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JP2002074770A - Information recording medium manufacturing method, substrate holder structure, and film forming apparatus - Google Patents

Information recording medium manufacturing method, substrate holder structure, and film forming apparatus

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Publication number
JP2002074770A
JP2002074770A JP2000267043A JP2000267043A JP2002074770A JP 2002074770 A JP2002074770 A JP 2002074770A JP 2000267043 A JP2000267043 A JP 2000267043A JP 2000267043 A JP2000267043 A JP 2000267043A JP 2002074770 A JP2002074770 A JP 2002074770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holder
sheet
recording medium
information recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000267043A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Ebashi
克巳 江橋
Atsushi Mikoshi
敦 見越
Masao Komatsu
昌生 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2000267043A priority Critical patent/JP2002074770A/en
Publication of JP2002074770A publication Critical patent/JP2002074770A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造
並びに成膜装置に関し、スパッタリングによる成膜時の
基板の温度上昇を抑制し、反りや歪みの少ない情報記録
媒体を製造できるようにする。 【解決手段】 基板1を保持するための保持面2Aを有
する金属又は合金からなるホルダ2に基板1を装着して
スパッタリングを行なうにあたり、予め基板1と保持面
2Aとの間に絶縁性を有するシート10を介装する。
(57) Abstract: A method of manufacturing an information recording medium, a substrate holder structure, and a film forming apparatus, which can suppress an increase in the temperature of a substrate during film formation by sputtering and can manufacture an information recording medium with less warpage and distortion. To do. SOLUTION: In mounting a substrate 1 on a holder 2 made of a metal or an alloy having a holding surface 2A for holding the substrate 1 and performing sputtering, the substrate 1 has an insulating property between the substrate 1 and the holding surface 2A in advance. The seat 10 is interposed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体の製
造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜装置に関し、特
に、光ディスクや光磁気ディスク等のスパッタリングに
より少なくとも一層以上の膜を基板上に成膜していくこ
とにより製造する情報記録媒体の製造に用いて好適の、
情報記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an information recording medium, a substrate holder structure, and a film forming apparatus, and more particularly, to forming at least one film on a substrate by sputtering an optical disk or a magneto-optical disk. Suitable for use in the manufacture of information recording media manufactured by
The present invention relates to a method for manufacturing an information recording medium, a substrate holder structure, and a film forming apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】大容量,高密度情報記録媒体として、光
ディスクや光磁気ディスク(以下、光ディスク等とい
う)が広く用いられている。これら光ディスク等の製造
方法としては、ホルダに固定された基板上にスパッタリ
ングにより記録膜,保護膜等の複数の膜を成膜していく
方法が一般的である。
2. Description of the Related Art Optical disks and magneto-optical disks (hereinafter referred to as optical disks) are widely used as large-capacity, high-density information recording media. As a method of manufacturing these optical disks and the like, a method of forming a plurality of films such as a recording film and a protective film by sputtering on a substrate fixed to a holder is generally used.

【0003】近年、これら光ディスク等においては、基
板の薄板化が進んでいる。例えば、かつてはCD(Comp
act Disk)用の1.2mm厚の基板が主流であったが、
現在では1.0mm以下、更には0.6mm厚の基板も
実用化されている。また、製造の面においては、スパッ
タリング時間を短縮することによって、短タクト化によ
る生産効率の向上が図られている。
In recent years, the substrates of these optical disks and the like have been made thinner. For example, once CD (Comp
The mainstream was a 1.2mm thick substrate for act disks).
At present, substrates having a thickness of 1.0 mm or less, and even a thickness of 0.6 mm, have been put to practical use. Further, in terms of manufacturing, shortening the sputtering time improves the production efficiency by shortening the tact time.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】基板の薄板化は光ディ
スク等の更なる大容量,高密度化に不可欠であり、ま
た、生産効率の向上は今後の光ディスク等に対するニー
ズに応えるために不可欠である。しかしながら、基板の
厚さを薄くすると、熱容量が小さくなるために成膜時に
高温になりやすく、基板に生じる反りや歪みは肉厚の基
板に比較して大きくなってしまう。また、スパッタリン
グ時間の短縮は、スパッタパワーを上昇させることで実
現されるが、スパッタパワーを上昇させると成膜時の基
板表面温度の上昇を招くため、基板に生じる反りや歪み
はより大きくなってしまう。基板の反りや歪みは光ディ
スク等の品質自体を低下させてしまうことから、基板の
薄板化とスパッタパワーの上昇による生産効率の向上と
を図りながらも基板の反りや歪みは可能な限り抑制する
ことが要求される。
The thinning of the substrate is indispensable for further increasing the capacity and the density of an optical disk or the like, and the improvement of the production efficiency is indispensable for meeting the needs for an optical disk or the like in the future. . However, when the thickness of the substrate is reduced, the heat capacity is reduced, so that the substrate tends to be heated to a high temperature at the time of film formation, and the warpage and distortion generated in the substrate are increased as compared with a thick substrate. Further, the shortening of the sputtering time is realized by increasing the sputter power. However, since increasing the sputter power causes an increase in the substrate surface temperature at the time of film formation, the warpage and distortion generated on the substrate become larger. I will. Since the warpage and distortion of the substrate degrade the quality of the optical disk and the like, the warpage and distortion of the substrate should be suppressed as much as possible while reducing the thickness of the substrate and improving the production efficiency by increasing the sputtering power. Is required.

【0005】このような要求に対し、例えば、特開平1
1−265529号公報に開示されたような技術(以
下、先行技術という)が提案されている。先行技術で
は、ホルダと基板との間に熱容量の大きい(2.3ca
l/℃以上)スペーサを介在させることにより、基板の
熱をスペーサに吸収して成膜時の基板の温度を下げ、こ
れにより基板の反りや歪みを抑制しようとしている。
In response to such a demand, for example, Japanese Patent Laid-Open
A technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-265529 (hereinafter referred to as prior art) has been proposed. In the prior art, a large heat capacity (2.3 ca) is provided between the holder and the substrate.
By interposing a spacer, the heat of the substrate is absorbed by the spacer to lower the temperature of the substrate at the time of film formation, thereby suppressing the warpage and distortion of the substrate.

【0006】先行技術のように熱容量の大きいスペーサ
に基板の裏面を接触させることで、確かに、スパッタリ
ングにより基板に加えられた熱をスペーサに吸収するこ
とは可能である。しかしながら、基板の熱を効率良く吸
収して基板の温度の上昇を抑制するには、スペーサの熱
容量だけではなく、スペーサの熱伝導率も重要な要素に
なる。つまり、熱容量が大きくても熱伝導率が小さけれ
ば効率良く基板の熱を吸収して金属又は合金からなるホ
ルダにその熱を速やかに逃がすことができない。特に、
スパッタパワーを上昇させてスパッタリング時間の短縮
化を図っている今日では、短時間で多量の熱が基板に加
わることになるため、基板から如何に速やかに熱を取り
除き、ホルダに逃がすかが重要になっている。
By bringing the back surface of the substrate into contact with a spacer having a large heat capacity as in the prior art, it is possible to absorb the heat applied to the substrate by sputtering. However, in order to efficiently absorb the heat of the substrate and suppress a rise in the temperature of the substrate, not only the heat capacity of the spacer but also the thermal conductivity of the spacer are important factors. In other words, even if the heat capacity is large, if the thermal conductivity is small, the heat of the substrate cannot be efficiently absorbed and the heat cannot be quickly dissipated to the holder made of metal or alloy. In particular,
Nowadays, a large amount of heat is applied to the substrate in a short period of time by increasing the sputtering power to shorten the sputtering time. Has become.

【0007】この点に関し、先行技術では、スペーサの
材質例としてポリカーボネイトと銅とを挙げているが、
ポリカーボネイトの熱伝導率は銅のような金属に比較し
て極めて低い。このため、スペーサがポリカーボネイト
の場合、スパッタリング時間の短縮により基板とスペー
サとが接触している時間が短くなったときには、十分に
基板の温度を下げることができない虞がある。
In this regard, in the prior art, polycarbonate and copper are cited as examples of the material of the spacer.
Polycarbonate has a much lower thermal conductivity than metals such as copper. For this reason, when the spacer is made of polycarbonate, the temperature of the substrate may not be sufficiently lowered when the time during which the substrate and the spacer are in contact with each other is shortened due to the shortened sputtering time.

【0008】また、スパッタリングでは、ターゲットに
高電圧を印加してプラズマを発生させるが、このとき、
基板と接触する支持部材(ホルダ,スペーサ等)が金属
のような導電性の部材の場合には、ターゲットに発生し
た高電界に向けて支持部材内を電流が流れることにな
る。この支持部材内を流れる電流は、支持部材内にジュ
ール熱を発生させて支持部材の温度を上昇させてしま
う。
[0008] In sputtering, a high voltage is applied to a target to generate plasma.
If the support member (holder, spacer, etc.) that contacts the substrate is a conductive member such as a metal, a current flows in the support member toward a high electric field generated in the target. The current flowing in the support member generates Joule heat in the support member and raises the temperature of the support member.

