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JP2002008870A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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Publication number
JP2002008870A
JP2002008870A JP2000183922A JP2000183922A JP2002008870A JP 2002008870 A JP2002008870 A JP 2002008870A JP 2000183922 A JP2000183922 A JP 2000183922A JP 2000183922 A JP2000183922 A JP 2000183922A JP 2002008870 A JP2002008870 A JP 2002008870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode layer
display device
layer
light
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000183922A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinki Tsuruta
真貴 鶴田
Tetsuo Urabe
哲夫 占部
Tatsuya Sasaoka
龍哉 笹岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000183922A priority Critical patent/JP2002008870A/ja
Publication of JP2002008870A publication Critical patent/JP2002008870A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80515Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80521Cathodes characterised by their shape

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 設計の自由度を確保することができ、かつ視
野角特性に優れた表示装置を提供する。 【解決手段】 基板1上に設けられた第1電極層4と、
第1電極層4上に設けられた発光層5と、発光層5上に
設けられた第2電極層6とを備え、発光層5において生
じた発光光hを第2電極層6側から取り出す表示装置に
おいて、第1電極層4の発光層5側の表面は、なだらか
な傾斜面からなる複数の凹凸パターンで構成されてい
る。この第1電極層4は、基板1の表面側に形成され
た、なだらかな傾斜面を有する複数の凸パターン2b上
に、この凸パターン2bを覆う下地層3を介して設けら
れ、これによってその表面が凹凸パターンで構成された
ものとなっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に関し、
特には基板上に自発光型の素子を設けてなる表示装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】有機材料のエレクトロルミネッセンス(e
lectroluminescence:以下ELと記す)を利用した有機
EL素子は、陽極と陰極との間に、有機正孔輸送層や有
機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流
駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目され
ている。
【0003】図7には、このような有機EL素子用いた
表示装置の一例を示す。この断面図に示す表示装置は、
基板101上に設けられた第1電極層102と、この第
1電極層102上に設けられた有機層103と、この上
部に設けられた第2電極層104とを備えている。例え
ば、この表示装置が基板101と反対側、すなわち第2
電極層104側から発光光を放出する上面発光型である
場合、第1電極層102は、クロム(Cr)のような仕
事関数が大きく光反射性を有する材料を用いて陽極とし
て設けられる。また、第2電極層104は、銀:マグネ
シウム(Ag:Mg)のような仕事関数が小さく光透過
性を有する材料を用いて陰極として設けられる。そし
