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JP2002033051A - Gas discharge panel manufacturing method and gas discharge panel - Google Patents

Gas discharge panel manufacturing method and gas discharge panel

Info

Publication number
JP2002033051A
JP2002033051A JP2000214001A JP2000214001A JP2002033051A JP 2002033051 A JP2002033051 A JP 2002033051A JP 2000214001 A JP2000214001 A JP 2000214001A JP 2000214001 A JP2000214001 A JP 2000214001A JP 2002033051 A JP2002033051 A JP 2002033051A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas discharge
heating
discharge panel
manufacturing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000214001A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shin Ando
伸 安藤
Hideji Kawarasaki
秀司 河原崎
Shunichi Iketa
俊一 井桁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2000214001A priority Critical patent/JP2002033051A/en
Publication of JP2002033051A publication Critical patent/JP2002033051A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ管封止切り工程において、パネルが局
部的に加熱されることによる不具合を回避することがで
きる等により品質の良いガス放電パネルを得ることがで
きるガス放電パネルの製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 チップ管封止切り工程において、加熱部
8とバック基板2との間に、円筒形状の断熱材9を熱量
軽減部として設け、加熱部8のからバック基板2に伝わ
る輻射熱の多くを断熱材9によって遮断することによ
り、バック基板2に伝わる熱量を大幅に軽減している。
(57) Abstract: A gas discharge panel capable of obtaining a high-quality gas discharge panel by, for example, avoiding a problem caused by local heating of a panel in a chip tube sealing and cutting process. It is an object of the present invention to provide a method for producing the same. SOLUTION: In a chip tube sealing and cutting step, a cylindrical heat insulating material 9 is provided between a heating unit 8 and a back substrate 2 as a heat amount reducing unit, and much of radiant heat transmitted from the heating unit 8 to the back substrate 2 is provided. By the heat insulating material 9, the amount of heat transmitted to the back substrate 2 is greatly reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はガス放電パネルの
製造方法に関し、特にガス放電用空間の配管部材の封止
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a gas discharge panel, and more particularly to a method for sealing a pipe member in a gas discharge space.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、ガス放電パネルの一つとして
はAC型のプラズマディスプレイパネル(以下、「PD
P」,「パネル」と略す場合あり。)が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an AC type plasma display panel (hereinafter, referred to as "PD") has been used as one of the gas discharge panels.
P "," panel ". )It has been known.

【0003】図6は、従来のPDPの構造を模式的に示
す断面斜視図であり、手前は断面構造を示した斜視図と
なっている。同図に示すように、外囲器3は主としてフ
ロント基板(表示面側基板)1及びバック基板2(背面
側基板)で構成される。フロント基板1とバック基板2
とは互いに対向配置されており、両基板1,基板2間に
おける4隅の外周端縁部に設けられる封着部材4によっ
て両基板1,2間が封着されることにより、フロント基
板1,バック基板2間にガス放電用空間が形成される。
このガス放電用空間に、300Torrから500Torrの希
ガス(ネオン及びキセノンの混合ガス)が封入される。
FIG. 6 is a cross-sectional perspective view schematically showing the structure of a conventional PDP, and the front is a perspective view showing the cross-sectional structure. As shown in FIG. 1, the envelope 3 mainly includes a front substrate (display-side substrate) 1 and a back substrate 2 (back-side substrate). Front board 1 and back board 2
Are opposed to each other, and are sealed between the two substrates 1 and 2 by a sealing member 4 provided at the outer peripheral edge of the four corners between the two substrates 1 and 2 so that the front substrates 1 and 2 are sealed. A space for gas discharge is formed between the back substrates 2.
A rare gas (mixed gas of neon and xenon) of 300 Torr to 500 Torr is sealed in the gas discharge space.

【0004】フロント基板1は、フロントパネルガラス
(図示せず)と、そのフロントパネルガラス上にパター
ン形成された表示電極(図示せず)と、それを覆う様に
形成された誘電体膜(図示せず)と、その上に形成され
るMgO保護膜(図示せず)とから構成される。
The front substrate 1 includes a front panel glass (not shown), display electrodes (not shown) patterned on the front panel glass, and a dielectric film (see FIG. 1) formed so as to cover the front panel glass. ) And an MgO protective film (not shown) formed thereon.

【0005】一方、バック基板2は、バックパネルガラ
ス(図示せず)と、バックパネルガラスの表面にパター
ン形成されたアドレス電極(データ電極,(図示せ
ず))と、それを覆うように成膜形成された誘電体(図
示せず)と、複数のリブからなる隔壁5と、それらリブ
同士の間に塗布されたRGBの蛍光体(図示せず)とか
ら構成される。
On the other hand, the back substrate 2 includes a back panel glass (not shown), address electrodes (data electrodes, not shown) patterned on the surface of the back panel glass, and covers the back electrode. It is composed of a film-formed dielectric (not shown), a partition 5 composed of a plurality of ribs, and an RGB phosphor (not shown) applied between the ribs.

【0006】次に、このような構造のPDPの従来の製
造方法について説明する。
Next, a conventional method of manufacturing a PDP having such a structure will be described.

【0007】フロント基板1、バック基板2間の4隅の
外周端縁部に低融点ガラス等の封着部材4を塗布した
後、焼成することでフロント基板1,バック基板2間を
封着する。その結果、封着部材4によって外部から密閉
されたガス放電用空間がフロント基板1,バック基板2
間に形成される。
[0007] A sealing member 4 such as low melting point glass is applied to the outer peripheral edges of the four corners between the front substrate 1 and the back substrate 2 and then fired to seal between the front substrate 1 and the back substrate 2. . As a result, the space for gas discharge sealed from the outside by the sealing member 4 is divided into the front substrate 1 and the back substrate 2.
Formed between them.

【0008】そして、バック基板2の一部上に設けら
れ、内部に通気口を有するチップ管6より真空引き(排
気)をして、希ガスを封入した後、チップ管6内の通気
口を閉塞(チップオフ)して、PDPを完成させること
ができる。
Then, after evacuating (evacuating) the chip tube 6 provided on a part of the back substrate 2 and having a ventilation hole therein to fill a rare gas, the ventilation hole in the chip tube 6 is closed. The PDP can be completed by closing (chip-off).

【0009】図7はチップ管6及び外囲器3の断面構造
を示す断面図である。以下、図7を参照して、チップ管
6を用いた希ガスの封入と、チップオフについて更に詳
細に述べる。図7に示すように、チップ管6の通気口1
6はバック基板2に設けられた貫通孔2aを介してガス
放電用空間17に通じている。
FIG. 7 is a sectional view showing a sectional structure of the tip tube 6 and the envelope 3. Hereinafter, the sealing of the rare gas using the tip tube 6 and the tip-off will be described in more detail with reference to FIG. As shown in FIG.
Numeral 6 communicates with a gas discharge space 17 through a through hole 2 a provided in the back substrate 2.

【0010】まず、ガス封入後の外囲器3であるPDP
を製造する際には、バック基板2に設けられた貫通孔2
aを通じて外囲器3内のガス放電用空間と連通する通気
口16を有するチップ管6をバック基板2上の所定位置
に取り付ける。
First, the PDP which is the envelope 3 after gas filling is used.
When manufacturing the substrate, the through holes 2 provided in the back substrate 2
A chip tube 6 having a vent 16 communicating with a gas discharge space in the envelope 3 through a is attached to a predetermined position on the back substrate 2.

【0011】次に、このチップ管6を介して、ガス放電
用空間に対する排気処理及び放電ガスの封入処理を実行
した後、チップ管6の通気口16を封止することにより
外囲器3のガス放電用空間17を外部から密封する。
Next, after the gas discharge space is evacuated and the discharge gas is sealed through the chip tube 6, the vent hole 16 of the chip tube 6 is sealed to form the envelope 3. The gas discharge space 17 is sealed from the outside.

【0012】チップ管6の通気口16の封止処理の際、
上記ガス放電用空間に対する排気処理時及び放電ガスの
封入処理時に使用されたチップ管6の通気口16を閉塞
して封止切ったパネル側残部がバック基板2上に残る。
図8はパネル側残部を示す説明図であり、パネル側残部
のみ断面構造を示している。
At the time of sealing the vent 16 of the tip tube 6,
The panel-side remaining portion, which is closed and cut off by closing the ventilation port 16 of the chip tube 6 used at the time of the exhaust process and the process of filling the discharge gas into the gas discharge space, remains on the back substrate 2.
FIG. 8 is an explanatory view showing the remaining portion on the panel side, and shows a cross-sectional structure of only the remaining portion on the panel side.

【0013】同図に示すように、パネル側残部11は封
止部材4と同等若しくは類似した材料を含む封止材料7
を用いて密閉性を保ちながらバック基板2上に接着され
たまま残っている。
As shown in FIG. 1, the panel-side remaining portion 11 is made of a sealing material 7 containing a material equivalent or similar to that of the sealing member 4.
And remains adhered on the back substrate 2 while maintaining the airtightness.

【0014】チップ管封止切りの熱源としては、ガスバ
ーナ・電気ヒータ・高周波加熱器等の加熱部が用いられ
る。加熱部として(中空の)円筒状の電気封止治具を用
いる場合、電気封止治具の中心部をチップ管が貫通する
に電気封止治具をバック基板2上に配置する。
As a heat source for cutting and sealing the tip tube, a heating unit such as a gas burner, an electric heater, or a high-frequency heater is used. When a (hollow) cylindrical electric sealing jig is used as the heating unit, the electric sealing jig is arranged on the back substrate 2 so that the chip tube passes through the center of the electric sealing jig.

【0015】図9はチップ管6に円筒状の加熱部8を上
述のように配置したチップ管6の軸方向の部分断面構造
を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing a partial cross-sectional structure in the axial direction of the tip tube 6 in which the cylindrical heating section 8 is arranged on the tip tube 6 as described above.

