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JP2002039720A - Film thickness measuring apparatus, method for obtaining data in the film thickness measuring apparatus, and recording medium which stores program for obtaining data - Google Patents

Film thickness measuring apparatus, method for obtaining data in the film thickness measuring apparatus, and recording medium which stores program for obtaining data

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Publication number
JP2002039720A
JP2002039720A JP2000219306A JP2000219306A JP2002039720A JP 2002039720 A JP2002039720 A JP 2002039720A JP 2000219306 A JP2000219306 A JP 2000219306A JP 2000219306 A JP2000219306 A JP 2000219306A JP 2002039720 A JP2002039720 A JP 2002039720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data acquisition
thin film
sample
data
gain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000219306A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Watabe
秀夫 渡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP2000219306A priority Critical patent/JP2002039720A/en
Publication of JP2002039720A publication Critical patent/JP2002039720A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film thickness measuring apparatus which can detect surely film surfaces of plural thin films different in reflectivity, a method for obtaining data in the apparatus, and a recording medium which stores a program for obtaining data. SOLUTION: A specimen 6 in which thin films of plural layers are formed and an objective 5 are moved relatively. The specimen 6 is irradiated with a laser light via the objective 5. The thin film surface is detected from the change of a detected signal of an optical detector 9, corresponding to the reflected light from the thin film of each layer. According to the state of the detected signal of the optical detector 9, the gain and the number of times of integration are set as data obtaining conditions. Data are obtained by executing the adjustment of gain and the number of times of integration set as the conditions for obtaining data, to the detected signal of the optical detector 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜厚測定装置、例
えば走査型レーザ顕微鏡を適用した膜厚測定装置、該膜
厚測定装置によるデータ取得方法およびデータ取得のた
めのプログラムを記憶した記録媒体に関する。
The present invention relates to a film thickness measuring device, for example, a film thickness measuring device to which a scanning laser microscope is applied, a data acquisition method by the film thickness measuring device, and a recording medium storing a data acquisition program. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェハなどの基板表面には、透明
または半透明の薄膜が形成されることがあるが、これら
薄膜の厚さ寸法にバラツキがあったり、異物が混入した
りすると、製品として所定の特性を得られないことがあ
る。
2. Description of the Related Art Transparent or translucent thin films are sometimes formed on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer. If the thickness of these thin films varies, or if foreign matter is mixed in, the product becomes a product. The specified characteristics may not be obtained.

【0003】このため、従来では、薄膜の厚さ寸法を測
定する膜厚測定装置として、薄膜を形成した基板(試
料)と対物レンズとを相対的に移動させるとともに、試
料に対物レンズを介してレーザ光を照射し、試料の薄膜
表面と基板面からの反射光を検出し、この検出信号の変
化から薄膜の厚さを検出するようにした走査型レーザ顕
微鏡が知られている。
For this reason, conventionally, as a film thickness measuring device for measuring the thickness dimension of a thin film, a substrate (sample) on which a thin film is formed and an objective lens are relatively moved, and the sample is moved to the sample via the objective lens. There is known a scanning laser microscope which irradiates a laser beam, detects reflected light from the surface of a thin film of a sample and the surface of a substrate, and detects the thickness of the thin film from a change in the detection signal.

【0004】ところで、試料の中には、薄膜を複数積層
したものがあるが、このような試料について各層の薄膜
の厚さ測定を行う場合も、試料と対物レンズとを相対的
に移動させるとともに、各層ごとの薄膜面に対物レンズ
を介してレーザ光を照射し、その反射光を検出し、この
検出信号のピーク値から各層の薄膜面を検出するように
している。
By the way, there is a sample in which a plurality of thin films are stacked, and when measuring the thickness of the thin film of each layer of such a sample, the sample and the objective lens are moved relatively to each other. The thin film surface of each layer is irradiated with laser light via an objective lens, the reflected light is detected, and the thin film surface of each layer is detected from the peak value of the detection signal.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、複数の薄膜
の中に低反射率のものが存在すると、この低反射率膜面
では、検出信号のピーク値のS/Nが反射光の暗さに応
じて劣化していくため、ピーク値を用いて検出する膜厚
測定精度を悪くする。このため、このような事態を想定
して予め全体の検出感度を上げておくことが考えられる
が、このようにすると、高反射率膜面からの検出信号が
飽和してしまい正しい膜厚の情報を得ることが困難にな
る。つまり、複数の薄膜中に反射率の高いものと低いも
のが混在するような場合は、低反射率膜面を検出できる
ようにゲインを調整すると、高反射率膜面からの検出信
号が飽和して正しい膜厚の情報を得ることが困難とな
る。また、最高反射率の膜面からの検出信号が飽和しな
いようにゲインを調整すると、低反射率の膜面からの検
出信号のピーク値が検出されないことがあり、実際に膜
面が存在しているのに各薄膜の境界が判別できずに検出
エラーや測定誤差を生じるという問題があった。
However, if a plurality of thin films have a low reflectance, the S / N of the detection signal peak value on the low reflectance film surface is lower than the darkness of the reflected light. Therefore, the accuracy of film thickness measurement using the peak value is deteriorated. For this reason, it is conceivable to raise the overall detection sensitivity in advance in consideration of such a situation. However, in such a case, the detection signal from the high-reflectance film surface is saturated, and information on the correct film thickness is obtained. Will be difficult to obtain. In other words, in the case where high reflectance and low reflectance are mixed in a plurality of thin films, if the gain is adjusted so that the low reflectance film surface can be detected, the detection signal from the high reflectance film surface will be saturated. Therefore, it is difficult to obtain information on a correct film thickness. Also, if the gain is adjusted so that the detection signal from the film surface with the highest reflectance does not saturate, the peak value of the detection signal from the film surface with a low reflectance may not be detected, and the film surface actually exists. However, there is a problem that a boundary between the thin films cannot be determined, and a detection error or a measurement error occurs.

【0006】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、反射率の異なる複数の薄膜の膜面を確実に検出する
ことができる膜厚測定装置、該膜厚測定装置におけるデ
ータ取得方法およびデータ取得のためのプログラムを記
憶した記録媒体を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a film thickness measuring apparatus capable of reliably detecting the film surfaces of a plurality of thin films having different reflectances, a data acquisition method and data in the film thickness measuring apparatus It is an object to provide a recording medium storing a program for acquisition.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
薄膜が形成され、測定対象面を少なくとも2つ有してい
る試料に対して対物レンズを介したスポット光を照射さ
せると共に、前記試料と対物レンズとを光軸上で相対的
に移動させつつ、前記試料からの反射光を光検出手段で
検出し、前記光検出手段の検出出力の変化から測定対象
面を検出することで、前記試料上に形成された薄膜の厚
さを測定する膜厚測定装置において、前記光検出手段の
検出出力の状態に応じて、該検出出力に対するゲイン又
は積算回数をデータ取得条件として設定するデータ取得
条件設定手段と、前記光検出手段の検出出力に対して前
記データ取得条件設定手段で設定されたゲイン調整又は
積算回数を実行しデータを取得するデータ取得手段とを
具備したことを特徴としている。
According to the first aspect of the present invention,
A thin film is formed, and a sample having at least two surfaces to be measured is irradiated with spot light through an objective lens, and while the sample and the objective lens are relatively moved on an optical axis, A film thickness measurement for measuring a thickness of a thin film formed on the sample by detecting reflected light from the sample with a light detection unit and detecting a measurement target surface from a change in a detection output of the light detection unit. In the apparatus, according to the state of the detection output of the light detection means, a data acquisition condition setting means for setting a gain or the number of integrations for the detection output as a data acquisition condition, and the data for the detection output of the light detection means Data acquisition means for executing the gain adjustment or the number of integrations set by the acquisition condition setting means and acquiring data.

【0008】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、予め設計値として与えられる前記薄膜の情
報からデータ取得条件の設定範囲を決定する設定範囲決
定手段を有し、前記データ取得条件設定手段は、前記設
定範囲決定手段で決定された範囲において、前記光検出
手段の検出出力の状態から、該検出出力に対するゲイン
又は積算回数をデータ取得条件として設定することを特
徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the apparatus further comprises a setting range determining means for determining a setting range of a data acquisition condition from information of the thin film given as a design value in advance. The condition setting means sets, as a data acquisition condition, a gain or an integration count for the detection output from the state of the detection output of the light detection means in the range determined by the setting range determination means.

