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JP2002198411A - Pressure control method, transfer device and cluster tool - Google Patents

Pressure control method, transfer device and cluster tool

Info

Publication number
JP2002198411A
JP2002198411A JP2000395263A JP2000395263A JP2002198411A JP 2002198411 A JP2002198411 A JP 2002198411A JP 2000395263 A JP2000395263 A JP 2000395263A JP 2000395263 A JP2000395263 A JP 2000395263A JP 2002198411 A JP2002198411 A JP 2002198411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
transfer chamber
cassette
transfer
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000395263A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002198411A5 (en
Inventor
Hiroshi Koizumi
浩 小泉
Takashi Asakawa
崇 浅川
Toshimitsu Aoki
利光 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000395263A priority Critical patent/JP2002198411A/en
Priority to PCT/JP2001/011338 priority patent/WO2002052638A1/en
Publication of JP2002198411A publication Critical patent/JP2002198411A/en
Publication of JP2002198411A5 publication Critical patent/JP2002198411A5/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10P72/0402
    • H10P72/0462
    • H10P72/0464
    • H10P72/0604

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トランスファチャンバ内の圧力制御を効率よ
く行う。 【解決手段】 カセットチャンバCC1、CC2とトラ
ンスファチャンバTCとでドライポンプDP1を共有化
するとともに、ウエハWの搬送時にトランスファチャン
バTC内の排気を停止し、ゲートバルブPG1、PG2
を開いた時だトランスファチャンバTC内のNパージ
を行う。
(57) [Problem] To efficiently control the pressure in a transfer chamber. SOLUTION: The dry pump DP1 is shared between the cassette chambers CC1 and CC2 and the transfer chamber TC, and the exhaust in the transfer chamber TC is stopped when the wafer W is transferred, and the gate valves PG1 and PG2 are stopped.
Is opened, the N 2 purge in the transfer chamber TC is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は圧力制御方法、搬送
装置およびクラスタツールに関し、特に、半導体装置や
液晶表示装置などの製造プロセスに適用して好適なもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure control method, a transfer apparatus, and a cluster tool, and more particularly, to a method suitably applied to a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体などの製造プロセスでは、ウエハ
を大気に曝すことなく、複数の処理を行うために、複数
のプロセスチャンバが連結されたクラスタツールが普及
してきている。このようなクラスタツールでは、複数の
プロセスチャンバに対してウエハを出し入れするトラン
スファチャンバが設けられている。そして、トランスフ
ァチャンバ内の圧力制御を行いつつ、ウエハの搬送を行
うことにより、大気やパーティクルなどによるコンタミ
ネーションからウエハが保護される。ここで、従来のト
ランスファチャンバ内の圧力制御方法では、トランスフ
ァチャンバ内の圧力を一定に維持するために、トランス
ファチャンバ内を常時真空引きしながら、Nパージが
行われていた。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor or the like, a cluster tool in which a plurality of process chambers are connected to perform a plurality of processes without exposing a wafer to the air has become widespread. In such a cluster tool, a transfer chamber for transferring a wafer into and out of a plurality of process chambers is provided. Then, by controlling the pressure in the transfer chamber and transferring the wafer, the wafer is protected from contamination by the atmosphere, particles, and the like. Here, in the conventional pressure control method in the transfer chamber, the N 2 purge is performed while constantly evacuating the inside of the transfer chamber in order to keep the pressure in the transfer chamber constant.

【0003】図5は、従来の圧力制御方法が適用される
クラスタツールの概略構成を示す断面図である。図5に
おいて、トランスファチャンバTCには、カセットチャ
ンバCC1、CC2がゲートバルブCG1、CG2を介
して連結されるとともに、プロセスチャンバPC1、P
C2がゲートバルブPG1、PG2を介して連結されて
いる。
FIG. 5 is a sectional view showing a schematic configuration of a cluster tool to which a conventional pressure control method is applied. In FIG. 5, cassette chambers CC1 and CC2 are connected to transfer chamber TC via gate valves CG1 and CG2, and process chambers PC1 and P2 are connected to transfer chamber TC.
C2 is connected via gate valves PG1, PG2.

【0004】ここで、カセットチャンバCC1、CC2
には、カセットチャンバCC1、CC2内の排気を行う
ためのドライポンプDP2が設けられるとともに、トラ
ンスファチャンバTCには、トランスファチャンバTC
内の排気を行うためのドライポンプDP3が設けられて
いる。また、プロセスチャンバPC1、PC2には、プ
ロセスチャンバPC1、PC2内の排気を行うためのド
ライポンプDP4、DP5およびターボポンプTP1、
TP2がそれぞれ設けられている。
Here, the cassette chambers CC1, CC2
Is provided with a dry pump DP2 for evacuating the cassette chambers CC1 and CC2, and the transfer chamber TC is provided with a transfer chamber TC.
A dry pump DP3 for exhausting the inside is provided. Further, dry pumps DP4 and DP5 and a turbo pump TP1 for exhausting the inside of the process chambers PC1 and PC2 are provided in the process chambers PC1 and PC2.
TP2 is provided.

【0005】また、カセットチャンバCC1、CC2お
よびトランスファチャンバTCには、Nパージを行う
ためのN排出部1〜3が設けられ、さらに、トランス
ファチャンバTCには、トランスファチャンバTC内の
圧力を検出するためのキャパシタンスマノメータ4およ
びコンベクトロン(ピラニーゲージ)5が設けられると
ともに、トランスファチャンバTC内の圧力を制御する
ための圧力コントローツバルブPCVが設けられてい
る。
The cassette chambers CC1 and CC2 and the transfer chamber TC are provided with N 2 discharge units 1 to 3 for purging N 2 , and the transfer chamber TC is provided with a pressure in the transfer chamber TC. A capacitance manometer 4 and a convexron (Pirani gauge) 5 for detection are provided, and a pressure control valve PCV for controlling the pressure in the transfer chamber TC is provided.

