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JP2002006161A - 光配線基板および光配線モジュール並びにそれらの製造方法 - Google Patents

光配線基板および光配線モジュール並びにそれらの製造方法

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Publication number
JP2002006161A
JP2002006161A JP2000183441A JP2000183441A JP2002006161A JP 2002006161 A JP2002006161 A JP 2002006161A JP 2000183441 A JP2000183441 A JP 2000183441A JP 2000183441 A JP2000183441 A JP 2000183441A JP 2002006161 A JP2002006161 A JP 2002006161A
Authority
JP
Japan
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optical
insulating layer
signal
electric
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000183441A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Ogawa
剛 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000183441A priority Critical patent/JP2002006161A/ja
Publication of JP2002006161A publication Critical patent/JP2002006161A/ja
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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    • G02B6/24—Coupling light guides
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    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
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    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device

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  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号の高速伝送を可能にすると共に、外部要
因による損傷を効果的に防止することを可能とする配線
基板および配線基板モジュール並びにそれらの製造方法
を提供する。 【解決手段】 絶縁性を有する基板１１に電気配線パタ
ーン１２ａ〜１２ｇが形成された電気配線部１０と、こ
の電気配線基部１０を覆うように設けられた絶縁層２０
とを備えており、絶縁層２０の内部に光配線としての光
導波路３０が配設されている。絶縁層２０の内部には、
また、発光素子４０および受光素子５０が配設され、絶
縁層２０の電気配線部１０と反対側には、ＩＣチップ６
１，６２が配設されている。光導波路３０が絶縁層２０
の内部に配設されているので、光配線の配線切れや光学
的雑音を防止することができる。また、光伝搬損失を低
減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報伝達信号の高
速化を可能にする光配線基板および光配線モジュール並
びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ（Integrated Circuit；集積回路）
やＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit；大規模集
積回路）における技術の進歩により、それらの動作速度
や集積規模が向上し、例えばマイクロプロセッサの高性
能化やメモリチップの大容量化が急速に達成されてい
る。従来、機器内のボード間、あるいはボード内のチッ
プ間など比較的短距離間の情報伝達は、主に、電気信号
により行われてきた。今後、集積回路の性能を更に向上
させるためには、信号の高速化や信号配線の高密度化が
必要となるが、電気信号配線（電気配線）においては、
それら高速化および高密度化が困難であると共に、配線
のＣＲ（Ｃ：配線の静電容量、Ｒ：配線の抵抗）時定数
による信号遅延が問題となってしまう。また、電気信号
の高速化や電気配線の高密度化は、ＥＭＩ（Electromag
netic Interference）ノイズやチャンネル間のクロスト
ークの原因となるため、その対策も不可欠となる。
【０００３】そこで、これらの問題を解消するものとし
て、光配線（光信号配線，光インターコネクション）が
注目されている。光配線は、機器間、機器内のボード
間、あるいはボード内のチップ間など種々の箇所に適用
可能であると考えられている。中でも、チップ間のよう
な短距離間の信号の伝送には、チップが搭載されている
基板上に光導波路を形成し、これを伝送路とした光伝送
・通信システムを構築することが好適であると考えられ
る。
【０００４】このような光伝送・通信システムにおいて
は、電気信号を光信号に変換するための発光素子、光信
号を電気信号に変換するための受光素子、および発光素
子や受光素子との間で電気信号の授受を行うためのＩＣ
チップなどを装備する必要があり、これらの素子への電
力の供給や比較的低速の各種のコントロール信号などの
伝送は、依然として電気信号により行う必要がある。そ
のため、基板上あるいは基板に電気配線を形成すること
が必須である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電気配線と光配線とを
備えたハイブリッド型の光配線基板は、例えば、シリコ
ン基板やガラス基板上に電気配線としての薄膜多層配線
を形成し、その上に光配線としての光導波路を形成する
ことにより得られると考えられる。また、通常のプリン
ト配線基板などの電気配線を有する基板の上に光導波路
を形成することによっても得られると考えられる。これ
らのハイブリッド型の光配線基板を作製する場合、光導
