JP2002179763A - Epoxy resin composition - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 高パワー発生ICチップを封入する際に非常
に大きい熱放散を示す樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置の封止のために用いられるエポ
キシ樹脂組成物であって、(A)一般式(I)
(式中、R1〜R8は同じであっても異なってもよく、
各々が水素原子とアルキル基からなる群から選択される
原子又は基である。)によって表されるエポキシ樹脂
と、(B)フェノール樹脂と、(C)前記エポキシ樹脂
組成物の80〜92重量%を構成する酸化アルミニウム
(アルミナ)及びシリカフィラー混合物であって、
(A)エポキシ樹脂と(B)フェノール樹脂との合計重
量に対する前記フィラー含有量(重量)の比が少なくと
も10.5以上である前記フィラー混合物と;(D)前
記エポキシ樹脂組成物の0.1ないし0.4重量%の硬化
促進剤とを含む前記エポキシ樹脂組成物。(57) [Summary] (with correction) [PROBLEMS] To provide a resin composition which shows extremely large heat dissipation when enclosing a high power generation IC chip. An epoxy resin composition used for sealing a semiconductor device, comprising: (A) a compound represented by the general formula (I): (Wherein, R1 to R8 may be the same or different,
Each is an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom and an alkyl group. (B) a phenolic resin, and (C) a mixture of aluminum oxide (alumina) and silica filler constituting 80 to 92% by weight of the epoxy resin composition,
(A) a filler mixture wherein the ratio of the filler content (weight) to the total weight of the epoxy resin and (B) the phenol resin is at least 10.5 or more; and (D) 0.1% of the epoxy resin composition. The epoxy resin composition of the present invention comprises from about 0.4% to about 0.4% by weight of a curing accelerator.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の封止の
ために用いるエポキシ樹脂組成物において、前記半導体
装置、特にボール・グリッド・アレイ(BGA)の表面
実装の際にすぐれた熱伝導性、ハンダストレス性、同一
平面性(最も離れた角に位置する2つのボール間のz軸
−ずれを意味する“そり”とも言える)、及び良好な高
温保管性(HTSL)挙動を示す前記エポキシ樹脂組成
物に関するものである。それはハロゲン、アンチモン及
びこれらの化合物を含まないために環境にやさしい材料
(“グリーンプラスチック”)でもある。このような特
徴により、この種の熱硬化性材料はリサイクルが可能で
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition used for encapsulation of a semiconductor device. The epoxy resin composition exhibiting solder stress property, coplanarity (also referred to as “sleigh” meaning z-axis displacement between two balls located at the farthest corners), and good high-temperature storage (HTSL) behavior It is about things. It is also an environmentally friendly material ("green plastic") because it does not contain halogens, antimony and these compounds. Due to such characteristics, this kind of thermosetting material can be recycled.
【0002】[0002]
【従来の技術】ダイオード、トランジスター、集積回路
等の電子部品は熱硬化性樹脂で封止される。特に集積回
路では、このような熱硬化性樹脂としてすぐれた耐熱性
及び耐湿性を有するエポキシ樹脂が用いられている。2. Description of the Related Art Electronic components such as diodes, transistors and integrated circuits are sealed with a thermosetting resin. Particularly, in an integrated circuit, an epoxy resin having excellent heat resistance and moisture resistance is used as such a thermosetting resin.
【0003】集積回路の集積度が高くなるにしたがっ
て、チップがより大きくなり、表面実装パッケージはD
IPから、SOP、SOJ、PLCC、特にQFP等の
薄い平らなパッケージに徐々に代わってきた。今や工業
的傾向は、BGA、チップ・サイズ・パッケージ(CS
P)、フリップ・チップ(FC)、ノン−リード・パッ
ケージ等の、より凝集したパッケージに変化している。As the degree of integration of integrated circuits increases, the size of chips increases, and
IP has gradually been replaced by thin, flat packages such as SOP, SOJ, PLCC, especially QFP. Now the industrial trend is BGA, chip size package (CS
P), flip chips (FC), non-lead packages, etc.
【0004】パッケージサイズ対チップサイズ比の減少
とは別に、今日の集積回路(IC)はより速い動作速度
や、より高い接合温度をもたらす高出力性も必要として
いる。これらは十分適切に取り組まない限り、場合によ
ってはデバイスの故障率をより高くする。一般的にはこ
れらの要求を満たすために付加的な熱放散材又はヒート
−スラッグが用いられるが、システムの変更のために追
加的費用がかかる。高い熱放散能力を有する熱的に強化
されたモールド化合物(TEMC)はこのような要求を
満たす有用な代替物である。[0004] Apart from a reduction in the package size to chip size ratio, today's integrated circuits (ICs) also require higher operating speeds and higher power to provide higher junction temperatures. These can lead to higher device failure rates in some cases unless adequately addressed. Typically, additional heat dissipating materials or heat slugs are used to meet these requirements, but at the expense of system changes. Thermally enhanced molding compounds (TEMCs) with high heat dissipation capabilities are a useful alternative to meet such demands.
【0005】ICの集積度がより高くなると、チップは
より大きくなり、表面実装パッケージはより薄くなる。
必然的に、応力によるクラックの発生、前記クラックに
よって起きる耐湿性の低下などの問題が起こるのは避け
られない。[0005] As ICs become more integrated, chips become larger and surface mount packages become thinner.
Inevitably, problems such as generation of cracks due to stress and deterioration of moisture resistance caused by the cracks are unavoidable.
