JP2002100010A - Yoke type reproducing magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic disk drive - Google Patents
Yoke type reproducing magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic disk driveInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ギャップの媒体対向面側の大きさを可及
的に小さくすることができるとともに、磁気抵抗効果素
子を媒体対向面に近接して配置することを可能にする。
【解決手段】 磁気ギャップ5を挟んで対向し、少なく
とも一つが媒体対向面から媒体対向面より後退した位置
まで延在する一対の磁気ヨーク4と、磁気ギャップ内に
おいて媒体対向面に向う凸形状の湾曲部を備え、磁気ヨ
ークと磁気接続された磁気抵抗効果膜12と、磁気抵抗
効果膜に電気接続された電極17、18と、を備えたこ
とを特徴とする。
[PROBLEMS] To reduce the size of a magnetic gap on a medium facing surface side as much as possible, and to enable a magnetoresistive element to be arranged close to a medium facing surface. . SOLUTION: A pair of magnetic yokes 4 opposed to each other across a magnetic gap 5 and at least one of which extends from the medium facing surface to a position retracted from the medium facing surface, and a convex shape facing the medium facing surface in the magnetic gap. It is characterized by comprising a magnetoresistive film 12 having a curved portion and magnetically connected to the magnetic yoke, and electrodes 17 and 18 electrically connected to the magnetoresistive film.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は一般に磁気記録媒体
に信号を記録および記憶される信号を検知するヨーク型
再生磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディス
ク装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a yoke type reproducing magnetic head for recording a signal on a magnetic recording medium and detecting the signal to be stored, a method for manufacturing the same, and a magnetic disk drive.
【0002】[0002]
【従来の技術】ハードディスク装置などの磁気記録装置
は、近年において急速に小型・高密度化が進んでおり、
今後さらに高密度化されることが見込まれている。磁気
記録において高密度化を行うには、記録トラック幅を狭
くして記録トラック密度を高めるとともに、長手方向の
記録密度すなわち線記録密度を高める必要がある。2. Description of the Related Art In recent years, magnetic recording devices such as hard disk devices have been rapidly becoming smaller and higher in density.
It is expected that the density will be further increased in the future. In order to increase the recording density in magnetic recording, it is necessary to increase the recording density in the longitudinal direction, that is, to increase the recording density in the longitudinal direction, that is, to increase the recording density in the longitudinal direction.
【0003】しかしながら、面内の長手記録方式では記
録密度が高くなるにつれ反磁界が大きくなり再生出力の
低下や、安定な記録が行えなくなるという問題点があ
る。これらの問題点を改善するものとして垂直記録方式
が提案されている。この垂直記録方式では記録媒体面と
垂直方向に磁化して記録するものであり、長手方向の記
録に対し記録密度を高めても反磁界の影響が少なく、再
生出力の低下等は抑制される。However, the in-plane longitudinal recording method has a problem that as the recording density increases, the demagnetizing field increases, the reproduction output decreases, and stable recording cannot be performed. A perpendicular recording method has been proposed to improve these problems. In the perpendicular recording method, recording is performed by magnetizing in the direction perpendicular to the recording medium surface. Even if the recording density is increased with respect to the longitudinal recording, the influence of the demagnetizing field is small, and a decrease in reproduction output and the like are suppressed.
【0004】ところで、長手記録、垂直記録ともに従来
媒体信号の再生には誘導型ヘッドが用いられていたが、
高密度化に伴い記録トラック幅が狭くなり記録された磁
化の大きさが小さくなっても、十分な再生信号出力が得
られるよう、異方性磁気抵抗効果(AMR)を用いた再
生感度の高いAMRヘッドが開発され、シールド型再生
ヘッドとして用いられるようになった。また最近では巨
大磁気抵抗効果(GMR)を応用した、さらに感度の高
いスピンバルブ型GMRヘッドが用いられるようにな
り、さらに高い再生感度の期待されるトンネル磁気抵抗
効果(TMR)を用いた磁気ヘッドの開発と実用化のた
めの研究が進められている。このように再生感度の高い
磁気ヘッドが開発され、それらを用いることによって、
極く小さい記録ビットサイズであっても記録信号の再生
が可能になってきた。[0004] By the way, an inductive head has been used for reproducing a medium signal in both longitudinal recording and perpendicular recording.
Even if the recording track width becomes narrower and the magnitude of the recorded magnetization becomes smaller with the increase in density, the reproduction sensitivity using the anisotropic magnetoresistance effect (AMR) is high so that a sufficient reproduction signal output can be obtained. AMR heads have been developed and used as shielded read heads. In recent years, spin-valve GMR heads using the giant magnetoresistive effect (GMR) have been used with higher sensitivity, and the magnetic head using the tunnel magnetoresistive effect (TMR), which is expected to have higher reproduction sensitivity. Research for the development and commercialization of is under way. Magnetic heads with high read sensitivity have been developed in this way, and by using them,
It has become possible to reproduce a recording signal even with a very small recording bit size.
【0005】他方、記録トラックの長手方向の密度であ
る線記録密度を高めるためには、磁気ヘッドのギャップ
を狭くする必要がある。しかしながら従来の上記磁気抵
抗効果を用いた磁気ヘッドではヘッドギャップ内に磁気
抵抗効果素子を入れている。このため磁気抵抗効果素子
の大きさはAMRヘッドであっても、またスピンバルブ
GMRヘッドであっても、30nm程度の大きさを必要
とし、シールドとの絶縁を考慮するとシールド間は10
0nm程度を必要とする。このため、従来の型式の磁気
ヘッドにおいては、ヘッドギャップを狭めることができ
るのは100nm程度が限度となる。したがって線記録
密度を高める上で大きな制約が生じている。On the other hand, in order to increase the linear recording density, which is the longitudinal density of the recording track, it is necessary to narrow the gap of the magnetic head. However, in the conventional magnetic head using the above-described magnetoresistive effect, a magnetoresistive element is inserted in the head gap. For this reason, the size of the magnetoresistive effect element is required to be about 30 nm regardless of the size of the AMR head or the spin valve GMR head.
About 0 nm is required. For this reason, in a conventional type magnetic head, the head gap can be narrowed by about 100 nm. Therefore, there is a great restriction in increasing the linear recording density.
【0006】また、ハードディスクなどの磁気記憶装置
では高記録密度化が進むにつれ磁気ヘッドと記憶媒体と
の距離である浮上量が徐々に低下している。このような
浮上量の低下は記憶媒体のわずかな突起に対して、ヘッ
ドが衝突する確率が高まることを意味し、実際TA(Th
ermal Asperity)ノイズが問題となっている。したがっ
て磁気抵抗効果素子が直接媒体対向面に露出しないよう
に、ヨークを介して磁束を磁気抵抗効果素子に引き込む
ヨーク型のヘッドが好ましい。また、このようなヨーク
型磁気ヘッドの場合、媒体対向面と平行な面に磁気抵抗
効果素子を設ける構造の方が磁気抵抗効果素子全体を媒
体近くに設置することができるため有利な構造となる。
このような構造として、基板面に平行にヨーク、磁気抵
抗効果素子を構成する水平ヨーク型磁気ヘッドが提案さ
れている。In a magnetic storage device such as a hard disk, as the recording density increases, the flying height, which is the distance between the magnetic head and the storage medium, gradually decreases. Such a decrease in the flying height means that the probability of the head colliding with a slight protrusion of the storage medium is increased, and the actual TA (Th
(ermal Asperity) Noise is a problem. Therefore, it is preferable to use a yoke type head that draws a magnetic flux into the magnetoresistive element via the yoke so that the magnetoresistive element is not directly exposed to the medium facing surface. Further, in the case of such a yoke type magnetic head, a structure in which the magnetoresistive element is provided on a plane parallel to the medium facing surface is more advantageous because the entire magnetoresistive element can be installed near the medium. .
As such a structure, there has been proposed a horizontal yoke type magnetic head which constitutes a yoke and a magnetoresistive element in parallel with the substrate surface.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら水平ヨー
ク型磁気ヘッドの場合、高記録密度化が進むにつれその
大きさをどんどん小さく作る必要があり、かつ磁気抵抗
効果素子を可能な限り媒体対向面に近接させなければな
らない。フォトリソグラフィー技術が進歩しているとは
いえ、サブミクロンサイズのヘッドの作り込みには数1
0nm程度のアラインメント精度が必要となり、このよ
うな精度でヘッドを作成することは非常に困難となって
きた。However, in the case of a horizontal yoke type magnetic head, it is necessary to make the size smaller as the recording density increases, and the magnetoresistive effect element is placed as close to the medium facing surface as possible. I have to do it. Despite the progress of photolithography technology, several tens of micrometer
Alignment accuracy of about 0 nm is required, and it has been very difficult to produce a head with such accuracy.
