JP2002101261A - 画像読み取り装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Abstract
した画像読み取り装置を提供する。 【解決手段】 フォトダイオードの信号を出力回路Hで
囲まれた部分に伝送する出力ラインとして、フォトダイ
オードPD1、…、PDkから成るグループに対してはラ
インL1を、フォトダイオードPDk+1、…、PDnから
成るグループに対してはラインL2をそれぞれ設けると
ともに、これらの2つのラインL1及びL2のいずれか
一方を選択して出力回路に接続するためのスイッチS1
及びS2を設ける。
Description
のような光学情報を電気信号に変換する画像読み取り装
置に関するものである。
に、画像読み取りを行うためのICチップK1、K2、
…、Kmを不図示の印刷配線ボート上に一列に配置実装
して成る。これらの各ICチップK1、K2、…、Kmか
ら光電変換信号が順次出力され、A/D変換器100で
デジタル信号に変換されて出力端子200から外部へ出
力される。各チップK1、K2、…、Kmの構成は同一で
あり、その従来の回路構成を図4を用いて説明する。
1、PD2、…、PDnのアノードはグランドに接続され
ており、一方、カソードはそれぞれ増幅用のpチャネル
のMOS型FETA1、A2、…、Anのゲートに接続さ
れている。トランジスタA1、A2、…、Anのソースに
はそれぞれ定電流源I1、I2、…、Inから一定の電流
が供給されている。トランジスタA1、A2、…、Anの
ドレインはグランドに接続されている。
安定して出力する。バイアス電圧供給回路2から出力さ
れる電圧(以下、「バイアス電圧」と称する)は、スイ
ッチング用のpチャネルのMOS型FETB1、B2、
…、Bnのドレイン−ソース間を介してそれぞれフォト
ダイオードPD1、PD2、…、PDnのカソードに印加
される。
x(x=1、2、…、n)が所定時間以上にわたってO
Nすると、フォトダイオードPDxには逆方向にバイア
ス電圧が印加され、所定量の電荷が蓄積される。尚、以
下において、このことを「フォトダイオードPDxが初
期化される」と称する。
に切り換わると、フォトダイオードPDxの初期化が解
除され、蓄積された電荷が入射光に応じて放電すること
により電流が流れるので、フォトダイオードPDxは入
射光に応じた電圧を示すことになる。
より、フォトダイオードPDxのカソード側の電圧信号
(以下、単に、「フォトダイオードPDxの信号」と称
する)が、トランジスタAxで構成されたソースフォロ
ワ回路により増幅された後、出力回路51により更なる
増幅や波形整形などの処理がなされて端子TOUTから外
部へ出力される(以下、このことを、「フォトダイオー
ドPDxの信号が読み出される」と称する)。
D1、PD2、…、PDnの信号が順次出力されるよう
に、トランジスタCxを制御するとともに、フォトダイ
オードPDxの信号が読み出される毎に、フォトダイオ
ードPDxが一旦初期化されるように、トランジスタBx
を制御する。
構成では、各フォトダイオードPD1、PD2、…、PD
nの信号を出力回路51に伝送する出力ラインLを数1
0〜数100個の全てのフォトダイオードに対して共通
に設けていたため、出力ラインLが長くなり、これによ
り、配線長が長いほど、配線抵抗及び配線容量が大きく
なって時定数が大きくなることから、動作周波数が制限
されてしまっていた。
ることができるようにした画像読み取り装置を提供する
ことを目的とする。
め、本発明では、各々が遮光されていない光電変換素子
である複数の読み取り用の光電変換素子と、該複数の読
み取り用の光電変換素子で得られた光電変換信号を順番
に選択する信号用選択回路と、該信号用選択回路で選択
された信号を処理して出力する出力回路と、を備えた画
像読み取り装置において、前記読み取り用の各光電変換
素子を複数のグループに分類し、前記信号用選択回路で
選択された信号を前記出力回路に伝送する信号用出力ラ
