JP2002169305A - Polymer removing solution and apparatus for removing polymer - Google Patents
Polymer removing solution and apparatus for removing polymerInfo
- Publication number
- JP2002169305A JP2002169305A JP2000368718A JP2000368718A JP2002169305A JP 2002169305 A JP2002169305 A JP 2002169305A JP 2000368718 A JP2000368718 A JP 2000368718A JP 2000368718 A JP2000368718 A JP 2000368718A JP 2002169305 A JP2002169305 A JP 2002169305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- wafer
- liquid
- solution
- polymer removing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 68
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 24
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネ
ル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの各
種基板に付着している不要なポリマーを除去するための
ポリマー除去液およびポリマー除去装置に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a polymer removing liquid and a polymer removing device for removing unnecessary polymer attached to various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, and a substrate for a magnetic / optical disk.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）上にタング
ステンまたはポリシリコンなどからなる配線をパターン
形成する工程が含まれる。配線をパターン形成する工程
では、たとえば、ウエハ上に配線材料からなる配線膜が
形成された後、その配線膜上の配線を形成すべき領域に
対応する部分に、フォトリソグラフィ技術によってレジ
ストパターンが形成される。そして、そのレジストパタ
ーンをマスクとしてエッチング処理が行われて、配線膜
の不要な部分が除去されることにより、レジストパター
ンに対応した配線パターンがウエハ上に得られる。配線
パターン上に残っているレジストパターンは、エッチン
グ処理に引き続いて行われるアッシング処理により除去
される。2. Description of the Related Art The manufacturing process of a semiconductor device includes a step of forming a wiring pattern made of tungsten or polysilicon on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer"). In the step of forming a wiring pattern, for example, after a wiring film made of a wiring material is formed on a wafer, a resist pattern is formed by photolithography on a portion of the wiring film corresponding to a region where a wiring is to be formed. Is done. Then, an etching process is performed using the resist pattern as a mask, and unnecessary portions of the wiring film are removed, whereby a wiring pattern corresponding to the resist pattern is obtained on the wafer. The resist pattern remaining on the wiring pattern is removed by ashing performed subsequent to the etching.
【０００３】アッシング処理では、ウエハ上に反応性ガ
スが供給され、この反応性ガスとレジストパターンとが
反応して揮発性の反応生成物が生成されることにより、
ほとんどのレジストパターンが除去される。しかしなが
ら、レジストパターンを完全に除去することはできず、
一部のレジストパターンは、良好に反応せずにポリマー
となってウエハ上に残留する。そこで、アッシング処理
後には、ウエハ上にポリマー除去のための薬液が供給さ
れて、ウエハ上に残留しているポリマー（レジスト残
渣）が除去される。In the ashing process, a reactive gas is supplied onto a wafer, and the reactive gas reacts with a resist pattern to generate a volatile reaction product.
Most of the resist pattern is removed. However, the resist pattern cannot be completely removed,
Some resist patterns do not react well and become polymers and remain on the wafer. Therefore, after the ashing process, a chemical solution for removing the polymer is supplied onto the wafer, and the polymer (resist residue) remaining on the wafer is removed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ポリマー除去のための
薬液としては、有機化合物を主成分に含む有機系の薬液
が用いられるのが一般的である。ところが、このポリマ
ー除去のための有機系薬液は価格が高いため、ポリマー
を除去するための処理のコストが高くつくという問題が
あった。また、有機系薬液を用いたポリマー除去処理を
行う装置は、防爆構造にしなければならないため、装置
サイズが大きくなり、装置コストも高くつくという問題
があった。As a chemical for removing the polymer, an organic chemical containing an organic compound as a main component is generally used. However, since the organic chemical solution for removing the polymer is expensive, there is a problem that the cost of the treatment for removing the polymer is high. In addition, an apparatus for performing a polymer removal treatment using an organic chemical solution has to have an explosion-proof structure, so that there is a problem that the apparatus size is increased and the apparatus cost is increased.