【0009】例えば、先行技術のようにスペーサを銅の
ような金属で形成した場合にも、スペーサ内には電流が
流れることになる。したがって、仮にスペーサの熱容量
が大きいとしても、発生するジュール熱によりスペーサ
の温度が上昇すれば、基板からスペーサに吸収可能な熱
量は少なくなってしまい、基板の温度の上昇を十分に抑
制することはできなくなってしまう。
For example, even when the spacer is formed of a metal such as copper as in the prior art, a current flows in the spacer. Therefore, even if the heat capacity of the spacer is large, if the temperature of the spacer increases due to the generated Joule heat, the amount of heat that can be absorbed by the spacer from the substrate decreases, and it is difficult to sufficiently suppress the increase in the temperature of the substrate. I can no longer do it.

【0010】以上のように、先行技術は、熱容量の大き
いスペーサに基板の裏面を接触させることで基板の温度
上昇の抑制に対して一定の効果は得ることができるもの
の、スペーサの熱伝導率やスペーサ内で発生するジュー
ル熱を考慮した場合には、必ずしも十分な解決手段であ
るとは言えなかった。また、基板に傷があると基板の反
りや歪みと同じく製品の品質を低下させてしまうが、先
行技術では、基板の裏面に銅のような硬質材質のスペー
サを直接接触させているように、基板の傷対策について
は考慮されていなかった。
As described above, according to the prior art, although a certain effect can be obtained for suppressing the rise in the temperature of the substrate by bringing the back surface of the substrate into contact with the spacer having a large heat capacity, the thermal conductivity and the thermal conductivity of the spacer can be improved. In view of the Joule heat generated in the spacer, it was not necessarily a sufficient solution. Also, if there is a scratch on the board, the quality of the product will deteriorate as well as the warpage and distortion of the board, but in the prior art, as in the case of directly contacting a spacer made of a hard material such as copper on the back surface of the board, No consideration was given to measures for damage to the substrate.

【0011】本発明は、このような課題に鑑み創案され
たもので、スパッタリングによる成膜時の基板の温度上
昇を抑制し、反りや歪みの少ない情報記録媒体を製造で
きるようにした、情報記録媒体の製造方法及び基板ホル
ダ構造並びに成膜装置を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、基板に傷を付けることなく、スパッタリ
ングによる成膜時の基板の温度上昇を抑制し、反りや歪
みの少ない情報記録媒体を製造できるようにした、情報
記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜装置
を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has been made in view of the above circumstances. Thus, an information recording medium capable of suppressing an increase in the temperature of a substrate during film formation by sputtering and producing an information recording medium with less warpage and distortion. It is an object of the present invention to provide a medium manufacturing method, a substrate holder structure, and a film forming apparatus. Further, the present invention, without damaging the substrate, suppresses the temperature rise of the substrate at the time of film formation by sputtering, so that it is possible to manufacture an information recording medium with less warpage and distortion, a method for manufacturing an information recording medium and It is an object to provide a substrate holder structure and a film forming apparatus.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の情報記録媒体の製造方法は、スパッタリン
グにより少なくとも一層以上の膜を基板上に成膜するこ
とによって情報記録媒体を製造する方法であって、該基
板を保持するための保持面を有する金属又は合金からな
るホルダに該基板を装着してスパッタリングを行なうに
あたり、予め該基板と該保持面との間に絶縁性を有する
第一のシートを介装することを特徴としている。ここ
で、該第一のシートが絶縁性を有するとは、該第一のシ
ートの電気抵抗が高いことを意味し、例えば体積抵抗率
が1×1014Ω・m以上であることを意味している。体
積抵抗率の上限は特にないが事実上1×1016Ω・m以
下に限られる。好ましくは、該第一のシートを挟んで該
ホルダに該基板を装着する際に、該保持面と該第一のシ
ートの第一面、及び、該第一のシートの第二面と該基板
の成膜領域裏面とをそれぞれ密着させるようにする。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an information recording medium according to the present invention is to manufacture an information recording medium by forming at least one film on a substrate by sputtering. In the method, when sputtering is performed by mounting the substrate on a holder made of a metal or an alloy having a holding surface for holding the substrate, a first insulating film is provided between the substrate and the holding surface in advance. It is characterized in that one sheet is interposed. Here, that the first sheet has an insulating property means that the first sheet has high electric resistance, for example, that the volume resistivity is 1 × 10 14 Ω · m or more. ing. There is no particular upper limit for the volume resistivity, but it is practically limited to 1 × 10 16 Ω · m or less. Preferably, when the substrate is mounted on the holder with the first sheet interposed therebetween, the holding surface and the first surface of the first sheet, and the second surface of the first sheet and the substrate To the backside of the film formation region.

【0013】該第一のシートとしては該基板よりも軟ら
かい材質で形成されたシートを用いるのが好ましい。ま
た、該第一のシートとして0.1mm以上0.4mm以
下の厚さのシートを用いるのも好ましい。より好ましく
は0.1mm以上0.2mm以下の厚さのシートを用い
るようにする。また、該第一のシートの熱伝導率は、
1.0W/m・℃以上であることが好ましい。より好ま
しくは3.0W/m・℃以上の熱伝導率を有するシート
を用いるようにする。熱伝導率の上限は特にないが事実
上100W/m・℃以下に限られる。
As the first sheet, it is preferable to use a sheet formed of a material softer than the substrate. It is also preferable to use a sheet having a thickness of 0.1 mm or more and 0.4 mm or less as the first sheet. More preferably, a sheet having a thickness of 0.1 mm or more and 0.2 mm or less is used. The thermal conductivity of the first sheet is
It is preferably at least 1.0 W / m · ° C. More preferably, a sheet having a thermal conductivity of 3.0 W / m · ° C. or more is used. There is no particular upper limit on the thermal conductivity, but it is practically limited to 100 W / m · ° C. or less.

【0014】また、より好ましくは、該第一のシートを
挟んで該ホルダに該基板を装着するにあたり、該基板の
外周部の外延部に該ホルダとの対向部を有し該対向部に
絶縁性を有する第二のシートを介装されたマスク(アウ
タマスク)により、該基板の外周部を覆うとともに該基
板を該ホルダに押し付け固定する。更に好ましくは、金
属又は合金からなる支持アームのホルダ支持部に絶縁性
を有する第三のシートを介して支持された該ホルダに該
第一のシートを介して該基板を装着する。好ましくは、
上記第二のシート及び第三のシートも、厚さを0.1m
m以上0.4mm以下とし、熱伝導率を1.0W/m・
℃以上とする。より好ましくは、0.1mm以上0.2
mm以下とする。また、熱伝導率を3.0W/m・℃以
上とするのもより好ましい。熱伝導率の上限は特にない
が事実上100W/m・℃以下に限られる。なお、該基
板の内周部を覆うマスク(インナマスク)と該ホルダと
が、近接する場合には、これらの対向部にも絶縁性を有
するシートを介装するのが好ましい。また、該支持アー
ム内には、該ホルダを冷却するための冷却媒体を流通さ
せることが好ましい。また、該ホルダを該支持アームに
金属製のネジを介して取り付けるにあたり、該ホルダの
該ネジの挿通部に絶縁体製ブッシュを介装するのも好ま
しい。
More preferably, when the substrate is mounted on the holder with the first sheet interposed therebetween, an outer peripheral portion of the substrate has a portion facing the holder and an insulating portion is provided on the facing portion. The outer periphery of the substrate is covered with a mask (outer mask) provided with a second sheet having a property, and the substrate is pressed and fixed to the holder. More preferably, the substrate is mounted via the first sheet to the holder supported on the holder supporting portion of the support arm made of metal or alloy via a third sheet having insulation properties. Preferably,
The second sheet and the third sheet also have a thickness of 0.1 m.
m to 0.4 mm and a thermal conductivity of 1.0 W / m ·
C or higher. More preferably, 0.1 mm or more and 0.2
mm or less. It is more preferable that the thermal conductivity is 3.0 W / m · ° C. or more. There is no particular upper limit on the thermal conductivity, but it is practically limited to 100 W / m · ° C. or less. When a mask (inner mask) that covers the inner peripheral portion of the substrate and the holder are close to each other, it is preferable that an insulating sheet is also interposed between the opposing portions. Preferably, a cooling medium for cooling the holder is circulated in the support arm. In attaching the holder to the support arm via a metal screw, it is also preferable to insert an insulator bush in the insertion portion of the holder through which the screw is inserted.

