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JP2002033069A - 粒子ビーム装置 - Google Patents

粒子ビーム装置

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JP2002033069A
JP2002033069A JP2001140705A JP2001140705A JP2002033069A JP 2002033069 A JP2002033069 A JP 2002033069A JP 2001140705 A JP2001140705 A JP 2001140705A JP 2001140705 A JP2001140705 A JP 2001140705A JP 2002033069 A JP2002033069 A JP 2002033069A
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particles
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beam device
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Advantest Corp
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    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 検出システム内において複雑な光学構成要素
を避けた単純な構成を有する高性能の粒子ビーム装置を
提供する。 【解決手段】 発明は粒子ビーム装置に関し、粒子ビー
ム装置は、一次ビーム軸に沿って一次粒子ビームを供給
する源と、粒子を試験片から放出させるために一次粒子
ビームの焦点を試験片に合わせ、試験片から粒子（６）
を放出させるように、一次粒子ビームが試験片（５）に
衝突する前に、第１の高いエネルギーから第２の最終エ
ネルギーへと一次粒子ビーム（２）を減速するための対
物レンズと、画像生成のための検出システムとを有し、
前記検出システムは、放出された加速された粒子を二次
粒子へ変換するための変換領域を有する変換手段と、変
換された二次粒子に作用するための電極手段と、変換さ
れた二次粒子を検出するための少なくとも一つの検出器
とを備え、前記放出された粒子が検出システム（７）に
到達する前に対物レンズによって加速される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一次ビーム軸に沿
って一次粒子ビームを与える源、試験片に一次粒子ビー
ムの焦点を合わせる対物レンズ、及び画像生成のための
検出システムを有する粒子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路が０．１μｍより小さく製造さ
れるにつれて、電子ビーム画像は、プロセスの開発及び
品質保証のための技術的選択肢として確立された。しか
しながら、ある試験片については、特に、例えば直径わ
ずか０．１μｍ及び深さ１μｍを有する接触穴などの高
いアスペクト比を有する特徴を含む試験片は、製造の間
に検査することが非常に困難である。このような接触穴
は、１０：１のアスペクト比を有する。したがって、高
いアスペクト比の特徴の下部の画像を生成するために、
このような特徴の内部から信号を得ることは大変困難で
ある。
【０００３】最新技術では、静電減速界レンズ又は組み
合わされた複数の電磁レンズを有する高分解能対物レン
ズが利用される。このようなレンズは、レンズの正面で
高いビームエネルギーを使用し、対物レンズ内で低い最
終エネルギーへと一次ビームを減速する。一次ビームの
減速は、試験片から放出された粒子を抽出及び加速する
ためにも使用される。放出された粒子は、試射のため及
び試験片から放出された二次電子を用いて試験片表面の
画像を形成するためにレンズの内部又はレンズの正面の
検出手段へと移動させられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような配置の欠点
は、一次粒子ビームが貫通するために必要な検出器内の
穴にある。シンチレーション検出器は絶縁物から形成さ
れているので、この穴は帯電を避けるために、ある特定
の寸法を有さなければならない。開始角度が約９０°の
二次電子は、検出器の穴の領域に丁度当たり、消滅す
