JP2002164663A - Build-up core board, build-up wiring board, and method of manufacturing the same - Google Patents
Build-up core board, build-up wiring board, and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 機械的研磨を用いずに熱・電気伝導性ポスト
と絶縁層の厚みを均一に制御できる新規な製造方法を提
供し、その結果、高速化に最適なビルドアップ配線基板
を提供する。
【解決手段】 本発明は下記の工程を主要工程とするビ
ルドアップコア基板の製造方法と、それにより可能とな
ったビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板であ
る。(1)バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他
方の主面にキャリヤ層を接合する。(2)エッチングに
よりバリヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポ
スト16が所定ピッチで複数個、林立するパターンエッ
チング品を作り、プリプレグ12を積層し、加熱加圧し
て第1積層品を作る。(3)該第1積層品から前記キャ
リヤ層を除去する。(4)更に前記バリヤ層を除去して
第2積層品を得て、プリプレグを積層し、加熱加圧して
ビルドアップコア基板を製造する。
(57) [Summary] (Modified) [PROBLEMS] To provide a novel manufacturing method capable of uniformly controlling the thickness of a heat / electrically conductive post and an insulating layer without using mechanical polishing, and as a result, to increase the speed. Provide an optimal build-up wiring board. SOLUTION: The present invention relates to a method of manufacturing a build-up core substrate having the following steps as main steps, and a build-up core substrate and a build-up wiring board made possible by the method. (1) A post forming layer is bonded to one main surface of the barrier layer, and a carrier layer is bonded to the other main surface. (2) By etching until the barrier layer is reached, a plurality of thermally and electrically conductive posts 16 are formed at a predetermined pitch to form a patterned etched product, and prepregs 12 are laminated, and heated and pressed to form a first laminated product. make. (3) removing the carrier layer from the first laminate. (4) The barrier layer is further removed to obtain a second laminated product, prepregs are laminated, and heated and pressed to produce a build-up core substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ配線
基板のコア基板、及びビルドアップ層を付加し表面に電
子部品が実装されて信号伝送が行われるビルドアップ配
線基板に係り、特に狭ピッチの半導体パッケージを可能
とする形状寸法のバラツキが極めて少ないものであり、
且つ放熱性に優れたものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a core board of a build-up wiring board and a build-up wiring board to which a built-up layer is added and an electronic component is mounted on a surface to transmit a signal. Very little variation in the shape and dimensions that enable semiconductor packages,
Also, it relates to one having excellent heat dissipation.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体パッケージは、高密度実装の為に
三次元実装、多層基板化しており、各層間の電気的接続
はスルーホールでなされている。半導体素子は、また熱
に弱い。そこで、半導体素子の発する熱を効果的に放熱
処理することができるとともに、構造を簡素にして安価
なコストで製造することができる半導体素子用基板の開
発が活発に行われてきた。従来、0.3mm程度のドリ
ルで、複数のスルーホールをピッチ1.27mm程度で
穴明け後、Cu等でスルーホールメッキを施して基板の
縦方向の導通を取っていた。2. Description of the Related Art A semiconductor package is three-dimensionally mounted on a multi-layer substrate for high-density mounting, and electrical connections between layers are made through holes. Semiconductor devices are also sensitive to heat. Therefore, the development of semiconductor element substrates that can effectively dissipate the heat generated by the semiconductor element and that can be manufactured at a low cost with a simple structure has been actively performed. Conventionally, a plurality of through holes have been drilled at a pitch of about 1.27 mm using a drill of about 0.3 mm, and then plated with Cu or the like to conduct conduction in the vertical direction of the substrate.
【0003】例えば特開平10−313071号公報に
は、基板の他方の主面上に放熱パターンを形成し、この
放熱パターン上に、配線基板に搭載される際の接合面と
なる放熱板を接合し、さらに基板の厚さ方向に貫通する
ように放熱用スルーホールを穿設してこの放熱用スルー
ホール内に金属材料を充填し、ベアチップが発する熱が
金属材料が充填された放熱用スルーホール及び放熱パタ
ーンを介して放熱板に伝導されるようにしたものが開示
される。また、特開平9−199632号公報には、フ
レキシブル基板において、放熱性に優れ、穴明け加工を
容易に行うことができ、かつ、高密度配線が可能な、電
子部品搭載用基板を開示する。For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-313071 discloses that a heat radiation pattern is formed on the other main surface of a substrate, and a heat radiation plate serving as a bonding surface when mounted on a wiring board is bonded onto the heat radiation pattern. Further, a through hole for heat radiation is formed so as to penetrate in the thickness direction of the substrate, and a metal material is filled in the through hole for heat radiation, and the heat generated by the bare chip is filled with the metal material. Also disclosed is one that is conducted to a heat sink through a heat dissipation pattern. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-199632 discloses an electronic component mounting substrate which is excellent in heat dissipation, facilitates drilling, and enables high-density wiring in a flexible substrate.
【0004】特開平9−199632号公報によると、
「電気絶縁性のフレキシブルフィルム及び該フレキシブ
ルフィルムの厚み方向に2層以上設けた導体回路よりな
る多層基板と、すべてのフレキシブルフィルムを貫通す
る貫通穴と、該貫通穴を覆うよう多層基板の上面側に設
けた放熱金属板と、上記貫通穴と放熱金属板とにより形
成される、電子部品を搭載するための搭載用凹部と、多
層基板に設けられ導体回路に導通するスルーホールとを
有する。フレキシブルフィルムの厚みは、30〜200
μmであることが好ましい。」According to JP-A-9-199632,
"A multilayer board comprising an electrically insulating flexible film and two or more conductive circuits provided in the thickness direction of the flexible film, a through hole penetrating all the flexible films, and an upper side of the multilayer board covering the through hole. And a mounting recess formed by the through-hole and the heat-dissipating metal plate for mounting an electronic component, and a through-hole provided on the multilayer substrate and conducting to a conductor circuit. The thickness of the film is 30 to 200
μm is preferred. "
【0005】特開平9−199632号公報の実施例に
よると、製造方法は次のとおりである。ガラス繊維入り
エポキシ系材料からなるフレキシブルフィルムを準備す
る。フレキシブルフィルムは、厚み0.05mm、幅
2.5〜15cmの可撓性を有する帯状のフィルムであ
る。このフレキシブルフィルムは、予めロール状に巻回
しておき、複数のロール体を形成しておく。次いで、上
記ロール体からフレキシブルフィルムを引き出しなが
ら、該フレキシブルフィルムの下面側に、熱可塑性のガ
ラス繊維入りエポキシ系材料からなる絶縁性接着剤を接
着する。次いで、パンチング加工により、フレキシブル
フィルムの略中央部分に貫通穴を穿設する。次いで、フ
レキシブルフィルムの下面側に、前記絶縁性接着剤を介
して、厚み35mmの銅箔を接着する。そして、スルー
ホールの内部に、半田を充填する。[0005] According to the embodiment of JP-A-9-199632, the manufacturing method is as follows. A flexible film made of a glass fiber-containing epoxy material is prepared. The flexible film is a flexible belt-shaped film having a thickness of 0.05 mm and a width of 2.5 to 15 cm. This flexible film is wound in a roll shape in advance to form a plurality of roll bodies. Next, while pulling out the flexible film from the roll, an insulating adhesive made of a thermoplastic glass fiber-containing epoxy material is adhered to the lower surface of the flexible film. Next, a through hole is formed in a substantially central portion of the flexible film by punching. Next, a copper foil having a thickness of 35 mm is bonded to the lower surface side of the flexible film via the insulating adhesive. Then, the inside of the through hole is filled with solder.