【0006】ここで、プロセスチャンバPC1、PC2
内にウエハWを搬入する場合、ウエハWが収容されたカ
セットC1、C2をカセットチャンバCC1、CC2内
に設置する。そして、ゲートバルブCG1、CG2を閉
じた状態で、ドライポンプDP2によりカセットチャン
バCC1、CC2内を排気することにより、カセットチ
ャンバCC1、CC2内の圧力を170mTorr程度
にし、170mTorr程度まで真空引きしたら排気を
終了する。
Here, the process chambers PC1, PC2
When loading the wafer W into the cassette, the cassettes C1 and C2 accommodating the wafer W are set in the cassette chambers CC1 and CC2. Then, with the gate valves CG1 and CG2 closed, the inside of the cassette chambers CC1 and CC2 is evacuated by the dry pump DP2 to reduce the pressure in the cassette chambers CC1 and CC2 to about 170 mTorr. finish.

【0007】また、トランスファチャンバTC内でも、
パージを行いつつ、ドライポンプDP3による排気
を行い、100又は200mTorr程度の圧力に維持
する。
[0007] Further, in the transfer chamber TC,
While performing N 2 purge, exhaust is performed by the dry pump DP3, and the pressure is maintained at about 100 or 200 mTorr.

【0008】さらに、プロセスチャンバPC1、PC2
内においても、ドライポンプDP4、DP5およびター
ボポンプTP1、TP2による排気を行い、0.1mT
orr程度の圧力に維持する。
Further, process chambers PC1, PC2
In the inside, exhaust is performed by dry pumps DP4 and DP5 and turbo pumps TP1 and TP2, and
The pressure is maintained at about orr.

【0009】そして、各チャンバ内の圧力が所定値に達
すると、ゲートバルブCG1、CG2を開き、搬送アー
ムARを用いることにより、カセットC1、C2に収容
されたウエハWをトランスファチャンバTC内に搬送
し、さらに、ゲートバルブPG1、PG2を開き、トラ
ンスファチャンバTC内に搬送されたウエハWをプロセ
スチャンバPC1、PC2内に搬送する。
When the pressure in each chamber reaches a predetermined value, the gate valves CG1 and CG2 are opened, and the transfer arm AR is used to transfer the wafers W stored in the cassettes C1 and C2 into the transfer chamber TC. Then, the gate valves PG1 and PG2 are opened, and the wafer W transferred into the transfer chamber TC is transferred into the process chambers PC1 and PC2.

【0010】ここで、ゲートバルブCG1、CG2、P
G1、PG2を開いた際に、トランスファチャンバTC
内の圧力を制御し、トランスファチャンバTC内の圧力
を常に一定(100または200mTorr程度)に維
持する。これにより、各チャンバ間の圧力差を所定の範
囲内に収めて、パーティクルの巻き上げを防止するとと
もに、プロセスチャンバPC1、PC2内に残留する処
理ガスG1、G2の流出を防止する。
Here, the gate valves CG1, CG2, P
When G1 and PG2 are opened, the transfer chamber TC
The pressure in the transfer chamber TC is constantly maintained (about 100 or 200 mTorr). Thus, the pressure difference between the respective chambers is kept within a predetermined range to prevent the particles from being wound up and to prevent the processing gases G1, G2 remaining in the process chambers PC1, PC2 from flowing out.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
圧力制御方法では、トランスファチャンバTC内を常時
排気するために、カセットチャンバCC1、CC2及び
トランスファチャンバTCにドライポンプDP2、DP
3をそれぞれ独自に設ける必要があった。また、トラン
スファチャンバTC内の圧力を制御するために、キャパ
シタンスマノメータ4や圧力コントローツバルブPCV
などの圧力制御部品を用いる必要があった。このため、
これらの整備にかかるコストや消費電力が大きいという
問題があった。さらに、トランスファチャンバTC内の
排気中は常にNパージが行われるため、Nの消費量
が大きいという問題もあった。
However, according to the conventional pressure control method, the dry pumps DP2 and DP are provided in the cassette chambers CC1 and CC2 and the transfer chamber TC in order to constantly exhaust the inside of the transfer chamber TC.
3 had to be provided independently. In order to control the pressure in the transfer chamber TC, the capacitance manometer 4 and the pressure control valve PCV
It was necessary to use pressure control components such as For this reason,
There was a problem that the cost and power consumption for these maintenances were large. Furthermore, since the N 2 purge is always performed during the exhaust in the transfer chamber TC, there is a problem that the consumption of N 2 is large.

【0012】そこで、本発明の目的は、トランスファチ
ャンバ内の圧力制御を効率よく行うことが可能な圧力制
御方法、搬送装置およびクラスタツールを提供すること
である。
An object of the present invention is to provide a pressure control method, a transfer device, and a cluster tool that can efficiently control the pressure in a transfer chamber.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1記載の発明によれば、トランスファチ
ャンバを介してカセットチャンバからプロセスチャンバ
へ処理対象を搬送する際に、前記トランスファチャンバ
内の排気を停止させることを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a transfer chamber for transferring a processing object from a cassette chamber to a process chamber via a transfer chamber. It is characterized in that the exhaust in the interior is stopped.

【0014】これにより、トランスファチャンバ内の圧
力をほぼ一定に保ちつつ、カセットチャンバからプロセ
スチャンバへ処理対象を搬送することができ、処理対象
の搬送時におけるトランスファチャンバ内の圧力制御を
不要として、給排気設備を集約化することができる。
Thus, the object to be processed can be transported from the cassette chamber to the process chamber while maintaining the pressure in the transfer chamber at a substantially constant level. Exhaust equipment can be centralized.

【0015】また、請求項2記載の発明によれば、前記
プロセスチャンバのゲートバルブの開閉状態に基づい
て、前記トランスファチャンバへのパージを行うステッ
プをさらに備えることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, the method further comprises the step of purging the transfer chamber based on the open / close state of a gate valve of the process chamber.

【0016】これにより、プロセスチャンバのゲートバ
ルブが開いた時だけ、トランスファチャンバからプロセ
スチャンバへ向かう気流を生成することが可能となり、
トランスファチャンバ内の排気を停止させた場合におい
ても、パージガスの消費量を抑制しつつ、トランスファ
チャンバ内のパーティクルや汚染物質をプロセスチャン
バを介して排気することが可能となる。
[0016] This makes it possible to generate an airflow from the transfer chamber to the process chamber only when the gate valve of the process chamber is opened.
Even when the exhaust in the transfer chamber is stopped, it is possible to exhaust particles and contaminants in the transfer chamber through the process chamber while suppressing the consumption of the purge gas.

