[go: up one dir, main page]

JP2002015867A - EL device having photocatalyst containing layer and method of manufacturing the same - Google Patents

EL device having photocatalyst containing layer and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2002015867A
JP2002015867A JP2001122520A JP2001122520A JP2002015867A JP 2002015867 A JP2002015867 A JP 2002015867A JP 2001122520 A JP2001122520 A JP 2001122520A JP 2001122520 A JP2001122520 A JP 2001122520A JP 2002015867 A JP2002015867 A JP 2002015867A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
photocatalyst
forming
containing layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001122520A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4617019B2 (en
Inventor
Hiroshi Kishimoto
本 比呂志 岸
Koji Arai
井 浩 次 新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2001122520A priority Critical patent/JP4617019B2/en
Publication of JP2002015867A publication Critical patent/JP2002015867A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4617019B2 publication Critical patent/JP4617019B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な方法によるパターニングが可能であっ
て、しかも発光特性を低下させないEL素子とその製造
方法の提供。 【解決手段】 基体と、前記基体上に形成された第1電
極と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL
層上に形成された第2電極から少なくともなるEL素子
であって、前記基体と第2電極との間のいずれかの位置
に光触媒含有層が少なくとも1層形成されてなり、前記
光触媒含有層が発光特性向上物質を含む。
(57) [Problem] To provide an EL element which can be patterned by a simple method and does not deteriorate the light emission characteristics, and a method of manufacturing the same. SOLUTION: The base, a first electrode formed on the base, an EL layer formed on the first electrode, and the EL
An EL device comprising at least a second electrode formed on a layer, wherein at least one photocatalyst-containing layer is formed at any position between the base and the second electrode, wherein the photocatalyst-containing layer is Includes a luminescent property improving substance.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、EL(エレクトロ
ルミネッセンス)素子、特にディスプレイ装置に使用さ
れる有機薄膜EL素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL (electroluminescence) device, and more particularly to an organic thin film EL device used for a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】EL素子は自発光の面状表示素子として
の使用が注目されている。その中でも、有機物質を発光
材料として用いた有機薄膜ELディスプレイは、印加電
圧が10V弱であっても高輝度な発光が実現するなど発
光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定の
パターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示
用ディスプレイへの応用が期待されている。
2. Description of the Related Art Attention has been paid to the use of EL elements as self-luminous planar display elements. Among them, an organic thin-film EL display using an organic substance as a light-emitting material has high luminous efficiency, such as realizing high-luminance light emission even at an applied voltage of slightly less than 10 V, and can emit light with a simple element structure. Is expected to be applied to advertisements for displaying the pattern of light emission and other low-cost displays for simple displays.

【0003】しかしながら、EL素子を用いたディスプ
レイを実際に製造するにあたっては、電極や有機EL層
のパターニングが必要であって、典型的にはフォトリソ
工程や複雑なパターン成膜装置によるパターニング工程
を要し、工程の複雑化やコストの上昇を招く。また有機
EL材料をマスク蒸着によりパターニングする方法で
は、高価格の真空装置が必要となり、歩留まりや、コス
トが問題となる。一方、インクジェット法によりパター
ン形成する方法は、工程は比較的簡便ではあるが、歩留
まりや膜厚均一性の点で問題がある。また、広告用EL
素子等多様な形状や大面積化が要求される場合には、生
産性が著しく低下する問題がある。
However, in actually manufacturing a display using EL elements, it is necessary to pattern electrodes and an organic EL layer, and typically requires a photolithography process and a patterning process using a complicated pattern film forming apparatus. However, this complicates the process and increases the cost. Further, in the method of patterning the organic EL material by mask vapor deposition, a high-priced vacuum device is required, and the yield and the cost are problematic. On the other hand, the method of forming a pattern by the ink-jet method has relatively simple steps, but has problems in terms of yield and film thickness uniformity. Advertising EL
When various shapes and large areas are required such as elements, there is a problem that productivity is significantly reduced.

【0004】このように、EL素子、特に有機ELディ
スプレイの製造においては、電極、有機EL層および絶
縁層等のパターニングを行うために、工程数が非常に多
くなり、歩留まり、生産性、コストの面で大きな課題を
抱えている。
As described above, in the production of an EL element, particularly, an organic EL display, the number of steps becomes very large in order to perform patterning of electrodes, organic EL layers, insulating layers, and the like, resulting in an increase in yield, productivity, and cost. Face big challenges.

【0005】本発明者らは、以前にEL素子の製造工程
において光触媒含有層を用い、その光触媒含有層にパタ
ーン露光することで濡れ性の違いによるパターンを形成
し、そのパターンを利用してEL層、第1電極または第
2電極を形成することにより前記課題を解決できること
を見出した(特願2000−70493号)。しかしな
がら、光触媒含有層は基本的に絶縁性であり、EL素子
のキャリア注入効率を低下させ、発光特性を低下させる
と考えられるため、光触媒含有層を用いたとしても発光
特性を低下させないEL素子が求められている。
The present inventors have previously used a photocatalyst-containing layer in the manufacturing process of an EL device, and formed a pattern due to a difference in wettability by patternwise exposing the photocatalyst-containing layer. It has been found that the above problem can be solved by forming a layer, a first electrode or a second electrode (Japanese Patent Application No. 2000-70493). However, since the photocatalyst-containing layer is basically insulative and is considered to lower the carrier injection efficiency of the EL element and lower the light-emitting characteristics, even if the photocatalyst-containing layer is used, an EL element that does not lower the light-emitting characteristics is required. It has been demanded.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の課題を解決するものであり、例えばスピンコート法ま
たはディップコート法等などの簡易な方法によってパタ
ーニングが可能なEL素子であって、しかも発光特性を
低下させないEL素子とその製造方法を提供することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an EL element which can be patterned by a simple method such as a spin coating method or a dip coating method. In addition, an object of the present invention is to provide an EL element which does not deteriorate the light emission characteristics and a method for manufacturing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、光触媒含
有層にパターン露光することで濡れ性の違いによるパタ
ーンを形成し、そのパターンを利用してEL層、第1電
極または第2電極を形成するにあたり、光触媒含有層に
発光特性向上物質を含ませることにより前記課題を解決
できることを見出し本発明を完成させた。
Means for Solving the Problems The present inventors form a pattern based on the difference in wettability by patternwise exposing a photocatalyst-containing layer, and use the pattern to form an EL layer, a first electrode or a second electrode. In forming the present invention, the present inventors have found that the above problem can be solved by including a luminescent property improving substance in the photocatalyst containing layer, and completed the present invention.

【0008】したがって、本発明のEL素子は、基体
と、前記基体上に形成された第1電極と、前記第1電極
上に形成されたEL層と、前記EL層上に形成された第
2電極から少なくともなるEL素子であって、前記基体
と第2電極との間のいずれかの位置に光触媒含有層が少
なくとも1層形成されてなり、前記光触媒含有層が発光
特性向上物質を含むことを特徴とするものである。
Therefore, the EL device of the present invention comprises a base, a first electrode formed on the base, an EL layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the EL layer. An EL element comprising at least an electrode, wherein at least one photocatalyst-containing layer is formed at any position between the base and the second electrode, wherein the photocatalyst-containing layer contains a luminescent property improving substance. It is a feature.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】EL素子 本発明のEL素子は、前記のように、少なくとも基体
と、第1電極と、EL層と、第2電極が積層されてな
り、基体と第2電極との間のいずれかの位置に光触媒含
有層が少なくとも1層形成されてなり、前記光触媒含有
層が発光特性向上物質を含むものである。本発明のEL
素子は通常EL素子に用いることのある任意の層を含む
ことができる。また、EL素子が微細な画素をパターニ
ングするフルカラー表示のディスプレイであると、本発
明の効果が大きく好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION EL Element As described above, an EL element of the present invention comprises at least a base, a first electrode, an EL layer, and a second electrode laminated on each other. At least one photocatalyst-containing layer is formed at any position between the photocatalyst-containing layers, and the photocatalyst-containing layer contains a luminescent property improving substance. EL of the present invention
The device can include any layers that are commonly used for EL devices. In addition, it is preferable that the EL element is a display of full color display in which fine pixels are patterned, because the effect of the present invention is large.

【0010】図1は、本発明のEL素子の一例の断面図
であり、基体1上に順次第1電極2、光触媒含有層3、
EL層5および第2電極6が積層されてなり、光触媒含
有層3のうち濡れ性の変化した部分3’とEL層5の間
には、別のEL層4が形成された構造になっている。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of the EL device of the present invention, in which a first electrode 2, a photocatalyst containing layer 3,
An EL layer 5 and a second electrode 6 are laminated, and another EL layer 4 is formed between the EL layer 5 and the portion 3 ′ of the photocatalyst containing layer 3 where the wettability has changed. I have.

【0011】光触媒含有層 (光触媒含有層)本発明において光触媒含有層とは、広
く光照射によって濡れ性が今後変化し得る層および既に
変化した層を意味する。また、光触媒とは、このような
変化を引き起こすものであれば、どのような物質であっ
てもよいが、後述する発光特性向上物質を含んでなる。
光触媒含有層はパターン状に露光することにより、濡れ
性の変化によるパターンを形成することができる。典型
的には光照射しない部位は撥水性および/または撥油性
であるが、光照射した部位は高親水性および/または高
親油性となる。本発明においては、光触媒含有層の表面
の濡れ性の違いによるパターンを利用して光触媒含有層
上に設けられる層(EL層、第1電極、第2電極など)
のパターンを簡便に、品質良く形成することができる。
Photocatalyst-Containing Layer (Photocatalyst-Containing Layer) In the present invention, the photocatalyst-containing layer means a layer whose wettability can be changed in the future by light irradiation and a layer which has already changed. The photocatalyst may be any substance as long as it causes such a change, and includes a light-emitting characteristic improving substance described later.
By exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern, a pattern due to a change in wettability can be formed. Typically, a portion not irradiated with light is water- and / or oil-repellent, but a portion irradiated with light becomes highly hydrophilic and / or lipophilic. In the present invention, a layer (EL layer, first electrode, second electrode, etc.) provided on the photocatalyst-containing layer using a pattern due to the difference in wettability of the surface of the photocatalyst-containing layer
Can easily be formed with good quality.

【0012】また、本発明の光触媒含有層は、基体と第
2電極との間であればどのような位置に設けられてもよ
く、例えば、基体と第1電極との間、第1電極とEL層
との間、EL層が複数層からなる場合のそれらのEL層
間またはEL層と第2電極との間が挙げられる。このう
ち光触媒含有層が第1電極とEL層との間に設けられ、
EL層をパターニングすることが好ましい。また、光触
媒含有層は1層のみではなく複数層形成してもよく、そ
の場合は、光触媒含有層上に形成される複数層のパター
ニングが容易かつ高品質に実現できる。
Further, the photocatalyst-containing layer of the present invention may be provided at any position between the substrate and the second electrode, for example, between the substrate and the first electrode, between the first electrode and the second electrode. The space between the EL layer and the EL layer or between the EL layer and the second electrode when the EL layer includes a plurality of layers is used. The photocatalyst containing layer is provided between the first electrode and the EL layer,
It is preferable to pattern the EL layer. The photocatalyst-containing layer may be formed not only in one layer but also in a plurality of layers. In this case, the patterning of the plurality of layers formed on the photocatalyst-containing layer can be realized easily and with high quality.

【0013】光触媒含有層の膜厚は、薄すぎると濡れ性
の違いが明確には発現しなくなりパターニングが困難に
なること、厚すぎると正孔または電子の輸送を阻害しE
L素子の発光に悪影響を及ぼすため、好ましくは50〜
2000Å、より好ましくは300〜1000Åとす
る。
If the thickness of the photocatalyst-containing layer is too small, the difference in wettability does not clearly appear and patterning becomes difficult. If the thickness is too large, the transport of holes or electrons is hindered.
Since the light emission of the L element is adversely affected, preferably 50 to
2000 °, more preferably 300 to 1000 °.

【0014】(濡れ性変化の原理)本発明においては、
光の照射によって近傍の物質(バインダーなど)に化学
変化を起こすことが可能な光触媒を用いて、光照射を受
けた部分に濡れ性の違いによるパターンを形成する。光
触媒による作用機構は、必ずしも明確なものではない
が、光の照射によって光触媒に生成したキャリアが、バ
インダーなどの化学構造を直接変化させ、あるいは酸
素、水の存在下で生じた活性酸素種によってバインダー
などの化学構造を変化させることにより、表面の濡れ性
が変化すると考えられる。
(Principle of wettability change) In the present invention,
Using a photocatalyst capable of causing a chemical change in a nearby substance (such as a binder) by light irradiation, a pattern due to a difference in wettability is formed in a portion irradiated with light. The mechanism of action by the photocatalyst is not always clear, but the carrier generated in the photocatalyst by light irradiation directly changes the chemical structure of the binder or the like, or the active oxygen species generated in the presence of oxygen or water binds the binder. It is considered that the surface wettability changes by changing the chemical structure such as the above.

【0015】(発光特性向上物質)本発明のEL素子の
光触媒含有層が含有する発光特性向上物質は、EL層の
発光特性を高める物質、例えば発光層などのEL層への
正孔または電子の注入を促進する物質であれば特に限定
されない。本発明においては、発光特性向上物質を光触
媒含有層に添加しても、意外にも光照射後の光触媒含有
層の濡れ性にはほとんど影響しない。
(Light Emitting Property Improving Substance) The light emitting property improving substance contained in the photocatalyst-containing layer of the EL device of the present invention is a substance that enhances the light emitting property of the EL layer, for example, holes or electrons to the EL layer such as the light emitting layer. There is no particular limitation as long as it is a substance that promotes injection. In the present invention, even if the luminescent property improving substance is added to the photocatalyst-containing layer, it surprisingly hardly affects the wettability of the photocatalyst-containing layer after light irradiation.

