JP2002182051A

JP2002182051A - 光導波路モジュール

Info

Publication number: JP2002182051A
Application number: JP2001258140A
Authority: JP
Inventors: Takashi Sasaki; 隆佐々木; Yasushi Fujimura; 康藤村; Takeo Komiya; 健雄小宮; Masahide Saito; 眞秀齋藤
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2000-10-04
Filing date: 2001-08-28
Publication date: 2002-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】光回路の構成が簡単化されるとともに、信号
光の偏波状態に関わらず正しく光強度をモニタすること
が可能な光導波路モジュールを提供する。【解決手段】光平面導波路型回路１において、光導波
路２_nを横切るように、垂直軸に対する傾き角度θで斜
めの溝３を形成する。そして、溝３の内側に、信号光に
対する各直交偏波間の反射率の差が補償されるように構
成された反射フィルタ４を設置し、反射フィルタ４から
の反射光を光検出器６_nで検出して、信号光の光強度を
モニタする。これにより、信号光の偏波状態に関わらず
正しく光強度をモニタすることが可能となる。また、反
射フィルタ４を含む溝３の内側を充填樹脂５によって封
止しているので、それらが汚染されることによる長期的
な動作安定性の劣化が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た平面導波路型の光導波路を有する光導波路モジュール
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバまたは光平面導波路などの光
導波路を用いた光回路においては、各光導波路を伝送さ
れる信号光の光強度を一定に保つなど、信号光の光強度
を好適な値に制御することが望ましい場合がある。この
ような場合、信号光の光強度を光回路中でモニタし、あ
るいはさらに、モニタした結果に基づいて光強度を制御
することが行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記した信号光の光強
度のモニタには、従来、光導波路上に光カプラを設けて
信号光の一部を分岐する方法が用いられている。この方
法では、光導波路上の所定の位置に光カプラを設けて信
号光を数％程度分岐し、分岐した光の光強度を光検出器
でモニタすることによって、その光導波路を伝送されて
いる信号光の光強度をモニタする。

【０００４】しかしながら、このように光カプラを用い
た場合、光回路を構成する光学部品の点数が増加する
上、それらを融着接続する必要があるため、光回路の構
成及び製造工程が複雑化するという問題がある。

【０００５】これに対して、光カプラを用いることな
く、信号光を一部反射させて光強度をモニタする方法が
提案されている。例えば、特開平６−３３１８３７号公
報に記載された光デバイスでは、光導波路の所定部位に
光軸に対して斜めの端面を形成し、その端面で光軸とは
異なる方向に反射された信号光の一部である反射光を検
出して、光強度をモニタしている。また、特開２０００
−１５５２３５号公報に記載された光ファイバは、光の
分岐・合流構造に関するものであり、光ファイバの所定
部位に光軸に対して垂直な端面を形成して信号光の一部
を外部に出射させ、出射された光の一部を光軸に対して
斜めの他の端面によって反射させて取り出している。

【０００６】しかしながら、このように信号光の一部を
反射させて光強度のモニタに用いた場合、斜めの端面で
の信号光の反射率は、反射する信号光の偏波状態によっ
て異なる値となっている。このため、光導波路を伝送さ
れている信号光の偏波状態が特定されなければ、正しく
光強度をモニタすることができない、という問題があ
る。また、光導波路の端面が外気にさらされている場
合、端面の汚染によって反射率などの長期的な安定性が
劣化してしまう。

【０００７】本発明は、以上の問題点を解決するために
なされたものであり、光回路の構成が簡単化されるとと
もに、信号光の偏波状態に関わらず正しく光強度をモニ
タすることが可能な光導波路モジュールを提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光導波路モジュールは、（１）
基板、及び基板上に形成された平面導波路型の光導波路
を含んで構成され、光導波路の所定部位を横切るよう
に、光導波路の光軸に直交する垂直軸に対して所定の傾
き角度θ（０°＜θ）で斜めに形成された溝を有する光
平面導波路型回路と、（２）光平面導波路型回路の溝の
内側に、光導波路を伝送される信号光が通過する部位を
含んで設置されるとともに、信号光の一部を、各直交偏
波間での反射率の差が補償された所定の反射率によって
反射する反射フィルタと、（３）少なくとも溝の内側を
封止するように充填された充填樹脂と、（４）反射フィ
ルタによって信号光が反射された反射光を検出する光検
出器と、を備えることを特徴とする。

【０００９】上記した光導波路モジュールでは、光カプ
ラによって光導波路を分岐するのではなく、光導波路上
に設けられた斜めの溝において信号光の一部を反射さ
せ、その反射光によって信号光の光強度をモニタするこ
とが可能な構成となっている。これにより、光回路の構
成及び製造工程が簡単化される。

【００１０】また、信号光の反射を溝の端面によって行
うのではなく、各偏波状態間の反射率が等しくされる偏
波補償が実現された反射フィルタを溝の内側に設置し、
この反射フィルタで信号光の一部を反射して、光強度の
モニタに利用している。このとき、反射フィルタによる
信号光の反射率が、光導波路を伝送されている信号光の
偏波状態によらずほぼ一定となるので、信号光の偏波状
態に関わらず正しく光強度をモニタすることが可能とな
る。また、反射フィルタを含む溝の内側を充填樹脂によ
って封止しているので、溝の端面や反射フィルタが外気
に触れることがなく、端面等の汚染による長期的な安定
性の劣化が防止される。

【００１１】ここで、光平面導波路型回路に形成された
溝の傾き角度θは、０°＜θ≦４０°の角度範囲内にあ
ることが好ましい。

【００１２】溝及び反射フィルタの垂直軸に対する傾き
角度θが大きくなると、信号光が大きい角度で反射され
ることとなるが、このとき、各直交偏波間の反射率の差
が増大し、反射フィルタによる反射率の差の補償が困難
となる。これに対して、傾き角度θを上記の角度範囲内
としておけば、反射フィルタにおける反射率の差の補償
を充分に実現することができる。

【００１３】また、充填樹脂として、光導波路のコアと
略同一の屈折率を有する樹脂材料を用いることを特徴と
する。これによって、光導波路及び充填樹脂の界面とな
る溝の端面での、信号光の余分な反射が抑制される。

【００１４】さらに、充填樹脂は、溝の内側に加えて、
溝の上側を含む光平面導波路型回路の上面の所定範囲を
封止するように充填されるとともに、溝の内側を封止す
る内部充填樹脂、及び光平面導波路型回路の上面を封止
する上部充填樹脂として、互いに略同一の屈折率を有す
る樹脂材料を用いることが好ましい。

【００１５】これによって、内部充填樹脂の界面におけ
る信号光（反射光）の余分な反射とともに、上部充填樹
脂の界面における信号光（反射光）の余分な反射をも同
様に制御することが可能となる。ここで、内部充填樹脂
及び上部充填樹脂に同一の樹脂材料を用いることとすれ
ば、樹脂を充填する工程を簡単化することができる。

【００１６】また、光平面導波路型回路と光検出器との
界面、または充填樹脂と光検出器との界面に、使用する
光波長帯域の反射を防止するコート膜（反射防止コー
ト）が設けられていることを特徴とする。光検出器の屈
折率は、通常、光導波路や充填樹脂の屈折率から大きく
異なる。これに対して、必要に応じて反射防止コートを
設けておけば、光検出器へと反射光が入射されるときに
生じる余分な反射が抑制され、それによって生じる偏波
依存性を抑制することができる。

【００１７】また、光検出器の受光面は、反射フィルタ
によって反射された反射光による楕円形状の反射光スポ
ットを含む略楕円形状に形成されていることを特徴とす
る。

【００１８】光導波路を伝送されてくる信号光は、コア
形状から円形の信号光スポットを有しているので、斜め
の反射フィルタによって反射された反射光のスポットは
楕円形状となる。これに対して、光検出器の受光面を略
楕円形状としておけば、不必要な受光面部分からのノイ
ズ等の発生を低減することができ、光強度のモニタの効
率が向上される。また、光導波路の光軸に垂直な配列方
向に対する受光面の幅を最小限とすることができるの
で、光導波路アレイに対応して光検出器アレイを設置す
る場合に、光検出器の配列ピッチを小さくして、効率的
な光回路の構成とすることが可能となる。

【００１９】また、光導波路モジュールは、光平面導波
路型回路の光導波路として、Ｎ本（Ｎは複数）の光導波
路を有し、光検出器として、Ｎ本の光導波路にそれぞれ
対応するＮ個の光検出器を備えるとともに、Ｎ本の光導
波路それぞれを伝送される信号光の一部が、反射フィル
タによって対応する光検出器へと反射されるＮ個の反射
光路に対して、Ｎ個の反射光路それぞれの間に、反射光
路同士を隔離するための光路隔離手段が設けられている
ことを特徴とする。

【００２０】このように、光平面導波路型回路がＮ本
（Ｎチャンネル）の光導波路を有し、それぞれの光導波
路を伝送されるＮチャンネルの信号光の光強度をモニタ
する場合には、反射フィルタによって反射されたＮチャ
ンネルの信号光が、それぞれ所定の反射光路を伝搬して
対応する光検出器で検出される。このとき、反射フィル
タで反射された光導波路からの信号光が、対応する光検
出器で検出される一方で、フィルタやその他の個所で生
じる光の散乱、反射、伝送される光の広がりなどによ
り、その一部が隣接する他チャンネルの光検出器に入射
して検出されクロストークが劣化する場合がある。