【0017】また、請求項3記載の発明によれば、前記
トランスファチャンバをアイドル中に排気するステップ
と、前記トランスファチャンバの排気を停止させ、前記
処理対象が載置されたカセットチャンバを排気するステ
ップと、前記カセットチャンバから前記トランスファチ
ャンバへ前記処理対象を搬送する際に、前記カセットチ
ャンバ内の排気を停止させるステップをさらに備えるこ
とを特徴とする。
According to the third aspect of the present invention, the step of exhausting the transfer chamber during idling and the step of stopping the exhaust of the transfer chamber and exhausting the cassette chamber in which the object to be processed is mounted And stopping the exhaust in the cassette chamber when transferring the processing target from the cassette chamber to the transfer chamber.

【0018】これにより、カセットチャンバとトランス
ファチャンバとの排気を交互に行うことが可能となるこ
とから、カセットチャンバとトランスファチャンバとで
ドライポンプを共有した場合においても、これらのチャ
ンバ間での大気突入を防止することが可能となり、設備
にかかるコストを低減することが可能となる。
This makes it possible to alternately evacuate the cassette chamber and the transfer chamber. Therefore, even when the cassette chamber and the transfer chamber share a dry pump, the intrusion of air between these chambers can be achieved. Can be prevented, and the cost of equipment can be reduced.

【0019】また、請求項4記載の発明によれば、トラ
ンスファチャンバを介してカセットチャンバからプロセ
スチャンバへ処理対象を搬送する搬送手段と、前記処理
対象を前記プロセスチャンバに搬送する際に、前記トラ
ンスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制御手段と
を備えることを特徴とする。
According to the fourth aspect of the present invention, the transfer means for transferring the processing object from the cassette chamber to the process chamber via the transfer chamber, and the transfer means for transferring the processing object to the process chamber. Pressure control means for stopping the exhaust in the chamber.

【0020】これにより、トランスファチャンバ内の排
気の停止中に、カセットチャンバの排気を行うことが可
能となることから、トランスファチャンバとカセットチ
ャンバとでドライポンプを共有化して、給排気設備を集
約化することができる。
This makes it possible to evacuate the cassette chamber while the evacuation of the transfer chamber is stopped. Therefore, the dry pump is shared between the transfer chamber and the cassette chamber, and the supply and exhaust equipment is centralized. can do.

【0021】また、請求項5記載の発明によれば、処理
対象を載置するカセットチャンバと、前記処理対象の処
理を行うプロセスチャンバと、前記カセットチャンバお
よび前記プロセスチャンバとゲートバルブを介して連結
され、前記カセットチャンバから前記プロセスチャンバ
へ前記処理対象を搬送するトランスファチャンバと、前
記カセットチャンバと前記トランスファチャンバとに共
通して設けられたドライポンプと、前記プロセスチャン
バへ前記処理対象を搬送する際に、前記トランスファチ
ャンバ内の排気を停止させる圧力制御手段とを備えるこ
とを特徴とする。
According to the fifth aspect of the present invention, a cassette chamber for mounting an object to be processed, a process chamber for processing the object to be processed, and the cassette chamber and the process chamber are connected to each other via a gate valve. A transfer chamber for transferring the processing target from the cassette chamber to the process chamber; a dry pump provided commonly to the cassette chamber and the transfer chamber; and a transfer pump for transferring the processing target to the process chamber. And pressure control means for stopping the exhaust in the transfer chamber.

【0022】これにより、トランスファチャンバとカセ
ットチャンバとでドライポンプを共有化することが可能
となり、ウエハのコンタミネーションを抑制しつつ、設
備にかかるコストを抑制することができる。
As a result, the dry pump can be shared between the transfer chamber and the cassette chamber, and the cost of equipment can be suppressed while suppressing wafer contamination.

【0023】また、請求項6記載の発明によれば、前記
圧力制御手段は、前記トランスファチャンバ内の排気の
停止中に、前記ドライポンプを用いて前記カセットチャ
ンバ内の排気を行うことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, the pressure control means exhausts the interior of the cassette chamber using the dry pump while the exhaust of the transfer chamber is stopped. I do.

【0024】これにより、カセットチャンバとトランス
ファチャンバとでドライポンプを共有した場合において
も、大気突入を防止しつつ、カセットチャンバ内の圧力
とトランスファチャンバ内の圧力とをそれぞれ別個に制
御することが可能となる。
Thus, even when a dry pump is shared between the cassette chamber and the transfer chamber, the pressure in the cassette chamber and the pressure in the transfer chamber can be controlled separately while preventing intrusion into the atmosphere. Becomes

【0025】また、請求項7記載の発明によれば、前記
トランスファチャンバおよび前記カセットチャンバの排
気の停止に伴って、前記ドライポンプの電源をオフする
ことを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, the power supply of the dry pump is turned off when the evacuation of the transfer chamber and the cassette chamber is stopped.

【0026】これにより、ドライポンプの消費電力の大
幅な削減が可能となる。
As a result, the power consumption of the dry pump can be significantly reduced.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
圧力制御方法について図面を参照しながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a pressure control method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0028】図1は、本発明の一実施形態に係わる圧力
制御方法が適用されるクラスタツールの概略構成を示す
断面図である。図1において、トランスファチャンバT
Cには、カセットチャンバCC1、CC2がゲートバル
ブCG1、CG2を介して連結されるとともに、プロセ
スチャンバPC1、PC2がゲートバルブPG1、PG
2を介して連結されている。
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a cluster tool to which a pressure control method according to an embodiment of the present invention is applied. In FIG. 1, the transfer chamber T
Cassette chambers CC1 and CC2 are connected to C via gate valves CG1 and CG2, and process chambers PC1 and PC2 are connected to gate valves PG1 and PG.
2 are connected.