インを各グループ毎に設けるとともに、該複数の信号用
出力ラインのいずれか1つを選択して前記出力回路に接
続する信号用出力ライン切り替え回路を設けている。こ
の構成により、出力ラインを短くすることができるよう
になる。
を参照しながら説明する。本発明の一実施形態である画
像読み取り装置を構成する各ICチップの回路構成を図
1を用いて説明する。
1、…、PDn、PD1’、…、PDn’のアノードはグラ
ンドに接続されており、一方、それらのカソードはそれ
ぞれ増幅用のpチャネルのMOS型FETA1、…、
An、A1’、…、An’のゲートに接続されている。
Dn’は遮光されており、画像の読み取りには関与しな
いものであり、以下の説明において適宜「ダミーのフォ
トダイオード」と称する。これに対して、フォトダイオ
ードPD1、…、PDnは遮光されておらず、画像を読み
取るためのものであり、以下の説明において適宜「読み
取り用のフォトダイオード」と称する。
An’のソースにはそれぞれpチャネルのMOS型FE
TD1、…、Dn、D1’、…、Dn’のドレイン−ソース
間を介して電源電圧に接続されている。尚、トランジス
タD1、…、Dn、D1’、…、Dnのゲートはグランドに
接続されており、トランジスタA1、…、An、A1’、
…、An’のソースには一定の電流が供給される。
An’のドレインはそれぞれnチャネルのMOS型FE
TE1、…、En、E1’、…、Enのドレイン−ソース間
を介してグランドに接続されている。尚、最初の読み取
り用のフォトダイオードPD1の信号を読み出す直前か
ら最後のフォトダイオードPDnの信号の読み出しを完
了するまでの間のみ、トランジスタE1、…、En、
E1’、…、EnがONするように、ロジック回路1によ
って制御することによって、消費電力を低減させてい
る。
ら出力される安定した直流電圧)は、スイッチング用の
pチャネルのMOS型FETB1、…、Bn、B1’、
…、Bn’のドレイン−ソース間を介してそれぞれフォ
トダイオードPD1、…、PDn、PD1’、…、PDn’
のカソードに印加される。トランジスタB1、…、Bn、
B 1’、…、Bn’のゲートにはそれぞれシフトレジスタ
3の端子M1、…、Mn、M 1’、…、Mn’から出力され
る信号が与えられている。
ぞれスイッチング用のpチャネルのMOS型FET
C1、…、Ckのドレイン−ソース間を介して第1の出力
ラインL1に共通に接続されている。また、トランジス
タAk+1、…、Anのソースはそれぞれスイッチング用の
pチャネルのMOS型FETCk+1、…、Cnのドレイン
−ソース間を介して第2の出力ラインL2に共通に接続
されている。そして、第1の出力ラインL1、第2の出
力ラインL2はそれぞれ第1の出力ライン切り替え用ス
イッチS1、第2の出力ライン切り替え用スイッチS2
を介してnチャネルのMOS型FET4−1のゲートに
共通に接続されている。
それぞれスイッチング用のpチャネルのMOS型FET
C1’、…、Ck’のドレイン−ソース間を介して第3の
出力ラインL3に共通に接続されている。また、トラン
ジスタAk+1’、…、An’のソースはそれぞれスイッチ
ング用のpチャネルのMOS型FETCk+1’、…、
Cn’のドレイン−ソース間を介して第4の出力ライン
L4に共通に接続されている。そして、第3の出力ライ
ンL3、第4の出力ラインL4はそれぞれ第3の出力ラ
イン切り替え用スイッチS3、第4の出力ライン切り替
え用スイッチS4を介してnチャネルのMOS型FET
4−2のゲートに共通に接続されている。
切り替え用スイッチS1、S2、S3、S4は、例えば
pチャネルのMOS型FETで構成されており、ロジッ
ク回路1によって後述するようにON/OFFが制御さ
れる。
Cn’のゲートにはそれぞれシフトレジスタ3の端子
O1、…、On、O1’、…、On’から出力される信号が
与えられている。トランジスタ4−1、4−2のソース
はそれぞれ定電流源5−1、5−2を介してグランドに
接続されている。トランジスタ4−1、4−2のドレイ
ンは電源電圧に接続されている。
