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JP2002175645A - 光ディスク - Google Patents

光ディスク

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Publication number
JP2002175645A
JP2002175645A JP2000372089A JP2000372089A JP2002175645A JP 2002175645 A JP2002175645 A JP 2002175645A JP 2000372089 A JP2000372089 A JP 2000372089A JP 2000372089 A JP2000372089 A JP 2000372089A JP 2002175645 A JP2002175645 A JP 2002175645A
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JP
Japan
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layer
information recording
recording layer
light
adhesive
Prior art date
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Application number
JP2000372089A
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English (en)
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JP4239403B2 (ja
Inventor
Sakuya Tamada
作哉 玉田
Hidetoshi Watanabe
英俊 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Priority to TW090129995A priority patent/TWI223250B/zh
Priority to US10/006,958 priority patent/US7079479B2/en
Priority to MYPI20015539A priority patent/MY136918A/en
Priority to KR1020010076865A priority patent/KR100849834B1/ko
Priority to CNB01138171XA priority patent/CN1197068C/zh
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報記録層を有機材料によって形成した光デ
ィスクの高密度記録化を達成する。 【解決手段】 情報記録層３上に、窒化物層７と酸化物
層８とを順次積層した誘電体層４を形成し、誘電体層４
上に、粘着剤を介して光透過層５を貼り付ける。情報記
録層３と光透過層５との間に誘電体層４が形成されてい
るため、情報記録層３を形成している有機材料が、光透
過層５を貼り付けるために使用した粘着剤に拡散するこ
とがなくなる。また、窒化物層７が形成された上に酸化
物層８が形成されているため、情報記録層３が酸化物層
８を形成するときに生じる酸素プラズマによって劣化す
ることがない。また、窒化物層７は１０ｎｍ以下とされ
ているため、光学的エンハンスメント効果に影響するこ
とがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に少なくと
も情報記録層と誘電体層と光透過層とが順次積層されて
なり、光透過層を介して上記情報記録層に光が照射され
ることで情報信号の記録及び／又は再生が行われる光デ
ィスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に情報信号を記録する
情報記録層や反射層などが積層され、情報記録層に光が
照射されることによって情報信号の記録再生が行われる
光ディスクが普及している。この光ディスクにおいて
は、できるだけ多くの情報を記録可能とすべく、記録密
度の高密度化が盛んに行われている。
【０００３】この光ディスクにおける記録密度の高密度
化は、主に記録再生装置において、照射するレーザ光の
波長を短くすること、及び対物レンズの開口数（以下、