【0029】ここで、カセットチャンバCC1、CC2
およびトランスファチャンバTCでは、ドライポンプD
P1が共有化され、このドライポンプDP1により、カ
セットチャンバCC1、CC2およびトランスファチャ
ンバTCの排気を別個に行う。また、プロセスチャンバ
PC1、PC2には、プロセスチャンバPC1、PC2
内の排気を行うためのドライポンプDP4、DP5およ
びターボポンプTP1、TP2がそれぞれ設けられてい
る。
Here, the cassette chambers CC1, CC2
And in the transfer chamber TC, the dry pump D
P1 is shared, and the cassette pumps CC1, CC2 and the transfer chamber TC are separately evacuated by the dry pump DP1. The process chambers PC1 and PC2 are provided in the process chambers PC1 and PC2.
Dry pumps DP4, DP5 and turbo pumps TP1, TP2 for exhausting the inside are provided, respectively.

【0030】また、カセットチャンバCC1、CC2お
よびトランスファチャンバTCには、Nパージを行う
ためのN排出部1〜3が設けられ、さらに、トランス
ファチャンバTCには、トランスファチャンバTC内の
圧力を検出するためのコンベクトロン5が設けられてい
る。
The cassette chambers CC1 and CC2 and the transfer chamber TC are provided with N 2 discharge units 1 to 3 for purging N 2 , and the transfer chamber TC is provided with a pressure in the transfer chamber TC. A convexron 5 for detection is provided.

【0031】以下、図1のクラスタツールの動作につい
て説明する。
The operation of the cluster tool shown in FIG. 1 will be described below.

【0032】図2は、本発明の一実施形態に係わる圧力
制御方法を示すフローチャートである。図2において、
アイドル中は、トランスファチャンバTC内の大気によ
る汚染を防止するため、バルブV6を開き、ドライポン
プDP1による排気を行う(ステップS1)。
FIG. 2 is a flowchart showing a pressure control method according to one embodiment of the present invention. In FIG.
During idling, the valve V6 is opened and exhaust is performed by the dry pump DP1 in order to prevent contamination by the atmosphere in the transfer chamber TC (step S1).

【0033】次に、プロセスチャンバPC1、PC2内
にウエハWを搬入する場合、ウエハWが収容されたカセ
ットC1、C2をカセットチャンバCC1、CC2内に
設置する。そして、ゲートバルブCG1、CG2を閉じ
た状態で、バルブV6を閉じることにより、トランスフ
ァチャンバTC内の排気を停止するとともに(ステップ
S2)、バルブV1〜V4を開き、カセットチャンバC
C1、CC2内の排気をドライポンプDP1により行う
(ステップS3)。
Next, when loading the wafer W into the process chambers PC1 and PC2, the cassettes C1 and C2 accommodating the wafer W are set in the cassette chambers CC1 and CC2. Then, by closing the valve V6 with the gate valves CG1 and CG2 closed, the exhaust in the transfer chamber TC is stopped (step S2), and the valves V1 to V4 are opened to open the cassette chamber C.
The exhaust in C1 and CC2 is performed by the dry pump DP1 (step S3).

【0034】また、プロセスチャンバPC1、PC2内
においても、バルブV7〜V12の開閉を行い、ドライ
ポンプDP4、DP5およびターボポンプTP1、TP
2による排気を行う。
Also, in the process chambers PC1 and PC2, the valves V7 to V12 are opened and closed, and the dry pumps DP4 and DP5 and the turbo pumps TP1 and TP are opened.
2 is evacuated.

【0035】そして、カセットチャンバCC1、CC2
内の真空引きが終了すると、バルブV1〜V4を閉じる
ことにより、カセットチャンバCC1、CC2内の排気
を停止させる(ステップS4)。そして、ゲートバルブ
CG1、CG2を開き(ステップS5)、搬送アームA
Rを用いることにより、カセットC1、C2に収容され
たウエハWをトランスファチャンバTC内に搬送し、さ
らに、ゲートバルブPG1、PG2を開き(ステップS
6)、トランスファチャンバTC内に搬送されたウエハ
WをプロセスチャンバPC1、PC2内に搬送する。そ
して、プロセスチャンバPC1、PC2内へのウエハW
の搬送が終了すると、ゲートバルブPG1、PG2を閉
じる(ステップS7)。
Then, the cassette chambers CC1, CC2
When the evacuation of the inside is completed, the exhaust in the cassette chambers CC1 and CC2 is stopped by closing the valves V1 to V4 (step S4). Then, the gate valves CG1 and CG2 are opened (step S5), and the transfer arm A
By using R, the wafers W stored in the cassettes C1 and C2 are transferred into the transfer chamber TC, and the gate valves PG1 and PG2 are opened (Step S).
6) The wafer W transferred into the transfer chamber TC is transferred into the process chambers PC1 and PC2. Then, the wafer W is inserted into the process chambers PC1 and PC2.
Is completed, the gate valves PG1 and PG2 are closed (step S7).

【0036】ここで、ゲートバルブPG1、PG2を開
閉に合わせて、バルブV16を開閉し、ゲートバルブP
G1、PG2が開いた時だけ、トランスファチャンバT
C内のNパージを行う(ステップS21、S22)。
これにより、トランスファチャンバTCからプロセスチ
ャンバPC1、PC2へ向かう気流を発生させることが
可能となり、Nの消費量を抑制しつつ、トランスファ
チャンバTC内の汚染物質をプロセスチャンバPC1、
PC2を介して排出することが可能となる。
Here, the valve V16 is opened and closed according to the opening and closing of the gate valves PG1 and PG2, and the gate valve P
Only when G1 and PG2 are opened, transfer chamber T
Performing N 2 purge in C (step S21, S22).
Thus, the transfer chamber TC becomes possible to generate an air flow toward the process chamber PC1, PC2 from while suppressing the consumption of N 2, the process chamber PC1 contaminants in the transfer chamber TC,
It becomes possible to discharge via PC2.

【0037】プロセスチャンバPC1、PC2内にウエ
ハWが搬入されると、必要に応じてバルブV17、V1
8を開くことにより、プロセスチャンバPC1、PC2
内に処理ガスG1、G2を導入し、ウエハWの処理を行
う(ステップS8)。なお、プロセスチャンバPC1、
PC2で行われる処理は、例えば、CVD、アニール、
エッチング、蒸着、スパッタ、イオン注入などである。
When the wafer W is loaded into the process chambers PC1, PC2, the valves V17, V1
8, the process chambers PC1, PC2
The processing gases G1 and G2 are introduced into the chamber, and the processing of the wafer W is performed (step S8). The process chamber PC1,
The processing performed by the PC 2 includes, for example, CVD, annealing,
Examples include etching, vapor deposition, sputtering, and ion implantation.

