JP2002098594A - Temperature sensor device - Google Patents
Temperature sensor deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度検出データをディジタルデータとして供
給することができ、かつ、小型化及び省スペース化を図
ることが可能な構成の温度センサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る温度センサ装置は、電源電
位ノードと接地電位ノードとの間に配設された温度セン
サと、上記温度センサから出力されるアナログ温度検出
データをディジタル温度検出データにA/D変換するA
/D変換器と、上記A/D変換器から出力された上記デ
ィジタル温度検出データを一時的に保持し、所定のタイ
ミングで温度検出データ出力ノードに出力するレジスタ
とを1個の半導体チップ上に備えているものである。
(57) [Problem] To provide a temperature sensor device having a configuration capable of supplying temperature detection data as digital data and capable of reducing the size and space. A temperature sensor device according to the present invention includes a temperature sensor disposed between a power supply potential node and a ground potential node, and converts analog temperature detection data output from the temperature sensor into digital temperature detection data. A for / D conversion
An A / D converter and a register for temporarily holding the digital temperature detection data output from the A / D converter and outputting to the temperature detection data output node at a predetermined timing are provided on one semiconductor chip. It is equipped.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、温度センサ装置に
関する。[0001] The present invention relates to a temperature sensor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】外部温度に応じた値の電気信号を出力す
る温度センサ装置は、様々な用途に使用されている。例
えば、携帯電話等に使用される水晶発振器は、外部温度
によってその発振周波数が大きく変化するので、外部温
度を検出して、その温度に応じた周波数補正を行う必要
がある。そこで、外部温度を検出するために、温度セン
サ装置が用いられる。2. Description of the Related Art A temperature sensor device for outputting an electric signal having a value corresponding to an external temperature is used for various purposes. For example, since the oscillation frequency of a crystal oscillator used in a mobile phone or the like greatly changes depending on the external temperature, it is necessary to detect the external temperature and perform frequency correction according to the temperature. Therefore, a temperature sensor device is used to detect the external temperature.
【0003】図6は、従来の温度センサ装置の概略構成
を示すブロック図である。従来の温度センサ装置は、電
源電位ノードVDDと接地電位ノードGNDとの間に配設
された温度センサ1と、温度センサ1の出力信号を増幅
して温度検出データ出力ノードOUTへ出力するボルテ
ージフォロワであるオペアンプ6とを備えている。FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional temperature sensor device. The conventional temperature sensor device includes a temperature sensor 1 disposed between a power supply potential node VDD and a ground potential node GND, and a voltage follower that amplifies an output signal of the temperature sensor 1 and outputs the amplified signal to a temperature detection data output node OUT. And an operational amplifier 6.
【0004】図7は、従来の温度センサ装置の構成をよ
り具体的に示す回路図である。従来の温度センサ装置
は、電源電位ノードVDDと接地電位ノードGNDとの間
に順に直列接続された第1の抵抗R1,ダイオードD及
び第2の抵抗R2から構成され、第1の抵抗R1とダイ
オードDとの接続ノードTに発生する電位VTが外部温
度に応じて変化する温度センサ1と、上記接続ノードT
に正相入力ノードが接続され、出力ノードが温度検出デ
ータ出力ノードOUTに接続され、負帰還回路を有し、
電位VTを増幅して温度検出データ出力ノードOUTに
出力するボルテージフォロワであるオペアンプ6と、上
記温度センサ1及びオペアンプ6を封止するパッケージ
10とを備えている。FIG. 7 is a circuit diagram more specifically showing the configuration of a conventional temperature sensor device. The conventional temperature sensor device includes a first resistor R1, a diode D, and a second resistor R2 which are connected in series between a power supply potential node VDD and a ground potential node GND. A temperature sensor 1 in which a potential VT generated at a connection node T with D changes according to an external temperature;
, A positive-phase input node is connected, an output node is connected to the temperature detection data output node OUT, and a negative feedback circuit is provided.
An operational amplifier 6 as a voltage follower for amplifying the potential VT and outputting the amplified voltage to the temperature detection data output node OUT, and a package 10 for sealing the temperature sensor 1 and the operational amplifier 6 are provided.
【0005】第1の抵抗R1,ダイオードD及び第2の
抵抗R2から構成された温度センサ1は、外部温度の変
化に応じてダイオードDの順方向電圧VFが−2mV/
℃乃至3mV/℃の割合で変化し、その結果、接続ノー
ドTに発生する電位VTも外部温度の変化に応じて変化
する。これにより、温度センサ1は、その機能を果たす
ことができる。尚、第1の抵抗R1及び第2の抵抗R2
の抵抗値は、それぞれ適当に設定されるが、配線抵抗の
みであってもよい。The temperature sensor 1 composed of the first resistor R1, the diode D and the second resistor R2 has a forward voltage VF of the diode D of -2 mV / in response to a change in external temperature.
C. to 3 mV / .degree. C., and as a result, the potential VT generated at the connection node T also changes according to the change in the external temperature. Thereby, the temperature sensor 1 can fulfill its function. Note that the first resistor R1 and the second resistor R2
Are appropriately set, but may be only the wiring resistance.