【０００５】そこで、この発明の第１の目的は、従来の
有機系薬液よりも安価なポリマー除去液を提供すること
である。また、この発明の第２の目的は、ポリマー除去
処理のための装置に防爆構造を必要としないポリマー除
去液を提供することである。さらに、この発明の第３の
目的は、ランニングコストおよびイニシャルコストが安
価なポリマー除去装置を提供することである。Accordingly, a first object of the present invention is to provide a polymer removing solution which is less expensive than conventional organic chemical solutions. A second object of the present invention is to provide a polymer removing liquid which does not require an explosion-proof structure in an apparatus for polymer removing treatment. Further, a third object of the present invention is to provide a polymer removing apparatus having low running cost and initial cost.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板に付
着している不要なポリマーを除去するためのポリマー除
去液であって、ＨＦ、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4ＯＨおよび
Ｈ2Ｏを成分に含むことを特徴とするポリマー除去液で
ある。この発明のポリマー除去液は、たとえば、ＨＦ、
ＣＨ3ＣＯＯＨおよびＮＨ4ＯＨの水溶液とＨ2Ｏとを混
合することにより作成できる。ＨＦ、ＣＨ3ＣＯＯＨお
よびＮＨ4ＯＨの水溶液は比較的安価で市販されている
から、この発明のポリマー除去液は比較的安価に得るこ
とができる。ゆえに、この発明のポリマー除去液を用い
ることにより、ポリマー除去処理に要するコストの低減
を図ることができる。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention The invention according to claim 1 for achieving the above object is a polymer removing liquid for removing unnecessary polymer adhering to a substrate, It is a polymer removal liquid characterized by containing HF, CH 3 COOH, NH 4 OH and H 2 O as components. The polymer removing liquid of the present invention includes, for example, HF,
It can be prepared by mixing an aqueous solution of CH 3 COOH and NH 4 OH with H 2 O. Since the aqueous solutions of HF, CH 3 COOH and NH 4 OH are commercially available at relatively low cost, the polymer removing solution of the present invention can be obtained at relatively low cost. Therefore, by using the polymer removing liquid of the present invention, the cost required for the polymer removing treatment can be reduced.
【０００７】なお、上記ポリマー除去液は、ポリマー除
去液はＨ2Ｏが主成分とするものであることが好まし
い。この場合、上記ポリマー除去液を用いた処理を行う
装置は、防爆構造を必要としないので、有機系のポリマ
ー除去液を用いる従来のポリマー除去装置よりも装置サ
イズを小さくでき、装置のイニシャルコストを低く抑え
ることができる。また、請求項２記載のように、上記ポ
リマー除去液は、ＨＦの濃度が０．１８〜０．４７重量
％であることが好ましい。It is preferable that the polymer removing liquid contains H 2 O as a main component. In this case, since the apparatus for performing the treatment using the polymer removing liquid does not require an explosion-proof structure, the apparatus size can be made smaller than the conventional polymer removing apparatus using the organic polymer removing liquid, and the initial cost of the apparatus can be reduced. It can be kept low. Further, as described in claim 2, the polymer removal liquid preferably has a HF concentration of 0.18 to 0.47% by weight.
【０００８】さらに、請求項３記載のように、上記ポリ
マー除去液は、ｐＨ値が１〜７であることが好ましく、
請求項４記載のように、ｐＨ値が５．２〜５．５である
ことがより好ましい。さらにまた、請求項５記載のよう
に、上記ポリマー除去液は、熱酸化膜のエッチング速度
が１０〜１５Å／５ｍｉｎであることが好ましい。請求
項６記載の発明は、基板（Ｗ）に付着している不要なポ
リマーを除去するためのポリマー除去装置であって、基
板を保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段
に保持された基板の表面に、請求項１ないし５のいずれ
かに記載のポリマー除去液を供給するポリマー除去液供
給手段（２）とを含むことを特徴とするポリマー除去装
置である。Further, as described in claim 3, the polymer removing solution preferably has a pH value of 1 to 7,
As described in claim 4, the pH value is more preferably 5.2 to 5.5. Furthermore, it is preferable that the polymer removal liquid has an etching rate of the thermal oxide film of 10 to 15 ° / 5 min. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a polymer removing apparatus for removing unnecessary polymer adhering to a substrate (W), comprising: a substrate holding means (1) for holding a substrate; A polymer removing apparatus, comprising: a polymer removing liquid supply means (2) for supplying the polymer removing liquid according to any one of claims 1 to 5 to the surface of the substrate.
