JP2002015691A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査像の実際の倍率や像の表示画面上の長さ
を正確に知ることができる走査電子顕微鏡を実現する。 【解決手段】 試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させるように
した走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行うと共に、標準試料を用いて実倍率を求
め、表示された特定倍率の値を実倍率の値に変更する。
あるいは、ミクロンマーカーの長さを実倍率に応じて修
正する。
を正確に知ることができる走査電子顕微鏡を実現する。 【解決手段】 試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させるように
した走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行うと共に、標準試料を用いて実倍率を求
め、表示された特定倍率の値を実倍率の値に変更する。
あるいは、ミクロンマーカーの長さを実倍率に応じて修
正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正確な倍率の表示
を行うことができる走査電子顕微鏡に関する。
を行うことができる走査電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、試料上に電子ビー
ムを細く集束すると共に、試料上の所定範囲を電子ビー
ムで走査するようにしている。試料に電子ビームを照射
することによって２次電子が発生するが、この２次電子
を検出し、この検出信号を一次電子ビームの走査と同期
した陰極線管に供給し、試料の走査像を表示するように
している。
ムを細く集束すると共に、試料上の所定範囲を電子ビー
ムで走査するようにしている。試料に電子ビームを照射
することによって２次電子が発生するが、この２次電子
を検出し、この検出信号を一次電子ビームの走査と同期
した陰極線管に供給し、試料の走査像を表示するように
している。
【０００３】このようにして表示された走査像について
は、像の倍率を的確に知ることが像観察にとって必要と
なる。そのため、現在観察している走査像の倍率の値を
像を表示する陰極線管の一部に表示したり、通常ミクロ
ンマーカーと称される、所定の長さを表すマーカーを表
示するようにしている。
は、像の倍率を的確に知ることが像観察にとって必要と
なる。そのため、現在観察している走査像の倍率の値を
像を表示する陰極線管の一部に表示したり、通常ミクロ
ンマーカーと称される、所定の長さを表すマーカーを表
示するようにしている。
【０００４】一方、通常の走査電子顕微鏡の倍率として
は、数倍から数十万倍と大きな範囲で変えることができ
る。また、試料の観察条件も、倍率以外に試料の状態の
相違等により、一次電子ビームの加速電圧、照射電流
量、ワーキングディスタンス（対物レンズと試料との間
の距離）等を変化させるように構成されている。これら
の観察条件を変えることにより、倍率の精度は影響を受
けることになる。
は、数倍から数十万倍と大きな範囲で変えることができ
る。また、試料の観察条件も、倍率以外に試料の状態の
相違等により、一次電子ビームの加速電圧、照射電流
量、ワーキングディスタンス（対物レンズと試料との間
の距離）等を変化させるように構成されている。これら
の観察条件を変えることにより、倍率の精度は影響を受
けることになる。
【０００５】最近の走査電子顕微鏡では、走査電子顕微
鏡のメーカー側で倍率を調整し、上記した各種の観察条
件を変えても、陰極線管に表示されている倍率の値が一
定誤差の範囲以上にはならないように構成されている。
鏡のメーカー側で倍率を調整し、上記した各種の観察条
件を変えても、陰極線管に表示されている倍率の値が一
定誤差の範囲以上にはならないように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、装置のオペ
レータ側においては、ある特定条件下でより精度の高い
像観察を行いたいこともある。この場合、オペレータは
基準となる標準試料をその特定条件下で観察し、その標
準試料で倍率表示やミクロンマーカー等を校正して、校
正分を紙にメモし、その後試料を標準試料から実試料に
取り換え、実試料の画像を取得する。そして、得られた
観察画像に含まれる倍率値等の値をマニュアルで補正す
るようにしている。しかしこの場合、観察・記録された
画像と共に表示されている倍率値等は補正される前の値
が残されている。
レータ側においては、ある特定条件下でより精度の高い
像観察を行いたいこともある。この場合、オペレータは
基準となる標準試料をその特定条件下で観察し、その標
準試料で倍率表示やミクロンマーカー等を校正して、校
正分を紙にメモし、その後試料を標準試料から実試料に
取り換え、実試料の画像を取得する。そして、得られた
観察画像に含まれる倍率値等の値をマニュアルで補正す
るようにしている。しかしこの場合、観察・記録された
画像と共に表示されている倍率値等は補正される前の値
が残されている。
【０００７】なお、上記した校正は次のようにして行わ
れている。まず、標準試料のある特定の距離（例えばメ
ッシュの間隔等）をｄ、観察画面、記録上のｄに対する
距離をＤ、倍率をＭとすると、正しい倍率は次の式によ
って求められる。
れている。まず、標準試料のある特定の距離（例えばメ
ッシュの間隔等）をｄ、観察画面、記録上のｄに対する
距離をＤ、倍率をＭとすると、正しい倍率は次の式によ
って求められる。
