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JP2002198568A - 投光ユニット及び光電センサ - Google Patents

投光ユニット及び光電センサ

Info

Publication number
JP2002198568A
JP2002198568A JP2000397638A JP2000397638A JP2002198568A JP 2002198568 A JP2002198568 A JP 2002198568A JP 2000397638 A JP2000397638 A JP 2000397638A JP 2000397638 A JP2000397638 A JP 2000397638A JP 2002198568 A JP2002198568 A JP 2002198568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
unit
photoelectric sensor
collimating lens
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000397638A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadao Noda
貞雄 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
Original Assignee
Sunx Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sunx Ltd filed Critical Sunx Ltd
Priority to JP2000397638A priority Critical patent/JP2002198568A/ja
Publication of JP2002198568A publication Critical patent/JP2002198568A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光手段から放射される放射光の光量を減衰
させることなく均一な光強度の平行光を出射する投光ユ
ニット及び光電センサを提供する。 【解決手段】 光電センサ1は、発光手段たるLED4
及びコリメートレンズ5を備えた投光ユニット6、受光
ユニット11及び遮光状態検出手段たる遮光状態検出回
路で構成されている。この光電センサ1において、投光
ユニット6に内蔵されたコリメートレンズ5の曲率は、
その出射面における単位面積から出射される平行光の光
量を均一にするために、この単位面積から出射される平
行光に対応してLED4から入射する放射光の光量が一
定値となるように設定される。これにより、投光ユニッ
ト6から出射される平行光の光量を減衰させることなく
光強度分布を出射面において均一にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、出射面における単
位面積当たりの光量が均一な平行光を出射する投光ユニ
ット、及び、この投光ユニットを用いて平行光を送受す
る測定用光路上に位置する被検出物体の遮光状態を検出
することにより、被検出物体の位置や寸法等を測定する
光電センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、平行光を送受する測定用光路
上に被検出物体が置かれた場合の遮光状態を検出するこ
とに基づいて、この被検出物体の位置や寸法等を測定す
る光電センサがある。例えば図9は、物体の高さ寸法を
測定するための光電センサ100の構成を示すものであ
る。この図9において、投光ユニット101にはLED
102及びコリメートレンズ103が設けられており、
LED102から放射される放射光は、コリメートレン
ズ103を透過することにより平行化されて平行光とし
て出射されるようになっている。
【0003】受光ユニット104には矩形状に開口され
たスリット105、集光レンズ106及びフォトダイオ
ード107が設けられており、前記平行光のうちスリッ
ト105を通過したものが集光レンズ106により集光
された状態で、フォトダイオード107にて受光され、
このフォトダイオード107から受光量の大きさに応じ
て光電変換された電気信号が出力される。図示しない信
号処理部は、マイクロコンピュータを主体とした電気回
路で構成されており、受光量と被検出物体の高さ寸法と
の相対関係が予めデータ化されて記録されている。そし
て、前記電気信号に基づいてフォトダイオード107で
の受光量が検出され、この受光量と前記相対関係データ
とを比較することに基づいて被検出物体の高さ寸法の測
定が行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般的にL