て、有機層103は、第1電極層102側から順に、有
機正孔輸送層、有機発光層、さらには有機電子輸送層を
必要に応じて積層させてなる。
【0004】このように構成された表示装置は、第1電
極層102から注入されたホールと、第2電極層104
から注入された電子とが、有機層103における有機発
光層において再結合して発光し、この発光光hが直接、
さらには第1電極層102で反射して第2電極層104
側から取り出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
構成の表示装置では、第1電極層102と有機層103
との界面だけではなく、第2電極層104と有機層10
3の界面においても発光光hの反射が生じる。特に、上
述した上面発光型の表示装置において第2電極層104
を陰極とした場合、第2電極層104を仕事関数の小さ
い材料で構成する必要があるため、銀:マグネシウム
(Ag:Mg)などが用いられているが、これは半透明
反射性の材料であり発光光hを反射する。
【0006】このため、発光光hがこの第2電極層10
4と第1電極層102との間を往復し、共振波長の光が
増強されて第2電極層104側から取り出される場合が
ある。この際、共振された光はピークが高く幅が狭いス
ペクトルを有するため、発光面を斜め方向から見た場合
には、光hの波長が大きくシフトしたり発光強度が低下
する。このため表示装置における表示特性の視野角依存
性が高くなる。
【0007】これを防止するためには、発光光hの共振
が生じることのないように、第2電極層104と第1電
極層102との間隔を設計する必要があるが、これは表
示装置の設計の自由度を低下させる要因になる。
【0008】そこで本発明は、上記課題を解決し、設計
の自由度を確保することができ、かつ視野角特性に優れ
た表示装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の表示装置は、基板上に設けられた第1
電極層と、この第1電極層上に設けられた発光層と、こ
の発光層上に設けられた第2電極層とを備え、発光層で
生じた発光光を第1電極層及び第2電極層のうちの一方
側から取り出す表示装置において、第1電極層の発光層
側の表面が、なだらかな傾斜面からなる複数の凹凸パタ
ーンで構成されたことを特徴としている。
【0010】このような構成の表示装置では、第1電極
層の発光層側の表面がなだらかな傾斜面からなる複数の
凹凸パターンで構成されているため、発光層で生じた発
光光が、発光層と第1電極層との界面で反射する際に拡
散する。このため、この発光光が、発光層を挟んで設け
られた第1電極層の界面と第2電極層の界面とで反射を
繰り返した場合であっても、これによって発光光が共振
することが防止され、共振のない発光光が第1電極層ま
たは第2電極層側から放出されることになる。
【0011】また、本発明におけるもう一つの表示装置
は、基板上に設けられた第1電極層と、当該第1電極層
上に設けられた発光層と、当該発光層上に設けられた第
2電極層とを備え、発光層で生じた発光光を第2電極層
側から取り出す表示装置において、第2電極層上に、な
だらかな傾斜面で構成された透明材料からなる複数の凸
パターンを設けたことを特徴としている。
【0012】このような構成の表示装置では、第2電極
層上に透明材料からなる凸パターンが設けられているた
め、第2電極層側から取り出される発光光は、この凸パ
ターンを透過することによって拡散して放出される。こ
のため、この発光光が、発光層を挟んで設けられた第1
電極層と第2電極層との界面で反射を繰り返して共振さ
れた場合であっても、第2電極層側からは共振された光
が拡散して放出されることになる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の表示装置の実施の
形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【0014】(第1実施形態)図1は、本発明の一例を
示す第1実施形態の表示装置の断面構成図であり、発光
光hを基板1と反対側から取り出す上面発光型の表示装
置に本発明を適用した場合の構成例を示している。以
下、この図に示す表示装置の構成を、図2の断面工程図
に基づいてその製造工程順に詳細に説明する。
【0015】先ず、図2(1)に示すように、ガラスや
シリコンウエハ等からなる基板1を用意し、この基板1
上に感光性を有する樹脂膜2を塗布する。樹脂膜2とし
ては、例えばアクリル系、イミド系、ノボラック系のも
のを用い、例えば、スピンコート法によって基板1上に
塗布成膜する。また、この基板1は、必要に応じてここ
