JP2002031706A

JP2002031706A - 反射体

Info

Publication number: JP2002031706A
Application number: JP2000216151A
Authority: JP
Inventors: Hirotaka Yoshida; 吉田　　浩隆; Shin Fukuda; 福田　　伸
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2000-07-17
Filing date: 2000-07-17
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】反射型液晶表示装置に用いた際に、従来より
も光の反射率に優れた、ペーパーホワイトタイプの反射
体を提供する。【解決手段】少なくとも一方の面に微細な凹凸構造を
有するシートやフィルム状の基材に、金属薄膜層を形成
した反射体において、形成された金属薄膜層における結
晶子の大きさが、０．１〜５０ｎｍであり、金属薄膜層
側から測定した波長５５０ｎｍにおける該反射体の全反
射率が、９４％以上であり、かつ、全反射率に対する拡
散反射率の割合が、９４％以上であることを特徴とする
反射体、である。また、金属薄膜層が銀またアルミニウ
ムを主体とする金属層であり、その厚みが７０〜４００
ｎｍである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパーソナルコンピュ
ーター、携帯電話、ＰＨＳ、電子手帳、携帯情報端末、
電子計算機、各種操作パネルなどの各種ディスプレイに
用いられる反射型液晶表示装置に用いられる反射体に関
する。さらに詳しくは、とりわけ反射率が高くかつ拡散
性能にも優れた反射体に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置はこれまでのＣＲＴディス
プレイに比べ、薄型であり省スペース化できること、ま
た、低電圧で作動すること、消費電力が少なく省エネル
ギー化できるなどの特徴から、中小型機器のディスプレ
イを中心に広く用いられている。

【０００３】最近では、ゲーム機器、携帯電話、ＰＨ
Ｓ、電子手帳といった小型携帯情報端末としての利用が
急速に増加している。特にこれらの携帯用途ではより軽
量で、低消費電力で長時間の使用が可能であることが求
められている。現在、一般に使用されている、バックラ
イトを用いる透過型の液晶表示装置においては、バック
ライトがその消費電力の約７割を占めるといわれてお
り、高い輝度を長時間維持するには内蔵バッテリーの容
量の増大が必須になり、機器を軽量でコンパクト化する
上で大きな課題となっている。

【０００４】一方、液晶表示面からの入射光を光源とし
て利用する反射型液晶表示装置では、バックライトが不
要なため、軽量化、薄型化に適している。現在、主とし
て用いられている白黒表示の反射型液晶表示装置は人側
より、偏光板、液晶表示パネル、偏光板、反射体で構成
されるている。また、今後増加すると考えられる反射型
カラー液晶表示装置では、上記部材に加えカラーフィル
ターが用られることが考えられる。また、反射型カラー
液晶表示装置では反射体側の偏光板がないものや、偏光
板が全くないものも考案されている。

【０００５】理想的な液晶表示とは、明るく、そしてど
こから見ても同様な表示品質が得られるものであり、私
たちが普段使用している本などの印刷物の様な物である
といわれている。よって、反射型液晶表示装置に用いら
れる反射体も紙のように四方八方に均一に光を拡散する
反射体（ペーパーホワイトタイプ）が好ましいと考えら
れる。しかしながら、液晶表示装置では、一般に先述し
た構成であるため、入射光は偏光板―液晶表示パネル−
偏光板を通過し、反射体に到達した後、反射体により反
射された光は再度、偏光板―液晶表示パネル−偏光板を
通過し外部へ到達するため、入射光に対して、反射光の
光量は光損失を考慮すると３分の１以下に落ち暗くなっ
てしまうという問題点があった。また、カラー反射型液
晶表示装置においては、カラーフィルターも用いられる
ため、さらに反射光が減少する事が考えられる。よっ
て、均一に光を拡散する反射体を液晶表示装置に用いる
と、実際は暗くなり使用できない。そこで現状では、金
属光沢をもつ正反射成分の大きい反射体を用い、ある範
囲に光を集中することによって明るい表示を実現してい
る。しかしながら、このような正反射成分の大きな反射
体では、光の入射角と見る角度（受光角）が一致する場
合は非常に明るいものの、見る角度（受光角）がずれる
と一気に暗くなってしまう、つまり視野角が狭いという
欠点がある。視野角を広げるには拡散成分を増やす必要
があるが、拡散成分を増やすことはせっかく集中させた
光を広げることになり全体的に暗くなってしまうという
問題がある。

