JP2002015404A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 76
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 112
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910001313 Cobalt-iron alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XBCSKPOWJATIFC-UHFFFAOYSA-N cobalt iron nickel Chemical compound [Fe][Ni][Fe][Co] XBCSKPOWJATIFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 10
- PVGXNYLFYMUKRR-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Fe+2].[Co+2].[Zr+4].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Fe+2].[Co+2].[Zr+4].[O-2].[O-2].[O-2] PVGXNYLFYMUKRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 387
- 239000010408 film Substances 0.000 description 147
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZPCYPRIQLKCWJV-UHFFFAOYSA-N [Co].[Fe].[Zr] Chemical compound [Co].[Fe].[Zr] ZPCYPRIQLKCWJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- GKWKOCYSCDZTAX-UHFFFAOYSA-N dichloroboron Chemical compound Cl[B]Cl GKWKOCYSCDZTAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 「磁束の漏れ」を抑制し、優れたオーバイラ
イト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 上部ポールチップ１３ａと下部磁極９と
の間に、非磁性パターン１０および非磁性パターン１２
を下部磁極９に近い順に配設する。非磁性層パターン１
２の前端の位置は非磁性パターン１０の前端の位置より
も後退するようにし、非磁性層パターン１０と非磁性層
パターン１２との間に段差が形成されるようにする。非
磁性パターン１０，１２の存在により、上部ポールチッ
プ１３ａと下部磁極９との間の磁束の伝搬が抑制される
と共に、上部ポールチップ１３ａ内における磁束の流れ
が円滑になり、優れたオーバーライト特性を確保するこ
とができる。
イト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 上部ポールチップ１３ａと下部磁極９と
の間に、非磁性パターン１０および非磁性パターン１２
を下部磁極９に近い順に配設する。非磁性層パターン１
２の前端の位置は非磁性パターン１０の前端の位置より
も後退するようにし、非磁性層パターン１０と非磁性層
パターン１２との間に段差が形成されるようにする。非
磁性パターン１０，１２の存在により、上部ポールチッ
プ１３ａと下部磁極９との間の磁束の伝搬が抑制される
と共に、上部ポールチップ１３ａ内における磁束の流れ
が円滑になり、優れたオーバーライト特性を確保するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
【０００４】ここで、図３０〜図３５を参照して、従来
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明する。
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【０００５】この製造方法では、まず、図３０に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ 3 ；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶
縁層１０２を約５．０〜１０．０μｍの厚みで堆積す
る。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部シー
ルド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１０３
上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚みで
スパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚み
に形成し、高精度のフォトリソグラフィ処理によって所
望の形状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両
側に、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電
極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、こ
のリード層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１
０５上に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜
１０５をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設す
る。次に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッド
および記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばニッ
ケル鉄合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商品
名）」ともいう。）よりなる上部シールド兼下部磁極
（以下、下部磁極という。）１０７を形成する。
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ 3 ；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶
縁層１０２を約５．０〜１０．０μｍの厚みで堆積す
る。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部シー
ルド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１０３
上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚みで
スパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚み
に形成し、高精度のフォトリソグラフィ処理によって所
望の形状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両
側に、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電
極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、こ
のリード層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１
０５上に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜
１０５をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設す
る。次に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッド
および記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばニッ
ケル鉄合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商品
名）」ともいう。）よりなる上部シールド兼下部磁極
（以下、下部磁極という。）１０７を形成する。
【０００６】次に、図３１に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト
膜１０９を所定のパターンとなるように形成する。次
に、フォトレジスト膜１０９上に、例えばめっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜
１０９および薄膜コイル１１０を覆うようにして、高精
度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１１１
を所定のパターンとなるように形成する。次に、薄膜コ
イル１１０の各巻線間の絶縁化のために、フォトレジス
ト膜１１１に対して、例えば２５０度の温度で加熱処理
を施す。
０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト
膜１０９を所定のパターンとなるように形成する。次
に、フォトレジスト膜１０９上に、例えばめっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜
１０９および薄膜コイル１１０を覆うようにして、高精
度のフォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１１１
を所定のパターンとなるように形成する。次に、薄膜コ
イル１１０の各巻線間の絶縁化のために、フォトレジス
ト膜１１１に対して、例えば２５０度の温度で加熱処理
を施す。
【０００７】次に、図３２に示したように、薄膜コイル
１１０よりも後方（図３２における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８の一部を
部分的にエッチングして開口部１０８ａを形成し、下部
磁極１０７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７
の露出面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ
層１０８を覆うようにして、高飽和磁束密度を有する磁
気材料、例えばパーマロイよりなる上部ヨーク兼上部磁
極（以下、上部磁極という。）１１２を選択的に形成す
る。
１１０よりも後方（図３２における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８の一部を
部分的にエッチングして開口部１０８ａを形成し、下部
磁極１０７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７
の露出面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ
層１０８を覆うようにして、高飽和磁束密度を有する磁
気材料、例えばパーマロイよりなる上部ヨーク兼上部磁
極（以下、上部磁極という。）１１２を選択的に形成す
る。
【０００８】上部磁極１１２を形成する方法としては、
例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるよう
に、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法
を用いて上部磁極１１２を形成する場合には、まず、フ
ォトレジスト膜１１１で覆われて山状に盛り上がったコ
イル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上に
全体的に、例えば、パーマロイよりなる薄い電極膜を、
例えばスパッタリングによって形成する。次に、この電
極膜上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を
形成したのち、このフォトレジスト膜をフォトリソグラ
フィ処理によってパターニングして、めっき処理のため
のフレーム（外枠）を形成する。次に、先に形成した電
極膜をシード層として用いて、めっき法によってパーマ
ロイよりなるめっき膜を成長させて上部磁極１１２を形
成する。
例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるよう
に、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法
を用いて上部磁極１１２を形成する場合には、まず、フ
ォトレジスト膜１１１で覆われて山状に盛り上がったコ
イル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上に
全体的に、例えば、パーマロイよりなる薄い電極膜を、
例えばスパッタリングによって形成する。次に、この電
極膜上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を
形成したのち、このフォトレジスト膜をフォトリソグラ
フィ処理によってパターニングして、めっき処理のため
のフレーム（外枠）を形成する。次に、先に形成した電
極膜をシード層として用いて、めっき法によってパーマ
ロイよりなるめっき膜を成長させて上部磁極１１２を形
成する。
【０００９】この上部磁極１１２は、例えば、後述する
図３５に示したような平面形状を有するものであり、ヨ
ーク部１１２ａおよびポールチップ部１１２ｂを含んで
いる。上部磁極１１２は、開口部１０８ａにおいて下部
磁極１０７と接触し、磁気的に連結される。次に、上部
磁極１１２の一部（ポールチップ部１１２ｂ）をマスク
として、記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の
双方をイオンミリングによって選択的に約０．５μｍエ
ッチングしたのち（図３４参照）、上部磁極１１２上
に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１３を
形成する。最後に、機械加工や研磨工程によって、記録
ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベ
アリング面１２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
図３５に示したような平面形状を有するものであり、ヨ
ーク部１１２ａおよびポールチップ部１１２ｂを含んで
いる。上部磁極１１２は、開口部１０８ａにおいて下部
磁極１０７と接触し、磁気的に連結される。次に、上部
磁極１１２の一部（ポールチップ部１１２ｂ）をマスク
として、記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の
双方をイオンミリングによって選択的に約０．５μｍエ
ッチングしたのち（図３４参照）、上部磁極１１２上
に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１３を
形成する。最後に、機械加工や研磨工程によって、記録
ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベ
アリング面１２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
【００１０】図３３〜図３５は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３３はエ
アベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘ
ッドの断面を表し、図３４は磁極部分のエアベアリング
面１２０に平行な方向における断面を拡大して表し、図
３５は平面構造を表している。ここで、図３２は、図３
５におけるXXXII−XXXII線に沿った矢視断面に相当す
る。なお、図３３〜図３５では、オーバーコート層１１
３等の図示を省略している。また、図３５では、薄膜コ
イル１１０およびフォトレジスト膜１１１について、そ
れらの最外端のみを図示している。
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３３はエ
アベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘ
ッドの断面を表し、図３４は磁極部分のエアベアリング
面１２０に平行な方向における断面を拡大して表し、図
３５は平面構造を表している。ここで、図３２は、図３
５におけるXXXII−XXXII線に沿った矢視断面に相当す
る。なお、図３３〜図３５では、オーバーコート層１１
３等の図示を省略している。また、図３５では、薄膜コ
イル１１０およびフォトレジスト膜１１１について、そ
れらの最外端のみを図示している。
【００１１】図３３および図３５において、「ＴＨ」は
スロートハイト（Throat Height ）を表し、「ＭＲＨ」
はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト
（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のう
ちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電
気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１
１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面１２０の位置までの長さである。記
録ヘッドの性能を向上させるためには、スロートハイト
（ＴＨ）を適正化する必要がある。このスロートハイト
（ＴＨ）は、エアベアリング面１２０を形成する際の研
磨量によって制御される。また、「ＭＲハイト（ＭＲ
Ｈ）」とは、ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２
０から遠い側の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位
置（ＭＲＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置
までの長さである。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、
エアベアリング面１２０を形成する際の研磨量によって
制御される。
スロートハイト（Throat Height ）を表し、「ＭＲＨ」
はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト
（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のう
ちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電
気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１
１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面１２０の位置までの長さである。記
録ヘッドの性能を向上させるためには、スロートハイト
（ＴＨ）を適正化する必要がある。このスロートハイト
（ＴＨ）は、エアベアリング面１２０を形成する際の研
磨量によって制御される。また、「ＭＲハイト（ＭＲ
Ｈ）」とは、ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２
０から遠い側の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位
置（ＭＲＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置
までの長さである。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、
エアベアリング面１２０を形成する際の研磨量によって
制御される。
【００１２】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
ては、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）
等の他に、図３３に示したエイペックスアングル（Apex
Angle：θ）がある。このエイペックスアングルθは、
フォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近
い側の斜面の平均斜度である。
ては、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）
等の他に、図３３に示したエイペックスアングル（Apex
Angle：θ）がある。このエイペックスアングルθは、
フォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近
い側の斜面の平均斜度である。
【００１３】図３４に示したように、記録ギャップ層１
０８および下部磁極１０７の双方の一部が上部磁極１１
２のポールチップ部１１２ｂに対して自己整合的にエッ
チングされた構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発
生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止
することができる。図中に示した「Ｐ２Ｗ」は、トリム
構造を有する部分（以下、単に「磁極部分５００」とい
う。）の幅、すなわち磁極幅（以下、「トラック幅」と
もいう。）を表している。この磁極幅Ｐ２Ｗの加工寸法
は、トリム構造を形成するためのエッチング処理を行う
際に用いられるマスク（上記の場合はフォトレジスト膜
パターン）のうちの磁極部分５００に対応する部分の幅
に依存する。また、図中に示した「Ｐ２Ｌ」は、磁極部
分５００の一部を構成するポールチップ部１１２ｂの厚
み、すなわち磁極長を表している。なお、図３４に示し
たように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭＲ膜１０５
と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層１
２１が設けられている。ただし、図３０〜図３３では、
リード層１２１の図示を省略している。
０８および下部磁極１０７の双方の一部が上部磁極１１
２のポールチップ部１１２ｂに対して自己整合的にエッ
チングされた構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発
生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止
することができる。図中に示した「Ｐ２Ｗ」は、トリム
構造を有する部分（以下、単に「磁極部分５００」とい
う。）の幅、すなわち磁極幅（以下、「トラック幅」と
もいう。）を表している。この磁極幅Ｐ２Ｗの加工寸法
は、トリム構造を形成するためのエッチング処理を行う
際に用いられるマスク（上記の場合はフォトレジスト膜
パターン）のうちの磁極部分５００に対応する部分の幅
に依存する。また、図中に示した「Ｐ２Ｌ」は、磁極部
分５００の一部を構成するポールチップ部１１２ｂの厚
み、すなわち磁極長を表している。なお、図３４に示し
たように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭＲ膜１０５
と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層１
２１が設けられている。ただし、図３０〜図３３では、
リード層１２１の図示を省略している。
【００１４】図３５に示したように、上部磁極１１２
は、その大部分を占めるヨーク部１１２ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２
ｂとを有している。ヨーク部１１２ａとポールチップ部
１１２ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２ａの外
縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角度α
をなし、また、上記の連結部分において、ポールチップ
部１１２ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と平行な
面に対して角度βをなしている。ここで、例えば、αは
４５度であり、βは９０度である。上記したように、ポ
ールチップ部１１２ｂは、磁極部分５００のトリム構造
を形成する際のマスクとなる部分である。図３３および
図３５から判るように、ポールチップ部１１２ｂは平坦
な記録ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１２
ａはエイペックス部上に延在している。
は、その大部分を占めるヨーク部１１２ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２
ｂとを有している。ヨーク部１１２ａとポールチップ部
１１２ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２ａの外
縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角度α
をなし、また、上記の連結部分において、ポールチップ
部１１２ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と平行な
面に対して角度βをなしている。ここで、例えば、αは
４５度であり、βは９０度である。上記したように、ポ
ールチップ部１１２ｂは、磁極部分５００のトリム構造
を形成する際のマスクとなる部分である。図３３および
図３５から判るように、ポールチップ部１１２ｂは平坦
な記録ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１２
ａはエイペックス部上に延在している。
【００１５】なお、上部磁極の詳細な構造的特徴に関し
ては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載が
ある。
ては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載が
ある。
【００１６】図３２に示したような構造を有する従来の
薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作時において薄膜コ
イル１１０により生じた磁束は、上部磁極１１２内をヨ
ーク部１１２ａからポールチップ部１１２ｂに向かって
伝搬し、最終的にポールチップ部１１２ｂの先端へ到達
する。ポールチップ部１１２ｂの先端に到達した磁束
は、その外部に信号磁界を発生させ、この信号磁界によ
って、図示しない記録媒体への情報記録が行われる。
薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作時において薄膜コ
イル１１０により生じた磁束は、上部磁極１１２内をヨ
ーク部１１２ａからポールチップ部１１２ｂに向かって
伝搬し、最終的にポールチップ部１１２ｂの先端へ到達
する。ポールチップ部１１２ｂの先端に到達した磁束
は、その外部に信号磁界を発生させ、この信号磁界によ
って、図示しない記録媒体への情報記録が行われる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、薄膜磁気ヘッ
ドの優れた重ね書き特性、すなわちオーバーライト特性
を確保するためには、一般に、上記の信号磁界を充分に
発生させるべく、上部磁極１１２におけるポールチップ
部１１２ｂの先端部へ円滑かつ充分に磁束を供給するこ
とが必要である。
ドの優れた重ね書き特性、すなわちオーバーライト特性
を確保するためには、一般に、上記の信号磁界を充分に
発生させるべく、上部磁極１１２におけるポールチップ
部１１２ｂの先端部へ円滑かつ充分に磁束を供給するこ
とが必要である。
【００１８】しかしながら、図３２に示した従来の薄膜
磁気ヘッドでは、上部磁極１１２のポールチップ部１１
２ｂと下部磁極１０７との間に、厚みの薄い記録ギャッ
プ層１０８しか配設されていない。このような場合に
は、ヨーク部１１２ａからポールチップ部１１２ｂに流
入した磁束の一部は、ポールチップ部１１２ｂの先端に
は到達せずに、記録ギャップ層１０８を通過して下部磁
極１０７へ伝搬してしまう。以下では、記録ギャップ層
１０８を通過することによる上部磁極１１２から下部磁
極１０７への磁束の伝搬を「 磁束の漏れ」 と呼称するこ
ととする。このような傾向は、特に、図３２における領
域１１２Ｓにおいて顕著となる。なぜなら、上部磁極１
１２のうち、領域１１２Ｓに対応する部分では、その内
部を図中の下方向へ向かう磁束の流れが生ずるからであ
る。
磁気ヘッドでは、上部磁極１１２のポールチップ部１１
２ｂと下部磁極１０７との間に、厚みの薄い記録ギャッ
プ層１０８しか配設されていない。このような場合に
は、ヨーク部１１２ａからポールチップ部１１２ｂに流
入した磁束の一部は、ポールチップ部１１２ｂの先端に
は到達せずに、記録ギャップ層１０８を通過して下部磁
極１０７へ伝搬してしまう。以下では、記録ギャップ層
１０８を通過することによる上部磁極１１２から下部磁
極１０７への磁束の伝搬を「 磁束の漏れ」 と呼称するこ
ととする。このような傾向は、特に、図３２における領
域１１２Ｓにおいて顕著となる。なぜなら、上部磁極１
１２のうち、領域１１２Ｓに対応する部分では、その内
部を図中の下方向へ向かう磁束の流れが生ずるからであ
る。
【００１９】上記した「磁束の漏れ」は、以下のような
不具合を誘発する。
不具合を誘発する。
【００２０】１）上部磁極１１２から下部磁極１０７へ
磁束が漏れることにより、上部磁極１１２内をヨーク部
１１２ａからポールチップ部１１２ｂへ伝搬する磁束の
絶対量が減少する。このような場合には、薄膜コイル１
１０によって発生した磁束をポールチップ部１１２ｂの
先端へ充分に供給することができなくなる。このため、
薄膜磁気ヘッドのオーバーライト特性は著しく低下して
しまう。
磁束が漏れることにより、上部磁極１１２内をヨーク部
１１２ａからポールチップ部１１２ｂへ伝搬する磁束の
絶対量が減少する。このような場合には、薄膜コイル１
１０によって発生した磁束をポールチップ部１１２ｂの
先端へ充分に供給することができなくなる。このため、
薄膜磁気ヘッドのオーバーライト特性は著しく低下して
しまう。
【００２１】２）磁束の漏れによる下部磁極１０７への
局部的な磁束の集中は、薄膜磁気ヘッドの読み込み動作
に悪影響を及ぼす。例えば、下部磁極１０７に必要以上
に磁束が集中することにより、その一部がさらに下部磁
極１０７を通過してＭＲ膜１０５へ到達した場合には、
ＭＲ膜１０５へ到達した磁束は、再生ヘッドの読み込み
動作時において、磁気ノイズとして作用する。これによ
り、薄膜磁気ヘッドの正常な読み込み動作が阻害される
こととなる。
局部的な磁束の集中は、薄膜磁気ヘッドの読み込み動作
に悪影響を及ぼす。例えば、下部磁極１０７に必要以上
に磁束が集中することにより、その一部がさらに下部磁
