where the exposed active hydrogen density is high, a functional group reactive with active hydrogen and a polar functional group. And a compound having a polymerizable group capable of bonding with a conjugate bond, and reacting the compound with active hydrogen in the region, and covalently bonding an organic molecule group composed of the compound to a predetermined portion of the substrate surface. Forming a first electrode and a second electrode on the substrate; forming a conductive network by forming a conductive network by conjugating a part or all of the organic molecule groups by a polymerization reaction. And a counter electrode forming step.

【0061】上記の構成によれば、無機系のTFTに代
えて、有機系のTFTを用いたEL型表示装置を製造す
ることができる。
According to the above structure, an EL display device using an organic TFT instead of an inorganic TFT can be manufactured.

【0062】上記の製造方法においては、前記基板とし
て、表面に活性水素が露出した表面絶縁性基板を用いる
ことが好ましい。
In the above manufacturing method, it is preferable to use a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface as the substrate.

【0063】上記のEL型表示装置の製造方法において
は、前記発光層を形成する工程で、赤、青、または緑色
の光を発光する3種類の発光物質を所定の位置に形成
し、カラー表示させれば、EL型カラー表示装置が製造
できる。
In the above-described method for manufacturing an EL display device, in the step of forming the light emitting layer, three kinds of light emitting substances which emit red, blue or green light are formed at predetermined positions, and color display is performed. Then, an EL type color display device can be manufactured.

【0064】[0064]

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described.

【0065】(実施の形態1)本発明の第1の機能性有
機薄膜の製造方法は、基材表面の所定部分に活性水素露
出化処理を施して、露出活性水素密度が高い領域を形成
した後(前処理工程)、その領域に、活性水素に反応し
うる官能基と機能性官能基とを有する化合物を接触さ
せ、その化合物が基材表面の所定部分に共有結合で固定
された機能性有機薄膜を形成する(膜形成工程)方法で
ある。
(Embodiment 1) In the first method for producing a functional organic thin film of the present invention, a predetermined portion of a substrate surface is subjected to an active hydrogen exposure treatment to form a region having a high exposed active hydrogen density. Thereafter (pretreatment step), the region is contacted with a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group, and the compound is covalently fixed to a predetermined portion of the substrate surface. This is a method of forming an organic thin film (film forming step).

【0066】上記基材としては、活性水素が露出してい
ない基材が用いられ、例えば、撥水性の単層基材や、こ
の単層基材あるいは後述の活性水素が露出した基材の表
面に、撥水性の被膜が形成されてなる積層基材等があげ
られる。上記撥水性の単層基材としては、アクリル樹脂
基材、ポリカーボネート樹脂基材、ポリエーテルサルホ
ン樹脂基材等の撥水性の合成樹脂基材等が例示できる。
また、上記撥水性の被膜としては、アルミニウム等の金
属膜、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエー
テルサルホン樹脂等の合成樹脂膜、撥水性の有機物膜等
が例示できる。これら合成樹脂基材や合成樹脂膜の露出
活性水素密度は略0である。なお、基材の形状について
は、特に制限はないが、通常、板状のもの(単層基板、
積層基板)が使用される。
As the substrate, a substrate to which active hydrogen is not exposed is used. For example, a water-repellent single-layer substrate or the surface of this single-layer substrate or a substrate to which active hydrogen described later is exposed is used. In addition, a laminated substrate having a water-repellent film formed thereon may be used. Examples of the water-repellent single-layer substrate include a water-repellent synthetic resin substrate such as an acrylic resin substrate, a polycarbonate resin substrate, and a polyether sulfone resin substrate.
Examples of the water-repellent film include a metal film such as aluminum, a synthetic resin film such as an acrylic resin, a polycarbonate resin, and a polyether sulfone resin, and a water-repellent organic film. The exposed active hydrogen density of these synthetic resin substrates and synthetic resin films is substantially zero. The shape of the substrate is not particularly limited, but is usually a plate-like substrate (single-layer substrate,
Laminated substrate) is used.

【0067】前記前処理工程は、基材表面の所定部分
(膜形成予定領域)に活性水素露出化処理を行う工程で
ある。活性水素露出化処理は、活性水素が基材表面から
露出した状態にするための処理をいい、具体的には、
(1)基材表面の所定部分を酸化して活性水素を付与す
る方法や、(2)活性水素が露出した基材の表面に撥水
性の有機物膜が形成されてなる積層基材を準備し、この
基材表面の所定部分の有機物膜を除去して活性水素を露
出させる方法があげられる。
The pretreatment step is a step of performing an active hydrogen exposure treatment on a predetermined portion (a film formation planned area) of the substrate surface. The active hydrogen exposure treatment refers to a treatment for making active hydrogen exposed from the surface of the base material, specifically,
(1) A method of oxidizing a predetermined portion of the base material surface to provide active hydrogen, or (2) preparing a laminated base material having a water-repellent organic film formed on the surface of the base material where active hydrogen is exposed. A method of removing the organic film at a predetermined portion of the substrate surface to expose the active hydrogen is mentioned.

【0068】(1)基材表面の所定部分を酸化して活性
水素を付与する方法。 この方法は、酸素および水素原子供給物質の存在下で、
基材表面の所定部分に対し、エキシマUV光照射法、紫
外線照射法、プラズマ処理法、コロナ処理法等の酸化方
法を適用して行うことができる。エキシマUV光照射法
を例として具体的に説明する。この方法では、まず、エ
キシマUV光の照射により酸素が分解され、オゾンが生
成する。そして、このオゾンは水素原子供給物質と反応
して、活性水素を有する活性種が生成する。一方、基材
表面の所定部分では、エキシマUV光の照射により原子
間の共有結合が切断されて開裂し、この開裂部分に上記
活性種が作用する。このようにして、基材表面の所定部
分に活性水素が付与され、露出活性水素密度が高い領域
が形成される。
(1) A method of oxidizing a predetermined portion of the substrate surface to give active hydrogen. This method, in the presence of oxygen and hydrogen atom donors,
An oxidation method such as an excimer UV light irradiation method, an ultraviolet irradiation method, a plasma treatment method, and a corona treatment method can be applied to a predetermined portion of the substrate surface. The excimer UV light irradiation method will be specifically described as an example. In this method, first, oxygen is decomposed by irradiation with excimer UV light, and ozone is generated. Then, the ozone reacts with the hydrogen atom supply substance to generate active species having active hydrogen. On the other hand, at a predetermined portion on the surface of the base material, a covalent bond between atoms is broken by irradiation with excimer UV light to be cleaved, and the active species acts on the cleaved portion. In this manner, active hydrogen is applied to a predetermined portion of the substrate surface, and a region having a high exposed active hydrogen density is formed.

【0069】上記所定部分は、上述したように、基材表
面から任意に選択した部分であるが、この部分は単数で
あっても複数あってもよい。所定部分が複数ある場合、
それらの部分は同一形状であっても、異なる形状であっ
てもよい。なお、所定部分(複数ある場合はそのうちの
1つ)が微小面積(具体的には1000μm2 以下)で
あると、前記前処理工程を行わない場合に比べ、より高
精度な機能性有機薄膜が形成される傾向が高い。なお、
下限は、処理限界等を考慮して、0.01μm 2 であ
る。
The predetermined portion is, as described above, a base material table.
Arbitrarily selected from the surface, this part is singular
There may be more than one. If there are multiple predetermined parts,
Even if those parts are the same shape, they are different shapes.
You may. In addition, the specified part (if there is more than one,
One) has a small area (specifically, 1000 μm)TwoBelow)
If there is, higher than the case where the pretreatment step is not performed
There is a high tendency to form an accurate functional organic thin film. In addition,
The lower limit is 0.01 μm in consideration of the processing limit and the like. TwoIn
You.

【0070】上記基材表面の所定部分のみにエキシマU
V光を照射する方法としては、所定部分を除く部分をレ
ジスト等のマスク材で覆い、所定部分のみを露出させて
からエキシマUV光を照射する方法、エキシマUV光を
所定部分にのみスポット照射する方法等があげられる。
なお、上記マスク材を使用する方法において、マスク材
は、露出活性水素密度が高い領域を形成した後、成膜を
行う前に除去してもよいし、あるいはマスク材付き基材
を膜形成工程に供し、成膜後に除去するようにしてもよ
い。マスク材を成膜前に除去すれば、機能性有機薄膜に
マスク材由来の汚れが付着しないので、より清浄な膜が
得られ、成膜後にマスク材を除去すれば、膜が形成され
ていない部分の基材面が清浄になる。よって、成膜後基
材のその後の用途等に応じて、マスク材の除去の時期を
任意に選択することができる。
Excimer U is applied only to a predetermined portion of the substrate surface.
As a method of irradiating the V light, a method of irradiating excimer UV light after exposing only a predetermined portion after covering a portion other than a predetermined portion with a mask material such as a resist, or irradiating only a predetermined portion with excimer UV light Method and the like.
In the method using the mask material, the mask material may be removed before forming a film after forming a region having a high exposed active hydrogen density, or the mask material may be removed by a film forming step. And may be removed after film formation. If the mask material is removed before the film formation, the functional organic thin film does not adhere to the stain derived from the mask material, so that a cleaner film can be obtained.If the mask material is removed after the film formation, the film is not formed. Part of the substrate surface becomes clean. Therefore, the timing of removing the mask material can be arbitrarily selected according to the subsequent use of the base material after film formation.

【0071】前記水素原子供給物質としては、水、アン
モニア等が例示できる。上記物質として水を用いた場合
は、活性水素は−OHとして存在する。一方、アンモニ
アを用いた場合は、活性水素は−NHとして存在する。
Examples of the hydrogen atom supply substance include water, ammonia and the like. When water is used as the substance, active hydrogen exists as -OH. On the other hand, when ammonia is used, active hydrogen exists as -NH.

【0072】(2)積層基材表面の所定部分の有機物膜
を除去して活性水素を露出させる方法。 この方法は、酸素を含む雰囲気下で、活性水素が露出し
た基材の表面に撥水性の有機物膜が形成されてなる積層
基材表面の所定部分に対し、エキシマUV光照射法、紫
外線照射法、プラズマ処理法、コロナ処理法等を適用し
て行うことができる。紫外線照射法を例として具体的に
説明する。この方法では、まず、紫外線の照射により、
酸素は分解されオゾンが生成する。そして、このオゾン
に対しさらに紫外線を照射すると、分解されて活性酸素
が生成する。活性酸素は、酸化性の強い酸素原子である
ため、上記有機物膜はその活性酸素と反応して、有機酸
化物、一酸化炭素、水等となって揮発し除去される。そ
の結果、積層基材表面の所定部分にのみ活性水素が露出
した領域となる。ここで、有機物膜とは、基材表面に付
着した油や、人の皮脂等の有機化合物を含む。
(2) A method in which an organic film is removed from a predetermined portion of the surface of the laminated base material to expose active hydrogen. In this method, an excimer UV light irradiation method, an ultraviolet irradiation method, and the like are applied to a predetermined portion of a surface of a laminated substrate having a water-repellent organic film formed on a surface of a substrate where active hydrogen is exposed under an atmosphere containing oxygen. , A plasma treatment method, a corona treatment method, or the like. A specific description will be given using an ultraviolet irradiation method as an example. In this method, first, by irradiation of ultraviolet rays,
Oxygen is decomposed to produce ozone. When the ozone is further irradiated with ultraviolet rays, the ozone is decomposed to generate active oxygen. Since the active oxygen is an oxygen atom having a strong oxidizing property, the organic film reacts with the active oxygen and volatilizes and is removed as an organic oxide, carbon monoxide, water or the like. As a result, the active hydrogen is exposed only in a predetermined portion of the surface of the laminated base material. Here, the organic film includes an oil attached to the surface of the base material and an organic compound such as human sebum.

【0073】上記所定部分のみに紫外線を照射する方法
としては、所定部分を除く部分をレジスト等のマスク材
で覆い、所定部分のみを露出させてから紫外線を照射す
る方法、紫外線を所定部分にのみスポット照射する方法
等があげられる。なお、上記マスク材を使用する方法に
おいて、マスク材は、露出活性水素密度が高い領域を形
成した後、成膜を行う前に除去してもよいし、あるいは
マスク材付き基材を膜形成工程に供し、成膜後に除去す
るようにしてもよい。
As a method of irradiating only predetermined portions with ultraviolet rays, a method of irradiating ultraviolet rays after exposing only predetermined portions by covering portions other than the predetermined portions with a mask material such as a resist, A method of spot irradiation and the like can be given. In the method using the mask material, the mask material may be removed before forming a film after forming a region having a high exposed active hydrogen density, or the mask material may be removed by a film forming step. And may be removed after film formation.

【0074】前記膜形成工程は、上記のようにして形成
された露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応
しうる官能基と機能性官能基とを有する化合物を接触さ
せ、この化合物を基材表面の所定部分に共有結合で固定
する工程である。例えば、上記化合物と上記基材を損な
わない非水系有機溶媒とからなる化学吸着液を調製した
後、化学吸着液を接触させることにより行うことができ
る。上記化学吸着液を接触させる方法としては、前記基
材あるいはマスク材付き基材を化学吸着液中に浸漬する
方法、基材あるいはマスク材付き基材の表面に化学吸着
液を塗布する方法等があげられる。
In the film forming step, a compound having a functional group reactive with active hydrogen and a functional functional group is brought into contact with the region having a high exposed active hydrogen density formed as described above. This is a step of covalently fixing to a predetermined portion of the substrate surface. For example, the method can be carried out by preparing a chemisorption solution comprising the above compound and a non-aqueous organic solvent which does not damage the base material, and then bringing the chemisorption solution into contact therewith. Examples of the method of contacting the chemical adsorption liquid include a method of dipping the substrate or the substrate with the mask material in the chemical adsorption liquid, a method of applying the chemical adsorption liquid to the surface of the substrate or the substrate with the mask material, and the like. can give.

【0075】上記化合物中の活性水素に反応しうる官能
基としては、例えば、ハロゲン、アルコキシル基、イソ
シアネート基等があげられる。また、上記化合物中の機
能性官能基としては、例えば、アゾ基等の光異性化する
官能基、カルボニル基、オキシカルボニル基等の有極性
の官能基、アセチレン基、ジアセチレン基、チェニレン
基、ピロール基等の共役結合で結合しうる重合性基等が
例示できる。
The functional groups capable of reacting with active hydrogen in the above compounds include, for example, halogen, alkoxyl groups, isocyanate groups and the like. Examples of the functional functional group in the compound include, for example, a photoisomerizable functional group such as an azo group, a polar functional group such as a carbonyl group and an oxycarbonyl group, an acetylene group, a diacetylene group, a chenylene group, Examples thereof include a polymerizable group such as a pyrrole group that can be bonded by a conjugate bond.

【0076】本工程は、上述したように、例えば前記化
合物を含む化学吸着液を調製した後、この吸着液に前記
基材を浸漬したり、この吸着液を基材上に塗布する等し
て上記化合物を基材表面に接触させる。この接触によ
り、前記化合物中の活性水素に反応しうる官能基と、基
材表面に露出した活性水素との間で脱離反応が生じ、上
記化合物の分子群が基材表面に共有結合で固定される。
In this step, as described above, for example, after preparing a chemical adsorption solution containing the compound, the substrate is immersed in the adsorption solution, or the adsorption solution is coated on the substrate. The above compound is brought into contact with the substrate surface. Due to this contact, a elimination reaction occurs between the functional group capable of reacting with active hydrogen in the compound and the active hydrogen exposed on the substrate surface, and the molecule group of the compound is fixed to the substrate surface by covalent bond. Is done.

【0077】本発明においては、基材と結合していない
物質を除去するための洗浄工程を行うことができる。具
体的には、洗浄用の非水系溶媒で、未結合の物質を洗い
流す方法等を行えばよい。この場合、洗浄工程に引き続
いて、上記非水系溶媒を除去するための乾燥工程を行
う。
In the present invention, a washing step for removing substances that are not bonded to the substrate can be performed. Specifically, a method of washing away unbound substances with a nonaqueous solvent for washing may be used. In this case, following the washing step, a drying step for removing the non-aqueous solvent is performed.

【0078】このようにして形成された機能性有機薄膜
は、前処理工程によって所定の部分を露出活性水素密度
が高い領域にしてから形成されたものであるので、寸法
精度が高い膜になっている。また、機能性有機薄膜を構
成する有機分子が、基材表面の所定部分に共有結合で固
定されているので、耐剥離性や密着性に優れた膜とな
る。
The functional organic thin film thus formed is formed after a predetermined portion is made into a region where the exposed active hydrogen density is high by the pretreatment step, so that the film has high dimensional accuracy. I have. In addition, since the organic molecules constituting the functional organic thin film are fixed to a predetermined portion of the surface of the base material by a covalent bond, a film having excellent peel resistance and adhesion can be obtained.

【0079】(実施の形態2)本発明の第2の機能性有
機薄膜の製造方法は、前記実施の形態1と比較して、前
処理工程において、基材表面の所定部分を除く部分に活
性水素除去処理を施す点が異なる。
(Embodiment 2) In the second method for producing a functional organic thin film according to the present invention, in the pretreatment step, a portion other than a predetermined portion of the base material surface is activated in comparison with Embodiment 1 described above. The difference is that a hydrogen removal treatment is performed.