る。高いアスペクト比を有する特徴のために、関連する
情報を運ぶ信号電子は、まさしくこれらのような二次電
子である。その結果、これらの高いアスペクト特徴の内
部は、小さい信号振幅でしか像を造ることができない。
これは低いＳＮ比ということを意味し、情報が限定され
るという結果をもたらす。
【０００５】この欠点を解決するために、一次ビーム及
び二次電子ビームを分離するためにビーム分離器を利用
することが提案されている。これは、穴を有さない検出
器の利用を可能にする。しかしながら、ビーム分離器
は、追加された構成要素であり、これは一次粒子ビーム
を異常に導き、結果的にシステムの解像度に悪影響を与
える。
【０００６】対物レンズの正面に減速領域を設けること
も提案されている。この領域において二次電子は、あま
りにも遅いので二次電子は容易に集まる。これも「軸上
の」二次電子を検出することを可能にする。しかしなが
ら、この方法は、一次ビームのエネルギー幅を増加し、
解像度に悪影響を与える可能性がある、ビーム進路上に
追加的な交差を発生させる追加のレンズを必要とする。
【０００７】米国特許番号５，６４４，１３２は、試験
片の地形的及び物質的特徴の無帯電で高解像度の画像生
成及び測定のための粒子ビーム装置を開示した。粒子源
は、一次ビーム軸に沿って一次ビームを供給する。前記
一次ビームは、試験片から電子を放出させるために試験
片に衝突する。前記電子は、二次電子及び後方散乱した
電子を含む。対物レンズは、前記一次ビーム軸に関する
前記電子の放射状の散乱を与えるために前記電子に焦点
を合わせる。前期電子の放射状の散乱は、後方散乱した
電子の内部環及び二次電子の外部環を含む。更に、装置
は、後方散乱した電子の前記内部環を検出するための後
方散乱電子検出器及び二次電子の前記外部環を検出する
ための二次電子検出器を備える。後方散乱電子検出器
は、電子乗算器である。
【０００８】検出器の穴の悪影響を少なくするために、
後方散乱電子を衝突することによって二次電子の発生を
促進する材料からフランジ終端を形成するによって軸に
近い後方散乱した電子の検出を高めることが好ましい。
米国特許出願５，４６６，９４０で説明されているよう
に、これらの二次電子を付加的に検出することができ
る。
【０００９】この既知の検出システムもまた、後方散乱
電子検出器が、電子乗算器の活性領域に衝突する、これ
ら後方散乱電子のみを検出するばかりでなく、乗算器の
不活性領域に衝突する、これら後方散乱電子、及びフラ
ンジ終端に衝突して二次粒子へと変換された、これら後
方散乱電子をも検出することを保証するための一般的な
環状の電極を含む。
【００１０】米国特許番号Ａ−５，４６６，９４０は、
更に電子検出器が光学柱内に配置された構成を開示す
る。この装置の対物レンズは、試験片から放出された二
次電子を電子検出器に向けて加速する電磁レンズを備え
る。
【００１１】米国特許番号Ａ−４，３０８，４５７は、
更に電子顕微鏡中の試験片から放出された後方散乱電子
を検出するための装置であって、試験片から放出された
後方散乱電子を二次電子に変換する変換器を備えた装置
を開示する。
【００１２】本発明は、単純な配置によって高められた
コントラスト情報を有する請求項１の前文による粒子ビ
ーム装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的は、請求項１の
特徴によって解決される。
【００１４】本発明の他の実施形態は、従属項の議題で
ある。
【００１５】発明によれば、粒子ビーム装置は、一次ビ
ーム軸に沿って一次粒子ビームを供給する源と、粒子を
試験片から放出させるために一次粒子ビームの焦点を試
験片に合わせ、試験片から粒子（６）を放出させるよう
に、一次粒子ビームが試験片（５）に衝突する前に、第
１の高いエネルギーから第２の最終エネルギーへと一次
粒子ビーム（２）を減速するための対物レンズと、画像
生成のための検出システムとを有し、前記検出システム
は、放出された加速された粒子を二次粒子へ変換するた
めの変換領域を有する変換手段と、変換された二次粒子
に作用するための電極手段と、変換された二次粒子を検
出するための少なくとも一つの検出器とを備え、前記放
出された粒子が検出システム（７）に到達する前に対物
レンズによって加速される。
【００１６】変換手段及び電極手段の間の適切な電圧
が、変換領域の特定の部分又は複数の部分から放出され
た変換された二次粒子が検出器に到達することから防ぐ
ように、変換された二次粒子を制御するために変換手段
及び電極手段が適用される。