【0006】また、近年半導体パッケージ基板は、機器
の小型化にともない、パターンはファイン化の一途をた
どり、いわゆるビルドアップ配線基板と称し、コア基板
の両面に絶縁層を塗布しビルドアップ層を付加してメッ
キ法によってパターンを形成していく方法が行われてい
る。図10に従来のビルドアップ配線基板の一例を図示
する。ビルドアップ配線基板3は、ビルドアップコア基
板1と上下のビルドアップ層でなる。ビルドアップコア
基板1は、ガラス繊維強化のエポキシ・リジッド材料を
用いることが多い。上側ビルドアップ層2aは、配線パ
ターン7、半田ボール5aを経て半導体(Si)チップ
4にC4接続される。C4接続とは、controlled coll
apsible chip connectorの略語で、LSIチップの電
気信号と発生する熱をパッドを経て基板へと流れる電気
的にも熱的にも有効な伝導路を形成する接続手法であ
る。In recent years, with the miniaturization of equipment, the pattern of semiconductor package substrates has been getting finer and finer, and is called a so-called build-up wiring board. An insulating layer is applied to both sides of a core substrate and a build-up layer is added. Then, a method of forming a pattern by a plating method is performed. FIG. 10 shows an example of a conventional build-up wiring board. The build-up wiring board 3 includes the build-up core board 1 and upper and lower build-up layers. The build-up core substrate 1 often uses a glass fiber reinforced epoxy-rigid material. The upper buildup layer 2a is C4 connected to the semiconductor (Si) chip 4 via the wiring pattern 7 and the solder balls 5a. C4 connection means controlled coll
Abbreviation for apsible chip connector, a connection method that forms an electrically and thermally effective conductive path that flows an electric signal of an LSI chip and generated heat to a substrate via a pad.
【0007】記号4はLSI、CSPなどの半導体素子
である場合もある。アンダーフィル6は、樹脂などで耐
湿性および耐衝撃性向上の為に封止する機能がある。下
側ビルドアップ層2bは、半田ボール5bを経て、外部
回路に接続される。コア基板1は、スルーホール8の内
壁にCuメッキして穴埋めし、樹脂を充填して平坦化す
る。上下のビルドアップ層は電気的、熱的に接続されて
いる。下側ビルドアップ層2bは、通常、ビルドアップ
コア基板1を取り囲んで上下対称にバランスをとって、
ビルドアップ配線基板3全体として、反り無く平坦度を
出す為に設けることが多い。ビルドアップ層2a、2b
は、1〜3層が一般的であり、この層のCuはメッキで
形成することが多い。回路パターンはメッキCuをエッ
チングまたはアディティブ法のメッキで形成される。The symbol 4 may be a semiconductor device such as an LSI or a CSP. The underfill 6 has a function of sealing with a resin or the like to improve moisture resistance and impact resistance. The lower buildup layer 2b is connected to an external circuit via the solder ball 5b. In the core substrate 1, Cu plating is performed on the inner wall of the through hole 8 to fill the hole, and the inner wall of the through hole 8 is filled with resin and flattened. The upper and lower buildup layers are electrically and thermally connected. The lower build-up layer 2b normally surrounds the build-up core substrate 1 and balances vertically symmetrically,
In many cases, the entire build-up wiring board 3 is provided to provide flatness without warpage. Build-up layers 2a, 2b
Is generally 1 to 3 layers, and Cu of this layer is often formed by plating. The circuit pattern is formed by etching plated Cu or plating by an additive method.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来のビルドアップコ
ア基板1のスルーホール8は、通常0.3mmのドリル
で穴あけするし補強材として入れたガラス繊維が邪魔と
なって、ピッチを狭くすることは困難で、せいぜい1.
27mm程度と粗いものしかできない。従って、年々ピ
ッチの狭くなる半導体チップ4のバンプ、半田ボール5
aのピッチとは不整合が大きく、ビルドアップ層2aの
配線で大きく引き回して、層間結合を所謂スタッガ方式
としなければならず、配線長を増大する。このことは、
信号の伝送速度を遅らせ、動作周波数が1GHzにも達
する現状において、高速化のニーズに反して問題であ
る。ビルドアップコア基板での再配線長が長くなり、上
側ビルドアップ層2aの信号結線を制限する問題もあ
る。The through-holes 8 of the conventional build-up core substrate 1 are usually made by drilling with a 0.3 mm drill and narrowed by a glass fiber inserted as a reinforcing material, thereby reducing the pitch. Is difficult, at best 1.
Only a rough thing of about 27 mm can be made. Accordingly, the bumps and the solder balls 5 of the semiconductor chip 4 whose pitch becomes narrower year by year
There is a great mismatch with the pitch of a, and the wiring of the build-up layer 2a must be routed to a large extent, so that the interlayer coupling must be of a so-called stagger type, which increases the wiring length. This means
Under the current situation where the signal transmission speed is delayed and the operating frequency reaches 1 GHz, this is a problem contrary to the need for high speed. There is also a problem that the rewiring length in the build-up core substrate becomes longer and the signal connection of the upper build-up layer 2a is limited.
【0009】また、下側ビルドアップ層2bは、スルー
ホールの数が少ないために有効利用できないという問題
がある。BGA用の半田ボール5bとの接続くらいにし
か使えないからである。従来のようにドリルで穿孔する
製造方法では、スルーホールの径が大きく、ピッチも大
きく、配線の展開がビルドアップ配線基板3の上面に偏
りがちである。ビルドアップコア基板のスルーホールが
半導体チップ4のバンプ密度より遥かに低いので、下側
ビルドアップ層2bのチャンネルを使いこなせないとい
う問題がある。Further, there is a problem that the lower buildup layer 2b cannot be effectively used because the number of through holes is small. This is because it can be used only for connection with the solder ball 5b for BGA. In a conventional manufacturing method in which a hole is drilled, the diameter of the through hole is large and the pitch is large, and the development of the wiring tends to be biased toward the upper surface of the build-up wiring board 3. Since the through hole of the build-up core substrate is much lower than the bump density of the semiconductor chip 4, there is a problem that the channel of the lower build-up layer 2b cannot be used.
【0010】また、図10に示す従来のビルドアップコ
ア基板1では放熱に関与できるのはスルーホール8の内
壁のメッキ層くらいであり熱放散性に劣るという問題が
あった。更に、ビルドアップコア基板のCu板をハーフ
エッチングし、樹脂埋込み後、平面研磨手段によって複
数の熱・電気伝導性ポストの端部が露出するまで研磨す
る方法がある。この場合、露出する熱・電気伝導性ポス
トと、未露出の熱・電気伝導性ポストとが混在して、バ
ラツキが大きいだけでなく、熱放散性が悪く信頼性と加
工性に劣るという問題があった。Also, in the conventional build-up core substrate 1 shown in FIG. 10, only the plating layer on the inner wall of the through hole 8 can be involved in heat radiation, and there is a problem that heat dissipation is poor. Further, there is a method in which a Cu plate of a build-up core substrate is half-etched, and after embedding a resin, polishing is performed by planar polishing means until the ends of the plurality of heat and electric conductive posts are exposed. In this case, the exposed heat / electrically conductive posts and the unexposed heat / electrically conductive posts coexist, resulting in not only large variations, but also poor heat dissipation and poor reliability and workability. there were.
【0011】従来のCu板のエッチングでは、エッチン
グで形成される孔の形状、深さがばらつくのが通常であ
る。場所によって被エッチング性にバラツキがあるため
である。次に、プリプレグをラミネートしてエッチング
された孔をすべて埋め、反転してCu層側を裏面研磨し
て樹脂にCuの熱・電気伝導性ポストが所定のピッチで
複数個、埋め込まれたものを製造する場合には、研磨面
をどこで止めるかによって、Cu層の厚さ、絶縁層の厚
さが、その都度ばらついてしまうという問題があった。In conventional etching of a Cu plate, the shape and depth of holes formed by etching usually vary. This is because the etchability varies depending on the location. Next, the prepreg is laminated to fill all the etched holes, the Cu layer side is inverted and the back side is polished, and a plurality of Cu heat / electrically conductive posts are embedded in the resin at a predetermined pitch. In the case of manufacturing, there is a problem that the thickness of the Cu layer and the thickness of the insulating layer vary each time depending on where the polishing surface is stopped.
【0012】図11を用いて、この問題点を詳細に説明
する。図11(a)は、従来のCu板のエッチング後の
断面形状を示す。エッチング深さのバラッキがあり、理
想的な台形からずれた形状である。これに図11(b)
に示すように樹脂を充填して、図11(b)のCu板側
からエッチングすると、図11(c)に示すようにエッ
チング残り、樹脂出っ張り、ショート(電気的短絡)が
発生する。この為、更に裏面の機械的な研磨が必要とな
り、余計な工数がかかる上に均一性が悪いという問題が
あった。これは信号の伝送速度を遅らせる問題となって
いた。This problem will be described in detail with reference to FIG. FIG. 11A shows a cross-sectional shape of a conventional Cu plate after etching. There is unevenness in the etching depth, and the shape deviates from the ideal trapezoid. This is shown in FIG.
