[go: up one dir, main page]

JP2002093960A - Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same - Google Patents

Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2002093960A
JP2002093960A JP2000276161A JP2000276161A JP2002093960A JP 2002093960 A JP2002093960 A JP 2002093960A JP 2000276161 A JP2000276161 A JP 2000276161A JP 2000276161 A JP2000276161 A JP 2000276161A JP 2002093960 A JP2002093960 A JP 2002093960A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip module
heat
cooling structure
point metal
melting point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000276161A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Yoshikawa
実 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000276161A priority Critical patent/JP2002093960A/en
Publication of JP2002093960A publication Critical patent/JP2002093960A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W72/877
    • H10W74/15
    • H10W90/724
    • H10W90/734

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱伝導の効率が高いマルチチップモジュール
の冷却構造を提供する。 【解決手段】 マルチチップモジュールの冷却構造は、
基板2とこの基板2の上に搭載された複数の半導体装置
1とを含むマルチチップモジュール10と、複数の半導
体装置1の各々の上面に設けられた複数の熱伝導体3
と、この複数の熱伝導体3の上部に熱的に結合されてい
るとともに遊動可能に取り付けられた放熱部材20と、
熱伝導体3のそれぞれと放熱部材20との間に設けられ
た複数の低融点金属部材4とを含む。
(57) [Problem] To provide a cooling structure of a multi-chip module having high heat conduction efficiency. SOLUTION: The cooling structure of the multi-chip module is:
A multi-chip module 10 including a substrate 2 and a plurality of semiconductor devices 1 mounted on the substrate 2, and a plurality of heat conductors 3 provided on the upper surface of each of the plurality of semiconductor devices 1
A heat dissipating member 20 thermally coupled to the upper portions of the plurality of heat conductors 3 and movably attached thereto;
It includes a plurality of low melting point metal members 4 provided between each of the heat conductors 3 and the heat radiation member 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジ
ュールの冷却構造およびその製造方法に関し、特に、熱
伝導の効率が高いマルチチップモジュールの冷却構造お
よびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cooling structure of a multi-chip module and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a cooling structure of a multi-chip module having high heat conduction efficiency and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数個の大規模集積回路(Large Scale
Integration:LSI)を1つの基板に実装してなるマ
ルチチップモジュールにおいて、LSIの集積度が増加
するにつれて、LSIの発熱量も増加している。LSI
自身の発熱量が大きくなると、ヒートシンクの放熱面積
を大きくしたり熱伝達率を上げても効果がなく、LSI
からヒートシンクまでの熱伝導部分の効率を良くする必
要がある。
2. Description of the Related Art A plurality of large scale integrated circuits (Large Scale)
In a multi-chip module in which an integrated circuit (LSI) is mounted on one substrate, the amount of heat generated by the LSI increases as the degree of integration of the LSI increases. LSI
If the calorific value of itself increases, increasing the heat radiation area of the heat sink or increasing the heat transfer coefficient has no effect.
It is necessary to improve the efficiency of the heat conduction part from the heat sink to the heat sink.

【0003】一方、マルチチップモジュールに実装され
るLSIのそれぞれの厚さは製造ばらつきがある上、L
SIを基板に搭載する場合にも実装ばらつきがあるた
め、LSIが反ったり傾いたりするという問題がある。
個々のLSIにおいて、高さ方向のばらつきだけでも2
00〜300マイクロメートルにも達する。マルチチッ
プモジュールの冷却構造は、一般に、複数のLSIを1
つのヒートシンクに接触させて冷却するが、このばらつ
きのため、各々のLSIとHSとの間に隙間が生じてし
まう。この隙間を埋めるうえで高熱伝導にすることが、
冷却性能を向上させるために重要である。
On the other hand, the thickness of each of the LSIs mounted on the multi-chip module has manufacturing variations,
Even when the SI is mounted on the substrate, there is a variation in mounting, so that there is a problem that the LSI warps or tilts.
In each LSI, the variation in the height direction alone is 2
It reaches as large as 00 to 300 micrometers. Generally, the cooling structure of a multi-chip module includes a plurality of LSIs.
Cooling is performed by contacting two heat sinks, but due to this variation, a gap is generated between each LSI and HS. In order to fill this gap, high thermal conductivity
It is important to improve the cooling performance.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述の隙間を熱伝導性
ラバーシートを使って埋める技術が特開平2−1964
53に開示されている。しかしながら、ラバー材では熱
伝導率が金属と比較して2桁劣るため、高発熱量のLS
Iに用いると、熱が伝導しないため問題がある。
A technique for filling the above-mentioned gap by using a thermally conductive rubber sheet is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-1964.
53. However, since the thermal conductivity of rubber materials is two orders of magnitude lower than that of metals, LS with high calorific value
When used for I, there is a problem because heat does not conduct.

【0005】特開平11−135691では、各LSI
とヒートシンクとの間に低融点金属と窒化アルミ、熱伝
導性グリースを設けている。しかしながら、この方法で
も、グリース部分の厚さを薄くできる保証はなく、その
結果として、グリース部分の熱抵抗が上がってうため問
題が生じる。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135691 discloses that each LSI
A low melting point metal, aluminum nitride, and heat conductive grease are provided between the heat sink and the heat sink. However, even with this method, there is no guarantee that the thickness of the grease portion can be reduced, and as a result, a problem arises because the thermal resistance of the grease portion increases.

【0006】該技術の回避策として、特開2000−3
1360ではグリースを排除し固着はんだでLSIとヒ
ートシンクとを固定している。しかしながら、該構造
は、LSIの発熱による熱膨張を吸収できず、LSIに
過大な熱応力が作用してしまうため問題がある。
As a workaround for this technique, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-3
In 1360, the grease is removed, and the LSI and the heat sink are fixed with a fixed solder. However, this structure has a problem in that thermal expansion due to heat generation of the LSI cannot be absorbed and excessive thermal stress acts on the LSI.

