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JP2002084065A - 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子装置 - Google Patents

多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子装置

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Publication number
JP2002084065A
JP2002084065A JP2000271321A JP2000271321A JP2002084065A JP 2002084065 A JP2002084065 A JP 2002084065A JP 2000271321 A JP2000271321 A JP 2000271321A JP 2000271321 A JP2000271321 A JP 2000271321A JP 2002084065 A JP2002084065 A JP 2002084065A
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JP
Japan
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ceramic substrate
multilayer ceramic
low
green layer
green
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000271321A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadaaki Sakamoto
禎章 坂本
Hirobumi Sunahara
博文 砂原
Hiroshi Takagi
洋 鷹木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000271321A priority Critical patent/JP2002084065A/ja
Priority to US09/943,389 priority patent/US6811635B2/en
Publication of JP2002084065A publication Critical patent/JP2002084065A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層セラミック基板をいわゆる無収縮プロセ
スに基づいて製造する際、焼成工程において、拘束用グ
リーン層による拘束作用を基体用グリーン層に十分に伝
え、十分な収縮抑制効果が得られるようにし、得られた
多層セラミック基板において、反り等の不所望な変形が
生じにくいようにする。 【解決手段】 基体用グリーン層１４に含まれる低温焼
結セラミック材料と拘束用グリーン層１５に含まれる無
機材料とが、焼成工程において互いに化学的に反応する
ようにし、基体用グリーン層１４と拘束用グリーン層１
５との界面１６に沿って、低温焼結セラミック材料と無
機材料とが互いに化学的に反応して生成された反応層１
７が形成されるようにする。反応層１７は、基体用グリ
ーン層１４と拘束用グリーン層１５との間での接合力を
高めるように作用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多層セラミック
基板およびその製造方法、ならびにこのような多層セラ
ミック基板を備える電子装置に関するもので、特に、い
わゆる無収縮プロセスによって製造される多層セラミッ
ク基板において生じ得る反りを防止するための改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】多層セラミック基板は、複数の積層され
たセラミック層を備えている。このような多層セラミッ
ク基板には、種々の形態の配線導体が設けられている。
配線導体としては、たとえば、多層セラミック基板の内
部において、セラミック層間の特定の界面に沿って延び
る内部導体膜が形成されたり、特定のセラミック層を貫
通するように延びるビアホール導体が形成されたり、ま
た、多層セラミック基板の外表面上において延びる外部
導体膜が形成されたりしている。
【０００３】多層セラミック基板は、半導体チップ部品
やその他のチップ部品等を搭載し、これらの電子部品を
相互に配線するために用いられている。上述した配線導
体は、この相互配線のための電気的経路を与えている。
【０００４】また、多層セラミック基板には、たとえば
コンデンサ素子やインダクタ素子のような受動部品が内
蔵されることがある。この場合には、上述した配線導体
としての内部導体膜やビアホール導体の一部によって、
これらの受動部品が与えられる。
【０００５】多層セラミック基板は、たとえば、移動体
通信端末機器の分野において、ＬＣＲ複合化高周波部品
として用いられたり、コンピュータの分野において、半
導体ＩＣチップのような能動素子とコンデンサやインダ
クタや抵抗のような受動素子とを複合化した部品とし
て、あるいは単なる半導体ＩＣパッケージとして用いら
れたりしている。
【０００６】より具体的には、多層セラミック基板は、
ＰＡモジュール基板、ＲＦダイオードスイッチ、フィル
タ、チップアンテナ、各種パッケージ部品、複合デバイ
ス等の種々の電子部品を構成するために広く用いられて
いる。
【０００７】多層セラミック基板をより多機能化、高密
度化、高性能化するためには、上述したような配線導体