【0006】また、この従来の温度センサ装置は、ボル
テージフォロワであるオペアンプ6により、接続ノード
Tの電位VTを増幅し、温度検出データとして温度検出
データ出力ノードOUTに出力する構成から明らかなよ
うに、出力データがアナログデータとして出力されるア
ナログ温度センサ装置である。Further, as is apparent from the configuration of this conventional temperature sensor device, the potential VT of the connection node T is amplified by the operational amplifier 6 which is a voltage follower and is output to the temperature detection data output node OUT as temperature detection data. And an analog temperature sensor device in which output data is output as analog data.
【0007】上記従来の温度センサ装置においては、温
度検出データがアナログ電圧であるアナログデータとし
て外部に供給されるので、温度検出データをディジタル
データとして処理する場合には、温度センサ装置外部に
別個にA/D(アナログ/ディジタル)変換器を設けて
おき、温度検出データをディジタル変換する必要があ
る。In the above-mentioned conventional temperature sensor device, since the temperature detection data is supplied to the outside as analog data which is an analog voltage, when the temperature detection data is processed as digital data, it is separately provided outside the temperature sensor device. It is necessary to provide an A / D (analog / digital) converter and convert the temperature detection data into digital data.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、携帯電話等に
代表される温度センサ装置の用途においては、A/D変
換器まで含めたシステム全体としての小型化及び省スペ
ース化の要求水準は年々高くなっている。However, in the use of temperature sensor devices such as mobile phones, the demand for miniaturization and space saving of the entire system including the A / D converter is increasing year by year. Has become.
【0009】従って、A/D変換器を別個に設ける必要
のある上記従来のアナログ温度センサ装置は、小型化及
び省スペース化を図る上で不利であった。Therefore, the above-mentioned conventional analog temperature sensor device, which requires a separate A / D converter, is disadvantageous in reducing the size and space.
【0010】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、温度検出データをディジタルデータと
して供給することができ、かつ、小型化及び省スペース
化を図ることが可能な構成の温度センサ装置を提供する
ことである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a structure capable of supplying temperature detection data as digital data and capable of achieving miniaturization and space saving. It is to provide a temperature sensor device.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に係る温度センサ
装置によれば、電源電位ノードと接地電位ノードとの間
に配設された温度センサと、上記温度センサから出力さ
れるアナログ温度検出データをディジタル温度検出デー
タにA/D(アナログ/ディジタル)変換するA/D変
換器と、上記A/D変換器から出力された上記ディジタ
ル温度検出データを一時的に保持し、所定のタイミング
で温度検出データ出力ノードに出力するレジスタとを1
個の半導体チップ上に備えていることを特徴とし、この
構成により、温度検出データをディジタルデータとして
供給することができ、かつ、小型化及び省スペース化を
図ることができる。According to the temperature sensor device of the present invention, a temperature sensor disposed between a power supply potential node and a ground potential node, and analog temperature detection data output from the temperature sensor. A / D (Analog / Digital) conversion of the digital temperature detection data into digital temperature detection data, and the digital temperature detection data output from the A / D converter are temporarily held, and the temperature is held at a predetermined timing. Set the register to be output to the detection data output node to 1
It is characterized in that the temperature detection data is provided on individual semiconductor chips. With this configuration, the temperature detection data can be supplied as digital data, and the size and space can be reduced.
【0012】上記温度センサは、電源電位ノードと接地
電位ノードとの間に順に直列接続された第1の抵抗、ダ
イオード及び第2の抵抗から構成され、上記第1の抵抗
と上記ダイオードとの接続ノードに発生する電位が外部
温度に応じて変化する上記アナログ温度検出データとな
るものとするとよい。The temperature sensor comprises a first resistor, a diode, and a second resistor connected in series between a power supply potential node and a ground potential node, and connects the first resistor to the diode. It is preferable that the potential generated at the node is the analog temperature detection data that changes according to the external temperature.
【0013】上記A/D変換器及び上記レジスタのいず
れか一方又は双方の駆動に用いられるクロック信号を発
生させるクロック発生回路を上記半導体チップ上又は上
記半導体チップ外部に備えているものとするとよい。It is preferable that a clock generating circuit for generating a clock signal used for driving one or both of the A / D converter and the register is provided on the semiconductor chip or outside the semiconductor chip.
【0014】上記クロック発生回路は、上記半導体チッ
プ上に備えられて、上記A/D変換器及び上記レジスタ
の双方の駆動に用いられるクロック信号を発生させるリ
ングオシレータであるものとすると、温度センサ装置の
さらなる小型化及び省スペース化を図ることができる。The clock generation circuit may be a ring oscillator provided on the semiconductor chip and generating a clock signal used for driving both the A / D converter and the register. Can be further reduced in size and space.
【0015】上記レジスタは、上記ディジタル温度検出
データをシリアルデータとして上記温度検出データ出力
ノードに出力するものとするとよい。Preferably, the register outputs the digital temperature detection data as serial data to the temperature detection data output node.