での図示を省略した薄膜トランジスタ(thin film tran
sistor:TFT)や薄膜ダイオード(thin film diod
e:TFD)等が形成されたものであっても良く、この
場合にはこれらのTFTやTFDは平坦化絶縁膜にて埋
め込まれており、この平坦化絶縁膜上に樹脂膜2が塗布
されることとする。
【0016】次いで、図2(2)に示すように、リソグ
ラフィー技術によってこの樹脂膜2をパターニングし、
基板1上に複数の凸パターン2aを高密度に形成する。
各凸パターン2aは、例えば図3に示すようにランダム
な多角柱状に形成され、基板上にこれらの凸パターン2
aの集合体を設ける。また、これらの凸パターン2aを
設計する際には、直径11μm程度の円を互いに接触す
るように配置し、接触する円の境界を連続して直線に結
び互いに分離する。また、凸パターン2a間の間隔は、
リソグラフィーの最小分解能(例えば1μ程度)に設定
されることとする。尚、凸パターン2aは、図3に示し
たようなランダムな多角柱状に限定されることはなく、
規則的に配列された同一形状の角柱状または円柱状であ
っても良い。
【0017】次に、図2(3)に示すように、この凸パ
ターン(2a)を例えば約140℃の熱処理によって軟
化・溶融させる。これによって、表面張力によって中央
部側が高く、なだらかな傾斜面で構成された、高さ約
1.5μmの凸パターン2bを得る。また、その後さら
に約200℃程度の熱処理を行うことによって、この凸
パターン2bを硬化させる。以上の工程は、各凸パター
ン2bの最大傾斜角度θmax が12°未満になるように
制御されることとする。
【0018】ここで、凸パターン2bの側壁の立ち上が
り角度が急峻な場合には、凸パターン2bに対して選択
的なエッチングが可能な材料で凸パターン2b間を埋め
込み、これによって凸パターン2bの最大傾斜角度を緩
和し、最大傾斜角度θmax が12°未満になるようにし
ても良い。この場合、先ず、凸パターン2bを埋め込む
状態で基板1上に埋め込み材料層(図示省略)を形成し
た後、凸パターン2bの上部のみを露出させるように埋
め込み材料層を選択的にエッチバックし、凸パターン2
b間にのみ埋め込み材料層を残す。また、このように凸
パターン2b間に埋め込み材料層を設けることで、基板
1表面を覆って平坦面をなくし、鏡面反射を抑えること
もできる。
【0019】次に、図2(4)に示すように、基板1上
の凸パターン2bを覆う状態で、下地層3を形成する。
この下地層3は、例えば樹脂材料からなり、凸パターン
2b間が完全に埋め込まれることのないように、かつ凸
パターン2b表面及び凸パターン2b間が滑らかに覆わ
れる程度に十分な膜厚(例えば0.3μm〜0.7μm
程度)で形成する。
【0020】以上の後、図1に示したように、下地層3
上に第1電極層4を形成する。この第1電極層4は、陽
極として用いられるもので、例えばクロム(Cr)、金
(Au)、プラチナ(Pt)、ニッケル(Ni)、銅
(Cu)、タングステン(W)などのように仕事関数が
高い材料のうち、この表示装置における発光光hに対し
て反射率の高い材料を用いて構成されることする。この
第1電極層4は、例えばスパッタ法によって形成され、
その後、通常のリソグラフィー技術によって形成された
レジストパターンをマスクしたエッチングを行うことに
よって、この第1電極層4を所定形状にパターニングす
る。尚、基板1にTFTやTFDが作りこまれている場
合には、この第1電極層4は、下地層3や凸パターン2
bさらには平坦化絶縁膜に形成されたコンタクトホール
を介してこれらの素子に接続する状態に形成されること
とする。
【0021】次に、第1電極層4上に、発光層5を形成
する。この際、例えば、ここでの図示を省略した金属マ
スク上からの真空蒸着によって、各第1電極層4上に独
立したパターン形状を有する発光層5を形成する。この
発光層5は、ここでの図示を省略した有機正孔注入層、
有機正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた有機発光層を下層
から順に積層してなる有機EL層であることとする。
【0022】このような構成の発光層5の一例として
は、有機正孔注入層としてMTDATA〔4,4',4"-トリ
ス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルア
ミン〕を30nmの膜厚に形成し、有機正孔輸送層とし
てα−NPD〔ビス(N-ナフチル)-N-フェニルベンジ
ジン〕を20nmの膜厚に形成し、有機発光層としてA
lq3(8−キノリノールアルミニウム錯体)を50n
