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JP2002039970A - X-ray device - Google Patents

X-ray device

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JP2002039970A
JP2002039970A JP2000228443A JP2000228443A JP2002039970A JP 2002039970 A JP2002039970 A JP 2002039970A JP 2000228443 A JP2000228443 A JP 2000228443A JP 2000228443 A JP2000228443 A JP 2000228443A JP 2002039970 A JP2002039970 A JP 2002039970A
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Japan
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ray
rays
sample
target
generating means
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JP2000228443A
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Japanese (ja)
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Masaru Kuribayashi
勝 栗林
Shoichi Yasukawa
昇一 安川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rigaku Denki Co Ltd
Rigaku Corp
Original Assignee
Rigaku Denki Co Ltd
Rigaku Corp
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Publication date
Application filed by Rigaku Denki Co Ltd, Rigaku Corp filed Critical Rigaku Denki Co Ltd
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable X rays of different wavelengths to be used easily in an X-ray measurement. SOLUTION: The X-ray device includes a plurality of X-ray generators 4A and 4B for generating X rays to irradiate a sample S, and a second-dimensional X-ray detector 3 for detecting X rays coming from the sample S. The plurality of X-ray generators 4A and 4B can bring X rays of different wavelengths by different angles into the sample S, and moreover at least one of the plurality of X-ray generators 4A and 4B is equipped with an X-ray condenser 6 for collecting X rays. Since the X-ray condenser 6 is set to the side where X rays are emitted from the X-ray generators 4A and 4B, it becomes possible to irradiate X rays of a practically full intensity to the sample S even if the X-ray generators 4A and 4B are micro focus ones. Accordingly, it is practically possible to set the plurality of X-ray generators to one sample S.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、X線を用いて測定
を行うX線装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray apparatus for performing measurement using X-rays.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線を用いた測定においては、X線の波
長、すなわちX線のエネルギを変えて測定を行う必要が
生じる場合がある。例えば、単結晶構造解析のためのX
線測定ではMoKα線及びCuKα線のX線が測定対象
である物質の構成元素、格子定数に応じて使用される。
また、粉末回折測定における一般的な測定手法である定
性測定及び定量測定のときにはCu(銅)線が用いら
れ、試料の表面応力を測定する応力測定のときにはその
他のX線、例えばCr線等が用いられる。
2. Description of the Related Art In measurement using X-rays, it may be necessary to change the wavelength of the X-rays, that is, the energy of the X-rays. For example, X for single crystal structure analysis
In the X-ray measurement, X-rays of MoKα ray and CuKα ray are used according to the constituent elements of the substance to be measured and the lattice constant.
In addition, Cu (copper) rays are used for qualitative measurement and quantitative measurement, which are general measurement methods in powder diffraction measurement, and other X-rays, such as Cr lines, are used for stress measurement for measuring surface stress of a sample. Used.

【0003】ブラッグの式、すなわちλ=2dsinθ
から明らかなように、X線の波長(λ)が長くなると同
じ試料でもピークの角度(θ)が大きくなる。X線を用
いて応力測定を行う場合には、できるだけ2θ=180
°に近い大きな回折角度におけるピークを測定した方が
測定精度は上がる。しかしながら、種々の理由により測
角範囲はそこまで広くないのが一般的である。そこで、
歪によるピークシフトも考慮に入れた上で、X線強度が
高いピークが測角範囲内に入るように入射X線の波長を
選択する。また、試料と入射X線の波長には相性があ
り、例えばFe試料とCu線の組み合わせでは蛍光X線
が多くなるのでS/N比が悪くなる。以上の理由から、
Fe試料にはCr線、Al試料にはFe線を用いるのが
一般的である。その他、場合によって、Co線、Ni線
等が使用されることもある。
The Bragg equation, that is, λ = 2d sin θ
As can be seen from FIG. 6, the longer the wavelength (λ) of the X-ray, the larger the peak angle (θ) of the same sample. When performing stress measurement using X-rays, 2θ = 180 as much as possible.
Measuring the peak at a large diffraction angle close to ° increases the measurement accuracy. However, the angle measurement range is generally not so wide for various reasons. Therefore,
The wavelength of the incident X-ray is selected so that the peak having a high X-ray intensity falls within the angle measurement range, taking into account the peak shift due to the distortion. Further, the wavelength of the sample and the incident X-ray are compatible. For example, in the case of a combination of an Fe sample and a Cu line, the amount of fluorescent X-rays increases, so that the S / N ratio deteriorates. For the above reasons,
Generally, a Cr line is used for the Fe sample, and an Fe line is used for the Al sample. In other cases, a Co line, a Ni line, or the like may be used in some cases.

【0004】従来のX線装置は測定対象に対して1つの
X線発生装置が設けられるだけであったので、X線の波
長を変える際には測定者がX線ターゲットを交換しなけ
ればならず、さらにその交換の都度、X線焦点とその他
のX線要素のアライメントを行わなければならなかっ
た。
In the conventional X-ray apparatus, only one X-ray generator is provided for the object to be measured. Therefore, when changing the wavelength of X-rays, the operator must replace the X-ray target. In addition, each time the replacement is performed, the X-ray focal point must be aligned with other X-ray elements.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなX線要素に関するアライメントは、X線焦点が小
さくなるに従って難しくなり、X線要素の数が増えた
り、X線要素が集光素子であったりすると、より一層困
難になる。これらの関係は指数関数的に変化するといえ
る。
However, the alignment of the X-ray element as described above becomes more difficult as the X-ray focal point becomes smaller, and the number of X-ray elements increases or the X-ray element becomes a focusing element. It becomes even more difficult. It can be said that these relationships change exponentially.

【0006】このような問題点を解消するため、本発明
者は、X線装置を構成するX線発生手段を予め複数個設
けておいて、必要に応じてそれらの中から1つを選んで
測定を行い、X線の波長を変更する必要が生じた場合に
は、前記複数のX線発生手段のうちから別のX線発生手
段を選択して使用するという技術を考えた。
In order to solve such a problem, the present inventor previously provided a plurality of X-ray generating means constituting the X-ray apparatus, and selected one of them as necessary. A technique was considered in which a measurement was performed, and when it became necessary to change the wavelength of X-rays, another X-ray generation means was selected from the plurality of X-ray generation means and used.

【0007】しかしながら、従来一般的に用いられてい
るX線発生装置に関しては、強度の強いX線を得ようと
すると、投入電力を大きく設定しなければならなかっ
た。それに適応するために、ターゲット及びそのターゲ
ットを冷却する冷却手段を大型に、すなわちX線発生部
を大型にしなければならなかった。そしてその結果、1
つのX線装置の中に複数のX線発生手段を含ませるとい
うことは実際上難しく、よって、X線装置に複数のX線
発生手段を設けるという上記の考えは実現できなかっ
た。
However, in the case of an X-ray generator generally used in the past, in order to obtain strong X-rays, the input power had to be set large. To accommodate this, the target and the cooling means for cooling the target had to be large, that is, the X-ray generating section had to be large. And as a result, 1
It is practically difficult to include a plurality of X-ray generating means in one X-ray apparatus, and thus the above idea of providing a plurality of X-ray generating means in an X-ray apparatus could not be realized.

【0008】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、X線測定を行うにあたって異なる波長の
X線を容易に使用できるようにすることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to facilitate the use of X-rays of different wavelengths in performing X-ray measurement.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るX線装置は、試料に照射されるX線を
発生する複数のX線発生手段と、試料から出るX線を検
出する2次元X線検出手段とを有するX線装置であっ
て、前記複数のX線発生手段は互いに異なる角度で前記
試料へX線を入射させることができ、さらに、X線を集
光させるX線集光手段を前記複数のX線発生手段の少な
くとも1つに設けたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, an X-ray apparatus according to the present invention comprises a plurality of X-ray generating means for generating X-rays irradiated on a sample; An X-ray apparatus having two-dimensional X-ray detection means for detecting, wherein the plurality of X-ray generation means can make X-rays incident on the sample at different angles from each other, and further collect X-rays X-ray focusing means is provided in at least one of the plurality of X-ray generation means.

【0010】上記構成において、「2次元X線検出手
段」とは、X線を平面領域内で受光してその平面領域内
の各点においてX線を計測できる構造のX線検出手段で
あり、例えば、X線乾板、X線フィルム、輝尽性蛍光
体、面状CCD(Charge CoupledDevice)センサ等によ
って構成できる。
In the above configuration, the "two-dimensional X-ray detecting means" is an X-ray detecting means having a structure capable of receiving X-rays in a plane area and measuring the X-ray at each point in the plane area. For example, it can be constituted by an X-ray dry plate, an X-ray film, a stimulable phosphor, a planar CCD (Charge Coupled Device) sensor, or the like.

【0011】また、「X線集光手段」とは、発散するX
線を特定点に集光することができる手段のことであり、
例えば、図5に示すような2個の湾曲リフレクタ51、
52を用いたものや、図6及び図7に示すような円筒状
のX線反射鏡52を用いたものや、図8に示すようなモ
ザイク角度幅の広い2個の平板モノクロメータ56、5
7を用いたものや、図9に示すような平行X線ビーム形
成手段58とゾーンプレート59とを用いたもの等を用
いて構成できる。
The "X-ray focusing means" refers to the divergent X-rays.
A means of focusing a line on a specific point,
For example, two curved reflectors 51 as shown in FIG.
52, a cylindrical X-ray reflecting mirror 52 as shown in FIGS. 6 and 7, and two flat plate monochromators 56 and 5 having a wide mosaic angle width as shown in FIG.
7 or a device using a parallel X-ray beam forming means 58 and a zone plate 59 as shown in FIG.