幅器の出力を反転入力端子(−)に帰還した構成であ
り、バッファアンプ6−1、6−2の入力側(演算増幅
器の非反転入力端子(+))はそれぞれトランジスタ4
−1、4−2のソースに接続されている。
PDx(x=1、2、…、n)の信号はそれぞれトラン
ジスタAxを用いて構成されたソースフォロワ回路及び
トランジスタ4−1を用いて構成されたソースフォロワ
回路を介してバッファアンプ6−1に入力されている。
また、ダミーのフォトダイオードPDx’の信号はトラ
ンジスタAx’を用いて構成されたソースフォロワ回路
及びトランジスタ4−2を用いて構成されたソースフォ
ロワ回路を介してバッファアンプ6−2に入力されてい
る。
器の出力端子)は抵抗R1を介して演算増幅器7の反転
入力端子(−)に、バッファアンプ6−2の出力側は抵
抗R 2を介して演算増幅器7の非反転入力端子(+)
に、それぞれ接続されている。
は、ICチップの端子TREFに外部から入力される直流
の基準電圧が抵抗R3を介して印加されている。演算増
幅器7の出力端子は、抵抗R4を介して演算増幅器7の
反転入力端子(−)に接続されるとともに、演算増幅器
8の非反転入力端子(+)に接続されている。
抵抗R5を介して演算増幅器8の出力端子が接続されて
いるとともに、端子TREFに外部から入力される基準電
圧が抵抗R6を介して印加されている。
転入力端子(−)に帰還した構成であり、バッファアン
プ9の入力側には、コンデンサ10を介して演算増幅器
8の出力端子が接続されるとともに、外部から基準電圧
を入力するための端子TREFとグランドとの間に直列に
接続された抵抗R7、R8同士の接続点にスイッチ11を
介して接続されている。
イッチで構成されており、最初の読み取り用のフォトダ
イオードPD1の信号を読み出す前に所定の期間だけO
Nするように、ロジック回路1によって制御される。
介してICチップの端子TOUTから外部に出力される。
尚、スイッチ12は、例えばアナログスイッチで構成さ
れており、最初の読み取り用のフォトダイオードPD1
の信号を読み出す直前から最後のフォトダイオードPD
nの信号の読み出しを完了するまでの間のみONするよ
うに、ロジック回路1によって制御される。
CLKに外部から入力されるクロック信号CLK、及び、
ICチップの端子TSIに外部から入力されるスタートト
リガ信号STとを入力している。尚、各ICチップに入
力されるクロック信号CLKは共通である。そして、ロ
ジック回路1は、入力するクロック信号CLKとスター
トトリガ信号STとに基づいて、トランジスタEx、並
びに、スイッチ11及び12を前述したように制御す
る。
用のフォトダイオードPD1の信号の読み出しを開始す
る前に、すなわち、後出する図2中の時刻t3までに、
それぞれ第1の出力ライン切り替え用スイッチS1をO
N、第2の出力ライン切り替え用スイッチS2をOF
F、第3の出力ライン切り替え用スイッチS3をON、
第4の出力ライン切り替え用スイッチS4をOFFにす
るとともに、フォトダイオードPDkの信号の読み出し
期間の後半、すなわち、後出する図2中の時刻t2 k+2か
らt2k+3までに、それぞれ第1の出力ライン切り替え用
スイッチS1をOFF、第2の出力ライン切り替え用ス
イッチS2をON、第3の出力ライン切り替え用スイッ
チS3をOFF、第4の出力ライン切り替え用スイッチ
S4をONにする。
トトリガ信号ST、及び、ICチップの端子TCLKに入
力されるクロック信号CLKは、ロジック回路1を通し
て、シフトレジスタ3にも入力されている。シフトレジ
スタ3は、図2に示すように、スタートトリガ信号ST
の立ち上がり後、クロック信号CLKの2回目以降の立
ち下がりエッジに同期して、クロック信号CLKの1周
期に等しいパルス幅をもつ負のパルスを端子O1、O2、
…、Onから順次出力する。尚、シフトレジスタ3の端
子O1’、O2’、…、On’からはそれぞれ端子O1、O
2、…、Onから出力される信号と同じ信号が出力され
る。
スタC1及びC1’がONし、時刻t 5〜t7の間にトラン