【００２１】これに対して、上記のように隣接する反射
光路間に光路隔離手段を設けることにより、隣接するチ
ャンネル間でのクロストークの発生を極力防止すること
ができる。これにより、それぞれの光導波路を伝送され
るＮチャンネルの信号光について、それぞれのチャンネ
ルでの信号光の光強度を正確にモニタすることが可能と
なる。

【００２２】また、反射光路同士を隔離するための構成
としては、光路隔離手段は、光平面導波路型回路内にお
いて、反射光路から隣接する反射光路へと通過する光を
遮蔽するように、Ｎ本の光導波路それぞれの間に設けら
れた光遮蔽手段である構成が好適である。あるいは、光
路隔離手段は、充填樹脂内において、反射光路から隣接
する反射光路へと通過する光を遮蔽するように設けられ
た光遮蔽手段である構成が好適である。

【００２３】このように、光平面導波路型回路内または
充填樹脂内に光遮蔽手段を設けることにより、隣接する
チャンネル間でのクロストークの発生を確実に防止する
ことができる。このような光遮蔽手段としては、信号光
波長の光を吸収、反射、あるいは散乱等することによっ
て光を遮蔽する効果を有する光遮蔽材料を用いることが
好ましい。

【００２４】充填樹脂内に光遮蔽手段を設ける場合の具
体的な構成としては、充填樹脂は、溝の内側に加えて、
溝の上側を含む光平面導波路型回路の上面の所定範囲を
封止するように充填されるとともに、光平面導波路型回
路の上面側に、Ｎ個の光検出器を載置するための載置部
材（マウント部材）が設けられ、光遮蔽手段は、光平面
導波路型回路の上面を封止する上部充填樹脂内に突出す
るように載置部材に設けられた光遮蔽部からなる構成を
用いることができる。また、載置部材とは別に光遮蔽手
段を設ける構成を用いても良い。

【００２５】もちろん、単に光導波路の導波路コア間に
光路隔離手段として溝を設けるだけでも、適切な溝幅、
溝側壁部の荒れなどを設けることによって、散乱光を抑
制してクロストークの発生を防止する効果が得られる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
光導波路モジュールの好適な実施形態について詳細に説
明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸
法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。

【００２７】図１は、本発明による光導波路モジュール
の第１実施形態の構成を示す平面図である。この光導波
路モジュールは、基板１０、及び基板１０上に形成され
た平面導波路型の８本（８チャンネル）の光導波路２₁
〜２₈を有して構成される光平面導波路型回路１を備え
ている。

【００２８】光導波路２₁〜２₈のそれぞれは、所定の光
伝送方向（図１中の矢印の方向）に沿って、光平面導波
路型回路１の入力端１１から出力端１２に向かって、互
いに平行かつ等間隔に形成されている。また、光平面導
波路型回路１の光伝送方向に対する所定部位に、光導波
路２₁〜２₈を横切る溝３が設けられている。

【００２９】この溝３は、その内側に各光導波路２₁〜
２₈を伝送される信号光の一部を反射するための反射フ
ィルタ４が設置されるとともに、充填樹脂５によって封
止されている。また、溝３よりも上流側の位置で光平面
導波路型回路１の上方には、サブマウント基板７が設置
されるとともに、充填樹脂５及びサブマウント基板７の
上方には、光導波路２₁〜２₈にそれぞれ対応した８個の
光検出器６₁〜６₈を有する光検出器アレイ６が設置され
ている。光平面導波路型回路１とサブマウント基板７、
及びサブマウント基板７と光検出器アレイ６とは、例え
ば半田によって固定される。

【００３０】なお、図１においては、光検出器６₁〜６₈
について、それぞれの受光面の形状を点線で図示してい
る。また、サブマウント基板７は、光検出器アレイ６を
載置するための載置部材（マウント部材）であるととも
に、その上面に、図１中に模式的に示されているよう
に、光検出器６₁〜６₈からの光検出信号を読み出すため
の配線や電極等が形成されている。

【００３１】図２は、図１に示した光導波路モジュール
の断面構造を、光導波路２_n（ｎ＝１〜８）の光軸方向
（光平面導波路型回路１の光伝送方向）に沿って示す断
面図である。なお、この図２においては、溝３、反射フ
ィルタ４、及び光検出器アレイ６を含む部分を拡大して
示してある。

【００３２】光平面導波路型回路１における光導波路２
_nは、図２に示すように、下部クラッド２２、コア２
０、及び上部クラッド２１が基板１０上に形成されるこ
とによって構成されている。これに対して、光導波路２
_nを所定部位で横切る溝３は、コア２０に相当し、光導
波路２_nを伝送される信号光が通過する部位を少なくと
も含む深さｄで、光導波路２_nの光軸に直交（基板１０
に直交）する垂直軸（図２中に点線で示されている）に
対して、所定の傾き角度θ（０°＜θ）で斜めに形成さ
れている。本実施形態においては、溝３の深さｄは光導
波路２_nの厚さよりも大きく設定されている。

【００３３】溝３の内側には、反射フィルタ４が挿入さ
れている。反射フィルタ４は、光軸に対して溝３と略同
一の角度θで、光導波路２_nを伝送される信号光が通過
する部位を少なくとも含むように設置されている。この
反射フィルタ４は、好ましくは誘電体多層膜フィルタか
らなり、光導波路２_nを伝送される所定波長（所定の波
長帯域内）の信号光の一部が、一定の反射率で反射され
るように構成されている。

【００３４】さらに、この反射フィルタ４を構成してい
る誘電体多層膜フィルタは、信号光を反射する際の各直
交偏波間での反射率の差が補償されて、各偏波状態の信
号光成分がほぼ等しい反射率で反射されるように形成さ
れている。このような各偏波状態の信号光成分に対する
反射率の設定は、例えば、誘電体多層膜フィルタを構成
する各層の誘電体材料やその組み合わせ、各層の膜厚等
によって行われる。

【００３５】反射フィルタ４を含む溝３の内側は、充填
樹脂５によって封止されている。ここで、本実施形態に
おける充填樹脂５は、溝３の内側を封止している内部充
填樹脂部５１と、溝３の上側を含む光平面導波路型回路
１の上面の所定範囲を封止している上部充填樹脂部５２
とからなる。これらの内部充填樹脂部５１及び上部充填
樹脂部５２は、同一の樹脂材料を用いて一体に形成され
ている。

【００３６】充填樹脂５の上部充填樹脂部５２及びサブ
マウント基板７の上面側には、各光導波路２_nにそれぞ
れ対応した光検出器６_n（ｎ＝１〜８）を有する光検出
器アレイ６が設置されている。光検出器アレイ６は、光
導波路２_nを伝送される信号光の一部が反射フィルタ４
で反射された反射光が、それぞれ対応する光検出器６_n
の受光面へと入射されるように配置されている。なお、
光検出器６_nとしては、反射光の入射方向から、裏面入
射型のフォトダイオードなどを用いることが好ましい。

【００３７】以上の構成において、光導波路２_nを伝送
されてきた信号光が、上流側端面３１を介して溝３内の
内部充填樹脂部５１へと出射されると、信号光の一部が
光軸に対して斜めの反射フィルタ４によって、各偏波状
態に対して等しくなるように偏波補償された所定の反射
率で、光平面導波路型回路１の斜め上方へと反射され
る。また、それ以外の信号光成分は、内部充填樹脂部５
１及び反射フィルタ４を透過して、下流側端面３２を介
して再び光導波路２_nへと入射される。

【００３８】一方、反射フィルタ４によって反射された
反射光は、内部充填樹脂部５１、光導波路２_n、及び上
部充填樹脂部５２を介して、光検出器６_nへと入射され
る。そして、光検出器６_nで検出された反射光の光強度
から、光導波路２_nを伝送されている信号光の光強度が
モニタされる。

【００３９】本実施形態の光導波路モジュールでは、光
カプラなどの光学部品によって光導波路自体を分岐する
のではなく、各光導波路２_nを横切るように設けられた
斜めの溝３において信号光の一部を反射させて、光強度
のモニタに用いている。これにより、光強度のモニタが
可能な光導波路モジュールでの光回路の構成が簡単化さ
れる。また、余分な光学部品の設置や各光導波路の融着
接続等が不要となるので、その製造工程も同様に簡単化
される。

【００４０】また、信号光の反射を溝３の端面３１、３
２によって行うのではなく、各直交偏波間の反射率がほ
ぼ等しくされる偏波補償が実現された反射フィルタ４に
よって信号光の一部を反射している。このとき、反射フ
ィルタ４による信号光の反射率が、光導波路２_nを伝送
されている信号光の偏波状態によらずほぼ一定となるの
で、光検出器６_nで検出される反射光の光強度を用い
て、信号光の偏波状態に関わらず正しく光強度をモニタ
することが可能となる。

【００４１】また、反射フィルタ４を含む溝３の内側
を、充填樹脂５によって封止している。このとき、溝３
の端面３１、３２や反射フィルタ４などが外気に触れる
ことがなくなるので、それらの汚染による長期的な動作
安定性の劣化が防止される。

