JP2002093691A

JP2002093691A - 露光装置、結像性能測定方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法

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Publication number: JP2002093691A
Application number: JP2000284616A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Osaki; 美紀大嵜
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-09-20
Filing date: 2000-09-20
Publication date: 2002-03-29
Also published as: US6646714B2; US20020033935A1

Abstract

(57)【要約】【課題】現像やＳＥＭ測定を行うことなく、簡素な構
成で、投影光学系の結像性能を算出し、結像性能の良好
な状態で露光を行う。【解決手段】原版上の転写用パターンを投影光学系を
介して、可動ステージ上に配置した基板に投影露光する
露光装置において、可動ステージ上に配置され段差で形
成された段差マークと、段差マークを投影光学系を介し
て露光波長で撮像素子上に結像させる画像取り込み手段
と、画像取り込み手段により得られた画像データに基づ
き、投影光学系の結像性能を算出するデータ処理手段と
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク等の原版上
のパターンを投影光学系を介して半導体ウエハ等の感光
性の基板に転写する露光装置、結像性能測定方法、デバ
イス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方
法に関するもので、特に投影光学系の結像性能測定方
法、中でもコマ収差の測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等をフォトリソグラフィ工程
で製造する際にレチクルやフォトマスク等（以下、レチ
クルと総称する）に形成された回路パターン等を感光剤
が塗布された半導体ウエハ等に転写する投影型露光装置
が使用されている。この種の露光装置では、レチクル上
のパターンを所定の倍率（縮小率）で正確にウエハ上に
転写することが要求されており、この要求に応えるため
には、結像性能のよい、収差を抑えた投影光学系を用い
ることが重要である。特に、近年、半導体デバイスの一
層の微細化要求により、光学系の通常の結像性能を超え
るパターンを転写する場合が、多くなってきており、こ
の結果、転写するパターンは、光学系の収差により敏感
になってきている。その一方で、投影光学系には露光面
積の拡大、高ＮＡ（開口数）化が求められており、これ
は収差補正をより困難にしている。

【０００３】こうした状況の中、露光装置に投影光学系
を搭載した状態、すなわち実際に露光に使用する状態
で、投影光学系の結像性能、中でもコマ収差を計測した
いとの要求が強くある。

【０００４】従来より、投影光学系の結像性能、収差の
計測方法として、投影レンズ単体での製造調整時には、
干渉計を用いて投影光学系の波面収差を測定する方法が
ある。また、投影光学系を介して形成されたレチクルや
マスクのパターンの空中像を観察して、その空中像から
投影光学系の結像性能を算出する方法もある。また、ウ
エハ上に塗布されたレジスト上に５本程度ラインアンド
スペースマークを投影露光し、現像した後に残存したレ
ジスト像の線幅や形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で
測定し、両端の２つの線幅差や形状の非対称性から結像
性能、特にコマ収差を計測する方法がある。また、近年
では、小さな線幅パターンをレジスト上に投影露光し、
続いて大きな線幅パターンを小さなパターンの上に多重
露光し、現像後に残ったレジスト像から、それぞれのパ
ターンの相対的なズレを、重ね合わせ検査装置等を用い
て、測定する方法も知られている（特開平１１−２３７
３１０号公報等）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのい
ずれの方法も半導体露光装置上で投影光学系の結像性能
を算出するには不十分な点があった。まず、干渉計を用
いる方法では、波面収差測定装置の構成が大がかりであ
るため、非常に大きなスペースが必要になることや波面
収差測定装置の光学的な構成が半導体露光装置の光学的
な構成と大きく異なることなどから、干渉計を露光装置
に組み込むことは、現状では困難が予想される。

【０００６】次に、空中像を観察する方法では、空中像
を観察するために、ウエハステージの内部に空中像観察
光学系を搭載する必要がある。一般的に露光装置のウエ
ハステージはスループットや制御精度の観点から超高速
で移動可能となっており、観察光学系を設置すること
は、重量の面で非常に不利になる。また、ウエハステー
ジの内部は、非常に限られた空間であり、ウエハステー
ジの内部に搭載される観察光学系も非常に小型化する必
要がある。その一方、投影光学系の結像性能、収差を計
測するという機能上、観察光学系の収差は極めて小さく
する必要があるため、小型化が困難であるという相反す
る問題もある。

【０００７】また、焼き付けたレジスト像をＳＥＭで観
察する方法は、本体上に投影光学系を搭載した状態での
結像性能（収差）を求めることが可能であるが、レジス
ト像の評価を行うために、現像やＳＥＭ測定といった工
程が必要で、非常に多くの時間と手間を有するという問
題がある。