【0038】ウエハWの処理が終了すると、ゲートバル
ブPG1、PG2を開き(ステップS9)、トランスフ
ァチャンバTC内に搬送されたウエハWをプロセスチャ
ンバPC1、PC2内に搬出する。そして、プロセスチ
ャンバPC1、PC2内へのウエハWの搬出が終了する
と、ゲートバルブPG1、PG2を閉じる(ステップS
10)。なお、この場合も、ゲートバルブPG1、PG
2を開閉に合わせて、バルブV16を開閉し、ゲートバ
ルブPG1、PG2が開いた時だけ、トランスファチャ
ンバTC内のNパージを行う(ステップS23、S2
4)。
When the processing of the wafer W is completed, the gate valves PG1 and PG2 are opened (step S9), and the wafer W transferred into the transfer chamber TC is unloaded into the process chambers PC1 and PC2. When the unloading of the wafer W into the process chambers PC1 and PC2 is completed, the gate valves PG1 and PG2 are closed (Step S).
10). In this case, also in this case, the gate valves PG1, PG
The valve V16 is opened and closed in accordance with the opening and closing of the valve 2 and the N2 purge in the transfer chamber TC is performed only when the gate valves PG1 and PG2 are opened (steps S23 and S2).
4).

【0039】以上の処理を、処理対象となるウエハWが
設置された全てのカセットチャンバCC1、CC2につ
いて繰り返し、全てのウエハWについての処理が終了す
ると、ゲートバルブCG1、CG2を閉じ(ステップS
11)、バルブV6を開くことにより、トランスファチ
ャンバTC内の排気を行う(ステップS12)。
The above processing is repeated for all the cassette chambers CC1 and CC2 in which the wafers W to be processed are installed. When the processing for all the wafers W is completed, the gate valves CG1 and CG2 are closed (step S).
11) The transfer chamber TC is evacuated by opening the valve V6 (step S12).

【0040】このように、カセットチャンバCC1、C
C2とプロセスチャンバPC1、PC2との間でウエハ
Wを搬送する際に、トランスファチャンバTC内の排気
を停止させることにより、トランスファチャンバTC内
の排気を行うドライポンプDP1を用いてカセットチャ
ンバCC1、CC2内の排気を行うことが可能となり、
カセットチャンバCC1、CC2とプロセスチャンバP
C1、PC2とでドライポンプDP1を共用することが
可能となる。
As described above, the cassette chambers CC1, C
When the wafer W is transferred between C2 and the process chambers PC1 and PC2, the exhaust in the transfer chamber TC is stopped, and the cassette chambers CC1 and CC2 are evacuated using the dry pump DP1 for exhausting the transfer chamber TC. It is possible to exhaust the inside,
Cassette chambers CC1, CC2 and process chamber P
The dry pump DP1 can be shared by C1 and PC2.

【0041】また、ウエハWの搬送時にトランスファチ
ャンバTC内の排気が停止されることから、ウエハWの
搬送時におけるトランスファチャンバTC内の圧力制御
が不要となり、図5のキャパシタンスマノメータ4や圧
力コントロールバルブPCVを除去することが可能とな
る。
Further, since the evacuation of the transfer chamber TC during the transfer of the wafer W is stopped, the pressure control in the transfer chamber TC during the transfer of the wafer W becomes unnecessary, and the capacitance manometer 4 and the pressure control valve shown in FIG. PCV can be removed.

【0042】図3は、本発明の一実施形態に係わる圧力
制御方法を示すタイミングチャートである。なお、この
実施形態では、まず、カセットチャンバCC1からプロ
セスチャンバPC1へウエハWを搬送した後、カセット
チャンバCC2からプロセスチャンバPC2へウエハW
を搬送する場合について説明する。
FIG. 3 is a timing chart showing a pressure control method according to one embodiment of the present invention. In this embodiment, after the wafer W is first transferred from the cassette chamber CC1 to the process chamber PC1, the wafer W is transferred from the cassette chamber CC2 to the process chamber PC2.
Will be described.

【0043】図3において、アイドル中は、バルブV6
を開き、ドライポンプDP1による排気を行う。なお、
この時のトランスファチャンバTC内の圧力は、1mT
orr程度に維持される。
In FIG. 3, during idling, the valve V6
Is opened, and exhaust is performed by the dry pump DP1. In addition,
At this time, the pressure in the transfer chamber TC is 1 mT
orr is maintained.

【0044】次に、ウエハWが収容されたカセットC1
をカセットチャンバCC1内に設置する。そして、ゲー
トバルブCG1を閉じた状態で、バルブV6を閉じるこ
とにより、トランスファチャンバTC内の排気を停止す
るとともに(T1)、バルブV1を開き(T1)、カセ
ットチャンバCC1内の排気を緩やかに行った後、バル
ブV1を閉じるとともにバルブV2を開き、カセットチ
ャンバCC1内の排気を急速に行う。なお、この時のカ
セットチャンバCC1内の圧力は、170mTorr程
度に維持されるとともに、トランスファチャンバTC内
の排気は停止されているため、トランスファチャンバT
C内の圧力は徐々に上昇する。
Next, the cassette C1 in which the wafer W is stored
Is set in the cassette chamber CC1. By closing the valve V6 with the gate valve CG1 closed, the exhaust in the transfer chamber TC is stopped (T1), the valve V1 is opened (T1), and the exhaust in the cassette chamber CC1 is performed gently. After that, the valve V1 is closed and the valve V2 is opened to quickly exhaust the cassette chamber CC1. At this time, the pressure in the cassette chamber CC1 is maintained at about 170 mTorr, and the evacuation of the transfer chamber TC is stopped.
The pressure in C gradually increases.

【0045】また、プロセスチャンバPC1内では、ド
ライポンプDP4およびターボポンプTP1による排気
が行われ、0.1mTorr程度の圧力に維持される。
Further, in the process chamber PC1, exhaust is performed by the dry pump DP4 and the turbo pump TP1, and the pressure is maintained at about 0.1 mTorr.

