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JP2002196035A - 半導体装置の製造方法およびキャリア - Google Patents

半導体装置の製造方法およびキャリア

Info

Publication number
JP2002196035A
JP2002196035A JP2000397508A JP2000397508A JP2002196035A JP 2002196035 A JP2002196035 A JP 2002196035A JP 2000397508 A JP2000397508 A JP 2000397508A JP 2000397508 A JP2000397508 A JP 2000397508A JP 2002196035 A JP2002196035 A JP 2002196035A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
test
carrier
package
burn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000397508A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Wada
雄二 和田
Fumihiko Ikeda
文彦 池田
Akio Hasebe
昭男 長谷部
Naohiro Makihira
尚宏 槙平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000397508A priority Critical patent/JP2002196035A/ja
Publication of JP2002196035A publication Critical patent/JP2002196035A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 既存の試験治具や試験装置を流用することに
よって電気的特性試験のコストダウン、さらには製品の
コストダウンを実現することができる半導体装置の製造
方法、およびこれに用いられるキャリアを提供する。 【解決手段】 メモリ製品やマイコン・ロジック製品の
製造において、バーンイン試験時には、チップ1を電極
が下になるようにしてベース4の貫通孔6に挿入し、さ
らに蓋5を閉じた後に、このチップ1が搭載されたキャ
リア2をバーンインボード上のソケット3に挿入し、こ
の状態でキャリア2に搭載されたチップ1のバーンイン
試験を行う。このキャリア2のテープ回路基板8には、
パッケージと接触部10に接続される端子11の配置お
よび信号割付けにおいて互換性を持つものを用いること
により、既存のバーンインボードなどをそのまま流用で
きる。また、選別試験時にもバーンイン試験時のキャリ
ア2を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、たとえばチップ製品や、パッケージ製品、
モジュール製品などの半導体装置において、特に既存の
電気的特性試験の治具や装置を流用したコストダウンが
可能な半導体装置の製造方法、およびこれに用いられる
キャリアに適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明者が検討した技術として、半導体
装置の電気的特性試験に関しては、以下のような技術が
考えられる。
【0003】たとえば、ウェハから切断されて個別に分
離されたチップを、バーンイン試験および選別試験する
ための手法には、チップを個別に分離された状態で行う
チップレベルの方法と、分離前のウェハの状態で行うウ
ェハレベルの方法がある。また、チップレベルの方法に
は、機械的接続方式と仮付け方式がある。前者の機械的
接続方式は、キャリアの中にチップの電極と対応したバ
ンプを持つ専用シートを配置し、これをソケットの中に
入れ、チップの背面より圧力を加えてチップの電極と専
用シートのバンプとを接続させるものである。後者の仮
付け方式は、一旦、チップの電極にワイヤを仮付けし、
これをソケットに入れて試験を行い、この試験後にチッ
プよりワイヤを取り外す方法である。
【0004】なお、このような半導体装置の電気的特性
試験に関する技術としては、たとえば日本電子機械工業
会発行の「MCM/KGD技術に関するロードマップ」
P23〜P32に記載される技術などが挙げられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
な機械的接続方式、仮付け方式の技術について、本発明
者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなっ
た。
【0006】たとえば、前者の機械的接続方式は、寸法
などが異なる各チップに対応した専用のソケットが必要
となり、このためにソケット単価が高価なものとなる。
後者の仮付け方式は、補材として仮付け用のワイヤが必
