JP2002026014A - Wiring formation method - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】特殊な構造体の端子間に、配線を簡単に形成す
る。
【解決手段】単位ブロック３９をガラス基板５２の窪み
５４に配置することにより、構造体Ｋを形成する。この
構造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，
３９Ｂと、ガラス基板５２に直接形成された端子５２
Ａ，５２Ｂが露出している。この構造体Ｋの表面にポリ
ビニルピロリドンからなる被膜１を形成し、各端子５２
Ａ，５２Ｂ位置に貫通孔１０を形成する。銅微粒子が溶
剤中に分散された液体７を、インクジェット装置のヘッ
ド２から、被覆１の端子５２Ａ上の貫通孔１０から端子
３９Ａ上の貫通孔１０まで連続して吐出する。次に、こ
の構造体Ｋを加熱処理する。
(57) Abstract: A wiring is easily formed between terminals of a special structure. A structure K is formed by disposing a unit block 39 in a depression 54 of a glass substrate 52. On the surface of this structure K, terminals 39A,
39B and a terminal 52 directly formed on the glass substrate 52.
A and 52B are exposed. A coating 1 made of polyvinylpyrrolidone is formed on the surface of the structure K, and each terminal 52
The through holes 10 are formed at the positions A and 52B. The liquid 7 in which copper fine particles are dispersed in a solvent is continuously discharged from the head 2 of the ink jet apparatus to the through hole 10 on the terminal 52A of the coating 1 to the through hole 10 on the terminal 39A. Next, the structure K is subjected to a heat treatment.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特殊な構造体に配
線を形成する方法に関する。[0001] The present invention relates to a method of forming wiring on a special structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子を画素として備える有機Ｅ
Ｌ表示体は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆
動が可能であること、応答性が高速であること、固体有
機膜による発光であることから、表示性能に優れている
とともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能である
ため、将来的に液晶表示体に代わるものとして期待され
ている。2. Description of the Related Art Organic EL devices having organic EL elements as pixels
The L display body is self-luminous with high brightness, can be driven at a low voltage with direct current, has a high response speed, and emits light by a solid organic film. Since it can be made thinner, lighter, and lower in power consumption, it is expected to replace liquid crystal displays in the future.
【０００３】特に、駆動方式がアクティブマトリックス
方式であるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体
は、画素毎に駆動用のトランジスタを備えているため、
高輝度での高精細化が可能であり、多階調化や表示体の
大型化に対応できる。このトランジスタとしては、透明
で大面積の基板上に有機ＥＬ表示体を形成するために、
ガラス基板に形成可能な、低温多結晶シリコン膜を活性
層とする薄膜トランジスタを使用することが提案されて
いる。In particular, an active matrix type organic EL display in which the driving system is an active matrix system has a driving transistor for each pixel.
It is possible to achieve high definition with high luminance, and it is possible to cope with an increase in the number of gradations and the size of a display body. As this transistor, in order to form an organic EL display on a transparent and large-area substrate,
It has been proposed to use a thin film transistor that can be formed on a glass substrate and has a low-temperature polycrystalline silicon film as an active layer.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、アクテ
ィブマトリックス型有機ＥＬ表示体では、各画素毎に薄
膜トランジスタを形成する必要があるが、これを表示体
基板に直接形成すると、画素数の増加に伴って、性能不
良の薄膜トランジスタが形成される可能性が高くなる。As described above, in the active matrix type organic EL display, it is necessary to form a thin film transistor for each pixel. However, when this is formed directly on the display substrate, the number of pixels increases. Accordingly, there is a high possibility that a thin film transistor having poor performance will be formed.
【０００５】これに対して、各画素用の薄膜トランジス
タを、表示用基板とは別の基板上に多数個並列に形成
し、これを単位ブロックに分割して各単位ブロックのト
ランジスタ性能を検査し、良品のみを表示体用基板の各
画素位置に配置すれば、表示体用基板上に性能不良の薄
膜トランジスタが形成されないようにすることができ
る。この場合には、単位ブロックの表面にトランジスタ
の端子を形成しておき、表示用基板の各画素位置に単位
ブロックを配置した後に、この端子を使用して各単位ブ
ロックのトランジスタを配線で接続する必要がある。On the other hand, a large number of thin film transistors for each pixel are formed in parallel on a substrate different from the display substrate, which is divided into unit blocks, and the transistor performance of each unit block is inspected. By arranging only non-defective products at each pixel position of the display substrate, it is possible to prevent a thin-film transistor having poor performance from being formed on the display substrate. In this case, a transistor terminal is formed on the surface of the unit block, the unit block is arranged at each pixel position on the display substrate, and the transistor of each unit block is connected by wiring using this terminal. There is a need.
【０００６】本発明は、このような特殊な構造体の端子
間に、配線を簡単に形成する方法を提供することを課題
とする。An object of the present invention is to provide a method for easily forming a wiring between terminals of such a special structure.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板とその所定位置に配置された単位ブ
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子
間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体
の表面に親液性（液体によって濡れ易い性質）の絶縁膜
を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫
通孔を形成した後、配線形成材料として導電性材料また
は導電性材料の前駆体と溶剤とを含む液体を用い、この
液体をインクジェット法により前記貫通孔を含む配線形
成部に配置した後、この配置された液体から溶剤を蒸発
させる処理と導電性材料の前駆体を使用した場合にはこ
の前駆体を導電性材料にする処理を行うことを特徴とす
る配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第１
の方法と定義する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a substrate and a unit block disposed at a predetermined position of the substrate, wherein terminals are formed on the surface of the unit block and / or the substrate. Forming a wiring connecting these terminals to a structure having a lyophilic property (the property of being easily wetted by a liquid) on the surface of the structure. After forming a through hole in a portion corresponding to the terminal, a liquid containing a conductive material or a precursor of the conductive material and a solvent is used as a wiring forming material, and the liquid is used to form a wiring including the through hole by an inkjet method. Forming a wiring, characterized by performing a process of evaporating a solvent from the disposed liquid and a process of converting the precursor to a conductive material when a precursor of the conductive material is used, Method To provide. This method is referred to as the first method of the present invention.
Method.
【０００８】この方法で使用可能な液体（配線形成材
料）としては、導電性材料からなる微粒子が溶剤に分散
されている液体や、導電性高分子または導電性高分子の
前駆体が溶剤に溶けている溶液が挙げられる。導電性材
料からなる微粒子としては、金、銀、または銅を含む微
粒子が挙げられる。導電性高分子としてはポリチオフェ
ン、ポリアニリン等が挙げられる。導電性高分子の前駆
体としては、ポリチオフェンの前駆体、ポリアニリンの
前駆体等が挙げられる。溶剤としては、水やアルコール
等の極性溶剤が挙げられる。The liquid (wiring forming material) usable in this method includes a liquid in which fine particles made of a conductive material are dispersed in a solvent, and a conductive polymer or a precursor of a conductive polymer dissolved in a solvent. Solution. Examples of the fine particles made of a conductive material include fine particles containing gold, silver, or copper. Examples of the conductive polymer include polythiophene and polyaniline. Examples of the precursor of the conductive polymer include a precursor of polythiophene and a precursor of polyaniline. Examples of the solvent include polar solvents such as water and alcohol.