【0016】通常、PDPの封入ガスの圧力は300〜
500Torrであるため、外囲器3の内圧よりも大気圧の
方が高い。加熱部8の熱源よりチップ管6の封止切り部
分6a及びその周辺を加熱することにより、チップ管6
の軟化点近くまで温度が上昇すると、大気圧に押される
ような形で材料収縮が生じたチップ管6の封じ切り部分
6aで、チップ管6の内壁部が収縮して通気口が完全に
閉塞される。
Usually, the pressure of the gas filled in the PDP is 300 to
Since the pressure is 500 Torr, the atmospheric pressure is higher than the internal pressure of the envelope 3. By heating the sealing cut portion 6a of the chip tube 6 and its periphery from the heat source of the heating section 8, the chip tube 6
When the temperature rises to near the softening point, the inner wall portion of the tip tube 6 shrinks at the sealing portion 6a of the tip tube 6 in which the material shrinks in such a manner as to be pressed by the atmospheric pressure, and the vent hole is completely closed. Is done.

【0017】チップ管6の封じ切り部分6aが溶融した
結果、図10に示すように、通気口16を完全に閉塞し
た溶融部6bが形成される。チップ管6の溶融部6bが
溶融している状態で、バック基板2と反対方向にチップ
管6に引っ張り応力を加えてチップ管6を封止切るか若
しくは完全に閉塞されたチップ管の溶融部6bの中間部
を切断することにより、図8に示したようなパネル側残
部11を完成させ、ガス封入後外気の混入なく、PDP
をチップ管6を介した排気系及びガス封入系より独立さ
せることができる。
As a result of the melting of the sealing portion 6a of the tip tube 6, as shown in FIG. 10, a molten portion 6b in which the vent 16 is completely closed is formed. In a state where the melting portion 6b of the chip tube 6 is molten, a tensile stress is applied to the chip tube 6 in a direction opposite to the back substrate 2 to seal off the chip tube 6 or to completely melt the chip tube 6 By cutting the middle part of the PDP 6b, the panel-side remaining part 11 as shown in FIG. 8 is completed.
Can be made independent from the exhaust system and the gas filling system via the chip tube 6.

【0018】封入ガスのパネル内圧力(ガス放電用空間
の圧力)がチップ管6の封止切り部分6a周辺の雰囲気
の圧力よりも大きい場合には特開平11−204040
号公報(特願平9−344636)に記載してあるよう
に、パネルを高圧チャンバ内にチップ管部周辺を加圧し
てチップ管近傍の雰囲気の圧力をパネル内のガス封入圧
力より高くして封止を行う。
When the pressure inside the panel of the sealed gas (the pressure in the gas discharge space) is higher than the pressure of the atmosphere around the sealing cut portion 6a of the chip tube 6, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-204040 is disclosed.
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-344636, a panel is pressurized in a high-pressure chamber around the tip tube portion so that the pressure of the atmosphere near the tip tube is higher than the gas filling pressure in the panel. Perform sealing.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】チップ管6の溶融部6
bがプラズマディスプレーパネル面(図10の例ではバ
ック基板2)に近い位置にある場合、チップ管6の封止
切り部分6aを溶融させるための熱がパネル面にも伝わ
ってしまい、その結果、チップ管6の溶融部6bに比較
的近いパネル部分が局部的に加熱されてしまい、パネル
割れの要因となる。
The melting portion 6 of the tip tube 6
When b is located near the plasma display panel surface (the back substrate 2 in the example of FIG. 10), heat for melting the sealing cut portion 6a of the chip tube 6 is transmitted to the panel surface as a result. The panel portion relatively close to the fusion zone 6b of the chip tube 6 is locally heated, which causes panel cracking.

【0020】チップ管6の溶融部6bとパネル面との距
離を十分にとればパネル面に伝わる熱量は減少するが、
その分、封止切ったチップ管長であるパネル側残部11
の形成長が長くなってしまう。
If the distance between the fused portion 6b of the chip tube 6 and the panel surface is sufficiently long, the amount of heat transmitted to the panel surface is reduced.
The panel-side remaining portion 11 that is the length of the chip tube that has been cut off by that amount
The formation length becomes long.

【0021】パネル側残部11はその扱いに非常に注意
を要する存在であり、パネルに対して垂直方向に立設さ
れる突起物として存在するため、パネル側残部11の形
成長が長くなると、後工程であるエージング、基板実
装、パネルモジュール組立て工程及び検査工程等の工程
において、パネル側残部11の扱いに関する規制が多く
なり、後工程の効率を妨げてしまう、という問題点があ
った。
The panel-side remaining portion 11 needs to be handled with great care, and is present as a projection that stands upright in the vertical direction with respect to the panel. In processes such as aging, board mounting, panel module assembling process, and inspection process, there are many regulations on the handling of the panel-side remaining portion 11, which hinders the efficiency of subsequent processes.

【0022】特にチップ管の材質がガラスである場合、
チップ管の温度がガラスの徐冷点に達するとチップ管の
膨張が始まり、さらに温度が上昇するとチップ管は軟化
・溶融する。チップ管溶融時における溶融部と非溶融部
との界面(以下、「溶融部界面」略記する場合あり)近
傍の温度勾配が大きい程、溶融部界面近傍において徐冷
点に達している領域の割合が小さくなるため、徐冷点に
達している領域に応力が集中し、その結果、溶融部界面
近傍に大きな応力が残留する。
Particularly when the material of the tip tube is glass,
When the temperature of the tip tube reaches the annealing point of the glass, expansion of the tip tube starts, and when the temperature further rises, the tip tube softens and melts. The larger the temperature gradient near the interface between the melted portion and the non-melted portion (hereinafter sometimes abbreviated as “melted portion interface”) during the melting of the tip tube, the greater the percentage of the region reaching the annealing point near the melted portion interface Is reduced, stress concentrates in the region reaching the annealing point, and as a result, large stress remains near the interface of the fusion zone.

【0023】チップ管に大きな応力が残留している部分
が存在すると、そこを起点に封止切り時のチップ管割れ
の確率が高くなる。チップ管が割れるとプラズマディス
プレーパネル中のガス放電用空間には外気が混入し、P
DPは正常に発光しなくなる。特にチップ管封止切り工
程においてチップ管が割れなくても、後工程においてあ
る程度の応力が加わればチップ管は割れる可能性が高く
なるので、その扱いは注意が必要となる。
If there is a portion where a large stress remains in the tip tube, the probability of cracking of the tip tube at the time of sealing and cutting increases from that portion. If the chip tube breaks, the outside air enters the gas discharge space in the plasma display panel, and P
DP stops emitting light normally. In particular, even if the chip tube is not broken in the chip tube sealing and cutting step, the chip tube is likely to be broken if a certain amount of stress is applied in a subsequent step, so that care must be taken when handling the chip tube.

【0024】通常プラズマディスプレーパネルのチップ
管封止切りは、軟化したチップ管が大気圧とパネル内圧
力との差圧によって押しつぶされて管の内壁が閉塞した
形となるため、パネル内圧力はチップ管封止切り工程に
大きな影響を与える。
Normally, the tip tube sealing cut of the plasma display panel is in a form in which the softened tip tube is crushed by the differential pressure between the atmospheric pressure and the pressure inside the panel and the inner wall of the tube is closed, so that the pressure inside the panel is reduced by the chip pressure. This has a significant effect on the tube sealing and cutting process.

【0025】例えば、大気圧とパネル内圧力との差圧が
大きいと溶融時に大きな力でチップ管を押しつぶす為、
溶融部には大きなストレスが残留し易い。
For example, if the pressure difference between the atmospheric pressure and the pressure in the panel is large, the tip tube is crushed by a large force during melting,
Large stress tends to remain in the fusion zone.

【0026】逆に大気圧とパネル内圧力との差圧が小さ
いと溶融時に十分にチップ管を押しつぶすことが難しく
チップ管が完全に閉じた状態にならない場合があり、リ
ークの要因となる。
Conversely, if the pressure difference between the atmospheric pressure and the pressure in the panel is small, it is difficult to squeeze the chip tube sufficiently during melting, and the chip tube may not be completely closed, which may cause a leak.

【0027】封止時におけるパネル内のガス圧が大気圧
以上であれば、チップ管は内部のガスによって加圧され
るためチップ管を溶融して封止しようとしてもチップ管
の内径が閉じず、逆に膨張してしまい封止することがで
きない。
If the gas pressure in the panel at the time of sealing is higher than the atmospheric pressure, the inner diameter of the chip tube does not close even if the chip tube is melted and sealed, because the chip tube is pressurized by the gas inside. On the contrary, it expands and cannot be sealed.

【0028】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、チップ管封止切り工程において、チップ
管溶融のために熱源から供給された熱の一部がパネルに
伝わり、その結果、パネルが局部的に加熱されることに
よる不具合を回避することができるPDPの製造方法を
得ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. In a chip tube sealing and cutting step, a part of heat supplied from a heat source for melting a chip tube is transmitted to a panel. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a PDP capable of avoiding a problem caused by local heating of a panel.

【0029】あるいは、チップ管封止切り工程におい
て、チップ管溶融部界面近傍に残留する応力を低減する
PDPの製造方法を得ることを目的とする。
Alternatively, it is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a PDP in which a stress remaining in the vicinity of the interface of a fused portion of a chip tube is reduced in a chip tube sealing and cutting step.