開口数をＮＡと称する。）を大きくすることによって達
成される。例えば、窒化物半導体ＩｎＧａＮからなり、
波長約４００ｎｍ程度のレーザ光を出射する半導体レー
ザを用いるとともに、ＮＡを０．８以上とすることによ
って、記録容量を増大させることが可能となる。
【０００４】一方、従来の記録可能な光ディスクの一種
である例えば追記型光ディスク１００は、図１０に示す
ように、例えば厚さ１．２ｍｍの透明である基板１０１
の一主面上に案内溝１０２を刻むことによって信号記録
部が形成され、この信号記録部上に情報記録層１０３、
反射膜１０４、及び保護膜１０５が順次積層された構造
を有している。
【０００５】そして、追記型光ディスク１００に対して
情報信号の記録を行うときには、図示しない記録再生装
置に備えられた光ピックアップ用の対物レンズ１１０で
集光されたレーザ光１１１が、基板１０１を通して案内
溝１０２に沿って照射される。これにより、レーザ光１
１１のスポット位置で情報記録層１０３が昇温されて変
質し、記録する情報信号に応じた記録ピット（図示せ
ず。）が形成される。
【０００６】また、情報記録層１０３に記録された情報
信号を再生するときには、記録時よりも出力の小さいレ
ーザ光１１１を照射して反射光を検出する。そして、情
報ピットが形成された位置と、形成されていない位置と
における反射光量の違いによって情報ピットの有無を検
出し、これにより再生信号を得る。
【０００７】ところで、追記型光ディスク１００は、基
板１０１の厚さが１．２ｍｍとされており、この基板１
０１を通してレーザ光１１１を情報記録層１０３に照射
する構成とされている。一般に、光ディスクの高密度化
を進めるために高いＮＡを有する対物レンズを使用する
と、レーザ光を透過する光透過層（追記型光ディスク１
００の場合には、基板１０１がこれに相当する。）の厚
さが大きい程、レーザ光のスポット形状が光透過層のス
キュー角に大きく影響を受けることとなる。このため、
光ディスクの高密度記録化を達成するためには、光透過
層の厚さを小さくすることが必要となる。
【０００８】そこで、対物レンズの高ＮＡ化及びレーザ
光の短波長化によって光ディスクの高密度記録化を達成
するために、図１１に示すような書き換え型光ディスク
１２０が提案されている。書き換え型光ディスク１２０
は、基板１２１の一主面上に案内溝１２２を刻むことに
よって信号記録部が形成され、この信号記録部上に情報
記録層１２３と光透過層１２４とが順次積層された構造
を有しており、情報記録層１２３上に形成された光透過
層１２４を介して、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を有
する青色レーザ光１２５が照射される。
【０００９】この光透過層１２４は、紫外線硬化樹脂に
よって形成されるか、あるいは、ポリカーボネートなど
の透明な基板を、粘着剤により情報記録層１２３上に貼
り合わせることで形成される。そして、対物レンズのＮ
Ａが０．７８以上であるときには、この光透過層１２４
の厚さは、１０〜１７７μｍとされることが好ましい。
【００１０】書き換え型光ディスク１２０は、このよう
に薄い光透過層１２４側からレーザ光を照射することに
よって、対物レンズの高ＮＡ化及びレーザ光の短波長化
に対応し、高密度記録化を達成している。
【００１１】上述した書き換え型光ディスク１２０の情
報記録層を形成する材料としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などの相変化記録材料が挙
げられている。
【００１２】これらの相変化材料を用いて情報記録層を
形成したときには、吸収係数が大きいので、情報記録層
は原理的に光反射率を高く設定することができない。こ
のため、情報記録層がこれらの相変化材料によって形成
された光ディスクにおいては、情報を記録する前の光反
射率が１５％〜２５％程度とされている。このことか
ら、記録可能である次世代高密度光ディスクの規格に
は、光反射率が低いことを盛り込む必要性がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
有機材料を記録材料として用いた追記型でより安価な光
ディスクの需要が増大しており、青色レーザを光源とす
る光ディスク用の有機材料開発も進められている。
【００１４】上述したように、書き換え型光ディスク１
２０においては、情報を記録する前の光反射率（以下、
初期反射率とする。）を１５％〜２５％とする必要性が
ある。そこで、青色レーザに対応した追記型光ディスク