【0006】特にハンダ付け工程では、パッケージは突
然200℃以上の高温にさらされ、それはパッケージの
クラック又は封止樹脂のチップからの剥離をまねき、そ
の結果耐湿性は低下する。[0006] Especially in the soldering process, the package is suddenly exposed to a high temperature of 200 ° C or higher, which leads to cracking of the package or peeling of the sealing resin from the chip, resulting in reduced moisture resistance.
【0007】組み込みプロセスのように、ボール・グリ
ッド・アレイ等の一方側をモールド・パッケージに固定
するためには、厳しい同一平面性の条件を満たさねばな
らない。したがって、組み込みパッケージに生成する
“そり”は最小に保たれなければならない。In order to fix one side of a ball grid array or the like to a mold package as in an embedded process, severe coplanarity conditions must be satisfied. Therefore, the “sleigh” generated in the embedded package must be kept to a minimum.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記の全ての必要条件
をまとめると、高パワーICを封入するために適切に用
いることができ、しかも同一平面性条件及び環境問題を
満足するエポキシ樹脂組成物を開発することが望まれ
る。To summarize all the above requirements, an epoxy resin composition that can be used appropriately for encapsulating high power ICs and that satisfies the same planarity conditions and environmental issues. It is desired to develop.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】生成した樹脂組成物又は
エポキシモールド用化合物(EMC)に高い熱伝導性を
与えるには、比較的多量の球状アルミナの混合が必要で
ある。EMCはセラミック粒子を入れたポリマーの連続
したマトリックスの典型的例であり、微粒子充填ポリマ
ー(PFP)とも呼ばれる。In order to impart high thermal conductivity to the resulting resin composition or epoxy molding compound (EMC), it is necessary to mix a relatively large amount of spherical alumina. EMC is a typical example of a continuous matrix of polymer containing ceramic particles and is also referred to as fine particle filled polymer (PFP).
【0010】本発明は、比較的低い粘度を有し、したが
って上記樹脂組成物中のアルミナ及びシリカフィラーを
より多くすることのできる、一般式(I)The present invention relates to a compound of the general formula (I) which has a relatively low viscosity and thus allows more alumina and silica filler in the resin composition.
【化1】 によって表されるエポキシ樹脂組成物を用いる。生成し
たEMCは高い熱伝導性、比較的低い熱膨張性、比較的
低い水分吸収性及び比較的高いハンダストレス性を有す
る。Embedded image Is used. The resulting EMC has high thermal conductivity, relatively low thermal expansion, relatively low water absorption and relatively high solder stress.
【0011】本発明の目的は、高パワー発生ICチップ
を封入する際に非常に大きい熱放散を示す樹脂組成物を
提供することである。その上、それは良い同一平面性
(BGAの場合)、ハンダ付けクラック抵抗性を示し、
潜在的に環境にやさしい熱硬化性材料としての挙動を有
する。[0011] It is an object of the present invention to provide a resin composition which exhibits extremely large heat dissipation when a high power generating IC chip is encapsulated. Besides, it shows good coplanarity (for BGA), solder cracking resistance,
Has behavior as a potentially eco-friendly thermoset material.
【0012】本発明により、半導体装置の封止のために
使用するエポキシ樹脂組成物であって、必須成分として
下記のものを含む樹脂組成物が提供される: (A)一般式(I)According to the present invention, there is provided an epoxy resin composition used for encapsulating a semiconductor device, the resin composition comprising the following as essential components: (A) General formula (I)
【化1】 によって表され、式中、R1〜R8は同じであっても異
なってもよく、各々が水素原子とアルキル基からなる群
から選択される原子又は基であるビフェニル型エポキシ
化合物のエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤
の総量を基にして20〜100重量%の、一般式(II)Embedded image Wherein R1 to R8 may be the same or different and each is an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom and an alkyl group, an epoxy resin of a biphenyl type epoxy compound, (B ) 20 to 100% by weight, based on the total amount of the phenolic resin-based curing agent, of the general formula (II)
【化2】 で表されるパラキシレン変性フェノール樹脂系硬化剤を
含むフェノール樹脂系硬化剤(nは0ないし5の整数で
ある)、これによりハンダ付けストレスに対して非常に
高い抵抗を有する半導体封止のためのエポキシ樹脂組成
物が得られる、(C)総エポキシ樹脂組成物の80〜9
2重量%を占める酸化アルミニウム及びシリカオキサイ
ドを含んでなる無機フィラー混合物;(D)総エポキシ
樹脂組成物を基にして好ましくは0.1〜0.4重量%の
量の硬化促進剤、前記エポキシ樹脂(A)は前記フェノ
ール樹脂系硬化剤(B)のヒドロキシ基1等量につき
0.8ないし1.2エポキシ等量が用いられる。Embedded image A phenolic resin-based curing agent containing a para-xylene-modified phenolic resin-based curing agent represented by the formula (n is an integer of 0 to 5), thereby encapsulating a semiconductor having extremely high resistance to soldering stress. (C) 80 to 9 of the total epoxy resin composition
An inorganic filler mixture comprising aluminum oxide and silica oxide occupying 2% by weight; (D) a curing accelerator, preferably in an amount of 0.1 to 0.4% by weight, based on the total epoxy resin composition; The resin (A) is used in an amount of 0.8 to 1.2 epoxy equivalents per equivalent of the hydroxy group of the phenol resin-based curing agent (B).