mの膜厚に形成する。
【0023】次に、発光層5上に、陰極として用いられ
る第2電極層6を形成する。この第2電極層6は、マグ
ネシウムと銀との合金(Mg:Ag)や、アルミニウム
とリチウムとの合金(Al:Li)のような仕事関数が
小さく、この表示装置における発光光hに対して光透過
性を有する導電性材料で構成される。この第2電極層6
は、例えば蒸着法によって、基板1上の全面、または必
要部分上にパターン形成される。
【0024】ここで、第2電極層6を構成するこれらの
導電性材料は、半透明反射材料であり、表示装置の輝度
を確保するために、薄い膜厚(例えば10nm程度)で
形成する。そこで、ここでの図示は省略したが、この第
2電極層6上に、第2電極層6の保護と低抵抗化のため
の透明電極膜を成膜する。この透明電極膜としては、例
えば室温成膜で良好な導電性を示すインジウム亜鉛酸化
物(In−Zn−O)系の透明導電性材料等が用いら
れ、DCスパッタ法によって第2電極層6と同一形状に
形成される。
【0025】以上のようにして、基板1上に第1電極層
(陽極)4、発光層(有機EL層)5、第2電極層(陰
極)6を順次積層してなる表示装置を得る。この表示装
置は、下地層3を介して凸パターン2bを覆うように設
けられた第1電極層4における発光層5側の表面が、な
だらかな傾斜面からなる複数の凹凸パターンで構成され
たものになる。
【0026】このような構成の表示装置においては、第
1電極層4における発光層5の表面がなだらかな傾斜面
からなる複数の凹凸パターンで構成されているため、発
光層5において生じた発光光hは、第1電極層4の表面
(発光層5側の界面)において反射する際に拡散する。
このため、この発光光hが、反射率の高い第1電極層4
と半透明反射材料からなる第2電極層6との間で反射を
繰り返しても、これによって発光光hが共振することが
防止される。しかも、この第1電極層4上に形成された
発光層5の表面及び第2電極層6の発光層5側の界面
も、第1電極層4表面の凹凸を反映した凹凸面に形成さ
れる。このため、発光層5において生じた発光光hは、
発光層5と第2電極層6との界面において反射する際に
も拡散し、発光光hの共振が防止される。
【0027】したがって、反射材料からなる第1電極層
4と半透明反射材料からなる第2電極層6との間隔によ
らず、発光光hの共振を防止することが可能になり、表
示特性の視野角依存性を抑えることができる。この結
果、発光層5の設計の自由度を確保することが可能で、
かつ視野角特性の良好な表示装置を得ることができる。
【0028】しかも、凸パターン2bがゆるやかな傾斜
面で構成されるようにしたことで、第1電極層4で反射
した発光光hを第2電極層6側に向かって拡散反射さ
せ、表示装置の輝度の低下を防止することができる。特
に、凸パターン2bの最大傾斜角度をθmax =12°と
したことで、第1電極層4で反射した光のほとんどを第
2電極層6側に向かって反射させることができ、表示装
置の輝度を確保することが可能になる。
【0029】また、凸パターン2bを下地層3で覆った
構成にすることで、凸パターン2bの傾斜角度が緩和さ
れると共に、第1電極層4の下地を滑らかにし、第1電
極層4上に形成される発光層5の局所所的な膜厚の不均
一を防止することができる。したがって、発光層5にお
ける漏れ電流の発生を防止し、安定した表示を行うこと
が可能になる。
【0030】(第2実施形態)図4は、上面発光型の表
示装置に本発明を適用した場合の他の構成例を示してい
る。以下、この図に示す表示装置の構成を、図5の断面
工程図に基づいてその製造工程順に詳細に説明する。
【0031】先ず、図5(1)に示すように、第1実施
形態と同様の基板1を用意し、リソグラフィー技術によ
ってこの基板1上にマスクパターン8を形成する。この
マスクパターン8には、複数の抜きパターン8aが高密
度に形成されていることとする。これらの抜きパターン
8aは、例えば第1実施形態において図2(2)を用い
て説明した凸パターン2aの反転パターンであることと
する。
【0032】次に、図5(2)に示すように、このマス
クパターン8上からのエッチングによって、基板1の表
面側に複数の凹パターン1aを形成する。この際、ウェ
ットエッチングを行うことによって、凹パターン1aを
なだらかな傾斜面で構成されたものとする。ここで、こ
の凸パターン2bの最大傾斜角度(θmax )が12°未
満になるように制御する。
【0033】次いで、図5(3)に示すように、基板1
上のマスクパターン(8)を除去した後、この凹パター
ン1aを覆う状態で、基板1上に下地層3を形成する。
この下地層3は、例えば第1実施形態の下地層と同様で
