JP2002079077A - 処理装置および処理方法 - Google Patents
処理装置および処理方法Info
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理室に配置された被処理物に対し、電子線
処理を含む複数の種類の処理を行うことができる処理装
置、およびこのような処理装置を用いて、所定の処理を
有利に実施することができる処理方法を提供すること。 【解決手段】 処理装置は、支持部材が設けられた処理
室と、当該処理室に設けられた、前記支持部材によって
支持された被処理物に向かって電子線を放出する電子線
源と、前記処理室に設けられた、電子線を受けて紫外線
を放出する発光ガスを供給する発光ガス供給機構とを備
えてなる。また、処理室に当該処理室を減圧する減圧機
構、およびプロセスガスを供給するプロセスガス供給機
構が設けられていることが好ましい。処理方法は、この
ような処理装置を用い、処理室内の圧力を調整すること
により、電子線処理、紫外線処理およびプロセスガスに
よる特定処理が各々個別にあるいは同時に行われる。
処理を含む複数の種類の処理を行うことができる処理装
置、およびこのような処理装置を用いて、所定の処理を
有利に実施することができる処理方法を提供すること。 【解決手段】 処理装置は、支持部材が設けられた処理
室と、当該処理室に設けられた、前記支持部材によって
支持された被処理物に向かって電子線を放出する電子線
源と、前記処理室に設けられた、電子線を受けて紫外線
を放出する発光ガスを供給する発光ガス供給機構とを備
えてなる。また、処理室に当該処理室を減圧する減圧機
構、およびプロセスガスを供給するプロセスガス供給機
構が設けられていることが好ましい。処理方法は、この
ような処理装置を用い、処理室内の圧力を調整すること
により、電子線処理、紫外線処理およびプロセスガスに
よる特定処理が各々個別にあるいは同時に行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置および処
理方法に関し、詳しくは、電子線源から放出される電子
線を利用して被処理物の処理を行う処理装置および処理
方法に関する。
理方法に関し、詳しくは、電子線源から放出される電子
線を利用して被処理物の処理を行う処理装置および処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、金属、ガラス、半導体ウエハ、そ
の他の材料よりなる被処理物に対して、例えば被処理物
の表面に付着した有機汚染物質を除去する洗浄処理や、
被処理物の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成処理、ま
たはエッチング処理を行う方法として、例えば電子線処
理、紫外線処理、プロセスガスによる特定処理など種々
の処理方法が知られている。
の他の材料よりなる被処理物に対して、例えば被処理物
の表面に付着した有機汚染物質を除去する洗浄処理や、
被処理物の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成処理、ま
たはエッチング処理を行う方法として、例えば電子線処
理、紫外線処理、プロセスガスによる特定処理など種々
の処理方法が知られている。
【０００３】而して、一つの被処理物に対して複数の処
理が必要とされるべき場合も少なくなく、被処理物に対
して複数の処理を行う場合には、例えば光源の種類、処
理室の雰囲気などの処理条件が異なる複数の処理装置に
よってそれぞれの処理が個別に行われるため、実施すべ
き各処理毎に被処理物を移動させる必要があり、単にそ
の移動作業が煩雑になるばかりでなく、移動作業によっ
て被処理物が汚染されたり、処理の効果が減殺されるお
それがある。
理が必要とされるべき場合も少なくなく、被処理物に対
して複数の処理を行う場合には、例えば光源の種類、処
理室の雰囲気などの処理条件が異なる複数の処理装置に
よってそれぞれの処理が個別に行われるため、実施すべ
き各処理毎に被処理物を移動させる必要があり、単にそ
の移動作業が煩雑になるばかりでなく、移動作業によっ
て被処理物が汚染されたり、処理の効果が減殺されるお
それがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
処理室に配置された被処理物に対し、電子線処理を含む
複数の種類の処理を行うことができる処理装置を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、このような処理装
置を用い、被処理物に対し、所定の処理を有利に実施す
ることができる処理方法を提供することにある。
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
処理室に配置された被処理物に対し、電子線処理を含む
複数の種類の処理を行うことができる処理装置を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、このような処理装
置を用い、被処理物に対し、所定の処理を有利に実施す
ることができる処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の処理装置は、被
処理物を支持する支持部材が設けられた処理室と、当該
処理室に設けられた、前記支持部材によって支持された
被処理物に向かって電子線を放出する電子線源と、前記
処理室に設けられた、電子線を受けて紫外線を放出する
発光ガスを供給する発光ガス供給機構とを備えてなるこ
とを特徴とする。
処理物を支持する支持部材が設けられた処理室と、当該
処理室に設けられた、前記支持部材によって支持された
被処理物に向かって電子線を放出する電子線源と、前記
処理室に設けられた、電子線を受けて紫外線を放出する
発光ガスを供給する発光ガス供給機構とを備えてなるこ
とを特徴とする。
【０００６】上記の処理装置においては、発光ガスは、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンお
よび窒素ガスの中から選ばれた少なくとも１種であるこ
とが好ましい。上記の処理装置においては、処理室に当
該処理室を減圧する減圧機構が設けられていることが好
ましい。上記の処理装置においては、処理室内の紫外線
量および／または電子線量を検出する検出手段が設けら
れていることが好ましい。上記の処理装置においては、
処理室に、プロセスガスを供給するプロセスガス供給機
構が設けられた構成とすることができ、プロセスガス
は、洗浄用ガス、エッチング用ガスまたは成膜用ガスか
ら選ばれた１種であることが好ましい。
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンお
よび窒素ガスの中から選ばれた少なくとも１種であるこ
とが好ましい。上記の処理装置においては、処理室に当
該処理室を減圧する減圧機構が設けられていることが好
ましい。上記の処理装置においては、処理室内の紫外線