【0013】本発明の環境にやさしいエポキシ樹脂組成
物は同じ目的に使用される従来の樹脂組成物に比較して
非常に高い熱放散性並びにハンダ付けストレス抵抗を有
する。The environmentally friendly epoxy resin compositions of the present invention have very high heat dissipation and soldering stress resistance as compared to conventional resin compositions used for the same purpose.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】熱的に強化されたモールド化合物
(TEMC)のエポキシ樹脂は前記一般式(I)によっ
て表され、分子内に2つのエポキシ基を有する二官能価
エポキシ樹脂であり、トランスファー成形中、従来の多
官能価エポキシ樹脂に比較して低い溶融粘度とすぐれた
流動性を示す。この結果、本発明の組成物は多量のアル
ミナ及びシリカフィラーを含むことができ、高い熱伝導
性、低い熱膨張率、低い吸湿性及びすぐれたハンダスト
レス性を示すことができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An epoxy resin of a thermally reinforced mold compound (TEMC) is a bifunctional epoxy resin represented by the above general formula (I) and having two epoxy groups in a molecule, During molding, it exhibits low melt viscosity and excellent fluidity compared to conventional multifunctional epoxy resins. As a result, the composition of the present invention can include a large amount of alumina and silica fillers, and can exhibit high thermal conductivity, low coefficient of thermal expansion, low hygroscopicity, and excellent solder stress.
【0015】本発明のハンダストレス性は成分(A)に
用いられるビフェニル型エポキシ樹脂の量を調節するこ
とによって最大にすることができる。選ばれる疎水性エ
ポキシ樹脂は、低い吸水性及び高い硬化性を与えると同
時に多量のフィラーを担持し得ることを意味する。これ
らは言い換えると高い熱伝導性、熱膨張率の減少、良好
なハンダクラッキング抵抗性及び低い吸湿性のモールド
化合物を意味する。The solder stress property of the present invention can be maximized by adjusting the amount of the biphenyl type epoxy resin used for the component (A). The chosen hydrophobic epoxy resin provides low water absorption and high curability, which means that it can carry a large amount of filler. These in turn mean a mold compound with high thermal conductivity, reduced coefficient of thermal expansion, good solder cracking resistance and low hygroscopicity.
【0016】高いハンダ付けストレス抵抗を得るために
は前記一般式(I)のビフェニル型エポキシ樹脂の使用
が望ましい。このようなエポキシ樹脂組成物は熱膨張率
の低下、吸湿性の減少、及びすぐれたハンダストレス性
をもたらす。前記一般式(I)において、R1からR4
までが各々メチル基で、R5ないしR8が各々水素原子
であるのが好ましい。In order to obtain high soldering stress resistance, it is desirable to use the biphenyl type epoxy resin represented by the general formula (I). Such an epoxy resin composition results in a decrease in coefficient of thermal expansion, a decrease in hygroscopicity, and excellent solder stress. In the general formula (I), R1 to R4
Is preferably a methyl group, and R5 to R8 are each preferably a hydrogen atom.
【0017】また別のエポキシ樹脂を前記一般式(I)
のビフェニル型エポキシ樹脂と組み合わせて用いる場
合、その他のエポキシ樹脂はエポキシ基を有する普通の
ポリマーである。例えばビスフェノール型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、三官能価エポキシ樹脂(例
えば、トリフェノールキセネタン型エポキシ樹脂、及び
アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂)及
びトリ−アジン核含有エポキシ樹脂が挙げられる。Another epoxy resin is represented by the general formula (I)
When used in combination with the above biphenyl type epoxy resin, the other epoxy resin is an ordinary polymer having an epoxy group. For example, bisphenol type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, trifunctional epoxy resin (for example, triphenolxetane type epoxy resin and alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin) and tri-azine nucleus Containing epoxy resin.
【0018】前記一般式(II)によって表されるフェノー
ル樹脂系硬化剤は、分子構造中に比較的柔軟構造を有
し、柔軟性フェノール樹脂系硬化剤である。この硬化剤
はフェノールノボラック型樹脂硬化剤等と比較して、生
成した樹脂組成物に、より低い弾性率、及びハンダ付け
温度におけるリードフレーム、基板及び半導体チップと
のより高い接着性を与える。こうして前記一般式(II)
の硬化剤は、(a)ハンダ付け中に発生するストレスを
下げ、(b)半導体チップ等からの分離が起きるのを効
果的に防止する。The phenolic resin-based curing agent represented by the general formula (II) has a relatively flexible structure in its molecular structure and is a flexible phenolic resin-based curing agent. This curing agent provides the resulting resin composition with a lower modulus of elasticity and higher adhesion to lead frames, substrates and semiconductor chips at soldering temperatures, as compared to phenol novolak type resin curing agents and the like. Thus, the general formula (II)
The curing agent of (a) lowers the stress generated during soldering, and (b) effectively prevents separation from a semiconductor chip or the like.
【0019】成分(B)に用いられる前記一般式(II)
のフェノール樹脂系硬化剤の量を調節することによって
本発明のエポキシ樹脂組成物のハンダストレス性を最大
にすることができる。生成した樹脂組成物は弾性率を減
らし、リードフレーム、基板、半導体チップとの接着を
高めることができ、より高いハンダ付けストレス抵抗を
得る。The general formula (II) used for the component (B)
By adjusting the amount of the phenolic resin-based curing agent, the solder stress property of the epoxy resin composition of the present invention can be maximized. The resulting resin composition can reduce the modulus of elasticity, enhance the adhesion to lead frames, substrates, and semiconductor chips, and obtain higher soldering stress resistance.
【0020】前記一般式(II)において、nは0から5
までの整数でなければならない。nが5より大きい場合
は、トランスファー成形中の流動性の低下、及び成形適
性の低下が表れる傾向がある。In the general formula (II), n is from 0 to 5
Must be an integer up to. When n is greater than 5, the flowability during transfer molding and the molding aptitude tend to be reduced.