【0080】上記基材としては、活性水素が露出した基
材が用いられ、例えば、親水性の単層基材や、この単層
基材あるいは前述した活性水素が露出していない基材の
表面に親水性の被膜が形成されてなる積層基材等があげ
られる。上記親水性の単層基材としては、表面が酸化さ
れた金属基材、シリコン基材、窒化シリコン基材、シリ
カ基材、ガラス基材等が例示できる。また、上記親水性
の被膜としては、表面が酸化された金属膜、シリコン
膜、窒化シリコン膜、シリカ膜、ガラス膜等が例示でき
る。これらは、露出活性水素密度が5個/nm2 以上で
あり、露出活性水素密度が高いといえる。なお、基材の
形状については、特に制限はないが、通常、板状のもの
(単層基板、積層基板)が用いられる。
As the base material, a base material having active hydrogen exposed is used. For example, a hydrophilic single-layer base material or the surface of the single-layer base material or the above-mentioned base material having no active hydrogen exposed is used. And a laminated substrate having a hydrophilic film formed thereon. Examples of the hydrophilic single-layer substrate include a metal substrate having an oxidized surface, a silicon substrate, a silicon nitride substrate, a silica substrate, and a glass substrate. Examples of the hydrophilic film include a metal film having a oxidized surface, a silicon film, a silicon nitride film, a silica film, and a glass film. These have an exposed active hydrogen density of 5 / nm 2 or more, which means that the exposed active hydrogen density is high. The shape of the substrate is not particularly limited, but usually, a plate-like substrate (single-layer substrate, laminated substrate) is used.

【0081】前記前処理工程は、基材表面の所定部分を
除く部分(膜形成予定領域でない領域)に活性水素除去
処理を行う工程である。活性水素除去処理は、活性水素
が露出した状態を活性水素が露出していない状態にする
ための処理をいい、具体的には、(1)基材表面の所定
部分を除く部分に化学的処理を施して活性水素を除去す
る方法や、(2)基材表面の所定部分を除く部分に物理
的処理を施して活性水素を取り除く方法があげられる。
The pretreatment step is a step of performing an active hydrogen removal treatment on a portion of the substrate surface other than a predetermined portion (a region other than a region where a film is to be formed). The active hydrogen removal treatment is a treatment for changing the state in which active hydrogen is exposed to a state in which active hydrogen is not exposed. Specifically, (1) a chemical treatment is performed on a portion of the base material surface except a predetermined portion. To remove active hydrogen, and (2) a method of removing active hydrogen by performing physical treatment on a portion of the substrate surface other than a predetermined portion.

【0082】(1)基材表面の所定部分を除く部分に化
学的処理を施す方法。 この方法は、基材表面の所定部分を除く部分に対し、活
性水素に反応しうる官能基を有する化合物を接触させ、
上記官能基と上記所定部分を除く部分の活性水素とを反
応させて、活性水素を除去する方法である。この方法に
よれば、上記活性水素に反応しうる官能基と上記部分の
活性水素との脱離反応によって活性水素が除去されるの
で、基材表面の所定部分を除く部分の活性水素を除去す
ることができる。よって、基材表面の所定部分は、露出
活性水素密度が高い領域となる。
(1) A method in which a chemical treatment is applied to a portion other than a predetermined portion of the substrate surface. In this method, a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen is brought into contact with a portion other than a predetermined portion of the substrate surface,
In this method, active hydrogen is removed by reacting the functional group with active hydrogen in a portion other than the predetermined portion. According to this method, since the active hydrogen is removed by the elimination reaction between the functional group capable of reacting with the active hydrogen and the active hydrogen in the portion, the active hydrogen in the portion excluding a predetermined portion of the substrate surface is removed. be able to. Therefore, a predetermined portion of the substrate surface is a region where the exposed active hydrogen density is high.

【0083】上記所定部分を除く部分に前記化合物を接
触させる方法としては、例えば、所定部分をレジスト等
のマスク材で覆い、所定部分を除く部分のみを露出させ
てから前記化合物を接触させる方法があげられる。
As a method of bringing the compound into contact with a portion other than the predetermined portion, for example, a method of covering the predetermined portion with a mask material such as a resist, exposing only the portion other than the predetermined portion, and then contacting the compound. can give.

【0084】上記活性水素に反応しうる官能基を有する
化合物としては、例えば、下記の化学式(1)で表され
る化合物が例示できる。
Examples of the compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen include a compound represented by the following chemical formula (1).

【0085】[0085]

【化1】 Embedded image

【0086】上記式(1)中のXとしては、ハロゲン、
アルコキシル基、イソシアネート基等があげられる。ま
た、上記式(1)中のYとしては、メチル基、エチル基
等のアルキル基等があげられる。また、上記式(1)中
のZとしては、メチル基、エチル基等のアルキル基や、
アルキル基を構成する水素原子の一部または全部がフッ
素原子に置換されたフッ化アルキル基等があげられる。
なお、Zは、基材から離れる方向に立って並ぶ官能基で
ある。
X in the above formula (1) is halogen,
Examples include an alkoxyl group and an isocyanate group. Examples of Y in the above formula (1) include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group. Z in the above formula (1) represents an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group;
Examples thereof include a fluorinated alkyl group in which part or all of the hydrogen atoms that constitute the alkyl group are substituted with fluorine atoms.
Note that Z is a functional group that stands in a direction away from the substrate.

【0087】前記化合物のなかでも、機能性有機薄膜の
機能性を阻害せず、耐剥離性が良好である等の理由か
ら、下記の化学式(2)〜(7)で表される化合物が好
適である。
Among the above compounds, compounds represented by the following chemical formulas (2) to (7) are preferred because they do not impair the functionality of the functional organic thin film and have good peel resistance. It is.

【0088】[0088]

【化2】 Embedded image

【0089】(2)基材表面の所定部分を除く部分に物
理的処理を施す方法。 この方法は、基材表面に露出した活性水素を共有結合の
切断により取り除く方法である。具体的に説明すると、
まず基材表面の所定部分をレジスト等のマスク材で覆
い、露出した基材表面に対し、真空中で紫外光等を照射
する。これにより、活性水素を基材に結合させていた共
有結合が切断され、活性水素が除去される。その後、マ
スク材を取り除くことにより、基材表面の所定部分が露
出活性水素密度が高い領域となる。
(2) A method in which a physical treatment is applied to a portion other than a predetermined portion of the substrate surface. In this method, active hydrogen exposed on the substrate surface is removed by breaking a covalent bond. Specifically,
First, a predetermined portion of the substrate surface is covered with a mask material such as a resist, and the exposed substrate surface is irradiated with ultraviolet light or the like in a vacuum. As a result, the covalent bond that has bound the active hydrogen to the substrate is broken, and the active hydrogen is removed. Then, by removing the mask material, a predetermined portion of the substrate surface becomes a region where the exposed active hydrogen density is high.

【0090】なお、上記実施の形態1および形態2で説
明した機能性有機薄膜の製造方法は、基材に共有結合で
固定された膜であれば、汚染防止膜、液晶配向膜、導電
性膜、絶縁性膜、導電率変化膜等の各種の用途に適用可
能である。
The method for manufacturing a functional organic thin film described in the first and second embodiments is applicable to a film that is fixed to a base material by a covalent bond, as a contamination prevention film, a liquid crystal alignment film, and a conductive film. It can be applied to various uses such as an insulating film and a conductivity changing film.

【0091】[0091]

【実施例】以下に、導電率変化膜を備えた有機電子デバ
イスを例として、図面を参照しつつ、具体的に説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an organic electronic device having a conductivity changing film will be specifically described with reference to the drawings.

【0092】(実施例1)図1〜図7に基づいて説明す
る。図1〜図6は、表面に活性水素が露出していない基
板を用いての2端子有機電子デバイスの製造方法の各工
程を説明するための模式的な説明図である。また、図7
は、このデバイスを光でスイッチングしている状況を説
明するための模式的な断面図である。
(Embodiment 1) A description will be given based on FIGS. FIG. 1 to FIG. 6 are schematic explanatory views for explaining each step of a method for manufacturing a two-terminal organic electronic device using a substrate having no active hydrogen exposed on the surface. FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a state in which this device is switching with light.

【0093】まず、図1(a)、(b)に示すように、
表面に活性水素が露出していない表面絶縁性基板である
アクリル樹脂透明基板(露出活性水素密度は略0)1を
準備し、この基板1表面にフォトレジストを塗布し露光
現像して、開口部2(開口面積:1個あたり600μm
2 )が縦方向および横方向に離隔して配列した状態にな
ったレジストパターン3を形成した。
First, as shown in FIGS. 1A and 1B,
An acrylic resin transparent substrate (exposed active hydrogen density is approximately 0) 1 which is a surface insulating substrate having no exposed active hydrogen on its surface is prepared, and a photoresist is applied to the surface of the substrate 1 and exposed and developed to form an opening. 2 (opening area: 600 μm per piece
2 ) A resist pattern 3 was formed in a state where the resist pattern 3 was arranged so as to be spaced apart in the vertical and horizontal directions.

【0094】ついで、図2に示すように、前記パターン
3形成済み基板1に対して、湿度50%の条件下で、エ
キシマUV光照射(KrFエキシマレーザ)4を行うこ
とにより、空気中の酸素をオゾン化し上記開口部2から
露出していた基板表面を極薄く酸化した。この際、空気
中の水分とも反応して、表面に多数の水酸基(−OH)
が露出した領域5を形成した。その後、レジストパター
ン3を除去した。
Then, as shown in FIG. 2, the substrate 1 on which the pattern 3 has been formed is irradiated with excimer UV light (KrF excimer laser) 4 under the condition of a humidity of 50%, thereby obtaining oxygen in the air. Was ozonized and the surface of the substrate exposed from the opening 2 was oxidized extremely thinly. At this time, it reacts with the moisture in the air, and a large number of hydroxyl groups (-OH) are formed on the surface.
Was formed in an exposed region 5. After that, the resist pattern 3 was removed.

【0095】一方、重合により共役結合して導電ネット
ワークを形成するアセチレン基(−C≡C−)と、光異
性化する官能基であるアゾ基(−N=N−)と、基板表
面の活性水素に反応しうる官能基であるクロロシリル基
(−SiCl)とを有する、下記の化学式(8)で表さ
れる化合物を、脱水したジメチルシリコーン系の有機溶
媒で1質量%に薄めて化学吸着液を調製した。
On the other hand, an acetylene group (—C≡C—), which forms a conductive network through a conjugate bond by polymerization, an azo group (—N = N—), which is a photoisomerizable functional group, A compound having a chlorosilyl group (—SiCl), which is a functional group capable of reacting with hydrogen, represented by the following chemical formula (8) is diluted to 1% by mass with a dehydrated dimethylsilicone-based organic solvent, and then chemically adsorbed. Was prepared.

【0096】[0096]

【化3】 Embedded image

【0097】つぎに、前記領域5形成済み基板1を上記
のように調製した化学吸着液に浸漬し、その領域5内の
水酸基(活性水素)と脱塩酸反応させ、その後エタノー
ルで洗浄することにより、基板1表面に共有結合で固定
された単分子膜6を形成した(図3参照)。なお、この
単分子膜6は、図4に示すように、基板1表面に共有結
合で固定されていた。
Next, the substrate 1 on which the region 5 has been formed is immersed in the chemical adsorption solution prepared as described above, and subjected to a dehydrochlorination reaction with the hydroxyl group (active hydrogen) in the region 5 and then washed with ethanol. Then, a monomolecular film 6 fixed by a covalent bond was formed on the surface of the substrate 1 (see FIG. 3). The monomolecular film 6 was fixed to the surface of the substrate 1 by a covalent bond as shown in FIG.

【0098】つづいて、フレオン溶媒中でチーグラーナ
ッタ触媒を用いて前記単分子膜6内のアセチレン基を重
合して、図5に示すような、ポリアセチレン型の導電ネ
ットワーク7を形成した。
Subsequently, the acetylene groups in the monomolecular film 6 were polymerized in a Freon solvent using a Ziegler-Natta catalyst to form a polyacetylene-type conductive network 7 as shown in FIG.

【0099】その後、図6に示すように、基板1全面に
ニッケル薄膜を蒸着形成し、フォトリソグラフィ法を用
いてギャップ間距離が10μmで長さが30μmで厚み
1が0.1μmの第1電極8および第2電極9をエッ
チングして形成した。このようにして、第1電極8と第
2電極9と、両電極を電気的に接続する微小面積の導電
率変化膜10とを備えた2端子有機電子デバイスを製造
した。
Thereafter, as shown in FIG. 6, a nickel thin film is formed on the entire surface of the substrate 1 by vapor deposition, and the first film having a gap distance of 10 μm, a length of 30 μm and a thickness t 1 of 0.1 μm is formed by photolithography. The electrode 8 and the second electrode 9 were formed by etching. Thus, a two-terminal organic electronic device including the first electrode 8, the second electrode 9, and the small-area conductivity changing film 10 for electrically connecting both electrodes was manufactured.

【0100】このようにして得られたデバイスを、図7
に示すように、第1電極8と第2電極9との間に数Vの
電圧を印加して実際に評価すると、両電極間はポリアセ
チレン型の導電ネットワーク7で接続されているので、
数ナノアンペアーの電流(1Vで2nA程度)が流れ
た。ただし、評価前に導電率変化膜10には可視光線を
照射していたので、アゾ基はトランス型であった。つぎ
に、引き続き導電率変化膜10に紫外線11を照射する
と、膜10中のアゾ基がトランス型からシス型に転移し
て、電流値が略0アンペアとなった。また、その後、可
視光線12を照射すると、アゾ基がシス型からトランス
型に転移して元の導電性が再現された。
The device thus obtained is shown in FIG.
As shown in (2), when a voltage of several volts is applied between the first electrode 8 and the second electrode 9 and actually evaluated, since the two electrodes are connected by the polyacetylene-type conductive network 7,
A current of several nanoamperes (about 2 nA at 1 V) flowed. However, since the conductivity changing film 10 was irradiated with visible light before the evaluation, the azo group was of a trans type. Next, when the conductivity changing film 10 was continuously irradiated with the ultraviolet rays 11, the azo group in the film 10 was changed from the trans type to the cis type, and the current value became approximately 0 amperes. After that, when visible light 12 was applied, the azo group was changed from cis type to trans type, and the original conductivity was reproduced.

【0101】上記のような挙動を採るのは、つぎのよう
な理由と考えられる。すなわち、導電性が低下したの
は、アゾ基の光異性化(トランス型からシス型への転
移)により、導電率変化膜内の分子配向が歪み、ポリア
セチレン型の共役結合の共役度が低下したためと考えら
れる。また、導電性が回復したのは、アゾ基がトランス
型に戻り、導電率変化膜内の分子配向のひずみが回復
し、共役度が元に戻ったためと考えられる。
The reason why the above behavior is adopted is considered as follows. That is, the decrease in conductivity is due to the photoisomerization (transformation from trans-form to cis-form) of the azo group distorting the molecular orientation in the conductivity change film and decreasing the degree of conjugation of the polyacetylene-type conjugate bond. it is conceivable that. It is considered that the conductivity was restored because the azo group returned to the trans-form, the strain of the molecular orientation in the conductivity changing film was restored, and the degree of conjugation was restored.

【0102】以上より、実施例1の2端子有機電子デバ
イスは、波長の異なる2種の光を照射することにより、
膜内の共役結合の共役度を制御して、電極間の電流をス
イッチングできた。
As described above, the two-terminal organic electronic device of the first embodiment emits two types of light having different wavelengths,
The current between the electrodes could be switched by controlling the degree of conjugation of the conjugate bond in the film.

【0103】〔実施例1に関連したその他の事項〕な
お、実施例1では、前記化学式(8)で表される化合物
を用いたが、実施例1のデバイスは、これに限定するも
のではない。本デバイスの構成であると、導電ネットワ
ークの導電性等の観点から、下記の一般式(9)で表さ
れる化合物が好適に用いられる。
[Other Matters Related to Example 1] In Example 1, the compound represented by the chemical formula (8) was used, but the device of Example 1 is not limited to this. . With the configuration of the present device, a compound represented by the following general formula (9) is suitably used from the viewpoint of the conductivity of the conductive network and the like.

【0104】[0104]

【化4】 Embedded image

【0105】上記式(9)中のAとしては、アセチレン
基、ジアセチレン基、チェニレン基、ピロール基等が導
電ネットワークの導電性の観点から好適である。
As A in the above formula (9), an acetylene group, a diacetylene group, a chenylene group, a pyrrole group and the like are preferable from the viewpoint of the conductivity of the conductive network.

【0106】上記式(9)中のBとしては、アゾ基等の
シス−トランス型で光異性化する官能基が好適である。
As B in the above formula (9), a cis-trans type photoisomerizable functional group such as an azo group is preferable.

【0107】また、上記式(9)中のDとしては、ハロ
シリル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基等が
反応性の観点から好適である。さらに、上記式(9)中
のEとしては、メチル基、エチル基等のアルキル基、水
素原子、メトキシ基、エトキシ基等が用いられる。そし
て、上記式(9)中のm、nは、m+nが10以上20
以下の範囲内であれば特に好適である。
As D in the above formula (9), a halosilyl group, an isocyanate group, an alkoxysilyl group and the like are preferable from the viewpoint of reactivity. Further, as E in the above formula (9), an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, a hydrogen atom, a methoxy group, an ethoxy group and the like are used. M and n in the above formula (9) are such that m + n is 10 or more and 20 or more.
It is particularly preferable if it is within the following range.

【0108】上記式(9)で表される化合物のなかで
も、下記の一般式(10)〜(13)で表される化合物
が好適である。
Among the compounds represented by the above formula (9), the compounds represented by the following formulas (10) to (13) are preferable.