【０００８】Ｍ＝Ｄ／ｄ ここで実試料の走査像を取得し、その際に走査像と共に
表示された倍率がｍであった場合、倍率の補正値ｋはｋ
＝Ｍ／ｍとなる。したがって、オペレータは、実試料の
走査像については、倍率はｋ・ｍであることを別途記録
しておく必要が生じる。
表示された倍率がｍであった場合、倍率の補正値ｋはｋ
＝Ｍ／ｍとなる。したがって、オペレータは、実試料の
走査像については、倍率はｋ・ｍであることを別途記録
しておく必要が生じる。
【０００９】また、ミクロンマーカーが表示されている
場合には、ミクロンマーカーの長さがＬとすると、ｆ
（＝Ｌ／Ｍ）だけ補正を行う必要が生じる。また、倍率
補正に近い機能として、線幅測長機能がある。これは、
測長しようとする目的物の長さ等を正確に測定するため
の機能であるが、この機能を使う場合でも、標準試料を
使用して測長画面に表示された各種の値をマニュアルで
補正する必要がある。
場合には、ミクロンマーカーの長さがＬとすると、ｆ
（＝Ｌ／Ｍ）だけ補正を行う必要が生じる。また、倍率
補正に近い機能として、線幅測長機能がある。これは、
測長しようとする目的物の長さ等を正確に測定するため
の機能であるが、この機能を使う場合でも、標準試料を
使用して測長画面に表示された各種の値をマニュアルで
補正する必要がある。
【００１０】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、走査像の実際の倍率や像の表示画
面上の長さを正確に知ることができる走査電子顕微鏡を
実現するにある。
もので、その目的は、走査像の実際の倍率や像の表示画
面上の長さを正確に知ることができる走査電子顕微鏡を
実現するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく走査
電子顕微鏡は、試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させるように
した走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、表示された特
定倍率の値を実倍率の値に変更し得るようにしたことを
特徴としている。
電子顕微鏡は、試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させるように
した走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、表示された特
定倍率の値を実倍率の値に変更し得るようにしたことを
特徴としている。
【００１２】第１の発明では、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、表示された特定倍率の値を実倍率に修正す
る。第２の発明に基づく走査電子顕微鏡は、試料上で細
く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試料から得
られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビームの走
査に関連させて試料像を表示させると共に、電子ビーム
の２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさに応じた
指定倍率に基づいたマーカーと、そのマーカーの長さに
対応する長さの値を表示するようにした走査電子顕微鏡
において、特定の倍率を指定して走査像の表示を行うと
共に、実倍率を求め、特定倍率の値と実倍率の値の比に
応じてマーカーの長さかマーカーの長さに対応する長さ
の表示値を変更し得るようにしたことを特徴としてい
る。
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、表示された特定倍率の値を実倍率に修正す
る。第２の発明に基づく走査電子顕微鏡は、試料上で細
く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試料から得
られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビームの走
査に関連させて試料像を表示させると共に、電子ビーム
の２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさに応じた
指定倍率に基づいたマーカーと、そのマーカーの長さに
対応する長さの値を表示するようにした走査電子顕微鏡
において、特定の倍率を指定して走査像の表示を行うと
共に、実倍率を求め、特定倍率の値と実倍率の値の比に
応じてマーカーの長さかマーカーの長さに対応する長さ
の表示値を変更し得るようにしたことを特徴としてい
る。
【００１３】第２の発明では、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、特定倍率の値と実倍率の値の比に応じてマー
カーの長さかマーカーの長さに対応する長さの表示値を
変更する。
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、特定倍率の値と実倍率の値の比に応じてマー
カーの長さかマーカーの長さに対応する長さの表示値を
変更する。
【００１４】第３の発明に基づく走査電子顕微鏡は、試
料上で細く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試
料から得られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビ
ームの走査に関連させて試料像を表示させると共に、電