【００４２】ここで、溝３及び反射フィルタ４の垂直軸
に対する傾き角度θは、０°＜θ≦４０°の角度範囲内
であることが好ましい。

【００４３】図３に、信号光が伝送される光軸に対する
反射面の傾きを変えたときの偏波依存損失（ＰＤＬ：Po
larization dependent loss）の変化を示す。このグラ
フに示すように、通常の反射面による反射特性は、垂直
軸に対する傾き角度θを０°とした場合（信号光が逆方
向へと反射される場合）に、偏波依存性がなくＰＤＬ＝
０となる。そして、傾き角度θが大きくなるにしたがっ
て反射率の偏波依存性が増大し、θが４０°を超える
と、ＰＤＬの値が急激に増大していく。

【００４４】このようにθが大きくなってＰＤＬが増大
すると、反射フィルタ４による反射率の差の偏波補償が
困難となる。すなわち、傾き角度θが大きい構成では、
ＰＤＬの値が大きく、かつθによって急激に変化してし
まうため、反射率の差を補償するための誘電体多層膜フ
ィルタにおいて、各層の材質の屈折率や膜厚などに要求
される数値的な条件が非常に厳しくなる。このため、実
用上、反射率の差が充分に補償されるように、反射フィ
ルタ４の誘電体多層膜フィルタを設計し作成することが
難しい。これに対して、傾き角度θを０°＜θ≦４０°
の角度範囲内としておけば、反射フィルタ４における反
射率の差の補償を充分な精度で実現することができる。

【００４５】また、充填樹脂５については、光導波路２
_nのコア２０と略同一の屈折率（例えば誤差１％以内）
を有する樹脂材料を用いることが好ましい。

【００４６】内部充填樹脂部５１をコア２０と略同一の
屈折率を有する樹脂材料とすることによって、光導波路
２_nから内部充填樹脂部５１へと信号光が出射されると
き（図２中の点Ｐ１参照）の余分な反射が抑制される。
また、反射フィルタ４で反射された反射光が内部充填樹
脂部５１から光導波路２_nへと入射されるとき（点Ｐ２
参照）の余分な反射が抑制される。

【００４７】また、上部充填樹脂５２をコア２０と略同
一の屈折率を有する樹脂材料とすることによって、反射
フィルタ４で反射された反射光が光導波路２_nから上部
充填樹脂部５２へと入射されるとき（点Ｐ３参照）の余
分な反射が抑制される。

【００４８】これらの光導波路２_n、内部充填樹脂部５
１、及び上部充填樹脂部５２の各界面において余分な反
射が生じた場合、それらの反射特性は、それぞれの反射
角度に応じて偏波依存性を有する。したがって、これら
の各部間での屈折率が整合せずに反射を生じると、反射
フィルタ４で反射率の差の偏波補償を行っているにも関
わらず、光検出器６_nで検出される反射光の光強度が、
信号光の偏波状態に依存することとなる。これに対し
て、屈折率の整合を行って各界面での余分な反射を抑制
することとしておけば、確実に、信号光の偏波状態に関
わらない正しい光強度のモニタを実現することが可能と
なる。

【００４９】なお、本実施形態のように、内部充填樹脂
部５１に加えて上部充填樹脂部５２が設けられている場
合には、これらの充填樹脂部５１、５２に対して、互い
に略同一の屈折率を有する樹脂材料を用いることが好ま
しい。これによって、内部充填樹脂部５１の界面におけ
る信号光（反射光）の余分な反射とともに、上部充填樹
脂部５２の界面における信号光（反射光）の余分な反射
をも同様に制御することが可能となる。

【００５０】さらに、充填樹脂部５１、５２を、同一の
樹脂材料を用いて一体に形成しても良い。これによっ
て、樹脂を充填する工程が簡単化される。なお、コア２
０と上部クラッド２１との屈折率の差は、通常、この反
射の問題については無視できる大きさである。

【００５１】また、反射フィルタ４で反射された反射光
が上部充填樹脂部５２から光検出器６_nへと入射される
とき（点Ｐ４参照）の余分な反射が問題となる場合に
は、充填樹脂５と光検出器６_nとの界面に、反射防止コ
ートを設けることが好ましい。これにより、光検出器６
_nへと反射フィルタ４からの反射光が入射されるときに
生じる余分な反射が抑制され、上記した光導波路２_n、
内部充填樹脂部５１、及び上部充填樹脂部５２の各界面
における余分な反射と同様に、確実に、信号光の偏波状
態に関わらない正しい光強度のモニタを実現することが
可能となる。

【００５２】また、光検出器６_n及び光検出器アレイ６
の構成については、各光検出器６_nの受光面が、図１に
示すように、光導波路２_nの光軸方向を長軸、光導波路
２_nの配列方向を短軸とする略楕円形状に形成されてい
ることが好ましい。

【００５３】図４は、反射フィルタ４によって反射され
た反射光による反射光スポットの形状、及び光検出器６
_nの受光面形状について説明するための模式図である。
光伝送路２_nを伝送されてくる信号光は、コア２０の形
状等から略円形の信号光スポットを有している。したが
って、この信号光が斜めの反射フィルタ４で反射された
反射光（図４（ａ）の側面図参照）は、図４（ｂ）の平
面図に点線Ａで示すように、光検出器６_nの受光面にお
いて楕円形状の反射光スポットを形成する。

【００５４】これに対して、光検出器６_nの受光面を、
図４（ｂ）に実線Ｂで示すように、この反射光スポット
を含む、反射光スポットの楕円形状に沿うような略楕円
形状に形成すれば、反射光の検出を充分な受光効率によ
って行うことができる。なお、レンズ等を用いて楕円形
状の反射光を集束させて光検出器へと入射させることも
可能であるが、この場合、光学部品の点数が増加するた
め高コストとなる。これに対して、光検出器６_nの受光
面形状を反射光スポットに合わせて略楕円形状とすれ
ば、光導波路モジュールの構成が簡単化されるととも
に、低コストとすることができる。

【００５５】ここで、図４（ｃ）に実線Ｃで示すように
円形状の受光面形状とすると、反射光の受光効率は略楕
円形状の場合と変わらないが、図４中での上下方向に対
応している光検出器の配列方向（図１の６₁〜６₈参照）
に対する受光面の幅が大きくなる。このため、光検出器
アレイにおいて、光検出器を小さい配列ピッチで高密度
に集積させることができず、光回路が大面積化し、また
高コストとなる。

【００５６】これに対して、略楕円形状の受光面形状と
すれば、光検出器の配列ピッチを極力小さくして、効率
的に光回路を構成することができる。

【００５７】また、図４（ｄ）に実線Ｄで示すように長
方形状の受光面形状とすると、略楕円形状の場合と同様
の配列ピッチでの光検出器の集積が可能である。しかし
ながら、この構成では、受光面の対角線方向に反射光の
受光に用いられない不必要な受光面部分を生じる。この
ような受光面部分は、光検出信号に対するノイズの発生
源となるので、Ｓ／Ｎ比の劣化や、有効なダイナミック
レンジが小さくなるなど、反射光検出の効率が低下する
原因となる。このような問題は、上記した円形状の受光
面形状の場合も同様である。

【００５８】これに対して、略楕円形状の受光面形状と
すれば、不必要な受光面部分からのノイズ等の発生を低
減することができ、光強度のモニタの効率を向上させる
ことができる。ただし、個々の光導波路モジュールにお
いて要求される配列ピッチや検出効率等に応じて、円形
状や長方形状の受光面形状を用いても良い。

【００５９】上記した実施形態による光導波路モジュー
ルの具体的な実施例について説明する。

【００６０】まず、第１の実施例について説明する。こ
の実施例では、θ＝３０°の傾き角度、及び光軸方向に
対する幅ｗ＝２５μｍで溝３を形成した。また、溝３の
内側に挿入する反射フィルタ４としては、信号光の反射
率１０％で厚さ１１μｍの偏波補償フィルタを用いた。
また、充填樹脂５としては、内部充填樹脂部５１及び上
部充填樹脂部５２に同一の樹脂材料を用いた。用いた樹
脂材料である屈折率整合接着剤の屈折率は、波長１．５
１μｍ〜１．６１μｍの帯域においてｎ＝１．４７であ
った。また、光検出器６_nとしては、長軸方向の直径が
０．３ｍｍ、短軸方向の直径が０．１５ｍｍの楕円形状
の受光面を有するＩｎＧａＡｓ−ＰＩＮ型フォトダイオ
ードを用いた。このフォトダイオードの単体での受光感
度は、１．１Ａ／Ｗであった。

【００６１】以上の構成からなる光導波路モジュールを
用いて、信号光の光強度のモニタを行ったところ、反射
フィルタ４での反射率の偏波依存性は、Ｓ偏波１０％、
Ｐ偏波１０．３％で、偏波依存損失ＰＤＬにして０．１
ｄＢと充分に小さく、信号光の偏波状態への依存性が充
分に低減された状態で光強度のモニタが可能となってい
ることが確認された。

【００６２】また、入射される信号光に対する受光感度
は、およそ０．１Ａ／Ｗであった。これは、１０％の反
射率で反射フィルタ４によって反射された信号光成分の
光強度が、１００％近い効率で光検出器６_nによって検
出されていることを示している。また、溝３及び反射フ
ィルタ４の光導波路２_nへの挿入損失は、反射フィルタ
４による信号光の反射、及び溝３の内側での信号光の回
折等による損失を合わせて、およそ１．０ｄＢであっ
た。