【０００８】本発明は、上記従来技術の課題を解決し、
現像やＳＥＭ測定を行うことなく、簡素な構成で、投影
光学系のコマ収差のような結像性能を算出し、ひいては
結像性能の良好な状態で露光を行うことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の露光装置は、レチクル等の原版上の転写用
パターンを投影光学系を介して、可動ステージ（ウエハ
ステージ）上に配置した半導体ウエハ等の基板に投影露
光する露光装置において、可動ステージ上、好ましくは
ステージ基準マーク上、に配置され段差で形成された段
差マークと、段差マークを投影光学系を介して露光波長
で撮像素子上に結像させる画像取り込み手段と、画像取
り込み手段により得られた画像データに基づき、投影光
学系の結像性能を算出するデータ処理手段とを有するこ
とを特徴とする。

【００１０】本発明の結像性能測定方法は、投影光学系
の結像性能を測定する測定方法であって、段差で形成さ
れた段差マークを投影光学系の像面近傍に設置する工程
と、前記投影光学系の使用波長の光を用い、投影光学系
を介して段差マークの像を撮像素子により撮像する工程
と、撮像した画像データから投影光学系の結像性能を算
出する工程とを備えることを特徴とする。

【００１１】本発明のデバイス製造方法は、上述の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工
場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロ
セスによって半導体デバイスを製造する工程とを有する
ことを特徴とする。さらに、製造装置群をローカルエリ
アネットワークで接続する工程と、ローカルエリアネッ
トワークと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ
通信する工程とを有してもよい。また、露光装置のベン
ダーもしくはユーザが提供するデータベースに外部ネッ
トワークを介してアクセスしてデータ通信によって製造
装置の保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の
半導体製造工場との間で外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うようにしてもよい。

【００１２】本発明の半導体製造工場は、上記の露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群
を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカル
エリアネットワークから工場外の外部ネットワークにア
クセス可能にするゲートウェイを有し、製造装置群の少
なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可能
にしたことを特徴とする。

【００１３】本発明の露光装置の保守方法は、露光装置
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介し
て保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保
守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
ことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】投影光学系の結像性能（例えばコ
マ収差）は、画像データにおける段差マークの対称性
（例えば、一対の対称な段差で形成された凹部におけ
る、各エッジの画像信号の比較結果で表し、画像信号の
差が大きい程、対称性が小さく非対称性が大きいものと
する）に基づき算出することができる。

【００１５】コマ収差の算出についてより具体的に説明
する。本出願人により出願され、公開されている特開平
０９−１６７７３８号公報や特開平０９−２８０８１６
号公報等に記載されているように、光学系がコマ収差を
もつ場合、段差マークの波形は非対称になる。図５はそ
の模式図である。図５（ａ）は計測方向の断面で段差形
状をもったマークを照明光４１で照明した状態を示すも
ので、散乱光４２ａ，４２ｂはコマ収差を考慮すると図
５（ａ）に示されるように非対称となる。図５（ｂ）
は、図５（ａ）の状態での基準マークの画像信号であ
る。マークエッジ部からの検出光はマーク中心に対して
非対称な波形となっている。また、コマ収差が大きくな
るほど、検出波形の非対称性は大きくなる。

【００１６】図５の信号で一方のエッジの強度をａ、も
う一方のエッジの強度をｂ、マーク全体の強度をｃとし
て、評価値Ｅを、

【００１７】

【数１】と定義すると、評価値Ｅは波形歪みを表すパラメーター
となる。次に、図５（ｃ）は１つのマーク部分を拡大し
たものである。マークエッジからの散乱光として左エッ
ジの上部からの光を５１，５２、右エッジ上部からの光
を５４，５５、左エッジ下部からの光を５３、右エッジ
下部からの光を５６とする。同じエッジから出た光でも
光５２および光５５は光学系のもつコマ収差等の収差の
影響で光５１および光５４に対し、結像時それぞれ非対
称な関係となる。ここで光５１〜５６それぞれの光の波
面（Ｕ）をθを位相として

【００１８】

【数２】として表す。最終波形の評価量Ｅとして表した式（１）
のａは光５１，５２および５３を、ｂは光５４，５５お
よび５６を合成したものである。従って検出される波形
信号の差ａ−ｂは

【００１９】

【数３】で表される。

【００２０】この式（１）〜（３）に基づき評価値Ｅを
数値計算した結果が図６（ｂ）で、２つの曲線はコマ収
差の値が、λ／１０（実線）、λ／２０（破線）に対応
する。一方、実際に光学系を用いて実験した結果が図６
（ａ）であり、両者はよい合致を示している。

【００２１】すなわち、評価値Ｅはコマ収差の大きさに
依存して変化し、コマ収差が大きいほど評価値Ｅの絶対
値が大きくなることが、実験および理論的なシミュレー
ションの双方で確かめられた。つまり、この評価値を用
いることで投影光学系のコマ収差を定量的に評価するこ
とが可能である。さらに、評価値ＥはＮＡが大きくなる
ほどコマ収差に対する敏感度は高くなることから、投影
光学系のようにＮＡが０．６を超えるような高いＮＡを
もつ光学系のコマ収差の評価に適している。