【0009】請求項3記載の発明は、薄膜が形成され、
測定対象面を少なくとも2つ有している試料に対して対
物レンズを介したスポット光を照射させると共に、前記
試料と対物レンズとを光軸上で相対的に移動させつつ、
前記試料からの反射光を光検出手段で検出し、前記光検
出手段の検出出力の変化から測定対象面を検出すること
で、前記試料上に形成された薄膜の厚さを測定する膜厚
測定装置におけるデータ取得方法において、前記光検出
手段の検出出力の状態に応じて、該検出出力に対するゲ
イン又は積算回数をデータ取得条件として設定し、前記
光検出手段の検出出力に対して前記データ取得条件設定
手段で設定されたゲイン調整又は積算回数を実行しデー
タを取得することを具備したことを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, a thin film is formed,
While irradiating spot light via an objective lens to a sample having at least two surfaces to be measured, while relatively moving the sample and the objective lens on the optical axis,
A film thickness measurement for measuring a thickness of a thin film formed on the sample by detecting reflected light from the sample with a light detection unit and detecting a measurement target surface from a change in a detection output of the light detection unit. In the data acquisition method in the device, a gain or an integration count for the detection output is set as a data acquisition condition according to a state of a detection output of the light detection unit, and the data acquisition condition is set for a detection output of the light detection unit. The method is characterized in that the gain adjustment or the number of integrations set by the setting means is executed to acquire data.

【0010】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、予め設計値として与えられる前記薄膜の情
報からデータ取得条件の設定範囲を決定し、この決定さ
れた範囲において、前記光検出手段の検出出力の状態か
ら、該検出出力に対するゲイン又は積算回数をデータ取
得条件として設定することを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, a setting range of a data acquisition condition is determined from information of the thin film given in advance as a design value, and the light detection is performed in the determined range. It is characterized in that the gain or the number of integrations for the detection output is set as a data acquisition condition from the state of the detection output of the means.

【0011】請求項5記載の発明は、薄膜が形成され、
測定対象面を少なくとも2つ有している試料に対して対
物レンズを介したスポット光を照射させると共に、前記
試料と対物レンズとを光軸上で相対的に移動させつつ、
前記試料からの反射光を光検出手段で検出し、前記光検
出手段の検出出力の変化から測定対象面を検出すること
で、前記試料上に形成された薄膜の厚さを測定する膜厚
測定装置におけるデータ取得のためのプログラムを記録
した記録媒体であって、前記光検出手段の検出出力の状
態に応じて、該検出出力に対するゲイン又は積算回数を
データ取得条件として設定し、前記光検出手段の検出出
力に対して前記データ取得条件設定手段で設定されたゲ
イン調整又は積算回数を実行しデータを取得することを
特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, a thin film is formed,
While irradiating spot light via an objective lens to a sample having at least two surfaces to be measured, while relatively moving the sample and the objective lens on the optical axis,
A film thickness measurement for measuring a thickness of a thin film formed on the sample by detecting reflected light from the sample with a light detection unit and detecting a measurement target surface from a change in a detection output of the light detection unit. A recording medium on which a program for acquiring data in an apparatus is recorded, wherein a gain or an integration count for the detection output is set as a data acquisition condition in accordance with a state of a detection output of the light detection means, The data is acquired by executing the gain adjustment or the number of integrations set by the data acquisition condition setting means for the detection output.

【0012】請求項6記載の発明は、請求項5記載の発
明において、膜厚測定装置におけるデータ取得のための
プログラムを記録した記録媒体は、予め設計値として与
えられる前記薄膜の情報からデータ取得条件の設定範囲
を決定し、この決定された範囲において、前記光検出手
段の検出出力の状態から、該検出出力に対するゲイン又
は積算回数をデータ取得条件として設定することを特徴
としている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the present invention, the recording medium in which the program for acquiring data in the film thickness measuring apparatus is recorded is obtained from the information of the thin film previously given as a design value. A set range of the condition is determined, and in this determined range, a gain or the number of times of integration for the detected output is set as a data acquisition condition based on the state of the detected output of the light detecting means.

【0013】この結果、本発明によれば、膜面からの反
射光を検出する検出手段の検出出力に対してデータ取得
条件として設定されたゲインの調整および積算回数を実
行することにより、検出出力を薄膜面の情報を検出する
のに支障のないレベルまで改善することができるので、
膜面の反射率に左右されることなく確実に薄膜面を検出
することができる。
As a result, according to the present invention, the detection output of the detecting means for detecting the reflected light from the film surface is subjected to the adjustment of the gain and the number of integrations set as the data acquisition conditions, whereby the detection output is obtained. Can be improved to a level that does not hinder the detection of information on the thin film surface.
The thin film surface can be reliably detected without being affected by the reflectance of the film surface.

【0014】また、予め設計値として与えられる膜厚の
情報から、薄膜の面位置およびデータ取得条件の設定範
囲などを得られるので、データ取得条件の設定から、検
出手段の検出出力に対してデータ取得条件を実行しデー
タを取得するまでの一連の作業を自動的に行うことがで
きる。
Further, since the surface position of the thin film and the setting range of the data acquisition condition can be obtained from the information on the film thickness given as a design value in advance, the data output from the setting of the data acquisition condition to the detection output of the detecting means can be obtained. A series of operations from execution of acquisition conditions to acquisition of data can be automatically performed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】(第1の実施の形態)図1は、本発明の膜
厚測定装置に適用される走査型レーザ顕微鏡の概略構成
を示している。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a schematic configuration of a scanning laser microscope applied to a film thickness measuring apparatus of the present invention.

【0017】この場合、レーザ光源1から出射されたレ
ーザ光は、ミラー2で反射し、ハーフミラー3を透過し
て2次元走査機構14に入射される。
In this case, the laser light emitted from the laser light source 1 is reflected by the mirror 2, passes through the half mirror 3 and enters the two-dimensional scanning mechanism 14.

【0018】2次元走査機構14は、コンピュータ4の
制御部41の制御によりレーザ光を2次元走査するもの
で、このレーザ光は、対物レンズ5を介してステージ1
2に載置された試料6の測定対象面の領域全体にわたっ
て2次元走査される。
The two-dimensional scanning mechanism 14 two-dimensionally scans the laser beam under the control of the control unit 41 of the computer 4.
2 is two-dimensionally scanned over the entire area of the measurement target surface of the sample 6 placed on the sample 2.

【0019】また、この試料6からの反射光は、対物レ
ンズ5を透過し、2次元走査機構14を介してハーフミ
ラー3で反射され、結像レンズ7、ピンホール8を介し
て光検出器9により検出される。
The reflected light from the sample 6 passes through the objective lens 5, is reflected by the half mirror 3 via the two-dimensional scanning mechanism 14, and is transmitted through the imaging lens 7 and the pinhole 8 to the photodetector. 9 is detected.

【0020】そして、光検出器9からの信号は、コンピ
ュータ4の画像入力部42に2次元走査機構14での2
次元走査に同期して取り込まれ、画像データとして主メ
モリ43に記憶される。
The signal from the photodetector 9 is input to the image input section 42 of the computer 4 by the two-dimensional scanning mechanism 14.
The data is captured in synchronization with the dimensional scanning and stored in the main memory 43 as image data.

【0021】主メモリ43に記憶された画像データは、
CPUバス47、ビデオカード44を介して2次元画像
としてモニタ10に表示される。
The image data stored in the main memory 43 is
The image is displayed on the monitor 10 as a two-dimensional image via the CPU bus 47 and the video card 44.

【0022】なお、画像入力部42は、光検出器9から
のアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換機
能を備えている。
The image input section 42 has an A / D conversion function for converting an analog signal from the photodetector 9 into a digital signal.

【0023】この場合、光検出器9では、対物レンズ5
の焦点位置からの試料6の反射光以外は、ピンホール8
を通過することができないため、試料6の画像は、対物
レンズ5の合焦位置からの画像しか得られない。
In this case, the light detector 9 includes the objective lens 5
Other than the reflected light of the sample 6 from the focal position of
, The image of the sample 6 can be obtained only from the in-focus position of the objective lens 5.

【0024】そこで、この性質を利用してコンピュータ
4の制御部41の制御により、レーザ光の2次元走査と
光軸方向でZ軸移動機構11による対物レンズ5の位置
を所定距離ずつ(所定間隔で)移動(Z軸走査)させる
のとを行なわせて、光検出器9の検出信号(輝度デー
タ)が最大になった位置(ピーク位置)を試料6の測定
対象面(ここでは、薄膜61の表面61b、薄膜61と
薄膜62との境界面62b、薄膜62と薄膜63との境
界面63b、薄膜63と基板64との境界面(基板表
面)64b(図3参照))と認識するようにしている。
Under the control of the control unit 41 of the computer 4 utilizing this property, the position of the objective lens 5 by the two-dimensional scanning of the laser beam and the Z-axis moving mechanism 11 in the optical axis direction is set by a predetermined distance (a predetermined interval). ) (Z-axis scanning), and the position (peak position) at which the detection signal (luminance data) of the photodetector 9 becomes maximum is measured on the surface of the sample 6 to be measured (here, the thin film 61). , The boundary surface 62b between the thin film 61 and the thin film 62, the boundary surface 63b between the thin film 62 and the thin film 63, and the boundary surface (substrate surface) 64b between the thin film 63 and the substrate 64 (see FIG. 3). I have to.

