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JP2002012857A - Roll-off reducing agent - Google Patents

Roll-off reducing agent

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Publication number
JP2002012857A
JP2002012857A JP2000384512A JP2000384512A JP2002012857A JP 2002012857 A JP2002012857 A JP 2002012857A JP 2000384512 A JP2000384512 A JP 2000384512A JP 2000384512 A JP2000384512 A JP 2000384512A JP 2002012857 A JP2002012857 A JP 2002012857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
roll
acid
reducing agent
polishing
carbon atoms
Prior art date
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Granted
Application number
JP2000384512A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3997053B2 (en
Inventor
Toshiya Hagiwara
敏也 萩原
Shigeo Fujii
滋夫 藤井
Yoshiaki Ooshima
良暁 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP2000384512A priority Critical patent/JP3997053B2/en
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨で生じる被研磨基板のロールオフを低減
し、且つ研磨速度も向上し得るロールオフ低減剤、該ロ
ールオフ低減剤を含有するロールオフ低減剤組成物、前
記ロールオフ低減剤を用いて被研磨基板のロールオフを
低減する方法、前記ロールオフ低減剤を用いた被研磨基
板の製造方法を提供すること。 【解決手段】OH基又はSH基を有する炭素数2〜20
のカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭素
数2〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より
選ばれるロールオフ低減剤、該ロールオフ低減剤と研磨
材と水とを含有するロールオフ低減剤組成物、前記ロー
ルオフ低減剤を用いて、被研磨基板のロールオフを低減
する方法、並びに前記ロールオフ低減剤を用いる被研磨
基板の製造方法。
(57) A roll-off reducing agent capable of reducing the roll-off of a substrate to be polished caused by polishing and improving the polishing rate, a roll-off reducing agent composition containing the roll-off reducing agent, A method for reducing the roll-off of a substrate to be polished using a roll-off reducing agent, and a method for manufacturing a substrate to be polished using the roll-off reducing agent. The OH group or the SH group has 2 to 20 carbon atoms.
A carboxylic acid, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, a dicarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms and a roll-off reducing agent selected from the group consisting of salts thereof, containing the roll-off reducing agent, an abrasive and water. A roll-off reducing agent composition, a method of reducing the roll-off of a substrate to be polished using the roll-off reducing agent, and a method of manufacturing a substrate to be polished using the roll-off reducing agent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ロールオフ低減剤
に関する。さらに、該ロールオフ低減剤を含有するロー
ルオフ低減剤組成物、前記ロールオフ低減剤を用いた被
研磨基板のロールオフの低減方法、前記ロールオフ低減
剤を用いた被研磨基板の製造方法に関する。
[0001] The present invention relates to a roll-off reducing agent. Further, the present invention relates to a roll-off reducing agent composition containing the roll-off reducing agent, a method of reducing roll-off of a substrate to be polished using the roll-off reducing agent, and a method of manufacturing a substrate to be polished using the roll-off reducing agent. .

【0002】[0002]

【従来の技術】年々、ハードディスクの容量をさらに高
める技術への要求が高まっている。このハードディスク
の高容量化の有力な手段として、研磨工程で発生するロ
ールオフ(基板の端面だれ)を低減し、より外周部まで
記録できる基板を製造する手段が考えられており、例え
ば、研磨パッドを堅くする、研磨荷重を小さくするとい
ったロールオフを低減しうる機械的研磨条件が検討され
ている。しかしながら、このロールオフを小さくするた
めのそれら機械的研磨条件はある程度の効果があるもの
の今だ充分とはいえない。
2. Description of the Related Art A demand for a technology for further increasing the capacity of a hard disk is increasing year by year. As a promising means for increasing the capacity of the hard disk, means for manufacturing a substrate capable of reducing the roll-off (driving of the end face of the substrate) generated in the polishing step and recording the outer peripheral portion more is considered. Mechanical polishing conditions that can reduce roll-off, such as hardening and reducing the polishing load, have been studied. However, these mechanical polishing conditions for reducing the roll-off are effective to some extent, but are still insufficient.

【0003】また、ロールオフを低減し得る研磨用組成
物として、水、α−アルミナ粒子及び硝酸アルミニウム
からなる組成物が知られている(特開平9-286975号公
報) が、この組成物のロールオフ低減効果も充分とはい
えず、さらにロールオフ低減効果に優れた研磨液成分の
検討も充分になされていないのが現状である。
As a polishing composition capable of reducing roll-off, a composition comprising water, α-alumina particles and aluminum nitrate is known (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-286975). At present, the roll-off reduction effect cannot be said to be sufficient, and a polishing liquid component excellent in the roll-off reduction effect has not yet been sufficiently studied.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、研磨で生じ
る被研磨基板のロールオフを低減し、且つ研磨速度も向
上し得るロールオフ低減剤、該ロールオフ低減剤を含有
するロールオフ低減剤組成物、前記ロールオフ低減剤を
用いて被研磨基板のロールオフを低減する方法、前記ロ
ールオフ低減剤を用いた被研磨基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。なお、本明細書中において、ロー
ルオフとは、研磨時に被研磨基板に発生する端面だれを
指す。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a roll-off reducing agent capable of reducing the roll-off of a substrate to be polished during polishing and improving the polishing rate, and a roll-off reducing agent containing the roll-off reducing agent. An object of the present invention is to provide a composition, a method for reducing roll-off of a substrate to be polished using the roll-off reducing agent, and a method for producing a substrate to be polished using the roll-off reducing agent. In the present specification, the term “roll-off” refers to an end face droop generated on a substrate to be polished during polishing.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
〔1〕OH基又はSH基を有する炭素数2〜20のカル
ボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭素数2〜
3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選ばれ
るロールオフ低減剤、〔2〕OH基又はSH基を有する
炭素数2〜20のカルボン酸、炭素数1〜20のモノカ
ルボン酸、炭素数2〜3のジカルボン酸及びこれらの塩
からなる群より選ばれた1種以上のロールオフ低減剤を
用いて、被研磨基板のロールオフを低減する方法、並び
に〔3〕OH基又はSH基を有する炭素数2〜20のカ
ルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭素数2
〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選ば
れた1種以上のロールオフ低減剤を用いる被研磨基板の
製造方法に関する。
That is, the gist of the present invention is as follows.
[1] A carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms having an OH group or an SH group, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, and having 2 to 2 carbon atoms
3, a roll-off reducing agent selected from the group consisting of dicarboxylic acids and salts thereof, [2] a carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms having an OH group or an SH group, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, A method of reducing roll-off of a substrate to be polished by using one or more roll-off reducing agents selected from the group consisting of 2-3 dicarboxylic acids and salts thereof, and [3] OH group or SH group. Carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms, monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, 2 carbon atoms
The present invention also relates to a method for producing a substrate to be polished using at least one roll-off reducing agent selected from the group consisting of dicarboxylic acids 3 to 3 and salts thereof.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明に用いられるロールオフ低
減剤は、OH基又はSH基を有する炭素数2〜20のカ
ルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭素数2
〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選ば
れる1種以上の化合物である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The roll-off reducing agent used in the present invention is a carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms having an OH group or an SH group, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, and 2 carbon atoms.
And at least one compound selected from the group consisting of dicarboxylic acids and salts thereof.

