JP2002196291A - Optical switching element and its manufacturing method, optical writing type recording medium, device, display and writing device - Google Patents
Optical switching element and its manufacturing method, optical writing type recording medium, device, display and writing deviceInfo
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光スイッチング素
子これを用いる光書き込み型記録用媒体等のデバイス、
表示装置および書き込み装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical switching element, and a device such as an optical writing type recording medium using the same.
The present invention relates to a display device and a writing device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、光導電性スイッチング素子と表示
素子を組み合わせた光書き込み型空間変調デバイスが開
発され、ライトバルブとしてプロジェクター等に実用化
されているほか、"液晶空間変調機と情報処理"液晶, Vo
l.2,No.1, '98, pp3-18にあるように、光情報処理の分
野にも可能性が検討されている。光書き込み型空間変調
デバイスは、所定の電圧を素子に印加しつつ、受光した
光量により光導電性スイッチング素子のインピーダンス
を変化させ、表示素子に印加される電圧を制御すること
により、表示素子を駆動し、画像を表示するものであ
る。特に、光書き込み型空間変調デバイスの表示制御素
子にメモリ性のある素子を用いて、切り離し可能にした
光書き込み型媒体は、電子ペーパー媒体として注目され
ている。2. Description of the Related Art In recent years, an optical writing type spatial modulation device combining a photoconductive switching element and a display element has been developed, and has been put to practical use as a light valve in projectors and the like. LCD, Vo
As described in l.2, No. 1, '98, pp. 3-18, possibilities are being studied in the field of optical information processing. The optical writing type spatial modulation device drives the display element by controlling the voltage applied to the display element by changing the impedance of the photoconductive switching element according to the amount of light received while applying a predetermined voltage to the element. Then, an image is displayed. In particular, an optical writable medium that can be separated by using an element having a memory property as a display control element of the optical writable spatial modulation device has attracted attention as an electronic paper medium.
【0003】また、光書き込み型媒体の表示制御素子と
しては、例えば、ポリマーに分散しメモリ性を付与した
ネマチック液晶、コレステリック液晶、強誘電液晶のよ
うな液晶表示素子、あるいは電気泳動素子や電界回転素
子、トナー電界移動型素子や、これらをカプセル化した
素子等が検討されている。これら、受光した光量により
電圧あるいは電流を制御できるような光スイッチング素
子としては、例えば、アモルファスシリコン素子、有機
光導電体を用いた機能分離型二層構造のOPC素子のほ
か、さらに、本発明者らにより、特開2000−180
888号公報により提供された、電荷輸送層(CTL)の上
下に電荷発生層(CGL)、を形成した構造(以下、デュアル
CGL構造(dual CGL structure)と称する)のOPC素子が知
られている(図1)。特にOPC素子は、高温の熱処理を必要
としないため、PETフィルムなどのフレキシブル基板へ
の適用も可能であり、かつ、真空プロセスも無いために
安価に作製できるという利点を有する。なかでも、前記
Dual CGL構造は、交流駆動が可能であり、表示素子に液
晶素子を用いた場合においても、印加電圧に含まれるバ
イアス成分によりイオンの移動に起因した画像の焼付き
現象も生じにくいため、特に有効な構造である。この光
スイッチング素子を電子ぺーパーに適用した光書き込み
型電子ぺーパ-の概念図を図1に示す。As a display control element of an optically rewritable medium, for example, a liquid crystal display element such as a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, or a ferroelectric liquid crystal dispersed in a polymer to impart a memory property, or an electrophoretic element or an electric field rotating element is used. An element, a toner electric field transfer element, an element encapsulating them, and the like have been studied. Examples of the optical switching element capable of controlling the voltage or current by the received light amount include, for example, an amorphous silicon element, an OPC element having a function-separated two-layer structure using an organic photoconductor, and furthermore, the present inventors Et al., JP-A-2000-180
888, a structure in which a charge generation layer (CGL) is formed above and below a charge transport layer (CTL)
An OPC element having a CGL structure (referred to as a dual CGL structure) is known (FIG. 1). In particular, since the OPC element does not require a high-temperature heat treatment, it can be applied to a flexible substrate such as a PET film, and has an advantage that it can be manufactured at low cost because there is no vacuum process. Above all,
The Dual CGL structure is particularly effective because AC driving is possible, and even when a liquid crystal element is used as the display element, the image sticking phenomenon due to the movement of ions hardly occurs due to the bias component included in the applied voltage. Structure. FIG. 1 shows a conceptual diagram of an optical writing type electronic paper in which this optical switching element is applied to an electronic paper.
【0004】この光スイッチング素子に用いる、電荷発
生層の作製方式には蒸着やスパッタリング等真空プロセ
スを使う方式と少なくともバインダー樹脂とその溶媒と
電荷発生材を分散させた分散液を塗布するという方式が
あるが、真空プロセスを用いる方式では、装置が高価に
なるため、低価格な媒体の作製が困難である一方、塗布
型では、安価に大量生産が可能であり、コスト的に優位
であるため、電荷輸送層の作製方式としては、塗布型が
注目されている。[0004] As a method for producing the charge generation layer used in the optical switching element, a method using a vacuum process such as vapor deposition or sputtering and a method using at least a dispersion liquid in which a binder resin, a solvent thereof and a charge generation material are dispersed are applied. However, in a method using a vacuum process, it is difficult to produce a low-priced medium because the apparatus is expensive, while a coating type can be mass-produced at low cost and has an advantage in cost. As a method for forming the charge transport layer, a coating type has been drawing attention.
【0005】しかしながら、この構造を塗布方式で作製
するためには以下のような問題があった 。アッパーCGL
作製時に、CG分散液の溶剤が、電荷輸送層に損傷を与え
るという問題である。通常、電荷輸送層はバインダーと
してポリカーボネート系が適用される一方、電荷発生材
料の分散液の溶媒にはモノクロロベンゼンなどのクロロ
系溶剤が適用される。このため、電荷輸送層上に電荷発
生層を積層した場合、ポリカーボネートが膨潤し、表面
が荒れたり、最悪、電荷発生層が欠落するという問題が
生じる。また、本構造の光スイッチング素子は、動作時
に、通常の電荷輸送層/電荷発生層である2層機能分離構
造のOPCでは生じない現象である電荷輸送層から電荷発
生層へキャリアの再突入現象を生じるが、このとき損傷
の受けた電荷輸送層/電荷発生層界面では効率が低下
し、感度劣化が生じる可能性がある。However, there are the following problems in fabricating this structure by a coating method. Upper CGL
The problem is that the solvent of the CG dispersion liquid damages the charge transport layer during the preparation. Usually, a polycarbonate-based material is used as the binder for the charge transport layer, while a chloro-based solvent such as monochlorobenzene is used as the solvent for the dispersion of the charge-generating material. For this reason, when the charge generation layer is laminated on the charge transport layer, there arises a problem that the polycarbonate swells, the surface is roughened, and in the worst case, the charge generation layer is missing. In addition, the optical switching element with this structure has the phenomenon of re-entry of carriers from the charge transport layer to the charge generation layer during operation, which is a phenomenon that does not occur with the two-layer function separation structure OPC that is a normal charge transport layer / charge generation layer. However, at this time, the efficiency is reduced at the damaged charge transport layer / charge generation layer interface, and the sensitivity may be deteriorated.
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のごと
き問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、上
部電荷発生層を分散液塗布により形成した場合でも感度
の劣化が生じない光スイッチング素子およびその製造方
法、デバイス、光書き込み型記録用媒体、表示装置およ
び書き込み装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to prevent the sensitivity from deteriorating even when the upper charge generation layer is formed by applying a dispersion. An object of the present invention is to provide an optical switching element, a method of manufacturing the same, a device, an optical writing type recording medium, a display device, and a writing device.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的は、以下の光ス
イッチング素子およびその製造方法、デバイス、光書き
込み型記録用媒体、表示装置および書き込み装置を提供
することにより解決される。 (1)基板上に少なくとも、電極層、下部電荷発生層、
電荷輸送層、および上部電荷発生層を順次積層した、交
流電界あるいは交流電流により駆動される機能素子のス
イッチングを行うための光導電スイッチング素子におい
て、上部電荷発生層が、少なくとも電荷発生材、バイン
ダーおよび電荷輸送層に損傷を与えない溶媒を含む上部
電荷発生層形成用分散液から作製されることを特徴とす
る光スイッチング素子。本発明の光スイッチング素子
は、上部電荷発生層が、電荷発生材、バインダーおよび
電荷輸送層に損傷を与えない溶媒を含む上部電荷発生層
形成用分散液から作製されるので、高品質かつ低コスト
で作製し得る光スイッチング素子であり、また、電荷輸
送層が、上部電荷発生層の形成の際に損傷を受けること
がないので、光スイッチング素子としての感度劣化が生
じない。The above object can be attained by providing the following optical switching element and its manufacturing method, device, optical writing type recording medium, display device and writing device. (1) At least an electrode layer, a lower charge generation layer,
The charge transport layer, and the upper charge generation layer sequentially laminated, in the photoconductive switching element for performing the switching of the functional element driven by an AC electric field or AC current, the upper charge generation layer, at least a charge generation material, a binder and An optical switching element manufactured from a dispersion for forming an upper charge generation layer containing a solvent that does not damage the charge transport layer. The optical switching element of the present invention has high quality and low cost because the upper charge generation layer is made of a dispersion for forming the upper charge generation layer containing a charge generation material, a binder and a solvent that does not damage the charge transport layer. In addition, since the charge transport layer is not damaged when the upper charge generation layer is formed, the sensitivity of the optical switching element does not deteriorate.
【0007】(2)基板上に少なくとも、電極層、下部
電荷発生層、電荷輸送層、および上部電荷発生層を順次
積層することにより、交流電界あるいは交流電流により
駆動される機能素子のスイッチングを行うための光導電
スイッチング素子を製造する方法において、上部電荷発
生層が、少なくとも電荷発生材、バインダーおよび電荷
輸送層に損傷を与えない溶媒を含む上部電荷発生層形成
用分散液を電荷輸送層の上に塗布することにより形成さ
れる工程を有することを特徴とする前記光スイッチング
素子の製造方法。本発明の光スイッチング素子の製造方
法は、上部電荷発生層を分散液塗布により形成すること
ができるので、高品質の光スイッチング素子を低コスト
で作製することができる。 (3)前記(1)に記載の光スイッチング素子と機能素
子を電気的に接続したデバイス。前記光スイッチング素
子を種々の機能素子と組み合わせることにより従来のも
のと同等のデバイスを低コストで得ることができる。(2) By sequentially stacking at least an electrode layer, a lower charge generation layer, a charge transport layer, and an upper charge generation layer on a substrate, switching of a functional element driven by an AC electric field or an AC current is performed. In the method for manufacturing a photoconductive switching element for use in the present invention, the upper charge generation layer comprises a charge generation material, a binder and a dispersion for forming an upper charge generation layer containing a solvent that does not damage the charge transport layer. The method of manufacturing the optical switching element, further comprising a step of forming the optical switching element by applying to the substrate. According to the method for manufacturing an optical switching element of the present invention, since the upper charge generation layer can be formed by applying a dispersion, a high-quality optical switching element can be manufactured at low cost. (3) A device in which the optical switching element according to (1) and a functional element are electrically connected. By combining the optical switching element with various functional elements, a device equivalent to a conventional one can be obtained at low cost.