【００６３】次に、第２の実施例について説明する。こ
の実施例では、θ＝１０°の傾き角度、及び光軸方向に
対する幅ｗ＝２５μｍで溝３を形成した。また、溝３の
内側に挿入する反射フィルタ４としては、信号光の反射
率１０％で厚さ１１μｍの偏波補償フィルタを用いた。
また、充填樹脂５としては、内部充填樹脂部５１及び上
部充填樹脂部５２に同一の樹脂材料を用いた。用いた樹
脂材料である屈折率整合接着剤の屈折率は、波長１．５
１μｍ〜１．６１μｍの帯域においてｎ＝１．４７であ
った。また、光検出器６_nとしては、長軸方向の直径が
０．３ｍｍ、短軸方向の直径が０．１５ｍｍの楕円形状
の受光面を有するフォトダイオードを用いた。このフォ
トダイオードの単体での受光感度は、１．１Ａ／Ｗであ
った。

【００６４】また、本実施例においては、光検出器６_n
に反射光が入射されるときに生じる余分な反射を防止す
るため、上部充填樹脂５２と光検出器６_nとの界面に反
射防止コートを設けた。

【００６５】以上の構成からなる光導波路モジュールを
用いて、信号光の光強度のモニタを行ったところ、反射
フィルタ４での反射率の偏波依存性は、Ｓ偏波９．７
％、Ｐ偏波１０％で、偏波依存損失ＰＤＬにして０．１
ｄＢと充分に小さく、信号光の偏波状態への依存性が充
分に低減された状態で光強度のモニタが可能となってい
ることが確認された。

【００６６】また、入射される信号光に対する受光感度
は、およそ０．１Ａ／Ｗであった。これは、１０％の反
射率で反射フィルタ４によって反射された信号光成分の
光強度が、１００％近い効率で光検出器６_nによって検
出されていることを示している。また、溝３及び反射フ
ィルタ４の光導波路２_nへの挿入損失は、反射フィルタ
４による信号光の反射、及び溝３の内側での信号光の回
折等による損失を合わせて、およそ１．０ｄＢであっ
た。

【００６７】以上の第１、第２の実施例から、上記した
構成を有する光導波路モジュールによって、信号光の偏
波状態に関わらず正しく光強度をモニタすることが可能
な光導波路モジュールが実現されていることがわかる。

【００６８】本発明による光導波路モジュールの実施形
態について、さらに説明する。

【００６９】図５は、光導波路モジュールの第２実施形
態の構成を示す平面図である。この光導波路モジュール
は、第１実施形態と同様に、基板１０、及び基板１０上
に形成された平面導波路型の８本（８チャンネル）の光
導波路２₁〜２₈を有して構成される光平面導波路型回路
１を備えている。

【００７０】光導波路２₁〜２₈のそれぞれは、所定の光
伝送方向（図５中の矢印の方向）に沿って、光平面導波
路型回路１の入力端１１から出力端１２に向かって、互
いに平行かつ等間隔に形成されている。また、光平面導
波路型回路１の光伝送方向に対する所定部位に、光導波
路２₁〜２₈を横切る溝３が設けられている。

【００７１】この溝３は、その内側に各光導波路２₁〜
２₈を伝送される信号光の一部を反射するための反射フ
ィルタ４が設置されるとともに、充填樹脂５によって封
止されている。また、溝３よりも上流側の位置で光平面
導波路型回路１の上方には、光導波路２₁〜２₈にそれぞ
れ対応した８個の光検出器６１₁〜６１₈を有する光検出
器アレイ６０が設置されている。なお、図５において
は、光検出器６１₁〜６１₈について、それぞれの受光面
の形状を点線で図示している。

【００７２】図６は、図５に示した光導波路モジュール
の断面構造を、光導波路２_n（ｎ＝１〜８）の光軸方向
に沿って示す断面図である。なお、この図６において
は、溝３、反射フィルタ４、及び光検出器アレイ６０を
含む部分を拡大して示してある。また、図６に示した構
成のうち、下部クラッド２２、コア２０、上部クラッド
２１からなる光導波路２_nを含む光平面導波路型回路
１、溝３、及び反射フィルタ４については、図２に示し
た構成と同様である。

【００７３】反射フィルタ４を含む溝３の内側は、充填
樹脂５によって封止されている。ここで、本実施形態に
おける充填樹脂５は、溝３の内側を封止している内部充
填樹脂部５１のみからなる。

【００７４】光平面導波路型回路１の上部クラッド２１
の上面側には、各光導波路２_nにそれぞれ対応した光検
出器６１_n（ｎ＝１〜８）を有する光検出器アレイ６０
が設置されている。光検出器アレイ６０は、光導波路２
_nを伝送される信号光の一部が反射フィルタ４で反射さ
れた反射光が、それぞれ対応する光検出器６１_nの受光
面へと入射されるように配置されている。なお、光検出
器６１_nとしては、反射光の入射方向から、裏面入射型
のフォトダイオードなどを用いることが好ましい。ま
た、光検出器６１_nと、光導波路２_nの上部クラッド２１
との界面に反射防止コートを設けても良い。

【００７５】以上の構成において、光導波路２_nを伝送
されてきた信号光が、上流側端面３１を介して溝３内の
内部充填樹脂部５１へと出射されると、信号光の一部が
光軸に対して斜めの反射フィルタ４によって、各偏波状
態に対して等しくなるように偏波補償された所定の反射
率で、光平面導波路型回路１の斜め上方へと反射され
る。また、それ以外の信号光成分は、内部充填樹脂部５
１及び反射フィルタ４を透過して、下流側端面３２を介
して再び光導波路２_nへと入射される。

【００７６】一方、反射フィルタ４によって反射された
反射光は、内部充填樹脂部５１、及び光導波路２_nを介
して、光検出器６１_nへと入射される。そして、光検出
器６１ _nで検出された反射光の光強度から、光導波路２_n
を伝送されている信号光の光強度がモニタされる。

【００７７】本実施形態の光導波路モジュールでは、第
１実施形態と同様に、各光導波路２ _nを横切るように設
けられた斜めの溝３において信号光の一部を反射させ
て、光強度のモニタに用いている。これにより、光強度
のモニタが可能な光導波路モジュールでの光回路の構成
が簡単化される。また、余分な光学部品の設置や各光導
波路の融着接続等が不要となるので、その製造工程も同
様に簡単化される。

【００７８】また、各直交偏波間の反射率がほぼ等しく
される偏波補償が実現された反射フィルタ４によって信
号光の一部を反射しているので、光検出器６１_nで検出
される反射光の光強度を用いて、信号光の偏波状態に関
わらず正しく光強度をモニタすることが可能となる。ま
た、反射フィルタ４を含む溝３の内側を、充填樹脂５に
よって封止しているので、溝３の端面３１、３２や反射
フィルタ４などが外気に触れることがなくなり、それら
の汚染による長期的な動作安定性の劣化が防止される。

【００７９】ここで、上述した第１、第２実施形態のよ
うに、光平面導波路型回路１がＮ本（Ｎは複数、上記実
施形態ではＮ＝８）の光導波路を有し、それぞれの光導
波路を伝送されるＮチャンネルの信号光の光強度をモニ
タする場合には、各光導波路に対応するようにＮ個の光
検出器が設置される。そして、反射フィルタによって反
射されたＮチャンネルの信号光が、それぞれ所定の反射
光路を伝搬して対応する光検出器で検出されることによ
って、それぞれの信号光の光強度がモニタされる。

【００８０】このとき、反射フィルタで反射された光導
波路からの信号光が、対応する光検出器で検出される一
方で、デバイスの各所で生じる光の散乱、反射、伝送さ
れる光の広がりなどにより、その一部が隣接する他チャ
ンネルの光検出器に入射して検出されてしまうクロスト
ークが問題となる。このように隣接するチャンネル間で
クロストークが発生すると、それぞれのチャンネルでの
信号光の光強度を正確にモニタすることができなくな
る。

【００８１】このようなチャンネル間のクロストークが
発生する原因は、いくつか考えられる。例えば、図２ま
たは図６に示した構成では、光平面導波路型回路１の各
部と充填樹脂５との界面での乱反射や、上部クラッド２
１の上面等での欠陥による散乱、基板１０と下部クラッ
ド２２との界面での乱反射などによる反射光や散乱光が
クロストーク発生の原因として考えられる。

【００８２】また、光導波路を伝送される信号光は、主
にコア内を伝搬するが、信号光の一部はコア近傍の上
部、下部クラッド内にも広がって伝搬する。このとき、
信号光のクラッドへの広がりが大きすぎると、反射フィ
ルタから光検出器への反射光路が過度に広がったり、光
導波路内等で不要な散乱光が発生するなど、クロストー
ク発生の原因となる。

【００８３】このような信号光のクラッドへの広がり
は、例えば、光平面導波路型回路の入力端に接続される
信号光入力用の光ファイバの、光導波路に対するミスア
ラインメントなどによっても生じる。すなわち、光導波
路のコアからずれた位置に光ファイバが接続されると、
入力された信号光が導波構造を持たないクラッド内等を
伝搬する。

【００８４】このようなチャンネル間のクロストークの
問題に対して、サブマウント基板等を設けずに光検出器
アレイ６０を光平面導波路型回路１の上面側に直接設置
した第２実施形態では、図６に示したように、反射フィ
ルタ４から光検出器６１_nへの反射光路が短くなり、反
射光の広がりを低減できる。また、充填樹脂５や光導波
路２_nの内部または界面での乱反射や散乱の影響が低減
される。したがって、チャンネル間のクロストークの発
生が抑制される。