When the resin is filled as shown in FIG. 11 and etching is performed from the side of the Cu plate in FIG. 11B, etching remains as shown in FIG. 11C, and the resin protrudes and a short circuit (electric short circuit) occurs. For this reason, mechanical polishing of the back surface is further required, resulting in a problem that extra man-hours are required and uniformity is poor. This has been a problem of slowing down the signal transmission speed.
【0013】また、半導体素子4の受けパッドは信頼性
確保の為、大きくする必要があり、その為に上側ビルド
アップ層2aと下側ビルドアップ層2bのチャンネル静
電容量のバランスが悪くなり、邪魔な浮遊容量を形成す
る問題もあった。また、ガラス繊維強化エポキシ樹脂基
板を用いる場合、スルーホールのドリルによる穴あけは
ガラス繊維により微細な穴あけが阻害されるのみなら
ず、繊維の破断を来たし、信頼性の低下、後のメッキ工
程でのメツキ液の染込みなど、種々の問題もある。ま
た、熱膨張係数を調節するために樹脂にフィラーを添加
することが多くなっているが、微小ビア(スルーホー
ル)加工の場合には、このフィラーの粒径自体が妨げに
なるという問題もある。そこで、本発明は、機械的研磨
を用いずに熱・電気伝導性ポストと絶縁層の厚みを均一
に制御できる新規な製造方法を提供し、その結果、高速
化に最適なビルドアップ配線基板を提供することを目的
とする。In addition, the receiving pad of the semiconductor element 4 needs to be large in order to ensure reliability, and as a result, the balance between the channel capacitances of the upper build-up layer 2a and the lower build-up layer 2b deteriorates. There was also the problem of forming disturbing stray capacitances. In addition, when a glass fiber reinforced epoxy resin substrate is used, drilling of through holes not only hinders fine drilling by glass fiber, but also causes fiber breakage, lowers reliability, and reduces the reliability of the plating process in later plating steps. There are also various problems such as infiltration of the plating solution. In addition, a filler is often added to the resin in order to adjust the coefficient of thermal expansion. However, in the case of processing a micro via (through hole), there is a problem that the particle size itself of the filler is hindered. . Therefore, the present invention provides a novel manufacturing method capable of uniformly controlling the thickness of the heat / electrically conductive post and the insulating layer without using mechanical polishing. As a result, a build-up wiring board optimal for high speed operation is provided. The purpose is to provide.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するため、下記の構成を趣旨とする。なお、括
弧()内に、図1〜図9で使用した記号を、理解の容易
の為に示す。本発明の技術的思想が、図1〜図9の実施
例に限定されるものではない。なお、ポスト形成層1
0、熱・電気伝導性ポスト15、孔明き板19は、同じ
ものを別な用語を用いて使い分けている。例えば、図1
のエッチングの説明の時にはポスト形成層10を、図4
のビルドアップコア基板の時には熱・電気伝導性ポスト
15を、そして空洞部18を包含する全体を孔明き板1
9と呼んでいる。同様に、プリプレグ12、13と、充
填樹脂14と、絶縁材17とは、例えば図2の積層して
加熱加圧するビルドアップコア基板の製造方法の説明で
はプリプレグ12、13を、図3のスクリーンプリント
法でのビルドアップコア基板の製造方法の説明には充填
樹脂14を、出来上がったビルドアップコア基板の構成
を機能的に説明する図4では絶縁材17を記号に用いて
いる。Means for Solving the Problems The present invention has the following constitution to solve the above-mentioned problems. The symbols used in FIGS. 1 to 9 are shown in parentheses () for easy understanding. The technical idea of the present invention is not limited to the embodiment shown in FIGS. Note that the post forming layer 1
0, the heat / electrically conductive post 15, and the perforated plate 19 are used differently for different ones. For example, FIG.
In the description of the etching of FIG.
In the case of the build-up core substrate of FIG.
I'm calling 9. Similarly, the prepregs 12 and 13, the filling resin 14, and the insulating material 17 are, for example, the prepregs 12 and 13 and the screen shown in FIG. In the description of the manufacturing method of the build-up core substrate by the printing method, the filling resin 14 is used as a symbol, and in FIG. 4 which functionally describes the structure of the completed build-up core substrate, an insulating material 17 is used as a symbol.
【0015】{1}板厚方向に複数の貫通孔(18)を
有する熱・電気伝導性板(15)と、前記貫通孔(1
8)内に設けられた島状に孤立した複数の熱・電気伝導
性ポスト(16)と、該複数の熱・電気伝導性ポスト
(16)の外周に設けられ、前記熱・電気伝導性板(1
5)との間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポス
ト(16)を電気的に絶縁する絶縁材(17)と、前記
熱・電気伝導性板(15)の両主面に接合された絶縁板
(12、13)からなることを特徴とするビルドアップ
コア基板(1)。なお、熱・電気伝導性ポスト(16)
は、下位概念として、メタルポスト、メタルコアと呼ぶ
こともある。{1} A thermally and electrically conductive plate (15) having a plurality of through holes (18) in the plate thickness direction;
8) a plurality of thermally and electrically conductive posts (16) provided in the form of islands, and the thermally and electrically conductive plate provided on the outer periphery of the plurality of thermally and electrically conductive posts (16). (1
5) and an insulating material (17) for electrically insulating the plurality of thermally and electrically conductive posts (16) from each other, and to both main surfaces of the thermally and electrically conductive plate (15). A build-up core substrate (1), comprising a bonded insulating plate (12, 13). The heat and electric conductive post (16)
May be called a metal post or a metal core as a lower concept.
【0016】{2}前記複数の熱・電気伝導性ポスト
(16)が、CuまたはCu合金である{1}記載のビ
ルドアップコア基板(1)である。 {3}前記複数の熱・電気伝導性ポスト(16)の直径
が、0.01〜0.2mm、ピッチが0.1〜1.0m
mであることを特徴とする{1}記載のビルドアップコ
ア基板(1)である。 {4} 前記絶縁材(17)が、ガラス繊維強化エポキ
シ樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン
(BT)樹脂、またはポリエーテル・サルフォン(PE
S)配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする
{1}記載のビルドアップコア基板(1)である。 {5}前記複数の熱・電気伝導性ポスト(16)の外周
に、絶縁材(17)と孔明き板(19)を具備すること
を特徴とした{1}載のビルドアップコア基板(1)で
ある。 {6}前記{1}記載のビルドアップコア基板(1)
と、該ビルドアップコア基板(1)の主表面に形成され
るビルドアップ層(2a、2b)を備えたビルドアップ
配線基板(3)である。{2} The build-up core substrate (1) according to {1}, wherein the plurality of thermally and electrically conductive posts (16) are made of Cu or a Cu alloy. {3} The plurality of thermally and electrically conductive posts (16) have a diameter of 0.01 to 0.2 mm and a pitch of 0.1 to 1.0 m.
m, the build-up core substrate (1) according to {1}. {4} The insulating material (17) is made of glass fiber reinforced epoxy resin, glass fiber reinforced bismaleimide triazine (BT) resin, or polyether sulfone (PE).
S) The build-up core substrate (1) according to {1}, which is any one of a compounded epoxy resin, a polyimide resin, and a polyamideimide resin. {5} The build-up core substrate (1) according to {1}, wherein an insulating material (17) and a perforated plate (19) are provided on the outer periphery of the plurality of thermally and electrically conductive posts (16). ). {6} The build-up core substrate according to the above {1} (1)
And a build-up wiring board (3) including build-up layers (2a, 2b) formed on the main surface of the build-up core board (1).
