JP2002093738A - 多結晶半導体膜の製造装置 - Google Patents
多結晶半導体膜の製造装置Info
- Publication number
- JP2002093738A JP2002093738A JP2000281451A JP2000281451A JP2002093738A JP 2002093738 A JP2002093738 A JP 2002093738A JP 2000281451 A JP2000281451 A JP 2000281451A JP 2000281451 A JP2000281451 A JP 2000281451A JP 2002093738 A JP2002093738 A JP 2002093738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor film
- polycrystalline semiconductor
- laser beam
- manufacturing
- local shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザアニール法により多結晶半導体膜を形
成する際、不純物の多結晶半導体膜への混入を防ぎ、か
つ多結晶シリコンの粒界部の突起を低減して、特性変動
がなく信頼性の高いトランジスタが得られる多結晶半導
体膜を作製するレーザアニール装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 絶縁基板上に形成された非晶質の半導体
膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体
膜の製造装置において、レーザービームを非晶質半導体
膜に照射するときに、ビーム照射される基板の表面の雰
囲気を制御できる局所シールドをレーザビーム周囲に備
えていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。
成する際、不純物の多結晶半導体膜への混入を防ぎ、か
つ多結晶シリコンの粒界部の突起を低減して、特性変動
がなく信頼性の高いトランジスタが得られる多結晶半導
体膜を作製するレーザアニール装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 絶縁基板上に形成された非晶質の半導体
膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体
膜の製造装置において、レーザービームを非晶質半導体
膜に照射するときに、ビーム照射される基板の表面の雰
囲気を制御できる局所シールドをレーザビーム周囲に備
えていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上に形成
された非晶質半導体膜をレーザー照射することにより多
結晶半導体膜を製造する多結晶半導体膜の製造装置に関
する。
された非晶質半導体膜をレーザー照射することにより多
結晶半導体膜を製造する多結晶半導体膜の製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】高精細液晶ディスプレイと共に周辺回路
も同一基板上に形成した駆動回路一体型の、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を有する液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
を製造する目的で、ガラス、石英等の絶縁基板上に多結
晶シリコン膜を形成する様々な技術が研究されている。
も同一基板上に形成した駆動回路一体型の、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を有する液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
を製造する目的で、ガラス、石英等の絶縁基板上に多結
晶シリコン膜を形成する様々な技術が研究されている。
【０００３】この多結晶シリコン膜を用いて上記駆動回
路ならびに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。
なかでも、ガラス絶縁基板上に形成された非晶質シリコ
ン半導体膜に対して均一な強度を持つレーザビームを非
晶質シリコン半導体膜の表側から照射しシリコンの溶融
再結晶化を図るレーザアニール法が知られている。この
レーザアニール法は、短軸方向を走査方向とする細い長
いビームパルスを用いるためシリコンの瞬時加熱・冷却
が行われガラス基板に与える熱的影響が少なく、安価な
ガラスを用いることができるとともに、移動度の高い薄
膜トランジスタが形成できる等の利点があり、盛んに研
究がなされている。
路ならびに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。
なかでも、ガラス絶縁基板上に形成された非晶質シリコ
ン半導体膜に対して均一な強度を持つレーザビームを非
晶質シリコン半導体膜の表側から照射しシリコンの溶融
再結晶化を図るレーザアニール法が知られている。この
レーザアニール法は、短軸方向を走査方向とする細い長
いビームパルスを用いるためシリコンの瞬時加熱・冷却
が行われガラス基板に与える熱的影響が少なく、安価な
ガラスを用いることができるとともに、移動度の高い薄
膜トランジスタが形成できる等の利点があり、盛んに研
究がなされている。
【０００４】またレーザアニール法は、図５に示すよう
にライン状のレーザビーム１２を形成し、ガラス基板上
に形成された非晶質シリコン薄膜１３に対してレーザビ
ーム１２をその短軸方向に沿って矢印方向に走査させな
がら照射することで、大面積の非晶質シリコン薄膜１３
を短時間に結晶化して多結晶シリコンを形成することが
できるという利点も兼ね備えている。
にライン状のレーザビーム１２を形成し、ガラス基板上
に形成された非晶質シリコン薄膜１３に対してレーザビ
ーム１２をその短軸方向に沿って矢印方向に走査させな