【0016】上記クロック発生回路は、外部から入力さ
れる制御信号により、上記クロック信号を発生する動作
を制御されるものとすると、データ出力のタイミングを
制御することができるので、用途に応じて適当な動作制
御を行うことができ、使用上便利である。If the clock generation circuit controls the operation of generating the clock signal by a control signal input from the outside, the clock generation circuit can control the timing of data output. Operation control can be performed, which is convenient for use.
【0017】上記レジスタは、上記ディジタル温度検出
データをパラレルデータとして複数の上記温度検出デー
タ出力ノードに出力するものとすると、パラレルデータ
を必要とする用途に好適である。If the register outputs the digital temperature detection data as parallel data to a plurality of temperature detection data output nodes, the register is suitable for applications requiring parallel data.
【0018】本発明に係る温度センサ装置は、1個のパ
ッケージに封止されているものとすると、小型化及び省
スペース化を図ることができる。If the temperature sensor device according to the present invention is sealed in one package, it is possible to reduce the size and space.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る温度センサ装
置の実施の形態について、図面を参照しながら説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the temperature sensor device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
【0020】図1は、本発明の第1の実施の形態に係る
温度センサ装置の構成を示すブロック図である。本発明
の第1の実施の形態に係る温度センサ装置は、電源電位
ノードVDDと接地電位ノードGNDとの間に配設された
温度センサ1と、温度センサ1から出力されるアナログ
温度検出データをディジタル温度検出データにA/D変
換するA/D変換器2と、A/D変換器2から出力され
たディジタル温度検出データを一時的に保持し、所定の
タイミングで温度検出データ出力ノードOUTに出力す
るレジスタ3とを備えており、さらに、A/D変換器2
及びレジスタ3のいずれか一方又は双方の駆動に用いら
れるクロック信号CLKを発生させるクロック発生回路
4が設けられている。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention. The temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention includes a temperature sensor 1 disposed between a power supply potential node VDD and a ground potential node GND, and analog temperature detection data output from the temperature sensor 1. A / D converter 2 for performing A / D conversion to digital temperature detection data, and digital temperature detection data output from A / D converter 2 are temporarily stored and output to temperature detection data output node OUT at a predetermined timing. And an A / D converter 2.
And a clock generation circuit 4 for generating a clock signal CLK used for driving one or both of the registers 3.
【0021】本発明の第1の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、上記温度センサ1,A/D変換器2及びレジ
スタ3が1個の半導体チップに搭載されたものである。
クロック発生回路4は、温度センサ装置に内蔵されてい
てもよいし、温度センサ装置外部に設けられていてもよ
い。クロック発生回路4を温度センサ装置に内蔵する場
合には、A/D変換器2及びレジスタ3の駆動に共用す
るとよい。クロック発生回路4を温度センサ装置外部に
設ける場合には、A/D変換器2及びレジスタ3の駆動
に1個のクロック発生回路4を共用するようにしてもよ
いし、2個のクロック発生回路4をそれぞれ別個に設け
てもよい。The temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention has the above-mentioned temperature sensor 1, A / D converter 2 and register 3 mounted on a single semiconductor chip.
The clock generation circuit 4 may be built in the temperature sensor device, or may be provided outside the temperature sensor device. When the clock generation circuit 4 is built in the temperature sensor device, it is preferable to share the clock generation circuit 4 for driving the A / D converter 2 and the register 3. When the clock generation circuit 4 is provided outside the temperature sensor device, one clock generation circuit 4 may be shared for driving the A / D converter 2 and the register 3, or two clock generation circuits may be used. 4 may be provided separately.
【0022】本発明の第1の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、温度センサ1,A/D変換器2及びレジスタ
3が1個の半導体チップに搭載されたディジタル温度セ
ンサ装置であり、従って、1個のパッケージに封止され
るものである。The temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention is a digital temperature sensor device in which a temperature sensor 1, an A / D converter 2 and a register 3 are mounted on one semiconductor chip. , Which are sealed in one package.
【0023】温度センサ1から出力されたアナログ温度
検出データは、A/D変換器2によりA/D変換されて
ディジタル温度検出データとなり、ディジタル温度検出
データはレジスタ3に取り込まれ、所定のタイミングで
温度検出データ出力ノードOUTに出力される。The analog temperature detection data output from the temperature sensor 1 is subjected to A / D conversion by an A / D converter 2 to become digital temperature detection data. The digital temperature detection data is taken into a register 3 and at a predetermined timing. Output to temperature detection data output node OUT.
【0024】このように、本発明の第1の実施の形態に
係る温度センサ装置においては、クロック信号CLKに
同期させて、温度検出データをディジタル値として1個
のパッケージから取り出すことができるので、温度セン
サ装置の小型化及び省スペース化を図ることができる。As described above, in the temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention, the temperature detection data can be taken out from one package as a digital value in synchronization with the clock signal CLK. The size and space of the temperature sensor device can be reduced.
