JP2002039718A - 薄膜の合否判定方法および装置 - Google Patents
薄膜の合否判定方法および装置Info
- Publication number
- JP2002039718A JP2002039718A JP2000219305A JP2000219305A JP2002039718A JP 2002039718 A JP2002039718 A JP 2002039718A JP 2000219305 A JP2000219305 A JP 2000219305A JP 2000219305 A JP2000219305 A JP 2000219305A JP 2002039718 A JP2002039718 A JP 2002039718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sample
- pass
- change
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 薄膜の合否判断を速やかに、且つ正確に行う
ことができる薄膜の合否判定方法および装置を提供す
る。 【解決手段】 薄膜を形成した試料６と対物レンズ５と
を相対的に移動させるとともに、試料６に対物レンズ５
を介してレーザ光を２次元走査し、試料６からの反射光
を光検出器９により検出するとともに、この検出出力の
変化から薄膜両面のそれぞれの高さ情報を検出し、これ
ら高さ情報の差を薄膜の膜厚の変化量としてモニタ１０
に表示する。
ことができる薄膜の合否判定方法および装置を提供す
る。 【解決手段】 薄膜を形成した試料６と対物レンズ５と
を相対的に移動させるとともに、試料６に対物レンズ５
を介してレーザ光を２次元走査し、試料６からの反射光
を光検出器９により検出するとともに、この検出出力の
変化から薄膜両面のそれぞれの高さ情報を検出し、これ
ら高さ情報の差を薄膜の膜厚の変化量としてモニタ１０
に表示する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面などに形
成される薄膜の合否を判定する薄膜の合否判定方法およ
び装置に関する。
成される薄膜の合否を判定する薄膜の合否判定方法およ
び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハなどの基板表面には、透明
または半透明の薄膜が形成されることがあるが、これら
薄膜の厚さ寸法にバラツキがあると、製品として所定の
特性を得られないことがある。
または半透明の薄膜が形成されることがあるが、これら
薄膜の厚さ寸法にバラツキがあると、製品として所定の
特性を得られないことがある。
【０００３】このため、従来では、上述したような試料
の薄膜の厚さ寸法を測定し、この膜厚の測定結果から薄
膜の合否を判断するようにしている。特開平８−２１０
８１８号公報は、薄膜の厚さ寸法を測定するための膜厚
測定手段の一例を示すもので、共焦点光学系の焦点位置
にイメージセンサを配置し、試料ステージを対物レンズ
に対して上下動させ薄膜面と基板表面とに焦点が合った
ときのイメージセンサにおける受光量の２つのピーク位
置に基づいて膜厚を求めるようにしている。
の薄膜の厚さ寸法を測定し、この膜厚の測定結果から薄
膜の合否を判断するようにしている。特開平８−２１０
８１８号公報は、薄膜の厚さ寸法を測定するための膜厚
測定手段の一例を示すもので、共焦点光学系の焦点位置
にイメージセンサを配置し、試料ステージを対物レンズ
に対して上下動させ薄膜面と基板表面とに焦点が合った
ときのイメージセンサにおける受光量の２つのピーク位
置に基づいて膜厚を求めるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
膜厚測定手段を用いて薄膜合否を判定する方法では、ま
ず、薄膜の厚さ寸法を測定し、この結果から、膜厚のバ
ラツキ部分を見つけ出し、この部分について、さらにバ
ラツキの大きさを確認して薄膜の合否を判断することに
なるため、合否判断を下すのに時間がかかるとともに、
正確な結果を得られないという問題があった。
膜厚測定手段を用いて薄膜合否を判定する方法では、ま
ず、薄膜の厚さ寸法を測定し、この結果から、膜厚のバ
ラツキ部分を見つけ出し、この部分について、さらにバ
ラツキの大きさを確認して薄膜の合否を判断することに
なるため、合否判断を下すのに時間がかかるとともに、
正確な結果を得られないという問題があった。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、薄膜の合否判断を速やかに、且つ正確に行うことが