【００１７】変換手段が、一次粒子ビームのための少な
くとも一つの開口部を有する変換板によって形成される
ことが好ましい。変換板は、通常導電材料で作られ、一
次粒子ビームのために必要とされる開口部は、非常に小
さく、典型的に５００μｍよりも小さい。したがって、
この領域の試験片から放出された粒子の損失は、著しく
減少した。
【００１８】コントラスト情報を改善するために、放出
された粒子が変換手段に衝突した場所を区別すること、
言い換えると、変換領域の特定の部分又は複数の部分に
おいて変換された、これらの粒子の信号を評価すること
が必要である。変換領域の興味深い点は、変換手段の内
部又は外部環状領域にある。変換領域の異なる箇所が環
状セグメントの形状を有してもよい。
【００１９】従来技術においては、異なる検出器を用い
ることによってこれらの情報が得られた。本発明によれ
ば、この情報は、変換手段及び電極手段の間の適切な電
圧が、変換領域の特定の部分又は複数の部分から放出さ
れた変換された二次粒子が検出器に到達することから防
ぐように、変換された二次粒子を制御するために変換手
段及び電極手段が適用されることによって得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１による粒子ビーム装置は、一
次ビーム軸３に沿って一次粒子ビーム２を供給するため
の源１と、粒子６を試験片から放出させるために一次粒
子ビームの焦点を試験片５に合わせる対物レンズ４と、
前記放出された粒子６を検出する検出システム７とを備
える。
【００２１】検出システム７は、放出された粒子を二次
粒子８に変換するための変換領域を有する変換手段７０
と、変換された二次粒子８に作用するための電極手段７
１と、変換された二次粒子８を検出するための少なくと
も一つの検出器７２とを備える。
【００２２】変換手段７０及び電極手段７１は、変換手
段及び電極手段との間の適切な電圧が、変換領域の特定
の部分又は複数の部分から放出された変換された二次粒
子８が検出器７２に到達することを防ぐように、変換さ
れた二次粒子８を制御するために適用される。検出シス
テム７の異なった実施形態を、図２から６を参照して下
記に説明する。
【００２３】粒子ビーム装置は、更に中間の加速度を有
する陽極９を備える。レンズ、スティグメータ、真空室
等のような粒子ビーム装置の他の全ての部分は、説明を
単純にするために示さない。
【００２４】粒子を試験片から放出させるように、一次
粒子ビームが試験片５に衝突する前に、第１の高いエネ
ルギーから第２の最終エネルギーへと一次粒子ビーム２
を減速するために対物レンズ４は、液浸レンズによって
形成されることが好ましい。前記放出された粒子６は、
検出システムに到達する前に液浸レンズによって加速さ
れる。液浸レンズは、図１に開示した静電又は複数の静
電磁レンズの組み合わせのいずれかである。
【００２５】しかしながら、対物レンズ４及び試験片５
の間に一次粒子ビームのための減速領域を設けることも
可能である。
【００２６】源１は、小さい仮想の源の寸法を有する電
界放出銃又は熱電界放出銃であることが好ましい。変換
手段７０は、一次粒子ビームのための少なくとも一つの
開口部を有する変換板によって形成される。開放部は、
一次粒子ビームのためのシステムアパーチャとして用い
られることが好ましい。これは、変換手段７０の開口
が、最大検出効率を保証する最小可能な寸法を有するこ
とを確実にする。変換手段７０は、図１から６に開示さ
れたような中央穴７０ａを有するアパーチャ板によって
実現されてもよい。しかし、光学軸３から離れた少なく
とも一つの開口部によって実現されてもよい。
【００２７】一次粒子ビーム性能及び変換機の二次粒子
生産高の両方に悪影響を与える一次粒子ビーム及び／又
は放出された粒子６による汚染を避けるために、変換手
段７０及び／又は別のビームアパーチャが加熱される。
図１は、レーザービームを用いた変換手段７０のための
二つの加熱装置１０を示す。しかしながら、温度を上昇
するために他のどの構成を使用してもよい。
【００２８】放出された粒子６は、液浸レンズによって
数ＫｅＶ（典型的に５Ｋｅｖ及び１５ＫｅＶ）のエネル
ギーに加速される。変換手段７０の表面は、このエネル
ギーの範囲内で大きな二次粒子生産高を有する材料で作
られなければならない。このエネルギーの範囲内におけ
るビームエネルギー分布内に対するその二次粒子生産高
において、その第２の交差点を有する材料であることが
好ましい。適した材料は、２０より大きい原子番号を有
