JP2002062668A - フォトレジストの剥離方法 - Google Patents
フォトレジストの剥離方法Info
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- JP2002062668A JP2002062668A JP2000245486A JP2000245486A JP2002062668A JP 2002062668 A JP2002062668 A JP 2002062668A JP 2000245486 A JP2000245486 A JP 2000245486A JP 2000245486 A JP2000245486 A JP 2000245486A JP 2002062668 A JP2002062668 A JP 2002062668A
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- metal
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレーム、プリント配線板等の電子材料
の金属面にパターンを形成する際のフォトリソ工程で、
残存するフォトレジストを短時間で剥離出来、金属パタ
ーンを変形させることがないフォトレジストの剥離方法
を提供すること。 【解決手段】第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミ
ンおよびヒドロキシルアミン類、必要に応じて銅系金属
防食剤を含有する水溶液からなる剥離液を使用する方
法。
の金属面にパターンを形成する際のフォトリソ工程で、
残存するフォトレジストを短時間で剥離出来、金属パタ
ーンを変形させることがないフォトレジストの剥離方法
を提供すること。 【解決手段】第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミ
ンおよびヒドロキシルアミン類、必要に応じて銅系金属
防食剤を含有する水溶液からなる剥離液を使用する方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストの
剥離方法に関し、詳しくはエッチングレジストとしての
光硬化型のフォトレジストを露光、現像し、さらにエッ
チングを行った後、残存するフォトレジストを剥離、除
去するフォトレジストの剥離法に関する。
剥離方法に関し、詳しくはエッチングレジストとしての
光硬化型のフォトレジストを露光、現像し、さらにエッ
チングを行った後、残存するフォトレジストを剥離、除
去するフォトレジストの剥離法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板やリードフレーム等の電子
材料の薄膜精密材料の金属面パターンを形成する方法と
しては、光硬化型のフォトレジストを用いて、予め露
光、現像し、さらにエッチングを行うフォトリソ法が一
般的に用いられている。エッチング後の金属表面は残存
するフォトレジストを剥離除去する必要があるが、従来
これらの剥離液としては水酸化ナトリウムや水酸化カリ
ウム等の水溶液が一般に、用いられている。水酸化ナト
リウムや水酸化カリウム等の水溶液により、フォトレジ
ストの剥離を行う場合には、硬化したフォトレジストが
金属表面よりフイルム状に剥離し、金属パターンの表面
上に、剥離したフイルム状のフォトレジストが付着し、
残存する問題が生じている。この問題を解決するために
は、剥離時のスプレー圧を上昇する等の手段を講じてい
るが、スプレー圧を上昇することにより金属パターンの
変形を生じる等の、二次的なトラブルを発生する。特に
近年この問題は、金属表面のファインパターン化と薄膜
化の傾向が進む中でトラブル発生となり解決が迫られて
いる。更に、フイルム状に剥がれるフォトレジストが剥
離槽や配管、ノズル、ポンプ等に詰まる等のトラブルを
発生し、メンテナンスが煩雑になる欠点があった。
材料の薄膜精密材料の金属面パターンを形成する方法と
しては、光硬化型のフォトレジストを用いて、予め露
光、現像し、さらにエッチングを行うフォトリソ法が一
般的に用いられている。エッチング後の金属表面は残存
するフォトレジストを剥離除去する必要があるが、従来
これらの剥離液としては水酸化ナトリウムや水酸化カリ
ウム等の水溶液が一般に、用いられている。水酸化ナト
リウムや水酸化カリウム等の水溶液により、フォトレジ
ストの剥離を行う場合には、硬化したフォトレジストが
金属表面よりフイルム状に剥離し、金属パターンの表面
上に、剥離したフイルム状のフォトレジストが付着し、
残存する問題が生じている。この問題を解決するために
は、剥離時のスプレー圧を上昇する等の手段を講じてい
るが、スプレー圧を上昇することにより金属パターンの
変形を生じる等の、二次的なトラブルを発生する。特に
近年この問題は、金属表面のファインパターン化と薄膜
化の傾向が進む中でトラブル発生となり解決が迫られて
いる。更に、フイルム状に剥がれるフォトレジストが剥
離槽や配管、ノズル、ポンプ等に詰まる等のトラブルを
発生し、メンテナンスが煩雑になる欠点があった。
【０００３】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は、ファイン
パターン化と薄膜化の傾向が進むリードフレーム、プリ
ント配線板等の電子材料の金属面にパターンを形成する
際のフォトリソ工程で、残存するフォトレジストを短時
間で剥離出来、さらに剥離したフォトレジストがパター
ン表面に残存することがなく、金属パターンを変形させ
ることがないフォトレジストの剥離方法を提供すること
を目的とするものである。
パターン化と薄膜化の傾向が進むリードフレーム、プリ
ント配線板等の電子材料の金属面にパターンを形成する
際のフォトリソ工程で、残存するフォトレジストを短時
間で剥離出来、さらに剥離したフォトレジストがパター
ン表面に残存することがなく、金属パターンを変形させ