【0021】エポキシ樹脂(A)とフェノール樹脂系硬
化剤(B)との混合比に関しては、上記エポキシ樹脂
(A)が上記フェノール樹脂系硬化剤(B)のヒドロキ
シ基1等量あたり0.8ないし1.2エポキシ等量となる
ように用いられるのが好ましい。前記範囲を外れると耐
湿性などの特性が悪化する傾向がある。The mixing ratio of the epoxy resin (A) to the phenolic resin-based curing agent (B) is such that the epoxy resin (A) is 0.8 per equivalent of the hydroxy group of the phenolic resin-based curing agent (B). It is preferably used so as to have an equivalent weight of from 1.2 to 1.2 epoxy. Outside the above range, properties such as moisture resistance tend to deteriorate.
【0022】典型的樹脂組成物の熱伝導性は樹脂基質中
に存在するセラミックフィラーの種類及び含有量によっ
て大きく影響される。最大熱放散能力を得るためには、
従来の溶融シリカ(熱伝導性〜1.3W/mK)に代わ
ってアルミナ(熱伝導性〜30W/mK)が主要フィラ
ーとして選択される。The thermal conductivity of a typical resin composition is greatly affected by the type and content of the ceramic filler present in the resin matrix. To get the maximum heat dissipation capacity,
Alumina (thermal conductivity 3030 W / mK) is selected as the primary filler instead of conventional fused silica (thermal conductivity 11.3 W / mK).
【0023】フィラー添加量は総エポキシ樹脂組成物の
80重量%、好ましくは84重量%以上でなければなら
ない。フィラーの量が80重量%未満であると、生成す
る組成物は、熱伝導性を高めそして熱膨張を低めるには
不十分である。他方、フィラーの量が92重量%を超え
ると、生成樹脂組成物の流動性が低下することがある。
したがって容認できるフィラー含有量は80〜92重量
%でなければならない。注意深く選択された微細なヒュ
ーズド又は結晶性シリカはトランスファー成形中に溶融
樹脂組成物の流れを容易にし、エアーベントのバリを減
少させることも促進する。The amount of filler added must be at least 80% by weight of the total epoxy resin composition, preferably at least 84% by weight. If the amount of filler is less than 80% by weight, the resulting composition is insufficient to increase thermal conductivity and reduce thermal expansion. On the other hand, if the amount of the filler exceeds 92% by weight, the fluidity of the resulting resin composition may decrease.
Therefore, the acceptable filler content must be 80-92% by weight. Carefully selected fine fused or crystalline silica facilitates the flow of the molten resin composition during transfer molding and also helps reduce air vent burrs.
【0024】上記の基準を満たす典型的フィラー分布は
好ましくは(i)0.5〜1.0μm、(ii)6.0〜3
0.0μm及び(iii)30.0-100.0μmの領域に
3つのピークを形成しなければならない。1.0μmか
ら6.0μmまでの間の鞍部の最低点は総エポキシ樹脂
組成物の少なくとも0.5%、より好ましくは1.0%よ
りも多くなければならない。最小ピーク(i)は本来溶
融シリカ又は結晶性シリカのどちらかである微細シリカ
フィラーからなる。これらの微細フィラーは流動性を促
進する潤滑性ベアリングとして働き、トランスファー成
形中の空気抜きフラッシュを最小にする。このようなフ
ィラーが多すぎても少なすぎてもこれらの機能は果たせ
なくなり得る。本発明において、ピーク(i)と鞍部の
フィラーは総樹脂組成物の3.0〜6.0重量%を占める
ように巧妙に設計され、最大サイズが8μm以下であ
る。8μmを超えるフィラーは上記の機能を果たすため
には無効である。Typical filler distributions meeting the above criteria are preferably (i) 0.5-1.0 μm, (ii) 6.0-3.
Three peaks must be formed in the region of 0.0 μm and (iii) 30.0-100.0 μm. The lowest point of the saddle between 1.0 μm and 6.0 μm should be at least 0.5%, more preferably more than 1.0% of the total epoxy resin composition. The minimum peak (i) consists of a fine silica filler which is essentially either fused silica or crystalline silica. These fine fillers act as lubricating bearings to promote flow and minimize air bleed flush during transfer molding. If the amount of such filler is too large or too small, these functions may not be fulfilled. In the present invention, the filler of the peak (i) and the saddle portion is cleverly designed to occupy 3.0 to 6.0% by weight of the total resin composition, and the maximum size is 8 μm or less. Fillers exceeding 8 μm are ineffective for performing the above functions.
【0025】さらに、球状フィラー並びに広いフィラー
分布が良い流動性及び加工適性を維持するには必要であ
る。球状フィラーは上記樹脂組成物の研磨性及び弾性率
の減少にも役立つ。In addition, spherical fillers and broad filler distributions are necessary to maintain good fluidity and processability. The spherical filler also helps to reduce the abrasiveness and elastic modulus of the resin composition.
【0026】BGA及びその他のワン−サイドモールド
パッケージの場合、正確な同一平面性は表面実装のため
に重要な必須条件である。そりは、基板と封止材(これ
は普通は前者より高い熱膨張率を有する)との間の熱的
不適合の結果であることが多い。フィラー充填をより高
くすると、EMCの熱膨張係数(CTE)並びに熱によ
る収縮は減少し、生じるそりを最小にすることができ
る。For BGA and other one-side mold packages, accurate coplanarity is an important prerequisite for surface mounting. Warpage is often the result of a thermal mismatch between the substrate and the encapsulant, which usually has a higher coefficient of thermal expansion than the former. With higher filler loading, the coefficient of thermal expansion (CTE) of EMC as well as thermal shrinkage is reduced, and the resulting warpage can be minimized.