できる薄膜の合否判定方法および装置を提供することを
目的とする。
で、薄膜の合否判断を速やかに、且つ正確に行うことが
できる薄膜の合否判定方法および装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
対物レンズと薄膜を形成した試料の少なくとも一方を光
軸方向で移動させるとともに、前記対物レンズを介して
前記試料に収束光を照射して前記試料からの光を光検出
器で検出し、前記光検出器からの検出出力の変化に基づ
いて薄膜の上面と下面の情報を夫々検出し、前記薄膜の
上面の情報と前記薄膜の下面の情報との差から前記薄膜
の膜厚の変化量を算出し、算出した前記薄膜の膜厚の変
化量を表示することを特徴としている。
対物レンズと薄膜を形成した試料の少なくとも一方を光
軸方向で移動させるとともに、前記対物レンズを介して
前記試料に収束光を照射して前記試料からの光を光検出
器で検出し、前記光検出器からの検出出力の変化に基づ
いて薄膜の上面と下面の情報を夫々検出し、前記薄膜の
上面の情報と前記薄膜の下面の情報との差から前記薄膜
の膜厚の変化量を算出し、算出した前記薄膜の膜厚の変
化量を表示することを特徴としている。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記薄膜の合否判定方法は、前記膜厚の変
化量と所定の閾値とを比べることにより試料の合否を判
断することを特徴としている。
明において、前記薄膜の合否判定方法は、前記膜厚の変
化量と所定の閾値とを比べることにより試料の合否を判
断することを特徴としている。
【０００８】請求項３記載の発明は、対物レンズと薄膜
を形成した試料の少なくとも一方を光軸方向で移動させ
るとともに、前記対物レンズを介して前記試料に収束光
を照射して前記試料からの光を光検出器で検出し、前記
光検出器からの検出出力の変化に基づいて薄膜の上面と
下面の情報を夫々検出し、検出される前記薄膜の上面の
情報と前記薄膜の下面の情報との差から前記薄膜の膜厚
の変化量を算出する演算部と、前記演算部で算出した前
記薄膜の膜厚の変化量を表示する表示手段とを具備した
ことを特徴としている。
を形成した試料の少なくとも一方を光軸方向で移動させ
るとともに、前記対物レンズを介して前記試料に収束光
を照射して前記試料からの光を光検出器で検出し、前記
光検出器からの検出出力の変化に基づいて薄膜の上面と
下面の情報を夫々検出し、検出される前記薄膜の上面の
情報と前記薄膜の下面の情報との差から前記薄膜の膜厚
の変化量を算出する演算部と、前記演算部で算出した前
記薄膜の膜厚の変化量を表示する表示手段とを具備した
ことを特徴としている。
【０００９】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明において、前記薄膜の合否判定装置は、前記膜厚の変
化量と所定の閾値とを比べることにより試料の合否を判
断する判断手段を備えていることを特徴としている。
明において、前記薄膜の合否判定装置は、前記膜厚の変
化量と所定の閾値とを比べることにより試料の合否を判
断する判断手段を備えていることを特徴としている。
【００１０】この結果、本発明によれば、薄膜の厚さの
バラツキを一目で把握することができるので、薄膜の合
否の判断を速やかに、且つ正確に行うことができる。
バラツキを一目で把握することができるので、薄膜の合
否の判断を速やかに、且つ正確に行うことができる。
【００１１】また、本発明によれば、作業者の個人的判
断に左右されない正確な合否判断を行うことができる。
断に左右されない正確な合否判断を行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。
に従い説明する。
【００１３】図１は、本発明の薄膜の合否判定方法に適
用される走査型レーザ顕微鏡を利用した高さ情報検出手
段の概略構成を示している。
用される走査型レーザ顕微鏡を利用した高さ情報検出手
段の概略構成を示している。
【００１４】この場合、レーザ光源１から出射されたレ
ーザ光は、ミラー２で反射し、ハーフミラー３を透過し
て２次元走査機構１４に入射される。２次元走査機構１
４は、コンピュータ４の制御部４１の制御によりレーザ
光を２次元走査するもので、このレーザ光は、対物レン
ズ５を介してステージ１２に載置された試料６の測定対
象面の領域全体にわたって２次元走査される。また、こ
の試料６からの反射光は、対物レンズ５を透過し、２次
元走査機構１４を介してハーフミラー３で反射され、結
像レンズ７、ピンホール８を介して光検出器９により検
出される。そして、光検出器９からの信号は、コンピュ
ータ４の画像入力部４２に２次元走査機構１４での２次