【0017】{7}下記の工程でなることを特徴とする
ビルドアップコア基板(1)の製造方法である。 {イ}バリヤ層(9)の一方の主面にポスト形成層(1
0)を、他方の主面にキャリヤ層(11)を接合する。 {ロ}前記ポスト形成層(10)に、複数の熱・電気伝
導性ポスト(16)の形成中心を決める。 {ハ}該熱・電気伝導性ポスト(16)の形成中心か
ら、前記熱・電気伝導性ポスト(16)の半径(図4の
r)より大きい所定の領域(図4のrとRで囲まれた領
域)を除去するマスクを載置する。 {ニ}前記所定の領域(図4のrとRで囲まれた領域)
を、エッチングにより、前記バリヤ層(9)に達するま
で除去して、熱・電気伝導性ポスト(16)が複数個、
林立するパターンエッチング品を作る(図1(b))。
ここで、「熱・電気伝導性ポスト(16)が複数個、林
立する」とは、例えば図4(b)に示される。 {ホ}該パターンエッチング品に、粗化処理をした後、
プリプレグ(12)を積層し、加熱加圧して第1積層品
を作る(図2(a))。 {ヘ}該第1積層品から前記キャリヤ層(11)を除去
する(図2(b))。 {ト}更に前記バリヤ層(9)を除去して第2積層品を
得る(図2(c))。 {チ}該第2積層品とプリプレグ(13)を積層し、加
熱加圧してビルドアップコア基板を製造する(図2
(d))。{7} A method for manufacturing a build-up core substrate (1), comprising the following steps. The post forming layer (1) is formed on one main surface of the barrier layer (9).
0), the carrier layer (11) is bonded to the other main surface. {Circle around (2)} The center of formation of the plurality of thermally and electrically conductive posts (16) is determined in the post forming layer (10). {C} A predetermined area (encircled by r and R in FIG. 4) from the center of formation of the heat and electric conductive post (16), which is larger than the radius (r in FIG. 4) of the heat and electric conductive post (16). (A masked region) is placed. {D} The predetermined area (area surrounded by r and R in FIG. 4)
Is removed by etching until the barrier layer (9) is reached, and a plurality of thermally and electrically conductive posts (16) are removed.
A pattern-etched product that stands out is made (FIG. 1B).
Here, "a plurality of thermal / electrically conductive posts (16) stand" is shown in FIG. 4B, for example. {After roughening the pattern etched product,
The prepreg (12) is laminated and heated and pressed to produce a first laminated product (FIG. 2 (a)). {F} The carrier layer (11) is removed from the first laminate (FIG. 2B). {G} Further, the barrier layer (9) is removed to obtain a second laminated product (FIG. 2 (c)). <2> The second laminate and the prepreg (13) are laminated and heated and pressed to produce a build-up core substrate (FIG. 2).
(D)).
【0018】{8}下記の工程でなることを特徴とする
ビルドアップコア基板の製造方法である。 {イ}バリヤ層(9)の一方の主面にポスト形成層(1
0)を、他方の主面にキャリヤ層(11)を接合する。 {ロ}前記ポスト形成層(10)に複数の熱・電気伝導
性ポストの形成中心を決める。 {ハ}該熱・電気伝導性ポストの形成中心から、前記熱
・電気伝導性ポストの半径より大きい所定の領域(図4
のrとRで囲まれた領域)を除去するマスクを載置す
る。 {ニ}前記所定の領域(図4のrとRで囲まれた領域)
を、エッチングにより、前記バリヤ層(9)に達するま
で除去して、熱・電気伝導性ポスト(16)が複数個、
林立するパターンエッチング品を作る(図3(a))。 {ホ}前記パターンエッチング品に粗化処理をした後、
空洞部(18)にスクリーンプリント法で樹脂を充填す
る(図3(b))。 {ヘ}前記キャリヤ層(11)をエッチング除去する
(図3(c))。 {ト}更に前記バリヤ層(9)をエッチング除去する
(図3(d))。 {チ}次いで主面両側からプリプレグ(12、13)を
積層し、加熱加圧する(図3(e))。{8} A method of manufacturing a build-up core substrate, comprising the following steps. The post forming layer (1) is formed on one main surface of the barrier layer (9).
0), the carrier layer (11) is bonded to the other main surface. {Circle around (2)} The center of formation of a plurality of thermally and electrically conductive posts is determined in the post forming layer (10). {Circle over (3)} A predetermined area larger than the radius of the heat and electric conductive post from the center of formation of the heat and electric conductive post (FIG. 4)
(A region surrounded by r and R) is placed. {D} The predetermined area (area surrounded by r and R in FIG. 4)
Is removed by etching until the barrier layer (9) is reached, and a plurality of thermally and electrically conductive posts (16) are removed.
A protruding pattern-etched product is produced (FIG. 3A). {E After roughening the pattern etching product,
The cavity (18) is filled with a resin by a screen printing method (FIG. 3B). {F} The carrier layer (11) is removed by etching (FIG. 3 (c)). (4) The barrier layer (9) is further removed by etching (FIG. 3 (d)). Next, prepregs (12, 13) are laminated from both sides of the main surface, and heated and pressed (FIG. 3 (e)).
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明に係る
ビルドアップコア基板の製造方法を説明する。図1は本
発明に係るビルドアップコア基板のパターンエッチング
品を示す図である。図1(a)は平面図、図1(b)は
A-A矢視断面図である。図2は本発明に係るビルドア
ップコア基板の一製造方法を示す図、図3は本発明に係
るビルドアップコア基板の別の製造方法を示す図、図4
は本発明に係るビルドアップコア基板の斜視断面図であ
る。図1において、記号9はバリヤ層、記号10はポス
ト形成層、記号11はキャリヤ層である。材質の一例を
挙げると、バリヤ層9がTi、Sn、Niなど、ポスト
形成層10がCuまたはその合金、キャリヤ層3がCu
またはその合金である。なお、図1に示す例では、熱・
電気伝導性ポストと絶縁材が同心円をなしているが、必
ずしも同心円状である限定はない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a build-up core substrate according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing a pattern-etched product of a build-up core substrate according to the present invention. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA. FIG. 2 is a view showing one method of manufacturing the build-up core substrate according to the present invention, FIG. 3 is a view showing another method of manufacturing the build-up core substrate according to the present invention, FIG.
1 is a perspective sectional view of a build-up core substrate according to the present invention. In FIG. 1, symbol 9 is a barrier layer, symbol 10 is a post forming layer, and symbol 11 is a carrier layer. As an example of the material, the barrier layer 9 is made of Ti, Sn, Ni, etc., the post forming layer 10 is made of Cu or an alloy thereof, and the carrier layer 3 is made of Cu.
Or its alloy. In the example shown in FIG.
Although the electrically conductive post and the insulating material form a concentric circle, it is not necessarily limited to the concentric shape.
【0020】先ず、バリヤ層9の両面にエポキシ樹脂等
でポスト形成層10とキャリヤ層11を接合する。ある
いは冶金学的な拡散接合に依ってもよい。次いで、所定
ピッチで熱・電気伝導性ポストの形成中心を決め、該熱
・電気伝導性ポストの形成中心から、前記熱・電気伝導
性ポストの半径と所定径の同心円を除去するマスクを載
置する。本発明は図1に限定されるものではないから、
所定のピッチで、且つ同心円状である限定はない。本発
明においては、従来のようにドリルを用いるのではない
から、ピッチを従来の1.27mm程度に比べて狭ピッ
チの1.0mm以下にすることが可能である。本発明に
おいて、このピッチの下限は、エッチング技術の進歩に
伴って、年々下がっており、現状では0.1mm程度ま
では可能である。今後、この下限はもっと下がることは
言うまでもない。First, the post forming layer 10 and the carrier layer 11 are joined to both surfaces of the barrier layer 9 with epoxy resin or the like. Alternatively, it may rely on metallurgical diffusion bonding. Next, a center for forming the heat / electrically conductive post is determined at a predetermined pitch, and a mask for removing a concentric circle having a predetermined diameter and a radius of the heat / electrically conductive post is placed from the center of the heat / electrically conductive post. I do. Since the present invention is not limited to FIG.
There is no limitation that the pitch is a predetermined pitch and concentric. In the present invention, since a drill is not used as in the related art, the pitch can be reduced to 1.0 mm or less, which is a narrower pitch than in the related art of about 1.27 mm. In the present invention, the lower limit of the pitch has been decreasing year by year with the progress of the etching technology, and currently, it is possible to reach about 0.1 mm. It goes without saying that this lower limit will be further reduced in the future.