【0016】光触媒含有層がEL層と陽極の間に設けら
れる場合有効な発光特性向上物質ととしては、典型的に
は、従来EL層の正孔注入層または陽極バッファー層に
添加される正孔注入特性向上物質材料、例えばフェニル
アミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン
系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウ
ム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボ
ン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体などが挙げら
れる。これら正孔注入特性向上物質の添加量は光触媒含
有層の機能を損なわないように10〜90重量%、より
好ましくは30〜70重量%とする。また、光触媒含有
層がEL層と陽極の間に設けられる場合に有効な物質と
しては、例えば以下のような正孔輸送材料を挙げること
ができる。
When the photocatalyst-containing layer is provided between the EL layer and the anode, the effective luminescent property improving substance is typically a hole injection layer of the EL layer or a hole added to the anode buffer layer. Injection property improving substance materials such as phenylamine-based, starburst-type amine-based, phthalocyanine-based, oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, and polythiophene derivatives. The addition amount of these hole injection property improving substances is 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 70% by weight, so as not to impair the function of the photocatalyst containing layer. In addition, as a substance effective when the photocatalyst containing layer is provided between the EL layer and the anode, for example, the following hole transport materials can be given.

【0017】<正孔輸送性材料>オキサジアゾール系、
オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリ
フェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラ
ゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニル
カルバゾール系、スチルベン系、エナミン系、アジン
系、トリフェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族
化合物系、スチルベン二量体等、より好ましくは、ブタ
ジエン系、エナミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルア
ミン系がイオン化ポテンシャルが小さい点で好ましい。
また、正孔輸送剤のうちπ共役系高分子としては、ポリ
アセチレン、ポリジアセチレリン、ポリ(P−フェニレ
ン)、ポリ(P−フェニレンスルフィド)、ポリ(P−
フェニレンオキシド)、ポリ(1,6−ヘプタジイ
ン)、ポリ(P−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
チエニレン)、ポリ(2,5−ピロール)、ポリ(m−
フェニレンスルフィド)、ポリ(4,4′−ビフェニレ
ン)等が挙げられる。電荷移動高分子錯体としては、ポ
リスチレン・AgCl0、ポリビニルナフタレン・T
CNE、ポリビニルナフタレン・P−CA、ポリフェニ
ルナフタレン・DDQ、ポリビニルメシチレン・TCN
E、ポリナフアセチレン・TCNE、ポリビニルアンス
ラセン・Br、ポリビニルアンセラセン・I、ポリ
ビヌルアンセラセン・TNB、ポリジメチルアミノスチ
レン・CA、ポリビニルイミダゾール・CQ、ポリP−
フェニレンI・ポリ−1−ビニルピリジン・I、ポ
リ−4−ビニルピリジン・I、ポリ−P−1−フェニ
レン・I、ポリビニルピリジウム・TCNQ等が挙げ
られる。また、低分子電荷移動錯体としては、TCNQ
−TTF等が、金属錯体高分子としては、ポリ銅フタロ
シアニン等が挙げられる。これら正孔輸送性材料の添加
量は光触媒含有層の機能を損なわないため10〜90重
量%、より好ましくは30〜70重量%とする。また、
光触媒含有層がEL層と陰極の間に設けられる場合に有
効な発光特性向上物質としては、典型的には、従来EL
層の電子注入層または陰極バッファー層に添加される電
子注入特性向上物質材料、例えばアルミリチウム、フッ
化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ
化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシ
ウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロ
ンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポ
リスチレンスルホン酸ナトリウムなどの材料が挙げられ
る。またこれら電子注入特性向上物質の添加量は光触媒
含有層の機能を損なわないため10〜90重量%、より
好ましくは30〜70重量%とする。
<Hole transporting material> Oxadiazole-based material
Oxazole, triazole, thiazole, triphenylmethane, styryl, pyrazoline, hydrazone, aromatic amine, carbazole, polyvinylcarbazole, stilbene, enamine, azine, triphenylamine, butadiene , A polycyclic aromatic compound, a stilbene dimer, etc., and more preferably a butadiene type, an enamine type, a hydrazone type, and a triphenylamine type are preferable because of their low ionization potential.
Among the hole transporting agents, examples of the π-conjugated polymer include polyacetylene, polydiacetylene, poly (P-phenylene), poly (P-phenylene sulfide), and poly (P-phenylene sulfide).
Phenylene oxide), poly (1,6-heptadiyne), poly (P-phenylenevinylene), poly (2,5
Thienylene), poly (2,5-pyrrole), poly (m-
(Phenylene sulfide), poly (4,4'-biphenylene) and the like. The charge transfer polymer complex, polystyrene · AgCl0 4, polyvinyl naphthalene · T
CNE, polyvinyl naphthalene / P-CA, polyphenyl naphthalene / DDQ, polyvinyl mesitylene / TCN
E, polynaphthacetylene / TCNE, polyvinyl anthracene / Br 2 , polyvinyl anthracene / I 2 , polyvinyl anthracene / TNB, polydimethylaminostyrene / CA, polyvinyl imidazole / CQ, poly P-
Examples thereof include phenylene I 2 · poly-1-vinylpyridine · I 2 , poly-4-vinylpyridine · I 2 , poly-P-1-phenylene · I 2 , and polyvinylpyridium · TCNQ. Further, as the low molecular charge transfer complex, TCNQ
-TTF and the like, and metal complex polymers include polycopper phthalocyanine and the like. The addition amount of these hole transporting materials is 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 70% by weight, so as not to impair the function of the photocatalyst containing layer. Also,
As an effective luminescent property improving substance when the photocatalyst containing layer is provided between the EL layer and the cathode, typically, a conventional EL
Electron injection property improving material added to the electron injection layer or the cathode buffer layer of the layer, for example, aluminum lithium, lithium fluoride, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride, oxide Materials such as aluminum, strontium oxide, calcium, polymethyl methacrylate, and sodium polystyrene sulfonate can be used. The addition amount of these electron injection property improving substances is 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 70% by weight, so as not to impair the function of the photocatalyst containing layer.

【0018】また、光触媒含有層の配置位置にかかわら
ず添加して有効な物質としては、典型的には、従来のE
L層の発光層に添加される以下のような発色材料が挙げ
られる。
Regarding the effective substance to be added irrespective of the arrangement position of the photocatalyst-containing layer, a conventional E-type substance is typically used.
The following color-forming materials to be added to the light-emitting layer of the L layer are exemplified.

【0019】<色素系>シクロペンタジエン誘導体、テ
トラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘
導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導
体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン
誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジ
ン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴ
チオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサ
ジアゾールダイマー、ビラゾリンダイマー <金属錯体系>アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリ
ノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、
ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポル
フィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体、等、中心金属に
Al、Zn、Be等または、Tb、Eu、Dy等の希土
類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾ
ール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾー
ル、キノリン構造等を有する金属錯体。
<Dye System> Cyclopentadiene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, triphenylamine derivative, oxadiazole derivative, pyrazoloquinoline derivative, distyrylbenzene derivative, distyrylarylene derivative, silole derivative, thiophene ring compound, pyridine ring Compound, perinone derivative, perylene derivative, oligothiophene derivative, trifumanylamine derivative, oxadiazole dimer, virazoline dimer <metal complex type> aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex,
Benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex, eurobium complex, etc., have Al, Zn, Be, etc. as a central metal or rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole as a ligand, Metal complexes having a thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure or the like.

【0020】<高分子系>ポリパラフェニレンビニレン
誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘
導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリ
ビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体またこれ
ら発色材料の添加量は、光触媒含有層の機能を損なわな
いため10〜90重量%、より好ましくは30〜70重
量%とする。
<Polymer System> The polyfluorene derivative such as polyparaphenylenevinylene derivative, polythiophene derivative, polyparaphenylene derivative, polysilane derivative, polyacetylene derivative, polyvinylcarbazole and the like, and the amount of these coloring materials added depends on the function of the photocatalyst containing layer. In order not to impair, the content is 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 70% by weight.

【0021】さらに、光触媒含有層の配置位置にかかわ
らず添加して有効な物質としては、以下のようなドーピ
ング材料も挙げることができる。
Further, as an effective substance to be added irrespective of the arrangement position of the photocatalyst-containing layer, the following doping materials can be mentioned.

【0022】<ドーピング材料>ペリレン誘導体、クマ
リン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、ス
クアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色
素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレ
ン、フェノキサゾン。これらドーピング材料の添加量
は、光触媒含有層の機能を損なわないため10〜90重
量%、より好ましくは30〜70重量%とする。
<Doping Materials> Perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squarium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, phenoxazone. The addition amount of these doping materials is 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 70% by weight, so as not to impair the function of the photocatalyst containing layer.

【0023】また、以下の金属塩も挙げることができ
る。
The following metal salts can also be mentioned.

【0024】<金属塩>また、有効な発光特性向上物質
としては、以下の金属塩も挙げられる。FeCl、F
eCl、Cr(NO、CrCl、NaN
、Ca(NO、Sr(NO、Co(N
、CoCl、Cd(NO、Mg(NO
、Cu(CHCOO)、Cu(NO
Ni(NO、Mn(NO、MnCl、P
bNO、RuCl、IrCl、Ir(N
、ScCl、Sc(NO、HPtC
、RhCl 、Tb(NO、Pr(NO
、Dy(NO、Sm(NO 、Ga(NO
、Gb(NO、Yb(NO、NbC
、ZrCl、Zr(NO、KNO、Li
NO、HAsCl、Pd(NO、Eu(NO
、Nd(NO、NiCl、Ce(N
、CsNO、Er(NO、Ba(NO
、La(NO、AgCl、CHCH(O
H)COOAg、AgNO、TlNO、Y(N
、Pb(NO、Ho(NO、Bi
(NO。これらは光触媒含有層中の酸化チタンお
よびバインダーの和の1重量部に対して0.001〜1
0重量部、好ましくは0.1〜1重量部添加するとよ
い。またFeまたはCuの金属塩、特にFeCl、F
eCl、Cu(NO、Cu(CHCOO)
が発光特性向上に好ましい。
<Metal salt> Effective luminescent property improving substance
Examples thereof include the following metal salts. FeCl2, F
eCl3, Cr (NO3)3, CrCl3, NaN
O3, Ca (NO3)2, Sr (NO3)2, Co (N
O3)2, CoCl2, Cd (NO3)2, Mg (NO
3)2, Cu (CH3COO)2, Cu (NO3)2,
Ni (NO3)2, Mn (NO3)2, MnCl2, P
bNO3, RuCl3, IrCl4, Ir (N
O3)3, ScCl3, Sc (NO3)3, H2PtC
l6, RhCl 3, Tb (NO3)3, Pr (NO3)
3, Dy (NO3)3, Sm (NO3) 3, Ga (NO
3)3, Gb (NO3)3, Yb (NO3)3, NbC
l5, ZrCl4, Zr (NO3)2, KNO3, Li
NO3, HAsCl4, Pd (NO3)2, Eu (NO
3)2, Nd (NO3)2, NiCl3, Ce (N
O3) 3, CsNO3, Er (NO3)3, Ba (NO
3)2, La (NO3)3, AgCl, CH3CH (O
H) COOAg, AgNO3, TlNO3, Y (N
O3)3, Pb (NO3)2, Ho (NO3)3, Bi
(NO3)3. These are titanium oxide and the like in the photocatalyst containing layer.
0.001 to 1 part by weight of the sum of
0 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight
No. Metal salts of Fe or Cu, especially FeCl2, F
eCl3, Cu (NO3)2, Cu (CH3COO)2
Is preferred for improving the light emission characteristics.

【0025】(光触媒材料)本発明に用いられる光触媒
材料としては、例えば光半導体として知られている酸化
チタン(TiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化すず
(SnO)・チタン酸ストロンチウム(SrTi
)・酸化タングステン(WO)、酸化ビスマス
(Bi)、酸化鉄(Fe)のような金属酸
化物を挙げることができるが、特に酸化チタンが好まし
い。酸化チタンは、バンドギャップエネルギーが高く、
化学的に安定であり、毒性もなく、入手も容易である点
で有利である。
(Photocatalyst Material) Examples of the photocatalyst material used in the present invention include titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ) and strontium titanate (SrTi) which are known as optical semiconductors.
Metal oxides such as O 3 ) / tungsten oxide (WO 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and iron oxide (Fe 2 O 3 ) can be given, and titanium oxide is particularly preferred. Titanium oxide has a high band gap energy,
It is advantageous in that it is chemically stable, has no toxicity, and is easily available.

【0026】光触媒としての酸化チタンにおいては、ア
ナターゼ型とルチル型のいずれも使用することができる
が、アナターゼ型酸化チタンが好ましい。具体的には例
えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル(石原産
業(株)、STS−02、平均結晶子径7nm)、硝酸
解膠型のアナターゼ型チタニアゾル(日産化学、TA−
15、平均結晶子径12nm)を挙げることができる。
As titanium oxide as a photocatalyst, both anatase type and rutile type can be used, but anatase type titanium oxide is preferred. Specifically, for example, anatase titania sol of peptic hydrochloride type (Ishihara Sangyo Co., Ltd., STS-02, average crystallite diameter 7 nm), anatase titania sol of nitric acid deflocculation type (Nissan Chemical, TA-
15, average crystallite diameter of 12 nm).

