JP2002158156A - 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法Info
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の電子ビームをウェハに精度よく照射さ
せることができる電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 複数の電子ビームにより、ウェハを露光
する電子ビーム露光装置であって、複数の電子ビームを
発生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビームを独立
に偏向する第１偏向部と、複数の電子ビームのそれぞれ
の電流量を取得する電流量取得部と、電流量に基づい
て、複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算
出する補正値算出部と、補正値に基づいて、偏向部を制
御する偏向制御部とを備える。
せることができる電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 複数の電子ビームにより、ウェハを露光
する電子ビーム露光装置であって、複数の電子ビームを
発生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビームを独立
に偏向する第１偏向部と、複数の電子ビームのそれぞれ
の電流量を取得する電流量取得部と、電流量に基づい
て、複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算
出する補正値算出部と、補正値に基づいて、偏向部を制
御する偏向制御部とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法に関
する。特に本発明は、複数の電子ビームをウェハに精度
よく照射させることができる電子ビーム露光装置に関す
る。
置、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法に関
する。特に本発明は、複数の電子ビームをウェハに精度
よく照射させることができる電子ビーム露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】複数の電子ビームにより、ウェハにパタ
ーンを露光する従来の電子ビーム露光装置では、複数の
偏向器を用いて、複数の電子ビームをそれぞれ独立に偏
向してウェハの所望の位置に照射させている。
ーンを露光する従来の電子ビーム露光装置では、複数の
偏向器を用いて、複数の電子ビームをそれぞれ独立に偏
向してウェハの所望の位置に照射させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
電子ビームが近接して照射される電子ビーム露光装置に
おいて、複数の電子ビームが相互に及ぼすクーロン反発
力により、複数の電子ビームをウェハに精度よく照射さ
せることが困難であった。そのため、ウェハにパターン
を精度よく露光することが非常に困難であった。
電子ビームが近接して照射される電子ビーム露光装置に
おいて、複数の電子ビームが相互に及ぼすクーロン反発
力により、複数の電子ビームをウェハに精度よく照射さ
せることが困難であった。そのため、ウェハにパターン
を精度よく露光することが非常に困難であった。
【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、
及び半導体素子製造方法を提供することを目的とする。
この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴
の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の
更なる有利な具体例を規定する。
とのできる電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、
及び半導体素子製造方法を提供することを目的とする。
この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴
の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の
更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、複数の電子ビームにより、ウェハを露光す
る電子ビーム露光装置であって、複数の電子ビームを発
生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビームを独立に
偏向する第１偏向部と、複数の電子ビームのそれぞれの
電流量を取得する電流量取得部と、電流量に基づいて、
複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出す
る補正値算出部と、補正値に基づいて、偏向部を制御す
る偏向制御部とを備える。
態によると、複数の電子ビームにより、ウェハを露光す
る電子ビーム露光装置であって、複数の電子ビームを発
生する電子ビーム発生部と、複数の電子ビームを独立に
偏向する第１偏向部と、複数の電子ビームのそれぞれの
電流量を取得する電流量取得部と、電流量に基づいて、
複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出す
る補正値算出部と、補正値に基づいて、偏向部を制御す
る偏向制御部とを備える。
【０００６】電流量に基づいて、複数の電子ビームが相
互に及ぼす反発力を算出する反発する反発力算出部をさ
らに備え、補正値算出部は、反発力に基づいて、補正値
を算出してもよい。
互に及ぼす反発力を算出する反発する反発力算出部をさ
らに備え、補正値算出部は、反発力に基づいて、補正値
を算出してもよい。
【０００７】複数の電子ビームの断面を所望の形状に成
形する成形部材をさらに備え、第１偏向部は、成形部材
とウェハとの間に設けられており、成形部材は、複数の
電子ビームの断面をそれぞれ所定の面積を有する形状に
成形し、電流量取得部は、電流量及び所定の面積に基づ
いて、成形部材を通過する電子ビームの電流量を取得
し、補正値算出部は、成形部材を通過する電子ビームの
電流量に基づいて、補正値を算出し、偏向制御部は、補
正値に基づいて、成形部材を通過する電子ビームの照射
位置を制御してもよい。
形する成形部材をさらに備え、第１偏向部は、成形部材
とウェハとの間に設けられており、成形部材は、複数の
電子ビームの断面をそれぞれ所定の面積を有する形状に
成形し、電流量取得部は、電流量及び所定の面積に基づ
いて、成形部材を通過する電子ビームの電流量を取得
し、補正値算出部は、成形部材を通過する電子ビームの
電流量に基づいて、補正値を算出し、偏向制御部は、補
正値に基づいて、成形部材を通過する電子ビームの照射