波路の材料に高分子化合物を用いて低温プロセスにより
形成することが考えられる。
【０００６】しかしながら、光導波路を基板上に露出さ
せて配置した場合には、その光導波路が機械的な損傷を
受けやすい。このため、光導波路の一部に、配線切れが
起こったり、光伝搬損失が生じたり、洩込光などによる
光学的な雑音が発生してしまうという問題がある。ま
た、基板の表面に光導波路が存在することから、光導波
路を避けるようにして半導体チップおよびその他のチッ
プ部品を実装しなければならず、配線基板全体としての
実装領域に制約が生じてしまうという問題もある。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、信号の高速伝送を可能にすると共
に、外部要因による損傷を効果的に防止することを可能
とする光配線基板および光配線モジュール並びにそれら
の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による光配線基板
は、電気配線パターンを有する基体と、基体に内部に、
光信号を伝送可能に配置された光導波路とを備えたもの
である。
【０００９】本発明による光配線モジュールは、電気配
線パターンを有する基体と、基体に内部に、光信号を伝
送可能に配置された光導波路と、光信号を発信するため
の発光素子と、光信号を受信するための受光素子と、発
光素子または受光素子の少なくとも一方との間で電気信
号の授受を行う集積回路とを備えたものである。
【００１０】本発明による光配線基板の製造方法は、電
気配線パターンが形成された電気配線部の上に下部絶縁
層を形成する工程と、下部絶縁層の上に、光信号を伝送
することが可能な光導波路を形成する工程と、少なくと
も光導波路を覆うように上部絶縁層を形成する工程とを
含むものである。
【００１１】本発明による光配線モジュールの製造方法
は、電気配線パターンが形成された電気配線部の上に下
部絶縁層を形成する工程と、下部絶縁層の上に、光信号
を伝送することが可能な光導波路を形成する工程と、少
なくとも光導波路を覆うように上部絶縁層を形成する工
程と、光信号を発信するための発光素子および光信号を
受信するための受光素子を形成する工程と、上部絶縁層
の上に、発光素子または受光素子の少なくとも一方との
間で電気信号の授受を行う集積回路を形成する工程とを
含むものである。
【００１２】本発明による光配線基板または光配線モジ
ュールでは、基体に設けられた電気配線により電気信号
が伝送され、基体内部の光導波路により光信号が伝送さ
れる。
【００１３】本発明による光配線基板の製造方法または
光配線モジュールの製造方法では、電気配線部の上に形
成された下部絶縁層の上に光導波路が形成され、この光
導波路を覆うように上部絶縁層が形成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】［第１の実施の形態］まず、本実施の第１
の実施の形態に係る光配線基板および光配線モジュール
の構成について説明する。
【００１６】図１は、本実施の形態に係る光配線基板の
断面構造を表すものである。この光配線基板は、電気配
線部１０と、この電気配線部１０を覆うように設けられ
た絶縁層２０とを備えている。絶縁層２０の内部には、
光配線としての光導波路３０、発光素子４０および受光
素子５０が埋設されている。ここで、電気配線部１０と
絶縁層２０とを合わせたものが、本発明の「基体」の一
具体例に対応している。
【００１７】電気配線部１０は、絶縁性を有する基板１
１と、この基板１１の表面および内部に設けられ、例え
ば銅（Ｃｕ）などの導電材料からなる複数の電気配線パ
ターン１２ａ〜１２ｇとを含んでいる。電気配線パター
ン１２ａ〜１２ｄは基板１１の内部に形成され、電気配
線パターン１２ｅ〜１２ｇは基板１１の一方の表面（図
１では裏面側）に形成されている。電気配線パターン１
２ｃと電気配線パターン１２ｄとは、例えば同一階層
（以下、第１階層という。）に形成されているが、両者
間は電気的に絶縁されている。また、電気配線パターン
１２ａおよび電気配線パターン１２ｄは、例えば第１階
層とは異なる２つの階層にそれぞれ形成されている。す
なわち、ここでは、電気配線パターン１２ａ〜１２ｇ
は、多層化されている。
【００１８】電気配線パターン１２ａは、発光素子４０
用の電源ラインであり、電気配線パターン１２ｂは、受
光素子５０用の電源ラインである。電気配線パターン１
２ｃは、後述するＩＣチップ６１（図３参照）用の電源
ラインであり、電気配線パターン１２ｄは、後述するＩ
Ｃチップ６２（図３参照）用の電源ラインである。ま
た、電源配線パターン１２ｅ〜１２ｇは、図示しないそ
の他の素子間を電気的に接続するためのものである。
【００１９】基板１１の他方の表面には、外部から電源
電圧が印加される電極１４，１５が設けられている。電
極１４と電気配線パターン１２ａとの間には接続孔（ス
ルーホール）１３ａが形成されており、電極１４は接続
孔１３ａに充填された銅などの導電体を介して電気配線
パターン１２ａに電気的に接続されている。電極１５と
電気配線パターン１２ｂとの間には接続孔１３ｂが形成
されており、電極１５は接続孔１３ｂに充填された導電
体を介して電気配線パターン１２ｂに電気的に接続され
ている。ここで、電極１４が本発明における「第２の電
源電極」の一具体例に対応し、電極１５が本発明におけ
る「第４の電源電極」の一具体例に対応している。
【００２０】発光素子４０は、電極１４と対向して配設
されている。この発光素子４０は、電源電圧を印加する
ための電源電極４０ａと、電気信号を印加するための信
号電極４０ｂと、発光部４０ｃとを有している。電源電
極４０ａは電極１４に接触しているか、あるいは半田な
どにより接合されて電極１４と電気的に接続されてい
る。ここで、電源電極４０ａが本発明の「第１の電源電
極」の一具体例に対応し、信号電極４０ｂが本発明の
「第１の信号印加電極」の一具体例に対応している。
【００２１】受光素子５０は、電極１５と対向して配設
されている。この受光素子５０は、電源電圧を印加する
ための電源電極５０ａと、受信した光信号に応じた電気
信号を出力するための信号電極５０ｂと、受光部５０ｃ
とを有している。電源電極５０ａは電極１５に接触して
いるか、あるいは半田などにより接合されて電極１５と
電気的に接続されている。ここで、電源電極５０ａが本
発明の「第３の電源電極」の一具体例に対応し、信号電
極５０ｂが本発明の「第１の信号出力電極」の一具体例
に対応している。
【００２２】絶縁層２０の表面（基板１１側と反対側の
表面）には、例えば、外部から電気信号が印加される信
号電極１６、外部へ電気信号を出力するための信号電極
１７、外部から電源電圧が印加される電極１８ａ，１８
ｂおよびその他の電極１９などが設けられている。信号