ることがないフォトレジストの剥離方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、フォトレジス
トの剥離液として、（１）第四級アンモニウム水酸化
物、水溶性アミンおよびヒドロキシルアミン類を含有す
る水溶液である剥離液、（２）第四級アンモニウム水酸
化物、水溶性アミン、ヒドロキシルアミンおよび銅系金
属防食剤を含有する水溶液である剥離液を用いることに
より、フォトレジストを短時間で剥離出来、剥離したフ
ォトレジストが金属パターン上に残存することなく、し
かも金属パターンを変形させることなく、メンテナンス
を容易にできることを見い出した。すなわち、本発明
は、リードフレーム、プリント配線板等の電子材料の金
属面に微細な、パターンを安定的に形成せしめる製造技
術を提供するものである。
トの剥離液として、（１）第四級アンモニウム水酸化
物、水溶性アミンおよびヒドロキシルアミン類を含有す
る水溶液である剥離液、（２）第四級アンモニウム水酸
化物、水溶性アミン、ヒドロキシルアミンおよび銅系金
属防食剤を含有する水溶液である剥離液を用いることに
より、フォトレジストを短時間で剥離出来、剥離したフ
ォトレジストが金属パターン上に残存することなく、し
かも金属パターンを変形させることなく、メンテナンス
を容易にできることを見い出した。すなわち、本発明
は、リードフレーム、プリント配線板等の電子材料の金
属面に微細な、パターンを安定的に形成せしめる製造技
術を提供するものである。
【０００５】本発明に使用される第四級アンモニウム水
酸化物は、下記式（１）
酸化物は、下記式（１）
【化１】 （ただし、式中Ｒ1 は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2
は１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のヒドロキ
シ置換アルキル基を示す。）で表される。上記の式
（１）で表される第四級アンモニウム水酸化物として
は、具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、
テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルア
ンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキ
シエチル）アンモニウム水酸化物等が挙げられる。本発
明に使用される第四級アンモニウム水酸化物の濃度は、
全溶液中０．１〜２０重量％であり、０．１重量％以下
であると、フォトレジストの剥離速度が低下し、２０重
量％以上になると金属材料や基板に対して、腐食が発生
するなどのトラブルを生じる。
は１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のヒドロキ
シ置換アルキル基を示す。）で表される。上記の式
（１）で表される第四級アンモニウム水酸化物として
は、具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、
テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルア
ンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキ
シエチル）アンモニウム水酸化物等が挙げられる。本発
明に使用される第四級アンモニウム水酸化物の濃度は、
全溶液中０．１〜２０重量％であり、０．１重量％以下
であると、フォトレジストの剥離速度が低下し、２０重
量％以上になると金属材料や基板に対して、腐食が発生
するなどのトラブルを生じる。
【０００６】本発明に使用される水溶性アミンとして
は、アルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミ
ン、環式アミン等が挙げられる。アルキルアミンとして
は、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミ
ン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−
ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、
ペンチルアミン、２−アミノペンタン、３−アミノペン
タン、１−アミノ−２−メチルブタン、２−アミノ−２
−メチルブタン、３−アミノ−２−メチルブタン、４−
アミノ−２−メチルブタン、ヘキシルアミン、５−アミ
ノ−２−メチルペンタン、ヘプチルアミン、オクチルア
ミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミ
ン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシル
アミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘ
プタデシルアミン、オクタデシルアミン等の第一アルキ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピ
ルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジ
イソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジ−ｔ
−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミ
ン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルア
ミン、ジデシルアミン、メチルエチルアミン、メチルプ
ロピルアミン、メチルイソプロピルアミン、メチルブチ
ルアミン、メチルイソブチルアミン、メチル−ｓｅｃ−
ブチルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、メチルアミ