【0008】本発明は、磁気ギャップの媒体対向面側の
大きさを可及的に小さくすることができるとともに、磁
気抵抗効果素子を媒体対向面に近接して配置することが
可能なヨーク型再生磁気ヘッドおよびその製造方法なら
びに磁気ディスク装置を提供することを目的とする。According to the present invention, a yoke-type reproducing device capable of reducing the size of a magnetic gap on the medium facing surface side as much as possible and disposing a magnetoresistive element close to the medium facing surface. It is an object to provide a magnetic head, a method of manufacturing the same, and a magnetic disk drive.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明によるヨーク型再
生磁気ヘッドは、磁気ギャップを挟んで対向し、少なく
とも一つが媒体対向面から前記媒体対向面より後退した
位置まで延在する一対の磁気ヨークと、前記磁気ギャッ
プ内において前記媒体対向面に向う凸形状をなす湾曲部
を備え、前記磁気ヨークと磁気接続された磁気抵抗効果
膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された電極と、を
備えたことを特徴とする。A yoke type reproducing magnetic head according to the present invention is a pair of magnetic yokes which are opposed to each other with a magnetic gap therebetween and at least one of which extends from the medium facing surface to a position retracted from the medium facing surface. And a curved portion having a convex shape facing the medium facing surface within the magnetic gap, a magnetoresistive film magnetically connected to the magnetic yoke, and an electrode electrically connected to the magnetoresistive film. It is characterized by having.
【0010】このように構成された本発明によるヨーク
型再生磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果膜が磁気ギャ
ップ内において媒体対向面に向う凸形状をなす湾曲部を
有するように形成される。このように形成されているこ
とで磁気抵抗効果素子を媒体対向面に近接して、しかも
磁気ギャップ先端の直上に構成でき、磁路を非常に短く
することができることで、再生効率を高めることができ
る。According to the yoke-type reproducing magnetic head of the present invention thus constituted, the magnetoresistive effect film is formed so as to have a convex curved portion facing the medium facing surface in the magnetic gap. With this configuration, the magnetoresistive effect element can be configured close to the medium facing surface and directly above the end of the magnetic gap, and the magnetic path can be extremely short, so that the reproduction efficiency can be increased. it can.
【0011】なお、前記磁気抵抗効果膜は、前記一対の
磁気ヨークと電気的に接続されているように構成しても
良い。The magnetoresistive film may be configured to be electrically connected to the pair of magnetic yokes.
【0012】なお、前記電極は一部分が前記磁気抵抗効
果膜の凸をなす面の反対側の面に電気的に接続されてい
るように構成しても良い。The electrode may be configured so that a part of the electrode is electrically connected to a surface of the magnetoresistive film opposite to a convex surface.
【0013】なお、前記電極は第1および第2の電極部
からなり、前記第1乃至第2の電極部の端部は、それぞ
れ前記磁気ギャップ内で前記磁気抵抗効果膜の端部に電
気的に接続されているように構成しても良い。The electrode is composed of first and second electrode portions, and ends of the first and second electrode portions are electrically connected to ends of the magnetoresistive film in the magnetic gap. May be connected.
【0014】本発明によるヨーク型再生磁気ヘッドの製
造方法は、磁気ギャップを挟んで対向する一対の磁気ヨ
ークを形成する工程と、前記磁気ギャップ内に前記磁気
ヨークとエッチングレートが異なる非磁性膜を埋め込む
工程と、エッチングレートの差を利用して前記磁気ギャ
ップ部分に段差を形成する工程と、前記段差部分に磁気
抵抗効果膜を埋め込む工程と、を備えたことを特徴とす
る。According to the method of manufacturing a yoke type reproducing magnetic head of the present invention, a step of forming a pair of magnetic yokes opposed to each other with a magnetic gap therebetween, and a step of forming a nonmagnetic film having a different etching rate from the magnetic yoke in the magnetic gap. A step of embedding, a step of forming a step in the magnetic gap portion using a difference in etching rate, and a step of embedding a magnetoresistive film in the step portion.
【0015】なお、前記磁気抵抗効果膜を埋め込む際に
段差を残し、この段差に電極取り出し用リードの一部ま
たは全部を形成する工程を備えるように構成しても良
い。また、本発明によるヨーク型再生磁気ヘッドの製造
方法は、磁気ヨークを形成する工程と、前記磁気ヨーク
の前記媒体対向面と反対側の面と、前記磁気ギャップの
前記媒体対向面と反対側の面との間に段差を形成する工
程と、前記段差部分に磁気抵抗効果膜を埋め込む工程
と、を備えたことを特徴とする。It is also possible to provide a process in which a step is left when the magnetoresistive film is buried, and a step for forming a part or all of the electrode lead is provided in the step. Also, a method of manufacturing a yoke-type reproducing magnetic head according to the present invention includes a step of forming a magnetic yoke, a surface of the magnetic yoke opposite to the medium facing surface, and a surface of the magnetic gap opposite to the medium facing surface. A step of forming a step between the surface and a step of embedding a magnetoresistive film in the step.
【0016】なお、前記磁気抵抗効果膜を埋め込む際に
段差を残し、この段差に電極取り出し用リードの一部ま
たは全部を形成する工程を備えるように構成しても良
い。It is to be noted that a step may be left when embedding the magnetoresistive film, and a step may be provided for forming a part or all of the electrode lead for the step.
【0017】また、本発明によるヨーク型再生磁気ヘッ
ドの製造方法は、凸部を有する電極を形成する工程と、
前記凸部の側面に絶縁膜からなる側壁を形成する工程
と、前記凸部および前記側壁を覆うように磁気抵抗効果
膜を形成する工程と、前記凸部上に磁気ギャップを有す
る磁気ヨークを形成する工程と、を備えたことを特徴と
する。Further, according to the method of manufacturing a yoke type reproducing magnetic head of the present invention, a step of forming an electrode having a convex portion;
Forming a side wall made of an insulating film on the side surface of the convex portion, forming a magnetoresistive film so as to cover the convex portion and the side wall, and forming a magnetic yoke having a magnetic gap on the convex portion And a step of performing
【0018】また、本発明による磁気ディスク装置は、
上記ヨーク型再生磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして用
いたことを特徴とする。Also, the magnetic disk drive according to the present invention
The yoke type reproducing magnetic head is used as a reproducing magnetic head.
【0019】[0019]
【発明の実施形態】以下、本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0020】(第1の実施形態)本発明による水平型再
生磁気ヘッドの第1の実施形態の構成を図1に示す。図
1は、本実施形態の水平型再生磁気ヘッドのトラック長
手方向の断面図である。(First Embodiment) FIG. 1 shows the structure of a first embodiment of a horizontal reproducing magnetic head according to the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view in the track longitudinal direction of a horizontal read magnetic head according to this embodiment.
【0021】本実施形態の水平型再生磁気ヘッドは、基
板1上に磁気ギャップ5を挟んで対向するように形成さ
れた一対の磁気ヨーク4と、端部が磁気ヨーク4の内壁
に沿いかつ中央部が媒体対向面に向かうように磁気ギャ
ップ5内に湾曲して形成された磁気抵抗効果膜12と、
この磁気抵抗効果膜12の膜面に設けられた電極取り出
し用のリード17と、リード17を介して磁気抵抗効果
膜12に通電するための電極18とを備えている。な
お、磁気抵抗効果膜12は、端部が磁気ヨーク4の内壁
に沿いかつ中央部が媒体対向面に向かうように磁気ギャ
ップ5内に湾曲して形成されているため、媒体対向面に
向かって凸となるように形成された構成となっている。
また、この実施形態においては、磁気ギャップ5内には
絶縁膜9が設けられ、この絶縁膜9によって磁気ギャッ
プ5内に湾曲するような段差が形成され、この段差に沿
って磁気抵抗効果膜12が形成された構成となってい
る。The horizontal reproducing magnetic head according to the present embodiment has a pair of magnetic yokes 4 formed on the substrate 1 so as to face each other with a magnetic gap 5 interposed therebetween. A magnetoresistive film 12 formed in the magnetic gap 5 so as to be curved toward the medium facing surface;
An electrode lead 17 is provided on the surface of the magnetoresistive film 12, and an electrode 18 is provided for supplying electricity to the magnetoresistive film 12 via the lead 17. Note that the magnetoresistive film 12 is formed in the magnetic gap 5 so that its end is along the inner wall of the magnetic yoke 4 and its center is toward the medium facing surface. It is configured to be convex.
In this embodiment, an insulating film 9 is provided in the magnetic gap 5, and a step is formed in the magnetic gap 5 so as to be curved. The magnetoresistive film 12 is formed along the step. Is formed.
【0022】また、リード17には電極18が接続され
ている。電極18は磁気ヨーク4と絶縁膜14によって
電気的に絶縁されている。また、磁気ヨーク4の媒体対
向面と、この媒体対向面に接していない磁気ヨーク4の
部分との間には絶縁膜2が設けられ、磁気ヨーク4の周
りには絶縁膜6が設けられた構成となっている。なお、
基板1は磁気ヘッドが形成された後に、磁気ヨーク4か
ら剥離される。An electrode 18 is connected to the lead 17. The electrode 18 is electrically insulated from the magnetic yoke 4 and the insulating film 14. The insulating film 2 was provided between the medium facing surface of the magnetic yoke 4 and the portion of the magnetic yoke 4 not in contact with the medium facing surface, and the insulating film 6 was provided around the magnetic yoke 4. It has a configuration. In addition,
The substrate 1 is separated from the magnetic yoke 4 after the formation of the magnetic head.