【0007】OH基又はSH基を有する炭素数2〜20
のカルボン酸としては、オキシカルボン酸、及び該酸の
OH基の酸素原子が硫黄原子に置換した化合物が挙げら
れる。これらのカルボン酸の炭素数は、水への溶解性の
観点から、2〜20であり、2〜12が好ましく、より
好ましくは2〜8、さらに好ましくは2〜6であること
が望ましい。また、ロールオフ低減の観点から、オキシ
カルボン酸としては、カルボキシル基のα位に水酸基を
持つものが好ましい。
C 2-20 having an OH or SH group
Examples of the carboxylic acid include oxycarboxylic acid and compounds in which the oxygen atom of the OH group of the acid is replaced with a sulfur atom. From the viewpoint of solubility in water, the number of carbon atoms of these carboxylic acids is 2 to 20, preferably 2 to 12, more preferably 2 to 8, and further preferably 2 to 6. From the viewpoint of reducing roll-off, the oxycarboxylic acid preferably has a hydroxyl group at the α-position of the carboxyl group.

【0008】モノカルボン酸の炭素数は、水への溶解性
の観点から、1〜20であり、1〜12が好ましく、よ
り好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6であるこ
とが望ましい。
The number of carbon atoms of the monocarboxylic acid is 1 to 20, preferably 1 to 12, more preferably 1 to 8, and further preferably 1 to 6, from the viewpoint of solubility in water. .

【0009】ジカルボン酸は、ロールオフ低減の観点か
ら、炭素数2〜3のもの、即ちシュウ酸とマロン酸であ
る。これらのロールオフ低減剤の中では、研磨速度向上
の観点から、オキシカルボン酸が好ましい。また、ロー
ルオフ低減の観点からはジカルボン酸が好ましい。
The dicarboxylic acids are those having 2 to 3 carbon atoms, that is, oxalic acid and malonic acid, from the viewpoint of reducing roll-off. Among these roll-off reducing agents, oxycarboxylic acids are preferred from the viewpoint of improving the polishing rate. Further, from the viewpoint of reducing roll-off, dicarboxylic acids are preferred.

【0010】OH基又はSH基を有する炭素数2〜20
のカルボン酸の具体例としては、グリコール酸、メルカ
プトコハク酸、チオグリコール酸、乳酸、β- ヒドロキ
シプロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソク
エン酸、アロクエン酸、グルコン酸、グリオキシル酸、
グリセリン酸、マンデル酸、トロパ酸、ベンジル酸、サ
リチル酸等が挙げられる。モノカルボン酸の具体例とし
ては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉
草酸、イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、2-メチル
ヘキサン酸、オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、ノナン
酸、デカン酸、ラウリン酸等が挙げられる。これらの中
で、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、
リンゴ酸、酒石酸、グリオキシル酸、クエン酸及びグル
コン酸が好ましく、さらに好ましくは、シュウ酸、マロ
ン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、グリオ
キシル酸、クエン酸及びグルコン酸であり、特に好まし
くはシュウ酸、マロン酸、グリコール酸、酒石酸及びグ
リオキシル酸である。
2 to 20 carbon atoms having an OH or SH group
Specific examples of the carboxylic acid include glycolic acid, mercaptosuccinic acid, thioglycolic acid, lactic acid, β-hydroxypropionic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, isocitric acid, allocitric acid, gluconic acid, glyoxylic acid,
Glyceric acid, mandelic acid, tropic acid, benzylic acid, salicylic acid and the like can be mentioned. Specific examples of monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, and nonane Acids, decanoic acid, lauric acid and the like. Among these, acetic acid, oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid,
Malic acid, tartaric acid, glyoxylic acid, citric acid and gluconic acid are preferred, more preferably oxalic acid, malonic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, glyoxylic acid, citric acid and gluconic acid, and particularly preferably. Oxalic, malonic, glycolic, tartaric and glyoxylic acids.

【0011】また、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、クエ
ン酸及びグルコン酸は、単独で又は他のロールオフ低減
剤と併用することによって、更に研磨パッドへの砥粒や
研磨カスの目詰まりを低減させ、研磨パッドを長期間使
用することによる、研磨速度や面質等の研磨特性の劣化
を防止できるので好ましい。また、頻繁なパッド洗浄が
不要となる、すなわちパッドドレッシングの間隔を大幅
に延ばすことができ、生産性があがるので経済的観点か
らも優れ好ましい。その中でも、シュウ酸、酒石酸及び
クエン酸が好ましく、特にクエン酸が好ましい。なお、
本発明に用いられるモノカルボン酸及びジカルボン酸
は、OH基又はSH基を有しないカルボン酸から選ばれ
る。
Further, oxalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid and gluconic acid can be used alone or in combination with another roll-off reducing agent to further reduce the clogging of abrasive grains and polishing residues on the polishing pad. This is preferable because it is possible to prevent polishing characteristics such as polishing rate and surface quality from deteriorating due to long-term use of the polishing pad. Further, frequent pad cleaning is not required, that is, the interval between pad dressings can be greatly extended, and productivity is improved, which is excellent in terms of economy, and is therefore preferable. Among them, oxalic acid, tartaric acid and citric acid are preferable, and citric acid is particularly preferable. In addition,
The monocarboxylic acid and dicarboxylic acid used in the present invention are selected from carboxylic acids having no OH group or SH group.