【0027】本発明の樹脂組成物におけるアルミナフィ
ラーのもう一つの決定的役割は、難燃剤としての役割で
ある。アルミナの表面の水の顕微鏡的存在はフィラーを
加水分解して水酸化アルミニウムを生成している。加熱
又は燃焼プロセス中に、これらの金属水酸化物が吸熱反
応を受けてその含有水分を放出し、アルミナに戻る。こ
うすることによって、それは前記有機樹脂の網目構造に
必須の難燃性を与える。Another critical role of the alumina filler in the resin composition of the present invention is its role as a flame retardant. The microscopic presence of water on the surface of the alumina hydrolyzes the filler to produce aluminum hydroxide. During the heating or combustion process, these metal hydroxides undergo an endothermic reaction, releasing their contained moisture and returning to alumina. By doing so, it provides the essential flame retardancy to the organic resin network.
【0028】その上、燃焼中に有機樹脂のラジカルはア
ルミナフィラーに結合し、難燃剤である水酸化アルミニ
ウムを形成する。 [Al2O3+6OH-→2Al(OH)3+3O2-]In addition, during combustion, the radicals of the organic resin combine with the alumina filler to form aluminum hydroxide, a flame retardant. [Al 2 O 3 + 6OH − → 2Al (OH) 3 + 3O 2- ]
【0029】上記のメカニズムによって、本発明の樹脂
組成物は臭素化エポキシ樹脂等の従来のいかなる難燃剤
も含まない。その結果、臭素、アンチモン及びホウ素化
合物を含まない環境にやさしいEMCが提供される。そ
の他の結果としては、高価なアルミナ充填樹脂組成物を
リサイクルし得る。Due to the mechanism described above, the resin composition of the present invention does not contain any conventional flame retardants such as brominated epoxy resins. The result is an environmentally friendly EMC that is free of bromine, antimony and boron compounds. Another consequence is that expensive alumina-filled resin compositions can be recycled.
【0030】しかし、付加的な難燃剤を含まない樹脂組
成物は、UL−94(アンダーライター・ラボラトリー
−USA)のV−0可燃性規格に合格するためには比較
的多量のフィラーを含まなければならない。V−0規格
に合格するのは、総フィラー含有量(FC、重量%)対
総樹脂含有量(RC、重量%)の比が最小値10.5に
達したときである。この最小閾値以下では前記材料はU
L−94規格のV−1となる。However, the resin composition without additional flame retardant must contain a relatively large amount of filler in order to pass the UL-094 (Underwriters Laboratory-USA) V-0 flammability standard. Must. Passing the V-0 standard is when the ratio of total filler content (FC, wt%) to total resin content (RC, wt%) reaches a minimum value of 10.5. Below this minimum threshold the material is U
It becomes V-1 of the L-94 standard.
【0031】本発明に用いられる硬化促進剤は、それが
成分(A)のエポキシ基と成分(B)のヒドロキシル基
との反応を促進し得る限り、いかなる材料でもよい。一
般に封止材として用いられ、例えばジアザビシクロウン
デセン(DBU)、トリフェニルホスフィン(TP
P)、ベンジルジメチルアミン(BDMA)、2−メチ
ルイミダゾール(2−MZ)等の硬化促進剤が広く用い
られる。これらの化合物は単独で又は2種類以上を組み
合わせて用いることができる。The curing accelerator used in the present invention may be any material as long as it can promote the reaction between the epoxy group of component (A) and the hydroxyl group of component (B). Generally used as a sealing material, for example, diazabicycloundecene (DBU), triphenylphosphine (TP
Curing accelerators such as P), benzyldimethylamine (BDMA), and 2-methylimidazole (2-MZ) are widely used. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
【0032】硬化促進剤は総エポキシ樹脂組成物の0.
1ないし0.4重量%の量を用いるのが好ましい。0.1
重量%未満の量では生成した成形製品の硬度が低下し離
型性が悪化する傾向がある。0.4重量%より多い量で
は反応が不都合に速やかに進み、流動性が減少する傾向
がある。[0032] The curing accelerator is used in an amount of 0.1% of the total epoxy resin composition.
It is preferred to use an amount of 1 to 0.4% by weight. 0.1
If the amount is less than% by weight, the hardness of the formed molded product tends to decrease and the releasability tends to deteriorate. If the amount is more than 0.4% by weight, the reaction proceeds unfavorably quickly and the fluidity tends to decrease.
【0033】封止に用いられる本発明のエポキシ樹脂組
成物は、必須成分としてエポキシ樹脂、硬化剤、無機フ
ィラー及び硬化促進剤を含む。樹脂組成物は必要なら
ば、さらにシランカップリング剤、離型剤(天然ワック
ス又は合成ワックス等)、応力抑制剤(シリコーン油又
はゴム等)のような種々の添加剤を含むことができる。The epoxy resin composition of the present invention used for sealing contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler and a curing accelerator as essential components. If necessary, the resin composition may further contain various additives such as a silane coupling agent, a release agent (such as a natural wax or a synthetic wax), and a stress suppressant (such as silicone oil or rubber).