【0025】図2は、本発明の第2の実施の形態に係る
温度センサ装置の構成を示すブロック図である。正確に
は、図2(a)が、本発明の第2の実施の形態に係る温
度センサ装置の構成を示すブロック図であり、図2
(b)は、本発明の第2の実施の形態に係る温度センサ
装置に備えられたリングオシレータの具体的構成を示す
ブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a second embodiment of the present invention. To be more precise, FIG. 2A is a block diagram showing the configuration of the temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention.
(B) is a block diagram showing a specific configuration of a ring oscillator provided in a temperature sensor device according to a second embodiment of the present invention.
【0026】本発明の第2の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、電源電位ノードVDDと接地電位ノードGND
との間に順に直列接続された第1の抵抗R1,ダイオー
ドD及び第2の抵抗R2から構成され、第1の抵抗R1
とダイオードDとの接続ノードTに発生する電位VTが
外部温度に応じて変化するアナログ温度検出データとな
る温度センサ1と、上記接続ノードTに入力ノードが接
続され、接続ノードTから出力されるアナログ温度検出
データである電位VTをディジタル温度検出データにA
/D変換するA/D変換器2と、A/D変換器2から出
力されたディジタル温度検出データを一時的に保持し、
所定のタイミングでシリアルデータとして温度検出デー
タ出力ノードOUTに出力するレジスタ3と、A/D変
換器2及びレジスタ3の双方の駆動に用いられるクロッ
ク信号CLKを発振するリングオシレータ5と、上記温
度センサ1,A/D変換器2,レジスタ3及びリングオ
シレータ5を封止するパッケージ10とを備えている。The temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention comprises a power supply potential node VDD and a ground potential node GND.
And a first resistor R1, a diode D and a second resistor R2 connected in series between the first resistor R1 and the first resistor R1.
Temperature sensor 1 which is analog temperature detection data in which potential VT generated at connection node T between diode and diode D changes in accordance with an external temperature, an input node is connected to connection node T, and is output from connection node T The potential VT, which is analog temperature detection data, is added to digital temperature detection data by A.
A / D converter 2 for performing A / D conversion and digital temperature detection data output from A / D converter 2 are temporarily held,
A register 3 for outputting serial data to the temperature detection data output node OUT at a predetermined timing, a ring oscillator 5 for oscillating a clock signal CLK used for driving both the A / D converter 2 and the register 3, and the temperature sensor 1, an A / D converter 2, a register 3, and a package 10 for sealing the ring oscillator 5.
【0027】本発明の第2の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、上記本発明の第1の実施の形態に係る温度セ
ンサ装置のより具体的な第1の構成例であり、クロック
発生回路4としてのリングオシレータ5が、温度センサ
1,A/D変換器2及びレジスタ3と同一の半導体チッ
プに搭載され、パッケージ10に封止されているもので
ある。従って、A/D変換器2及びレジスタ3を駆動す
るクロック信号CLKは、リングオシレータ5により発
生させられる。The temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention is a more specific first configuration example of the temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention, and includes a clock generation circuit. A ring oscillator 5 is mounted on the same semiconductor chip as the temperature sensor 1, the A / D converter 2 and the register 3, and is sealed in a package 10. Therefore, the clock signal CLK for driving the A / D converter 2 and the register 3 is generated by the ring oscillator 5.
【0028】リングオシレータ5は、一例として図2
(b)に示すように、奇数個のインバータINV1,I
NV2,INV3を環状接続した構成となっている。The ring oscillator 5 is shown in FIG.
As shown in (b), an odd number of inverters INV1, IV1
The configuration is such that NV2 and INV3 are circularly connected.
【0029】第1の抵抗R1,ダイオードD及び第2の
抵抗R2から構成された温度センサ1は、外部温度の変
化に応じてダイオードDの順方向電圧VFが−2mV/
℃乃至3mV/℃の割合で変化し、その結果、接続ノー
ドTに発生する電位VTも外部温度の変化に応じて変化
する。これにより、温度センサ1は、その機能を果たす
ことができる。尚、第1の抵抗R1及び第2の抵抗R2
の抵抗値は、それぞれ適当に設定されるが、配線抵抗の
みであってもよい。The temperature sensor 1 composed of the first resistor R1, the diode D and the second resistor R2 has a forward voltage VF of the diode D of -2 mV /
C. to 3 mV / .degree. C., and as a result, the potential VT generated at the connection node T also changes according to the change in the external temperature. Thereby, the temperature sensor 1 can fulfill its function. Note that the first resistor R1 and the second resistor R2
Are appropriately set, but may be only the wiring resistance.
【0030】温度センサ1を構成する第1の抵抗R1と
ダイオードDとの接続ノードTからアナログ電位信号V
Tとして出力されたアナログ温度検出データは、A/D
変換器2によりA/D変換されてディジタル温度検出デ
ータとなり、ディジタル温度検出データはレジスタ3に
取り込まれ、所定のタイミングでシリアルデータとして
温度検出データ出力ノードOUTに出力される。An analog potential signal V is applied from a connection node T between the first resistor R1 and the diode D constituting the temperature sensor 1.