【0027】光触媒含有層中の光触媒の量は1〜80重
量%であることが好ましく、30〜65重量%であるこ
とがより好ましい。
The amount of the photocatalyst in the photocatalyst-containing layer is preferably from 1 to 80% by weight, more preferably from 30 to 65% by weight.

【0028】(バインダー成分)本発明の光触媒含有層
に用いることのできるバインダーは、好ましくは主骨格
が前記光触媒の光励起により分解されないような高い結
合エネルギーを有するものであり、例えば、(1)ゾル
ゲル反応等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加
水分解、重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリ
シロキサン、あるいは(2)撥水性や撥油性に優れた反
応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を
挙げることができる。
(Binder component) The binder that can be used in the photocatalyst-containing layer of the present invention preferably has a high binding energy such that the main skeleton is not decomposed by the photoexcitation of the photocatalyst. Examples include organopolysiloxanes that exhibit large strength by hydrolyzing and polycondensing chloro or alkoxysilanes by reaction or the like, or (2) organopolysiloxanes obtained by crosslinking reactive silicones having excellent water repellency and oil repellency. Can be.

【0029】前記(1)の場合、一般式YSiX
4−n(n=1〜3)で表される珪素化合物の1種また
は2種以上の加水分解縮合物、共加水分解化合物が主体
であることができる。前記一般式では、Yは例えばアル
キル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基また
はエポキシ基であることができ、Xは例えばハロゲン、
メトキシル基、エトキシル基、またはアセチル基である
ことができる。
In the case of the above (1), the general formula Y n SiX
One or more hydrolyzed condensates and co-hydrolyzed compounds of the silicon compound represented by 4-n (n = 1 to 3) can be the main component. In the above general formula, Y can be, for example, an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group or an epoxy group, and X is, for example, a halogen,
It can be a methoxyl, ethoxyl, or acetyl group.

【0030】具体的には、メチルトリクロルシラン、メ
チルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシ
ラン、メチルトリt−ブトキシシラン;エチルトリクロ
ルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキ
シシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソ
プロポキシシラン、エチルトリt−ブトキシシラン;n
−プロピルトリクロルシラン、n−プロピルトリブロム
シラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピ
ルトリエトキシシラン、n−プロピルトリイソプロポキ
シシラン、n−プロピルトリt−ブトキシシラン;n−
ヘキシルトリクロルシラン、n−ヘキシルトリブロムシ
ラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシル
トリエトキシシラン、n−ヘキシルトリイソプロポキシ
シラン、n−ヘキシルトリt−ブトキシシラン;n−デ
シルトリクロルシラン、n−デシルトリブロムシラン、
n−デシルトリメトキシシラン、n−デシルトリエトキ
シシラン、n−デシルトリイソプロポキシシラン、n−
デシルトリt−ブトキシシラン;n−オクタデシルトリ
クロルシラン、n−オクタデシルトリブロムシラン、n
−オクタデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシル
トリエトキシシラン、n−オクタデシルトリイソプロポ
キシシラン、n−オクタデシルトリt−ブトキシシラ
ン;フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェ
ニルトリt−ブトキシシラン;テトラクロルシラン、テ
トラブロムシラン、テトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエト
キシシラン;ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロ
ムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン;ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジ
ブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシラン;フェニルメチルジクロルシラン、
フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメト
キシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン;トリク
ロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメト
キシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイ
ソプロポキシヒドロシラン、トリt−ブトキシヒドロシ
ラン;ビニルトリクロルシラン、ビニルトリブロムシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリt
−ブトキシシラン;トリフルオロプロピルトリクロルシ
ラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフ
ルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロ
ピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイ
ソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリt−ブ
トキシシラン;γ−グリシドキシプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−
メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ
−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリt−ブトキシシラ
ン;γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリt−ブトキシシラン;
γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ
t−ブトキシシラン;β−(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン;お
よび、それらの部分加水分解物;およびそれらの混合物
を挙げることができる。
Specifically, methyltrichlorosilane, methyltribromosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltri-t-butoxysilane; ethyltrichlorosilane, ethyltribromosilane, ethyltrichlorosilane Methoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltri-t-butoxysilane; n
-Propyltrichlorosilane, n-propyltribromosilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltri-t-butoxysilane; n-
Hexyltrichlorosilane, n-hexyltribromosilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, n-hexyltriisopropoxysilane, n-hexyltri-t-butoxysilane; n-decyltrichlorosilane, n-decyl Tribromosilane,
n-decyltrimethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-decyltriisopropoxysilane, n-
Decyltri-t-butoxysilane; n-octadecyltrichlorosilane, n-octadecyltribromosilane, n
-Octadecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane, n-octadecyltriisopropoxysilane, n-octadecyltri-t-butoxysilane; phenyltrichlorosilane, phenyltribromosilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyl Triisopropoxysilane, phenyltri-t-butoxysilane; tetrachlorosilane, tetrabromosilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, dimethoxydiethoxysilane; dimethyldichlorosilane, dimethyldibromosilane, dimethyldimethoxysilane , Dimethyldiethoxysilane; diphenyldichlorosilane, diphenyldibromosilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane Phenyl methyldichlorosilane,
Phenylmethyldibromosilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane; trichlorohydrosilane, tribromohydrosilane, trimethoxyhydrosilane, triethoxyhydrosilane, triisopropoxyhydrosilane, tri-t-butoxyhydrosilane; vinyltrichlorosilane, vinyltribromo Silane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriisopropoxysilane, vinyltrit
-Butoxysilane; trifluoropropyltrichlorosilane, trifluoropropyltribromosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluoropropyltriisopropoxysilane, trifluoropropyltri-t-butoxysilane; γ- Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ
Glycidoxypropyltriisopropoxysilane, γ
-Glycidoxypropyltri-t-butoxysilane; γ-
Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ
-Methacryloxypropylmethyldiethoxysilane,
γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ
-Methacryloxypropyltriethoxysilane, γ-
Methacryloxypropyltriisopropoxysilane,
γ-methacryloxypropyltri-t-butoxysilane; γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-
Aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltriisopropoxysilane, γ-aminopropyltri-t-butoxysilane;
γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-
Mercaptopropylmethyldiethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltriisopropoxysilane, γ-mercaptopropyltri-t-butoxysilane; β- (3,4-epoxy Cyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane; and partial hydrolysates thereof; and mixtures thereof.

【0031】また、バインダーとして、特に好ましくは
フルオロアルキル基を含有するポリシロキサンを用いる
ことができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシラ
ンのの1種または2種以上の加水分解縮合物、共加水分
解縮合物が挙げられ、また、一般にフッ素系シランカッ
プリング剤として知られているものを使用してもよい。
As the binder, a polysiloxane containing a fluoroalkyl group can be particularly preferably used. Specifically, one or two or more of hydrofluorocondensates of the following fluoroalkylsilanes are used. Examples include a hydrolytic condensate, and those generally known as a fluorine-based silane coupling agent may be used.

【0032】 CF(CFCHCHSi(OCH CF(CFCHCHSi(OCH CF(CFCHCHSi(OCH CF(CFCHCHSi(OCH (CFCF(CFCHCHSi(OCH (CFCF(CFCHCHSi(OCH (CFCF(CFCHCHSi(OCH CF(C)CSi(OCH CF(CF(C)CSi(OCH CF(CF(C)CSi(OCH CF(CF(C)CSi(OCH CF(CFCHCHSiCH(OCH CF(CFCHCHSiCH(OCH CF(CFCHCHSiCH(OCH CF(CFCHCHSiCH(OCH (CFCF(CFCHCHSiCH(OCH (CFCF(CFCHCHSiCH(OCH (CFCF(CFCHCHSiCH(OCH CF(C)CSiCH(OCH CF(CF(C)CSiCH(OCH CF(CF(C)CSiCH(OCH CF(CF(C)CSiCH(OCH CF(CFCHCHSi(OCHCH CF(CFCHCHSi(OCHCH CF(CFCHCHSi(OCHCH CF(CFCHCHSi(OCHCH CF(CFSON(C)CCHSi(OCH 上記のようなフルオロアルキル基を含有するポリシロキ
サンをバインダーとして用いることにより、光触媒含有
層の非光照射部の撥水性および撥油性が大きく向上す
る。
CF 3 (CF 2 ) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 7 CH 2 CH 2 Si ( OCH 3) 3 CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 (CF 3) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 CF 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 3 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 Si (OCH 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 5 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 Si (OCH 3 ) 3 CF 3 (CF 2 ) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3 CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2 (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3 ) 2 (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 6 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3 ) 2 (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 8 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3 ) 2 CF 3 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF (CF 2) 5 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 7 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH 3 (OCH 3) 2 CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3 CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3 CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3 CF 3 (CF 2 ) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 CH 3) 3 CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (C 2 H 5) C 2 H 4 CH 2 Si (OCH 3) 3 By using a polysiloxane containing a fluoroalkyl group as described above as a binder, the water repellency and oil repellency of the non-light-irradiated portion of the photocatalyst containing layer are greatly improved.

【0033】前記(2)の反応性シリコーンとしては、
下記一般式で表される骨格を持つ化合物を挙げることが
できる。
As the reactive silicone of the above (2),
A compound having a skeleton represented by the following general formula can be given.

【0034】−(Si(R)(R)O)− ただし、nは2以上の整数、R、Rはそれぞれ炭素
数1〜10の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニ
ル、アリールあるいはシアノアルキル基であることがで
きる。好ましくは全体の40モル%以下がビニル、フェ
ニル、ハロゲン化フェニルであることができる。また、
および/またはRがメチル基であるものが表面エ
ネルギーが最も小さくなるので好ましく、好ましくはメ
チル基が60モル%以上であり、鎖末端または側鎖に
は、分子鎖中に少なくとも1個以上の水酸基などの反応
性基を有する。
-(Si (R 1 ) (R 2 ) O) n-wherein n is an integer of 2 or more, and R 1 and R 2 are each a substituted or unsubstituted alkyl, alkenyl or aryl having 1 to 10 carbon atoms. Alternatively, it can be a cyanoalkyl group. Preferably, up to 40 mol% of the total can be vinyl, phenyl or phenyl halide. Also,
It is preferable that R 1 and / or R 2 be a methyl group because the surface energy is minimized. Preferably, the methyl group is at least 60 mol%, and at least one of the methyl group and the chain end or side chain in the molecular chain It has a reactive group such as the above hydroxyl group.

【0035】また、前記のオルガノポリシロキサンとと
もにジメチルポリシロキサンのような架橋反応を起こさ
ない安定なオルガノシリコン化合物をバインダーに混合
してもよい。
Further, a stable organosilicon compound which does not cause a cross-linking reaction such as dimethylpolysiloxane may be mixed with the above-mentioned organopolysiloxane in a binder.

【0036】(光触媒含有層に用いるその他の成分)本
発明に用いられる光触媒含有層には、未露光部の濡れ性
を低下させるため界面活性剤を含有させることができ
る。この界面活性剤は光触媒により分解除去されるもの
であれば限定されないが、具体的には、好ましくは例え
ば日本サーファクタント工業製:NIKKOL BL、
BC、BO、BBの各シリーズ等の炭化水素系の界面活
性剤、デュポン社製:ZONYL FSN、FSO、旭
硝子製:サーフロンS−141、145、大日本インキ
製:メガファックF−141、144、ネオス製:フタ
ージェントF−200、F251、ダイキン工業製:ユ
ニダインDS−401、402、スリーエム製:フロラ
ードFC−170、176等のフッ素系あるいはシリコ
ーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができる。ま
た、カチオン系、アニオン系、両性界面活性剤を用いる
こともできる。
(Other Components Used in Photocatalyst-Containing Layer) The photocatalyst-containing layer used in the present invention may contain a surfactant in order to reduce the wettability of the unexposed portion. The surfactant is not limited as long as it can be decomposed and removed by a photocatalyst, and specifically, preferably, for example, NIKKOL BL, manufactured by Nippon Surfactant Industries, Ltd.
Hydrocarbon surfactants such as BC, BO and BB series, manufactured by DuPont: ZONYL FSN, FSO, manufactured by Asahi Glass: Surflon S-141, 145, manufactured by Dainippon Ink: Megafac F-141, 144, Neos: Futagent F-200, F251; Daikin Industries: Unidyne DS-401, 402; 3M: Florard FC-170, 176, etc. Fluorinated or silicone-based nonionic surfactants. In addition, cationic, anionic and amphoteric surfactants can also be used.

【0037】また、本発明に好適に用いられる光触媒含
有層には、他の成分、例えば、ポリビニルアルコール、
不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ジ
アリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマ
ー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メ
ラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴム、クロロ
プレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチ
レン、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、ポリエステル、ポリ
ブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリロニ
トリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリ
イソプレン等のオリゴマー、ポリマーを含むことができ
る。
The photocatalyst-containing layer suitably used in the present invention contains other components such as polyvinyl alcohol,
Unsaturated polyester, acrylic resin, polyethylene, diallyl phthalate, ethylene propylene diene monomer, epoxy resin, phenol resin, polyurethane, melamine resin, polycarbonate, polyvinyl chloride, polyamide, polyimide, styrene butadiene rubber, chloroprene rubber, polypropylene, polybutylene, polystyrene And oligomers and polymers such as polyvinyl acetate, nylon, polyester, polybutadiene, polybenzimidazole, polyacrylonitrile, epichlorohydrin, polysulfide, and polyisoprene.