量および／または電子線量を検出する検出手段が設けら
れていることが好ましい。上記の処理装置においては、
処理室に、プロセスガスを供給するプロセスガス供給機
構が設けられた構成とすることができ、プロセスガス
は、洗浄用ガス、エッチング用ガスまたは成膜用ガスか
ら選ばれた１種であることが好ましい。
【０００７】本発明の処理方法は、電子線源が設けられ
た処理室を備えた処理装置を用い、被処理物が配置され
た処理室に発光ガスを供給し、電子線源よりの電子線を
受けた発光ガスより紫外線を発生させ、当該紫外線によ
り前記被処理物の紫外線処理を行うことを特徴とする。
た処理室を備えた処理装置を用い、被処理物が配置され
た処理室に発光ガスを供給し、電子線源よりの電子線を
受けた発光ガスより紫外線を発生させ、当該紫外線によ
り前記被処理物の紫外線処理を行うことを特徴とする。
【０００８】本発明の処理方法は、電子線源が設けられ
た処理室を備えた処理装置を用い、被処理物が配置され
た処理室にプロセスガスを供給し、電子線源よりの電子
線を受けたプロセスガスにより、前記被処理物の特定処
理を行うことを特徴とする。
た処理室を備えた処理装置を用い、被処理物が配置され
た処理室にプロセスガスを供給し、電子線源よりの電子
線を受けたプロセスガスにより、前記被処理物の特定処
理を行うことを特徴とする。
【０００９】本発明の処理方法は、電子線源が設けられ
た処理室を備えた処理装置を用い、被処理物が配置され
た処理室に発光ガスおよびプロセスガスを供給し、電子
線源よりの電子線を受けた発光ガスより発生する紫外線
による前記被処理物の紫外線処理と、電子線源よりの電
子線を受けたプロセスガスによる前記被処理物の特定処
理とを同時に行うことを特徴とする。
た処理室を備えた処理装置を用い、被処理物が配置され
た処理室に発光ガスおよびプロセスガスを供給し、電子
線源よりの電子線を受けた発光ガスより発生する紫外線
による前記被処理物の紫外線処理と、電子線源よりの電
子線を受けたプロセスガスによる前記被処理物の特定処
理とを同時に行うことを特徴とする。
【００１０】本発明の処理方法は、電子線源を作動させ
ると共に、被処理物が配置された処理室に発光ガスおよ
び／またはプロセスガスを供給し、処理室の圧力を調整
することにより、前記被処理物の電子線処理と、電子線
源よりの電子線を受けた発光ガスより発生する紫外線に
よる前記被処理物の紫外線処理および／または電子線源
よりの電子線を受けたプロセスガスによる前記被処理物
の特定処理とを同時に行うことを特徴とする。
ると共に、被処理物が配置された処理室に発光ガスおよ
び／またはプロセスガスを供給し、処理室の圧力を調整
することにより、前記被処理物の電子線処理と、電子線
源よりの電子線を受けた発光ガスより発生する紫外線に
よる前記被処理物の紫外線処理および／または電子線源
よりの電子線を受けたプロセスガスによる前記被処理物
の特定処理とを同時に行うことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の処理装置によれば、処理室に供給され
た発光ガスが電子線を受けて紫外線を放出し、当該紫外
線が処理室に配置された被処理物に直接に照射されるの
で、目的とする紫外線処理を高い効率で実施することが
できる。
た発光ガスが電子線を受けて紫外線を放出し、当該紫外
線が処理室に配置された被処理物に直接に照射されるの
で、目的とする紫外線処理を高い効率で実施することが
できる。
【００１２】処理室に減圧機構が設けられている構成で
は、処理室を減圧状態にすることにより、電子線源から
放出される電子線を十分に飛翔させることができるの
で、被処理物について電子線処理を高い効率で実施する
ことができる。また、減圧機構などにより処理室の圧力
を調整することにより、電子線量および紫外線量を調整
することができるので、同一の処理室において、被処理
物を移動させることなしに、紫外線処理と電子線処理と
を同時にまたは連続して行うことができる。
は、処理室を減圧状態にすることにより、電子線源から
放出される電子線を十分に飛翔させることができるの
で、被処理物について電子線処理を高い効率で実施する
ことができる。また、減圧機構などにより処理室の圧力
を調整することにより、電子線量および紫外線量を調整
することができるので、同一の処理室において、被処理
物を移動させることなしに、紫外線処理と電子線処理と
を同時にまたは連続して行うことができる。
【００１３】また、処理室に紫外線量および／または電
子線量を検出する検出手段が設けられている構成では、
処理室内の紫外線量および／または電子線量を測定する
ことによって、処理室内の圧力および／または電子線源
への供給電流を制御することができ、これにより、目的
とする処理を確実に行うことができる。
子線量を検出する検出手段が設けられている構成では、
処理室内の紫外線量および／または電子線量を測定する
ことによって、処理室内の圧力および／または電子線源
への供給電流を制御することができ、これにより、目的
とする処理を確実に行うことができる。
【００１４】本発明の処理方法によれば、上記の処理装
置を用いることにより、被処理物について、電子線処
理、紫外線処理およびプロセスガスによる特定処理を各
々個別にあるいは同時に、しかも高い効率で実施するこ
とができる。また、被処理物に対して複数の種類の処理
を行う場合には、被処理物を移動させることなしに、そ
れぞれの処理を同時にまたは連続して行うことができる
ので、処理時間を短縮することができる上、有利な処理
結果を得ることができる。
置を用いることにより、被処理物について、電子線処
理、紫外線処理およびプロセスガスによる特定処理を各
々個別にあるいは同時に、しかも高い効率で実施するこ
とができる。また、被処理物に対して複数の種類の処理
を行う場合には、被処理物を移動させることなしに、そ
れぞれの処理を同時にまたは連続して行うことができる
ので、処理時間を短縮することができる上、有利な処理
結果を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の処理装置の構成
の一例を示す説明用断面図である。この処理装置１０
は、気密に構成された処理室１２を有し、この処理室１
２の下部には、その上面において処理されるべき被処理
物１５を支持する支持部材である試料台１１が設けられ
ていると共に、その上部には、被処理物１５と対向する
よう、例えば電子線出射窓２４を有する電子ビーム管２
０よりなる電子線源が設けられている。
の一例を示す説明用断面図である。この処理装置１０
は、気密に構成された処理室１２を有し、この処理室１
２の下部には、その上面において処理されるべき被処理
物１５を支持する支持部材である試料台１１が設けられ
ていると共に、その上部には、被処理物１５と対向する
よう、例えば電子線出射窓２４を有する電子ビーム管２
０よりなる電子線源が設けられている。
【００１６】処理室１２の一方の側壁１２１には、発光
ガス供給口１６１が形成されており、この発光ガス供給