【0015】また、上記目的を達成するために、本発明
の基板ホルダ構造は下記の構成からなる。即ち、スパッ
タリングにより少なくとも一層以上の膜を基板上に成膜
する成膜装置の基板ホルダ構造であって、該基板を保持
するための保持面を有する金属製のホルダと、絶縁性を
有する第一のシートとを備えている。そして、該基板と
該ホルダの保持面との間に該第一のシートを介装し、該
第一のシートを介して該ホルダに該基板を保持すること
を特徴としている。なお、該第一のシートが絶縁性を有
するとは、該第一のシートの電気抵抗が高いことを意味
し、例えば体積抵抗率が1×1014Ω・m以上であるこ
とを意味している。体積抵抗率の上限は特にないが事実
上1×1016Ω・m以下に限られる。
Further, in order to achieve the above object, the substrate holder structure of the present invention has the following configuration. That is, a substrate holder structure of a film forming apparatus for forming at least one or more films on a substrate by sputtering, a metal holder having a holding surface for holding the substrate, and a first insulating film Sheet. Then, the first sheet is interposed between the substrate and the holding surface of the holder, and the substrate is held by the holder via the first sheet. In addition, that the first sheet has an insulating property means that the first sheet has high electric resistance, for example, that the volume resistivity is 1 × 10 14 Ω · m or more. I have. There is no particular upper limit for the volume resistivity, but it is practically limited to 1 × 10 16 Ω · m or less.

【0016】また、上記目的を達成するために、本発明
の成膜装置は、上記基板ホルダ構造を備え、上記基板ホ
ルダ構造により保持された該基板上にスパッタリングに
より少なくとも一層以上の膜を成膜するように構成され
たことを特徴としている。なお、上述した本発明の情報
記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜装置
において、「情報記録媒体」とは、表面に少なくとも記
録層を含む一層以上の膜が成膜された第一の基板に対し
て該積層膜を挟むように第二の基板を貼り合わせること
によって製造される記録媒体を全て含み、相変化型光記
録媒体,光磁気型光記録媒体,色素型光記録媒体,磁気
記録媒体等、記録方法には限定されない。また、本発明
における「膜」とは、例えば、相変化型光記録媒体であ
れば、例えば保護層/相変化記録層/保護層/反射層か
らなる膜を指し、光磁気型光記録媒体であれば、例えば
保護層/磁性記録層/保護層/反射層からなる膜を指
し、色素型光記録媒体であれば、例えば色素記録層/反
射層からなる膜を指す。
According to another aspect of the present invention, there is provided a film forming apparatus having the above-mentioned substrate holder structure, wherein at least one film is formed by sputtering on the substrate held by the substrate holder structure. It is characterized by having been constituted. In the above-described method for manufacturing an information recording medium, the substrate holder structure, and the film forming apparatus according to the present invention, the “information recording medium” refers to a first film on which at least one film including at least a recording layer is formed. A phase change optical recording medium, a magneto-optical recording medium, a dye optical recording medium, a magnetic recording medium including all recording media manufactured by bonding a second substrate to the substrate so as to sandwich the laminated film. It is not limited to a recording method such as a recording medium. In the present invention, the term “film” refers to, for example, a film composed of a protective layer / phase-change recording layer / protective layer / reflective layer in the case of a phase-change optical recording medium. If present, it refers to, for example, a film composed of a protective layer / magnetic recording layer / protective layer / reflective layer.

【0017】また、本発明を適用できる「基板」の厚み
には限定はないが、薄型基板は成膜時の基板の温度上昇
に起因する反りが大きいため、特に1.0mm以下の薄
型基板に用いて好適である。ただし、基板としての強度
を保つためには、0.2mm以上の厚みは必要である。
また、「基板」の材質にも限定はないが、ポリカーボネ
イトや非晶質ポリオレフィン,ポリアクリレート等の樹
脂基板は基板の温度上昇による反りや変形が起きやすい
ため、特にこれらの樹脂基板に用いて好適である。
Although the thickness of the "substrate" to which the present invention can be applied is not limited, a thin substrate has a large warp due to a rise in the temperature of the substrate during film formation. It is suitable for use. However, in order to maintain the strength as a substrate, a thickness of 0.2 mm or more is required.
Also, the material of the “substrate” is not limited, but resin substrates such as polycarbonate, amorphous polyolefin, and polyacrylate are particularly suitable to be used for these resin substrates because they are likely to be warped or deformed due to a temperature rise of the substrate. It is.

【0018】また、本発明におけるスパッタリングによ
り成膜される「一層以上の膜」とは、例えば、相変化型
光記録媒体であれば、例えば保護層/相変化記録層/保
護層/反射層からなる膜を指し、光磁気型光記録媒体で
あれば、例えば保護層/磁性記録層/保護層/反射層か
らなる膜を指し、色素型光記録媒体であれば、例えば反
射層の膜を指す。
In the present invention, the “one or more films” formed by sputtering include, for example, in the case of a phase change type optical recording medium, for example, from a protective layer / phase change recording layer / protective layer / reflective layer. In the case of a magneto-optical recording medium, it refers to, for example, a film composed of a protective layer / magnetic recording layer / protective layer / reflection layer. In the case of a dye-type optical recording medium, it refers to, for example, a reflective layer film. .

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。図1〜図2は本発明の
一実施形態にかかる成膜装置を示すものである。本成膜
装置は、ポリカーボネイトを基板とする光情報記録媒体
(光ディスク)の製造用の成膜装置として構成されてい
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. The present film forming apparatus is configured as a film forming apparatus for manufacturing an optical information recording medium (optical disk) using polycarbonate as a substrate.

【0020】まず、図1を用いて本成膜装置の全体構成
の概略について説明する。図1に示すように、本成膜装
置は、内部が真空に保たれた多面形(図1では8面)の
搬送室20と、搬送室20の周囲に配設された複数(図
1では7室)の成膜室21とを備えている。成膜室21
が設けられていない搬送室20の残りの一面には、製造
ラインとの間で被成膜用の基板1の受け渡しを行なうた
めの受渡口22が設けられている。また、各成膜室21
と搬送室20とを区画する搬送室外壁24には、基板1
を各成膜室21内に導入するための導入口24Aが形成
されている。そして、各成膜室21内には、導入口24
Aに向けてターゲット3が配置されている。
First, the overall configuration of the present film forming apparatus will be outlined with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the present film forming apparatus has a multi-sided (eight in FIG. 1) transfer chamber 20 in which the inside is maintained in a vacuum, and a plurality of transfer chambers (in FIG. (Seven chambers). Film forming chamber 21
A transfer port 22 for transferring the substrate 1 for film formation to and from a production line is provided on the other surface of the transfer chamber 20 where the transfer chamber 20 is not provided. In addition, each film forming chamber 21
The transfer chamber outer wall 24 that separates the transfer chamber 20
Is formed in each of the film forming chambers 21. Then, in each of the film forming chambers 21, an inlet 24 is provided.
The target 3 is arranged toward A.

【0021】搬送室20の内部には、基板1を搬送する
ための搬送装置23が備えられている。搬送装置23
は、基板1を固定するホルダ2と、ホルダ2を支持する
アーム5とを搬送室20の各面に対応して備えている。
受渡口22から搬送室20内に投入された基板1は、搬
送装置23のホルダ2の一つに固定され、搬送装置23
の回転により各成膜室21へ順次搬送されるようになっ
ている。搬送装置23は、アーム5を軸方向に伸縮させ
る機能を有しており、各成膜室21の導入口24Aにお
いてアーム5を軸方向に伸長させ、基板1をターゲット
3に接近させるようになっている。そして、基板1が導
入口24Aに入ってターゲット3に接近したところで、
スパッタリングが行なわれ、基板1上に膜が成膜されて
いくようになっている。各成膜室21において順次スパ
ッタリングが行なわれ、全ての成膜が完了されると、成
膜が完了された基板1は、再び受渡口22から製造ライ
ン側へ引き渡されるようになっている。
A transfer device 23 for transferring the substrate 1 is provided inside the transfer chamber 20. Transport device 23
Is provided with a holder 2 for fixing the substrate 1 and an arm 5 for supporting the holder 2 corresponding to each surface of the transfer chamber 20.
The substrate 1 put into the transfer chamber 20 from the delivery port 22 is fixed to one of the holders 2 of the transfer device 23,
Are sequentially transported to the respective film forming chambers 21 by the rotation of. The transfer device 23 has a function of expanding and contracting the arm 5 in the axial direction. The transfer device 23 extends the arm 5 in the axial direction at the inlet 24A of each of the film forming chambers 21 so that the substrate 1 approaches the target 3. ing. Then, when the substrate 1 enters the inlet 24A and approaches the target 3,
Sputtering is performed, and a film is formed on the substrate 1. When sputtering is sequentially performed in each of the film forming chambers 21 and all the film forming is completed, the substrate 1 on which the film forming is completed is again delivered from the delivery port 22 to the production line side.