【0012】図5に示すX線集光手段では、2つのリフ
レクタ51及び52が互いに直角の位置関係に配置さ
れ、X線源Fから出て発散するX線をスリット61によ
って規制して第1湾曲リフレクタ51へ導き、第1湾曲
リフレクタ51で反射したX線を第2湾曲リフレクタ5
2で反射させて点Pへ集める。このとき、X線は第1湾
曲リフレクタ51で左右方向が、第2湾曲リフレクタ5
2で上下方向がそれぞれ全反射により集光される。スリ
ット62は不要なX線が集光点Pへ達することを防止す
る。
In the X-ray condensing means shown in FIG. 5, two reflectors 51 and 52 are arranged in a right-angled positional relationship with each other. The X-rays guided to the curved reflector 51 and reflected by the first curved reflector 51 are reflected by the second curved reflector 5.
The light is reflected at 2 and collected at point P. At this time, the X-rays are directed to the first curved reflector 51 in the left-right direction by the second curved reflector 5.
At 2, the light is focused in the vertical direction by total reflection. The slit 62 prevents unnecessary X-rays from reaching the focal point P.

【0013】図6及び図7に示すX線集光手段は、例え
ば特開平5−332954号公報に開示されたものであ
り、2つのU字形状部材66,67によって構成された
曲げ機構65によって円筒状のX線反射鏡52の曲率半
径rを調節する。X線源Fから出て発散するX線RはX
線反射鏡52の断面半円形の内面52aで全反射して、
図6に示す縦方向及び図7に示す横方向の両方向に関し
て点Pへ集められる。
The X-ray focusing means shown in FIGS. 6 and 7 is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-332954, and includes a bending mechanism 65 constituted by two U-shaped members 66 and 67. The radius of curvature r of the cylindrical X-ray reflecting mirror 52 is adjusted. The X-ray R radiating from the X-ray source F is X
The light is totally reflected by an inner surface 52a having a semicircular cross section of the line reflecting mirror 52,
The points P are collected in both the vertical direction shown in FIG. 6 and the horizontal direction shown in FIG.

【0014】図8に示す集光手段は、例えば特開平11
−133191号公報に開示されたものであり、X線源
Fから出て発散するX線RはX線強度を保つことのでき
る、すなわちX線強度を大きく減衰させないモザイク角
度幅の広い2つの平板モノクロメータ56及び57で回
折した後に点Pへ集光する。
The light collecting means shown in FIG.
X-rays R emitted from the X-ray source F can maintain the X-ray intensity, that is, two flat plates having a wide mosaic angle width that does not greatly attenuate the X-ray intensity. After being diffracted by the monochromators 56 and 57, the light is converged on the point P.

【0015】図9に示すX線集光手段は、平行ビーム形
成手段としての並列型放物面反射鏡58と、分光手段と
しての分光結晶68と、ゾーンプレート59と、並列型
放物面反射鏡58からゾーンプレート59までの範囲を
気密に包囲するケーシング69と、そのケーシング69
の内部から空気を排除する排気装置71とを有する。
The X-ray focusing means shown in FIG. 9 comprises a parallel parabolic reflector 58 as a parallel beam forming means, a spectral crystal 68 as a spectral means, a zone plate 59, and a parallel parabolic reflection means. A casing 69 hermetically surrounding the area from the mirror 58 to the zone plate 59;
And an exhaust device 71 for removing air from the inside of the device.

【0016】並列型放物面反射鏡58は、例えば図10
(a)に示す放物面反射鏡72a、すなわち適宜の部材
73のX線反射面を放物面Hに仕上げることによって形
成された放物面反射鏡72aを縦横の直交2方向にわた
って並べて配置することによって形成されている。これ
らの並列型放物面反射鏡72aに発散するX線が入射す
ると、縦方向及び横方向の両方向に関して発散ビームが
平行ビームに形成され、その結果、符合R2で示すよう
に断面矩形状の平行X線ビームが形成される。
The parallel parabolic reflecting mirror 58 is, for example, shown in FIG.
The parabolic reflector 72a shown in (a), that is, the parabolic reflector 72a formed by finishing the X-ray reflecting surface of the appropriate member 73 into a parabolic surface H is arranged side by side in two vertical and horizontal directions. It is formed by. When the divergent X-rays are incident on these parallel parabolic reflectors 72a, divergent beams are formed into parallel beams in both the vertical and horizontal directions, and as a result, as shown by a symbol R2, parallel beams having a rectangular cross section are formed. An X-ray beam is formed.

【0017】分光結晶68は、周知の通り、複数の異な
った波長のX線成分を含むX線を受光したときに、その
中の特定の波長成分だけを取り出す働きを行う結晶であ
る。この分光結晶68としてどのような材質の結晶を用
いるかは、取り出したい波長に応じて適宜に選定する。
As is well known, the spectral crystal 68 is a crystal that, when receiving X-rays including X-ray components having a plurality of different wavelengths, functions to extract only a specific wavelength component from the received X-rays. What kind of material is used as the spectral crystal 68 is appropriately selected according to the wavelength to be extracted.

【0018】ゾーンプレート59は、例えば図11
(a)及び(b)に示すように、X線を透過できるX線
透過帯74とX線を透過させないX線遮蔽75とを交互
に層状に配列して構成される。このゾーンプレート59
は、適宜のパターニング法、例えばフォトリソグラフィ
−法を用いて基板76上に所定パターンのX線遮蔽帯7
5を形成することによって作製できる。この場合、X線
透過帯74は、隣り合うX線遮蔽帯75の間に存在する
部分の基板76によって形成される。
The zone plate 59 is, for example, as shown in FIG.
As shown in (a) and (b), an X-ray transmission band 74 that can transmit X-rays and an X-ray shield 75 that does not transmit X-rays are alternately arranged in layers. This zone plate 59
The X-ray shielding band 7 having a predetermined pattern is formed on the substrate 76 by using an appropriate patterning method, for example, a photolithography method.
5 can be produced. In this case, the X-ray transmission band 74 is formed by the portion of the substrate 76 existing between the adjacent X-ray shield bands 75.

【0019】基板76は、例えばSi34(窒化シリコ
ン)、BN(ボロンナイトライド)等によって形成され
る。また、X線遮蔽帯75は、例えばAu、Ta(タン
タル)、Ni等によって形成される。また、一対のX線
透過帯とX線遮蔽帯とによって形成されるゾーンの数
は、例えば300〜400程度に設定される。
The substrate 76 is formed of, for example, Si 3 N 4 (silicon nitride), BN (boron nitride) or the like. The X-ray shielding band 75 is formed of, for example, Au, Ta (tantalum), Ni, or the like. The number of zones formed by the pair of X-ray transmission bands and X-ray shielding bands is set to, for example, about 300 to 400.

【0020】X線領域にある電磁波は屈折率が1に近い
ため、可視光の場合のようにレンズを使って結像させる
ことはできない。その代わりに用いられるのがゾーンプ
レートである。ゾーンプレートは、例えば円形の回折格
子であり、これによりX線を結像させることができる。
ゾーン数が100以上の場合には、屈折光学で用いるレ
ンズとほとんど同じとして扱うことができる。
Since an electromagnetic wave in the X-ray region has a refractive index close to 1, it cannot be imaged using a lens as in the case of visible light. Instead, a zone plate is used. The zone plate is, for example, a circular diffraction grating, by which X-rays can be imaged.
When the number of zones is 100 or more, it can be treated as almost the same as a lens used in refraction optics.

【0021】図11(b)において、X線源Fから放射
されたX線R0は、X線透過帯74を通って集光点Pに
達する。X線透過帯及びX線遮蔽帯の帯幅は、m番目の
X線透過帯と(m+1)番目のX線透過帯を通るX線の
光路長が波長分だけずれるように設定され、このため集
光点Pに到達するX線は全て強め合い、ちょうどレンズ
の焦点の役割を果たす。
In FIG. 11B, an X-ray R0 emitted from an X-ray source F reaches a focal point P through an X-ray transmission band 74. The band widths of the X-ray transmission band and the X-ray shield band are set such that the optical path length of the X-ray passing through the m-th X-ray transmission band and the (m + 1) -th X-ray transmission band is shifted by the wavelength. All the X-rays that reach the focal point P reinforce each other and play the role of the focal point of the lens.

【0022】図9において、排気装置71によってケー
シング69の内部から空気を排除した状態で、X線源F
から放射されて発散するX線R0がケーシング69の中
に取り込まれる。平行ビーム形成手段としての並列型放
物面反射鏡58を用いる図9の構造の場合、X線源Fと
してはポイントフォーカス、すなわち縦幅と横幅とがほ
ぼ等しい寸法のX線焦点を用いることが望ましい。ポイ
ントフォーカスのX線源からは直角2方向へほぼ均等に
広がるX線が放射されるので、そのようなX線を並列型
放物面反射鏡58によって効率良く平行X線ビームに変
換できるからである。
Referring to FIG. 9, the X-ray source F is
X-rays R <b> 0 radiated from and radiated from the casing 69 are taken into the casing 69. In the case of the structure shown in FIG. 9 using the parallel parabolic reflector 58 as the parallel beam forming means, a point focus, that is, an X-ray focal point having a dimension in which the vertical width and the horizontal width are almost equal to each other is used as the X-ray source F. desirable. Since X-rays that spread almost equally in two perpendicular directions are emitted from the point-focused X-ray source, such X-rays can be efficiently converted into parallel X-ray beams by the parallel parabolic reflector 58. is there.