【００２２】なお、これまでの説明では評価量Ｅを定義
し、非対称性を評価したが、波形は投影光学系のＮＡ、
照明条件、線幅、フォーカスにより変化することから、
非対称性の評価値はＥに限ったものではなく、例えば、
サイドピーク部分の非対称性を用いる等、条件に応じて
最もコマ収差に敏感な非対称性の評価値を用いるのが望
ましい。また、フォーカス時の波形よりも若干量だけデ
フォーカスさせた時の波形の方が、より顕著に非対称性
が現れる場合もあり、その場合には、段差マークの像を
所定量デフォーカスさせた時の波形の非対称性を評価す
ることで、よりコマ収差の敏感度をあげることも可能で
ある。

【００２３】一方、このような非対称性は、マーク段差
に応じても変化することがわかっている。先に示した図
６は光学系のコマ収差で発生する信号非対称性の値を段
差量に対して示したグラフであり、矩形段差構造をもつ
Ｓｉマークの段差の高さｄを幾つか変え、光学系にコマ
収差がある状態で評価値Ｅを計測した結果である。図６
で横軸は露光光の波長λでモジュラス［ｍｏｄｕｌｕ
ｓ］を取った高さｄであり、λ／１６を１目盛りとして
いる。縦軸は評価値Ｅである。検討の結果、評価値Ｅは
図６（ａ）および（ｂ）に示すように周期関数的に変化
することが実験およびシミュレーションから確認されて
いる。本発明で更に着眼したのは段差λ／８の奇数倍
（λ／８、３λ／８、５λ／８、・・・）で評価値Ｅの
絶対値が最大となることである。

【００２４】すなわち、評価値Ｅはコマ収差とマーク段
差に依存して変化する。つまり、評価値Ｅを用いること
で投影光学系のコマ収差を定量的に評価することが可能
であり、さらにマーク段差がλ／８の奇数倍でコマ収差
の敏感度が最も高くなることから、前記マーク段差は、
露光波長の１／８の奇数倍またはその近傍とすること
で、より高精度にコマ収差を評価、測定することができ
る。そこで、露光装置のステージ基準マークにλ／８の
奇数倍の段差を有するマークを設け、露光光で投影光学
系を介して、段差マークの像を撮像素子上に結像させ、
その像の対称性を評価することで投影光学系のコマ収差
を精度よくかつ簡便に測定・評価することが可能とな
る。

【００２５】また、投影光学系の他に第２の光学系を
（特に投影光学系と撮像素子との間の光路中に）配置
し、ウエハステージ上の段差マークを投影光学系および
第２の光学系を介して撮像素子上に結像させてもよい。
この場合、第２の光学系あるいはその一部として、半導
体基板や原版のアライメントマークを検出および計測し
て位置合わせを行うためのアライメント光学系を流用す
ることも可能である。

【００２６】また、投影光学系と第２の光学系でウエハ
ステージ上の段差マークを撮像して得た画像データから
は、投影光学系と第２の光学系とを合わせた結像性能が
算出されることになるが、投影光学系と第２の光学系と
の間（原版上または原版を搭載する原版ステージの基準
プレート上等の原版側）に同様の段差マークを配置し
て、このマークを第２の光学系を介して露光波長で撮像
素子上に結像させることで、第２の光学系のみの結像性
能、コマ収差を算出し評価することができる。さらに、
第２の光学系の結像性能を原版側の段差マークの画像デ
ータに基づいて調整することも可能であり、第２の光学
系の結像性能を補正しながら投影光学系の結像性能を算
出することが可能となる。

【００２７】また、可動ステージ上に配置された段差マ
ークおよび／または原版側に配置された段差マークの、
計測したい結像性能、コマ収差の方向に応じて、複数の
方向の段差パターンを用いてもよい。例えば、対称な段
差で形成された凹条に対する他の段差パターンとしてエ
ッジの向きが異なる凹条を形成すればよい。

【００２８】また、算出された投影光学系の結像性能に
基づいて、投影光学系内の光学素子等（例えば投影レン
ズ）を動かして投影光学系の結像性能を調整するように
してもよい。特に、投影光学系のＮＡや露光光の照明条
件（通常照明、輪帯照明、変形照明など）を変更した際
に結像性能計測および調整を行うことで、露光条件の変
化による投影光学系の結像性能の変化の影響を抑制する
ことが可能となる。さらに、原版上のパターンを基板に
連続して投影露光する際に露光量や照明条件等に応じて
事前に決定した間隔で投影光学系の結像性能計測および
調整を行うことで、露光による投影光学系の結像性能変
化の影響を抑制して、常に良好な収差状態で露光を行う
ことが可能となる。この場合、投影光学系の結像性能と
して算出された収差が事前に設定した値よりも大きくな
ったときに、投影光学系の結像性能を調整することによ
り安定した連続運転が可能となる。

【００２９】すなわち、可動ステージ（ウエハステー
ジ）上に配置したステージ基準マークに段差マークを設
け、投影光学系を介して段差マークの像を撮像し、撮像
された画像データから投影光学系のコマ収差を算出する
ことが可能となる。また、算出した収差に基づいて投影
光学系の収差を調整することで、常に良好な収差状態で
露光を行うことが可能となる。

