JP2002023170A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】バックライトの輝度を高くしても、画面にチラ
ツキを発生させることのない、高輝度、高色純度、高コ
ントラストな大画面高品位液晶表示装置を提供するこ
と。 【解決手段】柱状スペーサーが設けられた液晶表示装置
において、柱状スペーサーが遮光性を有する材料を用い
てＴＦＴ素子のチャンネル上に設けられたこと。
ツキを発生させることのない、高輝度、高色純度、高コ
ントラストな大画面高品位液晶表示装置を提供するこ
と。 【解決手段】柱状スペーサーが設けられた液晶表示装置
において、柱状スペーサーが遮光性を有する材料を用い
てＴＦＴ素子のチャンネル上に設けられたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するものであり、特に、柱状スペーサーがＴＦＴ素子の
チャンネル上に設けられた液晶表示装置に関する。
するものであり、特に、柱状スペーサーがＴＦＴ素子の
チャンネル上に設けられた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置はＴＶへの展開により、Ｔ
Ｖ向け仕様として高輝度、高色純度、高コントラストの
液晶表示装置が要望され、特に、高色純度への要望が更
に高まりつつある。このような要望を満たすため、輝度
を高めるには、例えば、バックライトの輝度を高くして
液晶表示装置を高輝度のものとし、また、色純度を高め
るには、例えば、用いるカラ−フィルタの膜厚を厚くし
て液晶表示装置を高色純度のものとしている
Ｖ向け仕様として高輝度、高色純度、高コントラストの
液晶表示装置が要望され、特に、高色純度への要望が更
に高まりつつある。このような要望を満たすため、輝度
を高めるには、例えば、バックライトの輝度を高くして
液晶表示装置を高輝度のものとし、また、色純度を高め
るには、例えば、用いるカラ−フィルタの膜厚を厚くし
て液晶表示装置を高色純度のものとしている
【０００３】しかし、カラ−フィルタの膜厚を厚くする
と明度が減少したものとなるので、この減少分をバック
ライトの輝度を高くして補償することがなされている。
このように、液晶表示装置内に入射するバックライトの
輝度を高くして、液晶表示装置の輝度を高く、また色純
度を高くすると、カラ−フィルタのブラックマトリック
ス表面や透明電極（ＩＴＯ）表面からの反射光が、ＴＦ
Ｔ素子のチャンネル部に入射し、ＴＦＴ素子のオフ電流
を増加させ液晶表示装置の画面にチラツキが発生すると
いった問題がある。
と明度が減少したものとなるので、この減少分をバック
ライトの輝度を高くして補償することがなされている。
このように、液晶表示装置内に入射するバックライトの
輝度を高くして、液晶表示装置の輝度を高く、また色純
度を高くすると、カラ−フィルタのブラックマトリック
ス表面や透明電極（ＩＴＯ）表面からの反射光が、ＴＦ
Ｔ素子のチャンネル部に入射し、ＴＦＴ素子のオフ電流
を増加させ液晶表示装置の画面にチラツキが発生すると
いった問題がある。
【０００４】図２は、ＴＦＴ素子を駆動素子として用い
た液晶表示装置の一例を模式的に示した部分断面図であ
る。図２に示すように、液晶表示装置（５０）は、カラ
−フィルタ（２０）、液晶（１１）、ビーズスペーサー
（１２）、対向基板（３０）で構成されている。カラ−
フィルタ（２０）は、透明基板（２１）上にブラックマ
トリックス（２２）、着色層（２３）、透明電極（２
４）が形成されたものであり、また、対向基板（３０）
は、透明基板（３１）上にＴＦＴ素子（３２）、画素電
極（３３）が形成されたものである。
た液晶表示装置の一例を模式的に示した部分断面図であ
る。図２に示すように、液晶表示装置（５０）は、カラ
−フィルタ（２０）、液晶（１１）、ビーズスペーサー
（１２）、対向基板（３０）で構成されている。カラ−
フィルタ（２０）は、透明基板（２１）上にブラックマ
トリックス（２２）、着色層（２３）、透明電極（２
４）が形成されたものであり、また、対向基板（３０）
は、透明基板（３１）上にＴＦＴ素子（３２）、画素電
極（３３）が形成されたものである。
【０００５】ブラックマトリックス（２２）は、透明基
板（２１）上にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ
ＯX ）などの金属、もしくは金属化合物を薄膜状に成膜
し、成膜された薄膜上に、例えば、ポジ型のフォトレジ
ストを用いてエッチングレジストパターンを形成し、次
に、成膜された金属薄膜の露出部分のエッチング及びエ
ッチングレジストパターンの剥膜を行いブラックマトリ
ックスとして形成されたものである。また、透明電極
（２４）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）などを用いて成膜されたものである。
板（２１）上にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ
ＯX ）などの金属、もしくは金属化合物を薄膜状に成膜
し、成膜された薄膜上に、例えば、ポジ型のフォトレジ