がら照射することで、大面積の非晶質シリコン薄膜１３
を短時間に結晶化して多結晶シリコンを形成することが
できるという利点も兼ね備えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの方法
で形成される多結晶シリコンは、非晶質シリコン半導体
膜の表面汚染に非常に敏感である。また大気中でレーザ
アニールを行うと、雰囲気中の酸素がシリコン中に溶け
込んで多結晶シリコンの粒界部に偏析し、シリコンが酸
化されることで体積膨張を起こすことにより、多結晶シ
リコンの表面の突起高さ（表面粗さ）が増大される。突
起高さが増大すると、ゲート絶縁膜の被覆性が悪くなる
とともに突起先端に電界が集中するためにゲート絶縁膜
の信頼性低下を招く。これを防ぐために真空中でレーザ
アニールを行う多結晶半導体膜の製造装置が考案され使
用されているが、この従来の製造装置はチャンバを設け
る必要があるために装置のコストが非常に高くなるとい
う問題点がある。
で形成される多結晶シリコンは、非晶質シリコン半導体
膜の表面汚染に非常に敏感である。また大気中でレーザ
アニールを行うと、雰囲気中の酸素がシリコン中に溶け
込んで多結晶シリコンの粒界部に偏析し、シリコンが酸
化されることで体積膨張を起こすことにより、多結晶シ
リコンの表面の突起高さ（表面粗さ）が増大される。突
起高さが増大すると、ゲート絶縁膜の被覆性が悪くなる
とともに突起先端に電界が集中するためにゲート絶縁膜
の信頼性低下を招く。これを防ぐために真空中でレーザ
アニールを行う多結晶半導体膜の製造装置が考案され使
用されているが、この従来の製造装置はチャンバを設け
る必要があるために装置のコストが非常に高くなるとい
う問題点がある。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであって、可及的に安価でかつ良好な多結晶半導体膜
を製造することのできる多結晶半導体膜の製造装置を提
供することを目的とする。
のであって、可及的に安価でかつ良好な多結晶半導体膜
を製造することのできる多結晶半導体膜の製造装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による多結晶半導
体膜の製造装置は、絶縁基板上に形成された非晶質半導
体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導
体膜の製造装置において、レーザビームを非晶質半導体
膜に照射するときに、レーザビームが照射される基板の
表面の雰囲気を制御できる局所シールド部を備えている
ことを特徴とする。
体膜の製造装置は、絶縁基板上に形成された非晶質半導
体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導
体膜の製造装置において、レーザビームを非晶質半導体
膜に照射するときに、レーザビームが照射される基板の
表面の雰囲気を制御できる局所シールド部を備えている
ことを特徴とする。
【０００８】なお、前記局所シールド部は、前記レーザ
ビームを透過する材料から構成されていて上面に前記レ
ーザビームを受け、不活性ガスを導入できる導入口が設
けられているとともに、底面に前記不活性ガスを排気す
るための排気口が設けられているように構成しても良
い。
ビームを透過する材料から構成されていて上面に前記レ
ーザビームを受け、不活性ガスを導入できる導入口が設
けられているとともに、底面に前記不活性ガスを排気す
るための排気口が設けられているように構成しても良
い。
【０００９】なお、前記局所シールド部の側面に設けら
れた、基板表面の前記不活性ガスを強制的に排出する強
制排気口部と、この強制排気口部の外側に設けられ前記
レーザビームが照射される基板領域を大気から前記不活
性ガスで遮蔽するエアカーテン部とを備えるように構成
しても良い。
れた、基板表面の前記不活性ガスを強制的に排出する強
制排気口部と、この強制排気口部の外側に設けられ前記
レーザビームが照射される基板領域を大気から前記不活
性ガスで遮蔽するエアカーテン部とを備えるように構成
しても良い。
【００１０】なお、前記局所シールド部の前記排気口
は、幅が前記レーザの光線束の幅よりも広く、長さが前
記レーザの光線束の長さよりも長いことが好ましい。
は、幅が前記レーザの光線束の幅よりも広く、長さが前
記レーザの光線束の長さよりも長いことが好ましい。
【００１１】このように構成された本発明の多結晶半導
体膜の製造装置によれば、安価な装置で基板表面の雰囲
気を制御できるために、レーザアニール中の不純物汚染
を防止でき、かつ酸素分圧を所定値（例えば０．１Ｐａ
以下）に制御することで、粒界部の酸素偏析を防止し
て、多結晶半導体膜の表面突起高さを低減でき、良好な
多結晶半導体膜を得ることができる。
体膜の製造装置によれば、安価な装置で基板表面の雰囲
気を制御できるために、レーザアニール中の不純物汚染
を防止でき、かつ酸素分圧を所定値（例えば０．１Ｐａ
以下）に制御することで、粒界部の酸素偏析を防止し
て、多結晶半導体膜の表面突起高さを低減でき、良好な
多結晶半導体膜を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による多結晶半導体膜の製
造装置の実施形態を図を参照して以下に説明する。
造装置の実施形態を図を参照して以下に説明する。
【００１３】（第１実施形態）本発明による多結晶半導
体膜の製造装置の第１の実施形態を図１に示す。この実
施形態の製造装置は、エキシマレーザ光源６と、光学レ
ンズ７と、局所シールド部９と、ミラー１５とを備えて
いる。エキシマレーザ光源６から発生されたエキシマレ
ーザ光８はミラー１５によって反射された後、レーザ光
学レンズ７を介して局所シールド部９に送られる。な
お、局所シールド部９に入射するレーザ光は断面が細長
い長方形状の光線束である。局所シールド部９は、図２
に示すようにレーザ光を透過する材料からなる中が空洞
の箱であって、窒素ガスまたは窒素ガスを主成分とする
所定の濃度の酸素を含む処理ガスを導入するための導入
口１０が側面に設けられているとともに、底面に上記処