子ビームの２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさ
に応じた指定倍率を表示させるようにした走査電子顕微
鏡において、特定の倍率を指定して走査像の表示を行う
と共に、実倍率を求め、表示された特定倍率の値と実倍
率の値との比を表示するようにしたことを特徴としてい
る。
料上で細く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試
料から得られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビ
ームの走査に関連させて試料像を表示させると共に、電
子ビームの２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさ
に応じた指定倍率を表示させるようにした走査電子顕微
鏡において、特定の倍率を指定して走査像の表示を行う
と共に、実倍率を求め、表示された特定倍率の値と実倍
率の値との比を表示するようにしたことを特徴としてい
る。
【００１５】第３の発明では、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、表示された特定倍率の値と実倍率の値との比
を表示する。
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、表示された特定倍率の値と実倍率の値との比
を表示する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく走
査電子顕微鏡の一例を示しているが、図中１は電子銃で
ある。電子銃１から発生し加速された電子ビーム２は、
集束レンズ３と対物レンズ４とによって試料５上に細く
集束されて照射される。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく走
査電子顕微鏡の一例を示しているが、図中１は電子銃で
ある。電子銃１から発生し加速された電子ビーム２は、
集束レンズ３と対物レンズ４とによって試料５上に細く
集束されて照射される。
【００１７】電子ビーム２は偏向器６によって偏向さ
れ、試料５上の電子ビームは２次元的に走査される。偏
向器６は、偏向器駆動回路７によって駆動されるが、偏
向器駆動回路７には、走査信号発生回路８からの走査信
号が倍率制御回路９を介して供給される。
れ、試料５上の電子ビームは２次元的に走査される。偏
向器６は、偏向器駆動回路７によって駆動されるが、偏
向器駆動回路７には、走査信号発生回路８からの走査信
号が倍率制御回路９を介して供給される。
【００１８】試料５への電子ビーム２の照射によって発
生した例えば２次電子は、２次電子検出器１０によって
検出される。検出器１０の検出信号は、増幅器１１によ
って増幅された後、信号処理回路１２に供給され、コン
トラストや輝度調整等の信号処理が施される。信号処理
回路１２からの映像信号は、表示制御回路１３を介して
陰極線管１４に供給される。
生した例えば２次電子は、２次電子検出器１０によって
検出される。検出器１０の検出信号は、増幅器１１によ
って増幅された後、信号処理回路１２に供給され、コン
トラストや輝度調整等の信号処理が施される。信号処理
回路１２からの映像信号は、表示制御回路１３を介して
陰極線管１４に供給される。
【００１９】１５はコンピュータであり、コンピュータ
１５は倍率制御回路９やグラフィック信号発生回路１６
を制御する。コンピュータ１５には、キーボード等の入
力装置１７や、倍率テーブルが格納されているメモリー
１８とバッファメモリー１９とが接続されている。この
ような構成の動作を次に説明する。
１５は倍率制御回路９やグラフィック信号発生回路１６
を制御する。コンピュータ１５には、キーボード等の入
力装置１７や、倍率テーブルが格納されているメモリー
１８とバッファメモリー１９とが接続されている。この
ような構成の動作を次に説明する。
【００２０】２次電子像を得る場合、電子銃１から電子
ビーム２を発生させ、その電子ビームは、集束レンズ３
と対物レンズ４とによって試料５上に集束して照射され
る。それと同時に走査信号発生回路８からの走査信号を
倍率制御回路９で所望の振幅として偏向器駆動回路７に
供給する。この結果、偏向器６は駆動され、試料上の倍
率に応じた所望領域が電子ビームによって２次元的に走
査される。なお、倍率の指定は、入力装置１７によって
行われ、その倍率に応じて倍率制御回路９が制御され
る。
ビーム２を発生させ、その電子ビームは、集束レンズ３
と対物レンズ４とによって試料５上に集束して照射され
る。それと同時に走査信号発生回路８からの走査信号を
倍率制御回路９で所望の振幅として偏向器駆動回路７に
供給する。この結果、偏向器６は駆動され、試料上の倍
率に応じた所望領域が電子ビームによって２次元的に走
査される。なお、倍率の指定は、入力装置１７によって
行われ、その倍率に応じて倍率制御回路９が制御され
る。
【００２１】試料５から発生した２次電子は、２次電子
検出器１０で検出され、検出信号は増幅器１１によって
増幅された後、信号処理回路１２でコントラストや輝度
調整が施される。信号処理回路１２の出力信号は、表示
制御回路１３を介して走査信号発生回路８からの信号に
同期した陰極線管１４に輝度変調信号として供給され
る。
検出器１０で検出され、検出信号は増幅器１１によって
増幅された後、信号処理回路１２でコントラストや輝度
調整が施される。信号処理回路１２の出力信号は、表示
制御回路１３を介して走査信号発生回路８からの信号に
同期した陰極線管１４に輝度変調信号として供給され
る。
【００２２】この結果、陰極線管１４上には、試料５の