【０００９】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。この発明によれば、Ｈ
Ｆ、ＣＨ3ＣＯＯＨおよびＮＨ4ＯＨの水溶液とＨ2Ｏと
を混合して作成されるポリマー除去液は安価であるか
ら、有機系のポリマー除去液を用いる従来装置よりもラ
ンニングコストを低く抑えることができる。また、Ｈ2
Ｏが主成分のポリマー除去液を用いる場合には、防爆構
造を必要としないので、有機系のポリマー除去液を用い
る従来装置よりも装置サイズを小さくでき、イニシャル
コストも低く抑えることができる。[0009] Alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiment described later. According to the present invention, H
Since the polymer removal solution prepared by mixing an aqueous solution of F, CH 3 COOH and NH 4 OH with H 2 O is inexpensive, the running cost should be lower than that of a conventional apparatus using an organic polymer removal solution. Can be. In addition, H 2
When a polymer removal liquid containing O as a main component is used, since an explosion-proof structure is not required, the size of the apparatus can be made smaller than that of a conventional apparatus using an organic polymer removal liquid, and the initial cost can be reduced.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係るポリマー除去装置の構成を示す
図解的な断面図である。この装置は、レジストアッシン
グ処理後のウエハＷの表面に付着しているポリマーを除
去するための装置である。より具体的には、たとえば、
タングステン配線またはポリシリコン配線をパターン形
成する工程において、ウエハＷ上にほぼ一様に形成され
たタングステン配線膜またはポリシリコン配線膜を選択
的に除去するためのエッチング処理、このエッチング処
理に使用したレジストパターンを除去するためのレジス
トアッシング処理の後に、レジストアッシング処理で除
去されずにポリマーとなって残留したレジスト残渣を除
去するための装置である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an illustrative sectional view showing a configuration of a polymer removing apparatus according to one embodiment of the present invention. This is an apparatus for removing the polymer adhering to the surface of the wafer W after the resist ashing process. More specifically, for example,
In a process of patterning a tungsten wiring or a polysilicon wiring, an etching process for selectively removing a tungsten wiring film or a polysilicon wiring film formed almost uniformly on a wafer W, and a resist used in the etching process This is an apparatus for removing a resist residue which remains as a polymer without being removed by a resist ashing process after a resist ashing process for removing a pattern.
【００１１】このポリマー除去装置は、処理対象のウエ
ハＷを水平に保持して回転させるためのスピンチャック
１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面
（上面）にポリマー除去液を供給するためのポリマー除
去液供給ノズル２と、スピンチャック１に保持されたウ
エハＷの表面に純水を供給するための純水供給ノズル３
とを備えている。ポリマー除去液供給ノズル２から供給
されるポリマー除去液は、Ｈ2Ｏを主成分とし、ＨＦ、
ＣＨ3ＣＯＯＨおよびＮＨ4ＯＨを成分に含むｐＨ値１〜
７の薬液である。In this polymer removing apparatus, a spin chuck 1 for holding and rotating a wafer W to be processed horizontally and a polymer removing liquid are supplied to the surface (upper surface) of the wafer W held by the spin chuck 1. Water supply nozzle 2 for supplying pure water to the surface of wafer W held by spin chuck 1
And The polymer removing liquid supplied from the polymer removing liquid supply nozzle 2 contains H 2 O as a main component, HF,
PH value of 1 containing CH 3 COOH and NH 4 OH as components
7 is a chemical solution.
【００１２】スピンチャック１は、モータなどを含む回
転駆動機構１１からの回転力を得て鉛直軸まわりに回転
する回転軸１２と、この回転軸１２の上端に取り付けら
れたスピンベース１３と、このスピンベース１３の周縁
部に複数個立設されたチャック１４とを有している。こ
のチャック１４は、ウエハＷの周縁部に当接して、この
ウエハＷを水平な状態で保持することができるようにな
っている。ポリマー除去液供給ノズル２には、図外のポ
リマー除去液供給源から、ポリマー除去液供給バルブ２
１を介してポリマー除去液が供給されるようになってい
る。また、純水供給ノズル３には、図外の純水供給源か
ら、純水供給バルブ３１を介して純水が供給されるよう
になっている。The spin chuck 1 has a rotating shaft 12 that rotates around a vertical axis by receiving a rotating force from a rotating driving mechanism 11 including a motor, a spin base 13 attached to an upper end of the rotating shaft 12, A plurality of chucks 14 are provided upright on the periphery of the spin base 13. The chuck 14 comes into contact with the peripheral portion of the wafer W, and can hold the wafer W in a horizontal state. A polymer removal liquid supply valve 2 is connected to the polymer removal liquid supply nozzle 2 from a polymer removal liquid supply source (not shown).
A polymer removing liquid is supplied through the first liquid. Further, pure water is supplied to the pure water supply nozzle 3 from a pure water supply source (not shown) via a pure water supply valve 31.