【０００６】この視野角を広げるためには反射体の反射
特性（光の集中と分散）を制御することが必要であり、
これまで多くの検討がなされてきた。反射体の反射特性
を制御する方法としては、反射面（金属薄膜層）を形成
する基材（高分子フィルム）を凹凸化する方法が一般的
である。凹凸化方法としては、（１）高分子フィルム表面にエンボス加工を施し凹凸構
造を形成した後、表面を溶剤で処理して滑らかにする方
法。（２）高分子フィルム表面にＳｉＯ₂などの粒子を高圧
空気とともに吹き付けるサンドブラスト方法。（３）エッチング法などの化学的方法。などが挙げられる。しかしながら、（１）、（２）の方
式では、機械的物理的方法によりフィルム表面に凹凸形
状を形成する方式のため、フィルムの材質の選択のはば
が狭くまた、厚みもある程度厚くしなければならないと
いう欠点がある。また、（２）の方法では硬いサンド
（ＳｉＯ２）の形状が不均一なことから、得られる凹凸
形状も激しくかつ、不均一に粗れており、アルカリ溶液
処理などで表面の一部を溶解しても、この粗れを十分に
均一化することができず、えられる凹凸構造が非常に不
均一になるという欠点がある。さらにまた、（３）のよ
うな化学的方法においても、フィルムの材質の選択がシ
ビアでありまた、処理後の洗浄乾燥が大変であるという
欠点がある。

【０００７】現状では、これらの方法では、凹凸層の成
形方法自体に欠点があること、また出来た凹凸層におい
ても依然として狭い視野角の範囲に光が集中するため、
明るさ（輝度）が等しい理想的な反射特性は得られてい
ない。よって、より高拡散で理想的な反射特性を得るた
めには、これまでよりもさらに制御された凹凸表面を用
いる必要があった。

【０００８】一方、反射層に用いられる金属によって
も、その反射率は大きく左右される。例えば、一般的に
用いられる金属層として、銀及びアルミニウムを例にと
り比較ずれば、銀を使用した場合、その反射率は９０％
以上、アルミニウムを用いた場合は８０％と以上といわ
れており、銀を用いる方が高反射率を得ることができる
が、必ずしも明るいとはいえる状況にないのが現状であ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の課題
をすべて解決するためになされたものであり、反射型液
晶表示装置に用いた際に、従来よりも光の反射率に優れ
た、ペーパーホワイトタイプの反射体を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために、反射層の構成について鋭意検討し
た結果、驚くべきことに、反射層を構成する金属の結晶
子の大きさを、ある特定の大きさより小さく形成するこ
とにより、上記の課題を解決出来ることを見いだした。
すなわち本発明の要旨は次のとおりである。

【００１１】第１は、少なくとも一方の面に微細な凹凸
構造を有するシートやフィルム状の基材に、金属薄膜層
を形成した反射体において、形成された金属薄膜層にお
ける結晶子の大きさが、０．１〜５０ｎｍであり、金属
薄膜層側から測定した波長５５０ｎｍにおける該反射体
の全反射率が、９４％以上であり、かつ、全反射率に対
する拡散反射率の割合が、９４％以上であることを特徴
とする反射体、である。

【００１２】第２は、金属薄膜層が銀またアルミニウム
を主体とする金属層であり、その厚みが７０〜４００ｎ
ｍであることを特徴とする前記１に記載の反射体、であ
る。

【００１３】第３は、該金属薄膜層側を光の受光面とし
て使用することを特徴とする前記１および２に記載の反
射体、である。

【００１４】第４は、液晶表示素子に使用することを特
徴とする前記１から３のいずれかに記載の反射体、であ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１６】本発明の反射体は、反射層を構成する金属
の結晶子の大きさを、凹凸面上に０．１〜５０ｎｍの大
きさになるようにして、金属層を形成した反射体であ
る。