ジスタC2及びC2’がONし、…というように、トラン
ジスタC1及びC1’、トランジスタC2及びC2’、…、
トランジスタCn及びCn’が順次クロック信号CLKの
1周期だけONとなって、読み取り用のフォトダイオー
ドPD1、PD2、…、PDnの信号が順次トランジスタ
4−1のゲートに導かれるとともに、ダミーのフォトダ
イオードPD1’、PD2’、…、PDn’の信号が順次
トランジスタ4−2のゲートに導かれる。
うに、スタートトリガ信号STの立ち上がり後のクロッ
ク信号CLKの3回目以降の立ち上がりエッジに同期し
て、クロック信号CLKの1周期に等しいパルス幅をも
つ負のパルスを端子M1、M2、…、Mnから順次出力す
る。
スタB1がONし、時刻t6〜t8の間にトランジスタB2
がONし、…というように、トランジスタB1、B2、
…、Bnが順次クロック信号CLKの1周期だけONと
なって、フォトダイオードPD1、PD2、…、PDnが
順次初期化される。
トダイオードPD1について見ると、トランジスタC1が
時刻t2〜t4の間にONして信号が読み出されるが、時
刻t3〜t4の間(すなわち、読み出し期間の後半)には
トランジスタB1もONして初期化されるので、時刻t2
〜t3の間(すなわち、読み出し期間の前半)に読み出
された信号のみが有効となる。同様に、他の読み取り用
のフォトダイオードPD2、PD3、…、PDnについて
も、読み出し期間の前半に読み出された信号のみが有効
となる。
うに、スタートトリガ信号STの立ち上がり後のクロッ
ク信号CLKの立ち下がりエッジに同期して、クロック
信号CLKの1周期に等しいパルス幅をもつ負のパルス
を端子M1’、M2’、…、M n’から順次出力する。
スタB1’がONし、時刻t3〜t5の間にトランジスタ
B2’がONし、…というように、トランジスタB1’、
B2’、…、Bn’が順次クロック信号CLKの1周期だ
けONとなって、ダミーのフォトダイオードPD1’、
PD2’、…、PDn’が順次初期化される。
される信号は、ICチップの端子T SOから外部に出力さ
れ、次のICチップの端子TSIに入力される、すなわ
ち、次のICチップにてスタートトリガ信号STとして
用いられる。このため、シフトレジスタ3は、本ICチ
ップの最後の読み取り用のフォトダイオードPDnの信
号の読み出しと次のICチップの最初の読み取り用のフ
ォトダイオードの信号の読み出しとが干渉しないよう
に、適切なタイミングで端子Eから正のパルスを1つ出
力する。
イオードPDxの信号と、対応するダミーのフォトダイ
オードPDx’の信号との差分が出力されるので、IC
チップ内及び各ICチップ間のフォトダイオードの信号
レベルに製造ばらつきがあったとしても、このばらつき
は打ち消し合わされ、読み出される信号レベルがより均
一なものとなる。
D1、…、PDnの信号を出力回路Hに伝送する出力ライ
ンを、全ての読み取り用のフォトダイオードに対して共
通に設けるのではなく、読み取り用のフォトダイオード
PD1、…、PDkから成るグループに対しては第1の出
力ラインL1を、読み取り用のフォトダイオードPD
k+1、…、PDnから成るグループに対しては第2の出力
ラインL2をそれぞれ設けており、また、各ダミーのフ
ォトダイオードPD1’、…、PDn’の信号を出力回路
に伝送する出力ラインを、全てのダミーのフォトダイオ
ードに対して共通に設けるのではなく、ダミーのフォト
ダイオードPD1’、…、PDk’から成るグループに対
しては第3の出力ラインL3を、ダミーのフォトダイオ
ードPDk+ 1’、…、PDn’から成るグループに対して
は第4の出力ラインL4をそれぞれ設けているので、出
力ラインを略半分に短くすることができるようになる。
したがって、配線長が短くなって配線抵抗及び配線容量
が小さくなるとともに、接続されるトランジスタによる
寄生容量が半減することによって、時定数が小さくなる
ことから、動作周波数を向上させることができるように
なる。具体的には、動作周波数が、従来は1.5〜2.