【0023】ケーシング69の中に取り込まれたX線
は、並列型放物面反射鏡58によって断面矩形状の平行
X線ビームR2に成形されて分光結晶68に入射する。
分光結晶68は、これに入射したX線を単色化、すなわ
ち特定波長のX線だけを取り出してゾーンプレート59
へ向けて出射する。
The X-rays taken into the casing 69 are shaped into a parallel X-ray beam R2 having a rectangular cross section by the parallel parabolic reflector 58, and are incident on the spectral crystal 68.
The spectral crystal 68 converts the incident X-ray into a single color, that is, extracts only the X-ray of a specific wavelength and outputs
Emitted toward.

【0024】ゾーンプレート59は、平行X線ビームを
特定点に集束させる性質を有しているので、このゾーン
プレート59へ入射した単色平行X線ビームは微小な集
光点Pへ集束する。この場合、ゾーンプレート59によ
って受光されるX線は、並列型放物面反射鏡58によっ
て正確に平行に形成されたX線ビームであるので、ゾー
ンプレート59によって形成される集光点Pは非常に小
さく、例えば直径10μm以下とすることもできる。
Since the zone plate 59 has the property of converging the parallel X-ray beam to a specific point, the monochromatic parallel X-ray beam incident on the zone plate 59 converges on a minute converging point P. In this case, since the X-rays received by the zone plate 59 are X-ray beams formed exactly in parallel by the parallel parabolic reflecting mirror 58, the focal point P formed by the zone plate 59 is extremely low. And the diameter can be, for example, 10 μm or less.

【0025】なお、機能的には分光結晶68を用いるこ
となく反射鏡58とゾーンプレート59との組合せだけ
で集束光を得ることができるのであるが、ゾーンプレー
ト59へ入射するX線が複数の波長のX線成分を含むX
線、すなわち連続X線であるとすると、ゾーンプレート
59によって形成される集光点Pにおいて色収差に起因
するボケが発生して明確に区画された微小面積の集光点
Pが得られなくなるおそれがある。これに対し、本実施
形態のように、ゾーンプレート59へ入射する平行X線
ビームを分光結晶68によって単色化すれば、色収差の
影響を低減でき、それ故、明確に区画された極めて微小
面積の集光点Pを得ることができる。
Although it is functionally possible to obtain focused light only by combining the reflecting mirror 58 and the zone plate 59 without using the spectral crystal 68, a plurality of X-rays are incident on the zone plate 59. X including X-ray component of wavelength
If it is a line, that is, a continuous X-ray, there is a possibility that blurring due to chromatic aberration occurs at the light-collecting point P formed by the zone plate 59, and the light-collecting point P having a minute area clearly defined cannot be obtained. is there. On the other hand, if the parallel X-ray beam incident on the zone plate 59 is made monochromatic by the dispersive crystal 68 as in the present embodiment, the influence of chromatic aberration can be reduced, and therefore, an extremely small area having a clearly defined area can be reduced. A converging point P can be obtained.

【0026】なお、排気装置71によってケーシング6
9の内部を排気して空気を除去することにより、空気散
乱によるX線の減衰を防止でき、よって、極めて微小面
積の集光点Pへ強度の強いX線を集束させることができ
る。
The casing 6 is provided by the exhaust device 71.
By evacuating the inside of 9 and removing air, attenuation of X-rays due to air scattering can be prevented, and thus, X-rays with high intensity can be focused on the converging point P having a very small area.

【0027】なお、図9の構造では、平行ビーム形成手
段として放物面反射鏡72aを縦横の2方向に並列に配
置した構造の並列型放物面反射鏡、いわゆるサイド・バ
イ・サイドタイプの放物面反射鏡を用いたが、これに代
えて、縦方向の放物面反射鏡と横方向の放物面反射鏡と
を分離してX線光軸上に配設した構造を採用することも
できる。また、縦方向又は横方向のいずれか一方だけに
関して放物面反射鏡72aを設けるという構造も採用で
きる。
In the structure shown in FIG. 9, a parallel type parabolic reflecting mirror having a structure in which parabolic reflecting mirrors 72a are arranged in parallel in two directions in the vertical and horizontal directions as parallel beam forming means, a so-called side-by-side type. Instead of using a parabolic reflector, a structure in which a vertical parabolic reflector and a horizontal parabolic reflector are separated and arranged on the X-ray optical axis is adopted. You can also. Further, a structure in which the parabolic reflector 72a is provided only in one of the vertical direction and the horizontal direction can be adopted.

【0028】また、平行ビーム形成手段としては、図1
0(a)に示した放物面反射鏡72aに限られず、図1
0(b)に示す放物面反射鏡72b、すなわち基台73
の放物面表面に金属反射膜77を成膜した構造の放物面
反射鏡72bを用いることができる。また、図12に示
すような放物面多層膜鏡78、すなわち基台73の表面
を滑らかな鏡面状の放物面Hに形成し、その放物面に多
層膜79を成膜した構造の、回折によってX線を反射す
る構造の放物面多層膜鏡78を用いることもできる。基
台73は、例えばSi(シリコン)単結晶板、ステンレ
ス等によって形成される。
As the parallel beam forming means, FIG.
1A is not limited to the parabolic reflector 72a shown in FIG.
The parabolic reflector 72b shown in FIG.
A parabolic reflector 72b having a structure in which a metal reflective film 77 is formed on the paraboloid surface can be used. A parabolic multilayer mirror 78 as shown in FIG. 12, that is, a structure in which the surface of the base 73 is formed into a smooth mirror-like parabolic surface H, and a multilayer film 79 is formed on the parabolic surface. Alternatively, a parabolic multilayer mirror 78 having a structure that reflects X-rays by diffraction can be used. The base 73 is formed of, for example, a single crystal Si (silicon) plate, stainless steel, or the like.

【0029】なお、放物面は柔らかい金属で作ることが
できないので、変形し難い金属で作られるが,放物面表
面に金属膜、例えばAu(金)を成膜すると反射効率が
良くなる。これは、全反射を起こす臨界角が大きくなる
ことによる。
Since the paraboloid cannot be made of a soft metal, it is made of a hardly deformable metal. However, if a metal film, for example, Au (gold) is formed on the surface of the paraboloid, the reflection efficiency is improved. This is because the critical angle at which total reflection occurs becomes large.

【0030】多層膜79は、重元素層81と軽元素層8
2とを交互に複数回積層することと、X線源Fから発生
して発散するX線R0が入射する表面が放物面Hとされ
ることを要件として形成されている。各層の成膜は、適
宜の成膜法、例えばスパッタリング法を用いて行うこと
ができる。
The multilayer film 79 includes a heavy element layer 81 and a light element layer 8.
2 are alternately stacked a plurality of times, and the surface on which the X-rays R0 generated and diverged from the X-ray source F are incident is a parabolic surface H. Each layer can be formed by using an appropriate film formation method, for example, a sputtering method.

【0031】重元素層81と軽元素層82との積層構造
を周期的に複数層繰り返すことにより、特定のX線、例
えばCuKα線を効率良く回折でき、その結果、出射側
に強度の強いX線を得ることができる。さらに、多層膜
79の表面を放物面Hとすることにより、その表面の全
面において入射X線を平行方向へ回折すなわち反射でき
るようになり、正確な平行ビームを得ることができる。
つまり、放物面多層膜鏡78を用いれば、単色化された
平行X線ビームを非常に強度が高い状態で得ることがで
きる。
By periodically repeating a multilayer structure of the heavy element layer 81 and the light element layer 82 by a plurality of layers, a specific X-ray, for example, CuKα ray can be efficiently diffracted. You can get a line. Furthermore, by making the surface of the multilayer film 79 a parabolic surface H, incident X-rays can be diffracted or reflected in a parallel direction over the entire surface, and an accurate parallel beam can be obtained.
That is, if the parabolic multilayer mirror 78 is used, a monochromatic parallel X-ray beam can be obtained with a very high intensity.

【0032】また、X線を全反射させる場合には、X線
を全反射面に対して低角度から入射させなければならな
いので、つまり、見込み角を小さくしなければならない
ので、集束できるX線の強度が低くなることが考えられ
る。これに対し、X線を放物面で回折させるようにした
多層膜79では、見込み角θ0を大きく設定できるの
で、強度の強いX線を集光点に集めることができる。
When the X-rays are totally reflected, the X-rays must be made incident on the total reflection surface from a low angle, that is, the expected angle must be reduced, so that the X-rays that can be focused can be focused. Is considered to be low. On the other hand, in the multilayer film 79 in which X-rays are diffracted on a paraboloid, the expected angle θ0 can be set large, so that X-rays with high intensity can be collected at the focal point.