【００１７】［基板］本発明の反射体において、凹凸
構造を形成する基材としては、例えばポリエチレンテレ
フタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなど
のポリエステル類、ビスフェノールＡ系ポリカーボネー
トなどのポリカーボネート類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテ
ートなどのセルロース誘導体類、ポリ塩化ビニリデンな
どのビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリ
エーテルスルホン、ポリスルホン系樹脂、ポリアリレー
ト系樹脂、フッ素系樹脂などの各種プラスチックからな
るフィルムが挙げられるが、必ずしもこれらに限定され
るものではなく、ある程度ガラス転移点が高く、平滑な
表面をもつものであれば使用できる。なかでもポリエチ
レンテレフタラートが好ましい。

【００１８】使用される基材の厚みは、特に限定される
ものではないが、通常は１０〜４００μｍ程度、好まし
くは１０〜２００μｍ程度が、さらに好ましくは２５〜
１００μｍ程度である。

【００１９】本発明において光を拡散させるための凹凸
構造は、従来一般的に使用されている構造で何ら問題な
い。例えば、基材上にフィラー、ビーズなどの粒状物を
含有した樹脂層をコーティングする方法や、基材表面を
ヘヤーライン加工やサンドブラスト法により賦型する方
法などが上げられる。なかでも制御された凹凸層の形成
をする場合は、凹凸の大きさ、表面の粗さの調整が容易
に出来る粒子のコーティングが好ましく用いられる。

【００２０】粒子としては、アクリル、ポリスチレン、
ビニルベンゼン、ポリメタクリル酸メチル、スチレンメ
タクリレート、スチレンアクリレート、スチレンブタジ
エン等の高分子（有機）粒子をはじめ、シリカ、アルミ
ナ、チタニア、ジルコニア、酸化鉛（鉛白）、酸化亜鉛
（亜鉛華）、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリ
ウム、チタン酸カリウム、ケイ酸ソーダなどからなる無
機微粒子や、酸化錫、酸化インジウム、酸化カドミウ
ム、酸化アンチモンなどの導電性透明微粒子なども用い
ることができるが、必ずしもこれらに限定されるもので
はない。また、粒子の大きさは、平均粒子径が、１〜１
５μｍが好ましく用いられ、平均粒子径が１μｍ未満で
は、粒子の埋没で凹凸構造の表面が形成しにくくなり、
また、１５μｍを越えると凹凸構造の起伏が大きくな
り、粒子の大きさが目立ち、きめの粗い反射体となる。
なお、粒子の粒径分布は小さい方が好ましい。粒径の標
準偏差の平均粒径に対する割合は５０％以下が好まし
く、より好ましくは３０％以下で、さらに好ましくは２
０％以下である。粒径分布が上記の割合を大きく超える
と、制御された凹凸構造を得ることが難しくなる。［金属薄膜層］本発明において、凹凸層上に形成され
る金属薄膜層は、成膜された状態での金属結晶子の大き
さが０．１〜５０ｎｍになっていれば、特に限定するも
のでもないが、銀あるいはアルミニウムを主体とする金
属などが好ましく用いられる。

【００２１】金属薄膜層の形成法は、湿式法及び乾式法
がある。湿式法とはメッキ法の総称であり、溶液から金
属を析出させ膜を形成する方法である。具体例をあげる
とすれば、銀鏡反応などがある。一方、乾式法とは、真
空成膜法の総称であり、具体的に例示するとすれば、抵
抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加熱式真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、イオンビームアシスト真空蒸着
法、スパッタ法などがある。とりわけ、本発明には連続
的に成膜するロール・ツー・ロール方式が可能な真空成
膜法が好ましく用いられる。

【００２２】真空蒸着法では、金属の原材料を電子ビー
ム、抵抗加熱、誘導加熱などで溶融させ、蒸気圧を上昇
させ、好ましくは１３．３ｍＰａ（０．１ｍＴｏｒｒ）
以下で基材表面に蒸発させる。この際に、アルゴンなど
のガスを１３．３ｍＰａ以上導入させ、高周波もしくは
直流のグロー放電を起こしても良い。