ストを用いてエッチングレジストパターンを形成し、次
に、成膜された金属薄膜の露出部分のエッチング及びエ
ッチングレジストパターンの剥膜を行いブラックマトリ
ックスとして形成されたものである。また、透明電極
（２４）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）などを用いて成膜されたものである。
【０００６】液晶表示装置（５０）後方のバックライト
（４０）からの照明光（Ｉ）は、対向基板（３０）、液
晶（１１）、カラ−フィルタ（２０）を通過し、液晶表
示装置（５０）の前方に射出するが、照明光（Ｉ）の一
部は、透明電極（２４）表面及びブラックマトリックス
（２２）表面で反射され、その反射光（Ｒ）がＴＦＴ素
子のチャンネル部（Ａ）に入射する。この反射光（Ｒ）
が強いと、すなわち、前記のように、輝度を高めるため
にバックライトの輝度を高くしたり、また、色純度を高
めることによる明度の減少を補償するためにバックライ
トの輝度を高くしたりして、反射光（Ｒ）が強くなる
と、ＴＦＴ素子に施されている遮光では対応しきれず
に、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶表示装置の画
面にチラツキを発生させることになる。
（４０）からの照明光（Ｉ）は、対向基板（３０）、液
晶（１１）、カラ−フィルタ（２０）を通過し、液晶表
示装置（５０）の前方に射出するが、照明光（Ｉ）の一
部は、透明電極（２４）表面及びブラックマトリックス
（２２）表面で反射され、その反射光（Ｒ）がＴＦＴ素
子のチャンネル部（Ａ）に入射する。この反射光（Ｒ）
が強いと、すなわち、前記のように、輝度を高めるため
にバックライトの輝度を高くしたり、また、色純度を高
めることによる明度の減少を補償するためにバックライ
トの輝度を高くしたりして、反射光（Ｒ）が強くなる
と、ＴＦＴ素子に施されている遮光では対応しきれず
に、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶表示装置の画
面にチラツキを発生させることになる。
【０００７】このような透明電極（２４）表面やブラッ
クマトリックス（２２）表面からの強い反射光を避ける
ために、例えば、ブラックマトリックス（２２）におい
ては、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯX ）などの
金属に代えて、反射率を低下させた多層の金属薄膜、或
いは黒色樹脂膜を使用することが提案されているが、こ
れらは高価であるといった問題がある。
クマトリックス（２２）表面からの強い反射光を避ける
ために、例えば、ブラックマトリックス（２２）におい
ては、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯX ）などの
金属に代えて、反射率を低下させた多層の金属薄膜、或
いは黒色樹脂膜を使用することが提案されているが、こ
れらは高価であるといった問題がある。
【０００８】また一方、液晶表示装置は、図２に示すよ
うに対向基板（３０）とカラ−フィルタ（２０）の基板
間にギャップを形成するために、ビーズスペーサー（１
２）と呼ばれるガラス又は合成樹脂の透明球状体粒子
（ビーズ）を散布している。このビーズスペーサーは透
明な粒子であることから、画素内に液晶と一諸にビーズ
スペーサーが入っていると、黒色表示時にビーズスペー
サーを介して光が漏れてしまい、また液晶材料が封入さ
れている基板間にビーズスペーサーが存在することによ
って、ビーズスペーサー近傍の液晶分子の配列が乱さ
れ、この部分で光漏れを生じ、コントラストが低下し表
示品質に悪影響を及ぼす、などの問題を有している。
うに対向基板（３０）とカラ−フィルタ（２０）の基板
間にギャップを形成するために、ビーズスペーサー（１
２）と呼ばれるガラス又は合成樹脂の透明球状体粒子
（ビーズ）を散布している。このビーズスペーサーは透
明な粒子であることから、画素内に液晶と一諸にビーズ
スペーサーが入っていると、黒色表示時にビーズスペー
サーを介して光が漏れてしまい、また液晶材料が封入さ
れている基板間にビーズスペーサーが存在することによ
って、ビーズスペーサー近傍の液晶分子の配列が乱さ
れ、この部分で光漏れを生じ、コントラストが低下し表
示品質に悪影響を及ぼす、などの問題を有している。
【０００９】また、大画面の液晶表示装置においては、
ビーズスペーサーの均一な密度での散布が難しく基板間
にギャップを均一に保って良好な表示品質の大画面液晶
表示装置を製造することが困難なものとなっている。ま
た、高品位の液晶表示装置においては、表示画素部に散
布されたビーズスペーサーによる光の漏れにより表示の
コントラストの低下を招き高品位液晶表示装置を製造す
ることが困難なものとなっている。
ビーズスペーサーの均一な密度での散布が難しく基板間
にギャップを均一に保って良好な表示品質の大画面液晶
表示装置を製造することが困難なものとなっている。ま
た、高品位の液晶表示装置においては、表示画素部に散
布されたビーズスペーサーによる光の漏れにより表示の
コントラストの低下を招き高品位液晶表示装置を製造す