電極１６と発光素子４０の信号電極４０ｂとの間には接
続孔１３ｃが形成されており、信号電極１６は接続孔１
３ｃに充填された導電体を介して信号電極４０ｂに電気
的に接続されている。信号電極１７と受光素子５０の信
号電極５０ｂとの間には接続孔１３ｄが形成されてお
り、信号電極１７は接続孔１３ｄに充填された導電体を
介して信号電極５０ｂに電気的に接続されている。電極
１８ａと電気配線パターン１２ｃとの間には接続孔１３
ｅが形成されており、電極１８ａは接続孔１３ｅに充填
された導電体を介して電気配線パターン１２ｃに電気的
に接続されている。また、電極１８ｂと電気配線パター
ン１２ｄとの間には接続孔１３ｆが形成されており、電
極１８ｂは接続孔１３ｆに充填された導電体を介して電
気配線パターン１２ｄに電気的に接続されている。ここ
で、信号電極１６が本発明の「第２の信号印加電極」の
一具体例に対応し、信号電極１７が本発明の「第２の信
号出力電極」の一具体例に対応している。
【００２３】光導波路３０は、発光素子４０と受光素子
５０との間に配設されている。この光導波路３０は、例
えば長手方向の両端部に、電気配線部１０の主表面とな
す外角が鈍角（ここでは、略１３５°）である反射面３
０ａ，３０ｂを有している。反射面３０ａは発光素子４
０の発光部４０ｃと対向するように位置しており、発光
部４０ｃから発せられた光信号を光導波路３０内の長手
方向に反射するようになっている。反射面３０ｂは受光
素子５０の受光部５０ｃと対向するように位置してお
り、光導波路３０内をその長手方向に沿って伝搬してき
た光信号を受光部５０ｃの方向に反射するようになって
いる。なお、光導波路３０の電気配線部１０の表面とな
す外角とは、光導波路３０の光伝搬方向（長手方向）に
沿った断面が閉じた図形であると考えた場合におけるこ
の図形の外角のことを意味する。また、図１では、光導
波路３０の下面と発光素子４０および受光素子５０の上
面との間がわずかに離れているが、これらは接していて
もよい。
【００２４】電気配線部１０には、例えば、セラミック
多層配線基板、有機多層配線基板、ガラスエポキシ配線
基板、ビルトアップ多層配線基板およびプリント配線基
板などを用いることができる。ここで、セラミック多層
配線基板とは、基板１１が、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3 ），ガラスセラミック（例えば、低温焼成ガラスセ
ラミック），窒化アルミニウム（ＡｌＮ）およびムライ
トからなる群のうちの少なくとも１種を含む無機材料に
より構成されたもののことをいう。有機多層配線基板と
は、基板１１が、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド，Ｂ
Ｔ樹脂，ＰＰＥ（Polyphenyl ether）樹脂，フェノール
樹脂およびポリオレフィン樹脂（例えばデュポン社製の
テフロン（登録商標））からなる群のうちの少なくとも
１種を含む有機材料により構成されたもののことをい
う。なお、有機多層配線基板のうちフィルム状のポリイ
ミドなどにより構成されたものは、フレキシブル多層配
線基板とも呼ばれている。ガラスエポキシ多層配線基板
とは、基板１１が、ＦＲ−４などのガラスエポキシ樹脂
により構成されたもののことをいい、ビルトアップ多層
配線基板とは、通常のガラスエポキシ配線基板上に例え
ば感光性あるいは非感光性のエポキシ樹脂、感光性ある
いは非感光性のポリイミド、または感光性あるいは非感
光性のベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの樹脂を用い
たフォトリソグラフィ技術により高密度に電気配線パタ
ーンが形成されたもののことをいう。また、プリント配
線基板とは、例えば誘電体材料からなるコア基板上に電
気配線パターンが高密度に印刷された印刷基板が配設さ
れたもののことをいう。
【００２５】絶縁層２０は、例えば、厚さ１００μｍの
エポキシ樹脂により構成されている。なお、光導波路３
０と発光素子４０および受光素子５０とが離間して配置
される場合には、絶縁層２０を光信号に対して透明な材
料により形成することが好ましい。光信号が伝送される
際の光伝搬損失を抑制することができるからである。
【００２６】光導波路３０は、例えば、屈折率が１．５
４程度のビスフェノールを主材とするエポキシ樹脂によ
り構成されており、その厚さは例えば３０μｍである。
【００２７】なお、光導波路３０は、図１に示したよう
な構造に限らず、他の構造であってもよい。例えば、図
２（Ａ），（Ｂ）に示したように、コア層３１、および
コア層３１を囲むようにして形成されたクラッド層３２
よりなる構造の光導波路３０Ａとしてもよい。ちなみ
に、図２（Ａ）は図１と同様の方向において切断した光
導波路３０Ａの断面構造を表すものであり、図２（Ｂ）
は図２（Ａ）のIIB −IIB 線に沿った断面に対応するも
のである。
【００２８】この光導波路３０Ａでは、コア層３１は例
えば屈折率が１．５４程度のビスフェノールを主材とす
るエポキシ樹脂により構成されており、その厚さは例え
ば３０μｍである。このコア層３１は、例えば、長手方
向の両端部に反射面３１ａ，３１ｂを有している。クラ
ッド層３２は、コア層３１の構成材料よりも屈折率の小
さい材料、例えば屈折率が１．５２程度のエポキシ樹脂
により構成されており、その厚さは例えば３０μｍであ
る。このように、光導波路３０Ａに屈折率差を設けた方
が、光伝搬損失が少ないので好ましい。なお、クラッド
層３２およびコア層３１は、コア層３１の屈折率がクラ
ッド層３２の屈折率よりも大きいという条件を満たすも
のであれば、ポリイミド、ポリメチルメタクリレートな
どのアクリル樹脂、ポリエチレンやポリスチレンなどの
ポリオレフィン樹脂、または合成ゴムなどの他の材料に
より構成するようにしてもよい。
【００２９】発光素子４０は、例えば面発光型の発光ダ
イオード（light emitting diode；ＬＥＤ）により構成
されている。ここで面発光型とは、素子の主表面（最も
大きい面積を有する表面）から光が出射されるもののこ
とをいう。また、受光素子５０は、例えば面発光型のフ
ォトダイオードにより構成されている。ここで面受光型
とは、主表面によって光を受けるもののことをいう。
【００３０】このような構成を有する光配線基板は、例
えば図３に示したような光配線モジュールとして用いら
れる。この光配線モジュールは、例えば、図１に示した
光配線基板の絶縁層２０の電気配線部１０と反対側に、
ＩＣチップ６１，６２が配設されたものである。ＩＣチ
ップ６１，６２には、例えば信号処理回路やメモリ回路
などの電子回路がそれぞれ集積されている。ここで、Ｉ
Ｃチップ６１，６２が、本発明の「集積回路」の一具体
例に対応している。
【００３１】ＩＣチップ６１の光配線基板（絶縁層２