ルアミン、メチルイソアミルアミン、エチルプロピルア
ミン、エチルイソプロピルアミン、エチルブチルアミ
ン、エチルイソブチルアミン、エチル−ｓｅｃ−ブチル
アミン、エチルアミン、エチルイソアミルアミン、プロ
ピルブチルアミン、プロピルイソブチルアミン等の第ニ
アルキルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペン
チルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチルア
ミン、メチルジプロピルアミン等の第三アルキルアミン
等があげられる。
は、アルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミ
ン、環式アミン等が挙げられる。アルキルアミンとして
は、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミ
ン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−
ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、
ペンチルアミン、２−アミノペンタン、３−アミノペン
タン、１−アミノ−２−メチルブタン、２−アミノ−２
−メチルブタン、３−アミノ−２−メチルブタン、４−
アミノ−２−メチルブタン、ヘキシルアミン、５−アミ
ノ−２−メチルペンタン、ヘプチルアミン、オクチルア
ミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミ
ン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシル
アミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘ
プタデシルアミン、オクタデシルアミン等の第一アルキ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピ
ルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジ
イソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジ−ｔ
−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミ
ン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルア
ミン、ジデシルアミン、メチルエチルアミン、メチルプ
ロピルアミン、メチルイソプロピルアミン、メチルブチ
ルアミン、メチルイソブチルアミン、メチル−ｓｅｃ−
ブチルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、メチルアミ
ルアミン、メチルイソアミルアミン、エチルプロピルア
ミン、エチルイソプロピルアミン、エチルブチルアミ
ン、エチルイソブチルアミン、エチル−ｓｅｃ−ブチル
アミン、エチルアミン、エチルイソアミルアミン、プロ
ピルブチルアミン、プロピルイソブチルアミン等の第ニ
アルキルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペン
チルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチルア
ミン、メチルジプロピルアミン等の第三アルキルアミン
等があげられる。
【０００７】アルカノールアミンとしては、エタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタ
ノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブ
チエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプロノ
ールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−
エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロ
パノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ
−メチル−２−アミノ−プロパン−１−オール、Ｎ−エ
チル−２−アミノ−プロパン−１−オール、１−アミン
プロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパ
ン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３
−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル
−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−ア
ミンブタン−２−オール、２−アミノブタン−１−オー
ル、Ｎ−メチン−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−
エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブ
タン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１
−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オー
ル、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル−１−
アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブ
タン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−