【0007】そこで、本発明の目的は、熱伝導の効率が
高いマルチチップモジュールの冷却構造を提供すること
にある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a cooling structure for a multi-chip module having high heat conduction efficiency.

【0008】また、本発明の他の目的は、発熱によりL
SIが熱膨張しても、該LSIに過度な圧力を加えない
マルチチップモジュールの冷却構造を提供することにあ
る。
[0008] Another object of the present invention is to generate L
An object of the present invention is to provide a cooling structure for a multi-chip module that does not apply excessive pressure to the LSI even if the SI thermally expands.

【0009】また、本発明の他の目的は、LSIの厚さ
が変わったり、基板の反りや機構品の寸法公差がばらつ
いても放熱部材を変更する必要の無いマルチチップモジ
ュールの冷却構造を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a cooling structure of a multi-chip module which does not require a change of a heat radiating member even if the thickness of an LSI changes, the warpage of a substrate or the dimensional tolerance of mechanical parts varies. Is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のマルチチップモジュールの冷却構造は、基板
とこの基板の上に搭載された複数の半導体装置とを含む
マルチチップモジュールと、前記複数の半導体装置の各
々の上面に設けられた複数の熱伝導体と、この複数の熱
伝導体の上部に熱的に結合されているとともに遊動可能
に取り付けられた放熱部材と、前記熱伝導体のそれぞれ
と前記放熱部材との間に設けられた複数の低融点金属部
材とを含む。
According to the present invention, there is provided a cooling structure for a multi-chip module, comprising: a multi-chip module including a substrate and a plurality of semiconductor devices mounted on the substrate; A plurality of heat conductors provided on an upper surface of each of the plurality of semiconductor devices; a heat dissipating member thermally coupled to the upper portions of the plurality of heat conductors and movably attached to the plurality of heat conductors; And a plurality of low melting point metal members provided between each of the above and the heat radiation member.

【0011】また、本発明の他のマルチチップモジュー
ルの冷却構造は、前記放熱部材は、前記複数の半導体装
置に対応する位置にそれぞれ設けられた複数の凹部を有
し、前記複数の低融点金属部材の各々は前記複数の凹部
の各々に埋設されていることを特徴とする。
In another cooling structure for a multi-chip module according to the present invention, the heat radiating member has a plurality of concave portions provided at positions corresponding to the plurality of semiconductor devices, respectively, Each of the members is embedded in each of the plurality of recesses.

【0012】さらに、本発明の他のマルチチップモジュ
ールの冷却構造は、前記複数の低融点金属の各々は、対
応する前記凹部と前記半導体装置の上面との間に充填さ
れていることを特徴とする。
Further, another cooling structure of the multi-chip module according to the present invention is characterized in that each of the plurality of low-melting-point metals is filled between the corresponding recess and the upper surface of the semiconductor device. I do.

【0013】また、本発明の他のマルチチップモジュー
ルの冷却構造は、前記低融点金属は半田を含むことを特
徴とする。
In another cooling structure of the multi-chip module according to the present invention, the low melting point metal includes a solder.

【0014】さらに、本発明の他のマルチチップモジュ
ールの冷却構造は、前記放熱部材は、前記複数の半導体
装置の実装高さや傾きのばらつきに応じて移動すること
を特徴とする。
Further, another cooling structure of the multi-chip module according to the present invention is characterized in that the heat radiating member moves according to a variation in mounting height and inclination of the plurality of semiconductor devices.

【0015】また、本発明の他のマルチチップモジュー
ルの冷却構造は、前記放熱部材は、前記複数の半導体装
置の熱膨張に応じて移動することを特徴とする。
In another cooling structure for a multi-chip module according to the present invention, the heat radiating member moves in accordance with thermal expansion of the plurality of semiconductor devices.

【0016】さらに、本発明の他のマルチチップモジュ
ールの冷却構造は、前記複数の半導体装置の高さや角度
に応じて前記放熱部材を前記複数の半導体装置のそれぞ
れの上面に押し付ける複数のばねと、この複数のばねの
各々を前記基板に取り付ける複数のねじとを更に含むこ
とを特徴とする。
Further, another cooling structure of the multi-chip module according to the present invention includes: a plurality of springs for pressing the heat radiating member against respective upper surfaces of the plurality of semiconductor devices according to heights and angles of the plurality of semiconductor devices; A plurality of screws for attaching each of the plurality of springs to the substrate.

【0017】本発明のマルチチップモジュールの冷却構
造の製造方法は、放熱部材の下面に設けられた複数の凹
部のそれぞれに低融点金属を設ける第1の工程と、マル
チチップモジュールと前記放熱部材の下面とをテープ部
材を介して取り付け、マルチチップモジュール上に設け
られた複数の半導体装置のそれぞれの上面と前記複数の
凹部のそれぞれに設けられた前記低融点金属とを前記テ
ープ部材を介して接触させる第2の工程と、前記放熱部
材の前記低融点金属に熱を印可し該低融点金属を溶融さ
せる第3の工程と、前記低融点金属の温度を下降させて
凝固させる第4の工程と、前記マルチチップモジュール
から前記放熱部材と前記テープ部材とを取り外す第5の
工程と、前記マルチチップモジュール上の前記複数の半
導体装置の各々の上面に熱伝導部材を形成する第6の工
程と、前記マルチチップモジュールと前記放熱部材の下
面とを取り付ける第7の工程とを含む。
According to the method of manufacturing a cooling structure of a multi-chip module of the present invention, a first step of providing a low melting point metal in each of a plurality of recesses provided on a lower surface of a heat radiating member; The lower surface is attached via a tape member, and the upper surface of each of the plurality of semiconductor devices provided on the multi-chip module is brought into contact with the low melting point metal provided on each of the plurality of recesses via the tape member. A second step of applying heat to the low melting point metal of the heat dissipating member to melt the low melting point metal, and a fourth step of lowering the temperature of the low melting point metal to solidify it. A fifth step of removing the heat radiating member and the tape member from the multi-chip module; and a step of removing each of the plurality of semiconductor devices on the multi-chip module. Comprising a sixth step of forming a heat conductive member on the surface, and a seventh step of attaching the lower surface of the heat radiating member and the multi-chip module.