【0030】あるいは、チップ管封止切り工程におい
て、封止に最も適した状態にパネル内の圧力と外気の差
圧を制御するPDPの製造方法を得ることを目的とす
る。
Alternatively, it is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a PDP in which a pressure inside a panel and a pressure difference between outside air are controlled to a state most suitable for sealing in a chip tube sealing and cutting step.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項1
記載のガス放電パネルの製造方法は、一方基板,他方基
板間にガス放電用空間が形成されるガス放電パネルを製
造する方法であって、(a) 前記一方基板上に設けられた
配管部材中の通気口を介して前記ガス放電用空間の排気
及びガス封入動作を行うステップと、(b) 加熱部を用い
た加熱動作によって前記配管部材の加熱領域を溶融し
て、前記配管部材の前記通気口を閉塞するステップとを
備え、前記ステップ(b) は、前記一方基板が前記加熱部
から受ける熱量を軽減させる熱量軽減部を配置しながら
行う。
Means for Solving the Problems Claim 1 according to the present invention.
The method for manufacturing a gas discharge panel according to the above aspect is a method for manufacturing a gas discharge panel in which a gas discharge space is formed between one substrate and the other substrate, wherein (a) a pipe member provided on the one substrate (B) melting the heated area of the pipe member by a heating operation using a heating unit, and performing the ventilation of the pipe member through a vent operation of exhausting the gas discharge space and venting the gas through the vent hole. Closing the mouth, and the step (b) is performed while arranging a calorie reducing unit for reducing the calorie received by the one substrate from the heating unit.

【0032】また、請求項2の発明は、請求項1記載の
ガス放電パネルの製造方法であって、前記熱量軽減部
は、前記加熱部と前記一方基板との間に設けられた断熱
材を含む。
According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel according to the first aspect, the heat reducing portion includes a heat insulating material provided between the heating portion and the one substrate. Including.

【0033】また、請求項3の発明は、請求項1あるい
は請求項2記載のガス放電パネルの製造方法であって、
前記熱量軽減部は、前記加熱部と前記一方基板との間に
前記配管部材に隣接して設けられ、冷却機能を有する冷
却部を含む。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a gas discharge panel according to the first or second aspect,
The heat quantity reducing unit includes a cooling unit provided between the heating unit and the one substrate and adjacent to the piping member, and having a cooling function.

【0034】また、請求項4の発明は、請求項3記載の
ガス放電パネルの製造方法であって、前記冷却部は前記
配管部材の前記一方基板との接合部近傍に設けられる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel according to the third aspect, the cooling unit is provided near a joint of the pipe member with the one substrate.

【0035】この発明に係る請求項5記載のガス放電パ
ネルの製造方法は、一方基板,他方基板間にガス放電用
空間が形成されるガス放電パネルを製造する方法であっ
て、(a) 前記一方基板上に設けられた配管部材中の通気
口を介して前記ガス放電用空間の排気及びガス封入動作
を行うステップと、(b) 加熱部を用いた加熱動作によっ
て前記配管部材の加熱領域を溶融して、前記配管部材の
前記通気口を閉塞するステップとを備え、前記配管部材
は前記一方基板上に立設される配管部材を含み、前記加
熱部は、前記配管部材の立設方向に沿って、前記配管部
材の前記加熱領域に伝わる熱量を変化させて前記加熱動
作を行う。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a gas discharge panel, wherein a space for gas discharge is formed between one substrate and the other substrate. On the other hand, performing a gas discharge space exhaust and gas filling operation through a vent in a pipe member provided on the substrate, and (b) a heating area of the pipe member by a heating operation using a heating unit. Melting, and closing the ventilation port of the pipe member, the pipe member includes a pipe member erected on the one substrate, the heating unit, in the erection direction of the pipe member Along with this, the heating operation is performed by changing the amount of heat transmitted to the heating region of the pipe member.

【0036】また、請求項6の発明は、請求項5記載の
ガス放電パネルの製造方法であって、前記加熱領域は前
記通気口が閉塞される閉塞領域と、前記加熱部の前記加
熱動作によって前記配管部材が溶融状態となる領域と非
溶融状態を維持する領域との境界である溶融部界面を含
み、前記加熱部は、前記立設方向に沿って前記閉塞領域
から前記溶融部界面に近づくに伴い、前記加熱領域に伝
わる熱量が増加することなく少なくとも一部で減少する
ように変化させて前記加熱動作を行う。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel according to the fifth aspect, the heating area is formed by a closed area in which the vent is closed and the heating operation of the heating unit. The pipe member includes a fusion portion interface that is a boundary between a region where the pipe member is in a fusion state and a region where a non-molten state is maintained, and the heating portion approaches the fusion portion interface from the closed region along the upright direction. Accordingly, the heating operation is performed by changing the amount of heat transmitted to the heating region so as to decrease at least partially without increasing.

【0037】また、請求項7の発明は、請求項6記載の
ガス放電パネルの製造方法であって、前記加熱領域は、
前記立設方向に分類される複数の部分加熱領域を含み、
前記加熱部は、前記複数の部分加熱領域に対応して設け
られ、対応の前記部分加熱領域に対して各々が部分加熱
動作を行う複数の部分加熱部を含み、前記複数の部分加
熱部は、前記立設方向に沿って前記閉塞領域から前記溶
融部界面に近づくに伴い、前記複数の部分加熱領域に伝
わる熱量が増加することなく少なくとも一部で減少する
ように、前記部分加熱動作を行う。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel according to the sixth aspect, the heating area is
Including a plurality of partial heating areas classified in the standing direction,
The heating unit is provided corresponding to the plurality of partial heating regions, includes a plurality of partial heating units each performing a partial heating operation for the corresponding partial heating region, the plurality of partial heating units, The partial heating operation is performed such that the amount of heat transmitted to the plurality of partial heating regions decreases at least partially without increasing as the distance from the closed region to the interface of the fusion zone is approached along the upright direction.

【0038】また、請求項8の発明は、請求項7記載の
ガス放電パネルの製造方法であって、前記複数の部分加
熱部と前記複数の部分加熱領域との熱輻射に要する距離
はそれぞれ同一に設定され、前記複数の部分加熱部は、
前記複数の部分加熱領域が前記閉塞領域から前記溶融部
界面に近づくに伴い、その発生熱量が増加することなく
少なくとも一部で減少するように、前記部分加熱動作を
行う。
According to an eighth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel according to the seventh aspect, the distance required for heat radiation between the plurality of partial heating sections and the plurality of partial heating areas is the same. Is set to, the plurality of partial heating units,
As the plurality of partial heating regions approach the fusion zone interface from the closed region, the partial heating operation is performed so that the amount of generated heat decreases at least partially without increasing.

【0039】また、請求項9の発明は、請求項7記載の
ガス放電パネルの製造方法であって、前記複数の部分加
熱部それぞれの発生熱量は同一に設定され、前記複数の
部分加熱部は、前記複数の部分加熱部と前記複数の部分
加熱領域との熱輻射に要する距離が、前記閉塞領域から
前記溶融部界面に近づくに伴い、短縮されることなく少
なくとも一部で延長されるように、前記配管部材に対し
て配置される。
According to a ninth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel according to the seventh aspect, the generated heat amounts of the plurality of partial heating units are set to be the same, and the plurality of partial heating units are The distance required for heat radiation between the plurality of partial heating sections and the plurality of partial heating areas is increased at least in part without being shortened as the distance from the closed area to the interface of the fusion zone increases. , Disposed with respect to the piping member.

【0040】また、請求項10の発明は、請求項7ない
し請求項9のうち、いずれか1項に記載のガス放電パネ
ルの製造方法であって、前記複数の部分加熱部は、前記
溶融部界面及びその近傍の温度が前記配管部材の徐冷点
に達するように前記部分加熱動作を行う。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a gas discharge panel according to any one of the seventh to ninth aspects, wherein the plurality of partial heating sections are provided in the melting section. The partial heating operation is performed such that the temperature of the interface and the vicinity thereof reaches the annealing point of the pipe member.

【0041】この発明に係る請求項11記載のガス放電
パネルの製造方法は、一方基板,他方基板間にガス放電
用空間が形成されるガス放電パネルを製造する方法であ
って、(a) 前記一方基板上に設けられた配管部材中の通
気口を介して前記ガス放電用空間の排気及びガス封入動
作を行うステップと、(b) 加熱部を用いた加熱動作によ
って前記配管部材の加熱領域を溶融して、前記配管部材
の前記通気口を閉塞するステップとを備え、前記ステッ
プ(b) は、前記ガス放電用パネル全体を加熱あるいは冷
却しながら行う。
A method for manufacturing a gas discharge panel according to claim 11, which is a method for manufacturing a gas discharge panel in which a gas discharge space is formed between one substrate and the other substrate, wherein: On the other hand, performing a gas discharge space exhaust and gas filling operation through a vent in a pipe member provided on the substrate, and (b) a heating area of the pipe member by a heating operation using a heating unit. Melting and closing the vent of the pipe member, and the step (b) is performed while heating or cooling the entire gas discharge panel.

【0042】また、請求項12記載のガス放電パネル
は、請求項1ないし請求項11のうち、いずれか1項に
記載のガス放電パネルの製造方法によって製造される。
A gas discharge panel according to a twelfth aspect is manufactured by the method for manufacturing a gas discharge panel according to any one of the first to eleventh aspects.

【0043】[0043]

【発明の実施の形態】<実施の形態1>図1はこの発明
の実施の形態1であるPDPの製造方法のチップ管封止
切り工程を示す説明図であり、チップ管及びその周辺部
の軸方向の断面構造を示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <Embodiment 1> FIG. 1 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step of a method of manufacturing a PDP according to Embodiment 1 of the present invention. 3 shows an axial cross-sectional structure.