位置を制御してもよい。
【０００８】複数の電子ビームの断面を成形する第１成
形部材と、第１成形部材を通過した複数の電子ビームの
断面を所望の形状に成形する第２成形部材とをさらに備
え、第１偏向部は、第１成形部材と第２成形部材との間
に設けられており、偏向制御部は、第１成形部材を通過
する電子ビームの照射位置を制御してもよい。
形部材と、第１成形部材を通過した複数の電子ビームの
断面を所望の形状に成形する第２成形部材とをさらに備
え、第１偏向部は、第１成形部材と第２成形部材との間
に設けられており、偏向制御部は、第１成形部材を通過
する電子ビームの照射位置を制御してもよい。
【０００９】第１成形部材は、複数の電子ビームの断面
を成形する複数の開口部を有し、電流量取得部は、電流
量及び複数の開口部の大きさに基づいて、第１成形部材
を通過する電子ビームの電流量を取得し、補正値算出部
は、第１成形部材を通過する電子ビームの電流量に基づ
いて、補正値を算出し、偏向制御部は、補正値に基づい
て、第１成形部材を通過する電子ビームの照射位置を制
御してもよい。
を成形する複数の開口部を有し、電流量取得部は、電流
量及び複数の開口部の大きさに基づいて、第１成形部材
を通過する電子ビームの電流量を取得し、補正値算出部
は、第１成形部材を通過する電子ビームの電流量に基づ
いて、補正値を算出し、偏向制御部は、補正値に基づい
て、第１成形部材を通過する電子ビームの照射位置を制
御してもよい。
【００１０】第２成形部材とウェハとの間に設けられ、
複数の電子ビームを独立に偏向する第２偏向部をさらに
備え、第２成形部材は、複数の電子ビームの断面をそれ
ぞれ所定の面積を有する形状に成形し、電流量取得部
は、電流量及び所定の面積に基づいて、第２成形部材を
通過する電子ビームの電流量を取得し、補正値算出部
は、第２成形部材を通過する電子ビームの電流量に基づ
いて、補正値を算出し、偏向制御部は、補正値に基づい
て、第２成形部材を通過する電子ビームの照射位置を制
御してもよい。
複数の電子ビームを独立に偏向する第２偏向部をさらに
備え、第２成形部材は、複数の電子ビームの断面をそれ
ぞれ所定の面積を有する形状に成形し、電流量取得部
は、電流量及び所定の面積に基づいて、第２成形部材を
通過する電子ビームの電流量を取得し、補正値算出部
は、第２成形部材を通過する電子ビームの電流量に基づ
いて、補正値を算出し、偏向制御部は、補正値に基づい
て、第２成形部材を通過する電子ビームの照射位置を制
御してもよい。
【００１１】本発明の第２の形態によると、複数の電子
ビームによりウェハにパターンを露光する電子ビーム露
光方法であって、複数の電子ビームを発生する電子ビー
ム発生段階と、複数の電子ビームのそれぞれの電流量を
取得する電流量取得段階と、電流量に基づいて、複数の
電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出す
る補正値算出段階と、補正値に基づいて、複数の電子ビ
ームを独立に偏向して露光する露光段階とを備える。
ビームによりウェハにパターンを露光する電子ビーム露
光方法であって、複数の電子ビームを発生する電子ビー
ム発生段階と、複数の電子ビームのそれぞれの電流量を
取得する電流量取得段階と、電流量に基づいて、複数の
電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出す
る補正値算出段階と、補正値に基づいて、複数の電子ビ
ームを独立に偏向して露光する露光段階とを備える。
【００１２】本発明の第３の形態によると、複数の電子
ビームによりウェハにパターンを露光して半導体素子を
製造する半導体素子製造方法であって、複数の電子ビー
ムを発生する電子ビーム発生段階と、複数の電子ビーム
のそれぞれの電流量を取得する電流量取得段階と、電流
量に基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正する
補正値を算出する補正値算出段階と、補正値に基づい
て、複数の電子ビームを独立に偏向して露光する露光段
階とを備える。
ビームによりウェハにパターンを露光して半導体素子を
製造する半導体素子製造方法であって、複数の電子ビー
ムを発生する電子ビーム発生段階と、複数の電子ビーム
のそれぞれの電流量を取得する電流量取得段階と、電流
量に基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正する
補正値を算出する補正値算出段階と、補正値に基づい
て、複数の電子ビームを独立に偏向して露光する露光段
階とを備える。
【００１３】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【００１５】図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施す露光部１５０と、露光部１５０に含まれる各構
成の動作を制御する制御系１４０を備える。
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施す露光部１５０と、露光部１５０に含まれる各構
成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１６】露光部１５０は、筐体８内部において複数
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビー
ムをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段１１２と、ウ
ェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備え
る。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェ
ハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステー
ジ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むス
テージ系を備える。さらに、露光部１５０は、ウェハ４
４又はウェハステージ４６に設けられるマーク部に照射
された電子ビームにより、マーク部から放射された２次
電子や反射電子等を検出する電子検出部４０を備える。
電子検出部４０は、検出した反射電子の量に対応した検
出信号を反射電子処理部９４に出力する。
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビー
ムをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段１１２と、ウ
ェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備え
る。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェ
ハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステー
ジ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むス
テージ系を備える。さらに、露光部１５０は、ウェハ４
４又はウェハステージ４６に設けられるマーク部に照射
された電子ビームにより、マーク部から放射された２次
電子や反射電子等を検出する電子検出部４０を備える。
電子検出部４０は、検出した反射電子の量に対応した検
出信号を反射電子処理部９４に出力する。
【００１７】電子ビーム成形手段１１０は、複数の電子
ビームを発生させる複数の電子銃１０と、電子ビームを
通過させることにより、照射された電子ビームの断面形
状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１４及
び第２成形部材２２と、複数の電子ビームをそれぞれ独
立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第１多
軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過した複数
の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１８及び
第２成形偏向部２０とを有する。
ビームを発生させる複数の電子銃１０と、電子ビームを
通過させることにより、照射された電子ビームの断面形
状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１４及
び第２成形部材２２と、複数の電子ビームをそれぞれ独
立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第１多
軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過した複数
の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１８及び
第２成形偏向部２０とを有する。
【００１８】照射切替手段１１２は、複数の電子ビーム
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ２６
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。他の例におい
てブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ２６
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。他の例におい
てブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。
【００１９】ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビー
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームをウェ
ハ４４の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する偏向部３８と、ウェハ４４に対する対物
レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ独立
に集束する第５多軸電子レンズ５２とを有する。
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームをウェ
ハ４４の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する偏向部３８と、ウェハ４４に対する対物
レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ独立
に集束する第５多軸電子レンズ５２とを有する。
【００２０】制御系１４０は、個別制御部１２０及び統
括制御部１３０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
複数の電子ビームの電流量を取得する電流量取得部１３
２と、当該電流量に基づいて、複数の電子ビームの照射
位置を補正する補正値を算出する補正値算出部１３６を
有する。また、統括制御部１３０は、例えばワークステ
ーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制御
部を統括制御する。
括制御部１３０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
複数の電子ビームの電流量を取得する電流量取得部１３
２と、当該電流量に基づいて、複数の電子ビームの照射
位置を補正する補正値を算出する補正値算出部１３６を
有する。また、統括制御部１３０は、例えばワークステ
ーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制御
部を統括制御する。
【００２１】電子ビーム制御部８０は、電子銃１０を制
御する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１多軸電子レ
ンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レン
ズ３４、第４多軸電子レンズ３６及び第５多軸電子レン
ズ５２に供給する電流を制御する。成形偏向制御部８４
は、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０を制御
する。ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブランキ
ング電極アレイ２６に含まれる偏向電極に印加する電圧
を制御する。偏向制御部９２は、偏向部３８に含まれる
複数の偏向器が有する偏向電極に印加する電圧を制御す
る。反射電子処理部９４は、電子検出部４０から出力さ
れた検出信号に基づいて反射電子の量を検出し、統括制
御部１３０に通知する。ウェハステージ制御部９６は、
ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４
６を所定の位置に移動させる。
御する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１多軸電子レ
ンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レン
ズ３４、第４多軸電子レンズ３６及び第５多軸電子レン
ズ５２に供給する電流を制御する。成形偏向制御部８４
は、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０を制御