【0012】また、これらの酸の塩(即ち、OH基又は
SH基を有する炭素数2〜20のカルボン酸の塩、炭素
数1〜20のモノカルボン酸の塩、炭素数2〜3のジカ
ルボン酸の塩)としては、特に限定はなく、具体的に
は、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機
アミン等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、
周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、
3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げら
れる。これらの金属の中でも、ロールオフ低減の観点か
ら1A、3A、3B、7A又は8族に属する金属が好ま
しく、1A、3A又は3B族に属する金属が更に好まし
く、1A族に属するナトリウム、カリウムが最も好まし
い。
Also, salts of these acids (ie, salts of carboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms having an OH or SH group, salts of monocarboxylic acids having 1 to 20 carbon atoms, dicarboxylic acids having 2 to 3 carbon atoms) The acid salt is not particularly limited, and specific examples thereof include salts with metals, ammonium, alkylammonium, organic amines, and the like. Specific examples of metals include
Periodic table (long period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A,
Metals belonging to groups 3B, 4A, 6A, 7A or 8 are mentioned. Among these metals, metals belonging to groups 1A, 3A, 3B, 7A or 8 are preferable from the viewpoint of roll-off reduction, metals belonging to groups 1A, 3A or 3B are more preferable, and sodium and potassium belonging to group 1A are most preferable. preferable.

【0013】アルキルアンモニウムの具体例としては、
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウ
ム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
Specific examples of the alkyl ammonium include:
Examples include tetramethylammonium, tetraethylammonium, and tetrabutylammonium.

【0014】有機アミン等の具体例としては、ジメチル
アミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙
げられる。
Specific examples of the organic amine include dimethylamine, trimethylamine, and alkanolamine.

【0015】これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナ
トリウム塩及びカリウム塩が特に好ましい。
Among these salts, ammonium salts, sodium salts and potassium salts are particularly preferred.

【0016】本発明のロールオフ低減剤は、研磨材、水
などを含有する研磨液に配合して使用することができ
る。このようにして得られる研磨液組成物を本明細書に
おいては、特に「ロールオフ低減剤組成物」とも呼ぶ。
即ち、本発明のロールオフ低減剤組成物は、前記ロール
オフ低減剤と研磨材と水とを含有してなるものである。
The roll-off reducing agent of the present invention can be used by mixing it with a polishing liquid containing an abrasive, water and the like. The polishing composition thus obtained is particularly referred to herein as a “roll-off reducing agent composition”.
That is, the roll-off reducing agent composition of the present invention contains the above-mentioned roll-off reducing agent, an abrasive and water.

【0017】ロールオフ低減剤組成物中におけるロール
オフ低減剤の含有量は、ロールオフを低減する観点、研
磨速度を向上させる観点から、0.01重量%以上が好まし
く、また、経済的な観点、面質を向上させる観点から、
5 重量%以下が好ましい。より好ましくは0.01〜3 重量
%、さらに好ましくは0.01〜2重量%、もっとも好まし
くは0.02〜1重量%である。なお、ロールオフ低減剤
は、単独で又は2種以上を混合して用いることができ
る。
[0017] The content of the roll-off reducing agent in the roll-off reducing agent composition is preferably 0.01% by weight or more from the viewpoint of reducing roll-off and improving the polishing rate. From the perspective of improving quality,
It is preferably at most 5% by weight. It is more preferably 0.01 to 3% by weight, further preferably 0.01 to 2% by weight, and most preferably 0.02 to 1% by weight. In addition, the roll-off reducing agent can be used alone or in combination of two or more.

【0018】本発明に用いられる研磨材は、研磨用に一
般に使用されている研磨材を使用することができる。該
研磨材の例としては、金属;金属又は半金属の炭化物、
窒化物、酸化物、ホウ化物;ダイヤモンド等が挙げられ
る。金属又は半金属元素は、周期律表(長周期型)の2
A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A
又は8族由来のものである。研磨材の具体例として、α
−アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、
酸化マグネシウム粒子、酸化亜鉛粒子、酸化セリウム粒
子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒ
ュームドシリカ粒子等が挙げられ、これらを1種以上使
用することは、研磨速度を向上させる観点から好まし
い。中でも、α−アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸
化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒューム
ドシリカ粒子等がさらに好ましく、α−アルミナ粒子が
特に好ましい。
As the abrasive used in the present invention, an abrasive generally used for polishing can be used. Examples of the abrasive include metal; metal or metalloid carbide,
Nitrides, oxides, borides; diamonds and the like. Metal or metalloid elements are listed in the Periodic Table (Long Period Type)
A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 6A, 7A
Or, it is derived from Group 8. As a specific example of the abrasive, α
-Alumina particles, silicon carbide particles, diamond particles,
Examples include magnesium oxide particles, zinc oxide particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, and the like. Use of one or more of these is preferred from the viewpoint of improving the polishing rate. Among them, α-alumina particles, cerium oxide particles, zirconium oxide particles, colloidal silica particles, fumed silica particles, and the like are more preferable, and α-alumina particles are particularly preferable.