０）側には、ＩＣチップ６１と電気的に接続されたバン
プ（導電性突起）６３，６４がそれぞれ設けられてい
る。バンプ６３は電極１８ａと接触しており、バンプ６
４は信号電極１６と接触している。これにより、ＩＣチ
ップ６１は、バンプ６３，電極１８ａおよび接続孔１３
ｅに充填された導電体を介して電気配線パターン１２ｃ
に電気的に接続されると共に、バンプ６４，信号電極１
６および接続孔１３ｃに充填された導電体を介して発光
素子４０の信号電極４０ｂに電気的に接続されている。
【００３２】一方、ＩＣチップ６２の光配線基板（絶縁
層２０）側には、ＩＣチップ６２と電気的に接続された
バンプ６５，６６がそれぞれ設けられている。バンプ６
５は電極１８ｂと接触しており、バンプ６６は信号電極
１７と接触している。これにより、ＩＣチップ６２は、
バンプ６５，電極１８ｂおよび接続孔１３ｆに充填され
た導電体を介して電気配線パターン１２ｄに電気的に接
続されると共に、バンプ６６，信号電極１７および接続
孔１３ｄに充填された導電体を介して受光素子５０の信
号電極５０ｂに電気的に接続されている。
【００３３】次に、図４ないし図８を参照して、図３に
示した光配線モジュールの製造方法について説明する。
なお、図４ないし図８は、光配線モジュールの製造方法
の各製造工程をそれぞれ表すものである。
【００３４】まず、図４に示したように、電気配線パタ
ーン１２ａ〜１２ｇが形成された基板１１（すなわち、
電気配線部１０），発光素子４０および受光素子５０を
それぞれ用意する。なお、電気配線部１０としては、例
えば、その表面に、接続孔１３ａを介して電気配線パタ
ーン１２ａに電気的に接続された電極１４および接続孔
１３ｂを介して電気配線パターン１２ｂに電気的に接続
された電極１５が形成されたものを用意する。そのの
ち、発光素子４０の電源電極４０ａと電気配線部１０表
面の電源電極１４とを例えば半田などにより接合して、
発光素子４０を電気配線部１０の上に実装する。また、
受光素子５０の電源電極５０ａと電気配線部１０表面の
電源電極１５とを例えば半田などにより接合して、受光
素子５０を電気配線部１０の上に実装する。
【００３５】次に、図５に示したように、発光素子４０
および受光素子５０を覆うように、電気配線部１０の上
に下部絶縁層２０ａを形成する。この下部絶縁層２０ａ
の形成は、例えば、ロールコート法，カーテンコート
法，スピンコート法あるいはディップコート法によりエ
ポキシ樹脂を塗布し、熱処理することにより行う。これ
により、発光素子４０および受光素子５０が下部絶縁層
２０ａの内部に埋設される。下部絶縁層２０ａを形成し
たのち、下部絶縁層２０ａ表面の平坦化処理を行う。
【００３６】次に、図６に示したように、その長手方向
の一端部が発光素子４０の発光部４０ｃに対応し、他端
部が受光素子５０の受光部５０ｃに対応するように、例
えば以下のようにして光導波路３０を形成する。
【００３７】すなわち、光導波路３０を形成する際に
は、まず、下部絶縁層２０ａの上に、例えばスピンコー
ト法により硬化後の屈折率が１．５４程度の液状のエポ
キシ樹脂を３０μｍ程度の厚さになるように塗布したの
ち、塗布したエポキシ樹脂上に図示しないフォトマスク
を位置合わせして配置する。フォトマスクとしては、例
えば、光導波路３０に対応する開口が設けられた遮光膜
を備え、開口の長手方向に沿って遮光膜の厚さが漸次薄
くなることによって、遮光膜の開口の短辺近傍領域が遮
光膜の厚さに応じた光の量を透過させるグレースケール
領域として機能するようになっているものを用いること
ができる。
【００３８】フォトマスクを配置したのち、フォトマス
ク側から電気配線部１０側に向けて光を照射する。この
光の照射は、例えば、超高圧水銀ランプを用いて、１０
ｍＷ／ｃｍ2 程度の低い出力で長い時間（例えば、３分
間）をかけて行う。そののち、エポキシ樹脂のうち光が
照射されず未硬化の部分を例えば有機溶剤を用いて溶解
除去する。これにより、光導波路３０が形成されると共
に、その両端部に反射面３０ａ，３０ｂが形成される。
【００３９】なお、図２（Ａ），（Ｂ）に示したような
コア層３１とクラッド層３２とを有する光導波路３０Ａ
を形成する場合には、次にようにすればよい。まず、下
部絶縁層２０ａの上に、例えばスピンコート法により硬
化後の屈折率が１．５２程度の液状のエポキシ樹脂を３
０μｍ程度の厚さになるように塗布したのち、例えば熱
処理を行って樹脂を硬化させ、下部クラッド層３２ａ
（図２（Ａ）参照）を形成する。次いで、下部クラッド
層３２ａの上に、例えば上述した光導波路３０の形成方
法と同様の方法を用いて、両端部に反射面３１ａ，３１
ｂを有するコア層３１を形成する。続いて、下部クラッ
ド層３２ａの露出面およびコア層３１の上に、例えばス
ピンコート法により硬化後の屈折率が１．５２程度の液
状のエポキシ樹脂をコア層３１の上部において３０μｍ
程度の厚さになるように塗布したのち、熱処理を行って
樹脂を固化させ、上部クラッド層３２ｂを形成する。
【００４０】光導波路３０を形成したのち、図７に示し
たように、光導波路３０を覆うように、上部絶縁層２０
ｂを形成する。上部絶縁層２０ｂは、例えば、下部絶縁
層２０ａと同一の材料を用いて同一の方法により形成す
る。これにより、下部絶縁層２０ａおよび上部絶縁層２
０ｂよりなる絶縁層２０が形成される。
【００４１】次に、図８に示したように、電気配線パタ
ーン１２ｃ，１２ｄおよび信号電極４０ｂ，５０ｂに対
応して絶縁層２０に接続孔１３ｃ〜１３ｆをそれぞれ形
成する。そののち、例えばめっき法あるいは印刷法によ
りこれらの接続孔１３ｃ〜１３ｆに銅などの導電体を埋
め込むと共に、信号電極１６，１７および電極１８ａ，
１８ｂをそれぞれ形成する。なお、接続孔１３ｃ〜１３
ｆの形成は、例えばレーザあるいはドリルを用いて行
う。また、絶縁層２０を感光性を有する材料により形成
した場合には、フォトリソグラフィ技術を用いて接続孔
１３ｃ〜１３ｆを形成することも可能である。
【００４２】次に、ＩＣチップ６１にバンプ６３，６４
をそれぞれ取り付けると共に、ＩＣチップ６２にバンプ
６５，６６をそれぞれ取り付ける。そののち、ＩＣチッ
プ６１，６２を例えばバンプ６３〜６６を利用したフリ
ップチップボンディング法によって絶縁層２０の上に実
装する。これにより、図３に示した光配線モジュールが
完成する。
【００４３】次に、この光配線モジュールの作用につい
て説明する。
【００４４】この光配線モジュールでは、外部から印加
された電源電圧が、電気配線部１０の電気配線パターン
１２ａおよび電極１４を介して発光素子４０の電源電極
４０ａに印加されると、発光素子４０が動作可能な状態
になる。また、外部から印加された電源電圧が、電気配
線パターン１２ｂおよび電極１５を介して受光素子５０
の電源電極５０ａに印加されると、受光素子５０が動作