についても、初期反射率を１５％〜２５％とすることが
望ましい。情報記録層を有機材料によって形成するとき
に光ディスクの初期反射率を１５％〜２５％とする方法
としては、特願平２０００−０８６６８７号に記載され
ているように、情報記録層を形成する有機材料の屈折率
ｎを２．３以上とすることが挙げられる。
【００１５】しかしながら、２．３以上の屈折率を有す
る有機材料によって情報記録層を形成すると、青色レー
ザの波長に適合する分光吸収スペクトルや、耐熱性、耐
候性、記録媒体ノイズを抑制するための非結晶性などの
諸条件を満たす材料が少ない。
【００１６】また、追記型光ディスクのコストや量産性
を考慮すると、粘着剤によって光透過層を貼り付けるこ
とが望ましい。しかしながら、有機材料によって情報記
録層を形成し、情報記録層上に直接粘着剤を介して光透
過層を形成したときには、情報記録層と粘着剤とが直接
接触してしまい、情報記録層を構成する有機材料が粘着
剤に拡散したり、粘着剤と反応したりして情報記録層が
劣化してしまうといった問題が生じる。これは、粘着剤
中に用いられている例えば酢酸ポリマーなどの溶媒に、
有機材料が溶解するためと考えられる。このため、情報
記録層上に誘電体層を形成し、粘着剤への情報記録層の
拡散を防止することが要求される。
【００１７】一方、屈折率が２．３未満である有機材料
によって情報記録層を形成したときには、材料の選択の
自由度は増すものの、光ディスクの初期反射率を１５％
〜２５％とすることができなくなる。このときには、情
報記録層上に誘電体層を形成して、多重干渉による光学
的エンハンスメント効果を得ることで、光ディスクの初
期反射率を１５％〜２５％とすることが可能となる。効
果的な光学的エンハンスメント効果を得るためには、こ
の誘電体層ができるだけ低い屈折率を有する材料によっ
て形成される必要性がある。
【００１８】以上説明したように、情報記録層を屈折率
が２．３以上である有機材料によって形成した場合に
も、屈折率が２．３以下である有機材料によって形成し
た場合にも、情報記録層上には、できるだけ屈折率が低
く且つ緻密な膜質を有する誘電体層を形成することが要
求される。
【００１９】屈折率が低い誘電体層を形成するための材
料としては、ＭｇＦ２などのフッ化物や、ＳｉＯ２など
の酸化物が挙げられる。これらの材料はＲＦプラズマス
パッタ法によって成膜されることが可能であり、また、
ＭｇＦ２は蒸着法によって、ＳｉＯ２は電子ビーム蒸着
法によって成膜されることが可能である。しかしなが
ら、上述した方法によってＭｇＦ２やＳｉＯ２による誘
電体層を形成したときには、形成速度が遅いため、光デ
ィスクの量産性が不十分なものとなる。また、上述した
方法は、誘電体層を所定の組成とすることが困難とな
り、形成された誘電体層は透明度が低いものなったり、
膜表面の平滑性が不十分なものとなる。
【００２０】また、シリコンターゲットを用いた酸素プ
ラズマによる反応性スパッタを行うことで、ＳｉＯ２膜
を形成する方法も挙げられる。しかしながら、この方法
によってＳｉＯ２膜を形成したときには、形成速度は十
分であるものの、形成中に生じる酸素プラズマによって
有機材料が変質してしまい、情報記録層３が劣化する。
【００２１】以上の理由により、ＭｇＦ２などのフッ化
物やＳｉＯ２などの酸化物などを、情報記録層上に直接
形成することは困難となる。
【００２２】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、光透過層を介して上記情報記録
層に光が照射されることで情報信号の記録再生が行わ
れ、有機材料によって形成された情報記録層上に粘着剤
を介して光透過層を貼り合わせたときに、情報記録層が
劣化することがない光ディスクを提供することを目的と
する。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
は、基板上に少なくとも有機材料からなる情報記録層と
誘電体層と光透過層とが順次積層されてなり、光透過層
を介して上記情報記録層に光が照射されることで情報信
号の記録及び／又は再生が行われる光ディスクにおい
て、上記誘電体層は窒化物層と酸化物層又はフッ化物層
との積層構造とされており、上記窒化膜の厚さが１０ｎ
ｍ以下とされていることを特徴とする。
【００２４】本発明に係る光ディスクは、情報記録層上
に誘電体層が形成されている。したがって、本発明に係
る光ディスクは、光透過層を貼り付けるために使用した
粘着剤が情報記録層と直接接触することがなく、情報記