【０００９】本発明はまた、前記第１の方法において、
前記絶縁膜上にこの絶縁膜とは異なる材料からなり表面
が撥液性である被膜を形成し、この被膜の配線形成部に
相当する部分を除去した後、この除去された部分に前記
液体をインクジェット法により配置する配線の形成方法
を提供する。この方法を本発明の第２の方法と定義す
る。[0009] The present invention also relates to the first method, wherein:
After forming a film made of a material different from the insulating film and having a liquid-repellent surface on the insulating film, removing a portion corresponding to a wiring forming portion of the film, and applying the liquid to the removed portion. Provided is a method for forming a wiring to be arranged by an inkjet method. This method is defined as the second method of the present invention.
【００１０】第２の方法では、前記被膜を自己組織化膜
とすることが好ましい。第２の方法では、前記絶縁膜を
ポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールと
し、フルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形
成することが好ましい。フルオロアルキルシランとして
は、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキ
シシラン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリ
クロロシラン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチル
トリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシ
シラン等が挙げられる。In the second method, the coating is preferably a self-assembled film. In the second method, it is preferable that the insulating film is polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol, and the self-assembled film is formed using fluoroalkylsilane. Examples of the fluoroalkylsilane include heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane, heptadecafluorotetrahydrodecyltrichlorosilane, tridecafluorotetrahydrooctyltrichlorosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, and the like.
【００１１】本発明において「自己組織化膜」とは、膜
形成面の構成原子と結合可能な官能基が直鎖分子に結合
されている化合物を、気体または液体の状態で膜形成面
と共存させることにより、前記官能基が膜形成面に吸着
して膜形成面の構成原子と結合し、直鎖分子を外側に向
けて形成された緻密な単分子膜である。この単分子膜
は、化合物の膜形成面に対する自発的な化学吸着によっ
て形成されることから、自己組織化膜と称される。In the present invention, the term “self-assembled film” refers to a compound in which a functional group capable of binding to a constituent atom on the film-forming surface is bonded to a linear molecule in the gas or liquid state. By doing so, the functional group is adsorbed on the film-forming surface and bonded to the constituent atoms of the film-forming surface to form a dense monomolecular film with straight-chain molecules directed outward. This monomolecular film is called a self-assembled film because it is formed by spontaneous chemical adsorption of the compound to the film-forming surface.
【００１２】なお、自己組織化膜については、Ａ．Ｕｌ
ｍａｎ著の「Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ
Ｕｌｔｒａｔｈｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｌｍ ｆｒ
ｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ ｔｏ Ｓｅ
ｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅ
ｓｓ Ｉｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳
細に記載されている。The self-assembled film is described in A.I. Ul
"Introduction to"
Ultrathin Organic Film fr
omlangmuir-Blodgett to Se
If-Assembly ”(Academic Pre
ss Inc. (Boston, 1991) in Chapter 3.
【００１３】親水性の膜形成面（ヒドロキシル基等の親
水基が存在する膜形成面）に対してフルオロアルキルシ
ランを用いて自己組織化膜を形成すると、フルオロアル
キルシランのシリル基と膜形成面のヒドロキシル基との
間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子
の末端にフルオロアルキル基（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）n −）
が配置されるため、得られる自己組織化膜の表面は撥液
性（液体によって濡れ難い性質）となる。When a self-assembled film is formed using a fluoroalkylsilane on a hydrophilic film-forming surface (a film-forming surface having a hydrophilic group such as a hydroxyl group), the silyl group of the fluoroalkylsilane and the film-forming surface are formed. A siloxane bond is formed by hydrolysis with the hydroxyl group of the compound, and a fluoroalkyl group (CF 3 (CF 2 ) n −) is added to the terminal of the linear molecule.
Are disposed, the surface of the obtained self-assembled film has liquid repellency (a property that is hardly wet by liquid).
【００１４】したがって、第２の方法において、絶縁膜
をポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコール
（親水基を含む分子からなる物質）で構成することによ
って膜形成面を親水性とし、自己組織化膜の材料として
フルオロアルキルシランを用いれば、前記絶縁膜の上に
形成された自己組織化膜の表面は撥液性となる。本発明
はまた、基板とその所定位置に配置された単位ブロック
とで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面
に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接
続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面
に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する
部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫
通孔内にアミノ基またはチオール基を有する化合物から
なる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外に相当す
る部分を除去した後、無電解めっきを行うことにより、
前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする
配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第３の
方法と定義する。Therefore, in the second method, the insulating film is made of polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol (substance composed of molecules containing a hydrophilic group) to make the film-forming surface hydrophilic, and the self-assembled film is made of fluorocarbon. When alkylsilane is used, the surface of the self-assembled film formed on the insulating film becomes lyophobic. The present invention also provides a structure comprising a substrate and a unit block disposed at a predetermined position thereof, wherein a wiring connecting the terminals is formed in a structure having terminals formed on the surface of the unit block and / or the substrate. Forming an insulating film on the surface of the structure, forming a through hole in a portion of the insulating film corresponding to the terminal, and then forming an amino group or an amino group on the insulating film and in the through hole. By forming a film made of a compound having a thiol group, and removing a portion corresponding to a portion other than the wiring formation portion of the film, by performing electroless plating,
A method for forming a wiring is provided, wherein a wiring is formed on a remaining portion of the coating. This method is defined as the third method of the present invention.
【００１５】第３の方法では、前記被膜をアミノ基また
はチオール基が表面に配置された自己組織化膜とするこ
とが好ましい。第３の方法では、前記絶縁膜はポリビニ
ルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなり、ア
ミノ基またはチオール基を有する、メトキシシラン類、
エトキシシラン類、またはクロロシラン類を用いて自己
組織化膜を形成することが好ましい。自己組織化膜の材
料としては、アミノプロピルトリエトキシシランおよび
メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いることが
特に好ましい。In the third method, the coating is preferably a self-assembled film having amino or thiol groups disposed on the surface. In a third method, the insulating film is made of polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol, and has an amino group or a thiol group, methoxysilanes,
It is preferable to form a self-assembled film using ethoxysilanes or chlorosilanes. It is particularly preferable to use aminopropyltriethoxysilane and mercaptopropyltriethoxysilane as the material of the self-assembled film.
【００１６】第３の方法では、無電解めっきの前処理と
してパラジウムを付着させる処理を行うことが好まし
い。ここで、第３の方法において、前記絶縁膜の表面を
親水性の面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する面）
とし、自己組織化膜の材料として、例えば、アミノプロ
ピルトリエトキシシランまたはメルカプトプロピルトリ
エトキシシランを用いれば、これらの化合物のシリル基
と絶縁膜表面のヒドロキシル基との間に加水分解によっ
てシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にアミノ基ま
たはチオール基が配置される。これにより、この自己組
織化膜の表面にアミノ基またはチオール基が存在する。In the third method, it is preferable to perform a treatment for adhering palladium as a pretreatment for the electroless plating. Here, in the third method, the surface of the insulating film is made to have a hydrophilic surface (a surface having a hydrophilic group such as a hydroxyl group).
If, for example, aminopropyltriethoxysilane or mercaptopropyltriethoxysilane is used as the material of the self-assembled film, a siloxane bond is formed between the silyl group of these compounds and the hydroxyl group on the surface of the insulating film by hydrolysis. The result is an amino or thiol group located at the end of the linear molecule. Thus, an amino group or a thiol group exists on the surface of the self-assembled film.