【0109】[0109]

【化5】 Embedded image

【0110】また、実施例1では、導電ネットワークの
形成に触媒重合法を採用したが、本デバイスは、この方
法に限定するものではなく、電解重合法や、紫外線、遠
紫外線、電子線、X線等のエネルギービームを照射する
重合法を採用しても導電ネットワークを形成できること
を確認している。
Further, in Example 1, the catalytic polymerization method was employed for forming the conductive network. However, the present device is not limited to this method. It has been confirmed that a conductive network can be formed even by employing a polymerization method of irradiating an energy beam such as a line.

【0111】さらに、上記導電ネットワークとしてポリ
アセチレン型の共役系以外に、ポリジアセチレン型、ポ
リアセン型、ポリピロール型、ポリチェニレン型といっ
た共役系が利用できることを確認している。なお、触媒
重合法の場合は、重合性基として前記アセチレン基以外
に、ピロール基、チェニレン基、ジアセチレン基が好適
であったことを確認している。また、電解重合法の場合
は、ピロール基、チェニレン基が好適であったことを確
認している。また、エネルギービーム照射による重合法
の場合は、アセチレン基、ジアセチレン基が好適であっ
たことを確認している。
Further, it has been confirmed that a conjugated system such as a polydiacetylene type, a polyacene type, a polypyrrole type, and a polychenylene type can be used as the conductive network in addition to the polyacetylene type conjugated system. In the case of the catalytic polymerization method, it has been confirmed that a pyrrole group, a chenylene group, and a diacetylene group were suitable as the polymerizable group in addition to the acetylene group. In the case of the electrolytic polymerization method, it has been confirmed that a pyrrole group and a chenylene group were suitable. Also, in the case of a polymerization method using energy beam irradiation, it has been confirmed that acetylene groups and diacetylene groups were suitable.

【0112】なお、実施例1では、ポリアセチレン型の
共役系を導電ネットワークに利用しているが、アセチレ
ン基は重合度が低いと電気抵抗が高くなりやすいので、
オン電流を大きくするため、電荷移動性の官能基を有す
るドーパント物質(例えば、アクセプタ分子としてハロ
ゲンガスやルイス酸、ドナー分子としてアルカリ金属や
アンモニウム塩)をドーピングするようにしてもよい。
ちなみに、上記導電率変化膜にヨウ素をドープした場
合、1Vの電圧印加で0.2mAの電流が流れたことを
確認している。
In Example 1, a polyacetylene-type conjugated system is used for the conductive network. However, if the degree of polymerization of the acetylene group is low, the electric resistance tends to increase.
In order to increase the on-state current, a dopant substance having a charge-transferring functional group (for example, a halogen gas or Lewis acid as an acceptor molecule and an alkali metal or ammonium salt as a donor molecule) may be used.
Incidentally, it was confirmed that when iodine was doped into the above-mentioned conductivity changing film, a current of 0.2 mA flowed when a voltage of 1 V was applied.

【0113】また、実施例1のデバイス構成において、
より大きいオン電流を必要とする場合には、電極間距離
を小さくするか、電極幅を広げることが好ましい。さら
に大きなオン電流を必要とする場合には、単分子膜を累
積して、単分子累積膜状の導電率変化膜にすることが好
ましい。
In the device configuration of the first embodiment,
When a larger on-current is required, it is preferable to reduce the distance between the electrodes or increase the electrode width. When a larger on-current is required, it is preferable to accumulate the monomolecular film to form a monomolecular accumulated film-like conductivity change film.

【0114】そして、単分子膜または単分子累積膜の作
製には、化学吸着法以外に、ラングミュアーブロジェッ
ト法が採用できたことを確認している。
It has been confirmed that a Langmuir-Blodgett method other than the chemisorption method could be used for producing a monomolecular film or a monomolecular cumulative film.

【0115】また、導電ネットワークの形成に先立っ
て、第1電極と第2電極とを形成した場合、導電ネット
ワークの形成に際し、両電極を電解重合法に利用しても
よい。ちなみに、導電率変化膜の形成に用いる化合物と
して、ピロール基、チェニレン基といった電解重合性の
官能基を有する化合物を用いた場合、この化合物からな
る単分子膜または単分子累積膜を形成し、さらに第1電
極と第2電極とを形成した後、両電極間に電圧を印加す
ると、前記電解重合性の官能基が重合して導電ネットワ
ークが形成できたことを確認している。
When the first electrode and the second electrode are formed before the formation of the conductive network, both electrodes may be used for the electrolytic polymerization method when forming the conductive network. By the way, when a compound having an electropolymerizable functional group such as a pyrrole group or a chenylene group is used as a compound used for forming the conductivity changing film, a monomolecular film or a monomolecular cumulative film made of this compound is formed. It has been confirmed that when a voltage is applied between both electrodes after forming the first electrode and the second electrode, the electropolymerizable functional group is polymerized to form a conductive network.

【0116】さらに、第1電極と、第2電極と、外部電
極とを利用して、単分子累積膜状の導電率変化膜を形成
してもよい。ちなみに、基板上に、ピロール基またはチ
ェニレン基を有する単分子膜と、第1電極と、第2電極
とを形成した後に、ピロール基またはチェニレン基と光
異性化する官能基とを有する化合物を溶かした有機溶媒
中に浸漬し、かつ、前記第1電極と第2電極との間に第
1の電圧を印加し、さらに前記第1電極または第2電極
と前記有機溶媒に接触し前記単分子膜の上方に配置され
た外部電極との間に第2の電圧を印加することにより、
前記単分子膜の上に被膜を形成するとともに、単分子膜
と被膜にそれぞれ導電ネットワークを形成できたことを
確認している。この場合、このデバイスは、多段構成の
導電ネットワークを有している。
Further, a conductivity changing film in the form of a monomolecular cumulative film may be formed by using the first electrode, the second electrode, and the external electrode. Incidentally, after forming a monomolecular film having a pyrrole group or a chenylene group, a first electrode, and a second electrode on a substrate, a compound having a functional group that photoisomerizes with a pyrrole group or a chenylene group is dissolved. Immersed in an organic solvent, and applying a first voltage between the first electrode and the second electrode, further contacting the first or second electrode with the organic solvent, and contacting the monomolecular film. By applying a second voltage between the first electrode and the external electrode disposed above the
It was confirmed that a film was formed on the monomolecular film, and that a conductive network was formed on each of the monomolecular film and the film. In this case, the device has a multi-stage conductive network.

【0117】また、基板上に、ピロール基またはチェニ
レン基を有する有機分子群からなる単分子膜と第1電極
と第2電極とを形成し、さらに単分子膜中のピロール基
またはチェニレン基を重合反応させてなる導電ネットワ
ークを有する単分子層状の導電率変化膜を形成した後
に、ピロール基またはチェニレン基と光異性化する官能
基とを有する化合物を溶かした有機溶媒中に浸漬し、か
つ、前記第1電極と第2電極との間に第1の電圧を印加
し、さらに前記第1電極または第2電極と前記有機溶媒
に接触し前記単分子層状の導電率変化膜の上方に配置さ
れた外部電極との間に第2の電圧を印加することによ
り、上記単分子層状の導電率変化膜の上に被膜を形成す
るとともに、その被膜に導電ネットワークを形成できた
ことを確認している。この場合、このデバイスは、多段
構成の導電ネットワークを有している。
Further, a monomolecular film composed of an organic molecule group having a pyrrole group or a chenylene group, a first electrode and a second electrode are formed on a substrate, and the pyrrole group or the chenylene group in the monomolecular film is polymerized. After forming a monolayer-shaped conductivity changing film having a conductive network formed by the reaction, immersed in an organic solvent in which a compound having a pyrrole group or a chenylene group and a functional group that photoisomerizes is dissolved, and A first voltage is applied between the first electrode and the second electrode, and the first electrode or the second electrode is in contact with the organic solvent and is disposed above the monolayer-shaped conductivity changing film. It was confirmed that a second voltage was applied between the film and the external electrode to form a film on the above-described monomolecular layer-shaped conductivity change film, and that a conductive network was formed on the film. In this case, the device has a multi-stage conductive network.

【0118】(実施例2)図8〜図12に基づいて説明
する。図8〜図11は、表面に活性水素が露出していな
い基板を用いての3端子有機電子デバイスの製造方法の
各工程を説明するための模式的な説明図である。また、
図12は、このデバイスを電界でスイッチングしている
状況を説明するための模式的な説明図である。
(Embodiment 2) A description will be given with reference to FIGS. FIGS. 8 to 11 are schematic diagrams for explaining each step of a method for manufacturing a three-terminal organic electronic device using a substrate on which active hydrogen is not exposed on the surface. Also,
FIG. 12 is a schematic explanatory diagram for explaining a situation in which this device is switching with an electric field.

【0119】まず、図8に示すように、表面に活性水素
が露出していない表面絶縁性基板であるアクリル樹脂透
明基板(露出活性水素密度は略0)15を準備し、この
基板表面にアルミニウム(Al)を蒸着し、フォトリソ
グラフィ法を用いて長さが15μmで幅が40μmで厚
みが0.05μmのAl製第3電極16をエッチング形
成した。
First, as shown in FIG. 8, a transparent acrylic resin substrate (exposed active hydrogen density is approximately 0) 15 which is a surface insulating substrate having no active hydrogen exposed on the surface is prepared, and aluminum surface is formed on the substrate surface. (Al) was deposited, and the Al third electrode 16 having a length of 15 μm, a width of 40 μm, and a thickness of 0.05 μm was formed by etching using a photolithography method.

【0120】ついで、図9に示すように、実施例1と同
様にして、レジストパターン17を形成した後、このパ
ターン17形成済み基板15に対して、エキシマUV光
照射(KrFエキシマレーザ)18を行うことにより、
空気中の酸素をオゾン化し上記パターン17の開口部か
ら露出していた基板表面に酸化被膜19を、第3電極表
面にアルミナ膜20を形成した。この際、空気中の水分
とも反応して、酸化被膜19およびアルミナ膜20は表
面に多数の水酸基が露出した領域となっていた。その
後、レジストパターン17を除去した。
Next, as shown in FIG. 9, after forming a resist pattern 17 in the same manner as in the first embodiment, an excimer UV light irradiation (KrF excimer laser) 18 is applied to the substrate 15 on which the pattern 17 has been formed. By doing
Oxygen in the air was ozonized to form an oxide film 19 on the substrate surface exposed from the opening of the pattern 17 and an alumina film 20 on the third electrode surface. At this time, the oxide film 19 and the alumina film 20 were also regions in which a large number of hydroxyl groups were exposed on the surface by reacting with moisture in the air. After that, the resist pattern 17 was removed.

【0121】一方、重合により共役結合して導電ネット
ワークを形成するピロール基(C44 N−)と、有極
性の官能基であるオキシカルボニル基(−OCO−)
と、基板表面の活性水素に反応しうる官能基であるクロ
ロシリル基(−SiCl)とを有する、下記の化学式
(14)で表される化合物を、脱水したジメチルシリコ
ーン系の有機溶媒で1質量%に薄めて化学吸着液を調製
した。
On the other hand, a pyrrole group (C 4 H 4 N—), which forms a conductive network through a conjugate bond by polymerization, and an oxycarbonyl group (—OCO—), which is a polar functional group,
And a chlorosilyl group (-SiCl), which is a functional group capable of reacting with active hydrogen on the surface of the substrate, and a compound represented by the following chemical formula (14) in a dimethyl silicone-based organic solvent dehydrated by 1% by mass. To prepare a chemisorption solution.

【0122】[0122]

【化6】 Embedded image

【0123】つぎに、前記酸化被膜19およびアルミナ
膜20形成済み基板15を上記のように調製した吸着液
に浸漬し、膜19、20内の水酸基(活性水素)と脱塩
酸反応させ、その後エタノールで洗浄することにより、
基板表面に共有結合で固定された単分子膜21を形成し
た(図10参照)。
Next, the substrate 15 on which the oxide film 19 and the alumina film 20 have been formed is immersed in the above-prepared adsorbent, and subjected to a dehydrochlorination reaction with the hydroxyl groups (active hydrogen) in the films 19 and 20. By washing with
A monomolecular film 21 fixed by a covalent bond was formed on the substrate surface (see FIG. 10).

【0124】つづいて、図11に示すように、基板15
全面にニッケル薄膜を蒸着形成し、フォトリソグラフィ
法を用いてギャップ間距離が10μmで長さが30μm
で厚みt2 が0.1μmの第1電極22および第2電極
23をエッチングして形成した。その後、アセトニトリ
ル中で第1電極と第2電極との間に5V/cm程度の電
界を印加し、電解重合により導電ネットワークを第1電
極と第2電極との間を電気的に接続するように形成し
た。このとき、電界の方向に沿って共役結合が自己組織
的に形成されていくので、完全に重合が終われば、第1
電極と第2電極とは導電ネットワークで電気的に接続さ
れていることになる。
Subsequently, as shown in FIG.
A nickel thin film is vapor-deposited on the entire surface, and the distance between the gaps is 10 μm and the length is 30 μm using photolithography.
Then, the first electrode 22 and the second electrode 23 having a thickness t 2 of 0.1 μm were formed by etching. Then, an electric field of about 5 V / cm is applied between the first electrode and the second electrode in acetonitrile, and a conductive network is electrically connected between the first electrode and the second electrode by electrolytic polymerization. Formed. At this time, a conjugate bond is formed in a self-organizing manner along the direction of the electric field.
The electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive network.

【0125】そして、導電率変化膜の表面にBF- イオ
ンをドープした後、第3電極を基板側から取り出した。
このようにして、第1電極と第2電極と、両電極を電気
的に接続する微小面積の導電率変化膜と、第3電極とを
備えた3端子有機電子デバイスを製造した。
[0125] Then, BF to the surface of the change in conductance film - after doping ions were removed third electrode from the substrate side.
Thus, a three-terminal organic electronic device including the first electrode, the second electrode, a small-area conductivity change film electrically connecting the two electrodes, and the third electrode was manufactured.

【0126】このようにして得られたデバイスを、図1
2に示すように、第1電極22と第2電極23との間に
1Vの電圧を印加して実際に評価すると、両電極間はポ
リピロール型の導電ネットワーク24で接続され、しか
もBF- イオンがドープされているので、0.5mA程
度の電流が流れた。つぎに、引き続き第1電極22と第
3電極16との間に5Vの電圧を印加すると、第1電極
22と第2電極23との間の電流は略0アンペアとなっ
た。また、その後、5Vの印加電圧を0Vに戻すと元の
導電性が再現された。
The device thus obtained is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, when a voltage of 1 V is applied between the first electrode 22 and the second electrode 23 and actually evaluated, the two electrodes are connected by a polypyrrole-type conductive network 24, and BF - ions are Since it was doped, a current of about 0.5 mA flowed. Next, when a voltage of 5 V was continuously applied between the first electrode 22 and the third electrode 16, the current between the first electrode 22 and the second electrode 23 became substantially 0 amperes. After that, when the applied voltage of 5 V was returned to 0 V, the original conductivity was reproduced.

【0127】上記のような挙動を示すのは、つぎのよう
な理由によると考えられる。すなわち、電極間の導電性
が低下したのは、第3電極と第1電極の間に電圧を印加
した際、有極性の官能基であるオキシカルボニル基(−
OCO−)の分極が進んで導電率変化膜内の分子配向が
歪み、ポリピロール型の共役結合の共役度が低下したた
めと考えられる。また、導電性が回復したのは、分極が
通常の状態に戻り、導電率変化膜内の分子配向のひずみ
が回復し、共役度が元に戻ったためと考えられる。
The above behavior is considered to be as follows. That is, the decrease in the conductivity between the electrodes is due to the fact that when a voltage is applied between the third electrode and the first electrode, the oxycarbonyl group (-
It is considered that the polarization of OCO-) was advanced and the molecular orientation in the conductivity change film was distorted, and the degree of conjugation of the polypyrrole-type conjugate bond was reduced. It is considered that the conductivity was recovered because the polarization returned to the normal state, the strain of the molecular orientation in the conductivity changing film recovered, and the conjugation degree returned to the original state.

【0128】以上より、実施例2の3端子有機電子デバ
イスは、第3電極と第1電極との間に電圧を印加するこ
とにより、膜内の共役結合の共役度を制御して、第1電
極と第2電極との間の電流をスイッチングできた。
As described above, in the three-terminal organic electronic device of the second embodiment, by applying a voltage between the third electrode and the first electrode, the conjugate degree of the conjugate bond in the film is controlled, and The current between the electrode and the second electrode could be switched.

【0129】〔実施例2に関連したその他の事項〕な
お、実施例2では、前記化学式(14)で表される化合
物を用いたが、実施例2のデバイスはこれに限定するも
のではない。本デバイスの構成であると、導電ネットワ
ークの導電性等の観点から、下記の一般式(15)で表
される化合物が好適に用いられる。
[Other Matters Related to Example 2] In Example 2, the compound represented by the chemical formula (14) was used, but the device of Example 2 is not limited to this. With the configuration of the present device, a compound represented by the following general formula (15) is suitably used from the viewpoint of the conductivity of the conductive network and the like.

【0130】[0130]

【化7】 Embedded image

【0131】上記式(15)中のB′としては、オキシ
カルボニル基、カルボニル基等の電界印加により分極す
る分極性の官能基が好適である。オキシカルボニル基で
あると、スイッチングを極めて高速で行えたことを確認
している。また、カルボニル基であっても、スイッチン
グを行えたことを確認している。なお、上記式(15)
中のA、D、E、m、nについては、前記式(9)と同
様である。
As B 'in the above formula (15), a polarizable functional group such as an oxycarbonyl group and a carbonyl group which is polarized by application of an electric field is preferable. It has been confirmed that switching can be performed at an extremely high speed with an oxycarbonyl group. In addition, it has been confirmed that switching can be performed even with a carbonyl group. Note that the above equation (15)
A, D, E, m, and n therein are the same as in the above-described formula (9).