録層を形成する有機材料の劣化が防止される。
【００２５】また、本発明に係る光ディスクは、誘電体
層が窒化物と酸化物又はフッ化物との積層構造とされて
いる。したがって、本発明に係る光ディスクは、反応性
スパッタ法によって酸化物層を形成したときにも、酸素
プラズマによって情報記録層を形成する有機材料を劣化
させることがなくなる。
【００２６】また、本発明に係る光ディスクは、窒化物
層の厚さが１０ｎｍ以下とされているため、高い屈折率
を有する窒化物層が形成されているにも拘わらず、光学
的エンハンスメント効果の妨げとなることがない。した
がって、本発明に係る光ディスクは、記録前の光反射率
を十分に確保することが可能となる。
【００２７】また、本発明に係る光ディスクは、窒化物
層上に、低い屈折率を有する酸化物層又はフッ化物層が
形成されている。したがって、本発明に係る光ディスク
は、多重干渉による光学的エンハンスメント効果が得ら
れ、記録前の光反射率を十分に確保することが可能とな
る。また、本発明に係る光ディスクは、誘電体層の機械
的強度が十分なものとなる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した光ディス
クについて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２９】なお、本発明は以下の例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変
更可能であることは言うまでもない。
【００３０】図１に示すように、光ディスク１は、基板
２上に、情報記録層３と、誘電体層４とが順次積層され
た構成とされており、誘電体層４上に粘着剤によって光
透過層５が貼り合わされている。
【００３１】光ディスク１は、光透過層５を介して、情
報記録層３に３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を有するレ
ーザ光６が照射されることで、情報信号の記録再生が行
われ、情報を記録する前の光反射率（以下、初期反射率
とする。）が１５％〜２５％とされており、情報を記録
した後の光反射率が０％〜１０％とされている次世代高
密度光ディスクの規格に対応したものである。
【００３２】基板２は、例えば、ポリカーボネート樹
脂、アモルファスポリオレフィン樹脂などの樹脂によっ
て、円盤状に、１．２ｍｍの厚さで形成されている。
【００３３】情報記録層３は、情報信号が記録される層
であり、ここでは有機材料の光反射率の変化を利用して
情報信号が記録される。情報記録層３は、例えば、シア
ニン系、メロシアニン系、フタロシアニン系、ポルフィ
リン系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノ
ン系、インドフェノール系などの有機色素をテトラフル
オロプロパノールに溶解して、基板２上に塗布すること
によって形成される。
【００３４】光透過層５は、例えばポリカーボネート樹
脂などによって形成される。光透過層５は、情報記録層
３を保護すると共に、記録再生装置からの光を透過す
る。光透過層５を透過した光は、情報記録層３に照射さ
れる。
【００３５】誘電体層４は、窒化物層７と酸化物層８と
の積層構造とされている。窒化物層７を形成する材料と
しては、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮなどが挙げられる。酸化物
層８を形成する材料としては、ＳｉＯ２などが挙げられ
る。なお、酸化物層８の代わりにフッ化物層を形成して
も良い。フッ化物層を形成する材料としては、ＭｇＦ ２
などが挙げられる。
【００３６】情報記録層３上に誘電体層４が形成される
ことによって、情報記録層３と粘着剤とが直接接触する
ことがなくなり、情報記録層３を形成する有機材料が粘
着剤へ拡散したり、粘着剤と反応したりすることによっ
て、情報記録層３が劣化することがなくなる。
【００３７】ところで、誘電体層４は、以下に示す理由
により、屈折率が低い材料によって形成されることが好
ましい。
【００３８】光ディスク１においては、前記の次世代高
密度光ディスクの規格に対応するために、初期反射率が
１５％〜２５％とされている。そして、例えば有機材料
の屈折率を２．３以上とすることにより、１５％〜２５
％の初期反射率を達成することができる。
【００３９】しかしながら、２．３以上の屈折率を有す
る有機材料によって情報記録層３を形成すると、情報記
録層３が青色レーザの波長に適合する分光吸収スペクト