元走査に同期して取り込まれ、２次元画像としてモニタ
１０に表示される。
ーザ光は、ミラー２で反射し、ハーフミラー３を透過し
て２次元走査機構１４に入射される。２次元走査機構１
４は、コンピュータ４の制御部４１の制御によりレーザ
光を２次元走査するもので、このレーザ光は、対物レン
ズ５を介してステージ１２に載置された試料６の測定対
象面の領域全体にわたって２次元走査される。また、こ
の試料６からの反射光は、対物レンズ５を透過し、２次
元走査機構１４を介してハーフミラー３で反射され、結
像レンズ７、ピンホール８を介して光検出器９により検
出される。そして、光検出器９からの信号は、コンピュ
ータ４の画像入力部４２に２次元走査機構１４での２次
元走査に同期して取り込まれ、２次元画像としてモニタ
１０に表示される。
【００１５】ここで、光検出器９では、対物レンズ５の
焦点位置からの試料６の反射光以外は、ピンホール８を
通過することができないので検出されないため試料６の
画像は、対物レンズ５の合焦位置からの画像しか得られ
ない。そこで、この性質を利用してコンピュータ４の制
御部４１の制御によりレーザ光の２次元走査ごとにＺ軸
移動機構１１により光軸方向で対物レンズ５の位置を所
定距離ずつ（所定間隔で）移動させていき、光検出器９
の信号が最大になった位置、つまり、光検出器９により
取得される２次元画像の各画素のそれぞれ最大輝度を示
す合焦位置を試料６の測定対象面の高さ情報と認識して
コンピュータ４のメモリ４３に記憶するようにしてい
る。
焦点位置からの試料６の反射光以外は、ピンホール８を
通過することができないので検出されないため試料６の
画像は、対物レンズ５の合焦位置からの画像しか得られ
ない。そこで、この性質を利用してコンピュータ４の制
御部４１の制御によりレーザ光の２次元走査ごとにＺ軸
移動機構１１により光軸方向で対物レンズ５の位置を所
定距離ずつ（所定間隔で）移動させていき、光検出器９
の信号が最大になった位置、つまり、光検出器９により
取得される２次元画像の各画素のそれぞれ最大輝度を示
す合焦位置を試料６の測定対象面の高さ情報と認識して
コンピュータ４のメモリ４３に記憶するようにしてい
る。
【００１６】なお、上述した実施の形態では、対物レン
ズ５を光軸方向で上下動するものを例として説明した
が、これに限るものでなく、光軸方向（Ｚ軸方向）で試
料６と対物レンズ５とが相対的に移動できるように構成
されていれば、どのような構成であってもよく、例えば
ステージ１２を上下動させる構成であってもよい。
ズ５を光軸方向で上下動するものを例として説明した
が、これに限るものでなく、光軸方向（Ｚ軸方向）で試
料６と対物レンズ５とが相対的に移動できるように構成
されていれば、どのような構成であってもよく、例えば
ステージ１２を上下動させる構成であってもよい。
【００１７】これら一連の動きは、コンピュータ４の制
御部４１および画像入力部４２を統合して制御すること
で実現される。また、モニタ１０上には、試料６の２次
元画像とともに、走査型レーザ顕微鏡の操作を制御する
ための画面も表示されており、オペレータは、この画面
を通じて顕微鏡を取り扱うようになっている。
御部４１および画像入力部４２を統合して制御すること
で実現される。また、モニタ１０上には、試料６の２次
元画像とともに、走査型レーザ顕微鏡の操作を制御する
ための画面も表示されており、オペレータは、この画面
を通じて顕微鏡を取り扱うようになっている。
【００１８】次に、このような走査型レーザ顕微鏡を用
いて薄膜の合否判定を行う場合を説明する。
いて薄膜の合否判定を行う場合を説明する。
【００１９】図２は、薄膜の合否判定が行われる試料６
の具体例を示すもので、基板６１の表面に透明または半
透明の薄膜６２が形成されている。このような試料６
は、走査型レーザ顕微鏡のステージ１２に載置される。
の具体例を示すもので、基板６１の表面に透明または半
透明の薄膜６２が形成されている。このような試料６
は、走査型レーザ顕微鏡のステージ１２に載置される。
【００２０】そして、この状態から、試料６面に対し
て、レーザ光源１のレーザ光を、２次元走査機構１４に
より２次元走査するとともに、対物レンズ５を介して照
射し、その反射光を、対物レンズ５、２次元走査機構１
４を介してハーフミラー３で反射させて結像レンズ７、
ピンホール８を介して光検出器９で検出する。
て、レーザ光源１のレーザ光を、２次元走査機構１４に
より２次元走査するとともに、対物レンズ５を介して照
射し、その反射光を、対物レンズ５、２次元走査機構１
４を介してハーフミラー３で反射させて結像レンズ７、
ピンホール８を介して光検出器９で検出する。
【００２１】また、このようなレーザ光の２次元走査と