要となり、このワイヤのコストが問題となる。さらに、
仮付け方式では、試験後にワイヤを取り外す処理が必要
であるとともに、このワイヤを取り外し易いようにワイ
ヤボンディングを行う技術なども要求される。
【0007】そのために、本発明者は、前者の機械的接
続方式を採用しながら、ソケットのコストを最小限に抑
えるために、たとえばパッケージの試験を行うための既
存の試験治具や試験装置をそのままチップの試験に流用
し、これによって試験のコストダウンが可能となること
に着目した。すなわち、従来は、ウェハから切断されて
個別に分離されたチップを封止してパッケージ構造に組
み立てた後、バーンイン試験および選別試験の電気的特
性試験を行う工程となっており、このときの試験治具や
試験装置をそのまま用いることが可能であることを考え
ついた。
【0008】そこで、本発明の目的は、チップ製品や、
パッケージ製品、モジュール製品などの半導体装置にお
いて、特に機械的接続方式の既存の試験治具や試験装置
を流用することによって電気的特性試験のコストダウ
ン、さらには製品のコストダウンを実現することができ
る半導体装置の製造方法、およびこれに用いられるキャ
リアを提供するものである。
【0009】また、前記の機械的接続方式においては、
キャリア、ソケットなどの接触点が多く、また信号経路
も長くなるためにインピーダンスが高くなり、将来計画
されている高速製品に対しては適用限界がある。そのた
めに、高速対応可能なキャリアの開発も必要となってい
る。
【0010】そこで、本発明の他の目的は、機械的接続
方式における接触抵抗、信号経路長などによる特性イン
ピーダンスを小さくし、高速製品への対応を実現するこ
とができる半導体装置の製造方法、およびこれに用いら
れるキャリアを提供するものである。
【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【0013】すなわち、本発明による第1の半導体装置
の製造方法は、ウェハから切断されて個別に分離された
チップを、このチップを封止した際のパッケージと端子
の配置および信号割付けにおいて互換性を持つキャリア
に搭載し、このチップが搭載されたキャリアを、パッケ
ージの電気的特性試験を行うソケットに搭載してチップ
の電気的特性試験を行い、この電気的特性試験の結果、
良品のチップをチップ製品として出荷する、各工程を有
するものである。
【0014】また、本発明による第2の半導体装置の製
造方法は、ウェハから切断されて個別に分離されたチッ
プを、このチップを封止した際のパッケージと端子の配
置および信号割付けにおいて互換性を持つキャリアに搭
載し、このチップが搭載されたキャリアを、パッケージ
の電気的特性試験を行うソケットに搭載してチップの電
気的特性試験を行い、この電気的特性試験の結果、良品
のチップをパッケージ構造、またはモジュール構造に組
み立ててパッケージ製品、またはモジュール製品として
出荷する、各工程を有するものである。
【0015】さらに、本発明による半導体装置の製造方
法は、前記第1または第2の半導体装置の製造方法にお
いて、電気的特性試験を、バーンイン試験、または/お
よび選別試験に適用するようにしたものである。
【0016】また、本発明によるキャリアは、ウェハか
ら切断されて個別に分離されたチップを搭載し、このチ
ップを封止した際のパッケージの電気的特性試験を行う
ソケットに搭載され、チップの各電極に接触する各接触
部と、この各接触部に電気的に接続され、パッケージと
配置および信号割付けにおいて互換性を持つ各端子とを
有するものである。
【0017】さらに、本発明によるキャリアは、前記キ
ャリアにおいて、各接触部および各端子はテープ状の回
路基板上に形成され、各接触部と各端子との間は回路基
板上の各配線で接続され、チップの各電極から各接触
部、各配線を通じて各端子まで直接的に接続されている
ものである。
【0018】よって、前記半導体装置の製造方法および
キャリアによれば、チップのバーンイン試験や選別試験
において、パッケージと端子の配置および信号割付けに
おいて互換性を持つキャリアを用いることにより、既存
のバーンインボードなどの試験治具や、試験装置をその
まま流用することができるので、電気的特性試験のコス
トダウンを実現することができる。さらに、試験のコス
トを低減できるので、チップ製品や、パッケージ製品、
モジュール製品などの半導体装置のコストダウンを実現
することができる。
【0019】さらに、チップの選別試験において、チッ
プの各電極から各接触部を通じて各端子まで直接的に接
続するキャリアを用いることにより、接触抵抗を低減
し、信号経路長を最小限に抑えることによって特性イン
ピーダンスを小さくできるので、高速製品への対応を実
現することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の一実施の形
態の半導体装置の製造方法を示すフロー図、図2は本実
施の形態において、電気的特性試験を行う場合の試験治
具を示す構成図、図3および図4はキャリアとパッケー