を高密度に配置することが有効である。
【０００８】しかしながら、多層セラミック基板を得る
ためには、必ず、焼成工程を経なければならないが、こ
のような焼成工程においては、セラミックの焼結による
収縮が生じ、この収縮は多層セラミック基板全体におい
て均一に生じにくく、そのため、配線導体において不所
望な変形や歪みがもたらされることがある。このような
配線導体において生じる変形や歪みは、上述のような配
線導体の高密度化を阻害してしまう。
【０００９】そこで、多層セラミック基板を製造するに
あたって、焼成工程において多層セラミック基板の主面
方向での収縮を実質的に生じさせないようにすることが
できる、いわゆる無収縮プロセスを適用することが提案
されている。
【００１０】無収縮プロセスによる多層セラミック基板
の製造方法においては、たとえば１０００℃以下の温度
で焼結可能な低温焼結セラミック材料が用意されるとと
もに、上述の低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼
結しない、収縮抑制用として機能する無機材料が用意さ
れる。そして、焼成することによって目的とする多層セ
ラミック基板となる生の積層体を作製するにあたって
は、低温焼結セラミック材料を含み、かつ積層された、
複数の基体用グリーン層の特定のものの主面に接するよ
うに、無機材料を含む拘束用グリーン層が配置され、ま
た、基体用グリーン層に関連して、配線導体が設けられ
る。
【００１１】上述のようにして得られた生の積層体は、
次いで、焼成される。この焼成工程において、拘束用グ
リーン層に含まれる無機材料は実質的に焼結しないた
め、拘束用グリーン層においては、収縮が実質的に生じ
ない。このようなことから、拘束用グリーン層が基体用
グリーン層を拘束し、それによって、基体用グリーン層
は、厚み方向にのみ実質的に収縮するが、主面方向での
収縮が抑制される。その結果、生の積層体を焼成して得
られた多層セラミック基板において不均一な変形がもた
らされにくくなり、そのため、配線導体において不所望
な変形や歪みがもたらされにくくすることができ、配線
導体の高密度化を可能にする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た焼成工程において、基体用グリーン層と拘束用グリー
ン層との間での接合力が不足するとき、拘束用グリーン
層による拘束作用が基体用グリーン層に十分に伝わら
ず、そのため、十分な収縮抑制効果が得られないことが
ある。このような場合には、得られた多層セラミック基
板において、たとえば反りといった不所望な変形がもた
らされる。
【００１３】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る多層セラミック基板の製造方法、こ
の製造方法によって得られた多層セラミック基板、なら
びにこのような多層セラミック基板を備える電子装置を
提供しようとすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明は、低温焼結セ
ラミック材料を含み、かつ積層された、複数の基体用グ
リーン層と、基体用グリーン層の特定のものの主面に接
するように配置され、かつ低温焼結セラミック材料の焼
結温度では焼結しない無機材料を含む、拘束用グリーン
層と、基体用グリーン層に関連して設けられる、配線導
体とを備える、生の積層体を作製する、積層体作製工程
と、生の積層体を、低温焼結セラミック材料が焼結する
温度条件下で焼成する、焼成工程とを備える、多層セラ
ミック基板の製造方法にまず向けられるものであって、
上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を
備えることを特徴としている。
【００１５】すなわち、低温焼結セラミック材料と無機
材料とは、焼成工程において互いに化学的に反応するも
のであり、焼成工程において、基体用グリーン層と拘束
用グリーン層との界面に沿って、低温焼結セラミック材
料と無機材料とが互いに化学的に反応して生成された反
応層が形成されることを特徴としている。
【００１６】上述した反応層とは、基体用グリーン層に
含まれる低温焼結セラミック材料の成分元素と拘束用グ
リーン層に含まれる無機材料の成分元素とが、原子レベ
ルで混じり合っている部分を指すもので、たとえば、基
体用グリーン層に含まれる低温焼結セラミック材料の一
部が拘束用グリーン層内へ毛細管現象等に基づき単に浸
透している状態とは区別されるべきである。
【００１７】上述のような原子レベルでの混じり合いに
は、低温焼結セラミック材料に含まれる成分元素と無機
材料に含まれる成分元素とから新たな結晶相を生成する
場合と、そうでない場合とがある。
【００１８】結晶相を生成しない場合として、低温焼結
セラミック材料および無機材料のいずれか一方に含まれ
るガラス相、アモルファス相または結晶相に、いずれか
他方に含まれる成分元素が拡散、溶解または固溶する場
合がある。
【００１９】このようなことから、反応層を形成するた
めには、基体用グリーン層に含まれる低温焼結セラミッ
ク材料と拘束用グリーン層に含まれる無機材料との組み
合わせが重要である。
【００２０】たとえば、低温焼結セラミック材料が、ホ
ウケイ酸ガラスを含み、無機材料が、マグネシア、ジル
コニア、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化ランタン、酸化
コバルト、酸化クロム、酸化チタン、酸化鉄、酸化カル
シウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化タングステン、