する金、モリブデン、及びプラチナのような金属であ
る。
【００２９】二次粒子生産高を増加するためには、変換
手段が粗い表面を有することが好ましい。
【００３０】図２は、放出された粒子の方向における検
出システムの概略図を示す。変換手段は、一次粒子ビー
ムのための中央穴７０ａを有する変換板によって形成さ
れる。電極手段は、可変電圧Ｕ１が印加されることが可
能な環状電極７１．１によって形成される。変換手段７
０に可変電圧Ｕ０が供給されてもよい。電極７１．１
は、放出された粒子が貫通して変換手段７０に到達する
ことを許す格子電極によって形成される。変換手段７０
の変換領域は、電極７１．１によって覆われた第１の環
状部及び電極７１．１によって覆われていないアパーチ
ャ７０ａの周囲の円の第２の部分を備える。
【００３１】変換手段７０及び電極７１．１の間に適切
な電圧を印加することによって、（電極７１．１によっ
て覆われた）変換領域の外部環状部から放出された、こ
れら変換された二次粒子が、検出器７２に到達すること
を防止することが可能となる。これら変換された二次粒
子を抑えるために、電圧Ｕ０が零である間、電極７１．
１に負の電圧Ｕ１を印加してもよい。電圧Ｕ１が正であ
る場合、全ての変換された二次粒子が正の格子電極によ
って集められる。この格子電極７１．１を貫通した後、
二次粒子８は、（例えば、シンチレータ／光学増倍器の
構成などの）従来の二次電子検出器であってもよい検出
器７２によって検出される。格子電極に正の又は負の電
圧を印加することによって、格子電極７１．１によって
覆われた変換手段７０のこの特別な部分への寄与が制御
できる。格子電極７１．１への零の電圧又は正の電圧
は、変換手段７０から出発した全ての二次粒子が検出器
に到達して信号に寄与することを保証する。負の電圧
（典型的に−２Ｖから−５０Ｖ）は、変換された二次電
子を抑え、結果的に制御電極手段によって覆われた変換
器の複数の部分が、検出される信号に寄与することがで
きなくなる。
【００３２】正常な表面の結像が実施された場合、電極
７１．１は、零又はわずかに正である。これは、全ての
変換された二次粒子を検出手段７２によって検出するこ
とができることを意味する。接触穴の内部を結像しなけ
ればならない場合、負の電圧Ｕ１が電極７１．１に印加
される。したがって、電極７１．１によって覆われてい
ない変換器の内部において変換された二次粒子のみが検
出される信号に寄与する。
【００３３】図３による第２の実施形態は、可変電圧Ｕ
２及びＵ３が印加可能な２つの電極７１．２及び７１．
３を有する電極手段を示す。内部電極７１．３は、円形
の形状を有し、電極７１．２は、環状の形状を有する。
両方の電極は、一次ビーム軸に対して垂直な面に同心円
に配置される。
【００３４】図３による実施形態の利点は、電極７１．
３によって覆われた内部円形部において放出された、こ
れら変換された二次粒子が検出器に到達することを防止
することが可能なことである。したがって、変換領域の
外部環状部において放出された、これら変換された二次
粒子のみが検出器７２に到達する。もちろん内部円形部
において放出された二次粒子を検出するために、変換手
段の外部環状部の、これら変換された二次粒子を抑える
ことも可能である。
【００３５】図４は、可変電圧Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６、Ｕ７
を印加することが可能な、角度で区分された４つの電極
７１．４、７１．５、７１．６、及び７１．７を有する
実施形態を開示する。全ての角度セグメントは、穴７０
ａの周囲の円形部を除いた変換手段７０の変換領域の全
体を覆う。このような配置によって、１つ又は１つ以上
のセグメントの情報に加えて、内部の円の変換された粒
子から情報を得ることが可能となる。
【００３６】結像／測定の作業に応じて、例えば１つよ
り多い環状の電極、又はほぼ４つの環状セグメント電
極、又は双方の配置の組み合わせなどの他の電極の配置
が可能である。
【００３７】図５ａ−５ｃは、電極手段がリング電極７
１．９によって実現される検出システムの他の実施形態
を示す。このリング電極に可変電圧Ｕ０１、Ｕ０２、Ｕ
０３、・・・・を印加することができる。電圧Ｕ０１＝
０である場合、全ての変換された二次粒子８が検出器７
２に到達する。負の電圧Ｕ０２を印加することによっ
て、変換手段７０の外部リングにおいて変換された、こ
れら二次粒子８が検出器に到達することを防ぐことがで
きる。更に高い負の電圧Ｕ０３（図５ｃ）を印加するこ
とによって、光学軸３の周囲の内部円において放出され