【0025】なお、上述した実施の形態では、対物レン
ズ5を光軸方向で上下動するものを例として説明した
が、これに限られるものではなく、光軸方向(Z軸方
向)で試料6と対物レンズ5とが相対的に移動できるよ
うに構成されていればどのような構成であってもよく、
例えばステージ12を上下動させる構成であってもよ
い。
In the above-described embodiment, an example has been described in which the objective lens 5 is moved up and down in the optical axis direction. However, the present invention is not limited to this, and the sample 6 is moved in the optical axis direction (Z axis direction). Any configuration may be used as long as the configuration is such that the and the objective lens 5 can relatively move.
For example, a configuration in which the stage 12 is moved up and down may be used.

【0026】これら一連の動きは、コンピュータ4の制
御部41及び画像入力部42を統合して制御することで
実現される。
These series of movements are realized by integrally controlling the control unit 41 and the image input unit 42 of the computer 4.

【0027】また、モニタ10上には、試料6の2次元
画像と共に、走査型レーザ顕微鏡の操作を制御するため
の画面も表示されており、オペレータは、この画面を通
じて顕微鏡を取り扱うようになっている。
Also, a screen for controlling the operation of the scanning laser microscope is displayed on the monitor 10 together with the two-dimensional image of the sample 6, and the operator can handle the microscope through this screen. I have.

【0028】以上のような制御は、コンピュータ4の記
録媒体46(磁気記録媒体、ハードディスク、CD−R
OM等)に記録されている制御プログラムにより実現さ
れる。
The above control is performed by the recording medium 46 (magnetic recording medium, hard disk, CD-R) of the computer 4.
OM, etc.).

【0029】制御プログラムは、主メモリ43に記憶さ
れ、CPU45から実行される。
The control program is stored in the main memory 43 and executed by the CPU 45.

【0030】また、制御プログラムは、記録媒体46に
記録されている必要はなく、例えばコンピュータ4に接
続されている不図示のネットワークを介して遠隔地にあ
るサーバコンピュータからダウンロードして実行するよ
うにしてもよい。
The control program does not need to be recorded on the recording medium 46. For example, the control program is downloaded from a server computer at a remote place via a network (not shown) connected to the computer 4 and executed. You may.

【0031】図2は、このような膜厚測定装置により測
定対象面を認識するのに際して、予め最適なデータを取
得する条件を設定するためにモニタ10の画面上に表示
された表示例を示している。
FIG. 2 shows a display example displayed on the screen of the monitor 10 in order to set conditions for obtaining optimum data in advance when recognizing the surface to be measured by such a film thickness measuring apparatus. ing.

【0032】この場合、画面上には、条件設定領域10
1と設定条件表示領域102とが表示されている。
In this case, the condition setting area 10 is displayed on the screen.
1 and a setting condition display area 102 are displayed.

【0033】このうちの条件設定領域101には、測定
対象面を設定するZ位置設定部101a、最適な大きさ
の検出出力を得るためのゲイン調整部101b、最適な
背景の明るさを設定するためのオフセット調整部101
c、同一測定対象面を複数回取り込むと共に、これらを
積算する回数を設定する積算回数設定部101d及び条
件登録ボタン101eが表示されている。
In the condition setting area 101, a Z position setting unit 101a for setting a surface to be measured, a gain adjustment unit 101b for obtaining a detection output of an optimal size, and an optimal background brightness are set. Adjustment unit 101 for
c, The same measurement target surface is taken in a plurality of times, and an integration number setting unit 101d for setting the number of times of integrating the same and a condition registration button 101e are displayed.

【0034】また、設定条件表示領域102には、層番
号102a、測定対象面(Z位置)102b、積算
(回)102c、ゲイン(倍)102d、オフセット
(%)102eの各設定項目が表示されている。
In the setting condition display area 102, setting items such as a layer number 102a, a surface to be measured (Z position) 102b, an integration (times) 102c, a gain (times) 102d, and an offset (%) 102e are displayed. ing.

【0035】そして、オペレータは、モニタ10上の表
示を用いて最適なデータ取得条件を設定する。
Then, the operator uses the display on the monitor 10 to set optimum data acquisition conditions.

【0036】いま、図3に示すように試料6として第1
乃至第3の薄膜61、62、63が基板64上に形成さ
れているものとする。
Now, as shown in FIG.
It is assumed that the third to third thin films 61, 62, 63 are formed on the substrate 64.

【0037】この状態で、図4に示すフローチャートに
従った操作が実行される。
In this state, the operation according to the flowchart shown in FIG. 4 is performed.

【0038】先ず、ステップ401として、モニタ10
上に条件設定領域101が表示され、オペレータからの
入力待ちとなる。
First, as step 401, the monitor 10
The condition setting area 101 is displayed at the top, and waits for input from the operator.

【0039】オペレータは、Z位置設定部101aを操
作して、試料6の第1の薄膜61の層番号を選択して入
力する。
The operator operates the Z position setting section 101a to select and enter the layer number of the first thin film 61 of the sample 6.

【0040】次いで、ステップ402で、最初の測定対
象面となる第1の薄膜61面、ここでは薄膜61の表面
61bに焦点を合わせる。
Next, in step 402, the first thin film 61, which is the first surface to be measured, is focused on the surface 61b of the thin film 61.

【0041】この場合、図1に示すレーザ光源1のレー
ザ光を、対物レンズ5を介して薄膜61の表面61bに
照射し、この反射光を光検出器9で検出すると共に、Z
軸移動機構11により対物レンズ5の位置を光軸方向で
移動、ここでは上方から下方に向けて移動させて、光検
出器9の検出信号が最大になる合焦位置を検出する。
In this case, the laser light of the laser light source 1 shown in FIG. 1 is irradiated onto the surface 61b of the thin film 61 via the objective lens 5, and the reflected light is detected by the photodetector 9 and
The position of the objective lens 5 is moved in the direction of the optical axis by the axis moving mechanism 11, here, from the upper side to the lower side, and the in-focus position at which the detection signal of the photodetector 9 is maximized is detected.

【0042】次いで、ステップ403で、光検出器9の
検出信号が大きく、最大輝度が十分に明るくなる位置を
判断する。
Next, at step 403, a position where the detection signal of the photodetector 9 is large and the maximum luminance is sufficiently bright is determined.

【0043】この場合、検出信号が小さく、最大輝度が
十分な明るさでなければ、ステップ404で条件設定領
域101のゲイン調整部101bをオペレータが操作で
きるように操作待ち状態となり、光検出器9のゲイン調
整が行なわれる。
In this case, if the detection signal is small and the maximum luminance is not sufficiently bright, in step 404, the operation waits for the operator to operate the gain adjustment unit 101b of the condition setting area 101. Is performed.

【0044】また、十分な明るさが得られていると判断
されると、ステップ405に進み、今度は背景の明るさ
が十分な明るさであり、最適な背景の明るさとなってい
るか否か判断される。
If it is determined that sufficient brightness has been obtained, the flow advances to step 405 to determine whether or not the brightness of the background is sufficient and the brightness of the background is optimum. Is determined.

【0045】この場合、背景の明るさが十分でなけれ
ば、ステップ406で条件設定領域101のオフセット
調整部101cをオペレータが操作できるように操作待
ち状態となり、光検出器9のオフセット調整が行なわれ
る。
In this case, if the brightness of the background is not sufficient, the operation waits for the operator to operate the offset adjustment unit 101c of the condition setting area 101 in step 406, and the offset adjustment of the photodetector 9 is performed. .

【0046】また、十分な背景の明るさが得られている
と判断されると、ステップ407に進み、同一測定対象
面、ここでは薄膜61の表面61bでの検出信号を複数
回取り込み、これらを積算する必要があるか否か判断さ
れる。
If it is determined that sufficient background brightness has been obtained, the process proceeds to step 407, where detection signals on the same measurement target surface, here, the surface 61b of the thin film 61, are fetched a plurality of times. It is determined whether it is necessary to add up.

【0047】ここで、積算する必要があると判断されが
場合、ステップ408に進み、条件設定領域101の積
算回数設定部101dを操作して回数設定が行なえる状
態となる。
If it is determined that the integration is necessary, the process proceeds to step 408, and the number of times can be set by operating the integration number setting unit 101d of the condition setting area 101.

【0048】条件設定領域101の積算回数設定部10
1dの操作が行われると、ステップ409に進む。
The number-of-integration-times setting unit 10 in the condition setting area 101
When the operation of 1d is performed, the process proceeds to step 409.

【0049】また、積算する必要が無ければ、直接ステ
ップ409に進む。
If it is not necessary to perform the integration, the flow directly proceeds to step 409.

【0050】次いで、ステップ409で、条件登録ボタ
ン101eをオペレータが操作できる状態となり、オペ
レータにより操作が行われると、それぞれの条件が設定
条件表示領域102の層番号102a、測定対象面(Z
位置)102b、積算(回)102c、ゲイン(倍)1
02d、オフセット(%)102eに書き込まれると同
時に、コンピュータ4のメモリ43に記憶される。
Next, in step 409, the condition registration button 101e is brought into a state where the operator can operate it. When the operator operates the condition registration button 101e, the conditions are set to the layer number 102a of the setting condition display area 102, the measurement target plane (Z
Position) 102b, integration (times) 102c, gain (times) 1
02d, and written into the offset (%) 102e, and simultaneously stored in the memory 43 of the computer 4.