【0033】なお、各層においてX線を回折できるよう
にするために、一対の重元素層81及び軽元素層82の
積層厚さ、すなわち1周期分の積層厚さに関しては、X
線出射側の積層厚さt2がX線入射側の積層厚さt1よ
りも大きくなっている。例えば、t1≒30Å、t2≒
40Å程度に設定する。また、重元素としては、例え
ば、W(タングステン)等が考えられ、軽元素として
は、例えば、Si、C(炭素)、B4C等が考えられ
る。
In order to be able to diffract X-rays in each layer, the stacking thickness of a pair of the heavy element layer 81 and the light element layer 82, that is, the stacking thickness for one cycle, is X
The stack thickness t2 on the X-ray incidence side is larger than the stack thickness t1 on the X-ray incidence side. For example, t1 ≒ 30Å, t2 ≒
Set to about 40 °. The heavy element may be, for example, W (tungsten), and the light element may be, for example, Si, C (carbon), B 4 C, or the like.

【0034】上記構成の本発明に係るX線装置によれ
ば、X線発生手段のX線出射側にX線集光手段を設けた
ので、X線発生手段として容量が小さくて形状も小型で
ある、いわゆるマイクロフォーカスのX線発生手段を用
いる場合でも、実用上十分な強度のX線を試料へ照射す
ることが可能となり、このため、1つの試料に対して複
数のX線発生手段を配設することが実用上で可能になっ
た。そして、そのように1つの試料に対して複数種類の
X線発生手段を配設するようにすれば、当該試料に対し
てX線測定を行うにあたって異なる波長のX線を容易に
使用できるようになる。
According to the X-ray apparatus of the present invention having the above structure, the X-ray focusing means is provided on the X-ray emitting side of the X-ray generating means, so that the X-ray generating means has a small capacity and a small shape. Even when a certain so-called microfocus X-ray generating means is used, it is possible to irradiate the sample with X-rays of sufficient intensity for practical use. Therefore, a plurality of X-ray generating means are arranged for one sample. Has become practically possible. By arranging a plurality of types of X-ray generating means for one sample in such a manner, it is possible to easily use X-rays of different wavelengths when performing X-ray measurement on the sample. Become.

【0035】上記構成の本発明に係るX線装置におい
て、前記X線発生手段は焦点サイズが60μm×60μ
m以下のマイクロフォーカスをターゲット上に形成する
構造のX線発生手段であることが望ましい。
In the X-ray apparatus according to the present invention having the above structure, the X-ray generating means has a focal size of 60 μm × 60 μm.
It is desirable that the X-ray generation means has a structure in which a microfocus of m or less is formed on the target.

【0036】一般に、X線発生装置には、内部を高真空
状態に密封した構造の封入管方式と、内部を大気圧にし
たり又は高真空状態に排気したりできる構造の開放管方
式がある。これらのX線発生装置で採用されるフォーカ
スサイズとしては、1mm×10mm程度の大きさのノ
ーマルフォーカスや、0.4mm×8mm程度の大きさ
のファインフォーカスや、0.4mm×12mmのロン
グファインフォーカスや、2mm×12mmのブロード
フォーカス等が知られている。また、開放管の中には、
フォーカスサイズが0.1mm×1mm以下の微小焦点
が用いられるものもある。
In general, X-ray generators include a sealed tube system having a structure in which the inside is sealed in a high vacuum state, and an open tube system having a structure in which the inside can be evacuated to atmospheric pressure or evacuated to a high vacuum state. The focus size employed in these X-ray generators is a normal focus of about 1 mm × 10 mm, a fine focus of about 0.4 mm × 8 mm, and a long fine focus of 0.4 mm × 12 mm. Also, a broad focus of 2 mm × 12 mm or the like is known. Also, in the open pipe,
In some cases, a minute focus having a focus size of 0.1 mm × 1 mm or less is used.

【0037】上記のような各フォーカスサイズは、X線
測定において十分な強度と分解能のX線を発生させるた
めに採用されるものであり、封入管の容量は2KW程
度、回転対陰極開放管の容量は12KW以上に設定され
ている。電線を流れる電流が多くなると抵抗による発熱
量がI2Rに比例して増加するので、電線を太くして抵
抗値を下げたり、接続部の接触抵抗が小さくなるように
しなければならない。電線を太くするとコストが上がり
得策ではないので、使用電力が1KWを超えると、通常
は単相200Vを使用する。さらに増加すると、3相2
00Vが使用される。従って、封入管では単相200
V、回転対陰極開放管では3相200Vが使用される。
Each of the focus sizes as described above is employed to generate X-rays having sufficient intensity and resolution in X-ray measurement. The capacity of the sealed tube is about 2 KW, The capacity is set to 12 KW or more. When the current flowing through the wire increases, the amount of heat generated by the resistance increases in proportion to I 2 R. Therefore, it is necessary to reduce the resistance value by making the wire thicker or to reduce the contact resistance of the connection portion. If the electric power used exceeds 1 KW, a single-phase 200 V is usually used, since making the electric wire thick increases the cost and is not a good solution. Further increase, 3 phase 2
00V is used. Therefore, the single-phase 200
V, 3 phase 200V is used for the rotating cathode open tube.

【0038】上記のような、フォーカスサイズが大きく
て大電力を必要とするX線発生装置はその形状が大きい
ので、従来、そのX線発生装置を測定対象である試料の
回りに複数個配設しようとすると、両者の距離を遠ざけ
なければならず、このことは物理的には可能でも、実際
問題としては不可能であった。何故ならば、そのような
配置では床面積も広く、装置が重くてアライメントが困
難であり、価格も高い等といった各種の不都合が生じる
からである。
Since the X-ray generator having a large focus size and requiring large power as described above has a large shape, conventionally, a plurality of such X-ray generators are arranged around a sample to be measured. Attempting to do so would require a distance between them, which was physically possible but not practical. This is because such an arrangement causes various inconveniences such as a large floor area, a heavy apparatus, difficult alignment, and a high price.

【0039】一方、近年、X線集光装置の性能が向上し
たことに起因して、フォーカスサイズが小さく、しかも
電気容量も小さくて済む構造のX線発生装置によって
も、X線測定のために十分な強度のX線が得られること
が、本発明者等によって確認された。具体的には、広く
一般に利用されている家庭用電源である単相100Vを
用いてφ60μm以下のフォーカスサイズ、いわゆるマ
イクロフォーカスサイズのX線焦点をターゲット上に形
成して発生させた小出力のX線をX線集光装置によって
集光することにより、実用上問題なくX線測定が行える
ことができる。
On the other hand, in recent years, due to the improvement in the performance of the X-ray condensing device, even an X-ray generator having a structure that requires a small focus size and a small electric capacity can be used for X-ray measurement. It has been confirmed by the present inventors that X-rays of sufficient intensity can be obtained. Specifically, a small-power X-ray generated by forming a focus size of φ60 μm or less, that is, a so-called micro-focus size on a target using a single-phase 100 V which is a widely used household power source, is used. X-ray measurement can be performed without practical problems by condensing the line with the X-ray condensing device.

【0040】なお、焦点寸法とX線管の出力との関係
は、例えば、φ10μmで8W、φ20μmで25W、
φ40μmで100W、φ60μmで300Wである。
The relationship between the focal point size and the output of the X-ray tube is, for example, 8 W at φ10 μm, 25 W at φ20 μm,
It is 100 W at φ40 μm and 300 W at φ60 μm.

【0041】マイクロフォーカスタイプのX線発生装置
は、投入電力が小さくて済み、ターゲットも小さくて済
み、ターゲットを冷却するための冷却装置も小さくて済
む等といった性質を有するので、設計も楽になり、設置
も楽になり、保守も楽になり、維持経費も軽減できる。
また、このようなマイクロフォーカスタイプのX線発生
装置は封入管方式及び開放管方式のいずれによっても構
成でき、それ自体も小型であるし、それに付随する機
器、例えば電源、ケーシング等も非常に小型に形成でき
る。その結果、試料の回りに複数のX線発生装置を配設
することが可能である。
The X-ray generator of the microfocus type has properties such as a small input power, a small target, and a small cooling device for cooling the target. Installation is easier, maintenance is easier, and maintenance costs can be reduced.
Further, such a microfocus type X-ray generator can be constituted by either a sealed tube system or an open tube system, and is itself small in size, and its accompanying devices such as a power supply and a casing are very small. Can be formed. As a result, it is possible to arrange a plurality of X-ray generators around the sample.

【0042】次に、複数のX線発生手段を用いる構造の
本発明に係るX線装置では、前記X線発生手段の1つを
Moターゲットによって構成し、他の1つをCuターゲ
ットによって構成し、前記Moターゲットを有するX線
発生手段は試料の正面から該試料へX線を入射するよう
に配置し、前記Moターゲットを有するX線発生手段に
よるX線入射角と前記Cuターゲットを有するX線発生
手段によるX線入射角との差を実質的に40°に設定す
ることが望ましい。ここで、「実質的に40°」という
のは、調整の仕方によって40°からわずかにずれるよ
うな場合も含む意味である。
Next, in the X-ray apparatus according to the present invention having a structure using a plurality of X-ray generating means, one of the X-ray generating means is constituted by a Mo target, and the other is constituted by a Cu target. The X-ray generation means having the Mo target is arranged so that X-rays enter the sample from the front of the sample, and the X-ray incidence angle by the X-ray generation means having the Mo target and the X-ray having the Cu target It is desirable to set the difference from the X-ray incident angle by the generating means to substantially 40 °. Here, “substantially 40 °” means a case where the angle slightly deviates from 40 ° depending on the adjustment method.