【0008】(4)一組の基板の間に、少なくとも電極
と表示層と光スイッチング素子と電極が積層されてなる
光書き込み型記録用媒体において、前記光スイッチング
素子が前記(1)に記載の光スイッチング素子であっ
て、該素子の上部電荷発生層が表示層側に位置し、かつ
少なくとも書き込み光が入射する側の基板および電極が
光透過性であることを特徴とする光書き込み型記録用媒
体。本発明の光書き込み型記録用媒体は、前記のごとき
光スイッチング素子を用いているため、記録感度が劣化
することがない。 (5)前記(4)に記載の光書き込み型記録用媒体、前
記記録媒体を駆動するための記録媒体駆動装置、前記記
録媒体に光書き込みを行う書き込み装置および制御手段
を少なくとも備える表示装置。 (6)前記(4)に記載の光書き込み型記録用媒体を接
続することが可能な記録媒体駆動装置、前記記録媒体に
光書き込みを行う光書き込み装置および制御装置を少な
くとも備える書き込み装置。(4) An optical writing type recording medium in which at least an electrode, a display layer, an optical switching element, and an electrode are laminated between a pair of substrates, the optical switching element according to (1). An optical switching element, wherein an upper charge generation layer of the element is located on a display layer side, and at least a substrate and an electrode on a side on which writing light is incident are light-transmissive. Medium. Since the optical writing type recording medium of the present invention uses the optical switching element as described above, the recording sensitivity does not deteriorate. (5) A display device comprising at least the optical recording medium for recording according to (4), a recording medium driving device for driving the recording medium, a writing device for performing optical writing on the recording medium, and a control unit. (6) A recording medium drive device to which the optical writing type recording medium according to (4) can be connected, a writing device which performs optical writing on the recording medium, and a control device.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の光スイッチング素子は、
基本的には光透過性の基板、光透過性の電極層、下部電
荷発生層、電荷輸送層および上部電荷発生層から構成さ
れるものである。(なお、以下においては「光透過性」
という性質を「透明」と表現することがある。) 図1を用いて、本発明の光スイッチング素子を説明す
る。図1は本発明の光スイッチング素子30(デュアル
CGL 構造の光スイッチング素子)の構造を示し、図1
中、10は基板、12は導電膜(電極)、14は下部電
荷発生層、16は電荷輸送層、18は上部電荷発生層を
それぞれ示す。以下で説明するデバイスあるいは光書き
込み媒体においては、上部電荷発生層が機能層たとえば
表示層側に位置することになる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An optical switching element of the present invention
Basically, it comprises a light transmitting substrate, a light transmitting electrode layer, a lower charge generation layer, a charge transport layer and an upper charge generation layer. (In the following, "light transmission"
This property is sometimes described as "transparent." The optical switching element of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows an optical switching element 30 (dual
Fig. 1 shows the structure of an optical switching device (CGL structure).
Reference numeral 10 denotes a substrate, 12 denotes a conductive film (electrode), 14 denotes a lower charge generation layer, 16 denotes a charge transport layer, and 18 denotes an upper charge generation layer. In the device or the optical writing medium described below, the upper charge generation layer is located on the functional layer, for example, the display layer side.
【0010】また、下部および上部電荷発生層の電荷発
生材としては、ペリレン系、フタロシアニン系、ビスア
ゾ系、ジチオピトケロピロール系、スクワリリウム系、
アズレニウム系、チアピリリウム・ポリカーボネート系
など光照射により電荷が発生する有機材料が適用可能で
ある。特に、クロロガリウムフタロシアニンやヒドロキ
シガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニンが
高感度な電荷発生材料として適用可能であるが、中で
も、(1)結晶構造がX線回折スペクトルにおけるブラ
ッグ角(2θ±0.2°)が、少なくともi)7.4°、16.
6°、25.5°及び28.3°、ii)6.8°、17.3°、23.6°及
び26.9°、またはiii)8.7°〜9.2°、17.6°、24.0°、
27.4°及び28.8°に強い回折ピークを有するクロロガリ
ウムフタロシアニン、(2)結晶構造がX線回折スペク
トルにおけるブラッグ角(2θ±0.2°)が、少なく
ともi) 7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1
°および28.3°、ii)7.7°、16.5°、25.1°および26.6
°、iii) 7.9°、16.5°、24.4°および27.6°、iv)7.0
°、7.5°、10.5°、11.7°、12.7°、17.3°、18.1
°、24.5°、26.2°および27.1°、v) 6.8°、12.8°、
15.8°および26.0°、またはvi)7.4°、 9.9°、25.0
°、26.2°および28.2°に強い回折ピークを有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン、および(3)結晶構造
がX線回折スペクトルにおけるブラッグ角(2θ±0.
2°)が 、i) 少なくとも9.3°および26.3°に強い回
折ピークを有するか、またはii)9.5゜、9.7°、11.7
°、15°、23.5°、24.1°、および27.3゜に強い回折ピ
ークをもつチタニルフタロシアニン、が高感度であり好
ましく、これらの群より選ばれる少なくとも一種類以上
の電荷発生材を用いることができる。The charge generating materials for the lower and upper charge generating layers include perylene-based, phthalocyanine-based, bisazo-based, dithiopitokelopyrrole-based, squalilium-based, and the like.
Organic materials that generate electric charge by light irradiation, such as azulhenium-based and thiapyrylium-polycarbonate-based materials, can be used. In particular, chlorogallium phthalocyanine, hydroxygallium phthalocyanine, titanyl phthalocyanine can be used as a highly sensitive charge generating material. Among them, (1) the crystal structure has a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) in the X-ray diffraction spectrum. , At least i) 7.4 °, 16.
6 °, 25.5 ° and 28.3 °, ii) 6.8 °, 17.3 °, 23.6 ° and 26.9 °, or iii) 8.7 ° to 9.2 °, 17.6 °, 24.0 °,
Chlorogallium phthalocyanine having strong diffraction peaks at 27.4 ° and 28.8 °, (2) a crystal structure having a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) in an X-ray diffraction spectrum of at least i) 7.5 °, 9.9 °, 12.5 °, 16.3 °, 18.6 °, 25.1
° and 28.3 °, ii) 7.7 °, 16.5 °, 25.1 ° and 26.6
°, iii) 7.9 °, 16.5 °, 24.4 ° and 27.6 °, iv) 7.0
°, 7.5 °, 10.5 °, 11.7 °, 12.7 °, 17.3 °, 18.1
°, 24.5 °, 26.2 ° and 27.1 °, v) 6.8 °, 12.8 °,
15.8 ° and 26.0 °, or vi) 7.4 °, 9.9 °, 25.0
Hydroxygallium phthalocyanine having strong diffraction peaks at 0 °, 26.2 ° and 28.2 °, and (3) a crystal structure whose Bragg angle (2θ ± 0.
2 °) has i) strong diffraction peaks at least at 9.3 ° and 26.3 °, or ii) 9.5 °, 9.7 °, 11.7
Titanyl phthalocyanine having strong diffraction peaks at °, 15 °, 23.5 °, 24.1 °, and 27.3 ° is preferable because of its high sensitivity, and at least one or more charge generation materials selected from these groups can be used.
【0011】下部および上部電荷発生層のバインダー樹
脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル樹脂、カルボキシル変性塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂(ナイロン樹脂を含
む)、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビ
ニルピリジン樹脂、セルロール樹脂、ウレタン樹脂、エ
ポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポ
リビニルピロリドン樹脂などが適用可能である。特に、
ポリビニルブチラール樹脂、およびポリアミド樹脂、な
かでもメトキシメチル化6ナイロン等のナイロン系樹脂
は、アルコール系およびケトアルコール系の多くに可溶
であり、効果的である。また、カルボキシル変性塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体は、ケトアルコールに可溶で
あり、かつ、電荷発生材料であるヒドロキシガリウムフ
タロシアニン等を良好に分散させるため、好ましいバイ
ンダー樹脂である。As the binder resin for the lower and upper charge generation layers, polyvinyl butyral resin, polyarylate resin, polyester resin, phenoxy resin, vinyl chloride-vinyl acetate resin, carboxyl-modified vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyamide resin ( Nylon resin), acrylic resin, polyacrylamide resin, polyvinylpyridine resin, cellulose resin, urethane resin, epoxy resin, casein, polyvinyl alcohol resin, polyvinylpyrrolidone resin, and the like are applicable. In particular,
Polyvinyl butyral resins and polyamide resins, especially nylon resins such as methoxymethylated 6 nylon, are soluble in many alcohols and keto alcohols and are effective. Further, a carboxyl-modified vinyl chloride-vinyl acetate copolymer is a preferable binder resin because it is soluble in keto alcohol and disperses hydroxygallium phthalocyanine or the like as a charge generating material well.
【0012】下部電荷発生層の作製方法としては、真空
蒸着法やスパッタ法などドライな膜形成法のほか、溶液
あるいは分散液を用いるスピンコート法、ディップ法な
どが適用可能である。いづれの方式も、a-Siやフォトダ
イオード作製におけるような基板加熱や厳しい工程管理
は不要である。また、上部電荷発生層は上部電荷発生層
用塗布液をスピンコート法、ディップ法、スプレーコー
ト法、カーテンコート法、グラビア等各種印刷法などに
より塗布することにより作製される。上部および下部電
荷発生層の膜厚は、10nm〜1 μm、好ましくは20nm〜50
0nmが適切である。10nmより薄いと光感度が不足しかつ
均一な膜の作製が難しくなり、また、1 μmより厚くな
ると、光感度は飽和し、膜内応力によって剥離が生じ易
くなる。As a method of forming the lower charge generation layer, a dry film forming method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method, a spin coating method using a solution or a dispersion, a dipping method, and the like can be applied. Either method does not require substrate heating or strict process control as in a-Si or photodiode fabrication. The upper charge generation layer is produced by applying a coating solution for the upper charge generation layer by various printing methods such as spin coating, dipping, spray coating, curtain coating, and gravure. The film thickness of the upper and lower charge generation layers is 10 nm to 1 μm, preferably 20 nm to 50 μm.
0 nm is appropriate. When the thickness is less than 10 nm, the photosensitivity is insufficient and it is difficult to form a uniform film. On the other hand, when the thickness is more than 1 μm, the photosensitivity is saturated and peeling is likely to occur due to stress in the film.
【0013】電荷輸送材料としては、トリニトロフルオ
レン系、ポリビニルカルバゾール系、オキサジアゾール
系、ピラリゾン系、ヒドラゾン系、スチルベン系、トリ
フェニルアミン系、トリフェニルメタン系などが適用可
能である。また、LiClO4を添加したポリビニルアルコ−
ルやポリエチレンオキシドのようなイオン導電性材料の
適用も可能である。As the charge transport material, trinitrofluorene, polyvinylcarbazole, oxadiazole, pyrarizone, hydrazone, stilbene, triphenylamine, triphenylmethane, and the like can be used. Further, polyvinyl alcohol to which LiClO 4 is added
It is also possible to apply an ion conductive material such as polyethylene or polyethylene oxide.