所望領域の２次電子像が表示される。一方、コンピュー
タ１５は入力装置１６によって入力された倍率に基づい
て倍率制御回路９を制御する。すなわち、低倍率の場合
は走査信号の振幅を大きく調整し、高倍率の場合は倍率
に応じて走査信号の振幅を小さくする。
所望領域の２次電子像が表示される。一方、コンピュー
タ１５は入力装置１６によって入力された倍率に基づい
て倍率制御回路９を制御する。すなわち、低倍率の場合
は走査信号の振幅を大きく調整し、高倍率の場合は倍率
に応じて走査信号の振幅を小さくする。
【００２３】ここで、メモリー１８には電子銃１の加速
電圧ごとに倍率テーブルが記憶されている。このテーブ
ルは、例えば図２に示すような内容となっている。図２
は加速電圧が１５kVの場合の倍率テーブルであり、選択
された倍率とワーキングディスタンスＷＤに応じた偏向
出力値Ｄnm、陰極線管１４上に表示される倍率値Ｍnm、
ミクロンマーカーの陰極線管上の長さＬnm、ミクロンマ
ーカーの表示長さの値Ｌnmがテーブルの形式で格納され
ている。
電圧ごとに倍率テーブルが記憶されている。このテーブ
ルは、例えば図２に示すような内容となっている。図２
は加速電圧が１５kVの場合の倍率テーブルであり、選択
された倍率とワーキングディスタンスＷＤに応じた偏向
出力値Ｄnm、陰極線管１４上に表示される倍率値Ｍnm、
ミクロンマーカーの陰極線管上の長さＬnm、ミクロンマ
ーカーの表示長さの値Ｌnmがテーブルの形式で格納され
ている。
【００２４】このようなテーブルが各加速電圧ごとに準
備されメモリー１８に記憶されている。入力装置１７で
倍率を入力すると、その時の加速電圧値に応じたテーブ
ルの内容がメモリー１８から読み出され、バッファメモ
リー１９に転送されて記憶される。バッファメモリー１
９に転送された各値は、コンピュータ１５によって読み
出される。
備されメモリー１８に記憶されている。入力装置１７で
倍率を入力すると、その時の加速電圧値に応じたテーブ
ルの内容がメモリー１８から読み出され、バッファメモ
リー１９に転送されて記憶される。バッファメモリー１
９に転送された各値は、コンピュータ１５によって読み
出される。
【００２５】バッファメモリー１９から読み出された偏
向出力値は、倍率制御回路９に供給される。倍率制御回
路９は、コンピューター１５からの出力信号値に応じて
走査信号の振幅を制御し、倍率に応じた振幅の走査信号
を偏向器駆動回路７を介して偏向器６に供給する。その
結果、倍率に応じた試料上の領域が電子ビーム２によっ
て走査される。
向出力値は、倍率制御回路９に供給される。倍率制御回
路９は、コンピューター１５からの出力信号値に応じて
走査信号の振幅を制御し、倍率に応じた振幅の走査信号
を偏向器駆動回路７を介して偏向器６に供給する。その
結果、倍率に応じた試料上の領域が電子ビーム２によっ
て走査される。
【００２６】一方、バッファメモリー１９に記憶された
倍率表示値Ｍnm、ミクロンマーカーの長さＬnm、マーカ
ーの表示長さの値Ｎnmの信号は、コンピューター１５に
よって読み出され、グラフィック信号発生回路１６に供
給される。グラフィック信号発生回路１６は、供給され
た各信号Ｍ、Ｌ、Ｎのグラフィック信号を作成し、表示
制御回路１３に供給する。
倍率表示値Ｍnm、ミクロンマーカーの長さＬnm、マーカ
ーの表示長さの値Ｎnmの信号は、コンピューター１５に
よって読み出され、グラフィック信号発生回路１６に供
給される。グラフィック信号発生回路１６は、供給され
た各信号Ｍ、Ｌ、Ｎのグラフィック信号を作成し、表示
制御回路１３に供給する。
【００２７】コンピュータ１５は、グラフィック信号発
生回路１７を制御し、入力装置から入力された倍率値を
グラフィック信号発生回路１７に供給する。グラフィッ
ク信号発生回路１７は、倍率値の文字信号や倍率に応じ
たミクロンマーカー信号やその他の観察条件の文字信号
を表示制御回路１４に供給する。
生回路１７を制御し、入力装置から入力された倍率値を
グラフィック信号発生回路１７に供給する。グラフィッ
ク信号発生回路１７は、倍率値の文字信号や倍率に応じ
たミクロンマーカー信号やその他の観察条件の文字信号
を表示制御回路１４に供給する。
【００２８】表示制御回路１４は、信号処理回路１２か
らの映像信号とグラフィック信号発生回路１６からの文
字信号等に基づいて、陰極線管１３上に表示する信号の
制御を行う。図３は陰極線管１３上の表示画面Ｄの一例
を示しており、表示画面Ｄの大部分は像表示領域Ｄiと
され、この像表示領域Ｄiには、試料の２次電子像が表
示される。表示画面Ｄの下部の帯状領域Ｄdは観察条件
が表示される領域とされている。この観察条件として
は、像の種類（例えば２次電子像SEIか反射電子像BEI
か）、加速電圧値、ミクロンマーカーとマーカーの対応
する長さの値、倍率値、ワーキングディスタンス値など
があげられる。
らの映像信号とグラフィック信号発生回路１６からの文
字信号等に基づいて、陰極線管１３上に表示する信号の
制御を行う。図３は陰極線管１３上の表示画面Ｄの一例
を示しており、表示画面Ｄの大部分は像表示領域Ｄiと
され、この像表示領域Ｄiには、試料の２次電子像が表
示される。表示画面Ｄの下部の帯状領域Ｄdは観察条件
が表示される領域とされている。この観察条件として
は、像の種類（例えば２次電子像SEIか反射電子像BEI
か）、加速電圧値、ミクロンマーカーとマーカーの対応
する長さの値、倍率値、ワーキングディスタンス値など
があげられる。
【００２９】図２の例では、２次電子像を表示している
場合には、SEIなる表示がされ、反射電子像が表示され
る場合には、SEIに代えてBEIなる表示がされる。またこ
の例では、加速電圧値が1.0kV、倍率が20,000倍、ミク