【００３０】さらに、露光装置に、ディスプレイと、ネ
ットワークインタフェースと、ネットワーク用ソフトウ
ェアを実行するコンピュータとを設けることにより、露
光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介して
データ通信することが可能となる。このネットワーク用
ソフトウェアは、露光装置が設置された工場の外部ネッ
トワークに接続され露光装置のベンダーもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースをディスプレイ上に提供することによ
り、外部ネットワークを介して該データベースから情報
を得ることを可能にする。

【００３１】実施形態以下、具体的な実施形態を図面に基づいて説明する。（実施形態１）本発明の第１の実施形態を図面を用いて
説明する。図１は本実施形態に係る半導体露光装置の模
式的断面図である。図１において、照明系１０により発
光した観察用光束ＩＬが、レチクル２、ハーフミラー７
および投影光学系１の光軸ＡＸからずれた位置を透過し
て、段差形状のマーク１６（第１の段差マーク）を有す
るステージ基準マーク６を照明する。このステージ基準
マークはレチクル２のパターンを露光する半導体ウエハ
３を搭載してステージ駆動系５により光軸に対して垂直
平面内を移動するＸＹステージ４上に設けられている。
次に第１の段差マーク１６の像が投影光学系１、ハーフ
ミラー７を介して、撮像素子８上に結像する。データ処
理手段９は、撮像素子８により撮像された第１の段差マ
ーク１６の像の画像データより、投影光学系１の収差を
算出することができる。

【００３２】以下に、本実施形態の収差の算出方法につ
いて図５および図６を用いて詳しく説明する。投影光学
系１にコマ収差（非対称収差）が存在する場合、図５
（ａ）に示したような段差構造のマーク１６を投影光学
系１を用いて撮像素子８上に結像させるときに、段差部
での散乱光４２ａと４２ｂとがコマ収差により非対称に
なり、その結果、第１の段差マーク１６の像の波形は、
図５（ｂ）に示したように非対称になる。さらに、この
非対称性が段差により変化することが本発明者等の実験
およびシミュレーションにより判明している。次に、こ
の非対称性の算出について説明する。

【００３３】図５（ｂ）において、一方の信号エッジの
強度をａ、もう一方のエッジ強度をｂ、信号全体の強度
をｃとして、評価量Ｅを

【００３４】

【数４】と定義すると、評価量Ｅは第１の段差マーク１６の波形
歪みを表すパラメータとなる。

【００３５】次の図５（ｃ）は１つのマーク部分を拡大
したものである。マークエッジからの散乱光として左エ
ッジの上部からの光を５１，５２、右エッジ上部からの
光を５４，５５、左エッジ下部からの光を５３、右エッ
ジ下部からの光を５６とする。同じエッジから出た光で
も光５２および光５５は光学系のもつコマ収差等の影響
で光５１および光５４に対し、結像時それぞれ非対称な
関係となる。ここで光５１〜５６それぞれの光の波面
（Ｕ）をθを位相として

【００３６】

【数５】として表す。最終波形の評価量Ｅとして表した式（１）
のａは光５１、５２、５３を、ｂは光５４、５５、５６
を合成したものである。従って検出される波形信号の差
ａ−ｂは

【００３７】

【数６】で表される。

【００３８】この式（１）〜（３）に基づき評価値Ｅを
数値計算した結果が図６（ｂ）で、２つの曲線はコマ収
差がλ／１０（実線）およびλ／２０（破線）に対応す
る。これに対応する実験結果が図６（ａ）であり、両者
はよい合致を示している。

【００３９】すなわち、評価値Ｅは投影光学系１のコマ
収差の大きさに依存して変化し、コマ収差が大きいほど
評価値Ｅの絶対値が大きくなることが、実験および理論
的なシミュレーションの双方で確かめられた。つまり、
この評価値を用いることで投影光学系１のコマ収差を定
量的に評価することが可能である。

【００４０】一方、このような非対称性は、マークの段
差に応じても変化することがわかっている。先に示した
図６は光学系のコマ収差で発生する信号非対称性の値を
段差量に対して示したグラフである。同図では、矩形段
差構造を持つＳｉマークの段差の高さｄを幾つか変え、
投影光学系１にコマ収差がある状態で評価値Ｅを計測し
た結果を示している。図６で横軸は露光光の波長λでモ
ジュラスを取った高さｄでありλ／１６を１目盛りとし
ている。縦軸は評価値Ｅである。検討の結果、評価値Ｅ
は図６に示すように周期関数的に変化することが実験お
よびシミュレーションから確認されている。本実施形態
で着眼したのは段差λ／８の奇数倍（λ／８、３λ／
８、５λ／８、・・・）で評価値Ｅの絶対値が最大とな
ることである。