【0132】上記式(15)で表される化合物のなかで
も、下記の一般式(16)〜(19)で表される化合物
が好適である。
Among the compounds represented by the above formula (15), the compounds represented by the following formulas (16) to (19) are preferable.

【0133】[0133]

【化8】 Embedded image

【0134】また、実施例2では、導電ネットワークの
形成に電解重合法を採用したが、本デバイスは、この方
法に限定するものではなく、触媒重合法や、光、電子
線、X線等のエネルギービームを照射する重合法を採用
しても導電ネットワークを形成できることを確認してい
る。
In Example 2, the electroconductive polymerization method was used to form the conductive network. However, the present device is not limited to this method, but may be a catalytic polymerization method or a method using light, electron beam, X-ray, or the like. It has been confirmed that a conductive network can be formed even by employing a polymerization method in which an energy beam is irradiated.

【0135】さらに、上記導電ネットワークとしてポリ
ピロール型の共役系以外に、ポリアセチレン型、ポリジ
アセチレン型、ポリアセン型、ポリチェニレン型といっ
た共役系が利用でき、これら共役系であれば導電率が高
かったことを確認している。なお、電解重合法の場合
は、重合性基として前記ピロール基以外に、チェニレン
基が好適であり、触媒重合法の場合は、ピロール基、チ
ェニレン基の他に、アセチレン基、ジアセチレン基が好
適であり、エネルギービーム照射による重合法の場合
は、アセチレン基、ジアセチレン基が好適であったこと
を確認している。
Further, in addition to the polypyrrole type conjugated system, conjugated systems such as polyacetylene type, polydiacetylene type, polyacene type and polychenylene type can be used as the conductive network, and it was confirmed that the conductivity was high if these conjugated systems were used. are doing. In the case of the electrolytic polymerization method, in addition to the pyrrole group, a phenylene group is preferable as the polymerizable group.In the case of the catalytic polymerization method, in addition to the pyrrole group and the chenylene group, an acetylene group and a diacetylene group are preferable. In the case of the polymerization method using energy beam irradiation, it has been confirmed that acetylene groups and diacetylene groups were suitable.

【0136】なお、実施例2では、ドープする物質とし
てBF- イオンを用いたが、これに限定するものではな
く、他のドーパント物質を用いてもよい。また、オン電
流が小さくてもよい場合は、ドーパント物質をドープし
なくても差し支えはない。ちなみに、導電率変化膜内に
BF- イオンをドープしなかった場合は、1Vの電圧印
加で約50nAの電流が流れたことを確認している。
In the second embodiment, BF 3 - ions are used as a substance to be doped. However, the present invention is not limited to this, and another dopant substance may be used. In addition, when the on-state current may be small, the doping with the dopant substance may be omitted. By the way, it was confirmed that a current of about 50 nA flowed by applying a voltage of 1 V when BF 3 - ions were not doped in the conductivity changing film.

【0137】また、実施例2のデバイス構成において、
より大きいオン電流を必要とする場合には、実施例1と
同様、電極間距離を小さくしたり、電極幅を広げたり、
単分子膜を累積して単分子累積膜状の導電率変化膜にす
ることが好適である。
In the device configuration of the second embodiment,
When a larger ON current is required, the distance between the electrodes can be reduced, the electrode width can be increased,
It is preferable that the monomolecular film is accumulated to form a monomolecular accumulated film-like conductivity change film.

【0138】そして、単分子膜または単分子累積膜の作
製には、化学吸着法以外に、ラングミュアーブロジェッ
ト法が採用できたことを確認している。
It has been confirmed that a Langmuir-Blodgett method other than the chemisorption method could be used for producing a monomolecular film or a monomolecular cumulative film.

【0139】さらに、第1電極と、第2電極と、外部電
極とを利用して、単分子累積膜状の導電率変化膜を形成
してもよい。ちなみに、基板上に、第3電極と、ピロー
ル基またはチェニレン基を有する単分子膜と、第1電極
と、第2電極とを形成した後に、ピロール基またはチェ
ニレン基と有極性の官能基とを有する化合物を溶かした
有機溶媒中に浸漬し、かつ、前記第1電極と第2電極と
の間に第1の電圧を印加し、さらに前記第1電極または
第2電極と前記有機溶媒に接触し前記単分子膜の上方に
配置された外部電極との間に第2の電圧を印加すること
により、前記単分子膜の上に被膜を形成するとともに、
単分子膜と被膜にそれぞれ導電ネットワークを形成でき
たことを確認している。この場合、このデバイスは、多
段構成の導電ネットワークを有している。
Further, a conductivity changing film in the form of a monomolecular cumulative film may be formed by using the first electrode, the second electrode, and the external electrode. Incidentally, after forming a third electrode, a monomolecular film having a pyrrole group or a chenylene group, a first electrode, and a second electrode on the substrate, a pyrrole group or a chenylene group and a polar functional group are formed. Immersed in an organic solvent having a compound dissolved therein, and applying a first voltage between the first electrode and the second electrode, and further contacting the first electrode or the second electrode with the organic solvent. By applying a second voltage between the monomolecular film and an external electrode disposed above the monomolecular film, a film is formed on the monomolecular film,
It has been confirmed that a conductive network could be formed on the monomolecular film and the coating, respectively. In this case, the device has a multi-stage conductive network.

【0140】また、基板上に、第3電極と、ピロール基
またはチェニレン基を有する有機分子群からなる単分子
膜と、第1電極と、第2電極とを形成し、さらに単分子
膜中のピロール基またはチェニレン基を重合反応させて
導電ネットワークを有する単分子層状の導電率変化膜を
形成した後に、ピロール基またはチェニレン基と有極性
の官能基とを有する化合物を溶かした有機溶媒中に浸漬
し、かつ、前記第1電極と第2電極との間に第1の電圧
を印加し、さらに前記第1電極または第2電極と前記有
機溶媒に接触し前記単分子状の導電率変化膜の上方に配
置された外部電極との間に第2の電圧を印加することに
より、上記単分子状の導電率変化膜の上に被膜を形成す
るとともに、その被膜に導電ネットワークを形成できた
ことを確認している。この場合、このデバイスは、多段
構成の導電ネットワークを有している。
On the substrate, a third electrode, a monomolecular film comprising a group of organic molecules having a pyrrole group or a chenylene group, a first electrode, and a second electrode are formed. After a pyrrole group or a phenylene group undergoes a polymerization reaction to form a monolayer-shaped conductivity changing film having a conductive network, the film is immersed in an organic solvent in which a compound having a pyrrole group or a phenylene group and a polar functional group is dissolved. And applying a first voltage between the first electrode and the second electrode, further contacting the first electrode or the second electrode with the organic solvent to form the monomolecular conductivity change film. By applying a second voltage between the upper electrode and the external electrode, a film is formed on the monomolecular conductivity change film, and a conductive network can be formed on the film. Checking . In this case, the device has a multi-stage conductive network.

【0141】〔実施例1、2に関連するその他の事項〕
なお、実施例1、2において、表面に活性水素が露出し
ていない表面絶縁性基板として、アクリル樹脂透明基板
を用いたが、これに限定するものではない。例えば、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂等の合
成樹脂からなる単層基板や、金属基板の表面に合成樹脂
製の被膜が形成された積層基板等を用いることもでき
る。金属基板等の導電性基板の表面に活性水素が露出し
ていない絶縁性膜が形成された積層基板を用いると、基
板自体が帯電しないので、デバイスの動作安定性が向上
することを確認している。
[Other Matters Related to Embodiments 1 and 2]
In Examples 1 and 2, an acrylic resin transparent substrate was used as a surface insulating substrate having no active hydrogen exposed on the surface, but the present invention is not limited to this. For example, a single-layer substrate made of a synthetic resin such as a polycarbonate resin and a polyethersulfone resin, a laminated substrate in which a synthetic resin film is formed on the surface of a metal substrate, and the like can also be used. When using a laminated substrate with an insulating film on which the active hydrogen is not exposed on the surface of a conductive substrate such as a metal substrate, the substrate itself is not charged, and it has been confirmed that the operation stability of the device is improved. I have.

【0142】また、実施例1、2では、活性水素露出化
処理として、エキシマUV光照射法を採用したが、これ
に限定するものではなく、紫外線照射法、プラズマ処理
法、コロナ処理法であってもよいことを確認している。
すなわち、従来公知のエキシマUV光照射装置、UVオ
ゾン処理装置、プラズマ酸化処理装置、コロナ処理装置
を利用すれば、活性水素露出化処理が行えたことを確認
している。
In Examples 1 and 2, the excimer UV light irradiation method was used as the active hydrogen exposure treatment. However, the present invention is not limited to this. For example, an ultraviolet irradiation method, a plasma treatment method, or a corona treatment method may be used. Make sure you can.
That is, it was confirmed that the active hydrogen exposure treatment could be performed by using a conventionally known excimer UV light irradiation device, UV ozone treatment device, plasma oxidation treatment device, and corona treatment device.

【0143】さらに、実施例1、2はともに、レジスト
パターン除去後に単分子膜の形成を行ったが、レジスト
パターン除去前であっても成膜できたことを確認してい
る。
Further, in both Examples 1 and 2, the monomolecular film was formed after the resist pattern was removed, but it was confirmed that the film could be formed even before the resist pattern was removed.

【0144】なお、前記膜形成工程において、シラン系
の化学吸着物質を非水系の有機溶媒に溶かした化学吸着
液を用いると、効率よく、しかもきれいな成膜が行えた
ことを確認している。また、アクリル樹脂透明基板を損
なわない非水系の有機溶媒を用いて洗浄を行うと、より
きれいな成膜が行えたことを確認している。
It has been confirmed that, in the film forming step, the use of a chemically adsorbed solution in which a silane-based chemically adsorbed substance is dissolved in a non-aqueous organic solvent enables efficient and clean film formation. In addition, it has been confirmed that a cleaner film can be formed by washing with a non-aqueous organic solvent that does not damage the acrylic resin transparent substrate.

【0145】(実施例3)図13〜図16に基づいて説
明する。図13〜図16は、表面に活性水素が露出した
基板を用いての2端子有機電子デバイスの製造方法の各
工程を説明するための模式的な説明図である。
(Embodiment 3) A description will be given with reference to FIGS. FIG. 13 to FIG. 16 are schematic explanatory views for explaining each step of a method for manufacturing a two-terminal organic electronic device using a substrate having active hydrogen exposed on the surface.

【0146】まず、図13(a)に示すように、表面に
活性水素が露出した表面絶縁性基板である透明ガラス基
板30を準備し、この基板30表面にフォトレジストを
塗布し露光現像して、レジスト部が縦方向および横方向
に離隔して配列した状態になったレジストパターン31
を形成した。
First, as shown in FIG. 13A, a transparent glass substrate 30, which is a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface, is prepared, and a photoresist is applied to the surface of the substrate 30 and exposed and developed. , A resist pattern 31 in which resist portions are arranged in a state of being spaced apart in the vertical and horizontal directions
Was formed.

【0147】ついで、図13(b)に示すように、前記
パターン31形成済み基板30を、活性水素除去用の化
学吸着物質であるメチルトリクロロシラン(CH3 Si
Cl 3 )を脱水したジメチルシリコーン系の有機溶媒に
溶かした化学吸着液中に浸漬することにより、前記基板
表面に露出した活性水素を除去し、さらに表面をエタノ
ール洗浄して、前記メチルトリクロロシランからなる単
分子膜32を形成した。その後、前記レジストパターン
31を除去することにより、基板表面の所定部分が、多
数の水酸基が露出した領域33となった基板を作製し
た。なお、単分子膜32表面の露出活性水素密度は実質
的に0である。
Next, as shown in FIG.
The substrate 30 on which the pattern 31 has been formed is used for removing active hydrogen.
Methyltrichlorosilane (CHThreeSi
Cl Three) To dehydrated dimethyl silicone organic solvent
By immersing in the dissolved chemisorption solution, the substrate
The active hydrogen exposed on the surface is removed, and the surface is further etched with ethanol.
After washing with methyl chloride,
A molecular film 32 was formed. Then, the resist pattern
By removing 31, a predetermined portion of the substrate surface becomes
A substrate having a number 33 of exposed hydroxyl groups was prepared.
Was. The exposed active hydrogen density on the surface of the monomolecular film 32 is substantially
Is always 0.

【0148】つぎに、上記のようにして作製された基板
を用い、実施例1と同様にして、前記化学式(8)で表
される化合物からなる単分子膜34を形成し(図14参
照)、さらに第1電極35および第2電極36を形成し
た後(図15参照)、両電極を電気的に接続するように
前記単分子膜34中の重合性基を重合して、導電ネット
ワークを有する導電率変化膜を形成した。このようにし
て、2端子有機電子デバイスを製造した。
Next, a monomolecular film made of the compound represented by the chemical formula (8) was formed in the same manner as in Example 1 using the substrate prepared as described above (see FIG. 14). After forming the first electrode 35 and the second electrode 36 (see FIG. 15), a polymerizable group in the monomolecular film 34 is polymerized so as to electrically connect the two electrodes, thereby providing a conductive network. A conductivity changing film was formed. Thus, a two-terminal organic electronic device was manufactured.

【0149】このようにして得られたデバイスを、実施
例1と同様、第1電極と第2電極との間に数Vの電圧を
印加して実際に評価すると、両電極間はポリアセチレン
型の導電ネットワークで接続されているので、数ナノア
ンペアーの電流(1Vで2nA程度)が流れた(図6参
照)。ただし、評価前に導電率変化膜には可視光線を照
射しているので、アゾ基はトランス型であった。つぎ
に、引き続き導電率変化膜に紫外線11を照射すると、
膜中のアゾ基がトランス型からシス型に転移して、電流
値が略0アンペアとなった。また、その後、可視光線1
2を照射すると、アゾ基がシス型からトランス型に転移
して元の導電性が再現された。
When the thus obtained device was actually evaluated by applying a voltage of several volts between the first electrode and the second electrode in the same manner as in Example 1, a polyacetylene type Since they were connected by a conductive network, a current of several nanoamperes (about 2 nA at 1 V) flowed (see FIG. 6). However, since the visible light was irradiated to the conductivity changing film before the evaluation, the azo group was of a trans type. Next, when the conductivity changing film is continuously irradiated with ultraviolet rays 11,
The azo group in the film changed from the trans type to the cis type, and the current value became approximately 0 amperes. After that, visible light 1
Upon irradiation with 2, the azo group was transferred from the cis type to the trans type, and the original conductivity was reproduced.

【0150】以上より、実施例3の2端子有機電子デバ
イスは、波長の異なる2種の光を照射することにより、
膜内の共役結合の共役度を制御して、電極間の電流をス
イッチングできた。
As described above, the two-terminal organic electronic device of the third embodiment emits two types of light having different wavelengths,
The current between the electrodes could be switched by controlling the degree of conjugation of the conjugate bond in the film.

【0151】(実施例4)実施例4について、図16〜
図19に基づいて説明する。図16〜図19は、表面に
活性水素が露出した基板を用いての3端子有機電子デバ
イスの製造方法の各工程を説明するための模式的な説明
図である。
Embodiment 4 Embodiment 4 is described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. FIG. 16 to FIG. 19 are schematic explanatory diagrams for explaining each step of a method for manufacturing a three-terminal organic electronic device using a substrate having active hydrogen exposed on the surface.

【0152】まず、図16に示すように、表面に活性水
素が露出した表面絶縁性基板である透明ガラス基板41
を準備し、この基板表面にアルミニウム(Al)を蒸着
し、フォトリソグラフィ法を用いて長さが15μmで幅
が40μmで厚みが0.05μmのAl製第3電極42
をエッチング形成した。その後、しばらく空気中に放置
して、第3電極42表面を自然酸化させた。
First, as shown in FIG. 16, a transparent glass substrate 41 which is a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface is provided.
Is prepared, aluminum (Al) is vapor-deposited on the surface of the substrate, and a third electrode 42 made of Al having a length of 15 μm, a width of 40 μm and a thickness of 0.05 μm is formed by photolithography.
Was formed by etching. After that, the surface of the third electrode 42 was spontaneously oxidized by being left in the air for a while.

【0153】ついで、図17(a)に示すように、第3
電極42を被うようにして基板41表面にレジストを塗
布し露光現像して、レジスト部が縦方向および横方向に
離隔して配列した状態になったレジストパターン43を
形成した。
Next, as shown in FIG.
A resist was applied to the surface of the substrate 41 so as to cover the electrode 42, and was exposed and developed to form a resist pattern 43 in which the resist portions were arranged so as to be separated in the vertical and horizontal directions.

【0154】つぎに、図17(b)に示すように、前記
パターン43形成済み基板41を、活性水素除去用の化
学吸着物質であるメチルトリクロロシラン(CH3 Si
Cl 3 )を脱水したジメチルシリコーン系の有機溶媒に
溶かした化学吸着液中に浸漬することにより、前記基板
表面に露出した活性水素を除去し、さらに表面をエタノ
ール洗浄して、前記メチルトリクロロシランからなる単
分子膜44を形成した後、前記レジストパターン43を
除去することにより、基板表面の所定部分が、多数の水
酸基が露出した領域45となった基板を作製した。な
お、第3電極42の表面には、自然酸化膜が形成されて
おり、活性水素が露出した状態になっていた。また、単
分子膜44表面の露出活性水素密度は実質的に0であ
る。
Next, as shown in FIG.
The substrate 41 on which the pattern 43 has been formed is used for removing active hydrogen.
Methyltrichlorosilane (CHThreeSi
Cl Three) To dehydrated dimethyl silicone organic solvent
By immersing in the dissolved chemisorption solution, the substrate
The active hydrogen exposed on the surface is removed, and the surface is further etched with ethanol.
After washing with methyl chloride,
After forming the molecular film 44, the resist pattern 43 is
By removing, a predetermined part of the substrate surface is
A substrate was formed in a region 45 where the acid groups were exposed. What
Note that a natural oxide film is formed on the surface of the third electrode 42.
And active hydrogen was exposed. Also, simply
The exposed active hydrogen density on the surface of the molecular film 44 is substantially 0.
You.