【0021】そして、エッチングにより前記同心円状に
前記ポスト形成層10を、同心円状に前記バリヤ層9に
達するまで除去して、複数個の熱・電気伝導性ポスト1
0aが所定ピッチで林立するパターンエッチング品(図
1(b))を作る。図4に複数個の熱・電気伝導性ポス
ト10aがガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレ
グ12に封入された断面斜視図を示す。本発明のビルド
アップコア基板1を用いると、図9に図示したように、
熱は、複数個の熱・電気伝導性ポスト10aの縦方向の
みならず、隣接した他の熱・電気伝導性ポストへリレー
式に伝達され、放熱される。Then, the post forming layer 10 is concentrically removed by etching until the post forming layer 10 reaches the barrier layer 9, and a plurality of heat and electric conductive posts 1 are formed.
A pattern-etched product (FIG. 1B) in which Oa stands at a predetermined pitch is produced. FIG. 4 is a sectional perspective view in which a plurality of heat / electrically conductive posts 10a are sealed in a prepreg 12 such as a glass fiber reinforced epoxy resin. When the build-up core substrate 1 of the present invention is used, as shown in FIG.
The heat is transmitted to not only the vertical direction of the plurality of heat / electrically conductive posts 10a but also other adjacent heat / electrically conductive posts in a relay manner, and the heat is radiated.
【0022】化学エッチング液としては、バリヤ層9が
Tiの場合には、エチレンジアミン系のエンストリップ
TL−142(メルテックス社製、商品名)濃縮液を用
いる。その他、バリヤ層9の材質に応じて、メテックS
CB(マクダーミッド社製商品名)等の市販の溶液や、
硝酸と過酸化水素の混合物、クロム酸と硫酸の混酸など
が使える。When the barrier layer 9 is made of Ti, an ethylenediamine-based Enstrip TL-142 (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) is used as the chemical etching solution. In addition, depending on the material of the barrier layer 9, Metec S
Commercial solutions such as CB (trade name of McDermid),
A mixture of nitric acid and hydrogen peroxide and a mixed acid of chromic acid and sulfuric acid can be used.
【0023】本発明においては、前記バリア層をエッチ
ング・ストップ層として機能させるので、高さのバラツ
キが無く精密に制御された複数の熱導電性ポスト10a
のアレイを得ることができる。更に、余計な機械的研磨
も不要である。本発明によると、優れたエッチング性を
有し、配線部のコーナー部を顕微鏡で観察した結果も、
理想的な形状にエッチングされていることを確認した。In the present invention, since the barrier layer functions as an etching stop layer, the plurality of thermally conductive posts 10a which are precisely controlled without variation in height.
Can be obtained. Further, no extra mechanical polishing is required. According to the present invention, having excellent etching properties, the results of observing the corners of the wiring portion with a microscope,
It was confirmed that the film was etched into an ideal shape.
【0024】本発明のこの特徴は重要である。それは基
板を電子回路に用いる場合のマイクロストリップ線路の
特性インピーダンスで理解できる。特性インピーダンス
は、材料の透磁率、誘電率を一定とした場合、自然対数
lnで表すln(4h/(0.536w+0.67
t))なる値に比例することが、多くの教科書、例えば
中沢喜三郎他著「VLSIシステム設計」で知られてい
る。ここで、記号hは絶縁層厚、記号wは配線幅、記号
tは配線厚である。この関係式から、インピーダンス制
御のために絶縁層および導体層の各厚さ制御が重要であ
ることが分かる。特性インピーダンスが一定下(例えば
50Ω)では、配線幅が狭くなると絶縁厚も薄くなり、
その公差も小さくなる。また、幅、厚さについての管理
がより厳しくなる。すなわち、動作周波数が1GHzに
もなろうとする高速化時代には絶縁層および導体層の各
厚さ制御が重要である。This feature of the invention is important. It can be understood from the characteristic impedance of the microstrip line when the substrate is used for an electronic circuit. The characteristic impedance is expressed as ln (4h / (0.536w + 0.67) expressed by natural logarithm ln when the magnetic permeability and permittivity of the material are constant.
t)) is known in many textbooks, for example, "VLSI System Design" by Kisaburo Nakazawa et al. Here, the symbol h is the thickness of the insulating layer, the symbol w is the wiring width, and the symbol t is the wiring thickness. From this relational expression, it is understood that controlling the thickness of each of the insulating layer and the conductor layer is important for controlling the impedance. When the characteristic impedance is constant (for example, 50Ω), the insulation thickness decreases as the wiring width decreases,
The tolerance is also reduced. Further, the management of the width and the thickness becomes more strict. That is, in the era of high speeds at which the operating frequency approaches 1 GHz, it is important to control the thicknesses of the insulating layer and the conductor layer.
【0025】本発明におけるポスト形成層10の材質と
して好適なのは、熱及び電気の良好な導体であるCuま
たはその合金である。Cuは、無酸素銅線(OFC:Ox
ygenFree Copper)、電解銅などを用いることができる
が、バリヤ層9と接着ではなく拡散接合などの冶金学的
接合を用いる場合には、例えばSnを添加して耐熱性を
改良したものが好ましい。The material of the post forming layer 10 in the present invention is preferably Cu or an alloy thereof which is a conductor having good heat and electricity. Cu is an oxygen-free copper wire (OFC: Ox
ygenFree Copper), electrolytic copper and the like can be used. However, when metallurgical bonding such as diffusion bonding is used instead of adhesion with the barrier layer 9, it is preferable to add Sn, for example, to improve heat resistance.
【0026】次に、図2を用いて本発明のビルドアップ
コア基板の製造方法の説明を続ける。パターンエッチン
グ品(図1(b))は、島状に孤立した複数の熱・電気
伝導性ポスト16(図1(b)では、ダブルハッチング
で示した)が、空洞部18を隔てて林立する。図2に示
すように、このパターンエッチング品(図1(b))に
ガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレグ12を積
層し加熱加圧して第1積層品(図2(a))を作り、該
第1積層品から前記キャリヤ層11を塩化第二鉄溶液に
より除去する。前記キャリヤ層11は、その剛性により
ハンドリング性を向上する。Next, the method for manufacturing the build-up core substrate of the present invention will be described with reference to FIG. In the pattern-etched product (FIG. 1B), a plurality of thermally and electrically conductive posts 16 (indicated by double hatching in FIG. 1B) isolated in the form of islands stand between the hollow portions 18. . As shown in FIG. 2, a prepreg 12 such as a glass fiber reinforced epoxy resin is laminated on the pattern-etched product (FIG. 1B), and heated and pressed to form a first laminated product (FIG. 2A). The carrier layer 11 is removed from the first laminate with a ferric chloride solution. The carrier layer 11 improves handling due to its rigidity.
【0027】パターンエッチング品(図1(b))とプ
リプレグとの接着力を向上するために、パターンエッチ
ング品(図1(b))の金属面を粗化処理することが好
ましい。粗化処理の方法は、特に限定されないが、メッ
キで瘤状の微小突起を形成したり、機械的に研磨したり
して金属面とエポキシ樹脂間の接着力の向上を図る。In order to improve the adhesive strength between the pattern-etched product (FIG. 1B) and the prepreg, it is preferable to roughen the metal surface of the pattern-etched product (FIG. 1B). Although there is no particular limitation on the method of the roughening treatment, fine bumps are formed by plating or mechanically polished to improve the adhesive force between the metal surface and the epoxy resin.
【0028】プリプレグの材質としては、ガラス繊維強
化エポキシ樹脂のほかに、ガラス繊維強化ビスマレイミ
ド・トリアジン(BT:bismallimide triazene)樹
脂、またはポリエーテル・サルフォン(PES:poly-et
her sulphon)配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、RCC(樹脂付き銅箔(Resin C
oated Copper))等が好適である。その他、未硬化な
いしは半硬化したプリプレグとしては、ガラス布、ガラ
ス単繊維、紙等の強化基材に、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、あるいはこれらの混合物等
と、それぞれの樹脂の硬化剤を含浸させたもの、あるい
は、加熱して半硬化状(B−ステージ)にしたものが使
用できる。この樹脂としては、ふっ素樹脂のように熱可
塑性の樹脂をも用いることができる。As a material of the prepreg, besides glass fiber reinforced epoxy resin, glass fiber reinforced bismaleimide triazine (BT) resin, or polyether sulfone (PES: poly-et)
her sulphon) epoxy resin, polyimide resin, polyamide imide resin, RCC (resin copper foil (Resin C
oated Copper)) and the like. In addition, as the uncured or semi-cured prepreg, a reinforcing material such as glass cloth, glass single fiber, paper, polyimide resin, epoxy resin, phenolic resin, or a mixture thereof, and a curing agent for each resin. Impregnated or semi-cured (B-stage) by heating can be used. As this resin, a thermoplastic resin such as a fluororesin can also be used.