【００４１】すなわち、評価値Ｅはコマ収差とマーク段
差に依存して変化する。つまり、評価値Ｅを用いること
で投影光学系１のコマ収差を定量的に評価することが可
能であり、さらにマーク段差がλ／８の奇数倍でコマ収
差の敏感度が最も高くなることから、前記マーク段差
は、露光波長の１／８の奇数倍近傍とすることで、より
高精度に投影光学系１のコマ収差を測定および評価する
ことができる。本実施形態においてもステージ基準マー
ク６の段差マーク１６の段差を露光波長の１／８の奇数
倍近傍として、コマ収差の測定精度を向上している。

【００４２】（実施形態２）本発明の第２の実施形態に
ついて図２を用いて説明する。本実施形態に係る半導体
露光装置は、収差補正光学系１２とデータ処理手段９か
らの情報に基づいて収差補正光学系１２を調節するため
の収差補正光学系１１を設けた以外は、実施形態１と同
様のものである。図２の装置においても、実施形態１と
同様に、半導体露光装置の本体上で投影光学系１の収差
を簡便に計測することが可能となる。そこで、本実施形
態では、得られた投影光学系１のコマ収差の結果に基づ
いて、図２に示したように投影光学系１内に設置した収
差補正光学系１２を駆動して、収差補正を行ったり、投
影光学系１内の各レンズの空気間隔等を調整したりする
ことにより投影光学系１の収差を調整、低減することを
特徴とする。これにより、投影光学系１のＮＡ、露光光
の照明条件等を変更した場合や、連続露光中に経時的に
投影光学系１の収差が変化した場合においても、それら
にあわせて適宜収差を調節することが可能となり、投影
光学系１の収差を極めて小さくして、露光することが可
能となる。

【００４３】（実施形態３）本発明の第３の実施形態を
図３を用いて説明する。本実施形態に係る図３の半導体
露光装置では、ステージ基準マーク６上の段差マーク１
６を投影光学系１だけでなく、第２の光学系１３とあわ
せて撮像素子８上に結像させ、段差マーク１６の画像デ
ータを得ること以外は、実施形態２のものと同様であ
る。第２の光学系１３を用いることにより段差マーク１
６の像をさらに拡大して撮像素子８上に結像できるた
め、より高精度に段差マーク１６の像の非対称性を測定
することが可能となり、投影光学系１のコマ収差の計測
精度を向上させることが可能となる。

【００４４】また、第２の光学系１３の位置を移動する
ことにより、光軸ＡＸと観察視野中心との距離を変え
て、像高毎のコマ収差を測定することも可能である。こ
の場合、投影光学系１には、像高に応じてレチクル２側
の主光線の角度がわずかながら変化するというテレセン
シティの変化もあるため、複数の像高で投影光学系１の
コマ収差を測定するためには、像高毎に投影光学系１の
テレセンシティの変化に合わせて、第２の光学系１３の
光軸を調整するのが望ましい。この理由は、投影光学系
１の主光線と第２の光学系１３の主光線との角度が一致
していないと偏心によるコマ収差が発生してしまうため
である。調整の方法としては、第２の光学系１３内の光
学素子の角度を変化させてもよいし、ハーフミラー７の
角度を像高に合わせて変化させる方法でもよい。また、
第２の光学系１３内に不図示の平行平面板などの調整用
光学系を設け、その角度を変化させて調整する方法もあ
る。また、投影光学系１のテレセンシティは、別途測っ
ておき、その角度になるように第２の光学系１３を調整
してもよいし、ステージ基準マーク６上の段差マーク１
６を投影光学系１の光軸方向（Ｚ方向）に移動させなが
らＸＹ方向の位置を計測し、その時の計測値の変化が０
になるように第２の光学系を調整して、ウエハステージ
４側のテレセンシティを０に追い込むことで、レチクル
２側の投影光学系テレセンシティに対し、第２の光学系
１３の主光線を合わせ込む方法等を用いることもでき
る。

【００４５】（実施形態４）実施形態３で第２の光学系
を用いて、コマ収差の計測精度を向上させる方法につい
て説明したが、本実施形態では、図４に示したように、
第２の光学系として、レチクル２とウエハ３とを露光波
長光を用いて観察できるアライメント光学系１５を用い
たことを特徴とする。アライメント光学系１５を用いる
ことで、露光装置の限られた空間の中に新たな光学系を
配置せずとも投影光学系１のコマ収差を精度よく計測す
ることが可能となる。

【００４６】本実施形態では、投影光学系１とアライメ
ント光学系１５とを用いて、ステージ基準マーク６上の
段差マーク１６（以下、第１の段差マークと称する）の
像を測定するが、この方法では、第１の段差マーク１６
の像の非対称性は、投影光学系１とアライメント光学系
１５の両者のコマ収差に依存して変化する。アライメン
ト光学系１５のＮＡは、投影光学系１の倍率分だけ小さ
く、またアライメント光学系１５に求められる画角も小
さいため、残存収差は非常に小さいが、それでもλ／１
００を超える精度で投影光学系１のコマ収差を算出しよ
うとすると問題となる場合がある。また、露光装置本体
上で収差を計測する大きな目的の１つに投影光学系１の
収差の経時的な変化を捉えることがあるが、投影光学系
１の収差が経時変化したのか、アライメント光学系１５
の収差が経時変化したのかを明らかにできないという問
題もある。

