JP2002110894A - Circuit package - Google Patents
Circuit packageInfo
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- JP2002110894A JP2002110894A JP2000290229A JP2000290229A JP2002110894A JP 2002110894 A JP2002110894 A JP 2002110894A JP 2000290229 A JP2000290229 A JP 2000290229A JP 2000290229 A JP2000290229 A JP 2000290229A JP 2002110894 A JP2002110894 A JP 2002110894A
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-
- H10W72/5522—
-
- H10W90/722—
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージモジュールの体格が小さな回路パ
ッケージを提供する。
【解決手段】 ベース211である導線帯、親チップ2
2および子チップ23から構成され、親チップ22は扁
平パッケージング方式によりベース211上に貼り付け
られ、突起を有する子チップ23がフリップチップ方式
により親チップ22およびベース211上に同時に貼り
付けられ、親チップ22と子チップ23とが重なる。し
たがって、親チップ22および子チップ23により組成
されたパッケージの高さは3層の基板の総厚さよりも薄
くなるように構成される。
(57) [Problem] To provide a circuit package having a small package module. A conductive strip serving as a base 211 and a parent chip 2 are provided.
2 and the child chip 23, the parent chip 22 is adhered on the base 211 by a flat packaging method, and the child chip 23 having a projection is simultaneously adhered on the parent chip 22 and the base 211 by a flip chip method, The parent chip 22 and the child chip 23 overlap. Therefore, the height of the package composed of the parent chip 22 and the child chip 23 is smaller than the total thickness of the three-layer substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パッケージに
関する。[0001] The present invention relates to a circuit package.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路(Integrated Circuit,I
C)のパッケージングに関する進歩は一般にICの設計お
よび製造に従って進歩する。IC技術の発展に伴い、集積
度は逐次高まり、導体の出入部の差し脚数(信号、電
源、アース)も増加し、かつより多くの機能が1枚のチ
ップに統合され、チップのサイズは縮小する傾向であ
る。そのために伝統的エレクトロニックスのパッケージ
ング技術は先進的ICのニーズを満足することができな
く、各メーカーは続々とより適切なパッケージング技
術、例えばフリップチップ(flip tip)技術、ボールグ
リッドアレー(Ball Grid Array,BGA)、チップサイズ
パッケージ(Chip Size/Scale Package,CSP)、マルチ
チップモジュール(Multi Chip Module )などを採用し
ている。2. Description of the Related Art Integrated circuits (ICs)
Advances in packaging C) generally progress with IC design and manufacturing. With the development of IC technology, the degree of integration has been gradually increased, the number of legs (signal, power supply, ground) at the entrance and exit of the conductor has also increased, and more functions have been integrated into one chip, and the size of the chip has been reduced. It tends to shrink. As a result, traditional electronics packaging technologies are unable to meet the needs of advanced ICs, and manufacturers are successively applying more appropriate packaging technologies, such as flip chip technology, ball grid array (Ball grid array). It employs a Grid Array, BGA), a chip size package (Chip Size / Scale Package, CSP), and a multi-chip module.
【0003】また、処理速度を上げるため、メーカーは
実際製作において組み合わせパッケージを採用し、図1
に示すようにベース11,例えば導線枠110上にまず
親チップ12を貼り付け、金線121によりワイヤボン
ディングして親チップ12と導線枠110を導通させ、
つづいてフリップチップ技術により親チップ12の頂層
に別の子チップ13を覆い被せ、最後は合成樹脂(Mold
ing Compound)14により全体を1つのモジュールにパ
ッケージングする。Further, in order to increase the processing speed, manufacturers adopt a combination package in actual production, and FIG.
As shown in (1), the parent chip 12 is first adhered on the base 11, for example, the conductor frame 110, and wire bonding is performed by the gold wire 121 to make the parent chip 12 and the conductor frame 110 conductive.
Subsequently, another child chip 13 is covered on the top layer of the parent chip 12 by the flip chip technique, and finally the synthetic resin (Mold
The whole is packaged into one module by the ing compound (14).