【0046】そして、カセットチャンバCC1内の真空
引きが終了すると、バルブV2を閉じて、カセットチャ
ンバCC1内の排気を停止させるとともに、ゲートバル
ブCG1を開く(T2)。この際、カセットチャンバC
C1とトランスファチャンバTCとの圧力差により気流
が生じるが、カセットチャンバCC1およびトランスフ
ァチャンバTCは気密状態にあり、カセットチャンバC
C1とトランスファチャンバTCとの圧力差は僅かであ
るため、この気流の発生によるパーティクルの巻き上げ
はほとんど生じない。
When the evacuation of the cassette chamber CC1 is completed, the valve V2 is closed to stop the exhaust of the cassette chamber CC1, and the gate valve CG1 is opened (T2). At this time, the cassette chamber C
Although an airflow is generated due to a pressure difference between C1 and the transfer chamber TC, the cassette chamber CC1 and the transfer chamber TC are airtight, and the cassette chamber C
Since the pressure difference between C1 and the transfer chamber TC is small, the generation of the air current hardly causes the particles to be wound up.

【0047】ゲートバルブCG1を開くと、搬送アーム
ARを用いることにより、カセットC1に収容されたウ
エハWをトランスファチャンバTC内に搬送する。そし
て、ゲートバルブPG1を開くとともに、バルブV16
を開き(T3)、NガスをN排出部3から噴出させ
つつ、ウエハWをプロセスチャンバPC1内に搬送す
る。
When the gate valve CG1 is opened, the transfer arm AR is used to transfer the wafer W stored in the cassette C1 into the transfer chamber TC. Then, while opening the gate valve PG1, the valve V16
Is opened (T3), and the wafer W is transferred into the process chamber PC1 while ejecting the N 2 gas from the N 2 discharge unit 3.

【0048】ここで、ゲートバルブPG1を開いた時に
バルブV16を開くことにより、トランスファチャンバ
TCからプロセスチャンバPC1へ向かう気流を発生さ
せることが可能となり、トランスファチャンバTC内の
排気が停止している場合においても、トランスファチャ
ンバTC内のパーティクルなどをプロセスチャンバPC
1を介して排出することが可能となる。
Here, by opening the valve V16 when the gate valve PG1 is opened, it is possible to generate an airflow from the transfer chamber TC to the process chamber PC1, and the exhaust in the transfer chamber TC is stopped. Also, the particles in the transfer chamber TC are transferred to the process chamber PC.
1 can be discharged.

【0049】プロセスチャンバPC1内へのウエハWの
搬送が終了すると、ゲートバルブPG1を閉じるととも
に、バルブV16を閉じ(T4)、トランスファチャン
バTC内へのNガスの導入を停止させる。
When the transfer of the wafer W into the process chamber PC1 is completed, the gate valve PG1 is closed, the valve V16 is closed (T4), and the introduction of the N 2 gas into the transfer chamber TC is stopped.

【0050】ここで、ゲートバルブPG1を閉じた時に
バルブV16を閉じることにより、ゲートバルブPG1
が開いた時だけ、トランスファチャンバTC内のN
ージを行うことができ、Nの消費量を抑制しつつ、ト
ランスファチャンバTC内のパーティクルをプロセスチ
ャンバPC1を介して排出することが可能となる。
Here, by closing the valve V16 when the gate valve PG1 is closed, the gate valve PG1 is closed.
Only when is opened, the N 2 purge in the transfer chamber TC can be performed, and the particles in the transfer chamber TC can be discharged via the process chamber PC1 while suppressing the consumption of N 2. .

【0051】プロセスチャンバPC1内にウエハWが搬
入されると、必要に応じてバルブV17を開くことによ
り、プロセスチャンバPC1内に処理ガスG1を導入
し、ウエハWの処理を行う。この際、プロセスチャンバ
PC1内の圧力は、プロセスチャンバPC1内で行われ
る処理によって異なる。また、トランスファチャンバT
C内の排気は停止されているため、トランスファチャン
バTC内の圧力は徐々に上昇する。
When the wafer W is loaded into the process chamber PC1, the processing gas G1 is introduced into the process chamber PC1 by opening the valve V17 as necessary, and the wafer W is processed. At this time, the pressure in the process chamber PC1 differs depending on the processing performed in the process chamber PC1. Also, the transfer chamber T
Since the exhaust in C is stopped, the pressure in the transfer chamber TC gradually increases.

【0052】ウエハWの処理が終了すると、ゲートバル
ブPG1を開くとともに、バルブV16を開き(T
5)、NガスをN排出部3から噴出させつつ、ウエ
ハWをプロセスチャンバPC1から搬出する。そして、
プロセスチャンバPC1からのウエハWの搬送が終了す
ると、ゲートバルブPG1を閉じるとともに、バルブV
16を閉じ(T6)、トランスファチャンバTC内への
ガスの導入を停止させる。
When the processing of the wafer W is completed, the gate valve PG1 is opened and the valve V16 is opened (T
5) The wafer W is carried out of the process chamber PC1 while ejecting the N 2 gas from the N 2 discharge unit 3. And
When the transfer of the wafer W from the process chamber PC1 is completed, the gate valve PG1 is closed and the valve V is closed.
16 is closed (T6), and the introduction of N 2 gas into the transfer chamber TC is stopped.

【0053】次に、ウエハWが収容されたカセットC2
をカセットチャンバCC2内に設置する。そして、バル
ブV3を開き(T7)、カセットチャンバCC2内の排
気を緩やかに行った後、バルブV3を閉じるとともにバ
ルブV4を開き、カセットチャンバCC2内の排気を急
速に行う。ここで、プロセスチャンバPC2内では、ド
ライポンプDP5およびターボポンプTP2による排気
が行われ、0.1mTorr程度の圧力に維持される。
Next, the cassette C2 in which the wafer W is stored
Is set in the cassette chamber CC2. Then, the valve V3 is opened (T7), and the gas in the cassette chamber CC2 is gently exhausted. Thereafter, the valve V3 is closed and the valve V4 is opened, and the gas in the cassette chamber CC2 is rapidly exhausted. Here, in the process chamber PC2, exhaust is performed by the dry pump DP5 and the turbo pump TP2, and the pressure is maintained at about 0.1 mTorr.