【0051】上記処理が終わるとステップ410に進
み、全ての測定対象面に対して最適なデータ取得条件の
設定が終了したか否かが判断される。
When the above processing is completed, the routine proceeds to step 410, where it is determined whether or not the setting of the optimum data acquisition conditions has been completed for all the surfaces to be measured.

【0052】ここで、全ての測定対象面に対して、最適
なデータ取得条件の設定が終了していなければ、ステッ
プ401に戻り、以下、第2の薄膜62面(薄膜61と
薄膜62との境界面62b)、第3の薄膜63面(薄膜
62と薄膜63との境界面63b)及び基板64面(基
板表面64b)の各測定対象面についても同様な処理を
実行する。
If the optimum data acquisition conditions have not been set for all the surfaces to be measured, the process returns to step 401, and thereafter, the second thin film 62 surface (the thin film 61 and the thin film 62) Similar processing is performed on each measurement target surface such as the boundary surface 62b), the third thin film 63 surface (the boundary surface 63b between the thin film 62 and the thin film 63), and the substrate 64 surface (substrate surface 64b).

【0053】ここで、具体例として、第1乃至第3の薄
膜61、62、63及び基板64のそれぞれの測定対象
面での反射率分布が例えば図3のa乃至dに示すように
与えられた場合、図3のaに示す第1の薄膜61の表面
61bでは、比較的大きな反射光が得られ、検出信号も
大きくデータ取得に問題ないと判断され、ゲイン調整部
101b、オフセット調整部101c、積算回数設定部
101dでの全ての操作は行われることなく、この状態
の条件が記憶される。
Here, as a specific example, the reflectance distributions on the respective measurement target surfaces of the first to third thin films 61, 62, 63 and the substrate 64 are given, for example, as shown in FIGS. In this case, relatively large reflected light is obtained on the surface 61b of the first thin film 61 shown in FIG. 3A, the detection signal is large, and it is determined that there is no problem in data acquisition. The gain adjustment unit 101b and the offset adjustment unit 101c The condition in this state is stored without performing any operation in the integration number setting unit 101d.

【0054】また、図3のbに示す第2の薄膜62の境
界面62bでは、低反射率面を含み、やや暗くS/Nも
落ちる傾向があり、データ取得に問題があると判断さ
れ、オペレータによる条件設定待ち状態となり、オペレ
ータによる積算回数設定部101dでの最適と思われる
積算回数の設定が行われると、その条件が記憶される。
The boundary surface 62b of the second thin film 62 shown in FIG. 3B includes a low-reflectance surface, is slightly dark, and tends to have a low S / N ratio. When the operator enters a condition setting waiting state and the operator sets the optimal number of integrations in the integration number setting unit 101d, the conditions are stored.

【0055】図3のcに示す、第3の薄膜63の境界面
63bでは、超低反射率面を含み、ピーク値も小さいの
で、図3のbの場合と同様にデータ取得に問題があると
判断され、オペレータによる条件設定待ち状態となり、
オペレータによるゲイン調整部101b、オフセット調
整部101cでの夫々の調整と共に、積算回数設定部1
01dで最適と思われる積算回数の設定が行われると、
その条件が記憶される。
Since the boundary surface 63b of the third thin film 63 shown in FIG. 3C includes an ultra-low reflectance surface and has a small peak value, there is a problem in data acquisition as in the case of FIG. 3B. It is determined that the operator is waiting for the condition setting,
In addition to the adjustment by the operator in the gain adjustment unit 101b and the offset adjustment unit 101c, the integration frequency setting unit 1
When the number of integrations considered to be optimal in 01d is set,
The condition is stored.

【0056】そして、図3のdに示す基板64の境界面
(基板表面)64bでは、第1の薄膜61の表面61b
と同様にして、比較的大きな反射率が得られるので、十
分に明るくデータ取得に問題無いと判断され、ゲイン調
整部101b、オフセット調整部101c、積算回数設
定部101dでの全ての操作は行われることなく、この
状態の条件が記憶される。
Then, at the boundary surface (substrate surface) 64b of the substrate 64 shown in FIG.
In the same manner as described above, since a relatively large reflectance is obtained, it is determined that the data is sufficiently bright and there is no problem in data acquisition. Without this, the condition of this state is stored.

【0057】このようなデータ取得条件の設定後に、第
1乃至第3の薄膜61、62、63に対するデータ取得
条件の適用範囲のエクステンド取り込み幅が設定され
る。
After setting such data acquisition conditions, the extended capture width of the applicable range of the data acquisition conditions for the first to third thin films 61, 62, 63 is set.

【0058】この場合、第1乃至第3の薄膜61、6
2、63の境界Z位置61a、62a、63aを、これ
ら第1乃至第3の薄膜61、62、63の膜厚方向の略
中間に設定し、第1の薄膜61に対するデータ取得条件
の適用範囲は、任意に設定される−αから境界Z位置6
1aまでの範囲、第2の薄膜62に対するデータ取得条
件の適用範囲は、境界Z位置61aから62aまでの範
囲、第3の薄膜63に対するデータ取得条件の適用範囲
は、境界Z位置62aから63aまでの範囲、基板64
に対するデータ取得条件の適用範囲は、境界Z位置63
aから+αまでの範囲に設定される。
In this case, the first to third thin films 61, 6
The boundary Z positions 61a, 62a, and 63a of the first and second thin films 61, 62, and 63 are set substantially in the middle of the thickness direction of the first to third thin films 61, 63, and the applicable range of the data acquisition condition for the first thin film 61 is set. Is arbitrarily set from -α to the boundary Z position 6
The range up to 1a, the application range of the data acquisition condition for the second thin film 62 is the range from the boundary Z position 61a to 62a, and the application range of the data acquisition condition for the third thin film 63 is the range from the boundary Z position 62a to 63a. Range, substrate 64
The applicable range of the data acquisition condition for the boundary Z position 63
It is set in the range from a to + α.

【0059】次に、第1乃至第3の薄膜61、62、6
3及び基板64の各測定対象面(薄膜表面61b、境界
面62b、境界面63b、基板表面64b)に対するデ
ータ取得が行われる。
Next, the first to third thin films 61, 62, 6
Data acquisition is performed on each measurement target surface (thin film surface 61b, boundary surface 62b, boundary surface 63b, substrate surface 64b) of substrate 3 and substrate 64.

【0060】先ず、第1の薄膜61のデータ取得を行な
う場合、エクステンド取り込み幅が−αから境界Z位置
61aまでの範囲で設定されている第1の薄膜61のデ
ータ取得条件でデータ取得が行われる。
First, when the data acquisition of the first thin film 61 is performed, the data acquisition is performed under the data acquisition conditions of the first thin film 61 in which the extended take-in width is set in the range from -α to the boundary Z position 61a. Will be

【0061】第1の薄膜61のデータ取得は、上述した
データ取得条件の設定のもとで、対物レンズ5の位置を
光軸方向で上方から下方に向けて移動させて、第1の薄
膜61の表面61bに対する光検出器9の検出信号を取
得データ(輝度データ)として画像入力部42に取り込
む。
The data of the first thin film 61 is obtained by moving the position of the objective lens 5 from the upper side to the lower side in the optical axis direction under the above-mentioned data obtaining conditions. The detection signal of the photodetector 9 with respect to the surface 61b is taken into the image input unit 42 as acquisition data (luminance data).

【0062】この場合、第1の薄膜61に対するデータ
取得条件は、ゲイン調整部101b、オフセット調整部
101c、積算回数設定部101dで全ての操作が行わ
れていないので、取得データがそのままの状態で取り込
まれる。
In this case, the data acquisition condition for the first thin film 61 is that all operations are not performed in the gain adjustment unit 101b, the offset adjustment unit 101c, and the integration number setting unit 101d. It is captured.

【0063】次に、第2の薄膜62のデータ取得を行な
う場合、エクステンド取り込み幅が境界Z位置61aか
ら62aまでの範囲で設定されている第2の薄膜62の
データ取得条件でデータ取得が行われる。
Next, when data acquisition of the second thin film 62 is performed, data acquisition is performed under the data acquisition condition of the second thin film 62 in which the extended take-in width is set in the range from the boundary Z positions 61a to 62a. Will be

【0064】第2の薄膜62のデータ取得は、上述した
データ取得条件の設定のもとで、対物レンズ5の位置を
光軸方向で上方から下方に向けて移動させて、第2の薄
膜62の境界面62bに対する光検出器9の検出信号を
取得データ(輝度データ)として画像入力部42に取り
込む。
The data acquisition of the second thin film 62 is performed by moving the position of the objective lens 5 from the upper side to the lower side in the optical axis direction under the setting of the data acquisition conditions described above. The detection signal of the photodetector 9 with respect to the boundary surface 62b is taken into the image input unit 42 as acquisition data (luminance data).