【0155】そして、上記基板を用い、実施例2と同様
にして、前記化学式(14)で表される化合物からなる
単分子膜46を形成し(図18参照)、さらに第1電極
47および第2電極48を形成した後(図19参照)、
両電極を電気的に接続するように前記単分子膜46中の
重合性基を重合して、導電ネットワークを有する導電率
変化膜を形成し、さらにその表面にBF- イオンをドー
プした。このようにして、3端子有機電子デバイスを製
造した。
Then, using the above substrate, a monomolecular film 46 made of the compound represented by the chemical formula (14) was formed in the same manner as in Example 2 (see FIG. 18). After forming the two electrodes 48 (see FIG. 19),
The polymerizable groups in the monomolecular film 46 were polymerized so as to electrically connect the two electrodes to form a conductivity changing film having a conductive network, and the surface thereof was doped with BF 3 - ions. Thus, a three-terminal organic electronic device was manufactured.

【0156】このようにして得られたデバイスを、実施
例2と同様、第1電極と第2電極との間に1Vの電圧を
印加して実際に評価すると、両電極間はポリピロール型
の導電ネットワークで接続され、しかもBF- イオンが
ドープされているので、0.5mA程度の電流が流れた
(図12参照)。つぎに、引き続き第1電極と第3電極
との間に5Vの電圧を印加すると、第1電極と第2電極
との間の電流は略0アンペアとなった。また、その後、
5Vの印加電圧を0Vに戻すと元の導電性が再現され
た。
When the thus obtained device was actually evaluated by applying a voltage of 1 V between the first electrode and the second electrode in the same manner as in Example 2, a polypyrrole-type conductive material was found between the two electrodes. Since they were connected by a network and were doped with BF - ions, a current of about 0.5 mA flowed (see Fig. 12). Next, when a voltage of 5 V was continuously applied between the first electrode and the third electrode, the current between the first electrode and the second electrode became approximately 0 amperes. And then,
When the applied voltage of 5 V was returned to 0 V, the original conductivity was reproduced.

【0157】以上より、実施例4の3端子有機電子デバ
イスは、第3電極に電圧を印加することにより、膜内の
共役結合の共役度を制御して、第1電極と第2電極との
間の電流をスイッチングできた。
As described above, in the three-terminal organic electronic device according to the fourth embodiment, by applying a voltage to the third electrode, the degree of conjugation of the conjugate bond in the film is controlled, and the first electrode and the second electrode are connected to each other. Could switch the current between them.

【0158】〔実施例3、4に関連するその他の事項〕
なお、実施例3、4において、表面に活性水素が露出し
た表面絶縁性基板として、透明ガラス基板を用いたが、
これに限定するものではない。表面が酸化された絶縁性
を示す単層基板や、各種の基板の表面に、表面が酸化さ
れた絶縁性膜が形成された積層基板等を用いることもで
きる。金属基板等の導電性基板の表面に活性水素が露出
した絶縁性膜が形成された積層基板を用いると、基板自
体が帯電しないので、デバイスの動作安定性が向上す
る。
[Other Items Related to Embodiments 3 and 4]
In Examples 3 and 4, a transparent glass substrate was used as a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface.
It is not limited to this. A single-layer substrate having an oxidized surface and exhibiting insulating properties, a laminated substrate having an oxidized insulating film formed on the surface of various substrates, or the like can also be used. When a laminated substrate in which an insulating film in which active hydrogen is exposed is formed on the surface of a conductive substrate such as a metal substrate, the substrate itself is not charged, so that the operation stability of the device is improved.

【0159】また、実施例3、4では、活性水素除去処
理として、メチルトリクロロシランを用いる方法を採用
したが、他の化学吸着物質〔例えば、前記式(2)〜
(7)で表される化合物等〕を用いても活性水素を除去
できる。
In Examples 3 and 4, the method using methyltrichlorosilane was employed as the active hydrogen removal treatment. However, other chemical adsorbed substances [for example, the above-mentioned formulas (2) to (4)] were used.
Active hydrogen can be removed also by using a compound represented by (7).

【0160】なお、実施例3、4のデバイスは、それぞ
れ実施例1、2と比較して、基板が異なっていることを
除いて実質的に同様であるので、ドーパント物質等のそ
の他の事項に関しても略同様のことがいえる。よって、
その説明は省略する。
The devices of Examples 3 and 4 are substantially the same as those of Examples 1 and 2 except that the substrates are different. The same can be said about the same. Therefore,
The description is omitted.

【0161】上記実施例1〜4で説明した有機電子デバ
イスは、各種の電子機器のデバイスとして用いることが
できる。以下に、前記有機電子デバイスをスイッチ素子
として表示装置に用いた場合について、実施例に基づい
て説明する。
The organic electronic devices described in Embodiments 1 to 4 can be used as devices for various electronic apparatuses. Hereinafter, a case where the organic electronic device is used as a switch element in a display device will be described based on examples.

【0162】(実施例5)まず、上記実施例2と同様の
方法で、複数の有機電子デバイスを液晶の動作スイッチ
としてアクリル基板表面に配列配置し、さらにその表面
に配向膜を形成して、TFTアレイ基板を作製した。一
方、従来公知の方法で、複数の色要素を基板表面にマト
リックス状に配列配置し、さらにその表面に配向膜を作
製した。つぎに、TFTアレイ基板の配向膜面に、スク
リーン印刷法を用いてシール接着剤を液晶注入口となる
部分を除いてパターン形成した後、プレキュアーしてカ
ラーフィルター基板の配向膜面を向かい合わせにし、貼
り合わせて圧着し前記パターン形成された接着剤を硬化
させ、空セルを作製した。そして、所定の液晶を前記液
晶注入口から真空注入し封止して液晶セルを作製し、液
晶表示装置を製造した。
(Example 5) First, in the same manner as in Example 2, a plurality of organic electronic devices were arranged and arranged on the surface of an acrylic substrate as operation switches for liquid crystal, and an alignment film was formed on the surface. A TFT array substrate was manufactured. On the other hand, a plurality of color elements were arranged and arranged in a matrix on the substrate surface by a conventionally known method, and an alignment film was formed on the surface. Next, a pattern is formed on the alignment film surface of the TFT array substrate using a screen printing method except for a portion serving as a liquid crystal injection port, and then precured so that the alignment film surfaces of the color filter substrate face each other. Then, the adhesive was pressure-bonded to cure the patterned adhesive, thereby producing an empty cell. Then, a predetermined liquid crystal was vacuum-injected from the liquid crystal injection port and sealed to produce a liquid crystal cell, thereby manufacturing a liquid crystal display device.

【0163】上記のようにして得られた液晶表示装置
は、TFTアレイ基板の製造において、基板加熱の必要
がないので、アクリル基板のようなガラス転移点(Tg
点)が低い基板を用いても、充分高画質なTFT型の液
晶表示装置となっていた。
The liquid crystal display device obtained as described above does not require substrate heating in the manufacture of a TFT array substrate, and therefore has a glass transition point (Tg) such as an acrylic substrate.
However, the TFT type liquid crystal display device has a sufficiently high image quality even when a substrate having a low point is used.

【0164】なお、実施例4と同様の方法で製造した3
端子有機電子デバイスを用いても、上記実施例5と同様
の液晶表示装置が製造できた。
[0164] It should be noted that 3
Using the terminal organic electronic device, a liquid crystal display device similar to that of Example 5 could be manufactured.

【0165】(実施例6)上記実施例2と同様の方法
で、複数の3端子有機電子デバイスを動作スイッチとし
てアクリル基板表面に配列配置してTFTアレイ基板を
作製した。その後、従来公知の方法を用いて前記3端子
有機電子デバイスに接続される画素電極を形成し、TF
Tアレイ基板上に電界が印加されると発光する蛍光物質
から成る発光層を形成し、TFTアレイ基板に対向する
透明共通電極を発光層上に形成して、EL型表示装置を
製造できた。
(Example 6) In the same manner as in Example 2, a plurality of three-terminal organic electronic devices were arranged and arranged as operation switches on the surface of an acrylic substrate to produce a TFT array substrate. Thereafter, a pixel electrode connected to the three-terminal organic electronic device is formed using a conventionally known method, and TF is formed.
A light-emitting layer made of a fluorescent substance that emits light when an electric field was applied was formed on the T-array substrate, and a transparent common electrode facing the TFT array substrate was formed on the light-emitting layer, whereby an EL display device could be manufactured.

【0166】また、発光層を形成する際、赤、青、緑色
の光を発光する3種類の素子をそれぞれ所定の位置に形
成することにより、EL型カラー表示装置が製造でき
た。
Further, when forming a light emitting layer, an EL type color display device could be manufactured by forming three types of elements which emit red, blue and green light at predetermined positions, respectively.

【0167】なお、実施例4と同様の方法で製造した3
端子有機電子デバイスを用いても、上記実施例6と同様
のEL型表示装置が製造できた。
[0167] Note that 3 was produced in the same manner as in Example 4.
Even when the terminal organic electronic device was used, an EL display device similar to that of Example 6 could be manufactured.

【0168】[0168]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の構成に
よれば、本発明の課題を充分に達成することができる。
すなわち、本発明の機能性有機薄膜の製造方法によれ
ば、基材表面の所定部分を露出活性水素密度が高い領域
にしてから膜を形成するので、精度良く機能性有機薄膜
を形成することができる。また、この製造方法を応用す
れば、最近の高集積化に対応可能な有機電子デバイスを
提供でき、さらにこの有機電子デバイスを用いた表示装
置を提供できる。そして、上記有機電子デバイスであれ
ば、無機電子デバイスのような高温で処理する工程が不
要になるため、フレキシビリティーに優れた樹脂基板等
を用いた表示装置の提供が可能となる。
As described above, according to the structure of the present invention, the object of the present invention can be sufficiently achieved.
That is, according to the method for producing a functional organic thin film of the present invention, since a film is formed after a predetermined portion of the substrate surface is exposed to a region having a high active hydrogen density, the functional organic thin film can be accurately formed. it can. Further, by applying this manufacturing method, it is possible to provide an organic electronic device capable of coping with recent high integration, and it is possible to provide a display device using this organic electronic device. In the case of the organic electronic device, a step of processing at a high temperature as in the case of an inorganic electronic device is not required, so that a display device using a resin substrate or the like having excellent flexibility can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1にかかる2端子有機電子デバイスの製
造方法(前処理工程)を説明するための模式図であっ
て、(a)はレジストパターンが形成された状態を示す
斜視図であり、(b)は(a)の部分拡大断面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic view for explaining a method for manufacturing a two-terminal organic electronic device (a pretreatment step) according to Example 1, and FIG. 1A is a perspective view showing a state in which a resist pattern is formed. (B) is a partially enlarged sectional view of (a).

【図2】実施例1にかかる2端子有機電子デバイスの製
造方法(前処理工程)を説明するための模式的な断面図
であって、活性水素露出化処理の状況を示している。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing method (pre-processing step) of the two-terminal organic electronic device according to the first embodiment, and shows a state of active hydrogen exposure processing.

【図3】実施例1にかかる2端子有機電子デバイスの製
造方法(膜形成工程)を説明するための模式的な断面図
である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a two-terminal organic electronic device (film forming step) according to Example 1.

【図4】図3のA部を分子レベルまで拡大した模式的な
断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view in which part A of FIG. 3 is enlarged to a molecular level.

【図5】導電ネットワークが形成された状態を模式的に
示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductive network is formed.

【図6】実施例1にかかる2端子有機電子デバイスの製
造方法(対電極形成工程)を説明するための模式的な断
面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a two-terminal organic electronic device (counter electrode forming step) according to Example 1.

【図7】実施例1にかかる2端子有機電子デバイスの製
造方法によって製造されたデバイスを、光でスイッチン
グしている状況を説明するための模式的な断面図であ
る。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a situation where a device manufactured by the method for manufacturing a two-terminal organic electronic device according to Example 1 is switched by light.

【図8】実施例2にかかる3端子有機電子デバイスの製
造方法(電極形成工程)を説明するための模式的な断面
図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (electrode forming step) according to Example 2.

【図9】実施例2にかかる3端子有機電子デバイスの製
造方法(前処理工程)を説明するための模式的な断面図
である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (pretreatment step) according to Example 2.

【図10】実施例2にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法(膜形成工程)を説明するための模式的な断面
図である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining a method (film forming step) of manufacturing a three-terminal organic electronic device according to Example 2.

【図11】実施例2にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法(対電極形成工程)を説明するための模式的な
断面図である。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (counter electrode forming step) according to Example 2.

【図12】実施例2にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法によって製造されたデバイスを、電界でスイッ
チングしている状況を説明するための模式的な断面図で
ある。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view for explaining a situation where a device manufactured by the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device according to Example 2 is switched by an electric field.

【図13】実施例3にかかる2端子有機電子デバイスの
製造方法(前処理工程)を説明するための模式的な断面
図であって、(a)はレジストパターンを形成した状態
を示す図であり、(b)は活性水素除去処理後にレジス
トパターンを除去した状態を示す図である。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a two-terminal organic electronic device (pretreatment step) according to Example 3, where (a) is a view showing a state in which a resist pattern is formed. FIG. 4B is a view showing a state in which the resist pattern is removed after the active hydrogen removal treatment.

【図14】実施例3にかかる2端子有機電子デバイスの
製造方法(膜形成工程)を説明するための模式的な断面
図である。
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining a method (film forming step) of manufacturing a two-terminal organic electronic device according to Example 3.

【図15】実施例3にかかる2端子有機電子デバイスの
製造方法(対電極形成工程)を説明するための模式的な
断面図である。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a two-terminal organic electronic device (counter electrode forming step) according to Example 3.

【図16】実施例4にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法(電極形成工程)を説明するための模式的な断
面図である。
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (electrode forming step) according to Example 4.

【図17】実施例4にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法(前処理工程)を説明するための模式的な断面
図であって、(a)はレジストパターンを形成した状態
を示す図であり、(b)は活性水素除去処理後にレジス
トパターンを除去した状態を示す図である。
FIG. 17 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (pretreatment step) according to Example 4, in which (a) is a view showing a state where a resist pattern is formed; FIG. 4B is a view showing a state in which the resist pattern is removed after the active hydrogen removal treatment.

【図18】実施例4にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法(膜形成工程)を説明するための模式的な断面
図である。
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (film forming step) according to Example 4.

【図19】実施例4にかかる3端子有機電子デバイスの
製造方法(対電極形成工程)を説明するための模式的な
断面図である。
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a three-terminal organic electronic device (counter electrode forming step) according to Example 4.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アクリル樹脂透明基板 2 開口部 3 レジストパターン 4 エキシマUV光照射 5 多数の水酸基が露出した領域 6 導電率変化膜になる前の単分子膜 7 ポリアセチレン型の導電ネットワーク 8 第1電極 9 第2電極 10 導電率変化膜 11 スイッチング用に集光された紫外光 12 スイッチング用に集光された可視光 15 アクリル樹脂透明基板 16 第3電極 17 レジストパターン 18 エキシマUV光照射 19 酸化被膜 20 アルミナ膜 21 導電率変化膜になる前の単分子膜 22 第1電極 23 第2電極 24 ポリピロール型の導電ネットワーク 30 透明ガラス基板 31 レジストパターン 32 活性水素除去用の単分子膜 33 多数の水酸基が露出した領域 34 導電率変化膜になる前の単分子膜 35 第1電極 36 第2電極 41 透明ガラス基板 42 第3電極 43 レジストパターン 44 活性水素除去用の単分子膜 45 多数の水酸基が露出した領域 46 導電率変化膜になる前の単分子膜 47 第1電極 48 第2電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Acrylic resin transparent substrate 2 Opening 3 Resist pattern 4 Excimer UV light irradiation 5 The area | region where many hydroxyl groups were exposed 6 Monomolecular film before it became a conductivity change film 7 Polyacetylene type conductive network 8 1st electrode 9 2nd electrode DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Conductivity change film 11 Ultraviolet light condensed for switching 12 Visible light condensed for switching 15 Acrylic resin transparent substrate 16 Third electrode 17 Resist pattern 18 Excimer UV light irradiation 19 Oxide film 20 Alumina film 21 Conduction Monomolecular film before becoming rate change film 22 First electrode 23 Second electrode 24 Polypyrrole-type conductive network 30 Transparent glass substrate 31 Resist pattern 32 Monomolecular film for removing active hydrogen 33 Region where many hydroxyl groups are exposed 34 Conductivity Monomolecular film before becoming rate changing film 35 First electrode 36 Second electrode 41 Transparent glass substrate 42 Third electrode 43 Resist pattern 44 Monomolecular film for removing active hydrogen 45 Region where many hydroxyl groups are exposed 46 Monomolecular film before becoming conductivity changing film 47 First electrode 48 Second electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 29/786 H05B 33/12 B H05B 33/10 H01L 29/28 33/12 29/78 618B Fターム(参考) 2H092 JA24 KA09 MA02 MA08 MA22 MA30 PA04 PA08 3K007 AB04 AB18 BA06 CA01 DA01 FA01 4K044 AA01 AA12 AA13 AA16 BA21 CA04 CA53 5C094 AA05 AA43 BA03 BA12 BA27 BA43 CA19 CA24 DA13 DB04 EB02 ED03 FA01 FB01 FB14 GB10 JA08 5F110 BB01 CC07 DD01 DD02 DD13 DD14 EE03 FF01 GG05 GG32 GG42 GG57 HK02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 29/786 H05B 33/12 B H05B 33/10 H01L 29/28 33/12 29/78 618B F term ( Reference) 2H092 JA24 KA09 MA02 MA08 MA22 MA30 PA04 PA08 3K007 AB04 AB18 BA06 CA01 DA01 FA01 4K044 AA01 AA12 AA13 AA16 BA21 CA04 CA53 5C094 AA05 AA43 BA03 BA12 BA27 BA43 CA19 CA24 DA13 DB04 EB02 ED03 FA01 DD01 DD01 DD01 DD14 EE03 FF01 GG05 GG32 GG42 GG57 HK02