【0038】さらに、本発明に用いられる光触媒含有層
には、光触媒の光活性を増感させる成分である増感色素
を含んでいてもよい。このような増感色素の添加によ
り、低い露光量で濡れ性を変化させるあるいは異なる波
長の露光で濡れ性を変化させることができる。
Further, the photocatalyst-containing layer used in the present invention may contain a sensitizing dye which is a component for sensitizing the photoactivity of the photocatalyst. By adding such a sensitizing dye, the wettability can be changed at a low exposure dose, or the wettability can be changed at a different wavelength.

【0039】(光触媒含有層の形成方法)光触媒含有層
の形成方法は特に限定されないが、例えば光触媒を含ん
だ塗布液を、スプレーコート、ディップコート、ロール
コート、ビードコートなどの方法により基材に塗布して
形成することができる。
(Method for Forming Photocatalyst-Containing Layer) The method for forming the photocatalyst-containing layer is not particularly limited. For example, a coating solution containing a photocatalyst is applied to a substrate by a method such as spray coating, dip coating, roll coating, or bead coating. It can be formed by coating.

【0040】光触媒等を含む塗布液を用いる場合に、塗
布液に使用することができる溶剤は、光触媒溶液と混合
し、正孔注入材料、正孔輸送材料を溶解するものであ
り、このような溶剤であれば、白濁その他の現象による
パターニング特性の低下を防ぐことができる。このよう
な光触媒等を含む塗布溶剤としては、例えばエタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール類、アセトン、ア
セトニトリル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルフォキシド、ジオキサン、エ
チレングリコール、ヘキサメチル燐酸トリアミド、ピリ
ジン、テトラヒドロフラン、N−メチルピロリジノン等
およびこれらの混合溶媒を挙げることができる。
When a coating solution containing a photocatalyst or the like is used, a solvent that can be used for the coating solution is one that is mixed with the photocatalyst solution to dissolve the hole injection material and the hole transport material. If the solvent is used, it is possible to prevent patterning characteristics from being deteriorated due to cloudiness or other phenomena. Examples of coating solvents containing such photocatalysts include alcohols such as ethanol and isopropanol, acetone, acetonitrile, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, dioxane, ethylene glycol, and hexamethylphosphoric triamide. , Pyridine, tetrahydrofuran, N-methylpyrrolidinone, and the like, and a mixed solvent thereof.

【0041】(光触媒を作用させる照射光線)光触媒を
作用させるための照射光線は、光触媒を励起することが
できれば限定されない。このようなものとしては紫外
線、可視光線、赤外線の他、これらの光線よりもさらに
短波長または長波長の電磁波、放射線であることができ
る。
(Irradiation Beam for Activating Photocatalyst) The irradiation beam for activating the photocatalyst is not limited as long as the photocatalyst can be excited. Examples of such a material include ultraviolet light, visible light, and infrared light, as well as electromagnetic waves and radiation having a shorter or longer wavelength than these light beams.

【0042】例えば光触媒として、アナターゼ型チタニ
アを用いる場合は、励起波長が380nm以下にあるの
で、光触媒の励起は紫外線により行うことができる。こ
のような紫外線を発するものとしては水銀ランプ、メタ
ルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザ
ー、その他の紫外線光源を使用することができる。
For example, when anatase type titania is used as the photocatalyst, the excitation wavelength of the photocatalyst is 380 nm or less, so that the photocatalyst can be excited by ultraviolet rays. As a device emitting such ultraviolet rays, a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, an excimer laser, and other ultraviolet light sources can be used.

【0043】EL層 本発明のEL素子に設けられるEL層は、エレクトロル
ミネッセンスを起こすものであれば限定されない。ま
た、EL層は第1電極上(第1電極と第2電極の間)に
設けられるが、第1電極上に直接設けられたものであっ
ても、必要に応じ第1電極とEL層との間に光触媒含有
層あるいは他の層を介在させたものであってもよい。
EL Layer The EL layer provided in the EL element of the present invention is not limited as long as it causes electroluminescence. The EL layer is provided on the first electrode (between the first electrode and the second electrode). However, even if the EL layer is provided directly on the first electrode, the first electrode and the EL layer may be provided as necessary. A photocatalyst containing layer or another layer may be interposed between them.

【0044】本発明のEL層はさらに、その構成要素と
して、必須の層として発光層、任意の層として、発光層
に正孔を輸送する正孔輸送層および電子を輸送する電子
輸送層(これらはまとめて、電荷輸送層とよぶことがあ
る)、ならびに、発光層または正孔輸送層に正孔を注入
する正孔注入層および発光層または電子輸送層に電子を
注入する電子注入層(これらはまとめて、電荷注入層と
よぶことがある)を設けることができる。
The EL layer of the present invention further comprises, as essential components, a light-emitting layer as an essential layer, and as an optional layer, a hole-transporting layer for transporting holes to the light-emitting layer and an electron-transporting layer for transporting electrons. May be collectively referred to as a charge transport layer), and a hole injection layer for injecting holes into the light emitting layer or the hole transport layer, and an electron injection layer for injecting electrons into the light emitting layer or the electron transport layer (these may be referred to as a charge transport layer). May be collectively referred to as a charge injection layer).

【0045】これらEL層を構成する材料としては物質
それ自体としては光触媒含有層に添加できる物質として
前述したものもあるが、例えば以下のものが挙げられ
る。
As the materials constituting these EL layers, there are the above-mentioned materials which can be added to the photocatalyst-containing layer as the materials themselves, and examples thereof include the following.

【0046】(発光層) <色素系>シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリ
ルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロ
ール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、
ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘
導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダ
イマー、ビラゾリンダイマー <金属錯体系>アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリ
ノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、
ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポル
フィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体、等、中心金属に
Al、Zn、Be等または、Tb、Eu、Dy等の希土
類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾ
ール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾー
ル、キノリン構造等を有する金属錯体。
(Emitting Layer) <Dye System> Cyclopentadiene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, triphenylamine derivative, oxadiazole derivative, pyrazoloquinoline derivative, distyrylbenzene derivative, distyrylarylene derivative, silole derivative, thiophene ring Compound, pyridine ring compound,
Perinone derivative, perylene derivative, oligothiophene derivative, trifmanylamine derivative, oxadiazole dimer, virazoline dimer <metal complex type> aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex,
Benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex, eurobium complex, etc., have Al, Zn, Be, etc. as a central metal or rare earth metals such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole as a ligand, Metal complexes having a thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure or the like.

【0047】<高分子系>ポリパラフェニレンビニレン
誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘
導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリ
ビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体 (ドーピング材料)ペリレン誘導体、クマリン誘導体、
ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘
導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキ
サゾン (正孔注入層(陽極バッファー材料))フェニルアミン
系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸
化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化
アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリ
アニリン、ポリチオフェン誘導体 (電子注入層(陰極バッファー材料))アルミリチウ
ム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウ
ム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ
化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸
化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム (EL層内の隔壁層材料)EL層には隔壁を設けること
もでき、この隔壁は、異なる色を発光するEL層を組み
合わせるときに特に有用である。このような材料として
は、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、他、光硬
化型樹脂、熱硬化型樹脂、撥水性樹脂などが挙げられ
る。
<Polymer System> Polyparaphenylene vinylene derivative, polythiophene derivative, polyparaphenylene derivative, polysilane derivative, polyacetylene derivative, polyvinylcarbazole, etc., polyfluorene derivative (doping material) perylene derivative, coumarin derivative,
Rubrene derivative, quinacridone derivative, squarium derivative, porphyrin derivative, styryl dye, tetracene derivative, pyrazoline derivative, decacyclene, phenoxazone (hole injection layer (anode buffer material)) phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, oxidation Oxides such as vanadium, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, and polythiophene derivatives (electron injection layer (cathode buffer material)) aluminum lithium, lithium fluoride, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, fluoride Strontium, calcium fluoride, barium fluoride, aluminum oxide, strontium oxide, calcium, polymethyl methacrylate, polystyrene sulfonate The EL layer (partition wall layer material of the EL layer) helium can also be provided partition wall, the partition wall is particularly useful when combining EL layer emitting a different color. Examples of such a material include a photosensitive polyimide resin, an acrylic resin, a photocurable resin, a thermosetting resin, and a water-repellent resin.

【0048】第1電極および第2電極 本明細書においては、基体上に先に設ける電極を第1電
極、その後EL層上に設ける電極を第2電極として呼
ぶ。これらの電極は、特に限定されないが、好ましく
は、電極は陽極と陰極からなり、この場合第1電極は陽
極、陰極のいずれであってもよい。陽極と陰極のどちら
か一方が、透明または、半透明であり、陽極としては、
正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が
好ましく、逆に陰極としては、電子が注入し易いように
仕事関数の小さい導電性材料が好ましい。また、複数の
材料を混合させてもよい。いずれの電極も、抵抗はでき
るだけ小さいものが好ましく、一般には、金属材料が用
いられるが、有機物あるいは無機化合物を用いてもよ
い。
First Electrode and Second Electrode In this specification, the electrode provided first on the base is referred to as a first electrode, and the electrode provided thereafter on the EL layer is referred to as a second electrode. Although these electrodes are not particularly limited, preferably, the electrodes include an anode and a cathode, and in this case, the first electrode may be either an anode or a cathode. Either the anode or the cathode is transparent or translucent.
A conductive material having a large work function is preferable so that holes can be easily injected, and a conductive material having a small work function is preferable for the cathode so that electrons can be easily injected. Further, a plurality of materials may be mixed. The resistance of each electrode is preferably as low as possible. In general, a metal material is used, but an organic substance or an inorganic compound may be used.

【0049】具体的には好ましい陽極材料は、ITO、
酸化インジウム、金、ポリアニリン、陰極材料として
は、マグネシウム合金(MgAg他)、アルミニウム合
金(AlLi、AlCa、AlMg他)、金属カルシウ
ムが挙げられる。
Specifically, preferred anode materials are ITO,
Examples of indium oxide, gold, polyaniline, and cathode materials include magnesium alloys (eg, MgAg), aluminum alloys (eg, AlLi, AlCa, AlMg), and calcium metal.

【0050】基体 本発明において基体とは、その上に電極やEL層が設け
られるものであり、所望により透明材料からなることが
できるが、不透明材料であってもよい。本発明のEL素
子においては、基体は第1電極そのものであってもよい
が、通常は強度を保持する基体の表面に第1電極が、直
接または中間層を介して設けられる。
Substrate In the present invention, the substrate is a substrate on which electrodes and an EL layer are provided, and can be made of a transparent material if desired, but may be an opaque material. In the EL device of the present invention, the substrate may be the first electrode itself, but usually the first electrode is provided directly or via an intermediate layer on the surface of the substrate that maintains strength.

【0051】絶縁層 本発明のEL素子の好適態様においては、光触媒含有層
上に部分的に絶縁層を少なくとも1層形成することがで
きる。この絶縁層は好ましくは紫外線硬化樹脂などの光
硬化樹脂または熱硬化性樹脂を含む材料からなり、この
絶縁層部分を非発光部としてパターン形成することがで
きる。
Insulating Layer In a preferred embodiment of the EL device of the present invention, at least one insulating layer can be partially formed on the photocatalyst containing layer. The insulating layer is preferably made of a material containing a photocurable resin such as an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, and the insulating layer portion can be formed into a pattern as a non-light emitting portion.

【0052】製造方法 本発明のEL素子の製造方法は、光触媒含有層上にEL
層が設けられる態様においては、基体上に第1電極を形
成する工程と、前記第1電極上に、光触媒含有層を形成
する工程と、前記光触媒含有層をパターン状に露光し
て、濡れ性の違いによるパターンを形成する工程と、前
記光触媒含有層の露光部上に、EL層形成液を塗布して
パターニングされた前記EL層を形成する工程と、前記
EL層上に前記第2電極を形成する工程とを含む製造方
法である。
Manufacturing Method The method for manufacturing an EL device of the present invention uses an EL device on a photocatalyst-containing layer.
In an embodiment in which a layer is provided, a step of forming a first electrode on a substrate, a step of forming a photocatalyst-containing layer on the first electrode, and exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern to obtain a wettability Forming a pattern based on the difference between the two, and applying an EL layer forming solution on the exposed portion of the photocatalyst-containing layer to form the patterned EL layer; and forming the second electrode on the EL layer. And a forming step.

【0053】本発明の複数のEL層の間に光触媒含有層
が設けられる態様のEL素子は、上記の方法において、
第1電極上のかわりに第1EL層上に光触媒含有層を形
成し、光触媒含有層の露光部上に、第2EL層形成液を
塗布して、パターニングされた前記第2EL層を形成す
る工程を含む以外は、上記方法と同様に製造できる。
The EL device of the present invention, in which a photocatalyst-containing layer is provided between a plurality of EL layers, is characterized in that:
Forming a photocatalyst-containing layer on the first EL layer instead of on the first electrode, and applying a second EL layer forming liquid on the exposed portion of the photocatalyst-containing layer to form the patterned second EL layer. Except for including, it can be manufactured in the same manner as the above method.

【0054】本発明の光触媒含有層上に第1電極が設け
られる態様のEL素子は、上記の方法において、第1電
極上のかわりに基体上に光触媒含有層を形成し、光触媒
含有層の露光部上に、前記第1電極形成液を塗布して、
パターニングされた前記第1電極を形成する工程を含む
以外は、上記方法と同様に製造できる。
According to the EL device of the present invention in which the first electrode is provided on the photocatalyst-containing layer, the photocatalyst-containing layer is formed on the substrate instead of the first electrode in the above-mentioned method, On the part, the first electrode forming liquid is applied,
Except for including the step of forming the patterned first electrode, it can be manufactured in the same manner as the above method.