２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オ
ール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−
４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン
−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−
アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４
−オール、１−アミノプロパン−２，３−ジオール、２
−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシ
メチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３
−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オール、２
−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタ
ノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブ
チエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプロノ
ールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−
エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロ
パノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ
−メチル−２−アミノ−プロパン−１−オール、Ｎ−エ
チル−２−アミノ−プロパン−１−オール、１−アミン
プロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパ
ン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３
−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル
−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−ア
ミンブタン−２−オール、２−アミノブタン−１−オー
ル、Ｎ−メチン−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−
エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブ
タン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１
−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オー
ル、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル−１−
アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブ
タン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−
２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オ
ール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−
４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン
−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−
アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４
−オール、１−アミノプロパン−２，３−ジオール、２
−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシ
メチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３
−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オール、２
−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
【０００８】ポリアミンとしては、エチレンジアミン、
プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメ
チレンジアミン、１，３−ジアミノブタン、２，３−ジ
アミンブタン、ペンタメチレンジアミン、２，４−ジア
ミノペンタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレ
ンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジ
アミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルエチレンジアミン、トリメチルエチレンジアミン、Ｎ
−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレン
ジアミン、トリエチルエチレンジアミン、１，２，３−
トリアミノプロパン、トリス（２−アミノエチル）アミ
ン、テトラ（アミノメチル）メタン、ジエチレントリア
ミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチルペンタミ
ン、ヘプタエチレンオクタミン、ノナエチレンデカミン
等が挙げられる。
プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメ
チレンジアミン、１，３−ジアミノブタン、２，３−ジ
アミンブタン、ペンタメチレンジアミン、２，４−ジア
ミノペンタン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレ
ンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジ
アミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルエチレンジアミン、トリメチルエチレンジアミン、Ｎ
−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレン
ジアミン、トリエチルエチレンジアミン、１，２，３−
トリアミノプロパン、トリス（２−アミノエチル）アミ
ン、テトラ（アミノメチル）メタン、ジエチレントリア
ミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチルペンタミ
ン、ヘプタエチレンオクタミン、ノナエチレンデカミン
等が挙げられる。
【０００９】環式アミンとしては、具体的にはピロー
ル、２−メチルピロール、３−メチルピロール、２−エ
チルピロール、３−エチルピロール、２，３−ジメチル
ピロール、２，４−ジメチルピロール、３，４−ジメチ
ルピロール、２，３，４−トリメチルピロール、２，
３，５−トリメチルピロール、２−ピロリン、３−ピロ
リン、ピロリジン、２−メチルピロリジン、３−メチル
ピロリジン、ピペリジン、２−ピペコリン、３−ピペコ
リン、４−ピペコリン、２−４−ルペチジン、２，６−
ルペチジン、３，５−ルペチジン、ピペラジン、２−メ
チルピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、２，６
−メチルピペラジン、モルホリン等があげられる。上記
アルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミン、環
式アミンの中で好ましくは、エタノールアミン、Ｎ−メ
チルエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプロ
ノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、２
−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミ
ノ−プロパン−１−オール、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、エチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、プロパンジアミン、モルホリン等である。上記水
溶性アミンの濃度は全溶液中０．０１〜８０重量％であ
り、好ましくは、０．１〜３０重量％である。０．０１
重量％以下であると、フォトレジストの剥離速度が低下
し、８０重量％以上になると、材料や基板に対して、腐
食が発生するなどの問題点を発生するため好ましくな
い。
ル、２−メチルピロール、３−メチルピロール、２−エ
チルピロール、３−エチルピロール、２，３−ジメチル
ピロール、２，４−ジメチルピロール、３，４−ジメチ
ルピロール、２，３，４−トリメチルピロール、２，
３，５−トリメチルピロール、２−ピロリン、３−ピロ
リン、ピロリジン、２−メチルピロリジン、３−メチル
ピロリジン、ピペリジン、２−ピペコリン、３−ピペコ
リン、４−ピペコリン、２−４−ルペチジン、２，６−
ルペチジン、３，５−ルペチジン、ピペラジン、２−メ
チルピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、２，６
−メチルピペラジン、モルホリン等があげられる。上記
アルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミン、環
式アミンの中で好ましくは、エタノールアミン、Ｎ−メ
チルエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプロ
ノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、２
−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミ
ノ−プロパン−１−オール、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、エチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、プロパンジアミン、モルホリン等である。上記水
溶性アミンの濃度は全溶液中０．０１〜８０重量％であ
り、好ましくは、０．１〜３０重量％である。０．０１
重量％以下であると、フォトレジストの剥離速度が低下
し、８０重量％以上になると、材料や基板に対して、腐
食が発生するなどの問題点を発生するため好ましくな
い。
【００１０】本発明に使用されるヒドロキシルアミン類
としては、ヒドロキシルアミン、Ｎ−メチルヒドロキシ
ルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。上記ヒドロ
キシルアミン類の濃度は全溶液中０．１〜２０重量％で
あり、好ましくは０．５〜１０重量％である。ヒドロキ
シルアミン類の濃度が０．１重量％以下であると、フォ
トレジストの剥離速度が低下し、２０重量％以上になる
と材料や基板に対して腐食が発生するなどの問題が発生
する。
としては、ヒドロキシルアミン、Ｎ−メチルヒドロキシ
ルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。上記ヒドロ
キシルアミン類の濃度は全溶液中０．１〜２０重量％で
あり、好ましくは０．５〜１０重量％である。ヒドロキ
シルアミン類の濃度が０．１重量％以下であると、フォ
トレジストの剥離速度が低下し、２０重量％以上になる