ることが困難なものとなっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高輝度、高
色純度、高コントラストといった液晶表示装置に対する
要望に対応する際の、上記問題を解決するためになされ
たものであり、輝度を高めるためにバックライトの輝度
を高くしたり、また、色純度を高めることによる明度の
減少を補償するためにバックライトの輝度を高くしたり
しても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶表示装置
の画面にチラツキを発生させることのない、且つ高コン
トラスト、大画面高品位、すなわち、高輝度、高色純
度、高コントラストな大画面高品位であってＴＶ用とし
て好適な液晶表示装置を提供することを課題とするもの
である。
色純度、高コントラストといった液晶表示装置に対する
要望に対応する際の、上記問題を解決するためになされ
たものであり、輝度を高めるためにバックライトの輝度
を高くしたり、また、色純度を高めることによる明度の
減少を補償するためにバックライトの輝度を高くしたり
しても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶表示装置
の画面にチラツキを発生させることのない、且つ高コン
トラスト、大画面高品位、すなわち、高輝度、高色純
度、高コントラストな大画面高品位であってＴＶ用とし
て好適な液晶表示装置を提供することを課題とするもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、柱状スペーサ
ーが設けられた液晶表示装置において、柱状スペーサー
が遮光性を有する材料を用いてＴＦＴ素子のチャンネル
上に設けられたことを特徴とする液晶表示装置である。
ーが設けられた液晶表示装置において、柱状スペーサー
が遮光性を有する材料を用いてＴＦＴ素子のチャンネル
上に設けられたことを特徴とする液晶表示装置である。
【００１２】また、本発明は、上記発明による液晶表示
装置において、前記柱状スペーサーの抵抗率が１０10Ω
ｃｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
装置において、前記柱状スペーサーの抵抗率が１０10Ω
ｃｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１３】また、本発明は、上記発明による液晶表示
装置において、前記柱状スペーサーの可視領域における
光学濃度が膜厚１μｍ当たり１．０〜３．５であること
を特徴とする液晶表示装置である。
装置において、前記柱状スペーサーの可視領域における
光学濃度が膜厚１μｍ当たり１．０〜３．５であること
を特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明による液晶表示装置
を、その実施形態に基づいて説明する。図１は、本発明
による液晶表示装置の一実施例を模式的に示した部分断
面図である。図１に示すように、液晶表示装置（１０）
は、カラ−フィルタ（２０）、液晶（１１）、柱状スペ
ーサー（１３）、対向基板（３０）で構成されている。
カラ−フィルタ（２０）は、透明基板（２１）上にブラ
ックマトリックス（２２）、着色層（２３）、透明電極
（２４）が形成されたものであり、また、対向基板（３
０）は、透明基板（３１）上にＴＦＴ素子（３２）、画
素電極（３３）が形成されたものである。
を、その実施形態に基づいて説明する。図１は、本発明
による液晶表示装置の一実施例を模式的に示した部分断
面図である。図１に示すように、液晶表示装置（１０）
は、カラ−フィルタ（２０）、液晶（１１）、柱状スペ
ーサー（１３）、対向基板（３０）で構成されている。
カラ−フィルタ（２０）は、透明基板（２１）上にブラ
ックマトリックス（２２）、着色層（２３）、透明電極
（２４）が形成されたものであり、また、対向基板（３
０）は、透明基板（３１）上にＴＦＴ素子（３２）、画
素電極（３３）が形成されたものである。
【００１５】ブラックマトリックス（２２）は、透明基
板（２１）上にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ
ＯX ）などの金属、もしくは金属化合物を薄膜状に成膜
し、成膜された薄膜上に、例えば、ポジ型のフォトレジ
ストを用いてエッチングレジストパターンを形成し、次
に、成膜された金属薄膜の露出部分のエッチング及びエ
ッチングレジストパターンの剥膜を行いブラックマトリ
ックスとして形成されたものである。また、透明電極
（２４）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）などを用いて成膜されたものである。
板（２１）上にクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ
ＯX ）などの金属、もしくは金属化合物を薄膜状に成膜
し、成膜された薄膜上に、例えば、ポジ型のフォトレジ
ストを用いてエッチングレジストパターンを形成し、次
に、成膜された金属薄膜の露出部分のエッチング及びエ