【0065】この場合、第2の薄膜62に対するデータ
取得条件は、積算回数設定部101dにより最適と思わ
れる積算回数が設定されているので、第2の薄膜62か
らのデータ取得を設定回数だけ繰り返し、S/Nを改善
した状態で取得データが取り込まれる。
In this case, the data acquisition condition for the second thin film 62 is set to the optimum number of accumulations by the accumulation number setting unit 101d, so that the data acquisition from the second thin film 62 is repeated the set number of times. , And the acquired data is taken in a state where the S / N is improved.

【0066】次に、第3の薄膜63のデータ取得を行な
う場合、エクステンド取り込み幅が境界Z位置62aか
ら63aまでの範囲で設定されている第3の薄膜63の
データ取得条件でデータ取得が行われる。
Next, when data acquisition of the third thin film 63 is performed, data acquisition is performed under the data acquisition condition of the third thin film 63 in which the extended take-in width is set in the range from the boundary Z positions 62a to 63a. Will be

【0067】第3の薄膜63のデータ取得は、上述した
データ取得条件の設定のもとで、対物レンズ5の位置を
光軸方向で上方から下方に向けて移動させて、第3の薄
膜63の境界面63bに対する光検出器9の検出信号を
取得データ(輝度データ)として画像入力部42に取り
込む。
The data of the third thin film 63 is obtained by moving the position of the objective lens 5 from the upper side to the lower side in the optical axis direction under the setting of the data obtaining conditions described above. The detection signal of the photodetector 9 with respect to the boundary surface 63b is taken into the image input unit 42 as acquisition data (luminance data).

【0068】この場合、第3の薄膜63に対するデータ
取得条件は、ゲイン調整部101b、オフセット調整部
101cでのそれぞれの調整と共に、積算回数設定部1
01dで最適と思われる積算回数が設定されているの
で、第3の薄膜63からのデータ取得をゲイン、オフセ
ットのそれぞれを調整すると共に、設定回数だけデータ
取得を繰り返して行い、測定対象面の取りこぼしが回避
された状態で取得データが取り込まれる。
In this case, the data acquisition conditions for the third thin film 63 include the adjustment by the gain adjustment unit 101b and the offset adjustment unit 101c, as well as the integration number setting unit 1
01d, the number of times of integration that seems to be optimal is set, so that the data acquisition from the third thin film 63 is adjusted for each of the gain and offset, and the data acquisition is repeated for the set number of times. The acquired data is captured in a state where is avoided.

【0069】そして、基板64のデータ取得を行なう場
合、エクステンド取り込み幅が境界Z位置63aから+
αまでの範囲で設定されている基板64の境界面(基板
表面)64aのデータ取得条件でデータ取得が行われ
る。
When the data of the substrate 64 is obtained, the extend take-in width is set to + from the boundary Z position 63a.
Data acquisition is performed under the data acquisition conditions of the boundary surface (substrate surface) 64a of the substrate 64 set in the range up to α.

【0070】基板64のデータ取得は、上述したデータ
取得条件の設定のもとで、対物レンズ5の位置を光軸方
向で上方から下方に向けて移動させて、基板64の境界
面(基板表面)64bに対する光検出器9の検出信号を
取得データ(輝度データ)として画像入力部42に取り
込む。
The data acquisition of the substrate 64 is performed by moving the position of the objective lens 5 from the upper side to the lower side in the optical axis direction under the setting of the data acquisition conditions described above to obtain the boundary surface of the substrate 64 (substrate surface). ) The detection signal of the photodetector 9 for 64b is taken into the image input unit 42 as acquisition data (luminance data).

【0071】この場合、基板64に対するデータ取得条
件は、ゲイン調整部101b、オフセット調整部101
c、積算回数設定部101dで全ての操作が行われてい
ないので、取得データがそのままの状態で取り込まれ
る。
In this case, the data acquisition conditions for the substrate 64 include a gain adjustment unit 101b and an offset adjustment unit 101
c, Since all operations have not been performed in the integration number setting unit 101d, the acquired data is taken as it is.

【0072】従って、このようにすれば試料6の第1乃
至第3の薄膜61、62、63と基板64の各測定対象
面61b、62b、63b、64bからの反射光を検出
する光検出器9の夫々の検出信号に対してデータ取得条
件として設定されたゲインの調整及び積算回数を実行す
ることにより、各測定対象面毎の各検出信号の検出を支
障のないレベルまで改善して精度良い検出ができるよう
になるので、異なる反射率等の測定対象面に左右される
ことなく確実に夫々の測定対象面を検出することがで
き、検出エラーや測定誤差等をなくすことができる。
Accordingly, by doing so, the photodetector for detecting the reflected light from the first to third thin films 61, 62, 63 of the sample 6 and the respective measurement target surfaces 61b, 62b, 63b, 64b of the substrate 64 By performing the gain adjustment and the number of integrations set as the data acquisition conditions for each of the nine detection signals, the detection of each detection signal for each surface to be measured is improved to a level that does not hinder the detection and the accuracy is improved. Since the detection can be performed, each of the measurement target surfaces can be reliably detected without being influenced by the measurement target surfaces such as different reflectances, and a detection error and a measurement error can be eliminated.

【0073】以上のようにして精度のよい測定対象面の
検出を行なうことで、例えば積層された複数の薄膜の反
射率が異なっていたとしても、高精度の膜厚測定を行な
うことができる。
By detecting the surface to be measured with high accuracy as described above, it is possible to measure the film thickness with high accuracy even if, for example, the reflectivities of the stacked thin films are different.

【0074】また、予め正しい検出結果が得られたこと
を判断するための閾値を設定し、その閾値と検出結果と
を比較判断できる判断部を設けておくことにより、仮に
薄膜と基板の間に気泡又は異物が混入している状態で膜
厚測定が行われたとしても、その状態での検出結果に対
してエラーであることを表示やブザーでオペレータに知
らせたり、また測定位置を変更して再度測定を行なわせ
るようにすることも可能であり、これによって膜厚測定
をより効率的且つ高精度に進めることもできる。
Further, by setting a threshold value for judging that a correct detection result has been obtained in advance, and providing a judgment unit capable of comparing and judging the threshold value with the detection result, a provisional judgment can be made between the thin film and the substrate. Even if film thickness measurement is performed with air bubbles or foreign matter mixed in, the operator is informed of the error in the detection result in that state by displaying or notifying the operator with a buzzer, or by changing the measurement position. The measurement can be performed again, so that the film thickness measurement can be performed more efficiently and with higher accuracy.

【0075】(第2の実施の形態)第1の実施の形態
は、データ取得条件の設定が手動により行なわれていた
が、この第2の実施の形態は、自動的に最適なデータ取
得条件の設定が行なわれるようにしたものである。
(Second Embodiment) In the first embodiment, the data acquisition conditions are set manually, but in the second embodiment, the optimum data acquisition conditions are automatically set. Is set.

【0076】なお、第2の実施の形態の膜厚測定装置に
適用される走査型レーザ顕微鏡の概略構成は、図1と同
様なので、同図を援用し、説明を省略するものとする。
The schematic configuration of the scanning laser microscope applied to the film thickness measuring apparatus according to the second embodiment is the same as that of FIG. 1, and the description will be omitted with reference to FIG.

【0077】また、試料6は、図3に示すように、第1
乃至第3の薄膜61、62、63を基板64に積層した
ものとする。
Further, as shown in FIG.
It is assumed that the third to third thin films 61, 62, 63 are laminated on the substrate 64.

【0078】さらに、自動的にデータ取得条件を設定す
る際のモニタ10画面に表示されている設定条件表示領
域(図5参照)は、図2で述べた設定条件表示領域10
2の層番号102a、測定対象面(Z位置)102b、
積算回数(回)102c、ゲイン(倍)102d、オフ
セット(%)102eの各設定項目に加えて、設計膜厚
102f、層上限Z位置(=薄膜表面61b)102
g、層下限Z位置(=基板表面64b)102hの各設
定項目が表示されている。
Further, the setting condition display area (see FIG. 5) displayed on the monitor 10 screen when automatically setting the data acquisition conditions is the same as the setting condition display area 10 shown in FIG.
2, a layer number 102a, a measurement target surface (Z position) 102b,
In addition to the setting items of the number of integrations (times) 102c, gain (times) 102d, and offset (%) 102e, a design film thickness 102f, a layer upper limit Z position (= the thin film surface 61b) 102
g and the lower limit Z position (= substrate surface 64b) 102h are displayed.

【0079】なお、データ取得条件として設定される項
目は、上述したものに限られるものではなく、例えば各
薄膜及び基板の反射率も情報として入力できてもよい。
The items set as the data acquisition conditions are not limited to those described above. For example, the reflectance of each thin film and substrate may be input as information.