【００１３】このポリマー除去装置にはさらに、装置の
各部を制御するための制御部４が備えられている。制御
部４は、回転駆動機構１１、ポリマー除去液供給バルブ
２１および純水供給バルブ３１などを制御する。この制
御部４による各部の制御によって、たとえば、ウエハＷ
に対して次のような処理が実行される。図示しない搬送
ロボットによってレジストアッシング処理後のウエハＷ
が搬入されてきて、その搬入されてきたウエハＷがスピ
ンチャック１に保持されると、制御部４は、回転駆動機
構１１を作動させて、ウエハＷを所定速度（たとえば、
１００ｒｐｍ）で回転させる。その一方で、ポリマー除
去液供給バルブ２１を開いて、ポリマー除去液供給ノズ
ル２からウエハＷの表面に向けてポリマー除去液を吐出
させる。ウエハＷの表面に供給されたポリマー除去液
は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの
表面上をウエハＷの半径方向外方側へと導かれる。これ
により、ポリマー除去液がウエハＷの表面全域に馴染む
ことになる。[0013] The polymer removing apparatus is further provided with a control unit 4 for controlling each part of the apparatus. The control unit 4 controls the rotation drive mechanism 11, the polymer removing liquid supply valve 21, the pure water supply valve 31, and the like. The control of each unit by the control unit 4 allows, for example, the wafer W
The following processing is executed for Wafer W after resist ashing processing by transfer robot (not shown)
Is loaded, and the loaded wafer W is held by the spin chuck 1, the control unit 4 operates the rotation drive mechanism 11 to rotate the wafer W at a predetermined speed (for example,
(100 rpm). On the other hand, the polymer removing liquid supply valve 21 is opened, and the polymer removing liquid is discharged from the polymer removing liquid supply nozzle 2 toward the surface of the wafer W. The polymer removing liquid supplied to the surface of the wafer W receives the centrifugal force due to the rotation of the wafer W, and is guided on the surface of the wafer W to the outside in the radial direction of the wafer W. As a result, the polymer removal liquid is adapted to the entire surface of the wafer W.
【００１４】ポリマー除去液をウエハＷの表面全域に馴
染ませた後、制御部４は、回転駆動機構１１を制御し
て、ウエハＷをごく低速度（たとえば、１０ｒｐｍ）で
回転させる。その一方で、制御部４は、たとえば、ポリ
マー除去液供給バルブ２１を間欠的に開成して、ポリマ
ー除去液供給ノズル２からウエハＷの表面にポリマー除
去液を間欠的に供給するパドル供給処理を行う。すなわ
ち、パドル供給処理では、ポリマー除去液供給バルブ２
１を一定の開時間（たとえば、２秒間）だけ開いた後、
一定の閉時間（たとえば、８秒間）だけ閉じるといっ
た、ポリマー除去液供給バルブ２１の開閉動作が繰り返
し行われる。After adapting the polymer removing liquid to the entire surface of the wafer W, the control unit 4 controls the rotation drive mechanism 11 to rotate the wafer W at a very low speed (for example, 10 rpm). On the other hand, for example, the controller 4 intermittently opens the polymer removal liquid supply valve 21 to perform a paddle supply process of intermittently supplying the polymer removal liquid from the polymer removal liquid supply nozzle 2 to the surface of the wafer W. Do. That is, in the paddle supply process, the polymer removal liquid supply valve 2
After opening 1 for a certain opening time (for example, 2 seconds),
The opening / closing operation of the polymer removing liquid supply valve 21, such as closing for a fixed closing time (for example, 8 seconds), is repeatedly performed.
【００１５】パドル供給処理でウエハＷの表面に供給さ
れたポリマー除去液は、ウエハＷの表面に付着している
ポリマーと反応し、このポリマーを溶かしてウエハＷの
表面から除去する。したがって、パドル供給処理によ
り、レジストアッシング処理後のウエハＷの表面に付着
している不要なポリマーが良好に除去され、ポリマーが
残留していない高品質なウエハＷが得られることにな
る。パドル供給処理が終了すると、制御部４は、回転駆
動機構１１を制御して、ウエハＷを回転させつつ、純水
供給バルブ３１を開いて、純水供給ノズル３からウエハ
Ｗの表面に純水を供給する。これにより、ウエハＷに付
着しているポリマー除去液が純水で洗い流される。この
リンス処理の後、ウエハＷは、図示しない搬送ロボット
によって搬出され、ウエハＷの水洗および乾燥を行うた
めの水洗・乾燥処理ユニットへ受け渡される。The polymer removing liquid supplied to the surface of the wafer W in the paddle supply process reacts with the polymer adhering to the surface of the wafer W, dissolves the polymer, and removes the polymer from the surface of the wafer W. Therefore, by the paddle supply process, unnecessary polymer adhering to the surface of the wafer W after the resist ashing process is satisfactorily removed, and a high-quality wafer W in which no polymer remains is obtained. When the paddle supply process is completed, the control unit 4 controls the rotation drive mechanism 11 to open the pure water supply valve 31 while rotating the wafer W, so that pure water is supplied from the pure water supply nozzle 3 to the surface of the wafer W. Supply. As a result, the polymer removing liquid attached to the wafer W is washed away with the pure water. After the rinsing process, the wafer W is carried out by a transfer robot (not shown) and transferred to a washing / drying processing unit for washing and drying the wafer W.