【0044】チップ管封止切り工程において、電気封止
治具等の加熱部によってチップ管封止切り部分及びその
周辺を加熱して、チップ管の加熱領域の温度を軟化点近
くまで上昇させて加熱領域を溶融状態にすることによ
り、大気圧に押されるような形でチップ管に材料収縮が
生じさせた結果、チップ管の封止切り部分は通気口の内
壁部が収縮して完全に閉塞される。
In the chip tube sealing cutting step, the chip tube sealing cut portion and its surroundings are heated by a heating portion such as an electric sealing jig to raise the temperature of the heating region of the chip tube to near the softening point. By making the heated area into a molten state, material shrinkage occurs in the tip tube in a way that it is pushed to the atmospheric pressure, and as a result, the sealing cut part of the tip tube shrinks completely and the inner wall of the vent hole is completely closed Is done.

【0045】図1に示すように、実施の形態1はチップ
管封止切り工程の際に、加熱部8とバック基板2との間
に、(中空の)円筒形状の断熱材9を熱量軽減部として
設けている。断熱材9は加熱部8同様、その中心部をチ
ップ管6が貫通するように配置される。
As shown in FIG. 1, in the first embodiment, a (hollow) cylindrical heat insulating material 9 is provided between the heating unit 8 and the back substrate 2 to reduce the amount of heat during the chip tube sealing and cutting step. It is provided as a part. The heat insulating material 9 is arranged so that the chip tube 6 penetrates the center thereof, similarly to the heating unit 8.

【0046】したがって、チップ管封止切り工程におい
て、熱源である加熱部8のからバック基板2に伝わる輻
射熱の多くは断熱材9によって遮断されるため、バック
基板2に伝わる熱量を大幅に軽減することができる。
Therefore, in the chip tube sealing and cutting step, most of the radiant heat transmitted from the heating section 8 as the heat source to the back substrate 2 is blocked by the heat insulating material 9, so that the amount of heat transmitted to the back substrate 2 is greatly reduced. be able to.

【0047】したがって、実施の形態1の方法は、加熱
部8とバック基板2の間に断熱材9を設けない従来の方
法に比べて、パネル割れの要因となる加熱部からの輻射
熱によるバック基板2の局部的な温度上昇を効果的に抑
えることができ、品質の良いPDPを得ることができ
る。
Therefore, the method of the first embodiment is different from the conventional method in which the heat insulating material 9 is not provided between the heating unit 8 and the back substrate 2, in that the back substrate due to the radiant heat from the heating unit, which causes panel cracking, is used. 2 can effectively suppress a local temperature rise, and a PDP of good quality can be obtained.

【0048】<実施の形態2>図2はこの発明の実施の
形態2であるPDPの製造方法のチップ管封止切り工程
を示す説明図であり、チップ管及びその周辺部の軸方向
の断面構造を示している。
<Embodiment 2> FIG. 2 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step of a method of manufacturing a PDP according to Embodiment 2 of the present invention. Shows the structure.

【0049】同図に示すように、チップ管封止切り工程
において、バック基板2とチップ管6との接合部近傍
(封止材料7の形成領域近傍)に、水冷パイプ等の冷却
機能を有し、リング状の冷却部10を熱量軽減部として
配置している。冷却部10は、その中心部をチップ管6
が貫通し、かつチップ管6と隣接するように配置され
る。
As shown in the figure, in the chip tube sealing and cutting step, a cooling function such as a water-cooled pipe is provided near the joint between the back substrate 2 and the chip tube 6 (near the region where the sealing material 7 is formed). In addition, the ring-shaped cooling section 10 is arranged as a heat quantity reducing section. The cooling unit 10 has a chip tube 6 at its center.
Are arranged so as to penetrate and be adjacent to the tip tube 6.

【0050】同図に示すように、実施の形態2はチップ
管封止切り工程の際に、チップ管6に隣接して冷却部1
0を配置することにより、チップ管溶融部からチップ管
6経由でバック基板2を伝わる熱量を軽減することがで
きる。
As shown in the figure, in the second embodiment, the cooling unit 1
By arranging 0, the amount of heat transmitted from the melting portion of the chip tube to the back substrate 2 via the chip tube 6 can be reduced.

【0051】さらに、バック基板2とチップ管6との接
合部近傍領域を冷却部10によって冷却することによ
り、チップ管溶融部からチップ管6経由でバック基板2
を伝わる熱量を最も効果的に軽減することができる。
Further, by cooling the region near the joint between the back substrate 2 and the chip tube 6 by the cooling unit 10, the back substrate 2 is melted from the chip tube melting portion via the chip tube 6.
Can be reduced most effectively.

【0052】したがって、実施の形態2の方法は、冷却
部10を設けないでチップ管封止切り工程を実行する従
来の方法に比べて、パネル割れの要因となるチップ管溶
融部からのバック基板2への伝導熱によるパネルの局部
的温度上昇を抑えることができ、品質の良いPDPを製
造することができる。
Therefore, the method of the second embodiment is different from the conventional method in which the chip tube sealing and cutting step is performed without providing the cooling unit 10, in that the back substrate from the chip tube fusion part which causes a panel crack is generated. 2, it is possible to suppress a local rise in temperature of the panel due to heat conduction to the panel 2, and to manufacture a high-quality PDP.

【0053】なお、実施の形態1の断熱材9と、実施の
形態2の冷却部10とを組み合わせてチップ管封止切り
工程を実行すれば、加熱部からのバック基板2に伝わる
熱量をより効果的に低減することは勿論である。
If the chip tube sealing and cutting step is performed by combining the heat insulating material 9 of the first embodiment and the cooling unit 10 of the second embodiment, the amount of heat transmitted from the heating unit to the back substrate 2 can be increased. Of course, it can be effectively reduced.

【0054】<実施の形態3> (原理)チップ管封止切り工程実行後は、従来技術の欄
で用いた図10に示すように、チップ管6の溶融部6b
aにおける通気口16の内壁部が収縮して完全に閉塞さ
れる。加熱部8とチップ管6の間には空気しか存在せ
ず、円筒状の加熱部8がチップ管6からの(チップ管6
の軸に垂直な方向の)距離が等しくなるように配置され
ており、加熱部8の単位面積当たりの熱容量(熱発生
量)が等しい場合、加熱部8からチップ管6に至るチッ
プ管軸に垂直方向の熱抵抗はほぼ等しくなる。
<Embodiment 3> (Principle) After executing the chip tube sealing and cutting step, as shown in FIG.
The inner wall portion of the ventilation port 16 at a is contracted and completely closed. Only air exists between the heating unit 8 and the tip tube 6, and the cylindrical heating unit 8 is moved from the tip tube 6 (the tip tube 6).
When the heat capacity per unit area (heat generation amount) of the heating unit 8 is equal, the tip tube axis from the heating unit 8 to the tip tube 6 The thermal resistance in the vertical direction is almost equal.

【0055】図10に示すように、チップ管封止切り工
程において、加熱部8の下端から最も熱が伝わりやすい
チップ管部位6cの近傍がチップ管6の溶融部界面6d
となる。溶融部界面6d近傍の高温側は十分にガラスが
軟化・溶融する温度であり、溶融部界面6d近傍の低温
側は全く加熱されてなく外気で冷却された状態である。
As shown in FIG. 10, in the tip tube sealing and cutting step, the vicinity of the tip tube portion 6c where heat is most easily transmitted from the lower end of the heating unit 8 is the interface 6d of the melting part of the tip tube 6d.
Becomes The high temperature side near the fusion interface 6d is a temperature at which the glass is sufficiently softened and melted, and the low temperature side near the fusion interface 6d is not heated at all but cooled by the outside air.

【0056】すなわち、溶融部界面6dはチップ管封止
切り工程時に溶融状態になる領域と非溶融状態を維持す
る領域との境界であるため、溶融部界面6d近傍の温度
勾配は非常に大きくなる。この状態にて溶融部6bに対
する外気による冷却を行った場合、溶融部界面6d近傍
には非常に大きなストレスが残留し、チップ管割れの要
因となる。
That is, since the interface 6d of the fusion zone is the boundary between the region where the molten state is formed in the chip tube sealing and cutting step and the region where the non-molten state is maintained, the temperature gradient near the interface 6d of the fusion zone becomes very large. . When the molten portion 6b is cooled by the outside air in this state, a very large stress remains in the vicinity of the molten portion interface 6d, which causes a chip tube crack.

【0057】一方、溶融部界面6d近傍の温度勾配を小
さくするために、加熱部8からチップ管6に至るチップ
管軸に垂直方向の熱抵抗を大きくなるようにすると、ガ
ラスであるチップ管6の封止切り部分が十分に溶融せ
ず、封止切り部分の内壁部が完全に閉塞されない可能性
があり、ガス放電用空間からのリークの要因となる。
On the other hand, if the thermal resistance in the direction perpendicular to the chip tube axis from the heating section 8 to the chip tube 6 is increased in order to reduce the temperature gradient in the vicinity of the interface 6d of the molten portion, the glass chip tube 6 May not be melted sufficiently, and the inner wall of the cut-off portion may not be completely closed, which may cause leakage from the gas discharge space.

【0058】したがって、チップ管封止切り部分近傍へ
はガラスが十分に溶融する熱量を伝え、かつチップ管溶
融部界面近傍へは上記熱量より小さい適切な熱量を伝え
るようにチップ管封止切り工程を実行することは上記問
題を解決するにあたって望まれる。すなわち、チップ管
6が加熱部8から受ける熱量をチップ管6の軸方向(チ
ップ管6の立設方向)に沿って適切に制御すること必要
となる。
Therefore, the tip tube sealing and cutting step is performed so as to transmit the amount of heat enough to melt the glass to the vicinity of the chip tube sealing and cutting portion, and to transmit an appropriate amount of heat smaller than the above-mentioned amount of heat to the vicinity of the chip tube melting portion interface. Is desirable in solving the above problem. That is, it is necessary to appropriately control the amount of heat received by the chip tube 6 from the heating unit 8 along the axial direction of the chip tube 6 (the direction in which the chip tube 6 stands).