ED102は、光軸付近ほど光強度が大きく、放射角が
大きくなるに従って光強度が小さくなるような光強度分
布の放射光を出射する(図10参照)。そのため、コリ
メートレンズ103を透過して測定光路上を進行する平
行光の光強度分布も略同様な不均一なものとなり、それ
故、この平行光を光束108で表すと、図9に示すよう
な中心が密で外縁に向かって疎となるものとなる。
【0005】従って、高さ寸法が異なる被検出物体の高
さ寸法を測定する場合、被検出物体の高さ方向の変化率
と被検出物体により遮光されてスリット105を通過し
なくなる光量の割合(遮光率)とは比例関係にはならな
いので、フォトダイオード107での受光量と遮光率と
が比例関係でなくなり、高さ寸法の測定精度が低下して
しまうという問題が発生していた。そのため、特開平1
−312403号公報や特開平8−240412号公報
のものでは、例えば図11に示すように、スリット10
9の開口幅を平行光の光束108(図9参照)の密な部
分ほど狭めた形状とするとこにより、スリット109を
通過する平行光の光量が光軸に垂直な方向において均一
になるような光量調整を行うようにした。これにより、
例えば箱形の被検出物体では、被検出物体の高さ方向の
変化率と遮光率との関係を比例関係にすることができ、
高さ寸法の測定精度を向上させることができる。
【0006】しかしながら、このようなスリット109
による光量調整は、外縁部を通過する単位面積当たりの
光量と等しくなるように中心部を通過する単位面積当た
りの光量を減衰させるような方法であるため、フォトダ
イオード107での受光量が低減し、SN比が低下する
という問題が発生していた。しかも、例えば図12に示
すように、検出部分が同じ曲率の球状で高さの異なる被
検出物体110及び111が測定光路上に置かれた場合
には、スリット109の斜線部Xを透過する光量IXと
斜線部Yを透過する光量IYとが、IX<IYの関係と
なってしまい、被検出物体の高さ方向の変化率と遮光率
とが比例関係でなくなり、高さ寸法の検出精度を低下さ
せてしまうという問題も発生していた。更に、スリット
109の中心を放射光の光軸に合わせるためのアライメ
ント作業が困難であるという欠点があり、また、特殊な
形状のスリット109を製作しなければならないため、
製造コストを上昇させてしまうという欠点もあった。
【0007】また、特開平7−209507号公報や特
開平7−208939号公報のものでは、前記スリット
109と同様の効果を光学フィルターに置き換えたもの
が提案されている。この光学フィルターは、図示はしな
いが、コリメートレンズから出射される平行光の光軸に
垂直な面に設けられ、平行光の光束の密な部分ほど光の
透過率を低下させることにより、光学フィルター透過後
の平行光の光量が均一になるような光量調整を行うもの
である。この場合、スリットの形状は、矩形状のままに
することができる。しかも、被検出物体の形状に関わら
ず、被検出物体の高さ方向の変化率と遮光比率とが比例
関係となり、高さ寸法の測定精度を向上させることがで
きる。
【0008】しかしながら、フォトダイオードでの全体
的な受光量が低減してSN比が低下するという問題や、
アライメント作業の困難性、光学フィルターを付加させ
ることによる製造コストの上昇といった問題があり、改
善の余地が残されていた。
【0009】本発明は上述の事情に鑑みてなされたもの
であり、従ってその目的は、発光手段から放射される放
射光の光量を減衰させることなく均一な光強度の平行光
を出射する投光ユニット、及び、この投光ユニットを備
えた光電センサを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の光電セン
サは、発光手段から放射され、放射角が大きくなるに従
って光強度分布が小さくなる放射光を平行化して平行光
を出射するコリメートレンズを備えた投光ユニットにお
いて、前記コリメートレンズの曲率は、光軸に垂直な出
射面における前記平行光の単位面積当たりの光量が均一
になるように設定されていることを特徴とする。
【0011】このような構成によれば、例えばスリット
や光学フィルター等を用いて光強度分布が均一な平行光
を出射する方法と異なり、放射光の光量を減衰させるこ
となく大きな強度を維持した状態で光強度分布が均一な
平行光を出射することができる。しかも、新たな光学部
品を付加することなく、コリメートレンズの曲率を調節
するだけでよいので、投光ユニットの製造コストの上昇
を抑制することができる。
【0012】請求項2記載の光電センサでは、前記コリ
メートレンズの曲率は、前記出射面における単位面積か
ら出射される前記平行光に対応して前記発光手段から入
射する前記放射光の光量が一定値となるような演算式に
基づいて設定されていることを特徴とする。
【0013】このような構成によれば、コリメートレン