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述の組み合わせパッ
ケージングは信号の変換速度を適度に改善することがで
きるが、全体的パッケージモジュールが大き過ぎて、金
線を底廻路(Loop)のキーイング設計を採用しても容積
はあまりにも腫れ上がってしまい、厚さがポータブル式
電子製品の軽、薄、短、小および省エネのニーズに合致
することができない。Although the combination packaging described above can moderately improve the conversion speed of the signal, the overall package module is too large and the gold wire has a loop keying design. However, the volume is too swollen, and the thickness cannot meet the light, thin, short, small and energy-saving needs of portable electronic products.
【0005】したがって、本発明の主な目的は、パッケ
ージモジュールの体格が小さな回路パッケージを提供す
ることにある。Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a circuit package having a small package module.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明の請求項1に記載の回路パッケージによる
と、ベース、親チップおよび子チップから構成され、ベ
ースに親チップおよび子チップが載置されている。親チ
ップは表面貼り付けの扁平パッケージング方式によりベ
ース上に貼り付けられる。突起を有する子チップがフリ
ップチップ方式により親チップおよびベース上に同時に
貼り付けられ、親チップと子チップとが重なる構造にな
る。したがって、信号の伝達速度が加速され、パッケー
ジングの体格とくに高さを有効に小型化することをでき
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a circuit package comprising a base, a parent chip, and a child chip, and the base chip includes the parent chip and the child chip. It is placed. The parent chip is attached on the base by a flat packaging method of surface attachment. The child chip having the projection is simultaneously attached to the parent chip and the base by the flip chip method, so that the parent chip and the child chip overlap. Therefore, the signal transmission speed is accelerated, and the size of the packaging, particularly the height, can be effectively reduced.
【0007】本発明の請求項2記載の回路パッケージに
よると、ベースが導線枠により形成されている。本発明
の請求項3記載の回路パッケージによると、ベースが積
層回路板の基板により形成されている。According to the circuit package of the second aspect of the present invention, the base is formed by a conductor frame. According to the circuit package of the third aspect of the present invention, the base is formed by the substrate of the laminated circuit board.
【0008】本発明の請求項4記載の回路パッケージに
よると、まず低層の基板に第二層基板を重ね、第二層の
基板に親チップを貼り付けるための透し孔が設けられて
いる。つづいて第二層基盤と同様の箇所に透し孔を有す
る最上層の基板が敷かれる。各基板層は階段形断面に組
成され、親チップは低層の基板に貼り付けられている。
フリップチップ技術により子チップが親チップの上に貼
り付けられ、子チップは外周に設けられている突起によ
り第二層基板に貼り付けられる。最低層基板、親チップ
および子チップにより組成されたパッケージの高さはそ
の3層で組み合わせた基板の総厚さよりも低い多層組み
合わせ式基板となるように形成されている。According to the circuit package of the fourth aspect of the present invention, first, the second layer substrate is overlaid on the lower layer substrate, and the second layer substrate is provided with a through hole for attaching the parent chip. Subsequently, the uppermost layer substrate having a through hole is laid at the same place as the second layer substrate. Each substrate layer is composed of a step-shaped cross section, and the parent chip is attached to a lower layer substrate.
The child chip is attached to the parent chip by flip chip technology, and the child chip is attached to the second layer substrate by a protrusion provided on the outer periphery. The height of the package composed of the lowest layer substrate, the parent chip, and the child chip is lower than the total thickness of the substrate composed of the three layers, so that a multilayer combination substrate is formed.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示す
実施例を図面に基づいて説明する。図2は本発明の一実
施例による回路パッケージを示している。それは主にベ
ース、貼り付けチップおよびフリップチップから組み合
わせられている。ベースは導線帯(Lead frame)211
であって各チップを受け乗せる基礎となり、表面に貼り
付けるフラットパッケージ(Flat Package)方式をもっ
て親チップ22が貼り付けられている。さらに突起がで
きている子チップ23がフリップチップ方式をもって親
チップ22上に貼り付けられている。同時に導線枠21
1上に跨って貼り付けられるようにし、導線枠211の
ベース21、親チップ22、別の子チップ23を重ね合
わすようにパッケージングする。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 shows a circuit package according to one embodiment of the present invention. It is mainly combined from base, glued chip and flip chip. Base is lead frame 211
Thus, the parent chip 22 is adhered in a flat package (Flat Package) method, which is a basis for receiving each chip. Further, a child chip 23 having a projection is attached on the parent chip 22 by a flip chip method. At the same time, the wire frame 21
1 and is packaged so that the base 21, the parent chip 22, and another child chip 23 of the wire frame 211 are overlapped.