【0055】本発明の光触媒含有層上に第2電極が設け
られる態様のEL素子は、上記の方法において、第1電
極上のかわりにEL層上に光触媒含有層を形成し、光触
媒含有層の露光部上に、前記第2電極形成液を塗布し
て、パターニングされた前記第2電極を形成する工程を
含む以外は、上記方法と同様に製造できる。
According to the EL device of the present invention in which the second electrode is provided on the photocatalyst-containing layer, the photocatalyst-containing layer is formed on the EL layer instead of the first electrode in the above-mentioned method. It can be manufactured in the same manner as the above method except that a step of forming the patterned second electrode by applying the second electrode forming liquid on the exposed portion is included.

【0056】本発明の光触媒含有層上に絶縁層を設ける
態様のEL素子は、光触媒含有層の露光部上に、絶縁層
形成液を塗布してパターニングされた絶縁層形成液を、
乾燥、熱硬化、光硬化などの方法で硬化して絶縁層を形
成する工程を含む以外は、上記方法と同様に製造でき
る。
In the EL device of the present invention in which an insulating layer is provided on a photocatalyst-containing layer, an insulating-layer-forming liquid patterned by applying an insulating-layer-forming liquid onto an exposed portion of the photocatalyst-containing layer is provided by:
Except for including a step of forming an insulating layer by curing by a method such as drying, heat curing, or photocuring, it can be manufactured in the same manner as the above method.

【0057】また、光触媒含有層とその上に形成される
層以外は、通常のEL素子の製造法によることができ
る。
Except for the photocatalyst-containing layer and the layer formed thereon, a normal EL element manufacturing method can be used.

【0058】塗布液の溶媒 光触媒含有層上に各層を形成するために塗布される液
体、例えばEL層形成液、第1電極形成液、第2電極形
成液(これらはまとめて塗布液と呼ぶ)は、溶媒が、水
などの極性溶媒であることが好ましい。このような極性
溶媒を用いた塗布液は、光触媒含有層の露光部との濡れ
性が高く、かつ未露光部とははじきあう傾向が強く、塗
布液をパターニングする上で有利である。
Solvents of Coating Liquid Liquids applied to form each layer on the photocatalyst-containing layer, for example, an EL layer forming liquid, a first electrode forming liquid, and a second electrode forming liquid (these are collectively referred to as a coating liquid). Preferably, the solvent is a polar solvent such as water. A coating solution using such a polar solvent has high wettability with the exposed portion of the photocatalyst-containing layer and has a strong tendency to repel the unexposed portion, which is advantageous in patterning the coating solution.

【0059】塗布方法 光触媒含有層への塗布液の塗布は、スピン塗布法、イン
クジェット法、ディップ塗布法、ブレードコート法およ
び光触媒含有層への滴下が挙げられる。
Coating Method Application of the coating solution to the photocatalyst-containing layer includes spin coating, ink jetting, dip coating, blade coating, and dropping to the photocatalyst-containing layer.

【0060】パターニング方法 光触媒含有層上に形成されるEL層、第1電極、第2電
極などの層のパターニングは、固化前の塗布液の状態で
パターニングを行う方法の他、固化後の層形成された状
態で濡れ性の低い部分のみを剥離して行うこともでき
る。具体的には例えば、固形化前に基体を傾斜させる方
法、エアーを吹き付ける方法、固形化後に粘着テープを
貼って剥がす方法などが挙げられる。
Patterning Method Layers such as the EL layer, the first electrode, and the second electrode formed on the photocatalyst-containing layer are patterned by a method of patterning in the state of a coating solution before solidification, or by forming a layer after solidification. It is also possible to peel off only a portion having low wettability in the state of being performed. Specific examples include a method of inclining the substrate before solidification, a method of blowing air, and a method of sticking and peeling off an adhesive tape after solidification.

【0061】濡れ性パターンと画素 本発明のEL素子が、フルカラー表示のディスプレイで
ある場合には、好ましくは、光触媒含有層の濡れ性の違
いによるパターンに対応させてディスプレイの画素を形
成させる。
[0061] Wettability pattern and pixel EL element of the present invention, when a display of a full color display, preferably, in correspondence to the pattern by wettability differences between the photocatalyst-containing layer to form a pixel of the display.

【0062】[0062]

【実施例】実施例1 下記の塗布用溶液を調製した。 Example 1 The following coating solution was prepared.

【0063】 (塗布液1、光触媒含有層形成液) イソプロピルアルコール 3重量部 フルオロアルコキシラン(トーケムプロダクツ(株)製MF-160E) 0.014重量部 アナターゼ型チタニアゾル(石原産業(株)製ST-K03) 2重量部 上記各材料を順に混合し、100℃で20分間加熱攪拌
したものをイソプロピルアルコール10重量部で希釈
し、これを塗布液1(なお、光触媒の略称をDSRとも
いう)とした。
(Coating Solution 1, Photocatalyst-Containing Layer Forming Solution) 3 parts by weight of isopropyl alcohol Fluoroalkoxylan ( MF-160E manufactured by Tochem Products) 0.014 part by weight of anatase-type titania sol (ST-K03 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 2 parts by weight The mixture heated and stirred at 100 ° C. for 20 minutes was diluted with 10 parts by weight of isopropyl alcohol, and this was used as a coating liquid 1 (the photocatalyst was also abbreviated as DSR).

【0064】(塗布液2および塗布液3、発光特性向上
物質入り光触媒含有層形成液)上記塗布液1とポリ3,
4−エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホ
ネート水分散液(略称PEDOT/PSS、商品名Ba
ytron PTPAI4083、バイエル社)を重量
比でそれぞれ2対1、1対2で混合したものをそれぞれ
塗布液2、3とした。
(Coating Solutions 2 and 3, Photocatalyst-Containing Layer-Forming Liquid Containing Luminescent Property-Improving Substance)
4-Ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate aqueous dispersion (abbreviated name PEDOT / PSS, trade name Ba)
ytron PTPAI4083 (Bayer) at a weight ratio of 2: 1 and 1: 2, respectively, to obtain coating solutions 2 and 3, respectively.

【0065】(塗布液4、発光特性向上物質層形成液)
上記の3,4−エチレンジオキシチオフェン/ポリスチ
レンスルホネート水分散液(Baytron PTPA
I4083)単独を塗布液4とした。
(Coating Liquid 4, Light Emitting Property Enhancing Material Layer Forming Liquid)
The above 3,4-ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate aqueous dispersion (Baytron PTPA)
I4083) was used alone as coating solution 4.

【0066】 (塗布液5、EL層形成液) ポリフルオレン誘導体 1重量部 キシレン 66.67重量部 以下の方法でポリフルオレン誘導体を合成した。(Coating Liquid 5, EL Layer Forming Liquid) Polyfluorene Derivative 1 part by weight Xylene 66.67 parts by weight A polyfluorene derivative was synthesized by the following method.

【0067】乾燥窒素気流下、フルオレン5.0g(3
0mmol)を乾燥テトラヒドロフランに溶解させ、−
78℃でこれに1.6Mノルマルブチルリチウムヘキサ
ン溶液22ml(35mmol)を滴下後、−78℃で
1時間攪拌した。続いてこれにノルマルヘキシルブロミ
ド4.9 ml(35mmol)を滴下し、−78℃で
1時間、さらに室温で1時間攪拌した。続いて同様に−
78℃でこれに1.6Mノルマルブチルリチウムヘキサ
ン溶液22ml(35mmol)を滴下後、−78℃で
1時間攪拌した。続いてこれにノルマルヘキシルブロミ
ド4.9ml(35mmol)を滴下し、−78℃で1
時間、さらに室温で1時間攪拌した。氷零下で水を滴下
後、酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネシウムで脱水乾燥
後溶媒を留去した。これをヘキサンで再結晶することに
より9,9−ジヘキシルフルオレン9.5g(95%)
を得た。
Under a dry nitrogen stream, 5.0 g of fluorene (3
0 mmol) in dry tetrahydrofuran.
At 78 ° C, 22 ml (35 mmol) of a 1.6 M normal butyllithium hexane solution was added dropwise, followed by stirring at -78 ° C for 1 hour. Subsequently, 4.9 ml (35 mmol) of normal hexyl bromide was added dropwise thereto, and the mixture was stirred at -78 ° C for 1 hour and further at room temperature for 1 hour. Then likewise-
At 78 ° C, 22 ml (35 mmol) of a 1.6 M normal butyllithium hexane solution was added dropwise, followed by stirring at -78 ° C for 1 hour. Subsequently, 4.9 ml (35 mmol) of normal hexyl bromide was added dropwise thereto, and the mixture was heated at -78 ° C for 1 hour.
And stirred at room temperature for 1 hour. After water was added dropwise under zero ice, the mixture was extracted with ethyl acetate, dried over magnesium sulfate and dried, and the solvent was distilled off. This was recrystallized from hexane to give 9.5 g (95%) of 9,9-dihexylfluorene.
I got

【0068】9,9−ジヘキシルフルオレン2.0g
(6.0mmol)、塩化鉄(III)0.02g(0.
12mmol)をクロロホルム9mlに溶解させ、遮光
下0℃で攪拌したものにクロロホルム3mlに溶解させ
た臭素1.2gを滴下した。これを室温で18時間攪拌
後、チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで脱水乾燥後溶媒を留去した。残存物をカラムクロ
マトグラフィー(溶離液:ヘキサン)で分離精製するこ
とにより、2,7−ジブロモ−9,9−ジヘキシルフル
オレン2.4g(92%)を得た。
2.0 g of 9,9-dihexylfluorene
(6.0 mmol), 0.02 g of iron (III) chloride (0.
12 mmol) was dissolved in 9 ml of chloroform, and 1.2 g of bromine dissolved in 3 ml of chloroform was added dropwise to a solution stirred at 0 ° C. under light shielding. The mixture was stirred at room temperature for 18 hours, washed with an aqueous solution of sodium thiosulfate, dried over magnesium sulfate and dried, and the solvent was distilled off. The residue was separated and purified by column chromatography (eluent: hexane) to obtain 2.4 g (92%) of 2,7-dibromo-9,9-dihexylfluorene.

【0069】乾燥窒素気流下、2,7−ジブロモ−9,
9−ジヘキシルフルオレン2.0g(4.0mmol)
を乾燥テトラヒドロフラン40mlに溶解させ、氷冷下
でこれに1.6Mノルマルブチルリチウムヘキサン溶液
5.3ml(8.4mmol)を滴下後、0℃で1時間
攪拌した。続いてこれに2−イソプロポキシ−4,4,
5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボラン
2.0ml(10mmol、)を滴下し、0℃で1時
間、さらに室温で12時間攪拌した。氷冷下で水を滴下
後、ジエチルエーテルで抽出し、硫酸マグネシウムで脱
水乾燥後溶媒を留去した。残存物をエタノールで洗浄
後、エタノール/ヘキサン混合溶液で再結晶することに
より2,7−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−
1,3,2−ジオキサボラン−2−イル)−9,9−ジ
ヘキシルフルオレン1.4g(60%)を得た。
Under a stream of dry nitrogen, 2,7-dibromo-9,
2.0 g (4.0 mmol) of 9-dihexylfluorene
Was dissolved in 40 ml of dry tetrahydrofuran, 5.3 ml (8.4 mmol) of 1.6 M normal butyl lithium hexane solution was added dropwise thereto under ice cooling, and the mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour. Subsequently, 2-isopropoxy-4,4,4
2.0 ml (10 mmol) of 5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborane was added dropwise, and the mixture was stirred at 0 ° C. for 1 hour and further at room temperature for 12 hours. After water was added dropwise under ice-cooling, the mixture was extracted with diethyl ether, dried over magnesium sulfate and dried, and the solvent was distilled off. The residue was washed with ethanol and recrystallized with a mixed solution of ethanol / hexane to give 2,7-bis (4,4,5,5-tetramethyl-
1.4 g (60%) of (1,3,2-dioxaboran-2-yl) -9,9-dihexylfluorene were obtained.

【0070】乾燥窒素気流下、2,7−ビス(4,4,
5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボラン−
2−イル)−9,9−ジヘキシルフルオレン0.53g
と2,7−ジブロモ−9,9−ジヘキシルフルオレン
0.45g、テトラキス(トリスフェニルフォスフィ
ン)パラジウム0.02gを乾燥トルエン18mlに溶
解させ、これに2M炭酸ナトリウム水溶液27mlを加
えた後、100℃で48時間加熱攪拌した。冷却後これ
をメタノールに注ぎ、固形分を希薄塩酸水溶液で洗浄し
た後、アセトンを溶媒としてソックスレー還流器で溶解
成分を除去し不溶部を分離した。これをクロロホルムに
溶解させ、メタノールで再沈殿を行うことにより、目的
とするポリフルオレン誘導体を得た。
Under a dry nitrogen stream, 2,7-bis (4,4,4
5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborane-
2-yl) -9,9-dihexylfluorene 0.53 g
And 0.45 g of 2,7-dibromo-9,9-dihexylfluorene and 0.02 g of tetrakis (trisphenylphosphine) palladium were dissolved in 18 ml of dry toluene, and 27 ml of a 2M aqueous sodium carbonate solution was added thereto. For 48 hours. After cooling, the mixture was poured into methanol, and the solid content was washed with a dilute aqueous hydrochloric acid solution. Then, using acetone as a solvent, dissolved components were removed with a Soxhlet refluxer to separate insoluble portions. This was dissolved in chloroform and reprecipitated with methanol to obtain the desired polyfluorene derivative.