ジの外形比較を示す平面図および側面図、図5および図
6はキャリアとパッケージの端子配置および信号割付け
比較を示す平面図である。
【0021】まず、図1により、本実施の形態の半導体
装置の製造方法の一例の製造フローを説明する。本実施
の形態の半導体装置の製造方法は、たとえばメモリ製品
やマイコン・ロジック製品の製造において、チップ製品
やパッケージ・モジュール製品として出荷する場合に適
用され、以下の工程により実行される。
【0022】(1)チップの用意工程(ステップS1,
S2)において、所望の集積回路が形成されたウェハを
チップ毎に切断して個別に分離されたチップを用意す
る。ここでは、ウェハから切断されて個別に分離された
チップとして、メモリのチップ、マイコン・ロジックの
チップが用意される。なお、ウェハは、前工程におい
て、酸化・拡散・不純物導入、配線パターン形成、絶縁
層形成、配線層形成などのウエハ処理工程が繰り返され
て所望の集積回路が形成された後、チップ毎に切断して
個別に分離される。
【0023】(2)チップのキャリア詰め工程(ステッ
プS3)において、ウェハから切断されて個別に分離さ
れたチップを、このチップを封止した際のパッケージと
端子の配置および信号割付けにおいて互換性を持つキャ
リアに搭載する。
【0024】(3)キャリアのバーンインボード詰め工
程(ステップS4)において、チップが搭載されたキャ
リアを、パッケージの電気的特性試験を行うバーンイン
ボード上のソケットに搭載する。
【0025】(4)バーンイン試験工程(ステップS
5)において、キャリアをバーンインボード上のソケッ
トに搭載した状態で、このキャリアに搭載されたチップ
のバーンイン試験を行う。このバーンイン試験では、た
とえば定格を越える温度および電圧ストレスを印加し
て、将来不良に到る可能性のあるチップがスクリーニン
グされる。
【0026】(5)キャリアのバーンインボード抜き工
程(ステップS6)において、バーンインボード上のソ
ケットから、チップが搭載されたキャリアを取り外す。
【0027】(6)選別試験工程(ステップS7)にお
いて、チップがキャリアに搭載された状態で、このキャ
リアに搭載されたチップの選別試験を試験装置で行う。
この選別試験において、たとえばメモリに対しては、ラ
イトおよびリード動作により所定のテストパターンを用
いてメモリ機能を試験し、所定の機能通りに動作するか
否かを確認する機能テストや、入出力パッド間のオープ
ン/ショート検査、リーク電流検査、電源電流の測定な
どのDCテスト、メモリ制御のACタイミングを試験す
るACテストなどが行われる。また、マイコン・ロジッ
クに対しては、所定のテストパターンを用いてロジック
機能を試験し、所定の機能通りに動作するか否かを確認
する機能テストや、入出力パッド間のオープン/ショー
ト検査、リーク電流検査、電源電流の測定などのDCテ
スト、ロジック制御のACタイミングを試験するACテ
ストなどが行われる。
【0028】(7)チップのキャリア抜き工程(ステッ
プS8)において、キャリアからチップを取り外す。
【0029】(8)チップの出荷工程(ステップS9)
において、バーンイン試験、選別試験による電気的特性
試験の結果、良品のチップをチップ製品として出荷す
る。ここでは、メモリのチップ製品、マイコン・ロジッ
クのチップ製品が出荷される。
【0030】(9)パッケージ、モジュールの組立て工
程(ステップS10)において、良品のチップをパッケ
ージ構造、またはモジュール構造に組み立てる。このパ
ッケージ、モジュールの組立てにおいては、たとえばメ
モリのチップ、マイコン・ロジックのチップを1個だけ
内蔵して組み立てたり、または2個などの複数個を内蔵
して組み立てたり、あるいはメモリのチップとマイコン
・ロジックのチップを混載して組み立てることができ
る。たとえば、MCP、MCMなどがある。
【0031】この組立て工程においては、一例として、
メモリのチップ、マイコン・ロジックのチップを基板上
に搭載するダイボンディング、このチップの電極と基板
上のパッドとをワイヤにより接続するワイヤボンディン
グ、チップおよびワイヤの部分を保護するためにレジン
によりモールドするレジンモールド、外部リードを成形
・表面処理するリード成形などを行うことにより、パッ
ケージ構造、モジュール構造の組立て工程が終了する。
なお、組立て工程においては、チップのボール状の電極
と基板上のパッドとを接続するフリップチップボンディ
ングなどを用いることも可能である。
【0032】(10)パッケージ、モジュールの出荷工
程(ステップS11)において、パッケージ構造、また
はモジュール構造に組み立てられたパッケージ製品、ま
たはモジュール製品を出荷する。このように、チップ製
品として出荷する以外に、パッケージ製品、またはモジ
ュール製品として出荷することも可能である。
【0033】次に、図2により、本実施の形態の半導体
装置の製造方法において、電気的特性試験を行う場合の
試験治具の一例の構成を説明する。(a)はキャリアの
蓋開時、(b)はキャリアの蓋閉時、(c)はソケット