する。ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブランキ
ング電極アレイ２６に含まれる偏向電極に印加する電圧
を制御する。偏向制御部９２は、偏向部３８に含まれる
複数の偏向器が有する偏向電極に印加する電圧を制御す
る。反射電子処理部９４は、電子検出部４０から出力さ
れた検出信号に基づいて反射電子の量を検出し、統括制
御部１３０に通知する。ウェハステージ制御部９６は、
ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４
６を所定の位置に移動させる。
【００２２】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。まず、電子ビームの照射位
置の補正処理における電子ビーム露光装置１００の動作
について説明する。電流量取得部１３２は、複数の電子
銃１０が発生する複数の電子ビームの電流量を取得す
る。次に、補正値算出部１３６は、電流量取得部１３２
が取得した電流量に基づいて、複数の電子ビームの照射
位置を補正する補正値を算出する。そして、成形偏向制
御部８４は、当該補正値に基づいて、第１成形偏向部１
８及び第２成形偏向部２０を制御する。また、偏向制御
部９２は、当該補正値に基づいて、偏向部３８を制御す
る。
０の動作について説明する。まず、電子ビームの照射位
置の補正処理における電子ビーム露光装置１００の動作
について説明する。電流量取得部１３２は、複数の電子
銃１０が発生する複数の電子ビームの電流量を取得す
る。次に、補正値算出部１３６は、電流量取得部１３２
が取得した電流量に基づいて、複数の電子ビームの照射
位置を補正する補正値を算出する。そして、成形偏向制
御部８４は、当該補正値に基づいて、第１成形偏向部１
８及び第２成形偏向部２０を制御する。また、偏向制御
部９２は、当該補正値に基づいて、偏向部３８を制御す
る。
【００２３】以下、露光処理における電子ビーム露光装
置１００の動作について説明するが、電子ビーム露光装
置１００は、露光処理に並行して上述の補正処理を常に
行い、複数の電子ビームの電流量に基づいて複数の電子
ビームの照射位置を補正する補正値を算出し、当該補正
値を用いてウェハ４４に露光処理を行うことが好まし
い。
置１００の動作について説明するが、電子ビーム露光装
置１００は、露光処理に並行して上述の補正処理を常に
行い、複数の電子ビームの電流量に基づいて複数の電子
ビームの照射位置を補正する補正値を算出し、当該補正
値を用いてウェハ４４に露光処理を行うことが好まし
い。
【００２４】複数の電子銃１０は、複数の電子ビームを
生成する。第１成形部材１４は、電子銃１０により発生
され、第１成形部材１４に照射された複数の電子ビーム
を、第１成形部材１４に設けられた複数の開口部を通過
させることにより成形する。他の例においては、電子銃
１０において発生した電子ビームを複数の電子ビームに
分割する手段を更に有することにより、複数の電子ビー
ムを生成してもよい。
生成する。第１成形部材１４は、電子銃１０により発生
され、第１成形部材１４に照射された複数の電子ビーム
を、第１成形部材１４に設けられた複数の開口部を通過
させることにより成形する。他の例においては、電子銃
１０において発生した電子ビームを複数の電子ビームに
分割する手段を更に有することにより、複数の電子ビー
ムを生成してもよい。
【００２５】第１多軸電子レンズ１６は、矩形に成形さ
れた複数の電子ビームを独立に集束し、第２成形部材２
２に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に
調整する。第１成形偏向部１８は、第１成形部材１４に
おいて矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第２
成形部材における所望の位置に照射するように、それぞ
れ独立に偏向する。
れた複数の電子ビームを独立に集束し、第２成形部材２
２に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に
調整する。第１成形偏向部１８は、第１成形部材１４に
おいて矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第２
成形部材における所望の位置に照射するように、それぞ
れ独立に偏向する。
【００２６】第２成形偏向部２０は、第１成形偏向部１
８で偏向された複数の電子ビームを、第２成形部材２２
に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第２成形部材
２２に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２成形部材２２は、第２成形部材２２に照射さ
れた矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェ
ハ４４に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビーム
にさらに成形する。
８で偏向された複数の電子ビームを、第２成形部材２２
に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第２成形部材
２２に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２成形部材２２は、第２成形部材２２に照射さ
れた矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェ
ハ４４に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビーム
にさらに成形する。
【００２７】第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビ
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
そして、第２多軸電子レンズ２４により焦点がそれぞれ
調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレ
イ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
そして、第２多軸電子レンズ２４により焦点がそれぞれ
調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレ
イ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。
【００２８】ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブ
ランキング電極アレイ２６における各アパーチャの近傍
に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御す