【００８５】また、第１、第２実施形態のいずれにおい
ても、光導波路２_nを伝送される信号光に対して、コア
２０内への信号光の光閉じ込め効果を大きくすること
が、クロストーク発生を防止する上で好ましい。具体的
には、コア２０とクラッド２１、２２との屈折率差Δｎ
を大きくすることが好ましい。これにより、コア２０内
を伝搬される信号光のクラッド２１、２２への広がりを
小さくすることができる。また、光ファイバのミスアラ
インメントなどによってクラッドにしみ出した信号光成
分についても、コアの屈折率が高いために、光をコア内
部に閉じ込める効果を期待できる。

【００８６】例として、図６に示した構成において、コ
ア２０とクラッド２１、２２との屈折率差Δｎ＝０．３
％、コアサイズ８．５μｍ□の光導波路に対して、コア
から２μｍオフセットした位置にミスアラインメントさ
れた状態で光ファイバを接続したところ、クロストーク
は−２２ｄＢまで劣化した。これに対して、屈折率差Δ
ｎを０．３％から０．４５％に大きくしたところ、＜−
２５ｄＢのレベルまでクロストークが改善された。

【００８７】ここで、このようにコア、クラッド間の屈
折率差Δｎを大きくする場合の光平面導波路型回路の製
造方法について説明しておく。コア及び上部クラッド
（オーバークラッド）は、例えば、それぞれ所定の添加
物が添加されたＳｉＯ₂（石英）ガラス微粉末を火炎堆
積法（ＦＨＤ法：Flame Hydrolysis Deposition Metho
d）によって堆積、焼結させて形成される。

【００８８】具体的には、例えば、コアをＧｅ添加Ｓｉ
Ｏ₂ガラス、上部クラッドをＢ／Ｐ添加ＳｉＯ₂ガラスと
する。Ｇｅ、Ｂ、Ｐ、及びＳｉＯ₂は、それぞれＧｅＣ
ｌ₄、ＢＣｌ₃、ＰＯＣｌ₃、及びＳｉＣｌ₄を酸水素バー
ナ中で加水分解することによってスス状微粉末が得られ
る。そして、コアへのＧｅの添加量、上部クラッドへの
Ｂ、Ｐの添加量を調整することによって、屈折率差Δｎ
が調整される。

【００８９】例えば、コアに対するＧｅの添加量は、典
型的には、Δｎ＝０．３％のときにＧｅ濃度＝３．２ｗ
ｔ％、Δｎ＝０．４５％のときにＧｅ濃度＝４．６ｗｔ
％程度となる。また、上部クラッドに対するＢ、Ｐの添
加量は、そのスス付け条件などによって決まるが、屈折
率を増加させるＰの添加量と、屈折率を低下させるＢの
添加量をバランスし、ちょうど純ＳｉＯ₂ガラスと同等
の屈折率となるように調整する。以上の方法により、コ
アと上部クラッドとの屈折率差Δｎが０．３％、０．４
５％の光導波路が得られる。

【００９０】上述したチャンネル間のクロストークの問
題に対しては、コアへの光閉じ込め効果を大きくするこ
と以外にも、光路間に光路隔離手段を設けることも効果
的である。すなわち、隣接する反射光路間に光路隔離手
段を設けることにより、隣接するチャンネル間でのクロ
ストークの発生を極力防止することができる。これによ
り、それぞれの光導波路を伝送されるＮチャンネルの信
号光について、それぞれのチャンネルでの信号光の光強
度をより正確にモニタすることが可能となる。

【００９１】図７は、光導波路モジュールの第３実施形
態の構成を示す平面図である。この光導波路モジュール
は、第１実施形態と同様に、基板１０、及び基板１０上
に形成された平面導波路型の８本（８チャンネル）の光
導波路２₁〜２₈を有して構成される光平面導波路型回路
１を備えている。

【００９２】光導波路２₁〜２₈のそれぞれは、所定の光
伝送方向（図７中の矢印の方向）に沿って、光平面導波
路型回路１の入力端１１から出力端１２に向かって、互
いに平行かつ等間隔に形成されている。また、光平面導
波路型回路１の光伝送方向に対する所定部位に、光導波
路２₁〜２₈を横切る溝３が設けられている。

【００９３】この溝３は、その内側に各光導波路２₁〜
２₈を伝送される信号光の一部を反射するための反射フ
ィルタ４が設置されるとともに、充填樹脂５によって封
止されている。また、溝３よりも上流側の位置で光平面
導波路型回路１の上方には、光導波路２₁〜２₈にそれぞ
れ対応した８個の光検出器６３₁〜６３₈を有する光検出
器アレイ６２が設置されている。

【００９４】なお、図７においては、光検出器アレイ６
２を除いた状態で光平面導波路型回路１等を示すととも
に、各部の光検出器アレイ６２との位置関係を示すた
め、光検出器アレイ６２及び光検出器６３₁〜６３₈を一
点鎖線で図示している。

【００９５】本実施形態においては、８チャンネルの光
導波路２₁〜２₈それぞれを伝送される信号光の一部が、
反射フィルタ４によって対応する光検出器６３₁〜６３₈
へと反射される８個の反射光路に対して、８個の反射光
路それぞれの間となる光平面導波路型回路１内に、反射
光路同士を隔離するための光路隔離手段が設けられてい
る。この光路隔離手段は、隣接するチャンネル間でのク
ロストークの発生を抑制するためのものである。

【００９６】具体的には、本実施形態では、光平面導波
路型回路１内において、反射光路から隣接する反射光路
へと通過する光を遮蔽するように、８本の光導波路２₁
〜２₈それぞれの間に光遮蔽層２５が設けられている。

【００９７】すなわち、光導波路２₁と２₂との間、光導
波路２₂と２₃との間、光導波路２₃と２₄との間、光導波
路２₄と２₅との間、光導波路２₅と２₆との間、光導波路
２₆と２₇との間、及び光導波路２₇と２₈との間に、それ
ぞれ、光遮蔽層２５₁、２５ ₂、２５₃、２５₄、２５₅、
２５₆、及び２５₇が設けられている。

【００９８】なお、この第３実施形態における光導波路
モジュールの構成は、光平面導波路型回路１に設けられ
た上記の光遮蔽層２５₁〜２５₇を除けば、図５及び図６
に示した第２実施形態と同様である。

【００９９】図８は、図７に示した光導波路モジュール
の断面構造を、光導波路２_n（ｎ＝１〜８）の光軸に垂
直な方向に沿って示すI−I矢印断面図である。なお、こ
の図８においては、光導波路２₃〜２₅、光遮蔽層２５₂
〜２５₅、及び光検出器６３₃〜６３₅を含む部分を拡大
するとともに、光検出器６３₃〜６３₅のそれぞれの中心
位置を通る断面を示してある（図６に点線で示した断面
位置Ｂを参照）。

【０１００】光平面導波路型回路１は、図８に示すよう
に、基板１０上に形成された下部クラッド２２と、下部
クラッド２２上に互いに平行かつ等間隔に形成された光
導波路２₁〜２₈に対応する８本のコア２０と、８本のコ
ア２０（光導波路２₁〜２₈）の全体を覆うように形成さ
れた上部クラッド２１とからなる。また、上部クラッド
２１の上方には、光検出器６３₁〜６３₈を含む光検出器
アレイ６２が設置されている。

【０１０１】そして、本実施形態においては、光導波路
２₁〜２₈の間に位置する上部クラッド２１がそれぞれ所
定の幅ｘ１で除去されるとともに、上部クラッド２１が
除去された部位に、光を遮蔽する光遮蔽層２５₁〜２５₇
が設けられている。これらの光遮蔽層２５₁〜２５₇は、
図７に示すように、溝３を跨いで所定の長さｌ１の範囲
にわたって形成されている。

【０１０２】以上の構成において、光導波路２₄を伝送
される第４チャンネルの信号光について着目すれば、光
導波路２₄を伝送されてきた信号光が、上流側端面３１
を介して溝３内の内部充填樹脂部５１へと出射されると
（図６参照）、信号光の一部が光軸に対して斜めの反射
フィルタ４によって、各偏波状態に対して等しくなるよ
うに偏波補償された所定の反射率で、光平面導波路型回
路１の斜め上方へと反射される。また、それ以外の信号
光成分は、内部充填樹脂部５１及び反射フィルタ４を透
過して、下流側端面３２を介して再び光導波路２₄へと
入射される。

【０１０３】一方、反射フィルタ４によって反射された
反射光は、内部充填樹脂部５１、及び光導波路２₄を介
して、光検出器６３₄へと入射される。そして、光検出
器６３ ₄で検出された反射光の光強度から、光導波路２₄
を伝送されている第４チャンネルの信号光の光強度がモ
ニタされる。

【０１０４】また、光導波路２₄からみて光導波路２₃及
び光検出器６３₃側の上部クラッド２１内には、光遮蔽
層２５₃が設けられている。この光遮蔽層２５₃により、
光導波路２₄を伝送されている信号光のうち、光の散
乱、反射、伝送される光の広がりなどによって隣接する
光検出器６３₃へと伝搬される光が遮蔽され、第３、第
４チャンネル間でのクロストークの発生が防止される。

【０１０５】また、光導波路２₄からみて光導波路２₅及
び光検出器６３₅側の上部クラッド２１内には、光遮蔽
層２５₄が設けられている。この光遮蔽層２５₄により、
光導波路２₄を伝送されている信号光のうち、光の散
乱、反射、伝送される光の広がりなどによって隣接する
光検出器６３₅へと伝搬される光が遮蔽され、第４、第
５チャンネル間でのクロストークの発生が防止される。