【0034】本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形
材料として製造する際には、エポキシ樹脂、硬化剤、硬
化促進剤、フィラー及びその他の添加剤をミキサー等を
用いて十分、そして均質に混合する;それから上記混合
物を熱ロール、ニーダー等を用いて溶融混練する;混練
した生成物を冷却し、粉砕する。こうして得られた成形
材料を、電子部品又は電気部品の封止、コーティング、
絶縁等のために用いる。When the encapsulating epoxy resin composition of the present invention is produced as a molding material, the epoxy resin, curing agent, curing accelerator, filler and other additives are sufficiently and uniformly mixed using a mixer or the like. Mixing; then melt kneading the mixture using a hot roll, kneader, etc .; cool and mill the kneaded product. The molding material thus obtained is used for sealing or coating electronic or electric components.
Used for insulation etc.
【0035】本発明により、特に、高い熱伝導性、低い
熱膨張性及び低い水分吸収性を有する環境にやさしい樹
脂組成物を得ることができる。そのような組み合わせは
従来例では達成されなかった。According to the present invention, an environmentally friendly resin composition having particularly high thermal conductivity, low thermal expansion and low water absorption can be obtained. Such a combination has not been achieved in the prior art.
【0036】パッケージレベルでは、これらは(a)高
パワーデバイスの要求に合う良好な熱放散性、(b)良
いハンダクラッキング抵抗性、(c)低いそり、(d)
高HTSL性能及び(e)過剰のモールド材料のリサイ
クル可能性に言い換えられる。本発明のエポキシ樹脂組
成物は、電子部品又は電気部品、特に表面実装の目的の
ための一方側及び両方側モールド高出力集積チップIC
の封止、コーティング、絶縁等に用いることができる。At the package level, these are (a) good heat dissipation to meet the requirements of high power devices, (b) good solder cracking resistance, (c) low warpage, (d)
In other words, high HTSL performance and (e) recyclability of excess mold material. The epoxy resin composition of the present invention can be used as an electronic component or an electrical component, especially one-side and both-side molded high-output integrated chip ICs for surface mounting purposes.
Can be used for sealing, coating, insulation and the like.
【0037】[0037]
【実施例】本発明を以下に実施例によって詳細に説明す
る。実施例においては、配合に用いられる各成分の量は
重量部で表される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to the following embodiments. In the examples, the amounts of each component used in the formulation are expressed in parts by weight.
【0038】(実施例1)下記の成分類を下記の割合で
室温でミキサーを用いて混合し、二軸ロールを用いて7
0〜100℃で混練し、冷却し、粉砕して、モールド用
材料を得る。 一般式(III)Example 1 The following components were mixed at the following ratio at room temperature using a mixer, and mixed using a twin-screw roll.
It is kneaded at 0 to 100 ° C., cooled and pulverized to obtain a molding material. General formula (III)
【化3】 のエポキシ化合物(軟化点:108℃、エポキシ等量:
185g/等量):4.8重量部 一般式(II)Embedded image Epoxy compound (softening point: 108 ° C., epoxy equivalent:
185 g / equivalent): 4.8 parts by weight General formula (II)
【化2】 のパラキシレン変性フェノール樹脂系硬化剤(軟化点:
64〜69℃、エポキシ等量:175g/eq):1.
2重量部 フェノール ノボラック樹脂系硬化剤(軟化点:90
℃、ヒドロキシル基等量:105g/eq):1.5重
量部 アルミナフィラー 86.5重量部 溶融シリカ フィラー 4.0重量部 ジアザビシクロウンデセン(DBU) 0.2重量部 シラン カップリング剤 0.5重量部 応力抑制添加剤 0.7重量部 カーボンブラック 0.2重量部 離型剤 0.4重量部 パッケージレベルにおける性能試験では、同様なペレッ
トを種々の大きさに作ることから始める。試験の目的に
応じて、温度175℃、50〜80kgf/cm2で6
0秒間、ハンダレジストを有する有機基板上で(i)2
56ボールを有する27×27mmのオーバー・モール
デッド・プラスチック・ボール・グリッド・アレイ(O
MPBGA)、又は352ボールを有する35×35m
mPBGAに成形することができる。その後、より小さ
いチップ(6×6mm)を有するパッケージはそり試験
の前に175℃で5時間のモールド後硬化(PMC)を
受ける。(ii)そのなかのより大きいチップを有するそ
の他のパッケージ(14×14mm、ポリイミド(P
I)被覆)は60℃/60%RHの空気に120時間さ
らされる。(iii)同様に、上記ペレットは温度175
℃、100kgf/cm2で120秒間、PI及びSi
N(窒化珪素)をコーティングした9×9mmの大きさ
のチップを封入した80ピンQFP(14×20mm)
にモールドされる。モールド後、エアーベントのバリの
平均長さを測定する。エアーベントの深さ〜25−30
μmを有する35×35mmPBGAでは、必要なバリ
の長さは約0.5〜1.0mmである。その後それらパッ
ケージは175℃で4時間のPMCのために送られる。Embedded imageParaxylene-modified phenolic resin-based curing agent (softening point:
64-69 ° C, epoxy equivalent: 175 g / eq): 1.
2 parts by weight phenol novolak resin-based curing agent (softening point: 90
° C, hydroxyl equivalent: 105 g / eq): 1.5 fold
Quantity Alumina filler 86.5 parts by weight Fused silica filler 4.0 parts by weight Diazabicycloundecene (DBU) 0.2 parts by weight Silane coupling agent 0.5 parts by weight Stress suppression additive 0.7 parts by weight Carbon black 0.7 parts by weight 2 parts by weight0.4 parts by weight of release agent Performance tests at the package level show similar pellets.