口１６１には、電子線を受けると紫外線を放出する発光
ガスを、電子ビーム管２０の下方の空間（以下、「反応
空間」ともいう。）に供給するための発光ガス供給機構
が設けられている。この発光ガス供給機構は、発光ガス
供給口１６１に接続された発光ガス供給路１６２と、こ
の発光ガス供給路１６２に接続された、処理室１２の外
部における発光ガス供給源（図示せず）と、発光ガス供
給路１６２に設けられた、発光ガスの供給量を調整する
流量調整機構１６３とにより構成されている。
ガス供給口１６１が形成されており、この発光ガス供給
口１６１には、電子線を受けると紫外線を放出する発光
ガスを、電子ビーム管２０の下方の空間（以下、「反応
空間」ともいう。）に供給するための発光ガス供給機構
が設けられている。この発光ガス供給機構は、発光ガス
供給口１６１に接続された発光ガス供給路１６２と、こ
の発光ガス供給路１６２に接続された、処理室１２の外
部における発光ガス供給源（図示せず）と、発光ガス供
給路１６２に設けられた、発光ガスの供給量を調整する
流量調整機構１６３とにより構成されている。
【００１７】発光ガスは、電子線を受けて紫外線を放出
するものであれば制限されるものではなく、例えばヘリ
ウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンまたは
窒素ガスの中から選ばれた少なくとも一種を用いること
ができ、ヘリウムガスまたはネオンガスを用いた場合に
は、波長１００ｎｍ以下の紫外線が得られる。
するものであれば制限されるものではなく、例えばヘリ
ウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンまたは
窒素ガスの中から選ばれた少なくとも一種を用いること
ができ、ヘリウムガスまたはネオンガスを用いた場合に
は、波長１００ｎｍ以下の紫外線が得られる。
【００１８】また、処理室１２の他方の側壁１２２に
は、プロセスガス供給口１７１が形成されており、この
プロセスガス供給口１７１には、反応空間にプロセスガ
スを供給するためのプロセスガス供給機構が設けられて
いる。このプロセスガス供給機構は、プロセスガス供給
口１７１に接続されたプロセスガス供給路１７２と、こ
のプロセスガス供給路１７２に接続された、処理室１２
の外部におけるプロセスガス供給源（図示せず）と、プ
ロセスガス供給路１７２に設けられた、プロセスガスの
供給量を調整する流量調整機構１７３とにより構成され
ている。ここに、「プロセスガス」とは、電子線を受け
て活性化または分解されて活性種を生成するものであ
り、この活性種により、被処理物１５が例えば洗浄処
理、エッチング処理、成膜処理などの特定処理を受ける
ガスをいい、ここに、「特定処理」には、電子線処理お
よび紫外線処理以外の処理が包含される。
は、プロセスガス供給口１７１が形成されており、この
プロセスガス供給口１７１には、反応空間にプロセスガ
スを供給するためのプロセスガス供給機構が設けられて
いる。このプロセスガス供給機構は、プロセスガス供給
口１７１に接続されたプロセスガス供給路１７２と、こ
のプロセスガス供給路１７２に接続された、処理室１２
の外部におけるプロセスガス供給源（図示せず）と、プ
ロセスガス供給路１７２に設けられた、プロセスガスの
供給量を調整する流量調整機構１７３とにより構成され
ている。ここに、「プロセスガス」とは、電子線を受け
て活性化または分解されて活性種を生成するものであ
り、この活性種により、被処理物１５が例えば洗浄処
理、エッチング処理、成膜処理などの特定処理を受ける
ガスをいい、ここに、「特定処理」には、電子線処理お
よび紫外線処理以外の処理が包含される。
【００１９】プロセスガスは、目的とする特定処理の種
類によって選択され、例えば洗浄用ガス、エッチング用
ガス、または成膜用ガスから選ばれた１種を用いること
ができる。洗浄用ガスの具体例としては、例えば酸素ガ
ス、水素ガスなどが挙げられる。エッチング用ガスの具
体例としては、例えば塩素、フッ素、臭素およびこれら
の化合物を含むハロゲンガス、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＣ
ｌ4 、ＣＨＣｌ3 などが挙げられる。成膜用ガスの具体
例としては、ジクロロシランおよびアンモニアガス、Ｓ
ｉＨ 4 、ＳｉＨ2 Ｃ12、ＳｉＣ14などが挙げられる。
類によって選択され、例えば洗浄用ガス、エッチング用
ガス、または成膜用ガスから選ばれた１種を用いること
ができる。洗浄用ガスの具体例としては、例えば酸素ガ
ス、水素ガスなどが挙げられる。エッチング用ガスの具
体例としては、例えば塩素、フッ素、臭素およびこれら
の化合物を含むハロゲンガス、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＣ
ｌ4 、ＣＨＣｌ3 などが挙げられる。成膜用ガスの具体
例としては、ジクロロシランおよびアンモニアガス、Ｓ
ｉＨ 4 、ＳｉＨ2 Ｃ12、ＳｉＣ14などが挙げられる。
【００２０】更に、この処理装置１０においては、処理
室１２の一方の側壁１２１における、被処理物１５が支
持される高さ位置より下方の位置に、排気口１８１が形
成されており、この排気口１８１には減圧機構が設けら
れている。この減圧機構は、排気口１８１に接続された
排気路１８２と、この排気路１８２に接続された、処理
室１２の外部における減圧手段（図示せず）と、排気路
１８２に設けられた減圧調整機構１８３とにより構成さ
れている。
室１２の一方の側壁１２１における、被処理物１５が支
持される高さ位置より下方の位置に、排気口１８１が形
成されており、この排気口１８１には減圧機構が設けら
れている。この減圧機構は、排気口１８１に接続された
排気路１８２と、この排気路１８２に接続された、処理
室１２の外部における減圧手段（図示せず）と、排気路
１８２に設けられた減圧調整機構１８３とにより構成さ
れている。
【００２１】この処理装置１０における処理室１２の上
部には、電子線量を検出する電子線量検知手段１９１お
よび紫外線量を検出する紫外線量検知手段１９２が設け
られており、これらの検知手段１９１、１９２からの電
子線量および紫外線量のデータ信号が制御手段３０に供
給される。このような検知手段１９１、１９２として
は、例えばシリコンフォトダイオードからなるシンチレ
ータなどを用いることができ、これらのシンチレータに
よって、電子線量および紫外線量を個別に検出すること
ができる。
部には、電子線量を検出する電子線量検知手段１９１お
よび紫外線量を検出する紫外線量検知手段１９２が設け
られており、これらの検知手段１９１、１９２からの電
子線量および紫外線量のデータ信号が制御手段３０に供
給される。このような検知手段１９１、１９２として
は、例えばシリコンフォトダイオードからなるシンチレ
ータなどを用いることができ、これらのシンチレータに
よって、電子線量および紫外線量を個別に検出すること
ができる。
【００２２】電子線源を構成する電子ビーム管２０は、