【0014】この電荷輸送層に対するバインダー樹脂と
しては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポ
リ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニル
アセテート樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、塩化
ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル-酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイ
ン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹
脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−ア
ルキッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシ
ラン等が適用可能である。とくに、ポリカーボネート樹
脂は、バインダーとした場合、電荷輸送材の特性を改善
するため、大変有効である。The binder resin for the charge transport layer includes polycarbonate resin, polyester resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin, styrene-butadiene copolymer, chloride Vinylidene-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, silicone resin, silicone-alkyd resin, phenol-formaldehyde resin, styrene-alkyd resin, poly-N -Vinyl carbazole, polysilane and the like are applicable. In particular, when a polycarbonate resin is used as a binder, it is very effective for improving the characteristics of the charge transport material.
【0015】電荷輸送層の作製方法としては、真空蒸着
法やスパッタ法などドライな膜形成法のほか、溶液ある
いは分散液を用いるスピンコート法、ディップ法などが
適用可能である。電荷輸送層の膜厚は、0.1 μm〜100
μm、好ましくは1 μm〜10μmが適切である。0.1 μ
mより薄いと耐電圧が低くなって信頼性確保が困難とな
り、また、100 μmより厚くなると、機能素子とのイン
ピーダンスマッチングが困難となって設計が難しくなる
ため、前記の範囲が望ましい。As a method for forming the charge transport layer, a dry film forming method such as a vacuum evaporation method and a sputtering method, a spin coating method using a solution or a dispersion, a dipping method, and the like can be applied. The thickness of the charge transport layer is 0.1 μm to 100 μm.
μm, preferably 1 μm to 10 μm, is suitable. 0.1 μ
If the thickness is less than m, the withstand voltage is low and it is difficult to ensure the reliability. If the thickness is more than 100 μm, the impedance matching with the functional element becomes difficult and the design becomes difficult.
【0016】本発明においては、前記のごとき構造を有
する光スイッチング素子において、上部電荷発生層を、
少なくとも電荷発生材、バインダーおよび電荷輸送層に
損傷を与えない溶媒を含む上部電荷発生層形成用分散液
から作製することを特徴とするものである。ここで、電
荷輸送層の損傷とは、電荷輸送層上に作製する上部電荷
発生層作製用の溶媒により、電荷輸送層において電荷輸
送層の膨潤や、電荷輸送材あるいはバインダー樹脂の溶
解、あるいは溶媒と接触した電荷輸送材の結晶化などに
より前述した表面性の劣化や、電気特性の劣化が生じる
ことをいう。上部電荷発生層をこのように作製すること
により、低コストで高感度なDual CGL構造の光スイッチ
ング素子を得ることができる。According to the present invention, in the optical switching element having the above-described structure, the upper charge generation layer is
It is prepared from a dispersion for forming an upper charge generation layer containing at least a charge generation material, a binder and a solvent that does not damage the charge transport layer. Here, damage to the charge transport layer refers to swelling of the charge transport layer in the charge transport layer, dissolution of the charge transport material or the binder resin, or solvent This means that the above-mentioned deterioration of the surface properties and deterioration of the electric characteristics occur due to crystallization of the charge transporting material in contact with the substrate. By manufacturing the upper charge generation layer in this manner, an optical switching element having a dual CGL structure with low cost and high sensitivity can be obtained.
【0017】本発明において用いられる溶媒としては、
電荷輸送層を構成する材料にもよるが、一般に、アルコ
ール系、ケトン系、エーテル系、エステル系などの溶媒
が有効である。なかでも、アルコール等の分子中に水酸
基を有する溶媒は、ポリカーボネート系樹脂をバインダ
ーとした電荷輸送層上に作製する電荷発生層用分散液の
溶媒として最適である。また、本発明において用いられ
る溶媒は、プロトン系溶媒であり、かつその溶解パラメ
ータ(SP値)が9.0以上であることが好ましい。一
般に電荷輸送材には、アルコールなどのプロトン系溶媒
に不溶あるいは難溶である物質が多く用いられる。一
方、電荷輸送層のバインダー樹脂は電荷輸送材と相溶性
のある樹脂が選択されるが、その際、その可溶性に関し
ては、電荷輸送材と同様な性質の樹脂、すなわち、プロ
トン系溶媒に不溶あるいは難溶である樹脂が選択される
からである。また、一般に電荷輸送層に用いられるバイ
ンダー樹脂の溶解パラメータは8.0〜9.0程度であ
るため、難溶性を高めるために、9.0以上の溶媒を用
いることが有用である。The solvent used in the present invention includes:
Although it depends on the material constituting the charge transporting layer, in general, solvents such as alcohols, ketones, ethers, and esters are effective. Among them, a solvent having a hydroxyl group in a molecule such as an alcohol is most suitable as a solvent of a dispersion for a charge generation layer prepared on a charge transport layer using a polycarbonate resin as a binder. Further, the solvent used in the present invention is preferably a protic solvent, and its solubility parameter (SP value) is preferably 9.0 or more. Generally, as the charge transporting material, a substance that is insoluble or hardly soluble in a protonic solvent such as alcohol is often used. On the other hand, as the binder resin of the charge transport layer, a resin compatible with the charge transport material is selected. At this time, regarding the solubility, a resin having the same properties as the charge transport material, that is, insoluble or insoluble in the proton solvent. This is because a resin that is hardly soluble is selected. Further, since the solubility parameter of the binder resin generally used for the charge transport layer is about 8.0 to 9.0, it is useful to use a solvent of 9.0 or more in order to increase the poor solubility.
【0018】適用可能なアルコールとは分子中に1以上
の水酸基を有する化合物であり、たとえばメタノール、
エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタ
ノール、2-ブタノール、イソブチルアルコール、tert-
ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、
3-ペンタノール、2-メチルー1−ブタノール、イソペン
チルアルコール、tert-ペンチルアルコール、3-メチル
ー2-ブタノール、ネオペンチルアルコール、1−ヘキサ
ノール、2−メチル-1-ペンタノール、4−メチル-2-
ペンタノール、2-メチル-1-ブタノール、1−ペプタノ
ール、2−ペプタノール、3−ペプタノール、1−オクタ
ノール、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノ
ール、1−ノナノール、3,5,5−トリメチル−1−ヘ
キサノール、1−デカノール、1−ウンデカノール、1
−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアル
コール、ベンジルギルアルコール、シクロヘキサノー
ル、1−メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロ
ヘキサノール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メ
チルシクロヘキサノール、α―テルピネオール、アビエ
チノール、フーゼル油、1,2−エタンジオール、1,
2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、
1,3−ブタンジオール、1,2−ブタンジオール、
1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、
1,5ペンタンジオール、2−ブテンー1,4−ジオー
ル、2−メチルー2,4−ペンタンジオール、2−エチ
ル−1,3−ヘキサンジオール、グリセリン、2−エチ
ル−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオ
ール、1,2,6−ヘキサントリオール等である。Applicable alcohols are compounds having one or more hydroxyl groups in the molecule, for example, methanol,
Ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, tert-
Butyl alcohol, 1-pentanol, 2-pentanol,
3-pentanol, 2-methyl-1-butanol, isopentyl alcohol, tert-pentyl alcohol, 3-methyl-2-butanol, neopentyl alcohol, 1-hexanol, 2-methyl-1-pentanol, 4-methyl-2 -
Pentanol, 2-methyl-1-butanol, 1-peptanol, 2-peptanol, 3-peptanol, 1-octanol, 2-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, 1-nonanol, 3,5,5-trimethyl -1-hexanol, 1-decanol, 1-undecanol, 1
-Dodecanol, allyl alcohol, propargyl alcohol, benzylgyl alcohol, cyclohexanol, 1-methylcyclohexanol, 2-methylcyclohexanol, 3-methylcyclohexanol, 4-methylcyclohexanol, α-terpineol, abietinol, fusel oil, , 2-ethanediol, 1,
2-propanediol, 1,3-propanediol,
1,3-butanediol, 1,2-butanediol,
1,4-butanediol, 2,3-butanediol,
1,5 pentanediol, 2-butene-1,4-diol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, glycerin, 2-ethyl-2- (hydroxymethyl) -1 , 3-propanediol, 1,2,6-hexanetriol and the like.
【0019】また、分子中に水酸基とケト基を有する化
合物も有効であり、例えば、3−メチル−3−ヒドロキシ
−2ブタノン、4−メチル−4−ヒドロキシ−2−ペンタノ
ン等のケトアルコールが適用可能である。Compounds having a hydroxyl group and a keto group in the molecule are also effective. For example, keto alcohols such as 3-methyl-3-hydroxy-2-butanone and 4-methyl-4-hydroxy-2-pentanone are applicable. It is possible.
【0020】もちろん、これらの溶剤を数種類混ぜても
よいほか、これらを主成分とすれば、これ以外の溶剤
を、電荷輸送層に損傷を与えない範囲で混合することも
可能である。たとえば、ポリカーボネートを溶解する溶
剤であっても、少量混合し、表面性に影響を与えないて
いどにわずかにポリカーボネートを溶解することも可能
である。例えば表面性については、表面あらさの変化が
Ra でみて、0.4um以下であれば、表面性が媒体特性に与
える影響はほとんど無く表面性劣化にはならない。ま
た、電荷輸送材が溶け出したり、結晶化しない範囲で、
例えばシクロヘキサノン等を添加し、分散性をあげるこ
とも可能である。この場合はシクロヘキサノンと溶媒の
比(体積比)は、1:100ないし1:2程度が適している。Of course, some of these solvents may be mixed, and if these are the main components, it is also possible to mix other solvents within a range that does not damage the charge transport layer. For example, it is also possible to mix a small amount of a solvent that dissolves polycarbonate and to slightly dissolve polycarbonate without affecting the surface properties. For example, regarding surface properties, changes in surface roughness
If it is 0.4 μm or less in terms of Ra, the surface property has almost no influence on the medium characteristics and the surface property does not deteriorate. Also, as long as the charge transport material does not melt or crystallize,
For example, the dispersibility can be increased by adding cyclohexanone or the like. In this case, the ratio (volume ratio) of cyclohexanone to the solvent is preferably about 1: 100 to 1: 2.
【0021】前記上部電荷発生層用分散液の調製につい
ては、バインダーと電荷発生材の比は質量比で、1:20か
ら20:1程度が好適であるが、更に好ましくは1:3から3:1
である。1:20以下では結着力が小さくなり、また、20:1
では電気特性が劣化する。また、上部電荷発生層用分散
液の固形分含有量の濃度は、1〜30質量%程度が好適であ
るが1%以下では膜厚が薄すぎて電気特性が得られず、30
%以上では粘度が高すぎて膜形成が困難になるので前記
範囲が適切である。In preparing the dispersion for the upper charge generation layer, the ratio of the binder to the charge generation material is preferably about 1:20 to 20: 1 by mass, more preferably 1: 3 to 3: 1. : 1
It is. If the ratio is less than 1:20, the binding force will decrease, and
Then, the electrical characteristics deteriorate. In addition, the concentration of the solid content of the dispersion for the upper charge generation layer is preferably about 1 to 30% by mass, but when it is 1% or less, the film thickness is too thin to obtain electrical characteristics, and 30
% Or more, the viscosity is too high and film formation becomes difficult, so the above range is appropriate.