窒化ケイ素および窒化ホウ素から選ばれた少なくとも１
種またはこれら２種以上の複合酸化物を含む場合、ある
いは、低温焼結セラミック材料が、アルミナを含み、無
機材料が、マグネシアまたは酸化コバルトを含む場合に
は、前述したような新たな結晶相を生成した反応層を形
成することができる。
【００２１】他方、低温焼結セラミック材料が、ホウケ
イ酸ガラスを含み、無機材料が、粒径１００ｎｍ以下の
アルミナ粉末を含む場合、アルミナが、低温焼結セラミ
ック材料に含まれるホウケイ酸ガラスによって与えられ
るガラス相に溶解して、反応層を形成することができ
る。
【００２２】この発明を適用して反応層をより確実に形
成できるようにするためには、焼成工程において、１５
℃／分以下の昇温速度が適用されることが好ましく、ま
た、最高温度での保持時間が１０分以上に選ばれること
が好ましい。
【００２３】また、積層体作製工程において作製される
生の積層体に備える拘束用グリーン層が、積層体の積層
方向における両端に位置するように配置される場合に
は、焼成工程の後、これら拘束用グリーン層および反応
層の少なくとも一部を除去することが好ましい。
【００２４】また、この発明に係る多層セラミック基板
の製造方法は、積層工程の後、積層体の外表面上に搭載
されるべき電子部品を実装する工程をさらに備えていて
もよい。
【００２５】この発明は、また、上述したような製造方
法によって得られた多層セラミック基板にも向けられ
る。
【００２６】また、この発明は、上述した多層セラミッ
ク基板と、この多層セラミック基板を実装するマザーボ
ードとを備える、電子装置にも向けられる。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる多層セラミック基板１を図解的に示す断面図であ
る。図示した多層セラミック基板１は、セラミック多層
モジュールを構成するものである。
【００２８】多層セラミック基板１は、積層された複数
のセラミック層２をもって構成される積層体３を備えて
いる。この積層体３において、セラミック層２に関連し
て種々の配線導体が設けられている。
【００２９】上述した配線導体としては、積層体３の積
層方向における端面上に形成されるいくつかの外部導体
膜４および５、セラミック層２の間の界面に沿って形成
されるいくつかの内部導体膜６、ならびにセラミック層
２の特定のものを貫通するように形成されるいくつかの
ビアホール導体７等がある。
【００３０】上述した外部導体膜４は、積層体３の外表
面上に搭載されるべき電子部品８および９への接続のた
めに用いられる。図１では、たとえば半導体デバイスの
ように、バンプ電極１０を備える電子部品８、およびた
とえばチップコンデンサのように面状の端子電極１１を
備える電子部品９が図示されている。
【００３１】電子部品８は、バンプ電極１０に対して半
田リフロー工程を適用したり超音波付与工程や熱圧着工
程を適用したりすることによって、バンプ電極１０を介
して外部導体膜４に接合される。他方、電子部品９は、
外部導体膜４に対して端子電極１１を面対向させた状態
で、端子電極１１をたとえば半田または導電性接着剤を
用いて外部導体膜４に接合することによって、積層体３
上に搭載された状態とされる。
【００３２】また、外部導体膜５は、図１において想像
線で示すように、この多層セラミック基板１を実装する
マザーボード１２への接続のために用いられる。すなわ
ち、多層セラミック基板１は、外部導体膜５を介して電
気的に接続された状態で、マザーボード１２上に実装さ
れ、所望の電子装置を構成する。
【００３３】図１に示した多層セラミック基板１に備え
る積層体３は、図２に示すような生の積層体１３を焼成
することによって得られるものである。
【００３４】生の積層体１３は、前述したセラミック層
２となるべき積層された複数の基体用グリーン層１４を
備えている。基体用グリーン層１４は、低温焼結セラミ
ック材料を含んでいる。
【００３５】上述した低温焼結セラミック材料は、セラ
ミック粉末とガラス成分とを含んでいる。セラミック粉
末としては、たとえばアルミナ粉末が用いられる。ま
た、ガラス成分は、当初からガラス粉末として含有され
ていても、焼成工程においてガラス質を析出するもので
あってもよい。ガラス成分としては、ホウケイ酸系のガ
ラスを有利に用いることができる。
【００３６】生の積層体１３は、また、基体用グリーン
層１４の特定のものの主面に接するように配置される拘
束用グリーン層１５を備えている。拘束用グリーン層１
５は、上述した低温焼結セラミック材料の焼結温度では
焼結しない無機材料を含む。この実施形態では、拘束用
グリーン層１５は、生の積層体１３の積層方向における
両端に位置するように配置される。
【００３７】なお、上述した基体用グリーン層１４に含
まれる低温焼結セラミック材料および拘束用グリーン層
１５に含まれる無機材料を各々選択するにあたっては、
焼成工程において、これら低温焼結セラミック材料と無
機材料とが互いに化学的に反応するものが選択される。
【００３８】ここで、化学的に反応するとは、低温焼結
セラミック材料に含まれる成分元素と無機材料に含まれ
る成分元素とが、互いに原子レベルで混じり合うことを
言う。この原子レベルでの混じり合いには、低温焼結セ
ラミック材料に含まれる成分元素と無機材料に含まれる
成分元素とから新たな結晶相を形成する場合と、そうで
ない場合とがある。結晶相を形成しない場合として、低
温焼結セラミック材料および無機材料のいずれか一方に
含まれるガラス相、アモルファス相または結晶相に、い
ずれか他方に含まれる成分元素が拡散、溶解または固溶
する場合がある。