【0043】X線装置の光学配置を以上のように設定す
れば、MoKα線とCuKα線の2種類の特性線のいず
れかを選択的に用いて単結晶構造解析を行うことができ
る。従来であれば、X線の種類を上記2種類の波長の間
で変更する際には、X線発生装置のX線管球をいちいち
交換し、さらに、光学系のアライメントをその度に行っ
てから測定を行っていたので、測定が非常に困難であっ
た。これに対し、本発明によれば、異なる波長のX線の
いずれかを極めて簡単に選択してX線測定を行うことが
できる。
When the optical arrangement of the X-ray apparatus is set as described above, a single crystal structure analysis can be performed by selectively using either one of two types of characteristic lines, MoKα ray and CuKα ray. Conventionally, when changing the type of X-rays between the above two types of wavelengths, the X-ray tube of the X-ray generator is replaced one by one, and the alignment of the optical system is performed each time. The measurement was very difficult because the measurement was performed from the beginning. On the other hand, according to the present invention, it is possible to very easily select one of the X-rays having different wavelengths and perform the X-ray measurement.

【0044】次に、複数のX線発生手段を用いる構造の
本発明に係るX線装置では、X線発生手段の1つをCu
ターゲットによって形成し、他の1つをCrターゲット
によって形成し、前記Crターゲットを有するX線発生
手段は前記X線検出手段によるX線検出範囲が155°
以上となるようにX線検出手段の端辺の近傍に設けるこ
とが望ましい。
Next, in the X-ray apparatus according to the present invention having a structure using a plurality of X-ray generating means, one of the X-ray generating means is Cu
The X-ray generation means having the Cr target has an X-ray detection range of 155 ° by the X-ray detection means.
As described above, it is desirable to provide it near the end of the X-ray detection means.

【0045】この構成によれば、Cuターゲットによっ
て構成されたX線発生装置を用いて粉末試料、すなわち
多結晶試料の定性分析及び定量分析を行い、さらにCr
ターゲットによって構成されたX線発生装置を用いてF
e試料の表面応力測定を行うことが、1つのX線装置に
よって簡単に選択的に行うことができる。特に、従来の
大容量のX線発生装置を用いたX線測定では、ハウジン
グやコリメータ台等の構造的制限によって回折角度(い
わゆる、2θ)が155°程度までしかとれなかった
が、上記構成のX線装置によれば、Crターゲットを用
いたX線発生装置によって試料に対して斜め方向からX
線を入射させることにより、−40°から+165°の
2θ測角範囲を確保でき、表面応力の測定に威力を発揮
できる。
According to this configuration, a qualitative analysis and a quantitative analysis of a powder sample, that is, a polycrystalline sample are performed by using an X-ray generator constituted by a Cu target,
F using an X-ray generator composed of a target
Measurement of the surface stress of the e-sample can be easily and selectively performed by one X-ray apparatus. In particular, in the X-ray measurement using the conventional large-capacity X-ray generator, the diffraction angle (so-called 2θ) can be only up to about 155 ° due to the structural limitation of the housing and the collimator table. According to an X-ray apparatus, an X-ray generator using a Cr target is used to obliquely X-ray the sample.
By making the line incident, a 2θ angle measurement range of −40 ° to + 165 ° can be secured, and it is possible to exert its power in measuring surface stress.

【0046】[0046]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係るX線装置の一
実施形態の平面構造を示している。また、図2は同じX
線装置の側面構造を示している。ここに示すX線装置
は、特に、単結晶物質の構造解析に適した装置である。
このX線装置は、図1に示すように、第1X線発生ユニ
ット1Aと、第2X線発生ユニット1Bと、単結晶試料
Sを所定位置に支持する試料支持装置2と、試料Sから
出るX線を検出する2次元X線検出手段としての蓄積性
蛍光体3とを有する。
FIG. 1 shows a plan structure of an embodiment of an X-ray apparatus according to the present invention. FIG. 2 shows the same X
3 shows a side structure of the wire device. The X-ray apparatus shown here is an apparatus particularly suitable for structural analysis of a single crystal substance.
As shown in FIG. 1, the X-ray apparatus includes a first X-ray generation unit 1A, a second X-ray generation unit 1B, a sample support device 2 for supporting a single crystal sample S at a predetermined position, and an X-ray output from the sample S. A stimulable phosphor 3 as two-dimensional X-ray detecting means for detecting a line;

【0047】第1X線発生ユニット1Aは、第1X線発
生装置4Aと、その第1X線発生装置4AのX線出射側
に設けられたX線集光装置6と、そのX線集光装置6の
X線出射側に設けられたX線通路管7と、X線通路管7
のX線出射側に設けられたX線シャッタ8とを有する。
第1X線発生装置4Aは、少なくともX線焦点部分がC
uによって形成されたターゲット11aと、通電によっ
て熱電子を放出するフィラメント12と、フィラメント
12に電圧を印加する給電部13と、ターゲット11a
及びフィラメント12を気密に収納するケーシング9と
を有する。
The first X-ray generation unit 1A includes a first X-ray generation device 4A, an X-ray collection device 6 provided on the X-ray emission side of the first X-ray generation device 4A, and an X-ray collection device 6 X-ray passage tube 7 provided on the X-ray emission side of
And an X-ray shutter 8 provided on the X-ray emission side.
The first X-ray generator 4A has at least an X-ray focal point at C
u, a filament 12 that emits thermoelectrons when energized, a power supply unit 13 that applies a voltage to the filament 12, and a target 11a
And a casing 9 for airtightly storing the filament 12.

【0048】他方、第2X線発生ユニット1Bは、第2
X線発生装置4Bと、その第2X線発生装置4BのX線
出射側に設けられたX線集光装置6と、そのX線集光装
置6のX線出射側に設けられたX線通路管7と、X線通
路管7のX線出射側に設けられたX線シャッタ8とを有
する。第2X線発生装置4Bは、少なくともX線焦点部
分がMoによって形成されたターゲット11bと、通電
によって熱電子を放出するフィラメント12と、フィラ
メント12に電圧を印加する給電部13と、ターゲット
11b及びフィラメント12を気密に収納するケーシン
グ9とを有する。
On the other hand, the second X-ray generation unit 1B
X-ray generator 4B, X-ray collector 6 provided on the X-ray emission side of second X-ray generator 4B, and X-ray passage provided on the X-ray emission side of X-ray collector 6 It has a tube 7 and an X-ray shutter 8 provided on the X-ray emission side of the X-ray passage tube 7. The second X-ray generator 4B includes a target 11b having at least an X-ray focal point formed of Mo, a filament 12 that emits thermoelectrons when energized, a power supply unit 13 that applies a voltage to the filament 12, a target 11b and a filament. And a casing 9 for airtightly storing the casing 12.

【0049】本実施形態では、第1X線発生装置4A及
び第2X線発生装置4Bは、いわゆるマイクロフォーカ
スタイプのX線発生装置として形成されており、具体的
には、フィラメント12によってターゲット11a及び
11b上にマイクロフォーカス、例えば60μm×60
μm以下の大きさのフォーカスすなわちX線焦点が形成
される。このようなマイクロフォーカスは8W(ワッ
ト)程度の電力量によって形成可能であり、よって、給
電部13は通常の100Vの商用電源に接続されて電力
の供給を受けることができる。
In the present embodiment, the first X-ray generator 4A and the second X-ray generator 4B are formed as so-called microfocus type X-ray generators. Micro focus on top, for example 60 μm × 60
A focus having a size of μm or less, that is, an X-ray focus is formed. Such a microfocus can be formed with an electric energy of about 8 W (watt). Therefore, the power supply unit 13 can be connected to a normal 100 V commercial power supply to receive power supply.

【0050】上記のような、マイクロフォーカスで単相
100V電源を利用するタイプのX線発生装置は、ノー
マルフォーカスやファインフォーカス等で単相200V
以上の電源を利用するタイプのX線発生装置に比べて外
観形状を著しく小さく形成することができる。
The X-ray generator of the type using a single-phase 100V power supply with a micro focus as described above is a single-phase 200V power supply with a normal focus or a fine focus.
The external shape can be significantly reduced as compared with the X-ray generator of the type using the above-described power supply.

【0051】第1X線発生ユニット1A及び第2X線発
生ユニット1Bにおいて、X線集光装置6としては、例
えば、図5、図6、図7、図8又は図9のいずれかに示
す構造のX線集光装置を用いることができる。また、X
線通路管7は、例えばアルミニウム製の中空パイプによ
って形成できる。また、X線シャッタ8はX線の通過と
遮断とを切り替えることのできる任意の構造によって構
成される。
In the first X-ray generation unit 1A and the second X-ray generation unit 1B, the X-ray collector 6 has, for example, the structure shown in FIG. 5, FIG. 6, FIG. 7, FIG. An X-ray focusing device can be used. Also, X
The line passage tube 7 can be formed by, for example, a hollow pipe made of aluminum. The X-ray shutter 8 has an arbitrary structure that can switch between passing and blocking of X-rays.

【0052】Moターゲットを備えた第2X線発生ユニ
ット1Bは試料Sの正面に配置され、Cuターゲットを
備えた第1X線発生装置1Aは試料Sを中心として第2
X線発生ユニット1Bに対してθ≒40°の角度位置に
配設される。
The second X-ray generation unit 1B provided with the Mo target is arranged in front of the sample S, and the first X-ray generator 1A provided with the Cu target is used for the second X-ray generation device 1A centering on the sample S.
It is disposed at an angular position of θ ≒ 40 ° with respect to X-ray generation unit 1B.