【0029】なお、近年、半田の鉛フリー化が急速に進
展している。鉛フリー化によるリフロー炉の温度上昇等
から、基材、ビルドアップ層のより高Tg(ガラス化温
度)化が求められている。本発明のビルドアップコア基
板、ビルドアップ層についても係る考慮も必要である。In recent years, lead-free soldering has been rapidly progressing. Due to a rise in the temperature of the reflow furnace due to the lead-free process, a higher Tg (vitrification temperature) of the base material and the build-up layer is required. It is necessary to consider the build-up core substrate and the build-up layer of the present invention.
【0030】更に前記バリヤ層9をエンストリップTL
−142濃縮液などで除去して第2積層品(図2
(c))を得て、該第2積層品とプリプレグ13を積層
し、加熱加圧してビルドアップコア基板(図2(d))
を得る。ここで、前記バリヤ層の材質はTi、Sn、N
iまたはそれらの合金、前記ポスト形成層の材質はCu
またはその合金、前記キャリヤ層の材質はCuまたはそ
の合金が好適である。本発明では、バリヤ層9を正確な
エッチング深さのコントロール手段として用いることが
できる。Further, the barrier layer 9 is formed by en strip TL
-142 concentrate to remove the second layered product (Fig. 2
(C)), the second laminate and the prepreg 13 are laminated, and heated and pressed to build up a core substrate (FIG. 2 (d)).
Get. Here, the material of the barrier layer is Ti, Sn, N
i or an alloy thereof, and the material of the post forming layer is Cu
Alternatively, the alloy and the material of the carrier layer are preferably Cu or an alloy thereof. In the present invention, the barrier layer 9 can be used as a means for controlling an accurate etching depth.
【0031】図3を用いて本発明に係るビルドアップコ
ア基板の別の製造方法を説明する。熱・電気伝導性ポス
ト10aが所定ピッチで複数個、林立するパターンエッ
チング品を作る工程までは、図2で説明したのと同一で
ある。次いで、前記パターンエッチング品(図3
(a))の凹部にスクリーンプリント法で、加熱して半
硬化状の樹脂14を充填する(図3(b))。そして、
前記キャリヤ層11をエッチング除去する(図3
(c))。更に前記バリヤ層9をエッチング除去し(図
3(d))、主面両側からプリプレグ12、13を積層
し、加熱加圧してビルドアップコア基板を得る(図3
(e))。図2と図3を用いて本発明に係るビルドアッ
プコア基板の製造方法の一例を示したが、本発明はそれ
に限定されるものではなく、リールに巻かれた金属箔、
樹脂フィルムを用いてローラによって連続的にリール・
ツー・リール(reel-to-reel )工法でホトエッチング
やラミネート工程までを連続的に処理することもでき
る。Another method of manufacturing the build-up core substrate according to the present invention will be described with reference to FIG. The steps up to the step of forming a pattern-etched product in which a plurality of the heat / electrically conductive posts 10a are arranged at a predetermined pitch are the same as those described with reference to FIG. Next, the pattern-etched product (FIG. 3)
The semi-cured resin 14 is filled by heating in the concave portion of FIG. 3A by a screen printing method (FIG. 3B). And
The carrier layer 11 is removed by etching (FIG.
(C)). Further, the barrier layer 9 is removed by etching (FIG. 3D), prepregs 12 and 13 are laminated from both sides of the main surface, and heated and pressed to obtain a build-up core substrate (FIG. 3).
(E)). An example of a method for manufacturing a build-up core substrate according to the present invention has been described with reference to FIGS. 2 and 3, but the present invention is not limited thereto, and a metal foil wound on a reel,
Continuous reeling by roller using resin film
By the reel-to-reel method, photo-etching and laminating processes can be performed continuously.
【0032】図4に、本発明に係るビルドアップコア基
板1の部分断面斜視図を示す。複数の林立する熱・電気
伝導性ポスト16の外周を、絶縁材17が取り巻き、C
uなどの孔明き板19がその外周に設けられる。本発明
に係るビルドアップコア基板1の用途は、図5に例示す
るように、このビルドアップコア基板1の上下にビルド
アップ層2a、2bを付加したビルドアップ配線基板3
などである。一般にビルドアップ配線基板とは、たとえ
ばベース部分をガラスエポキシ積層板とし、ベースの表
面を接続するスルーホールはエポキシ樹脂により埋めら
れているものや、表面実装をビルドアップしたもの、あ
るいは前記のビルドアップ配線基板と表面実装とを組合
せたものを言う。これらのビルドアップ層2a上面及び
ビルドアップ層2b下面には、それぞれ配線導体層が形
成される。ビルドアップ層の数は、1層に限定されず複
数層であることが多い。FIG. 4 is a partial sectional perspective view of the build-up core substrate 1 according to the present invention. An insulating material 17 surrounds the outer periphery of the plurality of standing heat and electric conductive posts 16,
A perforated plate 19 such as u is provided on the outer periphery thereof. The use of the build-up core board 1 according to the present invention is, as exemplified in FIG. 5, a build-up wiring board 3 in which build-up layers 2a and 2b are added above and below the build-up core board 1.
And so on. Generally, a build-up wiring board is, for example, a base part made of a glass-epoxy laminate, and a through-hole connecting the surface of the base is filled with an epoxy resin, or a surface-mounted build-up, or the aforementioned build-up. It refers to a combination of a wiring board and surface mounting. A wiring conductor layer is formed on each of the upper surface of the build-up layer 2a and the lower surface of the build-up layer 2b. The number of build-up layers is not limited to one but is often a plurality.
【0033】本発明のビルドアップコア基板1をビルド
アップ配線基板として使用する際、封入された熱・電気
伝導性ポストを例えば、レーザで開口して選択使用す
る。それにより極めて高精度に熱・電気伝導性ポストを
形成できる。この熱・電気伝導性ポストはサーマルビア
として機能し、サーマルビアを介して熱を効率よく伝達
する構成となる。When the build-up core substrate 1 of the present invention is used as a build-up wiring board, the encapsulated heat and electric conductive posts are selectively used by opening them with a laser, for example. Thereby, the heat / electrically conductive post can be formed with extremely high precision. The heat / electrically conductive post functions as a thermal via, and has a configuration in which heat is efficiently transmitted through the thermal via.
【0034】ビルドアップコア基板(1)にビルドアッ
プ層(2a、2b)を付加した図5に例示するビルドア
ップ配線基板の製造は、特に限定されるものではなく前
述の製造方法を適宜組合せれば良い。例えば、ビルドア
ップコア基板(1)に回路パターンがパターンエッチン
グされた金属箔と、ビルドアップコア基板(1)と、プ
リプレグを重ねて加圧・加熱すれば良い。図6に示す、
より複雑なビルドアップ配線基板を製造することも容易
である。The manufacture of the build-up wiring board illustrated in FIG. 5 in which the build-up layers (2a, 2b) are added to the build-up core board (1) is not particularly limited, and the above-described manufacturing methods are appropriately combined. Good. For example, a metal foil obtained by pattern-etching a circuit pattern on the build-up core substrate (1), the build-up core substrate (1), and the prepreg may be overlaid and pressurized and heated. As shown in FIG.
It is also easy to manufacture a more complicated build-up wiring board.
【0035】図6に示すビルドアップコア基板3の製造
方法を、図7及び図8を用いて説明する。図7(a)は
バリヤ層9の一方の面に複数の林立したCuなどの熱・
電気伝導性ポスト16を、図7(b)はプリプレグ12
を、図7(c)は0.4mmピッチで直径0.3mmの
穴が明けられたパターンエッチング品20を示す。これ
らの熱・電気伝導性ポスト16、プリプレグ12、パタ
ーンエッチング品20を、図7(d)に示すように、積
層して加熱された押板で加圧してラミネート品を製造す
る。A method of manufacturing the build-up core substrate 3 shown in FIG. 6 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 (a) shows the heat and heat of a plurality of forests such as Cu on one surface of the barrier layer 9.