ズの周縁部ほど放射角範囲の広い放射光が集光されるの
で、光強度の大きい光軸付近と同等な光強度の平行光を
出射面全体から出射することができる。
【0014】請求項3記載の光電センサでは、前記コリ
メートレンズの曲率は、前記放射角に応じて前記コリメ
ートレンズの表面における反射による減衰分を予め除去
するようにして設定されていることを特徴とする。
【0015】このような構成によれば、コリメートレン
ズ表面における反射による減衰分がキャンセルされるの
で、コリメートレンズ表面への入射角に応じて反射率が
変化することにより、出射面に集光される単位面積当た
りの光量が不均一になるのを防ぐことができ、従って、
平行光の光強度分布の均一性をより向上させることがで
きる。
【0016】請求項4記載の光電センサは、請求項1乃
至3の何れかに記載の投光ユニットと、この投光ユニッ
トから出射される前記平行光を集光レンズにて集光し、
この集光光を受光手段にて受光する受光ユニットと、こ
の受光ユニットにより受光される受光量に基づいて、前
記投光ユニット及び前記受光ユニット間に形成される測
定用光路の遮光状態を検出する遮光状態検出手段とを具
備することを特徴とする光電センサ。
【0017】このような構成によれば、投光ユニットか
ら光強度分布が均一な平行光が出射されるので、測定用
光路の遮光率と受光手段での受光量とを比例関係にする
ことができ、遮光状態の検出精度を向上させることがで
きる。しかも、この平行光の光強度は十分大きいので、
SN比を向上させることができる。また、投光ユニット
と受光ユニットとのアライメント作業も簡単に済み、新
たな光学部品を付加しなくてもよいので製造コストの上
昇を抑制することができる。
【0018】請求項5記載の光電センサは、発光手段か
ら放射され、放射角が大きくなるに従って光強度分布が
小さくなる放射光を平行化して平行光を出射するコリメ
ートレンズを備えた投光ユニットと、この投光ユニット
から出射される前記平行光を集光レンズにて集光し、こ
の集光光を受光位置が検出可能な受光手段にて受光する
受光ユニットと、この受光ユニットにより検出される前
記受光位置に基づいて、前記投光ユニット及び前記受光
ユニット間に形成される光路の遮光状態を検出する遮光
状態検出ユニットとを備える光電センサにおいて、前記
コリメートレンズの曲率は、前記受光手段の受光面にお
ける前記集光光の単位面積当たりの光量が均一になるよ
うに設定されていることを特徴とする光電センサ。
【0019】このような構成によれば、投光ユニットか
ら光強度が十分大きく光強度分布が均一な平行光が出射
され、しかも、被検出物体による平行光の遮光状態が受
光手段の受光位置に対応付けされるので、被検出物体の
位置や寸法、形状認識等の測定精度を向上させることが
できる。
【0020】請求項6記載の光電センサでは、前記コリ
メートレンズの曲率は、前記受光手段の受光面における
単位面積に入射する前記集光光に対応して前記発光手段
から入射する前記放射光の光量が一定値となるような演
算式に基づいて設定されていることを特徴とする。この
ような構成によっても、請求項2と同様な効果が得られ
る。
【0021】請求項7記載の光電センサでは、前記コリ
メートレンズの曲率は、前記放射角に応じて前記コリメ
ートレンズ及び前記集光レンズの表面における反射によ
る減衰分を予め除去するようにして設定されていること
を特徴とする。
【0022】このような構成によれば、コリメートレン
ズ及び集光レンズの表面における反射による減衰分がキ
ャンセルされるので、各レンズ表面への入射角に応じて
反射率が変化することにより、受光手段の受光面に集光
される単位面積当たりの光量が不均一になるのを防ぐこ
とができ、従って、受光手段の受光面での集光光の光強
度分布の均一性をより向上させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】[第1の実施例]以下、本発明の
光電センサを被検出物体の高さ寸法を測定する光電セン
サに適用した第1の実施例について、図1乃至図6を参
照して説明する。図1は、光電センサ1の構成を示すも
のである。この図1において、高さの異なる被検出物体
を流すためのライン2側部には、次のようにして光電セ
ンサ1が設置されている。
【0024】まず、ライン2の一方の側部には箱状のケ
ース3が設置されており、このケース3内には発光手段
たるLED4が設けられている。このLED4は、図示
しない外部電源から電力が供給されることにより発光し
て、放射角が大きくなるに従って光強度分布が小さくな
る放射光を出射する。
【0025】また、ケース3の正面部に形成された開口
部3bには、LED4から放射される放射光の光軸に中
心部が位置するようにして両凸型のコリメートレンズ5
が装着されており、LED4から放射される放射光は、
このコリメートレンズ5により平行化されて平行光とし
てライン2上に向かって出射される。尚、このコリメー