【0053】試料Sを支持する試料支持装置2は、図2
に示すように、試料Sを直接に支持するφ回転部14
と、φ回転部14を支持するχ(カイ)回転部16と、
φ回転部14及びχ回転部16を支持するω回転部17
とを有する、いわゆる3軸回転構造によって構成されて
いる。
The sample supporting device 2 for supporting the sample S is shown in FIG.
As shown in the figure, the φ rotating unit 14 directly supporting the sample S
A カ イ (chi) rotating unit 16 supporting the φ rotating unit 14;
ω rotating unit 17 supporting φ rotating unit 14 and χ rotating unit 16
And a so-called three-axis rotating structure.

【0054】φ回転部14は試料Sを通るφ軸線を中心
として試料Sを回転、いわゆる面内回転させる。また、
χ回転部16は図2において試料Sを紙面垂直方向に通
るχ軸線を中心としてφ回転部14従って試料Sを矢印
Aのように回転させる。また、ω回転部17はφ軸線及
びχ軸線の交点を通る軸線であるω軸線を中心としてχ
回転部16従って試料Sを回転させる。なお、以上の各
回転部の具体的な構造は必要に応じて自由に構成でき
る。
The φ rotation unit 14 rotates the sample S about a φ axis passing through the sample S, that is, rotates the sample S in a plane. Also,
The rotation unit 16 rotates the sample S as indicated by the arrow A by the φ rotation unit 14 about the χ axis passing through the sample S in the direction perpendicular to the paper of FIG. In addition, the ω rotation unit 17 rotates around the ω axis which is an axis passing through the intersection of the φ axis and the χ axis.
The rotating section 16 rotates the sample S. It should be noted that the specific structure of each of the rotating parts described above can be freely configured as needed.

【0055】3軸回転構造によって構成された試料支持
装置2は、φ回転部14、χ回転部16及びω回転部1
7のいずれか又は全部を選択的に作動することにより、
単結晶試料Sの任意の回折面をX線で照射することがで
きる。
The sample support device 2 constituted by a three-axis rotating structure includes a φ rotating unit 14, a Δ rotating unit 16 and an ω rotating unit 1.
By selectively operating any or all of 7,
An arbitrary diffraction surface of the single crystal sample S can be irradiated with X-rays.

【0056】次に、蓄積性蛍光体3は、輝尽性蛍光体と
も呼ばれるエネルギ蓄積型の放射線検出器であり、輝尽
性蛍光物質、例えばBaFBr:Er2+の微結晶を可撓
性フィルム、平板状フィルム、その他の部材の表面に塗
布等によって成膜したものである。この輝尽性蛍光体は
X線等をエネルギの形で蓄積することができ、さらにレ
ーザ光等といった輝尽励起光の照射によりそのエネルギ
を外部に光として放出できる性質を有する物体である。
Next, the stimulable phosphor 3 is an energy storage type radiation detector which is also called a stimulable phosphor, and a stimulable phosphor, for example, a microcrystal of BaFBr: Er 2+ is applied to a flexible film. Formed on the surface of a flat film or other member by coating or the like. The stimulable phosphor is an object capable of accumulating X-rays and the like in the form of energy, and further capable of emitting the energy as light to the outside upon irradiation with stimulating excitation light such as laser light.

【0057】つまり、輝尽性蛍光体にX線等を照射する
と、その照射された部分に対応する輝尽性蛍光体の内部
にエネルギが潜像として蓄積され、さらにその輝尽性蛍
光体にレーザ光等といった輝尽励起光を照射すると上記
潜像エネルギが光となって外部へ放出される。この放出
された光を光電管等によって検出することにより、潜像
の形成に寄与したX線の検出位置及び強度を測定でき
る。この輝尽性蛍光体は従来のX線フィルムに対して1
0〜60倍の感度を有し、さらに105〜106に及ぶ広
いダイナミックレンジを有する。
That is, when the stimulable phosphor is irradiated with X-rays or the like, energy is accumulated as a latent image inside the stimulable phosphor corresponding to the irradiated portion, and the energy is further accumulated on the stimulable phosphor. When stimulating excitation light such as laser light is irradiated, the latent image energy is emitted as light and emitted to the outside. By detecting the emitted light with a photoelectric tube or the like, the detection position and intensity of X-rays that have contributed to the formation of a latent image can be measured. This stimulable phosphor is 1 to conventional X-ray film.
It has a sensitivity of 0 to 60 times and a wide dynamic range of 10 5 to 10 6 .

【0058】本実施形態では、図1において、試料Sの
正面からX線を入射する第2X線発生ユニット1BのX
線光軸Xbに対してθ≒40°の角度位置に配設された
第1X線発生ユニット1AのX線光軸Xaを0°とし
て、少なくともその左側+144°とその右側−60°
の角度範囲をカバーするように蓄積性蛍光体3を円筒状
に湾曲させて試料Sの回りに配置する。これにより、蓄
積性蛍光体3は、第2X線発生ユニット1BのX線光軸
Xbを0°として、その左側+100°とその右側−1
00°の角度範囲をカバーできる角度位置関係に配置さ
れる。
In the present embodiment, in FIG. 1, the X-rays of the second X-ray generation unit 1B which receives X-rays from the front of the sample S are shown.
Assuming that the X-ray optical axis Xa of the first X-ray generation unit 1A disposed at an angle of θ ≒ 40 ° with respect to the line optical axis Xb is 0 °, at least its left side is + 144 ° and its right side is −60 °
The stimulable phosphor 3 is curved around a cylindrical shape so as to cover the angle range described above and arranged around the sample S. As a result, the stimulable phosphor 3 sets the X-ray optical axis Xb of the second X-ray generation unit 1B to 0 °, its left side + 100 ° and its right side −1.
They are arranged in an angular positional relationship that can cover an angle range of 00 °.

【0059】図1において、第1X線発生ユニット1A
又は第2X線発生ユニット1Bから出射するX線が試料
Sへ入射したとき、その入射X線と試料Sの結晶格子面
との間でブラッグの回折条件が満足されると、試料Sか
ら回折X線が出射する。そしてこの回折X線は蓄積性蛍
光体3を露光して該露光点に潜像を形成する。図3は蓄
積性蛍光体3に形成される潜像を読み取るための読取り
装置の一例を示している。
In FIG. 1, the first X-ray generation unit 1A
Alternatively, when X-rays emitted from the second X-ray generation unit 1B enter the sample S, if the Bragg diffraction condition is satisfied between the incident X-rays and the crystal lattice plane of the sample S, the diffraction X A line is emitted. The diffracted X-rays expose the stimulable phosphor 3 to form a latent image at the exposed point. FIG. 3 shows an example of a reader for reading a latent image formed on the stimulable phosphor 3.

【0060】ここに示す読取り装置19は、輝尽性蛍光
体3を支持する支持する支持台21と、輝尽励起光とし
てのレーザ光を放出するレーザ光源24と、レーザ光源
24から放出されるレーザ光を反射する光反射部材23
aと、支持台21に対向して配設されていて光反射部材
23aからの光を受け取る走査光学系22と、そして光
反射部材23bからの光を受け取るレーザ光検出器26
とを有する。レーザ光検出器26は、例えば光電変換器
を含んで構成される。
The reading device 19 shown here has a support 21 for supporting the stimulable phosphor 3, a laser light source 24 for emitting laser light as stimulating excitation light, and an emission from the laser light source 24. Light reflecting member 23 that reflects laser light
a, a scanning optical system 22 disposed opposite to the support 21 and receiving light from the light reflecting member 23a, and a laser light detector 26 receiving light from the light reflecting member 23b.
And The laser light detector 26 includes, for example, a photoelectric converter.

【0061】走査光学系22は走査駆動装置27によっ
て駆動されて輝尽性蛍光体3の表面をX−Yの直交2方
向すなわち平面方向へ走査する。走査駆動装置27は任
意の平行移動機構を用いて構成できる。レーザ光検出器
26は、光を受け取ってその光強度に対応した信号を出
力する。そして、レーザ光検出器26の出力端子にはX
線強度演算回路28が接続される。
The scanning optical system 22 is driven by the scanning driving device 27 to scan the surface of the stimulable phosphor 3 in two directions orthogonal to XY, that is, in a plane direction. The scanning drive device 27 can be configured using any parallel moving mechanism. The laser light detector 26 receives the light and outputs a signal corresponding to the light intensity. The output terminal of the laser light detector 26 has X
The line intensity calculation circuit 28 is connected.

【0062】演算装置36は、CPU(Central Proces
sing Unit)38及びメモリ39有する。メモリ39
は、CPU38が使用するプログラムを格納する記憶領
域や、CPU38のためのワークエリアやテンポラリフ
ァイル等として作用する記憶領域等といった各種記憶領
域を含む記憶媒体であり、具体的には半導体メモリ、ハ
ードディスク、その他各種の記憶媒体によって形成でき
る。CPU38は、メモリ39内に記憶されたプログラ
ムに従って、入出力インターフェース41に接続された
各種装置を制御するための演算を行う。
The arithmetic unit 36 has a CPU (Central Processes).
sing unit) 38 and a memory 39. Memory 39
Is a storage medium including various storage areas such as a storage area for storing a program used by the CPU 38 and a storage area acting as a work area and a temporary file for the CPU 38, and more specifically, a semiconductor memory, a hard disk, It can be formed by other various storage media. The CPU 38 performs an operation for controlling various devices connected to the input / output interface 41 according to a program stored in the memory 39.