【0019】研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨速度
を向上させる観点から、好ましくは0.01〜3 μm 、さら
に好ましくは0.02〜0.8 μm 、特に好ましくは0.05〜0.
5 μm である。さらに、一次粒子が凝集して二次粒子を
形成している場合は、同様に研磨速度を向上させる観点
及び被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、その二
次粒子の平均粒径は、好ましくは0.05〜3 μm 、さらに
好ましくは0.1 〜1.5μm 、特に好ましくは0.2 〜1.2
μm である。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電
子顕微鏡で観察(好適には3000〜30000 倍)して画像解
析を行い、粒径を測定することにより求めることができ
る。また、二次粒子の平均粒径はレーザー光回折法を用
いて体積平均粒径として測定することができる。
The average particle size of the primary particles of the abrasive is preferably from 0.01 to 3 μm, more preferably from 0.02 to 0.8 μm, particularly preferably from 0.05 to 0.
5 μm. Further, when the primary particles are aggregated to form secondary particles, the average particle size of the secondary particles is similarly increased from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness of the object to be polished. , Preferably 0.05 to 3 μm, more preferably 0.1 to 1.5 μm, particularly preferably 0.2 to 1.2 μm.
μm. The average particle size of the primary particles of the abrasive can be determined by observing with a scanning electron microscope (preferably 3000 to 30,000 times), analyzing the image, and measuring the particle size. The average particle size of the secondary particles can be measured as a volume average particle size by using a laser light diffraction method.

【0020】研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への
供給性や回収再利用性の観点から、その比重は2〜6で
あることが好ましく、2〜5であることがより好まし
い。
The specific gravity of the abrasive is preferably from 2 to 6, and more preferably from 2 to 5, from the viewpoints of dispersibility, supply to the polishing apparatus, and recovery and reuse.

【0021】研磨材の含有量は、経済性及び表面粗さを
小さくし、効率よく研磨することができるようにする観
点から、ロールオフ低減剤組成物中において好ましくは
1 〜40重量%、より好ましくは2 〜30重量%、さらに好
ましくは3 〜15重量%である。
The content of the abrasive is preferably in the roll-off reducing agent composition from the viewpoints of economical efficiency, reduction of surface roughness, and efficient polishing.
The content is 1 to 40% by weight, more preferably 2 to 30% by weight, and still more preferably 3 to 15% by weight.

【0022】本発明のロールオフ低減剤組成物中の水
は、媒体として使用されるものであり、その含有量は被
研磨物を効率良く研磨する観点から、好ましくは50〜9
8.99 重量%、より好ましくは60〜98重量%、さらに好
ましくは70〜95重量%である。
The water in the roll-off reducing agent composition of the present invention is used as a medium, and its content is preferably from 50 to 9 from the viewpoint of efficiently polishing the object to be polished.
8.99% by weight, more preferably 60-98% by weight, even more preferably 70-95% by weight.

【0023】また、本発明のロールオフ低減剤組成物に
は、必要に応じて他の成分を配合することができる。
Further, the roll-off reducing composition of the present invention may contain other components as required.

【0024】他の成分としては、前記ロールオフ低減剤
以外の有機酸及びその塩、例えば、多価カルボン酸、ア
ミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸及びその塩
や、無機酸及びその塩、酸化剤、増粘剤、分散剤、防錆
剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。有機酸及
びその塩、無機酸及びその塩、並びに酸化剤の具体例と
しては、特開昭62-25187号公報2 頁右上欄3 〜11行目、
特開昭63-251163 号公報2頁左下欄7行〜14行、特開平
1-205973号公報3 頁左上欄11行〜右上欄2 行、特開平3-
115383号公報2 頁右下欄16行〜3 頁左上欄11行、特開平
4-108887号公報2頁左下欄1 行〜9 行、特開平4-275387
号公報2 頁右欄27行〜3 頁左欄12行、特開平4-363385号
公報2 頁右欄21行〜30行等に記載されているものが挙げ
られる。
Other components include organic acids and salts thereof other than the roll-off reducing agent, for example, organic acids and salts thereof such as polyvalent carboxylic acids, aminopolycarboxylic acids and amino acids, and inorganic acids and salts thereof. An oxidizing agent, a thickener, a dispersing agent, a rust inhibitor, a basic substance, a surfactant and the like can be mentioned. Specific examples of organic acids and salts thereof, inorganic acids and salts thereof, and oxidizing agents include JP-A-62-25187, page 2, upper right column, lines 3 to 11,
JP-A-63-251163, page 2, lower left column, lines 7 to 14;
No. 1-205973, page 3, upper left column, line 11 to upper right column, line 2,
No. 115383, page 2, lower right column, line 16 to page 3, upper left column, line 11,
No. 4-108887, page 2, lower left column, lines 1 to 9; JP-A-4-275387
No. 2, page 27, right column, line 27 to page 3, left column, line 12, and JP-A-4-363385, page 2, right column, lines 21 to 30.

【0025】これらの成分は単独で用いても良いし、2
種以上を混合して用いても良い。また、その含有量は、
それぞれの機能を発現させる観点及び経済性の観点か
ら、好ましくはロールオフ低減剤組成物中0.05〜2
0重量%、より好ましくは0.05〜10重量%、さら
に好ましくは0.05〜5重量%である。
These components may be used alone or
A mixture of more than one species may be used. Also, its content is
From the viewpoint of expressing the respective functions and the viewpoint of economy, preferably, the content of the roll-off reducing agent composition is 0.05 to 2%.
0% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight, still more preferably 0.05 to 5% by weight.

【0026】尚、前記ロールオフ低減剤組成物中の各成
分の濃度は、研磨する際の好ましい濃度であるが、該組
成物製造時の濃度であってもよい。通常、濃縮液として
組成物は製造され、これを使用時に希釈して用いる場合
が多い。
The concentration of each component in the roll-off reducing agent composition is a preferable concentration when polishing, but may be a concentration when the composition is manufactured. Usually, the composition is produced as a concentrated liquid, and this is often used after dilution.