ルや、非結晶性、耐熱性、耐候性など、屈折率以外の諸
条件を満たすことが困難となる。
【００４０】ここで誘電体層４を屈折率が低い材料によ
って形成すると、多重干渉による光学的エンハンスメン
ト効果が利用でき、情報記録層３を２．３未満の屈折率
を有する材料によって形成したときにも、光ディスク１
の初期反射率を１５％〜２５％とすることが可能とな
る。
【００４１】屈折率が低い材料としては、ＳｉＯ２など
の酸化物やＭｇＦ２などのフッ化物が挙げられる。Ｓｉ
Ｏ２やＭｇＦ２の成膜方法としては、蒸着法、電子ビー
ム蒸着法、ＲＦプラズマスパッタ法などが挙げられる。
しかしながら、誘電体層の量産性や透明度などを考慮す
ると、誘電体層４は、反応性スパッタ法によって形成す
ることが望ましい。
【００４２】本発明を適用した光ディスク１の誘電体層
４は、情報記録層３上に窒化物層７が形成され、窒化物
層７上に酸化物層８が形成された構造を有している。こ
のため、酸化物層８を酸素プラズマによる反応性スパッ
タ法によって形成することができる。これは、情報記録
層３上に窒化物層７が形成されているために、反応性ス
パッタ法で酸化物層８を形成するときに生じる酸素プラ
ズマによって、情報記録層３を形成している有機材料が
劣化することがなくなるためである。
【００４３】ここで、誘電体層４を窒化物層７と酸化物
層８との積層構造とし、誘電体層４上に粘着剤によって
光透過層５を貼り付けることで、情報記録層３の劣化が
防止されることについて、図２乃至図５を用いて詳細に
説明する。なお、図２乃至図５に示される矢印は、照射
された光の反射及び透過を示している。
【００４４】先ず、図２に示すように、ポリカーボネー
ト基板１０上に、厚さ８０ｎｍの情報記録層１１を形成
し、粘着剤１２を介してポリカーボネートフィルム１３
を貼り付け、第１の試作ディスクを作製した。そして、
第１の試作ディスクに対してポリカーボネートフィルム
１３側からレーザ光を照射し、このレーザ光の光反射率
及び光透過率を測定したところ、以下の表１に示す結果
となった。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１に示すように、第１の試作ディスク
は、理論値と比較して、光反射率は同程度とされている
ものの、光透過率は高くなることが判明した。すなわ
ち、情報記録層１１の屈折率及び光吸収係数が変化して
いること、又は情報記録層１１が粘着剤１２へ拡散して
いることなどによって、情報記録層１１が劣化している
ことが判明した。
【００４７】また、第１の試作ディスクの光透過率及び
光反射率を用いて情報記録層１１の屈折率及び光吸収係
数を算出した結果を表２に示す。これにより、情報記録
層１１の屈折率及び光吸収係数は、理論値とは異なって
いることがわかる。したがって、情報記録層１１は変質
していると考えられる。
【００４８】次に、図３に示すように、ポリカーボネー
ト基板２０上に、厚さ１００ｎｍの情報記録層２１と、
厚さ４０ｎｍのＳｉＯ２層２２とを順次形成し、第２の
試作ディスクを作製した。そして、第２の試作ディスク
に対してＳｉＯ２層２２側からレーザ光を照射し、この
レーザ光の光反射率及び光透過率を測定したところ、以
下の表２に示す結果となった。
【００４９】
【表２】
【００５０】表２に示すように、第２の試作ディスク
は、理論値と比較して、光反射率及び光透過率が高くな
ることが判明した。すなわち、ＳｉＯ２層２２を形成し
たときに生じた酸素プラズマによって情報記録層２１が
劣化したこと、又は情報記録層２１の屈折率及び光吸収
係数が変化していることなどによって、情報記録層２１
が劣化していることが判明した。
【００５１】また、第２の試作ディスクの光透過率及び
光反射率を用いて情報記録層２１の屈折率及び光吸収係
数を算出した結果を表２に示す。これにより、情報記録
層２１の屈折率及び光吸収係数は、理論値とは異なって
いることがわかる。したがって、情報記録層２１は変質
していると考えられる。
【００５２】次に、図４に示すように、ポリカーボネー
ト基板３０上に、厚さ１００ｎｍの情報記録層３１と、
厚さ５ｎｍのＳｉ３Ｎ４層３２と、厚さ３５ｎｍのＳｉ
Ｏ２層３３とを順次形成し、第３の試作ディスクを作製
した。そして、第３の試作ディスクに対してＳｉＯ２層
３３側からレーザ光を照射し、このレーザ光の光反射率
及び光透過率を測定したところ、以下の表３に示す結果
となった。
【００５３】
【表３】
【００５４】表３に示すように、第３の試作ディスク
は、光反射率及び光透過率はいずれも理論値とほぼ一致