【００１６】上記したように、ポリマー除去液供給ノズ
ル２からウエハＷの表面に供給されるポリマー除去液
は、Ｈ2Ｏを主成分とし、ＨＦ、ＣＨ3ＣＯＯＨおよびＮ
Ｈ4ＯＨを成分に含むｐＨ値１〜７の薬液である。Ｈ
Ｆ、ＣＨ3ＣＯＯＨおよびＮＨ4ＯＨの水溶液は、比較的
安価で市販されているから、これらを混合して作成され
るポリマー除去液を用いることにより、ポリマー除去処
理に要するコスト（ポリマー除去装置のランニングコス
ト）の低減を図ることができる。As described above, the polymer removing liquid supplied from the polymer removing liquid supply nozzle 2 to the surface of the wafer W contains H 2 O as a main component, HF, CH 3 COOH and N 2.
It is a chemical solution having a pH value of 1 to 7 containing H 4 OH as a component. H
Since aqueous solutions of F, CH 3 COOH and NH 4 OH are commercially available at relatively low prices, the use of a polymer removing solution prepared by mixing them can reduce the cost required for the polymer removing treatment (the cost of the polymer removing apparatus). (Running cost) can be reduced.
【００１７】また、ポリマー除去液はＨ2Ｏが主成分で
あるから、このポリマー除去液を用いた処理を行うポリ
マー除去装置には防爆構造が必要ない。ゆえに、この実
施形態に係るポリマー除去装置は、有機系のポリマー除
去液を用いる従来のポリマー除去装置よりも、装置サイ
ズを小さくでき、イニシャルコストも低く抑えることが
できる。なお、適当な処理速度でポリマーを除去するた
めに、ポリマー除去液のｐＨ値は５．２〜５．５である
ことが好ましく、また、ポリマー除去液中のＨＦの濃度
は０．１８〜０．４７重量％であることが好ましい。さ
らに、ウエハＷの表面に形成された熱酸化膜のエッチン
グ速度は１０〜１５Å／５ｍｉｎであることが好まし
く、このエッチング速度を達成するために、ポリマー除
去液中のＨＦの濃度が０．３３重量％、ＣＨ3ＣＯＯＨ
の濃度が４．１０重量％、ＮＨ4ＯＨの濃度が０．５１
５重量％であってもよい。このような重量比のポリマー
除去液は、たとえば、濃度が５０重量％のＨＦ（ふっ
酸）水溶液、濃度が９９．９重量％のＣＨ 3ＣＯＯＨ
（酢酸）、濃度が２９重量％のＮＨ4ＯＨ（アンモニア
水）水溶液およびＨ2Ｏを容積比０．３５：２：１：５
０（＝ＨＦ：ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ）の割
合で混合して作成することができる。The polymer removing liquid is HTwoO is the main component
Therefore, the polymer to be treated with this polymer removal solution
An explosion-proof structure is not required for the demarcation device. Therefore, this fruit
The polymer removing device according to the embodiment is an organic polymer removing device.
The equipment size is smaller than that of the conventional polymer removal equipment using distillate.
Size and the initial cost can be kept low.
it can. The polymer was removed at an appropriate processing speed.
For example, the pH value of the polymer removing solution is 5.2 to 5.5.
And the concentration of HF in the polymer removal solution.
Is preferably 0.18 to 0.47% by weight. Sa
Further, the etching of the thermal oxide film formed on the surface of the wafer W
Preferably, the speed is 10-15Å / 5 min.
In order to achieve this etching rate,
The concentration of HF in the distillate was 0.33% by weight, CHThreeCOOH
Is 4.10% by weight, NHFourOH concentration of 0.51
It may be 5% by weight. Such weight ratio of polymer
The removing solution is, for example, HF (fluorine) having a concentration of 50% by weight.
Acid) aqueous solution, CH having a concentration of 99.9% by weight ThreeCOOH
(Acetic acid), 29% by weight NHFourOH (ammonia
Water) aqueous solution and HTwoO at a volume ratio of 0.35: 2: 1: 5
0 (= HF: CHThreeCOOH: NHFourOH: HTwoO)
Can be mixed and made.