【0018】また、本発明の他のマルチチップモジュー
ルの冷却構造の製造方法は、前記第2の工程において、
前記マルチチップモジュールと前記放熱部材の下面とを
弾性部材を介して取り付けることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a cooling structure for a multi-chip module, comprising the steps of:
The multi-chip module and the lower surface of the heat dissipation member are attached via an elastic member.

【0019】さらに、本発明の他のマルチチップモジュ
ールの冷却構造の製造方法は、前記第7の工程におい
て、前記マルチチップモジュールと前記放熱部材の下面
とを弾性部材を介して取り付けることを特徴とする。
Further, in the method for manufacturing a cooling structure for a multi-chip module according to another aspect of the present invention, in the seventh step, the multi-chip module and the lower surface of the heat radiating member are attached via an elastic member. I do.

【0020】また、本発明の他のマルチチップモジュー
ルの冷却構造の製造方法は、前記第1の工程において、
前記低融点金属の量は、対応する前記半導体装置の高さ
のばらつきや傾きに応じて設定されることを特徴とす
る。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a cooling structure for a multi-chip module, comprising the steps of:
The amount of the low-melting-point metal is set according to a variation in height or a slope of the corresponding semiconductor device.

【0021】さらに、本発明の他のマルチチップモジュ
ールの冷却構造の製造方法は、前記低融点金属は半田を
含み、前記第1の工程において、半田シートにより当該
低融点金属を供給することを特徴とする。
Further, in the method of manufacturing a cooling structure for a multi-chip module according to another aspect of the present invention, the low melting point metal includes solder, and the low melting point metal is supplied by a solder sheet in the first step. And

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】次に本発明のマルチチップモジュ
ールの冷却構造およびその製造方法の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a cooling structure for a multichip module and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0023】図1を参照すると、本発明のマルチチップ
モジュールの冷却構造は、マルチチップモジュール10
と、熱伝導体3と、低融点金属4と、フランジ5と、放
熱部材20と、ばね7と、ねじ8とを含む。
Referring to FIG. 1, a cooling structure of a multi-chip module according to the present invention includes a multi-chip module 10.
, A heat conductor 3, a low melting point metal 4, a flange 5, a heat radiating member 20, a spring 7, and a screw 8.

【0024】マルチチップモジュール10は、基板2と
この基板2の上面に実装された複数のLSI1とを含
む。基板2に実装された複数のLSI1は高さ寸法や傾
き角、反り量が異なる。これは、複数のLSI1各々の
シリコンウエハの厚さのばらつき、基板実装における製
造ばらつきや基板2自体の反り等による。
The multi-chip module 10 includes a substrate 2 and a plurality of LSIs 1 mounted on the upper surface of the substrate 2. The plurality of LSIs 1 mounted on the substrate 2 have different height dimensions, tilt angles, and warpage amounts. This is due to variations in the thickness of the silicon wafer of each of the plurality of LSIs 1, manufacturing variations in the mounting of the substrate, warpage of the substrate 2 itself, and the like.

【0025】熱伝導体3は、複数のLSI1の各々の上
面に設けられている。熱伝導体3は、LSI1と低融点
金属4との固体同士の接触熱抵抗を低減させる。熱伝導
体3は、シリコーングリースやコンパウンドを含む。固
体であるLSIの放熱面やヒートシンクベース面は微視
的に観察すると、細かい凹凸が存在する。熱は、この細
かい凹凸が接触している部分でしか伝熱しない。この部
分の熱抵抗を接触熱抵抗と言い、熱的に大きなロスを生
じてしまう。そこで、この凹凸の隙間を埋めるためにグ
リースやコンパウンドといった流動性の熱伝導体3を充
填する。ところが、熱伝導体3を構成する樹脂材料は金
属に比べると2桁熱伝導率が劣るため、熱伝導体3の厚
さを薄くするほど冷却性能が向上する。
The heat conductor 3 is provided on the upper surface of each of the plurality of LSIs 1. The thermal conductor 3 reduces the contact thermal resistance between the solids of the LSI 1 and the low melting point metal 4. Thermal conductor 3 includes silicone grease or a compound. When microscopically observing the heat-dissipating surface and the heat-sink base surface of a solid LSI, fine irregularities are present. Heat is transferred only at the portions where the fine irregularities are in contact. The thermal resistance of this portion is called contact thermal resistance, and a large thermal loss occurs. Therefore, a fluid heat conductor 3 such as grease or a compound is filled to fill the gaps of the unevenness. However, the thermal conductivity of the resin material constituting the thermal conductor 3 is inferior to that of metal by two orders of magnitude, so that the thinner the thickness of the thermal conductor 3, the better the cooling performance.

【0026】放熱部材20は、ヒートシンクベース部6
と放熱部9とを含む。
The heat dissipating member 20 includes a heat sink base 6.
And a heat radiating section 9.