をそれぞれ示す。ここでは、TSOPのパッケージの既
存の試験治具を用いる場合を例に示すが、チップの種類
や構造などに応じて他のパッケージの試験治具を用いる
ことが可能であることはいうまでもない。
【0034】バーンイン試験時には、チップ1を搭載す
るキャリア2と、このチップ1が搭載されたキャリア2
を搭載するバーンインボード(図示せず)上のソケット
3などの試験治具が用いられる。ここでは、チップ1と
して、長辺方向に沿ってほぼ中央部に一列に電極が配置
された、いわゆるセンターパッド構造を例に説明する
が、これに限られるものではなく、いわゆる周辺パッド
構造などにも適用可能である。
【0035】キャリア2は、チップ1が挿入されるベー
ス4と、このベース4に開閉可能な蓋5などから構成さ
れている。ベース4には、チップ1が収納される貫通孔
6が形成され、この貫通孔6の内周側面下部にチップ位
置決めガイド7が設けられている。ベース4の裏面に
は、多層配線層構造のテープ回路基板8と、このテープ
回路基板8を補強する補強板9が設けられている。テー
プ回路基板8は、チップ1の各電極に接触する各接触部
10と、この各接触部10に電気的に接続され、TSO
Pのパッケージと配置および信号割付けにおいて互換性
を持つ各端子11を有している。テープ回路基板8の各
端子11は、ベース4の側面から突出し、テープ回路基
板8の表面および裏面において露出されて配置されてい
る。蓋5には、内側にプッシャー12が設けられ、蓋5
の閉状態においてチップ1をテープ回路基板8に押圧す
ることが可能となっている。また、蓋5の閉状態におい
ては、蓋5に設けられたラッチ13がベース4の嵌合部
14に嵌合する構造となっている。
【0036】ソケット3は、チップ1を封止した際のT
SOPのパッケージのバーンイン試験を行うバーンイン
ボード上のソケットと同じ構造であり、チップ1をパッ
ケージ構造に組み立てた後に行っていた既存のバーンイ
ン試験の試験治具や試験装置をそのまま用いることが可
能となっている。ソケット3には、チップ1が搭載され
たキャリア2が挿入される凹部15が形成され、この凹
部15の内周底面周辺部にキャリア2のテープ回路基板
8の各端子11に接触する各ピン16が設けられ、この
各ピン16が、図示しないバーンインボード上の各配線
に接続されている。
【0037】バーンイン試験時には、チップ1を、この
チップ1の電極が下になるようにしてベース4の貫通孔
6のチップ位置決めガイド7に沿って挿入し、さらに蓋
5を閉じて蓋5のラッチ13をベース4の嵌合部14に
嵌合した後に、このチップ1が搭載されたキャリア2を
バーンインボード上のソケット3の凹部15に挿入し、
この状態でキャリア2に搭載されたチップ1のバーンイ
ン試験が行われる。
【0038】また、選別試験時にも、バーンイン試験時
のキャリア2が用いられ、チップ1がキャリア2に搭載
された状態で、このキャリア2に搭載されたチップ1の
選別試験が試験装置により行われる。これにより、チッ
プ1の電極からキャリア2のテープ回路基板8の接触部
10を通じて端子11まで直接的に接続し、チップ1か
ら試験装置までの接触抵抗を低減し、信号経路長を最小
限に抑えることができる。
【0039】次に、図3および図4により、キャリアと
パッケージの外形比較の一例を説明する。図3はキャリ
ア、図4はパッケージをそれぞれ示し、それぞれ(a)
が平面図、(b)が側面図を表している。
【0040】前述したキャリア2と、チップ1をパッケ
ージ構造に組み立てた場合のTSOPのパッケージ21
とは、平面的な外形形状がほぼ同じ寸法になっており、
すなわち長辺方向の寸法A1とB1、短辺方向の寸法A
2とB2、キャリア2の端子11とパッケージ21のリ
ード(アウターリード)22の部分の寸法A3とB3、
寸法A4とB4がほぼ同じになるように形成されてい
る。特に、キャリア2の端子11とパッケージ21のリ
ード22は、同じ間隔(寸法A5とB5)、同じ位置
(寸法A6とB6)に配置され、キャリア2の端子11
とパッケージ21のリード22は互換性を持った位置関
係となっている。また、側面的な外形形状においては、
キャリア2の端子11とパッケージ21のリード22の
厚さは同じ寸法(A7とB7)で形成されている。
【0041】次に、図5および図6により、キャリアと
パッケージの端子配置および信号割付け比較の一例を説
明する。図5はキャリアのテープ回路基板、図6はパッ
ケージのリードフレームをそれぞれ示し、それぞれ
(a)が表面から見た平面図を表し、また図5(b)が
裏面を表面から見た平面図を表している。
【0042】前述したキャリア2のテープ回路基板8
は、2層配線層構造からなり、第1層配線層(図5
(a))31と第2層配線層(図5(b))32は絶縁
層(図示せず)を挟んで積層され、第1層配線層31の
表面、第2層配線層32の裏面は接触部10や端子11
などの接続部分を除いて、図示しない保護膜で覆われて
いる。第1層配線層31には、チップ1の各電極に接触
する各接触部10と、この各接触部10に各配線33を
介して電気的に接続された各端子11aなどが形成され