【００１７】そして、アミノ基およびチオール基はパラ
ジウムと配位結合すると考えられるため、この配位結合
力により、この自己組織化膜の表面にパラジウム化合物
が安定的に存在できると推測される。したがって、この
自己組織化膜の残存部分に無電解パラジウムめっきを行
うか、パラジウムを付着させる処理を行った後に無電解
めっきを行うことにより、この部分にのみ無電解めっき
膜が付着するようになる。そして、この部分は配線形成
部に相当するため、この第３の方法によって無電解めっ
き膜からなる配線が形成される。Since the amino group and the thiol group are considered to coordinate with palladium, it is presumed that the palladium compound can be stably present on the surface of the self-assembled film by the coordination bonding force. Therefore, by performing electroless palladium plating on the remaining portion of the self-assembled film or performing electroless plating after performing a process of attaching palladium, the electroless plating film comes to adhere only to this portion. . Since this portion corresponds to a wiring forming portion, a wiring made of an electroless plating film is formed by the third method.
【００１８】本発明はまた、基板とその所定位置に配置
された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび
／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、
これらの端子間を接続する配線を形成する方法であっ
て、この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜
の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この
絶縁膜上および前記貫通孔内にチオール基を有する化合
物からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外の
部分を除去した後、有機金属化合物または金属錯体を含
む液体をこの被膜上に供給して加熱処理することによ
り、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴と
する配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第
４の方法と定義する。The present invention also provides a structure comprising a substrate and a unit block disposed at a predetermined position thereof, wherein a terminal is formed on the surface of the unit block and / or the substrate.
A method of forming a wiring connecting these terminals, comprising forming an insulating film on the surface of the structure, forming a through hole in a portion of the insulating film corresponding to the terminal, and then forming the insulating film After forming a film made of a compound having a thiol group on the top and in the through hole, removing a portion other than the wiring forming portion of the film, supplying a liquid containing an organometallic compound or a metal complex onto the film. A method for forming a wiring is provided, wherein a wiring is formed on a remaining portion of the coating by heat treatment. This method is defined as the fourth method of the present invention.
【００１９】第４の方法では、金、銀、銅、イリジウ
ム、ガリウム、または砒素からなる金属原子を構成原子
として有する有機金属化合物または金属錯体を使用する
ことが好ましい。第４の方法では、前記被膜をチオール
基が表面に配置された自己組織化膜とすることが好まし
い。第４の方法では、前記絶縁膜はポリビニルピロリド
ンまたはポリビニルアルコールからなり、３−メルカプ
トプロピルトリメトキシシランまたは３−メルカプトプ
ロピルトリエトキシシランを用いて自己組織化膜を形成
することが好ましい。In the fourth method, it is preferable to use an organometallic compound or a metal complex having a metal atom composed of gold, silver, copper, iridium, gallium, or arsenic as a constituent atom. In the fourth method, the coating is preferably a self-assembled film having thiol groups disposed on the surface. In the fourth method, it is preferable that the insulating film is made of polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol, and the self-assembled film is formed using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane or 3-mercaptopropyltriethoxysilane.
【００２０】チオール基は、金、銀、銅、イリジウム、
ガリウム、砒素等の金属と、共有結合に近い結合力で安
定的に結合する。これらの金属原子は、有機金属化合物
を構成する金属や、金属錯体の中心元素として存在する
原子である。ここで、第４の方法において、前記絶縁膜
の表面を親水性の面（ヒドロキシル基等の親水基が存在
する面）とし、自己組織化膜の材料として、例えば、３
−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いれば、
これらの化合物のシリル基と絶縁膜表面のヒドロキシル
基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直
鎖分子の末端にチオール基が配置される。これにより、
この自己組織化膜の表面にチオール基が存在する。The thiol group includes gold, silver, copper, iridium,
It is stably bonded to metals such as gallium and arsenic with a bonding force close to a covalent bond. These metal atoms are atoms that exist as metals constituting the organometallic compound or as central elements of the metal complex. Here, in the fourth method, the surface of the insulating film is a hydrophilic surface (a surface on which a hydrophilic group such as a hydroxyl group is present), and the material of the self-assembled film is, for example, 3
-With mercaptopropyltriethoxysilane,
A siloxane bond is generated by hydrolysis between the silyl group of these compounds and the hydroxyl group on the surface of the insulating film, and the thiol group is located at the terminal of the linear molecule. This allows
A thiol group exists on the surface of the self-assembled film.
【００２１】したがって、金、銀、銅、イリジウム、ガ
リウム、砒素等の金属原子を構成原子とする有機金属化
合物または金属錯体を含む液体を、この自己組織化膜上
に供給して加熱することにより、有機金属化合物または
金属錯体の前記金属原子とチオール基に結合が生じてこ
の金属原子から配位子が外れ、自己組織化膜の残存部分
にのみ前記金属原子からなる導電層が形成される。そし
て、この部分は配線形成部に相当するため、この第４の
方法によって配線が形成される。Therefore, a liquid containing an organometallic compound or a metal complex having metal atoms such as gold, silver, copper, iridium, gallium, and arsenic as constituent atoms is supplied onto the self-assembled film and heated. Then, a bond is generated between the metal atom and the thiol group of the organometallic compound or the metal complex, and the ligand is released from the metal atom, so that a conductive layer made of the metal atom is formed only in the remaining portion of the self-assembled film. Since this portion corresponds to a wiring forming portion, a wiring is formed by the fourth method.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。 〔第１実施形態〕図１〜４を用いて、本発明の第１の方
法に相当する実施形態を説明する。先ず、図３に示すよ
うに、単位ブロック３９の微細構造（トランジスタ等の
素子を含む回路）を、シリコンウエハ４１上に多数個並
列に形成する。次に、このシリコンウエハ４１を分割線
５１で分割することにより、多数の単位ブロック３９を
得る。各単位ブロック３９の表面には素子の端子が形成
されている。Embodiments of the present invention will be described below. [First Embodiment] An embodiment corresponding to a first method of the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 3, a plurality of microstructures (circuits including elements such as transistors) of unit blocks 39 are formed in parallel on a silicon wafer 41. Next, a large number of unit blocks 39 are obtained by dividing the silicon wafer 41 by dividing lines 51. Element terminals are formed on the surface of each unit block 39.
【００２３】一方、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板５２には、エッチング等の工程により、単位ブロック
３９を配置する位置に窪み５４を設けておく。単位ブロ
ック３９の端面はシリコン単結晶の劈開面に沿って斜め
に切断されているため、ガラス基板５２の窪み５４の内
壁面を、この単位ブロック３９の斜面に合わせた形状に
しておく。また、ガラス基板５２の表面の所定位置に端
子５２Ａ，５２Ｂを予め形成しておく。On the other hand, as shown in FIG. 1A, a depression 54 is provided in the glass substrate 52 at a position where the unit block 39 is to be arranged by a process such as etching. Since the end face of the unit block 39 is cut obliquely along the cleavage plane of the silicon single crystal, the inner wall surface of the depression 54 of the glass substrate 52 is formed in a shape corresponding to the slope of the unit block 39. Also, terminals 52A and 52B are formed in advance at predetermined positions on the surface of the glass substrate 52.