【００１８】＜熱酸化膜エッチング量の評価＞濃度５０
重量％のＨＦ水溶液、濃度９９．９重量％のＣＨ3ＣＯ
ＯＨ、濃度２９重量％のＮＨ4ＯＨ水溶液およびＨ2Ｏ
を、容積比が ＨＦ：ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ＝０．２：２：１：５０ ＨＦ：ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ＝０．３：２：１：５０ ＨＦ：ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ＝０．４：２：１：５０ ＨＦ：ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ＝０．５：２：１：５０ ＨＦ：ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ＝０．３５：２：１：５０ となるように混合することにより、５種類のポリマー除
去液〜を得た。<Evaluation of thermal oxide film etching amount> Concentration 50
Wt% aqueous HF, 99.9 wt% CH 3 CO
OH, 29% by weight aqueous NH 4 OH and H 2 O
The volume ratio of HF: CH 3 COOH: NH 4 OH: H 2 O = 0.2: 2: 1: 50 HF: CH 3 COOH: NH 4 OH: H 2 O = 0.3: 2: 1: 50 HF: CH 3 COOH: NH 4 OH: H 2 O = 0.4: 2: 1: 50 HF: CH 3 COOH: NH 4 OH: H 2 O = 0.5: 2: 1: 50 HF: CH By mixing so that 3 COOH: NH 4 OH: H 2 O = 0.35: 2: 1: 50, five kinds of polymer removing liquids were obtained.
【００１９】そして、これらの５種類のポリマー除去液
〜のｐＨ値をそれぞれ測定した。このｐＨ値の測定
には、ガラス電極式ｐＨ計（堀場製作所製、型番：D-24
(T-S)、計量法形式：SS-974）を用いた。また、上述の
ポリマー除去装置を用いて、各ポリマー除去液の熱酸化
膜のエッチング量の評価試験を行った。この評価試験で
は、２０００Åの熱酸化膜が表面にほぼ一様に形成され
たウエハＷを１００ｒｐｍで回転させつつ、各ポリマー
除去液〜をウエハＷの表面に供給するといった処理
を５秒間行うことにより、ウエハＷの表面に各ポリマー
除去液〜を馴染ませた。その後、ウエハＷを１０ｒ
ｐｍで回転させる一方で、各ポリマー除去液〜の２
秒間供給、８秒間供給停止の繰り返しを５分間行った。
そして、ポリマー除去液を純水で洗い流した後、ウエハ
Ｗの表面の熱酸化膜のエッチング量を１７か所で測定
し、その測定結果の平均を算出した。このような評価試
験を各ポリマー除去液〜についてそれぞれ３回行っ
た。その結果を表１に示す。Then, the pH values of these five types of polymer removing liquids were measured. To measure the pH value, a glass electrode type pH meter (manufactured by Horiba, model number: D-24)
(TS), measurement method format: SS-974). Further, using the above-described polymer removing apparatus, an evaluation test of the etching amount of the thermal oxide film of each polymer removing liquid was performed. In this evaluation test, a process of supplying each polymer removing liquid to the surface of the wafer W is performed for 5 seconds while rotating the wafer W on which a thermal oxide film of 2000 ° is formed almost uniformly on the surface at 100 rpm. Then, each of the polymer removing liquids was adapted to the surface of the wafer W. After that, the wafer W is
pm, while removing each polymer removal solution
The supply was repeated for 5 seconds, and the supply was stopped for 8 seconds for 5 minutes.
Then, after the polymer removal liquid was washed away with pure water, the etching amount of the thermal oxide film on the surface of the wafer W was measured at 17 places, and the average of the measurement results was calculated. Such an evaluation test was performed three times for each of the polymer removal liquids. Table 1 shows the results.
【００２０】[0020]
【表１】 [Table 1]
【００２１】この表１の結果から、上記各容積比で混合
したポリマー除去液〜によれば、ウエハＷの表面の
熱酸化膜を良好にエッチングできることが確認された。
そして、ポリマー除去液のｐＨ値は５．２〜５．５であ
ることが好ましく、また、ポリマー除去液〜の作成
に用いたＨＦ水溶液の濃度（重量％）およびポリマー除
去液〜におけるＨＦ水溶液の容積比から、ポリマー
除去液中のＨＦの濃度は０．１８〜０．４７重量％であ
ることが好ましいことが理解された。さらに、熱酸化膜
のエッチング速度が１０〜１５Å／５ｍｉｎにするため
には、ポリマー除去液中のＨＦの濃度が０．３３重量
％、ＣＨ3ＣＯＯＨの濃度が４．１０重量％、ＮＨ4ＯＨ
の濃度が０．５１５重量％であればよいことが理解され
た。From the results shown in Table 1, it was confirmed that the polymer removal liquid mixed at each of the above-mentioned volume ratios can favorably etch the thermal oxide film on the surface of the wafer W.