可能な状態になる。さらに、電気配線パターン１２ｃ，
１２ｄ、電極１８ａ，１８ｂおよびバンプ６３，６５を
介してＩＣチップ６１，６２に電源電圧が印加される
と、ＩＣチップ６１，６２がそれぞれ動作可能な状態に
なる。
【００４５】発光素子４０、受光素子５０およびＩＣチ
ップ６１，６２が動作可能な状態で、例えばＩＣチップ
６１の図示しない信号パッドから電気信号が出力される
と、信号電極１６を介して発光素子４０の信号電極４０
ｂへ電気信号が入力され、発光素子４０は電気信号を光
信号に変換して発光部４０ｃから光信号を出射する。出
射した光信号は、光導波路３０に入射し、その反射面３
１ａにおいて入射方向とほぼ垂直の方向に例えば全反射
してコア層３１の内部に入射する。そののち、この光信
号は、コア層３１内を伝搬し、反射面３１ｂに到達す
る。ここで、光信号は、光伝搬方向とほぼ垂直の方向に
例えば全反射して、光導波路３０の外部に出射し、受光
素子５０の受光部５０ｃに入射する。受光素子５０に入
射した光信号は、電気信号に変換されて信号電極５０ｂ
から出力されて、信号電極１７を介してＩＣチップ６２
の図示しない信号パッドに入力される。このようにし
て、ＩＣチップ６１とＩＣチップ６２との間で光信号が
高速伝送される。また、低速コントロール信号などの比
較的低速で伝送してもよい信号は、所定の電気配線パタ
ーンによって電気信号のまま伝送される。ここでは、光
導波路３０が絶縁層２０の内部に設けられているので、
光導波路３０に対する損傷が防止されており、光伝搬損
失が少なくなっている。
【００４６】このように本実施の形態に係る光配線基板
によれば、光配線としての光導波路３０を絶縁層２０の
内部に配設するようにしたので、衝撃などの外部要因に
よる光導波路３０の損傷を効果的に防止することができ
る。従って、光配線の配線切れを防止することができ
る。また、光学的な雑音の影響を除去することができ
る。さらに、光伝搬損失を低減することができる。よっ
て、この光配線基板を用れば、光伝搬特性に優れた光配
線モジュールを構成することができる。また、信号の高
速伝送が可能になる。
【００４７】さらに、発光素子４０や受光素子５０をも
絶縁層２０の内部に配設すれば、これらについても保護
され、光伝搬特性をさらに向上させることができる。
【００４８】また、本実施の形態に係る光配線基板を用
いて光配線モジュールを構成すれば、光配線が露出して
いる場合に比べて、光配線基板上にＩＣチップ６１，６
２などの電気部品あるいはその他のチップ部品を実装可
能な領域が増加するので、設計時の自由度が高くなると
共に、これらの実装を容易に行うことができる。
【００４９】（第１の変形例）図９は、本発明の第１の
実施の形態の第１の変形例に係る光配線モジュールの構
造を一部破断して表すものである。なお、以下の説明で
は、上記第１の実施の形態の構成要素と同一の部分には
同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略す
る。
【００５０】本変形例に係る光配線モジュールが第１の
実施の形態の光配線モジュールと大きく異なる点は、電
気配線部１０の上に、光導波路３０Ｂと発光素子４０お
よび受光素子５０とが電気配線部１０側からこの順に配
置されていることである。従って、ここでは、光導波路
３０Ｂは、例えば両端部に、電気配線部１０の主表面と
なす外角が鋭角（ここでは、略４５°）であるような反
射面３０ｃ，３０ｄを有している。
【００５１】この光配線モジュールでは、絶縁層２０の
表面に、信号電極１６から電気信号が印加される信号電
極７１、および信号電極１７へ電気信号を出力するため
の信号電極７２が設けられている。
【００５２】信号電極７１と信号電極１６との間には接
続孔１３ｇが形成されており、信号電極７１と信号電極
１６とは接続孔１３ｇに充填された導電体を介して電気
的に接続されている。信号電極７１の表面にはバンプ７
３が設けられており、信号電極７１はバンプ７３を介し
て発光素子４０の信号電極４０ｂに電気的に接続されて
いる。また、絶縁層２０の表面には、外部から電源電圧
が印加される電極１４Ａが設けられている。電極１４Ａ
と発光素子４０の電源電極４０ａとの間には接続孔１３
ｈが形成されており、電極１４Ａは接続孔１３ｈに充填
された導電体を介して電源電極４０ａに電気的に接続さ
れている。なお、電極１４Ａは、図示しない接続孔に充
填された導電体を介して電気配線パターン１２ａに電気
的に接続されている。
【００５３】信号電極７２と信号電極１７との間には接
続孔１３ｉが形成されており、信号電極７２と信号電極
１７とは接続孔１３ｉに充填された導電体を介して電気
的に接続されている。信号電極７２の表面にはバンプ７
４が設けられており、信号電極７２はバンプ７４を介し
て受光素子５０の信号電極５０ｂに電気的に接続されて
いる。また、絶縁層２０の表面には、外部から電源電圧
が印加される電極１５Ａが設けられている。電極１５Ａ
と受光素子５０の電源電極５０ａとの間には接続孔１３
ｊが形成されており、電極１５Ａは接続孔１３ｊに充填
された導電体を介して電源電極５０ａに電気的に接続さ
れている。なお、電極１５Ａは、図示しない接続孔に充
填された導電体を介して電気配線パターン１２ｂに電気
的に接続されている。
【００５４】このような構成を有する光配線モジュール
では、ＩＣチップ６１の図示しない信号パッドから電気
信号が出力されると、信号電極１６および信号電極７１
を介して発光素子４０の信号電極４０ｂへ電気信号が入
力される。また、受光素子５０に入射した光信号は、電
気信号に変換されて信号電極５０ｂから出力されて、信
号電極７２および信号電極１７を介してＩＣチップ６２
の信号パッドに入力される。なお、その他は第１の実施
の形態と同様に作用する。また、本変形例に係る光配線
モジュールは、第１の実施の形態と同様の効果を有す
る。
【００５５】（第２の変形例）図１０は、本発明の第１
の実施の形態の第２の変形例に係る光配線モジュールの
構造を一部破断して表すものである。なお、以下の説明
では、上記第１の実施の形態の構成要素と同一の部分に
は同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略す
る。
【００５６】本変形例に係る光配線モジュールが第１の
実施の形態の光配線モジュールと大きく異なる点は、面
発光型の発光素子４０および面受光型の受光素子５０に
代えて、端面発光型の発光素子４０Ａおよび端面受光型
の受光素子５０Ａを備えていることである。従って、こ
こでは、光導波路３０Ｃの両端部に反射面を設ける必要
がなく、光導波路３０Ｃは例えば断面形状が矩形状とな
っている。また、光導波路３０Ｃ，発光素子４０Ａおよ
び受光素子５０Ａは、光導波路３０Ｃの一側面と発光素