極１０７を通過してＭＲ膜１０５へ到達した場合には、
ＭＲ膜１０５へ到達した磁束は、再生ヘッドの読み込み
動作時において、磁気ノイズとして作用する。これによ
り、薄膜磁気ヘッドの正常な読み込み動作が阻害される
こととなる。
【００２２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、「磁束の漏れ」を抑制し、優れたオ
ーバイライト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することにある。
ので、その目的は、「磁束の漏れ」を抑制し、優れたオ
ーバイライト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に平坦
な表面を有するギャップ層を介して対向する２つの磁極
を含む互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第
２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に絶
縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
に、第１の磁性層が、記録媒体対向面からこの面より離
れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を
規定する一定幅部分を有する第１の磁性層部分を含む薄
膜磁気ヘッドであって、第１の磁性層の第１の磁性層部
分と前記第２の磁性層との間に、後方部が絶縁層と連結
し前端が記記録媒体対向面の手前の所定の位置で終端す
るように延在する第１の非磁性層パターンと、後端が絶
縁層と連結し前端が第１の非磁性層パターンの前端より
も後方の位置で終端するように延在する第２の非磁性層
パターンとが第２の磁性層に近い側から順に配設される
ようにしたものである。
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に平坦
な表面を有するギャップ層を介して対向する２つの磁極
を含む互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第
２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に絶
縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
に、第１の磁性層が、記録媒体対向面からこの面より離
れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を
規定する一定幅部分を有する第１の磁性層部分を含む薄
膜磁気ヘッドであって、第１の磁性層の第１の磁性層部
分と前記第２の磁性層との間に、後方部が絶縁層と連結
し前端が記記録媒体対向面の手前の所定の位置で終端す
るように延在する第１の非磁性層パターンと、後端が絶
縁層と連結し前端が第１の非磁性層パターンの前端より
も後方の位置で終端するように延在する第２の非磁性層
パターンとが第２の磁性層に近い側から順に配設される
ようにしたものである。
【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁性
層における第１の磁性層部分と前記第２の磁性層との間
に、第２の磁性層に近い側から順に第１の非磁性層パタ
ーンおよび第２の非磁性層パターンが配設される。第２
の非磁性層パターンの前端は第１の非磁性層パターンの
前端よりも後方に位置し、第１の非磁性層パターンの表
面と第２の非磁性層パターンの表面との間に段差が形成
される。
層における第１の磁性層部分と前記第２の磁性層との間
に、第２の磁性層に近い側から順に第１の非磁性層パタ
ーンおよび第２の非磁性層パターンが配設される。第２
の非磁性層パターンの前端は第１の非磁性層パターンの
前端よりも後方に位置し、第１の非磁性層パターンの表
面と第２の非磁性層パターンの表面との間に段差が形成
される。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の非磁
性層パターンの前端が、第１の磁性層部分の一定幅部分
よりも後方に位置するようにしてもよい。
性層パターンの前端が、第１の磁性層部分の一定幅部分
よりも後方に位置するようにしてもよい。
【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の非磁性層パターンの前端近傍および第２の非磁性層パ
ターンの前端近傍が、ギャップ層の平坦な表面に対して
傾斜するようにしてもよい。
の非磁性層パターンの前端近傍および第２の非磁性層パ
ターンの前端近傍が、ギャップ層の平坦な表面に対して
傾斜するようにしてもよい。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層部分のうちの少なくとも一定幅部分がギャップ
層の平坦な表面上に延在するようにしてもよい。
の磁性層部分のうちの少なくとも一定幅部分がギャップ
層の平坦な表面上に延在するようにしてもよい。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層部分が、さらに、トラック幅方向に互いに分離
して配設された少なくとも２つの接続部分と、一定幅部
分と少なくとも２つの接続部分とを磁気的に連結させる
連結部分とを有するようにしてもよい。このような場合
には、さらに、第１の磁性層部分における連結部分と少
なくとも２つの接続部分とによって囲まれた領域に、絶
縁層と連結された第３の非磁性層パターンが配設される
ようにしてもよい。
の磁性層部分が、さらに、トラック幅方向に互いに分離
して配設された少なくとも２つの接続部分と、一定幅部
分と少なくとも２つの接続部分とを磁気的に連結させる
連結部分とを有するようにしてもよい。このような場合
には、さらに、第１の磁性層部分における連結部分と少
なくとも２つの接続部分とによって囲まれた領域に、絶
縁層と連結された第３の非磁性層パターンが配設される
ようにしてもよい。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と部分的にオー
バーラップして磁気的に連結された第２の磁性層部分
と、第２の磁性層部分と第２の磁性層とを磁気的に連結
させるための第３の磁性層部分とを含むようにしてもよ
い。
の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と部分的にオー
バーラップして磁気的に連結された第２の磁性層部分
と、第２の磁性層部分と第２の磁性層とを磁気的に連結
させるための第３の磁性層部分とを含むようにしてもよ
い。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一部
が、ニッケル鉄合金または窒化鉄のいずれかを含む材料
よりなるようにしてもよいし、コバルト鉄合金、コバル
ト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバルト鉄酸化物
合金などのアモルファス合金を含む材料よりなるように
してもよい。
の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくとも一部
が、ニッケル鉄合金または窒化鉄のいずれかを含む材料
よりなるようにしてもよいし、コバルト鉄合金、コバル
ト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバルト鉄酸化物
合金などのアモルファス合金を含む材料よりなるように
してもよい。
【００３１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に平坦な表面
を有するギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む
互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁
性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配
設された薄膜コイル部とを有すると共に、前記第１の磁
性層が、前記記録媒体対向面からこの面より離れる長さ
方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定
する一定幅部分を有する第１の磁性層部分を含む薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、第２の磁性層上に、後方
部が絶縁層と連結し前端が記録媒体対向面の手前の所定
の位置で終端して延在するように第１の非磁性層パター
ンを選択的に形成する工程と、第１の非磁性層パターン
上に、後端が絶縁層と連結し前端が第１の非磁性層パタ
ーンの前端よりも後方の位置で終端して延在するように
第２の非磁性層パターンを選択的に形成する工程と、少
なくとも第１の非磁性層パターンおよび第２の非磁性層
パターンの双方を覆うように第１の磁性層部分を形成す
る工程とを含むようにしたものである。
録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に平坦な表面
を有するギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む
互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁
性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配
設された薄膜コイル部とを有すると共に、前記第１の磁
性層が、前記記録媒体対向面からこの面より離れる長さ
方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定
する一定幅部分を有する第１の磁性層部分を含む薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、第２の磁性層上に、後方
部が絶縁層と連結し前端が記録媒体対向面の手前の所定
の位置で終端して延在するように第１の非磁性層パター
ンを選択的に形成する工程と、第１の非磁性層パターン
上に、後端が絶縁層と連結し前端が第１の非磁性層パタ
ーンの前端よりも後方の位置で終端して延在するように
第２の非磁性層パターンを選択的に形成する工程と、少
なくとも第１の非磁性層パターンおよび第２の非磁性層
パターンの双方を覆うように第１の磁性層部分を形成す
る工程とを含むようにしたものである。
【００３２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第２の磁性層上に、後方部が絶縁層と連結し前端が記録
媒体対向面の手前の所定の位置で終端して延在するよう
に第１の非磁性層パターンが選択的に形成されたのち、
この第１の非磁性層パターン上に、後端が絶縁層と連結
し前端が第１の非磁性層パターンの前端よりも後方の位
置で終端して延在するように第２の非磁性層パターンが
選択的に形成される。そして、第１の非磁性層パターン
および第２の非磁性層パターンの双方を覆うように第１
の磁性層部分が形成される。
第２の磁性層上に、後方部が絶縁層と連結し前端が記録
媒体対向面の手前の所定の位置で終端して延在するよう
に第１の非磁性層パターンが選択的に形成されたのち、
この第１の非磁性層パターン上に、後端が絶縁層と連結
し前端が第１の非磁性層パターンの前端よりも後方の位
置で終端して延在するように第２の非磁性層パターンが
選択的に形成される。そして、第１の非磁性層パターン
および第２の非磁性層パターンの双方を覆うように第１
の磁性層部分が形成される。
【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１の磁性層部分を形成するためのフォトレジストパタ
ーンを形成する工程が、少なくともギャップ層の平坦な
表面、第１の非磁性層パターンの斜面および第２の非磁
性層パターンの斜面を覆うようにフォトレジスト層を形
成する工程と、ギャップ層の平坦な表面上から第１の非
磁性層パターンの斜面上にかけての領域におけるフォト
レジスト層のうち、第１の磁性層部分の一定幅部分の平
面形状に対応する領域を含む第１の領域を選択的に露光
する第１の露光工程と、ギャップ層の平坦な表面上から
第２の非磁性層パターンの斜面上にかけての領域におけ
るフォトレジスト層のうち、第１の磁性層部分の一定幅
部分以外の部分に対応する第２の領域を選択的に露光す
る第２の露光工程と、フォトレジスト層のうちの第１の
領域および第２の領域の双方を一括して現像することに
よりフォトレジストパターンを形成する工程と含むよう
にしてもよい。このような場合には、第２の露光工程に
おいて、第１の領域と第２の領域とを部分的に重複させ
るようにするのが好適である。
第１の磁性層部分を形成するためのフォトレジストパタ
ーンを形成する工程が、少なくともギャップ層の平坦な
表面、第１の非磁性層パターンの斜面および第２の非磁
性層パターンの斜面を覆うようにフォトレジスト層を形
成する工程と、ギャップ層の平坦な表面上から第１の非
磁性層パターンの斜面上にかけての領域におけるフォト
レジスト層のうち、第１の磁性層部分の一定幅部分の平
面形状に対応する領域を含む第１の領域を選択的に露光
する第１の露光工程と、ギャップ層の平坦な表面上から
第２の非磁性層パターンの斜面上にかけての領域におけ
るフォトレジスト層のうち、第１の磁性層部分の一定幅
部分以外の部分に対応する第２の領域を選択的に露光す
る第２の露光工程と、フォトレジスト層のうちの第１の
領域および第２の領域の双方を一括して現像することに
よりフォトレジストパターンを形成する工程と含むよう
にしてもよい。このような場合には、第２の露光工程に
おいて、第１の領域と第２の領域とを部分的に重複させ
るようにするのが好適である。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と部
分的にオーバーラップして磁気的に連結された第２の磁
性層部分と、第２の磁性層部分と第２の磁性層とを磁気
的に連結させる第３の磁性層部分とを有する場合には、
第１の磁性層部分を形成すると同時に、第３の磁性層部
分を形成すると共に薄膜コイル部の端部に設けられたコ
イル端部上に薄膜コイル部の一部をなすコイル接続パタ
ーンを形成する工程と、少なくとも第１の磁性層部分、
第３の磁性層部分およびコイル接続パターンを覆うよう
に絶縁層の前準備層としてのコイル埋設層を形成する工
程と、少なくとも第１の磁性層部分、第３の磁性層部分
およびコイル接続パターンが露出するまでコイル埋設層
の表面を研磨して平坦化させる工程と、研磨後の平坦面
上に、第１の磁性層部分および第３の磁性層部分のそれ
ぞれの露出面と磁気的に連結するように第２の磁性層部
分を形成すると同時にコイル接続パターンの露出面と電
気的に接続するように導電層パターンを形成する工程と
を含むようにしてもよい。
では、第１の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と部
分的にオーバーラップして磁気的に連結された第２の磁
性層部分と、第２の磁性層部分と第２の磁性層とを磁気
的に連結させる第３の磁性層部分とを有する場合には、
第１の磁性層部分を形成すると同時に、第３の磁性層部
分を形成すると共に薄膜コイル部の端部に設けられたコ
イル端部上に薄膜コイル部の一部をなすコイル接続パタ
ーンを形成する工程と、少なくとも第１の磁性層部分、
第３の磁性層部分およびコイル接続パターンを覆うよう
に絶縁層の前準備層としてのコイル埋設層を形成する工
程と、少なくとも第１の磁性層部分、第３の磁性層部分
およびコイル接続パターンが露出するまでコイル埋設層
の表面を研磨して平坦化させる工程と、研磨後の平坦面
上に、第１の磁性層部分および第３の磁性層部分のそれ
ぞれの露出面と磁気的に連結するように第２の磁性層部
分を形成すると同時にコイル接続パターンの露出面と電
気的に接続するように導電層パターンを形成する工程と
を含むようにしてもよい。
【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層および第２の磁性層のうちの少なく
とも一部の形成材料として、ニッケル鉄合金または窒化
鉄のいずれかを含む材料を用いるようにしてもよいし、
コバルト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコ
ニウムコバルト鉄酸化物合金などのアモルファス合金を
含む材料を用いるようにしてもよい。
では、第１の磁性層および第２の磁性層のうちの少なく
とも一部の形成材料として、ニッケル鉄合金または窒化
鉄のいずれかを含む材料を用いるようにしてもよいし、
コバルト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコ
ニウムコバルト鉄酸化物合金などのアモルファス合金を
含む材料を用いるようにしてもよい。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】［第１の実施の形態］ ＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞まず、図１〜図１２を参
照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の一例について説明する。
照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
の一例について説明する。
【００３８】図１〜図９において、（Ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図１０〜図１２
は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、
図１０は、図３に示した状態に対応し、図１１は図４に
示した状態に対応し、図１２は、図９に示した状態に対
応する。ただし、図１１では、図４における絶縁膜１４
等の図示を省略し、図１２では、図９における絶縁膜１
４，１６，１７，１９，２０、薄膜コイル１５，１８お
よびオーバーコート層２１等の図示を省略している。
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図１０〜図１２
は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、
図１０は、図３に示した状態に対応し、図１１は図４に
示した状態に対応し、図１２は、図９に示した状態に対
応する。ただし、図１１では、図４における絶縁膜１４
等の図示を省略し、図１２では、図９における絶縁膜１
４，１６，１７，１９，２０、薄膜コイル１５，１８お
よびオーバーコート層２１等の図示を省略している。
【００３９】以下の説明では、図１〜図１２の各図中に
おけるＸ軸方向を「幅方向（または左右方向）」、Ｙ軸
方向を「長さ方向」、Ｚ軸方向を「厚み方向（または上
下方向）」として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエ
アベアリング面９０に近い側（または後工程においてエ
アベアリング面９０となる側）を「前側（または前
方）」、その反対側を「後側（または後方）」と表記す
るものとする。
おけるＸ軸方向を「幅方向（または左右方向）」、Ｙ軸
方向を「長さ方向」、Ｚ軸方向を「厚み方向（または上
下方向）」として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエ
アベアリング面９０に近い側（または後工程においてエ
アベアリング面９０となる側）を「前側（または前
方）」、その反対側を「後側（または後方）」と表記す
るものとする。
【００４０】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えばアルミナよりな
る絶縁層２を約３．０〜５．０μｍの厚みで堆積する。
次に、絶縁層２上に、例えば、フォトリソグラフィ処理
およびめっき処理を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を約３．０μｍの厚み
で選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３
を形成する。次に、全体を覆うように、例えばアルミナ
よりなる絶縁膜３００を約４．０〜５．０μｍの厚みで
形成したのち、下部シールド層３が露出するまで絶縁膜
３００の表面を例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法によっ
て研磨して、全体を平坦化する。
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えばアルミナよりな
る絶縁層２を約３．０〜５．０μｍの厚みで堆積する。
次に、絶縁層２上に、例えば、フォトリソグラフィ処理
およびめっき処理を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を約３．０μｍの厚み
で選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３
を形成する。次に、全体を覆うように、例えばアルミナ
よりなる絶縁膜３００を約４．０〜５．０μｍの厚みで
形成したのち、下部シールド層３が露出するまで絶縁膜
３００の表面を例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法によっ
て研磨して、全体を平坦化する。
【００４１】次に、図１に示したように、下部シールド
層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなるシールドギャップ膜４を約１００〜２００ｎ
ｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜４上
に、再生ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するため
のＭＲ膜５を高精度のフォトリソグラフィによって所望
の形状となるように形勢する。次に、ＭＲ膜５の両側
に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上にシール
ドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャッ
プ膜４，６内に埋設する。
層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなるシールドギャップ膜４を約１００〜２００ｎ
ｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜４上
に、再生ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するため
のＭＲ膜５を高精度のフォトリソグラフィによって所望
の形状となるように形勢する。次に、ＭＲ膜５の両側
に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上にシール
ドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャッ
プ膜４，６内に埋設する。
【００４２】次に、図１に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、上部シールド層７を約１．０〜１．５μ
ｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層７の形成
材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合と同
様である。
ップ膜６上に、上部シールド層７を約１．０〜１．５μ
ｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層７の形成
材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合と同
様である。
【００４３】次に、図１に示したように、上部シールド
層７上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなる絶縁膜８を約０．１５〜０．２μｍの厚みで
形成する。次に、絶縁膜８上に、高飽和磁束密度を有す
る磁性材料、例えば窒化鉄（ＦｅＮ）よりなる下部磁極
９を約２．０〜２．５μｍの厚みで選択的に形成する。
下部磁極９の形成は、以下のような手順により行う。す
なわち、まず、絶縁膜８上に、例えばスパッタリングに
より、例えば窒化鉄層を形成する。続いて、所定の形状
および材質を有するマスクを用いて、例えばリアクティ
ブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以下、単
に「ＲＩＥ」という。）によって窒化鉄層をエッチング
してパターニングすることにより、下部磁極９を選択的
に形成する。下部磁極９の表面は、その全域にわたって
ほぼ平坦となる。一般に、ＲＩＥによるエッチング速度
は、イオンミリングによるエッチング速度よりも速い。
このため、窒化鉄層のパターニングを行うためのエッチ
ング方法としてＲＩＥを用いることにより、イオンミリ
ングを用いる場合よりも、下部磁極９の形成を短時間で
行うことができる。なお、上記のエッチング処理を行う
際に必ずしもＲＩＥを用いなければならないものではな
く、イオンミリングを用いるようにしてもよい。ここ
で、上記したマスクの「所定の形状」とは、下部磁極９
の平面形状に対応する形状であり、マスクの「所定の材
質」とは、例えばクロム等の金属材料やフォトレジスト
膜などの非金属材料などである。下部磁極９の形成材料
としては、上記の窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に
高飽和磁束密度を有する磁性材料であるパーマロイ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）やアモルファス合
金を用いるようにしてもよい。このアモルファス合金と
しては、例えば、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）、コバル
ト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）またはジルコニウム
コバルト鉄酸化物合金（ＺｒＣｏＦｅＯ）などを用いる
ことができる。ここで、下部磁極９が、本発明における
「第２の磁性層」の一具体例に対応する。
層７上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなる絶縁膜８を約０．１５〜０．２μｍの厚みで
形成する。次に、絶縁膜８上に、高飽和磁束密度を有す
る磁性材料、例えば窒化鉄（ＦｅＮ）よりなる下部磁極
９を約２．０〜２．５μｍの厚みで選択的に形成する。
下部磁極９の形成は、以下のような手順により行う。す
なわち、まず、絶縁膜８上に、例えばスパッタリングに
より、例えば窒化鉄層を形成する。続いて、所定の形状
および材質を有するマスクを用いて、例えばリアクティ
ブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以下、単
に「ＲＩＥ」という。）によって窒化鉄層をエッチング
してパターニングすることにより、下部磁極９を選択的
に形成する。下部磁極９の表面は、その全域にわたって
ほぼ平坦となる。一般に、ＲＩＥによるエッチング速度
は、イオンミリングによるエッチング速度よりも速い。
このため、窒化鉄層のパターニングを行うためのエッチ
ング方法としてＲＩＥを用いることにより、イオンミリ
ングを用いる場合よりも、下部磁極９の形成を短時間で
行うことができる。なお、上記のエッチング処理を行う
際に必ずしもＲＩＥを用いなければならないものではな
く、イオンミリングを用いるようにしてもよい。ここ
で、上記したマスクの「所定の形状」とは、下部磁極９
の平面形状に対応する形状であり、マスクの「所定の材
質」とは、例えばクロム等の金属材料やフォトレジスト
膜などの非金属材料などである。下部磁極９の形成材料
としては、上記の窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に
高飽和磁束密度を有する磁性材料であるパーマロイ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）やアモルファス合
金を用いるようにしてもよい。このアモルファス合金と
しては、例えば、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）、コバル
ト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）またはジルコニウム
コバルト鉄酸化物合金（ＺｒＣｏＦｅＯ）などを用いる
ことができる。ここで、下部磁極９が、本発明における
「第２の磁性層」の一具体例に対応する。
【００４４】次に、図１に示したように、下部磁極９上
に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例えば
アルミナなどの無機絶縁材料（アルミナ層１０ｐ）を
０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。
に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例えば
アルミナなどの無機絶縁材料（アルミナ層１０ｐ）を
０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。
【００４５】次に、アルミナ層１０ｐの表面に形成した
図示しないマスクを用いて、例えばＲＩＥによるエッチ
ング処理によってアルミナ層１０ｐをパターニングす
る。このエッチング処理により、アルミナ層１０ｐのう
ちの前側の領域が選択的に除去されると共に、後工程に
おいて磁路接続部１３ｂが形成されることとなる領域が
選択的に除去され、図２に示したように、下部磁極９上
に非磁性層パターン１０が選択的に形成される。後工程
において磁路接続部１３ｂが形成されることとなる領域
は、開口部１０ｋとなる。この非磁性層パターン１０
は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる
位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）
を規定するためのものである。非磁性層パターン１０を
形成する際には、例えば、その前端の位置が、ＭＲ膜５
の後端の位置よりも約０．３〜０．８μｍ後退するよう
にする。また、例えば、非磁性層パターン１０の前端縁
部近傍の表面が、下地（下部磁極９）の表面に対して傾
斜するようにする。これは、非磁性層パターン１０の斜
面領域の上方に後工程において形成されることとなる上
部ポールチップ１３ａ内の磁束の流れを円滑にするため
である。
図示しないマスクを用いて、例えばＲＩＥによるエッチ
ング処理によってアルミナ層１０ｐをパターニングす
る。このエッチング処理により、アルミナ層１０ｐのう
ちの前側の領域が選択的に除去されると共に、後工程に
おいて磁路接続部１３ｂが形成されることとなる領域が
選択的に除去され、図２に示したように、下部磁極９上
に非磁性層パターン１０が選択的に形成される。後工程
において磁路接続部１３ｂが形成されることとなる領域
は、開口部１０ｋとなる。この非磁性層パターン１０
は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる
位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）
を規定するためのものである。非磁性層パターン１０を
形成する際には、例えば、その前端の位置が、ＭＲ膜５
の後端の位置よりも約０．３〜０．８μｍ後退するよう
にする。また、例えば、非磁性層パターン１０の前端縁
部近傍の表面が、下地（下部磁極９）の表面に対して傾
斜するようにする。これは、非磁性層パターン１０の斜
面領域の上方に後工程において形成されることとなる上
部ポールチップ１３ａ内の磁束の流れを円滑にするため
である。
【００４６】次に、図２に示したように、ほぼ全体を覆
うように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナなどの非磁性材料よりなる記録ギャップ層１１を約
０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。記録ギャップ
層１１を形成する際には、開口部１０ｋを覆わないよう
にする。記録ギャップ層１１のうち、非磁性層パターン
１０上に形成された平坦な後方領域の表面は、下部磁極
９上に形成された平坦な前方領域の表面よりも非磁性層
パターン１０の厚み分だけ高くなる。以下では、記録ギ
ャップ層１１における前方領域を「下段領域」と呼称
し、一方、後方領域を「上段領域」と呼称する。記録ギ
ャップ層１１における下段領域と上段領域との間には、
段差部分（以下、「第１の段差部分」ともいう。）が形
成される。ここで、非磁性層パターン１０の前端の位置
よりも前方における記録ギャップ層１１の一部が、本発
明における「ギャップ層」の一具体例に対応し、非磁性
層パターン１０およびその前端の位置よりも後方におけ
る記録ギャップ層１１の一部が、本発明における「第１
の非磁性層パターン」の一具体例に対応する。
うように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナなどの非磁性材料よりなる記録ギャップ層１１を約
０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。記録ギャップ
層１１を形成する際には、開口部１０ｋを覆わないよう
にする。記録ギャップ層１１のうち、非磁性層パターン
１０上に形成された平坦な後方領域の表面は、下部磁極
９上に形成された平坦な前方領域の表面よりも非磁性層
パターン１０の厚み分だけ高くなる。以下では、記録ギ
ャップ層１１における前方領域を「下段領域」と呼称
し、一方、後方領域を「上段領域」と呼称する。記録ギ
ャップ層１１における下段領域と上段領域との間には、
段差部分（以下、「第１の段差部分」ともいう。）が形
成される。ここで、非磁性層パターン１０の前端の位置
よりも前方における記録ギャップ層１１の一部が、本発
明における「ギャップ層」の一具体例に対応し、非磁性
層パターン１０およびその前端の位置よりも後方におけ
る記録ギャップ層１１の一部が、本発明における「第１
の非磁性層パターン」の一具体例に対応する。
【００４７】次に、記録ギャップ層１１の上段領域のう
ち、開口部１０ｋよりも前側の領域上の所定の位置に、
高精度のフォトリソグラフィ工程により、非磁性材料、
例えば有機系のフォトレジスト膜を約１．０μｍの厚み
で選択的に形成する。次に、このフォトレジスト膜に対
して、例えば、約２００度〜２５０度の温度で加熱処理
を施す。これにより、フォトレジスト膜の端縁近傍は、
その端縁方向に向かって落ち込むような丸みを帯びた斜
面をなすこととなり、図３および図１０に示したよう
に、フォトレジスト膜よりなる非磁性層パターン１２が
形成される。非磁性層パターン１２の表面は、記録ギャ
ップ層１１の上段領域の表面よりも非磁性層パターン１
２の厚み分だけ高くなる。記録ギャップ層１１の上段領
域と非磁性層パターン１２との間には、段差部分（以
下、「第２の段差部分」ともいう。）が形成される。こ
こで、非磁性層パターン１２を形成する際の「所定の位
置」とは、例えば、非磁性層パターン１２の前端の位置
が、非磁性層パターン１０の前端の位置よりも後退する
ような位置である。非磁性層パターン１０の前端の位置
から非磁性層パターン１２の前端の位置までの距離（ず
れ長さ）は、例えば、約０．３〜０．８μｍが好適であ
る。このような位置に非磁性層パターン１２を配設する
ことにより、後工程において非磁性層パターン１２の前
側の斜面部上に形成されることとなる上部ポールチップ
１３ａの後端部１３ａ(2) から下部磁極９への磁束の伝
搬（磁束の漏れ）を抑制することができると共に、後端
部１３ａ(2) の内部における磁束の流れを円滑にするこ
とができるからである。ここで、非磁性層パターン１２
が、本発明における「第２の非磁性層パターン」の一具
体例に対応する。
ち、開口部１０ｋよりも前側の領域上の所定の位置に、
高精度のフォトリソグラフィ工程により、非磁性材料、
例えば有機系のフォトレジスト膜を約１．０μｍの厚み
で選択的に形成する。次に、このフォトレジスト膜に対
して、例えば、約２００度〜２５０度の温度で加熱処理
を施す。これにより、フォトレジスト膜の端縁近傍は、
その端縁方向に向かって落ち込むような丸みを帯びた斜
面をなすこととなり、図３および図１０に示したよう
に、フォトレジスト膜よりなる非磁性層パターン１２が
形成される。非磁性層パターン１２の表面は、記録ギャ
ップ層１１の上段領域の表面よりも非磁性層パターン１
２の厚み分だけ高くなる。記録ギャップ層１１の上段領
域と非磁性層パターン１２との間には、段差部分（以
下、「第２の段差部分」ともいう。）が形成される。こ
こで、非磁性層パターン１２を形成する際の「所定の位
置」とは、例えば、非磁性層パターン１２の前端の位置
が、非磁性層パターン１０の前端の位置よりも後退する
ような位置である。非磁性層パターン１０の前端の位置
から非磁性層パターン１２の前端の位置までの距離（ず
れ長さ）は、例えば、約０．３〜０．８μｍが好適であ
る。このような位置に非磁性層パターン１２を配設する
ことにより、後工程において非磁性層パターン１２の前
側の斜面部上に形成されることとなる上部ポールチップ
１３ａの後端部１３ａ(2) から下部磁極９への磁束の伝
搬（磁束の漏れ）を抑制することができると共に、後端
部１３ａ(2) の内部における磁束の流れを円滑にするこ
とができるからである。ここで、非磁性層パターン１２
が、本発明における「第２の非磁性層パターン」の一具
体例に対応する。
【００４８】次に、図３および図１０に示したように、
非磁性層パターン１２の前側の斜面上から記録ギャップ
層１１の平坦な下段領域上にかけての領域に、例えばフ
レームめっき法により、上部磁極１３の一部を構成する
こととなる上部ポールチップ１３ａを約２．５〜３．５
μｍの厚みで選択的に形成する。上部ポールチップ１３
ａを形成する際には、同時に、開口部１０ｋに、上部磁
極１３の一部を構成することとなる磁路接続部１３ｂ
（図１０では図示せず）を形成する。上部ポールチップ
１３ａは、例えば、後述する図１７に示したような平面
形状を有するものであり、後工程においてエアベアリン
グ面９０となる側（図３における左側）から順に、記録
媒体上の記録トラック幅を規定するための一定幅を有す
る先端部１３ａ(1) と、先端部１３ａ(1) の幅よりも大
きな幅を有する後端部１３ａ(2) とを含んでいる。上部
ポールチップ１３ａの構造的特徴については、後述す
る。ここで、上部ポールチップ１３ａの先端部１３ａ
(1) が、本発明における「一定幅部分」の一具体例に対
応する。
非磁性層パターン１２の前側の斜面上から記録ギャップ
層１１の平坦な下段領域上にかけての領域に、例えばフ
レームめっき法により、上部磁極１３の一部を構成する
こととなる上部ポールチップ１３ａを約２．５〜３．５
μｍの厚みで選択的に形成する。上部ポールチップ１３
ａを形成する際には、同時に、開口部１０ｋに、上部磁
極１３の一部を構成することとなる磁路接続部１３ｂ
（図１０では図示せず）を形成する。上部ポールチップ
１３ａは、例えば、後述する図１７に示したような平面
形状を有するものであり、後工程においてエアベアリン
グ面９０となる側（図３における左側）から順に、記録
媒体上の記録トラック幅を規定するための一定幅を有す
る先端部１３ａ(1) と、先端部１３ａ(1) の幅よりも大
きな幅を有する後端部１３ａ(2) とを含んでいる。上部
ポールチップ１３ａの構造的特徴については、後述す
る。ここで、上部ポールチップ１３ａの先端部１３ａ
(1) が、本発明における「一定幅部分」の一具体例に対
応する。
【００４９】フレームめっき法によって上部ポールチッ
プ１３ａを形成する際には、まず、下地上に、例えばス
パッタリングにより、電解めっき法におけるシード層と
なる電極膜（図示せず）を約７０ｎｍの厚みに形成す
る。この電極膜は、例えば、高飽和磁束密度を有するパ
ーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）より
なるものである。次に、この電極膜上に、例えばポジテ
ィブ型のフォトレジスト（以下、単に「フォトレジス
ト」という。）を塗布して、フォトレジスト膜（図示せ
ず）を形成する。次に、所定の平面形状パターンを有す
る、例えばクロム等の金属材料よりなるフォトマスク
（図示せず）を用いて、フォトレジスト膜の所定の領域
を選択的に露光する。次に、フォトレジスト膜の露光領
域を現像することにより、フレームめっき法によるめっ
き処理を行う際に用いるフレーム（外枠）、すなわちフ
ォトレジストパターン（図示せず）を形成する。このフ
ォトレジストパターンは、上記の露光領域の形状に対応
した平面形状を有する開口部を備えるものである。
プ１３ａを形成する際には、まず、下地上に、例えばス
パッタリングにより、電解めっき法におけるシード層と
なる電極膜（図示せず）を約７０ｎｍの厚みに形成す
る。この電極膜は、例えば、高飽和磁束密度を有するパ
ーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）より
なるものである。次に、この電極膜上に、例えばポジテ
ィブ型のフォトレジスト（以下、単に「フォトレジス
ト」という。）を塗布して、フォトレジスト膜（図示せ
ず）を形成する。次に、所定の平面形状パターンを有す
る、例えばクロム等の金属材料よりなるフォトマスク
（図示せず）を用いて、フォトレジスト膜の所定の領域
を選択的に露光する。次に、フォトレジスト膜の露光領
域を現像することにより、フレームめっき法によるめっ
き処理を行う際に用いるフレーム（外枠）、すなわちフ
ォトレジストパターン（図示せず）を形成する。このフ
ォトレジストパターンは、上記の露光領域の形状に対応
した平面形状を有する開口部を備えるものである。
【００５０】このとき、フォトレジスト膜に対する選択
的露光は、一度に行うのではなく、後述するように、例
えば、異なる開口部を有する複数種類のフォトマスクを
用いて複数回に分けて行い、しかるのち、露光領域全体
を一度の現像工程により一括して現像するようにするの
が好ましい。特に、本実施の形態では、例えば、互いに
異なる開口部を有する２種類のフォトマスクを用いて、
それぞれのフォトマスクの開口部を通じて同一のフォト
レジスト膜に対して２度の露光処理を施すようにしてい
る。そして、このフォトレジスト膜の露光領域全体を一
括して現像することにより、上部ポールチップ１３ａの
平面形状に対応する開口部を備えたフォトレジストパタ
ーンを形成するようにしている。
的露光は、一度に行うのではなく、後述するように、例
えば、異なる開口部を有する複数種類のフォトマスクを
用いて複数回に分けて行い、しかるのち、露光領域全体
を一度の現像工程により一括して現像するようにするの
が好ましい。特に、本実施の形態では、例えば、互いに
異なる開口部を有する２種類のフォトマスクを用いて、
それぞれのフォトマスクの開口部を通じて同一のフォト
レジスト膜に対して２度の露光処理を施すようにしてい
る。そして、このフォトレジスト膜の露光領域全体を一
括して現像することにより、上部ポールチップ１３ａの
平面形状に対応する開口部を備えたフォトレジストパタ
ーンを形成するようにしている。
【００５１】次に、上記の現像工程によってフォトレジ
ストパターンを形成したのち、先工程において形成した
電極膜をシード層とすると共に、電解めっき法により、
フォトレジストパターンの開口部に、例えば高飽和磁束
密度を有する磁性材料であるパーマロイ（例えば、Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）よりなるめっき膜
を成長させることにより、上部ポールチップ１３ａを形
成する。その後、フォトレジストパターンを除去する。
なお、磁路接続部１３ｂの形成もまた、上部ポールチッ
プ１３ａの場合と同様の形成材料および形成方法を用い
て行う。上部ポールチップ１３ａおよび磁路接続部１３
ｂの形成材料としては、上記のパーマロイ（Ｎｉ：４５
重量％，Ｆｅ：５５重量％）の他、窒化鉄やアモルファ
ス合金（コバルト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金また
はジルコニウムコバルト鉄酸化物合金など）を用いるよ
うにしてもよい。
ストパターンを形成したのち、先工程において形成した
電極膜をシード層とすると共に、電解めっき法により、
フォトレジストパターンの開口部に、例えば高飽和磁束
密度を有する磁性材料であるパーマロイ（例えば、Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）よりなるめっき膜
を成長させることにより、上部ポールチップ１３ａを形
成する。その後、フォトレジストパターンを除去する。
なお、磁路接続部１３ｂの形成もまた、上部ポールチッ
プ１３ａの場合と同様の形成材料および形成方法を用い
て行う。上部ポールチップ１３ａおよび磁路接続部１３
ｂの形成材料としては、上記のパーマロイ（Ｎｉ：４５
重量％，Ｆｅ：５５重量％）の他、窒化鉄やアモルファ
ス合金（コバルト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金また
はジルコニウムコバルト鉄酸化物合金など）を用いるよ
うにしてもよい。
【００５２】次に、図４および図１１に示したように、
上部ポールチップ１３ａをマスクとして、例えばＲＩＥ
により、全体に約０．３〜０．４μｍエッチングする。
このエッチング処理により、非磁性層パターン１０の前
端の位置よりも前方の領域における記録ギャップ層１１
および下部磁極９のそれぞれの一部が選択的に除去さ
れ、掘り下げられる。上記のエッチング処理を行う際に
は、エッチング条件を調整して、非磁性層パターン１２
のうち、上部ポールチップ１３ａの配設領域以外の部分
も選択的に除去されるようにする。このエッチング処理
により、トリム構造を有する磁極部分１００が形成され
る。この磁極部分１００は、上部ポールチップ１３ａの
先端部１３ａ(1) と、下部磁極９のうちの先端部１３ａ
(1) に対応する部分と、双方の部位により挟まれた記録
ギャップ層１１の一部とによって構成され、これらの各
部位は互いにほぼ同一の幅を有している。ＲＩＥを用い
ることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、記
録ギャップ層１１および下部磁極９に対するエッチング
処理を短時間で行うことができる。特に、記録ギャップ
層１１および下部磁極９をＲＩＥによりエッチングする
際には、例えば、塩素および二塩化ボロンのうちの少な
くとも一方を含むエッチングガスを用いると共に、加工
温度を１００度〜２００度の範囲内となるように調整す
るのが好適である。このような条件下において、下部磁
極９に対するエッチング処理の化学反応が促進され、エ
ッチング処理をより短時間で行うことができるからであ
る。
上部ポールチップ１３ａをマスクとして、例えばＲＩＥ
により、全体に約０．３〜０．４μｍエッチングする。
このエッチング処理により、非磁性層パターン１０の前
端の位置よりも前方の領域における記録ギャップ層１１
および下部磁極９のそれぞれの一部が選択的に除去さ
れ、掘り下げられる。上記のエッチング処理を行う際に
は、エッチング条件を調整して、非磁性層パターン１２
のうち、上部ポールチップ１３ａの配設領域以外の部分
も選択的に除去されるようにする。このエッチング処理
により、トリム構造を有する磁極部分１００が形成され
る。この磁極部分１００は、上部ポールチップ１３ａの
先端部１３ａ(1) と、下部磁極９のうちの先端部１３ａ
(1) に対応する部分と、双方の部位により挟まれた記録
ギャップ層１１の一部とによって構成され、これらの各
部位は互いにほぼ同一の幅を有している。ＲＩＥを用い
ることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、記
録ギャップ層１１および下部磁極９に対するエッチング
処理を短時間で行うことができる。特に、記録ギャップ
層１１および下部磁極９をＲＩＥによりエッチングする
際には、例えば、塩素および二塩化ボロンのうちの少な
くとも一方を含むエッチングガスを用いると共に、加工
温度を１００度〜２００度の範囲内となるように調整す
るのが好適である。このような条件下において、下部磁
極９に対するエッチング処理の化学反応が促進され、エ
ッチング処理をより短時間で行うことができるからであ
る。
【００５３】次に、図４に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなる絶縁膜１４を約０．３〜０．５μｍの厚みで形成
する。
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなる絶縁膜１４を約０．３〜０．５μｍの厚みで形成
する。
【００５４】次に、図５に示したように、上部ポールチ
ップ１３ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１
３ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１４上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１５
を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。こ
の薄膜コイル１５は、例えば、後述する図１７に示した
ような渦巻状の平面構造を有するものである。薄膜コイ
ル１５を形成する際には、同時に、例えば、その内側の
終端部における絶縁膜１４上に、コイル接続部１５ｓを
薄膜コイル１５と一体に形成する。このコイル接続部１
５ｓは、薄膜コイル１５と後工程において形成されるコ
イル接続部１８ｓａ（図７（Ａ）参照）とを電気的に接
続させるためのものである。
ップ１３ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１
３ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１４上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１５
を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。こ
の薄膜コイル１５は、例えば、後述する図１７に示した
ような渦巻状の平面構造を有するものである。薄膜コイ
ル１５を形成する際には、同時に、例えば、その内側の
終端部における絶縁膜１４上に、コイル接続部１５ｓを
薄膜コイル１５と一体に形成する。このコイル接続部１
５ｓは、薄膜コイル１５と後工程において形成されるコ
イル接続部１８ｓａ（図７（Ａ）参照）とを電気的に接
続させるためのものである。
【００５５】次に、図５に示したように、薄膜コイル１
５（コイル接続部１５ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺領域に、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォト
レジストなどの有機絶縁材料を高精度のフォトリソグラ
フィ処理により所定のパターンとなるように形成する。
次に、このフォトレジストに対して、例えば２００度〜
２５０度の範囲内における温度で加熱処理を施す。これ
により、フォトレジストが流動して薄膜コイル１５の各
巻線間を隙間なく埋めつくし、薄膜コイル１５の各巻線
間を絶縁化するための絶縁膜１６が形成される。絶縁膜
１６を形成する際には、絶縁膜１６が薄膜コイル１５お
よびコイル接続部１５ｓの双方の上面を覆わないように
してもよいし（図５参照）、覆うようにしてもよい。
５（コイル接続部１５ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺領域に、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォト
レジストなどの有機絶縁材料を高精度のフォトリソグラ
フィ処理により所定のパターンとなるように形成する。
次に、このフォトレジストに対して、例えば２００度〜
２５０度の範囲内における温度で加熱処理を施す。これ
により、フォトレジストが流動して薄膜コイル１５の各
巻線間を隙間なく埋めつくし、薄膜コイル１５の各巻線
間を絶縁化するための絶縁膜１６が形成される。絶縁膜
１６を形成する際には、絶縁膜１６が薄膜コイル１５お
よびコイル接続部１５ｓの双方の上面を覆わないように
してもよいし（図５参照）、覆うようにしてもよい。
【００５６】次に、図５に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
１７ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、上部
ポールチップ１３ａ、磁路接続部１３ｂ、薄膜コイル１
５およびコイル接続部１５ｓ等によって構成された凹凸
構造領域を埋設する。
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
１７ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、上部
ポールチップ１３ａ、磁路接続部１３ｂ、薄膜コイル１
５およびコイル接続部１５ｓ等によって構成された凹凸
構造領域を埋設する。
【００５７】次に、例えばＣＭＰ法によりアルミナ層１
７ｐの表面全体を研磨し、平坦化する。これにより、図
６に示したように、薄膜コイル１５および絶縁膜１６等
を埋設する絶縁膜１７が形成される。このときの研磨処
理は、少なくとも上部ポールチップ１３ａおよび磁路接
続部１３ｂが露出するまで行う。アルミナ層１７ｐの表
面研磨を行う際には、例えば、研磨後の上部ポールチッ
プ１３ａの厚みが約１．５〜２．５μｍになるようにす
る。絶縁膜１７の形成材料としてアルミナなどの無機絶
縁材料を用いることにより、フォトレジストなどの軟絶
縁材料を用いる場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面
が目詰まりを起こすことを防止できると共に、研磨後の
表面を平滑に形成することができる。
７ｐの表面全体を研磨し、平坦化する。これにより、図
６に示したように、薄膜コイル１５および絶縁膜１６等
を埋設する絶縁膜１７が形成される。このときの研磨処
理は、少なくとも上部ポールチップ１３ａおよび磁路接
続部１３ｂが露出するまで行う。アルミナ層１７ｐの表
面研磨を行う際には、例えば、研磨後の上部ポールチッ
プ１３ａの厚みが約１．５〜２．５μｍになるようにす
る。絶縁膜１７の形成材料としてアルミナなどの無機絶
縁材料を用いることにより、フォトレジストなどの軟絶
縁材料を用いる場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面
が目詰まりを起こすことを防止できると共に、研磨後の
表面を平滑に形成することができる。
【００５８】次に、図６に示したように、例えばＲＩＥ
またはイオンミリングにより、コイル接続部１５ｓの上
方を覆っている絶縁膜１７の一部を部分的にエッチング
して除去し、コイル接続部１５ｓと後工程において形成
されるコイル接続部１８ｓａ（図７（Ａ）参照）とを接
続させるための開口部１７ｋを形成する。
またはイオンミリングにより、コイル接続部１５ｓの上
方を覆っている絶縁膜１７の一部を部分的にエッチング
して除去し、コイル接続部１５ｓと後工程において形成
されるコイル接続部１８ｓａ（図７（Ａ）参照）とを接
続させるための開口部１７ｋを形成する。
【００５９】次に、図７に示したように、薄膜コイル１
５の上方における平坦化された絶縁膜１７上に、第１層
目の薄膜コイル１５を形成した場合と同様の工程の電解
めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる第２層目の
薄膜コイル１８を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的
に形成する。この薄膜コイル１８は、薄膜コイル１５と
ほぼ同様の平面構造を有するものである。薄膜コイル１
８を形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端
部におけるコイル接続部１５ｓ上にコイル接続部１８ｓ
ａを薄膜コイル１８と一体に形成すると共に、外側の終
端部における絶縁膜１７上に配線接続部１８ｓｂを薄膜
コイル１８と一体に形成する。薄膜コイル１５と薄膜コ
イル１８とは、開口部１７ｋにおいて、コイル接続部１
５ｓ，１８ｓａを介して電気的に接続される。ここで、
配線接続部１８ｓｂが、本発明における「コイル端部」
の一具体例に対応する。
５の上方における平坦化された絶縁膜１７上に、第１層
目の薄膜コイル１５を形成した場合と同様の工程の電解
めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる第２層目の
薄膜コイル１８を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的
に形成する。この薄膜コイル１８は、薄膜コイル１５と
ほぼ同様の平面構造を有するものである。薄膜コイル１
８を形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端
部におけるコイル接続部１５ｓ上にコイル接続部１８ｓ
ａを薄膜コイル１８と一体に形成すると共に、外側の終
端部における絶縁膜１７上に配線接続部１８ｓｂを薄膜
コイル１８と一体に形成する。薄膜コイル１５と薄膜コ
イル１８とは、開口部１７ｋにおいて、コイル接続部１
５ｓ，１８ｓａを介して電気的に接続される。ここで、
配線接続部１８ｓｂが、本発明における「コイル端部」
の一具体例に対応する。
【００６０】次に、図７に示したように、薄膜コイル１
８（コイル接続部１８ｓａおよび配線接続部１８ｓｂを
含む）の各巻線間およびその周辺領域に、絶縁膜１６の
場合と同様の材料および形成方法を用いて絶縁膜１９を
選択的に形成する。なお、絶縁膜１９を形成する場合に
は、絶縁膜１９が、薄膜コイル１８およびコイル接続部
１８ｓａのそれぞれの上面を覆わないようにしてもよい
し（図７参照）、覆うようにしてもよい。ただし、配線
接続部１８ｓｂの上方には、後工程において、この配線
接続部１８ｓｂと接触して電気的に接続するための中間
接続パターン１３ｅが配設されることとなるため、配線
接続部１８ｓｂの表面は絶縁膜１９によって覆われない
ようにするのが好ましい。
８（コイル接続部１８ｓａおよび配線接続部１８ｓｂを
含む）の各巻線間およびその周辺領域に、絶縁膜１６の
場合と同様の材料および形成方法を用いて絶縁膜１９を
選択的に形成する。なお、絶縁膜１９を形成する場合に
は、絶縁膜１９が、薄膜コイル１８およびコイル接続部
１８ｓａのそれぞれの上面を覆わないようにしてもよい
し（図７参照）、覆うようにしてもよい。ただし、配線
接続部１８ｓｂの上方には、後工程において、この配線
接続部１８ｓｂと接触して電気的に接続するための中間
接続パターン１３ｅが配設されることとなるため、配線
接続部１８ｓｂの表面は絶縁膜１９によって覆われない
ようにするのが好ましい。
【００６１】次に、図７に示したように、上部ポールチ
ップ１３ａにおける後端部１３ａ(2) の上方の平坦面上
に、例えば、下部磁極９等の場合とほぼ同様の形成材料
および形成方法を用いて、上部磁極１３の一部を構成す
ることとなる中間接続部１３ｃを約２．０〜３．０μｍ
の厚みで選択的に形成する。この中間接続部１３ｃは、
例えば、後述する図１７に示したような平面形状を有す
るものである。中間接続部１３ｃは、上部ポールチップ
１３ａにおける後端部１３ａ(2) と部分的にオーバーラ
ップして接触し、両者は磁気的に連結される。
ップ１３ａにおける後端部１３ａ(2) の上方の平坦面上
に、例えば、下部磁極９等の場合とほぼ同様の形成材料
および形成方法を用いて、上部磁極１３の一部を構成す
ることとなる中間接続部１３ｃを約２．０〜３．０μｍ
の厚みで選択的に形成する。この中間接続部１３ｃは、
例えば、後述する図１７に示したような平面形状を有す
るものである。中間接続部１３ｃは、上部ポールチップ
１３ａにおける後端部１３ａ(2) と部分的にオーバーラ
ップして接触し、両者は磁気的に連結される。
【００６２】中間接続部１３ｃを形成する際には、同時
に、磁路接続部１３ｂ上に、上部磁極１３の一部を構成
することとなる磁路接続部１３ｄを形成すると共に、配
線接続部１８ｓｂ上に中間接続パターン１３ｅを形成す
る。このとき、薄膜コイル１８は絶縁膜１９によって覆
われているので、中間接続部１３ｃ等の形成時における
エッチング処理等の影響による薄膜コイル１８の損傷が
回避される。中間接続パターン１３ｅは、薄膜コイル１
５，１８と後工程において形成されるコイル接続配線１
３ｆｈ（図９（Ａ）参照）とを電気的に接続させるため
のものである。磁路接続部１３ｄおよび中間接続パター
ン１３ｅの形成材料および形成方法等は、中間接続部１
３ｃの場合とほぼ同様である。なお、中間接続部１３ｃ
を形成する際には、例えば、その前端の位置が、非磁性
層パターン１２の前端の位置とほぼ一致するようにす
る。また、例えば、中間接続部１３ｃの前側の端縁部の
表面が、下地の平坦面に対して傾斜するようにする。こ
こで、上部ポールチップ１３ａおよび中間接続部１３ｃ
が、本発明における「第１の磁性層部分」の一具体例に
対応し、磁路接続部１３ｂ，１３ｄが、本発明における
「第３の磁性層部分」の一具体例に対応する。また、中
間接続パターン１３ｅが、本発明における「コイル接続
パターン」の一具体例に対応し、薄膜コイル１５，１
８、コイル接続部１５ｓ，１８ｓａ、配線接続部１８ｓ
ｂおよび中間接続パターン１３ｅが、本発明における
「薄膜コイル部」の一具体例に対応する。
に、磁路接続部１３ｂ上に、上部磁極１３の一部を構成
することとなる磁路接続部１３ｄを形成すると共に、配
線接続部１８ｓｂ上に中間接続パターン１３ｅを形成す
る。このとき、薄膜コイル１８は絶縁膜１９によって覆
われているので、中間接続部１３ｃ等の形成時における
エッチング処理等の影響による薄膜コイル１８の損傷が
回避される。中間接続パターン１３ｅは、薄膜コイル１
５，１８と後工程において形成されるコイル接続配線１
３ｆｈ（図９（Ａ）参照）とを電気的に接続させるため
のものである。磁路接続部１３ｄおよび中間接続パター
ン１３ｅの形成材料および形成方法等は、中間接続部１
３ｃの場合とほぼ同様である。なお、中間接続部１３ｃ
を形成する際には、例えば、その前端の位置が、非磁性
層パターン１２の前端の位置とほぼ一致するようにす
る。また、例えば、中間接続部１３ｃの前側の端縁部の
表面が、下地の平坦面に対して傾斜するようにする。こ
こで、上部ポールチップ１３ａおよび中間接続部１３ｃ
が、本発明における「第１の磁性層部分」の一具体例に
対応し、磁路接続部１３ｂ，１３ｄが、本発明における
「第３の磁性層部分」の一具体例に対応する。また、中
間接続パターン１３ｅが、本発明における「コイル接続
パターン」の一具体例に対応し、薄膜コイル１５，１
８、コイル接続部１５ｓ，１８ｓａ、配線接続部１８ｓ
ｂおよび中間接続パターン１３ｅが、本発明における
「薄膜コイル部」の一具体例に対応する。
【００６３】次に、図７に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
２０ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、中間
接続部１３ｃ、磁路接続部１３ｄ、中間接続パターン１
３ｅおよび薄膜コイル１８等によって構成された凹凸領
域を埋設する。ここで、絶縁膜１４，１６，１７，１９
およびアルミナ層２０ｐが、本発明における「コイル埋
設層」の一具体例に対応する。
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
２０ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、中間
接続部１３ｃ、磁路接続部１３ｄ、中間接続パターン１
３ｅおよび薄膜コイル１８等によって構成された凹凸領
域を埋設する。ここで、絶縁膜１４，１６，１７，１９
およびアルミナ層２０ｐが、本発明における「コイル埋
設層」の一具体例に対応する。
【００６４】次に、例えばＣＭＰ法により、アルミナ層
２０ｐの表面全体を研磨して平坦化することにより、図
８に示したように、薄膜コイル１８等を埋設する絶縁膜
２０を形成する。このときの研磨処理は、少なくとも中
間接続部１３ｃ、磁路接続部１３ｄおよび中間接続パタ
ーン１３ｅが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１４，
１６，１７，１９，２０が、本発明における「絶縁層」
の一具体例に対応する。
２０ｐの表面全体を研磨して平坦化することにより、図
８に示したように、薄膜コイル１８等を埋設する絶縁膜
２０を形成する。このときの研磨処理は、少なくとも中
間接続部１３ｃ、磁路接続部１３ｄおよび中間接続パタ
ーン１３ｅが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１４，
１６，１７，１９，２０が、本発明における「絶縁層」
の一具体例に対応する。
【００６５】次に、図９に示したように、平坦化された
領域のうち、磁路接続部１３ｄ上から中間接続部１３ｃ
上にかけての領域に、上部磁極１３の一部を構成するこ
ととなる上部ヨーク１３ｆを約２．０〜３．０μｍの厚
みで選択的に形成する。上部ヨーク１３ｆを形成する際
には、同時に、中間接続パターン１３ｅ上から図示しな
い外部回路にかけての領域にコイル接続配線１３ｆｈを
形成する。このコイル接続配線１３ｆｈは、中間接続パ
ターン１３ｅと図示しない外部回路とを電気的に接続さ
せるためのものである。上部ヨーク１３ｆおよびコイル
接続配線１３ｆｈの形成方法としては、例えば、上記し
た下部磁極９を形成した場合と同様の形成手法を用いる
ようにする。すなわち、高飽和磁束密度を有する磁性材
料、例えば窒化鉄層を形成したのち、この窒化鉄層をＲ
ＩＥによるエッチング処理によってパターニングする。
なお、上部ヨーク１３ｆおよびコイル接続配線１３ｆｈ
の形成材料としては、上記した下部磁極９の場合と同様
に、窒化鉄の他、パーマロイやアモルファス合金（コバ
ルト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウ
ムコバルト鉄酸化物合金）などを用いるようにしてもよ
い。
領域のうち、磁路接続部１３ｄ上から中間接続部１３ｃ
上にかけての領域に、上部磁極１３の一部を構成するこ
ととなる上部ヨーク１３ｆを約２．０〜３．０μｍの厚
みで選択的に形成する。上部ヨーク１３ｆを形成する際
には、同時に、中間接続パターン１３ｅ上から図示しな
い外部回路にかけての領域にコイル接続配線１３ｆｈを
形成する。このコイル接続配線１３ｆｈは、中間接続パ
ターン１３ｅと図示しない外部回路とを電気的に接続さ
せるためのものである。上部ヨーク１３ｆおよびコイル
接続配線１３ｆｈの形成方法としては、例えば、上記し
た下部磁極９を形成した場合と同様の形成手法を用いる
ようにする。すなわち、高飽和磁束密度を有する磁性材
料、例えば窒化鉄層を形成したのち、この窒化鉄層をＲ
ＩＥによるエッチング処理によってパターニングする。
なお、上部ヨーク１３ｆおよびコイル接続配線１３ｆｈ
の形成材料としては、上記した下部磁極９の場合と同様
に、窒化鉄の他、パーマロイやアモルファス合金（コバ
ルト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウ
ムコバルト鉄酸化物合金）などを用いるようにしてもよ
い。
【００６６】この上部ヨーク１３ｆは、例えば、後述す
る図１７に示したような平面形状を有するものであり、
薄膜コイル１５，１８の上方領域に延在するヨーク部１
３ｆ(1) と、ヨーク部１３ｆ(1) の前方において中間接
続部１３ｃと部分的にオーバーラップするように延在す
る接続部１３ｆ(2) とを含んでいる。上部ヨーク１３ｆ
の構造的特徴については、後述する。上部ヨーク１３ｆ
は、その後方部分において、開口部１０ｋを通じて磁路
接続部１３ｂ，１３ｄを介して下部磁極９と磁気的に連
結されると共に、その前方部分において、中間接続部１
３ｃを介して上部ポールチップ１３ａとも磁気的に連結
される。平坦な下地上に上部ヨーク１３ｆを配設するこ
とにより、上部ヨーク１３ｆの表面は平坦になる。
る図１７に示したような平面形状を有するものであり、
薄膜コイル１５，１８の上方領域に延在するヨーク部１
３ｆ(1) と、ヨーク部１３ｆ(1) の前方において中間接
続部１３ｃと部分的にオーバーラップするように延在す
る接続部１３ｆ(2) とを含んでいる。上部ヨーク１３ｆ
の構造的特徴については、後述する。上部ヨーク１３ｆ
は、その後方部分において、開口部１０ｋを通じて磁路
接続部１３ｂ，１３ｄを介して下部磁極９と磁気的に連
結されると共に、その前方部分において、中間接続部１
３ｃを介して上部ポールチップ１３ａとも磁気的に連結
される。平坦な下地上に上部ヨーク１３ｆを配設するこ
とにより、上部ヨーク１３ｆの表面は平坦になる。
【００６７】上部ヨーク１３ｆを形成する際には、例え
ば、その前端の位置が、中間接続部１３ｃの前側の端縁
面における上端の位置よりも後退するようにすると共
に、その後端の位置が、磁路接続部１３ｂ，１３ｄの後
端の位置とほぼ一致するようにする。このときの接続部
１３ｆ(2) 周辺における立体的構造は、図１２に示した
ようになる。ここで、上部ヨーク１３ｆが、本発明にお
ける「第２の磁性層部分」の一具体例に対応し、コイル
接続配線１３ｆｈが、本発明における「導電層パター
ン」の一具体例に対応する。また、上部ポールチップ１
３ａ、磁路接続部１３ｂ，１３ｄ、中間接続部１３ｃお
よび上部ヨーク１３ｆによって構成される上部磁極１３
が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応
する。
ば、その前端の位置が、中間接続部１３ｃの前側の端縁
面における上端の位置よりも後退するようにすると共
に、その後端の位置が、磁路接続部１３ｂ，１３ｄの後
端の位置とほぼ一致するようにする。このときの接続部
１３ｆ(2) 周辺における立体的構造は、図１２に示した
ようになる。ここで、上部ヨーク１３ｆが、本発明にお
ける「第２の磁性層部分」の一具体例に対応し、コイル
接続配線１３ｆｈが、本発明における「導電層パター
ン」の一具体例に対応する。また、上部ポールチップ１
３ａ、磁路接続部１３ｂ，１３ｄ、中間接続部１３ｃお
よび上部ヨーク１３ｆによって構成される上部磁極１３
が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応
する。
【００６８】次に、図９に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層２１を約２０〜４０μｍの厚み
で形成する。最後に、機械加工や研磨工程により記録ヘ
ッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面９０を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層２１を約２０〜４０μｍの厚み
で形成する。最後に、機械加工や研磨工程により記録ヘ
ッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面９０を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上記したように、特に、同一のフォトレジス
ト膜に対して、２種類のフォトマスクを用いて２度露光
を行うことにより、上部ポールチップ１３ａの形成に用
いるフォトレジストパターンを形成するようにしてい
る。このような手法で形成したフォトレジストパターン
を用いることにより、特に、上部ポールチップ１３ａの
先端部１３ａ(1) を高精度に形成することができる。以
下では、まず、図１３および図１４を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴の１つで
ある上部ポールチップ１３ａの形成方法と、その形成方
法に関する作用および効果について詳細に説明する。な
お、両図におけるＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの
表記については、図１〜図１２の場合と同様とする。
方法では、上記したように、特に、同一のフォトレジス
ト膜に対して、２種類のフォトマスクを用いて２度露光
を行うことにより、上部ポールチップ１３ａの形成に用
いるフォトレジストパターンを形成するようにしてい
る。このような手法で形成したフォトレジストパターン
を用いることにより、特に、上部ポールチップ１３ａの
先端部１３ａ(1) を高精度に形成することができる。以
下では、まず、図１３および図１４を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴の１つで
ある上部ポールチップ１３ａの形成方法と、その形成方
法に関する作用および効果について詳細に説明する。な
お、両図におけるＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの
表記については、図１〜図１２の場合と同様とする。
【００７０】図１３において、（Ａ）は、第１の露光工
程において使用する第１のフォトマスク３１の平面形状
を表し、（Ｂ）は、第１の露光工程において露光される
フォトレジスト膜１３１の領域（第１の露光領域１３１
ｙ）の平面形状を表すものである。（Ｃ）は、第２の露
光工程において使用する第２のフォトマスク３２の平面
形状を表し、（Ｄ）は、第２の露光工程において露光さ
れるフォトレジスト膜１３１の領域（第２の露光領域１
３２ｙ）の平面形状を表すものである。図１４におい
て、（Ａ）は、図１３（Ｄ）に示したフォトレジスト膜
１３１の露光領域全体（合成露光領域１３３ｙ）を現像
することにより得られるフォトレジストパターン１３３
の平面形状を表すものであり、（Ｂ）は、フォトレジス
トパターン１３３を用いて形成された上部ポールチップ
１３ａの平面形状を表すものである。
程において使用する第１のフォトマスク３１の平面形状
を表し、（Ｂ）は、第１の露光工程において露光される
フォトレジスト膜１３１の領域（第１の露光領域１３１
ｙ）の平面形状を表すものである。（Ｃ）は、第２の露
光工程において使用する第２のフォトマスク３２の平面
形状を表し、（Ｄ）は、第２の露光工程において露光さ
れるフォトレジスト膜１３１の領域（第２の露光領域１
３２ｙ）の平面形状を表すものである。図１４におい
て、（Ａ）は、図１３（Ｄ）に示したフォトレジスト膜
１３１の露光領域全体（合成露光領域１３３ｙ）を現像
することにより得られるフォトレジストパターン１３３
の平面形状を表すものであり、（Ｂ）は、フォトレジス
トパターン１３３を用いて形成された上部ポールチップ
１３ａの平面形状を表すものである。
【００７１】図１３（Ａ）に示した第１のフォトマスク
３１は、例えば、Ｔ字型の平面形状を有する開口部３１
ｘを備えている。この開口部３１ｘは、上部ポールチッ
プ１３ａ（図１７参照）のうちの先端部１３ａ(1) に対
応する平面形状よりも長い一定幅部分と、その後側を占
めるより大きい幅の部分とを含んでいる。この一定幅部
分の幅は、最終的に形成される上部ポールチップ１３ａ
の先端部１３ａ(1) の幅Ｗ１とほぼ同様である。図１３
（Ｂ）に示したように、第１の露光工程では、フォトレ
ジスト膜１３１上の所定の位置に第１のフォトマスク３
１を配設して、第１のフォトマスク３１の開口部３１ｘ
を通じてフォトレジスト膜１３１の所定の領域を選択的
に露光する。
３１は、例えば、Ｔ字型の平面形状を有する開口部３１
ｘを備えている。この開口部３１ｘは、上部ポールチッ
プ１３ａ（図１７参照）のうちの先端部１３ａ(1) に対
応する平面形状よりも長い一定幅部分と、その後側を占
めるより大きい幅の部分とを含んでいる。この一定幅部
分の幅は、最終的に形成される上部ポールチップ１３ａ
の先端部１３ａ(1) の幅Ｗ１とほぼ同様である。図１３
（Ｂ）に示したように、第１の露光工程では、フォトレ
ジスト膜１３１上の所定の位置に第１のフォトマスク３
１を配設して、第１のフォトマスク３１の開口部３１ｘ
を通じてフォトレジスト膜１３１の所定の領域を選択的
に露光する。
【００７２】ここで、第１のフォトマスク３１を配設す
る際のフォトレジスト膜１３１上の「所定の位置」と
は、後工程において上部ポールチップ１３ａの先端部１
３ａ(1) が形成される位置に対応する位置である。第１
のフォトマスク３１を配設する際には、開口部３１ｘの
後端が、「位置Ｐ２（非磁性層パターン１２の前端の位
置；図９、図１２および図１７参照）」よりも前側に位
置するように、フォトレジスト膜１３１に対して位置合
わせを行うようにする。具体的には、上部ポールチップ
１３ａの先端部１３ａ(1) の全体が、記録ギャップ層１
１の下段領域上に形成されることとなるように、フォト
レジスト膜１３１のうち、記録ギャップ層１１の下段領
域から上段領域にかけての第１の段差部分を含む領域に
開口部３１ｘを位置合わせして、第１の露光工程を行
う。
る際のフォトレジスト膜１３１上の「所定の位置」と
は、後工程において上部ポールチップ１３ａの先端部１
３ａ(1) が形成される位置に対応する位置である。第１
のフォトマスク３１を配設する際には、開口部３１ｘの
後端が、「位置Ｐ２（非磁性層パターン１２の前端の位
置；図９、図１２および図１７参照）」よりも前側に位
置するように、フォトレジスト膜１３１に対して位置合
わせを行うようにする。具体的には、上部ポールチップ
１３ａの先端部１３ａ(1) の全体が、記録ギャップ層１
１の下段領域上に形成されることとなるように、フォト
レジスト膜１３１のうち、記録ギャップ層１１の下段領
域から上段領域にかけての第１の段差部分を含む領域に
開口部３１ｘを位置合わせして、第１の露光工程を行
う。
【００７３】この第１の露光工程により、フォトレジス
ト膜１３１に第１の露光領域１３１ｙが形成される（図
１３（Ｂ）参照）。第１の露光領域１３１ｙは、上部ポ
ールチップ１３ａの先端部１３ａ(1) に対応する領域よ
りも後方に長く延びた領域であるが、その後端が位置Ｐ
２に差しかからないようになされている。このように、
本実施の形態では、フォトレジスト膜１３１のうち、非
磁性層パターン１２の配設領域よりも前方における記録
ギャップ層１１上に形成された部分のみにおいて第１の
露光工程を行うことにより、以下のような理由により、
露光領域の拡大を抑制することができる。
ト膜１３１に第１の露光領域１３１ｙが形成される（図
１３（Ｂ）参照）。第１の露光領域１３１ｙは、上部ポ
ールチップ１３ａの先端部１３ａ(1) に対応する領域よ
りも後方に長く延びた領域であるが、その後端が位置Ｐ
２に差しかからないようになされている。このように、
本実施の形態では、フォトレジスト膜１３１のうち、非
磁性層パターン１２の配設領域よりも前方における記録
ギャップ層１１上に形成された部分のみにおいて第１の
露光工程を行うことにより、以下のような理由により、
露光領域の拡大を抑制することができる。
【００７４】すなわち、図２において説明したように第
１の段差部分における記録ギャップ層１１の上段領域の
表面と下段領域の表面との間の高低差は、非磁性層パタ
ーン１０の厚みに相当する約０．５〜１．０μｍである
のに対して、第２の段差部分における非磁性層パターン
１２の表面と記録ギャップ層１１の上段領域の表面との
間の高低差は、非磁性層パターン１２の厚みに相応する
約１．０μｍである。すなわち、第２の段差部分には、
第１の段差部分よりも大きな高低差が生じている。ま
た、第２の段差部分では、非磁性層パターン１２の前側
全体が斜面をなしているのに対して、第１の段差部分で
は、非磁性層パターン１０の前側の一部の表面のみが斜
面をなしている。すなわち、第２の段差部分において斜
面領域が占める割合に対して、第１の段差部分において
斜面領域が占める割合は小さい。一般に、斜面部を含む
下地上において露光工程を行う場合には、斜面部から横
方向または斜め方向に反射する反射光が多数生じる。こ
のような場合には、反射光の影響により、フォトレジス
ト膜１３１のうちの本来の露光領域以外の部分も露光さ
れ、露光領域が拡大してしまう。このような傾向は、段
差部分の高低差が大きく、かつその段差部分における斜
面領域の占める割合が大きくなるほど顕著となる。本実
施の形態では、第２の段差部分を含まずに、第１の段差
部分のみを含む下地上において第１の露光工程を行うよ
うにしているので、第２の段差部分を含む下地上におい
て第１の露光工程を行う場合よりも露光領域の拡大傾向
が抑制される。ここで、第１の露光領域１３１ｙが、本
発明における「第１の領域」の一具体例に対応する。
１の段差部分における記録ギャップ層１１の上段領域の
表面と下段領域の表面との間の高低差は、非磁性層パタ
ーン１０の厚みに相当する約０．５〜１．０μｍである
のに対して、第２の段差部分における非磁性層パターン
１２の表面と記録ギャップ層１１の上段領域の表面との
間の高低差は、非磁性層パターン１２の厚みに相応する
約１．０μｍである。すなわち、第２の段差部分には、
第１の段差部分よりも大きな高低差が生じている。ま
た、第２の段差部分では、非磁性層パターン１２の前側
全体が斜面をなしているのに対して、第１の段差部分で
は、非磁性層パターン１０の前側の一部の表面のみが斜
面をなしている。すなわち、第２の段差部分において斜
面領域が占める割合に対して、第１の段差部分において
斜面領域が占める割合は小さい。一般に、斜面部を含む
下地上において露光工程を行う場合には、斜面部から横
方向または斜め方向に反射する反射光が多数生じる。こ
のような場合には、反射光の影響により、フォトレジス
ト膜１３１のうちの本来の露光領域以外の部分も露光さ
れ、露光領域が拡大してしまう。このような傾向は、段
差部分の高低差が大きく、かつその段差部分における斜
面領域の占める割合が大きくなるほど顕著となる。本実
施の形態では、第２の段差部分を含まずに、第１の段差
部分のみを含む下地上において第１の露光工程を行うよ
うにしているので、第２の段差部分を含む下地上におい
て第１の露光工程を行う場合よりも露光領域の拡大傾向
が抑制される。ここで、第１の露光領域１３１ｙが、本
発明における「第１の領域」の一具体例に対応する。
【００７５】また、本実施の形態では、下地の高さの差
に基づくデフォーカス（焦点ずれ）による悪影響を回避
することもできる。すなわち、例えば、平坦部と斜面部
とでは、自ずから、露光時における最良の合焦位置が異
なるので、両者を一括して露光すると、平坦部と斜面部
のいずれかまたは双方において焦点ずれが生ずる。この
ような傾向は、下地が段差部分を含む場合には、その段
差部分における高低差が大きくなるほど顕著となる。本
実施の形態では、高低差が小さい第１の段差部分のみを
含む下地上において第１の露光工程を行っているので、
高低差が大きい第２の段差部分を含む下地上において第
１の露光工程を行う場合よりも、露光時における合焦状
態を適正化することができる。このため、特に、上部ポ
ールチップ１３ａの先端部１３ａ(1) に対応する極微小
な一定幅部分をシャープにパターニングすることが可能
となる。
に基づくデフォーカス（焦点ずれ）による悪影響を回避
することもできる。すなわち、例えば、平坦部と斜面部
とでは、自ずから、露光時における最良の合焦位置が異
なるので、両者を一括して露光すると、平坦部と斜面部
のいずれかまたは双方において焦点ずれが生ずる。この
ような傾向は、下地が段差部分を含む場合には、その段
差部分における高低差が大きくなるほど顕著となる。本
実施の形態では、高低差が小さい第１の段差部分のみを
含む下地上において第１の露光工程を行っているので、
高低差が大きい第２の段差部分を含む下地上において第
１の露光工程を行う場合よりも、露光時における合焦状
態を適正化することができる。このため、特に、上部ポ
ールチップ１３ａの先端部１３ａ(1) に対応する極微小
な一定幅部分をシャープにパターニングすることが可能
となる。
【００７６】図１３（Ｃ）に示した第２のフォトマスク
３２は、上部ポールチップ１３ａの後端部１３ａ(2)
（図１７参照）に対応する平面形状を有する開口部３２
ｘを備えている。図１３（Ｄ）に示したように、第２の
露光工程では、第１の露光領域１３１ｙを有するフォト
レジスト膜１３１上の所定の位置に第２のフォトマスク
３２を配設したのち、第２のフォトマスク３２の開口部
３２ｘを通じてフォトレジスト膜１３１の所定の領域を
選択的に露光する。この第２の露光工程により、フォト
レジスト膜１３１には第２の露光領域１３２ｙが形成さ
れる。ここで、第２のフォトマスク３２を配設する際に
は、その開口部３２ｘの前端が第１の露光領域１３１ｙ
の後端の位置よりも前側に位置するように位置合わせを
行うようにする。これにより、第１の露光領域１３１ｙ
のうちの後側の一部領域（図中の上側部分）と第２の露
光領域１３２ｙの前側の一部領域（図中の下側部分）と
が部分的に重複し、この重複領域を含む合成露光領域１
３３ｙが形成される。この合成露光領域１３３ｙの平面
形状は、上部ポールチップ１３ａの平面形状に対応する
ものである。ここで、第２の露光領域１３２ｙが、本発
明における「第２の領域」の一具体例に対応する。
３２は、上部ポールチップ１３ａの後端部１３ａ(2)
（図１７参照）に対応する平面形状を有する開口部３２
ｘを備えている。図１３（Ｄ）に示したように、第２の
露光工程では、第１の露光領域１３１ｙを有するフォト
レジスト膜１３１上の所定の位置に第２のフォトマスク
３２を配設したのち、第２のフォトマスク３２の開口部
３２ｘを通じてフォトレジスト膜１３１の所定の領域を
選択的に露光する。この第２の露光工程により、フォト
レジスト膜１３１には第２の露光領域１３２ｙが形成さ
れる。ここで、第２のフォトマスク３２を配設する際に
は、その開口部３２ｘの前端が第１の露光領域１３１ｙ
の後端の位置よりも前側に位置するように位置合わせを
行うようにする。これにより、第１の露光領域１３１ｙ
のうちの後側の一部領域（図中の上側部分）と第２の露
光領域１３２ｙの前側の一部領域（図中の下側部分）と
が部分的に重複し、この重複領域を含む合成露光領域１
３３ｙが形成される。この合成露光領域１３３ｙの平面
形状は、上部ポールチップ１３ａの平面形状に対応する
ものである。ここで、第２の露光領域１３２ｙが、本発
明における「第２の領域」の一具体例に対応する。
【００７７】最後に、フォトレジスト膜１３１の合成露
光領域１３３ｙを一括して現像することにより、図１４
（Ａ）に示したような開口部１３３ｚを有するフォトレ
ジストパターン１３３が形成される。開口部１３３ｚの
平面形状は、上部ポールチップ１３ａの平面形状に対応
するものであり、図１３（Ｄ）に示した合成露光領域１
３３ｙの平面形状をほぼ反映したものである。したがっ
て、このフォトレジストパターン１３３を用いてフレー
ムめっき法を実施することにより、図１４（Ｂ）に示し
たように、特に、先端部１３ａ(1) の幅が設計幅Ｗ１と
なり、かつその幅が全域にわたって一定となるように上
部ポールチップ１３ａを高精度に形成することができ
る。
光領域１３３ｙを一括して現像することにより、図１４
（Ａ）に示したような開口部１３３ｚを有するフォトレ
ジストパターン１３３が形成される。開口部１３３ｚの
平面形状は、上部ポールチップ１３ａの平面形状に対応
するものであり、図１３（Ｄ）に示した合成露光領域１
３３ｙの平面形状をほぼ反映したものである。したがっ
て、このフォトレジストパターン１３３を用いてフレー
ムめっき法を実施することにより、図１４（Ｂ）に示し
たように、特に、先端部１３ａ(1) の幅が設計幅Ｗ１と
なり、かつその幅が全域にわたって一定となるように上
部ポールチップ１３ａを高精度に形成することができ
る。
【００７８】ここで、図１５および図１６を参照して、
上記のような上部ポールチップ１３ａの形成方法を用い
る場合のさらに有用な作用および効果を説明する。
上記のような上部ポールチップ１３ａの形成方法を用い
る場合のさらに有用な作用および効果を説明する。
【００７９】図１３（Ｄ）に示した例では、第１の露光
領域１３１ｙと第２の露光領域１３２ｙとが重複してい
る領域の長さＬ１０を十分に確保するようにしたが、例
えば、後端部１３ａ(2) の長さを短くしたいという要請
がある場合には、オーバーラップ長さＬ１０もできるだ
け短くする必要がある。この長さＬ１０が長すぎると、
第１の露光領域１３１ｙが「位置Ｐ２」を越えて第２の
段差部分まで差しかかってしまう結果、非磁性層パター
ン１２の斜面部から反射する反射光の影響によって露光
領域が拡大してしまうからである。したがって、両露光
領域の重複領域の長さＬ１０を極力短くすることが好ま
しい。
領域１３１ｙと第２の露光領域１３２ｙとが重複してい
る領域の長さＬ１０を十分に確保するようにしたが、例
えば、後端部１３ａ(2) の長さを短くしたいという要請
がある場合には、オーバーラップ長さＬ１０もできるだ
け短くする必要がある。この長さＬ１０が長すぎると、
第１の露光領域１３１ｙが「位置Ｐ２」を越えて第２の
段差部分まで差しかかってしまう結果、非磁性層パター
ン１２の斜面部から反射する反射光の影響によって露光
領域が拡大してしまうからである。したがって、両露光
領域の重複領域の長さＬ１０を極力短くすることが好ま
しい。
【００８０】ところが、図１５（Ａ）に示したように、
例えば、第１の露光領域１３１ｙが一定幅の部分のみで
あるようにして、長さＬ１０を過度に短くした場合に
は、次のような不都合が生ずる。すなわち、第１の露光
工程において、下地の微小な凹凸領域の表面から反射し
た僅かな反射光の影響によって第１の露光領域１３１ｙ
の後端部分に丸みが生じ、この結果、図１５（Ｂ）に示
したように、最終的に形成されるフォトレジストパター
ン１３３の開口部１３３ｚのうち、第１の露光領域１３
１ｙと第２の露光領域１３２ｙとの重複部分に対応する
部分の幅は、極めて狭くなり、絞り込まれたような形状
となる。フォトレジストパターン１３３のうちの上記の
重複部分に対応する部分は、このフォトレジストパター
ン１３３を用いて形成される上部ポールチップ１３ａの
先端部１３ａ(1) と後端部１３ａ(2) との接続部分の形
状に反映される。すなわち、上部ポールチップ１３ａの
うちの先端部１３ａ(1) と後端部１３ａ(2) との連結部
分がくびれたような形状となる。上部ポールチップ１３
ａがこのような形状になると、後端部１３ａ(2) から先
端部１３ａ(1) に磁束が伝搬する際の大きな障害とな
る。
例えば、第１の露光領域１３１ｙが一定幅の部分のみで
あるようにして、長さＬ１０を過度に短くした場合に
は、次のような不都合が生ずる。すなわち、第１の露光
工程において、下地の微小な凹凸領域の表面から反射し
た僅かな反射光の影響によって第１の露光領域１３１ｙ
の後端部分に丸みが生じ、この結果、図１５（Ｂ）に示
したように、最終的に形成されるフォトレジストパター
ン１３３の開口部１３３ｚのうち、第１の露光領域１３
１ｙと第２の露光領域１３２ｙとの重複部分に対応する
部分の幅は、極めて狭くなり、絞り込まれたような形状
となる。フォトレジストパターン１３３のうちの上記の
重複部分に対応する部分は、このフォトレジストパター
ン１３３を用いて形成される上部ポールチップ１３ａの
先端部１３ａ(1) と後端部１３ａ(2) との接続部分の形
状に反映される。すなわち、上部ポールチップ１３ａの
うちの先端部１３ａ(1) と後端部１３ａ(2) との連結部
分がくびれたような形状となる。上部ポールチップ１３
ａがこのような形状になると、後端部１３ａ(2) から先
端部１３ａ(1) に磁束が伝搬する際の大きな障害とな
る。
【００８１】これに対して、本実施の形態では、第１の
露光領域１３１ｙがＴ字型形状を有しているため、例え
ば図１６（Ａ）に示したように、第１の露光領域１３１
ｙの後方部分に丸みが生じたとしても、最終的に形成さ
れるフォトレジストパターン１３３（図１６（Ｂ））の
うちの第１の露光領域１３１ｙと第２の露光領域１３２
ｙとの重複部分に対応する部分には、十分な幅の接続部
分が形成される。このような場合には、最終的に形成さ
れる上部ポールチップ１３ａの先端部１３ａ(1) と後端
部１３ａ(2) との接続部分に対応する部分の幅が十分に
確保されるので、後端部１３ａ(2) から先端部１３ａ
(1) へ磁束が円滑に伝搬する。したがって、十分なオー
バーライト特性を確保することができる。
露光領域１３１ｙがＴ字型形状を有しているため、例え
ば図１６（Ａ）に示したように、第１の露光領域１３１
ｙの後方部分に丸みが生じたとしても、最終的に形成さ
れるフォトレジストパターン１３３（図１６（Ｂ））の
うちの第１の露光領域１３１ｙと第２の露光領域１３２
ｙとの重複部分に対応する部分には、十分な幅の接続部
分が形成される。このような場合には、最終的に形成さ
れる上部ポールチップ１３ａの先端部１３ａ(1) と後端
部１３ａ(2) との接続部分に対応する部分の幅が十分に
確保されるので、後端部１３ａ(2) から先端部１３ａ
(1) へ磁束が円滑に伝搬する。したがって、十分なオー
バーライト特性を確保することができる。
【００８２】次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法における上記の点以外の効果について説明す
る。
の製造方法における上記の点以外の効果について説明す
る。
【００８３】本実施の形態では、配線接続部１８ｓｂ上
に中間接続パターン１３ｅを配設して、中間接続パター
ン１３ｅの上面の位置が、中間接続部１３ｃおよ磁路接
続部１３ｄの双方の上面の位置よりも高くなるようにし
た（図７（Ａ）参照）ので、これらの各部位をアルミナ
層２０ｐによって覆ったのち、このアルミナ層２０ｐの
表面を研磨したときに、中間接続部１３ｃおよ磁路接続
部１３ｄの双方と共に中間接続パターン１３ｅをも露出
させることができる（図８（Ａ）参照）。このため、中
間接続パターン１３ｅを形成しない場合とは異なり、配
線接続部１８ｓｂとコイル接続配線１３ｆｈとを接続さ
せるために、絶縁膜２０の一部を除去して開口部を形成
する工程が不要となる。しかも、中間接続パターン１３
ｅは、中間接続部１３ｃおよび磁路接続部１３ｄの双方
と同一の工程によって形成されるので、中間接続パター
ン１３ｅを形成するために新たな工程を必要としない。
したがって、製造工程数を削減することができる。
に中間接続パターン１３ｅを配設して、中間接続パター
ン１３ｅの上面の位置が、中間接続部１３ｃおよ磁路接
続部１３ｄの双方の上面の位置よりも高くなるようにし
た（図７（Ａ）参照）ので、これらの各部位をアルミナ
層２０ｐによって覆ったのち、このアルミナ層２０ｐの
表面を研磨したときに、中間接続部１３ｃおよ磁路接続
部１３ｄの双方と共に中間接続パターン１３ｅをも露出
させることができる（図８（Ａ）参照）。このため、中
間接続パターン１３ｅを形成しない場合とは異なり、配
線接続部１８ｓｂとコイル接続配線１３ｆｈとを接続さ
せるために、絶縁膜２０の一部を除去して開口部を形成
する工程が不要となる。しかも、中間接続パターン１３
ｅは、中間接続部１３ｃおよび磁路接続部１３ｄの双方
と同一の工程によって形成されるので、中間接続パター
ン１３ｅを形成するために新たな工程を必要としない。
したがって、製造工程数を削減することができる。
【００８４】また、本実施の形態では、薄膜コイル１５
（コイル接続部１５ｓを含む）および薄膜コイル１８
（コイル接続部１８ｓａおよび配線接続部１８ｓｂを含
む）のそれぞれの各巻線間を埋め込む絶縁膜１６，１９
の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォトレジス
トなどの有機絶縁材料を用いるようにしたので、加熱時
に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁材料を用い
る場合とは異なり、薄膜コイル１５，１８等の各巻線間
を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁すること
ができる。
（コイル接続部１５ｓを含む）および薄膜コイル１８
（コイル接続部１８ｓａおよび配線接続部１８ｓｂを含
む）のそれぞれの各巻線間を埋め込む絶縁膜１６，１９
の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォトレジス
トなどの有機絶縁材料を用いるようにしたので、加熱時
に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁材料を用い
る場合とは異なり、薄膜コイル１５，１８等の各巻線間
を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁すること
ができる。
【００８５】また、本実施の形態では、研磨後の平坦な
下地上に上部ヨーク１３ｆを形成するようにしたので、
上部ヨーク１３ｆを高精度に形成することができる。な
ぜなら、上部ヨーク１３ｆを形成するための前準備層と
しての窒化鉄層の表面が平坦となることにより、エッチ
ング処理による窒化鉄層のパターニングを高精度に行う
ことができるからである。なお、このような効果は、上
部ヨーク１３ｆの他、平坦な下地上に中間接続部１３
ｃ、磁路接続部１３ｄおよびコイル接続配線１３ｆｈ等
を形成する場合においても同様である。
下地上に上部ヨーク１３ｆを形成するようにしたので、
上部ヨーク１３ｆを高精度に形成することができる。な
ぜなら、上部ヨーク１３ｆを形成するための前準備層と
しての窒化鉄層の表面が平坦となることにより、エッチ
ング処理による窒化鉄層のパターニングを高精度に行う
ことができるからである。なお、このような効果は、上
部ヨーク１３ｆの他、平坦な下地上に中間接続部１３
ｃ、磁路接続部１３ｄおよびコイル接続配線１３ｆｈ等
を形成する場合においても同様である。
【００８６】＜薄膜磁気ヘッドの構造＞次に、図９、図
１２および図１７を参照して、本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの構造について説明する。
１２および図１７を参照して、本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの構造について説明する。
【００８７】図１７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１７では、絶縁
膜１４，１６，１７，１９，２０およびオーバーコート
層２１等の図示を省略している。また、薄膜コイル１
５，１８については、その最外周部分のみを図示してい
る。図９（Ａ）は、図１７におけるIXA−IXA線に沿った
矢視断面に相当する。なお、図１７中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方
向に関するそれぞれの表記については、図１〜図１６の
場合と同様とする。
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１７では、絶縁
膜１４，１６，１７，１９，２０およびオーバーコート
層２１等の図示を省略している。また、薄膜コイル１
５，１８については、その最外周部分のみを図示してい
る。図９（Ａ）は、図１７におけるIXA−IXA線に沿った
矢視断面に相当する。なお、図１７中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方
向に関するそれぞれの表記については、図１〜図１６の
場合と同様とする。
【００８８】非磁性層パターン１０の前端の位置は、ス
ロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる位置、
すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）であ
る。スロートハイト（ＴＨ）は、非磁性層パターン１０
の前端の位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面９０
の位置までの長さとして規定される。また、図中におけ
る「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜５の後端の位置、すなわ
ちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲハイト（ＭＲ
Ｈ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベアリング面９０
の位置までの長さである。
ロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる位置、
すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）であ
る。スロートハイト（ＴＨ）は、非磁性層パターン１０
の前端の位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面９０
の位置までの長さとして規定される。また、図中におけ
る「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜５の後端の位置、すなわ
ちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲハイト（ＭＲ
Ｈ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベアリング面９０
の位置までの長さである。
【００８９】上部磁極１３は、例えば、それぞれ別個に
形成された上部ポールチップ１３ａ、磁路接続部１３
ｂ，１３ｄ、中間接続部１３ｃおよび上部ヨーク１３ｆ
によって構成されている。すなわち、上部磁極１３は、
これらの各部位の集合体である。
形成された上部ポールチップ１３ａ、磁路接続部１３
ｂ，１３ｄ、中間接続部１３ｃおよび上部ヨーク１３ｆ
によって構成されている。すなわち、上部磁極１３は、
これらの各部位の集合体である。
【００９０】上部ヨーク１３ｆは、例えば、薄膜コイル
１５，１８によって発生した磁束を収容するための大き
な面積を有するヨーク部１３ｆ(1) と、ヨーク部１３ｆ
(1)よりも小さい一定幅を有する接続部１３ｆ(2) とを
含んでいる。ヨーク部１３ｆ(1) の幅は、例えば、その
後方部においてはほぼ一定であり、その前方部において
エアベアリング面９０に近づくにつれて徐々に狭まるよ
うになっている。また、接続部１３ｆ(2) の幅は、例え
ば、後述する中間接続部１３ｃの幅よりも大きくなって
いる。ただし、必ずしもこのような場合に限らず、例え
ば、接続部１３ｆ(2) の幅が中間接続部１３ｃの幅より
も小さくなるようにしてもよい。
１５，１８によって発生した磁束を収容するための大き
な面積を有するヨーク部１３ｆ(1) と、ヨーク部１３ｆ
(1)よりも小さい一定幅を有する接続部１３ｆ(2) とを
含んでいる。ヨーク部１３ｆ(1) の幅は、例えば、その
後方部においてはほぼ一定であり、その前方部において
エアベアリング面９０に近づくにつれて徐々に狭まるよ
うになっている。また、接続部１３ｆ(2) の幅は、例え
ば、後述する中間接続部１３ｃの幅よりも大きくなって
いる。ただし、必ずしもこのような場合に限らず、例え
ば、接続部１３ｆ(2) の幅が中間接続部１３ｃの幅より
も小さくなるようにしてもよい。
【００９１】中間接続部１３ｃは、例えば、矩形状の平
面形状を有するものであり、その幅は、上部ポールチッ
プ１３ａにおける後端部１３ａ(2) の幅よりも大きくな
っている。ただし、中間接続部１３ｃの幅が後端部１３
ａ(2) の幅よりも小さくなるようにしてもよい。
面形状を有するものであり、その幅は、上部ポールチッ
プ１３ａにおける後端部１３ａ(2) の幅よりも大きくな
っている。ただし、中間接続部１３ｃの幅が後端部１３
ａ(2) の幅よりも小さくなるようにしてもよい。
【００９２】上部ポールチップ１３ａは、例えば、エア
ベアリング面９０側から順に先端部１３ａ(1) および後
端部１３ａ(2) を含んでいる。これらの各部位は、例え
ば、いずれもほぼ矩形状の平面形状を有している。先端
部１３ａ(1) は、その全域にわたってほぼ一定な幅を有
し、この幅は記録時の記録トラック幅を画定するもので
ある。後端部１３ａ(2) の幅は、先端部１３ａ(1) の幅
よりも大きくなっている。すなわち、先端部１３ａ(1)
と後端部１３ａ(2) との連結部分には、幅方向の段差が
形成されている。
ベアリング面９０側から順に先端部１３ａ(1) および後
端部１３ａ(2) を含んでいる。これらの各部位は、例え
ば、いずれもほぼ矩形状の平面形状を有している。先端
部１３ａ(1) は、その全域にわたってほぼ一定な幅を有
し、この幅は記録時の記録トラック幅を画定するもので
ある。後端部１３ａ(2) の幅は、先端部１３ａ(1) の幅
よりも大きくなっている。すなわち、先端部１３ａ(1)
と後端部１３ａ(2) との連結部分には、幅方向の段差が
形成されている。
【００９３】先端部１３ａ(1) は、記録ギャップ層１１
の平坦な下段領域上に延在している。後端部１３ａ(2)
は、記録ギャップ層１１の下段領域上から非磁性層パタ
ーン１２の斜面上にかけて延在している。中間接続部１
３ｃの前側の端縁面１３ｃｔの位置は、例えば、ＴＨ０
位置よりも後退しており、非磁性層パターン１２の前端
の位置とほぼ一致している。上部ヨーク１３ｆの前側の
端縁面１３ｆｔの位置は、例えば、中間接続部１３ｃの
前側の端縁面１３ｃｔの位置よりも後退している。すな
わち、中間接続部１３ｃおよび上部ヨーク１３ｆは、共
にエアベアリング面９０から離れて位置するように配設
されている。なお、中間接続部１３ｃおよび上部ヨーク
１３ｆの配設位置は、必ずしも上記のような場合に限ら
ず、例えば、端縁面１３ｃｔの位置がＴＨ０位置とほぼ
一致するようにしてもよいし、または端縁面１３ｃｔお
よび端縁面１３ｆｔの双方の位置がＴＨ０位置とほぼ一
致するようにしてもよい。上部ヨーク１３ｆ、中間接続
部１３ｃおよび上部ポールチップ１３ａの各幅方向の中
心は互いに一致している。
の平坦な下段領域上に延在している。後端部１３ａ(2)
は、記録ギャップ層１１の下段領域上から非磁性層パタ
ーン１２の斜面上にかけて延在している。中間接続部１
３ｃの前側の端縁面１３ｃｔの位置は、例えば、ＴＨ０
位置よりも後退しており、非磁性層パターン１２の前端
の位置とほぼ一致している。上部ヨーク１３ｆの前側の
端縁面１３ｆｔの位置は、例えば、中間接続部１３ｃの
前側の端縁面１３ｃｔの位置よりも後退している。すな
わち、中間接続部１３ｃおよび上部ヨーク１３ｆは、共
にエアベアリング面９０から離れて位置するように配設
されている。なお、中間接続部１３ｃおよび上部ヨーク
１３ｆの配設位置は、必ずしも上記のような場合に限ら
ず、例えば、端縁面１３ｃｔの位置がＴＨ０位置とほぼ
一致するようにしてもよいし、または端縁面１３ｃｔお
よび端縁面１３ｆｔの双方の位置がＴＨ０位置とほぼ一
致するようにしてもよい。上部ヨーク１３ｆ、中間接続
部１３ｃおよび上部ポールチップ１３ａの各幅方向の中
心は互いに一致している。
【００９４】上部ポールチップ１３ａの先端部１３ａ
(1) と後端部１３ａ(2) との段差部分において、後端部
１３ａ(2) 側の段差面１３ａｄと先端部１３ａ(1) の側
縁面とが交わるコーナー部における角度αは、例えば、
９０度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好
適である。後端部１３ａ(2) から先端部１３ａ(1) に向
かう磁束の流れを円滑化させるためである。なお、図１
７では、角度αが、例えば１２０度程度である場合を示
している。
(1) と後端部１３ａ(2) との段差部分において、後端部
１３ａ(2) 側の段差面１３ａｄと先端部１３ａ(1) の側
縁面とが交わるコーナー部における角度αは、例えば、
９０度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好
適である。後端部１３ａ(2) から先端部１３ａ(1) に向
かう磁束の流れを円滑化させるためである。なお、図１
７では、角度αが、例えば１２０度程度である場合を示
している。
【００９５】上部ヨーク１３ｆの前側の一部は、中間接
続部１３ｃと部分的にオーバーラップして磁気的に連結
され、また中間接続部１３ｃの一部は、上部ポールチッ
プ１３ａの後端部１３ａ(2) と部分的にオーバーラップ
して磁気的に連結されている。一方、上部ヨーク１３ｆ
の後方の一部は、開口部１０ｋにおいて、磁路接続部１
３ｂ，１３ｄを介して下部磁極９とも磁気的に連結され
ている。すなわち、上部磁極１３（上部ポールチップ１
３ａ，磁路接続部１３ｂ，１３ｄ，中間接続部１３ｃ，
上部ヨーク１３ｆ）と下部磁極９とが接続されることに
より、磁束の伝搬経路、すなわち磁路が形成されてい
る。
続部１３ｃと部分的にオーバーラップして磁気的に連結
され、また中間接続部１３ｃの一部は、上部ポールチッ
プ１３ａの後端部１３ａ(2) と部分的にオーバーラップ
して磁気的に連結されている。一方、上部ヨーク１３ｆ
の後方の一部は、開口部１０ｋにおいて、磁路接続部１
３ｂ，１３ｄを介して下部磁極９とも磁気的に連結され
ている。すなわち、上部磁極１３（上部ポールチップ１
３ａ，磁路接続部１３ｂ，１３ｄ，中間接続部１３ｃ，
上部ヨーク１３ｆ）と下部磁極９とが接続されることに
より、磁束の伝搬経路、すなわち磁路が形成されてい
る。
【００９６】非磁性層パターン１０は、例えば、その前
端の位置Ｐ１が、上部ポールチップ１３ａにおける後端
部１３ａ(2) の延在領域内にあるようになっており、上
部磁極１３および薄膜コイル１５，１８の配設領域（磁
路接続部１３ｂ，１３ｄの配設領域を除く。）を含む広
範囲な領域に配設されている。非磁性層パターン１２
は、例えば、その前端の位置Ｐ２が、非磁性層パターン
１０の前端の位置Ｐ１（ＴＨ０位置）よりも後退するよ
うになっており、上部ポールチップ１３ａにおける後端
部１３ａ(2) の後方部分の下方領域に配設されている。
端の位置Ｐ１が、上部ポールチップ１３ａにおける後端
部１３ａ(2) の延在領域内にあるようになっており、上
部磁極１３および薄膜コイル１５，１８の配設領域（磁
路接続部１３ｂ，１３ｄの配設領域を除く。）を含む広
範囲な領域に配設されている。非磁性層パターン１２
は、例えば、その前端の位置Ｐ２が、非磁性層パターン
１０の前端の位置Ｐ１（ＴＨ０位置）よりも後退するよ
うになっており、上部ポールチップ１３ａにおける後端
部１３ａ(2) の後方部分の下方領域に配設されている。
【００９７】図１７に示したように、薄膜コイル１５，
１８は、共に渦巻状の平面形状を有する巻線体である。
薄膜コイル１５の内側の終端部および外側の終端部に
は、それぞれコイル接続部１５ｓおよび端子１５ｘが形
成されている。両者は、薄膜コイル１５と一体をなすも
のである。薄膜コイル１８の内側の終端部および外側の
終端部には、それぞれコイル接続部１８ｓａおよび配線
接続部１８ｓｂが形成されている。両者は、共に薄膜コ
イル１８と一体をなすものである。薄膜コイル１５，１
８は、コイル接続部１５ｓ，１８ｓａを介して電気的に
接続されている。また、配線接続部１８ｓｂ上には中間
接続パターン１３ｅが形成されており、薄膜コイル１
５，１８とコイル接続配線１３ｆｈとは、配線接続部１
８ｓｂおよび中間接続パターン１３ｅを介して電気的に
接続されている。端子１５ｘおよびコイル接続配線１３
ｆｈの後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回路
に接続されており、この外部回路によって薄膜コイル１
５，１８を通電させることができるようになっている。
１８は、共に渦巻状の平面形状を有する巻線体である。
薄膜コイル１５の内側の終端部および外側の終端部に
は、それぞれコイル接続部１５ｓおよび端子１５ｘが形
成されている。両者は、薄膜コイル１５と一体をなすも
のである。薄膜コイル１８の内側の終端部および外側の
終端部には、それぞれコイル接続部１８ｓａおよび配線
接続部１８ｓｂが形成されている。両者は、共に薄膜コ
イル１８と一体をなすものである。薄膜コイル１５，１
８は、コイル接続部１５ｓ，１８ｓａを介して電気的に
接続されている。また、配線接続部１８ｓｂ上には中間
接続パターン１３ｅが形成されており、薄膜コイル１
５，１８とコイル接続配線１３ｆｈとは、配線接続部１
８ｓｂおよび中間接続パターン１３ｅを介して電気的に
接続されている。端子１５ｘおよびコイル接続配線１３
ｆｈの後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回路
に接続されており、この外部回路によって薄膜コイル１
５，１８を通電させることができるようになっている。
【００９８】次に、図９、図１２および図１７を参照し
て、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について
説明する。
て、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について
説明する。
【００９９】まず、薄膜磁気ヘッドの基本的動作、すな
わち、記録媒体に対するデータの記録動作および記録媒
体からのデータの再生動作について簡単に説明する。
わち、記録媒体に対するデータの記録動作および記録媒
体からのデータの再生動作について簡単に説明する。
【０１００】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１５，１８に電流が流れると、これに応じて磁束が
発生する。このとき発生した磁束は、上部ヨーク１３ｆ
内をヨーク部１３ｆ(1) から接続部１３ｆ(2) へ伝搬
し、上部ヨーク１３ｆと磁気的に連結されている中間接
続部１３ｃおよび上部ポールチップ１３ａの後端部１３
ａ(2) を経由して、さらに先端部１３ａ(1) へ伝搬す
る。先端部１３ａ(1) へ伝搬した磁束は、さらにそのエ
アベアリング面９０側の先端部分に到達し、記録ギャッ
プ層１１近傍の外部に記録用の信号磁界を発生させる。
この信号磁界により、磁気記録媒体を部分的に磁化し
て、情報を記録することができる。
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１５，１８に電流が流れると、これに応じて磁束が
発生する。このとき発生した磁束は、上部ヨーク１３ｆ
内をヨーク部１３ｆ(1) から接続部１３ｆ(2) へ伝搬
し、上部ヨーク１３ｆと磁気的に連結されている中間接
続部１３ｃおよび上部ポールチップ１３ａの後端部１３
ａ(2) を経由して、さらに先端部１３ａ(1) へ伝搬す
る。先端部１３ａ(1) へ伝搬した磁束は、さらにそのエ
アベアリング面９０側の先端部分に到達し、記録ギャッ
プ層１１近傍の外部に記録用の信号磁界を発生させる。
この信号磁界により、磁気記録媒体を部分的に磁化し
て、情報を記録することができる。
【０１０１】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
【０１０２】次に、図９、図１２および図１７を参照し
て、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの特徴的な作用
および効果を説明する。
て、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの特徴的な作用
および効果を説明する。
【０１０３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
上部ポールチップ１３ａにおける後端部１３ａ(2) と下
部磁極９との間に、下部磁極９に近い側から順に、アル
ミナよりなる非磁性層パターン１０およびフォトレジス
ト膜よりなる非磁性層パターン１２が配設されている。
非磁性層パターン１０および非磁性層パターン１２の双
方は、その上方領域から下方領域に向かう磁束の流れ
（磁束の漏れ）を抑制する「磁束の遮蔽材」としての機
能を有するものである。非磁性層パターン１０，１２の
存在により、上部ポールチップ１３ａと下部磁極９との
間に厚みの薄い記録ギャップ層１１しか配設しない場合
よりも、上部ポールチップ１３ａから下部磁極９への磁
束の伝搬（磁束の漏れ）が抑制される。なお、非磁性層
パターン１０，１２の存在により、下部磁極９から上部
ポールチップ１３ａへの磁束の伝搬も抑制される。特
に、本実施の形態では、図３２に示した領域１１２Ｓに
対応する領域、すなわち上部ポールチップ１３ａの後端
部１３ａ(2) の一部と中間接続部１３ｃの一部とがオー
バーラップして接触している面（以下、単に「磁気連結
面」ともいう。）１３Ｒに対応する領域１３Ｓに非磁性
層パターン１０，１２の一部が配設されるようにしたの
で、上部ポールチップ１３ａ〜下部磁極９間の磁束の伝
搬はより確実に抑制される。このため、図３２に示した
従来の場合とは異なり、上部ポールチップ１３ａに流入
した磁束は大きなロスなく先端部１３ａ(1) の先端部分
まで到達することとなるので、優れたオーバーライト特
性を確保することが可能となる。また、上記した「磁束
の漏れ」の抑制にともない、記録ヘッド部以外の部位
（例えば、再生ヘッド部のＭＲ膜５）への磁束の到達が
抑制されるため、「磁束の漏れ」に起因する薄膜磁気ヘ
ッドの動作上の不具合（例えば、読み込み不良等）を回
避することもできる。
上部ポールチップ１３ａにおける後端部１３ａ(2) と下
部磁極９との間に、下部磁極９に近い側から順に、アル
ミナよりなる非磁性層パターン１０およびフォトレジス
ト膜よりなる非磁性層パターン１２が配設されている。
非磁性層パターン１０および非磁性層パターン１２の双
方は、その上方領域から下方領域に向かう磁束の流れ
（磁束の漏れ）を抑制する「磁束の遮蔽材」としての機
能を有するものである。非磁性層パターン１０，１２の
存在により、上部ポールチップ１３ａと下部磁極９との
間に厚みの薄い記録ギャップ層１１しか配設しない場合
よりも、上部ポールチップ１３ａから下部磁極９への磁
束の伝搬（磁束の漏れ）が抑制される。なお、非磁性層
パターン１０，１２の存在により、下部磁極９から上部
ポールチップ１３ａへの磁束の伝搬も抑制される。特
に、本実施の形態では、図３２に示した領域１１２Ｓに
対応する領域、すなわち上部ポールチップ１３ａの後端
部１３ａ(2) の一部と中間接続部１３ｃの一部とがオー
バーラップして接触している面（以下、単に「磁気連結
面」ともいう。）１３Ｒに対応する領域１３Ｓに非磁性
層パターン１０，１２の一部が配設されるようにしたの
で、上部ポールチップ１３ａ〜下部磁極９間の磁束の伝
搬はより確実に抑制される。このため、図３２に示した
従来の場合とは異なり、上部ポールチップ１３ａに流入
した磁束は大きなロスなく先端部１３ａ(1) の先端部分
まで到達することとなるので、優れたオーバーライト特
性を確保することが可能となる。また、上記した「磁束
の漏れ」の抑制にともない、記録ヘッド部以外の部位
（例えば、再生ヘッド部のＭＲ膜５）への磁束の到達が
抑制されるため、「磁束の漏れ」に起因する薄膜磁気ヘ
ッドの動作上の不具合（例えば、読み込み不良等）を回
避することもできる。
【０１０４】また、本実施の形態では、非磁性層パター
ン１２の前端の位置が非磁性層パターン１０の最前端の
位置よりも後退し、両者の間に段差が形成されるように
したので、上部ポールチップ１３ａに流入した磁束の一
部は、上記の段差部分に沿って伝搬しながら磁気ボリュ
ームの段階的減少に応じて集束されることとなる。ここ
で、「磁気ボリューム」とは、磁束の伝搬経路を構成す
る部位（例えば、先端部１３ａ(1) ，１３ａ(2) 等）の
内部に収容可能な磁束の許容量である。このため、上部
ポールチップ１３ａ内の磁束の流れを円滑にし、先端部
１３ａ(1) の先端部分まで必要十分な量の磁束を供給す
ることができる。この観点においても、優れたオーバー
ライト特性の確保に寄与することとなる。
ン１２の前端の位置が非磁性層パターン１０の最前端の
位置よりも後退し、両者の間に段差が形成されるように
したので、上部ポールチップ１３ａに流入した磁束の一
部は、上記の段差部分に沿って伝搬しながら磁気ボリュ
ームの段階的減少に応じて集束されることとなる。ここ
で、「磁気ボリューム」とは、磁束の伝搬経路を構成す
る部位（例えば、先端部１３ａ(1) ，１３ａ(2) 等）の
内部に収容可能な磁束の許容量である。このため、上部
ポールチップ１３ａ内の磁束の流れを円滑にし、先端部
１３ａ(1) の先端部分まで必要十分な量の磁束を供給す
ることができる。この観点においても、優れたオーバー
ライト特性の確保に寄与することとなる。
【０１０５】また、本実施の形態では、非磁性層パター
ン１０，１２のそれぞれの前端近傍が斜面をなすように
したので、それぞれの斜面部の上方における上部ポール
チップ１３ａ内の磁束の流れをより円滑にすることがで
きる。
ン１０，１２のそれぞれの前端近傍が斜面をなすように
したので、それぞれの斜面部の上方における上部ポール
チップ１３ａ内の磁束の流れをより円滑にすることがで
きる。
【０１０６】また、本実施の形態では、上部磁極１３
（上部ポールチップ１３ａ等）および下部磁極９の形成
材料として、高飽和磁束密度を有するパーマロイ、窒化
鉄またはアモルファス合金（コバルト鉄合金，コバルト
鉄ニッケル合金，ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金
等）などを用いるようにしたので、上部磁極１３および
下部磁極９の内部における磁束の伝搬を円滑にすること
ができる。
（上部ポールチップ１３ａ等）および下部磁極９の形成
材料として、高飽和磁束密度を有するパーマロイ、窒化
鉄またはアモルファス合金（コバルト鉄合金，コバルト
鉄ニッケル合金，ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金
等）などを用いるようにしたので、上部磁極１３および
下部磁極９の内部における磁束の伝搬を円滑にすること
ができる。
【０１０７】また、本実施の形態では、中間接続部１３
ｃの前側の端縁部の表面が、下地の平坦面に対して傾斜
するようにしたので、中間接続部１３ｃから上部ポール
チップ１３ａへ流入する磁束の流れを円滑にすることが
できる。
ｃの前側の端縁部の表面が、下地の平坦面に対して傾斜
するようにしたので、中間接続部１３ｃから上部ポール
チップ１３ａへ流入する磁束の流れを円滑にすることが
できる。
【０１０８】また、本実施の形態では、中間接続部１３
ｃおよび上部ヨーク１３ｆのそれぞれの前端が、エアベ
アリング面９０の位置よりも後方に離れて位置するよう
にしたので、これらの部位からエアベアリング面９０側
に対して磁束が直接放出されることを回避することがで
きる。このため、サイドイレーズ現象の発生を防止する
ことができる。
ｃおよび上部ヨーク１３ｆのそれぞれの前端が、エアベ
アリング面９０の位置よりも後方に離れて位置するよう
にしたので、これらの部位からエアベアリング面９０側
に対して磁束が直接放出されることを回避することがで
きる。このため、サイドイレーズ現象の発生を防止する
ことができる。
【０１０９】＜第１の実施の形態に関する変形例＞な
お、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、上部ポールチップ１３ａを２度の露光工程を経て形
成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば、３度以上の露光工程を経て形成するよう
にしてもよい。このような場合においても、上記実施の
形態の場合と同様の効果を得ることができる。また、上
部ポールチップ１３ａ以外の磁性層部分、例えば磁路接
続部１３ｂ，１３ｄ、中間接続部１３ｃ、中間接続パタ
ーン１３ｅ、上部ヨーク１３ｆおよびコイル接続配線１
３ｆｈ等の形成に関しては、必ずしも複数回の露光工程
を経ることはなく、一度の露光工程を経て形成するよう
にしてもよい。上記のような複数回の露光工程を経る磁
性層部分の形成方法は、極微小な幅を有する部分Ａ（例
えば先端部１３ａ(1) ）を含んで構成される磁性層部分
（例えば上部ポールチップ１３ａ）のうちの少なくとも
部分Ａを、斜面領域および平坦領域の双方を有する下地
の平坦領域上に形成する場合に有用である。磁性層部分
の形成領域が平坦である場合には、形成工程を簡略化す
るため、この磁性層部分を一度の露光工程を経て形成す
るようにするのが好ましい。
お、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、上部ポールチップ１３ａを２度の露光工程を経て形
成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば、３度以上の露光工程を経て形成するよう
にしてもよい。このような場合においても、上記実施の
形態の場合と同様の効果を得ることができる。また、上
部ポールチップ１３ａ以外の磁性層部分、例えば磁路接
続部１３ｂ，１３ｄ、中間接続部１３ｃ、中間接続パタ
ーン１３ｅ、上部ヨーク１３ｆおよびコイル接続配線１
３ｆｈ等の形成に関しては、必ずしも複数回の露光工程
を経ることはなく、一度の露光工程を経て形成するよう
にしてもよい。上記のような複数回の露光工程を経る磁
性層部分の形成方法は、極微小な幅を有する部分Ａ（例
えば先端部１３ａ(1) ）を含んで構成される磁性層部分
（例えば上部ポールチップ１３ａ）のうちの少なくとも
部分Ａを、斜面領域および平坦領域の双方を有する下地
の平坦領域上に形成する場合に有用である。磁性層部分
の形成領域が平坦である場合には、形成工程を簡略化す
るため、この磁性層部分を一度の露光工程を経て形成す
るようにするのが好ましい。
【０１１０】また、本実施の形態では、上部シールド層
７や上部ポールチップ１３ａなどを電解めっき法によっ
て形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。例えば、下部磁極９を形成した場合と同様
に、スパッタリングによって所定の材料（例えば窒化
鉄）よりなる前準備層を形成したのち、所定の形状およ
び材質を有するマスクを用いて前準備層をエッチングし
てパターニングすることにより上記の各部位を形成する
ようにしてもよい。この場合におけるエッチング方法と
しては、上記のＲＩＥの他、イオンミリングを用いるよ
うにしてもよい。ただし、前準備層のパターニングを短
時間で完了させたいならば、ＲＩＥを用いるようにする
のが好適である。
７や上部ポールチップ１３ａなどを電解めっき法によっ
て形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。例えば、下部磁極９を形成した場合と同様
に、スパッタリングによって所定の材料（例えば窒化
鉄）よりなる前準備層を形成したのち、所定の形状およ
び材質を有するマスクを用いて前準備層をエッチングし
てパターニングすることにより上記の各部位を形成する
ようにしてもよい。この場合におけるエッチング方法と
しては、上記のＲＩＥの他、イオンミリングを用いるよ
うにしてもよい。ただし、前準備層のパターニングを短
時間で完了させたいならば、ＲＩＥを用いるようにする
のが好適である。
【０１１１】また、本実施の形態では、絶縁膜１６，１
９の形成材料としてフォトレジストを用いるようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フ
ォトレジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド
樹脂やＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにし
てもよい。
９の形成材料としてフォトレジストを用いるようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フ
ォトレジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド
樹脂やＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにし
てもよい。
【０１１２】また、本実施の形態では、上部磁極１３
（上部ポールチップ１３ａ，上部ヨーク１３ｆ等）や下
部磁極９等の形成材料として、高飽和磁束密度を有する
パーマロイ、窒化鉄またはアモルファス合金等を用いる
ようにしたが、これらの他、例えば鉄ニッケルコバルト
合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いるようにしてもよい。この
ような場合には、例えば、鉄ニッケルコバルト合金中の
各金属成分の割合をＣｏ：Ｎｉ：Ｆｅ＝３０重量％：３
０重量％：４０重量％とするのが好適である。このよう
な組成を有する鉄ニッケルコバルト合金は、上記のパー
マロイ等と同等またはそれ以上の高い飽和磁束密度を有
するからである。
（上部ポールチップ１３ａ，上部ヨーク１３ｆ等）や下
部磁極９等の形成材料として、高飽和磁束密度を有する
パーマロイ、窒化鉄またはアモルファス合金等を用いる
ようにしたが、これらの他、例えば鉄ニッケルコバルト
合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いるようにしてもよい。この
ような場合には、例えば、鉄ニッケルコバルト合金中の
各金属成分の割合をＣｏ：Ｎｉ：Ｆｅ＝３０重量％：３
０重量％：４０重量％とするのが好適である。このよう
な組成を有する鉄ニッケルコバルト合金は、上記のパー
マロイ等と同等またはそれ以上の高い飽和磁束密度を有
するからである。
【０１１３】また、本実施の形態では、下部シールド層
３および上部シールド層７の形成材料としてＮｉ：Ｆｅ
＝８０重量％：２０重量％の組成を有するパーマロイを
用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、窒化鉄やアモルファス合金（コバルト鉄，ジルコ
ニウムコバルト鉄等）を用いるようにしてもよいし、ま
たは上記したような組成を変更したパーマロイ（例えば
Ｎｉ：Ｆｅ＝４５重量％：５５重量％等）を用いるよう
にしてもよい。
３および上部シールド層７の形成材料としてＮｉ：Ｆｅ
＝８０重量％：２０重量％の組成を有するパーマロイを
用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、窒化鉄やアモルファス合金（コバルト鉄，ジルコ
ニウムコバルト鉄等）を用いるようにしてもよいし、ま
たは上記したような組成を変更したパーマロイ（例えば
Ｎｉ：Ｆｅ＝４５重量％：５５重量％等）を用いるよう
にしてもよい。
【０１１４】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（Ｔａ），チタンタングステン合金（ＷＴｉ），
窒化チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるように
してもよい。また、記録ギャップ層１１の形成方法とし
ては、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ）法を用いるようにしてもよい。このような
方法を用いて記録ギャップ層１１を形成することによ
り、ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを
抑制できる。したがって、この点もまた、記録ギャップ
層１１を介する磁束の漏れ現象の回避に寄与する。
１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（Ｔａ），チタンタングステン合金（ＷＴｉ），
窒化チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるように
してもよい。また、記録ギャップ層１１の形成方法とし
ては、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ）法を用いるようにしてもよい。このような
方法を用いて記録ギャップ層１１を形成することによ
り、ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを
抑制できる。したがって、この点もまた、記録ギャップ
層１１を介する磁束の漏れ現象の回避に寄与する。
【０１１５】また、本実施の形態では、図１２に示した
ように、エッチング処理によって磁極部分１００を形成
する際に、非磁性層パターン１０の前端の位置よりも前
側の領域における記録ギャップ層１１および下部磁極９
のそれぞれの一部をエッチングして掘り下げるようにし
たが、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、
図１８に示したように、上部ポールチップ１３ａの配設
領域以外の領域における記録ギャップ層１１、非磁性層
パターン１０および下部磁極９等を一様にエッチングし
て掘り下げるようにしてもよい。なお、図１８における
上記以外の構造は、図１２に示した場合と同様である。
ように、エッチング処理によって磁極部分１００を形成
する際に、非磁性層パターン１０の前端の位置よりも前
側の領域における記録ギャップ層１１および下部磁極９
のそれぞれの一部をエッチングして掘り下げるようにし
たが、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、
図１８に示したように、上部ポールチップ１３ａの配設
領域以外の領域における記録ギャップ層１１、非磁性層
パターン１０および下部磁極９等を一様にエッチングし
て掘り下げるようにしてもよい。なお、図１８における
上記以外の構造は、図１２に示した場合と同様である。
【０１１６】また、本実施の形態では、上部ヨーク（１
３ｆ）がパーマロイの単層構造からなる場合について説
明したが（図９（Ａ）参照）、必ずしもこれに限られる
ものではない。例えば、図１９に示したように、上部ヨ
ークが、例えばパーマロイなどの高飽和磁束密度材層９
１と、例えばアルミナなどの無機絶縁材層９２とが交互
に積層された構造よりなる（２１３ｆ）ようにしてもよ
い。上部ヨークをこのような構造とすることにより、磁
路における渦電流の発生を防止し、高周波特性を向上さ
せることができる。なお、図１９における上記以外の構
造は、図９の場合と同様である。
３ｆ）がパーマロイの単層構造からなる場合について説
明したが（図９（Ａ）参照）、必ずしもこれに限られる
ものではない。例えば、図１９に示したように、上部ヨ
ークが、例えばパーマロイなどの高飽和磁束密度材層９
１と、例えばアルミナなどの無機絶縁材層９２とが交互
に積層された構造よりなる（２１３ｆ）ようにしてもよ
い。上部ヨークをこのような構造とすることにより、磁
路における渦電流の発生を防止し、高周波特性を向上さ
せることができる。なお、図１９における上記以外の構
造は、図９の場合と同様である。
【０１１７】また、本実施の形態では、上部シールド層
７および下部磁極９を別体として形成し、両者の間に絶
縁膜８を配設するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、両者の間に絶縁膜８を配設し
ないようにしてもよい。このような場合には、上部シー
ルド層７および下部磁極９を一体として形成し、単層と
なるようにしてもよい。
７および下部磁極９を別体として形成し、両者の間に絶
縁膜８を配設するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、両者の間に絶縁膜８を配設し
ないようにしてもよい。このような場合には、上部シー
ルド層７および下部磁極９を一体として形成し、単層と
なるようにしてもよい。
【０１１８】また、本実施の形態では、薄膜コイル１
５，１８のそれぞれの内側の終端部にコイル接続部１５
ｓ，１８ｓａを配設し、薄膜コイル１８の外側の終端部
に配線接続部１８ｓｂを配設するようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではなく、例えば、コイル接続部
１５，１８ｓａの配設位置を内側から外側へ変更し、ま
た配線接続部１８ｓｂの配設位置を外側から内側へ変更
するようにしてもよい。このような場合には、配線接続
部１８ｓｂの配設位置の変更と共に、中間接続パターン
１３ｅおよびコイル接続配線１３ｆｈの配設位置も同様
に変更するようにするのが好ましい。
５，１８のそれぞれの内側の終端部にコイル接続部１５
ｓ，１８ｓａを配設し、薄膜コイル１８の外側の終端部
に配線接続部１８ｓｂを配設するようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではなく、例えば、コイル接続部
１５，１８ｓａの配設位置を内側から外側へ変更し、ま
た配線接続部１８ｓｂの配設位置を外側から内側へ変更
するようにしてもよい。このような場合には、配線接続
部１８ｓｂの配設位置の変更と共に、中間接続パターン
１３ｅおよびコイル接続配線１３ｆｈの配設位置も同様
に変更するようにするのが好ましい。
【０１１９】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【０１２０】まず、図２０〜図２６を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
２０〜図２３において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図２４〜図２６は、主要な
製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２４は図
２０に示した状態に対応し、図２５は図２１に示した状
態に対応し、図２６は図２３に示した状態に対応する。
ただし、図２６では、図２３における絶縁膜４４および
オーバーコート層４５等の図示を省略している。なお、
図２０〜図２６において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に
関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様と
し、また各図中の上記第１の実施の形態における構成要
素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
２０〜図２３において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図２４〜図２６は、主要な
製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２４は図
２０に示した状態に対応し、図２５は図２１に示した状
態に対応し、図２６は図２３に示した状態に対応する。
ただし、図２６では、図２３における絶縁膜４４および
オーバーコート層４５等の図示を省略している。なお、
図２０〜図２６において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に
関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様と
し、また各図中の上記第１の実施の形態における構成要
素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
【０１２１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２０において非磁性層パターン１２を
形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態に
おいて図３に示した同工程までと同様であるので、その
説明を省略する。
方法において、図２０において非磁性層パターン１２を
形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態に
おいて図３に示した同工程までと同様であるので、その
説明を省略する。
【０１２２】本実施の形態では、非磁性層パターン１２
を形成したのち、図２０に示したように、記録ギャップ
層１１の平坦な上段領域のうち、非磁性層パターン１２
よりも後方の領域上に、例えば電解めっき法により、例
えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コ
イル４１を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成
する。この薄膜コイル４１は、例えば、上記第１の実施
の形態における薄膜コイル１５と同様の構造的特徴を有
するものである。薄膜コイル４１を形成する際には、同
時に、例えば、その内側の終端部における記録ギャップ
層１１上に、配線接続部４１ｓを薄膜コイル４１と一体
に形成する。この配線接続部４１ｓは、薄膜コイル４１
と後工程において形成されるコイル接続配線４３ｆｈ
（図２３（Ａ）参照）とを電気的に接続させるためのも
のである。ここで、配線接続部４１ｓが、本発明におけ
る「コイル端部」の一具体例に対応する。
を形成したのち、図２０に示したように、記録ギャップ
層１１の平坦な上段領域のうち、非磁性層パターン１２
よりも後方の領域上に、例えば電解めっき法により、例
えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コ
イル４１を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成
する。この薄膜コイル４１は、例えば、上記第１の実施
の形態における薄膜コイル１５と同様の構造的特徴を有
するものである。薄膜コイル４１を形成する際には、同
時に、例えば、その内側の終端部における記録ギャップ
層１１上に、配線接続部４１ｓを薄膜コイル４１と一体
に形成する。この配線接続部４１ｓは、薄膜コイル４１
と後工程において形成されるコイル接続配線４３ｆｈ
（図２３（Ａ）参照）とを電気的に接続させるためのも
のである。ここで、配線接続部４１ｓが、本発明におけ
る「コイル端部」の一具体例に対応する。
【０１２３】次に、図２０に示したように、薄膜コイル
４１（配線接続部４１ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺領域に、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜４２
を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパター
ンとなるように形成する。なお、絶縁膜４２の構造的特
徴および形成方法は、上記第１の実施の形態における絶
縁膜１６，１９の場合と同様である。
４１（配線接続部４１ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺領域に、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜４２
を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパター
ンとなるように形成する。なお、絶縁膜４２の構造的特
徴および形成方法は、上記第１の実施の形態における絶
縁膜１６，１９の場合と同様である。
【０１２４】次に、図２０および図２４に示したよう
に、非磁性層パターン１２の前側の斜面上から記録ギャ
ップ層１１の平坦な下段領域上にかけての領域に、例え
ばフレームめっき法により、上部磁極４３の一部を構成
することとなる上部ポールチップ４３ａを約２．５〜
３．５μｍの厚みで選択的に形成する。この上部ポール
チップ４３ａは、例えば、後述する図２７に示したよう
な平面形状を有するものであり、先端部４３ａ(1) と、
中間部４３ａ(2) と、幅方向に分離して配置された右後
端部４３ａ(3) Ｒおよび左後端部４３ａ(3) Ｌよりなる
後端部４３ａ(3) とを含んでいる。上部ポールチップ４
３ａを形成する際には、例えば、中間部４３ａ(2) と２
つの後端部（右後端部４３ａ(3) Ｒ，左後端部４３ａ
(3) Ｌ）とによって囲まれた領域４３Ｙにおける中間部
４３ａ(2) の端縁の位置が、非磁性層パターン１２の前
端の位置とほぼ一致するようにする。なお、上部ポール
チップ４３ａの構造的特徴については後述する。上部ポ
ールチップ４３ａを形成する際には、同時に、上部磁極
４３の一部を構成することとなる磁路接続部４３ｂを開
口部１０ｋに形成すると共に、配線接続部４１ｓ上に中
間接続パターン４３ｅを形成する（図２４では図示せ
ず）。この中間接続パターン４３ｅは、薄膜コイル４１
と後工程において形成されるコイル接続配線４３ｆｈ
（図２３（Ａ）参照）とを電気的に接続させるためのも
のである。
に、非磁性層パターン１２の前側の斜面上から記録ギャ
ップ層１１の平坦な下段領域上にかけての領域に、例え
ばフレームめっき法により、上部磁極４３の一部を構成
することとなる上部ポールチップ４３ａを約２．５〜
３．５μｍの厚みで選択的に形成する。この上部ポール
チップ４３ａは、例えば、後述する図２７に示したよう
な平面形状を有するものであり、先端部４３ａ(1) と、
中間部４３ａ(2) と、幅方向に分離して配置された右後
端部４３ａ(3) Ｒおよび左後端部４３ａ(3) Ｌよりなる
後端部４３ａ(3) とを含んでいる。上部ポールチップ４
３ａを形成する際には、例えば、中間部４３ａ(2) と２
つの後端部（右後端部４３ａ(3) Ｒ，左後端部４３ａ
(3) Ｌ）とによって囲まれた領域４３Ｙにおける中間部
４３ａ(2) の端縁の位置が、非磁性層パターン１２の前
端の位置とほぼ一致するようにする。なお、上部ポール
チップ４３ａの構造的特徴については後述する。上部ポ
ールチップ４３ａを形成する際には、同時に、上部磁極
４３の一部を構成することとなる磁路接続部４３ｂを開
口部１０ｋに形成すると共に、配線接続部４１ｓ上に中
間接続パターン４３ｅを形成する（図２４では図示せ
ず）。この中間接続パターン４３ｅは、薄膜コイル４１
と後工程において形成されるコイル接続配線４３ｆｈ
（図２３（Ａ）参照）とを電気的に接続させるためのも
のである。
【０１２５】ここで、上部ポールチップ４３ａが、本発
明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応し、
磁路接続部４３ｂが、本発明における「第３の磁性層部
分」の一具体例に対応する。また、先端部４３ａ(1)
が、本発明における「一定幅部分」の一具体例に対応
し、中間部４３ａ(2) が、本発明における「連結部分」
の一具体例に対応し、右後端部４３ａ(3) Ｒおよび左後
端部４３ａ(3) Ｌよりなる後端部４３ａ(3) が、本発明
における「少なくとも２つの接続部分」の一具体例に対
応する。さらに、中間接続パターン４３ｅが、本発明に
おける「コイル接続パターン」の一具体例に対応し、薄
膜コイル４１、配線接続部４１ｓおよび中間接続パター
ン４３ｅが、本発明における「薄膜コイル部」の一具体
例に対応する。
明における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応し、
磁路接続部４３ｂが、本発明における「第３の磁性層部
分」の一具体例に対応する。また、先端部４３ａ(1)
が、本発明における「一定幅部分」の一具体例に対応
し、中間部４３ａ(2) が、本発明における「連結部分」
の一具体例に対応し、右後端部４３ａ(3) Ｒおよび左後
端部４３ａ(3) Ｌよりなる後端部４３ａ(3) が、本発明
における「少なくとも２つの接続部分」の一具体例に対
応する。さらに、中間接続パターン４３ｅが、本発明に
おける「コイル接続パターン」の一具体例に対応し、薄
膜コイル４１、配線接続部４１ｓおよび中間接続パター
ン４３ｅが、本発明における「薄膜コイル部」の一具体
例に対応する。
【０１２６】フレームめっき法によって上部ポールチッ
プ４３ａを形成する際には、上記第１の実施の形態にお
いて上部ポールチップ１３ａを形成した場合と同様に、
例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォ
トレジスト膜に対する露光処理を複数回に分割して行う
ようにするのが好ましい。このようなフォトレジストパ
ターンの形成方法に関する詳細については、後述する。
なお、上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂおよ
び中間接続パターン４３ｅの形成材料としては、上記第
１の実施の形態における上部ポールチップ１３ａ等の場
合と同様に、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：Ｆｅ＝４５重
量％：５５重量％）やアモルファス合金（コバルト鉄合
金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバル
ト鉄酸化物合金等）などの高飽和磁束密度を有する磁性
材料を用いるようにする。
プ４３ａを形成する際には、上記第１の実施の形態にお
いて上部ポールチップ１３ａを形成した場合と同様に、
例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォ
トレジスト膜に対する露光処理を複数回に分割して行う
ようにするのが好ましい。このようなフォトレジストパ
ターンの形成方法に関する詳細については、後述する。
なお、上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂおよ
び中間接続パターン４３ｅの形成材料としては、上記第
１の実施の形態における上部ポールチップ１３ａ等の場
合と同様に、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：Ｆｅ＝４５重
量％：５５重量％）やアモルファス合金（コバルト鉄合
金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバル
ト鉄酸化物合金等）などの高飽和磁束密度を有する磁性
材料を用いるようにする。
【０１２７】次に、図２１および図２５に示したよう
に、絶縁膜４２の前端の位置よりも後方の領域に選択的
に形成した図示しないフォトレジスト膜および上部ポー
ルチップ４３ａの双方をマスクとして、上記第１の実施
の形態において磁極部分１００を形成した場合と同様の
ＲＩＥにより、全体に約０．３〜０．４μｍエッチング
する。このエッチング処理により、非磁性層パターン１
０の前端の位置よりも前側の領域における記録ギャップ
層１１および下部磁極９のそれぞれの一部が選択的に除
去され、掘り下げられる。上記のエッチング処理を行う
際には、エッチング条件を調整して、非磁性層パターン
１２のうち、上部ポールチップ４３ａの配設領域以外の
部分も選択的に除去されるようにする。もちろん、領域
４３Ｙにおける非磁性層パターン１２の一部も除去され
る。このエッチング処理により、トリム構造を有する磁
極部分２００が形成される。
に、絶縁膜４２の前端の位置よりも後方の領域に選択的
に形成した図示しないフォトレジスト膜および上部ポー
ルチップ４３ａの双方をマスクとして、上記第１の実施
の形態において磁極部分１００を形成した場合と同様の
ＲＩＥにより、全体に約０．３〜０．４μｍエッチング
する。このエッチング処理により、非磁性層パターン１
０の前端の位置よりも前側の領域における記録ギャップ
層１１および下部磁極９のそれぞれの一部が選択的に除
去され、掘り下げられる。上記のエッチング処理を行う
際には、エッチング条件を調整して、非磁性層パターン
１２のうち、上部ポールチップ４３ａの配設領域以外の
部分も選択的に除去されるようにする。もちろん、領域
４３Ｙにおける非磁性層パターン１２の一部も除去され
る。このエッチング処理により、トリム構造を有する磁
極部分２００が形成される。
【０１２８】次に、図２２に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
層４４ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、上
部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂ、中間接続パ
ターン４３ｅおよび薄膜コイル４１等によって構成され
た凹凸領域を埋設する。ここで、絶縁層４２およびアル
ミナ層４４ｐが、本発明における「コイル埋設層」の一
具体例に対応する。
ように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
層４４ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、上
部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂ、中間接続パ
ターン４３ｅおよび薄膜コイル４１等によって構成され
た凹凸領域を埋設する。ここで、絶縁層４２およびアル
ミナ層４４ｐが、本発明における「コイル埋設層」の一
具体例に対応する。
【０１２９】次に、例えばＣＭＰ法によってアルミナ層
４４ｐの表面全体を研磨して平坦化することにより、図
２３に示したように、薄膜コイル４１等を埋設する絶縁
膜４４を形成する。このときの研磨処理は、少なくとも
上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂおよび中間
接続パターン４３ｅが露出するまで行う。領域４３Ｙに
は、絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）が埋め込まれることと
なる。ここで、絶縁膜４２，４４が、本発明における
「絶縁層」の一具体例に対応し、領域４４Ｙを埋め込む
絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）が、本発明における「第３
の非磁性層パターン」の一具体例に対応する。
４４ｐの表面全体を研磨して平坦化することにより、図
２３に示したように、薄膜コイル４１等を埋設する絶縁
膜４４を形成する。このときの研磨処理は、少なくとも
上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂおよび中間
接続パターン４３ｅが露出するまで行う。領域４３Ｙに
は、絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）が埋め込まれることと
なる。ここで、絶縁膜４２，４４が、本発明における
「絶縁層」の一具体例に対応し、領域４４Ｙを埋め込む
絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）が、本発明における「第３
の非磁性層パターン」の一具体例に対応する。
【０１３０】次に、図２３に示したように、磁路接続部
４３ｂ上から上部ポールチップ４３ａの後端部４３ａ
(3) 上にかけての領域に、上部磁極４３の一部を構成す
ることとなる上部ヨーク４３ｆを約２．０〜３．０μｍ
の厚みで選択的に形成する。この上部ヨーク４３ｆは、
例えば、上記第１の実施の形態における上部ヨーク１３
ｆとほぼ同様の構造的特徴を有するものである。上部ヨ
ーク４３ｆを形成する際には、同時に、中間接続パター
ン４３ｅ上から図示しない外部回路にかけての領域にコ
イル接続配線４３ｆｈを選択的に形成する。上部ヨーク
４３ｆおよびコイル接続配線４３ｆｈの形成材料および
形成方法等は、上記第１の実施の形態において上部ヨー
ク１３ｆおよびコイル接続配線１３ｆｈを形成した場合
と同様である。なお、上部ヨーク４３ｆを形成する際に
は、例えば、その前端の位置が、上部ポールチップ４３
ａにおける領域４３Ｙを構成する中間部４３ａ(2) の端
縁の位置と一致するようにすると共に、その前側の端縁
部の表面が下地の平坦面に対して傾斜するようにする。
このときの上部ヨーク４３ｆの周辺における立体的構造
は、図２６に示したようになる。ここで、上部ヨーク４
３ｆが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具体
例に対応し、上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３
ｂおよび上部ヨーク４３ｆによって構成される上部磁極
４３が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に
対応する。
４３ｂ上から上部ポールチップ４３ａの後端部４３ａ
(3) 上にかけての領域に、上部磁極４３の一部を構成す
ることとなる上部ヨーク４３ｆを約２．０〜３．０μｍ
の厚みで選択的に形成する。この上部ヨーク４３ｆは、
例えば、上記第１の実施の形態における上部ヨーク１３
ｆとほぼ同様の構造的特徴を有するものである。上部ヨ
ーク４３ｆを形成する際には、同時に、中間接続パター
ン４３ｅ上から図示しない外部回路にかけての領域にコ
イル接続配線４３ｆｈを選択的に形成する。上部ヨーク
４３ｆおよびコイル接続配線４３ｆｈの形成材料および
形成方法等は、上記第１の実施の形態において上部ヨー
ク１３ｆおよびコイル接続配線１３ｆｈを形成した場合
と同様である。なお、上部ヨーク４３ｆを形成する際に
は、例えば、その前端の位置が、上部ポールチップ４３
ａにおける領域４３Ｙを構成する中間部４３ａ(2) の端
縁の位置と一致するようにすると共に、その前側の端縁
部の表面が下地の平坦面に対して傾斜するようにする。
このときの上部ヨーク４３ｆの周辺における立体的構造
は、図２６に示したようになる。ここで、上部ヨーク４
３ｆが、本発明における「第２の磁性層部分」の一具体
例に対応し、上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３
ｂおよび上部ヨーク４３ｆによって構成される上部磁極
４３が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に
対応する。
【０１３１】次に、図２３に示したように、全体を覆う
ようにして、例えばスパッタリングにより、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層４５を形成したのち、機
械加工や研磨工程によってエアベアリング面９０を形成
して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
ようにして、例えばスパッタリングにより、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層４５を形成したのち、機
械加工や研磨工程によってエアベアリング面９０を形成
して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１３２】図２７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図２７において、上記第
１の実施の形態における図１７に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図２７で
は、絶縁膜４２，４４およびオーバーコート層４５等の
図示を省略している。また、薄膜コイル４１について
は、その最外周部分のみを図示している。図２３（Ａ）
は、図２７におけるXXIIIＡ−XXIIIA 線に沿った矢視断
面に相当する。
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図２７において、上記第
１の実施の形態における図１７に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図２７で
は、絶縁膜４２，４４およびオーバーコート層４５等の
図示を省略している。また、薄膜コイル４１について
は、その最外周部分のみを図示している。図２３（Ａ）
は、図２７におけるXXIIIＡ−XXIIIA 線に沿った矢視断
面に相当する。
【０１３３】図２７に示したように、上部磁極４３は、
例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ４
３ａ、磁路接続部４３ｂおよび上部ヨーク４３ｆによっ
て構成されている。上部ヨーク４３ｆは、上記第１の実
施の形態における上部ヨーク１３ｆ（図１７参照）と同
様の平面形状を有するものであり、上部ヨーク１３ｆを
構成するヨーク部１３ｆ(1) および接続部１３ｆ(2) の
それぞれに対応するヨーク部４３ｆ(1) および接続部４
３ｆ(2) を含んでいる。上部ヨーク４３ｆの前側の端縁
面４３ｆｔの位置は、例えば、上部ポールチップ４３ａ
における領域４３Ｙを構成する中間部４３ａ(2) の端縁
の位置とほぼ一致している。
例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ４
３ａ、磁路接続部４３ｂおよび上部ヨーク４３ｆによっ
て構成されている。上部ヨーク４３ｆは、上記第１の実
施の形態における上部ヨーク１３ｆ（図１７参照）と同
様の平面形状を有するものであり、上部ヨーク１３ｆを
構成するヨーク部１３ｆ(1) および接続部１３ｆ(2) の
それぞれに対応するヨーク部４３ｆ(1) および接続部４
３ｆ(2) を含んでいる。上部ヨーク４３ｆの前側の端縁
面４３ｆｔの位置は、例えば、上部ポールチップ４３ａ
における領域４３Ｙを構成する中間部４３ａ(2) の端縁
の位置とほぼ一致している。
【０１３４】上部ポールチップ４３ａは、エアベアリン
グ面９０側から順に、先端部４３ａ(1) ，中間部４３ａ
(2) ，後端部４３ａ(3) を含んでいる。これらの各部位
の各幅方向の中心は互いに一致している。先端部４３ａ
(1) は、長さ方向においてほぼ一定の幅を有し、上記第
１の実施の形態における上部ポールチップ１３ａの先端
部１３ａ(1) に対応するものである。中間部４３ａ(2)
は、例えば、先端部４３ａ(1) の幅より大きな幅を有す
る前部分とこの前部分の幅よりも大きな幅を有する後部
分とを含んでいる。後端部４３ａ(3) は、例えば、幅方
向に分離して配置された２つの部位、すなわち右後端部
４３ａ(3) Ｒおよび左後端部４３ａ(3)Ｌを含んでい
る。右後端部４３ａ(3) Ｒおよび左後端部４３ａ(3) Ｌ
は、例えば、先端部４３ａ(1) および中間部４３ａ(2)
の中心を通る中心線Ａに関して対称な位置に配設されて
おり、それぞれの形状は、中心線Ａを基準として左右対
称になっている。右後端部４３ａ(3) Ｒおよび左後端部
４３ａ(3) Ｌによって規定される後端部４３ａ(3) の幅
は、例えば中間部４３ａ(2) の後部分の幅とほぼ一致し
ている。
グ面９０側から順に、先端部４３ａ(1) ，中間部４３ａ
(2) ，後端部４３ａ(3) を含んでいる。これらの各部位
の各幅方向の中心は互いに一致している。先端部４３ａ
(1) は、長さ方向においてほぼ一定の幅を有し、上記第
１の実施の形態における上部ポールチップ１３ａの先端
部１３ａ(1) に対応するものである。中間部４３ａ(2)
は、例えば、先端部４３ａ(1) の幅より大きな幅を有す
る前部分とこの前部分の幅よりも大きな幅を有する後部
分とを含んでいる。後端部４３ａ(3) は、例えば、幅方
向に分離して配置された２つの部位、すなわち右後端部
４３ａ(3) Ｒおよび左後端部４３ａ(3)Ｌを含んでい
る。右後端部４３ａ(3) Ｒおよび左後端部４３ａ(3) Ｌ
は、例えば、先端部４３ａ(1) および中間部４３ａ(2)
の中心を通る中心線Ａに関して対称な位置に配設されて
おり、それぞれの形状は、中心線Ａを基準として左右対
称になっている。右後端部４３ａ(3) Ｒおよび左後端部
４３ａ(3) Ｌによって規定される後端部４３ａ(3) の幅
は、例えば中間部４３ａ(2) の後部分の幅とほぼ一致し
ている。
【０１３５】図２３、図２６および図２７に示したよう
に、上部ポールチップ４３ａにおける先端部４３ａ(1)
は記録ギャップ層１１の平坦な下段領域上に延在し、中
間部４３ａ(2) は記録ギャップ層１１の下段領域上から
上段領域上にかけて延在し、後端部４３ａ(3) は非磁性
層パターン１２の斜面上に延在している。非磁性層パタ
ーン１２は、例えば、上部ポールチップ４３ａにおける
後端部４３ａ(3) 、すなわち右後端部４３ａ(3) Ｒおよ
び左後端部４３ａ(3) Ｌのそれぞれの下方領域に配設さ
れている。
に、上部ポールチップ４３ａにおける先端部４３ａ(1)
は記録ギャップ層１１の平坦な下段領域上に延在し、中
間部４３ａ(2) は記録ギャップ層１１の下段領域上から
上段領域上にかけて延在し、後端部４３ａ(3) は非磁性
層パターン１２の斜面上に延在している。非磁性層パタ
ーン１２は、例えば、上部ポールチップ４３ａにおける
後端部４３ａ(3) 、すなわち右後端部４３ａ(3) Ｒおよ
び左後端部４３ａ(3) Ｌのそれぞれの下方領域に配設さ
れている。
【０１３６】図２３および図２７に示したように、上部
ヨーク４３ｆは、開口部１０ｋにおいて磁路接続部４３
ｂを介して下部磁極９と磁気的に連結されると共に、図
２３、図２６および図２７に示したように、上部ポール
チップ４３ａの一部（後端部４３ａ(3) ）とも部分的に
オーバーラップして磁気的に連結されている。すなわ
ち、上部磁極４３（上部ポールチップ４３ａ，磁路接続
部４３ｂ，上部ヨーク４３ｆ）と下部磁極９とが接続さ
れることにより磁路が形成されている。
ヨーク４３ｆは、開口部１０ｋにおいて磁路接続部４３
ｂを介して下部磁極９と磁気的に連結されると共に、図
２３、図２６および図２７に示したように、上部ポール
チップ４３ａの一部（後端部４３ａ(3) ）とも部分的に
オーバーラップして磁気的に連結されている。すなわ
ち、上部磁極４３（上部ポールチップ４３ａ，磁路接続
部４３ｂ，上部ヨーク４３ｆ）と下部磁極９とが接続さ
れることにより磁路が形成されている。
【０１３７】図２７に示したように、薄膜コイル４１お
よび配線接続部４１ｓは、例えば、上記第１の実施の形
態における薄膜コイル１５およびコイル接続部１５ｓと
同様の構造的特徴を有するものである。薄膜コイル４１
は、中間接続パターン４３ｅを介してコイル接続配線４
３ｆｈと電気的に接続されている。薄膜コイル４１の外
側の終端部に設けられた端子４１ｘとコイル接続配線４
３ｆｈの後方の一部（図示せず）とは図示しない外部回
路に接続されており、この外部回路を通じて薄膜コイル
４１を通電させることができるようになっている。
よび配線接続部４１ｓは、例えば、上記第１の実施の形
態における薄膜コイル１５およびコイル接続部１５ｓと
同様の構造的特徴を有するものである。薄膜コイル４１
は、中間接続パターン４３ｅを介してコイル接続配線４
３ｆｈと電気的に接続されている。薄膜コイル４１の外
側の終端部に設けられた端子４１ｘとコイル接続配線４
３ｆｈの後方の一部（図示せず）とは図示しない外部回
路に接続されており、この外部回路を通じて薄膜コイル
４１を通電させることができるようになっている。
【０１３８】なお、図２７に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１７）と同様である。
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１７）と同様である。
【０１３９】本実施の形態では、上部ポールチップ４３
ａと下部磁極９との間の領域、特に、上部ポールチップ
４３ａの後端部４３ａ(3) と上部ヨーク４３ｆとがオー
バーラップして接触している磁気連結面４３Ｒに対応す
る領域４３Ｓに非磁性層パターン１０，１２のそれぞれ
の一部が配設されるようにしたので、上記第１の実施の
形態の場合と同様の作用により、上部ポールチップ４３
ａの後端部４３ａ(3)と下部磁極９との間の磁束の伝播
を抑制することができる。
ａと下部磁極９との間の領域、特に、上部ポールチップ
４３ａの後端部４３ａ(3) と上部ヨーク４３ｆとがオー
バーラップして接触している磁気連結面４３Ｒに対応す
る領域４３Ｓに非磁性層パターン１０，１２のそれぞれ
の一部が配設されるようにしたので、上記第１の実施の
形態の場合と同様の作用により、上部ポールチップ４３
ａの後端部４３ａ(3)と下部磁極９との間の磁束の伝播
を抑制することができる。
【０１４０】また、本実施の形態では、領域４３Ｓの一
部である領域４３Ｙに、薄膜コイル４１等を埋設する絶
縁膜４４の一部（４４Ｈ）を埋め込むようにしている。
領域４３Ｙに埋め込まれた絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）
は、非磁性層パターン１２等と同様に、領域４３Ｓにお
ける磁束の漏れを抑制する役割を担うものである。非磁
性層パターン１０，１２を配設すると共に、領域４３Ｙ
に絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）を埋め込むようにするこ
とにより、以下のような作用によって領域４３Ｙにおけ
る磁束の漏れをより確実に抑制することができる。すな
わち、領域４３Ｓにおける磁束の漏れ傾向は、特に、そ
の中心領域（領域４３Ｙを含む領域）において顕著とな
る。なぜなら、上部ヨーク４３ｆから上部ポールチップ
４３ａへの磁束の伝搬過程において、磁束は領域４３Ｓ
の中心領域に集中して流れるからである。このため、領
域４３Ｙに絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）を埋め込むこと
により、上記の中心領域における磁束の集中を抑制する
ことができる。したがって、本実施の形態では、上記第
１の実施の形態の場合よりも、より優れたオーバーライ
ト特性を確保することができる。
部である領域４３Ｙに、薄膜コイル４１等を埋設する絶
縁膜４４の一部（４４Ｈ）を埋め込むようにしている。
領域４３Ｙに埋め込まれた絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）
は、非磁性層パターン１２等と同様に、領域４３Ｓにお
ける磁束の漏れを抑制する役割を担うものである。非磁
性層パターン１０，１２を配設すると共に、領域４３Ｙ
に絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）を埋め込むようにするこ
とにより、以下のような作用によって領域４３Ｙにおけ
る磁束の漏れをより確実に抑制することができる。すな
わち、領域４３Ｓにおける磁束の漏れ傾向は、特に、そ
の中心領域（領域４３Ｙを含む領域）において顕著とな
る。なぜなら、上部ヨーク４３ｆから上部ポールチップ
４３ａへの磁束の伝搬過程において、磁束は領域４３Ｓ
の中心領域に集中して流れるからである。このため、領
域４３Ｙに絶縁膜４４の一部（４４Ｈ）を埋め込むこと
により、上記の中心領域における磁束の集中を抑制する
ことができる。したがって、本実施の形態では、上記第
１の実施の形態の場合よりも、より優れたオーバーライ
ト特性を確保することができる。
【０１４１】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ４３ａの後端部４３ａ(3) が、幅方向に分離して配置
された２つの部位（右後端部４３ａ(3) Ｒ，左後端部４
３ａ(3) Ｌ）によって構成されるようにしたので、以下
のような作用により、オーバーライト特性を向上させる
ことができる。すなわち、情報の記録動作時において薄
膜コイル４１において発生した磁束は、上部ヨーク４３
ｆ内を伝搬し、上部ポールチップ４３ａの後端部４３ａ
(3) Ｒおよび後端部４３ａ(3) Ｌにほぼ均等に流入す
る。そして、双方の部位に流入した磁束は、中間部４３
ａ(2) に伝搬してそこで合流し、さらに、先端部４３ａ
(1) に伝搬する。このような磁束の伝搬経路を構成する
ことにより、特に、磁気ボリュームの大きな領域（後端
部４３ａ(3) ）から小さな領域（中間部４３ａ(2) ）に
磁束が流入する際の磁束の飽和現象を抑制することがで
きる。このため、上部ポールチップ４３ａの内部におけ
る磁束の伝搬ロスを低減し、上部ポールチップ４３ａの
先端部４３ａ(1) に必要充分な量の磁束が到達できるよ
うにすることができる。
プ４３ａの後端部４３ａ(3) が、幅方向に分離して配置
された２つの部位（右後端部４３ａ(3) Ｒ，左後端部４
３ａ(3) Ｌ）によって構成されるようにしたので、以下
のような作用により、オーバーライト特性を向上させる
ことができる。すなわち、情報の記録動作時において薄
膜コイル４１において発生した磁束は、上部ヨーク４３
ｆ内を伝搬し、上部ポールチップ４３ａの後端部４３ａ
(3) Ｒおよび後端部４３ａ(3) Ｌにほぼ均等に流入す
る。そして、双方の部位に流入した磁束は、中間部４３
ａ(2) に伝搬してそこで合流し、さらに、先端部４３ａ
(1) に伝搬する。このような磁束の伝搬経路を構成する
ことにより、特に、磁気ボリュームの大きな領域（後端
部４３ａ(3) ）から小さな領域（中間部４３ａ(2) ）に
磁束が流入する際の磁束の飽和現象を抑制することがで
きる。このため、上部ポールチップ４３ａの内部におけ
る磁束の伝搬ロスを低減し、上部ポールチップ４３ａの
先端部４３ａ(1) に必要充分な量の磁束が到達できるよ
うにすることができる。
【０１４２】また、本実施の形態では、薄膜コイル４１
の端部に設けられた配線接続部４１ｓ上に、上部ポール
チップ４３ａを形成する工程と同一の工程によって中間
接続パターン４３ｅを形成するようにしている。このた
め、上記の第１の実施の形態において中間接続パターン
１３ｅ（図７および図８参照）を形成した場合と同様の
作用により、薄膜コイル４１とコイル接続配線４３ｆｈ
とを接続させるための工程を簡略化し、製造工程を削減
することができる。
の端部に設けられた配線接続部４１ｓ上に、上部ポール
チップ４３ａを形成する工程と同一の工程によって中間
接続パターン４３ｅを形成するようにしている。このた
め、上記の第１の実施の形態において中間接続パターン
１３ｅ（図７および図８参照）を形成した場合と同様の
作用により、薄膜コイル４１とコイル接続配線４３ｆｈ
とを接続させるための工程を簡略化し、製造工程を削減
することができる。
【０１４３】また、本実施の形態では、上部ヨーク４３
ｆの前側の端縁部の表面が下地の平坦面に対して傾斜す
るようにしたので、上部ヨーク４３ｆから上部ポールチ
ップ４３ａへ流入する磁束の流れを円滑にすることがで
きる。
ｆの前側の端縁部の表面が下地の平坦面に対して傾斜す
るようにしたので、上部ヨーク４３ｆから上部ポールチ
ップ４３ａへ流入する磁束の流れを円滑にすることがで
きる。
【０１４４】次に、図２８および図２９を参照して、本
実施の形態における上部ポールチップ４３ａの形成方法
について説明する。なお、以下では、上記第１の実施の
形態と同様の内容については、その説明を適宜省略する
ものとする。
実施の形態における上部ポールチップ４３ａの形成方法
について説明する。なお、以下では、上記第１の実施の
形態と同様の内容については、その説明を適宜省略する
ものとする。
【０１４５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上記第１の実施の形態の場合と同様に、例え
ば、互いに異なる２種類のフォトマスクを用いて、同一
のフォトレジスト膜に対して２回の露光処理を施すこと
により、上部ポールチップ４３ａの形成に用いるフォト
レジストパターンを形成するようにしている。このよう
な手法を用いることにより、上記第１の実施の形態にお
いて上部ポールチップ１３ａを形成した場合とほぼ同様
の精度で上部ポールチップ４３ａを形成することができ
る。
方法では、上記第１の実施の形態の場合と同様に、例え
ば、互いに異なる２種類のフォトマスクを用いて、同一
のフォトレジスト膜に対して２回の露光処理を施すこと
により、上部ポールチップ４３ａの形成に用いるフォト
レジストパターンを形成するようにしている。このよう
な手法を用いることにより、上記第１の実施の形態にお
いて上部ポールチップ１３ａを形成した場合とほぼ同様
の精度で上部ポールチップ４３ａを形成することができ
る。
【０１４６】図２８において、（Ａ）は、第１の露光工
程において使用する第１のフォトマスク３１の平面形状
を表し、（Ｂ）は、第１の露光工程において露光される
フォトレジスト膜２３１の領域（第１の露光領域２３１
ｙ）の平面形状を表すものである。（Ｃ）は、第２の露
光工程において使用する第２のフォトマスク７２の平面
形状を表し、（Ｄ）は、第２の露光工程において露光さ
れるフォトレジスト膜２３１の領域（第２の露光領域２
３２ｙ）の平面形状を表すものである。図２９におい
て、（Ａ）は、図２８（Ｄ）に示したフォトレジスト膜
２３１の露光領域全体（合成露光領域２３３ｙ）を現像
することにより得られるフォトレジストパターン２３３
の平面形状を表すものであり、（Ｂ）は、フォトレジス
トパターン２３３を用いて形成された上部ポールチップ
４３ａの平面形状を表すものである。
程において使用する第１のフォトマスク３１の平面形状
を表し、（Ｂ）は、第１の露光工程において露光される
フォトレジスト膜２３１の領域（第１の露光領域２３１
ｙ）の平面形状を表すものである。（Ｃ）は、第２の露
光工程において使用する第２のフォトマスク７２の平面
形状を表し、（Ｄ）は、第２の露光工程において露光さ
れるフォトレジスト膜２３１の領域（第２の露光領域２
３２ｙ）の平面形状を表すものである。図２９におい
て、（Ａ）は、図２８（Ｄ）に示したフォトレジスト膜
２３１の露光領域全体（合成露光領域２３３ｙ）を現像
することにより得られるフォトレジストパターン２３３
の平面形状を表すものであり、（Ｂ）は、フォトレジス
トパターン２３３を用いて形成された上部ポールチップ
４３ａの平面形状を表すものである。
【０１４７】第１の露光工程では、上記第１の実施の形
態の場合とほぼ同様に、フォトレジスト膜２３１上の所
定の位置に第１のフォトマスク３１を配設して、第１の
フォトマスク３１の開口部３１ｘを通じてフォトレジス
ト膜２３１の所定の領域を選択的に露光する。フォトレ
ジスト膜２３１上に第１のフォトマスク３１を配設する
際には、開口部３１ｘの後端が、「位置Ｐ２」よりも前
側に位置するように、フォトレジスト膜２３１に対して
位置合わせを行うようにする。この第１の露光工程によ
り、フォトレジスト膜２３１に第１の露光領域２３１ｙ
が形成される（図２８（Ｂ）参照）。ここで、第１の露
光領域２３１ｙが、本発明における「第１の領域」の一
具体例に対応する。
態の場合とほぼ同様に、フォトレジスト膜２３１上の所
定の位置に第１のフォトマスク３１を配設して、第１の
フォトマスク３１の開口部３１ｘを通じてフォトレジス
ト膜２３１の所定の領域を選択的に露光する。フォトレ
ジスト膜２３１上に第１のフォトマスク３１を配設する
際には、開口部３１ｘの後端が、「位置Ｐ２」よりも前
側に位置するように、フォトレジスト膜２３１に対して
位置合わせを行うようにする。この第１の露光工程によ
り、フォトレジスト膜２３１に第１の露光領域２３１ｙ
が形成される（図２８（Ｂ）参照）。ここで、第１の露
光領域２３１ｙが、本発明における「第１の領域」の一
具体例に対応する。
【０１４８】図２８（Ｃ）に示した第２のフォトマスク
７２は、上部ポールチップ４３ａにおける中間部４３ａ
(2) および後端部４３ａ(3) （図２７参照）の平面形状
に対応する開口部７２ｘを備えている。図２８（Ｄ）に
示したように、第２の露光工程では、第２のフォトマス
ク７２の開口部７２ｘの一部とフォトレジスト膜２３１
に形成された第１の露光領域２３１ｙの一部とが部分的
に重複するように、フォトレジスト膜２３１上の所定の
位置に第２のフォトマスク７２を配設したのち、第２の
フォトマスク７２の開口部７２ｘを通じてフォトレジス
ト膜２３１の所定の領域を選択的に露光する。この第２
の露光工程により、フォトレジスト膜２３１に第２の露
光領域２３２ｙが形成され、第１の露光領域２３１ｙの
一部と第２の露光領域２３２ｙの一部とが部分的に重複
した合成露光領域２３３ｙが形成される。この合成露光
領域２３３ｙの平面形状は、上部ポールチップ４３ａの
平面形状に対応するものである。ここで、第２の露光領
域２３２ｙが、本発明における「第２の領域」の一具体
例に対応する。
７２は、上部ポールチップ４３ａにおける中間部４３ａ
(2) および後端部４３ａ(3) （図２７参照）の平面形状
に対応する開口部７２ｘを備えている。図２８（Ｄ）に
示したように、第２の露光工程では、第２のフォトマス
ク７２の開口部７２ｘの一部とフォトレジスト膜２３１
に形成された第１の露光領域２３１ｙの一部とが部分的
に重複するように、フォトレジスト膜２３１上の所定の
位置に第２のフォトマスク７２を配設したのち、第２の
フォトマスク７２の開口部７２ｘを通じてフォトレジス
ト膜２３１の所定の領域を選択的に露光する。この第２
の露光工程により、フォトレジスト膜２３１に第２の露
光領域２３２ｙが形成され、第１の露光領域２３１ｙの
一部と第２の露光領域２３２ｙの一部とが部分的に重複
した合成露光領域２３３ｙが形成される。この合成露光
領域２３３ｙの平面形状は、上部ポールチップ４３ａの
平面形状に対応するものである。ここで、第２の露光領
域２３２ｙが、本発明における「第２の領域」の一具体
例に対応する。
【０１４９】最後に、フォトレジスト膜２３１の合成露
光領域２３３ｙを一括して現像することにより、図２９
（Ａ）に示したような開口部２３３ｚを有するフォトレ
ジストパターン２３３が形成される。開口部２３３ｚの
平面形状は、上部ポールチップ４３ａの平面形状に対応
するものであり、図２８（Ｄ）に示した合成露光領域２
３３ｙの平面形状をほぼ反映したものである。
光領域２３３ｙを一括して現像することにより、図２９
（Ａ）に示したような開口部２３３ｚを有するフォトレ
ジストパターン２３３が形成される。開口部２３３ｚの
平面形状は、上部ポールチップ４３ａの平面形状に対応
するものであり、図２８（Ｄ）に示した合成露光領域２
３３ｙの平面形状をほぼ反映したものである。
【０１５０】このような一連の工程を経て形成したフォ
トレジストパターン２３３を用いてフレームめっき法を
実施することにより、上記第１の実施の形態の場合と同
様の作用により、特に、先端部４３ａ(1) の幅がその全
域にわたって極微小な一定幅を有するように上部ポール
チップ４３ａを形成することができる。
トレジストパターン２３３を用いてフレームめっき法を
実施することにより、上記第１の実施の形態の場合と同
様の作用により、特に、先端部４３ａ(1) の幅がその全
域にわたって極微小な一定幅を有するように上部ポール
チップ４３ａを形成することができる。
【０１５１】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例
等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、
その説明を省略する。
の製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例
等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、
その説明を省略する。
【０１５２】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記第１およ
び第２の実施の形態では、図１７および図２７にそれぞ
れ示したような形状を有する上部ポールチップについて
説明したが、上部ポールチップの形状は必ずしもこれら
に限られるものではない。例えば、上部ポールチップの
形状、すなわち、上部ポールチップを構成する部位の個
数、形状または寸法等は、その内部を流れる磁束の伝搬
を阻害しない限り、自由に変更することが可能である。
ただし、上部ポールチップから下部磁極への磁束の漏れ
を抑制させるならば、例えば、図２７に示した上部ポー
ルチップ４３ａのように、幅方向に分離された２つの部
位（右後端部４３ａ(3) Ｒ，左後端部４３ａ(3) Ｌ）に
より後端部４３ａ(3) が構成されるようにし、２つの部
位の間の領域（領域４３Ｙ）に絶縁膜４４の一部（４４
Ｈ）が埋め込まれるようにするのが好ましい。もちろ
ん、後端部４３ａ(3) は、必ずしも２つの部位により構
成されるものではなく、例えば、３つ以上の部位により
構成されるようにしてもよい。このような場合において
も、上記第２の実施の形態の場合と同様の効果を得るこ
とができる。
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記第１およ
び第２の実施の形態では、図１７および図２７にそれぞ
れ示したような形状を有する上部ポールチップについて
説明したが、上部ポールチップの形状は必ずしもこれら
に限られるものではない。例えば、上部ポールチップの
形状、すなわち、上部ポールチップを構成する部位の個
数、形状または寸法等は、その内部を流れる磁束の伝搬
を阻害しない限り、自由に変更することが可能である。
ただし、上部ポールチップから下部磁極への磁束の漏れ
を抑制させるならば、例えば、図２７に示した上部ポー
ルチップ４３ａのように、幅方向に分離された２つの部
位（右後端部４３ａ(3) Ｒ，左後端部４３ａ(3) Ｌ）に
より後端部４３ａ(3) が構成されるようにし、２つの部
位の間の領域（領域４３Ｙ）に絶縁膜４４の一部（４４
Ｈ）が埋め込まれるようにするのが好ましい。もちろ
ん、後端部４３ａ(3) は、必ずしも２つの部位により構
成されるものではなく、例えば、３つ以上の部位により
構成されるようにしてもよい。このような場合において
も、上記第２の実施の形態の場合と同様の効果を得るこ
とができる。
【０１５３】また、例えば、上記各実施の形態およびそ
の変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換
素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼
用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適
用することができる。また、本発明は、書き込み用の素
子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄
膜磁気ヘッドにも適用することができる。
の変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換
素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼
用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適
用することができる。また、本発明は、書き込み用の素
子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄
膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１５４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１０記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１１ないし
請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
第１の磁性層における第１の磁性層部分と第２の磁性層
との間に、後方部が絶縁層と連結し前端が記録媒体対向
面の手前の所定の位置で終端するように延在する第１の
非磁性層パターンと、後端が絶縁層と連結し前端が第１
の非磁性層パターンの前端よりも後方の位置で終端する
ように延在する第２の非磁性層パターンとが第２の磁性
層に近い側から順に配設されるようにしたので、第１の
非磁性層パターンおよび第２の非磁性層パターンの存在
により、第１の磁性層から第２の磁性層への磁束の漏れ
が抑制されると共に、第１の磁性層部分の内部における
磁束の流れが円滑になる。このため、優れたオーバーラ
イト特性を確保することができるという効果を奏する。
求項１０記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１１ないし
請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
第１の磁性層における第１の磁性層部分と第２の磁性層
との間に、後方部が絶縁層と連結し前端が記録媒体対向
面の手前の所定の位置で終端するように延在する第１の
非磁性層パターンと、後端が絶縁層と連結し前端が第１
の非磁性層パターンの前端よりも後方の位置で終端する
ように延在する第２の非磁性層パターンとが第２の磁性
層に近い側から順に配設されるようにしたので、第１の
非磁性層パターンおよび第２の非磁性層パターンの存在
により、第１の磁性層から第２の磁性層への磁束の漏れ
が抑制されると共に、第１の磁性層部分の内部における
磁束の流れが円滑になる。このため、優れたオーバーラ
イト特性を確保することができるという効果を奏する。
【０１５５】特に、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、第１の非磁性層パターンの前端近傍および第２の
非磁性層部分の前端近傍が、ギャップ層の平坦な表面に
対して傾斜するようにしたので、第１の磁性層部分の内
部における磁束の流れをより円滑にすることができると
いう効果を奏する。
れば、第１の非磁性層パターンの前端近傍および第２の
非磁性層部分の前端近傍が、ギャップ層の平坦な表面に
対して傾斜するようにしたので、第１の磁性層部分の内
部における磁束の流れをより円滑にすることができると
いう効果を奏する。
【０１５６】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、さらに、第１の磁性層部分における連結部分と少
なくとも２つの接続部分とによって囲まれた領域に、絶
縁層と連結された第３の非磁性層パターンが配設される
ようにしたので、第３の非磁性層パターンの存在によ
り、第１の磁性層部分から第２の磁性層への磁束の漏れ
をより確実に抑制することができるという効果を奏す
る。この点でも、優れたオーバーライト特性の確保に寄
与することとなる。
れば、さらに、第１の磁性層部分における連結部分と少
なくとも２つの接続部分とによって囲まれた領域に、絶
縁層と連結された第３の非磁性層パターンが配設される
ようにしたので、第３の非磁性層パターンの存在によ
り、第１の磁性層部分から第２の磁性層への磁束の漏れ
をより確実に抑制することができるという効果を奏す
る。この点でも、優れたオーバーライト特性の確保に寄
与することとなる。
【０１５７】また、請求項８ないし請求項１０のいずれ
か１項に記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１５ないし
請求項１７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の磁性層および第２の磁性層のう
ちの少なくとも一方の形成材料として、ニッケル鉄合
金、窒化鉄またはアモルファス合金（コバルト鉄合金、
コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバルト鉄
酸化物合金）のいずれかを含む材料を用いるようにした
ので、第１の磁性層および第２の磁性層のうちの少なく
とも一部の内部における磁束の流れをより円滑にするこ
とができるという効果を奏する。
か１項に記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１５ないし
請求項１７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の磁性層および第２の磁性層のう
ちの少なくとも一方の形成材料として、ニッケル鉄合
金、窒化鉄またはアモルファス合金（コバルト鉄合金、
コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバルト鉄
酸化物合金）のいずれかを含む材料を用いるようにした
ので、第１の磁性層および第２の磁性層のうちの少なく
とも一部の内部における磁束の流れをより円滑にするこ
とができるという効果を奏する。
【０１５８】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の磁性層部分を形成するための
フォトレジストパターンを形成する工程が、少なくとも
ギャップ層の平坦な表面、第１の非磁性層パターンの斜
面および第２の非磁性層パターンの斜面を覆うようにフ
ォトレジスト層を形成する工程と、ギャップ層の平坦な
表面上から第１の非磁性層パターンの斜面上にかけての
領域におけるフォトレジスト層のうち、第１の磁性層部
分の一定幅部分の平面形状に対応する領域を含む第１の
領域を選択的に露光する第１の露光工程と、ギャップ層
の平坦な表面上から第２の非磁性層パターンの斜面上に
かけての領域におけるフォトレジスト層のうち、第１の
磁性層部分の一定幅部分以外の部分の平面形状に対応す
る第２の領域を選択的に露光する第２の露光工程と、フ
ォトレジスト層のうちの第１の領域および第２の領域の
双方を一括して現像することによりフォトレジストパタ
ーンを形成する工程とを含むようにしたので、平坦部お
よび斜面部を含む下地上にフォトレジストパターンを高
精度に形成することができるという効果を奏する。
製造方法によれば、第１の磁性層部分を形成するための
フォトレジストパターンを形成する工程が、少なくとも
ギャップ層の平坦な表面、第１の非磁性層パターンの斜
面および第２の非磁性層パターンの斜面を覆うようにフ
ォトレジスト層を形成する工程と、ギャップ層の平坦な
表面上から第１の非磁性層パターンの斜面上にかけての
領域におけるフォトレジスト層のうち、第１の磁性層部
分の一定幅部分の平面形状に対応する領域を含む第１の
領域を選択的に露光する第１の露光工程と、ギャップ層
の平坦な表面上から第２の非磁性層パターンの斜面上に
かけての領域におけるフォトレジスト層のうち、第１の
磁性層部分の一定幅部分以外の部分の平面形状に対応す
る第２の領域を選択的に露光する第２の露光工程と、フ
ォトレジスト層のうちの第１の領域および第２の領域の
双方を一括して現像することによりフォトレジストパタ
ーンを形成する工程とを含むようにしたので、平坦部お
よび斜面部を含む下地上にフォトレジストパターンを高
精度に形成することができるという効果を奏する。
【０１５９】また、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第２の露光工程において、第１の領
域と第２の領域とを部分的に重複させるようにしたの
で、フォトリソグラフィ工程において下地からの反射光
による影響を受けた場合においても、第１の磁性層部分
をほぼ設計通りの形状となるように形成することができ
るという効果を奏する。
製造方法によれば、第２の露光工程において、第１の領
域と第２の領域とを部分的に重複させるようにしたの
で、フォトリソグラフィ工程において下地からの反射光
による影響を受けた場合においても、第１の磁性層部分
をほぼ設計通りの形状となるように形成することができ
るという効果を奏する。
【０１６０】また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の磁性層部分を形成すると同時
に、第３の磁性層部分を形成すると共に薄膜コイル部の
端部に設けられたコイル端部上に薄膜コイル部の一部を
なすコイル接続パターンを形成する工程と、少なくとも
第１の磁性層部分、第３の磁性層部分およびコイル接続
パターンを覆うように、絶縁層の前準備層としてのコイ
ル埋設層を形成する工程と、少なくとも第１の磁性層部
分、第３の磁性層部分およびコイル接続パターンが露出
するまでコイル埋設層の表面を研磨して平坦化する工程
と、研磨後の平坦面上に、第１の磁性層部分および第３
の磁性層部分のそれぞれの露出面と磁気的に連結するよ
うに第２の磁性層部分を形成すると同時に、コイル接続
パターンの露出面と電気的に接続するように導電層パタ
ーンを形成する工程とを含むようにしたので、コイル端
部上にコイル接続パターンを形成しない場合とは異な
り、コイル端部と導電層パターンとを電気的に接続させ
るためにコイル埋設層の一部を除去して開口部分を形成
する工程が不要となる。したがって、製造工程数を削減
することができるという効果を奏する。
製造方法によれば、第１の磁性層部分を形成すると同時
に、第３の磁性層部分を形成すると共に薄膜コイル部の
端部に設けられたコイル端部上に薄膜コイル部の一部を
なすコイル接続パターンを形成する工程と、少なくとも
第１の磁性層部分、第３の磁性層部分およびコイル接続
パターンを覆うように、絶縁層の前準備層としてのコイ
ル埋設層を形成する工程と、少なくとも第１の磁性層部
分、第３の磁性層部分およびコイル接続パターンが露出
するまでコイル埋設層の表面を研磨して平坦化する工程
と、研磨後の平坦面上に、第１の磁性層部分および第３
の磁性層部分のそれぞれの露出面と磁気的に連結するよ
うに第２の磁性層部分を形成すると同時に、コイル接続
パターンの露出面と電気的に接続するように導電層パタ
ーンを形成する工程とを含むようにしたので、コイル端
部上にコイル接続パターンを形成しない場合とは異な
り、コイル端部と導電層パターンとを電気的に接続させ
るためにコイル埋設層の一部を除去して開口部分を形成
する工程が不要となる。したがって、製造工程数を削減
することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図１０】図４に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図１１】図５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図１２】図９に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における上部ポールチップの形成工程を
説明するための平面図である。
ッドの製造方法における上部ポールチップの形成工程を
説明するための平面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための平面図で
ある。
ある。
【図１５】第１の実施の形態に対する比較例の問題点を
説明するための他の平面図である。
説明するための他の平面図である。
【図１６】第１の実施の形態の作用を説明するための平
面図である。
面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を表す斜視図である。
ッドの変形例を表す斜視図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの他の変形例を表す斜視図である。
ッドの他の変形例を表す斜視図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図２１】図２１に続く工程を説明するための斜視図で
ある。
ある。
【図２２】図２２に続く工程を説明するための斜視図で
ある。
ある。
【図２３】図２３に続く工程を説明するための斜視図で
ある。
ある。
【図２４】図２１に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図２５】図２２に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図２６】図２４に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
る。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における上部ポールチップの形成工程を
説明するための平面図である。
ッドの製造方法における上部ポールチップの形成工程を
説明するための平面図である。
【図２９】図２９に続く工程を説明するための平面図で
ある。
ある。
【図３０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図３１】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面
図である。
図である。
【図３４】図３１に示した薄膜磁気ヘッドにおける磁極
部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図であ
る。
部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図であ
る。
【図３５】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。
ある。
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…上部シールド
層、８，１４，１６，１７，１９，２０，４２，４４，
３００…絶縁膜、９…下部磁極、１０，１２…非磁性層
パターン、１０ｐ，１７ｐ，２０ｐ…アルミナ層、１１
…記録ギャップ層、１０ｋ，１７ｋ…開口部、１３，４
３…上部磁極、１３ａ，４３ａ…上部ポールチップ、１
３ａ(1) ，４３ａ(1) …先端部、１３ａ(2) ，４３ａ
(2) …中間部、４３ａ(3) …後端部、１３ｂ，１３ｄ，
４３ｂ…磁路接続部、１３ｃ…中間接続部、１３ｆ，４
３ｆ，２１３ｆ…上部ヨーク、１３ｆ(1) ，４３ｆ(1)
…ヨーク部、１３ｆ(2) ，４３ｆ(2) …接続部、１３
ｅ，４３ｅ…中間接続パターン、１３ｆｈ，４３ｆｈ…
コイル接続配線、１３Ｒ，４３Ｒ…磁気連結面、１５，
１８，４１…薄膜コイル、１５ｓ，１８ｓａ…コイル接
続部、１７ｐ，２０ｐ，４４ｐ…アルミナ層、１８ｓ
ｂ，４１ｓ…配線接続部、２１，４５…オーバーコート
層、３１…第１のフォトマスク、３１ｘ，３２ｘ，７１
ｘ…開口部、３２，７２…第２のフォトマスク、４３ａ
(3) Ｒ…右後端部、４３ａ(3) Ｌ…左後端部、５１…フ
ォトマスク、８０ａ，８０ｂ…マスク、９０…エアベア
リング面、９１…高飽和磁束密度材層、９２…無機絶縁
材層、１００，２００…磁極部分、１３１，２３１…フ
ォトレジスト膜、１３１ｙ…第１の露光領域、１３２
ｙ，２３２ｙ…第２の露光領域、１３３，２３３…フォ
トレジストパターン、１３３ｙ，２３３ｙ…合成露光領
域、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…上部シールド
層、８，１４，１６，１７，１９，２０，４２，４４，
３００…絶縁膜、９…下部磁極、１０，１２…非磁性層
パターン、１０ｐ，１７ｐ，２０ｐ…アルミナ層、１１
…記録ギャップ層、１０ｋ，１７ｋ…開口部、１３，４
３…上部磁極、１３ａ，４３ａ…上部ポールチップ、１
３ａ(1) ，４３ａ(1) …先端部、１３ａ(2) ，４３ａ
(2) …中間部、４３ａ(3) …後端部、１３ｂ，１３ｄ，
４３ｂ…磁路接続部、１３ｃ…中間接続部、１３ｆ，４
３ｆ，２１３ｆ…上部ヨーク、１３ｆ(1) ，４３ｆ(1)
…ヨーク部、１３ｆ(2) ，４３ｆ(2) …接続部、１３
ｅ，４３ｅ…中間接続パターン、１３ｆｈ，４３ｆｈ…
コイル接続配線、１３Ｒ，４３Ｒ…磁気連結面、１５，
１８，４１…薄膜コイル、１５ｓ，１８ｓａ…コイル接
続部、１７ｐ，２０ｐ，４４ｐ…アルミナ層、１８ｓ
ｂ，４１ｓ…配線接続部、２１，４５…オーバーコート
層、３１…第１のフォトマスク、３１ｘ，３２ｘ，７１
ｘ…開口部、３２，７２…第２のフォトマスク、４３ａ
(3) Ｒ…右後端部、４３ａ(3) Ｌ…左後端部、５１…フ
ォトマスク、８０ａ，８０ｂ…マスク、９０…エアベア
リング面、９１…高飽和磁束密度材層、９２…無機絶縁
材層、１００，２００…磁極部分、１３１，２３１…フ
ォトレジスト膜、１３１ｙ…第１の露光領域、１３２
ｙ，２３２ｙ…第２の露光領域、１３３，２３３…フォ
トレジストパターン、１３３ｙ，２３３ｙ…合成露光領
域、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。
Claims (17)
- 【請求項１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、平坦な表面を有するギャップ層を介して対向す
る２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された第１の
磁性層および第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２
の磁性層との間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル
部とを有すると共に、前記第１の磁性層が、前記記録媒
体対向面からこの面より離れる方向に延在すると共に記
録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分を有する
第１の磁性層部分を含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性層の第１の磁性層部分と前記第２の磁性
層との間に、 後方部が前記絶縁層と連結し前端が前記記録媒体対向面
の手前の所定の位置で終端するように延在する第１の非
磁性層パターンと、 後端が前記絶縁層と連結し前端が前記第１の非磁性層パ
ターンの前端よりも後方の位置で終端するように延在す
る第２の非磁性層パターンとが前記第２の磁性層に近い
側から順に配設されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 前記第１の非磁性層パターンの前端は、
前記第１の磁性層部分の一定幅部分よりも後方に位置し
ていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 前記第１の非磁性層パターンの前端近傍
および前記第２の非磁性層パターンの前端近傍は、前記
ギャップ層の平坦な表面に対して傾斜していることを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記第１の磁性層部分のうちの少なくと
も前記一定幅部分は、前記ギャップ層の平坦な表面上に
延在していることを特徴とする請求項１ないし請求項３
のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記第１の磁性層部分は、さらに、 トラック幅方向に互いに分離して配設された少なくとも
２つの接続部分と、 前記一定幅部分と前記少なくとも２つの接続部分とを磁
気的に連結させる連結部分とを有することを特徴とする
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項６】 さらに、 前記第１の磁性層部分における連結部分と少なくとも２
つの接続部分とによって囲まれた領域に、前記絶縁層と
連結された第３の非磁性層パターンが配設されているこ
とを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記第１の磁性層は、さらに、 前記第１の磁性層部分と部分的にオーバーラップして磁
気的に連結された第２の磁性層部分と、 前記第２の磁性層部分と前記第２の磁性層とを磁気的に
連結させるための第３の磁性層部分とを含むことを特徴
とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記第１の磁性層および前記第２の磁性
層のうちの少なくとも一部は、ニッケル鉄合金または窒
化鉄のいずれかを含む材料よりなることを特徴とする請
求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項９】 前記第１の磁性層および前記第２の磁性
層のうちの少なくとも一部は、アモルファス合金を含む
材料よりなることを特徴とする請求項１ないし請求項７
のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記アモルファス合金は、コバルト鉄
合金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウムコバ
ルト鉄酸化物合金のいずれかであることを特徴とする請
求項９記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側
の一部に、平坦な表面を有するギャップ層を介して対向
する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された第１
の磁性層および第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第
２磁性層との間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル
部とを有すると共に、前記第１の磁性層が、前記記録媒
体対向面からこの面より離れる長さ方向に延在すると共
に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分を有
する第１の磁性層部分を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、 前記第２の磁性層上に、後方部が前記絶縁層と連結し前
端が前記記録媒体対向面の手前の所定の位置で終端して
延在するように第１の非磁性層パターンを選択的に形成
する工程と、 前記第１の非磁性層パターン上に、後端が前記絶縁層と
連結し前端が前記第１の非磁性層パターンの前端よりも
後方の位置で終端して延在するように第２の非磁性層パ
ターンを選択的に形成する工程と、 少なくとも前記第１の非磁性層パターンおよび前記第２
の非磁性層パターンを覆うように前記第１の磁性層部分
を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１の磁性層部分を形成するため
のフォトレジストパターンを形成する工程が、少なくと
も前記ギャップ層の平坦な表面、前記第１の非磁性層パ
ターンの斜面および前記第２の非磁性層パターンの斜面
を覆うようにフォトレジスト層を形成する工程と、 前記ギャップ層の平坦な表面上から前記第１の非磁性層
パターンの斜面上にかけての領域における前記フォトレ
ジスト層のうち、前記第１の磁性層部分の一定幅部分の
平面形状に対応する領域を含む第１の領域を選択的に露
光する第１の露光工程と、 前記ギャップ層の平坦な表面上から前記第２の非磁性層
パターンの斜面上にかけての領域における前記フォトレ
ジスト層のうち、前記第１の磁性層部分の一定幅部分以
外の部分の平面形状に対応する第２の領域を選択的に露
光する第２の露光工程と、 前記フォトレジスト層のうちの前記第１の領域および前
記第２の領域の双方を一括して現像することによりフォ
トレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴
とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第２の露光工程において、前記第
１の領域と前記第２の領域とを部分的に重複させること
を特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１４】 前記第１の磁性層が、さらに、 前記第１の磁性層部分と部分的にオーバーラップして磁
気的に連結された第２の磁性層部分と、前記第２の磁性
層部分と前記第２の磁性層とを磁気的に連結させる第３
の磁性層部分とを有する場合において、 前記第１の磁性層部分を形成すると同時に、前記第３の
磁性層部分を形成すると共に前記薄膜コイル部の端部に
設けられたコイル端部上に前記薄膜コイル部の一部をな
すコイル接続パターンを形成する工程と、 少なくとも前記第１の磁性層部分、前記第３の磁性層部
分および前記コイル接続パターンを覆うように、前記絶
縁層の前準備層としてのコイル埋設層を形成する工程
と、 少なくとも前記第１の磁性層部分、前記第３の磁性層部
分および前記コイル接続パターンが露出するまで前記コ
イル埋設層の表面を研磨して平坦化する工程と、 前記研磨後の平坦面上に、前記第１の磁性層部分および
前記第３の磁性層部分のそれぞれの露出面と磁気的に連
結するように前記第２の磁性層部分を形成すると同時
に、前記コイル接続パターンの露出面と電気的に接続す
るように導電層パターンを形成する工程とを含むことを
特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１の磁性層および前記第２の磁
性層のうちの少なくとも一部の形成材料として、ニッケ
ル鉄合金または窒化鉄のいずれかを含む材料を用いるこ
とを特徴とする請求項１１ないし請求項１４のいずれか
１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１の磁性層および前記第２の磁
性層のうちの少なくとも一部の形成材料として、アモル
ファス合金を含む材料を用いることを特徴とする請求項
１１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造。 - 【請求項１７】 前記アモルファス合金として、コバル
ト鉄合金、コバルト鉄ニッケル合金またはジルコニウム
コバルト鉄酸化物合金のいずれかを用いることを特徴と
する請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000197054A JP2002015404A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US09/888,543 US6667849B2 (en) | 2000-06-29 | 2001-06-26 | Thin film magnetic head and the manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000197054A JP2002015404A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002015404A true JP2002015404A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18695442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000197054A Pending JP2002015404A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6667849B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002015404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI768729B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-06-21 | 日商鎧俠股份有限公司 | 研磨裝置及研磨方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6651313B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing a magnetic head |
| JP4191913B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2008-12-03 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 薄膜磁気ヘッド |
| US6757134B2 (en) * | 2002-03-11 | 2004-06-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High density thin film inductive head structure having a planarized coil insulation structure including hard baked photoresist and a filler material |
| JP2005182897A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US7086139B2 (en) | 2004-04-30 | 2006-08-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic write heads using electron beam lithography |
| JP4331066B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2009-09-16 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体、磁気記録装置、およびスタンパ |
| JP4098784B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2008-06-11 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体、磁気記録装置、スタンパおよびスタンパの製造方法 |
| JP2006260713A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toshiba Corp | 記録媒体、記録再生装置及び記録再生方法 |
| JP4542953B2 (ja) | 2005-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社東芝 | 磁気ディスク媒体および磁気記録再生装置 |
| JP4533854B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 磁気記録再生装置、磁気記録方法、及び磁気記録再生方法 |
| JP2007273042A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP6526860B1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-06-05 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438747A (en) | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
| US6249406B1 (en) * | 1996-09-23 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with a soft adjacent layer having high magnetization, high resistivity, low intrinsic anisotropy and near zero magnetostriction |
| US6305072B1 (en) * | 1996-11-28 | 2001-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing thin film magnetic head |
| JPH10228607A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドとその製造方法及び磁気記憶装置 |
| JP3253556B2 (ja) * | 1997-05-07 | 2002-02-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 |
| JPH1145413A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-16 | Nec Ibaraki Ltd | 複合型薄膜磁気ヘッド |
-
2000
- 2000-06-29 JP JP2000197054A patent/JP2002015404A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-26 US US09/888,543 patent/US6667849B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI768729B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-06-21 | 日商鎧俠股份有限公司 | 研磨裝置及研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6667849B2 (en) | 2003-12-23 |
| US20020024766A1 (en) | 2002-02-28 |
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|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040625 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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