あることとする。
【0034】以上の後、図4に示したように、この下地
層3上に、第1実施形態と同様にして、第1電極層4、
発光層5、第2電極層6、さらには必要に応じて透明電
極層(図示省略)を形成して表示装置を完成させる。
【0035】このようにして得られた表示装置は、下地
層3を介して凹パターン1aを覆うように設けられた第
1電極層4の表面が、なだらかな傾斜面からなる複数の
凹凸パターンで構成されたものになる。
【0036】このような構成の表示装置であっても、第
1電極層4における発光層5側の表面がなだらかに傾斜
する凹凸面に成形されているため、第1実施形態で説明
した構成の表示装置と同様の効果を得ることが可能であ
り、発光層5の設計の自由度を確保することが可能で、
かつ視野角特性の良好な表示装置を得ることができる。
【0037】また、凹パターン1aがゆるやかな傾斜面
で構成されるようにしたことで、第1実施形態と同様
に、表示装置の輝度を確保することが可能になる。さら
に、凹パターン1aを下地層3で覆った構成にすること
で、凹パターン1aの傾斜角度が緩和されると共に、第
1電極層4の下地を滑らかにし、第1電極層4上に形成
される発光層5の局所所的な膜厚の不均一を防止するこ
とができる。したがって、第1実施形態と同様に、安定
した表示を行うことが可能になる。
【0038】以上説明した第1実施形態及び第2実施形
態においては、上面発光型の表示装置に本発明を適用し
た実施の形態を説明した。しかしこれらの実施形態は、
発光光を基板側から取り出す透過型の表示装置にも適用
可能である。この場合、基板及び第1電極層は透明材料
を用いて構成され、第2電極層は反射性材料を用いて構
成されることとする。また、第1電極層及び第2電極層
を構成する材料によって、発光層を構成する各有機層の
積層順が適宜されることとする。
【0039】このような透過型の表示装置においては、
発光層で生じた発光光が透明導電性材料からなる第1電
極層と発光層との界面でわずかに反射する際に拡散す
る。また、この第1電極層上に発光層を介して積層され
た第2電極層も、発光層側の界面が凹凸面に形成され
る。このため、発光層において生じた発光光は、発光層
と第2電極層との界面において反射する際に拡散し、発
光光hの共振が防止される。したがって、第1実施形態
及び第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0040】また、上記第1実施形態及び第2実施形態
においては、凸パターン2bや凹パターン1aの最大傾
斜角度を12°未満に設定した。しかし、本発明におい
ては、第1電極層4や第2電極層6における発光層5側
の界面の最大傾斜角度が12°未満であれば、表示装置
の輝度を確保することができる。このため、少なくとも
第1電極層4における発光層5側の表面の最大傾斜角度
がθmax <12°になれば、凸パターン2bや凹パター
ン1aの最大傾斜角度が12°を超えても良い。
【0041】(第3実施形態)図6は、第3実施形態の
表示装置の構成を示す断面構成図である。この図に示す
表示装置は、図1を用いて説明した第1実施形態の表示
装置の第2電極層6上(透明電極層が設けられている場
合にはこの上部)に透明材料からなる複数の凸パターン
9を設けた構成になっており、その他の構成は第1実施
形態の表示装置と同様であることとする。
【0042】これらの凸パターン9は、例えば第1実施
形態で説明した凸パターン2bと同様に形成されたもの
で、その表面はなだらかな傾斜面で構成されていること
とする。
【0043】このような構成の表示装置では、第2電極
層6上に透明材料からなる凸パターン9が設けられてい
るため、第2電極層6側から取り出される発光光hは、
凸パターン9を透過することによって拡散して放出され
る。このため、第1実施形態の表示装置と比較して、さ
らに表示特性の視野角依存性を抑えることが可能にな
る。
【0044】尚、ここでは、第1実施形態の表示装置の
第2電極6上に凸パターン9を設けた構成を説明した
が、第2実施形態の表示装置の第2電極層6上(透明電
極層が設けられている場合には透明電極層上)上に凸パ
ターンを設けた構成であっても、同様の効果を得ること
ができる。
【0045】また、従来の技術で説明した表示装置にお
ける第2電極層の上方にこれらの凸パターン9を設けた
構成であっても良い。この場合、発光層で生じた発光光
が、発光層を挟んで設けられた第1電極層と第2電極層
との界面で反射を繰り返して共振された場合であって
も、この共振された発光光が凸パターン9を透過するこ
とで拡散する。したがって、従来の表示装置と比較し