【００２４】そして、図４に示すように、このガラス基
板５２と単位ブロック３９を液体５３中に入れ、単位ブ
ロック３９をガラス基板５２の表面（窪み５４が形成さ
れている面）に沿って流動させることにより、単位ブロ
ック３９を窪み５４に嵌め入れる。その結果、単位ブロ
ック３９がガラス基板５２の所定位置に配置された構造
体Ｋが得られる。図１（ｂ）はこの状態を示す。この構
造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，３
９Ｂとガラス基板５２に直接形成された端子５２Ａ，５
２Ｂが露出している。Then, as shown in FIG. 4, the glass substrate 52 and the unit block 39 are put into a liquid 53, and the unit block 39 flows along the surface of the glass substrate 52 (the surface on which the depression 54 is formed). By doing so, the unit block 39 is fitted into the recess 54. As a result, a structure K in which the unit blocks 39 are arranged at predetermined positions on the glass substrate 52 is obtained. FIG. 1B shows this state. The terminals 39A, 39 of the unit block 39 are provided on the surface of the structure K.
9B and terminals 52A, 5A directly formed on the glass substrate 52.
2B is exposed.
【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、この構造
体Ｋの表面（各端子が露出している面）全体に対して、
ポリビニルピロリドンからなる被膜１を形成する。この
被膜１は、例えば、ポリビニルピロリドンをメタノール
等の溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布した
後、溶剤を蒸発させることにより形成できる。この被膜
１は、この構造体Ｋの表面の保護膜且つ絶縁膜であると
ともに、単位ブロック３９を窪み５４内に固定する固定
化膜としても機能する。この被膜１の厚さは例えば２〜
３μｍとする。Next, as shown in FIG. 1C, the entire surface of the structure K (the surface where each terminal is exposed) is
A coating 1 made of polyvinylpyrrolidone is formed. The coating 1 can be formed, for example, by applying a solution of polyvinylpyrrolidone in a solvent such as methanol by spin coating, and then evaporating the solvent. The coating 1 is a protective film and an insulating film on the surface of the structure K, and also functions as a fixing film for fixing the unit block 39 in the recess 54. The thickness of this coating 1 is, for example, 2 to 2.
3 μm.
【００２６】次に、図１（ｄ）に示すように、この被膜
１の単位ブロック３９の端子３９Ａの部分に、インクジ
ェット装置のヘッド２からメタノール３を吐出する。こ
れにより、ポリビニルピロリドンはメタノールに溶解す
るため、被膜１の端子３９Ａの部分がメタノール３で破
壊される。その結果、被膜１に貫通孔１０が形成されて
端子３９Ａが露出する。単位ブロック３９の端子３９Ａ
と接続するガラス基板５２の端子５２Ａについても、こ
れと同様にインクジェット法で貫通孔１０を形成する。
インクジェット装置のヘッド２の吐出孔の直径は例えば
３０μｍ程度とする。Next, as shown in FIG. 1D, methanol 3 is discharged from the head 2 of the ink jet apparatus to the terminal 39A of the unit block 39 of the coating 1. As a result, the polyvinylpyrrolidone dissolves in the methanol, so that the portion of the terminal 39A of the coating 1 is broken by the methanol 3. As a result, the through hole 10 is formed in the coating 1 and the terminal 39A is exposed. Terminal 39A of unit block 39
Similarly, the through holes 10 are formed by the ink jet method for the terminal 52A of the glass substrate 52 connected to the substrate.
The diameter of the ejection hole of the head 2 of the ink jet device is, for example, about 30 μm.
【００２７】次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所
定の液体で洗浄すること等により、被膜１の表面および
貫通孔１０内に残存するメタノールを除去する。この洗
浄用の液体としては、ポリビニルピロリドン被膜１およ
び端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。次
に、図２（ａ）に示すように、金属微粒子が溶剤中に分
散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２か
ら、被覆１の端子５２Ａ上の貫通孔１０から端子３９Ａ
上の貫通孔１０まで連続して吐出する。この液体７は、
図２（ｂ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１の上
側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両
貫通孔１０間の被膜１上には配線幅に応じた所定幅で吐
出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱す
るか、減圧装置に入れて減圧することによって、図２
（ｂ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。Next, in this state, the surface of the structure K is washed with a predetermined liquid or the like to remove methanol remaining on the surface of the coating 1 and in the through holes 10. As the cleaning liquid, a liquid that does not dissolve the polyvinylpyrrolidone film 1 and the terminals 39A and 52A is used. Next, as shown in FIG. 2A, a liquid 7 in which metal fine particles are dispersed in a solvent is supplied from the head 2 of the inkjet apparatus to the through-hole 10 on the terminal 52A of the coating 1 through the terminal 39A.
The liquid is continuously discharged to the upper through hole 10. This liquid 7
As shown in FIG. 2B, both through-holes 10 are filled with a sufficient amount to reach the upper side of the coating 1, and the through-holes 10 are formed on the coating 1 between the two through-holes 10 according to the wiring width. Discharge at a predetermined width. Next, the structure K is heated by putting it in a heating device or put in a decompression device to reduce the pressure in FIG.
The solvent is evaporated from the liquid 7 in the state (b).
【００２８】これにより、図２（ｃ）に示すように、単
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７
に含まれていた金属微粒子からなる。 〔第２実施形態〕図５および６を用いて本発明の第２の
方法に相当する実施形態を説明する。As a result, as shown in FIG. 2C, the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 5 of the glass substrate 52 are connected.
2A is connected by wiring 70. The wiring 70 is made of the liquid 7
Consisting of fine metal particles contained in [Second Embodiment] An embodiment corresponding to the second method of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００２９】先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体
Ｋの作製とこの構造体Ｋの表面に対するポリビニルアル
コール被膜（絶縁膜）１Ａの形成を行う。ただし、ポリ
ビニルアルコール被膜１Ａの形成は、例えばポリビニル
アルコール水溶液を用いて行う。図５（ａ）はこの状態
を示す。次に、この構造体Ｋとヘプタデカフルオロテト
ラヒドロデシルトリエトキシシランを同一の密閉容器に
入れて、５時間１２０℃で放置することにより、被膜１
Ａの上に自己組織化膜４を形成する。図５（ｂ）はこの
状態を示す。ここで、ポリビニルアルコール被膜１Ａの
上にヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキ
シシランを用いて形成された自己組織化膜４の表面は撥
液性となる。First, in the same manner as in the first embodiment, fabrication of the structure K and formation of a polyvinyl alcohol coating (insulating film) 1A on the surface of the structure K are performed. However, the formation of the polyvinyl alcohol coating 1A is performed using, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol. FIG. 5A shows this state. Next, this structure K and heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane were placed in the same closed container, and left at 120 ° C. for 5 hours to form the coating 1
A self-assembled film 4 is formed on A. FIG. 5B shows this state. Here, the surface of the self-assembled film 4 formed on the polyvinyl alcohol coating 1A using heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane becomes lyophobic.