トレンズ5の表面には、反射防止膜が施されている。そ
して、これらLED4及びコリメートレンズ5で投光ユ
ニット6が構成されている。
【0026】次に、ライン2の投光ユニット6に対向す
るもう一方の側部には箱状のケース7が設置されてお
り、このケース7の正面部7aには、長手方向が垂直方
向を指向し、前記光軸に中心部が位置するようにして矩
形状に開口されたスリット手段たるスリット8が形成さ
れている。更に、光軸の延長上には、夫々中心部が位置
するようにして、ケース7内部に両凸型の集光レンズ9
が配置され、この集光レンズ9の焦点位置に受光手段た
るフォトダイオード10が位置決めされている。
【0027】尚、集光レンズ9の表面には、反射防止膜
が施されている。また、フォトダイオード10では、ス
リット8を通過した平行光が全て集光され、この集光光
の光強度に応じて光電変換された電気信号が出力され
る。そして、これらスリット8、集光レンズ9及びフォ
トダイオード10で受光ユニット11が構成されてい
る。
【0028】遮光状態検出回路は、図示はしないが、マ
イクロコンピュータを主体とした電気回路で構成されて
おり、フォトダイオード10から受信する電気信号に基
づいて、被検出物体の高さ寸法の測定が行われる。そし
て、測定された被検出物体の高さに関する情報は、図示
しないライン管理装置に送信され、被検出物体の区分等
の制御に使用される。以上のようにして、投光ユニット
6、受光ユニット11及び遮光状態検出回路で光電セン
サ1が構成されている。
【0029】<光電センサ1の作用説明>次に、光電セ
ンサ1の作用について説明する。まず初めに、投光ユニ
ット6に装着されたコリメートレンズ5の曲率は、詳細
は後述するが、平行光の光強度分布が光軸に垂直な出射
面13(図2参照)において均一になるように設定され
ている。従って、この平行光を光束で表すと、図1に示
すような出射面13に対して均一なものとなる。
【0030】さて、投光ユニット6から出射される光強
度分布が出射面13において均一な平行光は、ライン2
上に測定用光路を形成しながら受光ユニット11のスリ
ット8に向かって照射される。そして、スリット8の開
口幅と同幅の平行光のみがスリット8を通過し、集光レ
ンズ9にて集光され、この集光光がフォトダイオード1
0にて受光される。続いて、フォトダイオード10で
は、集光光の光強度に応じて光電変換された電気信号
が、遮光状態検出回路に出力される。
【0031】遮光状態検出回路では、受信した電気信号
に基づいて、フォトダイオード10での受光量の検出が
行われる。この場合、平行光の光強度分布が出射面13
において均一であるために、フォトダイオード10での
受光量は、測定光路中を被検出物体が通過する際にその
被検出物体の高さに応じて遮光される光量の割合(遮光
率)に比例する。そして、遮光されない状態(スリット
8に平行光が100%入射される状態)で検出される受
光量の受光率を100%として、被検出物体により遮光
された場合に検出される受光率を求めることにより、被
検出物体の高さ寸法の測定が行われる。
【0032】<コリメートレンズ5の曲率の設定方法>
次に、LED4から放射され、放射角が大きくなるに従
って光強度分布が小さくなる放射光を平行化して、光強
度分布が出射面13において均一になるような平行光を
出射させるコリメートレンズ5の曲率の設定方法につい
て説明する。
【0033】図2は、非球面型のコリメートレンズ5の
光学的構成を示すものである。ここでは説明を簡単にす
るために、LED4は点光源であるものとし、放射光の
光強度は光軸12を基準とした放射角θに対してcos
θで変化するものとする。また、平行光を出射する側の
コリメートレンズ5近傍における光軸に垂直な面を出射
面13とする。更に、入射角θAにおける微小立体角α
Aで入射する放射光をRA、その平行光をHA(光軸付
近)、その光束をΦAとし、入射角θBにおける微小立
体角αBで入射する放射光をRB、その平行光をHB
(光軸と周端部の中間付近)、その光束をΦBとし、入
射角θCにおける微小立体角αCで入射する放射光をR
C、その平行光をHC(周端部付近)、その光束をΦC
とする。
【0034】さて、まず初めに、コリメートレンズ5の
曲率の設定方法の概念について説明すると、平行光の光
強度分布を出射面13において均一にするためには、出
射面13の単位面積当たりの光量を均一にすればよい。
即ち、例えば、図2において、平行光HA乃至HCが出
射面13の単位面積tから出射されると仮定した場合
に、それらの光束ΦA乃至ΦCが同一になればよい。そ
のためには、まず、出射面13における単位面積tから
出射される平行光HA乃至HCに対応してLED4から
入射する放射光RA乃至RCの光量が一定値となるよう
な微小立体角αA乃至αCを定める。そして、これら入
射角θA乃至θC及び微小立体角αA乃至αCで入射す