The analog temperature detection data output as T is A / D
The digital temperature detection data is A / D-converted by the converter 2 and becomes digital temperature detection data. The digital temperature detection data is taken into the register 3 and output to the temperature detection data output node OUT as serial data at a predetermined timing.
【0031】このように、本発明の第2の実施の形態に
係る温度センサ装置においては、内蔵したリングオシレ
ータ5により発生させたクロック信号CLKに同期させ
て、温度検出データをシリアルデータによるディジタル
値として1個のパッケージから取り出すことができるの
で、第1の実施の形態に比較して、温度センサ装置のさ
らなる小型化及び省スペース化を図ることができる。As described above, in the temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention, the temperature detection data is synchronized with the clock signal CLK generated by the built-in ring oscillator 5 to convert the temperature detection data into a digital value based on serial data. Since the temperature sensor device can be taken out of one package, the size and space of the temperature sensor device can be further reduced as compared with the first embodiment.
【0032】図3は、本発明の第3の実施の形態に係る
温度センサ装置の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a third embodiment of the present invention.
【0033】本発明の第3の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、電源電位ノードVDDと接地電位ノードGND
との間に順に直列接続された第1の抵抗R1,ダイオー
ドD及び第2の抵抗R2から構成され、第1の抵抗R1
とダイオードDとの接続ノードTに発生する電位VTが
外部温度に応じて変化するアナログ温度検出データとな
る温度センサ1と、上記接続ノードTに入力ノードが接
続され、接続ノードTから出力されるアナログ温度検出
データである電位VTをディジタル温度検出データにA
/D変換するA/D変換器2と、A/D変換器2から出
力されたディジタル温度検出データを一時的に保持し、
所定のタイミングでパラレルデータとして温度検出デー
タ出力ノードOUTに出力するレジスタ3と、A/D変
換器2及びレジスタ3の双方の駆動に用いられるクロッ
ク信号CLKを発振するリングオシレータ5と、上記温
度センサ1,A/D変換器2,レジスタ3及びリングオ
シレータ5を封止するパッケージ10とを備えている。The temperature sensor device according to the third embodiment of the present invention comprises a power supply potential node VDD and a ground potential node GND.
And a first resistor R1, a diode D and a second resistor R2 connected in series between the first resistor R1 and the first resistor R1.
Temperature sensor 1 which is analog temperature detection data in which potential VT generated at connection node T between diode and diode D changes in accordance with an external temperature, an input node is connected to connection node T, and is output from connection node T The potential VT, which is analog temperature detection data, is added to digital temperature detection data by A.
A / D converter 2 for performing A / D conversion and digital temperature detection data output from A / D converter 2 are temporarily held,
A register 3 for outputting parallel data at a predetermined timing to a temperature detection data output node OUT; a ring oscillator 5 for oscillating a clock signal CLK used for driving both the A / D converter 2 and the register 3; 1, an A / D converter 2, a register 3, and a package 10 for sealing the ring oscillator 5.
【0034】本発明の第3の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、上記本発明の第1の実施の形態に係る温度セ
ンサ装置のより具体的な第2の構成例であり、クロック
発生回路4としてのリングオシレータ5が、温度センサ
1,A/D変換器2及びレジスタ3と同一の半導体チッ
プに搭載され、パッケージ10に封止されているもので
ある。従って、A/D変換器2及びレジスタ3を駆動す
るクロック信号CLKは、リングオシレータ5により発
生させられる。The temperature sensor device according to the third embodiment of the present invention is a more specific second configuration example of the temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention, and includes a clock generation circuit. A ring oscillator 5 is mounted on the same semiconductor chip as the temperature sensor 1, the A / D converter 2 and the register 3, and is sealed in a package 10. Therefore, the clock signal CLK for driving the A / D converter 2 and the register 3 is generated by the ring oscillator 5.
【0035】また、本発明の第2の実施の形態に係る温
度センサ装置におけるレジスタ3はシリアルデータレジ
スタであったのに対し、本発明の第3の実施の形態に係
る温度センサ装置におけるレジスタ3はパラレルデータ
レジスタである点で、両実施の形態は異なっている。The register 3 in the temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention is a serial data register, whereas the register 3 in the temperature sensor device according to the third embodiment of the present invention. Are different from each other in that they are parallel data registers.
【0036】リングオシレータ5は、一例として図2
(b)に示したものと同様の構成とするとよい。The ring oscillator 5 is shown in FIG.
The configuration may be the same as that shown in FIG.
【0037】温度センサ1を構成する第1の抵抗R1と
ダイオードDとの接続ノードTからアナログ電位信号V
Tとして出力されたアナログ温度検出データは、A/D
変換器2によりA/D変換されてディジタル温度検出デ
ータとなり、ディジタル温度検出データはレジスタ3に
取り込まれ、所定のタイミングでパラレルデータとして
温度検出データ出力ノードOUTに出力される。An analog potential signal V is supplied from a connection node T between the first resistor R1 and the diode D constituting the temperature sensor 1.