【００３９】たとえば、低温焼結セラミック材料におい
て、ホウケイ酸ガラスを用い、無機材料において、マグ
ネシアまたはジルコニアを用いた場合、化学的な反応の
結果、ＭｇＳｉＯ3 またはＺｒＳｉＯ4 などが生成され
やすい。また、低温焼結セラミック材料において、ホウ
ケイ酸ガラスを用い、無機材料において、酸化亜鉛、酸
化ニッケル、酸化ランタン、酸化コバルト、酸化クロ
ム、酸化チタン、酸化鉄、酸化カルシウム、炭化ケイ
素、炭化ホウ素、炭化タングステン、窒化ケイ素および
窒化ホウ素から選ばれる少なくとも１種またはこれら２
種以上の複合酸化物を用いた場合、これら成分元素の化
学的な反応によって、新たな結晶相を生成させることが
できる。また、低温焼結セラミック材料において、アル
ミナを用い、無機材料において、マグネシアまたは酸化
コバルトを用いた場合、上述した化学的な反応の結果、
スピネル構造の反応物が生成される。
【００４０】また、低温焼結セラミック材料において、
ホウケイ酸ガラスを用い、無機材料において、アルミナ
を用いた場合、通常、これらの間での反応性は乏しい
が、アルミナを粒径１００ｎｍ以下といった非常に細か
いアルミナ粉末とすることにより、アルミナが、低温焼
結セラミック材料に含まれるガラス相に溶解するように
なる。
【００４１】生の積層体１３は、さらに、基体用グリー
ン層１４に関連して設けられる配線導体を備えている。
この配線導体としては、前述したように、外部導体膜４
および５、内部導体膜６ならびにビアホール導体７等を
備えている。
【００４２】このような生の積層体１３を作製するた
め、たとえば、次のような各工程が実施される。
【００４３】まず、基体用グリーン層１４を得るため、
セラミック粉末とガラス粉末とを混合して得られた混合
粉末に、バインダ、分散剤、可塑剤および有機溶剤等を
各々適量添加し、これらを混合することによって、セラ
ミックスラリーを作製する。次いで、このセラミックス
ラリーをドクターブレード法等によってシート状に成形
して、基体用グリーン層１４となるべき基体用セラミッ
クグリーンシートを得る。
【００４４】次いで、得られた基体用セラミックグリー
ンシートに、必要に応じて、ビアホール導体７を形成す
るための貫通孔を設け、この貫通孔に導電性ペーストま
たは導体粉を充填することによって、ビアホール導体７
を形成する。また、基体用セラミックグリーンシート上
に、必要に応じて、たとえば銀系導電性ペーストを印刷
することによって、外部導体膜４および５ならびに内部
導体膜６を形成する。
【００４５】そして、これら基体用セラミックグリーン
シートを所定の順序をもって積層する。
【００４６】他方、拘束用グリーン層１５を得るため、
低温焼結セラミック材料と化学的に反応し得る無機材料
粉末に、バインダ、分散剤、可塑剤および有機溶剤等を
各々適量添加し、これらを混合することによって、無機
材料スラリーを作製する。そして、この無機材料スラリ
ーをドクターブレード法等によってシート状に成形し
て、拘束用グリーン層１５のための拘束用セラミックグ
リーンシートを得る。
【００４７】次に、前述のように積層された基体用セラ
ミックグリーンシートの上下に、拘束用セラミックグリ
ーンシートを積層し、プレスする。これによって、図２
に示すように、生の積層体１３が得られる。なお、必要
に応じて、この生の積層体１３を適当な大きさに切断し
てもよい。
【００４８】次に、生の積層体１３は、たとえば８００
〜１０００℃程度の温度で焼成される。この焼成工程に
おいて、拘束用グリーン層１５は、それ自身、実質的に
収縮しない。そして、基体用グリーン層１４に含まれる
低温焼結セラミック材料と拘束用グリーン層１５に含ま
れる無機材料とが互いに化学的に反応し、それによっ
て、図３に拡大して示すように、基体用グリーン層１４
と拘束用グリーン層１５との界面１６に沿って、これら
低温焼結セラミック材料と無機材料とが互いに化学的に
反応して生成された反応層１７が形成される。この反応
層１７は、基体用グリーン層１４と拘束用グリーン層１
５との間での接合力を高めるように作用する。
【００４９】このことから、拘束用グリーン層１５によ
る拘束作用が、基体用グリーン層１４へ十分に伝わるよ
うになり、拘束用グリーン層１５が、基体用グリーン層
１４に対して、その主面方向での収縮を抑制するように
及ぼす拘束力のため、基体用グリーン層１４は、その主
面方向での収縮が抑制されながら、そこに含まれる低温
焼結セラミック材料が焼結する。このようにして、基体
用グリーン層１４は、実質的に厚み方向にのみ収縮し、
得られた多層セラミック基板１における積層体３に備え
るセラミック層２を形成する。
【００５０】なお、図３に示した拡大断面図において、
界面１６や反応層１７と他の領域との境界線が直線をも
って示されているが、これらは図示を容易にするための
もので、実際には、セラミック粉末や無機材料粉末の集
合による凹凸面を与えている。
【００５１】前述した反応層１７は、たとえば５μｍ以
下の厚みをもって形成される。なお、図３において、界
面１６に沿い、かつたとえば２〜３μｍの厚みをもって
形成される浸透層１８が図示されている。この浸透層１
８は、焼成工程において、基体用グリーン層１４におい
てガラス成分が軟化し、この軟化したガラス成分が、毛
細管現象等に基づいて、拘束用グリーン層１５へと浸透
することによって形成されたものである。すなわち、こ
の浸透層１８は、いわゆる物理的な作用によって形成さ
れたものであり、前述した反応層１７のように、化学的
な作用によって形成されたものと区別されるべきであ
る。
【００５２】反応層１７をより確実に形成するために
は、焼成プロファイルを制御することが好ましい。たと