る放射光RA乃至RCが、出射面13の単位面積tから
平行光HA乃至HCとして出射されるような関係を満た
すようにして、コリメートレンズ5の曲率を設定する。
【0035】次に、具体的な設計例を挙げて、コリメー
トレンズ5の曲率の設定方法について説明する。まず、
コリメートレンズ5の設計条件は以下のように設定す
る。屈折率 n=1.486(空気の屈折率を1とす
る)焦点距離 F=32.428mm
【0036】次に、所定の入射角θにおける微小立体角
αで入射する放射光Rの光強度をI(α)、この放射光
Rがコリメートレンズ表面に入射する場合の微小照射面
積をΔS、この放射光Rにより出射面13の単位面積t
から出射される平行光Hの光束をΔΦとすると、これら
ΔΦ、I(α)、ΔSの間には、次のような関係式が導
かれる。 ΔΦ=I(α)×ΔS … (1)
【0037】例えば、前記放射光RA乃至RCの関係
は、(1)式に基づいて、次のような式で表される。 I(αA)×ΔSA=I(αB)×ΔSB=I(αC)×ΔSC … (2)
【0038】また、非球面型のコリメートレンズ5の曲
面式は、光軸をz軸とし、光軸に垂直な面にx,y軸を
設定すると、次のような式で表される。
【数1】 ここで、cはコリメートレンズの曲率を表し、その曲率
半径rとの間にはc=1/rの関係がある。また、d,
e,f,g,Kは係数である。
【0039】続いて、これらコリメートレンズ5の設計
条件、及び、(1)式の左辺が一定になるような関係
(即ち(2)式)を満たすようにして、(3)式の各係
数c乃至g及びKを最適な値に設定する。尚、この最適
化は、準ニュートン法等を用いてコンピュータにて演算
処理することにより短時間で容易に行うことができる。
【0040】そして、この最適化により、コリメートレ
ンズ5は、図3に示すような入射角が30°までの放射
光が取り込まれて半径15mmの平行光が出射されるよ
うに設計される。
【0041】<平行光の出射面13における光強度分布
の均一性の評価方法>以上のようにしてコリメートレン
ズ5の曲率を設定した場合に、平行光の出射面13にお
ける光強度分布の均一性を評価するために、リニアリテ
ィー誤差という概念を導入する。尚、このリニアリティ
ー誤差は、特開平1−312403号公報にも定義付け
されているものである。
【0042】図4は、光電センサ1における受光率と遮
光率との関係を示すものである。尚、この場合の遮光率
とは、スリット8を上方又は下方から同一方向に向かっ
て遮光した場合のものとする。この図4において、一点
鎖線で示された直線は、光強度分布が出射面13におい
て完全に均一な理想的な平行光での受光率と遮光率との
関係を示す基準線14である。これに対して、実線で示
された曲線は、従来例で示した光電センサ100のよう
な中心が密で外縁に向かって疎となるような不均一な光
強度分布の平行光での受光率と遮光率との関係を示す実
測定線15である。
【0043】そして、リニアリティー誤差ERは、所定
の遮光率における基準線14の受光率をPS、実測定線
15の受光率をPとし、これらPSとPとの差をΔPと
した場合のPSに対するΔPの割合として次式のように
定義される。 ER=ΔP/PS×100(%) … (4)
【0044】図5(a)は、前記コリメートレンズ5を
投光ユニット6に装着した場合の光電センサ1における
リニアリティー誤差ERを示すものである。また、図5
(b)は、比較のため、図6に示すような設計条件が同
じで平行光の半径が15mmとなるような従来のコリメ
ートレンズ(平凸レンズ)103を投光ユニット101
に装着した場合の光電センサ100におけるリニアリテ
ィー誤差ERを示すものである。このように本実施例の
光電センサ1のリニアリティー誤差は、従来のものに比
べ格段に小さくなっていることがわかる。しかも、従来
のコリメートレンズ103の場合は、入射角が21.9
°までの放射光しか取り込まれておらず(図6参照)、
従って、本実施例のコリメートレンズ5では、より広い
範囲の放射角(入射角30°、図3参照)の放射光が取
り込まれることにより、放射光の減衰が抑制されている
ことがわかる。
【0045】このように本実施例では、コリメートレン
ズ5の出射面13における単位面積tから出射される平
行光の光量を均一にするために、この出射面13におけ
る単位面積tから出射される平行光に対応してLED4
から入射する放射光の光量が一定値となるようにコリメ
ートレンズ5の曲率を設定するようにした。そして、こ
のコリメートレンズ5を備えた投光ユニット6、受光ユ
ニット11及び遮光状態検出回路で被検出物体の高さ寸
法を測定する光電センサ1を構成するようにした。
【0046】このような構成によれば、例えばスリット
や光学フィルター等を用いて光強度分布が均一な平行光
を出射する方法と異なり、放射光の光量を減衰させるこ
となく大きな強度を維持した状態で出射面における光強
度分布が均一な平行光を出射することができる。しか