【００３０】次に、図５（ｃ）に示すように、自己組織
化膜４の上に、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス
基板５２の端子５２Ａの位置に紫外線透過部５Ａを有す
るフォトマスク５を置き、このフォトマスク５を介して
自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射す
る。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部
分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分
解され）て除去されるため、図５（ｄ）に示すように、
自己組織化膜４の端子３９Ａ，５２Ａの位置に貫通孔４
Ａが形成される。Next, as shown in FIG. 5C, a photomask 5 having an ultraviolet transmitting portion 5A on the self-assembled film 4 at the position of the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 52A of the glass substrate 52. And the self-assembled film 4 is irradiated with ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm through the photomask 5. Here, since the portion of the self-assembled film 4 irradiated with the ultraviolet rays 6 is destroyed by the ultraviolet rays 6 (molecules constituting the film are decomposed) and removed, as shown in FIG.
The through holes 4 are formed at the positions of the terminals 39A and 52A of the self-assembled film 4.
A is formed.
【００３１】次に、図５（ｅ）に示すように、これらの
貫通孔４Ａに、インクジェット装置のヘッド２から水３
０を吐出する。ここで、前述のように、自己組織化膜４
の表面は撥液性であるため、極性溶媒である水３０は、
自己組織化膜４の表面に止まらずに貫通孔４Ａ内に積極
的に入る。図５（ｆ）はこの状態を示す。これにより、
貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの
部分が水３０で効率的に破壊される。その結果、ポリビ
ニルアルコール被膜１Ａの端子３９Ａ，５２Ａに対応す
る部分に貫通孔１０が形成されて、端子３９Ａ，５２Ａ
が露出する。図５（ｅ）はこの状態を示す。Next, as shown in FIG. 5 (e), water 3 is supplied from the head 2 of the ink jet apparatus to these through holes 4A.
0 is ejected. Here, as described above, the self-assembled film 4
Is a liquid repellent, the water 30 which is a polar solvent is
It does not stop on the surface of the self-assembled film 4 but actively enters the through hole 4A. FIG. 5F shows this state. This allows
The portion of the polyvinyl alcohol coating 1A corresponding to the through hole 4A is efficiently destroyed by the water 30. As a result, the through holes 10 are formed in portions of the polyvinyl alcohol coating 1A corresponding to the terminals 39A and 52A, and the terminals 39A and 52A are formed.
Is exposed. FIG. 5E shows this state.
【００３２】次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所
定の液体で洗浄すること等により、被膜１Ａの貫通孔１
０内に残存する水を除去する。この洗浄用の液体として
は、ポリビニルアルコール被膜１Ａおよび端子３９Ａ，
５２Ａを溶解させない液体を用いる。次に、図６（ａ）
に示すように、自己組織化膜４の上に、配線パターンに
応じた紫外線透過部８Ａが形成されているフォトマスク
８を置き、このフォトマスク８を介して自己組織化膜４
に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己
組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６に
より破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去さ
れるため、自己組織化膜４の配線パターンに応じた部分
が所定幅で除去される。図６（ｂ）はこの状態を示す。Next, in this state, the surface of the structure K is washed with a predetermined liquid, etc.
The water remaining in 0 is removed. The cleaning liquid includes a polyvinyl alcohol coating 1A and terminals 39A,
Use a liquid that does not dissolve 52A. Next, FIG.
As shown in FIG. 3, a photomask 8 having an ultraviolet transmitting portion 8A corresponding to a wiring pattern is placed on the self-assembled film 4, and the self-assembled film 4 is
Is irradiated with ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm. Here, the portion of the self-assembled film 4 irradiated with the ultraviolet rays 6 is destroyed by the ultraviolet rays 6 (molecules constituting the film are decomposed) and removed, so that the portion according to the wiring pattern of the self-assembled film 4 is used. The part is removed with a predetermined width. FIG. 6B shows this state.
【００３３】この状態で、金属微粒子が溶剤中に分散さ
れた液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被
膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５に
吐出する。この液体７は、図６（ｃ）に示すように、両
貫通孔１０には被膜１Ａの上側までかかるような十分な
量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１Ａ上
には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造
体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて
減圧することによって、図６（ｃ）の状態の液体７から
溶剤を蒸発させる。In this state, the liquid 7 in which the metal fine particles are dispersed in the solvent is discharged from the head 2 of the ink jet apparatus to the portion 45 on the coating 1A where the self-assembled film 4 has been removed. As shown in FIG. 6C, the liquid 7 fills both through holes 10 with a sufficient amount to reach the upper side of the coating 1A, and the through holes 10 are coated on the coating 1A between the two through holes 10. Is discharged at a predetermined width according to the wiring width. Next, the solvent is evaporated from the liquid 7 in the state shown in FIG. 6C by heating the structure K in a heating device or by reducing the pressure in a pressure reducing device.
【００３４】これにより、図６（ｄ）に示すように、単
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７
に含まれていた金属微粒子からなる。ここで使用する液
体７の溶剤は、極性溶媒であることが好ましい。溶剤が
極性溶媒である液体７は、親水基を含む分子からなる被
膜１Ａとの親和力が高いため、この被膜１Ａの貫通孔１
０および被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている
部分４５内に安定的に配置される。 〔第３実施形態〕図７を用いて本発明の第３の方法に相
当する実施形態を説明する。As a result, as shown in FIG. 6D, the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 5 of the glass substrate 52 are connected.
2A is connected by wiring 70. The wiring 70 is made of the liquid 7
Consisting of fine metal particles contained in The solvent of the liquid 7 used here is preferably a polar solvent. The liquid 7 in which the solvent is a polar solvent has a high affinity for the coating 1A made of molecules containing hydrophilic groups, and therefore, the through-holes 1 of this coating 1A
And the self-assembled film 4 on the coating 1A is stably disposed in the portion 45 from which the self-assembled film 4 has been removed. [Third Embodiment] An embodiment corresponding to the third method of the present invention will be described with reference to FIG.
【００３５】先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体
Ｋの作製、この構造体Ｋの表面に対するポリビニルピロ
リドン被膜１の形成、被膜１に対する貫通孔１０の形成
を行う。次に、図７（ａ）に示すように、被膜１上およ
び貫通孔１０内に、アミノプロピルトリエトキシシラン
を用いて自己組織化膜４０を形成する。次に、この自己
組織化膜４０の上に、配線パターンに応じて配線形成部
に紫外線遮蔽部８０Ａが形成されているフォトマスク８
０を置き、このフォトマスク８０を介して自己組織化膜
４０に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。First, the structure K is formed, the polyvinylpyrrolidone film 1 is formed on the surface of the structure K, and the through hole 10 is formed in the film 1 in the same manner as in the first embodiment. Next, as shown in FIG. 7A, a self-assembled film 40 is formed on the film 1 and in the through holes 10 using aminopropyltriethoxysilane. Next, on the self-assembled film 40, a photomask 8 having an ultraviolet shielding portion 80A formed in a wiring forming portion according to a wiring pattern.
Then, the self-assembled film 40 is irradiated with ultraviolet rays 6 having a wavelength of 172 nm through the photomask 80.