Claims (62)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材表面の所定部分に共有結合で固定
されてなる機能性有機薄膜を製造する方法であって、 前記基材表面の所定部分に活性水素露出化処理を施し
て、その所定部分を、所定部分を除く部分よりも露出活
性水素密度が高い領域にする前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と機能性官能基とを有する化合物を接触させ
て、この化合物と上記領域内の活性水素とを反応させ、
上記基材表面の所定部分に共有結合で固定されてなる機
能性有機薄膜を形成する膜形成工程と、を備えたことを
特徴とする機能性有機薄膜の製造方法。
1. A method for producing a functional organic thin film fixed to a predetermined portion of a substrate surface by a covalent bond, comprising subjecting a predetermined portion of the substrate surface to an active hydrogen exposure treatment, A pretreatment step of setting the portion to a region where the exposed active hydrogen density is higher than that of the portion excluding the predetermined portion; and having a region capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group in the region where the exposed active hydrogen density is high. Contacting the compound to react the compound with active hydrogen in the region,
A film forming step of forming a functional organic thin film which is fixed to a predetermined portion of the substrate surface by covalent bonding.
【請求項2】 前記基材として、表面に活性水素が露
出していない基材を用いる、請求項1記載の機能性有機
薄膜の製造方法。
2. The method for producing a functional organic thin film according to claim 1, wherein a substrate having no active hydrogen exposed on the surface is used as the substrate.
【請求項3】 前記基材表面の所定部分は、その一の
面積が1000μm 2 以下である、請求項1記載の機能
性有機薄膜の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the predetermined portion of the surface of the base material is one of
Area is 1000μm Two2. The function of claim 1, wherein:
Production method of conductive organic thin film.
【請求項4】 前記機能性官能基は、光応答性の官能
基、電界応答性の官能基および共役結合で結合しうる重
合性基からなる群から選択される少なくとも1種の官能
基である、請求項1記載の機能性有機薄膜の製造方法。
4. The functional functional group is at least one functional group selected from the group consisting of a photoresponsive functional group, an electric field responsive functional group, and a polymerizable group capable of bonding via a conjugate bond. The method for producing a functional organic thin film according to claim 1.
【請求項5】 前記機能性有機薄膜は、前記化合物の
分子が単分子層状に配列した単分子膜または単分子膜が
複数積層した単分子累積膜である、請求項1記載の機能
性有機薄膜の製造方法。
5. The functional organic thin film according to claim 1, wherein the functional organic thin film is a monomolecular film in which molecules of the compound are arranged in a monomolecular layer or a monomolecular cumulative film in which a plurality of monomolecular films are stacked. Manufacturing method.
【請求項6】 前記表面に活性水素が露出していない
基材として、撥水性の単層基材、または表面に撥水性の
被膜が形成されてなる積層基材を用いる、請求項2記載
の機能性有機薄膜の製造方法。
6. The water-repellent single-layer substrate or the laminated substrate having a water-repellent coating formed on the surface is used as the substrate on which active hydrogen is not exposed on the surface. A method for producing a functional organic thin film.
【請求項7】 前記撥水性の単層基材として、撥水性
の合成樹脂基材を用いる、請求項6記載の機能性有機薄
膜の製造方法。
7. The method for producing a functional organic thin film according to claim 6, wherein a water-repellent synthetic resin substrate is used as the water-repellent single-layer substrate.
【請求項8】 前記合成樹脂基材として、アクリル樹
脂基材、ポリカーボネート樹脂基材、またはポリエーテ
ルサルホン樹脂基材を用いる、請求項7記載の機能性有
機薄膜の製造方法。
8. The method for producing a functional organic thin film according to claim 7, wherein an acrylic resin substrate, a polycarbonate resin substrate, or a polyether sulfone resin substrate is used as the synthetic resin substrate.
【請求項9】 前記積層基材を構成する撥水性の被膜
として、アクリル樹脂膜、ポリカーボネート樹脂膜、ま
たはポリエーテルサルホン樹脂膜を用いる、請求項6記
載の機能性有機薄膜の製造方法。
9. The method for producing a functional organic thin film according to claim 6, wherein an acrylic resin film, a polycarbonate resin film, or a polyether sulfone resin film is used as the water-repellent film constituting the laminated base material.
【請求項10】 前記前処理工程において、前記活性
水素露出化処理として、基材表面の所定部分を酸化して
活性水素を付与する方法を用いる、請求項1記載の機能
性有機薄膜の製造方法。
10. The method for producing a functional organic thin film according to claim 1, wherein in the pretreatment step, a method of oxidizing a predetermined portion of a substrate surface to impart active hydrogen is used as the active hydrogen exposure treatment. .
【請求項11】 前記酸化の方法として、酸素および
水素原子供給物質の存在下で、基材表面の所定部分に対
し、エキシマUV光照射法、紫外線照射法、プラズマ処
理法およびコロナ処理法からなる群から選択される少な
くとも1種の方法を適用する、請求項10記載の機能性
有機薄膜の製造方法。
11. The method of oxidation includes excimer UV light irradiation, ultraviolet irradiation, plasma treatment, and corona treatment on a predetermined portion of the substrate surface in the presence of oxygen and hydrogen atom supply substances. The method for producing a functional organic thin film according to claim 10, wherein at least one method selected from the group is applied.
【請求項12】 前記前処理工程において、前記活性
水素露出化処理として、活性水素が露出した基材の表面
に撥水性の有機物膜が形成されてなる積層基材を準備
し、この積層基材表面の所定部分を酸化して、上記有機
物膜を除去し活性水素を露出させる方法を用いる、請求
項1記載の機能性有機薄膜の製造方法。
12. In the pretreatment step, as the active hydrogen exposure treatment, a laminated base material having a water-repellent organic film formed on the surface of the base material where active hydrogen is exposed is prepared. The method for producing a functional organic thin film according to claim 1, wherein a method of oxidizing a predetermined portion of the surface to remove the organic film and expose active hydrogen is used.
【請求項13】 前記酸化の方法として、酸素を含む
雰囲気下で、積層基材表面の所定部分に対し、エキシマ
UV光照射法、紫外線照射法、プラズマ処理法およびコ
ロナ処理法からなる群から選択される少なくとも1種の
方法を用いる、請求項12記載の機能性有機薄膜の製造
方法。
13. The method of oxidization is selected from a group consisting of an excimer UV light irradiation method, an ultraviolet irradiation method, a plasma treatment method, and a corona treatment method on a predetermined portion of the surface of the laminated base material under an atmosphere containing oxygen. The method for producing a functional organic thin film according to claim 12, wherein at least one method is used.
【請求項14】 前記活性水素露出化処理に先立っ
て、基材表面の所定部分を除く部分にマスクを施したも
のを準備し、このマスク済み基材に対して活性水素露出
化処理を行う、請求項1記載の機能性有機薄膜の製造方
法。
14. Prior to the active hydrogen exposure treatment, a mask is provided on a portion of the substrate surface except for a predetermined portion, and the masked substrate is subjected to an active hydrogen exposure treatment. A method for producing a functional organic thin film according to claim 1.
【請求項15】 前記膜形成工程は、上記マスクを除
去した後に行う、請求項14記載の機能性有機薄膜の製
造方法。
15. The method for producing a functional organic thin film according to claim 14, wherein the film forming step is performed after removing the mask.
【請求項16】 前記膜形成工程は、上記マスクを除
去する前に行う、請求項14記載の機能性有機薄膜の製
造方法。
16. The method for producing a functional organic thin film according to claim 14, wherein the film forming step is performed before removing the mask.
【請求項17】 前記膜形成工程において、 前記活性水素に反応しうる官能基と機能性官能基とを有
する化合物として、ハロシリル基、イソシアネート基お
よびアルコキシシリル基からなる群から選択される少な
くとも1種の官能基と機能性官能基とを有する化合物を
用い、 上記化合物を前記露出活性水素密度が高い領域に接触さ
せるに際し、上記化合物と非水系の有機溶媒とを混合し
てなる化学吸着液を用いる、請求項1記載の機能性有機
薄膜の製造方法。
17. In the film forming step, the compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group is at least one selected from the group consisting of a halosilyl group, an isocyanate group and an alkoxysilyl group. When a compound having a functional group and a functional functional group is used, and the above compound is brought into contact with the region where the exposed active hydrogen density is high, a chemical adsorption liquid obtained by mixing the compound and a non-aqueous organic solvent is used. The method for producing a functional organic thin film according to claim 1.
【請求項18】 前記前処理工程および膜形成工程を
経由した後に、非水系有機溶媒を用いて基材表面を洗浄
する洗浄工程を行う、請求項1記載の機能性有機薄膜の
製造方法。
18. The method for producing a functional organic thin film according to claim 1, wherein a cleaning step of cleaning the surface of the base material using a non-aqueous organic solvent is performed after passing through the pretreatment step and the film forming step.
【請求項19】 基材表面の所定部分に共有結合で固
定されてなる機能性有機薄膜を製造する方法であって、 前記基材表面の所定部分を除く部分に活性水素除去処理
を施して、所定部分を、その所定部分を除く部分よりも
露出活性水素密度が高い領域にする前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と機能性官能基とを有する化合物を接触させ
て、この化合物と上記領域内の活性水素とを反応させ、
上記基材表面の所定部分に共有結合で固定されてなる機
能性有機薄膜を形成する膜形成工程と、を備えたことを
特徴とする機能性有機薄膜の製造方法。
19. A method for producing a functional organic thin film which is fixed to a predetermined portion of a substrate surface by a covalent bond, wherein a portion excluding the predetermined portion of the substrate surface is subjected to an active hydrogen removal treatment, A pretreatment step of setting the predetermined portion to a region where the exposed active hydrogen density is higher than that of the portion excluding the predetermined portion; and, in the region where the exposed active hydrogen density is high, a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group. And contacting the compound with the active hydrogen in the region,
A film forming step of forming a functional organic thin film which is fixed to a predetermined portion of the substrate surface by covalent bonding.
【請求項20】 前記基材として、表面に活性水素が
露出した基材を用いる、請求項19記載の機能性有機薄
膜の製造方法。
20. The method for producing a functional organic thin film according to claim 19, wherein a substrate having active hydrogen exposed on the surface is used as the substrate.
【請求項21】 前記基材表面の所定部分は、その一
の面積が1000μm2 以下である、請求項19記載の
機能性有機薄膜の製造方法。
21. The method for producing a functional organic thin film according to claim 19, wherein the predetermined portion of the base material surface has one area of 1000 μm 2 or less.
【請求項22】 前記機能性官能基は、光応答性の官
能基、電界応答性の官能基および共役結合で結合しうる
重合性基からなる群から選択される少なくとも1種の官
能基である、請求項19記載の機能性有機薄膜の製造方
法。
22. The functional group is at least one functional group selected from the group consisting of a photoresponsive functional group, an electric field responsive functional group, and a polymerizable group capable of bonding via a conjugate bond. 20. The method for producing a functional organic thin film according to claim 19.
【請求項23】 前記機能性有機薄膜は、前記化合物
の分子が単分子層状に配列した単分子膜または単分子膜
が複数積層した単分子累積膜である、請求項19記載の
機能性有機薄膜の製造方法。
23. The functional organic thin film according to claim 19, wherein the functional organic thin film is a monomolecular film in which molecules of the compound are arranged in a monomolecular layer or a monomolecular cumulative film in which a plurality of monomolecular films are stacked. Manufacturing method.
【請求項24】 前記表面に活性水素が露出した基材
として、親水性の単層基材、または表面に親水性の被膜
が形成されてなる積層基材を用いる、請求項20記載の
機能性有機薄膜の製造方法。
24. The functional material according to claim 20, wherein the substrate having active hydrogen exposed on the surface is a hydrophilic single-layer substrate or a laminated substrate having a hydrophilic film formed on the surface. A method for producing an organic thin film.
【請求項25】 前記単層基板として、表面が酸化さ
れた金属基材、シリコン基材、窒化シリコン基材、シリ
カ基材、またはガラス基材を用いる、請求項24記載の
機能性有機薄膜の製造方法。
25. The functional organic thin film according to claim 24, wherein a metal substrate, a silicon substrate, a silicon nitride substrate, a silica substrate, or a glass substrate having an oxidized surface is used as the single-layer substrate. Production method.
【請求項26】 前記積層基材を構成する親水性の被
膜として、表面が酸化された金属膜、シリコン膜、窒化
シリコン膜、シリカ膜、またはガラス膜を用いる、請求
項24記載の機能性有機薄膜の製造方法。
26. The functional organic material according to claim 24, wherein a metal film, a silicon film, a silicon nitride film, a silica film, or a glass film whose surface is oxidized is used as the hydrophilic film constituting the laminated base material. Manufacturing method of thin film.
【請求項27】 前記前処理工程において、前記活性
水素除去処理として、基材表面の所定部分を除く部分に
化学的処理を施して活性水素をなくす方法を用いる、請
求項19記載の機能性有機薄膜の製造方法。
27. The functional organic material according to claim 19, wherein in the pretreatment step, a method for removing active hydrogen by performing a chemical treatment on a portion excluding a predetermined portion of the substrate surface is used as the active hydrogen removal treatment. Manufacturing method of thin film.
【請求項28】 前記化学的処理として、基材表面の
所定部分を除く部分に、活性水素に反応しうる官能基を
有する化合物を接触させ、この化合物と前記基材表面の
所定部分を除く部分の活性水素とを反応させる方法を用
いる、請求項27記載の機能性有機薄膜の製造方法。
28. As the chemical treatment, a portion having a functional group reactive with active hydrogen is brought into contact with a portion other than a predetermined portion of the substrate surface, and the compound and a portion excluding the predetermined portion of the substrate surface are contacted. 28. The method for producing a functional organic thin film according to claim 27, wherein a method of reacting the active hydrogen with the active hydrogen is used.
【請求項29】 前記前処理工程において、前記活性
水素除去処理として、基材表面の所定部分を除く部分に
物理的処理を施して活性水素を取り除く方法を用いる、
請求項19記載の機能性有機薄膜の製造方法。
29. In the pretreatment step, as the active hydrogen removing treatment, a method of performing a physical treatment on a portion excluding a predetermined portion of a substrate surface to remove active hydrogen is used.
A method for producing a functional organic thin film according to claim 19.
【請求項30】 前記物理的処理として、基材表面の
所定部分を除く部分に、真空中で光照射して、活性水素
を基材に結合させていた共有結合を切断する方法を用い
る、請求項29記載の機能性有機薄膜の製造方法。
30. A method of irradiating a portion except a predetermined portion of the substrate surface with light in a vacuum to cut off a covalent bond that has bound active hydrogen to the substrate, as the physical treatment. Item 30. The method for producing a functional organic thin film according to Item 29.
【請求項31】 前記活性水素除去処理に先立って、
基材表面の所定部分にマスクを施したものを準備し、こ
のマスク済み基材に対して活性水素除去処理を行い、か
つ、前記膜形成工程に先立って、マスクを除去する、請
求項19記載の機能性有機薄膜の製造方法。
31. Prior to the active hydrogen removal treatment,
20. A method in which a mask is applied to a predetermined portion of the base material surface, an active hydrogen removing process is performed on the masked base material, and the mask is removed prior to the film forming step. Method for producing a functional organic thin film.
【請求項32】 前記膜形成工程において、 前記活性水素に反応しうる官能基と機能性官能基とを有
する化合物として、ハロシリル基、イソシアネート基お
よびアルコキシシリル基からなる群から選択される少な
くとも1種の官能基と機能性官能基とを有する化合物を
用い、 前記化合物を前記露出活性水素密度が高い領域に接触さ
せるに際し、前記化合物と非水系の有機溶媒とを混合し
てなる化学吸着液を用いる、請求項19記載の機能性有
機薄膜の製造方法。
32. In the film forming step, the compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional functional group is at least one selected from the group consisting of a halosilyl group, an isocyanate group and an alkoxysilyl group. When a compound having a functional group and a functional functional group is used, and the compound is brought into contact with the region where the exposed active hydrogen density is high, a chemical adsorption liquid obtained by mixing the compound and a non-aqueous organic solvent is used. 20. The method for producing a functional organic thin film according to claim 19.
【請求項33】 前記前処理工程および膜形成工程の
後に、非水系有機溶媒を用いて基材表面を洗浄する洗浄
工程を行う、請求項19記載の機能性有機薄膜の製造方
法。
33. The method for producing a functional organic thin film according to claim 19, wherein after the pretreatment step and the film forming step, a cleaning step of cleaning the surface of the base material using a non-aqueous organic solvent is performed.
【請求項34】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜とを
備え、 前記導電率変化膜は、光異性化する官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、 かつ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変
化膜に照射される光に応じて変化する2端子有機電子デ
バイスを製造する方法であって、 前記基板表面の所定部分に活性水素露出化処理を施し
て、その所定部分を、所定部分を除く部分よりも露出活
性水素密度が高い領域にする前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と光異性化する官能基と共役結合で結合しう
る重合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物
と上記領域内の活性水素とを反応させ、上記基板表面の
所定部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で
固定する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記基板上に第1電極と第2電極を形成する対電極形成
工程と、を備えたことを特徴とする2端子有機電子デバ
イスの製造方法。
34. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and a first electrode formed on the first electrode.
A conductivity changing film for electrically connecting the electrode and the second electrode, wherein the conductivity changing film is configured such that a part or all of the organic molecule group having a functional group capable of photoisomerization is connected by a conjugate bond. A method of manufacturing a two-terminal organic electronic device, wherein the two-terminal organic electronic device has a conductive network, wherein the conductivity of the conductive network changes according to light irradiated on the conductivity changing film. A pretreatment step of subjecting a predetermined portion of the substrate surface to an active hydrogen exposure treatment to make the predetermined portion a region where the exposed active hydrogen density is higher than a portion excluding the predetermined portion; and Contacting a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional group capable of photoisomerization with a polymerizable group capable of binding via a conjugate bond, and reacting the compound with active hydrogen in the region, Predetermined part of substrate surface A film forming step of covalently fixing an organic molecule group composed of the compound to the substrate; a polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding of a part or all of the organic molecule group by a polymerization reaction; A method for manufacturing a two-terminal organic electronic device, comprising: a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode thereon.
【請求項35】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、
前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、それぞれ
と絶縁された第3の電極とを備え、 前記第3電極は、第1電極または第2電極との間に電圧
を印加することにより前記導電率変化膜に作用させる電
界を制御する電極であり、 かつ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有
機分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結され
てなる導電ネットワークを有しており、 かつ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変
化膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機電子
デバイスを製造する方法であって、 前記基板の表面に第3電極を形成する電極形成工程と、 前記第3電極が形成された基板表面の所定部分に活性水
素露出化処理を施して、その所定部分を、所定部分を除
く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にする前処理
工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しうる重
合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の所定
部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で固定
する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形
成工程と、を備えたことを特徴とする3端子有機電子デ