ッチングレジストパターンの剥膜を行いブラックマトリ
ックスとして形成されたものである。また、透明電極
（２４）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）などを用いて成膜されたものである。
【００１６】液晶表示装置（１０）後方のバックライト
（４０）からの照明光（Ｉ）は、対向基板（３０）、液
晶（１１）、カラ−フィルタ（２０）を通過し、液晶表
示装置（１０）の前方に射出する。また、照明光（Ｉ）
の一部は、透明電極（２４）表面及びブラックマトリッ
クス（２２）表面で反射されるが、ＴＦＴ素子（３２）
のチャンネル部（Ａ）上に柱状スペーサー（１３）が設
けられているので、反射光（Ｒ）はＴＦＴ素子のチャン
ネル部（Ａ）に入射しない。柱状スペーサー（１３）
は、遮光性の材料を用いて形成されているので、バック
ライトの輝度を高くしても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増
加させることはなく、液晶表示装置の画面にチラツキを
発生させることがない。
（４０）からの照明光（Ｉ）は、対向基板（３０）、液
晶（１１）、カラ−フィルタ（２０）を通過し、液晶表
示装置（１０）の前方に射出する。また、照明光（Ｉ）
の一部は、透明電極（２４）表面及びブラックマトリッ
クス（２２）表面で反射されるが、ＴＦＴ素子（３２）
のチャンネル部（Ａ）上に柱状スペーサー（１３）が設
けられているので、反射光（Ｒ）はＴＦＴ素子のチャン
ネル部（Ａ）に入射しない。柱状スペーサー（１３）
は、遮光性の材料を用いて形成されているので、バック
ライトの輝度を高くしても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増
加させることはなく、液晶表示装置の画面にチラツキを
発生させることがない。
【００１７】柱状スペーサー（１３）を形成する遮光性
の材料としては、ＴＦＴ素子を構成するα−Ｓｉが有す
る感光度の、少なくとも最大値である６００〜７００ｎ
ｍの領域の光を吸収するものを用いるが、例えば、黒色
顔料を含有させた樹脂が用いられる。また、柱状スペー
サー（１３）は、高抵抗率であるとショートなどの発生
を防ぐことができるので、抵抗率は１０11Ωｃｍ〜１０
13Ωｃｍが好適である。
の材料としては、ＴＦＴ素子を構成するα−Ｓｉが有す
る感光度の、少なくとも最大値である６００〜７００ｎ
ｍの領域の光を吸収するものを用いるが、例えば、黒色
顔料を含有させた樹脂が用いられる。また、柱状スペー
サー（１３）は、高抵抗率であるとショートなどの発生
を防ぐことができるので、抵抗率は１０11Ωｃｍ〜１０
13Ωｃｍが好適である。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を挙げて詳細に説明
する。 ＜実施例１＞α−Ｓｉを用いたＴＦＴ素子で構成される
ＴＦＴアレイ上に、高抵抗率黒色フォトレジストを膜厚
３．６μｍで塗布した。この高抵抗率黒色フォトレジス
トの色素には高抵抗率カーボン系顔料を用いた。次に、
露光・現像し、各ＴＦＴ素子のチャンネル部上に１０×
２０μｍのパターンを形成し、遮光性のある柱状スペー
サーを形成した。この柱状スペーサーの抵抗率は約５×
１０12Ωｃｍであり、この時の柱状スペーサーの光学濃
度は膜厚１μｍ当たり１．５であった。
する。 ＜実施例１＞α−Ｓｉを用いたＴＦＴ素子で構成される
ＴＦＴアレイ上に、高抵抗率黒色フォトレジストを膜厚
３．６μｍで塗布した。この高抵抗率黒色フォトレジス
トの色素には高抵抗率カーボン系顔料を用いた。次に、
露光・現像し、各ＴＦＴ素子のチャンネル部上に１０×
２０μｍのパターンを形成し、遮光性のある柱状スペー
サーを形成した。この柱状スペーサーの抵抗率は約５×
１０12Ωｃｍであり、この時の柱状スペーサーの光学濃
度は膜厚１μｍ当たり１．５であった。
【００１９】次に、この柱状スペーサーを形成したＴＦ
Ｔアレイをカラーフィルタと貼り合わせ液晶を封入し、
液晶表示装置を作製した。得られた液晶表示装置を１０
×１０3 カンデラの高輝度バックライトを用いて表示し
たところ、ＴＦＴ素子への光モレによる液晶表示装置の
画面にチラツキはなく、高輝度、高色純度、高コントラ
ストな高品位液晶表示装置であった。
Ｔアレイをカラーフィルタと貼り合わせ液晶を封入し、
液晶表示装置を作製した。得られた液晶表示装置を１０
×１０3 カンデラの高輝度バックライトを用いて表示し
たところ、ＴＦＴ素子への光モレによる液晶表示装置の
画面にチラツキはなく、高輝度、高色純度、高コントラ
ストな高品位液晶表示装置であった。
【００２０】＜実施例２＞対角２０インチのカラーフィ
ルタと対角２０インチのＴＦＴアレイを用いて大画面液
晶表示装置を作製した。まづ、カラーフィルタ上に遮光
性のある柱状スペーサーを形成した。この柱状スペーサ
ーを形成した位置は、対向するＴＦＴアレイを構成する
ＴＦＴ素子のチャンネル部の位置に対応した位置とし
た。使用した高抵抗率黒色フォトレジストの色素にはＴ
ｉＯ系顔料を用いた。カラーフィルタ上に形成した柱状
スペーサーの高さは、液晶表示装置の所望するセルギャ
ップ及びＴＦＴ素子の高さを考慮して２．８μｍ、大き