The analog temperature detection data output as T is A / D
A / D conversion is performed by the converter 2 to obtain digital temperature detection data. The digital temperature detection data is taken into the register 3 and output to the temperature detection data output node OUT as parallel data at a predetermined timing.
【0038】このように、本発明の第3の実施の形態に
係る温度センサ装置においては、内蔵したリングオシレ
ータ5により発生させたクロック信号CLKによりA/
D変換器2及びレジスタ3の動作を非同期式で制御し、
温度検出データをパラレルデータによるディジタル値と
して1個のパッケージから取り出すことができるので、
パラレルデータを必要とする用途に好適であり、また、
第1の実施の形態に比較して、温度センサ装置のさらな
る小型化及び省スペース化を図ることができる。As described above, in the temperature sensor device according to the third embodiment of the present invention, A / A is controlled by the clock signal CLK generated by the built-in ring oscillator 5.
The operations of the D converter 2 and the register 3 are controlled asynchronously,
Since the temperature detection data can be extracted from one package as a digital value based on parallel data,
Suitable for applications that require parallel data,
Compared with the first embodiment, it is possible to further reduce the size and space of the temperature sensor device.
【0039】図4は、本発明の第4の実施の形態に係る
温度センサ装置の構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【0040】本発明の第4の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、電源電位ノードVDDと接地電位ノードGND
との間に順に直列接続された第1の抵抗R1,ダイオー
ドD及び第2の抵抗R2から構成され、第1の抵抗R1
とダイオードDとの接続ノードTに発生する電位VTが
外部温度に応じて変化するアナログ温度検出データとな
る温度センサ1と、上記接続ノードTに入力ノードが接
続され、接続ノードTから出力されるアナログ温度検出
データである電位VTをディジタル温度検出データにA
/D変換するA/D変換器2と、A/D変換器2から出
力されたディジタル温度検出データを一時的に保持し、
所定のタイミングでシリアルデータとして温度検出デー
タ出力ノードOUTに出力するレジスタ3と、リセット
信号resetにより動作が制御され、A/D変換器2及び
レジスタ3の双方の駆動に用いられるクロック信号CL
Kを発振するリングオシレータ5と、上記温度センサ
1,A/D変換器2,レジスタ3及びリングオシレータ
5を封止するパッケージ10とを備えている。The temperature sensor device according to the fourth embodiment of the present invention comprises a power supply potential node VDD and a ground potential node GND.
And a first resistor R1, a diode D and a second resistor R2 connected in series between the first resistor R1 and the first resistor R1.
Temperature sensor 1 which is analog temperature detection data in which potential VT generated at connection node T between diode and diode D changes in accordance with an external temperature, an input node is connected to connection node T, and is output from connection node T The potential VT, which is analog temperature detection data, is added to digital temperature detection data by A.
A / D converter 2 for performing A / D conversion and digital temperature detection data output from A / D converter 2 are temporarily held,
A register 3 that outputs serial data to the temperature detection data output node OUT at a predetermined timing, and a clock signal CL whose operation is controlled by a reset signal reset and used for driving both the A / D converter 2 and the register 3
A ring oscillator 5 for oscillating K and a package 10 for sealing the temperature sensor 1, the A / D converter 2, the register 3 and the ring oscillator 5 are provided.
【0041】本発明の第4の実施の形態に係る温度セン
サ装置は、上記本発明の第1の実施の形態に係る温度セ
ンサ装置のより具体的な第3の構成例であって、上記本
発明の第2の実施の形態に係る温度センサ装置の変形例
でもあり、クロック発生回路4としてのリングオシレー
タ5が、温度センサ1,A/D変換器2及びレジスタ3
と同一の半導体チップに搭載され、パッケージ10に封
止されているものである。従って、A/D変換器2及び
レジスタ3を駆動するクロック信号CLKは、リングオ
シレータ5により発生させられる。The temperature sensor device according to the fourth embodiment of the present invention is a more specific third configuration example of the temperature sensor device according to the first embodiment of the present invention. This is also a modification of the temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention, and the ring oscillator 5 as the clock generation circuit 4 includes a temperature sensor 1, an A / D converter 2, and a register 3.
Are mounted on the same semiconductor chip and sealed in the package 10. Therefore, the clock signal CLK for driving the A / D converter 2 and the register 3 is generated by the ring oscillator 5.
【0042】リングオシレータ5は、一例として図2
(b)に示したものと同様の構成とするとよい。The ring oscillator 5 is shown in FIG.
The configuration may be the same as that shown in FIG.
【0043】温度センサ1を構成する第1の抵抗R1と
ダイオードDとの接続ノードTからアナログ電位信号V
Tとして出力されたアナログ温度検出データは、A/D
変換器2によりA/D変換されてディジタル温度検出デ
ータとなり、ディジタル温度検出データはレジスタ3に
取り込まれ、所定のタイミングでシリアルデータとして
温度検出データ出力ノードOUTに出力される。An analog potential signal V is applied from a connection node T between the first resistor R1 and the diode D constituting the temperature sensor 1.