【0027】ヒートシンクベース部6は、熱伝動がよい
金属からなり、例えば、アルミまたは銅で形成される。
放熱部9は、熱伝動がよい金属からなり、例えば、アル
ミまたは銅で形成される。ヒートシンクベース部6と放
熱部9とは放熱シート10を介在して結合される。放熱
シート10は、柔軟性を有しているラバーシート等であ
る。ヒートシンクベース部6と放熱部9との接触は、固
体同士の接触であるため、表面がでこぼこしており接触
熱抵抗がある。放熱シートは、接触熱抵抗を解消する。
The heat sink base 6 is made of a metal having good heat transfer, and is made of, for example, aluminum or copper.
The heat radiating portion 9 is made of a metal having good heat transfer, and is formed of, for example, aluminum or copper. The heat sink base portion 6 and the heat radiating portion 9 are connected via a heat radiating sheet 10. The heat radiation sheet 10 is a flexible rubber sheet or the like. Since the contact between the heat sink base portion 6 and the heat radiating portion 9 is a solid-to-solid contact, the surface is uneven and has a contact thermal resistance. The heat dissipation sheet eliminates contact thermal resistance.

【0028】ヒートシンクベース部6は複数の凹部を有
する。複数の凹部は、ヒートシンクベース部6の下面に
形成されている。複数の凹部の各々は、複数のLSIの
各々と対向する位置に設けられている。
The heat sink base 6 has a plurality of recesses. The plurality of recesses are formed on the lower surface of the heat sink base 6. Each of the plurality of recesses is provided at a position facing each of the plurality of LSIs.

【0029】ヒートシンクベース部6には、上述した個
々のLSIの実装形状を正確に転写させるために複数の
低融点金属4が固着される。それぞれの低融点金属4の
下面は、熱伝導体3を介して対応するLSI1の上面と
接触する。具体的には、低融点金属4は、ヒートシンク
ベース部6の複数の凹部のそれぞれの内部に埋め込まれ
ている。低融点金属4は、低融点の半田を含む。
A plurality of low melting point metals 4 are fixed to the heat sink base 6 in order to accurately transfer the mounting shape of each LSI described above. The lower surface of each low melting point metal 4 is in contact with the corresponding upper surface of the LSI 1 via the heat conductor 3. Specifically, the low melting point metal 4 is embedded in each of the plurality of recesses of the heat sink base 6. The low melting point metal 4 includes a low melting point solder.

【0030】本実施の形態において、転写とは、低融点
金属4の下面の高さや傾きが、対応するLSI1の高さ
や傾きに応じて該LSI1の上面と同一または実質的に
同一な平面を形成していることをいう。すなわち、マル
チチップモジュール10に放熱部材20が取り付けられ
た場合に、複数の低融点金属4の各々の下面と対応する
LSI1の上面とが限りなく密着して接触する。
In the present embodiment, the term “transfer” refers to forming a plane in which the height or inclination of the lower surface of the low-melting metal 4 is the same or substantially the same as the upper surface of the LSI 1 according to the height or inclination of the corresponding LSI 1. What you do. That is, when the heat radiating member 20 is attached to the multi-chip module 10, the lower surface of each of the plurality of low melting point metals 4 and the upper surface of the corresponding LSI 1 are in intimate contact with each other.

【0031】ヒートシンクベース部6は複数のバネ7に
よってLSI1側に常に押圧されている。バネ7は基板
2の周辺に設けられたフランジ5に支柱を立てて、ネジ
8によって取り付けられている。バネ7は、基板1の4
隅等に複数本使用するのが好ましい。ベース部6をより
柔軟に動かすことができるためである。バネ7のバネ力
はヒートシンクの自重やLSIの耐荷重等によって決定
される。バネ7はバネ定数が低いものが選択される。こ
れは、LSI1の寸法変化に追随するときも荷重変動が
少なく有利であるためである。具体的には、複数のバネ
7全体でのばね定数が、100グラム/ミリメートル以
下である。すなわち、複数のバネ7全体で1mm動いて
100グラム以下程度の力を発生させるように設定され
る。
The heat sink base 6 is constantly pressed toward the LSI 1 by a plurality of springs 7. The spring 7 is mounted on a flange 5 provided on the periphery of the substrate 2 with a support upright and screws 8. The spring 7 is connected to the 4
It is preferable to use a plurality of them in a corner or the like. This is because the base 6 can be moved more flexibly. The spring force of the spring 7 is determined by the weight of the heat sink, the load resistance of the LSI, and the like. The spring 7 having a low spring constant is selected. This is because there is little load fluctuation even when following the dimensional change of the LSI 1 and it is advantageous. Specifically, the spring constant of the plurality of springs 7 is 100 g / mm or less. That is, the springs 7 are set so as to move by 1 mm and generate a force of about 100 grams or less.

【0032】ヒートシンクベース部6の上面には放熱部
9が取り付けられる。放熱部9は図1に示されるように
フィンを設けて周囲空気に放熱したり、あるいは水や代
替えフロンなどの液体に放熱したり、その構造は自由に
選択される。また、図中にはフィン9とヒートシンクベ
ース部6とは放熱シート10によって接合した場合を示
したが、フィン9とヒートシンクベース部を一体構造に
してもよい。
A heat radiator 9 is mounted on the upper surface of the heat sink base 6. The heat dissipating portion 9 is provided with fins as shown in FIG. 1 and dissipates heat to the surrounding air, or dissipates heat to liquid such as water or CFC substitute, and its structure is freely selected. Further, although the case where the fin 9 and the heat sink base 6 are joined by the heat radiating sheet 10 is shown in the drawing, the fin 9 and the heat sink base may be integrated.