えば、焼成工程における昇温速度に関しては、これが遅
いほど反応層１７が形成されやすく、好ましくは、１５
℃／分以下の昇温速度が適用される。
【００５３】また、焼成工程における最高温度での保持
時間は、１０分以上に選ばれることが好ましく、３０〜
６０分の範囲に選ばれることがより好ましい。この保持
時間が６０分を超えて長くなると、焼結後の積層体３の
表面にガラス成分が浮き出すことがあるからである。
【００５４】以上のような焼成工程を終えた後、拘束用
グリーン層１５および反応層１７の少なくとも一部が除
去される。拘束用グリーン層１５および反応層１７の除
去は、拘束用グリーン層１５が焼結されないため、容易
に行なうことができる。
【００５５】このようにして、図１に示した多層セラミ
ック基板１における積層体３が得られる。この積層体３
の外表面上に、電子部品８および９を実装すれば、図１
に示すような多層セラミック基板１が完成される。
【００５６】なお、以上説明した実施形態では、拘束用
グリーン層１５が、生の積層体１３の積層方向における
両端に位置するように配置されたが、このような拘束用
グリーン層１５に代えて、あるいは拘束用グリーン層１
５に加えて、基体用グリーン層１４の間に位置するよう
に、拘束用グリーン層が配置されてもよい。このよう
に、基体用グリーン層１４の間に配置される拘束用グリ
ーン層には、焼成工程において、基体用グリーン層１４
に含まれていたガラス成分等の一部が浸透し、それによ
って、拘束用グリーン層が固化されるように、そこに含
まれる無機材料粉末が固着される。このような拘束用グ
リーン層は、焼成工程の後、除去されず、製品となる多
層セラミック基板に備える積層体中に存在することにな
る。
【００５７】次に、前述した反応層１７の形成による効
果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００５８】この実験例では、図１ないし図３を参照し
て前述した製造方法に従って、生の積層体１３を作製
し、この生の積層体１３を焼成することによって、焼結
された積層体３を得た。
【００５９】基体用グリーン層１４に含まれる低温焼結
セラミック材料として、表１に示すような種々の組成の
ガラス成分を有するガラス粉末にアルミナ粉末を混合し
たものを用いた。ここで、ガラス粉末として、平均粒径
１．５μｍおよび比表面積４ｍ2 ／ｇのものを用いた、
また、拘束用グリーン層１５に含まれる無機材料とし
て、表１に示すような種々のセラミック粉末を用いた。
ここで、セラミック粉末の平均粒径は２μｍとし、比表
面積は２ｍ2 ／ｇとした。
【００６０】このようにして得られた各試料に関して、
生の積層体１３を焼成した後での基体用グリーン層１４
と拘束用グリーン層１５との界面１６における反応層１
７の有無を、走査型電子顕微鏡で観察することによって
確認した。また、各試料について、焼成による収縮率お
よび１０ｃｍ□での反り量を求めた。これらの結果が、
表１に示されている。
【００６１】
【表１】
【００６２】表１において、試料番号に＊を付したもの
は、この発明の範囲外の比較例に相当している。
【００６３】表１を参照して、反応層１７が形成された
試料３〜３１によれば、反応層を形成していない試料１
および２に比べて、収縮率および反り量が双方とも小さ
く、拘束用グリーン層１５による基体用グリーン層１４
の収縮抑制効果が十分に発揮されていることがわかる。
【００６４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、いわ
ゆる無収縮プロセスを適用しながら、多層セラミック基
板を製造するにあたって、基体用グリーン層に含まれる
低温焼結セラミック材料と拘束用グリーン層に含まれる
無機材料とが、焼成工程において互いに化学的に反応す
るものであり、焼成工程を実施したとき、基体用グリー
ン層と拘束用グリーン層との界面に沿って、低温焼結セ
ラミック材料と無機材料とが互いに化学的に反応して生
成された反応層が形成されるので、この反応層を、基体
用グリーン層と拘束用グリーン層との間での接合力を高
めるように作用させることができる。
【００６５】したがって、焼成工程において、拘束用グ
リーン層による拘束作用を、基体用グリーン層に十分伝
えることができ、基体用グリーン層に対する収縮抑制効
果を十分に働かせることができる。その結果、基体用グ
リーン層の主面方向での収縮が十分に抑制され、そのた
め、得られた多層セラミック基板において、反り等の不
所望な変形が生じにくくすることができる。
【００６６】したがって、小型化かつ配線の高密度化が
図られた多層セラミック基板を、高い信頼性をもって製
造することができる。
【００６７】この発明において、焼成工程での昇温速度
を１５℃／分以下に選ぶと、上述した反応層がより形成
されやすくすることができる。
【００６８】また、焼成工程における最高温度での保持
時間を１０分以上とすることによっても、反応層がより
形成されやすくすることができる。
【００６９】また、この発明に係る製造方法によって得
られた多層セラミック基板をマザーボード上に実装し
て、電子装置を構成すれば、前述したように、多層セラ
ミック基板に関して、小型化かつ配線の高密度化が図ら
れ、また、反り等の変形が生じにくいので、このような
電子装置の小型化かつ多機能化を有利に図ることができ
るとともに、電子装置における多層セラミック基板とマ
ザーボードとの接続等に対する信頼性を高めることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による多層セラミック基
板１を図解的に示す断面図である。