子４０Ａの発光部４０ｃ、光導波路３０Ｃの他の側面と
受光素子５０Ａの受光部５０ｃとがそれぞれ対向するよ
うに配設されている。
【００５７】このような構成を有する光配線モジュール
では、第１の実施の形態の光配線モジュールと同様に作
用し、同様の効果を有する。また、上述したように光導
波路３０Ｂの両端部に反射面を設ける必要がないので、
容易に製造することができるという利点を有する。
【００５８】［第２の実施の形態］まず、本実施の第２
の実施の形態に係る光配線モジュールの構成について説
明する。なお、以下の説明では、上記第１の実施の形態
の構成要素と同一の部分には同一の符号を付し、ここで
はその詳細な説明を省略する。
【００５９】図１１は、本実施の形態に係る光配線モジ
ュールの構造を一部破断して表すものである。この光配
線モジュールが第１の実施の形態に係る光配線モジュー
ルと大きく異なる点は、発光素子４０および受光素子５
０が絶縁層２０の内部に埋め込まれておらず、絶縁層２
０の外部に配設されていることである。
【００６０】発光素子４０は、例えば、ＩＣチップ６１
の光配線基板（絶縁層２０）に面した側に、その発光部
４０ｃが光導波路３０Ｂの反射面３０ｃに対応するよう
に配置されている。発光素子４０の信号電極４０ｂは、
ＩＣチップ６１の図示しない信号パッドに接触している
か、あるいは半田などにより接合されてＩＣチップ６１
と電気的に接続されている。また、電源電極４０ａは、
図示しない接続孔に充填された導電体を介して電気配線
パターン１２ａに電気的に接続されている。
【００６１】一方、受光素子５０は、例えば、ＩＣチッ
プ６２の光配線基板に面した側に、その受光部５０ｃが
光導波路３０Ｂの反射面３０ｄに対応するように配置さ
れている。受光素子５０の信号電極５０ｂは、ＩＣチッ
プ６２の図示しない信号パッドに接触しているか、ある
いは半田などにより接合されてＩＣチップ６２と電気的
に接続されている。また、電源電極５０ａは、図示しな
い接続孔に充填された導電体を介して電気配線パターン
１２ｂに電気的に接続されている。
【００６２】このような構成を有する光配線モジュール
は、例えば、電気配線部１０を用意し、第１の実施の形
態と同様にして、下部絶縁層，光導波路３０Ｂ，上部絶
縁層を順次形成したのち、発光素子４０を実装したＩＣ
チップ６１と、受光素子５０を実装したＩＣチップ６２
とを実装することにより製造することができる。
【００６３】このように発光素子４０および受光素子５
０が絶縁層２０の内部に埋め込まれていない場合であっ
ても、第１の実施の形態と同様に、光配線の配線切れお
よび光学的雑音の発生を防止できると共に、光伝搬損失
を低減することができる。
【００６４】［第３の実施の形態］本実施の形態は、予
め別途形成した光導波路を電気配線部１０の上に転写す
るようにした光配線基板の製造方法および光配線モジュ
ールの製造方法に関するものである。なお、図１２およ
び図１３は、光配線モジュールの製造方法の各製造工程
をそれぞれ表すものである。
【００６５】本実施の形態では、まず、図１２に示した
ように、例えば、平坦性に優れた透明なダミー基板８１
を用意し、このダミー基板８１の上に、例えば、プラズ
マＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により厚さ
５００ｎｍの二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）よりなる基板分
離層８２を形成する。次に、基板分離層８２の上に、例
えばスピンコート法により硬化後の屈折率が１．５４程
度の液状のエポキシ樹脂を３０μｍ程度の厚さになるよ
うに塗布したのち、塗布したエポキシ樹脂上に図示しな
いフォトマスクを位置合わせして配置する。フォトマス
クとしては、例えば第１の実施の形態で説明したもの同
様のものを用いることができる。
【００６６】フォトマスクを配置したのち、フォトマス
ク側から電気配線部１０側に向けて光を照射する。この
光の照射は、例えば、超高圧水銀ランプを用いて、１０
ｍＷ／ｃｍ2 程度の出力で３分間行う。ここでは、光の
吸収量が少なく、透過性に優れたエポキシ樹脂を用いて
いるので、ダミー基板８１の表面および裏面において反
射した光も露光に寄与すると考えられる。そのため、エ
ポキシ樹脂の露光された領域は裏面側から硬化して、基
板分離層８２に固着する。なお、このとき、フォトマス
ク（具体的には、遮光膜）のグレースケール領域に対応
する部分は、下層側から硬化し、上層側は硬化しない。
光の照射を行ったのち、エポキシ樹脂のうち光が照射さ
れず未硬化の部分を例えば有機溶剤を用いて溶解除去す
る。これにより、光導波路３０が形成されると共に、そ
の両端部にダミー基板８１の表面となす外角が鋭角（こ
こでは、略４５°）とされた反射面３０ａ，３０ｂが形
成される。
【００６７】次に、図１３に示したように、ダミー基板
８１上に形成された状態の光導波路３０を、位置合わせ
を行いながら下部絶縁層２０ａの上に密着させる。この
とき、光導波路３０と下部絶縁層２０ａとの間には、エ
ポキシ樹脂などよりなる接着層８３を配するようにす
る。なお、図１２と図１３とでは、便宜上、光導波路３
０の縮尺を変えて示している。
【００６８】続いて、下部絶縁層２０ａとダミー基板８
１および光導波路３０とを密着させた状態で、例えば、
超高圧水銀ランプを用いて、ダミー基板８１側から電気
配線部１０側に向かって１０ｍＷ／ｃｍ2 の出力で３分
間光を照射する。これにより、接着層８３を構成するエ
ポキシ樹脂が硬化し、光導波路３０は下部絶縁層２０ａ
の所望の位置に固着される。なお、接着層８３は、熱処
理により硬化させるようにしてもよい。
【００６９】次に、光導波路３０に下部絶縁層２０ａが
固着されている状態で、ダミー基板８１を、例えば薄い
フッ化水素（ＨＦ）溶液、または緩衝フッ化水素（ＢＨ
Ｆ；Buffered ＨＦ）溶液に浸す。これにより、ダミー
基板８１と光導波路３０との間に形成された基板分離層
８２が溶解除去され、基板分離層８２上のダミー基板８
１が光導波路３０から分離された状態（リフトオフ）と
なり、光導波路３０が電気配線部１０側（具体的には、
下部絶縁層２０ａ上）に転写される。それ以降の工程
は、第１の実施の形態と同様である。
【００７０】このように本実施の形態では、光導波路３
０を平坦性に優れたダミー基板８１上に形成したのち、
上部絶縁層２０上に転写するようにしたので、光導波路
３０Ａを形成する際に下地（ここでは、下部絶縁層２０
ａ）の表面に凹凸が存在する場合であっても、この凹凸
形状に影響されることなく、光伝搬損失の少ない光導波
路３０を形成することができる。
【００７１】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記第１および第３