【００４７】そこで、本実施形態では、図４に示したよ
うにレチクル２側に配置した基準プレート１４上に第２
の段差マーク１７を設け、第２の段差マーク１７をアラ
イメント光学系１５で撮像素子８上に結像させ、その画
像の非対称性からアライメント光学系１５の結像性能、
コマ収差を算出できるようにしたことを特徴とする。こ
の方法は、レチクルステージを有し、レチクル２とウエ
ハ３を同期して走査露光するスキャナーにおいて有効で
あり、走査露光のために大きなストロークで動かせるレ
チクルステージの一部に第２の段差マーク１７を有する
基準プレート１４を常設して、基準プレート１４を観察
像高へ移動することで、アライメント光学系１５のコマ
収差の測定が常に可能である。また、走査方向と直交す
る方向には、基準プレート１４を動かすのではなく、複
数の段差マークを用意しておくことで、複数の像高での
アライメント光学系１５単体のコマ収差の計測が可能と
なる。

【００４８】また、基準プレート１４ではなく段差マー
クを有するレチクルを用いることも可能である。特に、
一括露光方式であるステッパでは、レチクルに段差マー
クを設ける方法が適用しやすく、レチクル内の複数の像
高に段差マークを配置し、各マークの位置にアライメン
ト光学系を移動することにより、複数の像高におけるア
ライメント光学系のコマ収差の測定が可能である。

【００４９】本実施形態によれば、ＸＹステージ４上の
第１の段差マーク１６から投影光学系１とアライメント
光学系１５とのコマ収差を算出し、レチクル２側の第２
の段差マーク１７からアライメント光学系１５のコマ収
差を算出することが可能となるため、それらの２つのコ
マ収差の結果から、投影光学系１のコマ収差を算出する
ことが可能となる。また、第２の段差マーク１７の画像
の非対称性を指標として、アライメント光学系１５のコ
マ収差を調整して追い込んだ上で、第１の段差マーク１
６の画像から投影光学系１のコマ収差を算出することも
可能である。また、収差が経時的に変化した場合にも、
投影光学系１の変化であるのか、アライメント光学系１
５の変化であるのかを、極めて簡易に見極めることも可
能となる。

【００５０】なお、本実施形態でも第３の実施形態で説
明したように、像高毎に投影光学系１のテレセンシティ
に合わせて、アライメント光学系１５の光軸を合わせる
のが望ましい。また、アライメント光学系１５の光軸の
角度が経時変化した場合も、第２のマーク１７を設けて
おくことで、アライメント光学系１５側の変化であるの
か、投影光学系１の変化であるのかを簡便に見極めるこ
とが可能である。

【００５１】（実施形態５）投影光学系の結像性能は、
露光光の吸収など経時的に変化することが知られてい
る。露光光の吸収は、i 線を用いた露光装置でも知られ
ているが、特に、ＡｒＦエキシマレーザやこれより短い
波長の光を露光光とする露光装置では、使用できる硝材
に光の吸収があり、その吸収によって投影光学系の光学
性能が変化することが知られている。また、近年は、ス
キャナーと呼ばれる走査型露光装置の開発が盛んである
が、走査型露光装置では、照明領域がスリット形状とな
り、回転対称でなくなるため、硝材の光吸収により投影
光学系の光軸に対して、非対称な熱分布が生じ、結像性
能を悪化、すなわち、収差を発生させることもある。そ
こで、本実施形態では、連続露光している際に、実施形
態１から４で説明した方法を用いて、投影光学系のコマ
収差を事前に決定した間隔、例えばウエハ５枚に１回と
いった間隔で計測し、コマ収差が事前に決めた許容量よ
りも大きな場合には、実施形態２で説明したような方法
で、投影光学系の収差を調整するようにしたことを特徴
とする。この結果、露光光の吸収などによる投影光学系
の結像性能の悪化、つまりコマ収差の発生を抑えて、露
光可能となり、良好な半導体デバイスを製造することが
可能となる。また、露光光の吸収による収差変化以外に
も、気圧、周辺温度など様々な環境要因で変化する収差
を計測、調整することも可能である。

【００５２】（実施形態６）投影光学系に残存する収差
に応じて、投影光学系のＮＡや照明光学系のＮＡ、照明
条件（通常照明、輪帯照明、変形照明など）といった露
光条件を変更した場合にも投影光学系の結像性能が変化
するが、露光条件を変えた際に、実施形態１から４に説
明した方法でコマ収差を計測、調整することにより、そ
れぞれの露光条件にとって最適な収差で露光することも
可能となる。また、実施形態５で説明した露光光の吸収
による投影光学系の結像性能の変化は、露光条件によっ
て変化する。そこで、連続露光している際に、露光条件
に応じて、投影光学系のコマ収差を計測する間隔を変え
ることにより、各露光条件に応じた露光による投影光学
系の収差の変化を最適な間隔で計測し、調整することが
可能となる。