【００２３】スパッタ法には、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コンベンショナルＲＦスパ
ッタ法、コンベンショナルＤＣスパッタ法などを使用し
うる。

【００２４】スパッタ法においては、原材料は金属の板
状のターゲットを用いればよく、スパッタガスにはヘリ
ウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを
使用しうるが、好ましくはアルゴンが用いられる。ま
た、必要に応じて、酸素を混入した系でのスパッタも行
うことが出きる。また、ガスの純度は９９％以上が好ま
しいが、より好ましくは９９．５％以上である。［金属薄膜層の厚さ］基材上に成形する薄膜の厚さ
は、反射体とした際に光線透過率が１％未満になるよう
に考慮して決められる。

【００２５】本発明において、金属薄膜層の厚みは、７
０〜４００ｎｍが好ましく、より好ましくは１００〜３
００ｎｍである。かかる層の厚みが、７０ｎｍより薄い
場合は、光線透過率が１％を超えてしまい、反射体とし
ての性能が低下する。また、４００ｎｍよりも厚くして
も、その効果に変化が無いばかりか、資源を有効に利用
するという観点からも好ましくない。

【００２６】前記金属薄膜層の膜厚の測定方法として
は、触針粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバラン
ス、水晶振動子法などを用いる方法があり、特に水晶振
動子法では成膜中に膜厚が測定可能であるため所望の膜
厚を得るのに適している。また、前もって成膜の条件を
定めておき、試料基材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚
の関係を調べた上で、成膜時間により膜厚を制御する方
法もある。［全反射率］上記のように形成した反射体を、金属薄
膜層側から全反射率を測定すると、９４％以上であり、
より好ましくは９６〜９９．５％である。また、全反射
率に対する拡散反射率の割合は、通常９４％以上であ
る。反射率は高いほど好ましく、さらに高屈折率と低屈
折率の薄膜を交互に積層して増反射膜を形成するなどし
て９９．５％を超える反射率を実現することは性能的に
非常に好ましいといえる。［金属薄膜層の保護］また、金属薄膜層の酸化及び硫
化等の腐食防止のためや、取り扱い性の向上のために、
金属薄膜層の上にさらに保護シートを設けることは、本
発明の反射体の信頼性を向上させる意味から好ましい。

【００２７】保護シートとしては、ポリエステル系樹
脂、アクリル系樹脂及びウレタン系樹脂などの透明樹脂
が、また、酸化珪素、フッ化マグネシウム、窒化珪素な
どの透明無機薄膜が用いられる。

【００２８】保護層は粘着剤により、金属薄膜層上にラ
ミネートされる。粘着剤としては、アクリル系樹脂、ウ
レタン系樹脂、エポキシ系樹脂など透明性を有している
ものであれば問題なく使用される。［結晶子］本発明における「結晶子の大きさ」とは、
金属薄膜層は金属の柱状構造物により構成されている
が、柱状構造物の径の大きさを表す。

【００２９】本発明において、金属薄膜層における金属
の結晶子の大きさは、０．１〜５０ｎｍが好ましく、よ
り好ましくは０．１〜４０ｎｍ、さらに好ましくは０．
１〜３５ｎｍである。本発明において結晶子の大きさ
は、Ｘ線回折を測定することにより求められる。回折法
として主なものは、Ｌａｎｅ法、回転結晶法、粉末法が
ある。