の実施の形態では、発光素子４０および受光素子５０が
共に絶縁層２０の内部に埋め込まれた場合について説明
し、上記第２の実施の形態では、発光素子４０および受
光素子５０が共に絶縁層２０の外部に配設された場合に
ついて説明したが、受光素子４０および発光素子５０の
うちのいずれか一方のみが絶縁層２０内に埋め込まれた
構成とするようにしてもよい。例えば図１４に示したよ
うに、発光素子４０を絶縁層２０の内部に配設し、受光
素子５０を絶縁層２０の外部に配設する場合には、発光
部４０ｃと対向し、電気配線部１０の主表面となす外角
が鈍角（例えば、略１３５°）である反射面３０ａと、
受光部５０ｃと対向し、電気配線部１０の主表面となす
外角が鋭角（例えば、略４５°）である反射面３０ｄと
を長手方向の両端部に有する光導波路３０Ｄを用いるよ
うにすればよい。
【００７２】また、上記第３の実施の形態では、コア層
のみにより構成された光導波路３０を電気配線部１０の
上に転写するようにしたが、図２に示したようなコア層
３１およびクラッド層３２よりなる光導波路３０Ａを転
写することも可能である。さらに、上記第３の実施の形
態では、上記第１の実施の形態と同様の構成を有する光
配線モジュールを作製する場合について説明したが、上
記第２の実施の形態と同様の構成を有する光配線モジュ
ールを作製する場合についても適用することができる。
【００７３】また、上記第１の実施の形態では、電気配
線部１０と、光導波路３０，発光素子４０および受光素
子５０が埋め込まれた絶縁層２０とにより構成された光
配線基板について説明したが、光配線基板は必ずしも発
光素子４０および受光素子５０を備えている必要はな
い。その場合であっても、光導波路３０を絶縁層２０の
内部に配置したことによる効果は得られる。
【００７４】さらに、上記各実施の形態では、絶縁層２
０の上にＩＣチップ６１，６２を実装する場合について
説明したが、他の回路や部品を実装することも可能であ
る。
【００７５】加えて、上記各実施の形態では、絶縁層２
０の内部に光導波路を１層のみ配設するようにしたが、
電気配線パターン１２ａ〜１２ｇの積層方向と同一の方
向に複数の光導波路を積層し、光配線の多層化を実現す
ることも可能である。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項１４のいずれか１項に記載の光配線基板または請求項
１５ないし請求項１８のいずれか１項に記載の光配線モ
ジュールによれば、電気配線パターンを有する基体の内
部に光導波路を配置するようにしたので、光信号により
高速伝送が可能になると共に、外部からの衝撃による光
導波路の損傷を効果的に防止することができるという効
果を奏する。
【００７７】また、請求項１９ないし請求項２１のいず
れか１項に記載の光配線基板の製造方法または請求項２
２ないし請求項２４のいずれか１項に記載の光配線モジ
ュールの製造方法によれば、下部絶縁層を形成し、その
上に光導波路を形成し、さらに光導波路を覆うように上
部絶縁層を形成することにより、光導波路を絶縁層の内
部に埋め込むようにしたので、本発明の光配線基板また
は光配線モジュールを容易に製造することができるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光配線基板の
構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した光導波路の変形例を表す断面図で
ある。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光配線モジュ
ールの構成を一部破断して表す側面図である。
【図４】図３に示した光配線モジュールの製造方法を説
明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図３に示した光配線モジュールの第１の変形例
に係る光配線モジュール構成を一部破断して表す側面図
である。
【図１０】図３に示した光配線モジュールの第２の変形
例に係る光配線モジュール構成を一部破断して表す側面
図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る光配線モジ
ュールの構成を一部破断して表す側面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る光配線モジ
ュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】図３に示した光配線モジュールの他の変形例
に係る光配線モジュール構成を一部破断して表す側面図
である。
【符号の説明】
１０…電気配線部、１１…基板、１２ａ〜１２ｇ…電気
配線パターン、１３ａ〜１３ｊ…接続孔、１４，１４
Ａ，１５，１５Ａ，１８ａ，１８ｂ，１９…電極、１
６，１７，４０ｂ，５０ｂ，７１，７２…信号電極、２
０…絶縁層、２０ａ…下部絶縁層、２０ｂ…上部絶縁
層、３０，３０Ａ〜３０Ｄ…光導波路、３０ａ〜３０
ｄ，３１ａ，３１ｂ…反射面、３１…コア層、３２…ク
ラッド層、４０，４０Ａ…発光素子、４０ａ，５０ａ…
電源電極、４０ｃ…発光部、５０，５０Ａ…受光素子、
５０ｃ…受光部、６１，６２…ＩＣチップ、６３〜６
６，７３，７４…バンプ、８１…ダミー基板、８２…基
板分離層、８３…接着層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｃ Ｆターム(参考） 2H047 KA03 MA07 PA02 PA22 PA24 PA28 QA05 5E346 AA42 AA43 BB02 BB03 BB16 BB20 CC08 CC09 CC10 CC13 CC16 DD03 DD32 EE31 FF18 FF45 HH40 5F088 AA02 BA13 BA18 DA01 FA09 FA11 FA20 JA01 JA05 JA11 JA20 5F089 AA06 AB03 AC02 AC05 AC08 AC09 AC10 AC16 AC18 CA20 EA10

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気配線パターンを有する基体と、 前記基体の内部に、光信号を伝送可能に配置された光導
    波路とを備えたことを特徴とする光配線基板。
  2. 【請求項２】 さらに、 光信号を発信するための発光素子と、 光信号を受信するための受光素子とを備えたことを特徴
    とする請求項１記載の光配線基板。
  3. 【請求項３】 前記基体は、 電気配線パターンが形成された電気配線部と、 この電気配線部を覆う絶縁層とを含むことを特徴とする
    請求項１記載の光配線基板。
  4. 【請求項４】 前記光導波路は、前記絶縁層の内部に配