することが判明した。すなわち、情報記録層３１は劣化
していないことが判明した。
【００５５】表３に示すように、第３の試作ディスクに
おいては、情報記録層３１が劣化しないことが判明し
た。そこで、図５に示すように、ＳｉＯ２層３３上に粘
着剤３４によってポリカーボネートフィルム３５を貼り
付けて、第４の試作ディスクを作製した。そして、第４
の試作ディスクに対してポリカーボネートフィルム３５
側からレーザ光を照射し、このレーザ光の光反射率及び
光透過率を測定したところ、以下の表４に示す結果とな
った。
【００５６】
【表４】
【００５７】表４に示すように、第４の試作ディスク
は、光反射率及び光透過率がいずれも理論値とほぼ一致
することが判明した。すなわち、情報記録層３１は劣化
していないことが判明した。
【００５８】上述したように、構成の異なる第１〜第４
の試作ディスクを作製し、光透過率と光反射率とを測定
した結果から、誘電体層４を窒化物層７と酸化物層８と
の積層構造とし、誘電体層４上に粘着剤によって光透過
層５を貼り付けることで、情報記録層３の劣化が防止さ
れることがわかる。
【００５９】以上説明したように、本発明を適用した光
ディスク１は、情報記録層３上に誘電体層４が形成さ
れ、誘電体層４上に粘着剤によって光透過層５が貼り付
けられているために、情報記録層３と粘着剤とが直接接
触することがない。したがって、情報記録層３を形成し
ている有機材料が粘着剤へ拡散したり、粘着剤と反応し
たりすることによって、情報記録層３が劣化することが
なくなる。
【００６０】また、本発明を適用した光ディスク１は、
情報記録層３上に窒化物層７が形成されており、窒化物
層７上に酸化物層８が形成されている。このため、反応
性スパッタ法によって酸化物層８を形成するときに生じ
る酸素プラズマが、情報記録層３を形成している有機材
料を劣化させることを防止できる。
【００６１】ところで、窒化物は一般的に屈折率が高い
ため、誘電体層４の屈折率を低くするためには、窒化物
層７は一定の厚さ以下とされること、具体的には、後述
するように１０ｎｍ以下とされることが必要となる。窒
化物層７が１０ｎｍより厚く形成されると、光ディスク
１は、１５％〜２５％の初期反射率を得ることができな
くなる。以下では、窒化物層７の厚さを１０ｎｍ以下と
する必要性について説明する。
【００６２】ここでは、窒化物層７の最適な厚さを検討
するために、情報記録層３と誘電体層４との積層構造に
おいて、情報記録層３の膜厚と屈折率とを変化させたと
きの積層構造全体の反射率についてシミュレーションし
た結果を、図６乃至図９に示す。なお、図６は窒化物層
であるＳｉ３Ｎ４層が形成されていない状態を示し、図
７乃至図９は、それぞれ形成されたＳｉ３Ｎ４層の厚さ
が１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍである場合について示
す。
【００６３】また、光ディスク１の情報記録層３におけ
る記録前の屈折率が２．２であり、記録後の屈折率が
１．７である材料によって情報記録層３が形成される場
合を想定すると、この場合の反射率の変化量が大きい
程、信号再生特性が良好となる。
【００６４】形成されているＳｉ３Ｎ４層の厚さが１０
ｎｍであるときには、図７に示すように、積層構造の反
射率の変化量は、Ｓｉ３Ｎ４層が形成されていないとき
とほぼ同程度となる。例えば、情報記録層３の厚さが４
０ｎｍのときには、屈折率が２．２のときの反射率は１
０〜１５％であり、屈折率が１．７のときの反射率は０
〜５％である。
【００６５】しかしながら、形成されているＳｉ３Ｎ４
層の厚さが２０ｎｍであるときには、図８に示すよう
に、積層構造の反射率の変化量は、Ｓｉ３Ｎ４層が形成
されていないときと比較して小さくなる。例えば、情報
記録層３の厚さが４０ｎｍのときには、屈折率が２．２
のときの反射率は５〜１０％であり、屈折率が１．７の
ときの反射率は０〜５％である。
【００６６】また、形成されているＳｉ３Ｎ４層の厚さ
が３０ｎｍであるときにも、図９に示すように、積層構
造の反射率の変化量は、Ｓｉ３Ｎ４層が形成されていな
いときと比較して小さくなる。例えば、情報記録層３の
厚さが４０ｎｍのときには、屈折率が２．２のときの反
射率は５〜１０％であり、屈折率が１．７のときの反射
率は０〜５％である。
【００６７】上述したように、窒化物層７の厚さを１０
ｎｍ以下とすることによって、酸化物層８を形成したと
きの酸素プラズマによる情報記録層３の劣化を防ぐと共
に、初期反射率を１０〜１５％とすることが可能とな
る。