【0010】また、上述のベース211は図3に示すよ
うに、別の方式での実施も可能である。ベース31は基
板(substrate)311の形式で、一般にはポリイミド
(Polyimide film)、積層回路板(Caminate)等の方式
があり、チップを受け乗せる基礎となる。基板の対外の
電気接続用錫ボール(Solden Ball)25は基板の底部
に植え付けられている。[0010] Further, as shown in FIG. 3, the above-mentioned base 211 can be embodied in another system. The base 31 is in the form of a substrate 311, and generally includes a polyimide (Polyimide film), a laminated circuit board (Caminate), and the like, and serves as a base for receiving chips. Solder balls 25 for electrical connection outside the substrate are implanted at the bottom of the substrate.
【0011】本実施例のベースは多層式の基板411に
も使用可能である。図4に示すように、まず第一層の基
板4111を最低層に敷き、さらに必要によって基板4
112を重ねる。第二層の基板4112には予め親チッ
プ42を貼り付けるための透し孔が残されている。次に
最上層の基板4113を敷く。この基板4113には同
じ個所に透し孔が形成されている。各基板4111、4
112および4113は階級形断面を呈する。親チップ
42は最低層に貼り付けられ、さらに親チップ42の上
側と基板411の間に埋めのり44を塗布されている。
フリップチップ技術をもって子チップ42が親チップの
上層に貼り付けられ、かつ子チップ43は外周の突起4
31をもって第二層の基板4112に貼り付けられてい
る。最低層の基板4111、親チップ42、子チップ4
3から組成されるパッケージの高さとその3層から組成
された基板の厚さは錫ボールの高さより高くならず、頂
層の基板4113の対外電気連接は錫球45をもって頂
層基板の頂面に布植される。The base of this embodiment can also be used for a multilayer substrate 411. As shown in FIG. 4, first, a substrate 4111 of the first layer is laid on the lowest layer, and
Stack 112. A through-hole for attaching the parent chip 42 is left in the second layer substrate 4112 in advance. Next, the uppermost substrate 4113 is laid. In this substrate 4113, a through hole is formed in the same place. Each substrate 4111, 4
112 and 4113 exhibit a class-shaped cross section. The parent chip 42 is attached to the lowest layer, and a filling 44 is applied between the upper side of the parent chip 42 and the substrate 411.
The child chip 42 is attached to the upper layer of the parent chip by flip chip technology, and the child chip 43 is
31 is attached to the second layer substrate 4112. Lowest layer substrate 4111, parent chip 42, child chip 4
The height of the package composed of No. 3 and the thickness of the substrate composed of the three layers are not higher than the height of the tin ball. Planted.
【図1】従来の回路パッケージを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conventional circuit package.
【図2】本発明の一実施例による回路パッケージを示す
断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a circuit package according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の一実施例による回路パッケージを示す
断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a circuit package according to an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の一実施例による回路パッケージを示す
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a circuit package according to an embodiment of the present invention.