交互にＺ軸移動機構１１により対物レンズ５の位置を所
定の距離ずつ（所定間隔で）光軸方向に移動する。する
と、この対物レンズ５の光軸方向の移動にともない試料
６の薄膜６２表面からの反射光に対して光検出器９の信
号が最大になる位置が存在するとともに、さらに対物レ
ンズ５を光軸方向で下方に移動していくと、基板６１表
面からの反射光に対しても光検出器９の信号が最大にな
る位置が存在するようになる。これら光検出器９の信号
の最大になった位置が対物レンズ５の焦点が薄膜の表面
に合っている位置であり、試料６の薄膜６２表面と基板
６１表面の高さＺの情報としてコンピュータ４のメモリ
４３に記憶される。
交互にＺ軸移動機構１１により対物レンズ５の位置を所
定の距離ずつ（所定間隔で）光軸方向に移動する。する
と、この対物レンズ５の光軸方向の移動にともない試料
６の薄膜６２表面からの反射光に対して光検出器９の信
号が最大になる位置が存在するとともに、さらに対物レ
ンズ５を光軸方向で下方に移動していくと、基板６１表
面からの反射光に対しても光検出器９の信号が最大にな
る位置が存在するようになる。これら光検出器９の信号
の最大になった位置が対物レンズ５の焦点が薄膜の表面
に合っている位置であり、試料６の薄膜６２表面と基板
６１表面の高さＺの情報としてコンピュータ４のメモリ
４３に記憶される。
【００２２】この場合、図２に示す試料６上のＹ軸方向
のスキャンＳにより、例えば、図３（ａ）に示すように
薄膜６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂに対するそれぞれ
の高さＺが得られたとすると、コンピュータ４により、
これら薄膜６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの
差から図３（ｂ）に示すようにＹ軸方向のスキャンＳに
沿った薄膜６２の厚さの変化量を求めることができる。
つまり、図３（ａ）に示すように、薄膜６２の表面Ａと
基板６１の表面Ｂの高さＺの差が範囲Ｄでは、図３
（ｂ）の範囲Ｄ’に示すように両者の薄膜の厚さの変化
量が変わらないので、膜厚は一定値ｔにより表わされ、
薄膜６２の厚さにバラツキがあって薄膜６２の表面Ａと
基板６１の表面Ｂの高さＺの差が変化する範囲Ｅでは、
図３（ｂ）の範囲Ｅ’に示すように変化量が増大し、両
者の膜厚がｔからｔ１の間で変化していることがわか
る。
のスキャンＳにより、例えば、図３（ａ）に示すように
薄膜６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂに対するそれぞれ
の高さＺが得られたとすると、コンピュータ４により、
これら薄膜６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの
差から図３（ｂ）に示すようにＹ軸方向のスキャンＳに
沿った薄膜６２の厚さの変化量を求めることができる。
つまり、図３（ａ）に示すように、薄膜６２の表面Ａと
基板６１の表面Ｂの高さＺの差が範囲Ｄでは、図３
（ｂ）の範囲Ｄ’に示すように両者の薄膜の厚さの変化
量が変わらないので、膜厚は一定値ｔにより表わされ、
薄膜６２の厚さにバラツキがあって薄膜６２の表面Ａと
基板６１の表面Ｂの高さＺの差が変化する範囲Ｅでは、
図３（ｂ）の範囲Ｅ’に示すように変化量が増大し、両
者の膜厚がｔからｔ１の間で変化していることがわか
る。
【００２３】そして、このような図３（ｂ）に示すグラ
フを、モニタ１０に表示させるようにすれば、異物の混
入などに原因する薄膜６２の厚さの変化を一目で把握す
ることができるようになり、薄膜６２の合否の判断を速
やかに、且つ正確に行うことができる。
フを、モニタ１０に表示させるようにすれば、異物の混
入などに原因する薄膜６２の厚さの変化を一目で把握す
ることができるようになり、薄膜６２の合否の判断を速
やかに、且つ正確に行うことができる。
【００２４】なお、上述した実施の形態では、薄膜６２
の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの差の変化量の表
示方法を１次元画像で表わしたが、これに限られるもの
でなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変更は可能
であり、例えば、図４（ａ）に示すように３次元画像や
同図（ｂ）に示すように等高線表示画像により表わした
り、変化量を色別表示し、２次元または３次元画像で表
わすようにしてもよい。また、閾値を設定しておき、そ
の閾値を超えている部分の色を変えるようにしてもよ
い。
の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの差の変化量の表