【0071】中央に12mm幅の帯状にパターニングさ
れたITOガラス基板に洗浄および表面処理を施し、そ
の上に塗布液1、2、3、4をそれぞれスピンコーター
成膜した。
Washing and surface treatment were performed on an ITO glass substrate patterned into a strip having a width of 12 mm at the center, and coating solutions 1, 2, 3, and 4 were formed thereon by spin coating.

【0072】これらをクリーンオーブン中150℃で1
0分間加熱し、乾燥および焼成することにより膜厚50
nmの薄膜をそれぞれ形成した。
These were placed in a clean oven at 150 ° C. for 1 hour.
By heating for 0 minutes, drying and baking, a film thickness of 50
nm thin films were formed.

【0073】続いて、塗布液1、2、3からなる膜につ
いて、高圧水銀灯(主波長365nm)により照射量5
000mJで露光を行った。
Subsequently, the film composed of the coating liquids 1, 2, and 3 was irradiated with a high-pressure mercury lamp (main wavelength: 365 nm) at an irradiation dose of 5 nm.
Exposure was performed at 000 mJ.

【0074】さらにこれらおよび塗布液4からなる膜の
上に、上記の塗布液5をスピンコーターにより塗布し、
100nmの薄膜を形成した。
Further, the above-mentioned coating solution 5 was applied on a film composed of these and the coating solution 4 by a spin coater.
A 100 nm thin film was formed.

【0075】最後にITOのパターンと直交するように
上部電極として、LiF0.5nm、アルミニウム15
0nmをマスク蒸着した。
Finally, as an upper electrode, LiF 0.5 nm, aluminum 15
0 nm was mask deposited.

【0076】次にITO電極上部Al電極をアドレス電
極として駆動させることにより、発光を観測した。
Next, light emission was observed by driving the Al electrode on the ITO electrode as an address electrode.

【0077】作製した素子の発光特性を測定したとこ
ろ、図2に示すような輝度−電圧特性が得られた。光触
媒含有層に発光特性向上物質を含ませることにより、発
光開始電圧が低くなり、同印加電圧における輝度も高ま
ることが分かる。
When the light emitting characteristics of the manufactured device were measured, the luminance-voltage characteristics as shown in FIG. 2 were obtained. It can be seen that when the photocatalyst-containing layer contains the light-emitting property improving substance, the light-emission starting voltage decreases and the luminance at the same applied voltage also increases.

【0078】実施例2 下記の塗布溶液を調製した。 Example 2 The following coating solution was prepared.

【0079】 (塗布液6、光触媒含有層形成溶液) イソプロピルアルコール 19.5重量部 フルオロアルコキシラン(トーケムプロダクツ(株)製 MF-160E) 0.42重量部 アナターゼ型チタニアゾル(石原産業(株)製 ST-K03) 2重量部 塩酸(1M) 4重量部 上記各材料を順に混合し、100℃で1時間加熱撹拌し
たものを塗布液6とした。
(Coating Solution 6, Photocatalyst-Containing Layer-Forming Solution) Isopropyl alcohol 19.5 parts by weight Fluoroalkoxylan (MF-160E manufactured by Tochem Products) 0.42 parts by weight Anatase type titania sol (ST-K03 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 2 parts by weight Hydrochloric acid (1M) 4 parts by weight The above materials were mixed in order and heated and stirred at 100 ° C. for 1 hour to obtain a coating liquid 6.

【0080】(塗布液7、発光特性向上物質入り光触媒
含有層形成液)上記塗布液1とポリ3,4−エチレンジ
オキシチオフェン/ポリスチレンスルホネート水分散液
(Baytron PTPAI4083)を重量比2:
1で混合したものを塗布液7とした。
(Coating Solution 7, Photocatalyst-Containing Layer-Forming Solution Containing Emission Property Improving Substance) The coating solution 1 and an aqueous dispersion of poly 3,4-ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (Baytron PTPAI4083) were used in a weight ratio of 2:
The mixture obtained in 1 was used as a coating liquid 7.

【0081】(塗布液8、発光特性向上物質(金属塩)
入り光触媒含層形成液)上記塗布液1に塩化第二鉄を
0.02g添加したものを塗布液8とした。
(Coating liquid 8, luminescent property improving substance (metal salt)
Coating solution containing photocatalyst) Coating solution 8 was prepared by adding 0.02 g of ferric chloride to coating solution 1.

【0082】(塗布液9、発光特性向上物質層形成溶
液)上記塗布液7で発光特性向上物質として用いたポリ
3,4−エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンス
ルホネート水分散液(Baytron PTPAI40
83)のみの液を塗布液9とした。なお、この塗布液9
は有機EL素子において正孔輸送材料として用いられて
いるが、光露光によるパターニング特性は有しているも
のではない。
(Coating Solution 9, Solution for Forming Luminescent Property Enhancing Material Layer) Aqueous dispersion of poly3,4-ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (Baytron PTPAI40) used as a luminescent property improving substance in Coating Solution 7
83) alone was used as coating solution 9. This coating solution 9
Is used as a hole transport material in an organic EL element, but does not have patterning characteristics by light exposure.

【0083】中央に12mm幅の帯状にパターニングさ
れたITOガラス基板に洗浄および表面処理を施し、そ
の上に塗布液6、7、8、9をそれぞれスピンコーター
により成膜した。
Washing and surface treatment were performed on an ITO glass substrate patterned in a 12 mm wide band at the center, and coating solutions 6, 7, 8, and 9 were formed thereon by a spin coater.

【0084】これらを、クリーンオーブン中150℃で
15分間加熱し、乾燥および焼成することで膜厚50n
mの薄膜をそれぞれ形成した。
These were heated in a clean oven at 150 ° C. for 15 minutes, dried and fired to obtain a film having a thickness of 50 n.
m were formed.

【0085】続いて、塗布液7、8、9からなる膜につ
いては、高圧水銀灯(波長365mm)により照射量5
000mjで露光を行った。
Subsequently, the film composed of the coating liquids 7, 8, 9 was irradiated with a high-pressure mercury lamp (wavelength 365 mm) at an irradiation dose of 5 mm.
Exposure was performed at 000 mj.

【0086】この後、上記露光を行った塗布液6、7、
8からなる膜と塗布液9からなる膜の上に上記の塗布液
5をスピンコートにより塗布し、100nmの薄膜を形
成した。
Thereafter, the coating liquids 6, 7, which have been exposed,
The above-mentioned coating solution 5 was applied by spin coating on a film made of coating film 8 and a film made of coating solution 9 to form a 100 nm thin film.

【0087】最後にITOパターンと直交するように上
部電極として、LiFを0.5nm、アルミニウムを1
50nmをマスク蒸着した。
Finally, as an upper electrode, 0.5 nm of LiF and 1 mm of aluminum were used so as to be orthogonal to the ITO pattern.
50 nm was mask deposited.

【0088】次にITO電極上部Al電極をアドレス電
極として駆動させることにより、発光を観察した。
Next, light emission was observed by driving the Al electrode on the ITO electrode as an address electrode.

【0089】作製した素子の発光特性を測定したところ
図3に示すような輝度−電圧特性、図4に示すような発
光効率−電圧特性が得られた。塗布液6、7の結果の比
較から解るように、光触媒含有層に発光特性向上物質を
混合することにより、発光開始電圧が低くなり、また、
発光効率も若干向上した。
When the light emission characteristics of the fabricated device were measured, a luminance-voltage characteristic as shown in FIG. 3 and a light emission efficiency-voltage characteristic as shown in FIG. 4 were obtained. As can be seen from the comparison of the results of the coating solutions 6 and 7, by mixing the light-emitting property improving substance into the photocatalyst-containing layer, the light-emission starting voltage is reduced, and
The luminous efficiency was also slightly improved.

【0090】更に光触媒含有層に発光特性向上物質であ
る金属塩(塩化第二鉄)を添加することにより(塗布液
8)、発光特性向上物質のみを用いたEL素子(塗布液
9)と発光開始電圧は同じで、更に最高輝度が2倍以
上、また発光効率も1.5倍以上と高輝度、高効率を実
現するEL素子が得られた。
Further, by adding a metal salt (ferric chloride), which is a luminescent property improving substance, to the photocatalyst-containing layer (coating liquid 8), an EL element using only the luminescent property improving substance (coating liquid 9) was used. An EL device having the same starting voltage, a maximum luminance of 2 times or more, and a luminous efficiency of 1.5 times or more, realizing high luminance and high efficiency was obtained.

【0091】また、この塗布液8により形成した膜は塗
布液6により形成した膜と比べて、光照射によりパター
ニング性能もほとんど変化しないことも、光照射前後の
接触角の測定から解っている(両者とも水との接触角
は、光照射前は70度、光照射後は10度以下の超親水
性を示した。)。
Further, it is understood from the measurement of the contact angle before and after the light irradiation that the film formed by the coating liquid 8 has almost no change in the patterning performance due to the light irradiation as compared with the film formed by the coating liquid 6. Both showed a super hydrophilicity of 70 ° before light irradiation and 10 ° or less after light irradiation.)

【0092】実施例3 下記の塗布用溶液を調製した。 Example 3 The following coating solution was prepared.

【0093】実施例2で用いた塗布液6(4g)に対し
て、以下の金属塩をそれぞれ6×10−4mol量添加
した溶液を作製した。
A solution was prepared by adding the following metal salts in an amount of 6 × 10 −4 mol to the coating solution 6 (4 g) used in Example 2.

【0094】金属塩 A.塩化第二鉄 B.硝酸銅3水加物 C.塩化コバルト D.硝酸ニッケル E.硝酸マンガン6水和物 F.硝酸銀 G.乳酸銀 H.硝酸ランタン6水和物 I.硝酸イットリウム6水和物 J.硝酸ホルミウム5水和物 K.硝酸マグネシウム6水和物 L.硝酸カドミウム4水和物 M.硝酸ネオジウム6水和物 N.硝酸カルシウム4水和物 O.硝酸リチウム P.硝酸ユウロビウム6水和物 Q.硝酸エルビウム5水和物 R.硝酸セリウム6水和物 S.テトラクロロ金酸4水和物 T.ヘキサクロロ白金酸6水和物 U.硝酸バリウム V.硝酸ナトリウム W.硝酸ストロンチウム X.硝酸ジルコニウム2水和物 Y.硝酸鉛 Z.硝酸インジウム3水和物 AA.硝酸タリウム BB.硝酸セシウム CC.硝酸カリウム DD.硝酸ルビジウム EE.硝酸パラジウム水和物 FF.硝酸亜鉛 GG.3塩化オスミウム HH.塩化アルミニウム II.硝酸アルミニウム 中央に12mm幅の帯状にパターニングされたITOガ
ラス基板に洗浄および表面処理を施し、その上に塗布液
2にA〜JJまでの金属塩を添加した塗布溶液をそれぞ
れスピンコーターにより成膜した。
Metal Salt A. Ferric chloride B. Copper nitrate trihydrate C.I. Cobalt chloride D. Nickel nitrate E. Manganese nitrate hexahydrate F. Silver nitrate G. Silver lactate Lanthanum nitrate hexahydrate I. Yttrium nitrate hexahydrate Holmium nitrate pentahydrate Magnesium nitrate hexahydrate L. Cadmium nitrate tetrahydrate Neodymium nitrate hexahydrate Calcium nitrate tetrahydrate Lithium nitrate Eurobium nitrate hexahydrate Q. Erbium nitrate pentahydrate Cerium nitrate hexahydrate Tetrachloroauric acid tetrahydrate Hexachloroplatinic acid hexahydrate U.S. Barium nitrate Sodium nitrate Strontium nitrate X. Zirconium nitrate dihydrate Y. Lead nitrate Z. Indium nitrate trihydrate AA. Thallium nitrate BB. Cesium nitrate CC. Potassium nitrate DD. Rubidium nitrate EE. Palladium nitrate hydrate FF. Zinc nitrate GG. Osmium trichloride HH. Aluminum chloride II. Aluminum nitrate A 12 mm-width patterned ITO glass substrate in the center was washed and surface-treated, and a coating solution obtained by adding metal salts A to JJ to coating solution 2 was formed thereon by a spin coater. .

【0095】これらを、クリーンオーブン中150℃で
15分間加熱し、乾燥及び焼成することで膜厚50nm
の薄膜をそれぞれ形成した。
These are heated in a clean oven at 150 ° C. for 15 minutes, dried and fired to obtain a film having a thickness of 50 nm.
Were formed respectively.

【0096】続いて、それぞれの膜を、高圧水銀灯(主
波長365nm)により照射量5000mjで露光を行
った。
Subsequently, each of the films was exposed with a high-pressure mercury lamp (main wavelength: 365 nm) at an irradiation amount of 5000 mj.

【0097】この後、上記露光を行った膜上に上記の塗
布液5をスピンコーターにより塗布し、100nmの薄
膜を形成した。
Thereafter, the coating solution 5 was applied on the exposed film by a spin coater to form a 100 nm thin film.

【0098】最後にITOパターンと直交するように上
部電極として、LiFを0.5nm、アルミニウムを1
50nmマスク蒸着した。
Finally, as an upper electrode, LiF was 0.5 nm and aluminum was 1
A 50 nm mask was deposited.