る。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加さ
れる電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射さ
せるか否かを切替える。
ランキング電極アレイ２６における各アパーチャの近傍
に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御す
る。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加さ
れる電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射さ
せるか否かを切替える。
【００２９】ブランキング電極アレイに２６により偏向
されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４を通過
する。そして第３多軸電子レンズ３４は、第３多軸電子
レンズ３４を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小
する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材２
８に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽
部材２８は、ブランキング電極アレイ２６により偏向さ
れた電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材２８を
通過した電子ビームは、第４多軸電子レンズ３６に入射
される。そして第４多軸電子レンズ３６は、入射された
電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第４多軸電子
レンズ３６により焦点が調整された電子ビームは、偏向
部３８に入射される。
されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４を通過
する。そして第３多軸電子レンズ３４は、第３多軸電子
レンズ３４を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小
する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材２
８に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽
部材２８は、ブランキング電極アレイ２６により偏向さ
れた電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材２８を
通過した電子ビームは、第４多軸電子レンズ３６に入射
される。そして第４多軸電子レンズ３６は、入射された
電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第４多軸電子
レンズ３６により焦点が調整された電子ビームは、偏向
部３８に入射される。
【００３０】偏向制御部９２は、偏向部３８に含まれる
複数の偏向器を制御し、偏向部３８に入射されたそれぞ
れの電子ビームを、ウェハ４４に対して照射すべき位置
にそれぞれ独立に偏向する。第５多軸電子レンズ５２
は、第５多軸電子レンズ５２を通過するそれぞれの電子
ビームのウェハ４４に対する焦点を調整する。そしてウ
ェハ４４に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子
ビームは、ウェハ４４に対して照射すべき所望の位置に
照射される。
複数の偏向器を制御し、偏向部３８に入射されたそれぞ
れの電子ビームを、ウェハ４４に対して照射すべき位置
にそれぞれ独立に偏向する。第５多軸電子レンズ５２
は、第５多軸電子レンズ５２を通過するそれぞれの電子
ビームのウェハ４４に対する焦点を調整する。そしてウ
ェハ４４に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子
ビームは、ウェハ４４に対して照射すべき所望の位置に
照射される。
【００３１】露光処理中、ウェハステージ駆動部４８
は、ウェハステージ制御部９６からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ４６を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ４４に照射すべき形状に成形し、
ウェハ４４に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに偏向部３８によりそれぞれの電子ビ
ームをウェハ４４に対して照射すべき位置に偏向させる
ことにより、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光す
ることができる。
は、ウェハステージ制御部９６からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ４６を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ４４に照射すべき形状に成形し、
ウェハ４４に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに偏向部３８によりそれぞれの電子ビ
ームをウェハ４４に対して照射すべき位置に偏向させる
ことにより、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光す
ることができる。
【００３２】図２は、図１において説明した制御系１４
０の構成の一例を示す。制御系１４０は、統括制御部１
３０及び個別制御部１２０を備える。統括制御部１３０
は、ウェハ４４に対して露光すべき露光パターンを格納
する露光パターン格納部１３１と、露光パターン格納部
１３１に格納された露光パターンに基づいて、各電子ビ
ームが露光すべき領域における露光パターンである露光
データを生成する露光データ生成部１３３と、複数の電
子銃１０が発生する複数の電子ビームのそれぞれの電流
量を電流量取得部１３２と、当該電流量に基づいて、複
数の電子ビームが相互に及ぼす反発力を算出する反発力
算出部１３４と、当該反発力に基づいて複数の電子ビー
ムの照射位置を補正する補正値を算出する補正値算出部
１３６と、当該補正値に基づいて露光データ生成部１３
３が生成した露光データを補正する露光データ補正部１
３５とを有する。個別制御部１２０は、電子銃１０を制
御する電子ビーム制御部８０と、第１成形偏向部１８及
び第２成形偏向部２０を制御する成形偏向制御部８４
と、偏向部３８を制御する偏向制御部９２とを有する。
０の構成の一例を示す。制御系１４０は、統括制御部１
３０及び個別制御部１２０を備える。統括制御部１３０
は、ウェハ４４に対して露光すべき露光パターンを格納