Start by making the objects in various sizes. For testing purposes
Depending on the temperature, 175 ° C, 50-80kgf / cmTwoAt 6
(I) 2 for 2 seconds on an organic substrate having a solder resist
27 × 27mm overmold with 56 balls
Dead plastic ball grid array (O
MPBGA) or 35 x 35m with 352 balls
It can be molded into mPBGA. Then smaller
Package with a large chip (6 x 6 mm) is warped.
5 hours post-mold cure (PMC) at 175 ° C before
receive. (Ii) that has a larger chip in it;
Other package (14 × 14mm, polyimide (P
I) coating) is exposed to air at 60 ° C./60% RH for 120 hours.
Be sent. (Iii) Similarly, the pellets are at a temperature of 175
° C, 100kgf / cmTwoFor 120 seconds, PI and Si
9 x 9 mm size coated with N (silicon nitride)
80-pin QFP (14 x 20 mm) encapsulating the chip
Molded. After molding, the air vent burr
Measure the average length. Air vent depth ~ 25-30
For 35 × 35 mm PBGA with μm,
Has a length of about 0.5 to 1.0 mm. Then,
Cages are sent for PMC at 175 ° C. for 4 hours.
【0039】その後、パッケージはピーク温度が235
℃の赤外線(IR)オーブン中でJEDEC基準によっ
て種々の温度プロフィールを通して送られる。その後、
そのデバイスの表面に存在するすべての割れを顕微鏡を
用いて観察する。さらに、それらパッケージをCSAM
(C−モード走査型音響顕微鏡)を用いて、チップの頂
点及びこれらチップを有する基板成形化合物(iii)に
焦点をあてて薄片中間層を走査し、ハンダ付けクラッキ
ング試験のためのデバイスを得る。タブレットも16p
DIP(16ピン・デュアル・インライン・パッケー
ジ)に成形し、175℃でHTSL試験を行い、その後
回路抵抗を1.0Ωを超える数値で試験する(成形後の
電気抵抗の数値は一般的には<0.8Ωである。持続的
に高温にさらしている間、封入材内に存在する遊離イオ
ン、特に臭化物及びアンチモンは金ボール結合を侵食
し、例えばカーケンドール空隙を形成し、それはより高
い電気抵抗に導く)。結果は平均寿命によって表され
る。Thereafter, the package has a peak temperature of 235.
Sent through various temperature profiles according to JEDEC standards in an infrared (IR) oven at 0 ° C. afterwards,
All cracks present on the surface of the device are observed using a microscope. In addition, these packages are
Using a (C-mode scanning acoustic microscope), the flake interlayer is scanned focusing on the apex of the chips and the substrate molding compound (iii) with these chips to obtain a device for the solder cracking test. 16p tablet
DIP (16-pin dual in-line package), HTSL test at 175 ° C, and then test circuit resistance at a value exceeding 1.0Ω (the electrical resistance value after molding is generally < During continuous high temperature exposure, free ions present in the encapsulant, especially bromide and antimony, erode the gold ball bonds, forming, for example, Kirkendall voids, which have higher electrical resistance. Lead to). The result is represented by the average life.
【0040】EMCの熱伝導性の測定では、先ずタブレ
ットを作り、それから低圧トランスファー成形機を用い
て300秒間、175℃、150kgf/cm2で、直
径40mm、高さ25×5mmの円筒状塊にする。In the measurement of the thermal conductivity of EMC, a tablet was first prepared and then formed into a cylindrical mass having a diameter of 40 mm and a height of 25 × 5 mm at 175 ° C. and 150 kgf / cm 2 for 300 seconds using a low-pressure transfer molding machine. I do.
【0041】(実施例2〜3)エポキシ樹脂組成物を表
1に示すそれぞれの処方に配合し、実施例1と同じ操作
を行って成形材料を得る。試験目的のためのデバイスを
これらの成形材料を用いて製造し、そり試験、ハンダ付
け抵抗試験及びHTSL試験を行う。結果は表1に示
す。(Examples 2 to 3) The epoxy resin compositions were blended into the respective formulations shown in Table 1, and the same operation as in Example 1 was performed to obtain a molding material. Devices for test purposes are manufactured using these molding materials and subjected to warpage, soldering resistance and HTSL tests. The results are shown in Table 1.
【0042】(比較実施例1〜5)エポキシ樹脂組成物
を表1に示すそれぞれの処方に配合し、実施例1と同じ
操作を行って成形材料を得る。試験目的のためのデバイ
スをこれらの成形材料を用いて製造し、ハンダクラック
試験を行う。それらは特殊の応用分野に顕著な性能を有
する3つの確立グレードを水準点として含み、開発中の
2中間体サンプルを含んでいた。結果を表1に示す。(Comparative Examples 1 to 5) The epoxy resin compositions were blended into the respective formulations shown in Table 1, and the same operation as in Example 1 was performed to obtain a molding material. Devices for test purposes are manufactured using these molding materials and subjected to a solder crack test. They included as benchmarks three established grades with significant performance for specific applications, and included two intermediate samples under development. Table 1 shows the results.