【0022】次に、本成膜装置の要部について説明する
と、本成膜装置は、成膜室21での基板1への成膜工程
において、基板1に傷を付けることなく、スパッタリン
グによる成膜時の基板1の温度上昇を抑制して、反りや
歪みの少ない光ディスクを製造するべく構成されたもの
である。ここで、図2は本成膜装置の要部である基板ホ
ルダ構造を示す模式的側断面図である。
Next, the main part of the present film forming apparatus will be described. In the present film forming apparatus, in the step of forming a film on the substrate 1 in the film forming chamber 21, the film is formed by sputtering without damaging the substrate 1. It is configured to suppress an increase in the temperature of the substrate 1 during film formation and to manufacture an optical disk with less warpage and distortion. Here, FIG. 2 is a schematic side sectional view showing a substrate holder structure which is a main part of the present film forming apparatus.

【0023】図2に示すように、本成膜装置の基板ホル
ダ構造では、ホルダ2と基板1との間、ホルダ2とアー
ム5との間、及びホルダ2とアウタマスク6との間に、
それぞれ絶縁シート(第一のシート)10,絶縁シート
(第三のシート)11,絶縁シート(第二のシート)1
2を介装させている。ホルダ2はステンレス製の円盤で
あり、成膜室21側には、基板1の裏面の略全面(少な
くとも成膜領域の裏面全面)に対向するように保持面2
Aが形成されている。そして、この保持面2A上に絶縁
シート10が貼り付けられている。基板1は、その裏面
をこの絶縁シート10が貼り付けられた保持面2Aにイ
ンナマスク7及びアウタマスク6によって押し付けら
れ、保持面2Aに絶縁シート10を介して固定されると
ともに、内周部及び外周部をそれぞれマスキングされる
ようになっている。
As shown in FIG. 2, in the substrate holder structure of the present film forming apparatus, between the holder 2 and the substrate 1, between the holder 2 and the arm 5, and between the holder 2 and the outer mask 6,
Insulating sheet (first sheet) 10, insulating sheet (third sheet) 11, insulating sheet (second sheet) 1, respectively
2 is interposed. The holder 2 is a disk made of stainless steel, and is provided on the film forming chamber 21 side so as to face substantially the entire back surface of the substrate 1 (at least the entire back surface of the film forming region).
A is formed. The insulating sheet 10 is attached on the holding surface 2A. The back surface of the substrate 1 is pressed against the holding surface 2A to which the insulating sheet 10 is attached by the inner mask 7 and the outer mask 6, is fixed to the holding surface 2A via the insulating sheet 10, and has an inner peripheral portion and an outer peripheral portion. Each part is masked.

【0024】ホルダ2とアーム5とは、金属製のネジ4
を複数個所で螺合させることによって連結されている。
アーム5はホルダ2と同様にステンレス製であり、内部
には冷却媒体(冷却水又は冷却空気)を導通させるため
の冷却媒体通路15が形成されている。ホルダ2とアー
ム5との連結部には、前述のように絶縁シート11が介
装され、ホルダ2とアーム5との直接の接触が防止され
ている。また、ホルダ2及びアーム5のそれぞれの外周
部には円環状の段差が形成され、これら段差間には円環
状のプラスチックリング8が介装されている。
The holder 2 and the arm 5 are connected to a metal screw 4
Are connected by screwing at a plurality of locations.
The arm 5 is made of stainless steel like the holder 2, and has a cooling medium passage 15 formed therein for conducting a cooling medium (cooling water or cooling air). As described above, the insulating sheet 11 is interposed at the connecting portion between the holder 2 and the arm 5 to prevent direct contact between the holder 2 and the arm 5. An annular step is formed on the outer peripheral portion of each of the holder 2 and the arm 5, and an annular plastic ring 8 is interposed between these steps.

【0025】ホルダ2には、保持面2A側からアーム5
との連結面2B側に向けて複数の貫通孔2Cが穿設され
ている。各貫通孔2Cにはネジ孔が形成されたプラスチ
ック製のブッシュ9がはめ込まれ、このブッシュ9にネ
ジ4が螺装されている。ネジ4はホルダ2と直接接触す
ることなくホルダ2の連結面2B側に貫通し、アーム5
に設けられたネジ孔に螺入している。
The holder 5 has an arm 5 from the holding surface 2A side.
A plurality of through-holes 2C are drilled toward the connection surface 2B side. A plastic bush 9 having a screw hole is fitted into each through hole 2C, and a screw 4 is screwed into the bush 9. The screw 4 penetrates the connecting surface 2B side of the holder 2 without directly contacting the holder 2, and the arm 5
Threaded into the screw holes provided in.

【0026】アーム5の上下には、一対のアーム弁板1
6,16が備えられている。アーム5はこれらアーム弁
板16,16内を軸周りに回転可能に構成されている。
また、アーム弁板16の先端部と搬送室外壁24との間
には、真空シール17が介装され、アーム弁板16とア
ーム5との間には真空磁気シール18が介装されてい
る。これらシール17,18により、成膜室21内の気
体(スパッタリングガス)の搬送室20側への漏洩が防
止されている。
A pair of arm valve plates 1 are provided above and below the arm 5.
6, 16 are provided. The arm 5 is configured to be rotatable around the axis in the arm valve plates 16.
A vacuum seal 17 is interposed between the distal end of the arm valve plate 16 and the outer wall 24 of the transfer chamber, and a vacuum magnetic seal 18 is interposed between the arm valve plate 16 and the arm 5. . The seals 17 and 18 prevent the gas (sputtering gas) in the film forming chamber 21 from leaking to the transfer chamber 20 side.

【0027】本成膜装置に使用される絶縁シート10,
11,12の条件は、少なくとも電気絶縁性を有するこ
と、即ち、電気抵抗が極めて高いことである。例えば、
テフロン(商品名),シリコン,樹脂,ゴム等が、絶縁
シート10,11,12の材質として挙げられる。ま
た、基板1とホルダ2との間に介装される絶縁シート1
0に関しては、ポリカーボネイト製の基板1よりも柔ら
かい材質(例えば、ゴム等の弾性体)であることが好ま
しい。また、絶縁シート10,11,12は、その厚さ
が薄い程、熱の移動が容易になるが、少なくとも基板1
とホルダ2との間に介装される絶縁シート10に関して
は、絶縁性の維持と基板1を保護するための弾性の維持
とを考慮すると、0.1mmから0.4mm程度の厚さ
設定が好適である。
The insulating sheet 10 used in the present film forming apparatus,
The conditions of 11 and 12 are that they have at least electric insulation, that is, they have extremely high electric resistance. For example,
Teflon (trade name), silicon, resin, rubber, and the like are examples of the material of the insulating sheets 10, 11, and 12. Further, an insulating sheet 1 interposed between the substrate 1 and the holder 2
Regarding 0, it is preferable that the material is softer than the substrate 1 made of polycarbonate (for example, an elastic body such as rubber). The thinner the insulating sheets 10, 11, and 12, the easier the heat transfer becomes.
The thickness of the insulating sheet 10 interposed between the holder 1 and the holder 2 is set to be about 0.1 mm to 0.4 mm in consideration of maintaining insulation and maintaining elasticity for protecting the substrate 1. It is suitable.

【0028】基板1からホルダ2への熱の伝導性を考慮
する場合には、少なくとも絶縁シート10は熱伝導率の
高い材質で形成されていることが好ましい。例えば、信
越化学工業(株)製の放熱用ゴム(製品名:TC−20
BG)のように、ボロンナイトライド(BN)粉末を成
分とするシート(以下、BNシートという)は本成膜装
置の絶縁シート10として好適である。このBNシート
は、難燃性であって、体積抵抗率が8×1014Ω・mと
極めて高い絶縁性を有しているとともに、熱伝導率も
3.8W/m・℃と高いことが知られている(ちなみ
に、ポリカーボネイトは0.19W/m・℃程度)。ま
た、硬さはJISK6301法による測定で90JIS
−A程度で弾性があり、ポリカーボネイト等よりも軟ら
かい。なお、他の絶縁シート11,12についても、熱
伝導性を考慮した場合には、このBNシートを用いるの
が好ましい。また、絶縁シート10の形状に関しては、
絶縁シート10は基板1の全面に接触するような形状と
するのが熱伝導性を良くし、絶縁性を高める上で好まし
い。ただし、場合によっては、基板1より小さいものや
適宜穴の開いたものを使用してもよい。絶縁シート1
1,12の形状に関しても同様であり、絶縁シート1
1,12はホルダ2とアーム5の間、ホルダ2とアウタ
マスク6の間の全面に接触するような形状とするのが好
ましいが、やはり、アーム5やアウタマスク6より小さ
いものや穴の開いたものを使用してもよい。
In consideration of the heat conductivity from the substrate 1 to the holder 2, it is preferable that at least the insulating sheet 10 is formed of a material having a high thermal conductivity. For example, heat radiation rubber manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (product name: TC-20)
A sheet (hereinafter, referred to as a BN sheet) containing boron nitride (BN) powder as a component, such as BG), is suitable as the insulating sheet 10 of the present film forming apparatus. This BN sheet is flame-retardant, has a very high volume resistivity of 8 × 10 14 Ω · m, and has a high thermal conductivity of 3.8 W / m · ° C. It is known (by the way, about 0.19 W / m · ° C for polycarbonate). The hardness is 90 JIS as measured by JIS K6301 method.
It is elastic at about -A and is softer than polycarbonate or the like. In addition, it is preferable to use this BN sheet also for the other insulating sheets 11 and 12 in consideration of thermal conductivity. Further, regarding the shape of the insulating sheet 10,
It is preferable that the insulating sheet 10 has a shape that comes into contact with the entire surface of the substrate 1 in order to improve thermal conductivity and enhance insulating properties. However, depending on the case, a substrate smaller than the substrate 1 or a substrate having an appropriate hole may be used. Insulation sheet 1
The same applies to the shapes of the insulating sheets 1 and 12.
It is preferable that the shapes 1 and 12 are in contact with the entire surface between the holder 2 and the arm 5 and between the holder 2 and the outer mask 6. May be used.