示方法を１次元画像で表わしたが、これに限られるもの
でなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変更は可能
であり、例えば、図４（ａ）に示すように３次元画像や
同図（ｂ）に示すように等高線表示画像により表わした
り、変化量を色別表示し、２次元または３次元画像で表
わすようにしてもよい。また、閾値を設定しておき、そ
の閾値を超えている部分の色を変えるようにしてもよ
い。
【００２５】ところで、上述した実施の形態では、薄膜
６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの差を図３
（ｂ）に示すように変化量として表わした場合、オペレ
ータによって合否判定にバラツキを生じることがある。
そこで、図５に示すように合否判定用の閾値１３を用意
して、薄膜６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの
差の変化量が閾値１３を超えるか否かで合否判断を行う
合否判断手段４４を図１に示すコンピュータ４に設ける
ようにすれば、オペレータの個人的判断に左右されない
正確な合否判断を行うことができる。
６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの差を図３
（ｂ）に示すように変化量として表わした場合、オペレ
ータによって合否判定にバラツキを生じることがある。
そこで、図５に示すように合否判定用の閾値１３を用意
して、薄膜６２の表面Ａと基板６１の表面Ｂの高さＺの
差の変化量が閾値１３を超えるか否かで合否判断を行う
合否判断手段４４を図１に示すコンピュータ４に設ける
ようにすれば、オペレータの個人的判断に左右されない
正確な合否判断を行うことができる。
【００２６】なお、この合否判断には、閾値を用いる他
に、平面度を数値化したり、粗さ計測を行ったり、ヒス
トグラムを用いるなどの方法も考えられる。
に、平面度を数値化したり、粗さ計測を行ったり、ヒス
トグラムを用いるなどの方法も考えられる。
【００２７】また、上述では、Ｚ軸移動機構１１により
対物レンズ５の位置を光軸方向に移動させる場合を述べ
たが、試料６を載置したステージ１２側を光軸方向に移
動させるようにしてもよい。また、上述では、試料６と
して基板６１上に１層の薄膜６２を形成したものについ
て述べたが、２層以上の薄膜を形成した試料についても
適用できる。
対物レンズ５の位置を光軸方向に移動させる場合を述べ
たが、試料６を載置したステージ１２側を光軸方向に移
動させるようにしてもよい。また、上述では、試料６と
して基板６１上に１層の薄膜６２を形成したものについ
て述べたが、２層以上の薄膜を形成した試料についても
適用できる。
【００２８】また、上述した実施の形態では、走査型レ
ーザ顕微鏡を例に説明したが、本発明が適用される顕微
鏡は、これに限るものでなく、例えばＮｉｋｐｏｗディ
スクのようなＤｉｓｋスキャン形式の共焦点顕微鏡であ
ってもよいし、また、ガルバノミラーの代わりに音響光
学素子を用いてＸ方向の走査を行うようにして試料から
の光をピンホールを介することなくラインセンサなどで
受光する構成の顕微鏡であっても使用することができ
る。
ーザ顕微鏡を例に説明したが、本発明が適用される顕微
鏡は、これに限るものでなく、例えばＮｉｋｐｏｗディ
スクのようなＤｉｓｋスキャン形式の共焦点顕微鏡であ
ってもよいし、また、ガルバノミラーの代わりに音響光
学素子を用いてＸ方向の走査を行うようにして試料から
の光をピンホールを介することなくラインセンサなどで
受光する構成の顕微鏡であっても使用することができ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、薄膜
の合否判断を速やかに、且つ正確に行うことができる薄
膜の合否判定方法および装置を提供できる。
の合否判断を速やかに、且つ正確に行うことができる薄
膜の合否判定方法および装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施の形態の概略構成を示す図。
【図２】一実施の形態に用いられる試料の概略構成を示
す図。
す図。
【図３】一実施の形態の動作を説明するための図。
【図４】一実施の形態の膜厚の変化量の他の表示例を示
す図。
す図。
【図５】一実施の形態での薄膜の合否判定例を説明する
図。
図。
１…レーザ光源 ２…ミラー ３…ハーフミラー ４…コンピュータ ４１…制御部 ４２…画像入力部 ４３…メモリ ４４…合否判断手段 ５…対物レンズ ６…試料 ６１…基板 ６２…薄膜 ７…結像レンズ ８…ピンホール ９…光検出器 １０…モニタ １１…Ｚ軸移動機構 １２…ステージ １３…閾値 １４…２次元走査機構