【００３６】ここで、自己組織化膜４０の紫外線６が照
射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成す
る分子が分解され）て除去されるため、図７（ｂ）に示
すように、自己組織化膜４０の配線形成部以外に相当す
る部分が除去されて、配線形成部に相当する部分のみが
残る。次に、この状態で、構造体Ｋを、以下のようにし
て調合されたパラジウム処理液に室温で２分間浸漬する
ことにより、自己組織化膜４０の表面にパラジウムを付
着させる。パラジウム処理液は以下のようにして調合す
る。先ず、パラジウム塩を濃度０．２重量％で、塩化水
素を濃度４．０重量％で含有する水溶液を用意し、この
水溶液３０ミリリットルを１リットルの水で希釈する。この液体に
水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを５．２に調整す
る。Here, the part of the self-assembled film 40 irradiated with the ultraviolet rays 6 is destroyed by the ultraviolet rays 6 (molecules constituting the film are decomposed) and removed, so that as shown in FIG. Then, the portion of the self-assembled film 40 corresponding to the portion other than the wiring forming portion is removed, and only the portion corresponding to the wiring forming portion remains. Next, in this state, the structure K is immersed in a palladium treatment solution prepared as described below at room temperature for 2 minutes, so that palladium is adhered to the surface of the self-assembled film 40. The palladium treatment liquid is prepared as follows. First, an aqueous solution containing a palladium salt at a concentration of 0.2% by weight and hydrogen chloride at a concentration of 4.0% by weight is prepared, and 30 ml of this aqueous solution is diluted with 1 liter of water. An aqueous sodium hydroxide solution is added to the liquid to adjust the pH to 5.2.
【００３７】このパラジウム処理液への浸漬を行った
後、この構造体Ｋを流水中で３分間洗浄する。次に、７
０℃ｐＨ４．６の無電解ニッケルめっき浴に１分間浸漬
することにより、無電解ニッケルめっきを行う。無電解
ニッケルめっき浴としては、ニッケル塩化物を３０ｇ／
リットルの濃度で、次亜燐酸ナトリウムを１０ｇ／リットルの濃
度で含有するものを用いた。After immersion in the palladium treatment solution, the structure K is washed in running water for 3 minutes. Next, 7
Electroless nickel plating is performed by immersing in an electroless nickel plating bath at 0 ° C. and pH 4.6 for 1 minute. As the electroless nickel plating bath, nickel chloride is 30 g /
A solution containing sodium hypophosphite at a concentration of 10 g / liter was used.
【００３８】ここで、自己組織化膜４０の表面にはアミ
ノ基が存在するため、このアミノ基とパラジウムと配位
結合によって、配線形成部に相当する部分のみに存在す
る自己組織化膜４０の表面にパラジウムが付着し、この
パラジウム付着部分にニッケルめっき膜が形成される。
これにより、図７（ｃ）に示すように、単位ブロック３
９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが、ニッ
ケルめっき膜からなる配線９で接続される。 〔第４実施形態〕図８を用いて本発明の第４の方法に相
当する実施形態を説明する。Here, since an amino group is present on the surface of the self-assembled film 40, the amino group and palladium are coordinated with each other to form the self-assembled film 40 existing only in the portion corresponding to the wiring forming portion. Palladium adheres to the surface, and a nickel plating film is formed on the portion where the palladium adheres.
As a result, as shown in FIG.
The terminal 39A of No. 9 and the terminal 52A of the glass substrate 52 are connected by the wiring 9 made of a nickel plating film. [Fourth Embodiment] An embodiment corresponding to the fourth method of the present invention will be described with reference to FIG.
【００３９】先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体
Ｋの作製、この構造体Ｋの表面に対するポリビニルピロ
リドン被膜１の形成、被膜１に対する貫通孔１０の形成
を行う。次に、図８（ａ）に示すように、被膜１上およ
び貫通孔１０内に、３−メルカプトプロピルトリメトキ
シシランを用いて自己組織化膜４８を形成する。次に、
この自己組織化膜４８の上に、配線パターンに応じて配
線形成部に紫外線遮蔽部８０Ａが形成されているフォト
マスク８０を置き、このフォトマスク８０を介して自己
組織化膜４８に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。First, a structure K is formed, a polyvinylpyrrolidone film 1 is formed on the surface of the structure K, and a through hole 10 is formed in the film 1 in the same manner as in the first embodiment. Next, as shown in FIG. 8A, a self-assembled film 48 is formed on the coating film 1 and in the through holes 10 using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane. next,
On this self-assembled film 48, a photomask 80 in which an ultraviolet shielding portion 80A is formed in a wiring forming portion in accordance with a wiring pattern is placed. Irradiate ultraviolet rays 6.
【００４０】ここで、自己組織化膜４８の紫外線６が照
射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成す
る分子が分解され）て除去されるため、図８（ｂ）に示
すように、自己組織化膜４８の配線形成部以外に相当す
る部分が除去されて、配線形成部に相当する部分のみが
残る。次に、この状態の構造体Ｋを、容器内に入れたク
ロロ（トリメチルフォスフィン）ゴールドのトルエン／
キシレン溶液に浸漬し、この容器を密封状態にして８０
℃で２時間放置した。ここで、自己組織化膜４８の表面
にはチオール基が存在するため、このアミノ基とクロロ
（トリメチルフォスフィン）ゴールドの金が結合して金
原子から配位子が外れ、配線形成部に相当する部分のみ
に存在する自己組織化膜４８の表面に金薄膜が形成され
る。Here, the part of the self-assembled film 48 irradiated with the ultraviolet rays 6 is destroyed by the ultraviolet rays 6 (molecules constituting the film are decomposed) and removed, so that as shown in FIG. Then, the portion of the self-assembled film 48 corresponding to the portion other than the wiring formation portion is removed, and only the portion corresponding to the wiring formation portion remains. Next, the structure K in this state was mixed with chloro (trimethylphosphine) gold toluene /
The container is immersed in a xylene solution, and the container is sealed.
It was left for 2 hours at ° C. Here, since a thiol group is present on the surface of the self-assembled film 48, the amino group and gold of chloro (trimethylphosphine) gold are bonded and the ligand is displaced from the gold atom, which corresponds to a wiring forming portion. The gold thin film is formed on the surface of the self-assembled film 48 existing only in the portion where the thin film is formed.
【００４１】これにより、図８（ｃ）に示すように、単
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが、金薄膜からなる配線１９で接続される。以上の
ように、これらの実施形態の方法によれば、構造体Ｋの
単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子
５２Ａを接続する配線が、容易に形成される。また、こ
れらの実施形態の方法によれば、構造体Ｋの端子３９
Ａ，５２Ａの部分に、配線間接続孔（貫通孔１０）を簡
単に形成することができる。As a result, as shown in FIG. 8C, the terminal 39A of the unit block 39 and the terminal 5 of the glass substrate 52
2A are connected by a wiring 19 made of a gold thin film. As described above, according to the methods of these embodiments, the wiring connecting the terminal 39A of the unit block 39 of the structure K and the terminal 52A of the glass substrate 52 is easily formed. Further, according to the method of these embodiments, the terminal 39 of the structure K
A connection hole between wirings (through-hole 10) can be easily formed in the portions A and 52A.