と材料や基板に対して腐食が発生するなどの問題が発生
する。
【００１１】本発明で使用される銅系金属の防食剤とし
て、アゾール化合物、アジン化合物等が挙げられる。ア
ゾール化合物中、ジアゾール化合物として、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾー
ル、２−フェニル−イミダゾール、２−フェニル−４−
メチルイミダゾール、ウンデシルイミダゾール、２−メ
ルカプトベンツイミダゾール、２−メルカプトベンツイ
ミダゾール、ピラゾール、Ｎ―メチルピラゾール、3−
メチルピラゾール、4−メチルピラゾール等が挙げられ
る。アゾール化合物中、トリアゾール化合物として、
１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾー
ル、１−フェニル−１，２，３−トリアゾール、２−フ
ェニル−１，２，３−トリアゾール、１−フェニル−
１，２，４−トリアゾール、３−（Ｎ−サリチロイル）
アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、１ーメチルー1Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−メチ
ルー２Ｈ−ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、
トリルトリアゾールカリウム塩、ベンゾトリアゾール・
２−メチルイミダゾールアダクト等が挙げられる。アゾ
ール化合物中、テトラゾール化合物として、テトラゾー
ル、フェニルテトラゾール、メルカプトテトラゾール、
［ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチレン］テトラ
ゾール、［ビス（ｎ−ブチル）アミノメチレン］テトラ
ゾール、［ビス（ｎ−ヘキシル）アミノメチレン］テト
ラゾール、［ビス（ｎ−オクチル）アミノメチレン］テ
トラゾール等が挙げられる。アジン化合物中、トリアジ
ン化合物として、１，２，３−トリアジン、２，４−ト
リアジン、１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリ
アジン−２，４−ジチオール・モノナトリウム、６−ジ
ブチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチ
オール・モノナトリウム、６−ジエチルアミノ−１，
３，５−トリアジン−２，４−ジチオール、６−ジメチ
ルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオー
ル、６−メトキシ−１，３，５−トリアジン−２，４−
ジチオール、６−フェニルアミノ−１，３，５−トリア
ジン−２，４−ジチオール、２−ビニル−４，６−ジチ
ミノ−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。銅系金
属の防食剤として、アゾール化合物が特に好ましく、ア
ゾール化合物の濃度は全溶液中０．０１〜１０重量％、
好ましくは０．０５〜５重量％である。アゾール化合物
の濃度が０．０１重量％以下であると銅に対する腐食作
用を抑制出来ず、１０重量％以上では、銅に対する腐食
抑制作用が向上せず、経済的に得策でない。
て、アゾール化合物、アジン化合物等が挙げられる。ア
ゾール化合物中、ジアゾール化合物として、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾー
ル、２−フェニル−イミダゾール、２−フェニル−４−
メチルイミダゾール、ウンデシルイミダゾール、２−メ
ルカプトベンツイミダゾール、２−メルカプトベンツイ
ミダゾール、ピラゾール、Ｎ―メチルピラゾール、3−
メチルピラゾール、4−メチルピラゾール等が挙げられ
る。アゾール化合物中、トリアゾール化合物として、
１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾー
ル、１−フェニル−１，２，３−トリアゾール、２−フ
ェニル−１，２，３−トリアゾール、１−フェニル−
１，２，４−トリアゾール、３−（Ｎ−サリチロイル）
アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、１ーメチルー1Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−メチ
ルー２Ｈ−ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、
トリルトリアゾールカリウム塩、ベンゾトリアゾール・
２−メチルイミダゾールアダクト等が挙げられる。アゾ
ール化合物中、テトラゾール化合物として、テトラゾー
ル、フェニルテトラゾール、メルカプトテトラゾール、
［ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチレン］テトラ
ゾール、［ビス（ｎ−ブチル）アミノメチレン］テトラ
ゾール、［ビス（ｎ−ヘキシル）アミノメチレン］テト
ラゾール、［ビス（ｎ−オクチル）アミノメチレン］テ
トラゾール等が挙げられる。アジン化合物中、トリアジ
ン化合物として、１，２，３−トリアジン、２，４−ト
リアジン、１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリ
アジン−２，４−ジチオール・モノナトリウム、６−ジ
ブチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチ
オール・モノナトリウム、６−ジエチルアミノ−１，
３，５−トリアジン−２，４−ジチオール、６−ジメチ
ルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオー
ル、６−メトキシ−１，３，５−トリアジン−２，４−
ジチオール、６−フェニルアミノ−１，３，５−トリア