【００３０】結晶質の固体に対して、回折角２θに対す
る散乱強度の曲線は、図１で示すようにある角度を除い
てはほとんど零であり、それらの角度では高い鋭いピー
クが現れる。これらは回折ビームである。いま、同組成
の物質のＸ線回折を測定した場合、より結晶質なほど鋭
いピークが現れ、非晶質な部分が増えるに従い、ピーク
強度の最高値は低下し、ピークの現れかたもブロードに
なってくる。図２の回折曲線において、上述のピーク強
度と結晶性についてみると、曲線の幅は結晶の厚さが薄
くなる（より非晶質になる）ほど増大していく。幅Ｂ
は、通常最大強度の半分の強度のところで、ラジアンで
測られ角度の幅を表す。Ｂのおおざっぱな測り方とし
て、強度が零になる両端の角の差の半分を取ることがで
きる。これは、回折線の形を三角形と仮定することにな
る。すなわち、（１）：Ｂ＝１／２×（２θ₁―２θ₂）＝θ₁―θ₂ これらの２つの角に対する経路差を表す式として、結晶
の全厚さについての式で表すと、（２）：２ｔ×ｓｉｎθ₁＝（ｍ＋１）λ （３）：２ｔ×ｓｉｎθ₂＝（ｍ―１）λ ｔは結晶子の大きさ、λは、測定波長を表す。式
（２）、（３）の両辺を引算すると、（４）：ｔ×（ｓｉｎθ₁―ｓｉｎθ₂）＝λ （５）：２ｔ×ｃｏｓ（（θ₁＋θ₂）／２）ｓｉｎ
（（θ₁―θ₂）／２）＝λ ここで、θ₁とθ₂はともにθ_Bに極めて近い値であり、（６）：θ₁＋θ₂＝２θ_B （７）：ｓｉｎ（（θ₁―θ₂）／２）＝（θ₁―θ₂）／
２と表すことができる。したがって、式（５）は以下の様
に書き表される。（８）：２ｔ×（（θ₁―θ₂）／２）×ｃｏｓθ_B＝λ （９）：ｔ＝λ／（Ｂ×ｃｏｓθ_B）さらに正確には（１０）：ｔ＝０．９λ／（Ｂ×ｃｏｓθ_B）であらわされ、ピークの半価幅を測定することで、上記
の式より結晶子の大きさを知ることができる。式（１
０）は、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式として知られている。こ
の関係は、回折曲線からそのピークの半価幅を測ること
によって、非常に細かい結晶粒の大きさ測るのに使用さ
れる。