する露光パターン格納部１３１と、露光パターン格納部
１３１に格納された露光パターンに基づいて、各電子ビ
ームが露光すべき領域における露光パターンである露光
データを生成する露光データ生成部１３３と、複数の電
子銃１０が発生する複数の電子ビームのそれぞれの電流
量を電流量取得部１３２と、当該電流量に基づいて、複
数の電子ビームが相互に及ぼす反発力を算出する反発力
算出部１３４と、当該反発力に基づいて複数の電子ビー
ムの照射位置を補正する補正値を算出する補正値算出部
１３６と、当該補正値に基づいて露光データ生成部１３
３が生成した露光データを補正する露光データ補正部１
３５とを有する。個別制御部１２０は、電子銃１０を制
御する電子ビーム制御部８０と、第１成形偏向部１８及
び第２成形偏向部２０を制御する成形偏向制御部８４
と、偏向部３８を制御する偏向制御部９２とを有する。
【００３３】次に、本実施形態における制御系１４０の
動作について説明する。露光データ生成部１３３は、露
光パターン格納部１３１に格納された露光パターンに基
づいて、露光データを生成し、露光データ補正部１３５
に出力する。一方、電流量取得部１３２は、電子ビーム
制御部８０から電子銃１０が発生する電子ビームの電流
量を取得する。また、電流量取得部１３２は、電子銃１
０が発生する電子ビームの電流量と、第１成形部材１４
における電子ビームが通過する開口部の大きさとに基づ
いて、第１成形部材１４を通過する電子ビームの電流量
を取得する。
動作について説明する。露光データ生成部１３３は、露
光パターン格納部１３１に格納された露光パターンに基
づいて、露光データを生成し、露光データ補正部１３５
に出力する。一方、電流量取得部１３２は、電子ビーム
制御部８０から電子銃１０が発生する電子ビームの電流
量を取得する。また、電流量取得部１３２は、電子銃１
０が発生する電子ビームの電流量と、第１成形部材１４
における電子ビームが通過する開口部の大きさとに基づ
いて、第１成形部材１４を通過する電子ビームの電流量
を取得する。
【００３４】次に、反発力算出部１３４は、第１成形部
材１４を通過する電子ビームの電流量に基づいて、複数
の電子ビームが相互に及ぼす反発力を算出する。補正値
算出部１３６は、第１成形部材１４を通過する電子ビー
ムの電流量から算出された反発力に基づいて、第１成形
部材１４を通過する電子ビームの照射位置を補正する補
正値を算出する。そして、成形偏向制御部８４は、当該
補正値に基づいて、第１成形部材１４と第２成形部材２
２との間に設けられた第１成形偏向部１８及び第２成形
偏向部２０を制御し、第１成形部材１４を通過する電子
ビームを第２成形部材２２の所望の位置に照射させる。
材１４を通過する電子ビームの電流量に基づいて、複数
の電子ビームが相互に及ぼす反発力を算出する。補正値
算出部１３６は、第１成形部材１４を通過する電子ビー
ムの電流量から算出された反発力に基づいて、第１成形
部材１４を通過する電子ビームの照射位置を補正する補
正値を算出する。そして、成形偏向制御部８４は、当該
補正値に基づいて、第１成形部材１４と第２成形部材２
２との間に設けられた第１成形偏向部１８及び第２成形
偏向部２０を制御し、第１成形部材１４を通過する電子
ビームを第２成形部材２２の所望の位置に照射させる。
【００３５】また、電流量取得部１３２は、露光データ
生成部１３３が生成した露光データを受け取り、電子銃
１０が発生する電子ビームの電流量と、第２成形部材２
２が成形する電子ビームの断面の面積とに基づいて、第
２成形部材２２を通過する電子ビームの電流量を取得す
ることが好ましい。このとき、反発力算出部１３４は、
第２成形部材２２を通過する電子ビームの電流量に基づ
いて、複数の電子ビームが相互に及ぼす反発力を算出す
る。また、補正値算出部１３６は、第２成形部材２２を
通過する電子ビームの電流量から算出された反発力に基
づいて、第２成形部材２２を通過する電子ビームの照射
位置を補正する補正値を算出する。そして、偏向制御部
９２は、当該補正値に基づいて、第２成形部材２２とウ
ェハ４４との間に設けられた偏向部３８を制御し、第２
成形部材２２を通過する電子ビームをウェハ４４の所望
の位置に照射させる。また、他の例においては、電子銃
１０で発生した電子ビームの電流量、又は第１成形部材
１８で成形された電子ビームの電流量に基づいて、第２
成形部材２２を通過する電子ビームの照射位置を補正し
てもよい。
生成部１３３が生成した露光データを受け取り、電子銃
１０が発生する電子ビームの電流量と、第２成形部材２
２が成形する電子ビームの断面の面積とに基づいて、第
２成形部材２２を通過する電子ビームの電流量を取得す
ることが好ましい。このとき、反発力算出部１３４は、
第２成形部材２２を通過する電子ビームの電流量に基づ
いて、複数の電子ビームが相互に及ぼす反発力を算出す
る。また、補正値算出部１３６は、第２成形部材２２を
通過する電子ビームの電流量から算出された反発力に基
づいて、第２成形部材２２を通過する電子ビームの照射
位置を補正する補正値を算出する。そして、偏向制御部
９２は、当該補正値に基づいて、第２成形部材２２とウ
ェハ４４との間に設けられた偏向部３８を制御し、第２
成形部材２２を通過する電子ビームをウェハ４４の所望
の位置に照射させる。また、他の例においては、電子銃
１０で発生した電子ビームの電流量、又は第１成形部材
１８で成形された電子ビームの電流量に基づいて、第２
成形部材２２を通過する電子ビームの照射位置を補正し
てもよい。
【００３６】本実施形態の電子ビーム露光装置１００に
よれば、複数の電子ビームがクーロン力により相互に及
ぼす反発力に基づいて、電子ビームの照射位置を補正す
る補正値を算出することにより、電子ビームを所望の位
置に照射させることができる。具体的には、第１成形部
材１４を通過する電子ビームの電流量に基づいて、電子
ビームの第２成形部材２２に対する照射位置を補正する
補正値を算出し、当該補正値を用いて第１成形偏向部１
８及び第２成形偏向部２０を制御することにより、電子
ビームを第２成形部材２２の所望の位置に精度よく照射
させることができる。また、第２成形部材２２を通過す
る電子ビームの電流量に基づいて、電子ビームのウェハ
４４に対する照射位置を補正する補正値を算出し、当該
補正値を用いて偏向部３８を制御することにより、電子
ビームをウェハ４４の所望の位置に精度よく照射させる
ことができるため、ウェハ４４にパターンを精度よく露
光することができる。
よれば、複数の電子ビームがクーロン力により相互に及
ぼす反発力に基づいて、電子ビームの照射位置を補正す
る補正値を算出することにより、電子ビームを所望の位
置に照射させることができる。具体的には、第１成形部
材１４を通過する電子ビームの電流量に基づいて、電子
ビームの第２成形部材２２に対する照射位置を補正する
補正値を算出し、当該補正値を用いて第１成形偏向部１
８及び第２成形偏向部２０を制御することにより、電子