も、新たな光学部品を付加することなく、コリメートレ
ンズ5の曲率を調節するだけでよいので、投光ユニット
6の製造コストの上昇を抑制することができる。
【0047】また、コリメートレンズ5の周縁部ほど放
射角範囲の広い放射光が集光されるので、光強度の大き
い光軸付近と同等な光強度の平行光を出射面13全体か
ら出射することができる。
【0048】また、投光ユニット6から光強度分布が均
一な平行光が出射されるので、受光率と遮光率とを比例
関係にすることができ、遮光状態の検出精度を向上させ
ることができる。しかも、この平行光の光強度は十分大
きいので、SN比を向上させることができる。また、投
光ユニット6と受光ユニット11とのアライメント作業
も簡単に済み、新たな光学部品を付加しなくてもよいの
で製造コストの上昇を抑制することができる。
【0049】[第2の実施例]以下、本発明の光電セン
サを被検出物体の高さ寸法を測定する光電センサに適用
した第2の実施例について、図7及び図8を参照して説
明する。尚、第1の実施例と同一部分については同一符
号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ
説明する。
【0050】図7に示すように、本第2の実施例の光電
センサ20では、受光ユニット11に装着される集光レ
ンズ21の曲率は、スリット8を通過した平行光の光強
度分布を維持したまま(線形な状態で)集光するように
設定されている。尚、従来の一般的な集光レンズは、こ
のような曲率に設定されている。そして、側壁面7bに
は、長手方向が垂直方向を向くようにして受光位置が検
出可能な受光手段たる一次元受光素子22が装着されて
いる。この一次元受光素子22は、N個の受光部が等間
隔で一列に配置されるようにして構成されている。
【0051】また、投光ユニット6に装着されるコリメ
ートレンズ23の曲率は、詳細は後述するが、第1の実
施例で示したコリメートレンズ5の曲率とは異なるよう
に設定されている。
【0052】<光電センサ20の作用説明>次に、光電
センサ20の作用について説明する。まず初めに、投光
ユニット6に装着されたコリメートレンズ23の曲率
は、詳細は後述するが、一次元受光素子22の受光面に
おける集光光の単位面積当たりの光量が均一になるよう
に設定されている。
【0053】さて、投光ユニット6から出射される平行
光は、ライン2上に測定用光路を形成しながら受光ユニ
ット11のスリット8に向かって照射され、スリット8
を通過し、集光レンズ21にて集光され、この集光光が
一次元受光素子22にて受光される。一次元受光素子2
2内のN個の受光部では、各受光部毎に独立して受光量
が電気信号に光電変換され、これらN個の受光部からの
電気信号は、所定周期でパラレル−シリアル変換され、
遮光状態検出回路にシリアル信号として出力される。遮
光状態検出回路では、受信した電気信号に基づいて、集
光光の受光位置の検出が行われ、集光光が検出されなか
った受光位置に対応する位置(即ち、遮光位置)に被検
出物体が存在していたものとして、これにより被検出物
体の高さ寸法の測定が行われる。
【0054】<コリメートレンズ23の曲率の設定方法
>次に、コリメートレンズ23の曲率の設定方法につい
て説明する。尚、本第2の実施例では、コリメートレン
ズ23及び集光レンズ21の表面には反射防止膜が施さ
れていないものとする。この場合、コリメートレンズ2
3及び集光レンズ21の表面では、入射光の入射角に応
じて入射角が大きいほど大きな反射率で反射が生じ、こ
れによって光量の減衰が発生する。そのため、平行光の
光強度分布を出射面において均一にした場合には、集光
レンズ21にて集光される際の反射の影響により、一次
元受光素子22の受光面における集光光の単位面積当た
りの光束は中心が密で外縁が疎となってしまう。そこ
で、本第2の実施例では、コリメートレンズ23及び集
光レンズ21の表面反射による光量の減衰分がキャンセ
ルされて、一次元受光素子22の受光面における集光光
の単位面積当たりの光量が均一になるようにコリメート
レンズ23の曲率が設定される。
【0055】図8は、非球面型のコリメートレンズ23
及び集光レンズ21の光学的構成を示すものである。こ
こでは、入射角θ、微小立体角α、光束Φ、放射光R及
び平行光Hについては、第1の実施例と同様の記号を使
用するものとする。また、集光レンズ21により集光さ
れた集光光は、夫々SA乃至SCとする。
【0056】さて、一次元受光素子22の受光面におけ
る集光光の単位面積当たりの光量を均一にするために、
まず、集光レンズ21に平行光を入射させる際に、集光
レンズ21への入射角に応じた表面反射により減衰する
光量がキャンセルされて、一次元受光素子22の受光面
における集光光の単位面積当たりの光量が均一になるよ
うに、コリメートレンズ23の出射面13の単位面積t
から出射される平行光HA乃至HCの光束を定める。