バイスの製造方法。
35. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode.
A conductivity change film that electrically connects the electrode and the second electrode;
A third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from the third electrode, wherein the third electrode applies a voltage between the first electrode and the second electrode; An electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film, and the conductivity changing film is configured such that a part or all of an organic molecule group having a polar functional group is connected by a conjugate bond. A method of manufacturing a three-terminal organic electronic device, wherein the three-terminal organic electronic device has a conductive network, wherein the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. An electrode forming step of forming a third electrode on the surface; and performing an active hydrogen exposure process on a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrode is formed, so that the predetermined portion is exposed more actively than the portion excluding the predetermined portion. High hydrogen density region Pre-treatment step, the exposed active hydrogen density in a high region, a functional group capable of reacting with active hydrogen and a polar functional group and a compound having a polymerizable group capable of bonding with a conjugate bond, and contacted, Reacting a compound with active hydrogen in the region to form a film forming step of covalently fixing a group of organic molecules made of the compound to a predetermined portion of the substrate surface; A three-terminal organic electronic device, comprising: a polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding by a polymerization reaction; and a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate. Manufacturing method.
【請求項36】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜とを
備え、 前記導電率変化膜は、光異性化する官能基を有する有機
分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結されて
なる導電ネットワークを有しており、 かつ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変
化膜に照射される光に応じて変化する2端子有機電子デ
バイスを製造する方法であって、 前記基板の所定部分を除く部分に活性水素除去処理を施
して、所定部分を、その所定部分を除く部分よりも露出
活性水素密度が高い領域にする前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と光異性化する官能基と共役結合で結合しう
る重合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物
と上記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の
所定部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で
固定する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記基板上に第1電極と第2電極を形成する対電極形成
工程と、を備えたことを特徴とする2端子有機電子デバ
イスの製造方法。
36. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode.
A conductivity changing film for electrically connecting the electrode and the second electrode, wherein the conductivity changing film is configured such that a part or all of the organic molecule group having a functional group capable of photoisomerization is connected by a conjugate bond. A method of manufacturing a two-terminal organic electronic device, wherein the two-terminal organic electronic device has a conductive network, wherein the conductivity of the conductive network changes according to light irradiated on the conductivity changing film. A pretreatment step of subjecting a portion of the substrate other than a predetermined portion to an active hydrogen removal treatment to make the predetermined portion a region where the exposed active hydrogen density is higher than the portion excluding the predetermined portion; and a region where the exposed active hydrogen density is high. In contact with a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a functional group capable of photoisomerization and a polymerizable group capable of bonding via a conjugate bond, and reacting the compound with active hydrogen in the region, On the substrate surface A film forming step of fixing a group of organic molecules composed of the compound to a fixed portion by a covalent bond; and a polymerization step of forming a conductive network by forming a part or all of the group of organic molecules into a conjugate bond by a polymerization reaction. A method for manufacturing a two-terminal organic electronic device, comprising: a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on a substrate.
【請求項37】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、
前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、それぞれ
と絶縁された第3の電極とを備え、 前記第3電極は、第1電極または第2電極との間に電圧
を印加することにより前記導電率変化膜に作用させる電
界を制御する電極であり、 かつ、前記導電率変化膜は、有極性の官能基を有する有
機分子群のうちの一部または全部が共役結合で連結され
てなる導電ネットワークを有しており、 かつ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変
化膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機電子
デバイスを製造する方法であって、 前記基板の表面に第3電極を形成する電極形成工程と、 前記第3電極が形成された基板表面の所定部分を除く部
分に活性水素除去処理を施して、所定部分を、その所定
部分を除く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にす
る前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しうる重
合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の所定
部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で固定
する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形
成工程と、を備えたことを特徴とする3端子有機電子デ
バイスの製造方法。
37. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode.
A conductivity change film that electrically connects the electrode and the second electrode;
A third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from the third electrode, wherein the third electrode applies a voltage between the first electrode and the second electrode; An electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film, and the conductivity changing film is configured such that a part or all of an organic molecule group having a polar functional group is connected by a conjugate bond. A method of manufacturing a three-terminal organic electronic device, wherein the three-terminal organic electronic device has a conductive network, wherein the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. An electrode forming step of forming a third electrode on the surface; and performing an active hydrogen removal process on a portion of the substrate surface on which the third electrode is formed, except for a predetermined portion, so that the predetermined portion is formed more than the portion excluding the predetermined portion. Exposed active hydrogen density A pre-treatment step to make the active region, the exposed active hydrogen density high region, contact with a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen, a polar functional group and a polymerizable group capable of bonding with a conjugate bond. Reacting the compound with active hydrogen in the region to fix a group of organic molecules comprising the compound to a predetermined portion of the surface of the substrate by covalent bonding. A three-terminal comprising: a polymerization step of forming a conductive network by forming a conductive network by conjugate bonding by polymerization reaction; and a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate. A method for manufacturing an organic electronic device.
【請求項38】 請求項34または35に記載の有機
電子デバイスの製造方法において、 前記基板として、表面に活性水素が露出していない表面
絶縁性基板を用いる、ことを特徴とする有機電子デバイ
スの製造方法。
38. The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 34, wherein a surface insulating substrate having active hydrogen not exposed on the surface is used as the substrate. Production method.
【請求項39】 請求項36または37に記載の有機
電子デバイスの製造方法において、 前記基板として、表面に活性水素が露出した表面絶縁性
基板を用いる、ことを特徴とする有機電子デバイスの製
造方法。
39. The method for manufacturing an organic electronic device according to claim 36, wherein a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface is used as the substrate. .
【請求項40】 請求項34〜37のいずれか1項に
記載の有機電子デバイスの製造方法において、 前記導電率変化膜は、単分子層状に配列した単分子膜ま
たは単分子膜が複数積層した単分子累積膜である、こと
を特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
40. The method for manufacturing an organic electronic device according to claim 34, wherein the conductivity change film is formed by stacking a plurality of monomolecular films arranged in a monomolecular layer. A method for producing an organic electronic device, wherein the method is a monomolecular accumulation film.
【請求項41】 請求項34〜37のいずれか1項に
記載の有機電子デバイスの製造方法において、 前記膜形成工程で化学吸着法またはラングミュアーブロ
ジェット法を適用する、 ことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
41. The method for manufacturing an organic electronic device according to claim 34, wherein a chemical adsorption method or a Langmuir-Blodgett method is applied in the film forming step. Manufacturing method of electronic device.
【請求項42】 請求項41に記載の有機電子デバイ
スの製造方法において、 前記化学吸着法を適用した膜形成工程で、シラン系の化
学吸着物質を用いる、ことを特徴とする有機電子デバイ
スの製造方法。
42. The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 41, wherein a silane-based chemisorbing substance is used in the film forming step to which the chemisorption method is applied. Method.
【請求項43】 請求項34または36に記載の2端
子有機電子デバイスの製造方法において、 前記光異性化する官能基として、アゾ基を用いる、こと
を特徴とする2端子有機電子デバイスの製造方法。
43. The method for producing a two-terminal organic electronic device according to claim 34, wherein an azo group is used as the photoisomerizable functional group. .
【請求項44】 請求項35または37に記載の3端
子有機電子デバイスの製造方法において、 前記有極性の官能基として、カルボニル基または/およ
びオキシカルボニル基を用いる、ことを特徴とする3端
子有機電子デバイスの製造方法。
44. The method for producing a three-terminal organic electronic device according to claim 35, wherein a carbonyl group and / or an oxycarbonyl group is used as the polar functional group. Manufacturing method of electronic device.
【請求項45】 請求項34〜37のいずれか1項に
記載の有機電子デバイスの製造方法において、 前記共役結合で結合しうる重合性基として、触媒重合性
の官能基、電解重合性の官能基およびエネルギービーム
照射により重合する官能基からなる群から選択される少
なくとも1種の官能基を用いる、ことを特徴とする有機
電子デバイスの製造方法。
45. The method for producing an organic electronic device according to claim 34, wherein the polymerizable group capable of bonding by a conjugate bond is a catalytic polymerizable functional group or an electrolytic polymerizable functional group. A method for producing an organic electronic device, comprising using at least one kind of functional group selected from the group consisting of a group and a functional group polymerized by energy beam irradiation.
【請求項46】 請求項45記載の有機電子デバイス
の製造方法において、 前記触媒重合性の官能基として、ピロール基、チェニレ
ン基、アセチレン基およびジアセチレン基からなる群か
ら選択される少なくとも1種の官能基を用いる、 ことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
46. The method for producing an organic electronic device according to claim 45, wherein the functional group capable of being polymerized by the catalyst is at least one selected from the group consisting of a pyrrole group, a chenylene group, an acetylene group, and a diacetylene group. A method for producing an organic electronic device, comprising using a functional group.
【請求項47】 請求項45記載の有機電子デバイス
の製造方法において、 前記電解重合性の官能基として、ピロール基または/お
よびチェニレン基を用いる、ことを特徴とする有機電子
デバイスの製造方法。
47. The method for manufacturing an organic electronic device according to claim 45, wherein a pyrrole group and / or a chenylene group are used as the electrolytically polymerizable functional group.
【請求項48】 請求項45記載の有機電子デバイス
の製造方法において、 前記エネルギービーム照射により重合する官能基とし
て、アセチレン基または/およびジアセチレン基を用い
る、ことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
48. The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 45, wherein an acetylene group and / or a diacetylene group is used as the functional group polymerized by the energy beam irradiation. Method.
【請求項49】 請求項34〜37のいずれか1項に
記載の有機電子デバイスの製造方法において、 前記共役結合で結合しうる重合性基が電解重合性の官能
基である場合に、 前記重合工程に先立って、前記対電極形成工程を行い、 かつ、前記重合工程において、前記第1電極と第2電極
との間に電圧を印加することにより、電解重合性の官能
基同士を電解重合反応させて、導電ネットワークを形成
する、ことを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
49. The method for manufacturing an organic electronic device according to claim 34, wherein the polymerizable group capable of bonding by a conjugate bond is an electropolymerizable functional group. Prior to the step, the counter electrode forming step is performed, and in the polymerization step, a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, whereby the electropolymerizable functional groups are subjected to an electrolytic polymerization reaction. Forming a conductive network.
【請求項50】 請求項34または36に記載の2端
子有機電子デバイスの製造方法において、 前記共役結合で結合しうる重合性基が電解重合性の官能
基であるピロール基または/およびチェニレン基である
場合に、 前記前処理工程、膜形成工程、重合工程および対電極形
成工程を経由して、単分子層状の導電率変化膜を形成し
た後、この導電率変化膜が形成されてなる基板を、ピロ
ール基または/およびチェニレン基と光異性化する官能
基とを有する化合物を溶かした有機溶媒中に浸漬し、か
つ、前記第1電極と第2電極との間、および前記第1電
極または第2電極と前記有機溶媒に接触し前記導電率変
化膜の上方に配置された外部電極との間に、それぞれ電
圧を印加して、前記単分子状の導電率変化膜の表面に、
前記化合物の分子群の一部または全部が共役結合されて
導電ネットワークが形成されてなる被膜を形成する工程
を行う、ことを特徴とする2端子有機電子デバイスの製
造方法。
50. The method for producing a two-terminal organic electronic device according to claim 34, wherein the polymerizable group capable of bonding via a conjugated bond is a pyrrole group and / or a phenylene group, which is an electropolymerizable functional group. In some cases, after the pretreatment step, the film formation step, the polymerization step, and the counter electrode formation step, after forming a monomolecular layer-shaped conductivity change film, a substrate on which the conductivity change film is formed is formed. Immersed in an organic solvent in which a compound having a pyrrole group and / or a chenylene group and a photoisomerizable functional group is dissolved, and between the first electrode and the second electrode, and between the first electrode and the second electrode. A voltage is applied between each of the two electrodes and an external electrode that is in contact with the organic solvent and is disposed above the conductivity change film, and a voltage is applied to the surface of the monomolecular conductivity change film,
A method for producing a two-terminal organic electronic device, comprising: performing a step of forming a coating film in which a conductive network is formed by conjugate bonding of some or all of the molecular groups of the compound.
【請求項51】 請求項34または36に記載の2端
子有機電子デバイスの製造方法において、 前記共役結合で結合しうる重合性基が電解重合性の官能
基であるピロール基または/およびチェニレン基である
場合に、 前記前処理工程、膜形成工程および対電極形成工程を経
由して、重合させる前の単分子膜を形成した後、この単
分子膜が形成されてなる基板を、ピロール基または/お
よびチェニレン基と光異性化する官能基とを有する化合
物を溶かした有機溶媒中に浸漬し、かつ、前記第1電極
と第2電極との間、および前記第1電極または第2電極
と前記有機溶媒に接触し前記単分子膜の上方に配置され
た外部電極との間に、それぞれ電圧を印加して、前記単
分子膜中の電解重合性の官能基同士を重合反応により共
役結合させて導電ネットワークを形成するとともに、前
記単分子膜の表面に、前記化合物の分子群の一部または
全部が共役結合されて導電ネットワークが形成されてな
る被膜を形成する工程を行う、ことを特徴とする2端子
有機電子デバイスの製造方法。
51. The method for producing a two-terminal organic electronic device according to claim 34, wherein the polymerizable group capable of bonding through a conjugated bond is a pyrrole group and / or a phenylene group, which are an electropolymerizable functional group. In some cases, after forming a monomolecular film before polymerization through the pretreatment step, the film forming step and the counter electrode forming step, the substrate on which the monomolecular film is formed is treated with a pyrrole group or / And immersed in an organic solvent in which a compound having a phenylene group and a photoisomerizable functional group is dissolved, and between the first electrode and the second electrode, and between the first electrode or the second electrode and the organic A voltage is applied between each of the external electrodes placed in contact with the solvent and above the monomolecular film, and the electropolymerizable functional groups in the monomolecular film are conjugated to each other by a polymerization reaction to conduct the electric conduction. Net Forming a film formed by forming a conductive network on the surface of the monomolecular film, in which some or all of the molecular groups of the compound are conjugated and bonded to the surface of the monomolecular film. A method for manufacturing a two-terminal organic electronic device.
【請求項52】 請求項35または37に記載の3端
子有機電子デバイスの製造方法において、 前記共役結合で結合しうる重合性基が電解重合性の官能
基であるピロール基または/およびチェニレン基である
場合に、 前記電極形成工程、前処理工程、膜形成工程、重合工程
および対電極形成工程を経由して、単分子層状の導電率
変化膜を形成した後、この導電率変化膜が形成されてな
る基板を、ピロール基または/およびチェニレン基と有
極性の官能基とを有する化合物を溶かした有機溶媒中に
浸漬し、かつ、前記第1電極と第2電極との間、および
前記第1電極または第2電極と前記有機溶媒に接触し前
記導電率変化膜の上方に配置された外部電極との間に、
それぞれ電圧を印加して、前記単分子状の導電率変化膜
の表面に、前記化合物の分子群の一部または全部が共役
結合されて導電ネットワークが形成されてなる被膜を形
成する工程を行う、ことを特徴とする3端子有機電子デ
バイスの製造方法。
52. The method for producing a three-terminal organic electronic device according to claim 35, wherein the polymerizable group capable of bonding through a conjugated bond is a pyrrole group and / or a phenylene group, which is an electropolymerizable functional group. In some cases, through the electrode forming step, the pretreatment step, the film forming step, the polymerization step, and the counter electrode forming step, after forming a monolayer-shaped conductivity changing film, the conductivity changing film is formed. Is immersed in an organic solvent in which a compound having a pyrrole group and / or a chenylene group and a polar functional group is dissolved, and between the first electrode and the second electrode, and between the first electrode and the first electrode. Between an electrode or a second electrode and an external electrode that is in contact with the organic solvent and is disposed above the conductivity changing film,
Applying a voltage, respectively, performing a step of forming a conductive film formed on the surface of the monomolecular conductivity change film by forming a conductive network in which some or all of the molecule groups of the compound are conjugated. A method for producing a three-terminal organic electronic device, comprising:
【請求項53】 請求項35または37に記載の3端
子有機電子デバイスの製造方法において、 前記共役結合で結合しうる重合性基が電解重合性の官能
基であるピロール基または/およびチェニレン基である
場合に、 前記電極形成工程、前処理工程、膜形成工程および対電
極形成工程を経由して、重合させる前の単分子膜を形成
した後、この単分子膜が形成されてなる基板を、ピロー
ル基または/およびチェニレン基と有極性の官能基とを
有する化合物を溶かした有機溶媒中に浸漬し、かつ、前
記第1電極と第2電極との間、および前記第1電極また
は第2電極と前記有機溶媒に接触し前記導電率変化膜の
上方に配置された外部電極との間に、それぞれ電圧を印
加して、前記単分子膜中の電解重合性の官能基同士を重
合反応により共役結合させて導電ネットワークを形成す
るとともに、前記単分子膜の表面に、前記化合物の分子
群の一部または全部が共役結合されて導電ネットワーク
が形成されてなる被膜を形成する工程を行うことを特徴
とする3端子有機電子デバイスの製造方法。