【０１０６】本実施形態においては、反射フィルタ４か
ら光検出器６３₁〜６３₈への反射光路に対して、光平面
導波路型回路１内に、反射光路同士を隔離する光路隔離
手段として光遮蔽層２５₁〜２５₇を設けている。これに
より、上述のように、隣接するチャンネル間でのクロス
トークの発生を確実に防止することができる。

【０１０７】光平面導波路型回路１内に設けられる光遮
蔽層２５₁〜２５₇としては、信号光波長の光を吸収、反
射、あるいは散乱等することによって光を遮蔽する効果
を有する光遮蔽材料を用いることが好ましい。具体的に
は、例えば、Ｇｅ（ゲルマニウム）などの光吸収効果を
有する添加物を高濃度に添加したガラスなどを光遮蔽材
料として用いることができる。

【０１０８】また、光遮蔽層２５₁〜２５₇の形成方法と
しては、例えば、図７及び図８に示すように、８本の光
導波路２₁〜２₈それぞれの間で溝３を跨いで、それぞれ
幅ｘ１、長さｌ１の７本の溝を光導波路と略平行に形成
し、その溝の内側を光遮蔽材料で充填する方法がある。
また、光遮蔽層２５₁〜２５₇それぞれの幅ｘ１、長さｌ
１については、反射フィルタ４から光検出器６３_nへの
反射光路を過度に狭くすることなく、かつ、隣接するチ
ャンネル間での光の遮蔽効果が充分に確保されるように
設定することが好ましい。あるいは、光平面導波路型回
路１の入力端１１から出力端１２までの全体に光遮蔽層
を設ける構成としても良い。

【０１０９】例として、クロストークが−２２ｄＢまで
劣化した状態に対して、上述のように光平面導波路型回
路の上部クラッド内に光遮蔽層を設けることによって、
＜−３０ｄＢのレベルまでクロストークが改善された。
また、光遮蔽層の内部に物質を充填しない場合でも、散
乱光の導波がある程度抑制されるため、クロストークの
改善効果が得られ、例えば−２２ｄＢが−２８ｄＢまで
改善される。

【０１１０】図９は、光導波路モジュールの第４実施形
態の構成を示す平面図である。この光導波路モジュール
は、第１実施形態と同様に、基板１０、及び基板１０上
に形成された平面導波路型の８本（８チャンネル）の光
導波路２₁〜２₈を有して構成される光平面導波路型回路
１を備えている。

【０１１１】光導波路２₁〜２₈のそれぞれは、所定の光
伝送方向（図９中の矢印の方向）に沿って、光平面導波
路型回路１の入力端１１から出力端１２に向かって、互
いに平行かつ等間隔に形成されている。また、光平面導
波路型回路１の光伝送方向に対する所定部位に、光導波
路２₁〜２₈を横切る溝３が設けられている。

【０１１２】この溝３は、その内側に各光導波路２₁〜
２₈を伝送される信号光の一部を反射するための反射フ
ィルタ４が設置されるとともに、充填樹脂５によって封
止されている。また、溝３よりも上流側の位置で光平面
導波路型回路１の上方には、サブマウント基板７０が設
置されるとともに、充填樹脂５及びサブマウント基板７
０の上方には、光導波路２₁〜２₈にそれぞれ対応した８
個の光検出器６５₁〜６５₈を有する光検出器アレイ６４
が設置されている。

【０１１３】なお、図９においては、光検出器アレイ６
４を除いた状態で光平面導波路型回路１及びサブマウン
ト基板７０等を示すとともに、各部の光検出器アレイ６
４との位置関係を示すため、光検出器アレイ６４及び光
検出器６５₁〜６５₈を一点鎖線で図示している。また、
サブマウント基板７０は、光検出器アレイ６４を載置す
るための載置部材（マウント部材）であるとともに、そ
の上面に、図９中に模式的に示されているように、光検
出器６５₁〜６５₈からの光検出信号を読み出すための配
線や電極等が形成されている。

【０１１４】本実施形態においては、８チャンネルの光
導波路２₁〜２₈それぞれを伝送される信号光の一部が、
反射フィルタ４によって対応する光検出器６５₁〜６５₈
へと反射される８個の反射光路に対して、８個の反射光
路それぞれの間となる充填樹脂５内に、反射光路同士を
隔離するための光路隔離手段が設けられている。この光
路隔離手段は、隣接するチャンネル間でのクロストーク
の発生を抑制するためのものである。

【０１１５】具体的には、本実施形態では、充填樹脂５
が溝３の内側に加えて、溝の上側を含む光平面導波路型
回路１の上面の所定範囲を封止するように充填されてい
る。そして、光平面導波路型回路１の上面を封止する上
部充填樹脂部に対して、その上流側に位置するサブマウ
ント基板７０に、上部充填樹脂部内に櫛状に突出するよ
うに光遮蔽部７１₁〜７１₇が設けられている。

【０１１６】すなわち、光平面導波路型回路１内にある
光導波路２₁〜２₈との対応でみると、光導波路２₁と２₂
との間、光導波路２₂と２₃との間、光導波路２₃と２₄と
の間、光導波路２₄と２₅との間、光導波路２₅と２₆との
間、光導波路２₆と２₇との間、及び光導波路２₇と２₈と
の間に、それぞれ、光遮蔽部７１₁、７１₂、７１₃、７
１₄、７１₅、７１₆、及び７１₇が設けられている。

【０１１７】なお、この第４実施形態における光導波路
モジュールの構成は、サブマウント基板７０に設けられ
た上記の光遮蔽部７１₁〜７１₇を除けば、図１及び図２
に示した第１実施形態と同様である。

【０１１８】図１０は、図９に示した光導波路モジュー
ルの断面構造を、光導波路２_n（ｎ＝１〜８）の光軸に
垂直な方向に沿って示すII−II矢印断面図である。な
お、この図１０においては、光導波路２₃〜２₅、光遮蔽
部７１₂〜７１₅、及び光検出器６５₃〜６５₅を含む部分
を拡大するとともに、光検出器６５₃〜６５₅のそれぞれ
の中心位置を通る断面を示してある（図２に点線で示し
た断面位置Ａを参照）。

【０１１９】光平面導波路型回路１は、図１０に示すよ
うに、基板１０上に形成された下部クラッド２２と、下
部クラッド２２上に互いに平行かつ等間隔に形成された
光導波路２₁〜２₈に対応する８本のコア２０と、８本の
コア２０（光導波路２₁〜２₈）の全体を覆うように形成
された上部クラッド２１とからなる。

【０１２０】上部クラッド２１の上面側には、充填樹脂
５のうちで光平面導波路型回路１の上面の所定範囲を封
止している部分である上部充填樹脂部５２が設けられて
いる（図２参照）。この上部充填樹脂部５２は、サブマ
ウント基板７０と略同一の高さとなっている。また、上
部充填樹脂部５２及びサブマウント基板７０の上方に
は、光検出器６５₁〜６５₈を含む光検出器アレイ６４が
設置されている。ただし、光検出器アレイ６４のうち光
検出器６５₁〜６５₈の下方部分は、反射フィルタ４から
の光が通過可能な上部充填樹脂部５２となっている。

【０１２１】そして、本実施形態においては、光導波路
２₁〜２₈の間（光検出器６５₁〜６５₈の間）に相当する
位置の上部充填樹脂部５２に対して、サブマウント基板
７０の上部充填樹脂部５２に接する端面に、それぞれ所
定の幅ｘ２で形成された櫛状の光遮蔽部７１₁〜７１₇が
設けられている。光遮蔽部７１₁〜７１₇は、サブマウン
ト基板７０の下流側にある上部充填樹脂部５２内にそれ
ぞれ突出する構造となっている。また、これらの光遮蔽
部７１₁〜７１₇は、図９に示すように、所定の長さｌ２
の範囲にわたって形成されている。

【０１２２】以上の構成において、光導波路２₄を伝送
される第４チャンネルの信号光について着目すれば、光
導波路２₄を伝送されてきた信号光が、上流側端面３１
を介して溝３内の内部充填樹脂部５１へと出射されると
（図２参照）、信号光の一部が光軸に対して斜めの反射
フィルタ４によって、各偏波状態に対して等しくなるよ
うに偏波補償された所定の反射率で、光平面導波路型回
路１の斜め上方へと反射される。また、それ以外の信号
光成分は、内部充填樹脂部５１及び反射フィルタ４を透
過して、下流側端面３２を介して再び光導波路２₄へと
入射される。

【０１２３】一方、反射フィルタ４によって反射された
反射光は、内部充填樹脂部５１、光導波路２₄、及び上
部充填樹脂部５２を介して、光検出器６５₄へと入射さ
れる。そして、光検出器６５₄で検出された反射光の光
強度から、光導波路２₄を伝送されている第４チャンネ
ルの信号光の光強度がモニタされる。

【０１２４】また、光導波路２₄からみて光導波路２₃及
び光検出器６５₃側の上部充填樹脂部５２内には、光遮
蔽部７１₃が設けられている。この光遮蔽部７１₃によ
り、光導波路２₄を伝送されている信号光のうち、光の
散乱、反射、伝送される光の広がりなどによって隣接す
る光検出器６５₃へと伝搬される光が遮蔽され、第３、
第４チャンネル間でのクロストークの発生が防止され
る。