ている。第2層配線層32には、第1層配線層31の各
端子11aと同じ位置に設けられた各端子11bと、第
1層配線層31とスルーホール34を介して電気的に接
続された電源や接地電位の配線35などが形成されてい
る。この第1層配線層31の端子11aはバーンイン試
験時にソケット3のピン16に接触し、また第2層配線
層32の端子11bは選別試験時に試験装置のプローブ
がキャリア2の裏面から接触するように設けられてい
る。
【0043】また、テープ回路基板8には、キャリア2
のベース4、補強板9との位置決め用の2種類の貫通孔
36,37が形成され、一方の4個の貫通孔36はベー
ス4との位置決めのために用いられ、他方の2個の貫通
孔37はベース4、補強板9との位置決めのために用い
られ、さらに2個の貫通孔37には補強板9を固定する
ためのねじ部材が貫通され、ねじ部材によりテープ回路
基板8と補強板9がベース4に位置決めされて固定され
るようになっている。
【0044】パッケージ21のリードフレーム41は、
チップ1の各電極42に各ワイヤ43を介して接続され
る各インナーリード44と、この各インナーリード44
に電気的に接続された各アウターリード45が形成され
ている。この例では、チップ1がリードフレーム41の
裏面側に配置され、チップ1の電極42とリードフレー
ム41のインナーリード44とがワイヤ43を介して電
気的に接続される。このワイヤボンディング後に、レジ
ンモールド、リード成形などが行われてパッケージ構造
となる。
【0045】以上のように構成されるキャリア2とパッ
ケージ21の端子配置および信号割付けを比較した場合
に、キャリア2のテープ回路基板8に設けられた第1層
配線層31の端子11a、第2層配線層32の端子11
bは、パッケージ21のリードフレーム41のアウター
リード45と配置および信号割付けが同じになってい
る。すなわち、テープ回路基板8の端子10(11a,
11b)に付した番号と、リードフレーム41のアウタ
ーリード45に付した番号が同じ信号に対応する。たと
えば、メモリであれば、アドレス、データ、制御信号な
どの各信号が同じ位置の端子に割り付けられており、ま
たマイコン・ロジックであれば、入出力信号などの各信
号が同じ位置の端子に割り付けられている。
【0046】従って、本実施の形態によれば、チップ1
のバーンイン試験や選別試験において、パッケージ21
のアウターリード45と端子11の配置および信号割付
けにおいて互換性を持つキャリア2を用いることによ
り、既存のバーンインボードなどの試験治具や、試験装
置をそのまま流用できる。よって、電気的特性試験のコ
ストを低減できるので、チップ製品や、パッケージ製
品、モジュール製品のコストダウンを実現することがで
きる。
【0047】さらに、チップ1の選別試験において、チ
ップ1の各電極から各接触部10を通じて各端子11ま
で直接的に接続するキャリア2を用いることにより、接
触抵抗を低減し、信号経路長を最小限に抑えることによ
って特性インピーダンスを小さくできるので、高速製品
への対応を実現することができる。
【0048】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【0049】たとえば、前記実施の形態においては、T
SOPのパッケージの既存の試験治具を用いる場合を例
に説明したが、チップの種類や構造に応じて、チップを
封止した際のTQFPなどの他のパッケージの試験治具
を用いる場合についても適用可能である。
【0050】さらに、パッケージ、モジュールについて
は、MCP、MCMに限らず、KGD応用製品に効果的
であり、さらにチップのバーンイン試験を必要とする半
導体製品全般に広く適用することができる。
【0051】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0052】(1)チップの電気的特性試験において、
バーンイン試験や選別試験時に、パッケージと端子の配
置および信号割付けにおいて互換性を持つキャリアを用
いることで、既存のバーンインボードなどの試験治具
や、試験装置をそのまま流用することができるので、電
気的特性試験のコストダウンを実現することが可能とな
る。
【0053】(2)前記(1)により、電気的特性試験
のコストを低減することができるので、チップ製品や、
パッケージ製品、モジュール製品などの半導体装置のコ
ストダウンを実現することが可能となる。
【0054】(3)チップの電気的特性試験において、
選別試験時に、チップの各電極から各接触部を通じて各
端子まで直接的に接続するキャリアを用いることで、接
触抵抗を低減し、信号経路長を最小限に抑えることによ
って特性インピーダンスを小さくすることができるの
で、高速製品の半導体装置への対応を実現することが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
を示すフロー図である。
【図2】(a),(b),(c)は本発明の一実施の形
態において、電気的特性試験を行う場合の試験治具を示
す構成図である。