FIG. 7 (b) shows the prepreg 12
FIG. 7C shows the pattern-etched product 20 in which holes of 0.3 mm in diameter are formed at a pitch of 0.4 mm. As shown in FIG. 7D, the heat / electrically conductive post 16, prepreg 12, and pattern-etched product 20 are laminated and pressed by a heated press plate to produce a laminated product.
【0036】図8(a)は、図7(d)で製造されたラ
ミネート品を、反転した状態で示した図である。このC
uキャリヤ層11と、次いでTiバリヤ層9の一部を、
図8(b)に示すようにエッチング除去する。次にこれ
を、図8(c)に示すプリプレグ13と積層して、加熱
加圧して図8(d)に示すラミネート品、即ちビルドア
ップコア基板1が得られる。FIG. 8A is a diagram showing the laminated product manufactured in FIG. 7D in an inverted state. This C
u carrier layer 11 and then part of the Ti barrier layer 9
Etching is removed as shown in FIG. Next, this is laminated with the prepreg 13 shown in FIG. 8C, and heated and pressed to obtain a laminated product shown in FIG. 8D, that is, the build-up core substrate 1.
【0037】図6に例示するビルドアップ配線基板にお
いては、図中にVcc、Vssと示すように、電源電圧
層、アース層と回路構成に合わせて使い分けることが可
能となる。本発明によると、簡単にこのような構成を可
能とするため、チップのクロック周波数の増大により電
圧変動が生じやすくなっている現状において、安定した
電圧の供給と併せ、安定したアース(接地、グランドと
も呼ばれる)を可能とする。なお、図6では2層に重畳
された熱・電気伝導性ポストの例を示したが、本発明に
よると何層でも容易に製造できる。In the build-up wiring board illustrated in FIG. 6, as shown by Vcc and Vss in the drawing, it is possible to use the power supply voltage layer and the ground layer properly according to the circuit configuration. According to the present invention, in order to easily enable such a configuration, in the present situation where the voltage fluctuation is likely to occur due to an increase in the clock frequency of the chip, a stable ground (ground, ground) Also called). Although FIG. 6 shows an example of the heat and electric conductive post superimposed on two layers, according to the present invention, any number of layers can be easily manufactured.
【0038】本発明によると、熱・電気伝導性ポストを
複数個設けたインターポーザが容易に得られ、基板をエ
ッチングすることにより熱・電気伝導性ポストとして絶
縁基板より隔離された島状の熱・電気伝導性ポスト部分
が形成される。本発明の基板は優れたエッチング性を有
する導体板を用いるため、狭ピッチの高密度配線に好適
であることから、従来のビルドアップの積層枚数を少な
くできる。そのため、本発明の基板を用いれば、基板そ
のものの配線密度を高めることができ、本発明の基板を
積層したビルドアップ配線基板や、たとえばフリップチ
ップ実装、Wafer Level CSP等に特に有効である。ま
た、ビルドアップ層の層数の低減は、コストダウンに直
結する。According to the present invention, an interposer provided with a plurality of heat / electrically conductive posts can be easily obtained, and an island-shaped heat / electricity isolated from the insulating substrate as a heat / electrically conductive post by etching the substrate. An electrically conductive post portion is formed. Since the substrate of the present invention uses a conductive plate having excellent etching properties, it is suitable for high-density wiring with a narrow pitch, so that the number of conventional build-up layers can be reduced. Therefore, when the substrate of the present invention is used, the wiring density of the substrate itself can be increased, and it is particularly effective for a build-up wiring substrate on which the substrate of the present invention is laminated, for example, flip-chip mounting, Wafer Level CSP, and the like. Reducing the number of build-up layers directly leads to cost reduction.
【0039】また本発明は、ビルドアップ配線基板を用
いて半導体装置とすることができる。本発明の半導体装
置としては、特に限定されるものではないが、半導体チ
ップからの信号を外部に導く半田ボールを介し、フリッ
プチップ実装とし、さらにプリント基板が複数枚積層さ
れたビルドアップ配線基板に信号が伝達される半導体装
置とすることができ、狭ピッチに好適なエッチング性に
優れた導体板を用いることから、ビルドアップ配線基板
に直接実装する半導体装置に特に好適である。Further, according to the present invention, a semiconductor device can be formed using a build-up wiring board. Although the semiconductor device of the present invention is not particularly limited, it is flip-chip mounted via a solder ball for guiding a signal from a semiconductor chip to the outside, and further mounted on a build-up wiring board in which a plurality of printed boards are stacked. Since the semiconductor device can transmit a signal and uses a conductive plate having a good etching property suitable for a narrow pitch, it is particularly suitable for a semiconductor device directly mounted on a build-up wiring board.
【0040】また、本発明においては、狭ピッチの高密
度配線に好適であることから、従来のビルドアップの積
層枚数を少なくできる。そのため、本発明の基板を用い
れば、配線密度を高めることができる。Further, in the present invention, since it is suitable for high-density wiring with a narrow pitch, the number of stacked layers in the conventional build-up can be reduced. Therefore, the wiring density can be increased by using the substrate of the present invention.
【0041】[0041]
【発明の効果】バリヤ層を用いたエッチング法によるの
で、形状寸法のバラツキが極めて少ない熱・電気伝導性
ポストを封入した基板が得られる。また、短距離配線を
可能にするので、動作周波数の高速化に容易に対応でき
る。また、本発明によると、メタルコアを使用している
ので、寸法安定性に優れ、薄くても剛性が高いのでハン
ドリング性も良い上に、微細で固体(ソリッド)の熱・
電気伝導性ポストを利用するので、従来のようにドリル
やレーザによるスルーホールの穴あけ工程が不要であ
る。スルーホールの穴内面のメッキも不要である。ま
た、高密度に製造可能なのでビルドアップ層の上下両面
が使え、層数の減少によるコストダウンも可能である。According to the etching method using the barrier layer, it is possible to obtain a substrate enclosing the heat and electric conductive posts with extremely small variation in shape and size. Further, since short-distance wiring is enabled, it is possible to easily cope with an increase in operating frequency. Further, according to the present invention, since the metal core is used, the dimensional stability is excellent, and the rigidity is high even if it is thin.
The use of the electrically conductive post eliminates the need for a drilling or laser drilling process for through holes as in the prior art. No plating is necessary on the inner surface of the through-hole. In addition, since it can be manufactured at a high density, both the upper and lower surfaces of the build-up layer can be used, and the cost can be reduced by reducing the number of layers.
【図1】 本発明に係るビルドアップコア基板のパター
ンエッチング品を示す図である。FIG. 1 is a view showing a pattern-etched product of a build-up core substrate according to the present invention.
【図2】 本発明に係るビルドアップコア基板の一製造
方法を示す図である。FIG. 2 is a view illustrating one method of manufacturing the build-up core substrate according to the present invention.
【図3】 本発明に係るビルドアップコア基板の別の製
造方法を示す図である。FIG. 3 is a view showing another method of manufacturing a build-up core substrate according to the present invention.
【図4】 本発明に係るビルドアップコア基板の斜視・
部分断面図である。FIG. 4 is a perspective view of a build-up core substrate according to the present invention.
It is a partial sectional view.
【図5】 本発明に係るビルドアップ配線基板の図であ
る。FIG. 5 is a diagram of a build-up wiring board according to the present invention.
【図6】 本発明に係る別のビルドアップ配線基板の図
である。FIG. 6 is a diagram of another build-up wiring board according to the present invention.
【図7】 図6に示すビルドアップコア基板の製造工程
の一部を示す図である。FIG. 7 is a view illustrating a part of a manufacturing process of the build-up core substrate illustrated in FIG. 6;
【図8】 図6に示すビルドアップコア基板の製造工程
の残部を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the remaining part of the manufacturing process of the build-up core substrate shown in FIG.
【図9】 本発明に係るビルドアップ配線基板の放熱の
状況を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic view showing a state of heat radiation of the build-up wiring board according to the present invention.
【図10】 従来のビルドアップ配線基板を示す図であ
る。FIG. 10 is a view showing a conventional build-up wiring board.
【図11】 従来のエッチング方法の問題点を説明する
図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a problem of a conventional etching method.