【0080】この状態で、先ず、図6に示すフローチャ
ートに従った操作が実行される。
In this state, first, the operation according to the flowchart shown in FIG. 6 is performed.

【0081】ステップ601で、試料6の各薄膜の膜厚
入力状態となり、オペレータによる入力が行われる。
At step 601, the input state of the thickness of each thin film of the sample 6 is entered, and the input is made by the operator.

【0082】なお、ここでオペレータによって入力され
る第1乃至第3の薄膜61、62、63の膜厚は、予め
設計段階で与えられる設計値に相当する。
Here, the film thicknesses of the first to third thin films 61, 62, 63 input by the operator correspond to design values given in advance in the design stage.

【0083】ここで、これら第1乃至第3の薄膜61、
62、63の膜厚が図3に示すようにd1、d2、d3
に設定されているものとすると、これらの膜厚d1、d
2、d3を、ステップ602で、必要分入力したと判断
されるまで順番に入力状態となる。
Here, the first to third thin films 61,
As shown in FIG. 3, the film thicknesses of 62 and 63 are d1, d2 and d3.
, And these film thicknesses d1 and d1
2, d3 are input in order until it is determined in step 602 that a necessary amount has been input.

【0084】オペレータによって入力された第1乃至第
3の薄膜61、62、63の膜厚d1、d2、d3は、
コンピュータ4のメモリ43に記憶されると共に、図5
に示す設定条件表示領域の設計膜厚102fに表示され
る。
The thicknesses d1, d2, d3 of the first to third thin films 61, 62, 63 inputted by the operator are:
While being stored in the memory 43 of the computer 4, FIG.
Is displayed at the design film thickness 102f in the setting condition display area shown in FIG.

【0085】次に、図7に示すフローチャートにおい
て、先ず、ステップ701は、オペレータによるステー
ジ12上への試料6載置待ち状態であり、ステージ12
上に試料6が載置されるとステップ702へ進む。
Next, in the flowchart shown in FIG. 7, step 701 waits for the operator to mount the sample 6 on the stage 12.
When the sample 6 is placed thereon, the process proceeds to step 702.

【0086】次いで、ステップ702及びステップ70
3で、コンピュータ4の制御部4の制御によりレーザ光
の2次元走査毎にZ軸移動機構11で対物レンズ5の位
置を光軸方向に移動させて、光検出器9の検出信号が最
大になった合焦位置から試料6の第1の薄膜61の表面
61bを検出する。
Next, step 702 and step 70
In step 3, the position of the objective lens 5 is moved in the optical axis direction by the Z-axis moving mechanism 11 every two-dimensional scanning of the laser beam under the control of the control unit 4 of the computer 4, so that the detection signal of the photodetector 9 is maximized. The surface 61b of the first thin film 61 of the sample 6 is detected from the changed focus position.

【0087】次に、ステップ704で、第1の薄膜61
の表面61bと膜厚d1、d2、d3から第1乃至第3
の薄膜61、62、63の測定対象面のZ位置及びデー
タ取得条件の設定範囲(以下、データ取得範囲と称す
る)を決定する。
Next, in step 704, the first thin film 61
From the surface 61b and the film thicknesses d1, d2, d3 of the first to third
The Z position of the measurement target surface of the thin films 61, 62, and 63 and the setting range of the data acquisition condition (hereinafter, referred to as the data acquisition range) are determined.

【0088】この場合、第1の薄膜61の表面61bに
続けて、第1の薄膜61の表面61bの位置+膜厚d1
により第2の薄膜62の境界面62bのZ位置を求め、
第2の薄膜62の境界面62bの位置+膜厚d2により
第3の薄膜63の境界面63bのZ位置を求める。
In this case, following the surface 61b of the first thin film 61, the position of the surface 61b of the first thin film 61 + the film thickness d1
The Z position of the boundary surface 62b of the second thin film 62 is obtained by
The Z position of the boundary surface 63b of the third thin film 63 is determined from the position of the boundary surface 62b of the second thin film 62 + the thickness d2.

【0089】また、第1の薄膜61の表面61bから
((−αの位置から第1の薄膜61の表面61bの位
置)+(膜厚d1/2))の位置までの範囲を求め、求
めた範囲を第1の薄膜61のデータ取得範囲とする。
Further, the range from the surface 61b of the first thin film 61 to the position of ((the position of -α to the position of the surface 61b of the first thin film 61) + (film thickness d1 / 2)) is obtained. The range obtained is the data acquisition range of the first thin film 61.

【0090】次いで、((第1の薄膜61の表面61b
の位置)+(膜厚d1/2))の位置から((第1の薄
膜61の表面61bの位置)+(第1の薄膜61の膜厚
d1)+(第2の薄膜62の膜厚d2/2))の位置ま
での範囲を求め、求めた範囲を第2の薄膜62のデータ
取得範囲とする。
Then, ((the surface 61b of the first thin film 61)
(Position of the surface 61b of the first thin film 61) + (Film thickness d1 of the first thin film 61) + (Film thickness of the second thin film 62) The range up to the position of d2 / 2)) is obtained, and the obtained range is set as the data acquisition range of the second thin film 62.

【0091】さらに、((第1の薄膜61の表面61b
の位置)+(第1の薄膜61の膜厚d1)+(第2の薄
膜62の膜厚d2/2))の位置から((第1の薄膜6
1の表面61bの位置)+(第1の薄膜61の膜厚d
1)+(第2の薄膜62の膜厚d2)+(第3の薄膜6
3の膜厚d3/2))の位置までの範囲を求め、求めた
範囲を第3の薄膜63のデータ取得範囲とする。
Further, ((the surface 61b of the first thin film 61)
Position) + (the thickness d1 of the first thin film 61) + (the thickness d2 / 2 of the second thin film 62)).
Position of first surface 61b) + (film thickness d of first thin film 61)
1) + (thickness d2 of second thin film 62) + (third thin film 6
A range up to the position of the third film thickness d3 / 2)) is obtained, and the obtained range is defined as a data acquisition range of the third thin film 63.

【0092】そして、第1の薄膜61の表面61bの位
置+第1の薄膜61の膜厚d1+第2の薄膜62の膜厚
d2+第3の薄膜63の膜厚d3/2の位置から第1の
薄膜61の表面61bの位置+第1の薄膜61の膜厚d
1+第2の薄膜62の膜厚d2+第3の薄膜63の膜厚
d3+αまでの範囲から基板64の境界面(基板表面)
64bのデータ取得条件の設定範囲を求めるようにな
る。
Then, from the position of the surface 61b of the first thin film 61 + the thickness d1 of the first thin film 61 + the thickness d2 of the second thin film 62 + the thickness d3 / 2 of the third thin film 63, the first Of the surface 61b of the first thin film 61 + the thickness d of the first thin film 61
1 + the thickness d2 of the second thin film 62 + the thickness d3 + α of the third thin film 63 to the boundary surface of the substrate 64 (substrate surface)
The setting range of the data acquisition condition of 64b is obtained.

【0093】これら第1乃至第3薄膜61、62、63
の各測定対象面61b、62b、63bのZ位置及びデ
ータ取得範囲は、図5に示す設定表示領域の最上限(薄
膜表面61b)のZ位置102g、最下限(基板表面6
4b)の位置102h、測定対象面(Z位置)102b
に書き込まれると同時に、コンピュータ4のメモリ43
に記憶される。
The first to third thin films 61, 62, 63
The Z position and the data acquisition range of each of the measurement target surfaces 61b, 62b, 63b are the Z position 102g of the uppermost limit (thin film surface 61b) of the setting display area shown in FIG.
4b) position 102h, measurement target surface (Z position) 102b
And the memory 43 of the computer 4
Is stored.

【0094】次に、ステップ705で、第1の薄膜61
の表面61bに対してオートコントラストをかけ、「ゲ
イン」「オフセット」条件を求める。
Next, in step 705, the first thin film 61
The auto-contrast is applied to the surface 61b, and "gain" and "offset" conditions are obtained.

【0095】これらはデータ取得条件として、図5に示
す設定条件表示領域の層番号102a、測定対象面(Z
位置)102b、ゲイン(倍)102d、オフセット
(%)102eに書き込まれると共に、コンピュータ4
のメモリ43に記憶される。
These are the data acquisition conditions, the layer number 102a of the setting condition display area shown in FIG.
Position) 102b, gain (times) 102d, and offset (%) 102e.
Is stored in the memory 43.

【0096】次に、ステップ706で、積算回数の判定
が行われる。
Next, at step 706, the number of times of integration is determined.

【0097】この場合、第1の薄膜61の表面61bの
Z位置では、比較的均一な輝度分布が得られるので、コ
ンピュータ4は例えばモニタ10の画面上中央部等のあ
る程度狭い領域での取得データ(輝度データ)の標準偏
差から積算の回数を決定し、これをデータ取得条件に加
味するようにしている。
In this case, at the Z position of the surface 61b of the first thin film 61, a relatively uniform luminance distribution can be obtained, so that the computer 4 obtains the acquired data in a relatively small area such as the central portion on the screen of the monitor 10, for example. The number of integrations is determined from the standard deviation of (luminance data), and this is taken into account in the data acquisition conditions.