【0022】特に、前記の特定の結晶構造を有するフタ
ロシアニンを含む高感度の電荷発生材料を分散させるた
めには、バインダー樹脂としてポリビニルブチラール樹
脂を、また溶媒として、1-ブタノン、3−メチル−3−ヒ
ドロキシ−2ブタノン、4−メチル−4ヒドロキシ−2−ペ
ンタノンを用いると、前記電荷発生材を良好に分散させ
ることができるため、大変有効である。In particular, in order to disperse the high-sensitivity charge generating material containing phthalocyanine having the specific crystal structure, a polyvinyl butyral resin is used as a binder resin, and 1-butanone and 3-methyl-3 are used as a solvent. The use of -hydroxy-2-butanone and 4-methyl-4-hydroxy-2-pentanone is very effective because the charge generating material can be dispersed well.
【0023】また、本発明の光スイッチング素子の基板
としては、ガラス、PET(ポリエチレンテレフタレー
ト)、PC(ポリカーボネート)、ポリエチレン、ポリ
スチレン、ポリイミド、PES(ポリエーテルスルホ
ン)等の基板が用いられる。また、光導電層(電荷発生
層、電荷輸送層)に有機材料を用いる場合には高温で熱
処理をする工程がないので、フレキシブル基板が得られ
ること、成形が容易なこと、コストの点などから光透過
性のプラスチック基板を用いることが有利である。基板
の厚みとしては、一般的には100μmから500μm程
度が好適である。また、本発明における電極層として
は、ITO膜、Au、SnO2 、Al、Cu等が用いら
れる。また、基板および電極は、必ずしも光透過性であ
る必要はない。すなわち、特願平11−273663号
に示すように、光書き込み型記録用媒体の表示素子が、
メモリ性を有し、かつ、表示に必要な波長を選択的に反
射する選択反射性または後方散乱性の表示素子である場
合には、表示側から書き込むことが可能であるので、こ
の場合には少なくとも表示素子側の基板および電極層が
光透過性であればよい。したがって、表示素子側から光
書き込みをする場合、光スイッチング素子の基板あるい
は電極層は光透過性である必要はなく、電極層としてA
l層を用いることができる。As the substrate of the optical switching element of the present invention, a substrate made of glass, PET (polyethylene terephthalate), PC (polycarbonate), polyethylene, polystyrene, polyimide, PES (polyether sulfone) or the like is used. In addition, when an organic material is used for the photoconductive layer (charge generation layer, charge transport layer), there is no step of heat treatment at a high temperature, so that a flexible substrate can be obtained, molding is easy, and cost is low. It is advantageous to use a light-transmitting plastic substrate. Generally, the thickness of the substrate is preferably about 100 μm to 500 μm. Further, as the electrode layer in the present invention, an ITO film, Au, SnO 2 , Al, Cu or the like is used. Further, the substrate and the electrode do not necessarily need to be light-transmitting. That is, as shown in Japanese Patent Application No. 11-273663, the display element of the optical writing type recording medium is
In the case of a selectively reflective or backscattering display element having a memory property and selectively reflecting a wavelength required for display, writing can be performed from the display side. It is sufficient that at least the substrate and the electrode layer on the display element side are light-transmitting. Therefore, when optical writing is performed from the display element side, the substrate or the electrode layer of the optical switching element does not need to be light-transmissive.
One layer can be used.
【0024】また、本発明の光スイッチング素子におい
ては、上記の光スイッチング素子の電荷輸送層の上下に
形成された電荷発生層の光導電特性が同一でない場合、
特開2000−180888号公報の[0022]ないし
[0025]に記載のごとき、直流成分除去可能な容量成分
をもつ機能膜、すなわち直流成分除去用機能膜を光スイ
ッチング素子に設けることが実効的な直流バイアスを除
去するのに有効である。Further, in the optical switching element of the present invention, when the photoconductive characteristics of the charge generation layers formed above and below the charge transport layer of the optical switching element are not the same,
As described in JP-A-2000-180888, [0022] to [0025], it is effective to provide a functional film having a capacitive component capable of removing a DC component, that is, a functional film for removing a DC component in an optical switching element. It is effective for removing DC bias.
【0025】また、直流成分除去用機能膜の他に、他の
機能層を設けることも可能である。たとえば、電極と電
荷発生層の間にキャリアの突入を防ぐ層を形成すること
ができる。また、反射膜や遮光膜を形成することも可能
であるし、これらの複数の機能を兼ねた機能層でも良
い。このような機能層は電流の流れを著しく妨げない範
囲で適用可能である。また本発明の光スイッチング素子
の構造としては、電荷輸送層間に電荷発生層を作製し、
電荷発生層/ 電荷輸送層/ 電荷発生層/ 電荷輸送層/ 電
荷発生層等のような構成とすることも可能である。In addition to the DC component removing functional film, another functional layer can be provided. For example, a layer for preventing carrier intrusion can be formed between the electrode and the charge generation layer. In addition, a reflective film or a light-shielding film can be formed, or a functional layer having a plurality of these functions may be used. Such a functional layer can be applied in a range that does not significantly impede the flow of current. Further, as the structure of the optical switching element of the present invention, a charge generation layer is produced between the charge transport layers,
A configuration such as a charge generation layer / a charge transport layer / a charge generation layer / a charge transport layer / a charge generation layer may be employed.
【0026】本発明の光スイッチング素子は、光スイッ
チング素子に交流電界を印加した場合にその電圧対称性
が優れていることに加え、上部電荷発生層が、電荷発生
材、バインダーおよび電荷輸送層に損傷を与えない溶媒
を含む上部電荷発生層形成用分散液から作製されるの
で、高品質かつ低コストで作製し得る光スイッチング素
子であり、また、電荷輸送層が、上部電荷発生層の形成
の際に損傷を受けることがないので、光スイッチング素
子としての感度劣化が生じない。The optical switching element of the present invention has excellent voltage symmetry when an AC electric field is applied to the optical switching element, and furthermore, the upper charge generation layer includes a charge generation material, a binder, and a charge transport layer. Since it is manufactured from the dispersion for forming the upper charge generation layer containing a solvent that does not cause damage, it is an optical switching element that can be manufactured at high quality and at low cost, and the charge transport layer is used for forming the upper charge generation layer. Since there is no damage at the time, the sensitivity of the optical switching element does not deteriorate.
【0027】この光スイッチング素子は、以下で説明す
るような機能素子に電気的に接続して用いることができ
る。光スイッチング素子と機能素子は直列接続であって
も並列接続であっても構わないし、これらの組み合わせ
であっても構わない。更にほかの素子と接続されていて
もよい。前記機能素子としては、画像表示のための液晶
表示素子、エレクトロクロミック、電気泳動素子、電界
回転素子等の表示素子、画像表示以外の空間変調素子や
光演算素子、記憶装置に用いるメモリ素子、サーマルヘ
ッド用画像記録素子等が挙げられる。本発明の光スイッ
チング素子は、画像表示素子、特に液晶表示素子のスイ
ッチングを行わせるのに効果的である。液晶表示素子を
用いた場合は、光書き込み型液晶空間変調素子として使
用することが可能である。特に、液晶表示デバイスは、
交流駆動が基本であり、上述したように直流成分を嫌う
ため、本発明の光スイッチング素子の適用が効果的であ
る。使用できる液晶は、ネマチック、スメクチック、デ
ィスコチック、コレステリック系などである。This optical switching element can be used by being electrically connected to a functional element as described below. The optical switching element and the functional element may be connected in series or in parallel, or a combination thereof. Furthermore, it may be connected to another element. Examples of the functional element include a liquid crystal display element for displaying an image, a display element such as an electrochromic element, an electrophoretic element, and an electric field rotating element, a spatial modulation element and an optical operation element other than an image display, a memory element used for a storage device, and a thermal element. And an image recording element for a head. The optical switching element of the present invention is effective for switching an image display element, particularly a liquid crystal display element. When a liquid crystal display element is used, it can be used as a light-writing type liquid crystal spatial modulation element. In particular, liquid crystal display devices
Since the AC driving is fundamental and the DC component is disliked as described above, the application of the optical switching element of the present invention is effective. Liquid crystals that can be used include nematic, smectic, discotic and cholesteric.
【0028】また、本発明の機能素子としては、メモリ
性のある機能素子を挙げることができる。メモリ性のあ
る機能素子としては、上記液晶表示素子のうちメモリ性
のある液晶表示素子を挙げることができる。メモリ性の
ある液晶とは、液晶を電圧印加により配向制御した後、
電圧印加を解除した後も、一定時間、液晶の配向が保た
れる特徴を持った液晶である。たとえば、ポリマー分散
型液晶(PDLC)やカイラルスメクチックC 相等の強誘電性
液晶、あるいはコレステリック液晶等である。また、こ
れらをカプセル化した液晶素子でも適用可能である。メ
モリ性を有する液晶はそのメモリ性ゆえに、画像表示保
持のための電力を必要とせず、また、後述の一体化した
デバイスを作製し、本体から分離して使用することが可
能である。また、そのデバイスの作製を安価に行うこと
ができる。また、メモリ性のある表示素子としては、上
記液晶表示素子の他、エレクトロクロミック素子、電気
泳動素子、電界回転素子を挙げることができる。The functional element of the present invention includes a functional element having a memory property. Examples of the functional element having a memory property include a liquid crystal display element having a memory property among the above liquid crystal display elements. A liquid crystal with memory properties means that the orientation of the liquid crystal is controlled by applying a voltage,
The liquid crystal has a characteristic that the alignment of the liquid crystal is maintained for a certain period of time even after the application of the voltage is released. For example, ferroelectric liquid crystal such as polymer dispersed liquid crystal (PDLC) and chiral smectic C phase, or cholesteric liquid crystal. Further, a liquid crystal element in which these are encapsulated is also applicable. A liquid crystal having a memory property does not require power for holding an image display because of the memory property, and an integrated device described later can be manufactured and used separately from the main body. Further, the device can be manufactured at low cost. Examples of the display element having a memory property include an electrochromic element, an electrophoretic element, and an electric field rotating element in addition to the above-described liquid crystal display element.