【0023】このように磁気抵抗効果膜12が媒体対向
面に向かって凸となるように形成される構成とすること
で、磁気抵抗効果素子を媒体対向面により近づけること
が可能となるとともに磁気ギャップ先端の直上に構成で
き、これにより磁路を非常に短くすることが可能とな
り、再生効率を高めることができる。また磁気抵抗効果
膜12の端部が磁気ヨーク4の内壁に沿うように形成さ
れていることから、磁気ヨーク4と磁気抵抗効果膜12
の接触面積を多く取ることができ、磁気抵抗を小さくで
きることからも効率を高めることができる。また、磁気
ギャップ5の部分と磁気抵抗効果膜12の位置ずれも防
止することが可能となり、精度の良いアライメントが不
要となり、これにより、磁気ギャップ5の媒体対向面側
の大きさを可及的に小さくすることができる。By forming the magnetoresistive film 12 so as to be convex toward the medium facing surface, the magnetoresistive element can be made closer to the medium facing surface, and the magnetic gap can be reduced. The magnetic path can be made very short, and the reproduction efficiency can be increased. Further, since the end of the magnetoresistive film 12 is formed along the inner wall of the magnetic yoke 4, the magnetic yoke 4 and the magnetoresistive film 12
The contact area can be increased, and the magnetoresistance can be reduced, so that the efficiency can be increased. In addition, it is possible to prevent the displacement of the portion of the magnetic gap 5 and the magnetoresistive film 12, so that accurate alignment is not required. Can be made smaller.
【0024】なお、本実施形態においては、磁気抵抗効
果素子として膜面垂直通電方式の素子を用いており、磁
気ヨーク4は電極を兼ねる構造となっている。In the present embodiment, an element of a film surface perpendicular conduction type is used as the magnetoresistive effect element, and the magnetic yoke 4 has a structure also serving as an electrode.
【0025】また、本実施形態の磁気抵抗効果膜は異方
性磁気抵抗効果膜や、スピンバルブなどの巨大磁気抵抗
効果膜でも良く、好ましくはさらに感度の高いトンネル
磁気抵抗効果膜などの膜面垂直通電型の磁気抵抗効果膜
が望ましい。The magnetoresistive film of the present embodiment may be an anisotropic magnetoresistive film or a giant magnetoresistive film such as a spin valve, and more preferably a film surface such as a tunnel magnetoresistive film having higher sensitivity. A perpendicular conduction type magnetoresistive film is desirable.
【0026】なお、絶縁膜9は非磁性材であるから、他
の非磁性材を磁気ヨーク4よりも薄く形成することで磁
気ギャップ内で湾曲した段差を形成してもよい。Since the insulating film 9 is a non-magnetic material, a curved step may be formed in the magnetic gap by forming another non-magnetic material thinner than the magnetic yoke 4.
【0027】(第2の実施形態)本発明による水平型再
生磁気ヘッドの第2の実施形態の構成を図2に示す。図
2は、本実施形態の水平型再生磁気ヘッドのトラック長
手方向の断面図である。この実施形態の水平型再生磁気
ヘッドは、図1に示す第1の実施形態の水平型再生磁気
ヘッドの場合と上下逆に積層しながら作成したものであ
る。(Second Embodiment) FIG. 2 shows the configuration of a second embodiment of the horizontal reproducing magnetic head according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view in the track longitudinal direction of the horizontal read magnetic head of the present embodiment. The horizontal reproducing magnetic head of this embodiment is formed by stacking the horizontal reproducing magnetic head of the first embodiment shown in FIG. 1 upside down.
【0028】本実施形態の水平型再生磁気ヘッドは、基
板1上に、凸部を有するように形成された電極20a
と、磁気ギャップ5を挟んで対向するように形成された
一対の磁気ヨーク29と、電極20aの凸部に電気的に
接続されるとともに、端部が磁気ヨーク29の内壁に沿
いかつ中央部が媒体対向面に向かうように磁気ギャップ
5内に湾曲して形成された磁気抵抗効果膜24とを備え
ている。なお、磁気抵抗効果膜24は、端部が磁気ヨー
ク29の内壁に沿いかつ中央部が媒体対向面に向かうよ
うに磁気ギャップ5内に湾曲して形成されているため、
媒体対向面に向かって凸となるように形成された構成と
なっている。また、この実施形態においては、磁気ギャ
ップ5内には絶縁膜25,27が設けられ、この絶縁膜
25によって磁気ギャップ5内に湾曲した段差が形成さ
れ、この段差に沿って磁気抵抗効果膜24が形成された
構成となっている。電極20aは磁気ヨーク29と絶縁
膜22よって電気的に絶縁されている。また、磁気ヨー
ク29の媒体対向面と、この媒体対向面に接していない
磁気ヨーク29の部分との間には絶縁膜32が設けら
れ、磁気ヨーク29の周りには絶縁膜31が設けられて
いる。The horizontal reproducing magnetic head of this embodiment has an electrode 20a formed on the substrate 1 so as to have a convex portion.
And a pair of magnetic yokes 29 formed so as to face each other with the magnetic gap 5 interposed therebetween, and are electrically connected to the protrusions of the electrode 20a, and the ends are along the inner wall of the magnetic yoke 29 and the center is And a magnetoresistive film 24 which is formed in the magnetic gap 5 so as to be curved toward the medium facing surface. Note that the magnetoresistive film 24 is formed in the magnetic gap 5 so that an end is along the inner wall of the magnetic yoke 29 and a center is toward the medium facing surface.
It is configured to be convex toward the medium facing surface. In this embodiment, insulating films 25 and 27 are provided in the magnetic gap 5, and a curved step is formed in the magnetic gap 5 by the insulating film 25. The magnetoresistive film 24 is formed along the step. Is formed. The electrode 20a is electrically insulated by the magnetic yoke 29 and the insulating film 22. An insulating film 32 is provided between the medium facing surface of the magnetic yoke 29 and a portion of the magnetic yoke 29 not in contact with the medium facing surface, and an insulating film 31 is provided around the magnetic yoke 29. I have.
【0029】ここでは凸状に形成した電極20aおよび
絶縁膜25に沿うように磁気抵抗効果膜24が湾曲して
形成されている。このように形成することで、磁気抵抗
効果膜24を媒体対向面により近づけられることから効
率が上がり、かつ磁気ギャップ5の部分と磁気抵抗効果
膜24の位置ずれも防止できる。これにより、磁気ギャ
ップ5の媒体対向面側の大きさを可及的に小さくするこ
とができるとともに、磁気抵抗効果膜24を媒体対向面
に近接して配置することができる。Here, the magnetoresistive film 24 is formed to be curved along the electrode 20a and the insulating film 25 formed in a convex shape. By forming in this way, the magnetoresistive film 24 can be made closer to the medium facing surface, so that the efficiency is increased and the displacement between the portion of the magnetic gap 5 and the magnetoresistive film 24 can be prevented. Thereby, the size of the magnetic gap 5 on the medium facing surface side can be made as small as possible, and the magnetoresistive film 24 can be arranged close to the medium facing surface.
【0030】なお、ここで磁気抵抗効果素子として膜面
垂直通電方式の素子を用いており、磁気ヨーク29は電
極を兼ねる構造となっている。Here, an element of the film surface perpendicular conduction type is used as the magnetoresistive effect element, and the magnetic yoke 29 has a structure also serving as an electrode.
【0031】また、本実施形態の磁気抵抗効果膜は異方
性磁気抵抗効果膜や、スピンバルブなどの巨大磁気抵抗
効果膜でも良く、好ましくはさらに感度の高いトンネル
磁気抵抗効果膜などの膜面垂直通電型の磁気抵抗効果膜
が望ましい。The magnetoresistive film of this embodiment may be an anisotropic magnetoresistive film or a giant magnetoresistive film such as a spin valve, and more preferably a film surface such as a tunnel magnetoresistive film having higher sensitivity. A perpendicular conduction type magnetoresistive film is desirable.
【0032】なお、絶縁膜25,27は非磁性材である
から、他の非磁性材を磁気ヨーク29よりも薄く形成す
ることで磁気ギャップ内で湾曲した段差を形成してもよ
い。Since the insulating films 25 and 27 are non-magnetic materials, another non-magnetic material may be formed thinner than the magnetic yoke 29 to form a curved step in the magnetic gap.
【0033】(第3の実施形態)本発明による水平型再
生磁気ヘッドの第3の実施形態の構成を図3に示す。図
3は、本実施形態の水平型再生磁気ヘッドのトラック長
手方向の断面図である。(Third Embodiment) FIG. 3 shows the structure of a horizontal reproducing magnetic head according to a third embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view in the track longitudinal direction of the horizontal reproducing magnetic head of the present embodiment.