【0057】次に、前記出射面13における単位面積t
から出射される平行光HA乃至HCの光束ΦA乃至ΦC
に対応させて、LED4からコリメートレンズ23に入
射する放射光RA乃至RCの微小立体角αA乃至αCを
定める。尚、この場合にも、放射光が入射する際に、コ
リメートレンズ23への入射角に応じた表面反射により
減衰する光量がキャンセルされるように微小立体角αA
乃至αCを定めるようにする。また、具体的な設定方法
については第1の実施例と同様にして(1)及び(3)
式に基づいて行えばよいので、説明は省略する。
【0058】このように本第2の実施例では、コリメー
トレンズ23の曲率は、コリメートレンズ23及び集光
レンズ21の表面反射による光量の減衰分をキャンセル
した上で、一次元受光素子22の受光面における集光光
の単位面積当たりの光量が均一になるように設定した。
そして、このコリメートレンズ23を備えた投光ユニッ
ト6、平行光の光強度分布を維持したまま集光する集光
レンズ21及びその集光光を受光する一次元受光素子2
2を備えた受光ユニット11、及び、遮光状態検出回路
で被検出物体の高さ寸法を測定する光電センサ20を構
成するようにした。
【0059】このような構成によれば、投光ユニット6
から光強度が十分大きく光強度分布が均一な平行光が出
射され、しかも、被検出物体による平行光の遮光状態が
一次元受光素子22の受光位置に対応付けされるので、
被検出物体の高さ寸法の測定精度を向上させることがで
きる。
【0060】また、コリメートレンズ23の周縁部ほど
放射角範囲の広い放射光が集光されるので、光強度の大
きい光軸付近と同等な光強度の平行光を出射面13全体
から出射することができる。
【0061】また、コリメートレンズ23及び集光レン
ズ21の表面反射による光量の減衰分がキャンセルされ
るので、各レンズ21及び23表面への入射角に応じて
反射率が変化することにより、一次元受光素子22の受
光面に集光される単位面積当たりの光量が不均一になる
のを防ぐことができ、従って、一次元受光素子22の受
光面での集光光の光強度分布の均一性をより向上させる
ことができる。
【0062】尚、本発明は、上記し、且つ図面に示す実
施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形、
拡張が可能である。本発明の第1の実施例では、コリメ
ートレンズに反射防止膜が施されている構成としたが、
これに限定されるものではなく、反射防止膜が施されて
いない場合には、コリメートレンズでの放射光の入射角
に応じた表面反射がキャンセルされるようにコリメート
レンズの曲率を設定すればよい。
【0063】本発明の実施例では、発光手段をLEDに
適用したが、これに限定されるものではなく、例えば半
導体レーザ等のレーザ光源や一般的な電球等に適用して
もよい。また、例えば、光ファイバ端から放射光が出射
されるように構成された光源に適用してもよく、要は、
放射角が大きくなるに従って光強度分布が小さくなる放
射光を出射するものであればよい。
【0064】本発明の実施例では、光電センサを高さ寸
法を測定するものに適用したが、これに限定されるもの
ではなく、被検出物体を測長するものに適用してもよ
い。また、本発明の第2の実施例における受光手段を例
えば2次元受光素子にすることによって、被検出物体の
2次元的な形状認識を測定するものに適用することも可
能である。更に、受光手段は、例えば集光レンズによる
集光光を光ファイバで一端受け、この光ファイバにより
伝搬された光を受光素子で受光するように構成してもよ
い。
【0065】本発明の実施例では、受光ユニットへ平行
光が入射する位置にスリットを設けたが、これに限定さ
れるものではなく、発光手段と受光手段との間に形成さ
れる光路上であればどの位置に設けてもよい。また、ス
リットは必要に応じて設ければよく、要は、受光手段に
て受光される平行光の領域が矩形スリット状に規制され
るように光電センサの光学系が設定されていればよい。
【0066】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
投光ユニットは、コリメートレンズの曲率を調整するこ
とによって、投光ユニットから出射される平行光の光強
度分布が出射面において均一になるようにしたので、発
光手段から出射される放射光の光量を減衰させることな
く大きな光強度を維持した状態で光強度分布が均一な平
行光を出射することができる。そして、この投光ユニッ
ト、受光ユニット及び遮光状態検出手段で光電センサを
構成したので、リニアリティー誤差を小さくして遮光状
態の測定精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す光電センサの構成
【図2】コリメートレンズの光学的構成図
【図3】コリメートレンズの設計例を示す図