【0059】さらに、チップ管6の封止切り部近傍の温
度が最高温度となり、そこからパネル(バック基板2)
に向かってチップ管6の軸方向に徐々に温度が低くなる
ような温度勾配が得られる制御を実施すれば、チップ管
溶融時における溶融部と非溶融部の温度差が低減されて
チップ管溶融界面6d近傍のストレスを低減することが
できる。
Further, the temperature in the vicinity of the sealing cut portion of the chip tube 6 reaches the maximum temperature, from which the panel (back substrate 2)
If a control is performed to obtain a temperature gradient such that the temperature gradually decreases in the axial direction of the tip tube 6 toward the tip tube, the temperature difference between the melted portion and the non-melted portion during melting of the tip tube is reduced, and Stress near the interface 6d can be reduced.

【0060】(構成)図3はこの発明の実施の形態3で
あるPDPの製造方法のチップ管封止切り工程を示す説
明図であり、チップ管及びその周辺部の軸方向の部分断
面構造を示している。
(Structure) FIG. 3 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step in a method of manufacturing a PDP according to a third embodiment of the present invention. Is shown.

【0061】同図に示すように、加熱部18は、その中
心部をチップ管6が貫通するような円筒形状で設けられ
る。加熱部18は各々が電気的に独立した複数の電気抵
抗線18f〜18jを有し、これら電気抵抗線18f〜
18jを通電して、電気抵抗線18f〜18jそれぞれ
に対応するチップ管6の部分加熱領域であるチップ管部
位6f〜6jを加熱する。チップ管部位6f〜6hが閉
塞領域であり、チップ管部位6h〜6i中に溶融部界面
が存在する。
As shown in the figure, the heating section 18 is provided in a cylindrical shape such that the tip tube 6 penetrates the center thereof. The heating unit 18 has a plurality of electrically independent resistance lines 18f to 18j, each of which is electrically independent.
By energizing 18j, the tip tube portions 6f to 6j, which are the partial heating regions of the tip tube 6 corresponding to the electric resistance lines 18f to 18j, are heated. The tip tube sections 6f to 6h are closed areas, and a fusion interface exists in the tip tube sections 6h to 6i.

【0062】このように、電気抵抗線18f〜18jは
それぞれ電気的に独立した同一形状でのリング状ヒータ
として機能し、電気抵抗線18f〜18jとチップ管部
位6f〜6jとの熱輻射に要する距離は同一となる。
As described above, the electric resistance wires 18f to 18j function as ring heaters of the same shape that are electrically independent from each other, and are required for heat radiation between the electric resistance wires 18f to 18j and the tip tube portions 6f to 6j. The distance will be the same.

【0063】そこで、電気抵抗線18f,18g及び1
8hにはチップ管が十分に溶融するのに必要な熱流量が
得られる同一の電圧を印加し、電気抵抗線18iには電
気抵抗線18f〜18hより得られる熱流量より小さな
熱流量が得られる電圧を印加し、電気抵抗線18jには
電気抵抗線18iよりも更に小さな熱流量が得られる電
圧を印加するように、電気抵抗線18f〜18jを制御
すれば、電気抵抗線18iにより加熱されるチップ管部
位6iの温度はチップ管部位6jより高くなり、チップ
管部6hの温度より低くなる温度制御が可能となる。
Therefore, the electric resistance lines 18f, 18g and 1
The same voltage is applied to 8h as to obtain a heat flow necessary for melting the tip tube sufficiently, and a smaller heat flow to the electric resistance wire 18i than the heat flow obtained from the electric resistance lines 18f to 18h is obtained. If a voltage is applied and the electric resistance lines 18f to 18j are controlled so as to apply a voltage at which a smaller heat flow is obtained to the electric resistance line 18j than the electric resistance line 18i, heating is performed by the electric resistance line 18i. The temperature of the tip tube portion 6i is higher than the tip tube portion 6j, and the temperature can be controlled to be lower than the temperature of the tip tube portion 6h.

【0064】すなわち、チップ管6の軸方向に沿って、
閉塞領域(6f〜6h)から溶融部界面(6h〜6iに
存在)に近づくに伴い、チップ管部位6f〜6iに伝わ
る熱量が増加することなく、チップ管部位6i,6jで
段階的に減少するように、電気抵抗線18f〜18hは
部分加熱動作を行う。
That is, along the axial direction of the tip tube 6,
As approaching the fusion zone interface (existing at 6h to 6i) from the closed region (6f to 6h), the amount of heat transmitted to the tip tube portions 6f to 6i decreases stepwise at the tip tube portions 6i and 6j without increasing. As described above, the electric resistance wires 18f to 18h perform the partial heating operation.

【0065】このように、チップ管部位6h〜6iの間
に存在するチップ管6の溶融部界面近傍の温度勾配を電
気抵抗線18h〜18iによって制御することができ
る。
As described above, the temperature gradient near the melted portion interface of the tip tube 6 existing between the tip tube portions 6h to 6i can be controlled by the electric resistance lines 18h to 18i.

【0066】実施の形態3の上記温度制御によって生じ
るチップ管溶融部界面近傍の温度勾配は、チップ管部位
6i,6jが例え溶融状態であったとしても、電気抵抗
線18i,18jに電気抵抗線18f〜18hと同一の
電圧を印加して同一の熱流量を与えた場合に生じるチッ
プ管溶融部界面近傍の温度勾配に比べて明らかに小さく
なり、その結果、チップ管溶融部界面近傍に残留する応
力は小さくなる。
The temperature gradient in the vicinity of the tip tube fusion zone interface caused by the temperature control of the third embodiment is such that even if the tip tube portions 6i and 6j are in a molten state, the electric resistance lines 18i and 18j are not connected to the electric resistance lines 18i and 18j. When the same voltage as that of 18f to 18h is applied and the same heat flow rate is applied, the temperature gradient is clearly smaller than the temperature gradient generated near the interface of the tip tube melting portion, and as a result, the temperature gradient remains near the interface of the tip tube melting portion. The stress is reduced.

【0067】特に、チップ管部位6iの温度がチップ管
材料の徐冷点より10℃から30℃程度高く、チップ管
部位6jの温度が上記徐冷点程度になるように電気抵抗
線18i,18jを制御すれば、チップ管の溶融部界面
近傍において温度が徐冷点に達している領域を比較的広
くとれるため、徐冷点に達している領域に応力集中を緩
和でき、チップ管溶解部界面近傍に残留する応力を非常
に小さくすることができる。
In particular, the electric resistance lines 18i, 18j are so set that the temperature of the tip tube portion 6i is higher by about 10 ° C. to 30 ° C. than the annealing point of the tip tube material, and the temperature of the tip tube portion 6j is about the aforementioned annealing point. By controlling the temperature, the area where the temperature has reached the annealing point can be made relatively large in the vicinity of the interface of the melting point of the tip tube, so that the stress concentration can be alleviated in the area where the annealing point has reached the melting point, The stress remaining in the vicinity can be made very small.

【0068】なお、チップ管部位6f〜6hの熱がチッ
プ管部位6i,6jに伝わり時間経過と共にチップ管部
位6i・jの温度が上昇する場合には、その温度上昇に
応じて、チップ管部位6i,6jが目的の温度に保持さ
れるように電気抵抗線18i,18jにより発生する熱
流量を制御すればよい。
When the heat of the tip tube sections 6f to 6h is transmitted to the tip tube sections 6i and 6j and the temperature of the tip tube sections 6ij increases with time, the tip tube sections 6i and 6j are increased in accordance with the temperature rise. It is sufficient to control the heat flow generated by the electric resistance wires 18i, 18j so that 6i, 6j is maintained at the target temperature.

【0069】電気抵抗線18f〜18jは必ずしも独立
制御可能な構成にする必要はなく、例えば、抵抗値の異
なる電気抵抗線を直列に接続して各電気抵抗線において
目的とする熱流量が得られるように、抵抗値を制御して
同一の電圧を印加するようにしても良い。
The electric resistance lines 18f to 18j do not necessarily have to be configured to be independently controllable. For example, by connecting electric resistance lines having different resistance values in series, a desired heat flow rate can be obtained in each electric resistance line. As described above, the same voltage may be applied by controlling the resistance value.

【0070】上述の例では、チップ管溶融部を中心にし
て、チップ管6の軸方向にバック基板2側に存在するチ
ップ管6の溶融部界面近傍の温度制御を述べたが、バッ
ク基板2の反対側に存在するチップ管6の溶融部界面近
傍の残留応力を緩和する場合には、電気抵抗線18f,
18gにも電気抵抗線18i・jと同様の制御を施せば
良い。
In the above example, the temperature control in the vicinity of the melting portion interface of the chip tube 6 existing on the back substrate 2 side in the axial direction of the chip tube 6 with the chip tube melting portion as the center has been described. In order to alleviate the residual stress in the vicinity of the interface of the melted portion of the tip tube 6 on the opposite side to the electric resistance line 18f,
The same control as that for the electric resistance lines 18i · j may be applied to 18g.

【0071】チップ管を加熱するための熱源は必ずし
も、上述のような電気抵抗線による電気式ヒータである
必要は無く、上記した温度制御が可能であればガスバー
ナ等でも問題はない。
The heat source for heating the chip tube does not necessarily need to be an electric heater using the above-described electric resistance wire, and there is no problem with a gas burner or the like as long as the above-described temperature control is possible.

【0072】また、例えばチップ管を溶融させる熱源を
ガスバーナとし、チップ溶融部界面近傍を加熱する熱源
を電気式ヒータとした、異なる熱源からなる加熱部を用
いても良い。
Further, for example, a heating section composed of different heat sources may be used, in which a heat source for melting the chip tube is a gas burner, and a heat source for heating the vicinity of the interface of the chip melting portion is an electric heater.