さは１５×２０μｍのものであった。また、この柱状ス
ペーサーの抵抗率は約３．５×１０13Ωｃｍであり、こ
の時の柱状スペーサーの光学濃度は膜厚１μｍ当たり
２．０であった。
ルタと対角２０インチのＴＦＴアレイを用いて大画面液
晶表示装置を作製した。まづ、カラーフィルタ上に遮光
性のある柱状スペーサーを形成した。この柱状スペーサ
ーを形成した位置は、対向するＴＦＴアレイを構成する
ＴＦＴ素子のチャンネル部の位置に対応した位置とし
た。使用した高抵抗率黒色フォトレジストの色素にはＴ
ｉＯ系顔料を用いた。カラーフィルタ上に形成した柱状
スペーサーの高さは、液晶表示装置の所望するセルギャ
ップ及びＴＦＴ素子の高さを考慮して２．８μｍ、大き
さは１５×２０μｍのものであった。また、この柱状ス
ペーサーの抵抗率は約３．５×１０13Ωｃｍであり、こ
の時の柱状スペーサーの光学濃度は膜厚１μｍ当たり
２．０であった。
【００２１】次に、この柱状スペーサーを形成したカラ
ーフィルタとＴＦＴアレイをアライメントして、ＴＦＴ
素子のチャンネル部に柱状スペーサーが一致するように
して貼り合わせ液晶を封入し、液晶表示装置を作製し
た。得られた液晶表示装置を１０×１０3 カンデラの高
輝度バックライトを用いて表示したところ、ＴＦＴ素子
への光モレによる液晶表示装置の画面にチラツキはな
く、高輝度、高色純度、高コントラストな高品位大画面
液晶表示装置であった。
ーフィルタとＴＦＴアレイをアライメントして、ＴＦＴ
素子のチャンネル部に柱状スペーサーが一致するように
して貼り合わせ液晶を封入し、液晶表示装置を作製し
た。得られた液晶表示装置を１０×１０3 カンデラの高
輝度バックライトを用いて表示したところ、ＴＦＴ素子
への光モレによる液晶表示装置の画面にチラツキはな
く、高輝度、高色純度、高コントラストな高品位大画面
液晶表示装置であった。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、柱状スペーサーが遮光性を有
する材料を用いてＴＦＴ素子のチャンネル上に設けられ
た液晶表示装置であるので、バックライトの輝度を高く
しても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶表示装置
の画面にチラツキを発生させることのない、高輝度、高
色純度、高コントラストな大画面高品位液晶表示装置と
なる。
する材料を用いてＴＦＴ素子のチャンネル上に設けられ
た液晶表示装置であるので、バックライトの輝度を高く
しても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶表示装置
の画面にチラツキを発生させることのない、高輝度、高
色純度、高コントラストな大画面高品位液晶表示装置と
なる。
【００２３】また、本発明は、上記柱状スペーサーの抵
抗率が１０10Ωｃｍ以上であるので、バックライトの輝
度を高くしても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶
表示装置の画面にチラツキを発生させることのない、且
つショートなどの発生を防ぐことができる高輝度、高色
純度、高コントラストな大画面高品位液晶表示装置とな
る。
抗率が１０10Ωｃｍ以上であるので、バックライトの輝
度を高くしても、ＴＦＴ素子のオフ電流を増加させ液晶
表示装置の画面にチラツキを発生させることのない、且
つショートなどの発生を防ぐことができる高輝度、高色
純度、高コントラストな大画面高品位液晶表示装置とな
る。
【００２４】また、本発明は、上記柱状スペーサーの可
視領域における光学濃度が膜厚１μｍ当たり１．０〜
３．５であるので、十分に遮光性を有する柱状スペーサ
ーであり、バックライトの輝度を高くしても、ＴＦＴ素
子のオフ電流を増加させ液晶表示装置の画面にチラツキ
を発生させることのない、高輝度、高色純度、高コント
ラストな大画面高品位液晶表示装置となる。
視領域における光学濃度が膜厚１μｍ当たり１．０〜
３．５であるので、十分に遮光性を有する柱状スペーサ
ーであり、バックライトの輝度を高くしても、ＴＦＴ素
子のオフ電流を増加させ液晶表示装置の画面にチラツキ
を発生させることのない、高輝度、高色純度、高コント
ラストな大画面高品位液晶表示装置となる。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を模式的
に示した部分断面図である。
に示した部分断面図である。
【図２】ＴＦＴ素子を駆動素子として用いた液晶表示装
置の一例を模式的に示した部分断面図である。
置の一例を模式的に示した部分断面図である。
１０…本発明による液晶表示装置 １１…液晶 １２…ビーズスペーサー １３…柱状スペーサー ２０…カラーフィルタ ２１、３１…透明基板 ２２…ブラックマトリックス ２３…着色層 ２４…透明電極 ３０…対向基板 ３２…ＴＦＴ素子 ３３…画素電極 ４０…バックライト ５０…液晶表示装置 Ａ…チャンネル部 Ｉ…照明光 Ｒ…反射光
Claims (3)
- 【請求項１】柱状スペーサーが設けられた液晶表示装置
において、柱状スペーサーが遮光性を有する材料を用い