【0063】上記のX線強度演算回路28及び走査駆動
装置27は、ぞれぞれ、入出力インターフェース41を
通してCPU38に接続される。また、入出力インター
フェース41には、情報を映像として表示するためのデ
ィスプレイ42、例えばCRT(Cathode Ray Tube)デ
ィスプレイが接続され、さらに情報を紙等といった印材
上に記録するためのプリンタ43も接続される。
The X-ray intensity calculation circuit 28 and the scanning driving device 27 are connected to the CPU 38 through the input / output interface 41, respectively. The input / output interface 41 is connected to a display 42 for displaying information as an image, for example, a CRT (Cathode Ray Tube) display, and further connected to a printer 43 for recording information on a stamping material such as paper. You.

【0064】図3に示す読取り装置19のうち、ディス
プレイ42及びプリンタ43を除く構成要素は図2にお
いて基台18の下方位置に配設することができ、その場
合には、蓄積性蛍光体3を図2に示す測定位置と図3に
示す読取り位置との間で搬送する搬送機構を設けること
が望ましい。
The components of the reading device 19 shown in FIG. 3 except for the display 42 and the printer 43 can be arranged below the base 18 in FIG. It is desirable to provide a transport mechanism for transporting the image data between the measurement position shown in FIG. 2 and the reading position shown in FIG.

【0065】図1において測定を終了した輝尽性蛍光体
3を図3の支持台21に装着し、走査光学系22をX−
Y平面内で走査移動させながらレーザ光を照射して読み
取りを行えば、CPU38の演算により、回折X線像の
X−Y平面内での座標位置を求めることができる。な
お、支持台21は図示のような平面形状でも、あるいは
円筒形状でも良い。支持台21が平面形状の場合には、
走査光学系22は平面的に走査移動する。一方、支持台
21が円筒形状の場合には、走査光学系22は支持台2
1の円筒中心軸線を中心として回転しながら、同時に円
筒軸線方向に直線移動することにより、円筒形状に支持
された蓄積性蛍光体3の表面を走査する。
In FIG. 1, the stimulable phosphor 3 which has been measured is mounted on the support 21 shown in FIG.
When reading is performed by irradiating a laser beam while scanning and moving in the Y plane, the coordinate position of the diffracted X-ray image in the XY plane can be obtained by the operation of the CPU 38. In addition, the support 21 may have a planar shape as shown or a cylindrical shape. When the support 21 has a planar shape,
The scanning optical system 22 scans and moves in a plane. On the other hand, when the support 21 has a cylindrical shape, the scanning optical system 22
The surface of the stimulable phosphor 3 supported in a cylindrical shape is scanned by rotating about the central axis of one cylinder and simultaneously moving linearly in the direction of the cylinder axis.

【0066】CPU38は、そのようにして求められた
試料Sに関する回折X線像の強度を1つのデバイ環ご
と、すなわち等回折角度線ごとに合計、すなわち積算、
例えば積分することにより、各回折角度(2θ)ごとの
X線強度を演算することができる。
The CPU 38 sums the intensities of the diffracted X-ray images for the sample S obtained in this manner for each Debye ring, that is, for each equal diffraction angle line, that is, sums the values.
For example, by integrating, the X-ray intensity for each diffraction angle (2θ) can be calculated.

【0067】本実施形態に係るX線装置は以上のように
構成されているので、測定に際しては、まず、測定対象
である単結晶試料Sを図2のφ回転部14に取り付け
る。そして、試料Sの構成元素及び格子定数に応じて、
図1において第1X線発生ユニット1A又は第2X線発
生ユニット1Bのいずれか希望する方を作動させて、希
望する波長のX線を試料Sへ入射させる。従来のX線装
置では、X線源を異なる波長のものへ変更する場合に
は、X線発生装置を異なる材質のターゲットを備えたも
のに交換して、さらにX線光学要素のアライメントを再
調整するという非常に煩雑な作業を行わなければならな
かったが、本実施形態では2つのX線発生ユニット1A
及び1Bが予めアライメント済みの状態で設けられてい
るので、Cu波長とMo波長との間でX線を自由に変更
して試料Sへ入射させることができ、非常に便利であ
る。
Since the X-ray apparatus according to the present embodiment is configured as described above, at the time of measurement, first, the single crystal sample S to be measured is attached to the φ rotating unit 14 in FIG. Then, according to the constituent elements and the lattice constant of the sample S,
In FIG. 1, a desired one of the first X-ray generation unit 1A and the second X-ray generation unit 1B is operated, and X-rays of a desired wavelength are incident on the sample S. In conventional X-ray equipment, when changing the X-ray source to one with a different wavelength, replace the X-ray generator with one with a target made of a different material and readjust the alignment of the X-ray optical element. However, in the present embodiment, two X-ray generating units 1A are required.
And 1B are provided in an aligned state in advance, so that the X-ray can be freely changed between the Cu wavelength and the Mo wavelength and incident on the sample S, which is very convenient.

【0068】なお、第1X線発生ユニット1AによるC
uKα線はθ≒40°の斜め方向から試料Sへ入射さ
れ、測角範囲2θは−60°〜+144°である。一
方、第2X線発生ユニット1BによるMoKα線は試料
Sの正面方向、すなわちθ=0°から試料Sへ入射さ
れ、測角範囲2θは−100°〜+100°である。い
ずれのX線発生ユニットの場合も、単結晶試料Sの構造
解析をする上で十分な測角範囲を有している。
The first X-ray generation unit 1A uses C
The uKα ray is incident on the sample S from an oblique direction of θ ≒ 40 °, and the angle measurement range 2θ is −60 ° to + 144 °. On the other hand, the MoKα ray from the second X-ray generation unit 1B is incident on the sample S from the front direction of the sample S, that is, θ = 0 °, and the angle measurement range 2θ is −100 ° to + 100 °. Each of the X-ray generation units has a sufficient angle measurement range for analyzing the structure of the single crystal sample S.

【0069】図4は、本発明に係るX線装置の他の実施
形態を示している。この実施形態は、試料Sとして多結
晶粉末物質が測定に供された場合の実施形態である。こ
の実施形態では、第1X線発生ユニット1Aを構成する
第1X線発生装置4AがCr(クロム)ターゲット11
cを有し、第2X線発生ユニット1Bを構成する第2X
線発生装置4BがCuターゲット11aを有する。な
お、図4において図1に示した構成要素と同じものは同
じ符号を付して示すことにしてその説明は省略する。
FIG. 4 shows another embodiment of the X-ray apparatus according to the present invention. This embodiment is an embodiment in which a polycrystalline powder material is used as a sample S for measurement. In this embodiment, the first X-ray generator 4A constituting the first X-ray generation unit 1A includes a Cr (chromium) target 11A.
c and the second X-ray constituting the second X-ray generation unit 1B
The line generator 4B has a Cu target 11a. In FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0070】また、第1X線発生ユニット1Aの設置角
度位置θ1は、X線光軸Xcを0°としてその左側+1
65°からその右側−40°の角度範囲が蓄積性蛍光体
3によってカバーされるように設定される。この結果、
第1X線発生ユニット1Aは蓄積性蛍光体3の左端辺に
接近して配設ざれる。一方、第2X線発生ユニット1B
の設置角度θ2は希望に応じた適切な角度に設定され
る。
The installation angle position θ1 of the first X-ray generation unit 1A is defined as +1 on the left side with respect to the X-ray optical axis Xc of 0 °.
The angle range from 65 ° to the right -40 ° is set so as to be covered by the stimulable phosphor 3. As a result,
The first X-ray generation unit 1A is disposed close to the left end of the stimulable phosphor 3. On the other hand, the second X-ray generation unit 1B
Is set to an appropriate angle as desired.

【0071】以上のような構成から成る本実施形態のX
線装置によれば、第2X線発生ユニット1BによるCu
Kα線を用いて一般的な粉末回折測定を行うことと、第
1X線発生ユニット1AによるCr線を用いて、例えば
Fe含有物質の表面応力測定を行うこととが、測定者の
希望に応じて選択的に行うことができる。この波長選択
の場合にも、測定者は煩雑なアライメントをいちいち行
うことなく、即座に希望の波長を選択できる。
The X of the present embodiment having the above configuration
According to the X-ray apparatus, Cu by the second X-ray generation unit 1B
Performing a general powder diffraction measurement using Kα radiation and performing a surface stress measurement of, for example, an Fe-containing material using a Cr line by the first X-ray generation unit 1A according to the wishes of the measurer It can be done selectively. Also in the case of this wavelength selection, the measurer can immediately select a desired wavelength without performing complicated alignment.