た以外の全ての変換された二次粒子を抑えることができ
る。したがって、電圧を変化させることで変換手段の変
換領域をなめらかに変えることができる。
【００３８】図２及び５による実施形態は、２つの検出
器７２を開示する。一方、図３による実施形態は、１つ
の検出器のみを備える。図４において各角度セグメント
電極は、それぞれ対応する検出器７２を有する。しかし
ながら、他のどのような適切な数の検出器を、開示され
た実施形態と組み合わせてもよい。
【００３９】図６による変換手段７０．１及び制御電極
７１．８は、信号検出効率を改善するため、及び一次粒
子ビームを検出器の電圧の影響から保護するように形作
られている。変換器及び／又は制御電極は、球状、円
錐、又は他の形状を有してもよい。
【００４０】電極手段７１は、試験片及び変換手段７０
の距離の１０％よりも小さい、変換手段７０からの距離
に配置されることが好ましい。
【００４１】対物レンズ４は、一次粒子ビーム２の方向
に対して対物レンズの終端に配置された制御電極４ａを
備えてもよい（図１参照）。適切な負の電圧Ｕｋを印加
することによって、試験片５から放出された二次電子を
抑えることができる。したがって、後方散乱電子画像を
造るのは、変換手段７０に到達する後方散乱電子のみで
ある。
【００４２】０Ｖ又は正の電圧を制御電極４ａに印加す
ることによって、後方散乱電子ばかりでなく試験片５か
ら放出された二次電子も変換手段７０に到達する。しか
しながら、二次電子の占める割合が非常に高いので、試
験片５から放出された二次電子に基づいて画像を受け取
ることが可能である。
【００４３】
【発明の効果】粒子ビーム装置は、検出システム内にお
いて複雑な光学構成要素を避けた単純な構成を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、粒子ビーム装置の好ましい実施形態の概略
図である。
【図２】は、検出システムの第１の実施形態の概略の底
面図を示す。
【図３】は、検出システムの第２の実施形態の概略の底
面図を示す。
【図４】は、検出システムの第３の実施形態の概略の底
面図を示す。
【図５】は、検出システムの第４の実施形態の概略の側
面図を示す。
【図６】は、検出システムの第５の実施形態の概略の側
面図を示す。
【符号の説明】
１・・・源、２・・・一次粒子、３・・・一次ビーム
軸、４・・・対物レンズ、５・・・試験片、６・・・粒
子、７・・・検出システム、８・・・二次粒子、９・・
・陽極９、１０・・・加熱装置、７０・・・変換手段、
７０ａ・・・開口部、７１・・・電極手段、７１．１、
７１．２、７１．３、７１．４、７１．５、７１．６、
７１．７、７１．８・・・電極、７２・・・検出器、Ｕ
０、Ｕ１、Ｕ ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６、Ｕ７・・・
可変電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/09 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一次ビーム軸（３）に沿って一次粒子ビ
    ーム（２）を供給する源（１）と、 粒子（６）を試験片から放出させるために一次粒子ビー
    ムの焦点を試験片（５）に合わせ、試験片から粒子
    （６）を放出させるように、一次粒子ビームが試験片
    （５）に衝突する前に、第１の高いエネルギーから第２
    の最終エネルギーへと一次粒子ビーム（２）を減速する
    ための対物レンズ（４）と、 画像生成のための検出システム（７）とを有し、前記検
    出システムは、 放出された粒子（６）を二次粒子（８）へ変換するため
    の変換領域を有する変換手段（７０）と、 変換された二次粒子に作用するための電極手段（７１）
    と、変換された二次粒子（８）を検出するための少なく
    とも一つの検出器（７２）とを備え、 前記放出された粒子が検出システム（７）に到達する前
    に対物レンズによって加速される粒子ビーム装置であっ
    て、変換手段及び電極手段の間の適切な電圧が、変換領
    域の特定の部分又は複数の部分から放出された変換され
    た二次粒子が検出器（７２）に到達することから防ぐよ
    うに、変換された二次粒子（８）を制御するために変換
    手段（７０）及び電極手段（７１）が適用されたことを
    特徴とする粒子ビーム装置。
  2. 【請求項２】 変換手段（７０）及び／又は電極手段