例えば前方側（図において下方）の開口を塞ぐ蓋部材２
２が設けられた真空容器２１と、この真空容器２１の内
部に設けられた電子ビーム発生器２５とから構成されて
おり、真空容器２１における蓋部材２２に形成された、
電子ビーム発生器２５よりの電子ビームが通過する電子
ビーム出射窓２４が処理室１２の反応空間に臨んだ状態
で配置されている。
例えば前方側（図において下方）の開口を塞ぐ蓋部材２
２が設けられた真空容器２１と、この真空容器２１の内
部に設けられた電子ビーム発生器２５とから構成されて
おり、真空容器２１における蓋部材２２に形成された、
電子ビーム発生器２５よりの電子ビームが通過する電子
ビーム出射窓２４が処理室１２の反応空間に臨んだ状態
で配置されている。
【００２３】以上の構成の電子ビーム発生器２５を備え
た電子ビーム管２０においては、電流が供給されること
により熱電子が発生し、この熱電子が電界形成電極（図
示せず）の作用により、前方に向かって引き出されるこ
とにより電子ビームとして放出され、これが真空容器２
１の電子ビーム出射窓２４から出射される。
た電子ビーム管２０においては、電流が供給されること
により熱電子が発生し、この熱電子が電界形成電極（図
示せず）の作用により、前方に向かって引き出されるこ
とにより電子ビームとして放出され、これが真空容器２
１の電子ビーム出射窓２４から出射される。
【００２４】上記のような処理装置により、被処理物１
５について、以下のように複数の処理が行われる。 （１）電子線処理 減圧機構を作動させて処理室１２内を一定の減圧状態と
し、この状態で電子ビーム管２０を作動させると、電子
ビーム管２０よりの電子線が飛翔して被処理物１５に直
接的に照射されるので、これにより、被処理物１５につ
いて電子線処理が行われる。そして、処理室１２内が減
圧状態とされることにより、電子ビーム管２０よりの電
子線が十分な強度で被処理物１５に照射されるので、高
い処理効率が得られる。
５について、以下のように複数の処理が行われる。 （１）電子線処理 減圧機構を作動させて処理室１２内を一定の減圧状態と
し、この状態で電子ビーム管２０を作動させると、電子
ビーム管２０よりの電子線が飛翔して被処理物１５に直
接的に照射されるので、これにより、被処理物１５につ
いて電子線処理が行われる。そして、処理室１２内が減
圧状態とされることにより、電子ビーム管２０よりの電
子線が十分な強度で被処理物１５に照射されるので、高
い処理効率が得られる。
【００２５】例えば、電子ビーム管２０の出射窓２４と
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、処理室１２内の
圧力を１３．３Ｐａ、電子ビーム管２０の加速電圧を５
０ｋＶとした条件において、被処理物１５に対する単位
時間当たりの電子線照射量を１０μＣ／（ｃｍ2 ・ｓｅ
ｃ）とすることができ、例えば直径１５０ｍｍの円板状
のシリコンウエハ上に塗布された厚み１０μｍのレジス
ト膜について、４０ｓｅｃの処理時間で目的とする電子
線処理を行うことができる。
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、処理室１２内の
圧力を１３．３Ｐａ、電子ビーム管２０の加速電圧を５
０ｋＶとした条件において、被処理物１５に対する単位
時間当たりの電子線照射量を１０μＣ／（ｃｍ2 ・ｓｅ
ｃ）とすることができ、例えば直径１５０ｍｍの円板状
のシリコンウエハ上に塗布された厚み１０μｍのレジス
ト膜について、４０ｓｅｃの処理時間で目的とする電子
線処理を行うことができる。
【００２６】（２）紫外線処理 発光ガス供給機構により発光ガスを供給すると共に、流
量調整機構１６３により処理室１２を一定の圧力の発光
ガス雰囲気とし、この状態で電子ビーム管２０を作動さ
せると、反応空間において、電子ビーム管２０よりの電
子線を受けた発光ガスが励起して紫外線を放出するの
で、この紫外線によって被処理物１５について紫外線処
理が行われる。
量調整機構１６３により処理室１２を一定の圧力の発光
ガス雰囲気とし、この状態で電子ビーム管２０を作動さ
せると、反応空間において、電子ビーム管２０よりの電
子線を受けた発光ガスが励起して紫外線を放出するの
で、この紫外線によって被処理物１５について紫外線処
理が行われる。
【００２７】例えば、電子ビーム管２０の出射窓２４と
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、発光ガスをキセ
ノンガス、処理室１２の圧力を４６．６ｋＰａ、電子ビ
ーム管２０の加速電圧を５０ｋＶとした条件において、
被処理物１５に対する単位時間当たりの紫外線量を０．
５ｍＷ／（ｃｍ2 ・ｓｅｃ）とすることができ、例えば
直径１５０ｍｍである円板状のシリコンウエハ上の厚み
１μｍの紫外線レジスト膜について、紫外線処理を行う
ことができる。
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、発光ガスをキセ
ノンガス、処理室１２の圧力を４６．６ｋＰａ、電子ビ
ーム管２０の加速電圧を５０ｋＶとした条件において、
被処理物１５に対する単位時間当たりの紫外線量を０．
５ｍＷ／（ｃｍ2 ・ｓｅｃ）とすることができ、例えば
直径１５０ｍｍである円板状のシリコンウエハ上の厚み
１μｍの紫外線レジスト膜について、紫外線処理を行う
ことができる。
【００２８】（３）特定処理 プロセスガス供給機構によりプロセスガスを供給すると
共に、流量調整機構１７３により処理室１２内を一定の
圧力のプロセスガス雰囲気とし、この状態で電子ビーム
管２０を作動させると、電子ビーム管２０よりの電子線
を受けたプロセスガスが活性化または分解されて活性種
を生成するので、この生成種によって被処理物１５につ
いて特定処理が行われる。
共に、流量調整機構１７３により処理室１２内を一定の
圧力のプロセスガス雰囲気とし、この状態で電子ビーム
管２０を作動させると、電子ビーム管２０よりの電子線
を受けたプロセスガスが活性化または分解されて活性種
を生成するので、この生成種によって被処理物１５につ
いて特定処理が行われる。
【００２９】具体的には、例えばプロセスガスとして、
フッ素、臭素、または塩素などのハロゲン化合物を含む
エッチング用ガスを用いた場合には、電子ビーム管２０
よりの電子線を受けてハロゲン化合物がハロゲンのイオ
ンまたはハロゲン化合物のイオンを発生するので、これ
らの活性種により、例えばシリコンウエハのエッチング
処理が行われる。例えば、電子ビーム管２０の出射窓２
４と被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、処理室１２
内の圧力を２７Ｐａ、電子ビーム管２０の加速電圧を５
０ｋＶとした条件において、例えば直径１５０ｍｍであ
る円板状のシリコンウエハ上の厚み０．１μｍのＳｉ膜
について、エッチング処理を行うことができる。
フッ素、臭素、または塩素などのハロゲン化合物を含む
エッチング用ガスを用いた場合には、電子ビーム管２０