【００６８】なお、誘電体層４を１０ｎｍ以下の窒化物
層７のみとした場合には、誘電体層４の機械的強度が不
十分となるが、誘電体層４は窒化物層７上に酸化物層８
が形成されているため、窒化物層７が薄く形成されたと
きにも機械的強度が十分なものとなる。
【００６９】以上の説明からも明らかなように、本発明
を適用した光ディスク１は、情報記録層３上に誘電体層
４が形成され、誘電体層４上に粘着剤によって光透過層
５が貼り付けられているために、情報記録層３と粘着剤
とが直接接触することがない。したがって、情報記録層
３を形成している有機材料が粘着剤へ拡散したり、粘着
剤と反応したりすることによって、情報記録層３が劣化
することがなくなる。
【００７０】また、本発明を適用した光ディスク１は、
窒化物層７上に酸化物層８が形成されており、その上に
粘着剤を介して光透過層５が形成される。このため、反
応性スパッタ法によって酸化物層８を形成するときに生
じる酸素プラズマが、情報記録層３を形成している有機
材料を劣化させることがなくなる。また、反応性スパッ
タ法によって誘電体層４を形成することが可能となるた
め、本発明を適用した光ディスク１は、量産性に優れた
ものとなる。
【００７１】また、本発明を適用した光ディスク１は、
窒化物層７上に低い屈折率を有する酸化物層８が形成さ
れているため、屈折率が２．３未満である有機材料によ
って情報記録層３を形成したときにも、多重干渉による
光学的エンハンスメント効果を利用して初期反射率を１
５％〜２５％とすることが可能となる。そして、窒化物
層７の厚さが１０ｎｍ以下となるように形成されている
ため、高い屈折率を有する窒化物層７が光学的エンハン
スメント効果の妨げとなることがない。このため、光デ
ィスク１は、情報を記録する前と記録した後との光反射
率の変調度を十分に大きくすることが可能となり、信号
のＣ／Ｎ（信号対雑音比）が向上して良好な記録再生特
性が得られる。
【００７２】また、本発明を適用した光ディスク１は、
光透過層５を粘着剤によって貼り合わせるて作製するこ
とができるため、量産性に優れたものとなり、コストが
低いものとなる。
【００７３】また、本発明を適用した光ディスク１は、
窒化物層７をＳｉ３Ｎ４によって形成し、酸化物層８を
ＳｉＯ２によって形成することが可能である。このとき
には、比較的低価格であるシリコン材料を使用して窒化
物層７と酸化物層８とを形成することが可能となり、光
ディスク１は、コストが低いものとなる。
【００７４】なお、窒化物層７と酸化物層８とは、例え
ば、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＯ２などの同じ元素の窒化物と酸
化物とによって形成されることが好ましい。これは、窒
素ガスを酸素ガスに変えるだけで、窒化物層７及び酸化
物層８を反応性スパッタ法によって連続して形成するこ
とができるためである。
【００７５】
【実施例】ここで、本発明を適用した光ディスクを作製
し、初期反射率及び記録再生特性について検討した。
【００７６】先ず、射出成形法によって、１．２ｍｍの
厚さを有するポリカーボネート基板を作製した。
【００７７】次に、このポリカーボネート基板上に、テ
トラフルオロプロパノールに溶解した感光性有機色素
を、スピンコート法によって約４０ｎｍの厚さとなるよ
うに塗布した。
【００７８】次に、シリコンターゲットを用いて、Ａｒ
ガス及びＮ２ガスの高周波誘導加熱（ＲＦ）プラズマス
パッタを行い、膜厚５ｎｍのＳｉ３Ｎ４の透明膜を形成
した。このとき、Ａｒガスを３２ｓｃｃｍとし、Ｎ２ガ
スを８ｓｃｃｍとした。また、全ガス圧を３ｍＴｏｒｒ
とし、ＲＦパワーを６０ｍＷとした。
【００７９】次に、Ｎ２ガスをＯ２ガスに変えて反応性
スパッタを行い、膜厚２５ｎｍのＳｉＯ２膜の透明膜を
形成した。このとき、Ａｒガスを１６ｓｃｃｍとし、Ｏ
２ガスを４ｓｃｃｍとした。また、全ガス圧は１．５ｍ
Ｔｏｒｒとし、ＲＦパワーを５０ｍＷとした。
【００８０】最後に、約１００μｍの厚さを有するポリ
カーボネートシートに粘着剤を塗布し、当該ポリカーボ
ネートシートを加圧脱泡法によってＳｉＯ２膜上に圧着
した。
【００８１】この光ディスクを、光源の波長が４０５ｎ
ｍであり、対物レンズのＮＡが０．８５である記録再生
評価装置によって測定した結果、初期反射率が１５％で
あり、線速が５ｍ／ｓであり、４μｍのマーク記録に
て、Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以上であることが判明した。
【００８２】この結果から、本発明を適用した光ディス