    設されていることを特徴とする請求項３記載の光配線基
    板。
  5. 【請求項５】 さらに、 光信号を発信するための発光素子と、 光信号を受信するための受光素子とを備え、 前記発光素子または前記受光素子の少なくとも一方が、
    前記絶縁層の内部に配設されていることを特徴とする請
    求項４記載の光配線基板。
  6. 【請求項６】 前記発光素子は、電気信号を印加するた
    めの第１の信号印加 電極を有し、前記絶縁層の表面には、外部から電気信号
    が印加される第２の信号印加電極が配設され、 前記第１の信号印加電極と前記第２の信号印加電極とが
    電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載
    の光配線基板。
  7. 【請求項７】 前記発光素子は、電源電圧を印加するた
    めの第１の電源電極をさらに有し、 前記電気配線部は、外部から電源電圧が印加される第２
    の電源電極を有し、 前記第１の電源電極と前記第２の電源電極とが電気的に
    接続されていることを特徴とする請求項６記載の光配線
    基板。
  8. 【請求項８】 前記受光素子は、受信した光信号に応じ
    た電気信号を出力するための第１の信号出力電極を有
    し、 前記絶縁層の表面には、外部へ電気信号を出力するため
    の第２の信号出力電極が配設され、 前記第１の信号出力電極と前記第２の信号出力電極とが
    電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載
    の光配線基板。
  9. 【請求項９】 前記受光素子は、電源電圧を印加するた
    めの第３の電源電極をさらに有し、 前記電気配線部は、外部から電源電圧が印加される第４
    の電源電極を有し、 前記第３の電源電極と前記第４の電源電極とが電気的に
    接続されていることを特徴とする請求項８記載の光配線
    基板。
  10. 【請求項１０】 前記光導波路は、 光を伝搬させるコア層と、 このコア層の周囲を包むクラッド層とを含むことを特徴
    とする請求項１記載の光配線基板。
  11. 【請求項１１】 前記光導波路は、ポリイミド，エポキ
    シ樹脂，アクリル樹脂，ポリオレフィン樹脂および合成
    ゴムからなる群のうちの少なくとも１種を含む材料より
    なることを特徴とする請求項１記載の光配線基板。
  12. 【請求項１２】 前記電気配線部は、複数層の電気配線
    パターンを含むことを特徴とする請求項３記載の光配線
    基板。
  13. 【請求項１３】 前記電気配線部は、酸化アルミニウ
    ム、ガラスセラミック、窒化アルミニウムおよびムライ
    トからなる群のうちの少なくとも１種を含む無機材料に
    より構成された基板に電気配線パターンが形成されてな
    ることを特徴とする請求項３記載の光配線基板。
  14. 【請求項１４】 前記電気配線部は、ガラスエポキシ樹
    脂，ポリイミド，ＢＴ樹脂，ＰＰＥ（Polyphenyl ethe
    r）樹脂，フェノール樹脂およびポリオレフィン樹脂か
    らなる群のうちの少なくとも１種を含む有機材料により
    構成された基板に電気配線パターンが形成されてなるこ
    とを特徴とする請求項３記載の光配線基板。
  15. 【請求項１５】 電気配線パターンを有する基体と、 前記基体の内部に、光信号を伝送可能に配置された光導
    波路と、 光信号を発信するための発光素子と、 光信号を受信するための受光素子と、 前記発光素子または前記受光素子の少なくとも一方との
    間で電気信号の授受を行う集積回路とを備えたことを特
    徴とする光配線モジュール。
  16. 【請求項１６】 前記基体は、 電気配線パターンが形成された電気配線部と、 この電気配線部を覆う絶縁層とを含むことを特徴とする
    請求項１５記載の光配線モジュール。
  17. 【請求項１７】 前記光導波路は、前記絶縁層の内部に
    配設されていることを特徴とする請求項１６記載の光配
    線モジュール。
  18. 【請求項１８】 前記発光素子または前記受光素子の少
    なくとも一方が、前記絶縁層の内部に配設されているこ
    とを特徴とする請求項１６記載の光配線モジュール。
  19. 【請求項１９】 電気配線パターンが形成された電気配
    線部の上に下部絶縁層を形成する工程と、 前記下部絶縁層の上に、光信号を伝送することが可能な
    光導波路を形成する工程と、 少なくとも前記光導波路を覆うように上部絶縁層を形成
    する工程とを含むことを特徴とする光配線基板の製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記光導波路を形成する工程は、 前記光導波路を所定のダミー基板上に形成する工程と、 前記ダミー基板上に形成された光導波路を前記上部絶縁
    層の上に転写する工程とを含むことを特徴とする請求項
    １９記載の光配線基板の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記上部絶縁層または前記下部絶縁層
    により覆われるように、発光素子または受光素子の少な
    くとも一方を形成する工程をさらに含むことを特徴とす
    る請求項１９記載の光配線基板の製造方法。
  22. 【請求項２２】 電気配線パターンが形成された電気配
    線部の上に下部絶縁層を形成する工程と、 前記下部絶縁層の上に、光信号を伝送することが可能な
    光導波路を形成する工程と、 少なくとも前記光導波路を覆うように上部絶縁層を形成
    する工程と、 光信号を発信するための発光素子および光信号を受信す
    るための受光素子を形成する工程と、 前記上部絶縁層の上に、前記発光素子または前記受光素
    子の少なくとも一方との間で電気信号の授受を行う集積
    回路を形成する工程とを含むことを特徴とする光配線モ
    ジュールの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記発光素子または前記受光素子の少
    なくとも一方を、前記上部絶縁層または前記下部絶縁層
    の内部に埋設されるように形成することを特徴とする請
    求項２２記載の光配線モジュールの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記発光素子および前記受光素子を、
    前記上部絶縁層の上に形成することを特徴とする請求項
    ２２記載の光配線モジュールの製造方法。
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