The analog temperature detection data output as T is A / D
The digital temperature detection data is A / D-converted by the converter 2 and becomes digital temperature detection data. The digital temperature detection data is taken into the register 3 and output to the temperature detection data output node OUT as serial data at a predetermined timing.
【0044】但し、本発明の第4の実施の形態に係る温
度センサ装置は、リングオシレータ5の動作が、外部か
ら入力される制御信号であるリセット信号resetにより
制御される点で、上記本発明の第2の実施の形態に係る
温度センサ装置と異なっている。以下、この点について
説明する。However, the temperature sensor device according to the fourth embodiment of the present invention is characterized in that the operation of the ring oscillator 5 is controlled by a reset signal reset which is a control signal input from the outside. Is different from the temperature sensor device according to the second embodiment. Hereinafter, this point will be described.
【0045】図5は、本発明の第4の実施の形態に係る
温度センサ装置における主要な信号波形を示したフロー
チャートである。FIG. 5 is a flowchart showing main signal waveforms in the temperature sensor device according to the fourth embodiment of the present invention.
【0046】電源電圧VDDが所定の電圧まで上昇した後
は、温度センサ装置が動作可能となる。しかし、本発明
の第4の実施の形態に係る温度センサ装置においては、
外部から入力されるリセット信号resetにより、リング
オシレータ5の動作、即ち、クロック信号CLKの発生
が制御されており、リセット信号resetが第1の論理レ
ベル(この例ではH(High)レベル)である間は、リン
グオシレータ5は動作せず、クロック信号CLKの発生
は抑止されている。After the power supply voltage VDD rises to a predetermined voltage, the temperature sensor device becomes operable. However, in the temperature sensor device according to the fourth embodiment of the present invention,
The operation of the ring oscillator 5, that is, the generation of the clock signal CLK, is controlled by an externally input reset signal reset, and the reset signal reset is at the first logical level (H (High) level in this example). During this time, the ring oscillator 5 does not operate, and the generation of the clock signal CLK is suppressed.
【0047】その後、リセット信号resetが第2の論理
レベル(この例ではL(Low)レベル)になると、リセ
ット信号resetによる抑止が解除され、リングオシレー
タ5は動作を開始し、クロック信号CLKが発生させら
れて出力される。このクロック信号CLKによりA/D
変換器2及びレジスタ3が動作し、A/D変換器2によ
りディジタルデータに変換された温度検出データはレジ
スタ3に取り込まれ、所定のタイミングでシリアルデー
タDataとして温度検出データ出力ノードOUTに出力さ
れる。Thereafter, when the reset signal reset goes to the second logic level (L (Low) level in this example), the suppression by the reset signal reset is released, the ring oscillator 5 starts operating, and the clock signal CLK is generated. Is output. A / D is generated by this clock signal CLK.
The converter 2 and the register 3 operate, and the temperature detection data converted into digital data by the A / D converter 2 is taken into the register 3 and output to the temperature detection data output node OUT as serial data at a predetermined timing. You.
【0048】このように、本発明の第4の実施の形態に
係る温度センサ装置においては、外部から入力されるリ
セット信号resetにより、データ出力のタイミングを制
御することができるので、用途に応じて適当な動作制御
を行うことができ、本発明の第2の実施の形態に係る温
度センサ装置よりもさらに使用上便利である。また、本
発明の第2の実施の形態に係る温度センサ装置と同様
に、内蔵したリングオシレータ5により発生させたクロ
ック信号CLKに同期させて、温度検出データをシリア
ルデータによるディジタル値として1個のパッケージか
ら取り出すことができるので、第1の実施の形態に比較
して、温度センサ装置のさらなる小型化及び省スペース
化を図ることができる。As described above, in the temperature sensor device according to the fourth embodiment of the present invention, the timing of data output can be controlled by the reset signal reset input from the outside. Appropriate operation control can be performed, which is more convenient in use than the temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention. Further, similarly to the temperature sensor device according to the second embodiment of the present invention, in synchronization with a clock signal CLK generated by a built-in ring oscillator 5, the temperature detection data is converted into one digital value by serial data. Since the temperature sensor device can be taken out of the package, the size and space of the temperature sensor device can be further reduced as compared with the first embodiment.
【0049】[0049]
【発明の効果】本発明に係る温度センサ装置によれば、
電源電位ノードと接地電位ノードとの間に配設された温
度センサと、上記温度センサから出力されるアナログ温
度検出データをディジタル温度検出データにA/D(ア
ナログ/ディジタル)変換するA/D変換器と、上記A
/D変換器から出力された上記ディジタル温度検出デー
タを一時的に保持し、所定のタイミングで温度検出デー
タ出力ノードに出力するレジスタとを1個の半導体チッ
プ上に備えているので、温度検出データをディジタルデ
ータとして供給することができ、かつ、小型化及び省ス
ペース化を図ることができる。According to the temperature sensor device of the present invention,
A temperature sensor disposed between a power supply potential node and a ground potential node, and an A / D converter for A / D (analog / digital) conversion of analog temperature detection data output from the temperature sensor to digital temperature detection data Container and the above A
And a register for temporarily holding the digital temperature detection data output from the / D converter and outputting the digital temperature detection data to the temperature detection data output node at a predetermined timing on a single semiconductor chip. Can be supplied as digital data, and downsizing and space saving can be achieved.