ロンマーカーＭ、ミクロンマーカーＭに対応する長さの
単位100μｍ、ワーキングディスタンス（ＷＤ）1.5mmが
表示されている。
場合には、SEIなる表示がされ、反射電子像が表示され
る場合には、SEIに代えてBEIなる表示がされる。またこ
の例では、加速電圧値が1.0kV、倍率が20,000倍、ミク
ロンマーカーＭ、ミクロンマーカーＭに対応する長さの
単位100μｍ、ワーキングディスタンス（ＷＤ）1.5mmが
表示されている。
【００３０】ところで、走査電子顕微鏡における倍率
は、偏向器６に流す出力の大きさによって決められる
が、特定倍率を指定しても、加速電圧やＷＤを変化させ
ると、実際の倍率と陰極線管１４上に表示された倍率値
とが相違することになる。この場合、試料５を標準試料
に取り替え、実際の倍率を求める。
は、偏向器６に流す出力の大きさによって決められる
が、特定倍率を指定しても、加速電圧やＷＤを変化させ
ると、実際の倍率と陰極線管１４上に表示された倍率値
とが相違することになる。この場合、試料５を標準試料
に取り替え、実際の倍率を求める。
【００３１】この求め方の一つの方法としては、従来技
術で説明したように、標準試料の２次電子像を陰極線管
１４上に表示する。そして、標準試料のある特定の距離
（例えばメッシュの間隔等）をｄ、観察画面、記録上の
ｄに対する距離をＤ、倍率をＭとすると、正しい倍率は
次の式によって求められる。
術で説明したように、標準試料の２次電子像を陰極線管
１４上に表示する。そして、標準試料のある特定の距離
（例えばメッシュの間隔等）をｄ、観察画面、記録上の
ｄに対する距離をＤ、倍率をＭとすると、正しい倍率は
次の式によって求められる。
【００３２】Ｍ＝Ｄ／ｄ このようにして求められた正確な倍率を入力装置１７か
ら入力し、バッファメモリー１９に記憶された倍率値の
修正を行う。その結果、陰極線管１４には正確な倍率×
22,000が表示されることになる。また、ミクロンマーカ
ーＭの長さ表示の修正も実倍率の修正時に行う。図４は
修正された陰極線画面を示す。
ら入力し、バッファメモリー１９に記憶された倍率値の
修正を行う。その結果、陰極線管１４には正確な倍率×
22,000が表示されることになる。また、ミクロンマーカ
ーＭの長さ表示の修正も実倍率の修正時に行う。図４は
修正された陰極線画面を示す。
【００３３】上記した実施の形態では、バッファメモリ
ー１９に記憶された倍率値やミクロンマーカーの長さの
値を正確な値に書き換えるようにしたが、陰極線管１４
上の表示倍率と実倍率の比ｋを陰極線管１４上に表示さ
せるようにしても良い。図５はこの比ｋ＝１．１が表示
された陰極線管１４の画面を示している。オペレータ
は、この画面から正しい倍率は20,000×ｋ＝22,000であ
ることを認識することができる。
ー１９に記憶された倍率値やミクロンマーカーの長さの
値を正確な値に書き換えるようにしたが、陰極線管１４
上の表示倍率と実倍率の比ｋを陰極線管１４上に表示さ
せるようにしても良い。図５はこの比ｋ＝１．１が表示
された陰極線管１４の画面を示している。オペレータ
は、この画面から正しい倍率は20,000×ｋ＝22,000であ
ることを認識することができる。
【００３４】上記した例では、陰極線管１４上の観察画
面や記録画面の倍率に関する数値を変更するようにした
が、それらの数値は変更せず、電子ビームの走査のため
の偏向出力値を変更し、試料上の電子ビームの走査範囲
を表示倍率に合わせるように校正しても良い。この場
合、バッファメモリー１９に記憶された偏向器出力Ｄの
値が、倍率の誤差比に応じて入力装置１７により変えら
れる。更に、ミクロンマーカーの場合も、長さの単位数
字を変えるのではなく、マーカー自体の長さを単位数字
に合わせ込むようにしても良い。また、倍率テーブルを
用いたが、これらを近似的に表した近似式を用いても良
い。
面や記録画面の倍率に関する数値を変更するようにした
が、それらの数値は変更せず、電子ビームの走査のため
の偏向出力値を変更し、試料上の電子ビームの走査範囲
を表示倍率に合わせるように校正しても良い。この場
合、バッファメモリー１９に記憶された偏向器出力Ｄの
値が、倍率の誤差比に応じて入力装置１７により変えら
れる。更に、ミクロンマーカーの場合も、長さの単位数
字を変えるのではなく、マーカー自体の長さを単位数字
に合わせ込むようにしても良い。また、倍率テーブルを
用いたが、これらを近似的に表した近似式を用いても良
い。
【００３５】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明は上記した形態に限定されない。例えば、２次電子
を検出したが、反射電子を検出してもよい。また、バッ
ファメモリーを用いて各種の数字の修正を行うようにし
たが、メモリー１８自体の数字を修正するようにしても
良い。
発明は上記した形態に限定されない。例えば、２次電子
を検出したが、反射電子を検出してもよい。また、バッ
ファメモリーを用いて各種の数字の修正を行うようにし
たが、メモリー１８自体の数字を修正するようにしても
良い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に基づ
く走査電子顕微鏡は、試料上で細く集束した電子ビーム
を２次元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、
検出信号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像
を表示させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試