ジン−２，４−ジチオール、２−ビニル−４，６−ジチ
ミノ−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。銅系金
属の防食剤として、アゾール化合物が特に好ましく、ア
ゾール化合物の濃度は全溶液中０．０１〜１０重量％、
好ましくは０．０５〜５重量％である。アゾール化合物
の濃度が０．０１重量％以下であると銅に対する腐食作
用を抑制出来ず、１０重量％以上では、銅に対する腐食
抑制作用が向上せず、経済的に得策でない。
【００１２】本発明の剥離液を使用する剥離方法それ自
体には、特に制限はなく従来から実施されている浸漬
法、スプレー方法、剥離液に揺動浸漬する方法、浸漬し
て超音波を作用させる方法など、通常行われる剥離方法
が用いられる。本発明における剥離液を使用してフォト
レジストを剥離、除去する際の温度は１０〜８０℃であ
り、好ましくは３０〜６０℃であるが、特に制限はな
い。
体には、特に制限はなく従来から実施されている浸漬
法、スプレー方法、剥離液に揺動浸漬する方法、浸漬し
て超音波を作用させる方法など、通常行われる剥離方法
が用いられる。本発明における剥離液を使用してフォト
レジストを剥離、除去する際の温度は１０〜８０℃であ
り、好ましくは３０〜６０℃であるが、特に制限はな
い。
【００１３】本発明の剥離方法において剥離、除去され
るフォトレジストは、光硬化型のものであり、かつ、ア
ルカリ水溶液で末硬化部分のレジストを現像するタイプ
のものである。このようなアルカリ現像型のフォトレジ
ストとしては、カゼイン、ポリビニルアルコール、アク
ロイル基またはメタアクロイル基を持つ多価アクリレー
ト、またはメタクリレート化合物等の光重合開始剤、安
定剤、発色剤、密着促進剤、染料等を配合したものが用
いられる。
るフォトレジストは、光硬化型のものであり、かつ、ア
ルカリ水溶液で末硬化部分のレジストを現像するタイプ
のものである。このようなアルカリ現像型のフォトレジ
ストとしては、カゼイン、ポリビニルアルコール、アク
ロイル基またはメタアクロイル基を持つ多価アクリレー
ト、またはメタクリレート化合物等の光重合開始剤、安
定剤、発色剤、密着促進剤、染料等を配合したものが用
いられる。
【００１４】フォトレジストの金属面への塗布方法とし
ては、ロールコーティングやピンコート等による液状レ
ジストのコーティング法、電着塗装法、静電塗装法、ド
ライフィルム法等が適応できる。
ては、ロールコーティングやピンコート等による液状レ
ジストのコーティング法、電着塗装法、静電塗装法、ド
ライフィルム法等が適応できる。
【００１５】パターン加工される金属基材としては、
鉄、ニッケル・鉄合金、銅、銅合金等から成るリードフ
レーム、ポリイミド、ポリエステル等の銅張りフレキシ
ブルプリント配線板または繊維強化型エポキシ銅張りプ
リント配線板、鉄、クロム、鉄合金等のシャドウマスク
やフォトマスク等の電子材料部品や、フィルター、スト
レーナ等のメッシュスクリーンや金属箔、精密部品用金
属板さらに、これらの他ガラス基板、セラミックス基板
等にも適応できる。パターン加工は、清浄化した金属表
面にフォトレジストを貼着し、パターン原版のフォトマ
スクを介して紫外線等を照射し所要部品を露光してレジ
ストを硬化させ、次いで末硬化部を現像液で除去する。
この際使用される現像液としては、一般に０．５〜２％
の炭酸ソーダの水溶液等が用いられる。現像液の露光し
た金属面は、腐食液によりエッチングされパターンが形
成される。腐食液としては、塩化鉄、塩化銅、硫酸・過
酸化水素液等の酸性浴が用いられる。
鉄、ニッケル・鉄合金、銅、銅合金等から成るリードフ
レーム、ポリイミド、ポリエステル等の銅張りフレキシ
ブルプリント配線板または繊維強化型エポキシ銅張りプ
リント配線板、鉄、クロム、鉄合金等のシャドウマスク
やフォトマスク等の電子材料部品や、フィルター、スト
レーナ等のメッシュスクリーンや金属箔、精密部品用金
属板さらに、これらの他ガラス基板、セラミックス基板
等にも適応できる。パターン加工は、清浄化した金属表
面にフォトレジストを貼着し、パターン原版のフォトマ
スクを介して紫外線等を照射し所要部品を露光してレジ
ストを硬化させ、次いで末硬化部を現像液で除去する。
この際使用される現像液としては、一般に０．５〜２％
の炭酸ソーダの水溶液等が用いられる。現像液の露光し
た金属面は、腐食液によりエッチングされパターンが形
成される。腐食液としては、塩化鉄、塩化銅、硫酸・過
酸化水素液等の酸性浴が用いられる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１７】
【実施例１】基板厚０．６ｍｍ、銅箔厚０．０３ｍｍの
エポキシ両面銅張積層板をアルミナ研磨砥粒入りナイロ
ンブラシを装着したバブ研磨機を用いて水洗研磨した
後、水洗、乾燥し、清浄基板を得た。上記清浄基板にア
ルカリ現象ドライフィルム（旭化成製サンフォートＡＱ
２５５９、フィルム厚み０．０２５ｍｍ）をラミネー
ターで熱圧着し、ラミネート基板を得た。ラミネート基
板に形成する回路網としてはライン幅０．０２５ｍｍ、
０．０５ｍｍ、および０．１ｍｍのラインを０．５ｍｍ
間隔で配した。シグナルラインを検査するテストパター
ン（Ｌ）とテストパターンを反転させて得られるライン
間隔を検査するテストパターンを有するもので、これを
反転させた回路網を印刷したポリエステル製のネガフィ
ルムを介してＵＶを照射し露光基板を得た。次いで１％
炭酸ソーダによる３０℃、２分のスプレー現象、比重
１．２５の塩化第二鉄溶液による５０℃、４０分のスプ
レーエッチングにより形成したテスト剥離基板を得た。
この剥離基板をテトラメチルアンモニウム水酸化物（以
下、ＴＭＡＨと略す。）１重量％、モノエタノールアミ
ン８重量％、ヒドロキシルアミン０．５重量％、１−メ
チルー１Ｈ―ベンゾトリアゾール０．１重量％、残部が
水である剥離液中に４０℃、６０秒浸漬した結果、ドラ
イフィルムは、極めて細片状に剥離された。なお、銅の
表面状態においては、腐食はまったく認められなかっ