The pH value of the polymer removal liquid is preferably 5.2 to 5.5, and the concentration (% by weight) of the HF aqueous solution used for preparing the polymer removal liquid and the HF aqueous solution in the polymer removal liquid are preferably used. From the volume ratio, it was understood that the concentration of HF in the polymer removal liquid was preferably 0.18 to 0.47% by weight. Further, in order to set the etching rate of the thermal oxide film to 10 to 15 ° / 5 min, the concentration of HF in the polymer removing solution is 0.33% by weight, the concentration of CH 3 COOH is 4.10% by weight, and NH 4 OH is used.
Was found to be sufficient if the concentration was 0.515% by weight.
【００２２】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、他の形態で実施することもでき
る。たとえば、上述の実施形態では、ポリマー除去液供
給バルブ２１を間欠的に開成して、ポリマー除去液供給
ノズル２からウエハＷの表面にポリマー除去液を間欠的
に供給するパドル供給処理を行うとしたが、ウエハＷの
ごく低速度での回転中、ポリマー除去液供給バルブ２１
を常に開いて、ポリマー除去液供給ノズル２からウエハ
Ｗの表面にポリマー除去液を所定の流量で供給し続けて
もよい。ただし、パドル供給処理を行うことにより、ポ
リマーと反応しないでウエハＷの表面から流下するポリ
マー除去液の量を低減することができ、ポリマー除去液
の消費量を著しく低減することができる。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above-described embodiment, the polymer removal liquid supply valve 21 is intermittently opened, and the paddle supply processing for intermittently supplying the polymer removal liquid from the polymer removal liquid supply nozzle 2 to the surface of the wafer W is performed. During the rotation of the wafer W at a very low speed, the polymer removing liquid supply valve 21
May be constantly opened, and the polymer removing liquid may be continuously supplied from the polymer removing liquid supply nozzle 2 to the surface of the wafer W at a predetermined flow rate. However, by performing the paddle supply process, the amount of the polymer removing liquid that flows down from the surface of the wafer W without reacting with the polymer can be reduced, and the consumption of the polymer removing liquid can be significantly reduced.
【００２３】また、上述の実施形態の装置では、ウエハ
Ｗの周縁部を保持するスピンチャックが用いられている
が、ウエハＷの下面を吸着するバキュームチャックが適
用されてもよい。さらに、処理対象の基板は、ウエハＷ
に限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板、プラ
ズマディスプレイパネル用ガラス基板および磁気／光デ
ィスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。Further, in the apparatus of the above-described embodiment, a spin chuck that holds the peripheral portion of the wafer W is used, but a vacuum chuck that sucks the lower surface of the wafer W may be applied. Further, the substrate to be processed is a wafer W
The present invention is not limited to this, and may be other types of substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, and a substrate for a magnetic / optical disk.
【００２４】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲内で、種々の変更を施すことが可能である。In addition, various changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
【図１】この発明の一実施形態に係るポリマー除去装置
の構成を示す図解的な断面図である。FIG. 1 is an illustrative sectional view showing a configuration of a polymer removing device according to an embodiment of the present invention.
１ スピンチャック ２ ポリマー除去液供給ノズル ４ 制御部 １１ 回転駆動機構 １２ 回転軸 １３ スピンベース １４ チャック ２１ ポリマー除去液供給バルブ Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 2 Polymer removal liquid supply nozzle 4 Control part 11 Rotation drive mechanism 12 Rotating shaft 13 Spin base 14 Chuck 21 Polymer removal liquid supply valve W Wafer
Claims (6)
するためのポリマー除去液であって、 ＨＦ、ＣＨ3ＣＯＯＨ、ＮＨ4ＯＨおよびＨ2Ｏを成分に
含むことを特徴とするポリマー除去液。1. A polymer removing liquid for removing unnecessary polymer adhering to a substrate, comprising: HF, CH 3 COOH, NH 4 OH and H 2 O as components. liquid.
あることを特徴とする請求項１記載のポリマー除去液。2. The polymer removing solution according to claim 1, wherein the concentration of HF is 0.18 to 0.47% by weight.
求項１または２記載のポリマー除去液。3. The polymer removing solution according to claim 1, wherein the pH value is 1 to 7.
とする請求項３記載のポリマー除去液。4. The polymer removing solution according to claim 3, wherein the pH value is 5.2 to 5.5.
／５ｍｉｎであることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載のポリマー除去液。5. The thermal oxide film has an etching rate of 10 to 15 °.
The polymer removal liquid according to any one of claims 1 to 4, wherein the liquid removal time is / 5 min.