【００３１】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。実施例１平均粒子が（ａ）５μｍであるアクリル系樹脂（根上工
業（株）製、品名：アートパール）と、バインダーとし
てアクリル系樹脂（三井化学（株）製、品名：アルマテ
ックスＥ２６９）（共に密度１．２ｇ／ｃｍ³）を、ト
ルエンとエチルメチルケトンからなる溶剤を用いて、固
形分比３５％、固形分中の粒子の割合を３７.０体積％
とした溶液を調合した。これの溶液を、厚さ５０μｍの
ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムの上
に、コーティングを行い凹凸基材を得た。できた凹凸面
上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、Ａｇ―Ｐｄ―Ｃ
ｕ１％（Ａｇに対し、ＰｄとＣｕを合計で１重量％含
有）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをス
パッタガスとして、Ａｇ―Ｐｄ―Ｃｕ１％を膜厚２００
ｎｍになるように形成した。できた反射体を、日立自記
分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を
設置し、５５０ｎｍにおける金属薄膜層側の全反射率、
拡散反射率測定を行ったところ、全反射率９７．１％、
拡散反射率９５．２％を得た。全反射率に対する拡散反
射率の割合は、９８．０％であった。次に、このシート
をＸ線回折装置（理学電機株式会社製ＲＵ―３００）
にて、管球にＣｕＫα線を用い、電圧５０ｋＶ、電流
２００ｍＡで、２θを１０〜１００°まで０．０２°の
ステップで、４°／ｍｉｎの速度で測定した。得られ
た、チャートより、３８°付近にＡｇのシャープなピー
クがみられ、その強度の半価幅は０．２７５４°であっ
た。この半価幅を用い、式（１０）のＳｃｈｅｒｒｅｒ
の式より結晶子の大きさを計算すると、３０．５ｎｍで
あった。結果を表１に示す。実施例２実施例１と同様の凹凸基材を用い、凹凸面上に、ＤＣマ
グネトロンスパッタ法で、Ａｇをターゲットとし、純度
９９．５％のアルゴンガスに、１０体積％の酸素ガスを
混合したガスをスパッタガスとして、Ａｇを膜厚２００
ｎｍになるように成形した。できた反射体を、日立自記
分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を
設置し、５５０ｎｍにおける金属薄膜層側の全反射率、
拡散反射率測定を行ったところ、全反射率９８．９％、
拡散反射率９６．０％を得た。全反射率に対する拡散反
射率の割合は、９７．１％であった。次に、このシート
をＸ線回折装置（理学電機株式会社製ＲＵ―３００）
にて、管球にＣｕＫα線を用い、電圧５０ｋＶ、電流
２００ｍＡで、２θを１０〜１００°まで０．０２°の
ステップで、４°／ｍｉｎの速度で測定した。得られ
た、チャートより、３８°付近にＡｇのシャープなピー
クがみられ、その強度の半価幅は０．２６３８°であっ
た。この半価幅を用い、式（１０）のＳｃｈｅｒｒｅｒ
の式より結晶子の大きさを計算すると、３１．８ｎｍで
あった。結果を表１に示す。比較例１スパッタガスをアルゴンガスのみとしたこと以外は、実
施例２に準じて反射体を形成した。できた反射体を、日
立自記分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの積
分球を設置し、５５０ｎｍにおける金属薄膜層側の全反
射率、拡散反射率測定を行ったところ、全反射率９３．
８％、拡散反射率８５．９％となった。全反射率に対す
る拡散反射率の割合は、９１．６％であった。次に、こ
のシートをＸ線回折装置（理学電機株式会社製ＲＵ―
３００）にて、管球にＣｕＫα線を用い、電圧５０ｋ
Ｖ、電流２００ｍＡで、２θを１０〜１００°まで０．
０２°のステップで、４°／ｍｉｎの速度で測定した。
得られた、チャートより、３８°付近にＡｇのシャープ
なピークがみられ、その強度の半価幅は０．１６０４°
であった。この半価幅を用い、式（１０）のＳｃｈｅｒ
ｒｅｒの式より結晶子の大きさを計算すると、５２．３
ｎｍであった。結果を表１に示す。比較例２Ａｇ―Ｐｄ―Ｃｕ１％の膜厚を３０ｎｍにしたこと以外
は、実施例１に準じて反射体を形成した。できた反射体
を、日立自記分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０
φの積分球を設置し、５５０ｎｍにおける金属薄膜層側
の全反射率、拡散反射率測定を行ったところ、全反射率
８９．０％、拡散反射率８３．３％をとなった。全反射
率に対する拡散反射率の割合は、９３．５％であった。
次に、このシートをＸ線回折装置（理学電機株式会社製
ＲＵ―３００）にて、管球にＣｕＫα線を用い、電
圧５０ｋＶ、電流２００ｍＡで、２θを１０〜１００°
まで０．０２°のステップで、４°／ｍｉｎの速度で測
定した。得られた、チャートより、３８°付近にＡｇの
シャープなピークがみられ、その強度の半価幅は０．２
７５４°であった。この半価幅を用い、式（１０）のＳ
ｃｈｅｒｒｅｒの式より結晶子の大きさを計算すると、
３０．５ｎｍであった。結果を表１に示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、従来よりも光の反射率
に優れた、ペーパーホワイトタイプの反射体を得ること
が出来、反射型液晶の使用用途をさらに拡大することが
できるため、本発明の工業的意義は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】結晶質の固体に対する散乱強度曲線

【図２】結晶性と散乱強度曲線の関係

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H042 BA02 BA04 BA13 BA15 BA16 DA02 DA04 DA11 DA17 DB10 DC02 DC03 DC08 DE00 2H091 FA16Y FB08 FC02 FC14 FC24 FC29 FD06 FD12 FD23 GA16 LA03 LA11 LA16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方の面に微細な凹凸構造を
有するシートやフィルム状の基材に、金属薄膜層を形成
した反射体において、形成された金属薄膜層における結
晶子の大きさが、０．１〜５０ｎｍであり、金属薄膜層
側から測定した波長５５０ｎｍにおける該反射体の全反
射率が、９４％以上であり、かつ、全反射率に対する拡
散反射率の割合が、９４％以上であることを特徴とする
反射体。
【請求項２】金属薄膜層が銀またアルミニウムを主体
とする金属層であり、その厚みが７０〜４００ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１に記載の反射シート。
【請求項３】該金属薄膜層側を光の受光面として使用
することを特徴とする請求項１および２に記載の反射
体。
【請求項４】液晶表示素子に使用することを特徴とす
る請求項１から３のいずれかに記載の反射体。