【0027】本発明のロールオフ低減剤組成物は、前記
OH基又はSH基を有する炭素数2〜20のカルボン
酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭素数2〜3の
ジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選ばれる1
種以上、さらに必要であれば各種添加剤を公知の方法で
適宜添加、混合することにより製造することができる。
The roll-off reducing composition of the present invention comprises a carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, a dicarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms, having the OH group or SH group. 1 selected from the group consisting of these salts
It can be produced by appropriately adding and mixing various or more additives by a known method, if necessary.

【0028】ロールオフ低減剤組成物のpHは、被研磨
物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ま
しい。例えば、ロールオフ低減剤組成物のpHは、基板
の洗浄性及び加工機械の腐食防止性、作業者の安全性の
観点から、2 〜12が好ましい。また、被研磨物がNi-Pメ
ッキされたアルミニウム合金基板等の金属を主対象とし
た精密部品用基板である場合、研磨速度の向上と表面品
質の向上の観点から、2 〜9 がより好ましく、3 〜8 が
特に好ましい。さらに、半導体ウェハや半導体素子等の
研磨、特にシリコン基板、ポリシリコン膜、SiO2膜等の
研磨に用いる場合は、研磨速度の向上と表面品質の向上
の観点から、7 〜12が好ましく、8 〜12がより好まし
く、9 〜11が特に好ましい。該pHは、必要により、硝
酸、硫酸等の無機酸、多価カルボン酸やアミノポリカル
ボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びその金属塩やアンモ
ニウム塩、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合す
ることで調整することができる。
It is preferable that the pH of the roll-off reducing agent composition is appropriately determined according to the kind of the object to be polished, required quality and the like. For example, the pH of the roll-off reducing agent composition is preferably from 2 to 12, from the viewpoints of substrate cleaning properties, processing machine corrosion prevention properties, and operator safety. Further, when the object to be polished is a substrate for precision parts mainly intended for a metal such as a Ni-P plated aluminum alloy substrate, from the viewpoint of improving the polishing rate and improving the surface quality, 2 to 9 is more preferable. , 3 to 8 are particularly preferred. Moreover, polishing such as a semiconductor wafer or a semiconductor device, in particular a silicon substrate, a polysilicon film, when used for polishing, such as SiO 2 film, from the viewpoint of improvement in improving the surface quality of the polishing rate, 7-12 preferably, 8 To 12 are more preferable, and 9 to 11 are particularly preferable. The pH is, if necessary, an inorganic acid such as nitric acid or sulfuric acid, a polyvalent carboxylic acid or an aminopolycarboxylic acid, an organic acid such as an amino acid, and a metal salt or an ammonium salt thereof, aqueous ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, It can be adjusted by appropriately mixing a basic substance such as an amine in a desired amount.

【0029】本発明の対象である被研磨基板に代表され
る被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウ
ム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等
の金属又は半金属、及びこれらの金属を主成分とした合
金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン
等のガラス状物質、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ケイ
素、窒化タンタル、窒化チタン等のセラミック材料、ポ
リイミド樹脂等の樹脂などが挙げられる。これらの中で
は、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金
属及びこれらの金属を主成分とする合金が被研磨物であ
るか、又はそれらの金属を含んだ半導体素子等の半導体
基板が被研磨物であることが好ましい。特に、Ni-Pメッ
キされたアルミニウム合金からなる基板が、研磨する際
に本発明のロールオフ低減剤を用いた場合、ロールオフ
が小さくすることできるので好ましい。
The material to be polished represented by the substrate to be polished, which is the object of the present invention, is, for example, a metal or semimetal such as silicon, aluminum, nickel, tungsten, copper, tantalum, titanium or the like, or a metal such as these. Examples include alloys, glass-like substances such as glass, glassy carbon, and amorphous carbon as main components, ceramic materials such as alumina, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum nitride, and titanium nitride, and resins such as polyimide resins. Of these, metals such as aluminum, nickel, tungsten, and copper and alloys containing these metals as main components are the objects to be polished, or semiconductor substrates such as semiconductor elements containing such metals are objects to be polished. It is preferred that In particular, it is preferable to use the roll-off reducing agent of the present invention when polishing a substrate made of a Ni-P-plated aluminum alloy, because the roll-off can be reduced.

【0030】これらの被研磨物の形状には特に制限がな
く、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリ
ズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を
有する形状が本発明のロールオフ低減剤組成物を用いた
研磨の対象となる。その中でも、ディスク状の被研磨物
の研磨に特に優れている。
The shape of the object to be polished is not particularly limited. For example, a shape having a flat portion such as a disk shape, a plate shape, a slab shape, a prism shape, or a shape having a curved surface portion such as a lens is used in the present invention. And a polishing target using the roll-off reducing agent composition. Among them, it is particularly excellent in polishing a disk-shaped object to be polished.

【0031】本発明のロールオフ低減剤は、精密部品用
基板の研磨に好適に用いられる。例えば、磁気ディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基
板、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学
プリズム、半導体基板等の研磨に適している。半導体基
板の研磨は、シリコンウェハ(ベアウェハ)のポリッシ
ング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜
の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み
キャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。本
発明のロールオフ低減剤組成物は、特に磁気ディスク基
板の研磨に適している。
The roll-off reducing agent of the present invention is suitably used for polishing precision component substrates. For example, it is suitable for polishing a substrate of a magnetic recording medium such as a magnetic disk, an optical disk, and a magneto-optical disk, a photomask substrate, an optical lens, an optical mirror, an optical prism, and a semiconductor substrate. Polishing of a semiconductor substrate includes polishing performed in a polishing step of a silicon wafer (bare wafer), a step of forming a buried element isolation film, a step of flattening an interlayer insulating film, a step of forming a buried metal wiring, a step of forming a buried capacitor, and the like. The roll-off reducing agent composition of the present invention is particularly suitable for polishing a magnetic disk substrate.