料像の表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させる
ようにした走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定
して走査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、表示さ
れた特定倍率の値を実倍率の値に変更し得るようにした
ので、得られた像の倍率を正確に知ることができる。
く走査電子顕微鏡は、試料上で細く集束した電子ビーム
を２次元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、
検出信号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像
を表示させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試
料像の表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させる
ようにした走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定
して走査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、表示さ
れた特定倍率の値を実倍率の値に変更し得るようにした
ので、得られた像の倍率を正確に知ることができる。
【００３７】第２の発明に基づく走査電子顕微鏡は、試
料上で細く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試
料から得られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビ
ームの走査に関連させて試料像を表示させると共に、電
子ビームの２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさ
に応じた指定倍率に基づいたマーカーと、そのマーカー
の長さに対応する長さの値を表示するようにした走査電
子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走査像の表示
を行うと共に、実倍率を求め、特定倍率の値と実倍率の
値の比に応じてマーカーの長さかマーカーの長さに対応
する長さの表示値を変更し得るようにしたので、表示さ
れた像の長さを正確に知ることができる。
料上で細く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試
料から得られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビ
ームの走査に関連させて試料像を表示させると共に、電
子ビームの２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさ
に応じた指定倍率に基づいたマーカーと、そのマーカー
の長さに対応する長さの値を表示するようにした走査電
子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走査像の表示
を行うと共に、実倍率を求め、特定倍率の値と実倍率の
値の比に応じてマーカーの長さかマーカーの長さに対応
する長さの表示値を変更し得るようにしたので、表示さ
れた像の長さを正確に知ることができる。
【００３８】第３の発明に基づく走査電子顕微鏡は、試
料上で細く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試
料から得られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビ
ームの走査に関連させて試料像を表示させると共に、電
子ビームの２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさ
に応じた指定倍率を表示させるようにした走査電子顕微
鏡において、特定の倍率を指定して走査像の表示を行う
と共に、実倍率を求め、表示された特定倍率の値と実倍
率の値との比を表示するようにしたので、表示された像
の倍率や像の長さを正確に把握することができる。
料上で細く集束した電子ビームを２次元的に走査し、試
料から得られた信号を検出し、検出信号に基づき電子ビ
ームの走査に関連させて試料像を表示させると共に、電
子ビームの２次元走査領域と試料像の表示領域の大きさ
に応じた指定倍率を表示させるようにした走査電子顕微
鏡において、特定の倍率を指定して走査像の表示を行う
と共に、実倍率を求め、表示された特定倍率の値と実倍
率の値との比を表示するようにしたので、表示された像
の倍率や像の長さを正確に把握することができる。
【００３９】第３の発明では、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、表示された特定倍率の値と実倍率の値との比
を表示する。本発明では、オートフォーカス動作やオー
ト非点動作を実行する際、あらかじめ複数の異なった走
査パターンを準備し、読み取られた画像に対して各走査
パターンごとに画像上の特定領域を走査し、各走査に基
づき得られた検出信号を積算し、各積算値に応じて特定
の走査パターンを選択する。そして、選択された走査パ
ターンによってオートフォーカス動作やオート非点動作
を実行するようにしたので、試料の表面形状に応じた最
適な走査パターンで各動作を実行することができ、精度
の高いフォーカス調整や非点補正を行うことができる。
査像の表示を行う一方で、標準試料の像を観察して実倍