【0029】次に、上述のように構成された本発明の一
実施形態にかかる成膜装置の、スパッタリングによる成
膜時における作用及び効果について説明する。高周波電
源によりターゲット3に高電圧を印加すると、基板1と
ターゲット3との間のスパッタリングガスにプラズマが
発生する。このプラズマによりスパッタリングガス中の
アルゴンはイオン化し、高電界によってターゲット3に
引きつけられてターゲット3の表面に衝突する。そし
て、ターゲット3に衝突したアルゴンイオンは、ターゲ
ット3を形成している金属元素をターゲット3の表面か
ら叩き出す。ターゲット3から叩き出された金属元素
は、ターゲット3に対向して配置されている基板1上に
積層され、これにより、基板1上のインナマスク7及び
アウタマスク6によりマスキングされていない領域へ成
膜が施されていく。
Next, the operation and effect of the film forming apparatus according to one embodiment of the present invention configured as described above when forming a film by sputtering will be described. When a high voltage is applied to the target 3 by the high frequency power supply, plasma is generated in the sputtering gas between the substrate 1 and the target 3. The argon in the sputtering gas is ionized by the plasma, and is attracted to the target 3 by the high electric field and collides with the surface of the target 3. Then, the argon ions which collide with the target 3 strike out the metal element forming the target 3 from the surface of the target 3. The metal element struck out of the target 3 is laminated on the substrate 1 disposed to face the target 3, thereby forming a film on a region of the substrate 1 that is not masked by the inner mask 7 and the outer mask 6. Will be applied.

【0030】このとき、基板1には表面への金属元素の
積層に伴って多量の熱も加わっている。しかしながら、
本成膜装置では、熱伝導率及び熱容量の高いステンレス
製のホルダ2を基板1の成膜領域の裏面全体に密着させ
ているので、基板1の熱はホルダ2に速やかに吸収さ
れ、基板1の温度上昇は抑制される。また、ホルダ2を
支持するアーム5には冷却媒体が流れているので、ホル
ダ2の温度上昇も抑制され、基板1からの熱の吸収効率
の低下が防止される。
At this time, a large amount of heat is also applied to the substrate 1 as the metal element is deposited on the surface. However,
In the present film forming apparatus, the stainless steel holder 2 having high thermal conductivity and heat capacity is adhered to the entire back surface of the film forming area of the substrate 1, so that the heat of the substrate 1 is quickly absorbed by the holder 2, Temperature rise is suppressed. Further, since the cooling medium flows through the arm 5 supporting the holder 2, a rise in the temperature of the holder 2 is also suppressed, and a decrease in the efficiency of absorbing heat from the substrate 1 is prevented.

【0031】なお、基板1とホルダ2との間、及び、ホ
ルダ2とアーム5との間には、それじれ絶縁シート1
0,11が介装されているが、これら絶縁シート10,
11は極めて薄いため(0.1〜0.4mm)、単位厚
さ当たりの熱伝導率が多少低い場合でも、基板1からホ
ルダ2への熱の移動、ホルダ2からアーム5への熱の移
動を大きく妨げてしまうことはない。特に、上述のBN
シートであれば、熱伝導率が3.8W/m・℃と高いた
め、基板1からのホルダ2へ、或いはホルダ2からアー
ム5へ効率的に熱を伝達することができ、基板1の温度
上昇を効果的に抑制することができる。
The insulating sheet 1 is provided between the substrate 1 and the holder 2 and between the holder 2 and the arm 5.
0, 11 are interposed, but these insulating sheets 10,
Since 11 is extremely thin (0.1 to 0.4 mm), even when the thermal conductivity per unit thickness is somewhat low, heat transfer from the substrate 1 to the holder 2 and heat transfer from the holder 2 to the arm 5 Will not be greatly hindered. In particular, the BN described above
Since the sheet has a high thermal conductivity of 3.8 W / m · ° C., heat can be efficiently transmitted from the substrate 1 to the holder 2 or from the holder 2 to the arm 5. The rise can be effectively suppressed.

【0032】また、本成膜装置では、基板1とホルダ2
との間に絶縁シート10が介装されることにより基板1
とホルダ2との間は電気的に絶縁されているので、ター
ゲット3に高電界が発生した場合でも、ホルダ2内に電
流が誘起されることはない。また、ホルダ2とアウタマ
スク6との接触部分も絶縁シート12によって電気的に
絶縁されているので、アウタマスク6を通してホルダ2
内に電流が流れることもない。更に、ホルダ2とアーム
5との間は、絶縁シート10,プラスチックリング8に
よって電気的に絶縁され、ホルダ2とアーム5とを結合
するネジ4とホルダ2との間もブッシュ9によって絶縁
されているので、アーム5とホルダ2との間で電流が流
れることもない。即ち、本成膜装置では、ホルダ2は電
気的に完全に絶縁されている。このため、ホルダ2内で
ジュール熱が発生することはなく、ホルダ2自体の温度
上昇により基板1から吸収できる熱容量が低下すること
はない。
In the present film forming apparatus, the substrate 1 and the holder 2
The insulating sheet 10 is interposed between the
Since the target and the holder 2 are electrically insulated from each other, no current is induced in the holder 2 even when a high electric field is generated in the target 3. Since the contact portion between the holder 2 and the outer mask 6 is also electrically insulated by the insulating sheet 12, the holder 2 is passed through the outer mask 6.
No current flows inside. Further, the holder 2 and the arm 5 are electrically insulated by the insulating sheet 10 and the plastic ring 8, and the screw 4 connecting the holder 2 and the arm 5 and the holder 2 are also insulated by the bush 9. Therefore, no current flows between the arm 5 and the holder 2. That is, in the present film forming apparatus, the holder 2 is completely electrically insulated. Therefore, no Joule heat is generated in the holder 2, and the heat capacity that can be absorbed from the substrate 1 does not decrease due to the temperature rise of the holder 2 itself.

【0033】以上のように、本成膜装置によれば、スパ
ッタリングによる成膜時に基板1に加えられる熱をホル
ダ2側へ効率的に吸収して基板1の温度上昇を抑制する
ことができるので、基板1の反りや歪みを抑制すること
ができるという利点がある。また、基板1をホルダ2に
直接密着させるのではなく、基板1よりも軟らかい絶縁
シート10を挟んでホルダ2に固定するので、基板1が
ホルダ2上で摺動したような場合でも、基板1に傷が入
ってしまうことはないという利点もある。
As described above, according to the present film forming apparatus, the heat applied to the substrate 1 at the time of film formation by sputtering can be efficiently absorbed by the holder 2 and the temperature rise of the substrate 1 can be suppressed. In addition, there is an advantage that warpage and distortion of the substrate 1 can be suppressed. Further, since the substrate 1 is not directly adhered to the holder 2 but is fixed to the holder 2 with an insulating sheet 10 softer than the substrate 1, even if the substrate 1 slides on the holder 2, the substrate 1 There is also an advantage that no scratches are made.

【0034】したがって、本成膜装置を用いて光ディス
クを製造することによって、即ち、スパッタリングによ
る成膜を行なうにあたり、絶縁シート10を基板2とホ
ルダ2との間に介装することにより、常に高品質の光デ
ィスクを製造することが可能になる。
Therefore, by manufacturing an optical disk using the present film forming apparatus, that is, in forming a film by sputtering, an insulating sheet 10 is interposed between the substrate 2 and the holder 2 so that the optical disk is always high. It is possible to manufacture a quality optical disc.