よりの電子線を受けてハロゲン化合物がハロゲンのイオ
ンまたはハロゲン化合物のイオンを発生するので、これ
らの活性種により、例えばシリコンウエハのエッチング
処理が行われる。例えば、電子ビーム管２０の出射窓２
４と被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、処理室１２
内の圧力を２７Ｐａ、電子ビーム管２０の加速電圧を５
０ｋＶとした条件において、例えば直径１５０ｍｍであ
る円板状のシリコンウエハ上の厚み０．１μｍのＳｉ膜
について、エッチング処理を行うことができる。
【００３０】また、例えばプロセスガスとして成膜用ガ
スを用いた場合には、電子ビーム管２０よりの電子線を
受けて成膜用ガスが電離して活性種を生成するので、こ
れにより、被処理物１５について成膜処理が行われる。
例えば、電子ビーム管２０の出射窓２４と被処理物１５
との離間距離を６０ｍｍ、プロセスガスをジクロロシラ
ンおよびアンモニアガス、処理室１２内の圧力を６６Ｐ
ａ、電子ビーム管の加速電圧を５０ｋＶとした条件にお
いて、１４００ｓｅｃの処理時間で、例えばシリコンウ
エハの表面に厚み０．２μｍの窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）よりなる膜を形成することができる。
スを用いた場合には、電子ビーム管２０よりの電子線を
受けて成膜用ガスが電離して活性種を生成するので、こ
れにより、被処理物１５について成膜処理が行われる。
例えば、電子ビーム管２０の出射窓２４と被処理物１５
との離間距離を６０ｍｍ、プロセスガスをジクロロシラ
ンおよびアンモニアガス、処理室１２内の圧力を６６Ｐ
ａ、電子ビーム管の加速電圧を５０ｋＶとした条件にお
いて、１４００ｓｅｃの処理時間で、例えばシリコンウ
エハの表面に厚み０．２μｍの窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）よりなる膜を形成することができる。
【００３１】（４）紫外線処理および特定処理を同時に
行う並行処理 発光ガス供給機構により発光ガスを供給すると共に、プ
ロセスガス供給機構によりプロセスガスを供給して、処
理室１２を一定の圧力のガス雰囲気とし、この状態で電
子ビーム管２０を作動させると、電子ビーム管２０より
の電子線の一部を受けた発光ガスが励起して紫外線を放
出すると共に、電子線の他の一部を受けたプロセスガス
が活性化または分解されて活性種を生成するので、被処
理物１５について、紫外線による紫外線処理と活性種に
よる特定処理とを同時に行う並行処理が行われる。
行う並行処理 発光ガス供給機構により発光ガスを供給すると共に、プ
ロセスガス供給機構によりプロセスガスを供給して、処
理室１２を一定の圧力のガス雰囲気とし、この状態で電
子ビーム管２０を作動させると、電子ビーム管２０より
の電子線の一部を受けた発光ガスが励起して紫外線を放
出すると共に、電子線の他の一部を受けたプロセスガス
が活性化または分解されて活性種を生成するので、被処
理物１５について、紫外線による紫外線処理と活性種に
よる特定処理とを同時に行う並行処理が行われる。
【００３２】具体的には、例えば発光ガスとしてアルゴ
ンガスを用い、プロセスガスとして酸素ガスを用いた場
合には、アルゴンガスが電子線により励起して紫外線を
放出するので、この紫外線の一部によって紫外線処理が
行われると共に、紫外線の他の一部が酸素ガスの一部と
反応してオゾンを生成するので、このオゾンにより洗浄
処理（特定処理）が行われる。一方、酸素ガスの他の一
部は、電子線を受けてオゾンを生成するので、このオゾ
ンによっても被処理物１５について洗浄処理（特定処
理）が行われる。例えば、電子ビーム管２０の出射窓２
４と被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、アルゴンガ
スの圧力を５３．２ｋＰａ、酸素ガスの圧力を１３３Ｐ
ａ、電子ビーム管の加速電圧を５０ｋＶとした条件にお
いて、例えば直径１５０ｍｍである円板状のシリコンウ
エハ上の有機汚染物質について、５０ｓｅｃの処理時間
で紫外線処理と洗浄処理（特定処理）とを同時に行う並
行処理を行うことができる。
ンガスを用い、プロセスガスとして酸素ガスを用いた場
合には、アルゴンガスが電子線により励起して紫外線を
放出するので、この紫外線の一部によって紫外線処理が
行われると共に、紫外線の他の一部が酸素ガスの一部と
反応してオゾンを生成するので、このオゾンにより洗浄
処理（特定処理）が行われる。一方、酸素ガスの他の一
部は、電子線を受けてオゾンを生成するので、このオゾ
ンによっても被処理物１５について洗浄処理（特定処
理）が行われる。例えば、電子ビーム管２０の出射窓２
４と被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、アルゴンガ
スの圧力を５３．２ｋＰａ、酸素ガスの圧力を１３３Ｐ
ａ、電子ビーム管の加速電圧を５０ｋＶとした条件にお
いて、例えば直径１５０ｍｍである円板状のシリコンウ
エハ上の有機汚染物質について、５０ｓｅｃの処理時間
で紫外線処理と洗浄処理（特定処理）とを同時に行う並
行処理を行うことができる。
【００３３】（５）紫外線処理または特定処理と、電子
線処理とを同時に行う同時処理 発光ガス供給機構により発光ガスを供給し、必要に応じ
て減圧機構を作動させて処理室１２内の発光ガスの圧力
を調整し、処理室１２内を一定の圧力の発光ガス雰囲気
とした状態で電子ビーム管２０を作動させることによ
り、電子ビーム管２０よりの電子線の一部が被処理物１
５に照射される条件を実現することができる。
線処理とを同時に行う同時処理 発光ガス供給機構により発光ガスを供給し、必要に応じ
て減圧機構を作動させて処理室１２内の発光ガスの圧力
を調整し、処理室１２内を一定の圧力の発光ガス雰囲気
とした状態で電子ビーム管２０を作動させることによ
り、電子ビーム管２０よりの電子線の一部が被処理物１
５に照射される条件を実現することができる。
【００３４】すなわち、図２に示すように、処理室１２
内のキセノンガス（発光ガス）が低圧状態、例えば０．
５３ｋＰａ以下では、電子線のみが照射され、紫外線の
照射量は実質上零であるが、電子ビーム管２０を作動さ
せたままの状態で、処理室１２内のキセノンガス（発光
ガス）の圧力を低圧状態から次第に高くして行くと、被
処理物１５に対する電子線量は、曲線Ａで示すように、
０．５３ｋＰａを超えると次第に減少していき、１０ｋ
Ｐａ付近に達すると急激に減少し、そして４６ｋＰａで
実質上零となるのに対し、被処理物１５に対する紫外線
量は、曲線Ｂで示すように、０．５３ｋＰａを超えると
大きく増加して行く。これは、キセノンガスによって電
子線が吸収されて紫外線が放出されるからである。そし
て、処理室１２内のキセノンガスの圧力が４６ｋＰａを
超えると、紫外線のみが照射される。ここに、紫外線量
および電子線量は、それぞれピーク値に対する相対値で
示されている。
内のキセノンガス（発光ガス）が低圧状態、例えば０．