てＴＦＴ素子のチャンネル上に設けられたことを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】前記柱状スペーサーの抵抗率が１０10Ωｃ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項３】前記柱状スペーサーの可視領域における光
学濃度が膜厚１μｍ当たり１．０〜３．５であることを
特徴とする請求項１、又は請求項２記載の液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000202060A JP2002023170A (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 液晶表示装置 |
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100380196C (zh) * | 2003-10-16 | 2008-04-09 | 友达光电股份有限公司 | 彩色滤光基板的制造方法及其结构 |
| WO2011065490A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 日東電工株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR101168255B1 (ko) * | 2004-01-30 | 2012-07-30 | 치 메이 옵토일렉트로닉스 코포레이션 | 액정 표시장치 |
| US8310628B2 (en) | 2007-06-11 | 2012-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method of color filter substrate, production method of liquid crystal display device, color filter substrate, and liquid crystal display device |
| WO2014015629A1 (zh) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN104730779A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN104900657A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| US9638955B2 (en) | 2009-04-06 | 2017-05-02 | Nitto Denko Corporation | Liquid crystal display device and polarizing plate with a condensing element |
| CN106711153A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板 |
| CN106773241A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶面板及液晶显示器 |
| US10712596B2 (en) | 2013-08-02 | 2020-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN112068359A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-12-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217337A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPH04127128A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH08234212A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0980447A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示素子 |
| JPH09311348A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH11242211A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH11352496A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびカラーフィルタ基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-07-04 JP JP2000202060A patent/JP2002023170A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217337A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPH04127128A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH08234212A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0980447A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示素子 |