【0054】そして、カセットチャンバCC2内の真空
引きが終了すると、バルブV4を閉じることにより、カ
セットチャンバCC2内の排気を停止させ、ゲートバル
ブCG2を開く(T8)。
When the evacuation of the cassette chamber CC2 is completed, the exhaust of the cassette chamber CC2 is stopped by closing the valve V4, and the gate valve CG2 is opened (T8).

【0055】ゲートバルブCG2を開くと、搬送アーム
ARを用いることにより、カセットC2に収容されたウ
エハWをトランスファチャンバTC内に搬送する。そし
て、ゲートバルブPG2を開くとともに、バルブV16
を開き(T9)、NガスをN排出部3から噴出させ
つつ、ウエハWをプロセスチャンバPC2内に搬送す
る。
When the gate valve CG2 is opened, the transfer arm AR is used to transfer the wafer W stored in the cassette C2 into the transfer chamber TC. Then, while opening the gate valve PG2, the valve V16
Is opened (T9), and the wafer W is transferred into the process chamber PC2 while ejecting the N 2 gas from the N 2 discharge unit 3.

【0056】プロセスチャンバPC2内へのウエハWの
搬送が終了すると、ゲートバルブPG2を閉じるととも
に、バルブV16を閉じ(T10)、トランスファチャ
ンバTC内へのNガスの導入を停止させる。
When the transfer of the wafer W into the process chamber PC2 is completed, the gate valve PG2 is closed, the valve V16 is closed (T10), and the introduction of the N 2 gas into the transfer chamber TC is stopped.

【0057】プロセスチャンバPC1内にウエハWが搬
入されると、必要に応じてバルブV18を開くことによ
り、プロセスチャンバPC2内に処理ガスG2を導入
し、ウエハWの処理を行う。この際、プロセスチャンバ
PC2内の圧力は、プロセスチャンバPC2内で行われ
る処理によって異なる。また、トランスファチャンバT
C内の排気は停止されているため、トランスファチャン
バTC内の圧力は徐々に上昇する。
When the wafer W is loaded into the process chamber PC1, the processing gas G2 is introduced into the process chamber PC2 by opening the valve V18 if necessary, and the wafer W is processed. At this time, the pressure in the process chamber PC2 differs depending on the processing performed in the process chamber PC2. Also, the transfer chamber T
Since the exhaust in C is stopped, the pressure in the transfer chamber TC gradually increases.

【0058】ウエハWの処理が終了すると、ゲートバル
ブPG2を開くとともに、バルブV16を開き(T1
1)、NガスをN排出部3から噴出させつつ、ウエ
ハWをプロセスチャンバPC2から搬出する。プロセス
チャンバPC2からのウエハWの搬送が終了すると、ゲ
ートバルブPG2を閉じるとともに、バルブV16を閉
じ(T12)、トランスファチャンバTC内へのN
スの導入を停止させる。
When the processing of the wafer W is completed, the gate valve PG2 is opened and the valve V16 is opened (T1
1) The wafer W is unloaded from the process chamber PC2 while the N 2 gas is ejected from the N 2 discharge unit 3. When the transfer of the wafer W from the process chamber PC2 is completed, the gate valve PG2 is closed, the valve V16 is closed (T12), and the introduction of the N 2 gas into the transfer chamber TC is stopped.

【0059】図4は、本発明の一実施形態に係わる搬送
方法によるパーティクルの発生個数を示す図である。図
4において、カセットチャンバCC1、CC2にウエハ
Wを置いた場合(待機)、カセットチャンバCC1、C
C2とプロセスチャンバPC1、PC2との間でウエハ
Wを搬送した場合(真空搬送)、さらにウエハWのエッ
チングを30秒行った場合(RF搬送30秒)のそれぞ
れについて、初期状態、10時間ランニング、30時間
ランニング、50時間ランニング後のパーティクル(大
きさが0.2μm以上)の個数を調べた。この場合、ウ
エハWの搬送時にトランスファチャンバTC内の排気を
停止し、ゲートバルブPG1、PG2を開いた時だけト
ランスファチャンバTC内のNパージを行っても、パ
ーティクルの個数はほとんど変化しなかった。
FIG. 4 is a diagram showing the number of generated particles by the transport method according to one embodiment of the present invention. In FIG. 4, when the wafer W is placed in the cassette chambers CC1 and CC2 (standby), the cassette chambers CC1 and CC2
When the wafer W is transferred between the chamber C2 and the process chambers PC1 and PC2 (vacuum transfer) and when the wafer W is etched for 30 seconds (RF transfer 30 seconds), the initial state, the running for 10 hours, The number of particles (size 0.2 μm or more) after running for 30 hours and running for 50 hours was examined. In this case, the number of particles hardly changed even if the evacuation of the transfer chamber TC was stopped during the transfer of the wafer W and the N 2 purge was performed in the transfer chamber TC only when the gate valves PG1 and PG2 were opened. .

【0060】このため、上述した実施形態によれば、パ
ーティクルによるウエハWの汚染を引き起こすことな
く、カセットチャンバCC1、CC2とトランスファチ
ャンバTCとでドライポンプDP1を共有化することが
可能となるとともに、Nの消費量も減らすことができ
る。
Therefore, according to the above-described embodiment, the dry pump DP1 can be shared between the cassette chambers CC1 and CC2 and the transfer chamber TC without causing contamination of the wafer W by particles. consumption of N 2 can be reduced.

【0061】なお、上述した実施形態では、カセットチ
ャンバCC1、CC2がトランスファチャンバTCに直
接連結された場合について説明したが、カセットチャン
バCC1、CC2は、ロードロック室であってもよい。
In the above-described embodiment, the case where the cassette chambers CC1 and CC2 are directly connected to the transfer chamber TC has been described. However, the cassette chambers CC1 and CC2 may be load lock chambers.

【0062】また、上述した実施形態では、ウエハWの
搬送中はトランスファチャンバTC内の排気を常に停止
させる場合について説明したが、ウエハWの搬送中にト
ランスファチャンバTC内の圧力が所定値を超えた場合
は、トランスファチャンバTC内の排気を一時的に行う
ようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the case has been described in which the exhaust in the transfer chamber TC is constantly stopped during the transfer of the wafer W. However, the pressure in the transfer chamber TC exceeds the predetermined value during the transfer of the wafer W. In this case, the inside of the transfer chamber TC may be temporarily exhausted.