５３ｋＰａ以下では、電子線のみが照射され、紫外線の
照射量は実質上零であるが、電子ビーム管２０を作動さ
せたままの状態で、処理室１２内のキセノンガス（発光
ガス）の圧力を低圧状態から次第に高くして行くと、被
処理物１５に対する電子線量は、曲線Ａで示すように、
０．５３ｋＰａを超えると次第に減少していき、１０ｋ
Ｐａ付近に達すると急激に減少し、そして４６ｋＰａで
実質上零となるのに対し、被処理物１５に対する紫外線
量は、曲線Ｂで示すように、０．５３ｋＰａを超えると
大きく増加して行く。これは、キセノンガスによって電
子線が吸収されて紫外線が放出されるからである。そし
て、処理室１２内のキセノンガスの圧力が４６ｋＰａを
超えると、紫外線のみが照射される。ここに、紫外線量
および電子線量は、それぞれピーク値に対する相対値で
示されている。
【００３５】また、図３は、発光ガスとしてアルゴンガ
スを用いた場合における図２と同様の曲線図であり、こ
の場合には、処理室１２内のアルゴンガスの圧力が例え
ば１〜８０ｋＰａにおいて、電子線および紫外線の両方
が得られる圧力状態となる。
スを用いた場合における図２と同様の曲線図であり、こ
の場合には、処理室１２内のアルゴンガスの圧力が例え
ば１〜８０ｋＰａにおいて、電子線および紫外線の両方
が得られる圧力状態となる。
【００３６】以上のように、処理室１２内の発光ガスの
圧力を調整することにより、電子線および紫外線のいず
れか一方が得られる圧力状態、または電子線および紫外
線の両方が得られる圧力状態を実現することができる。
従って、処理室１２内を電子線および紫外線の両方が得
られる圧力状態を形成することによって、被処理物１５
について、電子線による電子線処理と紫外線による紫外
線処理とを同時に行うことができ、同時処理が行われ
る。
圧力を調整することにより、電子線および紫外線のいず
れか一方が得られる圧力状態、または電子線および紫外
線の両方が得られる圧力状態を実現することができる。
従って、処理室１２内を電子線および紫外線の両方が得
られる圧力状態を形成することによって、被処理物１５
について、電子線による電子線処理と紫外線による紫外
線処理とを同時に行うことができ、同時処理が行われ
る。
【００３７】例えば、電子ビーム管２０の出射窓２４と
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、発光ガスをキセ
ノンガス、処理室１２内の圧力を１３．３ｋＰａ、電子
ビーム管２０の加速電圧を５０ｋＶとした条件におい
て、被処理物１５に対する単位時間当たりの電子線照射
量を５μＣ／（ｃｍ2 ・ｓｅｃ）、単位時間当たりの紫
外線照射量を５μＷ／（ｃｍ2 ・ｓｅｃ）とすることが
でき、例えば直径１５０ｍｍである円板状のシリコンウ
エハ上の厚み１０μｍのレジスト膜について、１６００
ｓｅｃの処理時間で紫外線処理と電子線処理とが同時に
行われる同時処理を行うことができる。
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、発光ガスをキセ
ノンガス、処理室１２内の圧力を１３．３ｋＰａ、電子
ビーム管２０の加速電圧を５０ｋＶとした条件におい
て、被処理物１５に対する単位時間当たりの電子線照射
量を５μＣ／（ｃｍ2 ・ｓｅｃ）、単位時間当たりの紫
外線照射量を５μＷ／（ｃｍ2 ・ｓｅｃ）とすることが
でき、例えば直径１５０ｍｍである円板状のシリコンウ
エハ上の厚み１０μｍのレジスト膜について、１６００
ｓｅｃの処理時間で紫外線処理と電子線処理とが同時に
行われる同時処理を行うことができる。
【００３８】このような処理方法によれば、同一の処理
室１２で、紫外線処理によって被処理物１５の表層部分
を処理することができると共に、電子線は、被処理物１
５の内部に侵入するので、大きな処理深さで被処理物１
５を処理することができ、従って、所定の処理を高い処
理効率で行うことができる。
室１２で、紫外線処理によって被処理物１５の表層部分
を処理することができると共に、電子線は、被処理物１
５の内部に侵入するので、大きな処理深さで被処理物１
５を処理することができ、従って、所定の処理を高い処
理効率で行うことができる。
【００３９】また、処理室１２内の紫外線量および電子
線量を検知手段１９により測定することにより、例えば
電子線の強さ、ガスの圧力を調整して処理室１２内の紫
外線量および電子線量を正確に制御することができ、従
って、紫外線処理および電子線処理の程度を調整するこ
とができる。
線量を検知手段１９により測定することにより、例えば
電子線の強さ、ガスの圧力を調整して処理室１２内の紫
外線量および電子線量を正確に制御することができ、従
って、紫外線処理および電子線処理の程度を調整するこ
とができる。
【００４０】また、発光ガスに代えてプロセスガスを用
いた場合にも、同様にして、被処理物１５について、特
定処理と電子線処理と同時に行う同時処理が行われる。
いた場合にも、同様にして、被処理物１５について、特
定処理と電子線処理と同時に行う同時処理が行われる。
【００４１】（６）異なる処理の連続処理 上記（１）〜（５）の処理は、被処理物１５を移動させ
ることなしに、共通の処理室１２で連続して行うことが
できる。以下に、例えば電子線処理による１次処理を行
った後、紫外線処理および特定処理の並行処理による２
次処理を連続して行う場合について説明する。
ることなしに、共通の処理室１２で連続して行うことが
できる。以下に、例えば電子線処理による１次処理を行
った後、紫外線処理および特定処理の並行処理による２
次処理を連続して行う場合について説明する。
【００４２】減圧手段を作動させて処理室１２内を一定
の減圧状態とし、この状態で電子ビーム管２０を作動さ
せることにより、電子ビーム管２０よりの電子線が飛翔
して被処理物１５に照射され、これにより、被処理物１
５について電子線処理による１次処理が行われる。その
後、発光ガス供給機構により発光ガスの供給を開始する
と共に、プロセスガス供給機構によりプロセスガスの供
給を開始して処理室１２を一定の圧力のガス雰囲気と
し、この状態で電子ビーム管２０を作動させると、電子
ビーム管２０よりの電子線の一部を受けた発光ガスが励
起して紫外線を放出すると共に、電子線の他の一部を受
けたプロセスガスが活性化または分解されて活性種を生
成するので、被処理物１５について、紫外線による紫外
線処理と活性種による特定処理とを同時に行う並行処理
が行われる。
の減圧状態とし、この状態で電子ビーム管２０を作動さ
せることにより、電子ビーム管２０よりの電子線が飛翔
して被処理物１５に照射され、これにより、被処理物１
５について電子線処理による１次処理が行われる。その
後、発光ガス供給機構により発光ガスの供給を開始する
と共に、プロセスガス供給機構によりプロセスガスの供
給を開始して処理室１２を一定の圧力のガス雰囲気と
し、この状態で電子ビーム管２０を作動させると、電子
ビーム管２０よりの電子線の一部を受けた発光ガスが励
起して紫外線を放出すると共に、電子線の他の一部を受