た。
エポキシ両面銅張積層板をアルミナ研磨砥粒入りナイロ
ンブラシを装着したバブ研磨機を用いて水洗研磨した
後、水洗、乾燥し、清浄基板を得た。上記清浄基板にア
ルカリ現象ドライフィルム（旭化成製サンフォートＡＱ
２５５９、フィルム厚み０．０２５ｍｍ）をラミネー
ターで熱圧着し、ラミネート基板を得た。ラミネート基
板に形成する回路網としてはライン幅０．０２５ｍｍ、
０．０５ｍｍ、および０．１ｍｍのラインを０．５ｍｍ
間隔で配した。シグナルラインを検査するテストパター
ン（Ｌ）とテストパターンを反転させて得られるライン
間隔を検査するテストパターンを有するもので、これを
反転させた回路網を印刷したポリエステル製のネガフィ
ルムを介してＵＶを照射し露光基板を得た。次いで１％
炭酸ソーダによる３０℃、２分のスプレー現象、比重
１．２５の塩化第二鉄溶液による５０℃、４０分のスプ
レーエッチングにより形成したテスト剥離基板を得た。
この剥離基板をテトラメチルアンモニウム水酸化物（以
下、ＴＭＡＨと略す。）１重量％、モノエタノールアミ
ン８重量％、ヒドロキシルアミン０．５重量％、１−メ
チルー１Ｈ―ベンゾトリアゾール０．１重量％、残部が
水である剥離液中に４０℃、６０秒浸漬した結果、ドラ
イフィルムは、極めて細片状に剥離された。なお、銅の
表面状態においては、腐食はまったく認められなかっ
た。
【００１８】
【実施例２〜１０】実施例１で使用したテスト剥離基板
を用い、表１で示す剥離液に40℃にて浸漬し、剥離時
間、剥離状態を調べ、その結果を表１に示した。なお、
銅の腐食状態の評価基準を以下に示す。 ◎：銅の表面状態において腐食はまったく認められなか
った。 ×：銅の表面において、ピット状の腐食が認められた。
を用い、表１で示す剥離液に40℃にて浸漬し、剥離時
間、剥離状態を調べ、その結果を表１に示した。なお、
銅の腐食状態の評価基準を以下に示す。 ◎：銅の表面状態において腐食はまったく認められなか
った。 ×：銅の表面において、ピット状の腐食が認められた。
【００１９】
【比較例１〜８】実施例１で使用したテスト剥離基板を
用い、表２で示す剥離液に40℃にて浸漬し、剥離時間、
剥離状態を調べ、その結果を表２に示した。
用い、表２で示す剥離液に40℃にて浸漬し、剥離時間、
剥離状態を調べ、その結果を表２に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明の剥離液を使用することにより、
金属面にパターンを形成するフォトリソ工程で、残存す
るフォトレジストを剥離除去する際、剥がれるフォトレ
ジストの形状を制御し、極めて細片状のフォトレジスト
として剥離出来、金属パターンを変形することがない。
金属面にパターンを形成するフォトリソ工程で、残存す
るフォトレジストを剥離除去する際、剥がれるフォトレ
ジストの形状を制御し、極めて細片状のフォトレジスト
として剥離出来、金属パターンを変形することがない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA26 AA27 BA05 HA13 HA17 LA03 5E339 AD01 AD03 BC02 BE11 CC01 CD01 CE12 CE15 CF15 CG04 5F067 AA10 DA16
Claims (4)
- 【請求項１】エッチングレジストとして光硬化型のフォ
トレジストを用いて、あらかじめ露光、現像および酸性
腐食液にて、エッチングして、パタ−ンを形成した金属
表面を、下記式（１） （ただし、式中Ｒ1 は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ2
は１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のヒドロキ
シ置換アルキル基を示す。）で表される第四級アンモニ
ウム水酸化物、水溶性アミンおよびヒドロキシルアミン
類を含有する水溶液からなる剥離液で、硬化したフォト
レジストを金属表面より剥離、除去することを特徴とす
るフォトレジストの剥離方法。 - 【請求項２】水溶性アミンがアルカノールアミン、アル
キルアミン、ポリアミンまたは環式アミンである請求項
１記載のフォトレジストの剥離方法。 - 【請求項３】さらに剥離液が銅系金属防食剤を含有する
請求項１記載のフォトレジストの剥離方法。 - 【請求項４】銅系金属防食剤がアゾール化合物である請
求項３記載のフォトレジストの剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000245486A JP2002062668A (ja) | 2000-08-14 | 2000-08-14 | フォトレジストの剥離方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000245486A JP2002062668A (ja) | 2000-08-14 | 2000-08-14 | フォトレジストの剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062668A true JP2002062668A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18736001
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000245486A Pending JP2002062668A (ja) | 2000-08-14 | 2000-08-14 | フォトレジストの剥離方法 |
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-
2000
- 2000-08-14 JP JP2000245486A patent/JP2002062668A/ja active Pending
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