53. The method for producing a three-terminal organic electronic device according to claim 35 or 37, wherein the polymerizable group capable of bonding through a conjugate bond is a pyrrole group or / and a phenylene group, which is an electropolymerizable functional group. In some cases, through the electrode forming step, a pretreatment step, a film forming step and a counter electrode forming step, after forming a monomolecular film before polymerization, a substrate on which the monomolecular film is formed, Immersed in an organic solvent in which a compound having a pyrrole group and / or a chenylene group and a polar functional group is dissolved, and between the first electrode and the second electrode, and between the first electrode and the second electrode And a voltage between the external electrodes that are in contact with the organic solvent and are disposed above the conductivity changing film, and conjugate the electropolymerizable functional groups in the monomolecular film by a polymerization reaction. Joined Forming a conductive network on the surface of the monomolecular film by forming a conductive network in which a part or all of the molecular groups of the compound are conjugated to form a conductive network. A method for manufacturing a three-terminal organic electronic device.
【請求項54】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、
前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、かつ、そ
れぞれと絶縁された第3の電極とを備え、前記第3電極
は、第1電極または第2電極との間に電圧を印加するこ
とにより前記導電率変化膜に作用させる電界を制御する
電極であり、かつ、前記導電率変化膜は、有極性の官能
基を有する有機分子群のうちの一部または全部が共役結
合で連結されてなる導電ネットワークを有しており、か
つ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変化
膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機電子デ
バイスをスイッチ素子として用いた液晶表示装置を製造
する方法であって、 第1の基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス
状に配列配置され、かつ、その表面に第1の配向膜が形
成されたアレイ基板を作製する工程と、 第2の基板上に複数の色要素がマトリックス状に配列配
置され、かつ、その表面に第2の配向膜が形成されたカ
ラーフィルター基板を作製する工程と、 前記第1の配向膜と第2の配向膜とを内側にして前記ア
レイ基板と前記カラーフィルター基板とを所定の間隔で
向かい合わせ、両基板の間に液晶を充填し封止する工程
と、を備え、 前記アレイ基板を作製する工程は、 前記第1の基板の表面に、第3電極をマトリックス状に
形成する電極形成工程と、 前記第3電極が形成された基板表面の所定部分に活性水
素露出化処理を施して、その所定部分を、所定部分を除
く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にする前処理
工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しうる重
合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の所定
部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で固定
する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記第1の基板上に第1電極と第2電極とを形成する対
電極形成工程と、 前記第1電極と第2電極と第3電極と導電率変化膜とが
形成された基板上に第1の配向膜を形成する配向膜形成
工程と、を含んだ工程であることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
54. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode.
A conductivity change film that electrically connects the electrode and the second electrode;
A third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from the third electrode, wherein the third electrode applies a voltage between the first electrode and the second electrode; And an electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film, and the conductivity changing film is configured such that a part or all of the organic molecules having a polar functional group are connected by a conjugate bond. A liquid crystal display device using a three-terminal organic electronic device as a switch element, wherein the three-terminal organic electronic device has a conductive network formed in accordance with an electric field applied to the conductivity changing film. A method of manufacturing an array substrate in which a plurality of the switch elements are arranged in a matrix on a first substrate, and a first alignment film is formed on a surface thereof; 2 substrate Forming a color filter substrate in which a plurality of color elements are arranged in a matrix and a second alignment film is formed on the surface of the plurality of color elements; and the first alignment film and the second alignment film. Facing the array substrate and the color filter substrate at a predetermined interval on the inside, filling a liquid crystal between both substrates and sealing the two substrates, and the step of manufacturing the array substrate comprises: An electrode forming step of forming third electrodes in a matrix on the surface of the substrate, and performing an active hydrogen exposure treatment on a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrode is formed, and converting the predetermined portion to a predetermined portion A pre-treatment step of making the exposed active hydrogen density higher than that of the portion excluding the above; With polymerizable group A film forming step of causing the compound to react with the active hydrogen in the region by contacting the compound with the active hydrogen in the region to fix a group of organic molecules comprising the compound to a predetermined portion of the substrate surface by covalent bonding; A polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding of a part or all of them by a polymerization reaction; a counter electrode formation step of forming a first electrode and a second electrode on the first substrate; A liquid crystal display comprising: an alignment film forming step of forming a first alignment film on a substrate on which a first electrode, a second electrode, a third electrode, and a conductivity changing film are formed. Device manufacturing method.
【請求項55】 請求項54に記載の液晶表示装置の
製造方法において、 前記第1の基板として、表面に活性水素が露出していな
い表面絶縁性基板を用いる、ことを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
55. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 54, wherein a surface insulating substrate whose surface does not have active hydrogen exposed is used as the first substrate. Manufacturing method.
【請求項56】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、
前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、かつ、そ
れぞれと絶縁された第3の電極とを備え、前記第3電極
は、第1電極または第2電極との間に電圧を印加するこ
とにより前記導電率変化膜に作用させる電界を制御する
電極であり、かつ、前記導電率変化膜は、有極性の官能
基を有する有機分子群のうちの一部または全部が共役結
合で連結されてなる導電ネットワークを有しており、か
つ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変化
膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機電子デ
バイスをスイッチ素子として用いた液晶表示装置の製造
方法であって、 第1の基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス
状に配列配置され、かつ、その表面に第1の配向膜が形
成されたアレイ基板を作製する工程と、 第2の基板上に複数の色要素がマトリックス状に配列配
置され、かつ、その表面に第2の配向膜が形成されたカ
ラーフィルター基板を作製する工程と、 前記第1の配向膜と第2の配向膜とを内側にして前記ア
レイ基板と前記カラーフィルター基板とを所定の間隔で
向かい合わせ、両基板の間に液晶を充填し封止する工程
と、を備え、 前記アレイ基板を製造する工程は、 前記第1の基板の表面に第3電極をマトリックス状に形
成する電極形成工程と、 前記第3電極が形成された基板表面の所定部分を除く部
分に活性水素除去処理を施して、所定部分を、その所定
部分を除く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にす
る前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しうる重
合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の所定
部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で固定
する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記第1の基板上に第1電極と第2電極とを形成する対
電極形成工程と、 前記第1電極と第2電極と第3の電極と導電率変化膜と
が形成された基板上に第1の配向膜を形成する配向膜形
成工程と、を含んだ工程であることを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
56. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode.
A conductivity change film that electrically connects the electrode and the second electrode;
A third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from the third electrode, wherein the third electrode applies a voltage between the first electrode and the second electrode; And an electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film, and the conductivity changing film is configured such that a part or all of the organic molecules having a polar functional group are connected by a conjugate bond. A liquid crystal display device using a three-terminal organic electronic device as a switch element, wherein the three-terminal organic electronic device has a conductive network formed in accordance with an electric field applied to the conductivity changing film. A method of manufacturing an array substrate having a plurality of switch elements arranged in a matrix on a first substrate and having a first alignment film formed on a surface thereof; On the board Producing a color filter substrate in which a number of color elements are arranged in a matrix and a second alignment film is formed on the surface thereof, and the first alignment film and the second alignment film are arranged inside. Facing the array substrate and the color filter substrate at a predetermined interval, and filling and sealing a liquid crystal between the two substrates, and the step of manufacturing the array substrate comprises: An electrode forming step of forming a third electrode in a matrix on the surface of the substrate; and performing an active hydrogen removal treatment on a portion except for a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrode is formed, thereby forming a predetermined portion into the predetermined portion. A pre-treatment step of making the exposed active hydrogen density higher than that of the portion excluding the above, and a functional group capable of reacting with active hydrogen and a polar functional group can be bonded to the area having a higher exposed active hydrogen density by a conjugate bond. With a polymerizable group A film forming step of causing the compound to react with the active hydrogen in the region by contacting the compound to form a group of organic molecules comprising the compound by a covalent bond on a predetermined portion of the substrate surface; A polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding of a part or all of them by a polymerization reaction; a counter electrode formation step of forming a first electrode and a second electrode on the first substrate; A step of forming an alignment film for forming a first alignment film on a substrate on which the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the conductivity change film are formed, A method for manufacturing a display device.
【請求項57】 請求項56に記載の液晶表示装置の
製造方法において、 前記第1の基板として、表面に活性水素が露出した表面
絶縁性基板を用いる、ことを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
57. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 56, wherein a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface is used as the first substrate. Method.
【請求項58】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、
前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、かつ、そ
れぞれと絶縁された第3の電極とを備え、前記第3電極
は、第1電極または第2電極との間に電圧を印加するこ
とにより前記導電率変化膜に作用させる電界を制御する
電極であり、かつ、前記導電率変化膜は、有極性の官能
基を有する有機分子群のうちの一部または全部が共役結
合で連結されてなる導電ネットワークを有しており、か
つ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変化
膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機電子デ
バイスをスイッチ素子として用いたエレクトロルミネッ
センス型表示装置の製造方法であって、 基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス状に配
列配置するアレイ基板を作製する工程と、 前記アレイ基板上に、電圧の印加により発光する蛍光物
質からなる発光層を形成する工程と、 前記発光層上に共通電極膜を形成する工程と、を備え、 前記アレイ基板を作製する工程は、 前記基板の表面に第3電極をマトリックス状に形成する
電極形成工程と、 前記第3電極が形成された基板表面の所定部分に活性水
素露出化処理を施して、その所定部分を、所定部分を除
く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にする前処理
工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しうる重
合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の所定
部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で固定
する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形
成工程と、を含んだ工程であることを特徴とするエレク
トロルミネッセンス型表示装置の製造方法。
58. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and the first electrode.
A conductivity change film that electrically connects the electrode and the second electrode;
A third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from the third electrode, wherein the third electrode applies a voltage between the first electrode and the second electrode; And an electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film, and the conductivity changing film is configured such that a part or all of the organic molecules having a polar functional group are connected by a conjugate bond. An electroluminescence type using a three-terminal organic electronic device as a switching element, wherein the electroconductive network has a conductive network formed as a switching element, and the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. A method for manufacturing a display device, comprising: a step of producing an array substrate in which a plurality of the switch elements are arranged in a matrix on a substrate; and a step of applying a voltage to the array substrate to emit light. Forming a common electrode film on the light emitting layer; and forming a third electrode on the surface of the substrate in the form of a matrix. Forming an active hydrogen on a predetermined portion of the substrate surface on which the third electrode is formed, and exposing the predetermined portion to a region having a higher exposed active hydrogen density than a portion excluding the predetermined portion. A pretreatment step to make the exposed active hydrogen density high region contact a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a polymerizable group capable of bonding with a polar functional group and a conjugate bond, Reacting the compound with active hydrogen in the region to fix a group of organic molecules comprising the compound to a predetermined portion of the substrate surface by covalent bonding; and a part or all of the group of organic molecules The polymerization reaction An electroluminescence type display, comprising: a polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding with each other, and a counter electrode forming step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate. Device manufacturing method.
【請求項59】 請求項58に記載のエレクトロルミ
ネッセンス型表示装置の製造方法において、 前記基板として、表面に活性水素が露出していない表面
絶縁性基板を用いる、ことを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス型表示装置の製造方法。
59. The method of manufacturing an electroluminescent display device according to claim 58, wherein a surface insulating substrate having no active hydrogen exposed on the surface is used as the substrate. Device manufacturing method.
【請求項60】 基板上に形成された、第1の電極
と、前記第1の電極と離隔した第2の電極と、前記第1
電極と第2電極とを電気的に接続する導電率変化膜と、
前記基板と前記導電率変化膜との間に挟まれ、かつ、そ
れぞれと絶縁された第3の電極とを備え、前記第3電極
は、第1電極または第2電極との間に電圧を印加するこ
とにより前記導電率変化膜に作用させる電界を制御する
電極であり、かつ、前記導電率変化膜は、有極性の官能
基を有する有機分子群のうちの一部または全部が共役結
合で連結されてなる導電ネットワークを有しており、か
つ、前記導電ネットワークの導電率は、前記導電率変化
膜に印加される電界に応じて変化する3端子有機電子デ
バイスをスイッチ素子として用いたエレクトロルミネッ
センス型表示装置の製造方法であって、 基板上に複数の前記スイッチ素子がマトリックス状に配
列配置するアレイ基板を製造する工程と、 前記アレイ基板上に、電圧の印加により発光する蛍光物
質からなる発光層を形成する工程と、 前記発光層上に共通電極膜を形成する工程と、を備え、 前記アレイ基板を製造する工程は、 前記基板の表面に第3電極をマトリックス状に形成する
電極形成工程と、 前記第3電極が形成された基板表面の所定部分を除く部
分に活性水素除去処理を施して、所定部分を、その所定
部分を除く部分よりも露出活性水素密度が高い領域にす
る前処理工程と、 前記露出活性水素密度が高い領域に、活性水素に反応し
うる官能基と有極性の官能基と共役結合で結合しうる重
合性基とを有する化合物を接触させて、この化合物と上
記領域内の活性水素とを反応させ、前記基板表面の所定
部分に前記化合物からなる有機分子群を共有結合で固定
する膜形成工程と、 前記有機分子群のうちの一部または全部を重合反応によ
り共役結合させて導電ネットワークを形成する重合工程
と、 前記基板上に第1電極と第2電極とを形成する対電極形
成工程と、を含んだ工程であることを特徴とするエレク
トロルミネッセンス型表示装置の製造方法。
60. A first electrode formed on a substrate, a second electrode separated from the first electrode, and
A conductivity change film that electrically connects the electrode and the second electrode;
A third electrode sandwiched between the substrate and the conductivity change film and insulated from the third electrode, wherein the third electrode applies a voltage between the first electrode and the second electrode; And an electrode for controlling an electric field applied to the conductivity changing film, and the conductivity changing film is configured such that a part or all of the organic molecules having a polar functional group are connected by a conjugate bond. An electroluminescence type using a three-terminal organic electronic device as a switching element, wherein the electroconductive network has a conductive network formed as a switching element, and the conductivity of the conductive network changes according to an electric field applied to the conductivity changing film. A method for manufacturing a display device, comprising: a step of manufacturing an array substrate in which a plurality of the switch elements are arranged in a matrix on a substrate; and a step of applying a voltage to the array substrate to emit light. Forming a common electrode film on the light emitting layer; and forming a third electrode on the surface of the substrate in a matrix. Forming an active hydrogen removal process on a portion of the substrate surface excluding a predetermined portion on which the third electrode is formed, so that the predetermined portion has an exposed active hydrogen density higher than that of the portion excluding the predetermined portion. A pretreatment step to make the region a high region, and contacting the region having a high active hydrogen density with a compound having a functional group capable of reacting with active hydrogen and a polymerizable group capable of bonding with a polar functional group and a conjugate bond. Reacting the compound with active hydrogen in the region to fix a group of organic molecules comprising the compound to a predetermined portion of the surface of the substrate by covalent bonding. Or all Electroluminescence, comprising: a polymerization step of forming a conductive network by conjugate bonding by a polymerization reaction; and a counter electrode formation step of forming a first electrode and a second electrode on the substrate. Method for manufacturing a type display device.
【請求項61】 請求項60に記載のエレクトロルミ
ネッセンス型表示装置の製造方法において、 前記基板として、表面に活性水素が露出した表面絶縁性
基板を用いる、ことを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス型表示装置の製造方法。
61. The method of manufacturing an electroluminescence display device according to claim 60, wherein a surface insulating substrate having active hydrogen exposed on the surface is used as the substrate. Production method.
【請求項62】 請求項58または60に記載のエレ
クトロルミネッセンス型表示装置の製造方法において、 前記発光層を形成する工程で、赤、青、または緑色の光
を発光する3種類の発光物質を所定の位置に形成し、カ
ラー表示させることを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス型カラー表示装置の製造方法。
62. The method of manufacturing an electroluminescent display device according to claim 58, wherein in the step of forming the light emitting layer, three kinds of light emitting substances that emit red, blue, or green light are specified. A method for manufacturing an electroluminescent color display device, wherein the color display is formed at a position indicated by (1).
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