【００５３】なお、本明細書中で波形の非対称性の評価
値としてＥを定義したが、非対称性の評価値は、Ｅに限
らない。ＮＡや段差マークの線幅、照明条件、フォーカ
スにより波形の形状は変わるため、例えば、サイドピー
クの非対称性を用いるなど、条件に応じてコマ収差に敏
感な非対称性の評価値を用いるのが望ましい。また、ス
テージ基準マークやレチクル側の基準プレートに設ける
段差マークの代わりに、段差量に対応する位相差を与え
る位相物体によるマークを用いることも可能である。

【００５４】（半導体生産システムの実施形態）次に、
半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶
パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）
の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場
に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。

【００５５】図７は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネットを構築するローカルエリアネットワー
ク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０
８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークである
インタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、
外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備え
る。

【００５６】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築する
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製
造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホス
ト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０
２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、
各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであ
るインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを
備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネ
ット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理シス
テム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システ
ム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだ
けがアクセスが許可となっている。具体的には、インタ
ネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を
示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造
装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、そ
の通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する
対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデー
タ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情
報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０
２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および
各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネ
ットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ
／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワー
クとしてインタネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。

【００５７】本実施形態においては製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報の中に前述測定された各露
光装置のコマ収差情報が含まれる。ユーザ側からの収差
情報に基づき、ベンダー側ホスト管理システムは、該装
置に対してユーザが施すべき処置の情報やそのために必
要なソフトウェア、ヘルプ情報を送信する。あるいはメ
ンテナンスが必要かどうかを判断して、ベンダー内でメ
ンテナンス要員への保守情報を提示する。

【００５８】さて、図８は本実施形態の全体システムを
図７とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造
装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の
外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報を
データ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユ
ーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、
工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、こ
こでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０
３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図８で
は製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数
の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各
装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト
処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベン
ダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給
した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理シス
テム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２
００であるインタネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。

【００５９】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図９に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの
件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０
５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０
８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力され
た情報はインタネットを介して保守データベースに送信
され、その結果の適切な保守情報が保守データベースか
ら返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブ
ラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示の
ごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現
し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスし
たり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから
製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引
出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド
（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。前述と
同様に、本実施形態においては製造装置の稼動状況を示
すステータス情報の中に前述測定された露光装置２０２
のコマ収差情報が含まれる。

【００６０】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
タネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や
装置保守のための情報がデータ通信される。

【００６１】図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製
造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もし
トラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
段差マークの像を投影光学系を介して前記投影光学系の
使用波長の光を用いて結像させることで、段差マークの
画像データに基づき投影光学系の結像性能、中でもコマ
収差を評価することができる。その結果、現像やＳＥＭ
測定が不要で、しかも極めて簡素な構成で、投影光学系
の結像性能、コマ収差を半導体露光装置上で算出するこ
とが可能となる。

【００６３】また、算出した収差に基づいて投影光学系
の収差を調整することで、常に良好な収差状態で露光を
行うことが可能となる。

【００６４】また、露光条件を変えた際に、収差計測を
行ったり、連続露光中に収差計測を行い、必要に応じ
て、収差の調整を行うことにより、常に良好な収差状態
で露光を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体露光装
置の模式的断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体露光装
置の模式的断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体露光装
置の模式的断面図である。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る半導体露光装
置の模式的断面図である。