【0033】熱伝導は物質内の熱移動である。したがっ
て、熱伝導率の大きな物質を用い、かつ、伝熱方向の長
さのパスを短くすれば冷却能力を上げることができる。
ところが、前述のようにLSI1とヒートシンクベース
部6との間に充填する熱伝導部材3はセラミックスのア
ルミナや窒化アルミなどのフィラーを熱伝導の媒体とし
てシリコーンオイルと混合させるなど放熱性を高めては
いるものの、それでも金属に比べればその熱伝導率は2
桁劣っている。したがって、この熱伝導部材の厚さをい
かに小さく抑えられるかが、冷却性能を決定する上で大
きな鍵となる。本発明の冷却構造では、LSIの反りや
傾き等の実装形状を低融点金属にそのまま転写させるた
め、熱伝導部材の厚さをLSIの放熱面全てにわたって
均一かつ薄くできる。
Thermal conduction is the transfer of heat within a substance. Therefore, if a substance having a large thermal conductivity is used and the length of the path in the heat transfer direction is shortened, the cooling capacity can be increased.
However, as described above, the heat conducting member 3 to be filled between the LSI 1 and the heat sink base portion 6 does not improve the heat radiation property by mixing a filler such as ceramic alumina or aluminum nitride with silicone oil as a heat conducting medium. However, its thermal conductivity is still 2 compared to metal
The order is inferior. Therefore, how to keep the thickness of the heat conducting member small is a key to determining the cooling performance. In the cooling structure of the present invention, since the mounting shape such as the warpage or inclination of the LSI is directly transferred to the low melting point metal, the thickness of the heat conducting member can be made uniform and thin over the entire heat dissipation surface of the LSI.

【0034】また、本発明では、流動性の樹脂を極薄厚
で塗布し、さらに放熱部材20をLSI1に対しフロー
ティングにしているために熱膨張差を吸収できる。
Further, according to the present invention, since the fluid resin is applied with an extremely thin thickness and the heat radiation member 20 is floating with respect to the LSI 1, the difference in thermal expansion can be absorbed.

【0035】次に、本発明のマルチチップモジュールの
冷却構造の製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the cooling structure of the multichip module according to the present invention will be described.

【0036】図2を参照すると、マルチチップモジュー
ル10の周辺にステイを取り付けたフランジ5が組み立
てられる。複数のLSI1は製造や実装ばらつきによ
り、それぞれ反りが生じたり、基板に対して傾いてい
る。ヒートシンクベース部6にはそれぞれのLSIに対
向する場所に凹部またはくぼみが形成されている。この
凹部やくぼみに低融点金属4が充填される。低融点金属
4の量はLSI1の体積ばらつきを計算して求めた最適
量を充填する。このため、半田シート等の形態で用いる
と有利である。
Referring to FIG. 2, a flange 5 with a stay attached around the multichip module 10 is assembled. The plurality of LSIs 1 are warped or tilted with respect to the substrate due to manufacturing or mounting variations. A concave portion or a concave portion is formed in the heat sink base portion 6 at a position facing each LSI. The low melting point metal 4 is filled in the concave portions and the concave portions. The amount of the low melting point metal 4 is filled with an optimum amount obtained by calculating the volume variation of the LSI 1. For this reason, it is advantageous to use it in the form of a solder sheet or the like.

【0037】この状態でマルチチップモジュール10の
LSI1が設けられている面とヒートシンクベース部6
の下面とを、冷却構造の最終形態と同様にして接触させ
る。具体的には、マルチチップモジュール10とヒート
シンクベース部6とを、バネ7を介して、ネジ8をフラ
ンジ5の支柱に締め付けて組み立てる。このとき、LS
I1と低融点金属4とが融着しないようにLSI1の表
面には界面不活性剤やテフロン(登録商標)などの耐熱
テープを介在させる。ばね7のバネ力はLSI1の耐荷
重によって決定されるが、バネ定数は小さいものを選択
した方が、荷重変動が少ないため有利である。
In this state, the surface of the multi-chip module 10 on which the LSI 1 is provided and the heat sink base 6
Is brought into contact with the lower surface of the cooling structure in the same manner as in the final form of the cooling structure. More specifically, the multichip module 10 and the heat sink base 6 are assembled by tightening the screws 8 to the columns of the flange 5 via the springs 7. At this time, LS
In order to prevent the fusion of I1 and low melting point metal 4, a heat-resistant tape such as an interfacial deactivator or Teflon (registered trademark) is interposed on the surface of LSI1. The spring force of the spring 7 is determined by the withstand load of the LSI 1, but it is advantageous to select a spring having a small spring constant because the load variation is small.

【0038】図3において、マルチチップモジュール1
0の低融点金属4に熱を印可する。具体的には、マルチ
チップモジュール10とヒートシンクベース部6とを組
んだ状態で、恒温槽のような温度一定の環境下に放置す
る。雰囲気の温度は低融点金属4の融点近傍に設定す
る。低融点金属4の融点は、基板2や基板2上に搭載さ
れた部品の耐熱温度以下になるように成分配合によって
調整されている。
In FIG. 3, the multi-chip module 1
Heat is applied to the low melting point metal 4 of 0. Specifically, in a state where the multi-chip module 10 and the heat sink base 6 are assembled, the multi-chip module 10 is left in a constant temperature environment such as a thermostat. The temperature of the atmosphere is set near the melting point of the low melting point metal 4. The melting point of the low melting point metal 4 is adjusted by the composition of the components so as to be lower than the heat resistant temperature of the substrate 2 and the components mounted on the substrate 2.

【0039】低融点金属4が溶融した温度から雰囲気温
度を下げて、低融点金属4が再度凝固させられる。これ
により、LSI1の形状が低融点金属4に転写する。す
なわち、複数の低融点金属4のそれぞれの下面は、基板
の反りや対向するLSIの傾きに応じた傾きに形成され
る。低融点金属4を凝固させるとき、低融点金属4に引
けやボイドが生じないように冷却方法や冷却速度が調整
される。
The ambient temperature is lowered from the temperature at which the low melting point metal 4 is melted, and the low melting point metal 4 is solidified again. Thereby, the shape of the LSI 1 is transferred to the low melting point metal 4. That is, the lower surface of each of the plurality of low melting point metals 4 is formed to have an inclination corresponding to the warpage of the substrate or the inclination of the opposed LSI. When the low melting point metal 4 is solidified, a cooling method and a cooling rate are adjusted so that the low melting point metal 4 does not cause shrinkage or voids.