【図２】図１に示した積層体３を得るために用意される
生の積層体１３を図解的に示す断面図である。
【図３】図２に示した生の積層体１３の一部を拡大して
図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ 多層セラミック基板 ２ セラミック層 ３ 積層体 ４，５ 外部導体膜（配線導体） ６ 内部導体膜（配線導体） ７ ビアホール導体（配線導体） ８，９ 電子部品 １２ マザーボード １３ 生の積層体 １４ 基体用グリーン層 １５ 拘束用グリーン層 １６ 界面 １７ 反応層
フロントページの続き (72)発明者 鷹木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA24 ER54 GG20 5E346 AA12 CC17 CC18 CC40 EE22 EE29 FF45 HH11

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低温焼結セラミック材料を含み、かつ積
    層された、複数の基体用グリーン層と、前記基体用グリ
    ーン層の特定のものの主面に接するように配置され、か
    つ前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しな
    い無機材料を含む、拘束用グリーン層と、前記基体用グ
    リーン層に関連して設けられる、配線導体とを備える、
    生の積層体を作製する、積層体作製工程と、 前記生の積層体を、前記低温焼結セラミック材料が焼結
    する温度条件下で焼成する、焼成工程とを備え、 前記低温焼結セラミック材料と前記無機材料とは、前記
    焼成工程において互いに化学的に反応するものであり、 前記焼成工程において、前記基体用グリーン層と前記拘
    束用グリーン層との界面に沿って、前記低温焼結セラミ
    ック材料と前記無機材料とが互いに化学的に反応して生
    成された反応層が形成されることを特徴とする、多層セ
    ラミック基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記反応層は、前記低温焼結セラミック
    材料に含まれる成分元素と前記無機材料に含まれる成分
    元素とから生成された結晶相を含む、請求項１に記載の
    多層セラミック基板の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記低温焼結セラミック材料は、ホウケ
    イ酸ガラスを含み、前記無機材料は、マグネシア、ジル
    コニア、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化ランタン、酸化
    コバルト、酸化クロム、酸化チタン、酸化鉄、酸化カル
    シウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化タングステン、
    窒化ケイ素および窒化ホウ素から選ばれた少なくとも１
    種またはこれら２種以上の複合酸化物を含む、請求項２
    に記載の多層セラミック基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記低温焼結セラミック材料は、アルミ
    ナを含み、前記無機材料は、マグネシアまたは酸化コバ
    ルトを含む、請求項２に記載の多層セラミック基板の製
    造方法。
  5. 【請求項５】 前記反応層は、前記低温焼結セラミック
    材料および前記無機材料のいずれか一方に含まれるガラ
    ス相、アモルファス相または結晶相に、いずれか他方に
    含まれる成分元素が拡散、溶解または固溶することによ
    って生成される、請求項１に記載の多層セラミック基板
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記低温焼結セラミック材料は、ホウケ
    イ酸ガラスを含み、前記無機材料は、粒径１００ｎｍ以
    下のアルミナ粉末を含む、請求項５に記載の多層セラミ
    ック基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記焼成工程において、１５℃／分以下
    の昇温速度が適用される、請求項１ないし６のいずれか
    に記載の多層セラミック基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記焼成工程において、最高温度での保
    持時間が１０分以上に選ばれる、請求項１ないし７のい
    ずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記積層体作製工程において作製される
    前記生の積層体に備える前記拘束用グリーン層は、前記
    積層体の積層方向における両端に位置するように配置さ
    れるものを含み、前記焼成工程の後、前記積層体の積層
    方向における両端に位置するように配置された前記拘束
    用グリーン層および前記反応層の少なくとも一部を除去
    する工程をさらに備える、請求項１ないし８のいずれか
    に記載の多層セラミック基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記焼成工程の後、前記積層体の外表
    面上に搭載されるべき電子部品を実装する工程をさらに
    備える、請求項１ないし９のいずれかに記載の多層セラ
    ミック基板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれかに記載