【0034】本実施形態の水平型再生磁気ヘッドは、基
板1上に磁気ギャップ5を挟んで対向するように形成さ
れた一対の磁気ヨーク4と、端部が磁気ヨーク4の内壁
に沿いかつ中央部が媒体対向面に向かうように磁気ギャ
ップ5内に湾曲して形成された磁気抵抗効果膜12と、
この磁気抵抗効果膜12の、トラック長手方向の両端部
に設けられ磁気抵抗効果膜12に通電するための電極1
9a、19bとを備えている。なお、この実施形態にお
いては、磁気ギャップ5内には絶縁膜9が設けられ、こ
の絶縁膜9によって磁気ギャップ5内に段差が形成さ
れ、この段差に沿って磁気抵抗効果膜12が形成された
構成となっている。The horizontal reproducing magnetic head of this embodiment has a pair of magnetic yokes 4 formed on the substrate 1 so as to be opposed to each other with a magnetic gap 5 therebetween, and has a center along an inner wall of the magnetic yoke 4 and an end. A magnetoresistive film 12 formed in the magnetic gap 5 so as to be curved toward the medium facing surface;
Electrodes 1 provided at both ends of the magnetoresistive film 12 in the longitudinal direction of the track for supplying electricity to the magnetoresistive film 12
9a and 19b. In this embodiment, an insulating film 9 is provided in the magnetic gap 5, a step is formed in the magnetic gap 5 by the insulating film 9, and a magnetoresistive film 12 is formed along the step. It has a configuration.
【0035】また、電極19a、19bは磁気ヨーク4
と絶縁膜14によって電気的に絶縁されている。また、
磁気ヨーク4の媒体対向面と、この媒体対向面に接して
いない磁気ヨーク4の部分との間には絶縁膜2が設けら
れ、磁気ヨーク4の周りには絶縁膜6が設けられてい
る。なお、基板1は磁気ヘッドが形成された後に、磁気
ヨーク4から剥離される。また、電極19a、19bは
絶縁膜37によって覆われている。The electrodes 19a and 19b are connected to the magnetic yoke 4
Is electrically insulated by the insulating film 14. Also,
An insulating film 2 is provided between the medium facing surface of the magnetic yoke 4 and a portion of the magnetic yoke 4 not in contact with the medium facing surface, and an insulating film 6 is provided around the magnetic yoke 4. The substrate 1 is separated from the magnetic yoke 4 after the formation of the magnetic head. The electrodes 19a and 19b are covered with an insulating film 37.
【0036】このように構成することで、磁気抵抗効果
膜12を媒体対向面により近づけられることが可能とな
り、効率が上がり、かつ磁気ギャップ5の部分と磁気抵
抗効果膜12の位置ずれも防止できる。これにより、磁
気ギャップ5の媒体対向面側の大きさを可及的に小さく
することができるとともに、磁気抵抗効果素子を媒体対
向面に近接して配置することができる。With this configuration, it is possible to bring the magnetoresistive film 12 closer to the medium facing surface, to increase the efficiency and to prevent the position of the magnetic gap 5 from being displaced from the magnetoresistive film 12. . Thus, the size of the magnetic gap 5 on the medium facing surface side can be made as small as possible, and the magnetoresistive element can be arranged close to the medium facing surface.
【0037】なお、本実施形態においては、磁気抵抗効
果素子として面内通電方式の素子を用いており、磁気抵
抗効果膜12と同様に電極19a、19bも磁気ヨーク
4の内壁に磁気抵抗効果膜12と積層するように形成さ
れている。このような電極19a,19bを形成するこ
とで、磁気ギャップ5の部分と電極19a、19bの位
置ずれを防止でき、磁気抵抗効果膜12の有効な部分を
活用できる。In the present embodiment, an in-plane conduction type element is used as the magnetoresistive element, and the electrodes 19a and 19b are also provided on the inner wall of the magnetic yoke 4 like the magnetoresistive film 12. 12 is formed. By forming such electrodes 19a and 19b, the displacement of the portion of the magnetic gap 5 and the electrodes 19a and 19b can be prevented, and the effective portion of the magnetoresistive film 12 can be utilized.
【0038】また、本実施形態の磁気抵抗効果膜は異方
性磁気抵抗効果膜や、スピンバルブなどの巨大磁気抵抗
効果膜でも良く、好ましくはさらに感度の高いトンネル
磁気抵抗効果膜などの膜面垂直通電型の磁気抵抗効果膜
が望ましい。The magnetoresistive film of this embodiment may be an anisotropic magnetoresistive film or a giant magnetoresistive film such as a spin valve, and more preferably a film surface such as a tunnel magnetoresistive film having higher sensitivity. A perpendicular conduction type magnetoresistive film is desirable.
【0039】なお、絶縁膜9は非磁性材であるから、他
の非磁性材を磁気ヨーク4よりも薄く形成することで磁
気ギャップ内で湾曲した段差を形成してもよい。Since the insulating film 9 is a non-magnetic material, a curved step may be formed in the magnetic gap by forming another non-magnetic material thinner than the magnetic yoke 4.
【0040】(第4の実施形態)次に、本発明の第4の
実施形態を図4乃至図6を参照して説明する。この実施
形態は、図1に示す第1の実施形態の水平型再生磁気ヘ
ッドの製造方法であって、その製造工程を図4乃至図6
に示す。(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is a method for manufacturing the horizontal reproducing magnetic head of the first embodiment shown in FIG. 1, and the manufacturing process is shown in FIGS.
Shown in
【0041】まず、図4(a)に示すように、Si基板
1上に例えばSiO2からなる絶縁膜2の成膜し、この
絶縁膜2上に、磁気ヨークを形成するための開口部を有
するフォトレジストからなるレジストパターン3を形成
する。そしてレジストパターン3をマスクに例えばRI
E(Reactive Ion Etching)により絶縁膜2をエッチン
グし、絶縁膜2にトレンチ2aを形成する(図4(b)
参照)。続いて、上記レジストパターンを除去した後、
磁気ヨークとなる例えばCoZrNbからなる磁性膜4
を、トレンチ2aを埋め込むように成膜する(図4
(c)参照)。First, as shown in FIG. 4A, an insulating film 2 made of, for example, SiO 2 is formed on a Si substrate 1, and an opening for forming a magnetic yoke is formed on the insulating film 2. A resist pattern 3 made of a photoresist having the same is formed. Then, using the resist pattern 3 as a mask, for example, RI
The insulating film 2 is etched by E (Reactive Ion Etching) to form a trench 2a in the insulating film 2 (FIG. 4B).
reference). Subsequently, after removing the resist pattern,
Magnetic film 4 made of, for example, CoZrNb to be a magnetic yoke
Is formed so as to fill the trench 2a (FIG. 4).
(C)).
【0042】次に、図4(d)に示すように磁性膜4
を、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)を
用いて平坦化した後、フォトリソグラフィ技術を用いて
磁性膜4をパターニングする。そして、パターニングさ
れた磁性膜4の周りを例えばSiO2からなる絶縁膜6
で埋める(図4(d)参照)。続いて、図4(e)に示
すように磁性膜4に、イオンミリングを用いてトレンチ
7を形成する。さらに、FIB(Focused Ion Beam)によ
り磁気ギャップの先端部となる部分8を、磁性膜4に形
成する(図4(f)参照)。Next, as shown in FIG.
Is planarized using, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing), and then the magnetic film 4 is patterned using photolithography. Then, an insulating film 6 made of, for example, SiO 2 is formed around the patterned magnetic film 4.
(See FIG. 4D). Subsequently, as shown in FIG. 4E, a trench 7 is formed in the magnetic film 4 by using ion milling. Further, a portion 8 serving as a front end of the magnetic gap is formed on the magnetic film 4 by FIB (Focused Ion Beam) (see FIG. 4F).
【0043】次に、図5(a)に示すように、磁気ギャ
ップ部分を例えばSiO2でからなる絶縁膜9で埋めた
後、CMPにより平坦化する。続いて、磁気ギャップ部
よりも少し広い範囲に開口部11を有するレジストパタ
ーン10を形成する(図5(b)参照)。その後、この
レジストパターン10をマスクに磁気ギャップ部の絶縁
膜9をRIEによりエッチングする(図5(c)参
照)。エッチングガスはCHF3を用い、50SCCM
(Standard Cubic Centimeter per Minute)、1Paの条
件で行った。この場合、SiO2からなる絶縁膜9と磁
性膜4との選択比が200:1以上有ることから図示し
たように、エッチングレート差により絶縁膜9が優先的
にエッチングされ、磁性膜4の部分はほとんどエッチン
グされない。このため磁性膜4と絶縁膜9との間には、
磁気ギャップ部に湾曲するような段差が形成される(図
5(c)参照)。Next, as shown in FIG. 5A, the magnetic gap is filled with an insulating film 9 made of, for example, SiO 2 , and then flattened by CMP. Subsequently, a resist pattern 10 having an opening 11 in a range slightly wider than the magnetic gap is formed (see FIG. 5B). Thereafter, the insulating film 9 in the magnetic gap is etched by RIE using the resist pattern 10 as a mask (see FIG. 5C). Etching gas is CHF 3 , 50 SCCM
(Standard Cubic Centimeter per Minute) was performed under the condition of 1 Pa. In this case, since the selectivity between the insulating film 9 made of SiO 2 and the magnetic film 4 is 200: 1 or more, as shown in the figure, the insulating film 9 is preferentially etched by the etching rate difference, and the portion of the magnetic film 4 is removed. Is hardly etched. Therefore, between the magnetic film 4 and the insulating film 9,
A step is formed in the magnetic gap so as to be curved (see FIG. 5C).