【0035】以上、本発明の一実施形態について説明し
たが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではな
く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することは勿論可能である。例えば、本発明の情報記録
媒体の製造方法においては、絶縁シート10は必ずしも
ホルダ2に常備する必要はなく、スパッタリングによる
成膜を行なうにあたり、予め基板2をホルダ2に装着す
る度に基板2とホルダ2との間に介装するようにしても
よい。ホルダ2とアウタマスク6との間に介装する絶縁
シート11についても同様である。また、インナリング
7とホルダ2とが接触する場合には、その接触部にも上
述したような絶縁シートを挟装すればよい。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is a matter of course that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. It is. For example, in the method of manufacturing an information recording medium according to the present invention, the insulating sheet 10 does not always need to be always provided in the holder 2, and when performing film formation by sputtering, the insulating sheet 10 is attached to the substrate 2 every time the substrate 2 is mounted on the holder 2 in advance. You may make it interpose between the holder 2 and. The same applies to the insulating sheet 11 interposed between the holder 2 and the outer mask 6. When the inner ring 7 and the holder 2 come into contact with each other, the above-described insulating sheet may be sandwiched between the contact portions.

【0036】また、本実施形態では、ホルダ2やアーム
5の材質としてステンレス材を例示したが、鉄やアルミ
等、金属一般を採用することができる。また、基材1の
材質としてもポリカーボネイトに限定されず、様々な材
質を用いることができる。更に、ブッシュ9やリング8
の材質もプラスチックに限定されず、絶縁性を有する材
質であればよい。
In this embodiment, stainless steel is used as the material of the holder 2 and the arm 5. However, general metals such as iron and aluminum can be used. Further, the material of the substrate 1 is not limited to polycarbonate, and various materials can be used. Furthermore, bush 9 and ring 8
The material is not limited to plastic, and may be any material having an insulating property.

【0037】また、本発明は光ディスクのみならず、光
磁気ディスクをはじめスパッタリングにより少なくとも
一層以上の膜を基板上に成膜していくことにより製造す
る情報記録媒体全般に適用することができる。
The present invention can be applied not only to optical discs but also to information recording media manufactured by depositing at least one film on a substrate by sputtering, including magneto-optical discs.

【0038】[0038]

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 <実施例>本実施例では、図3に示す製造工程を有する
製造装置を用いて相変化型光ディスクの製造を行なっ
た。製造工程は、成形工程,冷却工程,成膜工程,冷却
工程,保護コート工程,検査工程,貼り合わせ工程,初
期化工程及び最終検査工程からなり、最終検査により合
格したものが製品として収納される。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. <Embodiment> In this embodiment, a phase change optical disk was manufactured using a manufacturing apparatus having the manufacturing steps shown in FIG. The manufacturing process consists of a molding process, a cooling process, a film forming process, a cooling process, a protective coating process, an inspection process, a bonding process, an initialization process, and a final inspection process, and those that pass the final inspection are stored as products. .

【0039】成形工程では、成形装置として住友重機製
「SD−30」を用いた。成形装置は、射出成形により
基板を成形する装置であり、固定金型と可動金型とを備
えている。固定金型には表面に凹凸が形成されたスタン
パが備えられ、可動金型の表面から基板1を成形するた
めの樹脂が射出されて、スタンパの表面形状が基板の表
面に転写されるようになっている。本実施例では、上記
成形装置を用いて、厚さ0.6mm、直径12cmのポ
リカーボネイトからなる基板を作製した。
In the molding step, "SD-30" manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd. was used as a molding apparatus. The molding apparatus is an apparatus for molding a substrate by injection molding, and includes a fixed mold and a movable mold. The stationary mold is provided with a stamper having irregularities formed on the surface, and a resin for molding the substrate 1 is injected from the surface of the movable mold so that the surface shape of the stamper is transferred to the surface of the substrate. Has become. In this example, a substrate made of polycarbonate having a thickness of 0.6 mm and a diameter of 12 cm was manufactured using the above-mentioned molding apparatus.

【0040】そして、成形装置から基板を取り出して冷
却し、取り出してから2分経過した後、図1に示す構成
の成膜装置に導入した。成膜装置としては日本真空技術
製「SMO−01PC」を用いた。図1中の符号を用い
て説明すると、成膜装置の各成膜室21は5×10-3
a以下まで排気されている。導入/排出室に基板1が入
ると、導入/排出室は粗引きポンプで1〜2秒排気され
た後、アーム5が縮まり、搬送室20に移る。そして、
最初の成膜室21に移動し、アーム5が伸びて成膜室2
1と搬送室との真空が独立となる。続いて、成膜室21
にアルゴンガスを0.4Paの圧力になるまで導入し、
5000Wのパワーをかけて成膜する。なお、ターゲッ
ト3の直径は200mmあった。最初の成膜室21での
成膜終了後、アーム5が再度縮まりて搬送室20に基板
1が移る。そして、次の成膜室21に移動し、また同様
に成膜が行われる。このようにして各成膜室21におい
て成膜されたのち、表面に複数の膜が成膜された基板1
は、再び導入/排出室に入った後、成膜装置から排出さ
れる。
Then, the substrate was taken out of the molding apparatus, cooled, and after two minutes passed from the taking out, the substrate was introduced into a film forming apparatus having the structure shown in FIG. "SMO-01PC" manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. was used as a film forming apparatus. Explaining using the reference numerals in FIG. 1, each film forming chamber 21 of the film forming apparatus is 5 × 10 −3 P
It is exhausted to below a. When the substrate 1 enters the introduction / discharge chamber, the introduction / discharge chamber is evacuated by the roughing pump for 1 to 2 seconds. And
The arm 5 is moved to the first film forming chamber 21 and extended to form the film forming chamber 2.
The vacuum between 1 and the transfer chamber becomes independent. Subsequently, the film forming chamber 21
Argon gas is introduced until a pressure of 0.4 Pa is reached,
The film is formed by applying a power of 5000 W. The diameter of the target 3 was 200 mm. After the film formation in the first film formation chamber 21 is completed, the arm 5 contracts again and the substrate 1 moves to the transfer chamber 20. Then, the film is moved to the next film forming chamber 21, and the film is formed in the same manner. After the film is formed in each of the film forming chambers 21 in this manner, the substrate 1 on which a plurality of films are formed on the surface is formed.
Is again discharged from the film forming apparatus after entering the introduction / discharge chamber.

【0041】本実施例において基板上に成膜される膜の
層構成は、基板の表面から順に、ZnS−SiO2厚さ
70nm/GeInSbTe厚さ15nm/ZnS−S
iO2厚さ20nm/AlTa厚さ200nmである。
これらの膜は、成膜装置における各成膜室21の成膜条
件を下表1のように設定することによって成膜された。
In this embodiment, the layer structure of the film formed on the substrate is, in order from the surface of the substrate, ZnS—SiO 2 thickness 70 nm / GeInSbTe thickness 15 nm / ZnS—S
The thickness of iO 2 is 20 nm / the thickness of AlTa is 200 nm.
These films were formed by setting the film forming conditions of each film forming chamber 21 in the film forming apparatus as shown in Table 1 below.

【0042】[0042]

【表1】 [Table 1]

【0043】上表1に示すように、ここでは1番の成膜
室は必要ないので使っていない。また、2番と3番の成
膜室は同じ膜(ZnS−SiO2)を成膜した。これ
は、ZnS−SiO2の膜厚を厚くしたかったためであ
る。
As shown in Table 1 above, the first film forming chamber is not used here because it is not necessary. Further, the film forming chamber of the 2nd and 3rd was formed of the same film (ZnS-SiO 2). This is because we wanted to increase the thickness of the ZnS-SiO 2.

【0044】また、皮膜装置の基板ホルダとしては図2
に示す構成のものを用いた。そして、絶縁シートとして
は信越化学工業株式会社製の放熱用ゴム加工品BNシー
トを使用した。より具体的には、第一,ニのシート(図
2中に符号10,11で示す)としては厚さ0.2mm
の「TC−20BG」を使用し、第三のシート(図2中
に符号12で示す)としては厚さ0.8mmの「TC−
80BG」を使用した。
FIG. 2 shows a substrate holder of the coating apparatus.
The configuration shown in FIG. Then, as the insulating sheet, a BN sheet made of a rubber product for heat radiation manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used. More specifically, the first and second sheets (indicated by reference numerals 10 and 11 in FIG. 2) have a thickness of 0.2 mm.
As a third sheet (indicated by reference numeral 12 in FIG. 2), “TC-20BG” having a thickness of 0.8 mm was used.
80BG "was used.