【0040】図4を参照すると、ヒートシンクベース部
6と耐熱テープとをマルチチップモジュール10から取
り外す。低融点金属4は個々のLSI1の反りや傾きの
形状がそのまま転写されている。
Referring to FIG. 4, the heat sink base 6 and the heat-resistant tape are removed from the multi-chip module 10. As for the low melting point metal 4, the shape of the warp or inclination of each LSI 1 is transferred as it is.

【0041】LSI1の表面に塗布した界面不活性剤や
耐熱テープを除去した後、グリースやコンパウンド等の
熱伝導部材3をマルチチップモジュール10上の複数の
LSI1の各々の上面に塗布する。
After removing the interfacial deactivator and heat-resistant tape applied to the surface of the LSI 1, a heat conductive member 3 such as grease or a compound is applied to the upper surface of each of the plurality of LSIs 1 on the multi-chip module 10.

【0042】次に、マルチチップモジュール10とヒー
トシンクベース部6の下面とが取り付けられる。このと
き、LSI1上の熱伝導部材3とヒートシンクベース部
6の低融点金属4の対応するもの同士が接触する。この
結果、図1に示されるマルチチップモジュールの冷却構
造が得られる。
Next, the multichip module 10 and the lower surface of the heat sink base 6 are attached. At this time, the heat conductive member 3 on the LSI 1 and the corresponding low melting point metal 4 of the heat sink base 6 come into contact with each other. As a result, the cooling structure of the multi-chip module shown in FIG. 1 is obtained.

【0043】上記実施例では、放熱部材20がヒートシ
ンクベース部6と放熱部9とに分離された構造とした
が、放熱部材20は一体構造であってもよい。
In the above embodiment, the heat radiating member 20 is divided into the heat sink base portion 6 and the heat radiating portion 9, but the heat radiating member 20 may be an integral structure.

【0044】本実施例では、形状転写は半田などの低融
点金属4としたが、金属フィラーを充填して熱伝導率を
高めた樹脂を用いてもよい。
In the present embodiment, the low-melting point metal 4 such as solder is used for shape transfer, but a resin filled with a metal filler to increase the thermal conductivity may be used.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、個々
のLSIの発熱量が大きいマルチチップモジュールにお
いて、冷却性能を向上させることができる。これは基板
に実装された個々のLSIの反りや傾きの形状を低融点
金属を使用してそのままヒートシンクのベース面に転写
させることができるため、グリースやコンパウンド等の
熱伝導部材の厚さを最小限に小さくできるためである。
As described above, according to the present invention, the cooling performance can be improved in a multichip module in which the heat generation of each LSI is large. This is because the shape of the warpage or tilt of each LSI mounted on the board can be directly transferred to the base surface of the heat sink using a low-melting metal, so that the thickness of heat conductive members such as grease and compounds is minimized. This is because it can be made as small as possible.

【0046】また、本発明では、流動性の熱伝導部材を
使用しているため、発熱による熱膨張差を吸収すること
ができる。したがって、LSIに過大な荷重を作用させ
ることがない。
In the present invention, since a fluid heat conducting member is used, a difference in thermal expansion due to heat generation can be absorbed. Therefore, no excessive load is applied to the LSI.

【0047】さらに、本発明では、ヒートシンクベース
部がフローティング構造になっているため、基板やLS
Iの厚さが変わったり、基板の反りや機構品の寸法公差
がばらついてもヒートシンクベース部を変更することな
く、無調整で対応できる
Further, according to the present invention, since the heat sink base has a floating structure,
Even if the thickness of I changes, the warpage of the substrate or the dimensional tolerance of the mechanical parts varies, it can be handled without adjustment without changing the heat sink base part.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明のマルチチップモジュールの冷却構造の
製造方法を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a cooling structure for a multi-chip module according to the present invention.

【図3】本発明のマルチチップモジュールの冷却構造の
製造方法を示す図である。
FIG. 3 is a view illustrating a method of manufacturing a cooling structure of a multi-chip module according to the present invention.

【図4】本発明のマルチチップモジュールの冷却構造の
製造方法を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a method of manufacturing a cooling structure for a multi-chip module according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LSI 2 基板 3 熱伝導体3 4 低融点金属4 5 フランジ5 6 ヒートシンクベース部 7 ばね 8 ねじ 9 放熱部 10 マルチチップモジュール 20 放熱部材 30 販売店サーバ 100 ネットワーク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LSI 2 Substrate 3 Heat conductor 3 4 Low melting point metal 4 5 Flange 5 6 Heat sink base part 7 Spring 8 Screw 9 Heat radiating part 10 Multi chip module 20 Heat radiating member 30 Sales server 100 Network