【0044】次に、上記レジストパターンを除去した
後、図5(d)に示すように、上記段差に埋め込むよう
に磁気抵抗効果素子膜(以下、MR膜とも言う)12を
成膜する。その後、ハードパッドのCMPにより磁気ギ
ャップ以外の領域に形成されたMR膜12を除去する
(図5(e)参照)。そして例えばAl2O3からなる
絶縁膜14を全面に成膜した後、CMPにより絶縁膜1
4を平坦化する(図5(f)参照)。Next, after removing the resist pattern, as shown in FIG. 5D, a magnetoresistive element film (hereinafter, also referred to as an MR film) 12 is formed so as to be embedded in the step. Thereafter, the MR film 12 formed in a region other than the magnetic gap by the CMP of the hard pad is removed (see FIG. 5E). Then, after an insulating film 14 made of, for example, Al 2 O 3 is formed on the entire surface, the insulating film 1 is formed by CMP.
4 is flattened (see FIG. 5F).
【0045】次に、図6(a)に示すように、磁気ギャ
ップ領域に開口部を有するフォトレジストからなるレジ
ストパターン15を形成し、このレジストパターンをマ
スクに絶縁膜14をMR膜12の表面が露出するまでR
IEでエッチングし、絶縁膜14にトレンチ16を形成
する。そして、上記レジストパターンを除去した後、絶
縁膜14に開けたトレンチ16に例えばCuからなるリ
ード17を埋め込む(図6(b)参照)。続いて、リー
ド17に接続するCuからなる電極18を形成する(図
6(c)参照)。なお、図6(b)に示す工程と、図6
(c)に示す工程は同時に行っても良い。Next, as shown in FIG. 6A, a resist pattern 15 made of a photoresist having an opening in a magnetic gap region is formed, and using this resist pattern as a mask, an insulating film 14 is formed on the surface of the MR film 12. R until is exposed
Etching is performed by IE to form a trench 16 in the insulating film 14. Then, after removing the resist pattern, a lead 17 made of, for example, Cu is buried in the trench 16 formed in the insulating film 14 (see FIG. 6B). Subsequently, an electrode 18 made of Cu connected to the lead 17 is formed (see FIG. 6C). It should be noted that the process shown in FIG.
The step shown in (c) may be performed simultaneously.
【0046】以上説明した工程により、図1に示す第1
の実施形態の水平型再生磁気ヘッドを製造することがで
きる。なお、本実施形態のように形成することで、磁気
ギャップ部分に磁気抵抗効果膜12とリード17が自動
的に位置合わせができ、通常のリソグラフィー技術では
不可能な位置会わせ精度が要求されるサイズであっても
問題なく形成できる。By the steps described above, the first type shown in FIG.
The horizontal reproducing magnetic head of the embodiment can be manufactured. In addition, by forming as in the present embodiment, the magnetoresistive film 12 and the leads 17 can be automatically aligned with the magnetic gap portion, and a positioning accuracy that is impossible with ordinary lithography technology is required. Even if it is a size, it can be formed without any problem.
【0047】また、磁気ヨークまたは磁気コアとなる磁
性膜としてNiFe、FeTaN、FeCoなどの結晶
質磁性膜、CoZrNbなどの非晶質磁性膜、CoFe
−Al2O3などのグラニュラー磁性膜を用いることが
できる。As a magnetic film serving as a magnetic yoke or a magnetic core, a crystalline magnetic film such as NiFe, FeTaN, or FeCo; an amorphous magnetic film such as CoZrNb;
-A granular magnetic film such as Al 2 O 3 can be used.
【0048】また、磁気ギャップの段差を形成する際、
絶縁膜の代わりに他の非磁性材を磁気ヨークよりも薄く
形成することで磁気ギャップ内で湾曲した段差を形成し
てもよい。When forming a step in the magnetic gap,
A curved step may be formed in the magnetic gap by forming another non-magnetic material thinner than the magnetic yoke instead of the insulating film.
【0049】(第5の実施形態)次に、本発明の第5の
実施形態を図7乃至図10を参照して説明する。この実
施形態は、図2に示す第2の実施形態の水平型再生磁気
ヘッドの製造方法であって、その製造工程を図7乃至図
10に示す。(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is a method for manufacturing the horizontal read magnetic head of the second embodiment shown in FIG. 2, and the manufacturing steps are shown in FIGS.
【0050】まず、図7(a)に示すように、Si基板
1上にボンディングパッド等の部分(図示せず)を形成
した後、例えばCuからなる電極膜20を成膜し、この
電極膜20上にフォトレジストからなるレジストパター
ン21を形成する。そして、図7(b)に示すように、
レジストパターン21をマスクに電極膜20をRIE等
によりエッチングし、凸状の電極20aを形成する。続
いて、上記レジストパターンを除去した後、図7(c)
に示すように、電極20a上に例えばAl2O 3からな
る絶縁膜22を成膜した後、凸状の電極20aの頭の部
分が出るようにCMPにより絶縁膜22を平坦化する
(図7(d)参照)。First, as shown in FIG.
Forming portions (not shown) such as bonding pads on 1
After that, an electrode film 20 made of, for example, Cu is formed,
A resist pattern made of a photoresist on the electrode film 20
, 21 are formed. Then, as shown in FIG.
The electrode film 20 is RIE or the like using the resist pattern 21 as a mask.
To form a convex electrode 20a. Continued
Then, after removing the resist pattern, FIG.
As shown in FIG.2O 3From
After the insulating film 22 is formed, the head portion of the convex electrode 20a is formed.
The insulating film 22 is flattened by CMP so as to make a difference.
(See FIG. 7D).
【0051】次に、図7(e)に示すように、電極20
aが露出している部分より広い部分が開口するようにフ
ォトレジストからなるレジストパターン23を形成し、
RIEにより絶縁膜22をエッチングする。この際のエ
ッチングガスはCHF3を用い、50SCCM、1Pa
の条件で行った。この場合Al2O3とCuの選択比が
100:1以上有ることから、Al2O3を選択的にエ
ッチングすることで電極20aの凸部の側壁にAl2O
3からなる絶縁膜22が残り、絶縁膜22からなる湾曲
した凸部22aが形成される(図7(f)参照)。Next, as shown in FIG.
forming a resist pattern 23 made of a photoresist so that a portion wider than a portion where a is exposed is opened;
The insulating film 22 is etched by RIE. The etching gas at this time is CHF 3 , 50 SCCM, 1 Pa
Was performed under the following conditions. Selectivity of this Al 2 O 3 and Cu are 100: 1 or more certain since, Al 2 O on the side wall of the protruding portion of the electrode 20a by selectively etching the Al 2 O 3
3 remains, and a curved convex portion 22a made of the insulating film 22 is formed (see FIG. 7F).
【0052】次に、上記レジストパターンを除去した
後、図8(a)に示すように全面にMR膜24を成膜す
る。そして、MR膜24上に例えばAl2O3をからな
る絶縁膜25を成膜した後、エッチバック等により絶縁
膜25を平坦化する(図8(b)参照)。続いて、図8
(c)に示すように、電極20aの凸部分を覆うフォト
レジストからなるレジストパターン26を絶縁膜25上
に形成する。そして、このレジストパターン26をマス
クにイオンミリング等のドライエッチングにより絶縁膜
25およびMR膜24をエッチングし、電極20aの凸
部上の領域にのみMR膜24および絶縁膜25を残置す
る(図8(d)参照)。その後、上記レジストパターン
を除去した後、図8(e)に示すように、全面に例えば
Al2O3からなる絶縁膜27を成膜し、この絶縁膜2
7の、電極20aの凸部上の領域に電子ビームリソグラ
フィ等を用いてレジストパターン28を形成する。Next, after removing the resist pattern, an MR film 24 is formed on the entire surface as shown in FIG. Then, after an insulating film 25 made of, for example, Al 2 O 3 is formed on the MR film 24, the insulating film 25 is flattened by etch back or the like (see FIG. 8B). Subsequently, FIG.