けたプロセスガスが活性化または分解されて活性種を生
成するので、被処理物１５について、紫外線による紫外
線処理と活性種による特定処理とを同時に行う並行処理
が行われる。
【００４３】具体的には、例えば、発光ガスとしてアル
ゴンガス、プロセスガスとして酸素ガスを用いた場合に
は、アルゴンガスより放出される紫外線の一部によって
紫外線処理が行われると共に、紫外線の他の一部が酸素
ガスの一部と反応してオゾンを生成するので、このオゾ
ンにより洗浄処理（特定処理）が行われる。一方、酸素
ガスの他の一部は、電子線を受けてオゾンを生成するの
で、このオゾンによっても被処理物１５について洗浄処
理（特定処理）が行われる。
ゴンガス、プロセスガスとして酸素ガスを用いた場合に
は、アルゴンガスより放出される紫外線の一部によって
紫外線処理が行われると共に、紫外線の他の一部が酸素
ガスの一部と反応してオゾンを生成するので、このオゾ
ンにより洗浄処理（特定処理）が行われる。一方、酸素
ガスの他の一部は、電子線を受けてオゾンを生成するの
で、このオゾンによっても被処理物１５について洗浄処
理（特定処理）が行われる。
【００４４】例えば、電子ビーム管２０の出射窓２４と
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、電子ビーム管２
０の加速電圧を５０ｋＶとした状態で、１次処理におけ
る処理室１２内の圧力を１３．３Ｐａとし、２次処理に
おけるアルゴンガスの圧力を５３．２ｋＰａ、酸素ガス
の圧力を１３３Ｐａとすることにより、例えば直径１５
０ｍｍである円板状のシリコンウエハ上の厚み１０μｍ
の膜について、電子線処理による１次処理と、紫外線処
理および洗浄処理（特定処理）の並行処理による２次処
理とを連続して行うことができる。
被処理物１５との離間距離を６０ｍｍ、電子ビーム管２
０の加速電圧を５０ｋＶとした状態で、１次処理におけ
る処理室１２内の圧力を１３．３Ｐａとし、２次処理に
おけるアルゴンガスの圧力を５３．２ｋＰａ、酸素ガス
の圧力を１３３Ｐａとすることにより、例えば直径１５
０ｍｍである円板状のシリコンウエハ上の厚み１０μｍ
の膜について、電子線処理による１次処理と、紫外線処
理および洗浄処理（特定処理）の並行処理による２次処
理とを連続して行うことができる。
【００４５】このような処理方法によれば、電子線処理
による１次処理によって、大きな処理深さで被処理物１
５の処理を行うことができると共に、同一の処理室１２
で、オゾン処理および紫外線処理による２次処理を連続
して行うことができ、従って、被処理物１５を移動させ
る必要がなく、所定の処理を高い処理効率で行うことが
できる。
による１次処理によって、大きな処理深さで被処理物１
５の処理を行うことができると共に、同一の処理室１２
で、オゾン処理および紫外線処理による２次処理を連続
して行うことができ、従って、被処理物１５を移動させ
る必要がなく、所定の処理を高い処理効率で行うことが
できる。
【００４６】被処理物１５について連続処理を行う場合
においては、処理の種類（組み合わせ）、処理の数、お
よび処理の順序は、特に制限されるものではなく、適宜
に選択することができる。
においては、処理の種類（組み合わせ）、処理の数、お
よび処理の順序は、特に制限されるものではなく、適宜
に選択することができる。
【００４７】以上のように、上記のような処理装置１０
によれば、電子ビーム管２０、発光ガス供給機構、プロ
セスガス供給機構および減圧機構を備えているので、被
処理物１５を移動させることなしに同一の処理室１２で
複数の処理を行うことができる。すなわち、発光ガス供
給機構、プロセスガス供給機構および減圧機構により処
理室１２内の圧力を調整することにより、所望の圧力状
態、例えば電子線および紫外線のいずれか一方が得られ
る圧力状態または電子線および紫外線の両方が得られる
圧力状態を得ることができるので、電子線処理、紫外線
処理およびプロセスガスによる特定処理を各々個別にあ
るいは同時に実施することができる。
によれば、電子ビーム管２０、発光ガス供給機構、プロ
セスガス供給機構および減圧機構を備えているので、被
処理物１５を移動させることなしに同一の処理室１２で
複数の処理を行うことができる。すなわち、発光ガス供
給機構、プロセスガス供給機構および減圧機構により処
理室１２内の圧力を調整することにより、所望の圧力状
態、例えば電子線および紫外線のいずれか一方が得られ
る圧力状態または電子線および紫外線の両方が得られる
圧力状態を得ることができるので、電子線処理、紫外線
処理およびプロセスガスによる特定処理を各々個別にあ
るいは同時に実施することができる。
【００４８】以上、本発明の具体的な実施例について説
明したが、本発明は上記の例に限定されるものではな
く、各部の具体的構成については種々の変更を加えるこ
とが可能である。 （１）被処理物を支持する支持部材は、被処理物に応じ
て適宜の構成とすることができ、更に、回転機構、加熱
機構、または昇降機構などが設けられていてもよい。ま
た、処理室自体を加熱する加熱機構を設けることもでき
る。 （２）電子線源は、電子線を放出するものであれば、電
子ビーム管に限定されるものではない。 （３）紫外線量検知手段および電子線量検知手段が共に
設けられている必要はなく、被処理物に対して行われる
処理によっては、いずれか一方の検知手段のみが設けら
れた構成であってもよい。
明したが、本発明は上記の例に限定されるものではな
く、各部の具体的構成については種々の変更を加えるこ
とが可能である。 （１）被処理物を支持する支持部材は、被処理物に応じ
て適宜の構成とすることができ、更に、回転機構、加熱
機構、または昇降機構などが設けられていてもよい。ま
た、処理室自体を加熱する加熱機構を設けることもでき
る。 （２）電子線源は、電子線を放出するものであれば、電
子ビーム管に限定されるものではない。 （３）紫外線量検知手段および電子線量検知手段が共に
設けられている必要はなく、被処理物に対して行われる
処理によっては、いずれか一方の検知手段のみが設けら
れた構成であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】本発明の処理装置によれば、処理室に供
給された発光ガスが電子線を受けて紫外線を放出し、当
該紫外線が処理室に配置された被処理物に直接的に照射
されるので、目的とする紫外線処理を高い効率で実施す
ることができる。
給された発光ガスが電子線を受けて紫外線を放出し、当
該紫外線が処理室に配置された被処理物に直接的に照射
されるので、目的とする紫外線処理を高い効率で実施す
ることができる。
【００５０】処理室に減圧機構が設けられている構成で
は、処理室を減圧状態にすることにより、電子線源から
放出される電子線を十分に飛翔させることができるの
で、被処理物の電子線処理を高い効率で実施することが
できる。また、減圧機構などにより処理室の圧力を調整
することにより、電子線量および紫外線量を調整するこ