【図4】光電センサの受光率と遮光率との関係を示す図
【図5】光電センサのリニアリティー誤差を示す図
【図6】従来例を示す図3相当図
【図7】本発明の第2の実施例を示す図1相当図
【図8】コリメートレンズ及び集光レンズの光学的構成
【図9】従来例を示す図1相当図
【図10】LEDの放射角に対する光強度分布図
【図11】スリットの形状図
【図12】スリットの遮光状態と通過する光量との関係
を示す図
【符号の説明】
図面中、1,20は光電センサ、2はライン、4はLE
D(発光手段)、5はコリメートレンズ、6は投光ユニ
ット、8はスリット(スリット手段)、9,21は集光
レンズ、10はフォトダイオード(受光手段)、11は
受光ユニット、22は一次元受光素子(受光手段)を示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 3/00 G02B 19/00 5F089 3/02 H01L 31/12 D 19/00 G01J 1/02 P H01L 31/12 F21M 1/00 Q // G01J 1/02 Fターム(参考) 2F065 AA07 AA24 DD00 EE04 EE08 FF02 GG07 GG12 HH03 HH13 HH15 JJ02 JJ09 JJ25 LL00 LL28 QQ25 UU01 UU05 2G065 AB23 AB28 BA09 BB06 BB23 DA15 2H052 BA02 BA07 BA09 BA11 3K042 AA01 AC06 BC01 5F041 AA06 EE11 EE16 FF16 5F089 BB04 BC15 GA01

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光手段から放射され、放射角が大きく
    なるに従って光強度分布が小さくなる放射光を平行化し
    て平行光を出射するコリメートレンズを備えた投光ユニ
    ットにおいて、 前記コリメートレンズの曲率は、光軸に垂直な出射面に
    おける前記平行光の単位面積当たりの光量が均一になる
    ように設定されていることを特徴とする投光ユニット。
  2. 【請求項2】 前記コリメートレンズの曲率は、前記出
    射面における単位面積から出射される前記平行光に対応
    して前記発光手段から入射される前記放射光の光量が一
    定値となるような演算式に基づいて設定されていること
    を特徴とする請求項1記載の投光ユニット。
  3. 【請求項3】 前記コリメートレンズの曲率は、前記放
    射角に応じて前記コリメートレンズの表面における反射
    による減衰分を予め除去するようにして設定されている
    ことを特徴とする請求項2記載の投光ユニット。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3の何れかに記載の投光ユ
    ニットと、 この投光ユニットから出射される前記平行光を集光レン
    ズにて集光し、この集光光を受光手段にて受光する受光
    ユニットと、 この受光ユニットにより受光される受光量に基づいて、
    前記投光ユニット及び前記受光ユニット間に形成される
    測定用光路の遮光状態を検出する遮光状態検出手段とを
    具備することを特徴とする光電センサ。
  5. 【請求項5】 発光手段から放射され、放射角が大きく
    なるに従って光強度分布が小さくなる放射光を平行化し
    て平行光を出射するコリメートレンズを備えた投光ユニ
    ットと、 この投光ユニットから出射される前記平行光を集光レン
    ズにて集光し、この集光光を受光位置が検出可能な受光
    手段にて受光する受光ユニットと、 この受光ユニットにより検出される前記受光位置に基づ
    いて、前記投光ユニット及び前記受光ユニット間に形成
    される光路の遮光状態を検出する遮光状態検出ユニット
    とを備える光電センサにおいて、 前記コリメートレンズの曲率は、前記受光手段の受光面
    における前記集光光の単位面積当たりの光量が均一にな
    るように設定されていることを特徴とする光電センサ。
  6. 【請求項6】 前記コリメートレンズの曲率は、前記受
    光手段の受光面における単位面積に入射する前記集光光
    に対応して前記発光手段から入射する前記放射光の光量
    が一定値となるような演算式に基づいて設定されている
    ことを特徴とする請求項5記載の光電センサ。
  7. 【請求項7】 前記コリメートレンズの曲率は、前記放
    射角に応じて前記コリメートレンズ及び前記集光レンズ
    の表面における反射による減衰分を予め除去するように
    して設定されていることを特徴とする請求項6記載の光
    電センサ。
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