As shown in (c), a resist pattern 26 made of a photoresist covering the convex portion of the electrode 20a is formed on the insulating film 25. Then, using the resist pattern 26 as a mask, the insulating film 25 and the MR film 24 are etched by dry etching such as ion milling, and the MR film 24 and the insulating film 25 are left only in a region on the convex portion of the electrode 20a (FIG. 8). (D)). Thereafter, after removing the resist pattern, an insulating film 27 made of, for example, Al 2 O 3 is formed on the entire surface as shown in FIG.
7, a resist pattern 28 is formed in a region on the convex portion of the electrode 20a by using electron beam lithography or the like.
【0053】次に、レジストパターン28をマスクに絶
縁膜27をエッチングし、磁気ギャップ先端となる部分
を形成する(図9(a)参照)。そして、上記レジスト
パターンを除去した後、図9(b)に示すように、全面
に磁気ヨークとなる例えばCoZrNbからなる磁性膜
29を成膜する。続いて、図9(c)に示すように、電
極20aの凸部分を覆うようなフォトレジストからなる
レジストパターン30を形成する。このレジストパター
ン30をマスクに磁性膜29をパターニングした後、パ
ターニングされた磁性膜29の周りを例えばSiO2か
らなる絶縁膜31で埋める(図9(d)参照)。Next, using the resist pattern 28 as a mask, the insulating film 27 is etched to form a portion to be the tip of the magnetic gap (see FIG. 9A). Then, after removing the resist pattern, as shown in FIG. 9B, a magnetic film 29 made of, for example, CoZrNb to be a magnetic yoke is formed on the entire surface. Subsequently, as shown in FIG. 9C, a resist pattern 30 made of a photoresist is formed so as to cover the convex portion of the electrode 20a. After patterning the magnetic film 29 using the resist pattern 30 as a mask, the periphery of the patterned magnetic film 29 is filled with an insulating film 31 made of, for example, SiO 2 (see FIG. 9D).
【0054】次に、上記レジストパターンを除去した
後、図10(a)に示すように、全面に例えばSiO2
からなる成絶縁膜32を成膜する。なお、図9(d)に
示す絶縁膜31で埋める工程と図10(a)に示す絶縁
膜32を成膜する工程は同時に行っても良い。続いて、
エッチバック、CMPなどにより、磁気ギャップ先端部
が露出するまで絶縁膜32の平坦化を行う(図10
(b)参照)。必要に応じてその上にDLC(Diamond L
ike Carbon)保護膜を形成する。Next, after removing the resist pattern, as shown in FIG. 10 (a), the entire surface, for example, SiO 2
Is formed. Note that the step of filling with the insulating film 31 shown in FIG. 9D and the step of forming the insulating film 32 shown in FIG. 10A may be performed simultaneously. continue,
The insulating film 32 is flattened by etching back, CMP or the like until the tip of the magnetic gap is exposed (FIG. 10).
(B)). If necessary, add DLC (Diamond L
ike Carbon) A protective film is formed.
【0055】以上の工程により図2に示す第2の実施形
態の水平型再生磁気ヘッドを製造することができる。The horizontal reproduction magnetic head of the second embodiment shown in FIG. 2 can be manufactured by the above steps.
【0056】また、磁気ヨークまたは磁気コアとなる磁
性膜としてNiFe、FeTaN、FeCoなどの結晶
質磁性膜、CoZrNbなどの非晶質磁性膜、CoFe
−Al2O3などのグラニュラー磁性膜を用いることが
できる。As a magnetic film serving as a magnetic yoke or a magnetic core, a crystalline magnetic film such as NiFe, FeTaN, or FeCo; an amorphous magnetic film such as CoZrNb;
-A granular magnetic film such as Al 2 O 3 can be used.
【0057】また、磁気ギャップの段差を形成する際、
絶縁膜の代わりに他の非磁性材を磁気ヨークよりも薄く
形成することで磁気ギャップ内で湾曲した段差を形成し
てもよい。When forming a step of the magnetic gap,
A curved step may be formed in the magnetic gap by forming another non-magnetic material thinner than the magnetic yoke instead of the insulating film.
【0058】(第6の実施形態)次に、本発明の第6の
実施形態を図11乃至図13を参照して説明する。この
実施形態は、図3に示す第3の実施形態の水平型再生磁
気ヘッドの製造方法であって、その製造工程を図11乃
至図13に示す。(Sixth Embodiment) Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is a method for manufacturing the horizontal reproducing magnetic head of the third embodiment shown in FIG. 3, and the manufacturing steps are shown in FIGS.
【0059】まず、図11(a)に示すようにSi基板
1上にSiO2からなる絶縁膜2を成膜し、この絶縁膜
2上に、磁気ヨークを形成するための開口部を有するフ
ォトレジストからなるレジストパターン3を形成する。
そのレジストパターン3をマスクにRIEにより絶縁膜
3をエッチングし、絶縁膜2にトレンチ2aを形成する
(図11(b)参照)。続いて、上記レジストパターン
を除去した後、磁気ヨークとなる例えばCoZrNbか
らなる磁性膜4をトレンチ2aを埋め込むように成膜す
る(図11(c)参照)。First, as shown in FIG. 11A, an insulating film 2 made of SiO 2 is formed on a Si substrate 1, and a photo having an opening for forming a magnetic yoke is formed on the insulating film 2. A resist pattern 3 made of a resist is formed.
The insulating film 3 is etched by RIE using the resist pattern 3 as a mask to form a trench 2a in the insulating film 2 (see FIG. 11B). Subsequently, after removing the resist pattern, a magnetic film 4 made of, for example, CoZrNb to be a magnetic yoke is formed so as to fill the trench 2a (see FIG. 11C).
【0060】次に、図11(d)に示すように磁性膜4
を、例えばCMPを用いて平坦化した後、磁性膜4をパ
ターニングする。そして、パターニングされた磁性膜4
の周りを例えばSiO2からなる絶縁膜6で埋める(図
11(d)参照)。続いて、図11(e)に示すように
磁性膜4に、イオンミリングを用いてトレンチ7を形成
する。さらに、FIBにより磁気ギャップの先端部とな
る部分8を、磁性膜4に形成する(図11(f)参
照)。Next, as shown in FIG.
Is planarized using, for example, CMP, and then the magnetic film 4 is patterned. Then, the patterned magnetic film 4
Is filled with an insulating film 6 made of, for example, SiO 2 (see FIG. 11D). Subsequently, as shown in FIG. 11E, a trench 7 is formed in the magnetic film 4 by using ion milling. Further, a portion 8 to be a tip of the magnetic gap is formed on the magnetic film 4 by FIB (see FIG. 11F).
【0061】次に、図12(a)に示すように、磁気ギ
ャップ部分を例えばSiO2でからなる絶縁膜9で埋め
た後、CMPにより平坦化する。続いて、磁気ギャップ
部よりも少し広い範囲に開口部11を有するレジストパ
ターン10を形成する(図12(b)参照)。その後、
このレジストパターン10をマスクに磁気ギャップ部の
絶縁膜9をRIEによりエッチングする(図12(c)
参照)。エッチングガスはCHF3を用い、50SCC
M、1Paの条件で行った。この場合、SiO 2からな
る絶縁膜9と磁性膜4との選択比が200:1以上有る
ことから図示したように、エッチングレート差により絶
縁膜9が優先的にエッチングされ、磁性膜4の部分はほ
とんどエッチングされない。このため磁性膜4と絶縁膜
9との間には、磁気ギャップ部に湾曲するような段差が
形成される(図12(c)参照)。Next, as shown in FIG.
The cap portion is made of, for example, SiO2Filled with insulating film 9 made of
After that, it is flattened by CMP. Then, the magnetic gap
Resist opening having an opening 11 in a slightly wider area than the opening.
A turn 10 is formed (see FIG. 12B). afterwards,
Using this resist pattern 10 as a mask,
The insulating film 9 is etched by RIE (FIG. 12C).
reference). The etching gas is CHFThreeUsing 50 SCC
M and 1 Pa were performed. In this case, SiO 2From
The selectivity between the insulating film 9 and the magnetic film 4 is 200: 1 or more.
Therefore, as shown in the figure,
The edge film 9 is preferentially etched, and the portion of the magnetic film 4 is almost etched.
Mostly not etched. Therefore, the magnetic film 4 and the insulating film
9 and there is a step that curves into the magnetic gap.
It is formed (see FIG. 12C).
【0062】次に、上記レジストパターンを除去した
後、図12(d)に示すように、上記段差に埋め込むよ
うにMR膜12を成膜する。その後、ハードパッドのC
MPにより磁気ギャップ以外の領域に形成されたMR膜
12を除去する(図12(e)参照)。そして、例えば
Al2O3からなる絶縁膜14を全面に成膜した後、C
MPにより絶縁膜14を平坦化する(図12(f)参
照)。Next, after removing the resist pattern, as shown in FIG. 12D, an MR film 12 is formed so as to be embedded in the step. Then, C on the hard pad
The MR film 12 formed in a region other than the magnetic gap by the MP is removed (see FIG. 12E). After an insulating film 14 made of, for example, Al 2 O 3 is formed on the entire surface,
The insulating film 14 is planarized by MP (see FIG. 12F).