| JPH09311348A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH11242211A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH11352496A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびカラーフィルタ基板の製造方法 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100380196C (zh) * | 2003-10-16 | 2008-04-09 | 友达光电股份有限公司 | 彩色滤光基板的制造方法及其结构 |
| KR101168255B1 (ko) * | 2004-01-30 | 2012-07-30 | 치 메이 옵토일렉트로닉스 코포레이션 | 액정 표시장치 |
| US8248570B2 (en) | 2004-01-30 | 2012-08-21 | Chimei Innolux Corporation | Liquid crystal display device |
| US8310628B2 (en) | 2007-06-11 | 2012-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method of color filter substrate, production method of liquid crystal display device, color filter substrate, and liquid crystal display device |
| US9638955B2 (en) | 2009-04-06 | 2017-05-02 | Nitto Denko Corporation | Liquid crystal display device and polarizing plate with a condensing element |
| WO2011065490A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 日東電工株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR20120101416A (ko) | 2009-11-30 | 2012-09-13 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
| US8953118B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-02-10 | Nitto Denko Corporation | Liquid crystal display apparatus |
| WO2014015629A1 (zh) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US12210234B2 (en) | 2013-08-02 | 2025-01-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US10712596B2 (en) | 2013-08-02 | 2020-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN104730779A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| WO2016165291A1 (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN104900657A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN106773241A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶面板及液晶显示器 |
| CN106711153A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板 |
| CN112068359A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-12-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
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