て、表示特性の視野角依存性を抑えることが可能にな
る。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように本発明の表示装置に
よれば、第1電極層における発光層の表面をなだらかな
傾斜面からなる複数の凹凸パターンで構成したことによ
って、発光層において生じた発光光を発光層と第1電極
層との界面において拡散反射させることが可能になる。
したがって、発光層を挟んで設けられた第1電極層の界
面と第2電極層の界面との間における発光光の共振を防
止し、表示特性の視野角依存性を抑えることができる。
この結果、発光層の設計の自由度を確保することが可能
で、かつ視野角特性の良好な表示装置を得ることができ
る。
【0047】また、本発明のもう一方の表示装置によれ
ば、発光層上に形成された第2電極層上に透明材料から
なる凸パターンを設けたことで、第2電極層側から取り
出される発光光をこの凸パターンを透過させることで拡
散させて放出することができる。したがって、発光層で
生じた発光光が、これを挟んで設けられた第1電極層と
第2電極層との界面で反射を繰り返して共振された場合
であっても、これを拡散して第2電極層側から放出する
ことで表示特性の視野角依存性を抑えることができる。
この結果、発光層の設計の自由度を確保することが可能
で、かつ視野角特性の良好な表示装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の表示装置の断面構成図である。
【図2】第1実施形態の表示装置の製造手順を示す断面
工程図である。
【図3】第1実施形態の表示装置における凸パターンの
平面図である。
【図4】第2実施形態の表示装置の断面構成図である。
【図5】第2実施形態の表示装置の製造手順を示す断面
工程図である。
【図6】第3実施形態の表示装置の断面構成図である。
【図7】従来の表示装置の断面構成図である。
【符号の説明】
1…基板、1a…凹パターン、2b…凸パターン、3…
下地層、4…第1電極層、5…発光層、6…第2電極
層、9…(透明材料からなる)凸パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹岡 龍哉 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB17 BA05 CA01 CA03 DA01 5C094 AA12 BA27 CA19 DA13 EA05 EB02 EB05 ED13 JA08 JA09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に設けられた第1電極層と、当該
    第1電極層上に設けられた発光層と、当該発光層上に設
    けられた第2電極層とを備え、前記発光層で生じた発光
    光を前記第1電極層及び第2電極層のうちの一方側から
    取り出す表示装置において、 前記第1電極層の前記発光層側の表面は、なだらかな傾
    斜面からなる複数の凹凸パターンで構成されたことを特
    徴とする表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の表示装置において、 前記基板の表面側には、なだらかな傾斜面を有する複数
    の凹パターンまたは凸パターンが形成され、 前記第1電極層は、前記凹パターンまたは前記凸パター
    ンを覆う状態で前記基板上に形成されたことを特徴とす
    る表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の表示装置において、 前記基板と前記第1電極層との間に、前記凹パターンま
    たは前記凸パターンを覆う状態で下地層が設けられたこ
    とを特徴とする表示装置。
  4. 【請求項4】 前記発光層で生じた発光光を前記第2電
    極層側から取り出す請求項1記載の表示装置において、 前記第2電極層上には、なだらかな傾斜面で構成された
    透明材料からなる複数の凸パターンが設けられたことを
    特徴とする表示装置。
  5. 【請求項5】 基板上に設けられた第1電極層と、当該
    第1電極層上に設けられた発光層と、当該発光層上に設
    けられた第2電極層とを備え、前記発光層で生じた発光
    光を前記第2電極層側から取り出す表示装置において、 前記第2電極層上には、なだらかな傾斜面で構成された
    透明材料からなる複数の凸パターンが設けられたことを
    特徴とする表示装置。
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