【図５】光学系の収差と段差マーク像の非対称性を説
明する図である。

【図６】段差量と段差マーク像の非対称性との相関を
示すグラフである。

【図７】半導体デバイスの生産システムをある角度か
ら見た概念図である。

【図８】半導体デバイスの生産システムを別の角度か
ら見た概念図である。

【図９】ユーザインタフェースの具体例である。

【図１０】デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。

【図１１】ウエハプロセスを説明する図である。

【符号の説明】

１：投影光学系（第１の光学系）、２：レチクル、３：
ウエハ、４：ＸＹステージ、５：ステージ駆動装置、
６．（第１の）段差マークを有するステージ基準マー
ク、７：ハーフミラー、８：撮像素子、９：画像データ
処理装置、１０：照明系、１１：収差補正光学系駆動装
置、１２：収差補正光学系、１３：第２の光学系、１
４：第２の段差マークを有する基準プレート、１５：ア
ライメント光学系、１６：第１の段差マーク、１７：第
２の段差マーク、ＡＸ：投影レンズの光軸、ＩＬ：観察
用光束。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原版上の転写用パターンを投影光学系を
介して、可動ステージ上に配置した基板に投影露光する
露光装置において、前記可動ステージ上に配置され段差
で形成された段差マークと、該段差マークを前記投影光
学系を介して露光波長で撮像素子上に結像させる画像取
り込み手段と、該画像取り込み手段により得られた画像
データに基づき、前記投影光学系の結像性能を算出する
データ処理手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記原版としてレチクルもしくはフォト
マスクを用いて、その転写用パターンを半導体ウエハ上
に露光するものであることを特徴とする請求項１記載の
露光装置。
【請求項３】前記データ処理手段は、前記画像データ
における段差マークの対称性に基づき、前記投影光学系
の結像性能を算出することを特徴とする請求項１または
２記載の露光装置。
【請求項４】前記投影光学系の結像性能が、コマ収差
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の
露光装置。
【請求項５】前記段差が、露光波長の１／８の奇数倍
またはその近傍であることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか記載の露光装置。
【請求項６】前記画像取り込み手段が、前記投影光学
系以外の第２の光学系を有することを特徴する請求項１
〜５のいずれか記載の露光装置。
【請求項７】前記第２の光学系が、前記原版および基
板上のアライメントマークを検出するためのアライメン
ト光学系の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求
項１〜６のいずれか記載の露光装置。
【請求項８】前記第２の光学系が、前記アライメント
光学系であることを特徴とする請求項７記載の露光装
置。
【請求項９】前記可動ステージ上に配置した段差マー
クと同等の段差マークが、前記投影光学系と前記第２の
光学系との間にも配置されることを特徴とする請求項６
〜８のいずれか記載の露光装置。
【請求項１０】前記投影光学系と前記第２の光学系と
の間に配置される段差マークは、原版上または原版を搭
載する原版ステージ上に設けられていることを特徴とす
る請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】前記データ処理手段は、前記投影光学
系と前記第２の光学系との間に配置された段差マークを
前記第２の光学系を介して露光波長で撮像素子上に結像
させて得られた画像データに基づき、前記第２の光学系
の結像性能を算出することを特徴とする請求項９または
１０記載の露光装置。
【請求項１２】前記第２の光学系の結像性能を補正し
ながら前記データ処理手段が前記投影光学系の結像性能
を算出することを特徴とする請求項１１記載の露光装
置。
【請求項１３】前記可動ステージ上に配置された段差
マークおよび／または前記投影光学系と前記第２の光学
系との間に配置された段差マークが、方向の異なる２種
類以上の段差パターンを有することを特徴とする請求項
１〜１２のいずれか記載の露光装置。
【請求項１４】前記投影光学系の結像性能に基づい
て、前記投影光学系の状態を調整する光学系駆動機構を
更に有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか
記載の露光装置。
【請求項１５】前記データ処理手段は、前記投影光学
系の開口数または露光光の照明条件を変更した際に、前
記投影光学系の結像性能を算出することを特徴とする請
求項１〜１４のいずれか記載の露光装置。
【請求項１６】前記原版上のパターンを前記基板に連
続して投影露光する際、前記データ処理手段が、露光量
および照明条件を含む露光条件に応じて事前に設定した
間隔で前記投影光学系の結像性能を算出することを特徴
とする請求項１〜１５のいずれか記載の露光装置。
【請求項１７】前記投影光学系の結像性能として算出
された収差が事前に設定した値よりも大きくなった場合
に、前記光学系駆動機構が、前記投影光学系の結像性能
を調整することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれ
か記載の露光装置。
【請求項１８】投影光学系の結像性能を測定する方法
において、段差で形成された段差マークを前記投影光学系の像面近
傍に設置する工程と、前記投影光学系の使用波長の光を用い、前記投影光学系
を介して前記段差マークの像を撮像素子により撮像する
工程と、撮像した画像データから前記投影光学系の結像性能を算
出する工程と、を備えることを特徴とする結像性能測定
方法。
【請求項１９】前記投影光学系の結像性能を算出する
工程は、前記段差を投影光学系の露光波長の１／８の奇
数倍として、コマ収差を測定するものであることを特徴
とする請求項１８記載の結像性能測定方法。
【請求項２０】請求項１〜１７記載の露光装置を含む
各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置す
る工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによっ
て半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴
とするデバイス製造方法。
【請求項２１】前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項２０記載の
方法。
【請求項２２】前記露光装置のベンダーもしくはユー
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、または前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行う請求項２０記載の方法。
【請求項２３】請求項１〜１７記載の露光装置を含む
各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続す
るローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネ
ットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可
能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なく
とも１台に関する情報をデータ通信することを可能にし
た半導体製造工場。
【請求項２４】半導体製造工場に設置された請求項１
〜１７記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装
置のベンダーもしくはユーザが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワー
クを介して前記保守データベースへのアクセスを許可す
る工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報
を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送
信する工程とを有することを特徴とする露光装置の保守
方法。
【請求項２５】請求項１〜１７記載の露光装置におい
て、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、
ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータと
をさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネッ
トワークを介してデータ通信することを可能にした露光
装置。
【請求項２６】前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザが提供す
る保守データベースにアクセスするためのユーザインタ
フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
トワークを介して該データベースから情報を得ることを
可能にする請求項２５記載の装置。