Claims (4)
- 【請求項１】 対物レンズと薄膜を形成した試料の少な
くとも一方を光軸方向で移動させるとともに、前記対物
レンズを介して前記試料に収束光を照射して前記試料か
らの光を光検出器で検出し、前記光検出器からの検出出
力の変化に基づいて薄膜の上面と下面の情報を夫々検出
し、前記薄膜の上面の情報と前記薄膜の下面の情報との
差から前記薄膜の膜厚の変化量を算出し、算出した前記
薄膜の膜厚の変化量を表示することを特徴とする薄膜の
合否判定方法。 - 【請求項２】 前記薄膜の合否判定方法は、 前記膜厚の変化量と所定の閾値とを比べることにより試
料の合否を判断することを特徴とする請求項１記載の薄
膜の合否判定方法。 - 【請求項３】 対物レンズと薄膜を形成した試料の少な
くとも一方を光軸方向で移動させるとともに、前記対物
レンズを介して前記試料に収束光を照射して前記試料か
らの光を光検出器で検出し、前記光検出器からの検出出
力の変化に基づいて薄膜の上面と下面の情報を夫々検出
し、検出される前記薄膜の上面の情報と前記薄膜の下面
の情報との差から前記薄膜の膜厚の変化量を算出する演
算部と、 前記演算部で算出した前記薄膜の膜厚の変化量を表示す
る表示手段とを具備したことを特徴とする薄膜の合否判
定装置。 - 【請求項４】 前記薄膜の合否判定装置は、 前記膜厚の変化量と所定の閾値とを比べることにより試
料の合否を判断する判断手段を備えていることを特徴と
する請求項３記載の薄膜の合否判定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219305A JP2002039718A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 薄膜の合否判定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219305A JP2002039718A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 薄膜の合否判定方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002039718A true JP2002039718A (ja) | 2002-02-06 |
| JP2002039718A5 JP2002039718A5 (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=18714109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000219305A Pending JP2002039718A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 薄膜の合否判定方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002039718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010117161A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Nikon Corp | 検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08210972A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 偏光解析装置 |
| JPH08210818A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-08-20 | Keyence Corp | 膜厚測定機能付光学顕微鏡 |
| JP2000009437A (ja) * | 1997-10-22 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置 |
-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000219305A patent/JP2002039718A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08210818A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-08-20 | Keyence Corp | 膜厚測定機能付光学顕微鏡 |