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板とこの基板の上に搭載された複数の
半導体装置とを含むマルチチップモジュールと、 前記複数の半導体装置の各々の上面に設けられた複数の
熱伝導体と、 この複数の熱伝導体の上部に熱的に結合されているとと
もに遊動可能に取り付けられた放熱部材と、 前記熱伝導体のそれぞれと前記放熱部材との間に設けら
れた複数の低融点金属部材とを含むことを特徴とするマ
ルチチップモジュールの冷却構造。
A multi-chip module including a substrate and a plurality of semiconductor devices mounted on the substrate; a plurality of thermal conductors provided on an upper surface of each of the plurality of semiconductor devices; A heat dissipating member thermally coupled to the upper portion of the heat conductor and movably attached thereto; and a plurality of low melting point metal members provided between each of the heat conductors and the heat dissipating member. A cooling structure for a multi-chip module, characterized in that:
【請求項2】 前記放熱部材は、前記複数の半導体装置
に対応する位置にそれぞれ設けられた複数の凹部を有
し、前記複数の低融点金属部材の各々は前記複数の凹部
の各々に埋設されていることを特徴とする請求項1記載
のマルチチップモジュールの冷却構造。
2. The heat dissipating member has a plurality of recesses provided at positions corresponding to the plurality of semiconductor devices, respectively, and each of the plurality of low melting point metal members is embedded in each of the plurality of recesses. The cooling structure for a multi-chip module according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記複数の低融点金属の各々は、対応す
る前記凹部と前記半導体装置の上面との間に充填されて
いることを特徴とする請求項2記載のマルチチップモジ
ュールの冷却構造。
3. The cooling structure for a multi-chip module according to claim 2, wherein each of the plurality of low-melting-point metals is filled between the corresponding recess and an upper surface of the semiconductor device.
【請求項4】 前記低融点金属は半田を含むことを特徴
とする請求項1記載のマルチチップモジュールの冷却構
造。
4. The cooling structure for a multi-chip module according to claim 1, wherein said low melting point metal includes solder.
【請求項5】 前記放熱部材は、前記複数の半導体装置
の実装高さや傾きのばらつきに応じて移動することを特
徴とする請求項1記載のマルチチップモジュールの冷却
構造。
5. The cooling structure for a multi-chip module according to claim 1, wherein said heat radiating member moves in accordance with a variation in mounting height and inclination of said plurality of semiconductor devices.
【請求項6】 前記放熱部材は、前記複数の半導体装置
の熱膨張に応じて移動することを特徴とする請求項1記
載のマルチチップモジュールの冷却構造。
6. The cooling structure for a multi-chip module according to claim 1, wherein said heat radiating member moves in accordance with thermal expansion of said plurality of semiconductor devices.
【請求項7】 前記複数の半導体装置の高さや角度に応
じて前記放熱部材を前記複数の半導体装置のそれぞれの
上面に押し付ける複数のばねと、 この複数のばねの各々を前記基板に取り付ける複数のね
じとを更に含むことを特徴とする請求項1記載のマルチ
チップモジュールの冷却構造。
7. A plurality of springs for pressing the heat radiating member onto respective upper surfaces of the plurality of semiconductor devices according to heights and angles of the plurality of semiconductor devices; and a plurality of springs for attaching each of the plurality of springs to the substrate. The cooling structure for a multi-chip module according to claim 1, further comprising a screw.
【請求項8】 放熱部材の下面に設けられた複数の凹部
のそれぞれに低融点金属を設ける第1の工程と、 マルチチップモジュールと前記放熱部材の下面とをテー
プ部材を介して取り付け、マルチチップモジュール上に
設けられた複数の半導体装置のそれぞれの上面と前記複
数の凹部のそれぞれに設けられた前記低融点金属とを前
記テープ部材を介して接触させる第2の工程と、 前記放熱部材の前記低融点金属に熱を印可し該低融点金
属を溶融させる第3の工程と、 前記低融点金属の温度を下降させて凝固させる第4の工
程と、 前記マルチチップモジュールから前記放熱部材と前記テ
ープ部材とを取り外す第5の工程と、 前記マルチチップモジュール上の前記複数の半導体装置
の各々の上面に熱伝導部材を形成する第6の工程と、 前記マルチチップモジュールと前記放熱部材の下面とを
取り付ける第7の工程とを含むことを特徴とするマルチ
チップモジュールの冷却構造の製造方法。
8. A multi-chip, comprising: a first step of providing a low melting point metal in each of a plurality of recesses provided on a lower surface of a heat radiating member; and attaching a multi-chip module and a lower surface of the heat radiating member via a tape member. A second step of bringing the respective upper surfaces of the plurality of semiconductor devices provided on the module into contact with the low-melting point metal provided in each of the plurality of recesses via the tape member; A third step of applying heat to the low-melting-point metal to melt the low-melting-point metal; a fourth step of lowering the temperature of the low-melting-point metal to solidify; and the heat dissipation member and the tape from the multi-chip module. A fifth step of removing a member, a sixth step of forming a heat conducting member on an upper surface of each of the plurality of semiconductor devices on the multi-chip module, A method for manufacturing a cooling structure for a multi-chip module, comprising: a seventh step of attaching a chip module and a lower surface of the heat dissipation member.
【請求項9】 前記第2の工程において、前記マルチチ
ップモジュールと前記放熱部材の下面とを弾性部材を介
して取り付けることを特徴とする請求項8記載のマルチ
チップモジュールの冷却構造の製造方法。
9. The method according to claim 8, wherein in the second step, the multi-chip module and the lower surface of the heat radiating member are attached via an elastic member.
【請求項10】 前記第7の工程において、前記マルチ
チップモジュールと前記放熱部材の下面とを弾性部材を
介して取り付けることを特徴とする請求項8記載のマル
チチップモジュールの冷却構造の製造方法。
10. The method according to claim 8, wherein in the seventh step, the multi-chip module and the lower surface of the heat radiating member are attached via an elastic member.
【請求項11】 前記第1の工程において、前記低融点
金属の量は、対応する前記半導体装置の高さのばらつき
や傾きに応じて設定されることを特徴とする請求項8記
載のマルチチップモジュールの冷却構造の製造方法。
11. The multi-chip according to claim 8, wherein in the first step, the amount of the low-melting-point metal is set according to a variation in height or a slope of the corresponding semiconductor device. Manufacturing method of module cooling structure.
【請求項12】 前記低融点金属は半田を含み、前記第
1の工程において、半田シートにより当該低融点金属を
供給することを特徴とする請求項8記載のマルチチップ
モジュールの冷却構造の製造方法。
12. The method for manufacturing a cooling structure for a multi-chip module according to claim 8, wherein said low melting point metal includes solder, and said low melting point metal is supplied by a solder sheet in said first step. .
JP2000276161A 2000-09-12 2000-09-12 Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same Pending JP2002093960A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000276161A JP2002093960A (en) 2000-09-12 2000-09-12 Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000276161A JP2002093960A (en) 2000-09-12 2000-09-12 Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002093960A true JP2002093960A (en) 2002-03-29