【表1】 [Table 1]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (72)発明者 タット ホン タン シンガポール共和国、シンガポール 461001 ♯08−210、チャイ チー ロー ド、ビー・エル・ケイ 1 (72)発明者 ナオキ モギ シンガポール共和国、シンガポール 596746、シグネイチャー・パーク ♯04− 12、トー タック ロード、ビー・エル・ ケイ 56 (72)発明者 リー リン アン マレーシア国、ジョホール、ジョホール ジャヤ 81100 ジェイ ビー、ジャラン ペソナ タマン、101 Fターム(参考) 4J002 CC03X CC27X CD04W DE146 DJ016 FD016 FD157 GQ05 4J036 AD07 DA02 FA02 FB07 FB08 JA07 4M109 AA01 EA03 EB03 EB12 EB13──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (72) Inventor Tat Hong Tan Singapore, Singapore 461001 ♯08 −210, Chai Chi Road, BB Kay 1 (72) Inventor Naoki Mogi Singapore, Singapore 596746, Signature Park ♯04−12, Totak Road, BK Kay 56 (72) Inventor Lee Lin Ann Malaysia, Johor, Johor Jaya 81100 JB, Jalan Pesona Taman, 101F Term (Reference) 4J002 CC03X CC27X CD04W DE146 DJ016 FD016 FD157 GQ05 4J036 AD07 DA02 FA02 FB07 FB08 JA07 4M109 AA01 EB03 EB03 EB03 EB03 EB03 EB03
Claims (8)
樹脂組成物であって: (A)一般式(I) 【化1】 (式中、R1〜R8は同じであっても異なってもよく、
各々が水素原子とアルキル基からなる群から選択される
原子又は基である。)によって表されるエポキシ樹脂と
(B)フェノール樹脂と(C)前記エポキシ樹脂組成物
の80〜92重量%を構成する酸化アルミニウム(アル
ミナ)とシリカフィラーとの混合物であって、前記フィ
ラー重量対(A)エポキシ樹脂と(B)フェノール樹脂
との合計重量の比が少なくとも10.5以上である前記
混合物と(D)前記エポキシ樹脂組成物の0.1〜0.4
重量%の硬化促進剤とを含むエポキシ樹脂組成物。An epoxy resin composition used for encapsulating a semiconductor device, comprising: (A) a compound represented by the following general formula (I): (Wherein, R1 to R8 may be the same or different,
Each is an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom and an alkyl group. (B) a phenolic resin, and (C) a mixture of aluminum oxide (alumina) and silica filler constituting 80 to 92% by weight of the epoxy resin composition. The mixture of (A) epoxy resin and (B) the total weight of phenolic resin is at least 10.5 or more and (D) 0.1 to 0.4 of the epoxy resin composition.
An epoxy resin composition comprising, by weight, a curing accelerator.
ール樹脂(B)のヒドロキシル基等量あたり0.8ない
し1.2倍のエポキシ等量となるような量で用いられる
請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。2. The method according to claim 1, wherein the epoxy resin (A) is used in an amount such that the epoxy equivalent is 0.8 to 1.2 times per hydroxyl equivalent of the phenol resin (B). Epoxy resin composition.
I) 【化2】 (式中、nは0ないし5の整数である。)のフェノール
樹脂を総フェノール樹脂の20〜100重量%含む請求
項1又は請求項2記載のエポキシ樹脂組成物。3. The phenolic resin (B) has a general formula (I)
I) 3. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the phenolic resin (where n is an integer of 0 to 5) is contained in an amount of 20 to 100% by weight of the total phenolic resin.
が最大粒径8μm以下のシリカフィラーを含む請求項
1、請求項2又は請求項3記載のエポキシ樹脂組成物。4. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein said alumina and silica filler mixture contains a silica filler having a maximum particle size of 8 μm or less.
物の3〜6重量%を構成する請求項1〜4のいずれか1
項記載のエポキシ樹脂組成物。5. The method according to claim 1, wherein said silica filler constitutes 3 to 6% by weight of the epoxy resin composition.
Item 10. The epoxy resin composition according to Item 1.
−0規格の難燃性に到達し得る請求項1〜5のいずれか
1項記載のエポキシ樹脂組成物。6. The V of UL-94 even when a flame retardant is not present.
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the epoxy resin composition can reach a flame retardancy of -0 standard.
キシ樹脂組成物を用いて製造される半導体装置。7. A semiconductor device manufactured by using the epoxy resin composition according to claim 1.
導体装置にエポキシ樹脂組成物を提供する工程を含み、
該エポキシ樹脂組成物が請求項1〜6のいずれか1項に
限定されているようなエポキシ樹脂組成物であることを
特徴とする半導体装置の製造方法。8. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: providing an epoxy resin composition to the semiconductor device;
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the epoxy resin composition is an epoxy resin composition as defined in any one of claims 1 to 6.
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186651A (en) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Nec Corp | Semiconductor device and its manufacture |
| KR100849585B1 (en) | 2006-01-17 | 2008-07-31 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | Heat radiant insulating resin composition and printed circuit using the same |
| CN100424845C (en) * | 2005-07-19 | 2008-10-08 | 富士通株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN112226041A (en) * | 2020-10-12 | 2021-01-15 | 江苏华海诚科新材料股份有限公司 | High-thermal-conductivity epoxy resin composition and preparation method thereof |
-
2001
- 2001-10-03 JP JP2001307837A patent/JP2002179763A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186651A (en) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Nec Corp | Semiconductor device and its manufacture |
| CN100424845C (en) * | 2005-07-19 | 2008-10-08 | 富士通株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7683412B2 (en) | 2005-07-19 | 2010-03-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device having a ferroelectric capacitator |
| US7915054B2 (en) | 2005-07-19 | 2011-03-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having a ferroelectric capacitor |
| KR100849585B1 (en) | 2006-01-17 | 2008-07-31 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | Heat radiant insulating resin composition and printed circuit using the same |
| CN112226041A (en) * | 2020-10-12 | 2021-01-15 | 江苏华海诚科新材料股份有限公司 | High-thermal-conductivity epoxy resin composition and preparation method thereof |
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