【0099】次にITO電極上部Al電極をアドレス電
極として駆動させることにより、発光を観察した。
Next, light emission was observed by driving the Al electrode on the ITO electrode as an address electrode.

【0100】表1にA〜HHの金属塩を添加して作った
素子の100cd発光時の電圧及び発光効率を示す。ま
たRefとして金属塩添加をしなかった素子の発光特性
も示す。
Table 1 shows the voltages and luminous efficiencies at 100 cd emission of the devices made by adding the metal salts of A to HH. Also, as Ref, the light emission characteristics of the device without addition of the metal salt are shown.

【0101】表1からわかるように金属塩の添加によ
り、100cd発光時の印加電圧の低下と発光効率の向
上が見てとれるが、その効率向上、印加電圧低下の度合
いは添加金属塩の種類によって異なる。特に表1から、
溶解時にマイナスイオンとして寄与する、硝酸塩、塩化
塩、乳酸塩による傾向の違いは見られないが、プラスイ
オンとして寄与するそれぞれの金属イオンによって特性
向上に大きな差異がみられることが解る。また、表1か
ら、特に発光効率向上及び100cd発光時の印加電圧
低減に大きく寄与しているのは、鉄イオン、銅イオンで
あると考えられる。
As can be seen from Table 1, it can be seen that the addition of the metal salt reduces the applied voltage at 100 cd emission and improves the luminous efficiency. The degree of the efficiency improvement and applied voltage decrease depends on the type of the added metal salt. different. In particular, from Table 1,
It can be seen that there is no difference in the tendency between nitrate, chloride and lactate, which contributes as a negative ion during dissolution, but there is a large difference in the improvement in characteristics due to each metal ion which contributes as a positive ion. From Table 1, it can be considered that iron ions and copper ions contribute significantly to the improvement of the luminous efficiency and the reduction of the applied voltage particularly at the time of 100 cd light emission.

【0102】 表1 100cd発光時の電圧及び発光効率 金属塩 電圧(v) 発光効率(lm/W) 金属塩 電圧(v) 発光効率(lm/W) Ref 6.4 3.8 R 5.4 5.2 A 5.2 6.0 S 6.0 4.3 B 5.1 6.1 T 5.3 5.3 C 5.4 4.9 U 6.1 4.1 D 6.3 4.4 V 6.1 4.0 E 5.8 4.6 W 5.6 5.1 F 6.3 4.2 X 5.8 4.7 G 6.2 4.4 Y 6.1 4.1 H 5.4 4.8 Z 5.9 4.7 I 6.2 4.0 AA 6.3 4.0 J 6.2 4.0 BB 6.4 3.9 K 6.3 3.9 CC 6.4 3.9 L 6.4 3.9 DD 6.4 3.8 M 5.6 4.6 EE 6.3 3.9 N 5.4 5.0 FF 6.0 4.4 O 6.2 4.1 GG 6.2 4.0 P 6.4 3.9 HH 5.6 4.9 Q 6.2 4.1 Table 1 Voltage and Luminous Efficiency at 100 cd Light Emission Metal Salt Voltage (v) Luminous Efficiency (lm / W) Metal Salt Voltage (v) Luminous Efficiency (lm / W) Ref 6.4 3.8 R 5.4 5.2 A 5.2 6.0 S 6.0 4.3 B 5.1 6.1 T 5.3 5.3 C 5.4 4.9 U 6.1 4.1 D 6.3 4 4.4 V 6.1 4.0 E 5.8 4.6 W 5.6 5.1 F 6.3 4.2 X 5.8 4.7 G 6.2 4.4 Y 6.1 4.1 . 1 H 5.4 4.8 Z 5.9 4.7 I 6.2 4.0 AA 6.3 4.0 J 6.2 4.0 BB 6.4 3.9 K 6.3 3.9 CC 6.4 3.9 L 6.4 3.9 DD 6.4 3.8 M 5.6 4.6 EE 6.3 3.9 N 5.4 5.0 FF 6.0 4.4 O 6.2 4.1 GG 6.2 4.0 P 6.4 3.9 HH 5.6 4.9 Q 6.2 4.1

【0103】[0103]

【発明の効果】本発明によって、製造時のパターニング
容易性と優れた発光特性を兼ね備えたEL素子とその製
造方法を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an EL element having both ease of patterning at the time of manufacture and excellent light emission characteristics, and a method of manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のEL素子の一例の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of the EL device of the present invention.

【図2】実施例1のEL素子の輝度−電圧特性を示すグ
ラフである。
FIG. 2 is a graph showing luminance-voltage characteristics of the EL element of Example 1.

【図3】実施例2のEL素子の輝度−電圧特性を示すグ
ラフである。
FIG. 3 is a graph showing luminance-voltage characteristics of the EL element of Example 2.

【図4】実施例2のEL素子の発光効率−電圧特性を示
すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing luminous efficiency-voltage characteristics of the EL element of Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体 2 第1電極 3 光触媒含有層 3’光触媒含有層(濡れ性変化部分) 4 EL層 5 EL層 6 第2電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base | substrate 2 1st electrode 3 Photocatalyst containing layer 3 'photocatalyst containing layer (wetting change part) 4 EL layer 5 EL layer 6 2nd electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 D ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/22 H05B 33/22 D

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基体と、前記基体上に形成された第1電極
と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL層
上に形成された第2電極から少なくともなるEL素子で
あって、前記基体と第2電極との間のいずれかの位置に
光触媒含有層が少なくとも1層形成されてなり、前記光
触媒含有層が発光特性向上物質を含むことを特徴とす
る、EL素子。
An EL element comprising at least a base, a first electrode formed on the base, an EL layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the EL layer. An EL device, wherein at least one photocatalyst-containing layer is formed at any position between the base and the second electrode, wherein the photocatalyst-containing layer contains a luminescent property improving substance.
【請求項2】前記光触媒含有層上に部分的に絶縁層が少
なくとも1層形成されてなる、請求項1に記載のEL素
子。
2. The EL device according to claim 1, wherein at least one insulating layer is partially formed on the photocatalyst-containing layer.
【請求項3】前記光触媒含有層上に部分的に光硬化樹脂
または熱硬化性樹脂を含む材料からなる前記絶縁層が少
なくとも1層形成され、前記絶縁層部分を非発光部とす
る、請求項2に記載のEL素子。
3. The photocatalyst-containing layer, wherein at least one insulating layer made of a material containing a photocurable resin or a thermosetting resin is partially formed, and the insulating layer portion is a non-light emitting portion. 3. The EL device according to 2.
【請求項4】前記発光特性向上物質が金属塩からなる、
請求項1に記載のEL素子。
4. The luminescent property improving substance comprises a metal salt,
The EL device according to claim 1.
【請求項5】前記発光特性向上物質が、FeまたはCu
の金属塩を含むものである、請求項1に記載のEL素
子。
5. The luminescent property improving substance is Fe or Cu.
The EL device according to claim 1, comprising a metal salt of (1).
【請求項6】請求項1に記載のEL素子を用いてなる、
フルカラー表示のディスプレイ。
6. An EL device according to claim 1, wherein
Full color display.
【請求項7】基体と、前記基体上に形成された第1電極
と、前記第1電極上に形成された発光特性向上物質を含
む光触媒含有層と、前記光触媒含有層上に形成されたE
L層と、前記EL層上に形成された第2電極から少なく
ともなるEL素子の製造方法であって、 前記基体上に前記第1電極を形成する工程と、 前記第1電極上に、前記光触媒含有層を形成する工程
と、 前記光触媒含有層をパターン状に露光して、濡れ性の違
いによるパターンを形成する工程と、 前記光触媒含有層の露光部上に、EL層形成液を塗布し
てパターニングされた前記EL層を形成する工程と、 前記EL層上に前記第2電極を形成する工程、とを含む
EL素子の製造方法。
7. A substrate, a first electrode formed on the substrate, a photocatalyst-containing layer formed on the first electrode and containing a light-emitting property improving substance, and an E-layer formed on the photocatalyst-containing layer.
A method for manufacturing an EL element comprising at least an L layer and a second electrode formed on the EL layer, comprising: forming the first electrode on the base; and forming the photocatalyst on the first electrode. Forming a pattern containing a photocatalyst-containing layer, exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern, and forming a pattern based on a difference in wettability; applying an EL layer forming liquid on the exposed portion of the photocatalyst-containing layer. A method for manufacturing an EL element, comprising: forming the patterned EL layer; and forming the second electrode on the EL layer.
【請求項8】基体と、前記基体上に形成された第1電極
と、前記第1電極上に形成された第1EL層と、前記第
1EL層上に形成された発光特性向上物質を含む光触媒
含有層と、前記光触媒含有層上に形成された第2EL層
と、前記第2EL層上に形成された第2電極から少なく
ともなるEL素子の製造方法であって、 前記基体上に前記第1電極を形成する工程と、 前記第1電極上に、前記第1EL層を形成する工程と、 前記第1EL層上に、前記光触媒含有層を形成する工程
と、 前記光触媒含有層をパターン状に露光して、濡れ性の違
いによるパターンを形成する工程と、 前記光触媒含有層の露光部上に、前記第2EL層形成液
を塗布してパターニングされた前記第2EL層を形成す
る工程と、 前記第2EL層上に前記第2電極を形成する工程、とを
含むEL素子の製造方法。
8. A photocatalyst comprising a base, a first electrode formed on the base, a first EL layer formed on the first electrode, and a luminescent property improving substance formed on the first EL layer. A method for manufacturing an EL element comprising at least a layer containing a second EL layer formed on the photocatalyst containing layer, and a second electrode formed on the second EL layer, wherein the first electrode is formed on the substrate. Forming the first EL layer on the first electrode; forming the photocatalyst-containing layer on the first EL layer; and exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern. Forming a pattern based on the difference in wettability, applying the second EL layer forming solution on the exposed portion of the photocatalyst-containing layer to form the patterned second EL layer, Forming the second electrode on a layer That process, a manufacturing method of an EL element including the capital.
【請求項9】基体と、前記基体上に形成された発光特性
向上物質を含む光触媒含有層と、前記光触媒含有層上に
形成された第1電極と、前記第1電極上に形成されたE
L層と、前記EL層上に形成された第2電極から少なく
ともなるEL素子の製造方法であって、 前記基体上に前記光触媒含有層を形成する工程と、 前記光触媒含有層をパターン状に露光して、濡れ性の違
いによるパターンを形成する工程と、 前記光触媒含有層の露光部上に、前記第1電極形成液を
塗布して、パターニングされた前記第1電極を形成する
工程と、 前記第1電極上に、前記EL層を形成する工程と、 前記EL層上に前記第2電極を形成する工程、とを含む
EL素子の製造方法。
9. A base, a photocatalyst-containing layer formed on the base and containing a light-emitting property improving substance, a first electrode formed on the photocatalyst-containing layer, and an E formed on the first electrode.
A method for manufacturing an EL element comprising at least an L layer and a second electrode formed on the EL layer, comprising: forming the photocatalyst-containing layer on the substrate; and exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern. Forming a pattern based on the difference in wettability, applying the first electrode forming liquid on the exposed portion of the photocatalyst-containing layer, and forming the patterned first electrode; A method for manufacturing an EL element, comprising: a step of forming the EL layer on a first electrode; and a step of forming the second electrode on the EL layer.
【請求項10】基体と、前記基体上に形成された第1電
極と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL
層上に形成された発光特性向上物質を含む光触媒含有層
と、前記光触媒含有層上に形成された第2電極から少な
くともなるEL素子の製造方法であって、 前記基体上に前記第1電極を形成する工程と、 前記第1電極上に、前記EL層を形成する工程と、 前記EL層上に、前記光触媒含有層を形成する工程と、 前記光触媒含有層をパターン状に露光して、濡れ性の違
いによるパターンを形成する工程と、 前記光触媒含有層の露光部上に、前記第2電極形成液を
塗布してパターニングされた前記第2電極を形成する工
程、とを含むEL素子の製造方法。
10. A base, a first electrode formed on the base, an EL layer formed on the first electrode, and the EL
A method for manufacturing an EL element comprising at least a photocatalyst-containing layer containing a light-emitting property improving substance formed on a layer, and a second electrode formed on the photocatalyst-containing layer, wherein the first electrode is provided on the base. Forming, forming the EL layer on the first electrode, forming the photocatalyst-containing layer on the EL layer, exposing the photocatalyst-containing layer in a pattern, and Manufacturing an EL element, comprising: a step of forming a pattern due to a difference in gender; and a step of applying the second electrode forming liquid on an exposed portion of the photocatalyst-containing layer to form the patterned second electrode. Method.
【請求項11】前記EL層形成液の溶媒が極性溶媒であ
って、前記EL層形成液の塗布をスピン塗布法、インク
ジェット法、ディップ塗布法、ブレードコート法および
前記光触媒含有層への滴下から選ばれる方法によって行
う、請求項7に記載のEL素子の製造方法。
11. The solvent for the EL layer forming liquid is a polar solvent, and the application of the EL layer forming liquid is performed by spin coating, ink jetting, dip coating, blade coating, or dropping onto the photocatalyst containing layer. The method for manufacturing an EL device according to claim 7, which is performed by a selected method.
【請求項12】前記第2EL層形成液の溶媒が極性溶媒
であって、前記第2EL層形成液の塗布をスピン塗布
法、インクジェット法、ディップ塗布法、ブレードコー
ト法および前記光触媒含有層への滴下から選ばれる方法
によって行う、請求項8に記載のEL素子の製造方法。
12. The method according to claim 12, wherein the solvent of the second EL layer forming liquid is a polar solvent, and the application of the second EL layer forming liquid is performed by a spin coating method, an ink jet method, a dip coating method, a blade coating method, or a method for coating the photocatalyst containing layer. The method for manufacturing an EL element according to claim 8, wherein the method is performed by a method selected from dropping.
【請求項13】前記第1電極形成液の溶媒が極性溶媒で
あって、前記第1電極形成液の塗布をスピン塗布法、イ
ンクジェット法、ディップ塗布法、ブレードコート法お
よび前記光触媒含有層への滴下から選ばれる方法によっ
て行う、請求項9に記載のEL素子の製造方法。
13. The method of claim 1, wherein the solvent of the first electrode forming liquid is a polar solvent, and the first electrode forming liquid is applied by a spin coating method, an ink jet method, a dip coating method, a blade coating method, and The method for manufacturing an EL device according to claim 9, wherein the method is performed by a method selected from dropping.
【請求項14】前記第2電極形成液の溶媒が極性溶媒で
あって、前記第2電極形成液の塗布をスピン塗布法、イ
ンクジェット法、ディップ塗布法、ブレードコート法お
よび前記光触媒含有層への滴下から選ばれる方法によっ
て行う、請求項10に記載のEL素子の製造方法。
14. The method according to claim 1, wherein the solvent of the second electrode forming liquid is a polar solvent, and the application of the second electrode forming liquid is performed by a spin coating method, an ink jet method, a dip coating method, a blade coating method, and The method for manufacturing an EL element according to claim 10, wherein the method is performed by a method selected from dropping.
【請求項15】前記EL層形成液の塗布後のEL層のパ
ターニングを、EL層形成液の固形化前に基体を傾斜さ
せる方法、エアーを吹き付ける方法および固形化後に粘
着テープを貼って剥がす方法から選ばれる方法によって
行う、請求項7に記載のEL素子の製造方法。
15. A method of patterning the EL layer after applying the EL layer forming liquid, a method of inclining a substrate before solidifying the EL layer forming liquid, a method of blowing air, and a method of sticking and peeling off an adhesive tape after solidification. The method for manufacturing an EL element according to claim 7, wherein the method is performed by a method selected from the group consisting of:
【請求項16】前記第2EL層形成液の塗布後の第2E
L層のパターニングを、第2EL層形成液の固形化前に
基体を傾斜させる方法、エアーを吹き付ける方法および
固形化後に粘着テープを貼って剥がす方法から選ばれる
方法によって行う、請求項8に記載のEL素子の製造方
法。
16. The second EL after applying the second EL layer forming liquid.
The method according to claim 8, wherein the patterning of the L layer is performed by a method selected from a method of inclining the substrate before solidifying the second EL layer forming liquid, a method of blowing air, and a method of sticking and peeling an adhesive tape after solidification. Manufacturing method of EL element.
【請求項17】前記第1電極形成液の塗布後の第1電極
のパターニングを、第1電極形成液の固形化前に基体を
傾斜させる方法、エアーを吹き付ける方法および固形化
後に粘着テープを貼って剥がす方法から選ばれる方法に
よって行う、請求項9に記載のEL素子の製造方法。
17. A method of patterning the first electrode after the application of the first electrode forming liquid, the method of inclining the substrate before solidifying the first electrode forming liquid, the method of blowing air, and the step of applying an adhesive tape after the solidification. The method for manufacturing an EL element according to claim 9, wherein the method is performed by a method selected from a method of peeling the EL element.
【請求項18】前記第2電極形成液の塗布後の第2電極
のパターニングを、第2電極形成液の固形化前に基体を
傾斜させる方法、エアーを吹き付ける方法および固形化
後に粘着テープを貼って剥がす方法から選ばれる方法に
よって行う、請求項10に記載のEL素子の製造方法。
18. The patterning of the second electrode after the application of the second electrode forming liquid is performed by a method of inclining a substrate before solidifying the second electrode forming liquid, a method of blowing air, and an adhesive tape after solidifying. The method for manufacturing an EL element according to claim 10, wherein the method is performed by a method selected from methods of peeling off.
【請求項19】前記光触媒含有層が、光照射しない部位
は撥水性および/または撥油性であるが、光照射した部
位は濡れ性が向上するものである、請求項7〜10のい
ずれか1項に記載のEL素子の製造方法。
19. The photocatalyst-containing layer according to any one of claims 7 to 10, wherein a portion not irradiated with light has water repellency and / or oil repellency, but a portion irradiated with light improves wettability. 13. The method for producing an EL device according to item 9.
【請求項20】前記発光特性向上物質が金属塩からな
る、請求項7〜10のいずれか1項に記載のEL素子の
製造方法。
20. The method for manufacturing an EL device according to claim 7, wherein said luminescent property improving substance comprises a metal salt.
【請求項21】前記EL素子が、フルカラー表示のディ
スプレイであって、前記光触媒含有層の濡れ性の違いに
よるパターンに対応させてディスプレイの画素を形成す
る、請求項7または8に記載のEL素子の製造方法。
21. The EL element according to claim 7, wherein the EL element is a display of a full color display, and pixels of the display are formed corresponding to a pattern due to a difference in wettability of the photocatalyst containing layer. Manufacturing method.
JP2001122520A 2000-04-25 2001-04-20 EL device having photocatalyst containing layer and method for producing the same Expired - Fee Related JP4617019B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001122520A JP4617019B2 (en) 2000-04-25 2001-04-20 EL device having photocatalyst containing layer and method for producing the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-124063 2000-04-25
JP2000124063 2000-04-25
JP2001122520A JP4617019B2 (en) 2000-04-25 2001-04-20 EL device having photocatalyst containing layer and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002015867A true JP2002015867A (en) 2002-01-18
JP4617019B2 JP4617019B2 (en) 2011-01-19