Family

ID=18761677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000276161A Pending JP2002093960A (en) 2000-09-12 2000-09-12 Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002093960A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008035579A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-27 Nec Corporation Cooling apparatus
CN103002658A (en) * 2011-09-09 2013-03-27 索尼公司 Circuit board
JP2017123439A (en) * 2016-01-08 2017-07-13 株式会社デンソー Electronic control unit and electric power steering device using the same
KR101836163B1 (en) * 2011-04-27 2018-03-09 주식회사 케이엠더블유 Apparatus for releasing heat through heat sink
CN112447629A (en) * 2019-08-28 2021-03-05 台湾积体电路制造股份有限公司 Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11387164B2 (en) 2019-08-28 2022-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11792911B2 (en) 2021-06-17 2023-10-17 International Business Machines Corporation Flexible cold plate for contacting varied and variable chip heights
CN118856307A (en) * 2024-09-11 2024-10-29 慧普光电科技大名有限公司 A high-efficiency heat dissipation structure for LED street lamps

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58111354A (en) * 1981-12-25 1983-07-02 Hitachi Ltd thermal coupling device
JPS6332956A (en) * 1986-07-26 1988-02-12 Nec Corp Package
JPH06196598A (en) * 1992-12-25 1994-07-15 Oki Electric Ind Co Ltd Mounting structure for semiconductor chip
JPH06268122A (en) * 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPH09219473A (en) * 1996-02-13 1997-08-19 Hitachi Ltd Package with electronic component cooling structure and method of manufacturing the same
JPH1126659A (en) * 1997-06-30 1999-01-29 Nec Corp Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58111354A (en) * 1981-12-25 1983-07-02 Hitachi Ltd thermal coupling device
JPS6332956A (en) * 1986-07-26 1988-02-12 Nec Corp Package
JPH06196598A (en) * 1992-12-25 1994-07-15 Oki Electric Ind Co Ltd Mounting structure for semiconductor chip
JPH06268122A (en) * 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPH09219473A (en) * 1996-02-13 1997-08-19 Hitachi Ltd Package with electronic component cooling structure and method of manufacturing the same
JPH1126659A (en) * 1997-06-30 1999-01-29 Nec Corp Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8432695B2 (en) 2006-09-19 2013-04-30 Nec Corporation Cooling device
EP2065935A4 (en) * 2006-09-19 2012-01-11 Nec Corp COOLING APPARATUS
WO2008035579A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-27 Nec Corporation Cooling apparatus
JP5252204B2 (en) * 2006-09-19 2013-07-31 日本電気株式会社 Cooling system
KR101836163B1 (en) * 2011-04-27 2018-03-09 주식회사 케이엠더블유 Apparatus for releasing heat through heat sink
CN103002658A (en) * 2011-09-09 2013-03-27 索尼公司 Circuit board
JP2013058663A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Sony Corp Circuit board
US11084521B2 (en) 2016-01-08 2021-08-10 Denso Corporation Electronic control unit and electric power steering device using the same
JP2017123439A (en) * 2016-01-08 2017-07-13 株式会社デンソー Electronic control unit and electric power steering device using the same
WO2017119263A1 (en) * 2016-01-08 2017-07-13 株式会社デンソー Electronic control unit, and electric power steering device using same
CN108476601A (en) * 2016-01-08 2018-08-31 株式会社电装 Electronic control unit and the electric power-assisted steering apparatus for using the electronic control unit
CN108476601B (en) * 2016-01-08 2020-04-07 株式会社电装 Electronic control unit and electric power steering apparatus using the same
CN112447629A (en) * 2019-08-28 2021-03-05 台湾积体电路制造股份有限公司 Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20210028071A (en) * 2019-08-28 2021-03-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11387164B2 (en) 2019-08-28 2022-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102423373B1 (en) * 2019-08-28 2022-07-22 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Semiconductor device and manufacturing method thereof
US12341081B2 (en) 2019-08-28 2025-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11792911B2 (en) 2021-06-17 2023-10-17 International Business Machines Corporation Flexible cold plate for contacting varied and variable chip heights
CN118856307A (en) * 2024-09-11 2024-10-29 慧普光电科技大名有限公司 A high-efficiency heat dissipation structure for LED street lamps

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3241639B2 (en) Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same
US6180436B1 (en) Method for removing heat from a flip chip semiconductor device
US6462410B1 (en) Integrated circuit component temperature gradient reducer
US5373417A (en) Liquid-cooled circuit package with micro-bellows for controlling expansion
US7190585B2 (en) Thermal heat spreaders designed for lower cost manufacturability, lower mass and increased thermal performance
US8743545B2 (en) Thermal expansion-enhanced heat sink for an electronic assembly
US9392731B2 (en) Cooling apparatus with dynamic load adjustment
US20050127500A1 (en) Local reduction of compliant thermally conductive material layer thickness on chips
JPH0220049A (en) Electronic circuit device cooling module
JPH09129791A (en) Substrate-mounted heat sink and thermal connection structure for multiple integrated circuits
US20040233642A1 (en) Heat dissipation structure
JPH07106475A (en) Heatsink assembly
KR970077570A (en) Semiconductor device and manufacturing method
JP2003124663A (en) Cooling system
CN111554643B (en) Heat Sink Design for Flip Chip Ball Grid Array
JP4334542B2 (en) Package structure
JP2002093960A (en) Multi-chip module cooling structure and method of manufacturing the same
CN111615746A (en) Power electronic module and method of manufacturing power electronic module
US20250336755A1 (en) Semiconductor package with double-sided thermal solution and method for forming the same
JPH07321257A (en) Multi-chip module
JP2005347500A (en) Heat dissipation member for electronic parts
WO1999016128A1 (en) Semiconductor module
JP3422298B2 (en) Heat sink mounting structure
JPH098185A (en) Package with electronic component cooling structure and method of manufacturing the same
JP5092274B2 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031118