率を求め、表示された特定倍率の値と実倍率の値との比
を表示する。本発明では、オートフォーカス動作やオー
ト非点動作を実行する際、あらかじめ複数の異なった走
査パターンを準備し、読み取られた画像に対して各走査
パターンごとに画像上の特定領域を走査し、各走査に基
づき得られた検出信号を積算し、各積算値に応じて特定
の走査パターンを選択する。そして、選択された走査パ
ターンによってオートフォーカス動作やオート非点動作
を実行するようにしたので、試料の表面形状に応じた最
適な走査パターンで各動作を実行することができ、精度
の高いフォーカス調整や非点補正を行うことができる。
【図１】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一例を示す図
である。
である。
【図２】メモリーに記憶された倍率テーブルの一例を示
す図である。
す図である。
【図３】陰極線管の表示画面を示す図である。
【図４】陰極線管の表示画面を示す図である。
【図５】陰極線管の表示画面を示す図である。
１ 電子銃 ２ 電子ビーム ３ 集束レンズ ４ 対物レンズ ５ 試料 ６ 偏向器 ７ 偏向器駆動回路 ８ 走査信号発生回路 ９ 倍率制御回路 １０ ２次電子検出器 １１ 増幅器 １２ 信号処理回路 １３ 表示制御回路 １４ 陰極線管 １５ コンピュータ １６ グラフィック信号発生回路 １７ 入力装置 １８ メモリー １９ バッファメモリー
Claims (3)
- 【請求項１】 試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させるように
した走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、表示された特
定倍率の値を実倍率の値に変更し得るようにした走査電
子顕微鏡。 - 【請求項２】 試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率に基づいたマーカー
と、そのマーカーの長さに対応する長さの値を表示する
ようにした走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定
して走査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、特定倍
率の値と実倍率の値の比に応じてマーカーの長さかマー
カーの長さに対応する長さの表示値を変更し得るように
した走査電子顕微鏡 - 【請求項３】 試料上で細く集束した電子ビームを２次
元的に走査し、試料から得られた信号を検出し、検出信
号に基づき電子ビームの走査に関連させて試料像を表示
させると共に、電子ビームの２次元走査領域と試料像の
表示領域の大きさに応じた指定倍率を表示させるように
した走査電子顕微鏡において、特定の倍率を指定して走
査像の表示を行うと共に、実倍率を求め、表示された特
定倍率の値と実倍率の値との比を表示するようにした走
査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000198064A JP2002015691A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000198064A JP2002015691A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002015691A true JP2002015691A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18696283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000198064A Withdrawn JP2002015691A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002015691A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372051B2 (en) | 2004-08-23 | 2008-05-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electric charged particle beam microscopy, electric charged particle beam microscope, critical dimension measurement and critical dimension measurement system |
| US7375330B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-05-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam equipment |
| US7435957B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-10-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam equipment and charged particle microscopy |
| US8124940B2 (en) | 2008-01-18 | 2012-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