【０１２５】また、光導波路２₄からみて光導波路２₅及
び光検出器６５₅側の上部充填樹脂部５２内には、光遮
蔽部７１₄が設けられている。この光遮蔽部７１₄によ
り、光導波路２₄を伝送されている信号光のうち、光の
散乱、反射、伝送される光の広がりなどによって隣接す
る光検出器６５₅へと伝搬される光が遮蔽され、第４、
第５チャンネル間でのクロストークの発生が防止され
る。

【０１２６】本実施形態においては、反射フィルタ４か
ら光検出器６５₁〜６５₈への反射光路に対して、充填樹
脂５の上部充填樹脂部５２内に、反射光路同士を隔離す
る光路隔離手段として光遮蔽部７１₁〜７１₇を設けてい
る。これにより、上述のように、隣接するチャンネル間
でのクロストークの発生を確実に防止することができ
る。

【０１２７】充填樹脂５内に突出するようにサブマウン
ト基板７０に設けられる光遮蔽部７１₁〜７１₇として
は、信号光波長の光を吸収、反射、あるいは散乱するこ
とによって光を遮蔽する効果を有する光遮蔽材料を用い
ることが好ましい。具体的には、例えばアルミナなどを
光遮蔽材料として用いることができる。

【０１２８】光遮蔽部７１₁〜７１₇を上記のようにサブ
マウント基板７０と一体に形成する場合には、例えば、
サブマウント基板７０自体を光遮蔽材料で形成する。ま
た、光遮蔽部７１₁〜７１₇それぞれの幅ｘ２、長さｌ２
については、反射フィルタ４から光検出器６５_nへの反
射光路を過度に狭くすることなく、かつ、隣接するチャ
ンネル間での光の遮蔽効果が充分に確保されるように設
定することが好ましい。

【０１２９】例として、クロストークが−２２ｄＢまで
劣化した状態に対して、上述のように充填樹脂の上部充
填樹脂部内に光遮蔽部を設けることによって、＜−２３
ｄＢのレベルまでクロストークが改善された。

【０１３０】図１１は、光導波路モジュールの第５実施
形態の構成を示す平面図である。この光導波路モジュー
ルは、第１実施形態と同様に、基板１０、及び基板１０
上に形成された平面導波路型の８本（８チャンネル）の
光導波路２₁〜２₈を有して構成される光平面導波路型回
路１を備えている。

【０１３１】光導波路２₁〜２₈のそれぞれは、所定の光
伝送方向（図１１中の矢印の方向）に沿って、光平面導
波路型回路１の入力端１１から出力端１２に向かって、
互いに平行かつ等間隔に形成されている。また、光平面
導波路型回路１の光伝送方向に対する所定部位に、光導
波路２₁〜２₈を横切る溝３が設けられている。

【０１３２】この溝３は、その内側に各光導波路２₁〜
２₈を伝送される信号光の一部を反射するための反射フ
ィルタ４が設置されるとともに、充填樹脂５によって封
止されている。また、溝３よりも上流側の位置で光平面
導波路型回路１の上方には、サブマウント基板７２が設
置されるとともに、充填樹脂５及びサブマウント基板７
２の上方には、光導波路２₁〜２₈にそれぞれ対応した８
個の光検出器６７₁〜６７₈を有する光検出器アレイ６６
が設置されている。

【０１３３】なお、図１１においては、光検出器アレイ
６６を除いた状態で光平面導波路型回路１及びサブマウ
ント基板７２等を示すとともに、各部の光検出器アレイ
６６との位置関係を示すため、光検出器アレイ６６及び
光検出器６７₁〜６７₈を一点鎖線で図示している。ま
た、サブマウント基板７２は、光検出器アレイ６６を載
置するための載置部材（マウント部材）であるととも
に、その上面に、図１１中に模式的に示されているよう
に、光検出器６７₁〜６７₈からの光検出信号を読み出す
ための配線や電極等が形成されている。

【０１３４】本実施形態においては、８チャンネルの光
導波路２₁〜２₈それぞれを伝送される信号光の一部が、
反射フィルタ４によって対応する光検出器６７₁〜６７₈
へと反射される８個の反射光路に対して、８個の反射光
路それぞれの間となる光平面導波路型回路１内に、反射
光路同士を隔離するための光路隔離手段が設けられてい
る。この光路隔離手段は、隣接するチャンネル間でのク
ロストークの発生を抑制するためのものである。

【０１３５】具体的には、本実施形態では、光平面導波
路型回路１内において、反射光路から隣接する反射光路
へと通過する光を遮蔽するように、８本の光導波路２₁
〜２₈それぞれの間に光遮蔽層２６が設けられている。

【０１３６】すなわち、光導波路２₁と２₂との間、光導
波路２₂と２₃との間、光導波路２₃と２₄との間、光導波
路２₄と２₅との間、光導波路２₅と２₆との間、光導波路
２₆と２₇との間、及び光導波路２₇と２₈との間に、それ
ぞれ、光遮蔽層２６₁、２６ ₂、２６₃、２６₄、２６₅、
２６₆、及び２６₇が設けられている。

【０１３７】なお、この第５実施形態における光導波路
モジュールの構成は、光平面導波路型回路１に設けられ
た上記の光遮蔽層２６₁〜２６₇を除けば、図１及び図２
に示した第１実施形態と同様である。

【０１３８】図１２は、図１１に示した光導波路モジュ
ールの断面構造を、光導波路２_n（ｎ＝１〜８）の光軸
に垂直な方向に沿って示すIII−III矢印断面図である。
なお、この図１２においては、光導波路２₃〜２₅、光遮
蔽層２６₂〜２６₅、及び光検出器６７₃〜６７₅を含む部
分を拡大するとともに、光検出器６７₃〜６７₅のそれぞ
れの中心位置を通る断面を示してある（図２に点線で示
した断面位置Ａを参照）。

【０１３９】光平面導波路型回路１は、図１２に示すよ
うに、基板１０上に形成された下部クラッド２２と、下
部クラッド２２上に互いに平行かつ等間隔に形成された
光導波路２₁〜２₈に対応する８本のコア２０と、８本の
コア２０（光導波路２₁〜２₈）の全体を覆うように形成
された上部クラッド２１とからなる。

【０１４０】上部クラッド２１の上面側には、充填樹脂
５のうちで光平面導波路型回路１の上面の所定範囲を封
止している部分である上部充填樹脂部５２が設けられて
いる（図２参照）。この上部充填樹脂部５２は、サブマ
ウント基板７２と略同一の高さとなっている。また、上
部充填樹脂部５２及びサブマウント基板７２の上方に
は、光検出器６７₁〜６７₈を含む光検出器アレイ６６が
設置されている。ただし、光検出器アレイ６６のうち光
検出器６７₁〜６７₈の下方部分は、反射フィルタ４から
の光が通過可能な上部充填樹脂部５２となっている。

【０１４１】そして、本実施形態においては、光導波路
２₁〜２₈の間に位置する上部クラッド２１がそれぞれ所
定の幅ｘ３で除去されるとともに、上部クラッド２１が
除去された部位に、光を遮蔽する光遮蔽層２６₁〜２６₇
が設けられている。これらの光遮蔽層２６₁〜２６₇は、
図１１に示すように、溝３を跨いで所定の長さｌ３の範
囲にわたって形成されている。

【０１４２】以上の構成において、光導波路２₄を伝送
される第４チャンネルの信号光について着目すれば、光
導波路２₄を伝送されてきた信号光が、上流側端面３１
を介して溝３内の内部充填樹脂部５１へと出射されると
（図２参照）、信号光の一部が光軸に対して斜めの反射
フィルタ４によって、各偏波状態に対して等しくなるよ
うに偏波補償された所定の反射率で、光平面導波路型回
路１の斜め上方へと反射される。また、それ以外の信号
光成分は、内部充填樹脂部５１及び反射フィルタ４を透
過して、下流側他面３２を介して再び光導波路２₄へと
入射される。

【０１４３】一方、反射フィルタ４によって反射された
反射光は、内部充填樹脂部５１、光導波路２₄、及び上
部充填樹脂部５２を介して、光検出器６７₄へと入射さ
れる。そして、光検出器６７₄で検出された反射光の光
強度から、光導波路２₄を伝送されている第４チャンネ
ルの信号光の光強度がモニタされる。

【０１４４】また、光導波路２₄からみて光導波路２₃及
び光検出器６７₃側の上部クラッド２１内には、光遮蔽
層２６₃が設けられている。この光遮蔽層２６₃により、
光導波路２₄を伝送されている信号光のうち、光の散
乱、反射、伝送される光の広がりなどによって隣接する
光検出器６７₃へと伝搬される光が遮蔽され、第３、第
４チャンネル間でのクロストークの発生が防止される。

【０１４５】また、光導波路２₄からみて光導波路２₅及
び光検出器６７₅側の上部クラッド２１内には、光遮蔽
層２６₄が設けられている。この光遮蔽層２６₄により、
光導波路２₄を伝送されている信号光のうち、光の散
乱、反射、伝送される光の広がりなどによって隣接する
光検出器６７₅へと伝搬される光が遮蔽され、第４、第
５チャンネル間でのクロストークの発生が防止される。

【０１４６】本実施形態においては、図７及び図８に示
した第３実施形態における光遮蔽層２５₁〜２５₇と同様
に、反射フィルタ４から光検出器６７₁〜６７₈への反射
光路に対して、光平面導波路型回路１内に、反射光路同
士を隔離する光路隔離手段として光遮蔽層２６₁〜２６₇
を設けている。これにより、上述のように、隣接するチ
ャンネル間でのクロストークの発生を確実に防止するこ
とができる。