Family

ID=26590737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001122520A Expired - Fee Related JP4617019B2 (en) 2000-04-25 2001-04-20 EL device having photocatalyst containing layer and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4617019B2 (en)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319494A (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Dainippon Printing Co Ltd EL device having photocatalyst containing layer and method of manufacturing the same
JP2003323988A (en) * 2002-02-28 2003-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electric equipment using the same
JP2004061629A (en) * 2002-07-25 2004-02-26 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing functional element
JP2004061634A (en) * 2002-07-25 2004-02-26 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing functional element
GB2394120A (en) * 2002-08-05 2004-04-14 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent devices
JP2005123095A (en) * 2003-10-17 2005-05-12 Junji Kido Organic electroluminescent device
JP2006012552A (en) * 2004-06-24 2006-01-12 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of organic photoelectric conversion element
JP2006154793A (en) * 2004-10-29 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing light emitting device
JP2007081102A (en) * 2005-09-14 2007-03-29 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent device and coating solution containing photocatalyst for organic electroluminescent device
US7201859B2 (en) 2001-06-25 2007-04-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Hole transport layer and method for manufacturing the organic EL device by using the same
US7500895B2 (en) 2004-12-15 2009-03-10 Seiko Epson Corporation Patterned substrate, electro-optical device, and method for manufacturing an electro-optical device
JP2010034594A (en) * 2009-11-11 2010-02-12 Junji Kido Organic electroluminescence element
JP2011146749A (en) * 2003-12-26 2011-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
US8187670B2 (en) 2004-12-15 2012-05-29 Seiko Epson Corporation Patterned substrate, electro-optical device, and method for manufacturing an electro-optical device
JP2013020986A (en) * 2005-03-25 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
US8436518B2 (en) 2004-10-29 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device
JP2013239460A (en) * 2004-05-21 2013-11-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
WO2015178407A1 (en) * 2014-05-23 2015-11-26 日産化学工業株式会社 Charge-transporting varnish
CN113948654A (en) * 2021-10-26 2022-01-18 湖南恒显坤光电科技有限公司 OLED device and preparation method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11337726A (en) * 1997-10-31 1999-12-10 Dainippon Printing Co Ltd Color filter and method of manufacturing the same
JPH11344804A (en) * 1997-08-08 1999-12-14 Dainippon Printing Co Ltd Pattern forming body and pattern forming method
JP2000098103A (en) * 1998-09-28 2000-04-07 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of planar optical element
JP2000223270A (en) * 1999-02-02 2000-08-11 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescence device and method of manufacturing the same
JP2001237069A (en) * 2000-02-23 2001-08-31 Dainippon Printing Co Ltd EL element and manufacturing method thereof
JP2001257073A (en) * 2000-03-14 2001-09-21 Dainippon Printing Co Ltd EL element and manufacturing method thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11344804A (en) * 1997-08-08 1999-12-14 Dainippon Printing Co Ltd Pattern forming body and pattern forming method
JPH11337726A (en) * 1997-10-31 1999-12-10 Dainippon Printing Co Ltd Color filter and method of manufacturing the same
JP2000098103A (en) * 1998-09-28 2000-04-07 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of planar optical element
JP2000223270A (en) * 1999-02-02 2000-08-11 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescence device and method of manufacturing the same
JP2001237069A (en) * 2000-02-23 2001-08-31 Dainippon Printing Co Ltd EL element and manufacturing method thereof
JP2001257073A (en) * 2000-03-14 2001-09-21 Dainippon Printing Co Ltd EL element and manufacturing method thereof

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319494A (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Dainippon Printing Co Ltd EL device having photocatalyst containing layer and method of manufacturing the same
US7201859B2 (en) 2001-06-25 2007-04-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Hole transport layer and method for manufacturing the organic EL device by using the same
JP2003323988A (en) * 2002-02-28 2003-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and electric equipment using the same
JP2004061629A (en) * 2002-07-25 2004-02-26 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing functional element
JP2004061634A (en) * 2002-07-25 2004-02-26 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing functional element
GB2394120B (en) * 2002-08-05 2005-11-23 Dainippon Printing Co Ltd Method of producing electroluminescent element
US7190113B2 (en) 2002-08-05 2007-03-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method of producing electroluminescent element
GB2394120A (en) * 2002-08-05 2004-04-14 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent devices
JP2005123095A (en) * 2003-10-17 2005-05-12 Junji Kido Organic electroluminescent device
JP2011146749A (en) * 2003-12-26 2011-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
US10886497B2 (en) 2003-12-26 2021-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US9570697B2 (en) 2003-12-26 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US8796670B2 (en) 2003-12-26 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US8922116B2 (en) 2004-05-21 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
JP2013239460A (en) * 2004-05-21 2013-11-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
JP2006012552A (en) * 2004-06-24 2006-01-12 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of organic photoelectric conversion element
US8436518B2 (en) 2004-10-29 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device
JP2006154793A (en) * 2004-10-29 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing light emitting device
US8187670B2 (en) 2004-12-15 2012-05-29 Seiko Epson Corporation Patterned substrate, electro-optical device, and method for manufacturing an electro-optical device
US7500895B2 (en) 2004-12-15 2009-03-10 Seiko Epson Corporation Patterned substrate, electro-optical device, and method for manufacturing an electro-optical device
JP2013020986A (en) * 2005-03-25 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
US9246056B2 (en) 2005-03-25 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8017253B2 (en) 2005-09-14 2011-09-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and photocatalyst containing coating solution for organic electroluminescent element
JP2007081102A (en) * 2005-09-14 2007-03-29 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent device and coating solution containing photocatalyst for organic electroluminescent device
JP2010034594A (en) * 2009-11-11 2010-02-12 Junji Kido Organic electroluminescence element
WO2015178407A1 (en) * 2014-05-23 2015-11-26 日産化学工業株式会社 Charge-transporting varnish
US10090477B2 (en) 2014-05-23 2018-10-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish
JPWO2015178407A1 (en) * 2014-05-23 2017-04-20 日産化学工業株式会社 Charge transport varnish
CN113948654A (en) * 2021-10-26 2022-01-18 湖南恒显坤光电科技有限公司 OLED device and preparation method thereof
CN113948654B (en) * 2021-10-26 2024-03-01 湖南恒显坤光电科技有限公司 OLED device and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP4617019B2 (en) 2011-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7323225B2 (en) Wettability changing layer and electronics device using same
JP4617019B2 (en) EL device having photocatalyst containing layer and method for producing the same
JP3635615B2 (en) ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US8124967B2 (en) Organic electroluminescence element and production method thereof
JP5192828B2 (en) Organic electroluminescence display element and manufacturing method thereof
JP2004235128A (en) Organic EL element and method of manufacturing the same
JP4904903B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescence device
JP3745576B2 (en) EL element and manufacturing method thereof
CN100551186C (en) Electroluminescent cell and manufacture method thereof
JP2004055177A (en) Electroluminescent display device and manufacturing method
JP2006318876A (en) Method for manufacturing electroluminescent device and electroluminescent device
JP4613044B2 (en) Substrates for organic electroluminescent devices
JP2002231445A (en) EL element and manufacturing method thereof
JP4632191B2 (en) EL device having photocatalyst containing layer and method for producing the same
JP2002164180A (en) EL element provided with a refractive index changing material layer by light irradiation
JP2002231446A (en) EL element manufacturing method
JP2006040741A (en) Electroluminescent device and manufacturing method thereof
JP4707879B2 (en) EL device having functional layer
JP4504070B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JP4679841B2 (en) Organic device
US20060246293A1 (en) Substrate for organic electroluminescence element
JP4724980B2 (en) Method for manufacturing electroluminescent device
JP2003068452A (en) EL device using photodegradable dye
JP2007173057A (en) Method of manufacturing organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element and applications thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080321

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101019

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101025

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees