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JP2002076440A - 発光装置及び光空間伝送装置 - Google Patents

発光装置及び光空間伝送装置

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Publication number
JP2002076440A
JP2002076440A JP2000257746A JP2000257746A JP2002076440A JP 2002076440 A JP2002076440 A JP 2002076440A JP 2000257746 A JP2000257746 A JP 2000257746A JP 2000257746 A JP2000257746 A JP 2000257746A JP 2002076440 A JP2002076440 A JP 2002076440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting device
diffusion sheet
emitted
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000257746A
Other languages
English (en)
Inventor
Kichiko Yana
吉鎬 梁
Kazuhisa Ishii
和久 石井
Takeshi Maruyama
剛 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2000257746A priority Critical patent/JP2002076440A/ja
Priority to US09/938,324 priority patent/US6520670B2/en
Publication of JP2002076440A publication Critical patent/JP2002076440A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/882Scattering means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00Illumination
    • Y10S362/80Light emitting diode

Landscapes

  • Optical Communication System (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 スーパールミネッセント光を利用して光空間
伝送を行う際に、空間内の予期せぬ一点に大きなパワー
が集中しないようにするため、比較的大きな発光スポッ
トを有する発光装置を提供する。 【解決手段】 光拡散シート3が、スーパールミネッセ
ント光を放射する発光素子6から放射された光線束を第
1の面に受けて散乱もしくは回折させ、反対側の第2の
面から散乱もしくは回折された光を放射する。配光手段
が、光拡散シートの第2の面から放射された光をある方
向に配光させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置及び光空
間伝送装置に関し、特に空間に光を放射する発光装置及
びそれを用いた光空間伝送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】スーパールミネッセントダイオード(S
LD)が、半導体光増幅器や光ファイバジャイロ用光源
として研究されてきた。SLDからの出力光は、コヒー
レンス性が低い。SLDの動作は、レーザ発振を抑制す
ることを前提としているが、SL光は、光利得を有する
導波路を経て出射するため、高速変調を行うことが可能
である。このため、SLDは、高速の光空間伝送用素子
として注目されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】SLDの発光スポット
(ニアフィールドパターン)は非常に小さい。このた
め、SLDから放射されたスーパールミネッセント光
(SL光)を凸レンズ等で収束させると、SL光が微少
な領域に集中する。これにより、SL光が集光されてい
る領域におけるパワー密度が大きくなる。SL光を利用
して光空間伝送を行う際に、空間内の予期せぬある一点
に大きなパワーが集中することは好ましいことではな
い。
【0004】本発明の目的は、比較的大きな発光スポッ
トを有する発光装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、発光素子と、前記発光素子から放射された光線束を
第1の面に受けて散乱もしくは回折させ、反対側の第2
の面から散乱もしくは回折された光を放射する光拡散シ
ートと、前記光拡散シートの前記第2の面から放射され
た光をある方向に配光させる配光手段とを有する発光装
置が提供される。
【0006】本発明の他の観点によると、上記発光装置
と、前記発光装置の配向手段により配光された光を受光
する受光素子とを有する光通信装置が提供される。
【0007】光拡散シートにより、発光装置の発光スポ
ットを大きくすることができる。これにより、予期せぬ
微少な領域に大きな光パワーが集中することを防止する
ことができる。
【0008】
【発明の実施の形態】図1に、本発明の実施例による発
光装置の断面図を示す。直径9mmの円盤状のステム1
の一方の面(前面)上に、前面に対して垂直な取付面を
有する取付金具2が取り付けられている。ステム1の前
面に平行な面をXY面とし、取付金具2の取付面に平行
な面をZX面とするXYZ直交座標系を考える。なお、
ステム1の前面の法線ベクトルの向きをZ軸の正の方向
とする。取付金具2の取付面上にSLD6が取り付けら
れている。SLD6の活性層の厚さ方向がY軸に平行に
なる。ステム1の背面から外部に延びるリード線10を
介して、SLD6に電流が供給される。SLD6は、そ
の出射端面からステム1の前面の法線方向(Z軸の正の
方向)に、赤外領域の波長を有するSL光20を放射す
る。
【0009】光拡散シート3が、SL光20の光路内
に、SL光20の光軸(Z軸)に対して垂直に配置され
ている。SL光20が、光拡散シート3の第1の面3A
に入射する。光拡散シート3は、その第1の面3Aに入
射したSL光20を散乱させ、反対側の第2の面3Bか
ら散乱光21を放射する。なお、光拡散シート3とし
て、入射した光を回折させる回折格子シートを用いても
よい。
【0010】取付金具2、SLD6、及び光拡散シート
3は、モールド部材5でモールドされている。モールド
部材5は、例えばエポキシ樹脂で形成される。
【0011】モールド部材5の表面のうち、光拡散シー
ト3の第2の面3Bから放射された散乱光21の到達す
る領域7が、半径2.5mmの半球面とされている。半
球面の領域7は、散乱光21を、発光装置の正面(Z軸
の正の方向)に配光させる。なお、領域7は必ずしも半
球面状である必要はない。外側に向かって凸の面であれ
ば、散乱光21を発光装置の正面に優先的に配光させる
ことが可能である。
【0012】次に、図1に示した発光装置の製造方法に
ついて説明する。まず、モールド部材5の表面を画定す
る型枠を準備する。この型枠の先端部にエポキシ樹脂を
充填し硬化させる。これにより、半球面状の領域7を画
定する半球部分と、その底面に連続する円柱状部分とか
らなる先端部5bが形成される。先端部5bを型枠内に
入れた状態で先端部5bの底面を上方に向け、その上に
光拡散シート3を載置する。
【0013】型枠内にエポキシ樹脂を充填し、ステム1
に取り付けられた取付金具2を、型枠内に挿入する。な
お、SLD6は、既に取付金具2に取り付けられてい
る。この状態でエポキシ樹脂を硬化させる。型枠を取り
外すことにより、図1に示した発光装置が得られる。
【0014】次に、図2を参照して、上記実施例による
発光装置の発光スポット(ニアフィールドパターン)に
ついて説明する。
【0015】図2(B)に示すように、光拡散シート3
の第1の面3A上におけるSL光20のビームスポット
のX軸方向の長さをdx、Y軸方向の長さをdyとす
る。SLD6の出射端面から光拡散シート3までの距離
をd2とする。
【0016】図2(A)に、距離d2を変えたときの、
ビームスポットの大きさと光パワー密度の変化を示す。
横軸は距離d2を単位「mm」で表し、左縦軸はビーム
スポットの大きさを単位「mm」で表し、右縦軸は光パ
ワー密度の低下率を単位「dB」で表す。図中の四角記
号及び丸記号が、それぞれビームスポットの大きさdx
及びdyを示す。また、菱形記号が、光パワー密度の低
下率を示す。
【0017】距離d2を長くすると、ビームスポットが
大きくなることがわかる。例えば、距離d2を2mmと
すると、ビームスポットは、0.3mm×1.7mmの
長円状になる。ビームスポットが大きくなるに従って、
光パワー密度が低下していることがわかる。このビーム
スポットが、図1に示した発光装置の発光スポットとな
る。これに対し、SLD6の発光スポットサイズは、1
μm×3μm程度である。このように、光拡散シート3
を配置することにより、発光スポットを大きくすること
ができる。この発光装置から放射されたビームを収束さ
せても、発光スポットの大きさ以下の領域に集光するこ
とはできない。このため、発光装置から放射されたSL
光により、予期せぬ微少な領域に高いパワーが集中する
ことを防止することができる。
【0018】次に、図3を参照して、実施例による発光
装置の配光特性(ファーフィールドパターン)について
説明する。図1に示したように、光拡散シート3の第2
の面3Bから半球面状の領域7の先端までの距離をd1
とする。
【0019】図3は、距離d1を変えたときの、半値全
幅角及び光パワー比の変化を示す。半値全幅角とは、パ
ワー密度がその最大値の1/2になるような2方向のビ
ームの広がり角を意味する。図中の四角記号及び丸記号
は、それぞれYZ面内及びZX面内における半値全幅角
を示す。光パワー比とは、SLD6から放射されたSL
光のパワーをP0とし、図1に示したモールド部材7か
ら外に放射される光のパワーをP1としたとき、P1/P
0を意味する。図中の三角記号が光パワー比P1/P0
示す。
【0020】図3の横軸は距離d1を単位「mm」で表
し、左縦軸は半値全幅角を単位「度」で表し、右縦軸は
光パワー比を単位「%」で表す。距離d1を長くする
と、半値全幅角が小さくなっていることがわかる。すな
わち、距離d1を変えることにより、配光特性を制御す
ることが可能である。
【0021】また、SLD6から放射されたSL光20
を光拡散シート3で散乱させ、SLD6及び光拡散シー
ト3をモールド部材5でモールドしても、ほぼ70%以
上の光パワー比を確保することができる。モールド部材
中に光を散乱させる微粒子を分散させると、光パワーが
大きく低下してしまうが、光拡散シート3を用いること
により光パワーの低下を抑制することができる。
【0022】上記実施例による発光装置から放射された
光の伝搬する空間内に受光装置を配置することにより、
光空間伝送を行うことができる。
【0023】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
発光装置の発光スポットを大きくすることができる。こ
れにより、予期せぬ微少な領域に大きな光パワーが集中
することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による発光装置の側面図であ
る。
【図2】出射端面と光拡散シートとの距離を変えたとき
の、スポットサイズ及び光パワー密度低下率の変動を示
すグラフ、及びビームスポットサイズの定義を説明する
ための斜視図である。
【図3】光拡散シートとモールド部材先端との距離を変
えたときの、出射光の半値全幅角及び光パワー比の変動
を示すグラフである。
【符号の説明】
1 ステム 2 取付金具 3 光拡散シート 5 モールド部材 6 SLD 7 半球面状領域 10 リード線 20 SL光 21 散乱光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 剛 神奈川県横浜市青葉区荏田西1−3−1 スタンレー電気株式会社技術研究所内 Fターム(参考) 5F041 AA07 AA13 EE16 EE25 FF14

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子と、 前記発光素子から放射された光線束を第1の面に受けて
    散乱もしくは回折させ、反対側の第2の面から散乱もし
    くは回折された光を放射する光拡散シートと、 前記光拡散シートの前記第2の面から放射された光をあ
    る方向に配光させる配光手段とを有する発光装置。
  2. 【請求項2】 さらに、前記発光素子及び光拡散シート
    が埋め込まれたモール部材を有し、該モールド部材の表
    面のうち、前記光拡散シートの第2の面から放射された
    光の到達する領域が凸面とされ、該凸面が前記配向手段
    を兼ねる請求項1に記載の発光装置。
  3. 【請求項3】 前記発光素子が、スーパールミネッセン
    ト光を放射する請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載された発
    光装置と、 前記発光装置の配向手段により配光された光を受光する
    受光素子とを有する光空間伝送装置。
JP2000257746A 2000-08-28 2000-08-28 発光装置及び光空間伝送装置 Pending JP2002076440A (ja)

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