クは、初期反射率を１５％〜２５％とすることが可能で
あり、信号のＣ／Ｎが向上して良好な記録再生特性が得
られることが判明した。
【００８３】
【発明の効果】本発明を適用した光ディスクは、情報記
録層上に誘電体層が形成され、誘電体層上に粘着剤によ
って光透過層を貼り付けているために、粘着剤と情報記
録層とが直接接触することがない。したがって、情報記
録層を形成している有機材料が粘着剤へ拡散して、情報
記録層が劣化することがなくなる。
【００８４】また、本発明を適用した光ディスクは、情
報記録層上に窒化物層が形成されており、窒化物層上に
酸化物層又はフッ化物が形成されている。このため、反
応性スパッタ法によって酸化物層を形成するときに生じ
る酸素プラズマが、情報記録層を形成している有機材料
を劣化させることがなくなる。また、反応性スパッタ法
によって誘電体層を形成することが可能となるため、本
発明を適用した光ディスクは、量産性に優れたものとな
る。
【００８５】また、本発明を適用した光ディスクは、窒
化物層上に低い屈折率を有する酸化物層が形成されてい
るため、光学的エンハンスメント効果が得られる。そし
て、窒化物層の厚さが１０ｎｍ以下となるように形成さ
れているため、高い屈折率を有する窒化物層が光学的エ
ンハンスメント効果の妨げとなることがない。このた
め、本発明を適用した光ディスクは、情報を記録する前
と記録した後との光反射率の変調度を十分に大きくする
ことが可能となり、良好な記録再生特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した光ディスクの断面図である。
【図２】情報記録層上に粘着剤を介して光透過層を形成
したときの、情報記録層の光反射率と光透過率の変化を
説明するための模式図である。
【図３】情報記録層上にＳｉＯ２層を形成したときの、
情報記録層の光反射率及び光透過率の変化を説明するた
めの模式図である。
【図４】情報記録層上にＳｉ３Ｎ４層を形成したとき
の、情報記録層の光反射率及び光透過率の変化を説明す
るための模式図である。
【図５】情報記録層上にＳｉ３Ｎ４層とＳｉＯ２層とを
順次積層し、ＳｉＯ２層上に粘着剤を介して光透過層を
形成したときの、情報記録層の光反射率及び光透過率の
変化を説明するための模式図である。
【図６】情報記録層上にＳｉ３Ｎ４層を形成せずに粘着
剤を介して光透過層を形成したときの、情報記録層の膜
厚、屈折率、及び光反射率の関係を示す図である。
【図７】情報記録層上にＳｉ３Ｎ４層を１０ｎｍ形成
し、Ｓｉ３Ｎ４層上に粘着剤を介して光透過層を形成し
たときの、情報記録層の膜厚、屈折率、及び光反射率の
関係を示す図である。
【図８】情報記録層上にＳｉ３Ｎ４層を２０ｎｍ形成
し、Ｓｉ３Ｎ４層上に粘着剤を介して光透過層を形成し
たときの、情報記録層の膜厚、屈折率、及び光反射率の
関係を示す図である。
【図９】情報記録層上にＳｉ３Ｎ４層を３０ｎｍ形成
し、Ｓｉ３Ｎ４層上に粘着剤を介して光透過層を形成し
たときの、情報記録層の膜厚、屈折率、及び光反射率の
関係を示す図である。
【図１０】従来の光ディスクの断面図である。
【図１１】青色レーザに対応した追記型光ディスクの断
面図である。
【符号の説明】
１ 光ディスク、２ 基板、３ 情報記録層、４ 誘電
体層、５ 光透過層、６ レーザ光、７ 窒化物層、８
酸化物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｍ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に少なくとも有機材料からなる情
    報記録層と誘電体層と光透過層とが順次積層されてな
    り、上記光透過層を介して上記情報記録層に光が照射さ
    れることで情報信号の記録及び／又は再生が行われる光
    ディスクにおいて、 上記誘電体層は窒化物層と酸化物層又はフッ化物層との
    積層構造とされており、上記窒化物層の厚さが１０ｎｍ
    以下とされていることを特徴とする光ディスク。
  2. 【請求項２】 上記情報記録層に対して３８０ｎｍ〜４
    ５０ｎｍの光を照射することによって、信号情報の記録
    及び／又は再生が行われ、上記波長における記録前の光
    反射率が１５％〜２５％であると同時に記録後の光反射
    率が０％〜１０％であることを特徴とする請求項１記載
    の光ディスク。
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