【0029】また、本発明においては、光スイッチング
素子と前記のごとき機能素子とを接続する場合におい
て、これらを一体化させてデバイスとすることが好まし
い。一体化させることにより光スイッチング素子と機能
素子の接続を安定化させることができる。また特に、メ
モリ性を有する機能素子と光スイッチング素子とを一体
化することが効果的である。これらを一体化したデバイ
スは、デバイスを駆動する本体から分離させることが可
能となる。したがって、本体から分離させたデバイスを
例えば、配布することが可能になる。また、使用者は自
由な場所で自由な姿勢で閲覧することができる。もちろ
ん、液晶部の画像表示のみ分離する事にも適用可能であ
る。しかし、機能素子と光スイッチング素子を、再度改
めて接続する場合の信頼性の確保が困難な場合があるた
め、機能素子と有機光導電スイッチングを一体化したも
のの方が効果的である。上記メモリ性を有する機能素子
として、メモリ性を有する液晶素子と光導電スイッチン
グを一体化したデバイス( 画像表示媒体) は、本発明の
デバイスとして特に効果的である。さらに、メモリ性を
有する液晶素子のなかでも、コレステリック液晶は、反
射率が高く、表示性能が優れているため、コレステリッ
ク液晶表示素子と光スイッチング素子を一体化したデバ
イスが特に画像表示媒体として望ましい。さらに、本発
明においては、前記の光スイッチング素子、直流成分除
去用機能膜、および機能素子を順次積層し一体化したデ
バイスとすることが有利である。光スイッチング素子と
機能素子を直列に接続したデバイスにおいて、光スイッ
チング素子の上部電荷発生層と機能素子の間に機能膜を
設けることもできる。たとえば光スイッチング素子と機
能素子を隔離するための隔離層や直流成分除去用機能膜
等が挙げられる。Further, in the present invention, when connecting the optical switching element and the functional element as described above, it is preferable to integrate these into a device. By integrating them, the connection between the optical switching element and the functional element can be stabilized. In particular, it is effective to integrate a functional element having a memory function and an optical switching element. A device in which these are integrated can be separated from a main body that drives the device. Therefore, for example, the device separated from the main body can be distributed. In addition, the user can browse in a free place and in a free posture. Of course, the present invention can also be applied to separating only the image display of the liquid crystal unit. However, in some cases, it is difficult to secure the reliability when the functional element and the optical switching element are connected again. Therefore, the one in which the functional element and the organic photoconductive switching are integrated is more effective. A device (image display medium) in which a liquid crystal element having a memory function and photoconductive switching are integrated as the functional element having a memory function is particularly effective as the device of the present invention. Further, among the liquid crystal elements having a memory property, cholesteric liquid crystal has a high reflectance and excellent display performance. Therefore, a device in which a cholesteric liquid crystal display element and an optical switching element are integrated is particularly desirable as an image display medium. Further, in the present invention, it is advantageous to form a device in which the optical switching element, the DC component removing functional film, and the functional element are sequentially laminated and integrated. In a device in which an optical switching element and a functional element are connected in series, a functional film may be provided between the upper charge generation layer of the optical switching element and the functional element. For example, an isolation layer for separating the optical switching element from the functional element, a DC component removing functional film, and the like can be given.
【0030】本発明の光スイッチング素子と機能素子と
を一体化したデバイスの一例として、図2に前記のごと
き機能膜を備えた光書き込み型空間変調デバイス(光書
き込み型記録用媒体)の概念図を示す。この光書き込み
型記録用媒体20は、光スイッチング素子30、表示素
子40および光スイッチング素子と表示素子の間に挟ま
れた機能膜50より構成され、光スイッチング素子30
は基板31、電極32、下部電荷発生層33、電荷輸送
層34および上部電荷発生層35より構成され、表示素
子40は、基板41、電極42および表示層(液晶層
等)43から構成される。図から明らかなように、上部
電荷発生層35を表示素子側に位置させる。前記光書き
込み型記録用媒体20において、光書き込みが光スイッ
チング素子側あるいは表示素子側から行なわれるかによ
り、光入射側の素子の基板および電極を光透過性にする
ことが必要である。電極32と42の間に交流電界が印
加される。FIG. 2 is a conceptual diagram of an optical writing type spatial modulation device (optical writing type recording medium) having a functional film as described above as an example of a device in which the optical switching element and the functional element of the present invention are integrated. Is shown. The optical writing type recording medium 20 includes an optical switching element 30, a display element 40, and a functional film 50 sandwiched between the optical switching element and the display element.
Is composed of a substrate 31, an electrode 32, a lower charge generation layer 33, a charge transport layer 34, and an upper charge generation layer 35, and the display element 40 is composed of a substrate 41, an electrode 42, and a display layer (liquid crystal layer or the like) 43. . As is clear from the figure, the upper charge generation layer 35 is located on the display element side. In the optical writing type recording medium 20, it is necessary to make the substrate and electrode of the element on the light incident side light-transmitting depending on whether the optical writing is performed from the optical switching element side or the display element side. An alternating electric field is applied between the electrodes 32 and 42.
【0031】本発明においては、上記のごとき光スイッ
チング素子と機能素子を一体化させたデバイスに、該デ
バイスを駆動する駆動機構を電気的に接続させて、様々
な機能を発揮する装置を作製することができる。またこ
の際、該駆動機構を該デバイスと切り離し可能に構成す
ることにより、デバイスを装置本体から切り離して閲覧
に供したり、配付したりすることができる。機能素子と
してはメモリ性のある機能素子、表示素子、メモリ性の
ある表示素子、液晶表示素子、メモリ性のある液晶表示
素子あるいはコレステリック液晶表示素子等が挙げられ
るが、特にメモリー性のある機能素子、例えばメモリー
性のある液晶表示素子、中でもコレステリック液晶表示
素子が好ましく用いられる。また、上記装置のデバイス
が、前記の直流成分除去用機能膜を備えたデバイスの場
合には、交流電界により駆動する際の電圧対称性がさら
に改善されることになる。In the present invention, a device having various functions is manufactured by electrically connecting a drive mechanism for driving the device to the device in which the optical switching element and the functional element are integrated as described above. be able to. Also, at this time, by configuring the drive mechanism so as to be detachable from the device, the device can be separated from the apparatus main body for browsing or distribution. Examples of the functional element include a functional element having a memory property, a display element, a display element having a memory property, a liquid crystal display element, a liquid crystal display element having a memory property, and a cholesteric liquid crystal display element. For example, a liquid crystal display element having a memory property, particularly, a cholesteric liquid crystal display element is preferably used. Further, when the device of the above apparatus is a device provided with the above-described DC component removing functional film, the voltage symmetry when driven by an AC electric field is further improved.
【0032】次に、本発明の表示装置について説明す
る。図3に表示装置の一例の概略図を示す。図3で示さ
れる表示装置は、記録媒体駆動装置、書き込み装置およ
びこれらを制御する制御装置から構成される。これらの
装置は一つにまとめられていてもよいし、分離していて
もよい。記録媒体駆動装置は、波形発生手段62、入力
信号検知手段64、制御手段66およびコネクター65
からなる。コネクタ65は、光スイッチング素子側基板
の透明電極と、表示素子側基板の電極に接続するための
コネクタで、それぞれの側に接点を有し、記録媒体駆動
装置と光書き込み型記録用媒体20を自在に分離するこ
とが可能である。書き込み装置は、制御手段82、光パ
ターン生成手段(たとえば透過型TFT液晶ディスプレ
イ)84および光照射手段(たとえばハロゲン光源)8
6よりなり、制御手段82はPCにつながっている。ま
た、制御装置は記録媒体駆動装置および書き込み装置を
制御するためのものであり、制御手段70、駆動波発生
信号出力手段72および光書き込みデータ出力手段74
からなる。なお、前記光書き込み型記録用媒体20は、
この場合、光スイッチング素子30と表示素子40の間
に直流成分除去用機能膜52を備えている。Next, the display device of the present invention will be described. FIG. 3 shows a schematic view of an example of the display device. The display device shown in FIG. 3 includes a recording medium driving device, a writing device, and a control device that controls these devices. These devices may be combined into one unit or may be separated. The recording medium driving device includes a waveform generator 62, an input signal detector 64, a controller 66, and a connector 65.
Consists of The connector 65 is a connector for connecting the transparent electrode of the optical switching element side substrate and the electrode of the display element side substrate, and has a contact on each side, and the recording medium driving device and the optical writing type recording medium 20 are connected. It is possible to separate them freely. The writing device includes a control unit 82, a light pattern generation unit (for example, a transmission type TFT liquid crystal display) 84, and a light irradiation unit (for example, a halogen light source) 8.
The control means 82 is connected to the PC. The control device is for controlling the recording medium driving device and the writing device. The control device 70, the driving wave generation signal output device 72, and the optical writing data output device 74
Consists of The optical writing type recording medium 20 includes:
In this case, a DC component removing functional film 52 is provided between the optical switching element 30 and the display element 40.
【0033】光書き込み手段による光書き込みと同期し
て、表示のための駆動パルスを印加する電圧印加手段
(図示せず)は、印加パルスの生成手段、出力するため
のトリガ入力を検知する手段を有する。パルス生成手段
には例えば、ROM のような波形記憶手段とDA変換手段と
制御手段とを有し、電圧印加時にROM から読み出した波
形をDA変換して空間変調デバイスに印加する手段が適用
可能であるし、また、ROM ではなくパルス発生回路のよ
うな電気回路的な方式でパルスを発生させる手段が適用
可能であるが、このほかにも駆動パルスを印加する手段
であれば特に制限なく使用することができる。書き込み
装置としては、空間変調デバイスの光入射側に照射する
光のパターンを生成する手段と、そのパターンを空間変
調デバイスに照射する光照射手段とを有する。パターン
の生成には、例えば、TFTを用いた液晶ディスプレ
イ、単純マトリックス型液晶ディスプレイ等透過型のデ
ィスプレイが適用可能である。光照射手段としては、蛍
光ライト、ハロゲンランプ、エレクトロルミネッセンス
(EL)ライト等、空間変調デバイスに照射できるもので
あれば適用可能である。また、パターン生成手段と光照
射手段を兼ね備えたELディスプレイやCRT、フィール
ドエミッションディスプレイ(FED)など発光型ディ
スプレイも適用可能であることはいうまでもない。前記
のほかにも、空間変調デバイスに照射する光量、波長、
照射パターンを制御できる手段であれば、それ以外であ
っても構わない。A voltage applying means (not shown) for applying a driving pulse for display in synchronization with the optical writing by the optical writing means includes means for generating an applied pulse and means for detecting a trigger input for output. Have. The pulse generation means includes, for example, a waveform storage means such as a ROM, a DA conversion means, and a control means, and a means for applying a voltage to a spatial modulation device by DA-converting a waveform read from the ROM when a voltage is applied is applicable. In addition, a means for generating a pulse by an electric circuit method such as a pulse generation circuit instead of a ROM can be applied, but other means for applying a drive pulse can be used without any particular limitation. be able to. The writing device includes a unit for generating a pattern of light to be irradiated on the light incident side of the spatial modulation device, and a light irradiating unit for irradiating the spatial modulation device with the pattern. For generating the pattern, for example, a transmission type display such as a liquid crystal display using a TFT or a simple matrix type liquid crystal display can be applied. As the light irradiating means, any device that can irradiate a spatial modulation device, such as a fluorescent light, a halogen lamp, and an electroluminescence (EL) light, is applicable. Needless to say, a light emitting display such as an EL display, a CRT, and a field emission display (FED) having both a pattern generating unit and a light irradiating unit can be applied. In addition to the above, the light amount, wavelength,
Any other means that can control the irradiation pattern may be used.