【0045】成膜装置での成膜の後、基板の膜が成膜さ
れた側の面に保護コートを形成した。即ち、紫外線硬化
性樹脂を3〜10μmの厚さにスピンコートしたのち、
UV光を照射して硬化させた。そして、ピンホール検査
と反り量の検査とを行なった後、基板上に成膜された膜
を挟むようにして予め反りを調整して形成しておいた透
明基板(ダミー基板)を貼り合わせた。具体的には、基板
の保護コートが形成された側の面に接着剤をスピンコー
トし、その上に直接ダミー基板を載せてそのままスピン
して接着剤を全面に広げたのち、UV光照射で接着剤を
硬化させて貼り合わせ型の相変化型光ディスクを作製し
た。
After the film formation in the film forming apparatus, a protective coat was formed on the surface of the substrate on which the film was formed. That is, after spin-coating the ultraviolet curable resin to a thickness of 3 to 10 μm,
It was cured by irradiation with UV light. After the pinhole inspection and the inspection of the amount of warpage were performed, a transparent substrate (dummy substrate) formed by adjusting the warpage in advance so as to sandwich the film formed on the substrate was bonded. Specifically, an adhesive is spin-coated on the surface of the substrate on which the protective coat is formed, a dummy substrate is directly placed on the substrate, and the adhesive is spun as it is to spread the adhesive over the entire surface, and then irradiated with UV light. The adhesive was cured to produce a bonded type phase change optical disk.

【0046】このようにして作製した相変化型光ディス
クを、線速度4m/S,パワー1300mVで初期化し
たのち、Dr.Schenk GmbH製「VCC−i
sm」を用いて欠陥検査及び反り検査を行なった。本実
施例では、上記のような製造工程により相変化型光ディ
スクを約2300〜2400枚連続製造し、この連続製
造を計4回行なった。これらディスクの上記検査装置に
よる反り検査の結果(2300〜2400枚の平均値と
標準偏差)を表2に示す。反り検査は、各ディスクにつ
いて周方向反り角(周方向チルト)と半径方向反り角
(ラジアルチルト)とをそれぞれ測定した。なお、実際
の反り検査では、ディスクの内周,中周,外周について
それぞれ測定するが、通常、外周側の反りが最も大きい
ので、表2では特に外周での測定結果を示している。
After initializing the phase-change optical disk manufactured as described above at a linear velocity of 4 m / S and a power of 1300 mV, the Dr. Schenk GmbH's "VCC-i"
sm "was used to perform a defect inspection and a warpage inspection. In this embodiment, about 2300 to 2400 phase-change optical disks were continuously manufactured by the above manufacturing process, and the continuous manufacturing was performed four times in total. Table 2 shows the results of the warpage inspection (the average value and the standard deviation of 2300 to 2400 sheets) of these disks by the inspection apparatus. In the warp inspection, a circumferential warp angle (circumferential tilt) and a radial warp angle (radial tilt) were measured for each disk. In the actual warp inspection, the inner circumference, the middle circumference, and the outer circumference of the disk are measured. However, since the warpage on the outer circumference side is usually the largest, Table 2 shows the measurement results especially on the outer circumference.

【0047】[0047]

【表2】 [Table 2]

【0048】ディスクの製品としての許容範囲は、ラジ
アルチルトについては±800mdeg以内であり、周
方向チルトについては±300mdeg以内である。表
2に示すように、検査結果は4回ともこれら限度値より
かなり低く、しかも毎回大きく変動することなく非常に
安定していた。
The allowable range of the disc as a product is within ± 800 mdeg for radial tilt and within ± 300 mdeg for circumferential tilt. As shown in Table 2, the test results for all four tests were significantly lower than these limits and were very stable without significant fluctuations each time.

【0049】<比較例>上記実施例に対する比較例とし
て、各絶縁シート(第一,二,三のシート)を使用せず
に実施例と同じ相変化型光ディスクの製造を行なった。
この結果、成膜後のディスクの鏡面側(成膜しない側、
即ち、基板ホルダに接する側)に無数の細かい擦傷が確
認され、欠陥検査で10%以上が不合格となった。この
擦傷は成膜の際の熱で基板が動き(反り)、ホルダと接
触してできたものと推測される。また、ディスクの成膜
直後の反りが大きく、製造時には、貼り合わせ工程など
で搬送トラブルを起こし、10分に1回以上の頻度で装
置が止まる状態であった。
<Comparative Example> As a comparative example with respect to the above embodiment, the same phase change type optical disk as that of the embodiment was manufactured without using each of the insulating sheets (first, second and third sheets).
As a result, the mirror side of the disk after film formation (the side where no film is formed,
That is, innumerable fine scratches were confirmed on the side in contact with the substrate holder), and 10% or more failed in the defect inspection. This scratch is presumed to have been caused by the movement (warpage) of the substrate due to the heat during film formation and the contact with the holder. In addition, the warpage immediately after the formation of the disk was large, and at the time of manufacturing, a transport trouble occurred in a bonding step or the like, and the apparatus was stopped at a frequency of once or more every 10 minutes.

【0050】以上の実施例及び比較例の結果から、本発
明を情報記録媒体の製造に適用することによって、歪み
や反りの少ない高品質の情報記録媒体を製造できること
が確認できた。
From the results of the above Examples and Comparative Examples, it was confirmed that by applying the present invention to the production of an information recording medium, a high-quality information recording medium with little distortion and warpage can be produced.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の情報記録
媒体の製造方法によれば、スパッタリングを行なうにあ
たり、予め基板とホルダの保持面との間に絶縁性を有す
る第一のシートを介装することにより、成膜時に基板に
加えられる熱を金属又は合金からなるホルダによって効
率的に吸収できるとともに、ホルダ内でジュール熱が発
生するのを防止することができるので、基板の温度上昇
を抑制して歪みや反りの少ない高品質の情報記録媒体を
製造できるようになるという利点がある。
As described above in detail, according to the method for manufacturing an information recording medium of the present invention, when performing sputtering, the first sheet having insulating properties is previously provided between the substrate and the holding surface of the holder. With the interposition, the heat applied to the substrate at the time of film formation can be efficiently absorbed by the holder made of metal or alloy, and the generation of Joule heat in the holder can be prevented. This is advantageous in that a high-quality information recording medium with less distortion and warpage can be manufactured by suppressing the distortion.

【0052】特に、第一のシートを挟んでホルダに基板
を装着する際に、ホルダの保持面と第一のシートの第一
面とを密着させるとともに、第一のシートの第二面と基
板の成膜領域裏面とを密着させることによって、基板に
加えられる熱をより効率よくホルダに吸収することが可
能になる。また、第一のシートとして基板よりも軟らか
い材質で形成されたシートを用いることによって、基板
のホルダへの取付時や成膜時に基板に傷が入ることも防
止して高品質の情報記録媒体を製造することが可能にな
る。
In particular, when the substrate is mounted on the holder with the first sheet interposed therebetween, the holding surface of the holder and the first surface of the first sheet are brought into close contact with each other, and the second surface of the first sheet is brought into contact with the substrate. The heat applied to the substrate can be more efficiently absorbed by the holder by closely contacting the back surface of the film formation region. In addition, by using a sheet formed of a material softer than the substrate as the first sheet, it is possible to prevent the substrate from being damaged when the substrate is attached to the holder or when forming the film, and a high-quality information recording medium can be obtained. It becomes possible to manufacture.

【0053】更に、厚さが0.1mm以上0.4mm以
下のシートを第一のシートとして用いることによって、
シートの絶縁性と弾性とを維持しながら、基板からホル
ダへの熱の移動を容易にすることが可能になる。特に、
第一のシートとして熱伝導率が1.0W/m・℃以上の
シート材を選定することによって、基板からホルダへの
熱の移動を更に容易にして、基板の温度上昇を更に効果
的に抑制することが可能になる。
Further, by using a sheet having a thickness of 0.1 mm or more and 0.4 mm or less as the first sheet,
It is possible to facilitate the transfer of heat from the substrate to the holder while maintaining the insulation and elasticity of the sheet. In particular,
By selecting a sheet material having a thermal conductivity of 1.0 W / m · ° C. or more as the first sheet, the transfer of heat from the substrate to the holder is further facilitated, and the temperature rise of the substrate is more effectively suppressed. It becomes possible to do.

【0054】また、基板の外周部を覆うとともにホルダ
に基板を押し付け固定するマスクとホルダとの対向部に
も絶縁性を有するシートを介装させることで、より確実
にホルダを電気的に絶縁することが可能になる。また、
ホルダを支持する支持部を有する金属製の支持アームと
ホルダとの接触部にも絶縁性を有するシートを介装させ
ることで、より確実にホルダを電気的に絶縁することが
可能になり、更に、ホルダが支持アームに金属製のネジ
を介して取り付けるにあたり、ホルダのネジの挿通部に
絶縁体製ブッシュを介装させることによって、更に確実
にホルダを電気的に絶縁することが可能になる。
Further, the holder is more reliably electrically insulated by interposing an insulating sheet also at a portion facing the holder and a mask which covers the outer peripheral portion of the substrate and presses and fixes the substrate against the holder. It becomes possible. Also,
By interposing an insulating sheet also at a contact portion between the metal support arm having a support portion for supporting the holder and the holder, the holder can be electrically insulated more reliably. When the holder is attached to the support arm via a metal screw, the holder can be more reliably electrically insulated by interposing an insulator bush at the screw insertion portion of the holder.