【0063】次に、磁気ギャップを含む領域に開口部を
有する、フォトレジストからなるレジストパターン(図
示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクに絶
縁膜14をRIEでMR膜12の表面が露出するまでエ
ッチングする(13(a)参照)。そして上記レジスト
パターンを除去した後、図13(b)に示すように、例
えばCuからなる電極膜19を成膜し、この電極膜19
をCMPにより平坦化する。続いて、図13(c)に示
すように、磁気ギャップ上に開口部を有するフォトレジ
ストからなるレジストパターン35を形成する。次に、
図13(d)に示すように、このレジストパターン35
をマスクにRIE等のドライエッチングによりMR膜1
2中央部上の電極膜14を取り除く。これにより、MR
膜12の中央部に開口部36が設けられ、電極膜19が
左右2つの電極19a、19bに分割される(図13
(d)参照)。そして上記レジストパターン35を除去
した後、図13(e)に示すように、例えばAl2O3
からなる絶縁膜37を成膜し、CMPにより絶縁膜37
を平坦化する。Next, a resist pattern (not shown) made of photoresist having an opening in a region including the magnetic gap is formed, and the surface of the MR film 12 is formed by RIE using the resist pattern as a mask. Etch until exposed (see 13 (a)). After removing the resist pattern, an electrode film 19 made of, for example, Cu is formed as shown in FIG.
Is flattened by CMP. Subsequently, as shown in FIG. 13C, a resist pattern 35 made of a photoresist having an opening on the magnetic gap is formed. next,
As shown in FIG. 13D, this resist pattern 35
Film 1 by dry etching such as RIE using
2 Remove the electrode film 14 on the central part. Thereby, MR
An opening 36 is provided in the center of the film 12, and the electrode film 19 is divided into two left and right electrodes 19a and 19b (FIG. 13).
(D)). Then, after removing the resist pattern 35, as shown in FIG. 13 (e), for example, Al 2 O 3
An insulating film 37 is formed, and the insulating film 37 is formed by CMP.
Is flattened.
【0064】以上の工程により図3に示す第3の実施形
態の水平型再生磁気ヘッドを製造することができる。Through the above steps, the horizontal reproducing magnetic head of the third embodiment shown in FIG. 3 can be manufactured.
【0065】また、磁気ヨークまたは磁気コアとなる磁
性膜としてNiFe、FeTaN、FeCoなどの結晶
質磁性膜、CoZrNbなどの非晶質磁性膜、CoFe
−Al2O3などのグラニュラー磁性膜を用いることが
できる。As a magnetic film serving as a magnetic yoke or a magnetic core, a crystalline magnetic film such as NiFe, FeTaN, or FeCo; an amorphous magnetic film such as CoZrNb;
-A granular magnetic film such as Al 2 O 3 can be used.
【0066】また、磁気ギャップの段差を形成する際、
絶縁膜の代わりに他の非磁性材を磁気ヨークよりも薄く
形成することで磁気ギャップ内で湾曲した段差を形成し
てもよい。When forming a step of the magnetic gap,
A curved step may be formed in the magnetic gap by forming another non-magnetic material thinner than the magnetic yoke instead of the insulating film.
【0067】(第7の実施形態)次に、本発明の第7の
実施の形態を図14および図15を参照して説明する。
この実施の形態は、磁気ディスク装置であって、この磁
気ディスク装置の概略構成を図14に示す。すなわち、
本実施の形態の磁気ディスク装置150は、ロータリー
アクチュエータを用いた形式の装置である。図14にお
いて、磁気ディスク200は、スピンドル152に装着
され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答
する図示しないモータにより矢印Aの方向に回転する。
磁気ディスク200は、磁気ディスク200に格納する
情報の記録再生を行うヘッドスライダ153は、薄膜状
のサスペンション154の先端に取り付けられている。
ここで、ヘッドスライダ153は、例えば、前述したい
ずれかの実施形態にかかる磁気ヘッドをその先端付近に
搭載している。(Seventh Embodiment) Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This embodiment is a magnetic disk drive, and FIG. 14 shows a schematic configuration of the magnetic disk drive. That is,
The magnetic disk device 150 of the present embodiment is a device using a rotary actuator. 14, the magnetic disk 200 is mounted on a spindle 152 and is rotated in the direction of arrow A by a motor (not shown) responding to a control signal from a drive controller (not shown).
In the magnetic disk 200, a head slider 153 for recording and reproducing information stored in the magnetic disk 200 is attached to a tip of a thin-film suspension 154.
Here, the head slider 153 has, for example, the magnetic head according to any of the above-described embodiments mounted near the tip thereof.
【0068】磁気ディスク200が回転すると、ヘッド
スライダ153の媒体対向面(ABS)は磁気ディスク
200の表面から所定の浮上量をもって保持される。When the magnetic disk 200 rotates, the medium facing surface (ABS) of the head slider 153 is held with a predetermined flying height from the surface of the magnetic disk 200.
【0069】サスペンション154は、図示しない駆動
コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータ
アーム155の一端に接続されている。アクチュエータ
アーム155の他端には、リニアモータの一種であるボ
イスコイルモータ156が設けられている。ボイスコイ
ルモータ156は、アクチュエータアーム155のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコ
イルを挟み込むように対向して配置された永久磁石およ
び対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。The suspension 154 is connected to one end of an actuator arm 155 having a bobbin for holding a drive coil (not shown). The other end of the actuator arm 155 is provided with a voice coil motor 156, which is a type of linear motor. The voice coil motor 156 includes a drive coil (not shown) wound around a bobbin portion of the actuator arm 155, and a magnetic circuit including a permanent magnet and an opposing yoke, which are opposed to each other so as to sandwich the coil.
【0070】アクチュエータアーム155は、固定軸1
57の上下2箇所に設けられた図示しないボールベアリ
ングによって保持され、ボイスコイルモータ156によ
り回転摺動が自在にできるようになっている。The actuator arm 155 has a fixed shaft 1
It is held by ball bearings (not shown) provided at two positions above and below 57, and can be freely rotated and slid by a voice coil motor 156.
【0071】図15は、アクチュエータアーム155か
ら先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡
大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ1
60は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有
するアクチュエータアーム151を有し、アクチュエー
タアーム155の一端にはサスペンション154が接続
されている。FIG. 15 is an enlarged perspective view of the magnetic head assembly from the actuator arm 155 as viewed from the disk side. That is, the magnetic head assembly 1
Numeral 60 has an actuator arm 151 having a bobbin for holding a drive coil, for example. A suspension 154 is connected to one end of the actuator arm 155.
【0072】サスペンション154の先端には、上記実
施形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘッ
ドスライダ153が取り付けられている。なお、再生ヘ
ッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペンシ
ョン154は信号の書き込みおよび読み取り用のリード
線164を有し、このリード線164とヘッドスライダ
153に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に
接続されている。図15の符号165は磁気ヘッドアッ
センブリ160の電極パッドである。At the tip of the suspension 154, a head slider 153 having the magnetic head described in any of the above embodiments is attached. Note that a reproducing head and a recording head may be combined. The suspension 154 has lead wires 164 for writing and reading signals, and the lead wires 164 are electrically connected to the respective electrodes of the magnetic head incorporated in the head slider 153. Reference numeral 165 in FIG. 15 denotes an electrode pad of the magnetic head assembly 160.
【0073】ここで、ヘッドスライダ153の媒体対向
面(ABS)と磁気ディスク200の表面との間には、
所定の浮上量が設定されている。Here, between the medium facing surface (ABS) of the head slider 153 and the surface of the magnetic disk 200,
A predetermined flying height is set.
【0074】なお、磁気ディスク装置に関しても、再生
のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあ
っても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定さ
れず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなど
のあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さ
らに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、い
わゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。The magnetic disk device may be one that performs only reproduction or one that performs recording and reproduction. The medium is not limited to a hard disk, but may be a flexible disk or a magnetic card. It is possible to use any magnetic recording medium such as. Further, the apparatus may be a so-called "removable" type apparatus in which the magnetic recording medium is detachable from the apparatus.
【0075】[0075]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、磁
気ギャップの媒体対向面側の大きさを可及的に小さくす
ることができるとともに、磁気抵抗効果素子を媒体対向
面に近接して配置することができる。As described above, according to the present invention, the size of the magnetic gap on the medium facing surface side can be reduced as much as possible, and the magnetoresistive effect element can be placed close to the medium facing surface. Can be arranged.