【0032】本発明のロールオフ低減剤を用いる被研磨
基板のロールオフ低減方法において、上記に挙げた被研
磨基板を、本発明のロールオフ低減剤を含有した研磨液
又は本発明のロールオフ低減剤組成物そのものを研磨液
として用いて研磨することにより、被研磨基板のロール
オフを顕著に低減させることができる。
In the method for reducing the roll-off of a substrate to be polished using the roll-off reducing agent of the present invention, the above-mentioned substrate to be polished may be treated with a polishing liquid containing the roll-off reducing agent of the present invention or the roll-off reducing agent of the present invention. By polishing using the agent composition itself as a polishing liquid, roll-off of the substrate to be polished can be significantly reduced.

【0033】例えば、不織布状の有機高分子系の研磨布
等を貼り付けた研磨盤で基板を挟み込み、本発明のロー
ルオフ低減剤を含有させた研磨液、あるいは本発明のロ
ールオフ低減剤組成物を研磨面に供給し、一定の圧力を
加えながら研磨盤や基板を動かすことにより、ロールオ
フの低減した基板を製造することができる。
For example, a polishing liquid containing the roll-off reducing agent of the present invention, or a polishing solution containing the roll-off reducing agent of the present invention is sandwiched between polishing substrates to which a nonwoven fabric-type organic polymer polishing cloth or the like is attached. By supplying the object to the polishing surface and moving the polishing board or the substrate while applying a constant pressure, a substrate with reduced roll-off can be manufactured.

【0034】本発明において被研磨基板に発生したロー
ルオフは、例えば、触針式または光学式形状測定装置を
用いて端面部分の形状を測定し、そのプロファイルより
端面部分がディスク中央部にくらべてどれくらい多く削
れているかを数値化することにより評価することができ
る。
In the present invention, the roll-off generated on the substrate to be polished is measured, for example, by using a stylus type or an optical shape measuring device, and the profile of the end surface is compared with the center of the disk from the profile. It can be evaluated by quantifying how much is removed.

【0035】数値化の方法は、図1に示すように、ディ
スク中心からある距離離れたA点とB点とC点といった
測定曲線(被研磨基板の端面部分の形状を意味する)上
の3点をとり、A点とC点を結んだ直線をベースライン
とし、B点とベースラインとの距離(D)をいうもので
ある。ロールオフが良いとは、Dの値がより0に近いこ
とを言う。ロールオフ値は、Dを研磨前後のディスクの
厚さの変化量の1/2で除した値を言う。ロールオフ値
は好ましくは0.2μm/μm以下、より好ましくは
0.15μm/μm、さらに好ましくは0.10μm/
μmである。
As shown in FIG. 1, the method of digitization is to use three points on a measurement curve (meaning the shape of the end face portion of the substrate to be polished) such as points A, B and C which are at a certain distance from the center of the disk. A point is taken, a straight line connecting point A and point C is taken as a baseline, and the distance (D) between point B and the baseline is referred to. Good roll-off means that the value of D is closer to zero. The roll-off value is a value obtained by dividing D by の of the change in the thickness of the disk before and after polishing. The roll-off value is preferably 0.2 μm / μm or less, more preferably 0.15 μm / μm, and still more preferably 0.10 μm / μm.
μm.

【0036】なお、A点、B点及びC点の位置は、被測
定物の大きさにより様々であるが、一般にB点はディス
クの端部と中心を結ぶ線上をディスクの端部から0.5
mmの位置、C点は2.5mmの位置、A点は4.5m
mの位置であることが好ましい。例えば、3.5インチ
ディスクの場合は、A点、B点及びC点をそれぞれディ
スク中心から43mm、47mm及び45mmの距離にとるこ
とが好ましい。
The positions of point A, point B and point C vary depending on the size of the object to be measured. In general, point B is placed on a line connecting the end of the disk and the center from the end of the disk. 5
mm position, C point is 2.5 mm position, A point is 4.5 m
Preferably, the position is m. For example, in the case of a 3.5-inch disk, it is preferable that points A, B, and C are respectively 43 mm, 47 mm, and 45 mm from the center of the disk.

【0037】また、精密部品用基板等の研磨工程におい
て、本発明のロールオフ低減剤を用いることで、該基板
のロールオフを顕著に低減させるだけでなく、研磨速度
をも向上させるという利点がある。また、ロールオフ低
減剤として、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、
グルコン酸及びこれらの塩の1種以上を使用した場合、
更に研磨パッドへの砥粒や研磨カスの目詰まりを低減さ
せ、研磨パッドを長期間使用することによる研磨速度や
面質等の研磨特性の劣化を防止できるので好ましい。
The use of the roll-off reducing agent of the present invention in the step of polishing a substrate for precision parts and the like has the advantage of not only significantly reducing the roll-off of the substrate but also improving the polishing rate. is there. In addition, oxalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid,
When gluconic acid and one or more of these salts are used,
Further, it is preferable because clogging of the polishing pad with abrasive grains and polishing swarf can be reduced, and deterioration of polishing characteristics such as polishing rate and surface quality due to long-term use of the polishing pad can be prevented.

【0038】この場合上記化合物の中でもシュウ酸、酒
石酸、クエン酸又はそれらの塩が好ましく、特にクエン
酸又はその塩が好ましい。また、前記化合物を2種以上
併用する場合、特に好ましい組み合わせとしては、シュ
ウ酸、酒石酸、クエン酸及びそれらの塩から選ばれる2
種以上の組み合わせ、または、シュウ酸、酒石酸、クエ
ン酸及びそれらの塩から選ばれる1種以上とマロン酸、
グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸及びそれら
の塩から選ばれる1種以上との組み合わせが好ましく、
更に、クエン酸又はその塩とシュウ酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、酒石酸及びそれらの塩から選ばれる1
種以上との組み合わせがより好ましい。特に好ましい組
み合わせはクエン酸又はその塩とグリコール酸又はその
塩である。
In this case, among the above compounds, oxalic acid, tartaric acid, citric acid or a salt thereof is preferable, and citric acid or a salt thereof is particularly preferable. When two or more of the above compounds are used in combination, a particularly preferred combination is selected from oxalic acid, tartaric acid, citric acid and salts thereof.
A combination of at least one or oxalic acid, tartaric acid, citric acid and one or more selected from salts thereof and malonic acid;
A combination with at least one selected from glycolic acid, lactic acid, malic acid, gluconic acid and salts thereof is preferred,
Further, citric acid or a salt thereof and oxalic acid, glycolic acid,
1 selected from lactic acid, malic acid, tartaric acid and their salts
Combinations with more than one species are more preferred. A particularly preferred combination is citric acid or a salt thereof and glycolic acid or a salt thereof.