【0055】また、本発明の基板ホルダ構造によれば、
金属製のホルダに絶縁性を有するシートを介して基板を
保持させるという構成により、成膜時に基板に加えられ
る熱をホルダによって効率的に吸収できるとともに、ホ
ルダ内でジュール熱が発生するのを防止することができ
るので、基板の温度上昇を抑制して歪みや反りの少ない
情報記録媒体を製造できるようになるという利点があ
る。
According to the substrate holder structure of the present invention,
By using a metal holder to hold the substrate via an insulating sheet, the heat applied to the substrate during film formation can be efficiently absorbed by the holder, and the generation of Joule heat inside the holder is prevented. Therefore, there is an advantage that an increase in the temperature of the substrate can be suppressed and an information recording medium with less distortion and warpage can be manufactured.

【0056】また、本発明の成膜装置によれば、上記基
板ホルダ構造を備え、上記基板ホルダ構造を用いて保持
された基板上にスパッタリングにより少なくとも一層以
上の膜を成膜するように構成されることによって、基板
の温度上昇を抑制して歪みや反りの少ない情報記録媒体
を製造することが可能になるという利点がある。
Further, according to the film forming apparatus of the present invention, the above-mentioned substrate holder structure is provided, and at least one layer is formed by sputtering on a substrate held by using the above-mentioned substrate holder structure. Accordingly, there is an advantage that an increase in the temperature of the substrate can be suppressed and an information recording medium with less distortion and warpage can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態にかかる成膜装置の全体構
成について示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an overall configuration of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態にかかる基板ホルダ構造の
構成について示す模式的側断面図である。
FIG. 2 is a schematic side sectional view showing a configuration of a substrate holder structure according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例にかかる情報記録媒体の製造
工程を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the information recording medium according to one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 ホルダ 2A 保持面 3 ターゲット 4 ネジ 5 アーム 6 アウタマスク 7 インナマスク 8 プラスチックリング 9 ブッシュ 10 絶縁シート(第一のシート) 11 絶縁シート(第三のシート) 12 絶縁シート(第二のシート) 15 冷却媒体通路 20 搬送室 21 成膜室 23 搬送機 24 搬送室外壁 Reference Signs List 1 substrate 2 holder 2A holding surface 3 target 4 screw 5 arm 6 outer mask 7 inner mask 8 plastic ring 9 bush 10 insulating sheet (first sheet) 11 insulating sheet (third sheet) 12 insulating sheet (second sheet) 15 Cooling medium passage 20 Transfer chamber 21 Deposition chamber 23 Transfer machine 24 Transfer chamber outer wall

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 見越 敦 シンガポール共和国 ジュロン パイオニ アロード 103 ミツビシケミカルインフ ォニクス・ピーティーイー・エルティーデ ィー内 (72)発明者 小松 昌生 シンガポール共和国 ジュロン パイオニ アロード 103 ミツビシケミカルインフ ォニクス・ピーティーイー・エルティーデ ィー内 Fターム(参考) 4K029 AA11 BA02 BA03 BA10 BA14 BA16 BA18 BA21 BA32 BA35 BA46 BA51 BB02 BD12 CA05 DC27 HA04 JA05 KA01 KA09 5D121 AA03 EE03 EE19 EE20 EE27 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Atsushi Megumi Jurong Pioneer Aldo 103 Singapore Chemical Electronics Pty Ltd. 4K029 AA11 BA02 BA03 BA10 BA14 BA16 BA18 BA21 BA32 BA35 BA46 BA51 BB02 BD12 CA05 DC27 HA04 JA05 KA01 KA09 5D121 AA03 EE03 EE19 EE20 EE27

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スパッタリングにより少なくとも一層以
上の膜を基板上に成膜することによって情報記録媒体を
製造する方法であって、 該基板を保持するための保持面を有する金属又は合金か
らなるホルダに該基板を装着してスパッタリングを行な
うにあたり、予め該基板と該保持面との間に絶縁性を有
する第一のシートを介装することを特徴とする、情報記
録媒体の製造方法。
1. A method of manufacturing an information recording medium by forming at least one film on a substrate by sputtering, comprising: a metal or alloy holder having a holding surface for holding the substrate; A method for manufacturing an information recording medium, comprising: interposing an insulating first sheet between the substrate and the holding surface in advance when performing sputtering with the substrate mounted.
【請求項2】 該第一のシートを挟んで該ホルダに該基
板を装着する際に、該保持面と該第一のシートの第一面
とを密着させるとともに、該第一のシートの第二面と該
基板の成膜領域裏面とを密着させることを特徴とする、
請求項1記載の情報記録媒体の製造方法。
2. When the substrate is mounted on the holder with the first sheet interposed therebetween, the holding surface and the first surface of the first sheet are brought into close contact with each other, and Characterized in that the two surfaces and the back surface of the film formation region of the substrate are brought into close contact with each other,
A method for manufacturing an information recording medium according to claim 1.
【請求項3】 該第一のシートとして該基板よりも軟ら
かい材質で形成されたシートを用いることを特徴とす
る、請求項1又は2記載の情報記録媒体の製造方法。
3. The method for manufacturing an information recording medium according to claim 1, wherein a sheet formed of a material softer than the substrate is used as the first sheet.
【請求項4】 該第一のシートとして厚さが0.1mm
以上0.4mm以下のシートを用いることを特徴とす
る、請求項1〜3の何れかの項に記載の情報記録媒体の
製造方法。
4. The thickness of the first sheet is 0.1 mm.
The method for manufacturing an information recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein a sheet having a thickness of at least 0.4 mm or less is used.
【請求項5】 該第一のシートとして熱伝導率が1.0
W/m・℃以上のシートを用いることを特徴とする、請
求項1〜4の何れかの項に記載の情報記録媒体の製造方
法。
5. The thermal conductivity of the first sheet is 1.0.
The method for manufacturing an information recording medium according to claim 1, wherein a sheet having a temperature of W / m · ° C. or more is used.
【請求項6】 該第一のシートを挟んで該ホルダに該基
板を装着するにあたり、該基板の外周部の外延部に該ホ
ルダとの対向部を有し該対向部に絶縁性を有する第二の
シートを介装されたマスクにより、該基板の外周部を覆
うとともに該基板を該ホルダに押し付け固定することを
特徴とする、請求項1〜5の何れかの項に記載の情報記
録媒体の製造方法。
6. When mounting the substrate on the holder with the first sheet interposed therebetween, an outer peripheral portion of the substrate has a facing portion with the holder and an insulating portion on the facing portion. The information recording medium according to any one of claims 1 to 5, wherein an outer peripheral portion of the substrate is covered by a mask provided with the two sheets, and the substrate is pressed and fixed to the holder. Manufacturing method.
【請求項7】 金属又は合金からなる支持アームのホル
ダ支持部に絶縁性を有する第三のシートを介して支持さ
れた該ホルダに該第一のシートを介して該基板を装着す
ることを特徴とする、請求項1〜6の何れかの項に記載
の情報記録媒体の製造方法。
7. The substrate is mounted via the first sheet on the holder supported on the holder supporting portion of the support arm made of metal or alloy via a third sheet having insulation properties. The method for manufacturing an information recording medium according to claim 1.
【請求項8】 該ホルダを該支持アームに金属製のネジ
を介して取り付けるにあたり、該ホルダの該ネジの挿通
部に絶縁体製ブッシュを介装することを特徴とする、請
求項7記載の情報記録媒体の製造方法。
8. The mounting according to claim 7, wherein when the holder is attached to the support arm via a metal screw, a bush made of an insulator is interposed in a portion of the holder through which the screw is inserted. Manufacturing method of information recording medium.
【請求項9】 スパッタリングにより少なくとも一層以
上の膜を基板上に成膜する成膜装置の基板ホルダ構造で
あって、 該基板を保持するための保持面を有する金属製のホルダ
と、 絶縁性を有する第一のシートとを備え、 該基板と該保持面との間に該第一のシートが介装された
ことを特徴とする、基板ホルダ構造。
9. A substrate holder structure of a film forming apparatus for forming at least one film on a substrate by sputtering, comprising: a metal holder having a holding surface for holding the substrate; And a first sheet having the first sheet, wherein the first sheet is interposed between the substrate and the holding surface.
【請求項10】 請求項9記載の基板ホルダ構造を備
え、 上記基板ホルダ構造を用いて保持された該基板上にスパ
ッタリングにより少なくとも一層以上の膜を成膜するよ
うに構成されたことを特徴とする、成膜装置。
10. A substrate holder structure according to claim 9, wherein at least one film is formed by sputtering on said substrate held by using said substrate holder structure. A film forming apparatus.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005234231A (en) * 2004-02-19 2005-09-02 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd Display device and display panel
JP2017214607A (en) * 2016-05-30 2017-12-07 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing light reflection mirror, and vapor deposition apparatus
CN109791867A (en) * 2016-09-27 2019-05-21 康宁股份有限公司 The device and method of sputtering for arc reduction

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