【図3】(a),(b)は本発明の一実施の形態におけ
るキャリアとパッケージの外形比較において、キャリア
を示す平面図および側面図である。
【図4】(a),(b)は本発明の一実施の形態におけ
るキャリアとパッケージの外形比較において、パッケー
ジを示す平面図および側面図である。
【図5】(a),(b)は本発明の一実施の形態におけ
るキャリアとパッケージの端子配置および信号割付け比
較において、キャリアのテープ回路基板を示す平面図で
ある。
【図6】本発明の一実施の形態におけるキャリアとパッ
ケージの端子配置および信号割付け比較において、パッ
ケージのリードフレームを示す平面図である。
【符号の説明】
1 チップ 2 キャリア 3 ソケット 4 ベース 5 蓋 6 貫通孔 7 チップ位置決めガイド 8 テープ回路基板 9 補強板 10 接触部 11,11a,11b 端子 12 プッシャー 13 ラッチ 14 嵌合部 15 凹部 16 ピン 21 パッケージ 22 リード 31 第1層配線層 32 第2層配線層 33 配線 34 スルーホール 35 配線 36,37 貫通孔 41 リードフレーム 42 電極 43 ワイヤ 44 インナーリード 45 アウターリード
フロントページの続き (72)発明者 長谷部 昭男 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 槙平 尚宏 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 2G003 AA07 AG01 AG12 2G011 AA14 AA15 AA16 AC14 AE22 AF02 AF04 2G032 AA00 AB02 AF01 AJ05 AJ07 AL00

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハから切断されて個別に分離された
    チップを、このチップを封止した際のパッケージと端子
    の配置および信号割付けにおいて互換性を持つキャリア
    に搭載する工程と、 前記チップが搭載されたキャリアを、前記パッケージの
    電気的特性試験を行うソケットに搭載して前記チップの
    電気的特性試験を行う工程と、 前記電気的特性試験の結果、良品のチップをチップ製品
    として出荷する工程と、を有することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 ウェハから切断されて個別に分離された
    チップを、このチップを封止した際のパッケージと端子
    の配置および信号割付けにおいて互換性を持つキャリア
    に搭載する工程と、 前記チップが搭載されたキャリアを、前記パッケージの
    電気的特性試験を行うソケットに搭載して前記チップの
    電気的特性試験を行う工程と、 前記電気的特性試験の結果、良品のチップをパッケージ
    構造、またはモジュール構造に組み立ててパッケージ製
    品、またはモジュール製品として出荷する工程と、を有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の半導体装置の製
    造方法において、 前記電気的特性試験は、バーンイン試験、または/およ
    び選別試験であることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 ウェハから切断されて個別に分離された
    チップを搭載し、このチップを封止した際のパッケージ
    の電気的特性試験を行うソケットに搭載され、 前記チップの各電極に接触する各接触部と、この各接触
    部に電気的に接続され、前記パッケージと配置および信
    号割付けにおいて互換性を持つ各端子と、を有すること
    を特徴とするキャリア。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のキャリアにおいて、 前記各接触部および前記各端子はテープ状の回路基板上
    に形成され、前記各接触部と前記各端子との間は前記回
    路基板上の各配線で接続され、 前記チップの各電極から前記各接触部、前記各配線を通
    じて前記各端子まで直接的に接続されていることを特徴
    とするキャリア。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102841225A (zh) * 2012-09-17 2012-12-26 昆山迈致治具科技有限公司 端口插针测试治具
KR101464990B1 (ko) 2013-12-24 2014-11-26 주식회사 아이에스시 반도체 디바이스 얼라인 소켓유닛 및 이를 포함하는 반도체 디바이스 검사장치
CN108529174A (zh) * 2018-03-12 2018-09-14 武汉普赛斯电子技术有限公司 一种coc老化与测试夹具

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