理ガスを排出するための排気口９ａが設けられている。
この排気口９ａは、細長い長方形の形状をしており、こ
の長方形の長さが局所シールド９に入射するレーザの光
線束の長さよりも長く、かつ幅が局所シールド９に入射
するレーザの光線束の幅よりも広くなるように構成され
ている。また、上記導入口１０を介して局所シールド部
９に導入される処理ガスは図示しない流量調整手段によ
って流量が調整可能である。
体膜の製造装置の第１の実施形態を図１に示す。この実
施形態の製造装置は、エキシマレーザ光源６と、光学レ
ンズ７と、局所シールド部９と、ミラー１５とを備えて
いる。エキシマレーザ光源６から発生されたエキシマレ
ーザ光８はミラー１５によって反射された後、レーザ光
学レンズ７を介して局所シールド部９に送られる。な
お、局所シールド部９に入射するレーザ光は断面が細長
い長方形状の光線束である。局所シールド部９は、図２
に示すようにレーザ光を透過する材料からなる中が空洞
の箱であって、窒素ガスまたは窒素ガスを主成分とする
所定の濃度の酸素を含む処理ガスを導入するための導入
口１０が側面に設けられているとともに、底面に上記処
理ガスを排出するための排気口９ａが設けられている。
この排気口９ａは、細長い長方形の形状をしており、こ
の長方形の長さが局所シールド９に入射するレーザの光
線束の長さよりも長く、かつ幅が局所シールド９に入射
するレーザの光線束の幅よりも広くなるように構成され
ている。また、上記導入口１０を介して局所シールド部
９に導入される処理ガスは図示しない流量調整手段によ
って流量が調整可能である。
【００１４】次に、この実施形態の製造装置の動作を、
多結晶シリコン膜を製造する場合を例に取って説明す
る。図３は非晶質シリコン膜が形成された半導体基板の
断面図である。まず図３において、例えば無アルカリガ
ラスからなる絶縁基板１上に、プラズマＣＶＤ法により
アンダーコート層としてＳｉＮ膜２とＳｉＯｘ膜３を順
次形成し、さらに活性層として非晶質シリコン膜４を成
膜する。その後、この非晶質シリコン膜４が形成された
基板全体を５００℃のＮ2雰囲気中で１時間のアニール
を行い、非晶質シリコン膜４内部の水素濃度を所定濃度
まで低減させる。
多結晶シリコン膜を製造する場合を例に取って説明す
る。図３は非晶質シリコン膜が形成された半導体基板の
断面図である。まず図３において、例えば無アルカリガ
ラスからなる絶縁基板１上に、プラズマＣＶＤ法により
アンダーコート層としてＳｉＮ膜２とＳｉＯｘ膜３を順
次形成し、さらに活性層として非晶質シリコン膜４を成
膜する。その後、この非晶質シリコン膜４が形成された
基板全体を５００℃のＮ2雰囲気中で１時間のアニール
を行い、非晶質シリコン膜４内部の水素濃度を所定濃度
まで低減させる。
【００１５】次にこの基板を図１に示す本実施形態の製
造装置にセットする。局所シールド部９の内部に窒素ガ
スを導入口１０より導入し、基板１の表面の雰囲気を制
御する。多結晶シリコンの表面突起低減を目的とする場
合は、酸素分圧０．１Ｐａ以下に制御できるように窒素
ガスの流量を調整することが必要であることが実験結果
からわっかている。エキシマレーザ光源６から発射され
たエキシマレーザ光８がミラー１５およびレーザ光学レ
ンズ７を介して局所シールド部９の上面に入射される。
そして局所シールド部９の上面に入射したレーザ光８
は、局所シールド部９を直進し、底面に設けられた排出
口を通って非晶質シリコン膜４に照射される。
造装置にセットする。局所シールド部９の内部に窒素ガ
スを導入口１０より導入し、基板１の表面の雰囲気を制
御する。多結晶シリコンの表面突起低減を目的とする場
合は、酸素分圧０．１Ｐａ以下に制御できるように窒素
ガスの流量を調整することが必要であることが実験結果
からわっかている。エキシマレーザ光源６から発射され
たエキシマレーザ光８がミラー１５およびレーザ光学レ
ンズ７を介して局所シールド部９の上面に入射される。
そして局所シールド部９の上面に入射したレーザ光８
は、局所シールド部９を直進し、底面に設けられた排出
口を通って非晶質シリコン膜４に照射される。
【００１６】本実施形態では、波長３０８ｎｍ、パルス
幅２５nsecのエキシマレーザを用いて細長いレーザビー
ム８を形成し、このレーザビーム８で１ヶ所あたり２０
パルス照射されるように基板１を走査しながら非晶質シ
リコン膜４をレーザアニールして多結晶シリコン膜を形
成した。レーザアニールは照射エネルギー密度を２８０
ｍＪ／ｃｍ2に設定した。また絶縁基板であるガラス基
板１を加熱しながらレーザ光を照射してもよい。なお、
走査方向は従来技術の場合と同様にレーザビーム８の短
軸方向である。
幅２５nsecのエキシマレーザを用いて細長いレーザビー
ム８を形成し、このレーザビーム８で１ヶ所あたり２０
パルス照射されるように基板１を走査しながら非晶質シ
リコン膜４をレーザアニールして多結晶シリコン膜を形
成した。レーザアニールは照射エネルギー密度を２８０
ｍＪ／ｃｍ2に設定した。また絶縁基板であるガラス基
板１を加熱しながらレーザ光を照射してもよい。なお、
走査方向は従来技術の場合と同様にレーザビーム８の短
軸方向である。
【００１７】図１に示すように本実施形態の製造装置は
局所シールド９を備えているために、レーザ光が照射さ
れる非晶質シリコン膜４の表面の雰囲気を所望の雰囲気
に制御すること可能となり、レーザアニール中の不純物
汚染を防止できる。また窒素ガス中に含まれる酸素の分
圧を０．１Ｐａ以下に制御することで、多結晶シリコン
膜４中への酸素溶け込みを防止することが可能となり、
粒界部の酸素偏析を防止して、多結晶シリコンの表面突
起高さを低減できるために、信頼性の高いトランジスタ
が得られる。
局所シールド９を備えているために、レーザ光が照射さ
れる非晶質シリコン膜４の表面の雰囲気を所望の雰囲気
に制御すること可能となり、レーザアニール中の不純物
汚染を防止できる。また窒素ガス中に含まれる酸素の分
圧を０．１Ｐａ以下に制御することで、多結晶シリコン
膜４中への酸素溶け込みを防止することが可能となり、
粒界部の酸素偏析を防止して、多結晶シリコンの表面突