【0073】<実施の形態4>加熱部からチップ管に至
るチップ管軸に垂直方向の熱抵抗をチップ管の軸方向に
制御する方法として、チップ管と加熱部とのチップ管軸
に垂直方向の距離をチップ管の軸方向に変化させる方法
がある。
<Embodiment 4> As a method for controlling the thermal resistance in the direction perpendicular to the chip tube axis from the heating unit to the chip tube in the axial direction of the chip tube, a method of controlling the thermal resistance in the direction perpendicular to the chip tube axis of the chip tube and the heating unit Is changed in the axial direction of the tip tube.

【0074】図4はこの発明の実施の形態4であるPD
Pの製造方法のチップ管封止切り工程を示す説明図であ
り、チップ管及びその周辺部の軸方向の断面構造を示し
ている。
FIG. 4 shows a PD according to a fourth embodiment of the present invention.
It is explanatory drawing which shows the chip-tube sealing cutting process of the manufacturing method of P, and has shown the axial cross-sectional structure of a chip tube and its peripheral part.

【0075】同図に示すように、加熱部19は、その中
心部をチップ管6が貫通するような円筒形状で設けられ
る。そして、加熱部19の上部の領域19aはチップ管
6との(チップ管軸に垂直方向の)距離がd1に設定さ
れ、加熱部19の下部の領域19cはチップ管6との距
離がd1から延長してd2に設定され、加熱部19の中
央部の領域19bはチップ管6との距離がd1からd2
にかけて徐徐に延長されるように設定される。
As shown in the figure, the heating unit 19 is provided in a cylindrical shape such that the tip tube 6 penetrates the center thereof. The upper region 19a of the heating unit 19 has a distance d1 from the tip tube 6 (in the direction perpendicular to the chip tube axis), and the lower region 19c of the heating unit 19 has a distance d1 from the tip tube 6. The distance is set to d2 by extension, and the center area 19b of the heating unit 19 has a distance from the tip tube 6 of d1 to d2.
It is set so as to be gradually extended toward.

【0076】加熱部19のチップ管軸に垂直方向の単位
面積当たりの発熱量が等しくチップ管6と加熱部19と
の間には停滞した空気のみが存在するとすれば、パネル
に向かってチップ管軸方向に加熱部18からチップ管部
位6k〜6l(領域19aに対応する部位)までの熱抵
抗は等しく、チップ管部位6l〜6m(領域19bに対
応する部位)までは徐々に大きくなるため、パネルに向
かってチップ管軸方向にチップ管部位6kから6lまで
の温度が最も高くチップ管部位6lから6mにかけて徐
々に小さくなる。すなわち、実施の形態4では、加熱部
8からチップ管に至るチップ管6の軸に垂直方向の熱抵
抗をチップ管6の軸方向に沿って可変設定している。
Assuming that only the stagnated air exists between the chip tube 6 and the heating unit 19, the heating value per unit area in the direction perpendicular to the chip tube axis of the heating unit 19 is equal, the chip tube is directed toward the panel. In the axial direction, the thermal resistance from the heating portion 18 to the tip tube portions 6k to 6l (the portion corresponding to the region 19a) is equal, and the thermal resistance gradually increases from the heating portion 18 to the tip tube portions 6l to 6m (the portion corresponding to the region 19b). The temperature from the tip tube portion 6k to 6l is highest in the tip tube axial direction toward the panel, and gradually decreases from the tip tube portion 6l to 6m. That is, in the fourth embodiment, the thermal resistance in the direction perpendicular to the axis of the tip tube 6 from the heating unit 8 to the tip tube is variably set along the axial direction of the tip tube 6.

【0077】すなわち、閉塞領域(6k〜6l)から溶
融部界面(6l〜6mに存在)に近づくに伴い、加熱部
19からチップ管部位6l〜6mへの距離が短縮される
ことなく、チップ管部位6l〜6mにかけて徐々に延長
されるように、加熱部19は配置される。
That is, as the distance from the blockage area (6 k to 6 l) to the fusion zone interface (existing at 6 l to 6 m) is reduced, the distance from the heating section 19 to the tip pipe portion 6 l to 6 m is not shortened. The heating unit 19 is arranged so as to be gradually extended to the portions 6l to 6m.

【0078】このとき、チップ管6がチップ管部位6k
からチップ管部位6lにかけて十分に溶融している場
合、チップ管部位6lからチップ管部位6nにかけての
チップ管6が例え溶融状態であったとしても、チップ管
溶融部界面近傍の温度勾配は、チップ管軸に垂直方向の
単位面積当たりの発熱量が等しいチップ管から熱源まで
のチップ管軸に垂直方向の距離がd1で一定の加熱部で
加熱した場合に形成されたチップ管溶融部界面近傍の温
度勾配に比べて明らかに小さくなり、チップ管溶融部界
面近傍に残留する応力は小さくなる。
At this time, the tip tube 6 is connected to the tip tube portion 6k.
If the tip tube 6 from the tip tube portion 6l to the tip tube portion 6n is in a molten state, the temperature gradient in the vicinity of the tip tube melting portion interface is as follows. In the vicinity of the interface of the melting portion of the chip tube formed when the distance from the chip tube to the heat source in the vertical direction to the chip tube axis is equal to d1 and the distance from the chip tube to the heat source in the vertical direction is equal to the heat generation per unit area in the tube axis. The stress becomes clearly smaller than the temperature gradient, and the stress remaining in the vicinity of the interface of the tip tube fusion zone becomes smaller.

【0079】特にチップ管部位6k〜6lが十分に溶融
して、かつチップ管部位6m近傍の温度がチップ管材料
の徐冷点より10℃から30℃程度高く、チップ管部位
6n近傍の温度がチップ管材の徐冷点程度になるように
距離d1,d2、及び領域19a〜19cのチップ管軸
方向の形成長を設定すれば、チップ管部位6l〜6mの
間に存在するチップ管溶融部界面近傍の徐冷点近傍で徐
冷点に達している領域を比較的広く設けることができる
ため、徐冷点に達している領域に応力集中を緩和でき、
チップ管溶解部界面近傍に残留する応力を非常に小さく
することができる。
In particular, the tip tube portions 6k to 6l are sufficiently melted, the temperature in the vicinity of the tip tube portion 6m is higher than the annealing point of the tip tube material by about 10 ° C. to 30 ° C., and the temperature in the vicinity of the tip tube portion 6n is If the distances d1 and d2 and the formation lengths of the regions 19a to 19c in the axial direction of the tip tube are set so as to be about the annealing point of the tip tube material, the interface of the tip tube melting portion existing between the tip tube portions 6l to 6m is set. Since the region reaching the annealing point in the vicinity of the annealing point in the vicinity can be provided relatively widely, stress concentration can be reduced in the region reaching the annealing point,
The stress remaining near the interface of the tip tube melting portion can be made very small.

【0080】<実施の形態5>従来技術の欄で述べたよ
うに、チップ管封止切り工程において、加熱部よりチッ
プ管封止切り部分となる加熱領域を加熱し、加熱領域の
温度がチップ管の軟化点以上まで上昇すると、大気圧と
パネル内圧の差圧によって押される形で材料収縮が生じ
たチップ管の封止切り部分は、配管(通気口)の内壁部
が収縮して完全に閉塞される。
<Embodiment 5> As described in the section of the prior art, in the chip tube sealing and cutting step, a heating region to be a chip tube sealing and cutting portion is heated by a heating unit, and the temperature of the heating region is reduced to a chip. When the temperature rises to above the softening point of the pipe, the sealing cut off part of the chip pipe, in which the material shrinks in the form of being pushed by the pressure difference between the atmospheric pressure and the panel internal pressure, is completely shrunk by the shrinkage of the inner wall of the pipe (vent). Closed.

【0081】図5はこの発明の実施の形態5であるPD
Pの製造方法のチップ管封止切り工程を示す説明図であ
る。同図に示すように、チップ管封止切り工程におい
て、加熱及び冷却が可能な定盤20に設けられた収納部
内にパネル(外囲器3)を収納している。定盤20は外
囲器3を収納することにより、定盤20からの熱伝導に
よって外囲器3内のガス放電用空間の温度を設定するこ
とができる。なお、外囲器3の温度制御する熱源は定盤
20自体であっても、定盤20を熱伝導手段として用い
る別の加熱装置であっても良い。
FIG. 5 shows a PD according to a fifth embodiment of the present invention.
It is explanatory drawing which shows the chip tube sealing cutting process of the manufacturing method of P. As shown in the figure, in the chip tube sealing and cutting step, a panel (envelope 3) is housed in a housing portion provided on a surface plate 20 that can be heated and cooled. The platen 20 accommodates the envelope 3 so that the temperature of the gas discharge space in the envelope 3 can be set by heat conduction from the platen 20. The heat source for controlling the temperature of the envelope 3 may be the platen 20 itself or another heating device using the platen 20 as a heat conducting means.

【0082】チップ管リークに影響を及ぼすチップ管の
溶融形状は軟化若しくは溶融状態のガラスの粘性と、大
気圧とチップ管の内圧(ガス放電用空間の圧力)との差
圧に支配されるため、定盤20の加熱・冷却制御による
外囲器3の温度設定により、チップ管封止切り工程にお
ける、定盤20を用いてパネルの内圧を制御することに
よって、最適なチップ管溶融形状を得ることができる。
The molten shape of the tip tube which affects the tip tube leak is governed by the viscosity of the softened or molten glass and the differential pressure between the atmospheric pressure and the internal pressure of the tip tube (the pressure in the gas discharge space). By controlling the internal pressure of the panel using the surface plate 20 in the chip tube sealing and cutting process by setting the temperature of the envelope 3 by heating / cooling control of the surface plate 20, an optimum melt shape of the chip tube is obtained. be able to.