【００４２】特に、第２実施形態では、表面が撥液性と
なる自己組織化膜４を親水性のポリビニルアルコール被
膜１Ａ上に形成し、極性溶媒である水３０を貫通孔４Ａ
内に入れることにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニ
ルアルコール被膜１Ａの部分を水３０で効率的に破壊す
ることができる。また、自己組織化膜４をパターニング
することにより、フォトマスク５の紫外線透過部５Ａが
精度良く貫通孔４Ａに転写されるため、第１実施形態の
方法よりも、配線間接続孔（貫通孔１０）の寸法精度を
高くすることができる。In particular, in the second embodiment, the self-assembled film 4 having a liquid-repellent surface is formed on the hydrophilic polyvinyl alcohol coating 1A, and the polar solvent water 30 is passed through the through-hole 4A.
By putting it inside, the portion of the polyvinyl alcohol coating 1A corresponding to the through hole 4A can be efficiently destroyed by the water 30. Further, by patterning the self-assembled film 4, the ultraviolet transmitting portion 5A of the photomask 5 is accurately transferred to the through hole 4A. ) Can improve the dimensional accuracy.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、基板とその所定位置に配置された単位ブロックと
で構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に
端子が形成されている構造体の端子間に、配線を簡単に
形成することができる。As described above, according to the method of the present invention, a terminal is formed on a surface of a unit block and / or a substrate, which is composed of a substrate and unit blocks arranged at predetermined positions thereof. Wiring can be easily formed between the terminals of the structure.
【図１】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明
する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a first method of the present invention.
【図２】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明
する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a first method of the present invention.
【図３】単位ブロックの形成方法を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a method of forming a unit block.
【図４】構造体の作製方法を説明する図である。FIG. 4 illustrates a method for manufacturing a structure.
【図５】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明
する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to the second method of the present invention.
【図６】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明
する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to the second method of the present invention.
【図７】本発明の第３の方法に相当する実施形態を説明
する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a third method of the present invention.
【図８】本発明の第４の方法に相当する実施形態を説明
する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating an embodiment corresponding to a fourth method of the present invention.
１ 被膜（絶縁膜） １Ａ 被膜（絶縁膜） １０ 被膜の貫通孔（配線間接続孔） ２ インクジェット装置のヘッド ３ メタノール ３０ 水 ４ 自己組織化膜 ４Ａ 自己組織化膜の貫通孔 ４０ 自己組織化膜 ４８ 自己組織化膜 ５ フォトマスク ５Ａ 紫外線透過部 ６ 紫外線 ７ 配線材料の液体 ７０ 銅微粒子からなる配線 ８ フォトマスク ８Ａ 紫外線透過部 ８０ フォトマスク ８０Ａ 紫外線遮蔽部 ９ めっき膜からなる配線 １９ 金薄膜からなる配線 ３９ 単位ブロック ３９Ａ 単位ブロックの端子 ４１ シリコンウエハ ５１ 分割線 ５２ ガラス基板 ５２Ａ ガラス基板の端子 ５２Ｂ ガラス基板の端子 ５４ 窪み Ｋ 構造体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating (insulating film) 1A Coating (insulating film) 10 Coating through-hole (connection hole between wirings) 2 Ink jet head 3 Methanol 30 Water 4 Self-organized film 4A Self-organized film through-hole 40 Self-organized film 48 Self-assembled film 5 Photomask 5A Ultraviolet transmitting part 6 Ultraviolet 7 Wiring material liquid 70 Wiring made of copper fine particles 8 Photomask 8A Ultraviolet transmitting part 80 Photomask 80A Ultraviolet shielding part 9 Wiring made of plating film 19 Gold thin film Wiring 39 Unit block 39A Terminal of unit block 41 Silicon wafer 51 Dividing line 52 Glass substrate 52A Terminal of glass substrate 52B Terminal of glass substrate 54 Depression K structure
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ａ (72)発明者 井上 聡 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 石田 方哉 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 BB05 BB09 DD09 DD20 DD51 DD53 EE18 GG09 GG20 5F033 GG04 HH07 HH13 JJ01 JJ07 JJ13 PP26 PP28 QQ01 QQ09 QQ19 QQ37 QQ54 RR21 SS21 UU01 VV15 XX34 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 27/12 H01L 21/88 A (72) Inventor Satoshi Inoue 3-5-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano Prefecture Seiko Epson Corporation (72) Inventor Masaya Ishida 3-5-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano F-term in Seiko Epson Corporation (reference) 4M104 BB05 BB09 DD09 DD20 DD51 DD53 EE18 GG09 GG20 5F033 GG04 HH07 HH13 JJ01 JJ07 JJ07JJ13 PP26 PP28 QQ01 QQ09 QQ19 QQ37 QQ54 RR21 SS21 UU01 VV15 XX34
Claims (12)
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子
間を接続する配線を形成する方法であって、 この構造体の表面に親液性の絶縁膜を形成して、この絶
縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、
配線形成材料として導電性材料または導電性材料の前駆
体と溶剤とを含む液体を用い、この液体をインクジェッ
ト法により前記貫通孔を含む配線形成部に配置した後、
この配置された液体から溶剤を蒸発させる処理と導電性
材料の前駆体を使用した場合にはこの前駆体を導電性材
料にする処理を行うことを特徴とする配線の形成方法。1. A structure comprising a substrate and a unit block disposed at a predetermined position of the substrate and having a terminal formed on the surface of the unit block and / or the substrate, forming a wiring for connecting the terminals. Forming a lyophilic insulating film on the surface of the structure, forming a through hole in a portion of the insulating film corresponding to the terminal,
Using a liquid containing a conductive material or a precursor of a conductive material and a solvent as a wiring forming material, and disposing this liquid in a wiring forming portion including the through hole by an inkjet method,
A method for forming a wiring, comprising: performing a process of evaporating a solvent from the disposed liquid and a process of using a precursor of a conductive material when the precursor is used.
料からなり表面が撥液性である被膜を形成し、この被膜
の配線形成部に相当する部分を除去した後、この除去さ
れた部分に前記液体をインクジェット法により配置する
請求項１記載の配線の形成方法。2. A film made of a material different from that of the insulating film and having a liquid-repellent surface is formed on the insulating film, and a portion corresponding to a wiring forming portion of the film is removed. 2. The method for forming a wiring according to claim 1, wherein the liquid is disposed on the portion by an ink-jet method.
記載の配線の形成方法。3. The film according to claim 2, wherein the film is a self-assembled film.
The method for forming a wiring according to the above.
はポリビニルアルコールからなり、フルオロアルキルシ
ランを用いて自己組織化膜を形成する請求項３記載の配
線の形成方法。4. The method according to claim 3, wherein the insulating film is made of polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol, and the self-assembled film is formed using fluoroalkylsilane.
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子
間を接続する配線を形成する方法であって、 この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前
記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁
膜上および前記貫通孔内にアミノ基またはチオール基を
有する化合物からなる被膜を形成し、この被膜の配線形
成部以外に相当する部分を除去した後、無電解めっきを
行うことにより、前記被膜の残存部分に配線を形成する
ことを特徴とする配線の形成方法。5. A structure comprising a substrate and a unit block disposed at a predetermined position thereof, wherein a wiring connecting the terminals is formed in a structure having terminals formed on the surface of the unit block and / or the substrate. Forming an insulating film on the surface of the structure, forming a through hole in a portion of the insulating film corresponding to the terminal, and then forming an amino group or an amino group on the insulating film and in the through hole. Forming a film made of a compound having a thiol group, removing a portion corresponding to a portion other than the wiring forming portion of the film, and performing electroless plating to form a wiring on a remaining portion of the film. Method of forming wiring.