【0072】なお、フォーカスサイズが大きく、電気容
量も大きい従来のX線発生装置を用いる場合には、X線
発生装置のハウジングやX線発生装置に付設されるコリ
メータ台等に起因する構造的制限により、測角できる回
折角度範囲2θは155°程度が限度であった。これに
対し、マイクロフォーカスのX線発生装置及びX線集光
装置6を用いて小型に形成されたX線発生ユニット1A
及び1Bを用いる構造の本実施形態によれば、第1X線
発生ユニット1Aを蓄積性蛍光体3の端辺の近傍に設置
すること、換言すれば第1X線発生ユニット1Aの設置
角度θ1を大きくとることができるので、−40°〜+
165°までという広い測角範囲を確保でき、それ故、
残留応力の測定に関して非常に好都合である。
When a conventional X-ray generator having a large focus size and a large electric capacity is used, structural limitations due to a housing of the X-ray generator, a collimator table attached to the X-ray generator, and the like are used. Accordingly, the diffraction angle range 2θ that can be measured is limited to about 155 °. On the other hand, an X-ray generation unit 1A formed in a small size using a microfocus X-ray generation device and an X-ray focusing device 6
According to the present embodiment having the structure using the first X-ray generation unit 1A and the first X-ray generation unit 1A, the installation angle θ1 of the first X-ray generation unit 1A is increased. -40 ° ~ +
A wide angle measurement range up to 165 ° can be secured,
It is very convenient for measuring residual stress.

【0073】以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を
説明したが、本発明はその実施形態に限定されるもので
なく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変
できる。
As described above, the present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and can be variously modified within the scope of the invention described in the claims.

【0074】例えば、図1に示した実施形態では試料S
に対して2個のX線発生装置4A及び4Bを設けたが、
X線発生装置を3個以上設けても良い。また、2次元X
線検出器は蓄積性蛍光体3に限られず、X線フィルムそ
の他の2次元X線検出器を用いることができる。
For example, in the embodiment shown in FIG.
Are provided with two X-ray generators 4A and 4B,
Three or more X-ray generators may be provided. Also, two-dimensional X
The X-ray detector is not limited to the stimulable phosphor 3, and an X-ray film or another two-dimensional X-ray detector can be used.

【0075】また、図1においてX線通路管7は、不要
なX線が試料Sへ向かうことを防止したり、X線発生装
置4AやX線発生装置4Bからのダイレクトビームが試
料Sや蓄積性蛍光体3へ向かうことを防止したりする
が、このX線通路管7は必ず使用しなければならないと
いう要素ではない。また、X線シャッタ8も必ず使用し
なければならないという要素ではない。
In FIG. 1, the X-ray passage tube 7 prevents unnecessary X-rays from going to the sample S, and the direct beam from the X-ray generator 4A or XB The X-ray passage tube 7 is not an element that must be used, although it prevents the phosphor from going to the luminescent phosphor 3. Also, the X-ray shutter 8 is not an element that must be used.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上の説明のように、本発明に係るX線
装置によれば、X線発生手段のX線出射側にX線集光手
段を設けたので、X線発生手段として容量が小さくて形
状も小型である、いわゆるマイクロフォーカスのX線発
生手段を用いてX線測定を行うことが可能となり、この
ため、1つの試料に対して複数のX線発生手段を配設す
ることが実用上可能になった。そして、そのように1つ
の試料に対して複数種類のX線発生手段を配設するよう
にすれば、当該試料に対してX線測定を行うにあたって
異なる波長のX線を容易に使用できる。
As described above, according to the X-ray apparatus of the present invention, since the X-ray focusing means is provided on the X-ray emission side of the X-ray generating means, the capacity of the X-ray generating means is small. It is possible to perform X-ray measurement using a so-called microfocus X-ray generation means that is small and small in size, so that it is possible to provide a plurality of X-ray generation means for one sample. It became practically possible. If a plurality of types of X-ray generating means are provided for one sample, X-rays having different wavelengths can be easily used when performing X-ray measurement on the sample.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るX線装置の一実施形態の平面構造
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a planar structure of an embodiment of an X-ray apparatus according to the present invention.

【図2】図1のX線装置の側面構造を示す側面図であ
る。
FIG. 2 is a side view showing a side structure of the X-ray apparatus of FIG.

【図3】図1のX線装置に付設されるX線読取り装置の
一例を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing an example of an X-ray reader attached to the X-ray apparatus of FIG.

【図4】本発明に係るX線装置の他の実施形態を示す平
面図である。
FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the X-ray apparatus according to the present invention.

【図5】図1のX線装置で用いられるX線集光装置の一
例を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an example of an X-ray focusing device used in the X-ray device of FIG.

【図6】図1のX線装置で用いられるX線集光装置の他
の一例を示す平面断面図である。
FIG. 6 is a plan sectional view showing another example of the X-ray focusing device used in the X-ray device of FIG. 1;

【図7】図6の装置の正面図である。FIG. 7 is a front view of the apparatus of FIG. 6;

【図8】図1のX線装置で用いられるX線集光装置のさ
らに他の一例を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing still another example of the X-ray focusing device used in the X-ray device of FIG.

【図9】図1のX線装置で用いられるX線集光装置のさ
らに他の一例を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing still another example of the X-ray focusing device used in the X-ray device of FIG.

【図10】図9の装置で用いられる反射鏡の実施形態を
示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing an embodiment of a reflecting mirror used in the apparatus of FIG. 9;

【図11】図9の装置で用いられるゾーンプレートの一
例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an example of a zone plate used in the apparatus of FIG.

【図12】図9の装置で用いられる反射鏡の他の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing another embodiment of the reflecting mirror used in the apparatus of FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A、1B X線発生ユニット 2 試料支持装置 3 蓄積性蛍光体(2次元X線検出手段) 4A、4B X線発生装置(X線発生手段) 6 X線集光装置(X線集光手段) 7 X線通路管 8 X線シャッタ 11a、11b、11c ターゲット 12 フィラメント 13 給電部 19 読取り装置 F X線源 H 放物面 P 集光点 R X線 S 試料 Reference Signs List 1A, 1B X-ray generating unit 2 Sample supporting device 3 Storage phosphor (two-dimensional X-ray detecting means) 4A, 4B X-ray generating device (X-ray generating means) 6 X-ray focusing device (X-ray focusing device) 7 X-ray passage tube 8 X-ray shutter 11a, 11b, 11c Target 12 Filament 13 Feeding unit 19 Reader F X-ray source H Parabolic surface P Focus point R X-ray S sample

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G001 AA01 AA10 BA18 CA01 DA01 DA02 DA09 EA01 EA09 FA06 GA01 GA13 HA01 HA12 HA15 JA08 KA07 KA08 LA02 MA04 NA10 NA17 PA12 SA02 SA04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G001 AA01 AA10 BA18 CA01 DA01 DA02 DA09 EA01 EA09 FA06 GA01 GA13 HA01 HA12 HA15 JA08 KA07 KA08 LA02 MA04 NA10 NA17 PA12 SA02 SA04

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料に照射されるX線を発生する複数の
X線発生手段と、試料から出るX線を検出する2次元X
線検出手段とを有するX線装置であって、 前記複数のX線発生手段は互いに異なる角度で前記試料
へX線を入射させることができ、さらにX線を集光する
X線集光手段を前記複数のX線発生手段の少なくとも1
つに設けたことを特徴とするX線装置。
1. A plurality of X-ray generating means for generating X-rays irradiated to a sample, and a two-dimensional X-ray detecting means for detecting X-rays emitted from the sample.
An X-ray apparatus comprising: a plurality of X-ray generating means, wherein the plurality of X-ray generating means can make X-rays incident on the sample at different angles from each other; At least one of the plurality of X-ray generating means
An X-ray apparatus, comprising:
【請求項2】 請求項1において、前記X線発生手段は
焦点サイズが60μm×60μm以下のマイクロフォー
カスをターゲット上に形成することを特徴とするX線装
置。
2. An X-ray apparatus according to claim 1, wherein said X-ray generation means forms a microfocus having a focal size of 60 μm × 60 μm or less on a target.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記X
線発生手段は単相100V電源によって駆動されること
を特徴とするX線装置。
3. The method according to claim 1, wherein
An X-ray apparatus, wherein the line generating means is driven by a single-phase 100V power supply.
【請求項4】 請求項1から請求項3の少なくともいず
れか1つにおいて、 前記X線発生手段の1つはMoターゲットを有し、 前記X線発生手段の他の1つはCuターゲットを有し、 前記Moターゲットを有するX線発生手段は前記試料の
正面から該試料へX線を入射するように配置され、 前記Moターゲットを有するX線発生手段によるX線入
射角と前記Cuターゲットを有するX線発生手段による
X線入射角との差は約40°であることを特徴とするX
線装置。
4. The method according to claim 1, wherein one of the X-ray generating means has a Mo target, and the other one of the X-ray generating means has a Cu target. The X-ray generation unit having the Mo target is arranged so that X-rays are incident on the sample from the front of the sample. The difference from the X-ray incidence angle by the X-ray generation means is about 40 °.
Line equipment.
【請求項5】 請求項1から請求項3の少なくともいず
れか1つにおいて、 前記X線発生手段の1つはCuターゲットを有し、 前記X線発生手段の他の1つはCrターゲットを有し、 前記Crターゲットを有するX線発生手段は前記X線検
出手段によるX線検出範囲が155°以上となるように
該X線検出手段の端辺の近傍に設けられることを特徴と
するX線装置。
5. The method according to claim 1, wherein one of the X-ray generating means has a Cu target, and the other one of the X-ray generating means has a Cr target. The X-ray generation means having the Cr target is provided near an end of the X-ray detection means so that the X-ray detection range of the X-ray detection means is 155 ° or more. apparatus.
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