    （７１）に可変電圧が印加されたことを特徴とする請求
    項１に記載の粒子ビーム装置。
  3. 【請求項３】 試験片（５）から放出された粒子（６）
    が、放出された二次電子であることを特徴とする請求項
    １に記載の粒子ビーム装置。
  4. 【請求項４】 対物レンズ（４）及び試験片（５）の間
    に一次粒子ビーム（２）のための減速領域があることを
    特徴とする請求項１に記載の粒子ビーム装置。
  5. 【請求項５】 変換手段（７０）が、一次粒子ビーム
    （２）のための少なくとも一つの開口部（７０ａ）を有
    する変換板によって形成されたことを特徴とする請求項
    １に記載の粒子ビーム装置。
  6. 【請求項６】 変換手段（７０）が、一次粒子ビームの
    ためのシステムアパーチャとして用いられる少なくとも
    一つの開口部（７０ａ、７０．１ａ）を有する変換板に
    よって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の粒
    子ビーム装置。
  7. 【請求項７】 変換手段（７０）が、一次粒子ビームの
    ためのシステムアパーチャとして用いられる中央穴（７
    ０ａ）を有する変換板によって形成されたことを特徴と
    する請求項１に記載の粒子ビーム装置。
  8. 【請求項８】 電極手段（７１）が、可変電圧が印加可
    能な少なくとも二つの制御電極を有することを特徴とす
    る請求項１に記載の粒子ビーム装置。
  9. 【請求項９】 制御電極手段（７１）が、一次ビーム軸
    （３）に対して垂直な面に延びることを特徴とする請求
    項１に記載の粒子ビーム装置。
  10. 【請求項１０】 制御電極手段（７１）が、少なくとも
    一つの格子電極によって形成されたことを特徴とする請
    求項１に記載の粒子ビーム装置。
  11. 【請求項１１】 制御電極手段（７１）が、可変電圧が
    印加可能な、少なくとも一つのアパーチャ板電極によっ
    て形成されたことを特徴とする請求項１に記載の粒子ビ
    ーム装置。
  12. 【請求項１２】 制御電極手段（７１）が、リング電極
    （７１．９）によって形成されたことを特徴とする請求
    項１に記載の粒子ビーム装置。
  13. 【請求項１３】 変換手段（７０）が、一次ビーム軸
    （３）に対して垂直に配置された変換板によって形成さ
    れ、一次粒子ビームのための少なくとも一つの開口部
    （７０ａ；７０．１ａ）を有し、制御電極手段（７１）
    が、一次ビーム軸（３）に対して垂直な面に延び、制御
    電極手段が、放出された粒子（６）の方向の少なくとも
    変換板の一部を覆うことを特徴とする請求項１に記載の
    粒子ビーム装置。
  14. 【請求項１４】 制御電極手段（７１）が、少なくとも
    一つの環状電極から形成されたことを特徴とする請求項
    １に記載の粒子ビーム装置。
  15. 【請求項１５】 制御電極手段（７１）が、数個の角度
    セグメント電極によって形成されたことを特徴とする請
    求項１に記載の粒子ビーム装置。
  16. 【請求項１６】 制御電極手段が（７１）が、試験片
    （５）及び変換手段（７０）の間の距離の１０％よりも
    小さい、変換手段（７０）からの距離に配置されたこと
    を特徴とする請求項１に記載の粒子ビーム装置。
  17. 【請求項１７】 変換手段（７０）を加熱するための加
    熱装置（１０）によって特徴づけられた請求項１に記載
    の粒子ビーム装置。
  18. 【請求項１８】 変換手段（７０）が、粗い表面を有す
    ることを特徴とする請求項１に記載の粒子ビーム装置。
  19. 【請求項１９】 変換手段（７０）の表面が、２０より
    大きい原子番号を有する材料によって作られたことを特
    徴とする請求項１に記載の粒子ビーム装置。
  20. 【請求項２０】 後方散乱画像を造るために試験片
    （５）から放出された二次電子を抑えるために、適切な
    電圧（Ｕｋ）が印加可能な、試験片（５）及び対物レン
    ズ（４）との間に配置された制御電極（４ａ）があるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の粒子ビーム装置。
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