【0034】本発明における機能素子を駆動する駆動方
法としては、特に制限されないが、交流電圧、周波数、
照射光量および波長制御が適用可能である。本発明の記
録装置あるいは記録方法において印加する印加電圧は交
流電圧であるが、波形としてはサイン波、矩形波、三角
波などが使用可能である。もちろんこれらを組み合わせ
たものでも、まったく任意の波形であっても適用可能で
ある。また、表示性能等改善のため、単独では表示の切
り替えのできないようなサブパルスを駆動パルスに付加
してもよい。表示素子によっては、若干のバイアス成分
印加が有効な場合があるが、本発明のデバイスにおい
て、それを採用しても良いことはもちろんである。The driving method for driving the functional element according to the present invention is not particularly limited, but includes an AC voltage, a frequency,
Irradiation light quantity and wavelength control are applicable. The applied voltage applied in the recording apparatus or recording method of the present invention is an AC voltage, but a sine wave, a rectangular wave, a triangular wave, or the like can be used as a waveform. Needless to say, the present invention can be applied to a combination of these or a completely arbitrary waveform. In order to improve the display performance and the like, a sub-pulse that cannot be switched by itself may be added to the drive pulse. Depending on the display element, application of a slight bias component may be effective, but it goes without saying that this may be adopted in the device of the present invention.
【0035】[0035]
【実施例】以下に実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。なお、以下において%は「質量%」を、
部は「質量部」を意味する。 実施例1 ここでは、光スイッチング素子をより単純化したものと
して、ITOを積層した透明PET基板上に、電荷輸送層を作
製したものを各溶剤に浸漬して、電荷輸送層の表面を評
価した。使用した溶剤は2−プロパノール、1−ブタノー
ル、3−メチル−3−ヒドロキシ−2−ブタノン、4−メチ
ル−4−ヒドロキシ−2−ペンタノンである。電荷輸送層
の作製には、電荷輸送材N,N-bis(3,4-dimethylphenyl)b
iphenyl-4-amineと、バインダー樹脂PolyCarbonate bis
phenol-Z、(ポリ(4,4’-シクロヘキシリデンジフェニレ
ンカーボネート))をそれぞれ4:6の質量比率で混合し
た後、これをモノクロロベンゼンに溶解させ10%の溶液
としたものを用いた。この溶液を用いディップコートに
より、120mm/minの速度で引き上げ、前記ITO膜の上に3
μm厚の電荷輸送層を作製した。The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited to these Examples. In the following,% means “mass%”,
Parts means "parts by mass". Example 1 Here, assuming that the optical switching element was more simplified, a charge transport layer was prepared and immersed in each solvent on a transparent PET substrate on which ITO was laminated, and the surface of the charge transport layer was evaluated. . The solvents used are 2-propanol, 1-butanol, 3-methyl-3-hydroxy-2-butanone, 4-methyl-4-hydroxy-2-pentanone. For the preparation of the charge transport layer, a charge transport material N, N-bis (3,4-dimethylphenyl) b
iphenyl-4-amine and binder resin PolyCarbonate bis
After mixing phenol-Z and (poly (4,4'-cyclohexylidenediphenylene carbonate)) at a mass ratio of 4: 6, these were dissolved in monochlorobenzene to form a 10% solution. The solution was pulled up at a speed of 120 mm / min by dip coating, and 3
A charge transport layer having a thickness of μm was formed.
【0036】実施例2(光スイッチング素子−OPCセ
ル) この例においては、光スイッチング素子の光感度を評価
するために、OPCセルを作製した。下部電荷発生層用
分散液として、X線回折のブラッグ角が 7.5°、9.9°、
12.5°、16.3°、18.6°、25.1°および28.3°にピーク
をもつヒドロキシガリウムフタロシアニンを電荷発生材
とし、バインダー樹脂としてポリビニルブチラールを用
い、両者の質量比率を1:1とし、これを、ジアセトンア
ルコール(プロトン系溶媒、SP値9.41)に混合
(濃度4%)した後、ペイントシェーカーにより1時間
分散させ、分散液を作った。この分散液をスピンコート
法により 125μm厚のITO付きPETフィルム(東レハイビ
ーム)のITO面上に、塗布後、乾燥させ、下部電荷発生
層を0.2μm厚に形成した。Example 2 (Optical Switching Element-OPC Cell) In this example, an OPC cell was manufactured to evaluate the optical sensitivity of the optical switching element. As a dispersion for the lower charge generation layer, the Bragg angle of X-ray diffraction is 7.5 °, 9.9 °,
12.5 °, 16.3 °, 18.6 °, hydroxygallium phthalocyanine having peaks at 25.1 ° and 28.3 ° as a charge generating material, using polyvinyl butyral as a binder resin, the mass ratio of both to 1: 1, this is diacetone After mixing (concentration: 4%) with alcohol (proton solvent, SP value: 9.41), the mixture was dispersed by a paint shaker for 1 hour to prepare a dispersion. This dispersion was applied onto the ITO surface of a 125 μm-thick PET film with ITO (Toray High Beam) having a thickness of 125 μm by a spin coating method and then dried to form a lower charge generation layer having a thickness of 0.2 μm.
【0037】電荷輸送層用溶液として、電荷輸送材N,N-
bis(3,4dimethylphenyl)biphenyl-4-amine、とバインダ
ー樹脂PolyCarbonate bisphenol-Z、(ポリ(4,4’-シク
ロヘキシリデンジフェニレンカーボネート))をそれぞれ
4:6の質量比率で混合した後、これをモノクロロベンゼ
ンに溶解させ10%の溶液としたものを調製した。この溶
液をディップコートにより、120mm/minの速度で引き上
げ、下部電荷発生層上に3μm厚の電荷輸送層を作製し
た。As the solution for the charge transport layer, charge transport materials N, N-
bis (3,4dimethylphenyl) biphenyl-4-amine, binder resin PolyCarbonate bisphenol-Z, (poly (4,4'-cyclohexylidene diphenylene carbonate))
After mixing at a mass ratio of 4: 6, this was dissolved in monochlorobenzene to prepare a 10% solution. This solution was pulled up by dip coating at a speed of 120 mm / min to form a 3 μm thick charge transport layer on the lower charge generation layer.
【0038】電荷輸送層の上に、上部電荷発生層を、前
記下部電荷発生層と同様にして0.2μm厚に形成した。こ
のようにして、基板、下部電荷発生層、電荷輸送層およ
び上部電荷発生層よりなる光スイッチング素子を作製し
た。前記光スイッチング素子の上部電荷発生層の上に、
50Å厚さのAu電極を作製し、OPCセルとした。作製したO
PCセルをインピーダンス測定装置に接続し、これに光照
射下および暗時下において、交流サイン波50Hzを印加
し、その電圧による明暗時のコントラストを測定し光ス
イッチング特性を測定した。On the charge transport layer, an upper charge generation layer was formed to a thickness of 0.2 μm in the same manner as the lower charge generation layer. In this way, an optical switching element including the substrate, the lower charge generation layer, the charge transport layer, and the upper charge generation layer was manufactured. On the upper charge generation layer of the optical switching element,
An Au electrode having a thickness of 50 mm was produced and used as an OPC cell. O made
The PC cell was connected to an impedance measuring device, and an AC sine wave of 50 Hz was applied thereto under light irradiation and darkness, and the contrast at light and dark was measured by the voltage to measure the optical switching characteristics.
【0039】実施例3 実施例2の光スイッチング素子において、上部電荷発生
層を作製する際の溶媒であるジアセトンアルコールを1
−ブタノール(プロトン系、SP値11.6)に変更す
る他は同様にして、光スイッチング素子を作製した。Example 3 In the optical switching element of Example 2, diacetone alcohol, which is a solvent used for forming the upper charge generation layer, was replaced with 1
-An optical switching element was produced in the same manner except that butanol (proton type, SP value: 11.6) was used.
【0040】実施例4(光書き込み型記録用媒体) この例では、実施例2で作製した光スイッチング素子
と、メモリー性のある表示素子を一体にし、画像表示で
きることを確認するための光書き込み記録媒体を作製し
た。実施例2で作製した光スイッチング素子の上部電荷
発生層の上に、隔離層として、ポリビニルアルコールの
層を0.2μmの厚さで、スピンコート法により形成し
た。Example 4 (Optical writing type recording medium) In this example, the optical switching element manufactured in Example 2 and a display element having a memory function were integrated, and optical writing recording for confirming that an image could be displayed was performed. A medium was prepared. A layer of polyvinyl alcohol having a thickness of 0.2 μm was formed as a separation layer on the upper charge generation layer of the optical switching element manufactured in Example 2 by spin coating.
【0041】(表示素子の作製)表示素子の表示層とし
ては以下で示す方法により作製されたカプセル液晶素子
を用いた。正の誘電率異方性を有するネマチック液晶E8
(メルク社製)74.8部に、カイラル剤CB15(BDH社製) 21
部およびカイラル剤R1011(メルク社製)4.2部を加熱溶解
後、室温に戻して、ブルーグリーンの色光を選択反射す
るカイラルネマチック液晶を得た。このブルーグリーン
カイラルネマチック液晶10部に、キシレンジイソシアネ
ート3モルとトリメチロールプロパン1モルとの付加物
(武田薬品工業製D-110N)3部と、酢酸エチル100部を加え
て均一溶液とし、油相となる液を調製した。一方、ポリ
ビニルアルコール(クラレ社製ポバール217EE)10部を、
熱したイオン交換水1000部に加えて攪拌後、放置冷却す
ることによって、水相となる液を調製した。(Production of Display Element) As a display layer of the display element, a capsule liquid crystal element produced by the following method was used. Nematic liquid crystal E8 with positive dielectric anisotropy
(Merck) 74.8 parts, chiral agent CB15 (BDH) 21
And 4.2 parts of the chiral agent R1011 (manufactured by Merck) were heated and dissolved, and then returned to room temperature to obtain a chiral nematic liquid crystal that selectively reflects blue-green light. An adduct of 3 mol of xylene diisocyanate and 1 mol of trimethylolpropane was added to 10 parts of this blue green chiral nematic liquid crystal.
(D-110N manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) (3 parts) and 100 parts of ethyl acetate were added to make a homogeneous solution, and a liquid to be an oil phase was prepared. On the other hand, 10 parts of polyvinyl alcohol (Kuraray Poval 217EE),
After adding to 1000 parts of heated ion-exchanged water, stirring, and leaving to cool, a liquid to be an aqueous phase was prepared.