| WO2022022819A1 (en) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Method of imaging a sample with a charged particle beam device, method of calibrating a charged particle beam device, and charged particle beam device |
| CN115219538A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-10-21 | 无锡量子感知研究所 | 校准方法、扫描电镜、控制装置和存储介质 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000198064A patent/JP2002015691A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372051B2 (en) | 2004-08-23 | 2008-05-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electric charged particle beam microscopy, electric charged particle beam microscope, critical dimension measurement and critical dimension measurement system |
| US7435957B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-10-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam equipment and charged particle microscopy |
| US8304722B2 (en) | 2004-12-17 | 2012-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam equipment and charged particle microscopy |
| US7375330B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-05-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam equipment |
| US7923701B2 (en) | 2005-04-05 | 2011-04-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam equipment |
| US8124940B2 (en) | 2008-01-18 | 2012-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
| WO2022022819A1 (en) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Method of imaging a sample with a charged particle beam device, method of calibrating a charged particle beam device, and charged particle beam device |
| KR20230041806A (ko) * | 2020-07-29 | 2023-03-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 하전 입자 빔 디바이스로 샘플을 이미징하는 방법, 하전 입자 빔 디바이스를 교정하는 방법 및 하전 입자 빔 디바이스 |
| CN116134578A (zh) * | 2020-07-29 | 2023-05-16 | 应用材料公司 | 使用带电粒子束装置对样品进行成像的方法、校准带电粒子束装置的方法及带电粒子束装置 |
| TWI827955B (zh) * | 2020-07-29 | 2024-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法、校準帶電粒子束裝置的方法及帶電粒子束裝置 |
| KR102824090B1 (ko) | 2020-07-29 | 2025-06-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 하전 입자 빔 디바이스로 샘플을 이미징하는 방법, 하전 입자 빔 디바이스를 교정하는 방법 및 하전 입자 빔 디바이스 |
| CN116134578B (zh) * | 2020-07-29 | 2025-11-11 | 应用材料公司 | 使用带电粒子束装置对样品进行成像的方法、校准带电粒子束装置的方法及带电粒子束装置 |
| CN115219538A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-10-21 | 无锡量子感知研究所 | 校准方法、扫描电镜、控制装置和存储介质 |
| CN115219538B (zh) * | 2022-06-21 | 2024-12-31 | 无锡量子感知研究所 | 校准方法、扫描电镜、控制装置和存储介质 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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