    の製造方法によって得られた、多層セラミック基板。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の多層セラミック基
    板と、前記多層セラミック基板を実装するマザーボード
    とを備える、電子装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198646A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp 多層配線基板の製造方法
JP2005197285A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 多層セラミック基板及びその製造方法
JP2005347674A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Hitachi Metals Ltd 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板
JP2006135012A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Metals Ltd 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板
JPWO2009151006A1 (ja) * 2008-06-13 2011-11-17 株式会社村田製作所 セラミック成形体の製造方法
JP5012899B2 (ja) * 2007-07-26 2012-08-29 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10145363A1 (de) * 2001-09-14 2003-04-10 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats und keramisches Substrat
DE102004043273A1 (de) * 2003-09-09 2005-05-04 Ngk Spark Plug Co Verfahren zur Herstellung eines Keramiksubstrats und Keramiksubstrat
JP2005268692A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp 多層基板の製造方法
US20070060969A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-15 Burdon Jeremy W Implantable co-fired electrical feedthroughs
TWI311451B (en) * 2005-11-30 2009-06-21 Murata Manufacturing Co Ceramic substrate, electronic device, and manufacturing method of ceramic substrate
CN101543151B (zh) * 2007-04-20 2011-04-13 株式会社村田制作所 多层陶瓷基板及其制造方法以及电子器件
TW200932081A (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Murata Manufacturing Co Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing multilayer ceramic substrate and method for suppressing warpage of multilayer ceramic substrate
WO2009110338A1 (ja) * 2008-03-03 2009-09-11 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法およびセラミック基板
US20100096178A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Sumsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Non-shirinkage ceramic substrate and manufacturing method thereof
EP2866534B1 (en) * 2012-06-21 2019-05-01 Kyocera Corporation Circuit board and electronic apparatus provided with the circuit board

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649417A (en) * 1983-09-22 1987-03-10 International Business Machines Corporation Multiple voltage integrated circuit packaging substrate
US5254191A (en) 1990-10-04 1993-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies
EP0570855B1 (en) * 1992-05-20 2000-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing multilayered ceramic substrate
JPH05327218A (ja) 1992-05-22 1993-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法
US5470412A (en) * 1992-07-30 1995-11-28 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Process for producing a circuit substrate
US5456778A (en) * 1992-08-21 1995-10-10 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Method of fabricating ceramic circuit substrate
WO1996039298A1 (en) * 1995-06-06 1996-12-12 Sarnoff Corporation Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a support
US5747741A (en) * 1995-06-16 1998-05-05 Hubert Laurenz Naimer Screw terminal for an electrical connection of cables or wires
JP3780386B2 (ja) * 1996-03-28 2006-05-31 株式会社村田製作所 セラミック回路基板及びその製造方法
JP3669056B2 (ja) * 1996-05-22 2005-07-06 日本特殊陶業株式会社 セラミック多層配線基板の製造方法
JP4059406B2 (ja) 1997-12-09 2008-03-12 株式会社村田製作所 ガラスセラミックス多層基板の製造方法
JP3322199B2 (ja) * 1998-01-06 2002-09-09 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
US6228196B1 (en) * 1998-06-05 2001-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing a multi-layer ceramic substrate
JP3656484B2 (ja) * 1999-03-03 2005-06-08 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
US6139666A (en) * 1999-05-26 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method for producing ceramic surfaces with easily removable contact sheets
JP3687484B2 (ja) * 1999-06-16 2005-08-24 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法および未焼成セラミック基板
JP3666321B2 (ja) * 1999-10-21 2005-06-29 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
US6392896B1 (en) * 1999-12-22 2002-05-21 International Business Machines Corporation Semiconductor package containing multiple memory units
JP3633435B2 (ja) * 2000-04-10 2005-03-30 株式会社村田製作所 多層セラミック基板、その製造方法および設計方法、ならびに電子装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198646A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp 多層配線基板の製造方法
JP2005197285A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 多層セラミック基板及びその製造方法
JP2005347674A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Hitachi Metals Ltd 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板
JP2006135012A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Metals Ltd 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板
JP5012899B2 (ja) * 2007-07-26 2012-08-29 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
JPWO2009151006A1 (ja) * 2008-06-13 2011-11-17 株式会社村田製作所 セラミック成形体の製造方法

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