【0042】次に、スライダックで30V交流を与えた家
庭用ミキサーによって、前記油相を前記水相中に1分間
乳化分散して、水相中に油相液滴が分散した水中油エマ
ルジョンを調製した。この水中油エマルジョンを60℃の
ウォーターバスで加熱しながら2時間攪拌し、界面重合
を完了させて、液晶マイクロカプセルを形成した。得ら
れた液晶マイクロカプセルの平均粒径は、レーザー粒度
分布計によって約12μmと見積もられた。マイクロカプ
セル分散液を網目38μmのステンレスメッシュを通して
濾過後一昼夜放置し、乳白色の上澄みを取り除くことに
よりマイクロカプセルからなる固形成分約40wt%のスラ
リーを得た。前記スラリーに対しマイクロカプセルから
なる固形成分に対して2/3質量となる量のポリビニルア
ルコールを含むポリビニルアルコール溶液(10%)を加
えることにより表示層用塗布液を調整した。125μm厚I
TO付きPETフィルム(東レハイビーム) のITO 面上に、上
記塗布液を#44のワイヤーバーで塗布することにより、
液晶層を形成し、表示素子を作製した。Next, the oil phase was emulsified and dispersed in the aqueous phase for 1 minute by a household mixer to which a 30 V AC was applied with a slide lacquer to prepare an oil-in-water emulsion in which oil phase droplets were dispersed in the aqueous phase. did. The oil-in-water emulsion was stirred for 2 hours while being heated in a water bath at 60 ° C. to complete interfacial polymerization and form liquid crystal microcapsules. The average particle size of the obtained liquid crystal microcapsules was estimated to be about 12 μm by a laser particle size distribution meter. The microcapsule dispersion was filtered through a 38 μm mesh stainless steel mesh, allowed to stand for 24 hours, and the milky white supernatant was removed to obtain a slurry of microcapsules having a solid content of about 40 wt%. A coating solution for a display layer was prepared by adding a polyvinyl alcohol solution (10%) containing polyvinyl alcohol to the slurry in an amount of 2/3 mass of a solid component composed of microcapsules. 125μm thickness I
By applying the above coating solution with a # 44 wire bar on the ITO surface of PET film with TO (Toray High Beam),
A liquid crystal layer was formed, and a display element was manufactured.
【0043】(光書き込み記録媒体の作製)前記のよう
に光スイッチング素子の上部電荷発生層の上に形成した
ポリビニルアルコール隔離層の表面に、完全水性型ドラ
イラミネート接着剤であるディックドライWS-321A/LD-
55 (大日本インキ化学工業(株)製)を塗布乾燥させて4
μm厚の接着層とした。光スイッチング素子に設けた接
着層と表示素子の液晶層を密着させ、70℃においてラミ
ネートを行った後、表示素子のPETフィルムの表面にブ
ラックポリイミドBKR-105(日本化薬製)を塗布し、これ
を張り合わせてモノクロ表示の光書き込み型記録用媒体
を得た。(Preparation of Optically Writable Recording Medium) As described above, the surface of the polyvinyl alcohol isolating layer formed on the upper charge generating layer of the optical switching element is covered with Dick Dry WS-321A, a completely aqueous dry laminating adhesive. / LD-
55 (Dai Nippon Ink Chemical Industry Co., Ltd.)
An adhesive layer having a thickness of μm was formed. The adhesive layer provided on the optical switching element and the liquid crystal layer of the display element are brought into close contact with each other, and after laminating at 70 ° C., black polyimide BKR-105 (manufactured by Nippon Kayaku) is applied to the surface of the PET film of the display element, This was adhered to obtain an optically writable recording medium for monochrome display.
【0044】この光書き込み型記録用媒体を電圧印加装
置に接続し、さらに光スイッチング素子に画像様に光を
入射させるために、光スイッチング素子の基板にモノク
ロの液晶パネルを密着させ、その画像からの光を照射す
るとともに、50Hz300Vの矩形波を4パルス入力し、光書
き込み型記録用媒体に画像を形成した。The optical writing type recording medium is connected to a voltage application device, and a monochrome liquid crystal panel is brought into close contact with the substrate of the optical switching element so that light is incident on the optical switching element like an image. And a rectangular pulse of 50 Hz and 300 V was input in four pulses to form an image on the optically writable recording medium.
【0045】比較例1 実施例1において作製された、ITOを積層した透明PET基
板上に、電荷輸送層を作製したものを、以下の各溶剤に
浸漬して電荷輸送層の表面を評価した。使用した溶媒
は、アセトン、酢酸ブチル、2−ブタノン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミドであり、各溶媒中に
浸してその表面を観察し、溶媒に対する耐性を調べた。Comparative Example 1 A charge transporting layer prepared on a transparent PET substrate laminated with ITO, prepared in Example 1, was immersed in the following solvents to evaluate the surface of the charge transporting layer. The solvents used were acetone, butyl acetate, 2-butanone, dimethylformamide, and dimethylacetamide, and the surfaces were immersed in each solvent and the surface thereof was observed to examine the resistance to the solvent.
【0046】比較例2 実施例2の光スイッチング素子において、上部電荷発生
層を作製する際、溶媒であるジアセトンアルコールをア
セトン(非プロトン系、SP値9.73)に代える他
は、同様にして光スイッチング素子を作製したが、OP
Cセルが膨潤および一部溶解しインピーダンス等を測定
することは不可能であった。 比較例3 比較例2と同様に、溶媒としてイソプロポキシプロパノ
ール(プロトン系、SP値8.94)を用いたところ、
同様にOPCセルが膨潤および一部溶解しインピーダン
ス等を測定することは不可能であった。 比較例4 125μm厚のITO付きPETフィルム(東レハイビーム)のIT
O面上に、下部電荷発生層としてベンズイミダゾールペ
リレンBZPを蒸着法により0.08μm厚に作製し、この上に
電荷輸送層を実施例2と同様にして3μm厚に形成し、さ
らにこの上に上部電荷発生層としてベンズイミダゾール
ペリレンBZPを蒸着法により0.08μm厚に形成して光スイ
ッチング素子を作製した。前記光スイッチング素子の上
部電荷発生層の上に、50Å厚さのAu電極を作製し、OPC
セルとした。作製したOPCセルをインピーダンス測定装
置に接続し、これに光照射下および暗時下において、交
流サイン波50Hzを印加し、その電圧による明暗時のコン
トラストを測定し光スイッチング特性を測定した。Comparative Example 2 In the optical switching element of Example 2, when the upper charge generation layer was formed, the procedure was the same except that diacetone alcohol as a solvent was changed to acetone (non-proton type, SP value: 9.73). The optical switching element was manufactured by
The C cell swelled and partially dissolved, and it was impossible to measure impedance and the like. Comparative Example 3 As in Comparative Example 2, when isopropoxypropanol (proton system, SP value: 8.94) was used as a solvent,
Similarly, the OPC cell swells and partially dissolves, making it impossible to measure impedance and the like. Comparative Example 4 IT of 125 μm thick PET film with ITO (Toray High Beam)
On the O-plane, benzimidazole perylene BZP was formed to a thickness of 0.08 μm by a vapor deposition method as a lower charge generation layer, and a charge transport layer was formed thereon to a thickness of 3 μm in the same manner as in Example 2, and further formed thereon. An optical switching element was fabricated by forming benzimidazole perylene BZP as a charge generation layer to a thickness of 0.08 μm by a vapor deposition method. On the upper charge generating layer of the optical switching element, a Au electrode having a thickness of 50 mm was prepared, and the OPC was performed.
Cell. The fabricated OPC cell was connected to an impedance measuring device, and an AC sine wave of 50 Hz was applied thereto under light irradiation and darkness, and the contrast at light and dark was measured by the voltage to measure the optical switching characteristics.
【0047】[光スイッチング素子および光書き込み記
録媒体の評価] (1)実施例1および比較例1の溶媒に対する電荷輸送
層の耐性を目視で検査したところ、下記表1に示すよう
に、実施例1の溶媒では、電荷輸送層に変化はなく損傷
を与えることはなかったが、比較例の溶媒では表面白濁
や最悪の場合として電荷輸送層溶解が生じた。[Evaluation of Optical Switching Element and Optical Writing Recording Medium] (1) The resistance of the charge transport layer to the solvent of Example 1 and Comparative Example 1 was visually inspected. The solvent No. 1 did not change the charge transport layer and did not damage it, but the solvent of the comparative example caused surface turbidity and, in the worst case, dissolution of the charge transport layer.
【0048】[0048]
【表1】 [Table 1]
【0049】(2)光スイッチング素子の抵抗成分の電
圧依存性の評価 実施例3の光スイッチング素子と比較例4の光スイッチ
ング素子について、インピーダンス特性である抵抗成分
の電圧依存性を測定した。測定にはヒューレットパッカ
ード製HP4194Aを用いた。高感度であるためには、よ
り、インピーダンスの抵抗成分の低いことが要求され
る。暗時は、実施例3および比較例4とも1GΩ/cm2以
上の高い抵抗を示した。図4に、同様にして測定した明
時のインピーダンス特性を示す。光量としては、ハロゲ
ン光源より、170μW/cm2と1mW/cm2を照射した。図4に
示すように、いずれの光量においても、実施例の抵抗成
分が比較例よりも小さくなっている。このため、所定の
光量を印加した場合の感度としては、より高感度になっ
ていることがわかる。(2) Evaluation of Voltage Dependence of Resistance Component of Optical Switching Element The voltage dependence of the resistance component, which is an impedance characteristic, was measured for the optical switching element of Example 3 and the optical switching element of Comparative Example 4. Hewlett-Packard HP4194A was used for the measurement. In order to achieve high sensitivity, a lower resistance component of the impedance is required. In the dark, both Example 3 and Comparative Example 4 exhibited high resistance of 1 GΩ / cm 2 or more. FIG. 4 shows the light-weight impedance characteristics measured in the same manner. The light amount was 170 μW / cm 2 and 1 mW / cm 2 from a halogen light source. As shown in FIG. 4, the resistance component of the example is smaller than that of the comparative example at any light amount. Therefore, it can be seen that the sensitivity when a predetermined amount of light is applied is higher.
【0050】(3)光スイッチング素子の抵抗成分の光
量依存性の評価 実施例3と比較例4の光スイッチング素子について、イ
ンピーダンス特性である抵抗成分の光量依存性を測定し
た。測定にはヒューレットパッカード製HP4194Aを用い
た。図5に、測定した明時のインピーダンス特性を示
す。電圧波形としては正弦波で100Hz、100Vを印加し
た。図5に示すように、いずれの光量においても、実施
例3の抵抗成分が比較例4よりも小さくなっている。こ
のため、所定の電圧を印加した場合の光感度としては、
より高感度になっていることがわかる。(3) Evaluation of Light Dependence of Resistance Component of Optical Switching Element The light switching of the resistance component, which is an impedance characteristic, was measured for the optical switching elements of Example 3 and Comparative Example 4. Hewlett-Packard HP4194A was used for the measurement. FIG. 5 shows the measured impedance characteristics at the time of light. As a voltage waveform, a sine wave of 100 Hz and 100 V was applied. As shown in FIG. 5, the resistance component of Example 3 is smaller than that of Comparative Example 4 at any light amount. Therefore, the light sensitivity when a predetermined voltage is applied is as follows:
It can be seen that the sensitivity is higher.