起高さを低減できるために、信頼性の高いトランジスタ
が得られる。
【００１８】また、局所シールド部９は中が空洞の箱で
あるから、製造コストは高くなく、可及的に安価な多結
晶半導体膜の製造装置を得ることができる。
あるから、製造コストは高くなく、可及的に安価な多結
晶半導体膜の製造装置を得ることができる。
【００１９】以上説明したように、本実施形態の製造装
置は、可及的に安価で、かつ不純物による局所的な特性
変動がなく特性の良好な多結晶半導体膜を得ることがで
きる。
置は、可及的に安価で、かつ不純物による局所的な特性
変動がなく特性の良好な多結晶半導体膜を得ることがで
きる。
【００２０】なお、本実施形態では、局所シールド部９
に導入口１０より処理ガスとして窒素ガスまたは窒素ガ
スを主成分とするガスを導入したが、窒素ガスの他の不
活性ガスを用いても良い。また、本実施形態において
は、導入口１０は局所シールド部９の側面に設けられて
いたが上面に設けても良い。
に導入口１０より処理ガスとして窒素ガスまたは窒素ガ
スを主成分とするガスを導入したが、窒素ガスの他の不
活性ガスを用いても良い。また、本実施形態において
は、導入口１０は局所シールド部９の側面に設けられて
いたが上面に設けても良い。
【００２１】（第２の実施形態）次に本発明による多結
晶半導体膜の製造装置の構成を図４に示す。この実施形
態の製造装置は、第１の実施形態の製造装置に、強制排
気口部２１，２２と、エアカーテン部２３，２４とを設
けた構成となっている。強制排気口部２１，２２はそれ
ぞれ、局所シールド部９側面に設けられた、直方体形状
の中が空洞の箱であって、底面全体が処理ガス（窒素ガ
スまたは窒素ガスを主成分とするガス）を吸入するため
の吸入口となっており、上面に上記処理ガスを排気する
ための排気口が設けられた構造となっている。
晶半導体膜の製造装置の構成を図４に示す。この実施形
態の製造装置は、第１の実施形態の製造装置に、強制排
気口部２１，２２と、エアカーテン部２３，２４とを設
けた構成となっている。強制排気口部２１，２２はそれ
ぞれ、局所シールド部９側面に設けられた、直方体形状
の中が空洞の箱であって、底面全体が処理ガス（窒素ガ
スまたは窒素ガスを主成分とするガス）を吸入するため
の吸入口となっており、上面に上記処理ガスを排気する
ための排気口が設けられた構造となっている。
【００２２】また、エアカーテン部２３，２４はそれぞ
れ、強制排気口部２１，２２の、局所シールド部９が設
けられた側面と反対側の側面に設けられた、直方体形状
の中が空洞の箱であって、側面または上面に処理ガスを
導入するための導入口（図示せず）が設けられていると
ともに、底面には上記処理ガスを排気するための排気口
が設けられた構造となっている。このため、局所シール
ド部９を介してレーザビームが照射される非晶質シリコ
ン膜の領域の周囲を処理ガスによって大気から遮蔽する
ことができる。
れ、強制排気口部２１，２２の、局所シールド部９が設
けられた側面と反対側の側面に設けられた、直方体形状
の中が空洞の箱であって、側面または上面に処理ガスを
導入するための導入口（図示せず）が設けられていると
ともに、底面には上記処理ガスを排気するための排気口
が設けられた構造となっている。このため、局所シール
ド部９を介してレーザビームが照射される非晶質シリコ
ン膜の領域の周囲を処理ガスによって大気から遮蔽する
ことができる。
【００２３】第２の実施形態の製造装置においては、基
板表面近くの処理ガスを強制的に排気する強制排気口部
２１，２２と、エアカーテン部２３，２４とを備えた構
成となっているため、局所シールド部９内部の気流制御
が第１の実施形態よりも容易となるとともに基板表面の
酸素分圧を低くすることが容易になる。本実施形態で
は、窒素ガスを局所シールド内部９に導入し、基板表面
での酸素分圧０．１Ｐａ以下になるように排気量を調整
した。また本実施形態では、窒素ガスを用いたが、その
他の不活性ガスを用いても良い。
板表面近くの処理ガスを強制的に排気する強制排気口部
２１，２２と、エアカーテン部２３，２４とを備えた構
成となっているため、局所シールド部９内部の気流制御
が第１の実施形態よりも容易となるとともに基板表面の
酸素分圧を低くすることが容易になる。本実施形態で
は、窒素ガスを局所シールド内部９に導入し、基板表面
での酸素分圧０．１Ｐａ以下になるように排気量を調整
した。また本実施形態では、窒素ガスを用いたが、その
他の不活性ガスを用いても良い。
【００２４】以上説明したように本実施の形態の製造装
置を用いることで、第１の実施形態の場合よりも良好な
多結晶半導体膜を得ることができる。また、第１の実施
形態と同様に可及的に安価な製造装置とすることができ
る。
置を用いることで、第１の実施形態の場合よりも良好な
多結晶半導体膜を得ることができる。また、第１の実施
形態と同様に可及的に安価な製造装置とすることができ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、可
及的に安価で、かつ良好な多結晶半導体膜を製造するこ
とができる。
及的に安価で、かつ良好な多結晶半導体膜を製造するこ
とができる。
【図１】本発明による多結晶半導体膜の第１の実施形態
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図２】第１の実施形態にかかる局所シールド部の構成
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図３】非晶質シリコン膜が形成された基板の断面図。
【図４】本発明による多結晶半導体膜の第２の実施形態
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図５】非晶質半導体膜から多結晶半導体膜を形成する
際のビーム走査方法を示す図。
際のビーム走査方法を示す図。