表面に配置された自己組織化膜である請求項５記載の配
線の形成方法。6. The method according to claim 5, wherein the coating is a self-assembled film having an amino group or a thiol group disposed on the surface.
はポリビニルアルコールからなり、アミノ基またはチオ
ール基を有する、メトキシシラン類、エトキシシラン
類、またはクロロシラン類を用いて自己組織化膜を形成
する請求項６記載の配線の形成方法。7. The self-assembled film is made of polyvinylpyrrolidone or polyvinylalcohol, and has an amino group or a thiol group, and is formed using methoxysilanes, ethoxysilanes, or chlorosilanes. Wiring formation method.
を付着させる処理を行う請求項５乃至７のいずれか１項
に記載の配線の形成方法。8. The method for forming a wiring according to claim 5, wherein a treatment for attaching palladium is performed as a pretreatment for the electroless plating.
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子
間を接続する配線を形成する方法であって、 この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前
記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁
膜上および前記貫通孔内にチオール基を有する化合物か
らなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外の部分
を除去した後、有機金属化合物または金属錯体を含む液
体をこの被膜上に供給して加熱処理することにより、前
記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配
線の形成方法。9. A structure comprising a substrate and a unit block disposed at a predetermined position of the substrate and having a terminal formed on the surface of the unit block and / or the substrate, forming a wiring connecting the terminals. Forming an insulating film on the surface of the structure, forming a through hole in a portion of the insulating film corresponding to the terminal, and then forming a thiol group on the insulating film and in the through hole. After forming a film made of a compound having a compound and removing a portion other than the wiring forming portion of the film, a liquid containing an organometallic compound or a metal complex is supplied onto the film and subjected to heat treatment, so that the film remains. A method for forming a wiring, comprising forming a wiring in a portion.
または砒素からなる金属原子を構成原子として有する有
機金属化合物または金属錯体を使用する請求項９記載の
配線の形成方法。10. Gold, silver, copper, iridium, gallium,
10. The method for forming a wiring according to claim 9, wherein an organometallic compound or a metal complex having a metal atom composed of arsenic as a constituent atom is used.
れた自己組織化膜である請求項９または１０記載の配線
の形成方法。11. The method according to claim 9, wherein the film is a self-assembled film having a thiol group disposed on the surface.
たはポリビニルアルコールからなり、３−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシランまたは３−メルカプトプロピ
ルトリエトキシシランを用いて自己組織化膜を形成する
請求項１１記載の配線の形成方法。12. The wiring according to claim 11, wherein the insulating film is made of polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol, and the self-assembled film is formed using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane or 3-mercaptopropyltriethoxysilane. Method.
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003072851A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Zeon Corporation | Partial plating method, partially-plated resin base, method for manufacturing multilayer circuit board |
| WO2004030072A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electric circuit, thin film transistor, method for manufacturing electric circuit and method for manufacturing thin film transistor |
| JP2005032758A (en) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | Multilayer wiring formation method, wiring board manufacturing method, device manufacturing method |
| JP2005032759A (en) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | Multilayer wiring formation method, wiring board manufacturing method, device manufacturing method |
| WO2005041280A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2005122230A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Kyushu Institute Of Technology | Method for processing copper surface, method for forming copper pattern wiring and semiconductor device manufactured using such method |
| JP2006140451A (en) * | 2004-10-15 | 2006-06-01 | Seiko Epson Corp | Thin film pattern forming method, semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US7118943B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-10-10 | Seiko Epson Corporation | Production method of a thin film device, production method of a transistor, electro-optical apparatus and electronic equipment |
| KR100770286B1 (en) | 2004-09-28 | 2007-10-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Method of manufacturing a wiring substrate |
| US7614145B2 (en) | 2001-09-05 | 2009-11-10 | Zeon Corporation | Method for manufacturing multilayer circuit board and resin base material |
| US8064003B2 (en) | 2003-11-28 | 2011-11-22 | Tadahiro Ohmi | Thin film transistor integrated circuit device, active matrix display device, and manufacturing methods of the same |
| JPWO2016068261A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-08-10 | 株式会社堀場エステック | Polymer material for self-assembly, self-assembled film, method for producing self-assembled film, and uneven pattern |
| WO2019013179A1 (en) * | 2017-07-11 | 2019-01-17 | 出光興産株式会社 | Composition for electroless plating underlying membrane |
| WO2025058487A1 (en) * | 2023-09-12 | 2025-03-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | Extensible wiring including liquid metal particles and method for manufacturing same |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000207388A patent/JP3661571B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7614145B2 (en) | 2001-09-05 | 2009-11-10 | Zeon Corporation | Method for manufacturing multilayer circuit board and resin base material |
| WO2003072851A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Zeon Corporation | Partial plating method, partially-plated resin base, method for manufacturing multilayer circuit board |
| US7118943B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-10-10 | Seiko Epson Corporation | Production method of a thin film device, production method of a transistor, electro-optical apparatus and electronic equipment |
| WO2004030072A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electric circuit, thin film transistor, method for manufacturing electric circuit and method for manufacturing thin film transistor |
| US7910469B2 (en) | 2002-09-25 | 2011-03-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electrical circuit, thin film transistor, method for manufacturing electric circuit and method for manufacturing thin film transistor |
| JP2005032758A (en) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | Multilayer wiring formation method, wiring board manufacturing method, device manufacturing method |
| JP2005032759A (en) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | Multilayer wiring formation method, wiring board manufacturing method, device manufacturing method |
| WO2005041280A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7446054B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8064003B2 (en) | 2003-11-28 | 2011-11-22 | Tadahiro Ohmi | Thin film transistor integrated circuit device, active matrix display device, and manufacturing methods of the same |
| WO2005122230A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Kyushu Institute Of Technology | Method for processing copper surface, method for forming copper pattern wiring and semiconductor device manufactured using such method |
| US7825026B2 (en) | 2004-06-07 | 2010-11-02 | Kyushu Institute Of Technology | Method for processing copper surface, method for forming copper pattern wiring and semiconductor device manufactured using such method |
| KR100770286B1 (en) | 2004-09-28 | 2007-10-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Method of manufacturing a wiring substrate |
| JP2006140451A (en) * | 2004-10-15 | 2006-06-01 | Seiko Epson Corp | Thin film pattern forming method, semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| JPWO2016068261A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-08-10 | 株式会社堀場エステック | Polymer material for self-assembly, self-assembled film, method for producing self-assembled film, and uneven pattern |
| WO2019013179A1 (en) * | 2017-07-11 | 2019-01-17 | 出光興産株式会社 | Composition for electroless plating underlying membrane |
| JPWO2019013179A1 (en) * | 2017-07-11 | 2020-05-21 | 出光興産株式会社 | Composition for forming electroless plating base film |
| US11421115B2 (en) | 2017-07-11 | 2022-08-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Composition for electroless plating underlying membrane |
| JP7144414B2 (en) | 2017-07-11 | 2022-09-29 | 出光興産株式会社 | Composition for forming electroless plating underlayer |
| WO2025058487A1 (en) * | 2023-09-12 | 2025-03-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | Extensible wiring including liquid metal particles and method for manufacturing same |
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| Publication number | Publication date |
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