ビームを第２成形部材２２の所望の位置に精度よく照射
させることができる。また、第２成形部材２２を通過す
る電子ビームの電流量に基づいて、電子ビームのウェハ
４４に対する照射位置を補正する補正値を算出し、当該
補正値を用いて偏向部３８を制御することにより、電子
ビームをウェハ４４の所望の位置に精度よく照射させる
ことができるため、ウェハ４４にパターンを精度よく露
光することができる。
【００３７】図３は、ウェハから半導体素子を製造す
る、本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャート
である。Ｓ１０で、本フローチャートが開始する。Ｓ１
２で、ウェハの上面に、フォトレジストを塗布する。そ
れから、フォトレジストが塗布されたウェハ４４が、電
子ビーム露光装置１００におけるウェハステージ４６に
載置される。ウェハ４４は、図１に関連して説明したよ
うに、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２
４、第３多軸電子レンズ３４、及び第４多軸電子レンズ
３６により複数の電子ビームの焦点調整を独立に行う焦
点調整工程と、ブランキング電極アレイ２６により、ウ
ェハ４４に、複数の電子ビームを照射するか否かを、電
子ビーム毎に独立に切替える照射切替工程により、電子
ビームをウェハ４４に対して照射することにより、パタ
ーン像が露光され、転写される。
る、本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャート
である。Ｓ１０で、本フローチャートが開始する。Ｓ１
２で、ウェハの上面に、フォトレジストを塗布する。そ
れから、フォトレジストが塗布されたウェハ４４が、電
子ビーム露光装置１００におけるウェハステージ４６に
載置される。ウェハ４４は、図１に関連して説明したよ
うに、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２
４、第３多軸電子レンズ３４、及び第４多軸電子レンズ
３６により複数の電子ビームの焦点調整を独立に行う焦
点調整工程と、ブランキング電極アレイ２６により、ウ
ェハ４４に、複数の電子ビームを照射するか否かを、電
子ビーム毎に独立に切替える照射切替工程により、電子
ビームをウェハ４４に対して照射することにより、パタ
ーン像が露光され、転写される。
【００３８】それから、Ｓ１４で露光されたウェハ４４
は、現像液に浸され、現像され、余分なレジストが除去
される（Ｓ１６）。ついで、Ｓ１８で、ウェハ上のフォ
トレジストが除去された領域に存在するシリコン基板、
絶縁膜あるいは導電膜が、プラズマを用いた異方性エッ
チングによりエッチングされる。またＳ２０で、トラン
ジスタやダイオードなどの半導体素子を形成するため
に、ウェハに、ホウ素や砒素などの不純物を注入する。
またＳ２２で、熱処理を施し、注入された不純物の活性
化を行う。またＳ２４で、ウェハ上の有機汚染物や金属
汚染物を取り除くために、薬液によりウェハを洗浄す
る。また、Ｓ２６で、導電膜や絶縁膜の成膜を行い、配
線層及び配線間の絶縁層を形成する。Ｓ１２〜Ｓ２６の
工程を組み合わせ、繰り返し行うことによって、ウェハ
に素子分離領域、素子領域及び配線層を有する半導体素
子を製造することが可能となる。Ｓ２８で、所要の回路
が形成されたウェハを切り出し、チップの組み立てを行
う。Ｓ３０で半導体素子製造フローが終了する。
は、現像液に浸され、現像され、余分なレジストが除去
される（Ｓ１６）。ついで、Ｓ１８で、ウェハ上のフォ
トレジストが除去された領域に存在するシリコン基板、
絶縁膜あるいは導電膜が、プラズマを用いた異方性エッ
チングによりエッチングされる。またＳ２０で、トラン
ジスタやダイオードなどの半導体素子を形成するため
に、ウェハに、ホウ素や砒素などの不純物を注入する。
またＳ２２で、熱処理を施し、注入された不純物の活性
化を行う。またＳ２４で、ウェハ上の有機汚染物や金属
汚染物を取り除くために、薬液によりウェハを洗浄す
る。また、Ｓ２６で、導電膜や絶縁膜の成膜を行い、配
線層及び配線間の絶縁層を形成する。Ｓ１２〜Ｓ２６の
工程を組み合わせ、繰り返し行うことによって、ウェハ
に素子分離領域、素子領域及び配線層を有する半導体素
子を製造することが可能となる。Ｓ２８で、所要の回路
が形成されたウェハを切り出し、チップの組み立てを行
う。Ｓ３０で半導体素子製造フローが終了する。
【００３９】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４０】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、複数の電子ビームをウェハに精度よく照射させ
る電子ビーム露光装置を提供することができる。
よれば、複数の電子ビームをウェハに精度よく照射させ
る電子ビーム露光装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
１００の構成を示す図である。
１００の構成を示す図である。
【図２】電子ビーム露光装置１００における制御系１４
０の構成の一例を示す図である。
０の構成の一例を示す図である。
【図３】本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャ
ートである。
ートである。
８・・筐体、１０・・電子銃、１４・・第１成形部材、
１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１成形偏向
部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成形部材、
２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブランキング電
極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４・・第３
多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レンズ、３８・
・偏向部、４０・・電子検出部、４４・・ウェハ、４６
・・ウェハステージ、４８・・ウェハステージ駆動部、
５２・・第５多軸電子レンズ、８０・・電子ビーム制御
部、８２・・多軸電子レンズ制御部、８４・・成形偏向
制御部、８６・・ブランキング電極アレイ制御部、９２
・・偏向制御部、９４・・反射電子処理部、９６・・ウ
ェハステージ制御部、１００・・電子ビーム露光装置、
１１０・・電子ビーム成形手段、１１２・・照射切替手
段、１１４・・ウェハ用投影系、１２０・・個別制御
系、１３０・・統括制御部、１３１・・露光パターン格
納部、１３２・・電流量取得部、１３３・・露光データ
生成部、１３４・・反発力算出部、１３５・・露光デー
タ補正部、１３６・・補正値算出部、１４０・・制御
系、１５０・・露光部
１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１成形偏向