0[MHz]に制限されていたが、本実施形態では3.0〜
4.0[MHz]にすることができるようになる。
のフォトダイオードを2つのグループに分類する場合に
は、例えば、前半に信号が読み出されるグループと後半
に信号が読み出されるグループとに分類するようにすれ
ばよい。また、読み取り用のフォトダイオードを複数の
グループに分類し、各グループ毎に出力ラインを設ける
ようになっていればよく、読み取り用のフォトダイオー
ドを3つ以上のグループに分割するようになっていても
よい。
は、設けなくてもよいし、また、設けるとしても、各読
み取り用のフォトダイオードに対して共通に1つだけ設
け、各読み取り用のフォトダイオードの信号と、ダミー
のフォトダイオードの信号との差分をとって出力するよ
うにしてもよい。このようにすれば、構成が簡略化され
るので、小型化及び低廉化が促進される。
じ個数だけダミーのフォトダイオードを設けることによ
り、各読み取り用のフォトダイオード毎にダミーのフォ
トダイオードを近接させて配置することができるように
なり、各読み取り用のフォトダイオードの信号と、近接
するダミーのフォトダイオードの信号との差分をとって
出力することにより、同じICチップ内における信号レ
ベルのばらつきを低減することができる。
取り装置では、光電変換素子で得られた信号を出力回路
に伝送する出力ラインを短くすることができるととも
に、出力ラインにつながるトランジスタの数が減るよう
になるので、出力ラインの配線抵抗及び配線容量が小さ
くなるとともに、出力ラインにつながるトランジスタに
よる寄生容量が小さくなることによって、時定数が小さ
くなることから、動作周波数を向上させることができる
ようになる。
を構成する各ICチップの回路構成を示す図である。
を構成する各ICチップにおける各部の信号のタイミン
グチャートである。
る。
ップの回路構成を示す図である。
S型FET B1、…、Bn、B1’、…、Bn’ pチャネルのMO
S型FET C1、…、Cn、C1’、…、Cn’ pチャネルのMO
S型FET D1、…、Dn、D1’、…、Dn’ pチャネルのMO
S型FET E1、…、En、E1’、…、En’ nチャネルのMO
S型FET PD1、…、PDn 読み取り用のフォトダイオード PD1’、…、PDn’ ダミーのフォトダイオード R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8 抵抗
Claims (5)
- 【請求項1】 各々が遮光されていない光電変換素子で
ある複数の読み取り用の光電変換素子と、該複数の読み
取り用の光電変換素子で得られた光電変換信号を順番に
選択する信号用選択回路と、該信号用選択回路で選択さ
れた信号を処理して出力する出力回路と、を備えた画像
読み取り装置において、 前記読み取り用の各光電変換素子を複数のグループに分
類し、前記信号用選択回路で選択された信号を前記出力
回路に伝送する信号用出力ラインを各グループ毎に設け
るとともに、該複数の信号用出力ラインのいずれか1つ
を選択して前記出力回路に接続する信号用出力ライン切
り替え回路を設けたことを特徴とする画像読み取り装
置。 - 【請求項2】 遮光されている光電変換素子であるダミ
ーの光電変換素子を有しているとともに、前記出力回路
は、前記信号用選択回路で選択された信号と、前記ダミ
ーの光電変換素子で得られた光電変換信号との差分をと
って出力することを特徴とする請求項1に記載の画像読
み取り装置。 - 【請求項3】 各々が遮光されている光電変換素子であ
る複数のダミーのフォトダイオードと、該複数のダミー
の光電変換素子で得られた信号を順番に選択するダミー
用選択回路と、を有しているとともに、前記出力回路
は、前記信号用選択回路で選択された信号と、前記ダミ
ー用選択回路で選択された信号との差分をとって出力す
ることを特徴とする請求項1に記載の画像読み取り装
置。 - 【請求項4】 前記読み取り用の光電変換素子と前記ダ
ミーの光電変換素子とが同じ数だけ設けられていること
を特徴とする請求項3に記載の画像読み取り装置。 - 【請求項5】 前記ダミーの各光電変換素子を複数のグ
ループに分類し、前記ダミー用選択回路で選択された信
号を前記出力回路に伝送するダミー用出力ラインを各グ
ループ毎に設けるとともに、該複数のダミー用出力ライ
ンのいずれか1つを選択して前記出力回路に接続するダ
ミー用出力ライン切り替え回路を設けたことを特徴とす
る請求項3または4に記載の画像読み取り装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000292140A JP2002101261A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 画像読み取り装置 |
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| US10/001,791 US7298403B2 (en) | 2000-09-26 | 2001-12-05 | Image reading device |
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|---|---|---|---|
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