【0039】本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工
程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例
えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができ
る。
Although the polishing composition of the present invention is particularly effective in the polishing step, it can be similarly applied to other polishing steps such as a lapping step.

【0040】[0040]

【実施例】実施例1〜10及び比較例1〜5 研磨材(一次粒径の平均粒径0.23μm 、二次粒子の平均
粒径0.5μm のα−アルミナ(純度約99.9%))7重量
部と、実施例に用いたロールオフ低減剤及び比較例に用
いた化合物を表1に示す所定量と、イオン交換水残部と
を混合・攪拌し、実施例1〜10、比較例2〜4はアン
モニア水でpHを4に調整し、比較例1、5は硝酸でp
Hを4に調整し、実施例1〜10及び比較例1〜5の組
成物100重量部を得た。
Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5 Abrasive (α-alumina having an average primary particle diameter of 0.23 μm and an average secondary particle diameter of 0.5 μm (purity: about 99.9%)) 7 Parts by weight, a predetermined amount shown in Table 1 of the roll-off reducing agent used in the examples and the compound used in the comparative examples, and the remainder of the ion-exchanged water were mixed and stirred. 4 was adjusted to pH 4 with aqueous ammonia, and Comparative Examples 1 and 5 were adjusted to p with nitric acid.
H was adjusted to 4 to obtain 100 parts by weight of the compositions of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5.

【0041】得られた組成物を用い、ランク・テーラー
ホブソン社製のタリーステップ(触針先端サイズ:25μ
m ×25μm 、ハイパスフィルター:80μm 、測定長さ:
0.64mm)によって測定した中心線平均粗さRaが0.2 μm
、厚さ0.8 mm、直径3.5 インチのNi-Pメッキされたア
ルミニウム合金からなる基板の表面を両面加工機によ
り、以下の両面加工機の設定条件でポリッシングし、磁
気記録媒体用基板として用いられるNi-Pメッキされたア
ルミニウム合金基板の研磨物を得た。
Using the obtained composition, a tally step (probe tip size: 25 μm) manufactured by Rank Taylor Hobson KK
m × 25μm, high pass filter: 80μm, measurement length:
0.64mm), the center line average roughness Ra is 0.2 μm
The surface of a substrate made of a Ni-P plated aluminum alloy having a thickness of 0.8 mm and a diameter of 3.5 inches is polished by a double-sided processing machine under the following double-sided processing machine setting conditions, and Ni used as a substrate for a magnetic recording medium is used. A polished aluminum alloy substrate plated with -P was obtained.

【0042】両面加工機の設定条件を下記に示す。 <両面加工機の設定条件> 両面加工機:スピードファーム(株)製、9B型両面加工
機 加工圧力:9.8kPa 研磨パッド:ポリテックスDG-H(ロデールニッタ社製) 定盤回転数:50r/min 研磨液組成物供給流量:100ml/min 研磨時間:5min 投入した基板の枚数:10枚
The setting conditions of the double-side processing machine are shown below. <Setting conditions of double-sided processing machine> Double-sided processing machine: Speed Farm Co., Ltd., 9B type double-sided processing machine Processing pressure: 9.8 kPa Polishing pad: Polytex DG-H (Rodel Nitta) Surface plate rotation speed: 50r / min Polishing composition supply flow rate: 100 ml / min Polishing time: 5 min Number of substrates loaded: 10

【0043】研磨後、下記の測定方法で被研磨基板に発
生したロールオフの値を求め、比較例2を基準として相
対値を求めた。また、実施例のアルミニウム合金基板の
厚さを膜厚計(ミツトヨ(株)製、レーザー膜厚計 Mo
del LGH-110/LHC-11N)を用いて測定し、研磨前後のアル
ミニウム合金基板の厚さの変化から厚さの減少速度を求
め、比較例1を基準として相対値(相対研磨速度)を求
めた。結果を表1に示す。
After polishing, the roll-off value generated on the substrate to be polished was determined by the following measurement method, and the relative value was determined based on Comparative Example 2. In addition, the thickness of the aluminum alloy substrate of the embodiment was measured using a film thickness meter (manufactured by Mitutoyo Corporation, laser film thickness meter Mo).
del LGH-110 / LHC-11N) to determine the rate of decrease in thickness from the change in thickness of the aluminum alloy substrate before and after polishing, and to determine the relative value (relative polishing rate) based on Comparative Example 1. Was. Table 1 shows the results.

【0044】<ロールオフの測定方法> 測定装置:ミツトヨ フォームトレーサーSV-C624 触針先端半径:2 μm(コードNo.178-381) 触針圧:0.7mN 以下 速度:0.2mm/s 解析ソフト:SV-600微細輪郭解析システム version1.0
1 フィルター:LPF (Gaussian)0.800mm
<Measurement method of roll-off> Measuring device: Mitutoyo Form Tracer SV-C624 Contact tip radius: 2 μm (code No. 178-381) Contact pressure: 0.7 mN or less Speed: 0.2 mm / s Analysis software: SV-600 fine contour analysis system version1.0
1 Filter: LPF (Gaussian) 0.800mm

【0045】上記の装置を用いて、ディスク中心からの
距離が42.5mmから47.5mmまでのディスク端部の形状を測
定し、A、B及びC点の位置をディスク中心からそれぞ
れ43mm、47mm及び45mmにとり、解析ソフトを用いて前記
測定方法により、Dを求めた。この求められたDを研磨
前後のディスクの厚さの変化量の1/2で除した値をロ
ールオフ値とした。
Using the above apparatus, the shape of the edge of the disk at a distance from the center of the disk of 42.5 mm to 47.5 mm was measured, and the positions of points A, B and C were respectively 43 mm, 47 mm and 45 mm from the center of the disk. Then, D was obtained by the above-described measurement method using analysis software. The value obtained by dividing the obtained D by 1/2 of the amount of change in the thickness of the disk before and after polishing was defined as a roll-off value.