部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成形部材、
２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブランキング電
極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４・・第３
多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レンズ、３８・
・偏向部、４０・・電子検出部、４４・・ウェハ、４６
・・ウェハステージ、４８・・ウェハステージ駆動部、
５２・・第５多軸電子レンズ、８０・・電子ビーム制御
部、８２・・多軸電子レンズ制御部、８４・・成形偏向
制御部、８６・・ブランキング電極アレイ制御部、９２
・・偏向制御部、９４・・反射電子処理部、９６・・ウ
ェハステージ制御部、１００・・電子ビーム露光装置、
１１０・・電子ビーム成形手段、１１２・・照射切替手
段、１１４・・ウェハ用投影系、１２０・・個別制御
系、１３０・・統括制御部、１３１・・露光パターン格
納部、１３２・・電流量取得部、１３３・・露光データ
生成部、１３４・・反発力算出部、１３５・・露光デー
タ補正部、１３６・・補正値算出部、１４０・・制御
系、１５０・・露光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｗ ５４１Ｄ ５４１Ｎ (72)発明者 濱口 新一 東京都練馬区旭町１丁目32番１号株式会社 アドバンテスト内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 AA20 BA10 BB10 CA16 EA01 LA10 5C030 AA01 AB03 5C033 GG03 5C034 BB01 BB04 5F056 AA33 BA01 BA05 BA09 BB01
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の電子ビームにより、ウェハを露光
する電子ビーム露光装置であって、 前記複数の電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、 前記複数の電子ビームを独立に偏向する第１偏向部と、 前記複数の電子ビームのそれぞれの電流量を取得する電
流量取得部と、 前記電流量に基づいて、前記複数の電子ビームの照射位
置を補正する補正値を算出する補正値算出部と、 前記補正値に基づいて、前記偏向部を制御する偏向制御
部とを備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】 前記電流量に基づいて、前記複数の電子
ビームが相互に及ぼす反発力を算出する反発する反発力
算出部をさらに備え、 前記補正値算出部は、前記反発力に基づいて、前記補正
値を算出することを特徴とする請求項１に記載の電子ビ
ーム露光装置。 - 【請求項３】 前記複数の電子ビームの断面を所望の形
状に成形する成形部材をさらに備え、 前記第１偏向部は、前記成形部材と前記ウェハとの間に
設けられており、 前記成形部材は、前記複数の電子ビームの断面をそれぞ
れ所定の面積を有する形状に成形し、 前記電流量取得部は、前記電流量及び前記所定の面積に
基づいて、前記成形部材を通過する電子ビームの電流量
を取得し、 前記補正値算出部は、前記成形部材を通過する前記電子
ビームの前記電流量に基づいて、前記補正値を算出し、 前記偏向制御部は、前記補正値に基づいて、前記成形部
材を通過する前記電子ビームの照射位置を制御すること
を特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項４】 前記複数の電子ビームの断面を成形する
第１成形部材と、 前記第１成形部材を通過した前記複数の電子ビームの断
面を所望の形状に成形する第２成形部材とをさらに備
え、 前記第１偏向部は、前記第１成形部材と前記第２成形部
材との間に設けられており、 前記偏向制御部は、前記第１成形部材を通過する電子ビ
ームの照射位置を制御することを特徴とする請求項１に
記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項５】 前記第１成形部材は、前記複数の電子ビ
ームの断面を成形する複数の開口部を有し、 前記電流量取得部は、前記電流量及び前記複数の開口部
の大きさに基づいて、前記第１成形部材を通過する電子
ビームの電流量を取得し、 前記補正値算出部は、前記第１成形部材を通過する前記
電子ビームの前記電流量に基づいて、前記補正値を算出
し、 前記偏向制御部は、前記補正値に基づいて、前記第１成
形部材を通過する前記電子ビームの照射位置を制御する
ことを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項６】 前記第２成形部材と前記ウェハとの間に
設けられ、前記複数の電子ビームを独立に偏向する第２
偏向部をさらに備え、 前記第２成形部材は、前記複数の電子ビームの断面をそ
れぞれ所定の面積を有する形状に成形し、 前記電流量取得部は、前記電流量及び前記所定の面積に
基づいて、前記第２成形部材を通過する電子ビームの電
流量を取得し、 前記補正値算出部は、前記第２成形部材を通過する前記
電子ビームの前記電流量に基づいて、前記補正値を算出
し、 前記偏向制御部は、前記補正値に基づいて、前記第２成
形部材を通過する前記電子ビームの照射位置を制御する
ことを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項７】 複数の電子ビームによりウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光方法であって、 前記複数の電子ビームを発生する電子ビーム発生段階
と、 前記複数の電子ビームのそれぞれの電流量を取得する電
流量取得段階と、 前記電流量に基づいて、前記複数の電子ビームの照射位
置のずれを補正する補正値を算出する補正値算出段階
と、 前記補正値に基づいて、前記複数の電子ビームを独立に
偏向して露光する露光段階とを備えることを特徴とする
電子ビーム露光方法。 - 【請求項８】 複数の電子ビームによりウェハにパター
ンを露光して半導体素子を製造する半導体素子製造方法
であって、 前記複数の電子ビームを発生する電子ビーム発生段階
と、 前記複数の電子ビームのそれぞれの電流量を取得する電
流量取得段階と、 前記電流量に基づいて、前記複数の電子ビームの照射位
置を補正する補正値を算出する補正値算出段階と、 前記補正値に基づいて、前記複数の電子ビームを独立に
偏向して露光する露光段階とを備えることを特徴とする
半導体素子製造方法。
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