22 親チップ 23 子チップ 25 電気接続用錫ボール 31 ベース 42 親チップ 43 子チップ 44 埋めのり 45 錫球 211 導線帯 311 基板 411 多層式基板 431 突起 4111 第1層基板 4112 第2層基板 4113 第3層基板 22 Parent chip 23 Child chip 25 Tin ball for electrical connection 31 Base 42 Parent chip 43 Child chip 44 Filling paste 45 Tin ball 211 Conductive band 311 Substrate 411 Multilayer type substrate 431 Projection 4111 First layer substrate 4112 Second layer substrate 4113 Third layer Layer substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蒋 華文 台湾高雄市三民区昌富街57号3樓之2 (72)発明者 張 衷銘 台湾嘉義県布袋鎭見龍里109号 (72)発明者 ▲余▼ 豊昌 台湾高雄県鳥松郷中正路367之9号 (72)発明者 黄 富裕 台湾高雄市新興区光耀里22鄰渤海街29号 (72)発明者 張 軒睿 台湾高雄市前鎭区中山二路55巷35号 (72)発明者 胡 嘉傑 台湾高雄市楠梓区後昌路546巷11弄12号之 5 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Chiang Hua Wen, No.3, No. 57, Changfu Street, Sanmin District, Kaohsiung City, Taiwan ▲ Yo ▼ Fengchang 367-9, Zhongzheng Road, Torimatsu-go, Kaohsiung, Taiwan No. 35, Zhongshan 2nd Road 55, District 72 (72) Inventor 5
Claims (4)
成され、前記ベースは前記親チップおよび前記子チップ
が載置される基礎となり、 前記親チップは表面貼り付けの扁平パッケージング方式
により前記ベース上に貼り付けられ、 突起が形成されている前記子チップはフリップチップ方
式により前記親チップ上ならびに前記ベースを跨ぐよう
に貼り付けられ、前記ベース、前記親チップおよび前記
子チップが積層されてパッケージングが形成されている
ことを特徴とする回路パッケージ。1. A base, a parent chip and a child chip, wherein the base is a base on which the parent chip and the child chip are mounted, and the parent chip is provided on the base by a flat packaging method of surface bonding. The child chip on which the projection is formed is adhered on the parent chip and across the base by a flip chip method, and the base, the parent chip, and the child chip are stacked and packaged. A circuit package comprising:
いることを特徴とする請求項1記載の回路パッケージ。2. The circuit package according to claim 1, wherein said base is formed by a conductive wire frame.
形成されていることを特徴とする請求項1記載の回路パ
ッケージ。3. The circuit package according to claim 1, wherein said base is formed by a substrate of a laminated circuit board.
から構成され、底層の基板と、前記底層の基板に重ねら
れ前記親チップを貼り付けるための透し孔が形成されて
いる第二層の基板と、前記第二層の基板の透し孔と対応
する位置に透し孔が形成され前記第二層の基板上に載置
される最上層の基板とを有し、前記底層の基板、前記第
二層の基板および前記最上層の基板は階段状に積層さ
れ、前記親チップは前記底層の基板に貼り付けられ、前
記子チップは前記親チップの上方にフリップチップ技術
により貼り付けられ、前記子チップは前記突起により前
記第二層の基板に貼り付けられていることを特徴とする
請求項1記載の回路パッケージ。4. The base according to claim 1, wherein the base is composed of a multi-layer combination substrate, and has a bottom layer substrate and a second layer formed on the bottom layer substrate and having a through hole for attaching the parent chip. A substrate, having a top hole substrate formed on the second layer substrate and having a through hole formed at a position corresponding to the through hole of the second layer substrate, the bottom layer substrate; The substrate of the second layer and the substrate of the uppermost layer are laminated stepwise, the parent chip is attached to the substrate of the bottom layer, the child chip is attached above the parent chip by flip chip technology, 2. The circuit package according to claim 1, wherein the child chip is attached to the second layer substrate by the protrusion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290229A JP2002110894A (en) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | Circuit package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290229A JP2002110894A (en) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | Circuit package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110894A true JP2002110894A (en) | 2002-04-12 |
Family
ID=18773488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000290229A Pending JP2002110894A (en) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | Circuit package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110894A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8748229B2 (en) | 2008-06-11 | 2014-06-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method including deformation of supporting board to accommodate semiconductor device |
| US8981574B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000290229A patent/JP2002110894A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8748229B2 (en) | 2008-06-11 | 2014-06-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method including deformation of supporting board to accommodate semiconductor device |
| US8981574B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
| US9633973B2 (en) | 2012-12-20 | 2017-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
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| Date | Code | Title | Description |
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