【0083】例えば、あるガラスの粘性における封止時
でのガラスの溶融形状に最も適したパネル内圧が500
Torrであるとする。
For example, the internal pressure of the panel most suitable for the molten shape of the glass at the time of sealing due to the viscosity of a certain glass is 500.
Let it be Torr.

【0084】チップ管封止切り工程の際に、常温での内
圧が400Torrのパネルを封止する場合には定盤20を
加熱して外周器3(封止前のパネル)の温度を100℃
程度に保持させて封止すれば、パネルの内圧を約500
Torrに変化させることができ、チップ管リークがほとん
ど発生しない品質の良いパネルを製造することができ
る。
When sealing a panel having an internal pressure of 400 Torr at room temperature during the chip tube sealing and cutting step, the platen 20 is heated to raise the temperature of the outer package 3 (panel before sealing) to 100 ° C.
When the panel is sealed by holding it at about
It can be changed to Torr, and it is possible to manufacture a high-quality panel with almost no chip tube leak.

【0085】同様に、チップ管封止切り工程の際に、常
温でのパネル内圧が600Torrのパネルを封止する場合
には定盤20を冷却してパネルの温度を−30℃程度に
保持させて封止すれば、内圧を約500Torrに変化させ
ることができ、チップ管リークがほとんど発生しない品
質の良いパネルを製造することができる。
Similarly, when sealing a panel having a panel internal pressure of 600 Torr at room temperature during the chip tube sealing and cutting step, the platen 20 is cooled to maintain the temperature of the panel at about −30 ° C. If sealed, the internal pressure can be changed to about 500 Torr, and a high-quality panel with little chip tube leakage can be manufactured.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項1記載のガス放電パネルの製造方法は、熱量軽減
部によって一方基板が受ける熱量を軽減しながら、配管
部材の通気口を閉塞するため、一方基板が加熱されるこ
とにより生じる不具合を抑えることにより、品質の良い
ガス放電パネルを得ることができる。
As described above, the method for manufacturing a gas discharge panel according to the first aspect of the present invention is to reduce the amount of heat received by one of the substrates by the heat reducing portion while closing the ventilation port of the pipe member. On the other hand, a gas discharge panel of good quality can be obtained by suppressing the trouble caused by heating the one substrate.

【0087】請求項2記載のガス放電パネルの製造方法
は、断熱材によって加熱部からの輻射熱の大部分を遮断
することにより、加熱部による一方基板の加熱を効果的
に抑制することができる。
In the method for manufacturing a gas discharge panel according to the second aspect, by heating a portion of the radiant heat from the heating section by the heat insulating material, the heating of the one substrate by the heating section can be effectively suppressed.

【0088】請求項3記載のガス放電パネルの製造方法
は、冷却部による冷却機能によって、加熱部から配管部
材を経由して一方基板に伝わる熱量を効果的に減少させ
ることができる。
In the method for manufacturing a gas discharge panel according to the third aspect, the amount of heat transmitted from the heating unit to the one substrate via the pipe member can be effectively reduced by the cooling function of the cooling unit.

【0089】請求項4記載のガス放電パネルの製造方法
は、冷却部を配管部材の一方基板との接合部近傍に設け
ることにより、配管部材を経由して一方基板に伝わる熱
量を最も効果的に抑制することができる。
In the method for manufacturing a gas discharge panel according to a fourth aspect of the present invention, the cooling unit is provided in the vicinity of the joint between the piping member and the one substrate, so that the amount of heat transmitted to the one substrate via the piping member can be most effectively reduced. Can be suppressed.

【0090】この発明における請求項5記載のガス放電
パネルの製造方法は、配管部材の立設方向に沿って、配
管部材の加熱領域に伝わる熱量を変化させて加熱動作を
行うことにより、配管部材の加熱領域及びその周辺に悪
影響を与えない加熱動作が可能となり、品質の良いガス
放電パネルを得ることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel, the heating operation is performed by changing the amount of heat transmitted to the heating region of the pipe member along the direction in which the pipe member is erected. A heating operation that does not adversely affect the heating area and its surroundings becomes possible, and a high-quality gas discharge panel can be obtained.

【0091】請求項6記載のガス放電パネルの製造方法
は、加熱部によって、閉塞領域から溶融部界面に近づく
に伴い、加熱領域に伝わる熱量が増加することなく少な
くとも一部で減少するように変化させて加熱動作が行わ
れる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a gas discharge panel, the amount of heat transferred to the heating area is reduced by the heating section at least in part as the heating section approaches the fusion zone interface from the closed area without increasing. Then, a heating operation is performed.

【0092】したがって、溶融部界面に伝わる熱量を閉
塞領域に伝わる熱量より小さく抑えることにより、溶融
部界面近傍における配管部材の温度勾配を小さくして配
管部材に対する悪影響を抑制することができる。
Therefore, by suppressing the amount of heat transmitted to the interface of the fusion zone to be smaller than the amount of heat transmitted to the closed region, the temperature gradient of the pipe member near the interface of the fusion zone can be reduced, and adverse effects on the piping member can be suppressed.

【0093】請求項7記載のガス放電パネルの製造方法
において、複数の部分加熱部それぞれによる部分加熱動
作によって、溶融部界面に伝わる熱量を閉塞領域に伝わ
る熱量より小さく抑えることができる。
In the method of manufacturing a gas discharge panel according to the seventh aspect, the amount of heat transmitted to the interface of the fusion zone can be suppressed to be smaller than the amount of heat transmitted to the closed region by the partial heating operation of each of the plurality of partial heating units.

【0094】請求項8記載のガス放電パネルの製造方法
において、複数の部分加熱部の部分加熱動作におけるそ
れぞれの発生熱量を変えることよって、溶融部界面に伝
わる熱量を閉塞領域に伝わる熱量より小さく抑えること
ができる。
In the method of manufacturing a gas discharge panel according to claim 8, the amount of heat transmitted to the interface of the fusion zone is suppressed to be smaller than the amount of heat transmitted to the closed region by changing the amount of heat generated in the partial heating operation of the plurality of partial heating units. be able to.

【0095】請求項9記載のガス放電パネルの製造方法
において、複数の部分加熱部と複数の部分加熱領域との
熱輻射に要する距離を変えることよって、溶融部界面に
伝わる熱量を閉塞領域に伝わる熱量より小さく抑えるこ
とができる。
In the method for manufacturing a gas discharge panel according to the ninth aspect, by changing the distance required for heat radiation between the plurality of partial heating sections and the plurality of partial heating areas, the amount of heat transmitted to the fusion zone interface is transmitted to the closed area. It can be kept smaller than the calorific value.

【0096】請求項10記載のガス放電パネルの製造方
法において、複数の部分加熱部は、溶融部界面及びその
近傍の温度が配管部材の徐冷点近傍でかつ徐冷点に達す
るように部分加熱動作を行うため、溶融部界面及びその
近傍で徐冷点に達した領域を設けることができるため、
溶融部界面及びその近傍に残留する応力を小さく抑える
ことができる。
In the method for manufacturing a gas discharge panel according to the tenth aspect, the plurality of partial heating portions are partially heated so that the temperature at the interface of the melting portion and the vicinity thereof reaches near the annealing point of the pipe member and reaches the annealing point. In order to perform the operation, it is possible to provide a region that has reached the annealing point in the vicinity of the fusion zone interface,
Stress remaining at the interface of the fusion zone and its vicinity can be suppressed to a small value.

【0097】この発明における請求項11記載のガス放
電パネルの製造方法は、ガス放電パネル全体を加熱ある
いは冷却しながら行うことにより、ガス放電用空間の圧
力を配管部材の溶融状態が最適になるように調整するこ
とができ、その結果、品質の良いガス放電パネルを得る
ことができる。
In the gas discharge panel manufacturing method according to the present invention, the pressure of the gas discharge space is optimized by heating or cooling the entire gas discharge panel so that the molten state of the pipe member is optimized. , And as a result, a high quality gas discharge panel can be obtained.

【0098】この発明における請求項12記載のガス放
電パネルは、請求項1ないし請求項11記載のガス放電
パネルの製造方法によって製造されることにより、その
品質が良いという効果を奏する。
The gas discharge panel according to the twelfth aspect of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a gas discharge panel according to the first to the eleventh aspects, and has an effect that the quality is good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1であるPDPの製造
方法のチップ管封止切り工程を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step of a PDP manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態2であるPDPの製造
方法のチップ管封止切り工程を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a chip tube sealing and cutting step of a method of manufacturing a PDP according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態3であるPDPの製造
方法のチップ管封止切り工程を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step of a method of manufacturing a PDP according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態4であるPDPの製造
方法のチップ管封止切り工程を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step of a method of manufacturing a PDP according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態5であるPDPの製造
方法のチップ管封止切り工程を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a chip tube sealing and cutting step of a method of manufacturing a PDP according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】 従来のPDPの構造を模式的に示す断面斜視
図である。
FIG. 6 is a sectional perspective view schematically showing the structure of a conventional PDP.

【図7】 チップ管の詳細を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing details of a chip tube.

【図8】 パネル側残部を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing a panel-side remaining portion.

【図9】 チップ管に円筒形の加熱部をセットした状態
を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing a state in which a cylindrical heating unit is set on the tip tube.