| JPH08210972A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 偏光解析装置 |
| JP2000009437A (ja) * | 1997-10-22 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010117161A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Nikon Corp | 検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3258385B2 (ja) | 光学式基板検査装置 | |
| US6172349B1 (en) | Autofocusing apparatus and method for high resolution microscope system | |
| US10455137B2 (en) | Auto-focus system | |
| US10120163B2 (en) | Auto-focus method for a coordinate-measuring apparatus | |
| TWI413823B (zh) | 影像檢查裝置 | |
| JPH03267745A (ja) | 表面性状検出方法 | |
| US7247825B2 (en) | Method and apparatus for scanning a specimen using an optical imaging system | |
| WO1996012981A1 (en) | Autofocusing apparatus and method for high resolution microscope system | |
| CN113281343A (zh) | 一种对多层透明材料进行缺陷检测的系统及方法 | |
| JP2006510031A (ja) | 弱い光及び蛍光の光の用途において信号対ノイズ比、解像度、又は合焦品質を犠牲にすることなく検査速度を最適化するための方法 | |
| US7474393B2 (en) | Method and apparatus for determining a vertical intensity profile along an illuminating beam | |
| US20080144006A1 (en) | Method for Measuring Topographic Structures on Devices | |
| JP4603177B2 (ja) | 走査型レーザ顕微鏡 | |
| US6545765B1 (en) | Method and apparatus for measuring thickness of transparent films | |
| JP2002323659A (ja) | 共焦点光学系及びこれを用いた走査型共焦点顕微鏡 | |
| JP2002039718A (ja) | 薄膜の合否判定方法および装置 | |
| JP2003035510A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH10293102A (ja) | 半導体等における欠陥の検出方法 | |
| JP2002039721A (ja) | 膜厚測定装置、膜厚測定方法および膜厚測定のためのプログラムを記憶した記録媒体 | |
| JP2911283B2 (ja) | 非接触段差測定方法及びその装置 | |
| JP3141470B2 (ja) | ３次元形状検出方法および装置 | |
| JP2002039722A (ja) | 膜厚測定におけるデータ取得装置、方法およびデータ取得のためのプログラムを記憶した記録媒体 | |
| JP2022091942A (ja) | 測定装置 | |
| JP3152507B2 (ja) | 局部腐食深さ自動測定方法 | |
| JP2007071716A (ja) | 共焦点走査型顕微鏡 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070614 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070614 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090814 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100105 |