【0051】(4)光書き込み記録媒体の記録評価 実施例4で作製した光書き込み記録媒体を用い、図3で
示したような書き込み装置に接続し、光書き込み記録媒
体の両電極に電圧を印加し、モノクロカラー画像表示を
試みた。書き込みパルスとして矩形波、50Hz、4パル
ス、300Vppを印加した。この結果、暗部(1μw/cm2)と光
照射部(500μw/cm2)において、光照射部はブルー、暗部
はブラックのモノクロ画像が得られた。これは1000回繰
りかえし記録したが安定していた。(4) Recording Evaluation of Optically Writable Recording Medium The optically writable recording medium produced in Example 4 was connected to a writing apparatus as shown in FIG. 3, and a voltage was applied to both electrodes of the optically writable recording medium. And tried to display a monochrome color image. A rectangular wave, 50 Hz, 4 pulses, and 300 Vpp were applied as write pulses. As a result, in the dark area (1 μw / cm 2 ) and the light irradiation area (500 μw / cm 2 ), a monochrome image was obtained in which the light irradiation area was blue and the dark area was black. This was repeated 1,000 times and was stable.
【0052】[0052]
【発明の効果】本発明においては、光スイッチング素子
の上部電荷発生層を作製する際の塗布液の溶媒として、
前記のごときものを用いたため、上部電荷発生層を作製
する際電荷輸送層を損傷することがないので、真空蒸着
装置などの高価な装置を用いることなく真空蒸着法によ
る成膜により上部電荷発生層を形成した場合と匹敵する
性能を有する光スイッチング素子を作製することができ
る。また、このような光スイッチング素子を種々の機能
素子と組み合わせることにより従来のものと同等のデバ
イス、たとえば光書き込み型記録用媒体を得ることがで
きる。According to the present invention, the solvent of the coating solution for producing the upper charge generation layer of the optical switching element is:
Since the charge transport layer is not damaged when the upper charge generation layer is manufactured, the upper charge generation layer is formed by vacuum deposition without using an expensive apparatus such as a vacuum deposition apparatus. An optical switching element having a performance comparable to that of the case of forming can be manufactured. Also, by combining such an optical switching element with various functional elements, a device equivalent to a conventional one, for example, an optical writing type recording medium can be obtained.
【図1】 dual CGL構造を有する光スイッチング素子の
断面構造を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram showing a cross-sectional structure of an optical switching element having a dual CGL structure.
【図2】 本発明の光書き込み型記録用媒体の一例を示
す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing an example of an optical writing type recording medium of the present invention.
【図3】 本発明の書き込み装置および表示装置の一例
を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a writing device and a display device of the present invention.
【図4】 実施例3および比較例4の光スイッチング素
子のインピーダンスの抵抗成分における電圧依存性を示
すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the voltage dependence of the resistance component of the impedance of the optical switching elements of Example 3 and Comparative Example 4.
【図5】 実施例3および比較例4の光スイッチング素
子のインピーダンスの抵抗成分における光量依存性を示
すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the light quantity dependence of the resistance component of the impedance of the optical switching elements of Example 3 and Comparative Example 4.
10 基板 12 電極 14 下部電荷発生層 16 電荷輸送層 18 上部電荷発生層 20 光書き込み型記録用媒体 30 光スイッチング素子 40 表示素子 50 機能膜 65 コネクター 70、82 制御手段 84 光パターン生成手段 86 光照射手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12 Electrode 14 Lower charge generation layer 16 Charge transport layer 18 Upper charge generation layer 20 Optical writing type recording medium 30 Optical switching element 40 Display element 50 Functional film 65 Connector 70, 82 Control means 84 Light pattern generation means 86 Light irradiation means
フロントページの続き Fターム(参考) 2H079 AA08 AA15 BA01 CA02 CA22 CA23 DA07 DA08 EA14 GA05 2H092 GA05 GA50 JA24 JA28 KA05 MA04 MA05 MA29 NA25 PA13 QA07 QA11 QA13 RA05 Continued on the front page F term (reference) 2H079 AA08 AA15 BA01 CA02 CA22 CA23 DA07 DA08 EA14 GA05 2H092 GA05 GA50 JA24 JA28 KA05 MA04 MA05 MA29 NA25 PA13 QA07 QA11 QA13 RA05
Claims (12)
発生層、電荷輸送層、および上部電荷発生層を順次積層
した、交流電界あるいは交流電流により駆動される機能
素子のスイッチングを行うための光導電スイッチング素
子において、上部電荷発生層が、少なくとも電荷発生
材、バインダーおよび電荷輸送層に損傷を与えない溶媒
を含む上部電荷発生層形成用分散液から作製されること
を特徴とする光スイッチング素子。1. A light for switching a functional element driven by an AC electric field or an AC current, in which at least an electrode layer, a lower charge generation layer, a charge transport layer, and an upper charge generation layer are sequentially laminated on a substrate. An optical switching element comprising a conductive switching element, wherein the upper charge generation layer is formed from a dispersion for forming an upper charge generation layer containing at least a charge generation material, a binder, and a solvent that does not damage the charge transport layer.
つその溶解パラメータが9.0以上であることを特徴と
する請求項1に記載の光スイッチング素子。2. The optical switching element according to claim 1, wherein the solvent is a protic solvent and has a solubility parameter of 9.0 or more.
ート系樹脂であり、かつ、前記溶媒が分子中に少なくと
も1以上のヒドロキシ基を有する溶媒であることを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の光スイッチング
素子。3. The charge transport layer according to claim 1, wherein the binder of the charge transport layer is a polycarbonate resin, and the solvent is a solvent having at least one hydroxy group in a molecule. Optical switching element.
少なくとも上部電荷発生層のバインダーが、ポリビニル
ブチラール樹脂、ポリアミド樹脂カルボキシル変性塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体を含むことを特徴とする請
求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の光スイッ
チング素子。4. The binder according to claim 1, wherein the binder of at least the upper charge generation layer of the lower charge generation layer and the upper charge generation layer contains a polyvinyl butyral resin or a polyamide resin carboxyl-modified vinyl chloride-vinyl acetate copolymer. An optical switching element according to claim 3.
3−ヒドロキシ−2−ブタノン、または4−メチル−4−ヒ
ドロキシ−2−ペンタノンの1種以上であることを特徴
とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の
光スイッチング素子。5. The method according to claim 1, wherein the solvent is 1-butanol, 3-methyl-
The optical switching element according to any one of claims 1 to 4, wherein the optical switching element is at least one of 3-hydroxy-2-butanone and 4-methyl-4-hydroxy-2-pentanone.
ルブチラール樹脂またはポリアミド樹脂であり、また、
前記溶媒が1−ブタノール、3−メチル−3−ヒドロキシ
−2−ブタノン、または4−メチル−4−ヒドロキシ−2−
ペンタノンの1種以上であることを特徴とする請求項1
ないし請求項5のいずれか1項に記載の光スイッチング
素子。6. The binder of the upper charge generation layer is a polyvinyl butyral resin or a polyamide resin,
The solvent is 1-butanol, 3-methyl-3-hydroxy-2-butanone, or 4-methyl-4-hydroxy-2-
2. The method according to claim 1, which is at least one of pentanone.
An optical switching element according to claim 5.
リウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンまたはチタニルフタロシアニンの少なくとも一種以
上であり、上部電荷発生層のバインダーがポリビニルブ
チラール樹脂またはポリアミド樹脂であり、かつ、前記
溶媒が1−ブタノール、3−メチル−3−ヒドロキシ−2−
ブタノン、または4−メチル−4−ヒドロキシ−2−ペン
タノンの1種以上であることを特徴とする請求項1ない
し請求項6のいずれか1項に記載の光スイッチング素
子。7. The charge generation material of the upper charge generation layer is at least one of chlorogallium phthalocyanine, hydroxygallium phthalocyanine or titanyl phthalocyanine, the binder of the upper charge generation layer is polyvinyl butyral resin or polyamide resin, and The solvent is 1-butanol, 3-methyl-3-hydroxy-2-
The optical switching element according to any one of claims 1 to 6, wherein the optical switching element is at least one of butanone and 4-methyl-4-hydroxy-2-pentanone.
発生層、電荷輸送層、および上部電荷発生層を順次積層
することにより、交流電界あるいは交流電流により駆動
される機能素子のスイッチングを行うための光導電スイ
ッチング素子を製造する方法において、上部電荷発生層
が、少なくとも電荷発生材、バインダーおよび電荷輸送
層に損傷を与えない溶媒を含む上部電荷発生層形成用分
散液を電荷輸送層の上に塗布することにより形成される
工程を有することを特徴とする前記光スイッチング素子
の製造方法。8. Switching of a functional element driven by an AC electric field or an AC current by sequentially laminating at least an electrode layer, a lower charge generation layer, a charge transport layer, and an upper charge generation layer on a substrate. In the method of manufacturing a photoconductive switching element of the above, the upper charge generating layer, the upper charge generating layer forming dispersion containing at least a charge generating material, a binder and a solvent that does not damage the charge transporting layer, on the charge transporting layer A method for manufacturing the optical switching element, comprising a step of forming by applying.
に記載の光スイッチング素子と機能素子を電気的に接続
したデバイス。9. A device in which the optical switching element according to claim 1 and a functional element are electrically connected.
表示層と光スイッチング素子と電極が積層されてなる光
書き込み型記録用媒体において、前記光スイッチング素
子が請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の光
スイッチング素子であって、該素子の上部電荷発生層が
表示層側に位置し、かつ少なくとも書き込み光が入射す
る側の基板および電極が光透過性であることを特徴とす
る光書き込み型記録用媒体。10. An optical writing type recording medium in which at least an electrode, a display layer, an optical switching element, and an electrode are laminated between a pair of substrates, the optical switching element according to any one of claims 1 to 7, The optical switching element according to any one of claims 1 to 3, wherein the upper charge generation layer of the element is located on the display layer side, and at least the substrate and the electrode on the side where the writing light is incident are light-transmissive. Optical writing type recording medium.
用媒体、前記記録媒体を駆動するための記録媒体駆動装
置、前記記録媒体に光書き込みを行う書き込み装置およ
び制御手段を少なくとも備える表示装置。11. A display device comprising: the optically writable recording medium according to claim 10, a recording medium driving device for driving the recording medium, a writing device for performing optical writing on the recording medium, and a control unit.
用媒体を接続することが可能な記録媒体駆動装置、前記
記録媒体に光書き込みを行う光書き込み装置および制御
装置を少なくとも備える書き込み装置。12. A recording medium drive device to which the optical recording medium according to claim 10 can be connected, a writing device that performs optical writing on the recording medium, and a control device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000396656A JP2002196291A (en) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | Optical switching element and its manufacturing method, optical writing type recording medium, device, display and writing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000396656A JP2002196291A (en) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | Optical switching element and its manufacturing method, optical writing type recording medium, device, display and writing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002196291A true JP2002196291A (en) | 2002-07-12 |
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| JP2000396656A Pending JP2002196291A (en) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | Optical switching element and its manufacturing method, optical writing type recording medium, device, display and writing device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002196291A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7465208B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-12-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for manufacturing display element |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000396656A patent/JP2002196291A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7465208B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-12-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for manufacturing display element |
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