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る温度センサ装
置の構成を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施の形態に係る温度センサ装
置の構成を示すブロック図。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施の形態に係る温度センサ装
置の構成を示すブロック図。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施の形態に係る温度センサ装
置の構成を示すブロック図。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a temperature sensor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第4の実施の形態に係る温度センサ装
置における主要な信号波形を示したフローチャート。FIG. 5 is a flowchart showing main signal waveforms in a temperature sensor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図6】従来の温度センサ装置の概略構成を示すブロッ
ク図。FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional temperature sensor device.
【図7】従来の温度センサ装置の構成をより具体的に示
す回路図。FIG. 7 is a circuit diagram more specifically showing the configuration of a conventional temperature sensor device.
1 温度センサ 2 A/D変換器 3 レジスタ 4 クロック発生回路 5 リングオシレータ 6 オペアンプ 10 パッケージ D ダイオード R1,R2 抵抗 INV1,INV2,INV3 インバータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Temperature sensor 2 A / D converter 3 Register 4 Clock generation circuit 5 Ring oscillator 6 Operational amplifier 10 Package D Diode R1, R2 Resistance INV1, INV2, INV3 Inverter
Claims (8)
配設された温度センサと、 前記温度センサから出力されるアナログ温度検出データ
をディジタル温度検出データにA/D(アナログ/ディ
ジタル)変換するA/D変換器と、 前記A/D変換器から出力された前記ディジタル温度検
出データを一時的に保持し、所定のタイミングで温度検
出データ出力ノードに出力するレジスタと、を1個の半
導体チップ上に備えていることを特徴とする温度センサ
装置。1. A temperature sensor disposed between a power supply potential node and a ground potential node, and A / D (analog / digital) conversion of analog temperature detection data output from the temperature sensor into digital temperature detection data. An A / D converter, and a register that temporarily holds the digital temperature detection data output from the A / D converter and outputs the digital temperature detection data to a temperature detection data output node at a predetermined timing. A temperature sensor device provided on a chip.
電位ノードとの間に順に直列接続された第1の抵抗、ダ
イオード及び第2の抵抗から構成され、前記第1の抵抗
と前記ダイオードとの接続ノードに発生する電位が外部
温度に応じて変化する前記アナログ温度検出データとな
るものであることを特徴とする請求項1に記載の温度セ
ンサ装置。2. The temperature sensor comprises a first resistor, a diode, and a second resistor connected in series between a power supply potential node and a ground potential node in order. 2. The temperature sensor device according to claim 1, wherein a potential generated at a connection node of the temperature sensor becomes the analog temperature detection data that changes according to an external temperature.
れか一方又は双方の駆動に用いられるクロック信号を発
生させるクロック発生回路を前記半導体チップ上又は前
記半導体チップ外部に備えていることを特徴とする請求
項1又は2に記載の温度センサ装置。3. A clock generation circuit for generating a clock signal used for driving one or both of the A / D converter and the register is provided on the semiconductor chip or outside the semiconductor chip. The temperature sensor device according to claim 1.
プ上に備えられて、前記A/D変換器及び前記レジスタ
の双方の駆動に用いられるクロック信号を発生させるリ
ングオシレータであることを特徴とする請求項4に記載
の温度センサ装置。4. The clock generator according to claim 1, wherein the clock generator is a ring oscillator provided on the semiconductor chip for generating a clock signal used for driving both the A / D converter and the register. The temperature sensor device according to claim 4.
データをシリアルデータとして前記温度検出データ出力
ノードに出力するものであることを特徴とする請求項1
乃至4のいずれかに記載の温度センサ装置。5. The register according to claim 1, wherein the register outputs the digital temperature detection data as serial data to the temperature detection data output node.
The temperature sensor device according to any one of claims 1 to 4.
れる制御信号により、前記クロック信号を発生する動作
を制御されるものであることを特徴とする請求項5に記
載の温度センサ装置。6. The temperature sensor device according to claim 5, wherein the operation of generating the clock signal is controlled by a control signal input from the outside of the clock generation circuit.
データをパラレルデータとして複数の前記温度検出デー
タ出力ノードに出力するものであることを特徴とする請
求項1乃至4のいずれかに記載の温度センサ装置。7. The temperature sensor according to claim 1, wherein the register outputs the digital temperature detection data as parallel data to a plurality of the temperature detection data output nodes. apparatus.
特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の温度セン
サ装置。8. The temperature sensor device according to claim 1, wherein the temperature sensor device is sealed in one package.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290669A JP2002098594A (en) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | Temperature sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000290669A JP2002098594A (en) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | Temperature sensor device |
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|---|---|
| JP2002098594A true JP2002098594A (en) | 2002-04-05 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005285123A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sony Computer Entertainment Inc | Method and apparatus for achieving task temperature management using a task scheduling creation process |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000290669A patent/JP2002098594A/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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