【0098】なお、ここでは、コンピュータ4によって
積算回数を設定しているが、これに限られるものではな
くオペレータによる手入力でもよい。
Although the number of times of integration is set by the computer 4 here, the present invention is not limited to this, and may be manually input by an operator.

【0099】この場合、n回の積算によりランダムノイ
ズのバラツキが1/√nに減少するので、ある標準偏差
の閾値を設けておき、取得データの標準偏差がa倍であ
ったとすると、この閾値以下にするのに必要な積算回数
は、a2にすればよいことになる。
In this case, the variation of the random noise is reduced to 1 / √n by the integration of n times, so that a threshold value of a certain standard deviation is provided, and if the standard deviation of the acquired data is a times, this threshold value The number of integrations required to make the following is a2.

【0100】次に、ステップ707で、第2の薄膜62
の境界面62bに移動して、ステップ708で、第2の
薄膜62の境界面62bに対してオートコントラストを
かけ、「ゲイン」「オフセット」条件を求め、ステップ
709で、積算回数が判定される。
Next, at step 707, the second thin film 62
Then, in step 708, auto-contrast is applied to the boundary surface 62b of the second thin film 62 to determine “gain” and “offset” conditions. In step 709, the number of integrations is determined. .

【0101】これらの結果は、データ取得条件として、
図5に示す設定条件表示領域の層番号102a、測定対
象面(Z位置)102b、積算回数(回)102c、ゲ
イン(倍)102d、オフセット(%)102eに書き
込まれると共に、コンピュータ4のメモリ43に記憶さ
れる。
These results are used as data acquisition conditions.
The layer number 102a, the measurement target surface (Z position) 102b, the number of integrations (times) 102c, the gain (times) 102d, and the offset (%) 102e of the setting condition display area shown in FIG. Is stored.

【0102】そして、ステップ710で、全ての層分に
ついてデータ取得条件が設定されたか否かが判断され
る。
Then, in step 710, it is determined whether data acquisition conditions have been set for all layers.

【0103】ここでは、未だ第3の薄膜63以降が存在
するので、ステップ707に戻って、上述した動作が繰
り返され、第3の薄膜63及び基板64についての「ゲ
イン」「オフセット」条件、積算回数の判定結果が図5
に示す設定条件表示領域の層番号102a、測定対象面
(Z位置)102b、積算回数(回)102c、ゲイン
(倍)102d、オフセット(%)102eに書き込ま
れると共に、コンピュータ4のメモリ43に記憶され
る。
Here, since there is still the third thin film 63 and thereafter, the process returns to step 707 and the above-described operation is repeated, and the “gain” and “offset” conditions for the third thin film 63 and the substrate 64 are calculated. FIG. 5 shows the result of the frequency determination.
Are written in the layer number 102a, the measurement target surface (Z position) 102b, the number of integrations (times) 102c, the gain (times) 102d, and the offset (%) 102e in the setting condition display area shown in FIG. Is done.

【0104】その後、ステップ710で、全ての層分に
ついてデータ取得条件が設定されたと判断されると、ス
テップ711に進み、第1乃至第3の薄膜61、62、
63及び基板64の各測定対象面61b、62b、63
b、64bに対するデータ取得が行われる。
Thereafter, if it is determined in step 710 that the data acquisition conditions have been set for all the layers, the process proceeds to step 711, where the first to third thin films 61, 62,
63 and the respective measurement target surfaces 61b, 62b, 63 of the substrate 64
Data acquisition is performed for b and 64b.

【0105】この場合のデータ取得は、第1の実施の形
態で述べたのと同様であり、ここでの説明は省略する。
Data acquisition in this case is the same as that described in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.

【0106】従って、このようにすれば、予め設計値と
して与えられる第1乃至第3の薄膜61、62、63の
膜厚d1、d2、d3から各薄膜61、62、63及び
基板64の各測定対象面61b、62b、63b、64
bの位置及びデータ取得条件の設定範囲を自動的に求め
ることで、これら設定範囲毎のデータ取得条件の設定、
第1乃至第3の薄膜61、62、63からの反射光に応
じた光検出器9の検出信号に対してデータ取得条件を実
行し、データを取得するまでの一連の作業までを自動的
に行なうことができるので、作業効率が飛躍的に向上さ
せることができるなお、上述した実施の形態では、試料
6として、第1乃至第3の薄膜61、62、63の3層
の薄膜が形成された場合について述べたが、3層以外の
複数の薄膜を形成した試料6についても、同様に適用で
きる。
Therefore, according to this, each of the thin films 61, 62, 63 and the substrate 64 is obtained from the film thicknesses d1, d2, d3 of the first to third thin films 61, 62, 63 which are given in advance as design values. Measurement target surfaces 61b, 62b, 63b, 64
By automatically determining the position of b and the setting range of the data acquisition condition, setting of the data acquisition condition for each of these setting ranges,
Data acquisition conditions are executed for the detection signal of the photodetector 9 according to the reflected light from the first to third thin films 61, 62, 63, and a series of operations up to data acquisition are automatically performed. In this embodiment, three thin films of the first to third thin films 61, 62, and 63 are formed as the sample 6 in the above-described embodiment. However, the same can be applied to the sample 6 in which a plurality of thin films other than three layers are formed.

【0107】以上のようにして精度のよい測定対象面の
検出が自動で行なえるので、例えば積層された複数の薄
膜の反射率が異なっていたとしても、第1の実施の形態
のような高精度の膜厚測定を自動で行なわせることがで
きる。
As described above, the detection of the measurement target surface with high accuracy can be automatically performed. Therefore, even if the reflectivities of a plurality of laminated thin films are different, for example, the high reflectivity as in the first embodiment is obtained. Accurate film thickness measurement can be performed automatically.

【0108】また、第2の実施の形態でも、予め正しい
検出結果が得られたことを判断するための閾値を設定
し、その閾値と検出結果とを比較判断できる判断部を設
けておくことにより、仮に薄膜と基板の間に気泡又は異
物が混入している状態で膜厚測定が行われたとしても、
その状態での検出結果に対してエラーであることを表示
やブザーでオペレータに知らせたり、また測定位置を変
更して再度測定を行なわせるようにすることも可能であ
り、これによって膜厚測定をより効率的且つ高精度に進
めることもできる。
In the second embodiment as well, a threshold for determining in advance that a correct detection result has been obtained is set in advance, and a determination unit for comparing the threshold with the detection result is provided. Even if the film thickness measurement is performed in a state where bubbles or foreign substances are mixed between the thin film and the substrate,
It is also possible to notify the operator of the error in the detection result in that state with a display or a buzzer, or to change the measurement position and perform the measurement again. It is also possible to proceed more efficiently and with high precision.

【0109】また、上述した実施形態では、走査型レー
ザ顕微鏡を例に説明したが、本発明が適用される顕微鏡
はこれに限られるものではなく、例えばNikpow Diskの
ようなDiskスキャン形式の共焦点顕微鏡であってもよい
し、またガルバノミラーの代わりに音響光学素子を用い
てX方向の走査を高速に行なうようにして試料からの光
をピンホールを介することなくラインセンサで受光する
構成の顕微鏡であっても使用することができる。
In the above-described embodiment, the scanning laser microscope has been described as an example. However, the microscope to which the present invention is applied is not limited to this. For example, a disk scan confocal microscope such as a Nikowow Disk can be used. The microscope may be a microscope, or a microscope configured to perform high-speed scanning in the X direction using an acousto-optic device instead of a galvanometer mirror and receive light from a sample by a line sensor without passing through a pinhole. Can also be used.

【0110】[0110]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、反射
率の異なる複数の薄膜の膜面を確実に検出することがで
きる膜厚測定装置、該膜厚測定装置におけるデータ取得
方法およびデータ取得のためのプログラムを記憶した記
録媒体を提供できる。
As described above, according to the present invention, a film thickness measuring apparatus capable of reliably detecting the film surfaces of a plurality of thin films having different reflectivities, a data acquisition method and data in the film thickness measuring apparatus A recording medium storing a program for acquisition can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に適用される走査型
レーザ顕微鏡の概略構成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a scanning laser microscope applied to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施の形態のモニタ画面の表示例を示す
図。
FIG. 2 is an exemplary diagram showing a display example of a monitor screen according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態に用いられる試料を説明する
ための図。
FIG. 3 is a diagram illustrating a sample used in the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態での操作を説明するためのフ
ローチャート。
FIG. 4 is a flowchart for explaining an operation in the first embodiment.

【図5】本発明の第2の実施の形態のモニタ画面の表示
例を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a display example of a monitor screen according to the second embodiment of the present invention.