とができるので、同一の処理室において、被処理物を移
動させることなしに、紫外線処理と電子線処理とを同時
にまたは連続して行うことができる。
は、処理室を減圧状態にすることにより、電子線源から
放出される電子線を十分に飛翔させることができるの
で、被処理物の電子線処理を高い効率で実施することが
できる。また、減圧機構などにより処理室の圧力を調整
することにより、電子線量および紫外線量を調整するこ
とができるので、同一の処理室において、被処理物を移
動させることなしに、紫外線処理と電子線処理とを同時
にまたは連続して行うことができる。
【００５１】また、処理室の紫外線量および／または電
子線量を検出する検出手段が設けられた構成では、処理
室の紫外線量および／または電子線量を測定することに
よって、処理室の圧力および／または電子線源への供給
電流を制御することができ、これにより、目的とする処
理を確実に行うことができる。
子線量を検出する検出手段が設けられた構成では、処理
室の紫外線量および／または電子線量を測定することに
よって、処理室の圧力および／または電子線源への供給
電流を制御することができ、これにより、目的とする処
理を確実に行うことができる。
【００５２】本発明の処理方法によれば、上記の処理装
置を用いることにより、被処理物について、電子線処
理、紫外線処理およびプロセスガスによる特定処理を各
々個別にあるいは同時に、しかも高い効率で実施するこ
とができる。また、被処理物に対して複数の種類の処理
を行う場合には、被処理物を移動させることなしに、そ
れぞれの処理を同時にまたは連続して行うことができる
ので、処理時間を短縮することができる上、有利な処理
結果を得ることができる。
置を用いることにより、被処理物について、電子線処
理、紫外線処理およびプロセスガスによる特定処理を各
々個別にあるいは同時に、しかも高い効率で実施するこ
とができる。また、被処理物に対して複数の種類の処理
を行う場合には、被処理物を移動させることなしに、そ
れぞれの処理を同時にまたは連続して行うことができる
ので、処理時間を短縮することができる上、有利な処理
結果を得ることができる。
【図１】本発明の処理装置の構成の一例を示す説明用断
面図である。
面図である。
【図２】発光ガスとしてキセノンガスを用いた場合にお
ける、処理室の圧力と、処理室の電子線量および紫外線
量の関係を示す特性曲線図である。
ける、処理室の圧力と、処理室の電子線量および紫外線
量の関係を示す特性曲線図である。
【図３】発光ガスとしてアルゴンガスを用いた場合にお
ける、処理室の圧力と、処理室の電子線量および紫外線
量の関係を示す特性曲線図である。
ける、処理室の圧力と、処理室の電子線量および紫外線
量の関係を示す特性曲線図である。
１０ 処理装置 １１ 試料台（支持部材） １２ 処理室 １２１、１２２ 側壁 １５ 被処理物 １６１ 発光ガス供給口 １６２ 発光ガス供給路 １６３ 流量調整機構 １７１ プロセスガス供給口 １７２ プロセスガス供給路 １７３ 流量調整機構 １８１ 排気口 １８２ 排気路 １８３ 減圧調整機構 １９１ 電子線量検知手段 １９２ 紫外線量検知手段 ２０ 電子ビーム管 ２１ 真空容器 ２２ 蓋部材 ２４ 電子ビーム出射窓 ２５ 電子ビーム発生器 ３０ 制御手段
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA22 BA01 BA02 BC04 BC06 CA33 CA39 CA62 CA63 CA65 EA01 EB31 5F004 AA14 BB01 BB02 BC02 BD04 CB05 CB09 DA00 DA01 DA05 DA14 DA16 DA22 DA23 DA26 DB01 DB26 DB27 5F045 AA11 AA14 AB33 AC05 AC12 AC16 AC17 HA22 HA23
Claims (10)
- 【請求項１】 被処理物を支持する支持部材が設けられ
た処理室と、当該処理室に設けられた、前記支持部材に
よって支持された被処理物に向かって電子線を放出する
電子線源と、前記処理室に設けられた、電子線を受けて
紫外線を放出する発光ガスを供給する発光ガス供給機構
とを備えてなることを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 発光ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、クリプトン、キセノンおよび窒素ガスの中から選ば
れた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に
記載の処理装置。 - 【請求項３】 処理室に、当該処理室を減圧する減圧機
構が設けられていることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 処理室内の紫外線量および／または電子
線量を検出する検出手段が設けられていることを特徴と
する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の処理装
置。 - 【請求項５】 処理室に、プロセスガスを供給するプロ
セスガス供給機構が設けられていることを特徴とする請
求項１乃至請求項４のいずれかに記載の処理装置。 - 【請求項６】 プロセスガスは、洗浄用ガス、エッチン
グ用ガスまたは成膜用ガスから選ばれた１種であること
を特徴とする請求項５に記載の処理装置。 - 【請求項７】 電子線源が設けられた処理室を備えた処
理装置を用い、 被処理物が配置された処理室に発光ガスを供給し、電子
線源よりの電子線を受けた発光ガスより紫外線を発生さ
せ、当該紫外線により前記被処理物の紫外線処理を行う
ことを特徴とする処理方法。 - 【請求項８】 電子線源が設けられた処理室を備えた処
理装置を用い、 被処理物が配置された処理室にプロセスガスを供給し、
電子線源よりの電子線を受けたプロセスガスにより、前
記被処理物の特定処理を行うことを特徴とする処理方
法。 - 【請求項９】 電子線源が設けられた処理室を備えた処
理装置を用い、 被処理物が配置された処理室に発光ガスおよびプロセス
ガスを供給し、電子線源よりの電子線を受けた発光ガス
より発生する紫外線による前記被処理物の紫外線処理
と、電子線源よりの電子線を受けたプロセスガスによる
前記被処理物の特定処理とを同時に行うことを特徴とす
る処理方法。 - 【請求項１０】 電子線源が設けられた処理室を備えた
処理装置を用い、 電子線源を作動させると共に、被処理物が配置された処
理室に発光ガスおよび／またはプロセスガスを供給し、
処理室の圧力を調整することにより、前記被処理物の電
子線処理と、電子線源よりの電子線を受けた発光ガスよ
り発生する紫外線による前記被処理物の紫外線処理およ
び／または電子線源よりの電子線を受けたプロセスガス
による前記被処理物の特定処理とを同時に行うことを特
徴とする処理方法。
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