１ ガラス基板 ２ ＳｉＮ膜 ３ ＳｉＯｘ膜 ４ 非晶質シリコン膜 ６ エキシマレーザ光源 ７ レーザ光学レンズ ８ レーザビーム ９ 局所シールド部 ９ａ 排気口 １０ 導入口 １２ ライン状レーザビーム １３ 非晶質シリコン薄膜 １５ ミラー ２１，２２ 強制排気口部 ２３，２４ エアカーテン部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤 村 尚 埼玉県深谷市幡羅町１−９−２ 株式会社 東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 5F052 AA02 BA07 BB07 CA04 CA08 DA02 DB03 EA15 JA01 5F072 AA06 JJ09 KK05 KK30 RR05 SS06 YY08 5F110 AA30 BB01 DD02 DD03 DD13 DD14 GG02 GG13 PP03 PP04 PP05 PP06 PP10 PP35
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜を
ビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体膜の
製造装置において、レーザビームを非晶質半導体膜に照
射するときに、レーザビームが照射される基板の表面の
雰囲気を制御できる局所シールド部を備えていることを
特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。 - 【請求項２】前記局所シールド部は、前記レーザビーム
を透過する材料から構成されていて上面に前記レーザビ
ームを受け、不活性ガスを導入できる導入口が設けられ
ているとともに、底面に前記不活性ガスを排気するため
の排気口が設けられていることを特徴とする請求項１記
載の多結晶半導体膜の製造装置。 - 【請求項３】前記局所シールド部の側面に設けられた、
基板表面の前記不活性ガスを強制的に排出する強制排気
口部と、この強制排気口部の外側に設けられ前記レーザ
ビームが照射される基板領域を大気から前記不活性ガス
で遮蔽するエアカーテン部とを備えたことを特徴とする
請求項１または２記載の多結晶半導体膜の製造装置。 - 【請求項４】前記局所シールド部の前記排気口は、幅が
前記レーザの光線束の幅よりも広く、長さが前記レーザ
の光線束の長さよりも長いことを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の多結晶半導体膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000281451A JP2002093738A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 多結晶半導体膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000281451A JP2002093738A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 多結晶半導体膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093738A true JP2002093738A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18766105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000281451A Pending JP2002093738A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 多結晶半導体膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002093738A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342785A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Sony Corp | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
| JP2006108271A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Ulvac Japan Ltd | アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換するための方法および装置 |
| US7247812B2 (en) | 2002-11-22 | 2007-07-24 | Au Optronics Corporation | Laser annealing apparatus |
| US7253032B2 (en) | 2001-04-20 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate |
| WO2007148476A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Hightec Systems Corporation | 半導体の熱処理方法 |
| WO2008152873A1 (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | The Japan Steel Works, Ltd. | レーザ処理装置 |
| US7655513B2 (en) | 2001-03-29 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7709302B2 (en) | 2001-04-27 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US7714251B2 (en) | 2005-11-23 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Laser irradiation apparatus |