するためのポリマー除去装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 この基板保持手段に保持された基板の表面に、請求項１
ないし５のいずれかに記載のポリマー除去液を供給する
ポリマー除去液供給手段とを含むことを特徴とするポリ
マー除去装置。6. A polymer removing apparatus for removing unnecessary polymer adhering to a substrate, comprising: a substrate holding means for holding a substrate; and a surface of the substrate held by the substrate holding means. 1
And a polymer removing liquid supply means for supplying the polymer removing liquid according to any one of (5) to (5).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368718A JP2002169305A (en) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | Polymer removing solution and apparatus for removing polymer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000368718A JP2002169305A (en) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | Polymer removing solution and apparatus for removing polymer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002169305A true JP2002169305A (en) | 2002-06-14 |
Family
ID=18838882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000368718A Pending JP2002169305A (en) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | Polymer removing solution and apparatus for removing polymer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002169305A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010180A (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 김경진 | Cleaning solution of semiconductor device and method of cleaning using the same |
| WO2004112115A1 (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Daikin Industries, Ltd. | Remover liquid and removing method for antireflective film and buried material containing silicon |
| JPWO2004019134A1 (en) * | 2002-08-22 | 2005-12-15 | ダイキン工業株式会社 | Stripping solution |
| KR100738745B1 (en) * | 2004-12-21 | 2007-07-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Semiconductor substrate treating method |
| US7365021B2 (en) | 2004-05-19 | 2008-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating a semiconductor device using an organic compound and fluoride-based buffered solution |
| KR100868018B1 (en) | 2007-07-26 | 2008-11-10 | 솔엔텍 주식회사 | Cleaning material for device parts of semiconductor manufacturing device and manufacturing method thereof, method for cleaning device parts using same |
| JP2010019978A (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | Resist stripping liquid composition and method for manufacturing semiconductor element using the same |
-
2000
- 2000-12-04 JP JP2000368718A patent/JP2002169305A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010180A (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 김경진 | Cleaning solution of semiconductor device and method of cleaning using the same |
| JPWO2004019134A1 (en) * | 2002-08-22 | 2005-12-15 | ダイキン工業株式会社 | Stripping solution |
| US7833957B2 (en) | 2002-08-22 | 2010-11-16 | Daikin Industries, Ltd. | Removing solution |
| WO2004112115A1 (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Daikin Industries, Ltd. | Remover liquid and removing method for antireflective film and buried material containing silicon |
| US7365021B2 (en) | 2004-05-19 | 2008-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating a semiconductor device using an organic compound and fluoride-based buffered solution |
| KR100738745B1 (en) * | 2004-12-21 | 2007-07-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Semiconductor substrate treating method |
| KR100868018B1 (en) | 2007-07-26 | 2008-11-10 | 솔엔텍 주식회사 | Cleaning material for device parts of semiconductor manufacturing device and manufacturing method thereof, method for cleaning device parts using same |
| JP2010019978A (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | Resist stripping liquid composition and method for manufacturing semiconductor element using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8075702B2 (en) | Resist removing method and resist removing apparatus | |
| US6299697B1 (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
| US7364625B2 (en) | Rinsing processes and equipment | |
| US7300598B2 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
| US7682463B2 (en) | Resist stripping method and resist stripping apparatus | |
| JP2002169305A (en) | Polymer removing solution and apparatus for removing polymer | |
| JP4732918B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP2005268308A (en) | Resist stripping method and resist stripping apparatus | |
| JPH11219926A (en) | Removal of organic contaminant from surface of semiconductor substrate | |
| JP4475705B2 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
| JP2004273799A (en) | Rinsing liquid for substrate, and substrate treatment method and equipment | |
| JP2002261068A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3811602B2 (en) | Substrate surface treatment method and substrate surface treatment apparatus | |
| JPH11111673A (en) | Etching method and processing apparatus | |
| JP3035450B2 (en) | Substrate cleaning method | |
| US7064079B2 (en) | Method of removing polymer and apparatus for doing the same | |
| US20020179112A1 (en) | Method of cleaning electronic device | |
| TW201241911A (en) | Liquid treatment method, liquid treatment device and storage medium | |
| JP2007234812A (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
| JP3768802B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JPH08181137A (en) | Oxide film, method for forming the same, and semiconductor device | |
| US11673830B2 (en) | Glass carrier cleaning using ozone | |
| JP2005026489A (en) | Method and device for processing substrate | |
| JP2005175228A (en) | Method and device for peeling resist | |
| JP2006351805A (en) | Substrate processing method and device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060425 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060623 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060801 |