1.ビルドアップコア基板、 2a.上側ビルドアップ
層 2b.下側ビルドアップ層、 3.ビルドアップ配
線基板、 4.半導体チップ、 5a、5b半田ボー
ル、 6.アンダーフィル、 7.配線パターン、
8.スルーホール、 9.バリヤ層、 10.ポスト形
成層 11.キャリヤ層、 12,13.プリプレグ、
14.充填樹脂、 15.熱・電気伝導性板、 1
6.熱・電気伝導性ポスト、 17.絶縁材、 18.
空洞部、 19.孔明き板、 20.パターンエッチン
グ品1. Build-up core substrate, 2a. 2. Upper build-up layer 2b. Lower build-up layer, 3. build-up wiring board; 5. semiconductor chips, 5a, 5b solder balls, 6. Underfill, Wiring pattern,
8. 8. through hole, 9. barrier layer; Post forming layer 11. Carrier layer, 12,13. Prepreg,
14. 14. filled resin; Heat and electric conductive plate, 1
6. 17. thermal and electrical conductive posts; 17. insulating material;
Cavity, 19. Perforated plate, 20. Pattern etching product
Claims (8)
気伝導性板と、前記貫通孔内に設けられた島状に孤立し
た複数の熱・電気伝導性ポストと、該複数の熱・電気伝
導性ポストの外周に設けられ、前記熱・電気伝導性板と
の間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポストを電
気的に絶縁する絶縁材と、前記熱・電気伝導性板の両主
面に接合された絶縁板からなることを特徴とするビルド
アップコア基板。1. A thermally and electrically conductive plate having a plurality of through holes in a plate thickness direction, a plurality of island-shaped thermally and electrically conductive posts provided in the through holes, and the plurality of heat An insulating material provided on the outer periphery of the electrically conductive post and interposed between the thermally and electrically conductive plate to electrically insulate the plurality of thermally and electrically conductive posts; A build-up core substrate comprising an insulating plate bonded to both main surfaces of a conductive plate.
uまたはCu合金である請求項1記載のビルドアップコ
ア基板。2. The method of claim 2, wherein the plurality of thermally and electrically conductive posts are C
The build-up core substrate according to claim 1, wherein the substrate is a u or Cu alloy.
が、0.01〜0.2mm、ピッチが0.1〜1.0m
mであることを特徴とする請求項1記載のビルドアップ
コア基板。3. The plurality of thermally and electrically conductive posts have a diameter of 0.01 to 0.2 mm and a pitch of 0.1 to 1.0 m.
The build-up core substrate according to claim 1, wherein m is m.
樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン(B
T)樹脂、またはポリエーテル・サルフォン(PES)
配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド
樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1
記載のビルドアップコア基板。4. The insulating material is a glass fiber reinforced epoxy resin, a glass fiber reinforced bismaleimide triazine (B
T) Resin or polyether sulfone (PES)
2. The composition according to claim 1, wherein the resin is one of a compounded epoxy resin, a polyimide resin, and a polyamideimide resin.
The build-up core substrate as described.
に、絶縁材と孔明き板を具備することを特徴とした請求
項1記載のビルドアップコア基板。5. The build-up core substrate according to claim 1, wherein an insulating material and a perforated plate are provided on the outer periphery of the plurality of heat and electric conductive posts.
と、該ビルドアップコア基板の両主面に形成されるビル
ドアップ層を備えたビルドアップ配線基板。6. A build-up wiring board comprising: the build-up core board according to claim 1; and build-up layers formed on both main surfaces of the build-up core board.
ドアップコア基板の製造方法。 (1)バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の
主面にキャリヤ層を接合する。 (2)前記ポスト形成層に、複数の熱・電気伝導性ポス
トの形成中心を決める。 (3)該熱・電気伝導性ポストの形成中心から、前記熱
・電気伝導性ポストの半径より大きい所定の領域を除去
するマスクを載置する。 (5)前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリ
ヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複
数個、林立するパターンエッチング品を作る。 (6)該パターンエッチング品に、粗化処理をした後、
プリプレグを積層し、加熱加圧して第1積層品を作る。 (7)該第1積層品から前記キャリヤ層を除去する。 (8)更に前記バリヤ層を除去して第2積層品を得る。 (9)該第2積層品とプリプレグを積層し、加熱加圧し
てビルドアップコア基板を製造する。7. A method for manufacturing a build-up core substrate, comprising the following steps. (1) A post forming layer is bonded to one main surface of the barrier layer, and a carrier layer is bonded to the other main surface. (2) A center for forming a plurality of heat / electrically conductive posts is determined in the post forming layer. (3) A mask for removing a predetermined area larger than the radius of the heat and electric conductive post from the center of formation of the heat and electric conductive post is placed. (5) The predetermined area is removed by etching until the barrier layer is reached, thereby producing a pattern-etched product in which a plurality of heat and electric conductive posts are formed. (6) After roughening the pattern-etched product,
The prepreg is laminated and heated and pressed to form a first laminated product. (7) removing the carrier layer from the first laminate. (8) The barrier layer is further removed to obtain a second laminate. (9) The second laminate and the prepreg are laminated and heated and pressed to produce a build-up core substrate.
ドアップコア基板の製造方法。 (1)バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の
主面にキャリヤ層を接合する。 (2)前記ポスト形成層に、複数の熱・電気伝導性ポス
トの形成中心を決める。 (3)該熱・電気伝導性ポストの形成中心から、前記熱
・電気伝導性ポストの半径より大きい所定の領域を除去
するマスクを載置する。 (4)前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリ
ヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複
数個、林立するパターンエッチング品を作る。 (5)前記パターンエッチング品に粗化処理をした後、
空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填する。 (6)前記キャリヤ層をエッチング除去する。 (7)更に前記バリヤ層をエッチング除去する。 (8)次いで主面両側からプリプレグを積層し、加熱加
圧する。8. A method for manufacturing a build-up core substrate, comprising the following steps. (1) A post forming layer is bonded to one main surface of the barrier layer, and a carrier layer is bonded to the other main surface. (2) A center for forming a plurality of heat / electrically conductive posts is determined in the post forming layer. (3) A mask for removing a predetermined area larger than the radius of the heat and electric conductive post from the center of formation of the heat and electric conductive post is placed. (4) The predetermined region is removed by etching until the barrier layer is reached, thereby producing a pattern-etched product having a plurality of thermally and electrically conductive posts. (5) After roughening the pattern-etched product,
The cavity is filled with resin by a screen printing method. (6) The carrier layer is removed by etching. (7) The barrier layer is removed by etching. (8) Next, prepregs are laminated from both sides of the main surface and heated and pressed.
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|---|---|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036050A (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Manufacturing method of laminated circuit board |
| JP2007036172A (en) * | 2005-11-28 | 2007-02-08 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Multilayer circuit board |
| US7543375B2 (en) | 2003-03-20 | 2009-06-09 | Tdk Corporation | Process for filling via hole in a substrate |
| KR100966341B1 (en) | 2008-08-04 | 2010-06-28 | 삼성전기주식회사 | Printed circuit board and manufacturing method thereof |
| WO2010125835A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 三菱電機株式会社 | Waveguide conversion portion connection structure, method of fabricating same, and antenna device using this connection structure |
| US7894203B2 (en) | 2003-02-26 | 2011-02-22 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| JP2019091875A (en) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Printed circuit board |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000361503A patent/JP2002164663A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7894203B2 (en) | 2003-02-26 | 2011-02-22 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
| US7543375B2 (en) | 2003-03-20 | 2009-06-09 | Tdk Corporation | Process for filling via hole in a substrate |
| JP2007036050A (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Manufacturing method of laminated circuit board |
| JP2007036172A (en) * | 2005-11-28 | 2007-02-08 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Multilayer circuit board |
| KR100966341B1 (en) | 2008-08-04 | 2010-06-28 | 삼성전기주식회사 | Printed circuit board and manufacturing method thereof |
| WO2010125835A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 三菱電機株式会社 | Waveguide conversion portion connection structure, method of fabricating same, and antenna device using this connection structure |
| US9136576B2 (en) | 2009-04-28 | 2015-09-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Connecting structure for a waveguide converter having a first waveguide substrate and a second converter substrate that are fixed to each other |
| JP2019091875A (en) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | Printed circuit board |
| JP7059499B2 (en) | 2017-11-16 | 2022-04-26 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | Printed circuit board |
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