| JP2014022605A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Phoeton Corp | レーザアニール装置 |
| KR20180012090A (ko) | 2016-07-26 | 2018-02-05 | 에이피시스템 주식회사 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08192289A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
| JPH09102467A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザーアニール処理装置 |
| WO1997028559A1 (fr) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Seiko Epson Corporation | Dispositif permettant d'obtenir un corps d'une energie elevee, procede de formation d'un film cristallin, et procede de fabrication d'un composant electronique possedant un film fin |
| JPH116086A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ光を用いた表面不要物除去装置 |
| JPH118205A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置 |
| JP2000150410A (ja) * | 1998-01-13 | 2000-05-30 | Toshiba Corp | レ―ザアニ―ル装置およびレ―ザアニ―ル方法 |
| JP2001314985A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-13 | Hokkaido Univ | レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置 |
-
2000
- 2000-09-18 JP JP2000281451A patent/JP2002093738A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08192289A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
| JPH09102467A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザーアニール処理装置 |
| WO1997028559A1 (fr) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Seiko Epson Corporation | Dispositif permettant d'obtenir un corps d'une energie elevee, procede de formation d'un film cristallin, et procede de fabrication d'un composant electronique possedant un film fin |
| JPH118205A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置 |
| JPH116086A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ光を用いた表面不要物除去装置 |
| JP2000150410A (ja) * | 1998-01-13 | 2000-05-30 | Toshiba Corp | レ―ザアニ―ル装置およびレ―ザアニ―ル方法 |
| JP2001314985A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-13 | Hokkaido Univ | レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655513B2 (en) | 2001-03-29 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7253032B2 (en) | 2001-04-20 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate |
| US7485586B2 (en) | 2001-04-20 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiating apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus |
| US8389342B2 (en) | 2001-04-27 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US7709302B2 (en) | 2001-04-27 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US7247812B2 (en) | 2002-11-22 | 2007-07-24 | Au Optronics Corporation | Laser annealing apparatus |
| JP2004342785A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Sony Corp | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