【図10】 チップ管封止切り工程後のチップ管の状態
を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state of a chip tube after a chip tube sealing and cutting step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9 断熱材、10 冷却部、18,19 加熱部、20
定盤。
9 Insulation material, 10 Cooling unit, 18, 19 Heating unit, 20
Surface plate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井桁 俊一 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5C012 AA09 PP05 PP08 5C040 HA05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Shunichi Inumita 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) in Mitsubishi Electric Corporation 5C012 AA09 PP05 PP08 5C040 HA05

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方基板,他方基板間にガス放電用空間
が形成されるガス放電パネルの製造方法であって、 (a) 前記一方基板上に設けられた配管部材中の通気口を
介して前記ガス放電用空間の排気及びガス封入動作を行
うステップと、 (b) 加熱部を用いた加熱動作によって前記配管部材の加
熱領域を溶融して、前記配管部材の前記通気口を閉塞す
るステップとを備え、 前記ステップ(b) は、前記一方基板が前記加熱部から受
ける熱量を軽減させる熱量軽減部を配置しながら行うこ
とを特徴とする、ガス放電パネルの製造方法。
1. A method for manufacturing a gas discharge panel in which a gas discharge space is formed between one substrate and another substrate, comprising: (a) a gas discharge panel provided on the one substrate through a vent in a pipe member; Performing a gas discharge space gas exhaust and gas filling operation; and (b) melting a heating region of the pipe member by a heating operation using a heating unit, and closing the ventilation port of the pipe member. Wherein the step (b) is performed while arranging a calorie reducing unit for reducing the amount of heat received by the one substrate from the heating unit.
【請求項2】 請求項1記載のガス放電パネルの製造方
法であって、 前記熱量軽減部は、前記加熱部と前記一方基板との間に
設けられた断熱材を含む、ガス放電パネルの製造方法。
2. The method of manufacturing a gas discharge panel according to claim 1, wherein the calorie reducing unit includes a heat insulating material provided between the heating unit and the one substrate. Method.
【請求項3】 請求項1あるいは請求項2記載のガス放
電パネルの製造方法であって、 前記熱量軽減部は、前記加熱部と前記一方基板との間に
前記配管部材に隣接して設けられ、冷却機能を有する冷
却部を含む、ガス放電パネルの製造方法。
3. The method of manufacturing a gas discharge panel according to claim 1, wherein the calorie reducing unit is provided between the heating unit and the one substrate and adjacent to the piping member. A method for manufacturing a gas discharge panel, including a cooling unit having a cooling function.
【請求項4】 請求項3記載のガス放電パネルの製造方
法であって、 前記冷却部は前記配管部材の前記一方基板との接合部近
傍に設けられる、ガス放電パネルの製造方法。
4. The method of manufacturing a gas discharge panel according to claim 3, wherein the cooling unit is provided near a joint of the pipe member with the one substrate.
【請求項5】 一方基板,他方基板間にガス放電用空間
が形成されるガス放電パネルの製造方法であって、 (a) 前記一方基板上に設けられた配管部材中の通気口を
介して前記ガス放電用空間の排気及びガス封入動作を行
うステップと、 (b) 加熱部を用いた加熱動作によって前記配管部材の加
熱領域を溶融して、前記配管部材の前記通気口を閉塞す
るステップとを備え、 前記配管部材は前記一方基板上に立設される配管部材を
含み、 前記加熱部は、前記配管部材の立設方向に沿って、前記
配管部材の前記加熱領域に伝わる熱量を変化させて前記
加熱動作を行う、ガス放電パネルの製造方法。
5. A method for manufacturing a gas discharge panel in which a gas discharge space is formed between one substrate and the other substrate, wherein: (a) a gas discharge panel is provided through a vent in a pipe member provided on the one substrate; Performing a gas discharge space gas exhaust and gas filling operation; and (b) melting a heating region of the pipe member by a heating operation using a heating unit, and closing the ventilation port of the pipe member. The piping member includes a piping member erected on the one substrate, the heating unit changes the amount of heat transmitted to the heating area of the piping member along the erection direction of the piping member. Performing the heating operation in a gas discharge panel.
【請求項6】 請求項5記載のガス放電パネルの製造方
法であって、 前記加熱領域は前記通気口が閉塞される閉塞領域と、前
記加熱部の前記加熱動作によって前記配管部材が溶融状
態となる領域と非溶融状態を維持する領域との境界であ
る溶融部界面を含み、 前記加熱部は、前記立設方向に沿って前記閉塞領域から
前記溶融部界面に近づくに伴い、前記加熱領域に伝わる
熱量が増加することなく少なくとも一部で減少するよう
に変化させて前記加熱動作を行う、ガス放電パネルの製
造方法。
6. The method for manufacturing a gas discharge panel according to claim 5, wherein the heating area is a closed area where the vent is closed, and the pipe member is in a molten state by the heating operation of the heating unit. A melting portion interface that is a boundary between a region to be formed and a region that maintains a non-molten state, wherein the heating portion is closer to the melting portion interface from the closed region along the upright direction, A method for manufacturing a gas discharge panel, wherein the heating operation is performed by changing the amount of heat transmitted so as to decrease at least partially without increasing.
【請求項7】 請求項6記載のガス放電パネルの製造方
法であって、 前記加熱領域は、前記立設方向に分類される複数の部分
加熱領域を含み、 前記加熱部は、前記複数の部分加熱領域に対応して設け
られ、対応の前記部分加熱領域に対して各々が部分加熱
動作を行う複数の部分加熱部を含み、 前記複数の部分加熱部は、前記立設方向に沿って前記閉
塞領域から前記溶融部界面に近づくに伴い、前記複数の
部分加熱領域に伝わる熱量が増加することなく少なくと
も一部で減少するように、前記部分加熱動作を行う、ガ
ス放電パネルの製造方法。
7. The method for manufacturing a gas discharge panel according to claim 6, wherein the heating region includes a plurality of partial heating regions classified in the standing direction, and the heating unit includes the plurality of portions. A plurality of partial heating units are provided corresponding to the heating regions and each perform a partial heating operation on the corresponding partial heating region, wherein the plurality of partial heating units are closed along the upright direction. A method for manufacturing a gas discharge panel, wherein the partial heating operation is performed such that the amount of heat transmitted to the plurality of partial heating regions decreases at least partially without increasing as the region approaches the fusion zone interface.
【請求項8】 請求項7記載のガス放電パネルの製造方
法であって、 前記複数の部分加熱部と前記複数の部分加熱領域との熱
輻射に要する距離はそれぞれ同一に設定され、 前記複数の部分加熱部は、前記複数の部分加熱領域が前
記閉塞領域から前記溶融部界面に近づくに伴い、その発
生熱量が増加することなく少なくとも一部で減少するよ
うに、前記部分加熱動作を行う、ガス放電パネルの製造
方法。
8. The method for manufacturing a gas discharge panel according to claim 7, wherein a distance required for heat radiation between the plurality of partial heating units and the plurality of partial heating regions is set to be equal to each other, and The partial heating unit performs the partial heating operation so that the plurality of partial heating regions approach the melting unit interface from the closed region and the amount of generated heat decreases at least partially without increasing. A method for manufacturing a discharge panel.
【請求項9】 請求項7記載のガス放電パネルの製造方
法であって、 前記複数の部分加熱部それぞれの発生熱量は同一に設定
され、 前記複数の部分加熱部は、前記複数の部分加熱部と前記
複数の部分加熱領域との熱輻射に要する距離が、前記閉
塞領域から前記溶融部界面に近づくに伴い、短縮される
ことなく少なくとも一部で延長されるように、前記配管
部材に対して配置される、ガス放電パネルの製造方法。
9. The method of manufacturing a gas discharge panel according to claim 7, wherein a generated heat amount of each of the plurality of partial heating units is set to be the same, and wherein the plurality of partial heating units are the plurality of partial heating units. With respect to the piping member, the distance required for heat radiation between the and the plurality of partial heating regions is extended at least partially without being shortened as the distance from the closed region approaches the interface of the fusion zone. A method for manufacturing a gas discharge panel to be arranged.
【請求項10】 請求項7ないし請求項9のうち、いず
れか1項に記載のガス放電パネルの製造方法であって、 前記複数の部分加熱部は、前記溶融部界面及びその近傍
の温度が前記配管部材の徐冷点に達するように前記部分
加熱動作を行う、ガス放電パネルの製造方法。
10. The method of manufacturing a gas discharge panel according to claim 7, wherein the plurality of partial heating units have a temperature at an interface between the melting unit and the vicinity thereof. A method for manufacturing a gas discharge panel, wherein the partial heating operation is performed to reach a slow cooling point of the pipe member.
【請求項11】 一方基板,他方基板間にガス放電用空
間が形成されるガス放電パネルの製造方法であって、 (a) 前記一方基板上に設けられた配管部材中の通気口を
介して前記ガス放電用空間の排気及びガス封入動作を行
うステップと、 (b) 加熱部を用いた加熱動作によって前記配管部材の加
熱領域を溶融して、前記配管部材の前記通気口を閉塞す
るステップとを備え、 前記ステップ(b) は、前記ガス放電用パネル全体を加熱
あるいは冷却しながら行うことを特徴とする、ガス放電
パネルの製造方法。
11. A method of manufacturing a gas discharge panel in which a gas discharge space is formed between one substrate and the other substrate, wherein: (a) a gas discharge panel is provided through a vent in a pipe member provided on the one substrate; Performing a gas discharge space gas exhaust and gas filling operation; and (b) melting a heating region of the pipe member by a heating operation using a heating unit, and closing the ventilation port of the pipe member. Wherein the step (b) is performed while heating or cooling the entire gas discharge panel.
【請求項12】 請求項1ないし請求項11のうち、い
ずれか1項に記載のガス放電パネルの製造方法によって
製造されるガス放電パネル。
12. A gas discharge panel manufactured by the method for manufacturing a gas discharge panel according to claim 1. Description:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005015597A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Chugai Ro Co., Ltd. Glass chip tube seal-cutting method
JP2009158252A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Hitachi Ltd Method for manufacturing plasma display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005015597A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Chugai Ro Co., Ltd. Glass chip tube seal-cutting method
KR101066362B1 (en) 2003-08-11 2011-09-20 쥬가이로 고교 가부시키가이샤 Sealing cutting method of glass chip tube
JP2009158252A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Hitachi Ltd Method for manufacturing plasma display device

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