【0046】[0046]

【表1】 [Table 1]

【0047】表1の結果より、実施例1〜10で得られ
たロールオフ低減剤組成物は、いずれも比較例1〜5で
得られたロールオフ低減剤組成物に比べ、ロールオフが
著しく低減されていることがわかる。また、ロールオフ
低減剤が含有されている実施例1〜10は添加されてい
ない比較例1に比べ研磨速度が向上していることがわか
る。
From the results in Table 1, it can be seen that the roll-off reducing compositions obtained in Examples 1 to 10 all have significantly reduced roll-off as compared with the roll-off reducing compositions obtained in Comparative Examples 1 to 5. It can be seen that it has been reduced. In addition, it can be seen that the polishing rates of Examples 1 to 10 in which the roll-off reducing agent was contained were improved as compared with Comparative Example 1 in which the roll-off reducing agent was not added.

【0048】また、実施例4、実施例10及び比較例3
で調製した研磨液組成物を使用し、先に記載の研磨評価
を20回繰り返し、1回目の相対研磨速度に対する20
回目の相対研磨速度の比を目詰まり防止性能として測定
したところ、実施例4の研磨液組成物では、0.97で
あり、実施例10では0.95、比較例3では0.62
であった。また、実施例4、10、比較例3のパッド目
詰まり防止能評価結果より、実施例4、10は比較例3
に対し、研磨速度の劣化が少なく、優れたパッド目詰ま
り防止性能があることがわかる。
Examples 4, 10 and Comparative Example 3
Using the polishing composition prepared in the above, the polishing evaluation described above was repeated 20 times, and 20 times the first relative polishing rate.
When the ratio of the relative polishing speed at the time of the polishing was measured as the clogging prevention performance, it was 0.97 in the polishing composition of Example 4, 0.95 in Example 10, and 0.62 in Comparative Example 3.
Met. In addition, from the evaluation results of the pad clogging prevention ability of Examples 4 and 10 and Comparative Example 3, Examples 4 and 10 show Comparative Example 3.
On the other hand, it can be seen that there is little deterioration in the polishing rate and there is excellent pad clogging prevention performance.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明のロールオフ低減剤を精密部品用
基板等の研磨に用いることにより、該基板のロールオフ
を著しく低減させることに加え、研磨速度も向上させる
ことができるという効果が奏される。
By using the roll-off reducing agent of the present invention for polishing a substrate for precision parts, the roll-off of the substrate can be significantly reduced and the polishing rate can be improved. Is done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、測定曲線とロールオフとの関係を示す
図である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between a measurement curve and roll-off.

フロントページの続き (72)発明者 大島 良暁 和歌山市湊1334番地 花王株式会社研究所 内 Fターム(参考) 3C047 GG00 3C058 AA07 AC04 DA17 5D112 AA02 AA24 BA06 GA14 JJ01Continuation of front page (72) Inventor Yoshiaki Oshima 1334 Minato, Wakayama-shi Kao Corporation Research Laboratory F-term (reference) 3C047 GG00 3C058 AA07 AC04 DA17 5D112 AA02 AA24 BA06 GA14 JJ01

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 OH基又はSH基を有する炭素数2〜2
0のカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭
素数2〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群よ
り選ばれるロールオフ低減剤。
An OH or SH group having 2 to 2 carbon atoms.
A roll-off reducing agent selected from the group consisting of a carboxylic acid having 0, a monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, a dicarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms, and salts thereof.
【請求項2】 OH基又はSH基を有する炭素数2〜2
0のカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭
素数2〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群よ
り選ばれた1種以上のロールオフ低減剤と研磨材と水と
を含有するロールオフ低減剤組成物。
2. An OH or SH group having 2 to 2 carbon atoms.
0 carboxylic acid, monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, dicarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms and one or more roll-off reducing agents selected from the group consisting of salts thereof, an abrasive and water. Roll-off reducing agent composition.
【請求項3】 OH基又はSH基を有する炭素数2〜2
0のカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭
素数2〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群よ
り選ばれた1種以上のロールオフ低減剤を用いて、被研
磨基板のロールオフを低減する方法。
3. An OH or SH group having 2 to 2 carbon atoms.
0 carboxylic acid, monocarboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms, dicarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms, and at least one roll-off reducing agent selected from the group consisting of salts thereof. How to reduce roll-off.
【請求項4】 OH基又はSH基を有する炭素数2〜2
0のカルボン酸、炭素数1〜20のモノカルボン酸、炭
素数2〜3のジカルボン酸及びこれらの塩からなる群よ
り選ばれた1種以上のロールオフ低減剤を用いる被研磨
基板の製造方法。
4. An OH or SH group having 2 to 2 carbon atoms.
A method for producing a substrate to be polished using one or more roll-off reducing agents selected from the group consisting of a carboxylic acid of 0, a monocarboxylic acid of 1 to 20 carbon atoms, a dicarboxylic acid of 2 to 3 carbon atoms and salts thereof. .
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902591B2 (en) 2002-08-07 2005-06-07 Kao Corporation Polishing composition
US7204936B2 (en) 2002-07-31 2007-04-17 Kao Corporation Polishing composition
JP2009524236A (en) * 2006-01-25 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド CMP slurry and semiconductor wafer polishing method using the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7204936B2 (en) 2002-07-31 2007-04-17 Kao Corporation Polishing composition
US6902591B2 (en) 2002-08-07 2005-06-07 Kao Corporation Polishing composition
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