【図6】第2の実施の形態での操作を説明するためのフ
ローチャート。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an operation according to the second embodiment.

【図7】第2の実施の形態の動作を説明するためのフロ
ーチャート。
FIG. 7 is a flowchart for explaining the operation of the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レーザ光源 2…ミラー 3…ハーフミラー 4…コンピュータ 41…制御部 42…画像入力部 43…主メモリ 44…ビデオカード 45…CPU 46…記録媒体 47…CPUバス 5…対物レンズ 6…試料 61…第1の薄膜 62…第2の薄膜 63…第3の薄膜 61a、62a、63a…境界Z位置 64…基板 7…結像レンズ 8…ピンホール 9…光検出器 10…モニタ 101…条件設定領域 101a…Z位置設定部 101b…ゲイン調整部 101c…オフセット調整部 101d…積算回数設定部 101e…条件登録ボタン 102…設定条件表示領域 102a…層番号 102b…膜面(Z位置) 102c…積算(回) 102d…ゲイン(倍) 102e…オフセット(%) 102f…設計膜厚 102g…層上限Z位置 102h…層下限Z位置 11…Z軸移動機構 12…ステージ 14…2次元走査機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser light source 2 ... Mirror 3 ... Half mirror 4 ... Computer 41 ... Control part 42 ... Image input part 43 ... Main memory 44 ... Video card 45 ... CPU 46 ... Recording medium 47 ... CPU bus 5 ... Objective lens 6 ... Sample 61 ... first thin film 62 ... second thin film 63 ... third thin film 61a, 62a, 63a ... boundary Z position 64 ... substrate 7 ... imaging lens 8 ... pinhole 9 ... photodetector 10 ... monitor 101 ... condition setting Area 101a: Z position setting unit 101b: Gain adjustment unit 101c: Offset adjustment unit 101d: Accumulation count setting unit 101e: Condition registration button 102: Setting condition display area 102a: Layer number 102b: Film surface (Z position) 102c: Integration ( Times) 102d ... gain (times) 102e ... offset (%) 102f ... design film thickness 102g ... layer upper limit Z position 102h Layer lower Z position 11 ... Z-axis moving mechanism 12 ... Stage 14 ... two-dimensional scanning mechanism

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薄膜が形成され、測定対象面を少なくと
も2つ有している試料に対して対物レンズを介したスポ
ット光を照射させると共に、前記試料と対物レンズとを
光軸上で相対的に移動させつつ、前記試料からの反射光
を光検出手段で検出し、 前記光検出手段の検出出力の変化から測定対象面を検出
することで、前記試料上に形成された薄膜の厚さを測定
する膜厚測定装置において、 前記光検出手段の検出出力の状態に応じて、該検出出力
に対するゲイン又は積算回数をデータ取得条件として設
定するデータ取得条件設定手段と、 前記光検出手段の検出出力に対して前記データ取得条件
設定手段で設定されたゲイン調整又は積算回数を実行し
データを取得するデータ取得手段とを具備したことを特
徴とする膜厚測定装置。
1. A sample having a thin film formed thereon and having at least two surfaces to be measured is irradiated with spot light through an objective lens, and the sample and the objective lens are relatively positioned on an optical axis. While detecting the thickness of the thin film formed on the sample, the reflected light from the sample is detected by the light detection unit, and the surface to be measured is detected from a change in the detection output of the light detection unit. In the film thickness measuring device for measuring, according to the state of the detection output of the light detection means, a data acquisition condition setting means for setting a gain or the number of integrations for the detection output as a data acquisition condition, and a detection output of the light detection means A data acquisition unit that executes gain adjustment or integration count set by the data acquisition condition setting unit and acquires data.
【請求項2】 予め設計値として与えられる前記薄膜の
情報からデータ取得条件の設定範囲を決定する設定範囲
決定手段を有し、 前記データ取得条件設定手段は、 前記設定範囲決定手段で決定された範囲において、 前記光検出手段の検出出力の状態から、該検出出力に対
するゲイン又は積算回数をデータ取得条件として設定す
ることを特徴とする請求項1記載の膜厚測定装置。
2. The method according to claim 1, further comprising: setting range determining means for determining a setting range of a data acquisition condition from information of the thin film provided as a design value in advance, wherein the data acquisition condition setting means is determined by the setting range determining means. 2. The film thickness measuring apparatus according to claim 1, wherein a gain or an integration count for the detected output is set as a data acquisition condition based on a state of a detected output of the light detecting unit.
【請求項3】 薄膜が形成され、測定対象面を少なくと
も2つ有している試料に対して対物レンズを介したスポ
ット光を照射させると共に、前記試料と対物レンズとを
光軸上で相対的に移動させつつ、前記試料からの反射光
を光検出手段で検出し、 前記光検出手段の検出出力の変化から測定対象面を検出
することで、前記試料上に形成された薄膜の厚さを測定
する膜厚測定装置におけるデータ取得方法において、 前記光検出手段の検出出力の状態に応じて、該検出出力
に対するゲイン又は積算回数をデータ取得条件として設
定し、 前記光検出手段の検出出力に対して前記データ取得条件
設定手段で設定されたゲイン調整又は積算回数を実行し
データを取得することを具備したことを特徴とする膜厚
測定装置におけるデータ取得方法。
3. A sample on which a thin film is formed and which has at least two surfaces to be measured is irradiated with spot light through an objective lens, and the sample and the objective lens are relatively positioned on an optical axis. While detecting the thickness of the thin film formed on the sample, the reflected light from the sample is detected by the light detection unit, and the surface to be measured is detected from a change in the detection output of the light detection unit. In the data acquisition method in the film thickness measurement device to be measured, according to the state of the detection output of the light detection unit, a gain or the number of integration for the detection output is set as a data acquisition condition, and the detection output of the light detection unit is Executing the gain adjustment or the number of integrations set by the data acquisition condition setting means to acquire data.
【請求項4】 予め設計値として与えられる前記薄膜の
情報からデータ取得条件の設定範囲を決定し、この決定
された範囲において、 前記光検出手段の検出出力の状態から、該検出出力に対
するゲイン又は積算回数をデータ取得条件として設定す
ることを特徴とする請求項3記載の膜厚測定装置におけ
るデータ取得方法。
4. A setting range of a data acquisition condition is determined from information of the thin film given in advance as a design value, and a gain or a gain for the detection output is determined in the determined range from a state of a detection output of the light detection means. 4. The data acquisition method according to claim 3, wherein the number of times of integration is set as a data acquisition condition.
【請求項5】 薄膜が形成され、測定対象面を少なくと
も2つ有している試料に対して対物レンズを介したスポ
ット光を照射させると共に、前記試料と対物レンズとを
光軸上で相対的に移動させつつ、前記試料からの反射光
を光検出手段で検出し、 前記光検出手段の検出出力の変化から測定対象面を検出
することで、前記試料上に形成された薄膜の厚さを測定
する膜厚測定装置におけるデータ取得のためのプログラ
ムを記録した記録媒体であって、 前記光検出手段の検出出力の状態に応じて、該検出出力
に対するゲイン又は積算回数をデータ取得条件として設
定し、 前記光検出手段の検出出力に対して前記データ取得条件
設定手段で設定されたゲイン調整又は積算回数を実行し
データを取得することを特徴とする膜厚測定装置におけ
るデータ取得のためのプログラムを記録した記録媒体。
5. A sample on which a thin film is formed and which has at least two surfaces to be measured is irradiated with spot light through an objective lens, and the sample and the objective lens are relatively positioned on an optical axis. While detecting the thickness of the thin film formed on the sample, the reflected light from the sample is detected by the light detection unit, and the surface to be measured is detected from a change in the detection output of the light detection unit. A recording medium on which a program for acquiring data in a film thickness measuring device to be measured is recorded, wherein a gain or an integration count for the detected output is set as a data acquisition condition in accordance with a state of a detection output of the light detection unit. Data in a film thickness measuring device, wherein the data is acquired by executing gain adjustment or the number of integrations set by the data acquisition condition setting means with respect to a detection output of the light detection means. A recording medium on which a program for acquisition is recorded.
【請求項6】 膜厚測定装置におけるデータ取得のため
のプログラムを記録した記録媒体は、 予め設計値として与えられる前記薄膜の情報からデータ
取得条件の設定範囲を決定し、この決定された範囲にお
いて、 前記光検出手段の検出出力の状態から、該検出出力に対
するゲイン又は積算回数をデータ取得条件として設定す
ることを特徴とする請求項5記載の膜厚測定装置におけ
るデータ取得するためのプログラムを記録した記録媒
体。
6. A recording medium in which a program for acquiring data in a film thickness measuring device is recorded, a setting range of data acquisition conditions is determined from information of the thin film given as a design value in advance, and 6. A program for acquiring data in the film thickness measuring apparatus according to claim 5, wherein a gain or an integration count for the detected output is set as a data acquisition condition based on a state of a detection output of the light detection means. Recording medium.
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