| JP2006108271A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Ulvac Japan Ltd | アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換するための方法および装置 |
| US7714251B2 (en) | 2005-11-23 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Laser irradiation apparatus |
| JPWO2007148476A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-12 | 株式会社ハイテック・システムズ | 半導体の熱処理方法 |
| WO2007148476A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Hightec Systems Corporation | 半導体の熱処理方法 |
| JP2008311249A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ処理装置 |
| WO2008152873A1 (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | The Japan Steel Works, Ltd. | レーザ処理装置 |
| JP2014022605A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Phoeton Corp | レーザアニール装置 |
| KR20180012090A (ko) | 2016-07-26 | 2018-02-05 | 에이피시스템 주식회사 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6982396B2 (en) | Method for manufacturing a display device including irradiating overlapping regions | |
| US7687380B2 (en) | Laser annealing method and laser annealing device | |
| JP3586558B2 (ja) | 薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置 | |
| CN102077322B (zh) | 激光退火装置 | |
| JP2002093738A (ja) | 多結晶半導体膜の製造装置 | |
| JP4974416B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
| JPH07307304A (ja) | 半導体デバイスのレーザー処理方法 | |
| JP2004006703A (ja) | 半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 | |
| JP3735394B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP2001091970A (ja) | 液晶ディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3926862B2 (ja) | 半導体処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法 | |
| JP4001647B2 (ja) | 結晶性半導体膜の作製方法 | |
| JP2004039660A (ja) | 多結晶半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、およびパルスレーザアニール装置 | |
| JP4959876B2 (ja) | 装置 | |
| JP2002217124A (ja) | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 | |
| KR100935850B1 (ko) | 레이저 결정화 공정을 이용한 폴리실리콘층의 제조 방법 및 그 제조장치 | |
| US11171000B2 (en) | Laser crystallization system and laser crystallization method | |
| JP4268700B2 (ja) | エキシマレーザアニール装置、多結晶薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法 | |
| JP4001645B2 (ja) | 結晶性珪素膜作製方法およびレーザー照射装置 | |
| KR100777198B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및웨이퍼 처리 장치 | |
| JPH11195613A (ja) | 紫外線アニール装置およびアニール方法 | |
| JP4317332B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置用基板の製造方法 | |
| JP3483840B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置の作製方法 | |
| JP3534069B2 (ja) | 半導体薄膜、その製造方法ならびに半導体薄膜の製造装置 | |
| JP4271453B2 (ja) | 半導体結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070427 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070822 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110422 |