【0063】さらに、トランスファチャンバTCおよび
カセットチャンバCC1、CC2の排気の停止に伴っ
て、これらのドライポンプDP1の電源をオフするよう
にしてもよく、これにより、ドライポンプDP1の消費
電力の大幅な削減が可能となる。
Further, with the stop of the exhaust of the transfer chamber TC and the cassette chambers CC1 and CC2, the power of these dry pumps DP1 may be turned off, thereby greatly reducing the power consumption of the dry pump DP1. Reduction is possible.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カセットチャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬
送する際に、トランスファチャンバ内の排気を停止させ
ることにより、カセットチャンバとトランスファチャン
バとでドライポンプを共有化することが可能となるとと
もに、処理対象の搬送時におけるトランスファチャンバ
内の圧力制御を不要とすることができ、給排気設備を集
約化することが可能となる。
As described above, according to the present invention,
By stopping the evacuation of the transfer chamber when transferring the processing target from the cassette chamber to the process chamber, the dry pump can be shared between the cassette chamber and the transfer chamber, and the transfer of the processing target can be performed. , Pressure control in the transfer chamber can be made unnecessary, and supply and exhaust equipment can be centralized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係わる圧力制御方法が適
用されるクラスタツールの概略構成を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a cluster tool to which a pressure control method according to an embodiment of the present invention is applied.

【図2】本発明の一実施形態に係わる圧力制御方法を示
すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a pressure control method according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態に係わる圧力制御方法を示
すタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing a pressure control method according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態に係わる搬送方法によるパ
ーティクルの発生個数を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the number of generated particles by a transport method according to an embodiment of the present invention.

【図5】従来の圧力制御方法が適用されるクラスタツー
ルの概略構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a cluster tool to which a conventional pressure control method is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

CC1、CC2 カセットチャンバ TC トランスファチャンバ PC1、PC2 プロセスチャンバ DP1〜DP5 ドライポンプ CG1、CG2、PG1、PG2 ゲートバルブ TP1、TP2 ターボポンプ V1〜V19 バルブ OF オリフラ CC1, CC2 Cassette chamber TC transfer chamber PC1, PC2 Process chamber DP1 to DP5 Dry pump CG1, CG2, PG1, PG2 Gate valve TP1, TP2 Turbo pump V1 to V19 Valve OF Orifice

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 利光 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 JA47 NA05 NA15 NA20 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toshimitsu Aoki 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo TBS Release Center Tokyo Electron Limited F-term (reference) 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA11 FA12 JA47 NA05 NA15 NA20

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランスファチャンバを介してカセット
チャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬送する際
に、前記トランスファチャンバ内の排気を停止させるこ
とを特徴とする圧力制御方法。
1. A pressure control method comprising: stopping the exhaust in the transfer chamber when transferring a processing target from a cassette chamber to a process chamber via the transfer chamber.
【請求項2】 前記プロセスチャンバのゲートバルブの
開閉状態に基づいて、前記トランスファチャンバへのパ
ージを行うステップをさらに備えることを特徴とする請
求項1記載の圧力制御方法。
2. The pressure control method according to claim 1, further comprising a step of purging the transfer chamber based on an open / closed state of a gate valve of the process chamber.
【請求項3】 前記トランスファチャンバをアイドル中
に排気するステップと、 前記トランスファチャンバの排気を停止させ、前記処理
対象が載置されたカセットチャンバを排気するステップ
と、 前記カセットチャンバから前記トランスファチャンバへ
前記処理対象を搬送する際に、前記カセットチャンバ内
の排気を停止させるステップをさらに備えることを特徴
とする請求項1または2記載の圧力制御方法。
3. A step of evacuating the transfer chamber during idling, a step of stopping the evacuation of the transfer chamber, and an step of evacuating a cassette chamber on which the object to be processed is mounted, and from the cassette chamber to the transfer chamber. 3. The pressure control method according to claim 1, further comprising a step of stopping the exhaust in the cassette chamber when the processing target is transported.
【請求項4】 トランスファチャンバを介してカセット
チャンバからプロセスチャンバへ処理対象を搬送する搬
送手段と、 前記処理対象を前記プロセスチャンバに搬送する際に、
前記トランスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制
御手段とを備えることを特徴とする搬送装置。
4. A transfer means for transferring a processing target from a cassette chamber to a process chamber via a transfer chamber, and when transferring the processing target to the process chamber,
And a pressure control means for stopping the exhaust in the transfer chamber.
【請求項5】 処理対象を載置するカセットチャンバ
と、 前記処理対象の処理を行うプロセスチャンバと、 前記カセットチャンバおよび前記プロセスチャンバとゲ
ートバルブを介して連結され、前記カセットチャンバか
ら前記プロセスチャンバへ前記処理対象を搬送するトラ
ンスファチャンバと、 前記カセットチャンバと前記トランスファチャンバとに
共通して設けられたドライポンプと、 前記プロセスチャンバへ前記処理対象を搬送する際に、
前記トランスファチャンバ内の排気を停止させる圧力制
御手段とを備えることを特徴とするクラスタツール。
5. A cassette chamber for mounting an object to be processed, a process chamber for processing the object to be processed, the cassette chamber and the process chamber being connected via a gate valve, from the cassette chamber to the process chamber. A transfer chamber for transferring the processing target, a dry pump provided commonly to the cassette chamber and the transfer chamber, and a transfer processing unit for transferring the processing target to the process chamber.
And a pressure control means for stopping the exhaust in the transfer chamber.
【請求項6】 前記圧力制御手段は、前記トランスファ
チャンバ内の排気の停止中に、前記ドライポンプを用い
て前記カセットチャンバ内の排気を行うことを特徴とす
る請求項5記載のクラスタツール。
6. The cluster tool according to claim 5, wherein said pressure control means performs exhaust in said cassette chamber using said dry pump while exhaust in said transfer chamber is stopped.
【請求項7】 前記トランスファチャンバおよび前記カ
セットチャンバの排気の停止に伴って、前記ドライポン
プの電源をオフすることを特徴とする請求項5または6
記載のクラスタツール。
7. The dry pump according to claim 5, wherein the power supply of the dry pump is turned off when the exhaust of the transfer chamber and the cassette chamber is stopped.
The described cluster tool.
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