【図1】本発明の第1の実施形態の構成を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施形態の構成を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施形態の構成を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施形態の構成を示す工程断面
図。FIG. 4 is a process sectional view showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第4の実施形態の構成を示す工程断面
図。FIG. 5 is a process cross-sectional view showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第4の実施形態の構成を示す工程断面
図。FIG. 6 is a process sectional view showing the configuration of the fourth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第5の実施形態の構成を示す工程断面
図。FIG. 7 is a process sectional view showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第5の実施形態の構成を示す工程断面
図。FIG. 8 is a process sectional view showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第5の実施形態の構成を示す工程断面
図。FIG. 9 is a process sectional view showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第5の実施形態の構成を示す工程断
面図。FIG. 10 is a process sectional view showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第6の実施形態の構成を示す工程断
面図。FIG. 11 is a process sectional view showing the configuration of the sixth embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第6の実施形態の構成を示す工程断
面図。FIG. 12 is a process sectional view showing the configuration of the sixth embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第6の実施形態の構成を示す工程断
面図。FIG. 13 is a process sectional view showing the configuration of the sixth embodiment of the present invention.
【図14】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を
示す要部斜視図。FIG. 14 is an essential part perspective view showing a schematic configuration of a magnetic disk drive according to the present invention;
【図15】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドア
センブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。FIG. 15 is an enlarged perspective view of the magnetic head assembly ahead of the actuator arm as viewed from the disk side.
1 基板 2 絶縁膜(SiO2膜) 2a トレンチ 3 レジストパターン 4 磁性膜(磁気ヨーク) 5 磁気ギャップ 6 絶縁膜(SiO2膜) 7 トレンチ 8 磁気ギャップの先端部 9 絶縁膜(SiO2膜) 10 レジストパターン 11 開口部 12 磁気抵抗効果膜(MR膜) 14 絶縁膜(Al2O3) 15 レジストパターン 16 トレンチ 17 リード 18 電極 19a、19b 電極 20a 電極 22 絶縁膜(Al2O3) 24 MR膜 25 絶縁膜(Al2O3) 27 絶縁膜(Al2O3) 28 レジストパターン 29 磁性膜 30 レジストパターン 31 絶縁膜(SiO2膜) 32 絶縁膜(SiO2膜) 34 絶縁膜(Al2O3)Reference Signs List 1 substrate 2 insulating film (SiO 2 film) 2a trench 3 resist pattern 4 magnetic film (magnetic yoke) 5 magnetic gap 6 insulating film (SiO 2 film) 7 trench 8 tip of magnetic gap 9 insulating film (SiO 2 film) 10 Resist pattern 11 Opening 12 Magnetoresistive film (MR film) 14 Insulating film (Al 2 O 3 ) 15 Resist pattern 16 Trench 17 Lead 18 Electrode 19a, 19b Electrode 20a Electrode 22 Insulating film (Al 2 O 3 ) 24 MR film Reference Signs List 25 insulating film (Al 2 O 3 ) 27 insulating film (Al 2 O 3 ) 28 resist pattern 29 magnetic film 30 resist pattern 31 insulating film (SiO 2 film) 32 insulating film (SiO 2 film) 34 insulating film (Al 2 O) 3 )
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 館 山 公 一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 原 通 子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 與 田 博 明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 Fターム(参考) 2G017 AA01 AC07 AD55 AD63 AD65 5D034 AA03 BA03 BA08 BA15 BA18 DA07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Koichi Tateyama 1 Koga Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba R & D Center Co., Ltd. Kuko Toshiba 1 Inside the Toshiba R & D Center (72) Inventor Hiroaki Yoda 1 Komukai Toshiba-cho 1 Koyuki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term (Reference) 2G017 AA01 AC07 AD55 AD63 AD65 5D034 AA03 BA03 BA08 BA15 BA18 DA07
Claims (10)
一つが媒体対向面から前記媒体対向面より後退した位置
まで延在する一対の磁気ヨークと、 前記磁気ギャップ内において前記媒体対向面に向かう凸
形状をなす湾曲部を備え、前記磁気ヨークと磁気接続さ
れた磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に電気接続された電極と、を備えた
ことを特徴とするヨーク型再生磁気ヘッド。A pair of magnetic yokes opposed to each other across a magnetic gap, at least one of which extends from the medium facing surface to a position retracted from the medium facing surface, and a protrusion directed toward the medium facing surface within the magnetic gap. A yoke-type reproducing magnetic head, comprising: a curved portion having a shape; a magnetoresistive film magnetically connected to the magnetic yoke; and an electrode electrically connected to the magnetoresistive film.
ークと電気的に接続されていることを特徴とする請求項
1記載のヨーク型再生磁気ヘッド。2. The yoke type reproducing magnetic head according to claim 1, wherein said magnetoresistive effect film is electrically connected to said pair of magnetic yokes.
凸をなす面の反対側の面に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項1または2記載のヨーク型再生磁気
ヘッド。3. A yoke-type reproducing magnetic head according to claim 1, wherein said electrode is partially connected to a surface of said magnetoresistive film opposite to a convex surface of said magnetoresistive effect film. .
り、前記第1乃至第2の電極部の端部は、それぞれ前記
磁気ギャップ内で前記磁気抵抗効果膜の端部に電気的に
接続されていることを特徴とする請求項1または2記載
のヨーク型再生磁気ヘッド。4. The electrode comprises first and second electrode portions, and ends of the first and second electrode portions are electrically connected to ends of the magnetoresistive film in the magnetic gap, respectively. 3. The yoke-type reproducing magnetic head according to claim 1, wherein the yoke type reproducing magnetic head is connected to a magnetic head.
ヨークを形成する工程と、前記磁気ギャップ内に前記磁
気ヨークとエッチングレートが異なる非磁性膜を埋め込
む工程と、エッチングレートの差を利用して前記磁気ギ
ャップ部分に段差を形成する工程と、前記段差部分に磁
気抵抗効果膜を埋め込む工程と、を備えたことを特徴と
するヨーク型再生磁気ヘッドの製造方法。5. A step of forming a pair of magnetic yokes facing each other across a magnetic gap, a step of embedding a nonmagnetic film having a different etching rate from that of the magnetic yoke in the magnetic gap, and utilizing a difference in etching rates. Forming a step in the magnetic gap portion, and embedding a magnetoresistive film in the step portion.
残し、この段差に電極取り出し用リードの一部または全
部を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項5記
載のヨーク型再生磁気ヘッドの製造方法。6. The yoke-type reproduction according to claim 5, further comprising the step of leaving a step when embedding the magnetoresistive effect film, and forming a part or all of an electrode extraction lead in the step. A method for manufacturing a magnetic head.
ークの前記媒体対向面と反対側の面と、前記磁気ギャッ
プの前記媒体対向面と反対側の面との間に段差を形成す
る工程と、前記段差部分に磁気抵抗効果膜を埋め込む工
程と、を備えたことを特徴とするヨーク型再生磁気ヘッ
ドの製造方法。7. A step of forming a magnetic yoke, and a step of forming a step between a surface of the magnetic yoke opposite to the medium facing surface and a surface of the magnetic gap opposite to the medium facing surface. And a step of embedding a magnetoresistive effect film in the step portion.
残し、この段差に電極取り出し用リードの一部または全
部を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項7記
載のヨーク型再生磁気ヘッドの製造方法。8. The yoke-type reproduction according to claim 7, further comprising the step of leaving a step when embedding the magnetoresistive film and forming a part or all of a lead for taking out an electrode in the step. A method for manufacturing a magnetic head.
凸部の側面に絶縁膜からなる側壁を形成する工程と、前
記凸部および前記側壁を覆うように磁気抵抗効果膜を形
成する工程と、前記凸部上に磁気ギャップを有する磁気
ヨークを形成する工程と、を備えたことを特徴とするヨ
ーク型再生磁気ヘッドの製造方法。9. A step of forming an electrode having a protrusion, a step of forming a side wall made of an insulating film on a side surface of the protrusion, and forming a magnetoresistive film so as to cover the protrusion and the side wall. And a step of forming a magnetic yoke having a magnetic gap on the convex portion.
ク型再生磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして用いたこと
を特徴とする磁気ディスク装置。10. A magnetic disk drive using the yoke-type reproducing magnetic head according to claim 1 as a reproducing magnetic head.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291926A JP2002100010A (en) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | Yoke type reproducing magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic disk drive |
| KR10-2001-0057021A KR100438341B1 (en) | 2000-09-26 | 2001-09-15 | Yoke-type playback magnetic head and manufacturing method thereof, and magnetic disk device |
| US09/956,127 US6850393B2 (en) | 2000-09-26 | 2001-09-20 | Magnetic head including a magneto resistive film connected to a yoke portion |
| US10/778,124 US20040160705A1 (en) | 2000-09-26 | 2004-02-17 | Yoke type reproducing magnetic head, method for fabricating same, and magnetic disk unit |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000291926A JP2002100010A (en) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | Yoke type reproducing magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic disk drive |
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|---|---|
| JP2002100010A true JP2002100010A (en) | 2002-04-05 |
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Family Applications (1)
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| JP2000291926A Pending JP2002100010A (en) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | Yoke type reproducing magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic disk drive |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100010A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291926A patent/JP2002100010A/en active Pending
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