【０１４７】また、このように光導波路２₁〜２₈の上部
クラッド２１と、光検出器アレイ６６との間に樹脂を充
填して、上部充填樹脂部５２を設けた構成によれば、上
部クラッド２１の表面に凹凸などがあった場合でも、そ
れによる光の乱反射や散乱が抑制される。

【０１４８】例として、クロストークが−２０ｄＢまで
劣化した状態に対して、上述のように光平面導波路型回
路の上部クラッド内に光遮蔽層を設けることによって、
＜−２８ｄＢのレベルまでクロストークが改善された。

【０１４９】本発明による光導波路モジュールは、上記
した実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々
な変形が可能である。例えば、反射フィルタ４における
反射率の差の偏波補償については、反射フィルタ４自体
での反射率の差を補償するものであるが、光導波路
２_n、充填樹脂５、及び光検出器６_nの界面での反射など
による偏波依存性の発生があらかじめわかっている場合
には、それらをも補償する反射率によって反射フィルタ
４を構成しても良い。

【０１５０】また、隣接するチャンネル間でのクロスト
ークの発生を防止するための光路隔離手段については、
上述した構成に限らず、様々な構成のものを用いて良
い。例えば、充填樹脂内に光遮蔽部材を設ける場合に
は、サブマウント基板とは別の部材としても良く、ま
た、内部充填樹脂部内に光遮蔽部材を設けても良い。あ
るいは、上部クラッド内に設けられる光遮蔽部材、及び
充填樹脂内に設けられる光遮蔽部材等を併用して、さら
にクロストークを改善する構成としても良い。

【０１５１】

【発明の効果】本発明による光導波路モジュールは、以
上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すな
わち、光導波路を横切るように斜めの溝を形成するとと
もに、溝の内側に設置された反射フィルタによって信号
光の一部を反射して、光強度のモニタに用いる構成の光
導波路モジュールによれば、光回路の構成及び製造工程
が簡単化される。また、各直交偏波間の反射率が等しく
される偏波補償が実現された反射フィルタを用いること
によって、信号光の偏波状態に関わらず正しく光強度を
モニタすることが可能となる。また、反射フィルタを含
む溝の内側を、充填樹脂によって封止しているので、そ
れらが汚染されることによる長期的な動作安定性の劣化
が防止される。

【０１５２】このような光導波路モジュールは、光ファ
イバや光平面導波路からなる光回路中に挿入される信号
光強度モニタとして適用することが可能である。あるい
は、光合波器、光分波器、光減衰器などの光平面導波路
型回路の所定部位に設けることによって、光回路中で信
号光強度をモニタする構成とすることも可能である。

【０１５３】また、反射フィルタによって反射されたＮ
チャンネルの信号光が光検出器へと伝搬されるＮ個の反
射光路に対して、隣接する反射光路間に光路隔離手段を
設けることにより、隣接するチャンネル間でのクロスト
ークの発生を極力防止することができる。これにより、
それぞれの光導波路を伝送されるＮチャンネルの信号光
について、それぞれのチャンネルでの信号光の光強度を
正確にモニタすることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光導波路モジュールの第１実施形態の構成を示
す平面図である。

【図２】図１に示した光導波路モジュールの光軸に沿っ
た断面構造を一部拡大して示す断面図である。

【図３】信号光が伝送される光軸に対する反射面の傾き
を変えたときの偏波依存損失の変化を示すグラフであ
る。

【図４】反射フィルタによって反射された反射光による
反射光スポットの形状、及び光検出器の受光面形状につ
いて説明するための模式図である。

【図５】光導波路モジュールの第２実施形態の構成を示
す平面図である。

【図６】図５に示した光導波路モジュールの光軸に沿っ
た断面構造を一部拡大して示す断面図である。

【図７】光導波路モジュールの第３実施形態の構成を示
す平面図である。

【図８】図７に示した光導波路モジュールの光軸に垂直
な断面構造を一部拡大して示すI−I矢印断面図である。

【図９】光導波路モジュールの第４実施形態の構成を示
す平面図である。

【図１０】図９に示した光導波路モジュールの光軸に垂
直な断面構造を一部拡大して示すII−II矢印断面図であ
る。

【図１１】光導波路モジュールの第５実施形態の構成を
示す平面図である。

【図１２】図１１に示した光導波路モジュールの光軸に
垂直な断面構造を一部拡大して示すIII−III矢印断面図
である。

【符号の説明】

１…光平面導波路型回路、１０…基板、１１…入力端、
１２…出力端、２₁〜２₈…光導波路、２０…コア、２１
…上部クラッド、２２…下部クラッド、２５₁〜２５₇、
２６₁〜２６₇…光遮蔽層、３…溝、３１…上流側端面、
３２…下流側端面、４…反射フィルタ、５…充填樹脂、
５１…内部充填樹脂部、５２…上部充填樹脂部、６、６
０、６２、６４、６６…光検出器アレイ、６₁〜６₈、６
１₁〜６１₈、６３₁〜６３₈、６５₁〜６５₈、６７₁〜６
７₈…光検出器、７、７０、７２…サブマウント基板、
７１₁〜７１₇…光遮蔽部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小宮健雄神奈川県横浜市栄区田谷町１番地住友電気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者齋藤眞秀神奈川県横浜市栄区田谷町１番地住友電気工業株式会社横浜製作所内Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA15 KB09 LA09 LA14 LA18 MA07 TA22 5F088 AA01 BA03 BA18 BB01 JA03 JA06 JA13 JA14 JA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板、及び前記基板上に形成された平面
導波路型の光導波路を含んで構成され、前記光導波路の
所定部位を横切るように、前記光導波路の光軸に直交す
る垂直軸に対して所定の傾き角度θ（０°＜θ）で斜め
に形成された溝を有する光平面導波路型回路と、前記光平面導波路型回路の前記溝の内側に、前記光導波
路を伝送される信号光が通過する部位を含んで設置され
るとともに、前記信号光の一部を、各直交偏波間での反
射率の差が補償された所定の反射率によって反射する反
射フィルタと、少なくとも前記溝の内側を封止するように充填された充
填樹脂と、前記反射フィルタによって前記信号光が反射された反射
光を検出する光検出器と、を備えることを特徴とする光
導波路モジュール。
【請求項２】前記光平面導波路型回路に形成された前
記溝の前記傾き角度θは、０°＜θ≦４０°の角度範囲
内にあることを特徴とする請求項１記載の光導波路モジ
ュール。
【請求項３】前記充填樹脂として、前記光導波路のコ
アと略同一の屈折率を有する樹脂材料を用いることを特
徴とする請求項１記載の光導波路モジュール。
【請求項４】前記充填樹脂は、前記溝の内側に加え
て、前記溝の上側を含む前記光平面導波路型回路の上面
の所定範囲を封止するように充填されるとともに、前記
溝の内側を封止する内部充填樹脂、及び前記光平面導波
路型回路の上面を封止する上部充填樹脂として、互いに
略同一の屈折率を有する樹脂材料を用いることを特徴と
する請求項１記載の光導波路モジュール。
【請求項５】前記光平面導波路型回路と前記光検出器
との界面、または前記充填樹脂と前記光検出器との界面
に、使用する光波長帯域の反射を防止するコート膜が設
けられていることを特徴とする請求項１記載の光導波路
モジュール。
【請求項６】前記光検出器の受光面は、前記反射フィ
ルタによって反射された前記反射光による楕円形状の反
射光スポットを含む略楕円形状に形成されていることを
特徴とする請求項１記載の光導波路モジュール。
【請求項７】前記光平面導波路型回路の前記光導波路
として、Ｎ本（Ｎは複数）の光導波路を有し、前記光検
出器として、前記Ｎ本の光導波路にそれぞれ対応するＮ
個の光検出器を備えるとともに、前記Ｎ本の光導波路それぞれを伝送される前記信号光の
一部が、前記反射フィルタによって対応する前記光検出
器へと反射されるＮ個の反射光路に対して、前記Ｎ個の
反射光路それぞれの間に、前記反射光路同士を隔離する
ための光路隔離手段が設けられていることを特徴とする
請求項１記載の光導波路モジュール。
【請求項８】前記光路隔離手段は、前記光平面導波路
型回路内において、前記反射光路から隣接する反射光路
へと通過する光を遮蔽するように、前記Ｎ本の光導波路
それぞれの間に設けられた光遮蔽手段であることを特徴
とする請求項７記載の光導波路モジュール。
【請求項９】前記光路隔離手段は、前記充填樹脂内に
おいて、前記反射光路から隣接する反射光路へと通過す
る光を遮蔽するように設けられた光遮蔽手段であること
を特徴とする請求項７記載の光導波路モジュール。
【請求項１０】前記充填樹脂は、前記溝の内側に加え
て、前記溝の上側を含む前記光平面導波路型回路の上面
の所定範囲を封止するように充填されるとともに、前記
光平面導波路型回路の上面側に、前記Ｎ個の光検出器を
載置するための載置部材が設けられ、前記光遮蔽手段は、前記光平面導波路型回路の上面を封
止する上部充填樹脂内に突出するように前記載置部材に
設けられた光遮蔽部からなることを特徴とする請求項９
記載の光導波路モジュール。